KR101647155B1 - 폴리머 제거 장치 및 폴리머 제거 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 처리수율이 높고 또한 피처리 기판의 회전에 수반하는 파티클의 발생 및 열 스트레스에 의한 폴리머의 박리의 발생을 억제하면서 피처리 기판의 주연부에 환상으로 부착된 폴리머를 제거하는 폴리머 제거 장치 및 방법을 제공한다. 피처리 기판 W의 주연부에 환상으로 부착된 폴리머(2)를 제거하는 폴리머 제거 장치로서, 주연부에 환상으로 폴리머가 부착된 피처리 기판 W를 수용하는 처리 용기(11)와, 피처리 기판 W를 탑재하는 탑재대(12)와, 피처리 기판 W에 환상으로 부착된 폴리머(2)에 링형상 레이저광을 일괄 조사하는 레이저 조사부(20)와, 피처리 기판 W에 환상으로 부착된 상기 폴리머에 오존 가스를 공급하는 오존 가스 공급 기구(15, 19)와, 오존 가스를 배기하는 배기 기구(23, 24)를 구비한다.

Description

폴리머 제거 장치 및 폴리머 제거 방법{POLYMER REMOVING APPARATUS AND METHOD}
본 발명은 기판의 주연부에 환상(원주형상)으로 부착된 폴리머를 제거하는 폴리머(polymer) 제거 장치 및 폴리머 제거 방법에 관한 것이다.
반도체 집적 회로의 제조에 있어서는 반도체 웨이퍼 등의 피처리 기판에 대해 플라즈마 에칭이 실행되지만, 플라즈마 중에서 발생하는 래디컬(radical)이나 이온(ion)이 피처리 기판의 주연부의 베벨면이나 이면에 돌아 들어가, 폴리머가 베벨면 및 이면상에 부착되어, 피처리 기판의 주연부에 환상의 베벨/백사이드 폴리머(Bevel/Backside Polymer, 이하 BSP라 함)라 불리는 퇴적층을 형성한다. BSP는 반도체 집적 회로에 대해 악영향을 줄 우려가 있기 때문에, 이것을 제거하는 것이 요망되고 있으며, 특허문헌 1에는 레이저와 오존을 이용한 열 처리에 의해서 BSP를 제거하는 기술이 개시되어 있다.
특허문헌 1에 개시된 기술에서는 레이저가 점(spot)형상으로 조사(照射)되기 때문에, 피처리 기판을 회전시키는 것에 의해, 피처리 기판상의 레이저 조사 위치를 변화시키면서 피처리 기판의 주연부에 환상으로 존재하는 BSP에 레이저를 조사하도록 하고 있다.
일본국 특허공개공보 제2009-123831호
그러나, 이와 같이 피처리 기판과 레이저를 상대 이동시켜, 피처리 기판상의 레이저 조사 위치를 변화시키면서 레이저 조사를 실행하는 경우에는 BSP 제거 처리에 시간이 걸리며, BSP 제거 처리의 처리수율(throughput)이 낮아진다. 또한, 처리수율을 상승시키기 위해서는 고출력의 레이저를 이용하고, 피처리 기판을 고속으로 회전시키는 것이 고려되지만, 고속으로 회전시키는 경우에는 회전수의 가감속에 시간이 걸리기 때문에 큰 처리수율 개선을 바랄 수 없고, 오히려 처리 공간내 분위기의 교반에 기인한 파티클 발생이 염려된다. 또한, 이와 같이 고속 회전의 피처리 기판에 고출력 레이저를 조사하는 경우에는 레이저 조사 위치에서 급속한 가열 및 냉각이 발생하게 되고, 열 스트레스에 의해 BSP에 박리가 발생하기 쉬워 피처리 기판의 오염의 원인으로 되어 버린다.
