KR101656651B1 - Thin film deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막증착장치 에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막증착장치는 내부에 증착공간을 구비하고 공정가스가 유입되는 유입구와 상기 공정가스가 배기되는 배기구를 구비하는 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되어 기판이 안착되는 기판지지부 및 미리 결정된 거리만큼 왕복 이동하면서 상기 유입구와 연통되어 복수의 공정가스를 선택적으로 공급하는 가스공급유닛을 포함하는 가스공급부를 구비하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus. A thin film deposition apparatus according to the present invention includes a chamber having an evaporation space therein and including an inlet through which a process gas flows and an exhaust port through which the process gas is exhausted, a substrate support disposed inside the chamber, And a gas supply unit including a gas supply unit that communicates with the inlet and selectively supplies a plurality of process gases.

Description

박막증착장치 {Thin film deposition apparatus}[0001] The present invention relates to a thin film deposition apparatus,

본 발명은 박막증착장치에 대한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus.

반도체 웨이퍼 등의 기판(이하, '기판'이라 함) 상에 박막을 형성하기 위한 증착법으로 종래에 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition) 등이 많이 사용되었으나, 최근 들어 원자층증착법(ALD ; Atomic Layer Deposition)의 기술이 각광받고 있다.Conventionally, chemical vapor deposition (CVD) has been widely used as a deposition method for forming a thin film on a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a substrate). Recently, atomic layer deposition (ALD) Layer Deposition) technology is attracting attention.

원자층증착법의 기본 개념에 대해서 도 9를 참조하여 살펴보면, 원자층증착법은 기판 상에 트리메틸알루미늄(TMA ; TriMethyl Aluminium) 같은 원료를 포함하는 원료가스를 분사하여 기판상에 단일 원자층을 흡착시키고, 아르곤(Ar) 등의 불활성 퍼지 가스를 분사하여 잔존 가스를 배기한다. 이어서, 상기 원료와 반응하는 오존(O3) 같은 반응물을 포함하는 반응가스를 분사하여 기판상에 단일 원자층(Al-O)을 형성하게 하고, 불활성 퍼지가스를 분사하여 미반응 물질/부산물 배기를 하게 된다.Referring to FIG. 9, the atomic layer deposition method is a method in which a single atomic layer is adsorbed on a substrate by spraying a raw material gas containing a raw material such as trimethyl aluminum (TMA) on a substrate, An inert purge gas such as argon (Ar) is injected to exhaust the remaining gas. Then, a reaction gas containing a reactant such as ozone (O 3 ) reacting with the raw material is sprayed to form a single atomic layer (Al-O) on the substrate, and an inert purge gas is sprayed to discharge unreacted material / .

상기와 같은 원자층증착법을 수행하기 위한 각종 공정가스의 공급 방법을 살펴보면 크게 두가지로 나눌 수 있다.The method of supplying various process gases for performing the atomic layer deposition method as described above can be broadly classified into two types.

첫번째는 원료가스, 퍼지가스 및 반응가스를 시간적으로 순차적으로 공급하여 상기 기판으로 공정가스를 공급하는 방식이다. 상기 방식은 박막증착장치의 설치면적(footprint)은 상대적으로 작게 할 수 있지만, 원료가스, 퍼지가스 및 반응가스를 순차적으로 공급하기 위하여 공급수단을 순차적으로 온/오프(On/Off) 제어해야 함으로써 그 제어방식이 매우 복잡하고, 원자층증착법의 증착 속도가 느린 단점을 보완하고 기판 처리량(throughput)을 향상시키기 위하여 고속 밸브 등과 같은 복잡한 장치가 필요해 박막증착장치를 구성하는 비용이 비싸지며, 제어를 위한 복잡한 시스템이 필요하다는 단점을 수반한다.First, the raw material gas, the purge gas, and the reaction gas are sequentially supplied in a time sequence to feed the process gas to the substrate. In this method, the footprint of the thin film deposition apparatus can be made relatively small, but the supply means must be sequentially turned on / off to supply the source gas, the purge gas and the reaction gas sequentially The complexity of the control method is complicated and the deposition speed of the atomic layer deposition method is slow and the complicated device such as a high speed valve is required to improve the throughput of the substrate. A complex system is required.

한편, 두번째 방법은 박막증착장치에 복수의 공간을 구획하고, 상기 각 공간에서 원료가스, 퍼지가스 및 반응가스를 각각 공급하고, 상기 기판은 상기 공간을 이동하는 방식이다. 이러한 두번째 방법은 첫번째 방법에 비해 공정가스의 온/오프 제어가 필요치 않다는 장점을 가지지만, 상기 기판을 이동시키기 위한 별도의 구동장치를 필요로 하며, 나아가 상기 박막증착장치에 복수의 구획된 공간을 필요로 하므로 상기 박막증착장치의 설치 면적이 상대적으로 매우 커진다는 단점을 가지게 된다.On the other hand, the second method is a method of dividing a plurality of spaces into thin film deposition apparatuses, supplying the source gas, the purge gas and the reaction gas in the respective spaces, and moving the substrate in the space. This second method has an advantage that on / off control of the process gas is not required compared with the first method, but it requires a separate driving device for moving the substrate, and furthermore, a plurality of divided spaces So that the installation area of the thin film deposition apparatus becomes relatively large.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 복잡한 제어를 필요로 하지 않으며 단순한 구성에 의해 박막을 증착할 수 있는 박막증착장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a thin film deposition apparatus which does not require complicated control and is capable of depositing a thin film by a simple structure in order to solve the above problems.

나아가, 본 발명은 기판처리량을 향상시키면서도 별도의 구획된 공간이 필요하지 않아 설치면적을 줄일 수 있는 박막증착장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Further, it is an object of the present invention to provide a thin film deposition apparatus which can reduce the installation area by improving the throughput of the substrate and without requiring a separate partitioned space.

또한, 본 발명은 기판 처리량(throughput)을 현저히 향상시키면서 박막의 우수한 품질을 유지할 수 있는 박막증착장치를 제공하는데 목적이 있다.It is another object of the present invention to provide a thin film deposition apparatus capable of maintaining a good quality of a thin film while significantly improving substrate throughput.

상기와 같은 본 발명의 목적은 내부에 증착공간이 마련되고 공정가스 및 퍼지가스가 유입되는 유입구와 상기 공정가스 및 퍼지가스가 배기되는 배기구가 형성된 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되어 기판이 안착되는 기판지지부 및 미리 결정된 거리만큼 왕복 이동하면서 상기 유입구와 연통되어 복수의 공정가스 및 퍼지가스를 선택적으로 공급하는 가스공급유닛을 포함하는 가스공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치에 의해 달성된다.It is an object of the present invention to provide a chamber in which an evaporation space is provided and in which an inlet for introducing a process gas and a purge gas and an outlet for exhausting the process gas and purge gas are formed, And a gas supply unit including a support and a gas supply unit that communicates with the inlet port while reciprocating by a predetermined distance to selectively supply a plurality of process gases and purge gases.

여기서, 상기 가스공급유닛은 상기 복수의 공정가스 및 퍼지가스를 각각 공급하는 복수의 가스공급모듈을 구비하며, 상기 복수의 가스공급모듈은 상기 유입구와의 연통 여부에 관계없이 상기 기판의 증착 공정 동안 연속적으로 공정가스 및 퍼지가스를 각각 공급할 수 있다.Wherein the gas supply unit includes a plurality of gas supply modules for supplying the plurality of process gases and purge gas, respectively, wherein the plurality of gas supply modules are connected to each other during the deposition process of the substrate, The process gas and the purge gas can be continuously supplied.

한편, 상기 가스공급부는 상기 유입구와 연통되지 않는 상기 가스공급모듈에서 공급되는 상기 공정가스 및 퍼지가스를 배기하는 배기부가 더 포함될 수 있다.The gas supply unit may further include an exhaust unit for exhausting the process gas and the purge gas supplied from the gas supply module that is not in communication with the inlet.

나아가, 상기 가스공급유닛은 상기 기판이 놓인 평면에 대해 수직한 방향으로 이동할 수 있다.Furthermore, the gas supply unit can move in a direction perpendicular to the plane on which the substrate is placed.

또한, 상기 가스공급부는 상기 챔버의 유입구와 연통하며 상기 가스공급유닛이 이동할 수 있는 공간을 제공하는 하우징과, 상기 하우징의 일측에 구비되어 상기 하우징 내의 잔존가스를 배기하는 배기부를 구비할 수 있다. 이 경우, 상기 유입구와 연통하지 않는 상기 가스공급모듈에서 공급되는 상기 공정가스 및 퍼지가스가 상기 배기부를 통하여 배기될 수 있다.The gas supply unit may include a housing that communicates with an inlet of the chamber and provides a space through which the gas supply unit can move, and an exhaust unit that is provided at one side of the housing to exhaust residual gas in the housing. In this case, the process gas and the purge gas supplied from the gas supply module not communicating with the inlet port can be exhausted through the exhaust section.

