KR101608281B1 - 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 태양 전지용 광흡수물 및 이를 포함하는 태양 전지, 염료 감응 태양 전지, 유기 태양 전지 및 페로브스카이트 태양 전지 - Google Patents

페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 태양 전지용 광흡수물 및 이를 포함하는 태양 전지, 염료 감응 태양 전지, 유기 태양 전지 및 페로브스카이트 태양 전지 Download PDF

Info

Publication number
KR101608281B1
KR101608281B1 KR1020140158528A KR20140158528A KR101608281B1 KR 101608281 B1 KR101608281 B1 KR 101608281B1 KR 1020140158528 A KR1020140158528 A KR 1020140158528A KR 20140158528 A KR20140158528 A KR 20140158528A KR 101608281 B1 KR101608281 B1 KR 101608281B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solar cell
poly
diyl
layer
electrode
Prior art date
Application number
KR1020140158528A
Other languages
English (en)
Inventor
송오성
노윤영
Original Assignee
서울시립대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울시립대학교 산학협력단 filed Critical 서울시립대학교 산학협력단
Priority to KR1020140158528A priority Critical patent/KR101608281B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101608281B1 publication Critical patent/KR101608281B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 일 측면은, 흡습제 나노 분말 및 페로브스카이트(perovskite) 구조의 화합물을 포함하는 태양 전지용 광흡수물을 제공한다.

Description

페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 태양 전지용 광흡수물 및 이를 포함하는 태양 전지, 염료 감응 태양 전지, 유기 태양 전지 및 페로브스카이트 태양 전지{LIGHT ABSORPTION MATERIAL FOR SOLAR CELL INCLUDING COMPOUND OF PEROVSKITE STRUCTURE AND SOLAR CELL, DYE-SENSITIZED SOLAR CELL, ORGANIC SOLAR CELL AND PEROVSKITE SOLAR CELL INCLUDING THE SAME}
본 발명은 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 태양 전지로서, 더욱 상세하게는 수분에 의한 열화가 억제되는 태양 전지에 관한 것이다.
화석 에너지의 고갈과 이의 사용에 의한 지구 환경적인 문제를 해결하기 위해 태양에너지, 풍력, 수력과 같은 재생 가능하며, 청정한 대체 에너지원에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이 중에서 태양 빛으로부터 직접 전기적 에너지를 변화시키는 태양 전지에 대한 관심이 크게 증가하고 있다. 여기서 태양 전지란 태양 빛으로부터 광 에너지를 흡수하여 전자와 정공을 발생하는 광기전 효과를 이용하여 전류-전압을 생성하는 전지를 의미한다.
현재 광에너지 변환 효율이 20%가 넘는 n-p 다이오드형 실리콘(Si) 단결정 기반 태양 전지의 제조가 가능하여 실제 태양광 발전에 사용되고 있으며, 이보다 더 변환 효율이 우수한 갈륨 아세나이드(GaAs)와 같은 화합물 반도체를 이용한 태양 전지도 있다. 그러나 이러한 무기 반도체 기반의 태양 전지는 고효율화를 위하여 매우 고순도로 정제하는 공정이 필요하다. 이에 따라, 원소재의 정제에 많은 에너지가 소비되고, 또한 원소재를 이용하여 단결정 혹은 박막화 하는 과정에 고가의 공정 장비가 요구되어 태양 전지의 제조비용을 절감하는 것에 한계가 있었다.
이러한 한계를 극복하기 위하여, 저가의 소재와 공정으로 제조가 가능한 태양 전지가 활발히 연구되고 있으며, 특히 높은 광 흡수율 및 열 안정성을 보이는 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 태양 전지가 주목받고 있다.
그러나, 태양 전지는 제작 과정 중에 수분이 침투할 확률이 매우 높다. 태양 전지 내부에서 수분의 농도가 높아질수록 태양 전지의 특성이 열화된다. 따라서, 외부 환경의 수분이 침투하여도 수분에 의한 열화를 방지할 수 있는 태양 전지가 요구되고 있다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제 중 하나는, 수분으로 인한 열화를 방지할 수 있도록 하는 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 태양 전지를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지용 광흡수물은 흡습제 나노 분말 및 페로브스카이트(perovskite) 구조의 화합물을 포함할 수 있다.
일 예로, 상기 흡습제 나노 분말은 금속 산화물 나노 분말 및 금속 염 나노 분말 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 예로, 상기 금속 산화물 나노 분말은 산화 리튬(Li2O), 산화 나트륨(Na2O), 산화 바륨(BaO), 산화 칼슘(CaO) 및 산화 마그네슘(MgO)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 나노 분말일 수 있다.
일 예로, 상기 금속 염 나노 분말은 황산 염, 할로겐 금속염 및 금속 염소산 염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 나노 분말일 수 있다.
일 예로, 상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 하기 화학식 1로서 표시될 수 있다:
[화학식 1]
R1M1 X1 3
상기 화학식 1에서, R1은 알킬 암모늄 이온 또는 알칼리 금속 이온이고, M1은 2가의 금속 이온이고, X1은 할로겐 이온이다.