본 발명은 상기 문제점을 감안해서 이루어진 것으로서, 처리수율이 높고 또한 피처리 기판의 회전에 수반하는 파티클의 발생 및 열 스트레스에 의한 폴리머의 박리의 발생을 억제하면서 피처리 기판의 주연부에 환상으로 부착된 폴리머를 제거할 수 있는 폴리머 제거 장치 및 폴리머 제거 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 폴리머 제거 장치는 피처리 기판의 주연부에 환상으로 부착된 폴리머를 제거하는 폴리머 제거 장치로서, 주연부에 환상으로 폴리머가 부착된 피처리 기판을 수용하는 처리 용기와, 상기 피처리 기판을 탑재하는 탑재대와, 상기 피처리 기판에 환상으로 부착된 상기 폴리머에 링형상 레이저광을 일괄 조사하는 레이저 조사부와, 상기 피처리 기판에 환상으로 부착된 상기 폴리머에 오존 가스를 공급하는 오존 가스 공급 기구와, 오존 가스를 배기하는 배기 기구를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 폴리머 제거 방법은 피처리 기판의 주연부에 환상으로 부착된 폴리머를 제거하는 폴리머 제거 방법으로서, 주연부에 환상으로 폴리머가 부착된 피처리 기판을 탑재대에 탑재하는 공정과, 상기 피처리 기판에 환상으로 부착된 상기 폴리머에 링형상 레이저광을 일괄 조사하는 공정과, 상기 레이저광을 조사하고 있을 때에, 상기 피처리 기판에 환상으로 부착된 상기 폴리머에 오존 가스를 공급하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 탑재대에 탑재된 피처리 기판에 환상으로 부착된 폴리머에 대해 링형상 레이저광을 일괄 조사하므로, 종래의 점형상의 레이저를 이용한 경우보다도 처리수율을 현저히 높게 할 수 있다. 이 때문에, 레이저 조사부의 레이저광원은 저출력의 것으로 좋고, 처리수율을 저하시키는 일 없이 조사부를 천천히 가열 및 냉각할 수 있고, 높은 처리수율을 확보하면서 열 스트레스를 낮은 것으로 할 수 있으며, 부착된 폴리머의 박리를 생기기 어렵게 할 수 있다. 또한, 피처리 기판을 회전시킬 필요가 없으므로, 처리 중에 분위기의 교반이 생기지 않으며, 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 폴리머 제거 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 폴리머 제거 장치에 마련된 링형상 레이저광을 사출(射出)하는 레이저 조사 유닛의 구조를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 폴리머 제거 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 폴리머 제거 장치의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 레이저 조사 유닛의 다른 배치예를 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 폴리머 제거 장치를 나타내는 단면도이다.
본 폴리머 제거 장치(1)는 피처리 기판으로서 주연부에 환상(원주형상)으로 BSP(2)가 부착된 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라 함) Ｗ를 수용하는 용기인 챔버(11)를 구비하고 있고, 챔버(11)의 바닥부에는 웨이퍼(W)를 수평으로 탑재하는 대략 원통형상의 탑재대(12)가 마련되어 있다. 탑재대(12)의 탑재면(12a)은 웨이퍼(W)의 주연부를 제외한 부분을 탑재하도록 되어 있다. 탑재대(12)는 탑재면(12a)에 이르는 흡착 구멍(13)을 구비하고 있고, 이 흡착 구멍(13)에는 진공 펌프(14)가 접속되어 있다. 그리고, 진공 펌프(14)를 작동시키는 것에 의해, 웨이퍼(W)가 탑재면(12a)에 진공 흡착된다. 즉, 탑재대(12)는 진공 척(chuck)을 구성하고 있다.