한편, 상기 가스공급모듈은 상기 유입구를 통하여 원료가스를 공급하는 제1 가스공급모듈과, 상기 유입구를 통하여 퍼지가스를 공급하는 제2 가스공급모듈과, 상기 유입구를 통하여 반응가스를 공급하는 제3 가스공급모듈을 포함할 수 있다.The gas supply module includes a first gas supply module for supplying a source gas through the inlet, a second gas supply module for supplying a purge gas through the inlet, and a third gas supply module for supplying a reactive gas through the inlet, And a gas supply module.

여기서, 상기 제1, 제2 및 제3 가스공급모듈은 상기 유입구와의 연통 여부에 관계없이 상기 기판의 증착공정 동안 연속적으로 상기 원료가스, 반응가스 및 퍼지가스를 각각 공급할 수 있다.Here, the first, second, and third gas supply modules may continuously supply the source gas, the reactive gas, and the purge gas during the deposition process of the substrate, regardless of whether or not the first, second, and third gas supply modules are in communication with the inlet.

또한, 상기 제1 가스공급모듈은 상기 원료가스를 공급하는 제1 공급채널을 포함하고, 상기 제2 가스공급모듈은 상기 퍼지가스를 공급하는 제2 공급채널을 포함하고, 상기 제3 가스공급모듈은 상기 반응가스를 공급하는 제3 공급채널을 포함할 수 있다.Further, the first gas supply module includes a first supply channel for supplying the source gas, and the second gas supply module includes a second supply channel for supplying the purge gas, and the third gas supply module May include a third supply channel for supplying the reaction gas.

나아가, 상기 제1, 제2 및 제3 가스공급모듈의 이동에 따라 상기 제1, 제2 및 제3 가스공급모듈의 상기 제1, 제2 및 제3 공급채널이 상기 유입구와 선택적으로 연통되어 상기 원료가스, 반응가스 및 퍼지가스를 공급할 수 있다.Further, as the first, second and third gas supply modules move, the first, second and third gas supply channels of the first, second and third gas supply modules selectively communicate with the inlet The raw material gas, the reactive gas, and the purge gas.

이 경우, 상기 유입구에는 상기 복수의 공정가스 및 퍼지가스가 상기 증착공간으로 균일하게 공급되도록 하는 분사부를 구비할 수 있다.In this case, the inlet may be provided with a jetting unit for uniformly supplying the plurality of process gases and the purge gas into the deposition space.

한편, 상기 복수의 가스공급모듈은 일체로 구비될 수 있다.The plurality of gas supply modules may be integrally provided.

전술한 구성을 가지는 본 발명의 박막증착장치에 따르면 기판에 박막을 형성하기 위하여 각종 공정가스의 복잡한 온/오프 제어를 필요로 하지 않으며 나아가 상기 공정가스의 온/오프 공급을 위한 각종 밸브 등과 같은 복잡한 구성을 필요로 하지 않게 되어 상대적으로 종래에 비해 단순한 구성에 의해 박막을 증착할 수 있다.According to the thin film deposition apparatus of the present invention having the above-described configuration, complicated on / off control of various process gases is not required to form a thin film on a substrate. Further, complicated processes such as various valves for on / off supply of the process gas The thin film can be deposited by a relatively simple structure compared to the conventional one.

나아가, 본 발명의 박막증착장치에 따르면 상기 공정가스의 공급을 위한 개별적인 구획된 공간을 필요로 하지 않으므로 상기 박막증착장치의 설치면적을 상대적으로 줄일 수 있다.Further, according to the thin film deposition apparatus of the present invention, since the partitioned space for supplying the process gas is not required, the installation area of the thin film deposition apparatus can be relatively reduced.

또한, 상기 기판의 이동을 위한 별도의 구동장치를 필요로 하지 않게 되어 상기 기판의 이동에 따라 발생할 수 있는 파티클 등의 이물질이 박막을 품질을 떨어뜨리는 문제점을 방지할 수 있다.In addition, it is unnecessary to provide a separate driving device for moving the substrate, and it is possible to prevent the foreign substances such as particles, which may occur due to the movement of the substrate, from deteriorating the quality of the thin film.

도 1은 일 실시예에 따른 박막증착장치를 도시한 사시도,
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도,
도 3은 도 2에서 가스공급모듈을 도시한 사시도,
도 4 및 도 5는 상기 박막증착장치의 가스 공급을 설명하기 위한 단면도,
도 6은 가스공급유닛의 상하 이동을 위한 구동부의 일 실시예에 따른 개략도,
도 7 및 도 8은 가스공급유닛의 상하 이동을 위한 구동부의 다른 실시예에 따른 개략도
도 9는 종래 ALD 장치의 기본 개념을 도시하는 개략도이다.1 is a perspective view illustrating a thin film deposition apparatus according to an embodiment,
Fig. 2 is a sectional view taken along the line II-II in Fig. 1,
Figure 3 is a perspective view of the gas supply module in Figure 2,
4 and 5 are sectional views for explaining the gas supply of the thin film deposition apparatus,
6 is a schematic view according to an embodiment of a driving unit for up-down movement of the gas supply unit,
7 and 8 are schematic views according to another embodiment of the driving unit for vertically moving the gas supply unit
9 is a schematic diagram showing the basic concept of a conventional ALD apparatus.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 박막증착장치에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.Hereinafter, a thin film deposition apparatus according to various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 일 실시예에 따른 박막증착장치(1000)를 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view showing a thin film deposition apparatus 1000 according to an embodiment, and FIG. 2 is a sectional view taken along a line II-II in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 박막증착장치(1000)는 내부에 증착공간을 구비하고 공정가스 및 퍼지가스가 유입되는 유입구(142)와 상기 공정가스 및 퍼지가스가 배기되는 배기구(144)를 구비하는 챔버(110)와, 상기 챔버(110) 내부에 구비되어 기판(W)이 안착되는 기판지지부(160)와, 미리 결정된 거리만큼 왕복 이동하면서 상기 유입구(142)와 선택적으로 연통되어 공정가스 및 퍼지가스를 선택적으로 공급하는 가스공급유닛(310)을 포함하는 가스공급부(300)를 구비할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, the thin film deposition apparatus 1000 includes an inlet 142 for introducing a process gas and a purge gas, an exhaust port 144 for exhausting the process gas and the purge gas, And a substrate supporting part 160 provided inside the chamber 110 and on which the substrate W is mounted and selectively communicating with the inlet 142 while reciprocating by a predetermined distance, And a gas supply unit 300 including a gas supply unit 310 for selectively supplying gas and purge gas.

상기 챔버(110)는 내부에 기판(W)을 수용하여 기판에 대한 증착 작업 등을 수행하며, 각종 구성요소를 구비할 수 있는 공간을 제공한다. 나아가, 내부의 공기를 배기하는 펌프(미도시)와 같은 진공장비에 의해 내부를 진공상태로 유지하여 증착 작업 등과 같은 기판 처리 작업을 수행할 수 있는 환경을 제공한다.The chamber 110 receives a substrate W therein to perform a deposition operation on the substrate, and provides a space for providing various components. Furthermore, it provides an environment in which a substrate processing operation such as a deposition operation or the like can be performed by keeping the inside in a vacuum state by a vacuum equipment such as a pump (not shown) for exhausting air inside.

챔버(110)는 구체적으로 내부에 소정의 공간을 구비하며 예를 들어, 상부가 개구된 챔버몸체(140)와 챔버몸체(140)의 개구된 상부를 개폐하는 챔버리드(120)를 포함할 수 있다. 상기 챔버몸체(140)와 챔버리드(120)가 일체로 형성될 수 있음은 물론이다.The chamber 110 may include a chamber body 140 having an opening in the upper part and a chamber lid 120 for opening and closing the opened upper part of the chamber body 140, have. The chamber body 140 and the chamber lid 120 may be integrally formed.

상기 챔버(110)의 일측에는 전술한 각종 공정가스 및 퍼지가스가 유입되는 유입구(142)를 구비할 수 있으며, 상기 챔버(110)의 타측, 예를 들어 상기 유입구(142)의 반대편에는 상기 챔버(110) 내부의 공정가스 및 퍼지가스가 배기되는 배기구(144)를 구비할 수 있다. 상기 유입구(142)를 통해 전술한 가스공급부(300)에서 공급되는 각종 공정가스 및 퍼지가스가 상기 챔버(110)의 내측으로 공급된다. 상기 가스공급부(300)에 대해서는 이후에 상세히 살펴본다.One side of the chamber 110 may have an inlet 142 through which the various process gases and purge gas are introduced and the other side of the chamber 110, And an exhaust port 144 through which the process gas and the purge gas in the reaction chamber 110 are exhausted. Various process gases and purge gases supplied from the gas supply unit 300 are supplied to the inside of the chamber 110 through the inlet 142. The gas supply unit 300 will be described in detail later.

