KR101599714B1 - 정전용량방식 터치패널용 전극시트 - Google Patents

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Abstract

(과제)본 발명은, 금속세선 등의 불투명한 도전성 세선의 패턴으로 전극을 구성하였을 경우에 있어서도 도전성 세선이 시인되기 어려워 높은 투명성을 확보할 수 있는 정전용량방식 터치패널용 전극시트를 제공한다.
(해결수단)본 발명은, 불투명한 도전성 세선 및 상기 도전성 세선에 의하여 구획된 공백부(17)로 이루어지는 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)이, 각각 도전성 세선(16)에 기체(12)를 사이에 두고 대향하는 선분(16a)을 구비하고, 상기 제1전극패턴(25a) 및 상기 제2전극패턴(25b) 중 일방의 상기 도전성 세선(16)이, 상기 대향하는 선분(16a)에 있어서만 타방의 상기 도전성 세선(16)보다 선폭을 좁게 하여 형성됨으로써, 일정폭이 되지 않도록 설계하였다.

Description

정전용량방식 터치패널용 전극시트{ELECTRODE SHEET FOR CAPACITANCE-TYPE TOUCH PANEL}
본 발명은, 금속세선(金屬細線) 등의 불투명한 도전성 세선의 패턴으로 전극을 구성한 정전용량방식의 터치패널용 전극시트에 관한 것이다.
일반적으로 정전용량방식의 터치패널은, 인간의 손가락 선단(先端)과 도전막과의 사이에서의 정전용량의 변화를 파악하여 손가락 선단의 위치를 검출하는 위치 입력장치인데, 이 정전용량방식의 터치패널로서는 표면형(表面型)과 투영형(投影型)이 있다. 표면형은 구조가 간편하지만 동시에 2점 이상의 접촉(멀티터치)을 검출하는 것이 어렵다. 한편 투영형은 다수의 전극이 매트릭스 모양으로 배열하여 구성되고, 더 구체적으로는, 복수의 제1전극이 수평방향으로 배열되고 절연층을 사이에 두고 복수의 제2전극이 수직방향으로 배열되어 구성되어, 제1전극군 및 제2전극군으로 용량변화를 순차적으로 검출해 감으로써 멀티터치를 검출할 수 있는 구성으로 이루어져 있다.
이러한 터치패널은, 스마트폰이나 타블렛 단말의 소형 사이즈에의 적용이 주가 되어 있지만, 금후에는 PC용 모니터 등에 대한 적용에 의한 대형화가 진행해 간다고 생각된다. 이러한 장래의 동향에 있어서, 종래의 전극은 ITO(산화인듐주석)를 사용하고 있기 때문에, 저항이 크고(수백 옴/ｓｑ．정도) 적용 사이즈가 커지게 됨에 따라 전극간의 전류의 전달속도가 늦어지고, 응답 속도(손가락 선단을 접촉하고 나서 그 위치를 검출할 때까지의 시간)가 늦다고 하는 문제가 있다. 또한 ITO는 고가이기 때문에 대형화가 어렵다고 하는 문제도 있었다.
그래서 이들 문제를 해결하기 위해서, 저렴하고 저저항(低抵抗)인 금, 은, 구리 등의 금속박막을 미세하게 가공하여 터치자에게 시인(視認)되지 않는 선폭(線幅)의 금속세선에 의하여 전극을 구성하는 기술(소위, 메탈메쉬전극)의 개발이 진척되어 있다. 금속세선을 전극에 사용한 터치패널로서는 예를 들면 특허문헌1∼3이 알려져 있다.
일본국 특허공표 특표2011-530112호 공보 일본국 공개특허 특개2012-079238호 공보 일본국 공개특허 특개2011-175628호 공보
그런데 금속세선을 전극에 사용할 경우에, 금속세선이 불투명한 재료로 제작되기 때문에 투명성이나 시인성이 문제가 된다.
예를 들면 투영형 정전용량방식의 터치패널은, 상기한 바와 같이 복수의 제1전극이 수평방향으로 배열되고, 절연층을 사이에 두고 복수의 제2전극이 수직방향으로 배열되어서 구성되어 있다. 이러한 구성의 터치패널용 전극시트를 제조하기 위해서는, 단일필름 또는 2층 이상의 접합된 적층필름을 기체(基體)로 하여 기체의 양면(兩面)에 차광성(遮光性)을 구비하는 금속박막을 형성하고, 다음에 감광성 레지스트를 양면에 형성하고, 제1전극군용과 제2전극군용으로 화상(畵像)이 서로 다른 포토마스크를 사용하여 양면을 동시에 노광, 현상, 에칭, 레지스트 박리하는 것이 생각된다. 이 방법에서는, 감광성 레지스트를 노광할 때에 기재의 양면에 배치하는 포토마스크 상호간을 정확하게 얼라인먼트 해야 하지만, 위치 어긋남을 완전하게 배제하는 것은 어렵다.
터치자에게 시인되지 않는 선폭의 금속세선에 의하여 전극을 구성하도록 설계하여도, 제1전극의 세선과 제2전극의 세선이 기체를 사이에 두고 대향하는 부분에 있어서 위치 어긋남을 일으키면, 평면에서 볼 때에 패턴의 선폭이 부분적으로 굵어져(이하, 선비대(線肥大)라고 한다), 세선이 터치자에게 시인되어버린다고 하는 문제가 발생한다. 또한 선이 비대해진 만큼 투명한 영역이 줄어들어, 표시장치로부터의 빛의 투과율이 낮아진다고 하는 문제도 발생한다.
따라서 본 발명은 이러한 과제를 고려하여 이루어진 것으로서, 금속세선 등의 불투명한 도전성 세선의 패턴으로 전극을 구성하였을 경우에 있어서도 도전성 세선이 시인되기 어려워 높은 투명성을 확보할 수 있는 정전용량방식 터치패널용 전극시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 아래와 같이 구성한다.