탑재대(12)의 상부의 웨이퍼(W)의 주연부에 대응하는 부분에는 테이퍼(taper)부(12b)가 형성되어 있고, 이 테이퍼부(12b)에는 웨이퍼(W)의 주연부의 BSP(2)가 부착된 부분에 오존 가스를 토출하기 위한 복수의 오존 가스 토출 구멍(15)이 원주형상으로 배열하도록 마련되어 있다. 이 복수의 오존 가스 토출 구멍(15)은 탑재대(12) 내부의 원반형상의 가스 확산 공간(16)에 접속되어 있다. 이 가스 확산 공간(16)에는 탑재대(12)의 바닥부로부터 연장하는 가스 유로(17)가 접속되고, 가스 유로(17)에는 가스 공급 배관(18)이 접속되어 있으며, 가스 공급 배관(18)에는 챔버(11)의 외부에 마련된 오존 가스 공급원(19)이 접속되어 있다. 그리고, 오존 가스 공급원(19)으로부터 공급된 오존 가스는 가스 공급 배관(18) 및 가스 유로(17)를 거쳐서 가스 확산 공간(16)에 이르고, 가스 확산 공간(16)으로부터 복수의 오존 가스 토출 구멍(15)을 거쳐서 웨이퍼(W)의 주연부의 BSP(2)가 부착된 부분에 공급되도록 되어 있다.
챔버(11)의 상부에는 탑재대(12)의 중앙에 대응하는 위치에, 링(ring)형상 레이저광 L을 사출하는 레이저 조사부로서의 레이저 조사 헤드(20)가 마련되어 있다. 레이저 조사 헤드(20)는 지지 부재(21)에 의해 챔버(11)에 지지되어 있다.
레이저 조사 헤드(20)는 도 2에 나타내는 바와 같이, 레이저광원(31)과 광학계(32)로 이루어지고, 광학계(32)는 레이저광원(31)으로부터 사출된 평행 광을 링형상으로 집광하는 단면이 볼록 렌즈 형상인 곡면 렌즈(33)와, 링형상으로 집광된 레이저광을 링형상의 평행광으로 바꾸는 링형상의 원통형 렌즈(34)와, 이 링형상의 평행광을 방사상으로 확대하는 오목 렌즈(35)를 갖고 있다. 이와 같은 링형상의 레이저광을 조사하는 수단은, 예를 들면, 일본국 특허공개공보 제2006-229075호의 도 10에 개시되어 있다.
레이저 조사 헤드(20)로부터 사출된 링형상 레이저광 L은 방사상으로 확대되어, 웨이퍼(W)의 바깥둘레보다도 외측 부분을 통과한다. 또, 레이저 조사 헤드(20)로부터의 레이저광의 조사 위치는 반사광을 광센서에 의해 수광하는 것에 의해, 또는 CCD 카메라에 의해 검출하는 것이 가능하게 되어 있고, 그 위치 검출 정보에 의거하여 조사 위치를 조절할 수 있도록 레이저 조사 헤드(20)의 위치가 조절 가능하게 되어 있다.
한편, 탑재대(12)의 외측에는 상면에 유발(乳鉢)(bowl)형상의 미러(mirror)면(반사면)(22a)을 갖고 원통형상을 이루는 미러(mirror) 부재(22)가 탑재대(12)를 포위하도록 마련되어 있다. 미러 부재(22)는 레이저광을 반사하는 반사 부재로서 기능한다. 즉, 미러 부재(22)의 미러면(반사면)(22a)은 레이저 조사 헤드(20)로부터 조사된 링형상의 레이저광을 반사시켜, 웨이퍼(W) 주연부의 BSP(2)에 보내도록 되어 있다. 따라서, 레이저 조사 유닛(20)으로부터 사출된 링형상 레이저광 L은 미러 부재(22)를 거쳐서 웨이퍼(W) 주연부의 BSP(2)에 일괄 조사된다.