상기 배기구(144)에는 펌프(미도시)와 같은 펌핑수단이 연결되어 상기 챔버(110) 내부로 음압을 제공하여 상기 챔버(110) 내부에 잔존하는 잔존가스나 부산물 등을 상기 챔버(110)의 외부로 배기하게 된다.Pumping means such as a pump (not shown) is connected to the exhaust port 144 to supply negative pressure into the chamber 110 to remove remaining gas or byproducts remaining in the chamber 110 from the chamber 110 And exhausted to the outside.

한편, 상기 챔버(110)의 내부에는 기판(W)이 안착되는 기판지지부(160)가 구비될 수 있다. 상기 기판지지부(160)는 상기 챔버(110)의 내부에서 상하로 소정 거리 이동 가능하도록 구비될 수 있다. 즉, 상기 챔버(110) 내부로 상기 기판(W)을 인입하거나, 또는 상기 챔버(110)에서 상기 기판(W)을 인출하는 경우에 상기 기판지지부(160)가 상하로 이동하여 상기 기판(W)의 인입 또는 인출을 돕게 된다. 이러한 상기 기판지지부(160)의 구성에 대해서는 널리 알려져 있으므로 구체적인 설명은 생략한다.The chamber 110 may include a substrate support 160 on which the substrate W is placed. The substrate support 160 may be vertically movable within the chamber 110. [ That is, when the substrate W is drawn into the chamber 110 or when the substrate W is taken out of the chamber 110, the substrate support 160 moves up and down, ) To assist in or withdraw. The configuration of the substrate supporting part 160 is widely known, and thus a detailed description thereof will be omitted.

한편 상기 기판지지부(160)에는 상기 기판(W)을 가열하는 가열부(170)를 구비할 수 있다. 상기 가열부(170)는 상기 기판지지부(160)에 내장된 것으로 도시되지만, 이에 한정되지 않으며 상기 기판지지부(160)의 하부에 구비되는 것도 가능하다.Meanwhile, the substrate supporting unit 160 may include a heating unit 170 for heating the substrate W. The heating unit 170 is embedded in the substrate supporting unit 160, but is not limited thereto. The heating unit 170 may be disposed under the substrate supporting unit 160.

상기 가스공급부(300)는 상기 챔버(110)의 일측, 구체적으로 상기 챔버(110)의 유입구(142)와 연통되도록 구비될 수 있으며, 상기 유입구(142)를 통하여 상기 챔버(110) 내부로 각종 공정가스 및 퍼지가스를 공급할 수 있다.The gas supply unit 300 may be provided to communicate with one side of the chamber 110, specifically, with the inlet 142 of the chamber 110, The process gas and the purge gas can be supplied.

전술한 바와 같이 종래의 원자층증착법에 의해 박막을 증착하는 경우에는 상기 박막을 증착하기 위하여 복잡한 공정가스의 온/오프 제어를 위한 각종 복잡한 설비를 필요로 하거나, 또는 상대적으로 넓은 설치면적을 필요로 하여 설치장소에 제한을 받거나 기판의 이동에 따른 파티클 문제를 야기하였다. 본 발명에서는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 공정가스의 복잡한 온/오프 제어를 필요로 하지 않는 단순한 구성을 가지면서도 상대적으로 작은 설치면적을 가지는 박막증착장치를 제공하고자 한다. 이하, 도면을 참조하여 상기 가스공급부(300)에 대해서 구체적으로 살펴본다.As described above, in the case of depositing a thin film by the conventional atomic layer deposition method, various complicated equipment for on / off control of complicated process gas is required to deposit the thin film, or a relatively wide installation area is required Thereby causing a problem in the installation place or a problem of particles due to the movement of the substrate. In order to solve the above-described problems, the present invention provides a thin film deposition apparatus having a relatively small installation area while having a simple structure that does not require complicated on / off control of the process gas. Hereinafter, the gas supply unit 300 will be described in detail with reference to the drawings.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 가스공급부(300)는 미리 결정된 거리만큼 왕복 이동하면서 상기 유입구(142)와 선택적으로 연통되어 복수의 공정가스 및 퍼지가스를 공급하는 가스공급유닛(310)을 구비할 수 있다. 여기서, 상기 가스공급유닛(310)은 상기 복수의 공정가스 및 퍼지가스를 각각 공급하는 복수의 가스공급모듈(330, 350, 370)을 구비할 수 있다.1 and 2, the gas supply unit 300 includes a gas supply unit 310 (not shown) that selectively communicates with the inlet 142 while reciprocating by a predetermined distance to supply a plurality of process gases and purge gas, ). Here, the gas supply unit 310 may include a plurality of gas supply modules 330, 350, and 370 that supply the plurality of process gases and the purge gas, respectively.

본 발명에서 상기 복수의 가스공급모듈(330, 350, 370)은 상기 유입구(142)와의 연통 여부에 관계없이 상기 기판(W)의 증착 공정 동안 연속적으로 공정가스 및 퍼지가스를 각각 공급할 수 있다. 즉, 상기 가스공급모듈(330, 350, 370)은 상기 증착 공정 동안 연속적으로 공정가스 및 퍼지가스를 각각 공급하게 되며, 상기 가스공급유닛(310)의 이동에 따라 상기 유입구(142)와 연통되는 어느 하나의 가스공급모듈에서 공급되는 공정가스 또는 퍼지가스만이 상기 유입구(142)를 통해 상기 챔버(110)의 내부로 공급된다. 따라서, 본 발명에 따른 박막증착장치(1000)에서 상기 공정가스 및 퍼지가스를 공급하는 가스공급부(300)는 상기 공정가스 및 퍼지가스의 온/오프 제어를 필요로 하지 않게 되어 상기 온/오프 제어를 위한 복잡한 구성을 생략하여 단순한 구성을 이룰 수 있다.In the present invention, the plurality of gas supply modules 330, 350, and 370 may continuously supply the process gas and the purge gas during the deposition process of the substrate W regardless of whether the gas supply modules 330, 350, and 370 are in communication with the inlet 142. That is, the gas supply modules 330, 350, and 370 continuously supply the process gas and the purge gas during the deposition process, and the gas supply module 310, Only the process gas or purge gas supplied from any one of the gas supply modules is supplied to the inside of the chamber 110 through the inlet 142. Accordingly, in the thin film deposition apparatus 1000 according to the present invention, the gas supply unit 300 for supplying the process gas and the purge gas does not need on / off control of the process gas and the purge gas, A simple configuration can be achieved by omitting the complicated configuration for the above.

상기 가스공급부(300)는 상기 챔버(110)의 유입구(142)와 연통하며 상기 복수개의 가스공급모듈(330, 350, 370)을 구비하는 가스공급유닛(310)이 이동할 수 있는 내부공간(303)을 제공하는 하우징(302)과, 상기 하우징(302)의 일측에 구비되어 상기 하우징(302) 내의 잔존가스를 배기하는 배기부(304)를 구비할 수 있다.The gas supply unit 300 includes an internal space 303 in which the gas supply unit 310 including the plurality of gas supply modules 330, 350, and 370 can communicate with the inlet 142 of the chamber 110, And a discharge unit 304 provided at one side of the housing 302 for discharging the remaining gas in the housing 302. [

상기 하우징(302)은 상기 챔버(110)의 일측에 구비되며, 상기 챔버(110)의 유입구(142)와 연통하도록 구비될 수 있다. 상기 하우징(302)의 내측에는 전술한 상기 가스공급유닛(310)이 구비될 수 있다. 상기 가스공급유닛(310)은 상기 하우징(302)의 내측에서 미리 결정된 거리만큼 왕복 이동하도록 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 가스공급유닛(310)은 상기 기판(W)이 놓인 평면에 대해 수직한 방향으로 이동하도록 구비될 수 있다. 도면에서 상기 가스공급유닛(310)이 상기 기판(W)에 대해 수직한 방향으로 이동하는 경우 상기 가스공급유닛(310)은 상기 도면에서 상하방향으로 이동하게 될 것이다. 그런데 도면에는 도시되지 않았지만, 만약 상기 기판이 기판지지부에 의해 세워져서 지면에 대해 수직한 방향으로 지지된다면, 상기 가스공급유닛(310)이 상기 기판에 대해 수직한 방향으로 이동하는 경우 상기 가스공급유닛(3100은 상기 도면에서 좌우방향으로 이동하게 될 것이다.The housing 302 is provided at one side of the chamber 110 and communicates with the inlet 142 of the chamber 110. The gas supply unit 310 may be provided inside the housing 302. The gas supply unit 310 may be provided to reciprocate within the housing 302 by a predetermined distance. For example, the gas supply unit 310 may be provided to move in a direction perpendicular to the plane on which the substrate W is placed. In the drawing, when the gas supply unit 310 moves in a direction perpendicular to the substrate W, the gas supply unit 310 will be moved up and down in the figure. Although not shown in the drawing, if the substrate is supported by the substrate support and is supported in a direction perpendicular to the paper surface, when the gas supply unit 310 moves in a direction perpendicular to the substrate, (3100 will move in the left and right direction in the figure).