본 발명의 제1태양에 의하면, 투명한 기체와, 상기 기체의 일방의 주면에 형성된 제1도전부와, 상기 기체의 타방의 주면에 형성된 제2도전부를 구비하고, 상기 제1도전부는, 각각 불투명한 도전성 세선 및 상기 도전성 세선에 의하여 구획된 공백부로 이루어지고 제1방향으로 연장하고 또한 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 배열된 복수의 제1전극패턴을 구비하고, 상기 제2도전부는, 각각 불투명한 도전성 세선 및 상기 도전성 세선에 의하여 구획된 공백부로 이루어지고 상기 제2방향으로 연장하고 또한 상기 제1방향으로 배열된 복수의 제2전극패턴을 구비하고, 상기 제1전극패턴 및 상기 제2전극패턴이, 상기 도전성 세선에 상기 기체를 사이에 두고 대향하는 선분(線分)을 구비하고, 상기 제1전극패턴 및 상기 제2전극패턴 중에서 일방의 상기 도전성 세선이, 상기 대향하는 선분에 있어서만 타방의 상기 도전성 세선보다 선폭을 좁게 하여 형성됨으로써 일정폭이 아닌 것을 특징으로 하는 정전용량방식 터치패널용 전극시트를 제공한다.
본 발명의 제2태양에 의하면, 상기 대향하는 선분에 있어서의 협폭화의 비율이 30∼90%인 청구항1에 기재된 정전용량방식 터치패널용 전극시트를 제공한다.
본 발명의 제3태양에 의하면, 상기 제1도전부 및 상기 제2도전부를 조합시킴으로써, 평면에서 볼 때에 투시를 필요로 하는 부분에 투영메쉬패턴이 형성되는 청구항1 또는 청구항2의 어느 하나에 기재된 정전용량방식 터치패널용 전극시트를 제공한다.
본 발명의 제4태양에 의하면, 상기 투영메쉬패턴의 선폭이 15μｍ 이하, 개구율이 85% 이상인 청구항3에 기재된 정전용량방식 터치패널용 전극시트를 제공한다.
본 발명의 제5태양에 의하면, 상기 제1전극패턴 및 상기 제2전극패턴의 적어도 일방이, 그물코 구조를 구비하는 형상으로 형성되어 있는 청구항1∼4의 어느 하나에 기재된 정전용량방식 터치패널용 전극시트를 제공한다.
본 발명의 제6태양에 의하면, 상기 제1전극패턴 및 상기 제2전극패턴의 양쪽 모두가, 그물코 구조를 구비하는 형상으로 형성되어 있지 않은 청구항1∼4의 어느 하나에 기재된 정전용량방식 터치패널용 전극시트를 제공한다.
본 발명의 제7태양에 의하면, 상기 제1전극패턴 및 상기 제2전극패턴 중에서 상기 대향하는 선분에 있어서 선폭을 좁게 하여 형성된 쪽이, 타방보다 짧은 청구항1∼6의 어느 하나에 기재된 정전용량방식 터치패널용 전극시트를 제공한다.
본 발명의 제8태양에 의하면, 상기 도전성 세선이, 금, 구리, 은, 니켈, 알루미늄, 몰리브덴의 군에서 선택된 금속 또는 합금으로 이루어지는 금속세선인 청구항1∼7의 어느 하나에 기재된 정전용량방식 터치패널용 전극시트를 제공한다.
본 발명의 제9태양에 의하면, 상기 도전성 세선에 있어서, 터치면측의 표면이 저반사처리 되어 있는 청구항8에 기재된 정전용량방식 터치패널용 전극시트를 제공한다.
본 발명의 제10태양에 의하면, 상기 도전성 세선이, 카본, 카본나노튜브, 그래핀의 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 물질을 포함하는 비금속세선인 청구항1∼7의 어느 하나에 기재된 정전용량방식 터치패널용 전극시트를 제공한다.
본 발명의 제11태양에 의하면, 상기 제1도전부가, 또한 상기 제1전극패턴과 같은 재료의 도전성 세선으로 이루어지고 이웃하는 상기 제1전극패턴 상호의 간격에 배치되며 상기 제1전극패턴과 전기적으로 절연된 복수의 제1더미패턴을 구비하고,
상기 제2도전부가, 또한 상기 제2전극패턴과 같은 재료의 도전성 세선으로 이루어지고 이웃하는 상기 제2전극패턴 상호의 간격에 배치되며 상기 제2전극패턴과 전기적으로 절연된 복수의 제2더미패턴을 구비하고,
상기 제1전극패턴 및 상기 제2전극패턴 중에서 상기한 선폭을 좁게 하여 형성한 일방이, 상기 제1더미패턴 또는 제2더미패턴과 대향하는 선분에 있어서도 선폭을 좁게 하여 형성한 청구항1∼10의 어느 하나에 기재된 정전용량방식 터치패널용 전극시트를 제공한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 관한 정전용량방식 터치패널용 전극시트에 의하면, 금속세선 등의 불투명한 도전성 세선의 패턴으로 전극을 구성하였을 경우에 있어서도 도전성 세선이 시인되기 어려워 높은 투명성을 확보할 수 있다.
[도1]본 발명에 관한 정전용량방식 터치패널용 전극시트의 일례를 일부생략하여 나타내는 분해사시도이다.
[도2]본 발명에 관한 정전용량방식 터치패널용 전극시트의 일례를 일부생략하여 나타내는 단면도이다.
[도3]그물코 구조의 일례에 대해서, 그 일부를 확대하여 나타낸 설명도이다.
[도4]그물코 구조의 다른 예에 대해서, 그 일부를 확대하여 나타낸 설명도이다.
[도5]그물코 구조의 다른 예에 대해서, 그 일부를 확대하여 나타낸 설명도이다.
[도6]본 발명에 있어서의 선비대 억제의 일례를 나타내는 도면이다.
[도7]종래기술에 있어서의 선비대 상태의 일례를 나타내는 도면이다.
[도8]양면동시노광을 나타내는 설명도이다.
[도9]본 발명에 관한 정전용량방식 터치패널용 전극시트의 다른 예를 일부 생략하여 나타내는 분해사시도이다.
[도10]본 발명에 관한 정전용량방식 터치패널용 전극시트의 다른 예를 일부 생략하여 나타내는 단면도이다.
[도11]본 발명에 있어서의 선비대 억제의 다른 예를 나타내는 도면이다.
[도12]종래기술에 있어서의 선비대 상태의 다른 예를 나타내는 도면이다.
[도13]본 발명에 관한 정전용량방식 터치패널용 전극시트의 다른 예를 일부 생략하여 나타내는 분해사시도이다.