일 예로, 상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
R2M2X2 3
상기 화학식 2에서, R2는 알킬 암모늄 이온이고, M2는 Cu2 +, Ni2 +, Co2 +, Fe2 +, Mn2+, Cr2 +, Pd2 +, Cd2 +, Ge2 +, Sn2 +, Pb2 + 및 Yb2 + 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나이고, X2는 F-, Cl-, Br- 및 I- 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 투명 전도층(transparent conductive layer); 상기 투명 전도층 상에 배치되며, 제1 항 내지 제6 항 중 어느 하나의 태양 전지용 광흡수물을 포함하는 광흡수층; 및 상기 광흡수층 상에 배치되는 제2 전극;을 포함할 수 있다.
일 예로, 상기 광흡수층 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 정공 전달층(hole transporting layer)을 더 포함할 수 있다.
일 예로, 상기 정공 전달층은 spiro-MeOTAD(2,2',7'-tetrakis-(N,N-di-p-methoxyphenyl-amine)-9,9'spirobifluorene), P3HT(poly[3-hexylthiophene]), MDMO-PPV(poly[2-methoxy-5-(3',7'-dimethyloctyloxyl)]-1,4-phenylene vinylene), MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2''-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene]), P3OT(poly(3-octylthiophene)), P3DT(poly(3-decylthiophene)), P3DDT(poly(3-dodecylthiophene)), PPV(poly(p-phenylene vinylene)), TFB(poly(9,9'-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine)), PCPDTBT(poly[2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b']dithiophene-2,6-diyl)]]), Si-PCPDTBT(poly[(4,4′-bis(2-ethylhexyl)dithieno[3,2-b:2′,3′-d]silole)-2,6-diyl-alt-(2,1,3-benzothiadiazole)-4,7-diyl]), PBDTTPD(poly((4,8-diethylhexyloxyl)benzo([1,2-b:4,5-b']dithiophene)-2,6-diyl)-alt-((5-octylthieno[3,4-c]pyrrole-4,6-dione)-1,3-diyl)), PFDTBT(poly[2,7-(9-(2-ethylhexyl)-9-hexyl-fluorene)-alt-5,5-(4',7,-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)]), PFO-DBT(poly[2,7-.9,9-(dioctyl-fluorene)-alt-5,5-(4',7'-di-2-thienyl-2',1', 3'-benzothiadiazole)]), PSiFDTBT(poly[(2,7-dioctylsilafluorene)-2,7-diyl-alt-(4,7-bis(2-thienyl)-2,1,3-benzothiadiazole)-5,5′-diyl]), PSBTBT(poly[(4,4′-bis(2-ethylhexyl)dithieno[3,2-b:2′,3′-d]silole)-2,6-diyl-alt-(2,1,3-benzothiadiazole)-4,7-diyl]), PCDTBT(poly [[9-(1-octylnonyl)-9H-carbazole-2,7-diyl]-2,5-thiophenediyl-2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl-2,5-thiophenediyl]), PFB(poly(9,9′-dioctylfluorene-co-bis(N,N′-(4,butylphenyl))bis(N,N′-phenyl-1,4-phenylene)diamine), F8BT(poly(9,9′-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole), PEDOT (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)), PTAA(poly(triarylamine)), poly(4-butylphenyl-diphenyl-amine) 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다.
일 예로, 상기 정공 전달층은 액체 전해질층일 수 있다.
일 예로, 상기 액체 전해질층은, 에틸 아세테이트(ethyl acetate), 아세토니트릴(acetonitrile), 톨루엔(toluene) 및 메톡시프로피오니트릴(methoxypropionitrile)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 용매; 및 우레아(urea), 티오우레아(thiourea), 부틸피리딘(butylpyridine) 및 구아니딘 티오사이어네이트(guanidine thiocyanate)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 첨가제;를 포함할 수 있다.
일 예로, 상기 태양 전지용 광흡수물은 금속 산화물 상에 흡착된 것일 수 있다.
일 예로, 상기 금속 산화물은 TiO2, SnO2, ZnO, WO3, Nb2O5 및 TiSrO3 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 염료 감응 태양 전지는 흡습제 나노 분말 및 페로브스카이트 구조의 화합물을 함유하는 광흡수물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 태양 전지는 흡습제 나노 분말 및 페로브스카이트 구조의 화합물을 함유하는 광흡수물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 태양 전지는 흡습제 나노 분말 및 페로브스카이트 구조의 화합물을 함유하는 광흡수물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지는 수분에 의한 열화가 억제되는 효과가 있다.
도 1 내지 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다.
도 4 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 채용된 광흡수물의 X선 회절 분석(X-ray diffraction, XRD) 피크이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 일 실시예에 채용된 광흡수물의 전계 방사형 주사 전자 현미경(filed emission scanning electron microscoy, FESEM) 사진이다.
이하, 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.