상기 하우징(302)은 내부에 상기 가스공급유닛(310)을 수용하고, 나아가 상기 가스공급유닛(310)이 이동할 수 있는 내부공간(303)을 제공한다.The housing 302 houses the gas supply unit 310 therein and further provides an internal space 303 through which the gas supply unit 310 can move.

한편, 상기 가스공급유닛(310)은 상기 증착공정 동안 연속적으로 공정가스 및 퍼지가스를 공급하게 된다. 따라서, 상기 가스공급부(300)의 내부공간(303)에는 상기 챔버(110)로 공급되지 않는 공정가스 또는 퍼지가스가 잔존가스로 남아 있을 수 있다. 따라서, 상기 가스공급부(300)는 상기 유입구(142)와 연통되지 않는 상기 가스공급모듈(330, 350, 370)에서 공급되는 공정가스 또는 퍼지가스가 배기되는 배기부(304)를 포함할 수 있다. 상기 배기부(304)는 상기 하우징(302)의 타측에 구비될 수 있다. 예를 들어, 진공펌프(미도시)와 같은 공지의 펌핑 수단에 의해 상기 가스공급부(300)의 내부공간(303)에 남아 있는 잔존가스 또는 퍼지가스를 외부로 배기할 수 있다.Meanwhile, the gas supply unit 310 continuously supplies the process gas and the purge gas during the deposition process. Therefore, a process gas or purge gas that is not supplied to the chamber 110 may remain in the inner space 303 of the gas supply unit 300 as a remaining gas. The gas supply unit 300 may include an exhaust unit 304 through which the process gas or purge gas supplied from the gas supply modules 330, 350, and 370 that are not in communication with the inlet 142 is exhausted . The exhaust part 304 may be provided on the other side of the housing 302. For example, the remaining gas or purge gas remaining in the inner space 303 of the gas supply unit 300 can be discharged to the outside by a known pumping means such as a vacuum pump (not shown).

도 3은 상기 가스공급유닛(310)을 도시한 도면으로서, 도 3의 (A)는 사시도, 도 3의 (B)는 분해사시도이다.Fig. 3 is a view showing the gas supply unit 310. Fig. 3 (A) is a perspective view and Fig. 3 (B) is an exploded perspective view.

도 3의 (A) 및 도 3의 (B)를 참조하면, 상기 가스공급유닛(310)은 상기 유입구(142)를 통하여 원료가스를 공급하는 제1 가스공급모듈(330)과, 상기 유입구(142)를 통하여 퍼지가스를 공급하는 제2 가스공급모듈(350)과, 상기 유입구(142)를 통하여 반응가스를 공급하는 제3 가스공급모듈(370)을 포함할 수 있다. 도면에서는 원료가스를 공급하는 제1 가스공급모듈(330)이 상기 가스공급유닛(310)의 제일 상부에 위치하며, 순서대로 퍼지가스를 공급하는 제2 가스공급모듈(350) 및 반응가스를 공급하는 제3 가스공급모듈(370)이 배치되지만, 이러한 순서는 일예에 불과하며 적절히 변화가 가능하다.3 (A) and 3 (B), the gas supply unit 310 includes a first gas supply module 330 for supplying a source gas through the inlet 142, A second gas supply module 350 for supplying the purge gas through the inlet 142 and a third gas supply module 370 for supplying the reaction gas through the inlet 142. In the figure, a first gas supply module 330 for supplying a source gas is located at the top of the gas supply unit 310, and a second gas supply module 350 for supplying purge gas in order, The third gas supply module 370 is disposed, but this order is merely an example and can be appropriately changed.

상기 제1 가스공급모듈(330)은 상기 원료가스를 공급하는 제1 공급채널(332)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 가스공급모듈(330)은 소정의 두께를 가지는 플레이트 형상으로 제작될 수 있으며 일측에 상기 제1 공급채널(332)을 구비할 수 있다.The first gas supply module 330 may include a first supply channel 332 for supplying the source gas. For example, the first gas supply module 330 may be formed in a plate shape having a predetermined thickness and may include the first supply channel 332 at one side thereof.

상기 제1 공급채널(332)은 제1 내부유로(340)를 통해 상기 제1 가스공급모듈(330)의 상부에 구비된 제1 공급유로(345)와 연통될 수 있다. 상기 제1 공급유로(345)는 전술한 하우징(302)의 외부로 연장되어 원료가스 공급원(미도시)과 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 원료가스 공급원에서 공급된 원료가스는 상기 제1 공급유로(345) 및 제1 내부유로(340)를 통해 상기 제1 공급채널(332)로 공급되며, 상기 제1 공급채널(332)을 통해 상기 제1 가스공급모듈(330)의 외부로 공급된다. 한편, 상기 제1 가스공급모듈(330)은 상기 하우징(302)의 내부에서 이동 가능하게 구비되므로, 상기 하우징(302)의 내측에서 상기 제1 공급유로(345)는 플렉서블하며 신축성을 가지는 벨로우즈(347) 등과 같은 형태로 구현될 수 있다.The first supply channel 332 may communicate with the first supply channel 345 provided on the upper portion of the first gas supply module 330 through the first inner flow channel 340. The first supply passage 345 may extend to the outside of the housing 302 and may be connected to a source gas supply source (not shown). In this case, the source gas supplied from the source gas supply source is supplied to the first supply channel 332 through the first supply channel 345 and the first inner channel 340, and the first supply channel 332 To the outside of the first gas supply module 330. The first gas supply module 330 is movably provided in the housing 302 so that the first supply passage 345 is formed inside the housing 302 in a flexible and flexible bellows 347, and so on.

한편, 상기 제2 가스공급모듈(350)은 상기 퍼지가스를 공급하는 제2 공급채널(352)을 구비할 수 있다. 상기 제2 가스공급모듈(350)도 상기 제1 가스공급모듈(330)과 마찬가지로 플레이트 형상으로 제작될 수 있으며 일측에 상기 제2 공급채널(352)을 구비할 수 있다.Meanwhile, the second gas supply module 350 may include a second supply channel 352 for supplying the purge gas. Like the first gas supply module 330, the second gas supply module 350 may be formed in a plate shape, and the second supply channel 352 may be provided on one side of the second gas supply module 350.

상기 제2 공급채널(352)은 상기 제2 가스공급모듈(350)에 형성된 제2 내부유로(360) 및 상기 제1 가스공급모듈(330)에 형성되어 상기 제2 내부유로(360)와 연결되는 제3 내부유로(362)와 연결될 수 있다. 즉, 제2 공급유로(365)가 상기 제1 가스공급모듈(330)의 상부에서 상기 제3 내부유로(362)와 연결되며, 상기 제3 내부유로(362)는 상기 제2 내부유로(360)와 연결되고, 상기 제2 내부유로(360)는 상기 제2 공급채널(352)과 연결되어 퍼지가스를 공급하게 된다. 한편, 도 3에서는 상기 제2 공급유로(365)가 상기 제1 가스공급모듈(330)의 상부에 구비된 것으로 도시되지만, 이에 한정되지 않으며 예를 들어 상기 제2 공급유로가 상기 제2 가스공급모듈의 측면으로 연결될 수도 있다. 이러한 구성에서는 상기 제2 공급유로가 상기 제2 가스공급모듈의 상기 제2 내부유로에 직접 연결되어 상기 제2 공급채널로 퍼지가스를 공급할 수 있다. 전술한 제1 공급유로(345)와 마찬가지로 상기 제2 공급유로(365)는 플렉서블하며 신축성을 가지는 벨로우즈(367) 등과 같은 형태로 구현될 수 있다.The second supply channel 352 is formed in the second gas supply module 350 and the second gas supply module 350 so as to be connected to the second inner channel 360 The third internal flow path 362 may be connected to the third internal flow path 362. That is, the second supply passage 365 is connected to the third internal passage 362 at an upper portion of the first gas supply module 330, and the third internal passage 362 is connected to the second internal passage 360 And the second internal flow channel 360 is connected to the second supply channel 352 to supply the purge gas. 3, the second supply passage 365 is illustrated as being provided on the first gas supply module 330, but the present invention is not limited thereto. For example, Or may be connected to the side of the module. In this configuration, the second supply passage may be directly connected to the second internal passage of the second gas supply module to supply the purge gas to the second supply channel. Like the first supply passage 345, the second supply passage 365 may be formed as a flexible and flexible bellows 367 or the like.