[도14]본 발명에 관한 정전용량방식 터치패널용 전극시트의 다른 예를 일부 생략하여 나타내는 단면도이다.
[도15]본 발명에 있어서의 선비대 억제의 다른 예를 나타내는 도면이다.
[도16]종래기술에 있어서의 선비대 상태의 다른 예를 나타내는 도면이다.
[도17]양면동시노광의 다른 예를 나타내는 설명도이다.
이하, 본 발명에 관한 정전용량방식 터치패널용 전극시트에 대해서 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
[제1실시형태]
(전극시트의 구성)
제1실시형태에 관한 정전용량방식 터치패널용 전극시트는, 도1에 나타나 있는 바와 같이 투명한 기체(12)와, 상기 기체(12)의 일방(一方)의 주면(主面)에 형성된 제1도전부(14a)와, 기체(12)의 타방(他方)의 주면에 형성된 제2도전부(14b)를 구비하고 있다. 도2는, 도1의 전극시트중의 1개의 제1전극패턴(25a)을 길이방향으로 절단한 단면도이다.
기체(12)는, 수지, 글라스, 실리콘 등 절연성을 구비하고 또 투광성이 높은 재료로 이루어진다. 수지로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(ＰＥＴ), 폴리유산(ＰＬＡ), 폴리에틸렌나프탈레이트(ＰＥＮ) 등의 폴리에스테르류, 폴리에틸렌(ＰＥ), 폴리프로필렌(ＰＰ), 폴리스티렌, ＥＶＡ, 시클로올레핀 폴리머(ＣＯＰ), 환상(環狀) 올레핀·코폴리머(ＣＯＣ) 등의 폴리올레핀류, 그 밖에 비닐계 수지, 폴리카보네이트(ＰＣ), 폴리아미드, 폴리이미드, 아크릴 수지(ＰＭＭＡ), 트리아세틸셀룰로오스(ＴＡＣ) 등을 사용할 수 있다. 또한 이들 수지로 이루어지는 필름의 양면에 수지 코팅이 되어 있더라도 좋다.
기체(12)의 두께는 5∼350μm인 것이 바람직하고, 30∼150μm인 것이 더 바람직하다. 5∼350μm의 범위이면 원하는 가시광의 투과율이 얻어지고, 또한 취급도 용이하다. 또한 기체(12)는 단일층 또는 2층 이상의 접합된 적층체이더라도 좋다. 또한 기체(12)는 1/4λ위상차 필름을 구성중에 구비하고 있어도 좋다. 또한 기체(12)에는, 상기의 폴리유산 필름을 1축연신(1軸延伸) 하여 이루어지는, 초전성(焦電性)이 발생하지 않는 압전(壓電)필름을 사용할 수도 있다.
제1도전부(14a) 및 제2도전부(14b)는, 투시를 필요로 하는 부분(제1센서부(24a) 및 제2센서부(24b))과 투시를 필요로 하지 않는 부분(제1단자배선부(34a) 및 제2단자배선부(34b))을 구비한다. 그리고 전극시트(1)의 외형은 평면에서 볼 때에 사각형상을 구비하고 또한 제1센서부(24a) 및 제2센서부(24b)의 외형도 사각형상을 구비한다.
제1도전부(14a)의 제1센서부(24a)는, 각각 불투명한 도전성 세선(16) 및 당해 도전성 세선에 의하여 구획된 공백부(17)로 이루어져서 제1방향(도1중의 X방향)으로 연장되고 또한 제1방향과 직교하는 제2방향(도1중의 Y방향)으로 배열된 복수의 제1전극패턴(25a)을 구비한다.
제2도전부(14b)의 제2센서부(24b)는, 각각 불투명한 도전성 세선(16) 및 당해 도전성 세선에 의하여 구획된 공백부(17)로 이루어져서 제2방향(도1중의 Y방향)으로 연장되고 또한 제1방향(도1중의 X방향)으로 배열된 복수의 제2전극패턴(25b)을 구비한다. 기체(12)는 상기한 바와 같이 절연성 재료로 이루어지기 때문에, 제2도전부(14b)는 제1도전부(14a)와 전기적으로 절연된 상태하에 있다(도2 참조).
제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)을 형성하는 도전성 세선(16)으로서는, 예를 들면 금, 구리, 은, 니켈, 알루미늄, 몰리브덴의 군에서 선택된 금속 또는 합금으로 이루어지는 금속세선을 사용할 수 있다.
본 실시형태에 있어서 불투명한 도전성 세선(16) 및 당해 도전성 세선에 의하여 구획된 공백부(17)로 이루어지는 패턴은, 구체적으로는 그물코 구조를 구비하는 패턴이다. 즉 각 그물코 구조의 윤곽이 도전성 세선(16)으로 구성되고, 개구부(開口部)가 도전성 세선(16)으로 둘러싸인 공백부(17)로 구성된다(도1 참조). 그리고 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)은, 이러한 패턴으로 형성됨으로써 투명성과 저저항(低抵抗)이 얻어진다. 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)의 시트 저항은 50옴/ｓｑ．이하인 것이 바람직하고, 30옴/ｓｑ．이하인 것이 더 바람직하고, 10옴/ｓｑ．이하인 것이 가장 바람직하다.
그런데 정전용량방식 터치패널용 전극시트의 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)에 적용되는 그물코 구조는, 도1에 나타나 있는 바와 같은 사각형이나 그 이외의 다각형으로 개구부를 구성하는 것이 바람직하다. 다각형이 아닌 것, 예를 들면 원형이나 타원형의 개구를 형성한 것에서는, 개구부를 최대한 조밀하게 나란하게 배치하여도 개구부 상호간의 사이에 윤곽이 굵은 부분이 생겨버리므로, 그 윤곽이 굵은 부분이 눈에 띄는 동시에 광선투과율을 저하시키는 요인이 되기 때문이다. 또한 삼각형, 사각형, 육각형 등의 도형 중에서 1종류 혹은 그들의 복수 종류를 조합시켜 구성할 수 있다.
도3∼도5는 본 발명에 적용할 수 있는 그물코 구조의 예에 대해서, 그 일부를 확대하여 나타낸 것이다. 또 이들 도(圖)는 개구형상을 설명하는 것이 목적으로, 선폭에 관해서는 실시형태와는 관계없이 동일한 폭으로 그리고 있다.