본 실시예들은 다른 형태로 변형되거나 여러 실시예가 서로 조합될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 실시예들은 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
한편, 본 명세서에서 사용되는 "일 실시예(one example)"라는 표현은 서로 동일한 실시예를 의미하지 않으며, 각각 서로 다른 고유한 특징을 강조하여 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 그러나, 아래 설명에서 제시된 실시예들은 다른 실시예의 특징과 결합되어 구현되는 것을 배제하지 않는다. 예를 들어, 특정한 실시예에서 설명된 사항이 다른 실시예에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 실시예에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 실시예에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지(100)는 투명 기판(110) 및 투명 기판(110) 상에 배치된 투명 전도층(transparent conductive layer)(120)을 포함하는 제1 전극(125), 상기 제1 전극(125) 상에 배치되는 차단층(130), 상기 차단층(130) 상에 배치되며 메조다공성(mesoporous) 반도체층(142) 및 상기 반도체층(142)의 형상을 따라 도포된 광흡수물층(144)을 포함하는 광흡수층(140), 상기 광흡수층(140) 상에 배치되며 광흡수층(140) 사이에 침투한 형태로 형성된 정공 전달층(hole transporting layer)(150) 및 상기 정공 전달층(150) 상에 배치되는 제2 전극(160)을 포함할 수 있다.
상기 태양 전지(100)의 작동 원리를 예시적으로 간략하게 설명하면, 태양 전지(100) 내로 태양광이 입사되면 광양자는 먼저 광흡수층(140) 내의 감광성 광흡수물층(144)에 흡수되고, 광흡수물층(144) 내의 광흡수물 분자는 기저 상태에서 여기 상태로 전자 전이하여 전자-정공 쌍을 만들며, 상기 여기 상태의 전자는 반도체 미립자 계면의 전도띠(conduction band)로 주입될 수 있다. 상기 주입된 전자는 계면 및 차단층(130)을 통해 제 1 전극(125)으로 전달되고, 이후 외부 회로를 통해 대향하고 있는 상대 전극인 제 2 전극(160)으로 이동할 수 있다. 한편, 전자 전이 결과 산화된 광흡수물은 정공 전달층(150) 내의 산화-환원 커플의 이온에 의해 환원되고, 산화된 상기 이온은 전하 중성(charge neutrality)을 이루기 위해 제 2 전극(160)의 계면에 도달한 전자와 환원 반응을 함으로써 상기 태양 전지(100)가 작동할 수 있으나, 본원이 이에 제한되는 것은 아니다.
투명 기판(110)은, 예를 들어, 유리 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(poly(ethylene terephthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(poly(ethylene naphthalate)), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리이미드(polyimide), 트리아세틸셀룰로오스(triacetyl cellulose) 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 투명 수지일 수 있으며, 투명 기판(110) 상에 투명 전도성층(120)이 도포되어 제1 전극(125)을 형성할 수 있다.
투명 전도성층(120)은 ITO(indium tin oxide: ITO), FTO(fluorine tin oxide: FTO), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 주석계 산화물, 산화 아연 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 물질을 함유하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
차단층(130)은 제1 전극(125)과 광흡수층(140) 상이의 접합성을 향상시킴과 동시에 제1 전극(125)과 정공 전달층(150)이 직접적으로 접촉하는 것을 차단함으로써 전자가 정공 전달층(150)과 재결합(recombination)하는 것을 차단할 수 있다. 구체적으로, 차단층(130)은 컴팩트 이산화 티타늄(compact TiO2)일 수 있다.
메조다공성 반도체층(142)은 금속 산화물일 수 있으며, 구체적으로, TiO2, SnO2, ZnO, WO3, Nb2O5 및 TiSrO3 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다. 상기 메조다공성 반도체층(142)은 단위 무게당 표면적을 넓게 하여 상기 메조다공성 반도체층(142)에 흡착된 광흡수물 분자가 더 많은 빛을 흡수하도록 하여 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
광흡수물층(144)은 흡습제 나노 분말이 분산된 페로브스카이트(perovskite) 구조의 화합물일 수 있다.
태양 전지의 내부에 수분의 함량이 증가할수록 태양 전지의 전도띠(conduction band)가 위로 이동하여 광흡수물에서 여기된 전자가 광전극으로 전달되기 어려워져 단락 회로 전류 밀도(short circuit current density)가 감소하고 개방 회로 전류 밀도(open circuit current density)는 증가하는 현상이 생긴다(한국 수소 및 신에너지학회 논문집, Vol. 25, No. 3, pp. 289~296). 태양 전지의 광흡수물이 페로브스카이트 구조의 화합물, 예를 들어, CH3NH3PbI3 를 포함하는 경우 다음 반응식 1과 같이 수분과 반응하여 PbI2로 재분해되어 열화된다(J. Mater. Chem. A, 2014, pp. 705-710).
[반응식 1]
CH3NH3PbI3 (s) ↔ CH3NH3I (aq) + PbI2 (s)
따라서, 수분을 흡수할 수 있는 흡습제 나노 분말을 광흡수물층(144)에 함유시켜 수분에 의한 태양 전지의 열화를 막을 수 있다.
