KR101627754B1 - 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치 - Google Patents

화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치 Download PDF

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Abstract

화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시장치에 관한 것으로, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112013062571706-pat00156

(상기 화학식 1에서, Ar, X, 및 R1 및 R2의 정의는 명세서에 정의된 바와 같다.)

Description

화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치{COMPOUND, ORGANIC OPTOELECTRIC DEVICE AND DISPLAY DEVICE}
화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치에 관한 것이다.
유기 광전자 소자(organic optoelectric diode)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이다.
유기 광전자 소자는 동작 원리에 따라 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광 에너지에 의해 형성된 엑시톤(exciton)이 전자와 정공으로 분리되고 상기 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고, 다른 하나는 전극에 전압 또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광 소자이다.
유기 광전자 소자의 예로는 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼(organic photo conductor drum) 등을 들 수 있다.
이 중, 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)는 근래 평판 표시 장치(flat panel display device)의 수요 증가에 따라 크게 주목받고 있다. 상기 유기 발광 소자는 유기 발광 재료에 전류를 가하여 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서, 통상 양극(anode)과 음극(cathode) 사이에 유기 층이 삽입된 구조로 이루어져 있다. 여기서 유기 층은 발광층과 선택적으로 보조층을 포함할 수 있으며, 상기 보조층은 예컨대 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위한 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전자 차단 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층 및 정공 차단 층에서 선택된 적어도 1층을 포함할 수 있다.
유기 발광 소자의 성능은 상기 유기 층의 특성에 의해 영향을 많이 받으며, 그 중에서도 상기 유기 층에 포함된 유기 재료에 의해 영향을 많이 받는다.
특히 상기 유기 발광 소자가 대형 평판 표시 장치에 적용되기 위해서는 정공 및 전자의 이동성을 높이는 동시에 전기화학적 안정성을 높일 수 있는 유기 재료의 개발이 필요하다.
고효율, 장수명 등의 특성을 가지는 유기 광전자 소자를 제공할 수 있는 화합물을 제공하는 것이다.
상기 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자 및 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 구현예에서는, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112013062571706-pat00001
상기 화학식 1에서, L은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기이고, m은 0 내지 3 중 어느 하나의 정수이고, Ar은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, X는 O, S, SO2(O=S=O), PO(P=O), NR', CR'R＂ 또는 SiR'R＂이고,
상기 R' 및 R＂은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.
본 발명의 다른 일 구현예에서는, 서로 마주하는 양극과 음극; 및
상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 한 층의 유기층을 포함하고,
상기 유기층은 전술한 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에서는, 전술한 본 발명의 일 구현예인 유기 광전자 소자를 포함하는 표시장치를 제공한다.
고효율 · 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자에 대한 다양한 구현예들을 나타내는 단면도이다.
알킬기 또는 C1 내지 C6 알킬기일 수도 있다. 예를 들어, C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자가 포함되는 것을 의미하며, 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.
상기 알킬기는 구체적인 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 의미한다.
본 명세서에서 "아릴(aryl)기"는 환형인 치환기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며, 이들 p-오비탈이 공액(conjugation)을 형성하고 있는 치환기를 의미하고, 모노시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
본 명세서에서 "헤테로아릴(heteroaryl)기"는 아릴기 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다. 상기 헤테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및/또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기는, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
보다 구체적인 예를 들어, 상기 치환된 C6 내지 C30 아릴기에 포함되는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기는 하기 화학식 30 또는 화학식 31일 수 있다.
[화학식 30]
Figure 112013062571706-pat00002
[화학식 31]
Figure 112013062571706-pat00003
상기 화학식 30 및 화학식 31에서, R25 내지 R28은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기이며, *는 탄소 원자 또는 탄소 이외의 원자와 연결되는 부분을 의미한다.
본 명세서에서, 정공 특성이란, HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다. 보다 구체적으로, 전자를 밀어내는 특성과도 유사할 수 있다.
또한 전자 특성이란, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다. 보다 구체적으로 전자를 당기는 특성과도 유사할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서는, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112013062571706-pat00004
상기 화학식 1에서, L은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기이고, m은 0 내지 3 중 어느 하나의 정수이고, Ar은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, X는 O, S, SO2(O=S=O), PO(P=O), NR', CR'R＂ 또는 SiR'R＂이고,
상기 R' 및 R＂은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.
상기 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 정공 특성과 전자 특성을 동시에 가질 수 있어 정공 및 전자를 효과적으로 전달하는 장점을 가질 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 다양한 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드 갭을 갖는 화합물이 될 수 있다.
상기 화합물의 치환기에 따라 적절한 에너지 준위를 가지는 화합물을 유기광전자소자에 사용함으로써, 정공전달 능력 또는 전자전달 능력이 강화되어 효율 및 구동전압 면에서 우수한 효과를 가지고, 전기화학적 및 열적 안정성이 뛰어나 유기광전자소자 구동시 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
구체적으로, R1은 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기이고, 상기 Ar은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 전자 특성을 가지는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기일 수 있다.일 수 있다
R1 및 Ar이 상기와 같이 표시되는 경우, 정공 및 전자 특성을 더하는 장점이 있을 수 있다.
가장 구체적으로는, Ar은 하기 화학식 ET-1 내지 ET-7 중 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 ET-1][화학식 ET-2][화학식 ET-3][화학식 ET-4]
Figure 112013062571706-pat00005
Figure 112013062571706-pat00006
Figure 112013062571706-pat00007
Figure 112013062571706-pat00008
[화학식 ET-5][화학식 ET-6][화학식 ET-7]
Figure 112013062571706-pat00009
Figure 112013062571706-pat00010
Figure 112013062571706-pat00011
상기 화학식 ET-1 내지 ET-7에서, 상기 *은 탄소(C) 또는 탄소 이외의 원소와 연결되는 위치일 수 있고, 상기 R100 내지 R110은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기일 수 있다.