한편, 상기 제3 가스공급모듈(370)은 상기 반응가스를 공급하는 제3 공급채널(372)을 구비할 수 있다. 상기 제3 가스공급모듈(370)도 전술한 공급모듈들과 마찬가지로 플레이트 형상으로 제작될 수 있으며 일측에 상기 제3 공급채널(372)을 구비할 수 있다.Meanwhile, the third gas supply module 370 may include a third supply channel 372 for supplying the reaction gas. The third gas supply module 370 may be formed in a plate shape like the supply modules described above, and may have the third supply channel 372 on one side thereof.

상기 제3 공급채널(372)은 상기 제3 가스공급모듈(370)에 형성된 제4 내부유로(380)와, 상기 제4 내부유로(380)와 연결되며 상기 제2 가스공급모듈(350)에 형성되는 제5 내부유로(382)와, 상기 제5 내부유로(382)와 연결되며 상기 제1 가스공급모듈(330)에 형성되는 제6 내부유로(384)와 연결될 수 있다. 즉, 제3 공급유로(386)가 상기 제1 가스공급모듈(330)의 상부에서 상기 제6 내부유로(384)와 연결되며, 상기 제6 내부유로(384)는 순차적으로 상기 제5 내부유로(382) 및 제4 내부유로(380)와 연결되고, 상기 제4 내부유로(380)는 상기 제3 공급채널(372)과 연결되어 반응가스를 공급하게 된다. 한편, 도 3에서는 상기 제3 공급유로(386)가 상기 제1 가스공급모듈(330)의 상부에 구비된 것으로 도시되지만, 이에 한정되지 않으며 예를 들어 상기 제3 공급유로가 상기 제3 가스공급모듈의 측면으로 연결될 수도 있다. 이러한 구성에서는 상기 제3 공급유로가 상기 제3 가스공급모듈의 상기 제4 내부유로에 직접 연결되어 상기 제3 공급채널로 반응가스를 공급할 수 있다. 전술한 제1 공급유로(345) 및 제2 공급유로(365)와 마찬가지로 상기 제3 공급유로(386)는 플렉서블하며 신축성을 가지는 벨로우즈(388) 등과 같은 형태로 구현될 수 있다.The third supply channel 372 is connected to the fourth internal flow channel 380 formed in the third gas supply module 370 and the third internal flow channel 380 connected to the second gas supply module 350 The fifth internal flow passage 382 and the sixth internal flow passage 384 formed in the first gas supply module 330 may be connected to the fifth internal flow passage 382. That is, the third supply passage 386 is connected to the sixth inner passage 384 at an upper portion of the first gas supply module 330, and the sixth inner passage 384 is sequentially connected to the fifth inner passage 384, The second inner channel 382 and the fourth inner channel 380 and the fourth inner channel 380 is connected to the third supply channel 372 to supply the reaction gas. 3, the third supply passage 386 is illustrated as being provided on the first gas supply module 330. However, the third supply passage 386 is not limited to the third gas supply module 330, Or may be connected to the side of the module. In this configuration, the third supply passage may be directly connected to the fourth internal passage of the third gas supply module to supply the reaction gas to the third supply channel. Like the first supply passage 345 and the second supply passage 365, the third supply passage 386 may be formed in the form of a flexible and flexible bellows 388 or the like.

한편, 전술한 설명에서 상기 가스공급유닛(310)은 별개의 제1 가스공급모듈(330), 제2 가스공급모듈(350) 및 제3 가스공급모듈(370)을 구비하는 것으로 설명되지만, 이에 한정되지는 않으며 상기 제1 가스공급모듈(330), 제2 가스공급모듈(350) 및 제3 가스공급모듈(370)이 일체로 형성될 수도 있다. 이 경우, 전술한 제1 공급채널(332), 제2 공급채널(352) 및 제3 공급채널(372)은 일체화된 상기 가스공급유닛의 일측에 형성될 수 있을 것이다.In the above description, the gas supply unit 310 is described as having a separate first gas supply module 330, a second gas supply module 350, and a third gas supply module 370, The first gas supply module 330, the second gas supply module 350, and the third gas supply module 370 may be integrally formed. In this case, the first supply channel 332, the second supply channel 352, and the third supply channel 372 may be formed on one side of the integrated gas supply unit.

도 2를 다시 참조하면, 상기 가스공급부(300)에는 상기 유입구(142)와 연통되는 상기 가스공급유닛(310)에서 공급되는 공정가스 또는 퍼지가스가 상기 유입구(142)로 유입되는 경우에 상기 공정가스의 누설을 방지하는 누설방지부(306)를 구비할 수 있다.2, when the process gas or purge gas supplied from the gas supply unit 310 communicated with the inlet port 142 flows into the inlet port 142, And a leakage preventing portion 306 for preventing leakage of the gas.

예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 가스공급부(300)에서 상기 제1 가스공급모듈(330)이 상기 유입구(142)와 연통된 경우에 상기 제1 가스공급모듈(330)에서 공급되는 원료가스가 누설되지 않고 상기 유입구(142)로 공급되도록 하는 누설방지부(306)를 구비할 수 있다. 상기 누설방지부(306)는 상기 유입구(142)와 연통하는 각 공급채널에서 공급되는 공정가스 또는 퍼지가스가 상기 유입구(142)로 유입되지 않고 상기 하우징(302)의 내부공간(303)으로 누출되는 것을 방지한다. 예를 들어, 상기 누설방지부(306)는 상기 유입구(142)와 연통하는 상기 하우징(302)의 연결구(308)가 구비된 내벽에 구비될 수 있다. 또한, 상기 누설방지부(306)는 상기 연결구(308)의 가장자리에서 상기 가스공급유닛(310)을 향해 돌출한 돌출부(307)를 구비할 수 있다.For example, when the first gas supply module 330 is communicated with the inlet 142 in the gas supply unit 300 as shown in FIG. 2, And a leakage preventing part 306 for allowing the raw material gas to be supplied to the inlet 142 without leakage. The leakage preventing portion 306 prevents the process gas or purge gas supplied from each supply channel communicating with the inlet 142 from leaking into the inner space 303 of the housing 302 without flowing into the inlet 142 . For example, the leakage preventing portion 306 may be provided on an inner wall of the housing 302, which is connected to the inlet 142, The leakage preventing portion 306 may include a protrusion 307 protruding from the edge of the connector 308 toward the gas supply unit 310.

또한, 상기 박막증착장치(1000)는 상기 유입구(142)를 통해 공급되는 공정가스 또는 퍼지가스가 상기 챔버(110) 내부의 증착공간으로 균일하게 퍼지면서 공급되도록 하는 분사부(150)를 구비할 수 있다. 상기 분사부(150)는 상기 챔버(110)의 내측에 상기 유입구(142)에 인접하여 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 분사부(150)는 상기 유입구(142)를 통해 공급되는 공정가스 또는 퍼지가스의 유로를 변경시키는 배플(152)과 상기 배플(152)에 의해 유로가 변경된 공정가스 또는 퍼지가스가 공급되도록 하는 다수의 분사홀(154)을 구비한 플레이트(156)를 구비할 수 있다. 따라서, 상기 유입구(142)를 통해 공급된 공정가스 또는 퍼지가스는 상기 분사부(150)에 의해 균일하게 퍼지면서 상기 챔버(110) 내부로 공급되어 상기 기판(W) 상부에 고품질의 박막을 증착할 수 있게 된다. The thin film deposition apparatus 1000 further includes a jetting unit 150 for uniformly spreading and supplying a process gas or purge gas supplied through the inlet 142 to the deposition space inside the chamber 110 . The jetting unit 150 may be disposed adjacent to the inlet 142 on the inside of the chamber 110. For example, the jetting unit 150 may include a baffle 152 for changing a flow path of a process gas or purge gas supplied through the inlet 142, a process gas or purge gas having a flow path changed by the baffle 152, And a plate 156 having a plurality of spray holes 154 for supplying the sprayed water. Therefore, the process gas or purge gas supplied through the inlet 142 is uniformly spread by the jetting unit 150 and is supplied into the chamber 110 to deposit a high-quality thin film on the substrate W .