상기 흡습제 나노 분말은 금속 산화물 나노 분말 및 금속 염 나노 분말 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속 산화물 나노 분말은 산화 리튬(Li2O), 산화 나트륨(Na2O), 산화 바륨(BaO), 산화 칼슘(CaO) 및 산화 마그네슘(MgO)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 나노 분말일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 금속 염 나노 분말은 황산 리튬(Li2SO4), 황산 나트륨(Na2SO4), 황산 칼슘(CaSO4), 황산 마그네슘(MgSO4), 황산 코발트(CoSO4), 황산 갈륨(Ga2(SO4)3), 황산 티탄(Ti(SO4)2) 또는 황산 니켈(NiSO4) 등과 같은 황산 염, 염화 칼슘(CaCl2), 염화 마그네슘(MgCl2), 염화 스트론튬(SrCl2), 염화 이트륨(YCl3), 염화 구리(CuCl2), 불화 세슘(CsF), 불화 탄탈륨(TaF5), 불화 니오븀(NbF5), 브롬화 리튬(LiBr), 브롬화 칼슘(CaBr2), 브롬화 세슘(CeBr3), 브롬화 셀레늄(SeBr4), 브롬화 바나듐(VBr3), 브롬화 마그네슘(MgBr2), 요오드화 바륨(BaI2) 또는 요오드화 마그네슘(MgI2) 등과 같은　금속 할로겐화물; 또는 과염소산 바륨(Ba(ClO4)2) 또는 과염소산 마그네슘(Mg(ClO4)2) 등과 같은　금속 염소산 염 등의 나노 분말을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 흡습제 나노 분말은 페로브스카이트 구조의 화합물과 반응하여 수분을 화학적으로 흡수하여 생성물을 생성할 수 있다. 예를 들어, 산화 마그네슘(MgO)은 수분(H2O)과 반응하여 수산화 마그네슘(Mg(OH)2)을 생성할 수 있다.
상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
R1M1 X1 3
상기 화학식 1에서, R1은 알킬 암모늄 이온 또는 알칼리 금속 이온이고, M1은 2가의 금속 이온이고, X1은 할로겐 이온이다.
상기 화학식 1을 만족하는 페로브스카이트 구조의 화합물에서, M1은 단위 셀의 중심에 위치하며, X1은 단위셀의 각 면의 중심에 위치하여 M1을 중심으로 옥타헤드론(octaherdron) 구조를 형성하고, R1은 단위 셀의 각 코너에 위치할 수 있다.
구체적으로, 상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
R2M2X2 3
상기 화학식 2에서, R2는 알킬 암모늄 이온이고, M2는 Cu2 +, Ni2 +, Co2 +, Fe2 +, Mn2+, Cr2 +, Pd2 +, Cd2 +, Ge2 +, Sn2 +, Pb2 + 및 Yb2 + 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나이고, X2는 F-, Cl-, Br- 및 I- 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나이다.
페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 광흡수층(140)은 태양광을 흡수하여 전자-정공 쌍을 생성하며, 물질 고유의 특성에 의존한 밴드갭 또는 입자의 크기가 작은 경우 양자 구속 효과(quantum-confinement effect)에 의해 나노입자 크기에 따라 물질 고유의 특성으로부터 변화된 밴드갭 에너지를 가질 수 있다.
정공 전달층(150)은 모두 고체인 전고체형(full solid-state) 또는 액체 전해질층일 수 있다.
전고체형 정공 전달층은, spiro-MeOTAD(2,2',7'-tetrakis-(N,N-di-p-methoxyphenyl-amine)-9,9'spirobifluorene), P3HT(poly[3-hexylthiophene]), MDMO-PPV(poly[2-methoxy-5-(3',7'-dimethyloctyloxyl)]-1,4-phenylene vinylene), MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2''-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene]), P3OT(poly(3-octylthiophene)), P3DT(poly(3-decylthiophene)), P3DDT(poly(3-dodecylthiophene)), PPV(poly(p-phenylene vinylene)), TFB(poly(9,9'-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine)), PCPDTBT(poly[2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b']dithiophene-2,6-diyl)]]), Si-PCPDTBT(poly[(4,4′-bis(2-ethylhexyl)dithieno[3,2-b:2′,3′-d]silole)-2,6-diyl-alt-(2,1,3-benzothiadiazole)-4,7-diyl]), PBDTTPD(poly((4,8-diethylhexyloxyl)benzo([1,2-b:4,5-b']dithiophene)-2,6-diyl)-alt-((5-octylthieno[3,4-c]pyrrole-4,6-dione)-1,3-diyl)), PFDTBT(poly[2,7-(9-(2-ethylhexyl)-9-hexyl-fluorene)-alt-5,5-(4',7,-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)]), PFO-DBT(poly[2,7-.9,9-(dioctyl-fluorene)-alt-5,5-(4',7'-di-2-thienyl-2',1', 3'-benzothiadiazole)]), PSiFDTBT(poly[(2,7-dioctylsilafluorene)-2,7-diyl-alt-(4,7-bis(2-thienyl)-2,1,3-benzothiadiazole)-5,5′-diyl]), PSBTBT(poly[(4,4′-bis(2-ethylhexyl)dithieno[3,2-b:2′,3′-d]silole)-2,6-diyl-alt-(2,1,3-benzothiadiazole)-4,7-diyl]), PCDTBT(poly [[9-(1-octylnonyl)-9H-carbazole-2,7-diyl]-2,5-thiophenediyl-2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl-2,5-thiophenediyl]), PFB(poly(9,9′-dioctylfluorene-co-bis(N,N′-(4,butylphenyl))bis(N,N′-phenyl-1,4-phenylene)diamine), F8BT(poly(9,9′-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole), PEDOT (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)), PTAA(poly(triarylamine)), poly(4-butylphenyl-diphenyl-amine) 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
액체 전해질 정공 전달층은 에틸 아세테이트(ethyl acetate), 아세토니트릴(acetonitrile), 톨루엔(toluene) 및 메톡시프로피오니트릴(methoxypropionitrile)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 용매에 우레아(urea), 티오우레아(thiourea), 부틸피리딘(butylpyridine) 및 구아니딘 티오사이어네이트(guanidine thiocyanate)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 첨가제를 첨가한 것일 수 있다.