탑재대(12)에 탑재된 웨이퍼(W) 및 미러 부재(22) 외측에는 이들을 포위하도록 오존 가스를 배기하기 위한 배기 유닛(23)이 마련되어 있다. 배기 유닛(23)은 웨이퍼(W)의 외측에 원주형상으로 형성된 가스 취입구(23a)와, 가스 취입구(23a)로부터 받아들여진 배기 가스를 챔버(11)의 바닥부로 보내는 원환(圓環)상의 배기 유로(23b)를 갖고 있다. 그리고, 챔버(11)의 바닥부에 있어서, 배기 유로(23b)에는 복수의 배기 배관(24)이 접속되어 있다. 배기 배관(24)은 공장의 산 배기 배관(도시하지 않음)에 접속되고, 주로 웨이퍼(W)의 주연부에 공급된 오존 가스가, 공장의 산 배기 설비(도시하지 않음)에 의해 배기 유닛(23) 및 배기 배관(24)을 거쳐서 흡인 배기되도록 되어 있다.
챔버(11)의 위쪽에는 대기를 흡인해서 챔버(11)의 내부로 받아들이기 위한 팬(25)과, 팬(25)에 의해 흡인된 대기의 파티클(particle)을 제거하기 위한 필터(26)가 마련되어 있다. 이것에 의해, 챔버(11)내에는 청정공기의 하강기류(downflow)가 형성되도록 되어 있다.
챔버(11)의 측벽에는 웨이퍼 반입출구(27)가 마련되어 있고, 웨이퍼 반입출구(27)는 게이트밸브(28)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 그리고, 웨이퍼(W)의 반입 반출시에는 게이트밸브(28)가 열리고, 탑재대(12)에 돌출 함몰 가능하게 마련된 승강 핀(pin)(도시하지 않음)을 돌출시킨 상태로 하여, 반송 아암(도시하지 않음)에 의해 승강 핀에 대해 웨이퍼(W)의 수수가 실행된다.
폴리머 제거 장치(1)는 또한 제어부(40)를 갖고 있다. 제어부(40)는 마이크로 프로세서를 갖고, 폴리머 제거 장치(1)의 각 구성부를 제어한다.
이와 같이 구성되는 폴리머 제거 장치에 있어서는 우선, 게이트밸브(28)를 열림으로 해서, 도시하지 않은 반송 아암에 의해 웨이퍼(W)를 반입출구(27)를 거쳐서 챔버(11)내에 반입하고, 탑재대(12)에 진공 흡착시킨다. 그리고, 게이트밸브(28)를 닫고, 챔버(11)를 기밀하게 밀봉(seal)한다.
다음에, 레이저 조사 헤드(20)로부터 링형상 레이저광 L을 사출하고, 미러 부재(22)의 미러면(반사면)(22a)에 반사시켜, 웨이퍼(W) 주연부의 BSP(2)에 링형상 레이저광 L을 일괄 조사하는 동시에, 복수의 오존 가스 토출 구멍(15)으로부터 BSP(2)를 향해 오존 가스를 내뿜는다. 이것에 의해, 레이저 조사에 의한 열과 오존 가스에 의한 산화에 의해서 BSP(2)가 제거된다. 공급된 오존 가스는 배기 유닛(23) 및 배기 배관(24)을 거쳐서 공장의 산 배기 설비(도시하지 않음)에 의해 흡인 배기된다. 이 때, 레이저가 원하는 위치에 닿도록, 조사 헤드(20)의 위치를 조절할 수 있다.
종래는 레이저는 점(spot)형상으로 조사되기 때문에, 웨이퍼를 회전시키는 것에 의해, 웨이퍼상의 레이저 조사 위치를 변화시키면서 피처리 기판의 주연부에 원주형상으로 존재하는 BSP에 레이저를 조사하도록 하고 있었지만, 이 경우에는 레이저 스폿(spot)이 작기 때문에, BSP 제거 처리에 시간이 걸리고, BSP 제거 처리의 처리수율이 낮다. 또한, 처리수율을 상승시키기 위해 고출력의 레이저를 이용해서 웨이퍼를 고속으로 회전시키면, 분위기의 교반에 의한 파티클 발생이나, 레이저 조사 위치에서 급속한 가열 및 냉각이 발생되는 것에 의한 열 스트레스에 의한 BSP의 박리가 염려된다.