도3에 나타내는 그물코 패턴은, 사각형을 핵으로 하여 X방향 및 Y방향으로 연속시킨 것으로서, 앞에 나타낸 도1의 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)에 상당한다. 다만 도1에 나타내는 제1전극패턴(25a)과 제2전극패턴(25b)은 모두 사각형을 핵으로 하지만, 당해 핵의 치수가 다르다. 더 상세하게 설명하면 제1전극패턴(25a)의 핵을 Y방향으로 복수 개 배열한 사이즈가 제2전극패턴(25b)의 핵 1개에 상당한다.
도4에 나타내는 그물코 패턴은, 육각형을 핵으로 하여 X방향 및 Ya방향, Yb방향으로 연속시킨 것이다.
도5에 나타내는 그물코 패턴은, 사다리형을 핵으로 하여 X방향 및 Y방향으로 연속시킨 것이다.
사각형 중에서도 특히 정사각형이 핵이 되어서 연속하는 것은, 다른 다각형 모양에 비하여 그물코 패턴이 줄무늬 모양(stripe shape)으로 인식되기 어려우므로 바람직하다.
즉, 어떤 형상이 핵이 되어서 규칙적으로 연속하는 패턴을 보았을 때, 그 핵의 연속하는 방향을 따라 윤곽(도전성 세선(16))이 연속하는 줄무늬 모양으로 보이는 경향이 있다. 예를 들면 육각형이 핵이 되었을 경우에는, 그 연속 방향을 따른 도전성 세선(16)의 선형이 지그재그가 되기 때문에, 이 지그재그인 진폭의 분(分)만큼 굵게 보여, 결과적으로 도전성 세선(16)의 선폭이 팽창한 상태로 보여버린다. 이 점에 있어서, 상기 정사각형이 핵이 되어서 연속하는 경우에는, 연속 방향을 따른 도전성 세선(16)의 선형이 쭉 곧게 되므로 본래의 폭보다도 굵게 보일 염려가 없기 때문에, 그 존재가 인식되기 어려워 그물코 패턴이 눈에 띄지 않는다.
또 직사각형이 핵이 되어서 연속하는 경우에는, 이 직사각형의 장변방향과 단변방향의 피치가 다르므로, 전체를 보았을 때에 장변방향에 비하여 피치가 짧은 단변방향이 짙게 나타나서, 이것이 줄무늬 모양이 되어 어른거려서 보이는 경향이 있지만, 상기 정사각형이 핵이 되어서 연속하는 것에서는 이러한 줄무늬 모양은 나타나지 않아 눈에 띄지 않는다. 또 상기 정사각형에는, 완전하게 네모진 정사각형에 한정되지 않고 목귀질 된 정사각형도 포함된다.
본 명세서중에 있어서의 「다각형」에는, 기하학적으로 완전한 다각형뿐만 아니라 상기 완전한 다각형에 대하여 경미한 변경을 가한 「실질적인 다각형」도 포함되는 것으로 한다. 경미한 변경의 예시로서, 그물코와 비교하여 미소한 점요소·선요소의 부가나, 그물코를 구성하는 각 변(도전성 세선(16))의 부분적 결손 등을 들 수 있다. 예를 들면 도1에 나타내는 예에서는, 제1전극패턴(25a) 상호간의 간격(20)에 면하는 선모양 돌기(40)가 존재함으로써 당해 간격(20)과 제1전극패턴(25a)과의 경계를 애매하게 하여 눈에 띄지 않도록 하고 있다.
이러한 제1도전부 및 제2도전부를 조합시킴으로써, 평면에서 볼 때에 투시를 필요로 하는 부분에 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)을 투영한 메쉬패턴(이하, 투영메쉬패턴이라고 한다)이 형성된다.
본 실시형태의 경우에, 도1에 나타나 있는 바와 같이 제1전극패턴(25a)의 핵을 Y방향으로 복수 개 배열한 사이즈가 제2전극패턴(25b)의 핵 1개에 상당한다. 따라서 양 패턴을 얼라인먼트 함으로써, 투영메쉬패턴은, 제1전극패턴(25a)의 핵을 X방향 및 Y방향으로 연속시켜서 투시를 필요로 하는 부분 전체에 대략 균일하게 되는 패턴으로 형성된다.
투영메쉬패턴의 선폭은, 하한은 1μｍ 이상, 3μｍ 이상, 4μｍ 이상 혹은 5μｍ 이상이 바람직하고, 상한은 15μm 이하, 10μｍ 이하, 9μｍ 이하, 8μｍ 이하가 바람직하다. 선폭이 상기 하한치 미만인 경우에는, 도전성이 불충분해지기 때문에 터치패널의 검출감도가 불충분하게 된다. 한편 상기 상한치를 넘으면 시인성이 나빠지거나 한다.
투영메쉬패턴의 개구율(開口率)은, 가시광투과율의 점으로부터 85% 이상인 것이 바람직하고, 90% 이상인 것이 더 바람직하고, 95% 이상인 것이 가장 바람직하다. 개구율이란 투광성 부분이 전체에서 차지하는 비율이다.
(위치 어긋남에 의한 선비대 대책)
그런데 본 실시형태에 관한 정전용량방식 터치패널용 전극시트는, 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)이 도전성 세선(16)에 기체(12)를 사이에 두고 대향하는 선분(16a)을 구비하고, 제1전극패턴(25a)의 도전성 세선이 이 대향하는 선분(16a)에 있어서만 제2전극패턴(25b)의 상기 도전성 세선보다 선폭을 좁게 하여 형성됨으로써 일정폭이 아니다(도6 참조). 도6에 있어서 기체(12)를 사이에 두고 대향하는 선분(16a)이 되는 것은, 제2전극패턴(25b)의 그물코 구조의 핵이 되는 사각형의 윤곽이다. 이것보다도 그물코가 미세한 제1전극패턴(25a)의 도전성 세선은, 그물코 구조의 핵이 되는 사각형의 윤곽 중 일부만이 상기 대향하는 선분(16a)이 된다.
또한 도1에 나타내는 제1전극패턴(25a) 상호간의 간격(20), 제2전극패턴(25b) 상호간의 간격(21)에 있어서도, 도전성 세선은 기체(12)를 사이에 두고 대향하지 않는다. 또 도1에 나타내는 전극시트의 분해도에서는, 육안으로 도전성 세선의 선폭의 차이를 판별할 수 있도록 그리는 것이 어렵기 때문에, 동일한 폭으로 그리고 있다.