상기 흡습제 나노 분말이 분산된 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 광흡수물층(144)은 상기 반도체층(142) 상에 흡착된 것일 수 있다. 광흡수물층(144)이 흡착되는 방법은 흡습제 나노 분말이 분산된 페로브스카이트 구조의 화합물을 적절한 용매, 예를 들어, 감마-부티로락톤(γ-butyrolactone) 또는 디메틸포름아마이드(dimethylformamide)에 분산하여 반도체층(142) 상에 도포하고 건조하는 방법일 수 있다. 상기 반도체층(142)은 메조다공성 구조로서, 광흡수물층은 반도체층(142)의 표면의 형상을 따라 흡착되어 광흡수층(140)은 다공성 구조를 갖게 되고, 광흡수층(140)의 빈 공간에 정공 전달층(150)이 침투한 구조를 가질 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다. 이하에서 도 1과 중복되는 설명은 생략한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지(200)는 투명 기판(210) 및 투명 기판(210) 상에 배치된 투명 전도층(220)을 포함하는 제1 전극(225), 상기 제1 전극(225) 상에 배치되는 차단층(230), 상기 차단층(230) 상에 배치되며 메조다공성 반도체층(242) 및 상기 반도체층(242)의 빈 공간을 매립하는 광흡수물층(244)을 포함하는 광흡수층(240), 상기 광흡수층(240) 상에 배치되는 정공 전달층(250) 및 상기 정공 전달층(150) 상에 배치되는 제2 전극(160)을 포함할 수 있다.
상기 투명 기판(210), 투명 전도층(220), 차단층(230), 반도체층(242), 광흡수물층(244), 정공 전달층(250) 및 제2 전극(260)은 도 1에 도시된 태양 전지에 사용된 물질과 각각 동일한 것일 수 있다.
반도체층(242) 사이의 빈공간을 매립하는 광흡수물층(244)은 정공을 전달하는 역할을 할 수 있으며, 이 경우, 별도의 정공 전달층(250)이 필요하지 않을 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다. 이하에서 도 1과 중복되는 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지(300)는 투명 기판(310) 및 투명 기판(310) 상에 배치된 투명 전도층(320)을 포함하는 제1 전극(325), 상기 제1 전극(325) 상에 배치되는 차단층(330), 상기 차단층(330) 상에 배치되며 광흡수물층으로 이루어진 광흡수층(340), 상기 광흡수층(240) 상에 배치되는 정공 전달층(250) 및 상기 정공 전달층(150) 상에 배치되는 제2 전극(160)을 포함할 수 있다.
상기 투명 기판(310), 투명 전도층(320), 차단층(330), 반도체층(342), 정공 전달층(350) 및 제2 전극(360)은 도 1에 도시된 태양 전지에 사용된 물질과 각각 동일한 것일 수 있다.
광흡수층(340)은 별도의 반도체층 없이 광흡수물층만으로 이루어질 수 있다. 상기 광흡수물층은 도 1에 도시된 광흡수물층(144)과 동일한 물질일 수 있다. 이 경우 광흡수물층은 정공 전달의 역할을 할 수 있으며, 별도의 정공 전달층(350)이 필요하지 않을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광흡수물, 구체적으로, 흡습제 나노 분말 및 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 태양 전지는 염료 감응 태양 전지, 유기 태양 전지, 페로브스카이트 태양 전지일 수 있다. 상기 염료 감응, 유기 및 페로브스카이트 태양 전지에 포함되는 광흡수물은 도 1에 도시된 태양 전지(100)에 사용된 광흡수물(140)과 동일한 것일 수 있다.
이하에서, 본 발명의 비교예 및 실시예의 실험 결과를 도시하는 도 4 내지 도 6d에 대하여 상세히 설명한다. 비교예는 페로브스카이트 구조의 화합물 CH3NH3PbI3 이고, 실시예는 페로브스카이트 구조의 화합물 CH3NH3PbI3에 MgO 나노 분말을 분산시킨 것이다.
도 4 내지 도 5는 각각 비교예 및 실시예의 X선 회절 분석 피크이다.
도 4를 참조하면, 페로브스카이트 구조의 화합물 CH3NH3PbI3를 제작한 후, 24시간 동안의 결정상 변화가 도시되어 있다.
제작 직후(reference after 0 hr)의 피크를 보면, 26.45°, 33.70°, 97.70°, 51.45°에 상응하는 FTO 피크를 나타내었으며, 24.40°에 상응하는 (101) 면의 아나타제 TiO2 피크와 28.05°, 54.50°에 상응하는 (110), (211) 면의 루타일 TiO2 피크를 나타내었다. 또한, 4.08°, 19.85°, 28.40°, 31.70°, 40.35°에 상응하는 (110), (112), (220), (310), (224) 면의 CH3NH3PbI3 피크를 나타내었다.