이에 반해, 본 실시형태에서는 링형상 레이저광 L을 사출하는 레이저 조사 헤드(20)를 이용하므로, 웨이퍼(W)의 주연부에 원주형상으로 형성된 BSP(2)의 전체에 레이저광을 일괄 조사할 수 있다. 따라서, 종래의 점형상의 레이저를 이용한 경우보다도 처리수율을 현저히 높게 할 수 있다. 이 때문에, 레이저 조사 헤드(20)의 레이저광원(31)은 저출력의 것으로도 좋으며, 처리수율을 저하시키는 일 없이 조사부를 천천히 가열 및 냉각할 수 있고, 높은 처리수율을 확보하면서 열 스트레스를 낮은 것으로 할 수 있으며, BSP(2)의 박리를 생기기 어렵게 할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)를 회전시킬 필요가 없으므로, 처리 중에 분위기의 교반이 발생하지 않고, 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 탑재대(12)의 둘레방향을 따라 복수의 오존 가스 토출 구멍(15)이 방사상으로 마련되고, 이들 가스 토출 구멍(15)으로부터 웨이퍼(W)의 주연부에 원주형상으로 형성된 BSP(2)의 전체에 오존 가스를 공급할 수 있으므로, 링형상의 레이저와 가스와 오존 가스와의 협동 작용에 의해 신속하게 BSP(2)를 제거할 수 있다. 또한, 배기 유닛(23)의 가스 취입구(23a)가 웨이퍼(W)의 외측에 원주형상으로 형성되어 있으므로, BSP 제거 반응에 기여한 후의 오존 가스를 신속하게 효율적으로 배기 유닛(23)으로 보내어 거의 전량 배출할 수 있다.
다음에, 본 발명의 다른 실시형태에 대해 설명한다.
이와 같이, 웨이퍼(W)의 주연부에 링형상의 레이저광을 조사하는 경우에는 웨이퍼(W) 표면(디바이스면)의 온도의 상승이 문제가 되는 경우가 있다. 본 실시형태에서는 상기와 같은 경우에 대처 가능한 일예에 대해 나타낸다.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 폴리머 제거 장치를 나타내는 단면도이다. 도 3의 폴리머 제거 장치(1')는 도 1의 폴리머 제거 장치에 웨이퍼 냉각 기구를 부가한 것이며, 도 1과 동일한 것에는 동일 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
이 폴리머 제거 장치(1')에 있어서, 웨이퍼 냉각 기구(50)는 레이저 조사 유닛(20)의 위쪽에 마련된 냉각 가스 공급 헤드(51)와, 냉각 가스 공급 헤드(51)에 배관(52)을 거쳐서 접속된 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 공급원(53)을 갖고 있으며, 냉각 가스 공급 헤드(51)에는 다수의 토출 노즐(54)이 마련되어 있다. 그리고, 냉각 가스 공급원(53)으로부터 배관(52)을 거쳐서 냉각 가스 공급 헤드(51)에 공급된 냉각 가스를 토출 노즐(54)로부터 웨이퍼(W)를 향해 내뿜도록 되어 있다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면이 냉각되고 디바이스의 온도증가를 회피할 수 있다.
도 4는 도 3의 변형예를 나타내는 것이며, 도 3의 장치와는 다른 구성의 웨이퍼 냉각 기구(50')를 갖고 있다. 이 웨이퍼 냉각 기구(50')는 배기 유닛(23)의 위쪽에, 대략 원통형상의 배기 유닛(23)을 따라 복수 배치되고, 웨이퍼(W)에 냉각 가스를 토출하는 토출 노즐(56)과, 이들 복수의 토출 노즐(56)의 기단측을 연결하는 연결 배관(57)과, 이 연결 배관(57)에 배관(58)을 거쳐서 접속된 냉각 가스 공급원(59)을 갖고 있다. 그리고, 냉각 가스 공급원(59)으로부터 배관(58) 및 연결 배관(57)을 거쳐서 냉각 가스를 복수의 토출 노즐(56)로부터 웨이퍼(W)를 향해 내뿜도록 되어 있다. 이것에 의해서도, 웨이퍼(W)의 표면을 냉각할 수 있다.