여기에서 예를 들면 종래기술과 같이 제1전극패턴(25a)과 제2전극패턴(25b)의 세선폭이 같은 경우에는, 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)의 겹침의 위치 정밀도의 차이에 의하여 투영메쉬패턴이 선비대해 진다(도7 참조). 이에 따라 도전성 세선이 터치자에게 시인되어버린다고 하는 문제가 발생한다. 또한 선이 비대해진 만큼 투명한 영역이 줄어들어 표시장치로부터의 빛의 투과율이 낮아진다고 하는 문제도 발생한다. 또 도7중의 부호는 도6중의 부호에 대응시키고 있다.
이에 대하여 본 실시형태에서는, 상기한 바와 같이 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)의 도전성 세선이 기체(12)를 사이에 두고 대향하는 부분에 있어서, 제1전극패턴(25a)과 제2전극패턴(25b)의 세선폭의 차이를 형성해 둠으로써, 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)의 겹침의 위치 정밀도의 차이가 발생했다고 하여도 차이의 일부(도6 참조) 또는 전부가 선폭 차이중에 흡수된다. 따라서 투영메쉬패턴이 선이 비대해지는 것이 억제되어 시인성 및 투명성이 향상된다. 한편 도전성 세선이 기체(12)를 사이에 두고 대향하지 않는 부분은, 평면에서 볼 때에도 그 선폭인채로 시인되는 부분이므로 이 부분은 제1전극패턴(25a)과 제2전극패턴(25b)의 세선폭의 차이를 미세하게 설정하지 않는다.
상기한 대향하는 선분(16a)에 있어서의 협폭화의 비율은 30∼90%, 더 바람직하게는 40∼80%, 더욱 바람직하게는 50∼70%이다. 협폭화의 비율이 상기 하한치 미만인 경우에는, 도전성이 불충분해지기 때문에 터치패널의 검출 감도가 불충분하게 된다. 한편 상기 상한치를 넘으면 위치 어긋남 시의 선비대 억제가 어렵게 되거나 한다.
(전극시트의 도전패턴의 형성방법)
이하, 본 실시형태에 관한 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)의 형성방법에 대하여 설명한다.
제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)의 형성방법으로서는, 불투명한 도전성막의 표면에 감광층을 형성하고 감광층을 노광·현상 함으로써 도전성막의 표면을 부분적으로 피복시킨 후에 도전성막의 노출부분을 에칭으로 제거하여 기체(12)의 양면에 각각 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)을 형성하는 제1형성방법과, 기체(12)의 양면에 각각 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)을 인쇄에 의하여 형성하는 제2형성방법이 있다.
1)제1형성방법
여기에서 제1형성방법에 대하여 설명한다. 우선, 장척(長尺)의 적층원판(積層原反)(110)을 제작한다. 적층원판(110)은, 투명한 기체(12)와, 상기 기체(12)의 1주면에 순차적으로 적층하여 형성된 불투명한 제1도전성막(115a) 및 제1감광층(113a)과, 기체(12)의 타주면에 순차적으로 적층하여 형성된 불투명한 제2도전성막(115b) 및 제2감광층(113b)을 구비한다.
상기의 금속 또는 합금으로 이루어지는 제1도전성막(115a) 및 제2도전성막(115b)을 형성하기 위해서는, 무전해도금, 스퍼터링, 금속박의 라미네이트 등의 금속박막 형성방법을 사용할 수 있다. 또한 이들의 형성방법과 전해도금을 조합시켜도 좋다.
다음에 적층원판(110)을 노광한다. 이 노광처리에서는, 도8에 나타나 있는 바와 같이 제1감광층(113a)에 대하여 기체(12)를 향하여 빛을 조사하여 제1감광층(113a)을 제1노광패턴에 따라 노광하는 제1노광처리와, 제2감광층(113b)에 대하여 기체(12)를 향하여 빛을 조사하여 제2감광층(113b)을 제2노광패턴에 따라 노광하는 제2노광처리가 행하여진다(양면 동시노광). 도8의 예에서는, 장척의 적층원판(110)을 일방향으로 반송하면서, 제1감광층(113a)에 제1광(111a)(평행광)을 제1포토마스크(117a)를 사이에 두고 조사하고, 또한 제2감광층(113b)에 제2광(11lb)(평행광)을 제2포토마스크(117b)를 사이에 두고 조사한다. 제1광(111a)은, 제1광원(118a)으로부터 출사된 빛을 도중의 제1콜리메이터 렌즈(collimator lens)(120a)로 평행광으로 변환시킴으로써 얻어지고, 제2광(11lb)은, 제2광원(118b)으로부터 출사된 빛을 도중의 제2콜리메이터 렌즈(120b)로 평행광으로 변환시킴으로써 얻어진다. 도8의 예에서는 2개의 광원(제1광원(118a) 및 제2광원(118b))을 사용했을 경우를 나타내고 있지만, 1개의 광원으로부터 출사된 빛을 광학기구를 통하여 분할하여 제1광(111a) 및 제2광(11lb)으로 하여 제1감광층(113a) 및 제2감광층(113b)에 조사하더라도 좋다.
제1노광처리는, 도8에 나타나 있는 바와 같이 제1감광층(113a)상에 제1포토마스크(117a)를 예를 들면 밀착시켜 배치하고, 상기 제1포토마스크(117a)와 대향하도록 배치된 제1광원(118a)으로부터 제1포토마스크(117a)를 향하여 제1광(111a)을 조사함으로써 제1감광층(113a)을 노광한다. 제1포토마스크(117a)는, 투명한 소다 글라스로 형성된 글라스 기판과, 상기 글라스 기판상에 형성된 마스크 패턴(제1노광패턴)으로 구성되어 있다. 따라서 이 제1노광처리에 의하여 제1감광층(113a)에 제1포토마스크(117a)에 형성된 제1노광패턴에 따른 부분이 노광된다.