또한, 화학식 1에서, 상기 X는 NR' 또는 CR'R＂ 이고,
여기서 R' 및 R＂은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기일 수 있으며, 상기 R'은 하기 화학식 X-1로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 X-1]
Figure 112013062571706-pat00012
상기 화학식 X-1에서, *은 질소(N)와 연결되는 위치를 나타내고, L1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기이고, n은 0 내지 3 중 어느 하나의 정수이고, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기일 수 있다
구체적으로, 상기 화학식 X-1은 하기 화학식 X-2 또는 화학식 X-3으로 표시되는 화합물일 수 있다:
[화학식 X-2][화학식 X-3]
Figure 112013062571706-pat00013
Figure 112013062571706-pat00014
상기 화학식 X-2 및 X-3 에서, *은 질소(N)와 연결되는 위치를 나타내고, L1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기이고, n은 0 내지 3 중 어느 하나의 정수이고, X1은 NR', O 또는 S일 수 있으며, 상기 R'은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다.
화학식 1에서, 상기 R1은 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이고,
상기 R2는 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 일 수 있다. 여기서, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 또는 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기일 수 있다.
상기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기는 하기 화학식 X-4 내지 화학식 X-6 중 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 X-4] [화학식 X-5] [화학식 X-6]
Figure 112013062571706-pat00015
Figure 112013062571706-pat00016
Figure 112013062571706-pat00017
상기 화학식 X-4 내지 X-6에서,
*은 상기 탄소(C)와 연결되는 위치를 나타내고,
상기 화학식 X-4에서, X2는 N이고,
상기 화학식 X-5 및 X-6에서, X2는 NR', O 또는 S이며, 여기서 R'은 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다.
또한, 상기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기는 하기 화학식 X-7로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 X-7]
Figure 112013062571706-pat00018
상기 화학식 X-7에서, *은 상기 탄소(C)와 연결되는 위치를 나타내고, 상기 R100은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기일 수 있다.
X가 상기와 같은 경우,정공 특성이 증가하는 장점이 있을 수 있다.
또한, 상기 L을 선택적으로 조절하여 화합물 전체의 공액(conjugation) 길이를 결정할 수 있으며, 이로부터 삼중항(triplet) 에너지 밴드갭을 조절할 수 있다. 이를 통해 유기광전자소자에서 필요로 하는 재료의 특성을 구현해 낼 수 있다. 또한, 올소(ortho), 파라(para), 메타(meta)의 결합위치 변경을 통해서도 삼중항 에너지 밴드갭을 조절할 수 있다.
상기 L의 구체적인 예로는 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 o-터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐렌기, 치환 또는 비치환된 페난트릴렌기, 치환 또는 비치환된 피레닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기 등이 있다.
보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 페닐렌기로 하기와 같은 화학식 S-1, S-2, 및 S-3 등을 예로 들 수 있다.
[화학식 S-1] [화학식 S-2] [화학식 S-3]
Figure 112013062571706-pat00019
Figure 112013062571706-pat00020
Figure 112013062571706-pat00021
보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기로는 하기와 같은 화학식 S-4, S-5, 및 S-6 등을 예로 들 수 있다.
[화학식 S-4] [화학식 S-5] [화학식 S-6]
Figure 112013062571706-pat00022
Figure 112013062571706-pat00023
Figure 112013062571706-pat00024
본 발명의 일 구현예에 따른 화합물의 구체적인 예는 다음과 같으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
[A-1] [A-2] [A-3] [A-4] [A-5] [A-6]
Figure 112013062571706-pat00025
[A-7] [A-8] [A-9] [A-10] [A-11] [A-12]
Figure 112013062571706-pat00026
[A-13] [A-14] [A-15] [A-16] [A-17] [A-18]
Figure 112013062571706-pat00027
[A-19] [A-20] [A-21] [A-22] [A-23] [A-24]
Figure 112013062571706-pat00028
[A-25] [A-26] [A-27] [A-28] [A-29] [A-30]
Figure 112013062571706-pat00029
[A-31] [A-32] [A-33] [A-34] [A-35] [A-36]
Figure 112013062571706-pat00030
[A-37] [A-38] [A-39] [A-40] [A-41] [A-42]
Figure 112013062571706-pat00031
[A-43] [A-44] [A-45] [A-46] [A-47] [A-48]
Figure 112013062571706-pat00032
[A-49] [A-50] [A-51] [A-52] [A-53]
Figure 112013062571706-pat00033
[A-54] [A-55] [A-56] [A-57] [A-58]
Figure 112013062571706-pat00034
[A-59] [A-60] [A-61] [A-62] [A-63]
Figure 112013062571706-pat00035
[A-64] [A-65] [A-66] [A-67] [A-68]
Figure 112013062571706-pat00036
[A-69] [A-70] [A-71] [A-72] [A-73]
Figure 112013062571706-pat00037
[A-74] [A-75] [A-76] [A-77] [A-78]
Figure 112013062571706-pat00038
[A-79] [A-80] [A-81] [A-82] [A-83]
Figure 112013062571706-pat00039
[A-84] [A-85] [A-86] [A-87] [A-88]
Figure 112013062571706-pat00040
[A-89] [A-90] [A-91] [A-92] [A-93]
Figure 112013062571706-pat00041
[A-94] [A-95] [A-96] [A-97] [A-98]
Figure 112013062571706-pat00042
[B-1] [B-2] [B-3] [B-4] [B-5] [B-6]
Figure 112013062571706-pat00043
[B-7] [B-8] [B-9] [B-10] [B-11] [B-12]
Figure 112013062571706-pat00044
[B-13] [B-14] [B-15] [B-16] [B-17] [B-18]
Figure 112013062571706-pat00045
[B-19] [B-20] [B-21] [B-22] [B-23] [B-24]
Figure 112013062571706-pat00046
[B-25] [B-26] [B-27] [B-28] [B-29] [B-30]
Figure 112013062571706-pat00047
[B-31] [B-32] [B-33] [B-34] [B-35] [B-36]
Figure 112013062571706-pat00048
[B-37] [B-38] [B-39] [B-40] [B-41] [B-42]
Figure 112013062571706-pat00049
[B-43] [B-44] [B-45] [B-46] [B-47] [B-48]
Figure 112013062571706-pat00050
[B-49] [B-50] [B-51] [B-52] [B-53]
Figure 112013062571706-pat00051
[B-54] [B-55] [B-56] [B-57] [B-58]
Figure 112013062571706-pat00052
[B-59] [B-60] [B-61] [B-62] [B-63]
Figure 112013062571706-pat00053
[B-64] [B-65] [B-66] [B-67] [B-68]
Figure 112013062571706-pat00054
[B-69] [B-70] [B-71] [B-72] [B-73]
Figure 112013062571706-pat00055
[B-74] [B-75] [B-76] [B-77] [B-78]
Figure 112013062571706-pat00056
[B-79] [B-80] [B-81] [B-82] [B-83]
Figure 112013062571706-pat00057
[B-84] [B-85] [B-86] [B-87] [B-88]
Figure 112013062571706-pat00058
[B-89] [B-90] [B-91] [B-92] [B-93]
Figure 112013062571706-pat00059
[B-94] [B-95] [B-96] [B-97] [B-98]
Figure 112013062571706-pat00060
[C-1] [C-2] [C-3] [C-4] [C-5]
Figure 112013062571706-pat00061
[C-6] [C-7] [C-8] [C-9] [C-10]
Figure 112013062571706-pat00062
[C-11] [C-12] [C-13] [C-14] [C-15]
Figure 112013062571706-pat00063
[C-16] [C-17] [C-18] [C-19] [C-20]