또, 팬(25)으로부터 공기를 받아들이는 대신, 청정한 냉각 가스를 받아들여 챔버(11)내에 냉각 가스의 하강기류를 형성하는 것에 의해서도 웨이퍼(W)의 표면을 냉각할 수 있다.
또, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고 각종 변형 가능하다. 예를 들면, 상기 실시형태에서는 레이저 조사 유닛을 웨이퍼의 위쪽 위치에 배치했지만, 이것에 한정하는 일은 없으며, 예를 들면, 도 5에 나타내는 바와 같이, 중공이고 웨이퍼(W)의 주연부에 대응하는 위치에 링형상의 레이저 투과창(70)을 갖는 탑재대(12')를 마련하고, 그 내부에 레이저 조사 유닛(20')을 마련해서, 미러 부재(반사 부재)를 거치지 않고 웨이퍼(W)의 주연부의 BSP(2)에 링형상의 레이저광을 조사할 수도 있다. 도 5에서는 편의상, 오존 가스 공급 수단 및 배기 수단을 도시하고는 있지 않지만, 오존 가스 공급 수단으로서 원주형상의 BSP(2)를 따라, 그 아래쪽 외측에 복수의 오존 가스 토출 노즐을 배치한 것을 이용할 수 있고, 배기 수단으로서는 도 1과 마찬가지의 것을 이용할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는 BSP를 제거하는 예를 나타냈지만, 피처리 기판의 주연부에 존재하는 폴리머를 제거하는 용도 전반에 적용 가능하다. 또한, 피처리 기판으로서 반도체 웨이퍼를 이용한 예를 나타냈지만, 이것에 한정되는 것은 아니며 다른 기판이어도 좋다.
1, 1': 폴리머 제거 장치 2: BSP
11: 챔버 12, 12': 탑재대
15: 오존 가스 토출 구멍 19: 오존 가스 공급원
20, 20': 레이저 조사 유닛 22: 미러 부재(반사 부재)
22a: 미러면(반사면) 23: 배기 유닛
24: 배기 배관 40: 제어부
50, 50': 웨이퍼 냉각 기구 L: 링형상 레이저광
W: 웨이퍼

Claims (9)

  1. 피처리 기판의 이면측의 주연부에 환상으로 부착된 폴리머를 제거하는 폴리머 제거 장치에 있어서,
    상기 피처리 기판의 이면측의 상기 주연부에 환상으로 폴리머가 부착된 상기 피처리 기판을 수용하는 처리 용기와,
    상기 피처리 기판을 탑재하는 탑재대와,
    상기 탑재대의 중앙 위쪽에 마련되며, 상기 피처리 기판의 바깥둘레보다 외측 부분을 통과하고 방사상으로 퍼지는 링형상 레이저광을 상기 피처리 기판의 이면측의 상기 주연부에 부착된 상기 폴리머를 향해 조사하는 레이저 조사부와,
    상기 레이저 조사부로부터 사출된 레이저광을 반사시켜서, 상기 폴리머를 향해 반사시키는 반사 부재와,
    상기 폴리머에 오존 가스를 공급하는 오존 가스 공급 기구와,
    오존 가스를 배기하는 배기 기구를 구비하고,
    상기 반사 부재는,
    상기 탑재대의 아래쪽을 포위하도록 원통형상으로 마련되며, 그의 상면에 반사면이 형성되어 있고,
    상기 레이저 조사부로부터 방사상으로 사출된 링형상의 레이저광이, 상기 피처리 기판의 바깥 둘레보다 외측 부분을 통과하여 상기 반사 부재의 상기 반사면에서 반사하여, 상기 피처리 기판의 이면측의 주연부에 부착된 상기 폴리머를 향해 조사되는 것을 특징으로 하는
    폴리머 제거 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 피처리 기판에 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 공급 기구를 더 구비하는 것을 특징으로 하는
    폴리머 제거 장치.