제작하고 24시간이 지난 후(reference after 24 hrs.)의 피크를 보면, 제작 직후의 모든 피크와 더불어 35.00˚, 52.00˚에 상응하는 (102), (004) 면의 PbI2 피크가 나타났다. 따라서, CH3NH3PbI3는 물과 반응하여 PbI2 를 생성하므로 수분에 의한 열화를 확인할 수 있다.
도 5를 참조하면, MgO 나노 분말을 분산하여 페로브스카이트 구조의 화합물 CH3NH3PbI3을 제작한 후, 24시간 동안의 결정상 변화가 도시되어 있다.
제작 직후(reference after 0 hr)의 피크를 보면, 도 4의 비교예의 제작 직후의 모든 피크가 나타나고, 더불어 43.00˚에 상응하는 (200)면의 MgO 피크가 나타났다.
제작하고 24시간이 지난 후(reference after 24 hrs.)의 피크를 보면, 35.00˚에 상응하는 (102)면의 PbI2 피크 및 50.20˚에 상응하는 (102)면의 Mg(OH)2 피크가 나타났다. 그러나, 제작 직후의 피크에서 52.00˚에 상응하는 (004)면의 PbI2 피크가 사라진 것을 확인할 수 있었다. 이는 CH3NH3PbI3에 MgO를 첨가할 때 수분과 반응하여 Mg(OH)2를 생성함으로써 수분으로 인한 열화를 방지할 수 있다는 것을 보여준다.
도 6a는 비교예 제작 직후의 전계 방사형 주사 전자 현미경(filed emission scanning electron microscoy, FESEM) 사진이다.
도 6a를 참조하면, CH3NH3PbI3가 균일하게 분포되어 있는 가운데, 약 500 nm 입도의 육면체 입자가 형성된 것을 확인하였다. 이는 CH3NH3PbI3가 수분으로 인해 열화되어 나타나는 현상으로 판단되며, 제작 직후라도 공기 중에 노출되면 약간의 열화가 진행됨을 알 수 있었다.
도 6b는 비교예를 제작하고 24시간 동안 공기 중에 노출한 후의 전계 방사형 주사 전자 현미경 사진이다.
도 6b를 참조하면, 500 nm 입도의 육면체 입자가 빼곡하게 덮여 있는 것을 확인하여, CH3NH3PbI3의 수분으로 인한 열화가 많이 진행되었음을 확인할 수 있었다.
도 6c는 실시예의 제작 직후의 전계 방사형 주사 전자 현미경 사진이다.
도 6c를 참조하면, MgO 첨가에 따라 울퉁불퉁한 표면 형상을 나타내었으며, 약 500nm 입도의 육면체 입자가 형성되었으나, 도 6a와 비교하였을 때 비교적 덜 형성되었음을 확인할 수 있었다.
도 6d는 실시예를 제작하고 24시간 동안 공기 중에 노출한 후의 전계 방사형 주사 전자 현미경 사진이다.
도 6d를 참조하면, 도 6c에 비해 500nm 입도의 육면체 입자가 더 많이 형성된 것을 확인할 수 있었으나, 도 6b에 비해서는 매우 적게 형성된 것을 확인 할 수 있었다. 이는 MgO를 CH3NH3PbI3에 첨가함으로써 수분과 반응할 때 Mg(OH)2의 형태로 변화하여 수분으로 인한 CH3NH3PbI3 열화를 방지하는 역할을 수행하는 것으로 판단된다.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100, 200, 300: 태양 전지
110, 210, 310: 투명 기판
120, 220, 320: 투명 전도층
125, 225, 325: 제1 전극
130, 230, 330: 차단층
140, 240, 340: 광흡수층
142, 242: 반도체층
144, 244: 광흡수물층
150, 250, 350: 정공 전달층
160, 260, 360: 제2 전극

Claims (16)

  1. 산화 리튬(Li2O), 산화 나트륨(Na2O), 산화 바륨(BaO), 산화 칼슘(CaO) 및 산화 마그네슘(MgO)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 흡습제 금속 산화물 나노 분말과, 페로브스카이트(perovskite) 구조의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 광흡수물.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 하기 화학식 1로서 표시되는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 광흡수물:
    [화학식 1]
    R1M1 X1 3
    상기 화학식 1에서, R1은 알킬 암모늄 이온 또는 알칼리 금속 이온이고, M1은 2가의 금속 이온이고, X1은 할로겐 이온이다.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 광흡수물:
    [화학식 2]
    R2M2X2 3
    상기 화학식 2에서, R2는 알킬 암모늄 이온이고, M2는 Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Ge2+, Sn2+, Pb2+ 및 Yb2+ 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나이고, X2는 F-, Cl-, Br- 및 I- 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나이다.