Figure 112013062571706-pat00064
[C-21] [C-22]
Figure 112013062571706-pat00065
본발명의 화합물은 3중항 여기에너지(T1)가 2.0eV 이상인 것인 화합물일 수 있다.
이하, 상술한 화합물을 적용한 유기 광전자 소자를 설명한다.
상기 유기 광전자 소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을 들 수 있다.
여기서는 유기 광전자 소자의 일 예인 유기 발광 소자를 도면을 참고하여 설명한다.
도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자(100)는 서로 마주하는 양극(120)과 음극(110), 그리고 양극(120)과 음극(110) 사이에 위치하는 유기층(105)을 포함한다.
양극(120)은 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및/또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 양극(120)은 예컨대 니켈, 백금, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO와 Al 또는 SnO2와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리(3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜)(polyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
음극(110)은 예컨대 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및/또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 음극(110)은 예컨대 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
유기층(105)은 전술한 화합물을 포함하는 발광층(130)을 포함한다.
발광층(130)은 예컨대 전술한 화합물을 단독으로 포함할 수도 있고 전술한 화합물 중 적어도 두 종류를 혼합하여 포함할 수도 있고 전술한 화합물과 다른 화합물을 혼합하여 포함할 수도 있다. 전술한 화합물과 다른 화합물을 혼합하여 포함하는 경우, 예컨대 호스트(host)와 도펀트(dopant)의 형태로 포함될 수 있으며, 전술한 화합물은 예컨대 호스트로 포함될 수 있다. 상기 호스트는 예컨대 인광 호스트 또는 형광 호스트일 수 있으며, 예컨대 그린 인광 호스트일 수 있다.
전술한 화합물이 호스트로 포함되는 경우, 도펀트는 무기, 유기, 유무기 화합물일 수 있으며 공지된 도펀트 중에서 선택될 수 있다.
도 2를 참고하면, 유기 발광 소자(200)는 발광층(230) 외에 정공 보조층(140)을 더 포함한다. 정공 보조층(140)은 양극(120)과 발광층(230) 사이의 정공 주입 및/또는 정공 이동성을 더욱 높이고 전자를 차단할 수 있다. 정공 보조층(140)은 예컨대 정공 수송층, 정공 주입층 및/또는 전자 차단층일 수 있으며, 적어도 1층을 포함할 수 있다. 전술한 화합물은 발광층(230) 및/또는 정공 보조층(140)에 포함될 수 있다.
도 1 또는 도 2의 유기층(105)는 도시하지는 않았지만, 전자주입층, 전자수송층, 보조전자수송층, 정공수송층, 보조정공수송층, 정공주입층 또는 이들의 조합층을 추가로 더 포함할 수 있다. 본 발명의 화합물은 이들 유기층에 포함될 수 있다. 유기 발광 소자(100, 200)는 기판 위에 양극 또는 음극을 형성한 후, 진공증착법(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성막법; 또는 스핀코팅(spin coating), 침지법(dipping), 유동코팅법(flow coating)과 같은 습식성막법 등으로 유기층을 형성한 후, 그 위에 음극 또는 양극을 형성하여 제조할 수 있다.
상술한 유기 발광 소자는 유기 발광 표시 장치에 적용될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
(유기 광전자 소자용 화합물의 제조)
유기 광전자 소자용 화합물의 합성
[일반식 1]
Figure 112013062571706-pat00066
(D) (E)
상기와 같은 합성 방법에 따라 제조된 본 발명의 일 구현예에 따른 구체 화합물들을 하기 표 1에 나타내었다.
화합물 중간체 D 중간체 E 반응물 수율
(%)		 MS 데이터
A-51
Figure 112013062571706-pat00067
Figure 112013062571706-pat00068
Figure 112013062571706-pat00069
Figure 112013062571706-pat00070
 83 476.6 g/mol
A-77
Figure 112013062571706-pat00071
Figure 112013062571706-pat00072
Figure 112013062571706-pat00073
Figure 112013062571706-pat00074
 80 493.6 g/mol
A-94
Figure 112013062571706-pat00075
Figure 112013062571706-pat00076
Figure 112013062571706-pat00077
Figure 112013062571706-pat00078
 80 475.6 g/mol
A-74
Figure 112013062571706-pat00079
Figure 112013062571706-pat00080
Figure 112013062571706-pat00081
Figure 112013062571706-pat00082
 85 476.6 g/mol
B-51
Figure 112013062571706-pat00083
Figure 112013062571706-pat00084
Figure 112013062571706-pat00085
Figure 112013062571706-pat00086
 84 600.7 g/mol
B-77
Figure 112013062571706-pat00087
Figure 112013062571706-pat00088
Figure 112013062571706-pat00089
Figure 112013062571706-pat00090
 80 617.8 g/mol
B-94
Figure 112013062571706-pat00091
Figure 112013062571706-pat00092
Figure 112013062571706-pat00093
Figure 112013062571706-pat00094
 87 599.7 g/mol
B-97
Figure 112013062571706-pat00095
Figure 112013062571706-pat00096
Figure 112013062571706-pat00097
Figure 112013062571706-pat00098
 89 600.7 g/mol
C-11
Figure 112013062571706-pat00099
Figure 112013062571706-pat00100
Figure 112013062571706-pat00101
Figure 112013062571706-pat00102
 88 524.6 g/mol
C-15
Figure 112013062571706-pat00103
Figure 112013062571706-pat00104
Figure 112013062571706-pat00105
Figure 112013062571706-pat00106
 85 541.7 g/mol
C-17
Figure 112013062571706-pat00107
Figure 112013062571706-pat00108
Figure 112013062571706-pat00109
Figure 112013062571706-pat00110
 87 525.6 g/mol
C-21
Figure 112013062571706-pat00111
Figure 112013062571706-pat00112
Figure 112013062571706-pat00113
Figure 112013062571706-pat00114
 81 542.7 g/mol
실시예 1: 화합물 B-94의 합성
[반응식 1]
Figure 112013062571706-pat00115
제 1 단계: 중간체 생성물(A)의 합성
2-브로모-5-클로로-벤조익 에시드 메틸 에스터 36.12 g (144.79 mmol), 2-니트로-페닐아민 20.0 g (144.79 mmol), Cu 0.28 g (4.34 mmol), K2CO3 30.02 g (217.19 mmol)을 질소기류 하에서 36 시간 동안 　160 ℃ 로 교반하였다. 반응 종료 후 생성물을 디클로로메탄에 녹여 실리카 필터하고 유기용매를 제거한다. 헥산 : 디클로로메탄 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카겔 컬럼하여 중간체 생성물(A) 24.88 g (수율 : 56 %)을 수득하였다.
　
제 2 단계: 중간체 생성물(B)의 합성
중간체 생성물 (A) 24.0 g (78.25 mmol), SnCl2ㆍ2H20 44.51 g (234.76 mmol)을 에탄올 200 ml 현탁 시킨 후 질소기류 하에서 12 시간 동안 80℃ 교반하였다. 반응 종료 후 생성물을 디클로로메탄에 녹여 디클로로메탄과 에틸아세테이트로 실리카 필터하고 유기용매를 제거한다. 헥산 : 에틸아세테이트 = 6 : 4(v/v) 으로 실리카컬럼하여 중간체 생성물 (B) 14.4 g (수율 : 70 %)을 수득하였다.
　
제 3　단계: 중간체 생성물 (C)의 합성
중간체 생성물 (B) 14.0 g (53.29 mmol), 벤조알데히드 5.65 g (53.29 mmol)을 DMF 170 mL 에 현탁 시킨 후 Na2S2O5 12.16 g (63.95 mmol) 를 넣고 질소기류하에서 5 시간 동안 150℃ 에서 교반하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 헥산 : 디클로로메탄 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카겔 컬럼하여 중간체 생성물(C) 18.37 g (수율 : 95%)을 수득하였다.
　
제 4　단계: 중간체 생성물 (D)의 합성
중간체 생성물 (C) 18.0 g (49.61 mmol) 과 THF 　150 mL 를 질소 기류 하에서 현탁 시킨 후 0 ℃ 하에서 BrMgPh 124.03 mL (124.03 mmol)을 천천히 넣고 24 시간 교반하였다. 반응 종료 후 0℃ 하에서 암모늄 클로라이드로 ?칭(quenching) 하고, 디클로로메탄과 증류수로 추출한 후 유기 용매를 제거하여 중간체 생성물 (D) 22.5 g (수율 : 93 %) 를 수득하였다.
　
제 5　단계: 중간체 생성물 (E)의 합성