한편, 도 6은 전술한 가스공급유닛(310)의 상하 이동을 위한 구동부의 구성을 일 실시예에 따라 도시한 개략도이다. 도 6에서는 설명의 편의를 위해 상기 가스공급유닛(310)과 모터(400)를 비롯한 구동부만 도시하였음을 밝혀둔다.6 is a schematic view showing the configuration of a driving unit for vertically moving the gas supply unit 310 according to an embodiment. 6, only the driving unit including the gas supply unit 310 and the motor 400 is shown for convenience of explanation.

도 6을 참조하면, 상기 가스공급유닛(310)은 하부를 향해 연장 형성된 구동축(311)을 구비할 수 있다. 상기 구동축(311)은 모터(400)의 구동에 의해 상하로 이동할 수 있도록 구성된다.Referring to FIG. 6, the gas supply unit 310 may include a drive shaft 311 extending downward. The driving shaft 311 is configured to move up and down by driving the motor 400. [

예를 들어, 상기 모터(400)에서 소정 길이로 연장 형성된 회전축(410)의 단부에 연결기어(420)를 구비하고, 상기 연결기어(420)가 상기 구동축(311)에 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 연결기어(420)의 이빨부(422)와 상기 구동축(311)의 일측에 형성된 이빨부(312)가 서로 치합할 수 있다.For example, the connection gear 420 may be connected to the driving shaft 311 at an end of a rotation shaft 410 extending from the motor 400 by a predetermined length. Specifically, the teeth 422 of the coupling gear 420 and the teeth 312 formed on one side of the driving shaft 311 can be engaged with each other.

따라서, 상기 모터(400)의 구동에 의해 상기 회전축(410) 및 상기 연결기어(420)가 회전하고, 상기 연결기어(420)의 회전에 의해 상기 구동축(311)이 상하로 이동한다. 예를 들어, 도 6과 같은 구성에서 상기 회전축(410)이 시계방향으로 회전하는 경우에 상기 구동축(311)이 하부를 향해 이동하게 되며, 반대로 상기 회전축(410)이 반시계방향으로 회전하는 경우에 상기 구동축(311)이 상부를 향해 이동하게 된다. 그런데, 본 실시예에 따른 구동부의 구성은 상기 모터(400)의 회전방향을 변화시킴으로써 상기 가스공급유닛(310)의 상방향 이동과 하방향 이동을 제어한다. 따라서, 상기 모터(400)의 회전방향을 바꾸기 위하여 감속구간이 발생할 수 밖에 없으며, 상기 감속구간에서 공정 시간의 손실이 발생하여 생산성을 떨어뜨리게 된다.Accordingly, the rotation shaft 410 and the coupling gear 420 rotate by driving the motor 400, and the driving shaft 311 moves up and down by the rotation of the coupling gear 420. For example, in the configuration shown in FIG. 6, when the rotation shaft 410 rotates clockwise, the drive shaft 311 moves downward. On the contrary, when the rotation shaft 410 rotates counterclockwise The drive shaft 311 moves upward. The configuration of the driving unit according to the present embodiment controls the upward movement and the downward movement of the gas supply unit 310 by changing the rotation direction of the motor 400. [ Therefore, a deceleration section must be generated to change the rotation direction of the motor 400, and the process time is lost in the deceleration section, thereby decreasing productivity.

도 7 및 도 8은 상기와 같은 구동부의 문제점을 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 구동부의 구성을 도시한 개략도이다.7 and 8 are schematic views illustrating the configuration of a driving unit according to another embodiment for solving the problems of the driving unit.

도 7을 참조하면, 상기 모터(400)의 회전축(410)의 단부에 제1 캠부재(430)가 구비될 수 있다. 상기 제1 캠부재(430)는 상기 회전축(410)이 회전하는 경우에 연동하여 회전한다. 이 때, 상기 제1 캠부재(430)는 원형 형상과 같이 상기 회전축(410)까지의 거리가 일정한 것이 아니라, 상기 회전축(410)까지의 거리가 변화하도록 구비될 수 있다.Referring to FIG. 7, a first cam member 430 may be provided at an end of the rotation axis 410 of the motor 400. The first cam member 430 rotates in conjunction with rotation of the rotation shaft 410. In this case, the first cam member 430 may have a circular shape, and may have a constant distance to the rotation axis 410, but may also have a distance to the rotation axis 410.

예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이 상기 제1 캠부재(430)는 그 외주에서 상기 회전축(410)까지의 거리가 상대적으로 짧은 'A' 영역과 상대적으로 긴 'B' 영역과 같이 변화하도록 구성될 수 있다. 상기 제1 캠부재(430)의 외주면을 따라 상기 가스공급유닛(310)의 구동축(311)의 단부가 안착될 수 있다.For example, as shown in FIG. 7, the first cam member 430 may have a relatively long 'A' region and a relatively long 'B' region having a relatively short distance from the outer circumference to the rotation axis 410 . The end of the driving shaft 311 of the gas supply unit 310 may be seated along the outer circumferential surface of the first cam member 430.

따라서, 본 실시예의 구성에 따르면 상기 모터(400)의 구동에 의해 상기 회전축(410)이 회전을 하게 되면 상기 제1 캠부재(430)도 연동하여 회전하게 된다. 이때, 상기 제1 캠부재(430)의 외주면과 상기 회전축(420)까지의 거리에 따라 상기 구동축(311)이 상하 이동을 하게 된다.Therefore, according to the configuration of the present embodiment, when the rotation shaft 410 rotates by the driving of the motor 400, the first cam member 430 rotates in conjunction with the rotation. At this time, the drive shaft 311 moves up and down according to the distance between the outer circumferential surface of the first cam member 430 and the rotation axis 420.

예를 들어, 상기 제1 캠부재(430)가 회전을 하는 중에 상기 구동축(311)의 단부가 상기 제1 캠부재(430)의 'A' 영역, 즉 상기 회전축(410)에서 상대적으로 거리가 짧은 영역에 위치하면 상기 구동축(311)은 아래를 향해 이동하여 최하점에 이르게 된다. 이어서, 상기 회전축(410)의 회전에 의해 상기 제1 캠부재(430)가 회전하면 상기 구동축(311)의 단부가 상기 제1 캠부재(430)의 외주면의 'B' 영역을 향하게 된다. 이때, 상기 'B' 영역은 상기 'A' 영역에 비해 상기 회전축(410)까지의 거리가 상대적으로 멀게 되므로 상기 구동축(311)은 상기 제1 캠부재(430)의 회전에 의해 상방향으로 이동하게 된다.For example, when the first cam member 430 rotates, the end of the driving shaft 311 is relatively distanced from the 'A' region of the first cam member 430, that is, the rotational shaft 410 The driving shaft 311 moves downward to reach the lowest point. When the first cam member 430 is rotated by the rotation of the rotation shaft 410, the end of the drive shaft 311 is directed to the 'B' region of the outer circumferential surface of the first cam member 430. Since the distance from the 'B' region to the rotation axis 410 is relatively larger than the 'A' region, the driving shaft 311 is moved upward by the rotation of the first cam member 430 .

한편, 도 8은 또 다른 실시예에 따른 구동부의 구성을 도시한 개략도이다.8 is a schematic view showing a configuration of a driving unit according to another embodiment.

도 8을 참조하면, 본 실시예에서 상기 모터(400)의 회전축(410)의 단부에 제2 캠부재(440)가 구비될 수 있다.Referring to FIG. 8, the second cam member 440 may be provided at an end of the rotation axis 410 of the motor 400 in this embodiment.

