KR940009187B1 - 마그네트론의 노이즈 저감장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

마그네트론의 노이즈 저감장치

제1도는 일반적인 마그네트론의 반단면도.

제2도는 종래의 양극부를 나타낸 분해사시도.

제3도는 제2도를 결합시킨 상태의 종단면도.

제4도는 본 발명의 분해사시도.

제5도는 제4도를 결합시킨 상태의 종단면도.

제6도는 제5도의 평면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

11 : 실린더 12 : 베인

12a : 절단면 13a : 외스트랩

13b : 다리 14 : 틈새

본 발명은 전자레인지의 전장실에 설치되어 고주파를 발생시키는 마그네트론의 노이즈 저감장치에 관한 것으로서, 좀더 구체적으로는 스트랩의 구조를 변경하여 스트랩의 열적특성을 향상시킴과 동시에 노이즈 저감특성을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.

일반적으로 전자레인지의 캐비티에 고주파를 발생, 공급하기 위해 설치되는 마그네트론은 제1도와 같은 형태로서, 본체(1)의 내부에 방사상으로 복수개의 베인(2)이 설치되어 있고 상기 베인(2)의 상하측에는 마그네트론의 모드를 집중시켜주는 역할을 하는 내, 외스트랩(3)이 교호로 설치되어 있으며, 그 중심축에는 작용공간(4)으로 열전자를 방출시키는 필라멘트(5)가 위치된다.

그리고 상기 베인(2)의 상부에 자극(6)이 설치되고 상기 자극의 일측에는 안테나 피더(7)가 설치되어 일측은 베인(2)에 끼워지며 다른 일측은 출력측 씰(8)과 기밀봉지 및 절연을 하기 위해 설치된 출력측 세라믹(9)을 차례로 통과하여 마그네트론 본체(1)의 진공상태를 만들어주는데 사용되는 배기관(10)까지 연장설치된다.

따라서 내외스트랩(3)과 작용공간에 열전자가 방사되며 베인(2)과 필라멘트(5) 사이에 걸린 자계와 자극(6)에 의해 작용공간(4)에 수직으로 주어진 자계의 영향으로 싸이클로이드 운동을 하게 되고, 이에따라 가속도를 경험한 전자파에 의해 발생된 전자기파 에너지가 베인(2)에 흐르게 된다.

그후 상기 전자기파 에너지는 베인(2)에 결합된 안테나 피더(7)를 통해 외부로 취출되므로서 전자파를 얻게 된다.

종래의 양극부는 제2도 및 제3도와 같은 형태로서, 마그네트론의 모드를 집중시켜 주는 역할을 하는 내외스트랩(3)이 아주 짧은 실린더 형상으로 되어 베인(2)과 교호되게 접촉하므로서 베인(2)에서 전류흐름을 일정한 모드로 동작시킬 수 있게 도와주게 된다.

그러나 이러한 종래의 양극을 구성하는 내외스트랩(3)을 베인(2)에 결합하여 주기 위해서는 베인(2)의 스트랩 결합부위와 스트랩(3)의 내외경이 정확히 일치되어야 강제 압입시킬 수 있게 되지만 부품제작시 이를 일치시키기가 매우 어려워 조립시에 세심한 배려가 필요하게 되었다.

또한 베인(2)과 스트랩(3)의 형상 및 크기가 다른 관계로 해서 마그네트론 동작시 열적 스트레스(stress)분포가 다르게 되고, 이에따라 스트랩 자체가 파괴되는 경우가 발생되는 문제점이 있었다.

본 발명은 종래의 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 양극부에서 발생되는 특정고주파를 방지하므로 인해 주파수 간섭현상을 없앨 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 형태에 따르면, 베인을 덮을 수 있도록 방사상으로 다리가 형성된 외스트랩과, 상기 외스트랩이 결합되었을 때 일정틈새가 유지되면서 특정고주파를 방지할 수 있도록 외측으로 λ/4주기의 절단면을 가진 베인으로 구성된 마그네트론의 노이즈 저감장치가 제공된다.

이하, 본 발명을 일실시예로 도시한 첨부된 도면 제4도 내지 제6도를 참고로 하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.

첨부도면 제4도는 본 발명의 분해사시도이고, 제5도는 제4도를 결합시킨 상태의 종단면도이며, 제6도는 제5도의 평면도로서, 실린더(11)의 내부에 방사상으로 설치되어 단일모드 동작을 돕는 베인(12)에는 내, 외스트랩(15a)(13a)이 삽입되어 있다.