중간체 생성물 (D) 22.5 g (46.20 mmol) 과 디클로로메탄 　150 mL 를 질소 기류 하에서 현탁 시킨 후 0 ℃ 하에서 BF3(C2H5)2O 8.55 mL (69.30 mmol)을 천천히 넣고 12 시간 교반하였다. 반응 종료 후 0 ℃ 하에서 NaHCO3 로 ?칭(quenching) 하고, 디클로로메탄과 증류수로 추출한 후 유기 용매를 제거하여 디클로로메탄과 에틸아세테이트 재결정하여 중간체 생성물 (E) 16.5 g (수율 : 76 %) 를 수득하였다.
　
제 6　단계: 화합물 B-94의 화합물 합성
　중간체 생성물 (E) 16.0 g (34.12 mmol) 과 카바졸 6.85 g (40.94 mmol), NaO(t-Bu) 4.92 g (51.17 mmol), Pd2(dba)3 0.62 g (0.68 mmmol) 을 톨루엔 150 mL 에 현탁 시킨 후 P(t-Bu)3 0.33 mL (1.36 mmol) 를 넣고 질소기류하에서 24 시간 동안 환류 교반하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 헥산 : 디클로로메탄 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카겔 컬럼하여 뒤, 디클로로메탄과 에틸아세테이트로 재결정하여 화합물 B-94를 17.8 g (수율 : 87 %) 수득하였다.
실시예 2: 화합물 B-51의 합성
실시예 1의 제 3 단계 벤조알데히드를 피리딘-4-카보알데히드로 바꾸는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 만들어진 중간체 생성물 (F) 10.0 g (21.28 mmol) 과 카바졸 6.85 g (27.66 mmol), NaO(t-Bu) 3.07 g (31.92 mmol), Pd2(dba)3 0.39 g (0.43 mmmol) 을 톨루엔 100 mL 에 현탁 시킨 후 P(t-Bu)3 0.21 mL (0.85 mmol) 를 넣고 질소기류하에서 24 시간 동안 환류 교반하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 헥산 : 디클로로메탄 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카겔 컬럼하여 뒤, 디클로로메탄과 에틸아세테이트로 재결정하여 화합물 B-51을 10.7 g (수율 : 84 %) 수득하였다.
실시예 3: 화합물 B-77의 합성
중간체 생성물 (F) 10.0 g (21.28 mmol) 과 4-디벤조티오펜 보로닉 에시드 5.34 g (23.41 mmol), K2CO3 5.88 g (42.56 mmol), Pd(PPh3)4 0.25 g (0.21 mmmol) 을 톨루엔 100 ml, 증류수 50 ml에 현탁 시킨 후 질소기류 하에서 12 시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종료 후 상기 반응액을 디클로로메탄으로 추출 하고 실리카겔로 필터 한 후 감압 증류 하고, 헥산 : 디클로로메탄 = 8 : 2(v/v) 으로 실리카컬럼한 뒤, 디클로로메탄과 에틸아세테이트로 재결정하여 화합물 B-77을 10.5 g (수율 : 80 %) 수득하였다.
실시예 4: 화합물 B-97의 합성
실시예 1의 제 1 단계 2-브로모-5-클로로-벤조익 에시드 메틸 에스터를 2-브로모-4-클로로-벤조익 에시드 메틸 에스터로 바꾸는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 만들어진 중간체 생성물 (G) 10.0 g (21.28 mmol) 과 카바졸 6.85 g (27.66 mmol), NaO(t-Bu) 3.07 g (31.92 mmol), Pd2(dba)3 0.39 g (0.43 mmmol) 을 톨루엔 100 mL 에 현탁 시킨 후 P(t-Bu)3 0.21 mL (0.85 mmol) 를 넣고 질소기류하에서 24 시간 동안 환류 교반하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 헥산 : 디클로로메탄 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카겔 컬럼하여 뒤, 디클로로메탄과 에틸아세테이트로 재결정하여 화합물 B-97을 11.4 g (수율 : 89 %) 수득하였다.
실시예 5: 화합물 A-51의 합성
[반응식 2]
Figure 112013062571706-pat00116
제 1 단계; 중간체 생성물(A)의 합성
2-브로모-5-클로로-벤조익 에시드 메틸 에스터 36.12 g (144.79 mmol), 2-니트로-페닐아민 20.0 g (144.79 mmol), Cu 0.28 g (4.34 mmol), K2CO3 30.02 g (217.19 mmol)을 질소기류 하에서 36 시간 동안 　160 ℃ 로 교반하였다. 반응 종료 후 생성물을 디클로로메탄에 녹여 실리카 필터하고 유기용매를 제거한다. 헥산 : 디클로로메탄 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카겔 컬럼하여 중간체 생성물(A) 24.88 g (수율 : 56 %)을 수득하였다.
　
제 2 단계; 중간체 생성물(B)의 합성
중간체 생성물 (A) 24.0 g (78.25 mmol), SnCl2ㆍ2H20 44.51 g (234.76 mmol)을 에탄올 200 ml 현탁 시킨 후 질소기류 하에서 12 시간 동안 80 ℃ 교반하였다. 반응 종료 후 생성물을 디클로로메탄에 녹여 디클로로메탄과 에틸아세테이트로 실리카 필터하고 유기용매를 제거한다. 헥산 : 에틸아세테이트 = 6 : 4(v/v) 으로 실리카컬럼하여 중간체 생성물 (B) 14.4 g (수율 : 70 %)을 수득하였다.
　
제 3　단계: 중간체 생성물 (C)의 합성
중간체 생성물 (B) 15.0 g (54.21 mmol), 4-피리딘카보알데히드 6.06 mL (59.63 mmol)을 DMF 170 mL 에 현탁 시킨 후 Na2S2O5 14.43 g (75.89 mmol) 를 넣고 질소기류하에서 5 시간 동안 150 ℃ 에서 교반하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 헥산 : 에틸아세테이트 = 8 : 2(v/v) 으로 실리카겔 컬럼하여 중간체 생성물(C) 17.75 g (수율 : 90%)을 수득하였다.
　
제 4　단계: 중간체 생성물 (D)의 합성
중간체 생성물 (C) 15.0 g (41.23 mmol) 과 THF 　150 mL 를 질소 기류 하에서 현탁 시킨 후 0 ℃ 하에서 BrMgMe 32.96 mL (98.96 mmol)을 천천히 넣고 24 시간 교반하였다. 반응 종료 후 0 ℃ 하에서 암모늄 클로라이드로 ?칭(quenching) 하고, 디클로로메탄과 증류수로 추출한 후 유기 용매를 제거하여 중간체 생성물 (D) 13.7 g (수율 : 91 %) 를 수득하였다.
　
제 5　단계: 중간체 생성물 (E)의 합성
중간체 생성물 (D) 15.0 g (41.23 mmol) 과 디클로로메탄 　150 mL 를 질소 기류 하에서 현탁 시킨 후 0 ℃ 하에서 BF3(C2H5)2O 7.63 mL (61.84 mmol)을 천천히 넣고 12 시간 교반하였다. 반응 종료 후 0 ℃ 하에서 NaHCO3 로 ?칭(quenching) 하고, 디클로로메탄과 증류수로 추출한 후 유기 용매를 제거하여 디클로로메탄과 에틸아세테이트 재결정하여 중간체 생성물 (E) 9.3 g (수율 : 65 %) 를 수득하였다.
　
제 6　단계: 화합물 A-51의 합성
　중간체 생성물 (E) 10.0 g (28.92 mmol) 과 카바졸 5.80 g (34.70 mmol), NaO(t-Bu) 4.17 g (43.38 mmol), Pd2(dba)3 0.53 g (0.59 mmmol) 을 톨루엔 150 mL 에 현탁 시킨 후 P(t-Bu)3 0.28 mL (1.16 mmol) 를 넣고 질소기류하에서 24 시간 동안 환류 교반하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 헥산 : 에틸아세테이트 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카겔 컬럼하여 뒤, 디클로로메탄과 에틸아세테이트로 재결정하여 화합물 A-51을 11.4 g (수율 : 83 %) 수득하였다.
실시예 6: 화합물 A-77의 합성
Figure 112013062571706-pat00117
실시예 5의 제5 단계에서 만들어진 중간체 생성물 (E) 10.0 g (28.92 mmol) 과 4-디벤조티오펜 보로닉 에시드 7.91 g (34.70 mmol), K2CO3 5.99 g (43.38 mmol), Pd(PPh3)4 0.33 g (0.29 mmmol) 을 톨루엔 100 ml, 증류수 50 ml에 현탁 시킨 후 질소기류 하에서 12 시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종료 후 상기 반응액을 디클로로메탄으로 추출 하고 실리카겔로 필터 한 후 감압 증류 하고, 헥산 : 에틸아세테이트 = 8 : 2(v/v) 으로 실리카컬럼한 뒤, 디클로로메탄과 에틸아세테이트로 재결정하여 화합물 A-77을 11.4 g (수율 : 80 %) 수득하였다.
실시예 7: 화합물 A-94의 합성
Figure 112013062571706-pat00118
실시예 5의 제 3 단계 피리딘-4-카보알데히드를 벤조알데히드로 바꾸는 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일한 방법으로 만들어진 중간체 생성물 (F) 10.0 g (29.00 mmol) 과 카바졸 5.82 g (34.80 mmol), NaO(t-Bu) 4.18 g (43.49 mmol), Pd2(dba)3 0.53 g (0.58 mmmol) 을 톨루엔 150 mL 에 현탁 시킨 후 P(t-Bu)3 0.28 mL (1.16 mmol) 를 넣고 질소기류하에서 24 시간 동안 환류 교반하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 헥산 : 에틸아세테이트 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카겔 컬럼하여 뒤, 디클로로메탄과 에틸아세테이트로 재결정하여 화합물 A-94를 11.0 g (수율 : 80 %) 수득하였다.
실시예 8: 화합물 A-74의 합성
Figure 112013062571706-pat00119
실시예 7에서 만들어진 중간체 생성물 (F) 10.0 g (29.00 mmol) 과 4-디벤조티오펜 보로닉 에시드 7.94 g (34.80 mmol), K2CO3 6.01 g (43.50 mmol), Pd(PPh3)4 0.34 g (0.29 mmmol) 을 톨루엔 100 ml, 증류수 50 ml에 현탁 시킨 후 질소기류 하에서 12 시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종료 후 상기 반응액을 디클로로메탄으로 추출 하고 실리카겔로 필터 한 후 감압 증류 하고, 헥산 : 에틸아세테이트 = 8 : 2(v/v) 으로 실리카컬럼한 뒤, 디클로로메탄과 에틸아세테이트로 재결정하여 화합물 A-74을 12.1 g (수율 : 85 %) 수득하였다.
실시예 9: 화합물 C-17의 합성
[반응식 3]
Figure 112013062571706-pat00120