상기 제2 캠부재(440)는 대략 원통형의 형상으로 구비될 수 있으며, 상기 원통형의 외주를 따라 가이드홈(442)을 구비할 수 있다. 상기 가이드홈(442)에 상기 가스공급유닛(310)의 구동축(311)에서 연장된 가이드바(313)의 단부가 삽입될 수 있다. 이때, 상기 가이드홈(442)의 궤적은 상기 제2 캠부재(440)의 원형 외주를 따라 그 높이가 달라지도록 또는 상기 가스공급유닛(310)과의 거리가 달라지도록 구비될 수 있다. 따라서, 상기 모터(400)의 구동에 의해 상기 회전축(410)이 회전하는 경우, 상기 제2 캠부재(440)가 연동하여 회전한다. 상기 제2 캠부재(440)의 회전에 따라 상기 제2 캠부재(440)에 형성된 가이드홈(442)의 궤적을 따라 상기 구동축(311)이 이동하게 된다. 즉, 상기 가이드홈(442)의 궤적이 상기 제2 캠부재(440)의 표면에서 상방향으로 형성된 경우(또는 상기 가스공급유닛(310)과의 거리가 짧아지도록 형성된 경우) 상기 가이드바(313)가 상기 가이드홈(442)을 따라 상방향으로 이동(또는 상기 가스공급유닛(310)과의 거리가 짧아지도록 이동)하게 되므로 상기 구동축(311)도 상방향으로 이동하게 된다. 반대로, 상기 가이드홈(442)의 궤적이 상기 제2 캠부재(440)의 표면에서 하방향으로 형성된 경우(또는 상기 가스공급유닛(310)과의 거리가 멀어지도록 형성된 경우) 상기 가이드바(313)가 상기 가이드홈(442)을 따라 하방향으로 이동(또는 상기 가스공급유닛(310)과의 거리가 멀어지도록 이동)하게 되므로 상기 구동축(311)도 하방향으로 이동하게 된다.The second cam member 440 may have a substantially cylindrical shape and may include a guide groove 442 along the outer periphery of the cylindrical shape. An end of the guide bar 313 extending from the drive shaft 311 of the gas supply unit 310 may be inserted into the guide groove 442. [ At this time, the locus of the guide groove 442 may be provided so that the height of the guide groove 442 is changed along the outer circumference of the circular second part of the second cam member 440 or the distance from the gas supply unit 310 is changed. Therefore, when the rotation shaft 410 rotates by driving the motor 400, the second cam member 440 rotates in conjunction with the rotation. The driving shaft 311 moves along the locus of the guide groove 442 formed in the second cam member 440 in accordance with the rotation of the second cam member 440. That is, when the locus of the guide groove 442 is formed upward in the surface of the second cam member 440 (or in a case where the distance between the guide groove 442 and the gas supply unit 310 is shortened) Is moved upward along the guide groove 442 (or moves so as to shorten the distance from the gas supply unit 310), so that the driving shaft 311 also moves upward. Conversely, when the locus of the guide groove 442 is formed downward from the surface of the second cam member 440 (or formed so as to be distanced from the gas supply unit 310), the guide bar 313 Is moved downward along the guide groove 442 (or moves away from the gas supply unit 310), so that the driving shaft 311 also moves downward.

따라서, 전술한 도 7의 실시예 및 도 8의 실시예의 구동부에 따르면 상기 가스공급유닛(310)을 상하 방향으로 이동시키기 위하여 상기 모터(400)의 회전축(410)의 회전방향을 바꿀 필요가 없이 시계방향 또는 반시계방향 중에 어느 하나의 방향으로 상기 모터(400)의 회전축(410)을 계속적으로 회전시킬 수 있다. 즉, 상기 모터(400)의 회전축(410)의 회전방향의 변경에 따른 시간 손실을 방지할 수 있게 되어 생산성을 향상시킬 수 있다.Therefore, according to the embodiment of FIG. 7 and the driving unit of FIG. 8, it is not necessary to change the rotation direction of the rotation shaft 410 of the motor 400 to move the gas supply unit 310 in the vertical direction The rotation axis 410 of the motor 400 can be continuously rotated in either the clockwise direction or the counterclockwise direction. That is, it is possible to prevent a time loss due to a change in the rotation direction of the rotation shaft 410 of the motor 400, thereby improving the productivity.

한편, 도 4 및 도 5는 전술한 가스공급유닛의 이동에 따른 증착과정을 도시한다. 이하, 도 2, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 박막증착장치(1000)의 증착과정을 살펴보기로 한다.4 and 5 illustrate a deposition process according to the movement of the gas supply unit described above. Hereinafter, the deposition process of the thin film deposition apparatus 1000 of the present invention will be described with reference to FIGS. 2, 4, and 5. FIG.

먼저, 도 2에 도시된 바와 같이 박막증착장치(1000)의 챔버(110) 내부로 상기 기판(W)을 인입시켜 상기 기판지지부(160)에 상기 기판(W)을 안착시킨다. 2, the substrate W is drawn into the chamber 110 of the thin film deposition apparatus 1000, and the substrate W is placed on the substrate support unit 160.

본 발명에서는 상기 가스공급유닛(310)의 이동에 따라 상기 각 가스공급모듈(330, 350, 370)의 상기 각 공급채널이 상기 유입구(142)와 선택적으로 연통되어 상기 공정가스 및 퍼지가스를 공급하게 된다. 따라서, 원료가스를 공급하고자 하는 경우에 상기 가스공급부(300)의 가스공급유닛(310)을 이동시켜 상기 원료가스를 공급하는 상기 제1 가스공급모듈(330)의 제1 공급채널(332)이 상기 유입구(142)와 연통하도록 한다. 이 때, 상기 원료가스는 상기 제1 공급채널(332)에서 분사되어 상기 유입구(142)를 통해 상기 챔버(110) 내부로 공급된다.In the present invention, each of the supply channels of the gas supply modules 330, 350 and 370 selectively communicates with the inlet 142 according to the movement of the gas supply unit 310 to supply the process gas and the purge gas . The first supply channel 332 of the first gas supply module 330 for moving the gas supply unit 310 of the gas supply unit 300 to supply the source gas So as to communicate with the inlet (142). At this time, the raw material gas is injected from the first supply channel 332 and supplied into the chamber 110 through the inlet 142.

한편, 상기 제1 가스공급모듈(330), 제2 가스공급모듈(350) 및 제3 가스공급모듈(370)은 상기 유입구(142)와의 연통 여부에 관계없이 상기 기판(W)의 증착공정 동안 연속적으로 공정가스 및 퍼지가스를 각각 공급하게 된다. 따라서, 상기 제1 가스공급모듈(330)이 상기 유입구(142)와 연통되어 상기 원료가스를 상기 유입구(142)를 통해 상기 챔버(110) 내부로 공급하는 동안에도 상기 제2 가스공급모듈(350) 및 상기 제3 가스공급모듈(370)에서는 각각 퍼지가스와 반응가스가 계속적으로 공급된다. 상기 공급된 퍼지가스 및 반응가스는 상기 가스공급부(300)의 하우징(302)에 구비된 배기부(304)에 의해 상기 하우징(302)의 외부로 배기된다.The first gas supply module 330, the second gas supply module 350 and the third gas supply module 370 may be connected to each other during the deposition process of the substrate W regardless of whether the first gas supply module 330, the second gas supply module 350, The process gas and the purge gas are continuously supplied. Accordingly, even when the first gas supply module 330 is in communication with the inlet 142 to supply the source gas into the chamber 110 through the inlet 142, the second gas supply module 350 And the third gas supply module 370 are continuously supplied with purge gas and reactive gas, respectively. The supplied purge gas and reactive gas are exhausted to the outside of the housing 302 by an exhaust unit 304 provided in the housing 302 of the gas supply unit 300.

상기 원료가스의 공급 이후에 상기 가스공급유닛(310)을 이동시켜, 예를 들어 도 2에서 도 4와 같이 상부로 소정거리 이동시켜 상기 제2 가스공급모듈(350)의 제2 공급채널(352)이 상기 유입구(142)와 연통되도록 한다. 이 경우, 상기 제2 공급채널(352)에서 공급되는 퍼지가스가 상기 유입구(142)를 통해 상기 챔버(110) 내부로 공급된다. 상기 분사된 퍼지가스에 의해 상기 챔버(110) 내부의 잔존하는 원료가스 등이 상기 배기구(144)를 통해 상기 챔버(110)의 외부로 배기된다. 한편, 전술한 바와 같이 상기 제2 가스공급모듈(350)이 상기 유입구(142)와 연통되어 상기 퍼지가스를 상기 유입구(142)를 통해 상기 챔버(110) 내부로 공급하는 동안에 상기 제1 가스공급모듈(330) 및 상기 제3 가스공급모듈(370)에서 각각 공급된 원료가스와 반응가스는 상기 가스공급부(300)의 하우징(302)에 구비된 배기부(304)에 의해 상기 하우징(302)의 외부로 배기된다.After the supply of the source gas, the gas supply unit 310 is moved to move the gas supply unit 310 upward by a predetermined distance, for example, as shown in FIG. 2 to FIG. 4, ) Communicates with the inlet (142). In this case, the purge gas supplied from the second supply channel 352 is supplied into the chamber 110 through the inlet 142. The residual raw material gas or the like in the chamber 110 is exhausted to the outside of the chamber 110 through the exhaust port 144 by the injected purge gas. Meanwhile, as described above, while the second gas supply module 350 is in communication with the inlet 142 to supply the purge gas into the chamber 110 through the inlet 142, The raw material gas and the reactive gas supplied from the module 330 and the third gas supply module 370 are supplied to the housing 302 by the exhaust part 304 provided in the housing 302 of the gas supply part 300, As shown in FIG.