내스트랩(15a)의 구조는 종래와 동일하며, 외스트랩(13a)은 외측에 방사상으로 복수개의 다리(13b)가 형성되어 있다.

상기 다리(13b)는 베인(12)의 두께와 동일하게 되어 있고 그 길이는 외스트랩(13a)을 베인(12)의 상부에 설치하였을 때 실린더(11)의 내경보다 짧게 되어 있는데, 이는 외스트랩(13a)을 베인(12)에 용이하게 결합시킬 수 있도록 하기 위함이다.

한편, 베인(12)에는 실린더(11)측으로 λ/4주기를 갖는 절단면(12a)이 형성되어 있어 베인(12)의 상하면에 상기 외스트랩(13a)을 결합시켰을 때 제5도와 같이 틈새(14)를 유지하게 된다.

또한 외스트랩(13a)에 형성된 다리의 수는 제6도와 같이 베인(12)의 1/2이 되도록 되어 있고 설치된 상태에서는 다리(13b)가 베인(12)과 상호 어긋나게 위치하게 된다.

이와 같이 구성된 본 발명의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.

먼저 작용공간에서 자속과 전계의 힘을 받아 싸이클로이스 운동을 하는 전자가 가속도를 경험함에 따라 전자기파 에너지를 발생하게 되므로 발생된 전자기파 에너지는 다시 상기 베인(12)에 전달된다.

이에따라 베인(12)에 전달된 전자기파 에너지는 다시 전류의 형태로 출력부를 통해 외부로 에너지를 토출시키게 되는데, 이때 베인(12)의 외측, 즉 전류형태의 에너지가 흐르는 길목에 외스트랩(13a)과 틈새(14)을 가지도록 특정고주파의 λ/4(5고주파 : 0.612±0.2mm, 4고주파 : 0.765±0.2mm, 3고주파 : 1.02±0.2mm, 2고주파: 1.53±0.1mm)의 길이를 가진 절단면(12a)이 형성되어 있어 특정고주파가 공진하게 하여 소멸하게 되므로 외부로 토출되는 것이 방지된다.

한편 그외의 주파수에서는 종래의 마그네트론에 설치된 스트랩과 베인에서와 같이 동일한 작용을 하게 되는 것이다.

그리고 상기한 작용을 할때 외스트랩(13a)에 형성된 다리(13b)에 의해 외스트랩(13a)이 외측으로 연장된 것과 같은 역할을 하게 되므로 열적변화에 의해 외스트랩(13a)이 변형되지 않게 된다.

이상에서와 같이 본 발명은 외스트랩(13a)의 외측으로 다수개의 다리(13b)를 형성하고 베인(12)에는 λ/4주기를 가진 절단면(12a)을 형성하는 간단한 구조에 의해 특정고주파에 의해 발생되는 노이즈(주파수간섭현상)을 없앨 수 있게 됨은 물론 외스트랩(13a)에 형성된 다리(13b)가 스트랩이 연장된 것과 같은 역할을 하게 되므로 열적 특성을 증가시키게 되어 열적변화에 따른 외스트랩의 파손을 방지할 수 있게 되는 효과를 가지게 된다.

Claims (3)

1. 베인의 상, 하에 내, 외스트랩을 결합한 것에 있어서, 상기 외스트랩(13a)에 방사상으로 된 복수개의 다리(13b)를 형성하여 이 다리가 각 베인의 사이사이에 위치되게 하고 베인(12)에는 상기 외스트랩이 결합되었을 때 베인 두께와 같은 틈새를 유지하면서 제거하고자 하는 특정 고주파의 λ/4길이(제2고주파 : 1.532±0.1mm, 제3고주파 : 1.02±0.2mm, 제4고주파 : 0.765±0.2mm, 제5고주파 : 0.612±0.2mm)를 갖는 절단면(12a)을 형성하여서 됨을 특징으로 하는 마그네트론의 노이즈 저감장치.
2. 제1항에 있어서, 외스트랩(13a)에 형성된 다리(13b)를 실린더(11)의 내경보다 작게 형성하여서 된 마그네트론의 노이즈 저감장치.
3. 제1항 또는 제3항에 있어서, 외스트랩(13a)에 형성된 다리(13b)의 폭을 베인(12)의 폭과 동일하게 형성하여서 된 마그네트론의 노이즈 저감장치.