제 1 단계; 중간체 생성물(A)의 합성
2-브로모-니트로벤젠 20.0 g (99.00 mmol) 과 1,2-페닐렌디아민 10.71 g (99.00 mmol), NaO(t-Bu) 14.27 g (148.51 mmol), Pd2(dba)3 1.81 g (1.98 mmmol) 을 톨루엔 400 mL 에 현탁 시킨 후 P(t-Bu)3 0.96 mL (3.96 mmol) 를 넣고 질소기류하에서 24 시간 동안 환류 교반하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 헥산 : 에틸아세테이트 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카겔 컬럼하여 중간체 생성물(A) 13.84 g (수율 : 61 %)을 수득하였다.
　
제 2　단계: 중간체 생성물 (B)의 합성
중간체 생성물 (A) 13.0 g (56.71 mmol), 피리딘-4-카보알데히드 6.07 g (56.71 mmol)을 DMF 220 mL 에 현탁 시킨 후 Na2S2O5 12.94 g (68.05 mmol) 를 넣고 질소기류하에서 5 시간 동안 150 ℃ 에서 교반하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 헥산 : 디클로로메탄 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카겔 컬럼하여 중간체 생성물(B) 16.32 g (수율 : 91%)을 수득하였다.
　
제 3　단계: 중간체 생성물 (C)의 합성
중간체 생성물 (B) 16.0 g (50.58 mmol) 과 트리에틸 포스파이트 　44.0 mL (252.92 mmol) 를 질소 기류 하에서 4 시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종료 후 반응 용매를 제거하고, 헥산 : 디클로로메탄 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카컬럼하여 중간체 생성물 (C) 11.6 g (수율 : 81 %) 를 수득하였다.
　
제 4　단계: 화합물 C-17의 합성
중간체 생성물 (C) 10.0 g (35.17 mmol) 과 4-브로모-N-카바졸 12.47 g (38.69 mmol), NaO(t-Bu) 4.06 g (42.21 mmol), Pd2(dba)3 0.32 g (0.35 mmmol) 을 톨루엔 150 mL 에 현탁 시킨 후 P(t-Bu)3 0.17 mL (0.70 mmol) 를 넣고 질소기류하에서 24 시간 동안 환류 교반하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 헥산 : 디클로로메탄 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카겔 컬럼하여 뒤, 디클로로메탄과 아세톤으로 재결정하여 화합물 C-17을 16.2 g (수율 : 88 %) 수득하였다.
실시예 10: 화합물 C-21의 합성
Figure 112013062571706-pat00121