마찬가지로 제2노광처리는, 제2감광층(113b)상에 제2포토마스크(117b)를 예를 들면 밀착시켜 배치하고, 상기 제2포토마스크(117b)와 대향하도록 배치된 제2광원(118b)으로부터 제2포토마스크(117b)를 향하여 제2광(11lb)을 조사함으로써 제2감광층(113b)을 노광한다. 제2포토마스크(117b)는, 제1포토마스크(117a)와 마찬가지로, 투명한 소다 글라스로 형성된 글라스 기판과, 상기 글라스 기판상에 형성된 마스크 패턴(제2노광패턴)으로 구성되어 있다. 따라서 이 제2노광처리에 의하여 제2감광층(113b)에 제2포토마스크(117b)에 형성된 제2노광패턴에 따른 부분이 노광된다.
제1노광처리 및 제2노광처리는, 제1광원(118a)으로부터의 제1광(111a)의 출사 타이밍과 제2광원(118b)으로부터의 제2광(11lb)의 출사 타이밍을 동시에 하더라도 좋고, 다르게 되게 하여도 좋다. 동시에 하면, 1번의 노광처리로 제1감광층(113a) 및 제2감광층(113b)을 동시에 노광할 수 있어 처리시간의 단축화를 도모할 수 있다.
그리고 제1감광층(113a)에 조사된 제1광원(118a)으로부터의 제1광(111a)이, 불투명한 제1도전성막(115a) 및 제2도전성막(115b)에 의하여 차단되어 제2감광층(113b)에 실질적으로 도달하지 않고, 제2감광층(113b)에 조사된 제2광원(118b)으로부터의 제2광(11lb)이, 불투명한 제2도전성막(115b) 및 제1도전성막(115a)에 의하여 차단되어 제1감광층(113a)에 실질적으로 도달하지 않는다. 그러므로 노광처리에 의하여, 투명한 기체(12)의 양면(표리)에 다른 에칭패턴을 임의로, 또한 표리에 대하여 위치 정밀도 좋게 형성할 수 있다. 여기에서 「실질적으로 도달하지 않는다」란, 빛이 도달하지 않는 경우나, 빛은 도달하고 있지만 현상(現像)에 의하여 결상(結像)되지 않는 광량인 경우를 나타낸다. 따라서 「빛이 도달한다」란, 현상에 의하여 결상될 정도의 광량의 빛이 도달하는 것을 나타낸다.
계속하여 노광후의 적층원판(110)을 현상처리 함으로써 제1에칭패턴 및 제2에칭패턴이 형성된다(도면에는 나타내지 않는다). 제1에칭패턴은 투명한 기체(12)의 제1도전성막(115a)을 구비하는 면에 제1노광패턴에 따라 형성되고, 제2에칭패턴은 투명한 기체(12)의 제2도전성막(115b)을 구비하는 면에 제2노광패턴에 따라 형성된다. 이때에 제1에칭패턴 및 제2에칭패턴의 비형성 부분은 제1도전성막(115a) 및 제2도전성막(115b)이 노출되고 있다.
그 후에 적층원판(110)을 에칭 함으로써 도2에 나타나 있는 바와 같이 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)이 형성된다. 제1전극패턴(25a)은, 제1도전성막(115a)의 노출부분이 에칭에 의하여 제거됨으로써 투명한 기체(12)의 1주면(12a)에 형성되고, 제2전극패턴(25b)은, 제2도전성막(115b)의 노출부분이 에칭에 의하여 제거됨으로써 투명한 기체(12)의 타주면(12b)에 형성된다. 또한 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)에 물리현상 및/또는 도금처리를 더 실시함으로써 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)에 도전성 금속을 담지(擔持)시키도록 하여도 좋다.
이 제1형성방법에서는, 제1노광처리에 있어서의 제1포토마스크(117a)의 배치와 제2노광처리에 있어서의 제2포토마스크(117b)의 배치와의 위치 어긋남이 일어나지 않는 것이 바람직하지만, 차이를 완전하게 없애는 것은 어렵다. 즉 기체(12)의 1주면(12a)에 형성되는 제1전극패턴(25a)의 배치와 기체(12)의 타주면(12b)에 형성되는 제2전극패턴(25b)의 배치와의 위치 어긋남은, 미소한 차이이면서도 피하는 것은 어렵다. 따라서 상기한 바와 같이 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)의 도전성 세선이 기체(12)를 사이에 두고 대향하는 부분에 있어서, 제1전극패턴(25a)과 제2전극패턴(25b)의 세선폭의 차이를 형성해 두는 것이 필요하게 된다.
2)제2형성방법
한편 제2형성방법은, 기체(12)의 1주면(12a)에 불투명한 도전성 재료를 포함하는 잉크(132)를 인쇄하여 제1전극패턴(25a)을 형성하고, 기체(12)의 타주면(12b)에 마찬가지로 불투명한 도전성 재료를 포함하는 잉크(132)를 인쇄하여 제2전극패턴(25b)을 형성한다(도2 참조). 이 경우에 기체(12)의 1주면(12a)에 대하여 잉크(제1전극패턴(25a)용의 잉크)를 인쇄하는 타이밍과, 기체(12)의 타주면(12b)에 대하여 잉크(제2전극패턴(25ｂ)용의 잉크)를 인쇄하는 타이밍을 동시에 하더라도 좋고, 다르게 되게 하여도 좋다. 동시에 하면, 1번의 인쇄처리로 기체(12)의 양면(표리)에 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)을 각각 형성할 수 있어 인쇄처리시간의 단축화를 도모할 수 있다.
이 제2형성방법의 경우에도, 기체(12)의 1주면(12a)에 인쇄 형성되는 제1전극패턴(25a)의 배치와 기체(12)의 타주면(12b)에 인쇄 형성되는 제2전극패턴(25b)의 배치와의 위치 어긋남은, 미소한 차이이면서도 피하는 것은 어렵다. 따라서 제2형성방법의 경우에도 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)의 도전성 세선이 기체(12)를 사이에 두고 대향하는 부분에 있어서, 제1전극패턴(25a)과 제2전극패턴(25b)의 세선폭의 차이를 형성해 두는 것이 필요하게 된다.
(기타의 구성)
상기한 바와 같이 제1도전부(14a) 및 제2도전부(14b)는, 투시를 필요로 하는 부분(제1센서부(24a) 및 제2센서부(24b))과, 투시를 필요로 하지 않는 부분(제1단자배선부(34a) 및 제2단자배선부(34b))을 구비하고 있다.