상기 퍼지가스의 공급 이후에 상기 가스공급유닛(310)을 이동시켜, 예를 들어 도 4에서 도 5와 같이 상부로 소정거리 이동시켜 상기 제3 가스공급모듈(370)의 제3 공급채널(372)이 상기 유입구(142)와 연통되도록 한다. 이 경우, 상기 제3 공급채널(372)에서 공급되는 반응가스가 상기 유입구(142)를 통해 상기 챔버(110) 내부로 공급된다. 상기 분사된 반응가스는 상기 챔버(110) 내부의 상기 기판(W)으로 공급되어 상기 기판(W)에 흡착된 원료가스와 반응하여 박막을 형성하게 된다. 한편, 전술한 바와 같이 상기 제3 가스공급모듈(370)이 상기 유입구(142)와 연통되어 상기 반응가스를 상기 유입구(142)를 통해 상기 챔버(110) 내부로 공급하는 동안에 상기 제1 가스공급모듈(330) 및 상기 제2 가스공급모듈(350)에서 각각 공급된 원료가스와 퍼지가스는 상기 가스공급부(300)의 하우징(302)에 구비된 배기부(304)에 의해 상기 하우징(302)의 외부로 배기된다.After the purge gas is supplied, the gas supply unit 310 is moved to move the gas supply unit 310 upward by a predetermined distance, for example, as shown in FIG. 4 to FIG. 5, ) Communicates with the inlet (142). In this case, the reaction gas supplied from the third supply channel 372 is supplied into the chamber 110 through the inlet 142. The injected reaction gas is supplied to the substrate W in the chamber 110 and reacted with the raw material gas adsorbed on the substrate W to form a thin film. Meanwhile, while the third gas supply module 370 is in communication with the inlet 142 to supply the reaction gas into the chamber 110 through the inlet 142, The raw material gas and the purge gas supplied from the module 330 and the second gas supply module 350 are supplied to the housing 302 by the exhaust part 304 provided in the housing 302 of the gas supply part 300, As shown in FIG.

이어서, 상기 가스공급유닛(310)을 상하로 소정거리 이동시키면서 도 2, 도 4 및 도 5의 과정을 반복하여 상기 기판(W) 상부에 원하는 두께를 가지는 박막을 증착하게 된다.2, 4, and 5 are repeated while the gas supply unit 310 is moved up and down by a predetermined distance to deposit a thin film having a desired thickness on the substrate W. [

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. You can do it. It is therefore to be understood that the modified embodiments are included in the technical scope of the present invention if they basically include elements of the claims of the present invention.

110...챔버
300...가스공급부
330...제1 가스공급모듈
350...제2 가스공급모듈
370...제3 가스공급모듈
1000...박막증착장치110 ... chamber
300 ... gas supply unit
330 ... first gas supply module
350 ... second gas supply module
370 ... third gas supply module
1000 ... Thin Film Deposition Device

Claims (12)

내부에 증착공간이 마련되고 공정가스 및 퍼지가스가 유입되는 유입구와 상기 공정가스 및 퍼지가스가 배기되는 배기구가 형성된 챔버;
상기 챔버 내부에 구비되어 기판이 안착되는 기판지지부; 및
복수의 공정가스 및 퍼지가스를 각각 공급하는 복수의 가스공급모듈을 구비하며 상기 기판이 놓인 평면에 대해 수직한 방향으로 미리 결정된 거리만큼 왕복 이동하는 가스공급유닛을 포함하는 가스공급부;를 구비하고,
상기 가스공급유닛이 상기 기판이 놓인 평면에 대해 수직한 방향으로 왕복 이동하는 경우에 상기 유입구와 연통하는 상기 가스공급모듈에서 공급되는 공정가스 또는 퍼지가스가 상기 챔버의 내부로 공급되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.A chamber having an evaporation space therein and having an inlet through which the process gas and the purge gas are introduced and an exhaust port through which the process gas and the purge gas are exhausted;
A substrate support disposed within the chamber and on which the substrate is mounted; And
And a gas supply unit including a plurality of gas supply modules for supplying a plurality of process gases and purge gases, respectively, and including a gas supply unit reciprocating in a predetermined direction in a direction perpendicular to a plane on which the substrate is placed,
Wherein a process gas or a purge gas supplied from the gas supply module communicating with the inlet port is supplied into the chamber when the gas supply unit reciprocates in a direction perpendicular to the plane on which the substrate is placed Film deposition apparatus. 제1항에 있어서,
상기 복수의 가스공급모듈은 상기 유입구와의 연통 여부에 관계없이 상기 기판의 증착 공정 동안 연속적으로 공정가스 및 퍼지가스를 각각 공급하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of gas supply modules continuously supply the process gas and the purge gas during the deposition process of the substrate regardless of whether the gas supply module is in communication with the inlet or not. 제2항에 있어서,
상기 가스공급부는 상기 유입구와 연통되지 않는 상기 가스공급모듈에서 공급되는 상기 공정가스 및 퍼지가스를 배기하는 배기부가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.3. The method of claim 2,
Wherein the gas supply unit further includes an exhaust unit for exhausting the process gas and the purge gas supplied from the gas supply module that is not in communication with the inlet. 삭제delete 제2항에 있어서,
상기 가스공급부는
상기 챔버의 유입구와 연통하며 상기 가스공급유닛이 이동할 수 있는 공간을 제공하는 하우징과, 상기 하우징의 일측에 구비되어 상기 하우징 내의 잔존가스를 배기하는 배기부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.3. The method of claim 2,
The gas supply part
A housing which communicates with an inlet of the chamber and provides a space through which the gas supply unit can be moved; and an exhaust unit provided at one side of the housing to exhaust residual gas in the housing. 제5항에 있어서,
상기 유입구와 연통하지 않는 상기 가스공급모듈에서 공급되는 상기 공정가스 및 퍼지가스가 상기 배기부를 통하여 배기되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.6. The method of claim 5,
Wherein the process gas and the purge gas supplied from the gas supply module not communicating with the inlet are exhausted through the exhaust unit. 제5항에 있어서,
상기 가스공급모듈은 상기 유입구를 통하여 원료가스를 공급하는 제1 가스공급모듈과, 상기 유입구를 통하여 퍼지가스를 공급하는 제2 가스공급모듈과, 상기 유입구를 통하여 반응가스를 공급하는 제3 가스공급모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.6. The method of claim 5,
The gas supply module includes a first gas supply module for supplying a source gas through the inlet, a second gas supply module for supplying purge gas through the inlet, a third gas supply module for supplying a reaction gas through the inlet, Wherein the thin film deposition apparatus further comprises a module. 제7항에 있어서,
상기 제1, 제2 및 제3 가스공급모듈은 상기 유입구와의 연통 여부에 관계없이 상기 기판의 증착공정 동안 연속적으로 상기 원료가스, 반응가스ㅡ 및 퍼지가스를 각각 공급하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.8. The method of claim 7,
Wherein the first, second, and third gas supply modules continuously supply the source gas, the reactive gas, and the purge gas during the deposition process of the substrate, regardless of whether the first, second, and third gas supply modules are in communication with the inlet. Device. 제7항에 있어서,
상기 제1 가스공급모듈은 상기 원료가스를 공급하는 제1 공급채널을 포함하고, 상기 제2 가스공급모듈은 상기 퍼지가스를 공급하는 제2 공급채널을 포함하고, 상기 제3 가스공급모듈은 상기 반응가스를 공급하는 제3 공급채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.8. The method of claim 7,
Wherein the first gas supply module includes a first supply channel for supplying the source gas and the second gas supply module includes a second supply channel for supplying the purge gas, And a third supply channel for supplying a reaction gas. 제9항에 있어서,
상기 제1, 제2 및 제3 가스공급모듈의 이동에 따라 상기 제1, 제2 및 제3 가스공급모듈의 상기 제1, 제2 및 제3 공급채널이 상기 유입구와 선택적으로 연통되어 상기 원료가스, 반응가스 및 퍼지가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.10. The method of claim 9,
Second, and third gas supply modules, the first, second, and third supply channels of the first, second, and third gas supply modules are selectively in communication with the inlet, Gas, reactive gas, and purge gas. 제1항에 있어서,
상기 유입구에는 상기 복수의 공정가스 및 퍼지가스가 상기 증착공간으로 균일하게 공급되도록 하는 분사부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.The method according to claim 1,
Wherein the inlet is provided with an injection unit for uniformly supplying the plurality of process gases and the purge gas into the deposition space. 제2항에 있어서,
상기 복수의 가스공급모듈은 일체로 구비되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.

3. The method of claim 2,
Wherein the plurality of gas supply modules are integrally provided.

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