실시 예 5에서 합성 된 중간체 생성물 (C) 10.0 g (35.17 mmol) 과 4-(4-브로모페닐)-디벤조티오펜 13.13 g (38.69 mmol), NaO(t-Bu) 4.06 g (42.21 mmol), Pd2(dba)3 0.32 g (0.35 mmmol) 을 톨루엔 150 mL 에 현탁 시킨 후 P(t-Bu)3 0.17 mL (0.70 mmol) 를 넣고 질소기류하에서 24 시간 동안 환류 교반하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 헥산 : 디클로로메탄 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카겔 컬럼하여 뒤, 디클로로메탄과 아세톤으로 재결정하여 화합물 C-21을 16.2 g (수율 : 85 %) 수득하였다.
실시예 11: 화합물 C-11의 합성
Figure 112013062571706-pat00122
실시예 5의 제3 단계에서 4-피리딘카보알데히드 대신 벤조알데히드를 사용한 것을 제외하고 같은 방법으로 합성된 중간체 (D) 10.0 g (35.29 mmol) 과 4-브로모-N-카바졸 12.51 g (38.82 mmol), NaO(t-Bu) 4.07 g (42.35 mmol), Pd2(dba)3 0.32 g (0.35 mmmol) 을 톨루엔 150 mL 에 현탁 시킨 후 P(t-Bu)3 0.17 mL (0.70 mmol) 를 넣고 질소기류하에서 24 시간 동안 환류 교반하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 헥산 : 디클로로메탄 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카겔 컬럼하여 뒤, 디클로로메탄과 아세톤으로 재결정하여 화합물 C-11을 16.1 g (수율 : 87 %) 수득하였다.
실시예 12: 화합물 C-15의 합성
Figure 112013062571706-pat00123
실시예 5의 제3 단계에서 4-피리딘카보알데히드 대신 벤조알데히드를 사용한 것을 제외하고 같은 방법으로 합성된 중간체 (D) 10.0 g (35.29 mmol) 과 4-(4-브로모페닐)-디벤조티오펜 13.17 g (38.82 mmol), NaO(t-Bu) 4.07 g (42.35 mmol), Pd2(dba)3 0.32 g (0.35 mmmol) 을 톨루엔 150 mL 에 현탁 시킨 후 P(t-Bu)3 0.17 mL (0.70 mmol) 를 넣고 질소기류하에서 24 시간 동안 환류 교반하였다. 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 유기 용액을 제거하고 헥산 : 디클로로메탄 = 7 : 3(v/v) 으로 실리카겔 컬럼하여 뒤, 디클로로메탄과 아세톤으로 재결정하여 화합물 C-15를 15.5 g (수율 : 81 %) 수득하였다.
(유기발광소자의 제작)
실시예 13
ITO (Indium tin oxide)가 1500Å 두께가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정 한 후 진공 층착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극을 양극으로 사용하여 ITO 기판 상부에 HTM (재료 구조 아래 그림 참조) 을 진공 증착하여 1200Å두께의 정공 주입층을 형성하였다.
[ HTM ]
Figure 112013062571706-pat00124