  3. 피처리 기판의 이면측의 주연부에 환상으로 부착된 폴리머를 제거하는 폴리머 제거 방법에 있어서,
    상기 피처리 기판의 이면측의 주연부에 환상으로 폴리머가 부착된 상기 피처리 기판을 탑재대에 탑재하는 공정과,
    상기 탑재대의 중앙 위쪽에 마련된 레이저 조사부로부터 피처리 기판의 바깥둘레보다 외측 부분을 통과하도록 방사상으로 링형상의 레이저광을 사출하는 공정과,
    상기 탑재대의 아래쪽을 포위하도록 원통형상으로 반사 부재를 배치하고, 그의 상면의 반사면에서 상기 방사상으로 사출된 링형상의 레이저광을 반사시켜서, 상기 링형상 레이저광을 상기 피처리 기판의 이면측의 주연부에 부착된 상기 폴리머를 향해 조사하는 공정과,
    상기 레이저광을 조사하고 있을 때에, 상기 피처리 기판의 이면측의 주연부에 부착된 상기 폴리머에 오존 가스를 공급하는 공정과,
    상기 오존 가스를 배기하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는
    폴리머 제거 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 레이저광을 조사하고 있을 때에, 상기 피처리 기판에 냉각 가스를 공급하는 공정을 더 갖는 것을 특징으로 하는
    폴리머 제거 방법.
  5. 폴리머 제거 장치에 있어서,
    피처리 기판의 이면측의 주연부에 부착된 폴리머를 갖는 상기 피처리 기판을 수용하도록 구성된 처리 용기와,
    상기 피처리 기판을 탑재하도록 구성된 탑재대와,
    상기 피처리 기판의 주연부에 부착된 폴리머에 레이저광을 일괄 조사하도록 구성된 레이저 조사부와,
    상기 피처리 기판의 주연부에 부착된 폴리머에 오존 가스를 공급하도록 구성된 오존 가스 공급 기구와,
    상기 오존 가스를 배기하도록 구성된 배기 기구와,
    상기 레이저 조사부는 상기 피처리 기판보다 위쪽에 배치되며, 상기 장치는 상기 레이저 조사부로부터 조사된 상기 레이저광을 상기 피처리 기판의 이면측의 상기 주연부에 부착된 상기 폴리머를 향해 조사하도록 구성된 반사 부재를 구비하며,
    상기 반사 부재는,
    상기 탑재대의 아래쪽을 포위하고 그 상면에 경면을 갖는 실린더형상을 갖고,
    상기 탑재대의 외측에 배치되어 상기 탑재대를 덮는 것을 특징으로 하는
    폴리머 제거 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 레이저광은 링형상인 것을 특징으로 하는
    폴리머 제거 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사 부재의 반사면은 유발(乳鉢)형상이고,
    상기 레이저 조사부로부터 사출된 링형상의 레이저광이, 상기 반사면에서 일괄 반사되어 상기 폴리머를 향해 링형상으로 조사되는 것을 특징으로 하는
    폴리머 제거 장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 반사 부재의 반사면은 유발(乳鉢)형상이고,
    상기 레이저 조사부로부터 사출된 링형상의 레이저광이, 상기 반사면에서 일괄 반사되어 상기 폴리머를 향해 링형상으로 조사되는 것을 특징으로 하는
    폴리머 제거 방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 반사 부재의 경면은 유발(乳鉢)형상이고,
    상기 레이저 조사부로부터 사출된 링형상의 레이저광이, 상기 경면에서 일괄 반사되어 상기 폴리머를 향해 링형상으로 조사되는 것을 특징으로 하는
    폴리머 제거 장치.
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