제1단자배선부(34a)중에 전극시트(1)의 일변측의 주연부(周緣部)에는, 그 길이방향 중앙부분에 복수의 제1단자(도면에는 나타내지 않는다)가 배열되어 형성되어 있다. 그리고 제1단자배선패턴(35a)이, 각 제1전극패턴(25a)의 어느 일단으로부터 도출되어 상기 제1단자를 향하여 끌어와져서, 각각 대응하는 제1단자에 전기적으로 접속되어 있다. 또한 제2단자배선부(34b)중에 전극시트(1)의 일변측의 주연부에도, 그 길이방향 중앙부분에 복수의 제2단자(도면에는 나타내지 않는다)가 배열되어 형성되어 있다. 그리고 제2단자배선패턴(35b)이, 각 제2전극패턴(25b)의 어느 일단으로부터 도출되어 상기 제2단자를 향하여 끌어와져서, 각각 대응하는 제2단자에 전기적으로 접속되어 있다.
제1단자배선패턴(35a) 및 제2단자배선패턴(35b)은 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)과 같은 재료, 같은 패턴형성방법을 사용하여 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)과 동시에 형성할 수 있다. 제1단자배선패턴(35a) 및 제2단자배선패턴(35b)은, 예를 들면 25μｍ 이상 500μｍ 이하의 폭, 10mm 이상의 길이로 구성하고, 저항이 10mm당 300옴 이하, 바람직하게는 100옴 이하이다. 물론 제1단자배선패턴(35a) 및 제2단자배선패턴(35b)을 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)과는 다른 재료, 별도의 패턴형성방법을 사용하여 형성하더라도 좋다.
그리고 이 전극시트(1)를 터치패널로서 구성하는 경우에는, 상기한 전극시트(1)의 외에, 전극시트(1)의 어느 일방의 주면측에 적층된 커버부재와, 케이블을 통하여 전극시트(1)에 전기적으로 접속된 플렉시블 기체와, 플렉시블 기체상에 배치된 IC 회로를 구비한다.
손가락 선단을 커버부재상에 접촉시킴으로써 손가락 선단과 대향하는 제1전극패턴(25a)과 제2전극패턴(25b)으로부터의 신호가 IC 회로에 전달된다. IC 회로에서는 공급된 신호에 의거하여 손가락 선단의 위치를 연산한다. 따라서 동시에 2개의 손가락 선단을 접촉시켜도 각 손가락 선단의 위치를 검출할 수 있다. 이 터치패널이 적용되는 표시장치는 액정패널, 플라즈마 패널, 유기ＥＬ패널, 무기ＥＬ패널 등이다. 또 상호용량방식의 터치패널에 있어서는, 제1전극패턴(25a)과 제2전극패턴(25b)과 겹치는 부분이 많은 쪽이 검출감도가 높아진다.
이상 본 발명의 제1실시형태에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 제1실시형태에 한정되지 않는다. 예를 들면 이하에 설명하는 각 실시형태가 가능하다. 또 제1실시형태와 공통되는 구성에 관해서는 설명을 생략한다.
[제2실시형태]
제1실시형태에서는 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)의 양방을 그물코 구조로 했지만, 본 발명의 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)은, 불투명한 도전성 세선(16) 및 당해 도전성 세선에 의하여 구획된 공백부(17)로 이루어지는 것이면 그물코 구조에 한정되지 않는다. 예를 들면 제2전극패턴(25b)을 그물코 구조가 아니라, 도9에 나타나 있는 바와 같이 X방향으로 살이 나란히 배열하는 빗살(comb) 모양으로 하더라도 좋다(제2실시형태). 도10은, 도9의 전극시트중의 1개의 제1전극패턴(25a)을 길이방향으로 절단한 단면도이다.
도9에 있어서 기체(12)를 사이에 두고 대향하는 선분(16a)이 되는 것은 제2전극패턴(25b)의 빗살이다. 제1전극패턴(25a)의 도전성 세선은, 그물코 구조의 핵이 되는 사각형의 윤곽 중 일부만이 상기 대향하는 선분(16a)이 된다.
또한 도9에 나타내는 제1전극패턴(25a) 상호간의 간격(20), 제2전극패턴(25b) 상호간의 간격(21)에 있어서도, 도전성 세선은 기체(12)를 사이에 두고 대향하지 않는다. 또 도9에 나타내는 전극시트의 분해도에서도, 육안으로 도전성 세선의 선폭의 차이를 판별할 수 있도록 그리는 것이 어렵기 때문에, 동일한 폭으로 그리고 있다.
본 실시형태에서도 제1도전부 및 제2도전부를 조합시킴으로써, 평면에서 볼 때에 투시를 필요로 하는 부분에 투영메쉬패턴이 형성된다. 본 실시형태의 경우에, 도9에 나타나 있는 바와 같이 제1전극패턴(25a)의 핵을 Y방향으로 복수 개 배열한 것이, 제2전극패턴(25b)의 빗살 1개에 정확히 들어간다. 따라서 양 패턴을 얼라인먼트 함으로써, 투영메쉬패턴은, 제1전극패턴(25a)의 핵을 X방향 및 Y방향으로 연속시켜서 투시를 필요로 하는 부분 전체에 대략 균일하게 되는 패턴으로 형성된다.
상기한 바와 같이 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)의 도전성 세선(16)이 기체(12)를 사이에 두고 대향하는 부분(16a)에 있어서, 제1전극패턴(25a)과 제2전극패턴(25b)의 세선폭의 차이를 형성해 둠으로써, 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)의 겹침의 위치 정밀도의 차이가 발생했다고 하여도, 차이의 일부(도11 참조) 또는 전부가 선폭 차이 중에 흡수된다. 따라서 투영메쉬패턴이 선이 비대해지는 것이 억제되어 시인성이 향상된다. 한편 도전성 세선이 기체(12)를 사이에 두고 대향하지 않는 부분은 평면에서 볼 때에도 그 선폭인채로 시인되는 부분이므로, 이 부분은 제1전극패턴(25a)과 제2전극패턴(25b)의 세선폭의 차이를 미세하게 설정하지 않는다. 또 도12는 선비대 대책을 실시하지 않는 경우의 예를 나타내는 도면이다.
그 밖의 점에 대해서는 제1실시형태와 같다.