상기 정공 수송층 상부에 실시예1 에서 합성된 물질을 호스트로 사용하고 인광 Green 도판트로 PhGD (아래 그림 참조)를 7중량%로 도핑하여 진공 증착으로 300Å 두께의 발광층을 형성하였다.
[ PhGD ]
Figure 112013062571706-pat00125

그 후 상기 발광층 상부에 BAlq [Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum] 50Å 및 Alq3 [Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium] 250Å 를 순차적으로 적층하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF 5Å과 Al 1000Å을 순차적으로 진공 증착하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제조하였다.
[ BAlq ] [ Alq3 ]
Figure 112013062571706-pat00126
,
Figure 112013062571706-pat00127

실시예 14
발광층으로 실시예 2에서 제조된 화합물(B-51)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 13과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
　
실시예 15
발광층으로 실시예 3에서 제조된 화합물(B-77)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 13과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 16
발광층으로 실시예 4에서 제조된 화합물(B-97)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 13과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 17
발광층으로 실시예 5에서 제조된 화합물(A-51)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 13과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 18
발광층으로 실시예 6에서 제조된 화합물(A-77)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 13과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 19
발광층으로 실시예 7에서 제조된 화합물(A-94)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 13과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 20
발광층으로 실시예 8에서 제조된 화합물(A-74)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 13과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 21
발광층으로 실시예 9에서 제조된 화합물(C-17)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 13과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 22
발광층으로 실시예 10에서 제조된 화합물(C-21)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 13과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 23
발광층으로 실시예 11에서 제조된 화합물(C-11)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 13과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 24
발광층으로 실시예 12에서 제조된 화합물(C-15)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 13과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
비교예 1
발광층으로 하기의 비교예 1을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
Figure 112013062571706-pat00128

(유기발광소자의 성능 측정)
상기 실시예 13 내지 24와 비교예 1에서 제조된 각각의 유기발광소자에 대하여 전압에 따른 전류밀도 변화, 휘도변화 및 발광효율을 측정하였다. 구체적인 측정방법은 다음과 같고, 그 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
　
1) 전압 변화에 따른 전류 밀도의 변화 측정
상기 실시예 13 내지 24와 비교예 1에서 제조된 각각의 유기발광소자에 대해, 전압을 상승시키면서 전류-전압계(Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 전류 밀도를 측정하였다.
2) 전압 변화에 따른 휘도 변화 측정
상기 실시예 13 내지 24와 비교예 1에서 제조된 각각의 유기발광소자에 대해, 전압을 상승시키면서 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 이용하여 휘도를 측정하였다.
3) 발광효율 및 전력 효율의 측정
상기 "1) 전압 변화에 따른 전류 밀도의 변화 측정" 및 "2) 전압 변화에 따른 휘도 변화 측정"에서 측정된 휘도 값과 전류 밀도 및 전압(V)을 이용하여 발광 효율 및 전력 효율을 계산하였고, 그 결과를 각각 표 2에 정리하였다.
　 휘도 500 cd/m2
구동전압
(V)		 발광 효율
　(cd/A)		 전력 효율
(lm/W)		 CIE
x y
실시예 13 4.40 63.76 45.50 0.322 0.631
실시예 14 4.72 61.34 40.81 0.337 0.632
실시예 15 4.51 60.33 42.00 0.335 0.640
실시예 16 4.88 59.74 38.44 0.340 0.627
실시예 17 4.42 62.54 44.43 0.321 0.630
실시예 18 4.61 64.87 44.18 0.335 0.636
실시예 19 4.77 60.97 40.14 0.333 0.639
실시예 20 4.69 60.13 40.26 0.339 0.625
실시예 21 4.58 58.15 39.87 0.335 0.641
실시예 22 4.78 59.53 39.11 0.336 0.621
실시예 23 4.55 57.22 39.49 0.329 0.620
실시예 24 4.67 56.89 38.25 0.338 0.628
비교예 1 6.90 49.53 22.54 0.333 0.623
상기 표 2에서 알 수 있듯이, 실시예 13 내지 24의 유기발광소자가 비교예 1에 비해 구동전압, 발광효율 및/또는 전력 효율 측면에서 개선된 특성을 보이는 것을 알 수 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 유기 발광 소자 200: 유기 발광 소자
105: 유기층
110: 음극
120: 양극
130: 발광층 230: 발광층
140: 정공 보조층

Claims (20)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112016008534843-pat00129

    상기 화학식 1에서,
    L은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기이고,
    m은 0인 정수이고,
    Ar은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고,
    X는 O, S, NR', 또는 CR'R＂이고,
    상기 R' 및 R＂은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 R1은 수소, 중수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,
    상기 Ar은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기인 화합물.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 Ar은 하기 화학식 ET-1 내지 ET-3 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    [화학식 ET-1][화학식 ET-2][화학식 ET-3]
    Figure 112013062571706-pat00130
    Figure 112013062571706-pat00131
    Figure 112013062571706-pat00132

    상기 화학식 ET-1 내지 ET-3에서,
    상기 *은 탄소(C) 또는 탄소 이외의 원소와 연결되는 위치를 나타내고,
    상기 R100 내지 R103은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기를 나타낸다.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 Ar은 하기 화학식 ET-4 내지 ET-6 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    [화학식 ET-4][화학식 ET-5][화학식 ET-6]
    Figure 112013062571706-pat00133
    Figure 112013062571706-pat00134
    Figure 112013062571706-pat00135