  7. 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 투명 전도층(transparent conductive layer);
    상기 투명 전도층 상에 배치되는 제1 항, 제5 항 및 제6 항 중 어느 한 항의 태양 전지용 광흡수물을 포함하는 광흡수층; 및
    상기 광흡수층 상에 배치되는 제2 전극;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 광흡수층 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 정공 전달층(hole transporting layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 정공 전달층은 spiro-MeOTAD(2,2',7'-tetrakis-(N,N-di-p-methoxyphenyl-amine)-9,9'spirobifluorene), P3HT(poly[3-hexylthiophene]), MDMO-PPV(poly[2-methoxy-5-(3',7'-dimethyloctyloxyl)]-1,4-phenylene vinylene), MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2''-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene]), P3OT(poly(3-octylthiophene)), P3DT(poly(3-decylthiophene)), P3DDT(poly(3-dodecylthiophene)), PPV(poly(p-phenylene vinylene)), TFB(poly(9,9'-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine)), PCPDTBT(poly[2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b']dithiophene-2,6-diyl)]]), Si-PCPDTBT(poly[(4,4′-bis(2-ethylhexyl)dithieno[3,2-b:2′,3′-d]silole)-2,6-diyl-alt-(2,1,3-benzothiadiazole)-4,7-diyl]), PBDTTPD(poly((4,8-diethylhexyloxyl)benzo([1,2-b:4,5-b']dithiophene)-2,6-diyl)-alt-((5-octylthieno[3,4-c]pyrrole-4,6-dione)-1,3-diyl)), PFDTBT(poly[2,7-(9-(2-ethylhexyl)-9-hexyl-fluorene)-alt-5,5-(4',7,-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)]), PFO-DBT(poly[2,7-.9,9-(dioctyl-fluorene)-alt-5,5-(4',7'-di-2-thienyl-2',1', 3'-benzothiadiazole)]), PSiFDTBT(poly[(2,7-dioctylsilafluorene)-2,7-diyl-alt-(4,7-bis(2-thienyl)-2,1,3-benzothiadiazole)-5,5′-diyl]), PSBTBT(poly[(4,4′-bis(2-ethylhexyl)dithieno[3,2-b:2′,3′-d]silole)-2,6-diyl-alt-(2,1,3-benzothiadiazole)-4,7-diyl]), PCDTBT(poly [[9-(1-octylnonyl)-9H-carbazole-2,7-diyl]-2,5-thiophenediyl-2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl-2,5-thiophenediyl]), PFB(poly(9,9′-dioctylfluorene-co-bis(N,N′-(4,butylphenyl))bis(N,N′-phenyl-1,4-phenylene)diamine), F8BT(poly(9,9′-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole), PEDOT (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)), PTAA(poly(triarylamine)), poly(4-butylphenyl-diphenyl-amine) 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 태양 전지.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 정공 전달층은 액체 전해질층인 것을 특징으로 하는 태양 전지.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 액체 전해질층은,
    에틸 아세테이트(ethyl acetate), 아세토니트릴(acetonitrile), 톨루엔(toluene) 및 메톡시프로피오니트릴(methoxypropionitrile)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 용매; 및
    우레아(urea), 티오우레아(thiourea), 부틸피리딘(butylpyridine) 및 구아니딘 티오사이어네이트(guanidine thiocyanate)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 첨가제;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
  12. 제7 항에 있어서,
    상기 태양 전지용 광흡수물은 금속 산화물 상에 흡착된 것을 특징으로 하는 태양 전지.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 TiO2, SnO2, ZnO, WO3, Nb2O5 및 TiSrO3 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 태양 전지.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
KR1020140158528A 2014-11-14 2014-11-14 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 태양 전지용 광흡수물 및 이를 포함하는 태양 전지, 염료 감응 태양 전지, 유기 태양 전지 및 페로브스카이트 태양 전지 KR101608281B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140158528A KR101608281B1 (ko) 2014-11-14 2014-11-14 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 태양 전지용 광흡수물 및 이를 포함하는 태양 전지, 염료 감응 태양 전지, 유기 태양 전지 및 페로브스카이트 태양 전지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140158528A KR101608281B1 (ko) 2014-11-14 2014-11-14 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 태양 전지용 광흡수물 및 이를 포함하는 태양 전지, 염료 감응 태양 전지, 유기 태양 전지 및 페로브스카이트 태양 전지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101608281B1 true KR101608281B1 (ko) 2016-04-04

Family

ID=55799849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140158528A KR101608281B1 (ko) 2014-11-14 2014-11-14 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 태양 전지용 광흡수물 및 이를 포함하는 태양 전지, 염료 감응 태양 전지, 유기 태양 전지 및 페로브스카이트 태양 전지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101608281B1 (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101776533B1 (ko) * 2016-11-03 2017-09-07 현대자동차주식회사 접합식 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
WO2018088797A1 (ko) * 2016-11-09 2018-05-17 한국화학연구원 스피로비플루오렌 화합물 및 이를 포함하는 페로브스카이트 태양전지
KR101938363B1 (ko) 2017-08-31 2019-01-14 광주과학기술원 보디피 기반의 공중합체 및 이를 포함하는 태양전지
KR102014645B1 (ko) 2018-04-18 2019-08-27 동국대학교 산학협력단 유무기 복합 광활성 물질, 상기 광활성 물질을 적용한 태양전지 및 그 제조방법