    상기 화학식 ET-4 내지 ET-6에서,
    상기 *은 탄소(C) 또는 탄소 이외의 원소와 연결되는 위치를 나타내고,
    상기 R101 내지 R103은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기를 나타낸다.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 Ar은 하기 화학식 ET-7로 표시되는 화합물:
    [화학식 ET-7]
    Figure 112013062571706-pat00136

    상기 화학식 ET-7에서,
    상기 *은 탄소(C) 또는 탄소 이외의 원소와 연결되는 위치를 나타내고,
    상기 R101 및 R102는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기를 나타낸다.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 X는 NR' 또는 CR'R＂ 이고,
    여기서 R' 및 R＂은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기인 화합물.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 NR'에서 R'은 하기 화학식 X-1 로 표시되는 화합물:
    [화학식 X-1]
    Figure 112016008534843-pat00137

    상기 화학식 X-1에서,
    *은 질소(N)와 연결되는 위치를 나타내고,
    L1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기이고,
    n은 0 내지 3 중 어느 하나의 정수이고,
    Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 화학식 X-1은 하기 화학식 X-2 또는 화학식 X-3 으로 표시되는 화합물:
    [화학식 X-2][화학식 X-3]
    Figure 112013062571706-pat00138
    Figure 112013062571706-pat00139

    상기 화학식 X-2 및 X-3 에서,
    *은 질소(N)와 연결되는 위치를 나타내고,
    L1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기이고,
    n은 0 내지 3 중 어느 하나의 정수이고,
    X1은 NR', O 또는 S이고,
    상기 R'은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 R1은 수소, 중수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
    상기 R2는 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 인 화합물.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 또는 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기인 화합물.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기는 하기 화학식 X-4 내지 화학식 X-6 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    [화학식 X-4] [화학식 X-5] [화학식 X-6]
    Figure 112013062571706-pat00140
    Figure 112013062571706-pat00141
    Figure 112013062571706-pat00142

    상기 화학식 X-4 내지 X-6에서,
    *은 상기 탄소(C)와 연결되는 위치를 나타내고,
    상기 화학식 X-4에서, X2는 N이고,
    상기 화학식 X-5 및 X-6에서, X2는 NR', O 또는 S이며, 여기서 R'은 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기는 하기 화학식 X-7로 표시되는 화합물:
    [화학식 X-7]
    Figure 112013062571706-pat00143

    상기 화학식 X-7에서,
    *은 상기 탄소(C)와 연결되는 위치를 나타내고,
    상기 R100은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기를 나타낸다.
  13. 제1항에 있어서,
    하기 화학식 A-51, A-74, A-77, A-94, B-51, B-77, B-94, B-97, C-11, C-15, C-17, 또는 C-21로 표시되는 화합물:
    [A-51][A-74] [A-77][A-94]
    Figure 112013062571706-pat00144
    Figure 112013062571706-pat00145
    Figure 112013062571706-pat00146
    Figure 112013062571706-pat00147

    [B-51][B-77][B-94][B-97]
    Figure 112013062571706-pat00148
    Figure 112013062571706-pat00149
    Figure 112013062571706-pat00150
    Figure 112013062571706-pat00151

    [C-11][C-15][C-17][C-21]
    Figure 112013062571706-pat00152
    Figure 112013062571706-pat00153
    Figure 112013062571706-pat00154
    Figure 112013062571706-pat00155
    .
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화합물은 3중항 여기에너지(T1) 2.0eV 이상인 것인 화합물.
  15. 서로 마주하는 양극과 음극; 및
    상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 한 층의 유기층을 포함하고,
    상기 유기층은 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 유기층은 발광층을 포함하는 유기 광전자 소자.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 화합물은 상기 발광층 내 호스트로서 포함되는 유기 광전자 소자.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 화합물은 발광층 내 그린 인광 호스트로서 포함되는 유기 광전자 소자.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 유기층은 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전자 차단 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층 및 정공 차단 층에서 선택된 적어도 하나의 보조층을 포함하고,
    상기 보조층은 상기 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자.
  20. 제15항의 유기 광전자 소자를 포함하는 표시장치.
KR1020130081722A 2013-07-11 2013-07-11 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치 KR101627754B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101677331B1 (ko) * 2013-09-30 2016-11-17 주식회사 엘지화학 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
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KR102423180B1 (ko) * 2015-12-18 2022-07-21 솔루스첨단소재 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
WO2019128599A1 (zh) * 2017-12-27 2019-07-04 广州华睿光电材料有限公司 含氮杂环化合物、高聚物、混合物、组合物及其用途
CN110759925A (zh) * 2018-12-06 2020-02-07 广州华睿光电材料有限公司 含氮稠环有机化合物及其应用
CN114957253A (zh) * 2022-06-28 2022-08-30 武汉天马微电子有限公司 一种有机化合物、oled器件及其应用

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4549192A (en) * 1984-07-31 1985-10-22 The Hilton-Davis Chemical Co. Electrochromic marking systems
KR940009187B1 (ko) 1991-12-13 1994-10-01 주식회사 금성사 마그네트론의 노이즈 저감장치
EP0594538A3 (en) * 1992-10-20 1994-06-29 Ciba Geigy Ag Photochromatic acridone derivatives, process for their preparation and their use
KR101453872B1 (ko) 2007-07-24 2014-10-23 삼성디스플레이 주식회사 방향족 화합물 및 이를 포함한 유기막을 구비한 유기 발광소자
WO2009084512A1 (ja) 2007-12-28 2009-07-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5604804B2 (ja) 2008-04-25 2014-10-15 住友化学株式会社 含窒素複素環式化合物を含む組成物
KR101120892B1 (ko) 2009-06-19 2012-02-27 주식회사 두산 아크리딘 유도체 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
JP5764500B2 (ja) * 2009-12-14 2015-08-19 凸版印刷株式会社 アントラセン誘導体および発光素子
KR20110112098A (ko) * 2010-04-06 2011-10-12 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Bioorganic & Medicinal Chemistry, 21, (2013) 1952-1963

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