US10937970B2 (en) 2017-10-31 2021-03-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Compound and photoelectric device, image sensor and electronic device including the same
KR20210042634A (ko) 2019-10-10 2021-04-20 경희대학교 산학협력단 양극성 유-무기물 하이브리드 페로브스카이트를 이용한 상보형 금속산화 반도체 소자 및 그 제조방법
CN115197129A (zh) * 2022-08-08 2022-10-18 南昌航空大学 一种芴类小分子阴极界面层及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004033756A1 (ja) 2002-10-10 2004-04-22 Kansai Paint Co., Ltd. 半導体膜の形成方法及び半導体膜の用途
KR101172374B1 (ko) 2011-02-14 2012-08-08 성균관대학교산학협력단 페로브스카이트계 염료를 이용한 염료감응 태양 전지 및 이의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004033756A1 (ja) 2002-10-10 2004-04-22 Kansai Paint Co., Ltd. 半導体膜の形成方法及び半導体膜の用途
KR101172374B1 (ko) 2011-02-14 2012-08-08 성균관대학교산학협력단 페로브스카이트계 염료를 이용한 염료감응 태양 전지 및 이의 제조방법

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101776533B1 (ko) * 2016-11-03 2017-09-07 현대자동차주식회사 접합식 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
CN108023020A (zh) * 2016-11-03 2018-05-11 现代自动车株式会社 粘结型钙钛矿太阳能电池制备方法
CN108023020B (zh) * 2016-11-03 2023-04-28 现代自动车株式会社 粘结型钙钛矿太阳能电池制备方法
US10229791B2 (en) 2016-11-03 2019-03-12 Hyundai Motor Company Method for preparing a bonded type perovskite solar cell
WO2018088797A1 (ko) * 2016-11-09 2018-05-17 한국화학연구원 스피로비플루오렌 화합물 및 이를 포함하는 페로브스카이트 태양전지
US11563180B2 (en) 2016-11-09 2023-01-24 Korea Research Institute Of Checmical Technology Spirobifluorene compound and perovskite solar cell comprising same
US11217398B2 (en) 2017-08-31 2022-01-04 Gwangju Institute Of Science And Technology BODIPY-based copolymer and solar cell comprising same
WO2019045272A1 (ko) * 2017-08-31 2019-03-07 광주과학기술원 보디피 기반의 공중합체 및 이를 포함하는 태양전지
KR101938363B1 (ko) 2017-08-31 2019-01-14 광주과학기술원 보디피 기반의 공중합체 및 이를 포함하는 태양전지
US10937970B2 (en) 2017-10-31 2021-03-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Compound and photoelectric device, image sensor and electronic device including the same
KR102014645B1 (ko) 2018-04-18 2019-08-27 동국대학교 산학협력단 유무기 복합 광활성 물질, 상기 광활성 물질을 적용한 태양전지 및 그 제조방법
KR20210042634A (ko) 2019-10-10 2021-04-20 경희대학교 산학협력단 양극성 유-무기물 하이브리드 페로브스카이트를 이용한 상보형 금속산화 반도체 소자 및 그 제조방법
CN115197129A (zh) * 2022-08-08 2022-10-18 南昌航空大学 一种芴类小分子阴极界面层及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101608281B1 (ko) 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 태양 전지용 광흡수물 및 이를 포함하는 태양 전지, 염료 감응 태양 전지, 유기 태양 전지 및 페로브스카이트 태양 전지
Ahmad et al. Recent progress in cathode interlayer materials for non‐fullerene organic solar cells
KR101645872B1 (ko) 유-무기 하이브리드 태양 전지
Hamed et al. Mixed halide perovskite solar cells: progress and challenges
Li et al. Recent progress on stability issues of organic–inorganic hybrid lead perovskite-based solar cells
KR101461641B1 (ko) 내구성과 고성능의 무­유기 하이브리드 태양전지
Huang et al. Interface engineering of perovskite solar cells with multifunctional polymer interlayer toward improved performance and stability
EP3385269B1 (en) Organic-inorganic hybrid perovskite, method for preparing same, and solar cell comprising same
WO2015087917A1 (ja) 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法
WO2013118793A1 (ja) 有機薄膜太陽電池
US20160226009A1 (en) Thin film solar cell, semiconductor thin film and coating liquid for forming semiconductor
US20180330889A1 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
KR20170114620A (ko) 페로브스카이트 화합물 및 이를 함유하는 태양전지
Wang et al. Recent progress on defect passivation of all‐inorganic halide perovskite solar cells
KR20170040708A (ko) 양면 투명전극을 활용한 높은 내구성을 가지는 유-무기 하이브리드 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101033304B1 (ko) 발광특성을 가지는 유기 태양전지 및 그 제조방법
Skafi et al. Highly Efficient Flexible Perovskite Solar Cells on Polyethylene Terephthalate Films via Dual Halide and Low‐Dimensional Interface Engineering for Indoor Photovoltaics
KR101582264B1 (ko) 유기 박막용 조성물, 유기 박막 및 상기 유기 박막을 포함하는 전자 소자
Chen et al. Challenges and Strategies Toward Future Stable Perovskite Photovoltaics
KR101230401B1 (ko) 무기 반도체 감응형 광전소자
KR101809869B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101373815B1 (ko) 높은 내구성을 가진 무―유기 하이브리드 태양전지의 제조 방법
Jin et al. Stabilizing semi-transparent perovskite solar cells with a polymer composite hole transport layer
Shyma et al. Tin as an Emerging Surrogate for Lead-free Perovskite Solar Cells
Beepat et al. Perovskite materials for photovoltaics: a review

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190201

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200203

Year of fee payment: 5