[제3실시형태]
제1실시형태에서는 제1도전부(14a) 및 제2도전부(14b)는, 이웃하는 제1전극패턴(25a) 상호간의 간격(20) 및 이웃하는 제2전극패턴(25b) 상호간의 간격(21)에는 아무것도 설치되지 않고 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면 도13에 나타나 있는 바와 같이 제1도전부(14a)가, 제1전극패턴(25a)과 같은 재료의 도전성 세선(18)으로 이루어지고 이웃하는 제1전극패턴(25a) 상호간의 간격(20)에 배치되며 제1전극패턴(25a)과 전기적으로 절연된 복수의 제1더미패턴(55a)을 구비하고, 제2도전부(14b)가, 제2전극패턴(25b)과 같은 재료의 도전성 세선(18)으로 이루어지고 이웃하는 제2전극패턴(25b) 상호간의 간격(21)에 배치되며 제2전극패턴(25b)과 전기적으로 절연된 복수의 제2더미패턴(55b)을 구비하고 있어도 좋다(제3실시형태). 도14는, 도13의 전극시트중의 1개의 제1전극패턴(25a)을 길이방향으로 절단한 단면도이다.
제1더미패턴(55a) 및 제2더미패턴(55b)은, 제1전극패턴(25a) 상호간의 간격(20) 및 제2전극패턴(25b) 상호간의 간격(21)이 눈에 띄지 않도록 보완하는 것이다. 즉 제1전극패턴(25a)이나 제2전극패턴(25b)에 있어서의 도전성 세선(16)에 의하여 구획된 공백부(17)(제1실시형태에 있어서는 개구부)가 간격(20, 21)에도 연속하여 존재하는 것처럼 보이는 것이다.
또한 제1더미패턴(55a)은, 제1전극패턴(25a)을 패턴형성 할 때에 제1전극패턴(25a)과 동시에 패턴형성 된다. 마찬가지로 제2더미패턴(55b)은, 제2전극패턴(25b)을 패턴형성 할 때에 제2전극패턴(25b)과 동시에 패턴형성 된다.
제1실시형태에서는, 제1전극패턴(25a)의 도전성 세선(16)이, 제2전극패턴(25b)과 기체(12)를 사이에 두고 대향하는 선분(16a)에 있어서만 제2전극패턴(25b)의 도전성 세선(16)보다 선폭을 좁게 하여 형성되어 있다. 이에 대하여 본 실시형태에서는, 제1전극패턴(25a)의 도전성 세선(16)이 제2더미패턴의 도전성 세선(18)과도 대향하기(도면 중, 더미패턴의 대향부분은 18a) 때문에, 이 부분에 있어서도 제1전극패턴(25a)의 도전성 세선(16)의 선폭을 좁게 하여 형성하는 것이 바람직하다.
이렇게 함으로써, 제1전극패턴(25a)측의 제1더미패턴(55a)을 포함하는 패턴과 제2전극패턴(25b)측의 제2더미패턴(55b)을 포함하는 패턴과의 겹침의 위치 정밀도의 차이가 발생했다고 하여도, 차이의 일부(도15 참조) 또는 전부가 선폭 차이내에 흡수된다. 따라서 투영메쉬패턴이 선이 비대해지는 것이 억제되어 시인성 및 투명성이 향상된다. 또 도16은, 선비대 대책을 실시하지 않은 경우의 예를 나타내는 도면이다.
그 밖의 점에 대해서는 제1실시형태와 같다.
[제4실시형태]
제1∼3실시형태에서는 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)을 형성하는 도전성 세선(16)은 금속세선이었지만, 본 발명의 제1도전부 및 제2도전부는 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면 도전성 세선이 카본, 카본나노튜브, 그래핀(graphene)의 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 물질을 포함하는 비금속세선이더라도 좋다(제4실시형태).
본 실시형태에 있어서의 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)의 형성방법은, 제1∼3실시형태와 같이 불투명한 도전성막의 표면에 별도 감광층을 형성하여 노광·현상·에칭 하는 것이 아니다. 구체적으로는 상기의 카본, 카본나노튜브, 그래핀의 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 물질을 분산시킨 불투명한 제1도전성 감광층(123a), 제2도전성 감광층(123b)을 기체(12)의 양면에 구비하는 적층원판(120)을 사용하여, 이것을 노광·현상·베이크 함으로써 기체(12)의 양면에 각각 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)을 형성하는 점에서 다르다.
그러나 제1∼3실시형태와 마찬가지로 노광공정(도17 참조)이 존재하고, 제1노광처리에 있어서의 제1포토마스크(117a)의 배치와 제2노광처리에 있어서의 제2포토마스크(117b)의 배치와의 위치 어긋남을 완전하게 없애는 것이 어려운 점은 변하지 않는다. 따라서 본 실시형태에 있어서도, 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)의 도전성 세선이 기체(12)를 사이에 두고 대향하는 부분에 있어서 제1전극패턴(25a)과 제2전극패턴(25b)의 세선폭의 차이를 형성해 둠으로써, 위치 어긋남에 기인하는 선비대를 해소하는 것이다.
그 밖의 점에 대해서는 제1실시형태와 같다.
[변화예]
또한 제1전극패턴(25a)의 배열방향 및 제2전극패턴(25b)은, 표시장치의 화소와의 간섭에 의하여 므와레 막 모양이 나오지 않도록 설계하는 것이 바람직하다. 예를 들면 므와레의 발생을 억제하기 위해서, 제1전극패턴(25a)의 배열방향 및 제2전극패턴(25b)의 배열방향을 표시장치의 화소배열방향에 대하여 기울기를 구비하도록 하여도 좋다. 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)을 기울임으로써 검출되는 위치정보에 차이가 발생하지만, 설정된 경사각도에 따라 위치정보를 보정하는 위치보정 회로를 IC 회로에 편입시키면 좋다.
또한 다른 므와레 대책으로서는, 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)에 있어서 이웃하는 도전성 세선간의 피치를 일정하지 않도록 설계하더라도 좋다. 또는 도전성 세선을 곡선모양으로 설계하더라도 좋다.
또한 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)을 제1실시형태에서는 금속세선만으로, 제4실시형태에서는 비금속세선만으로 구성하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 즉 제1전극패턴(25a) 및 제2전극패턴(25b)의 일방을 금속세선으로, 타방을 비금속세선으로 할 수도 있다.
또한 도전성 세선(16, 18)이 금속세선인 경우에 터치면측의 표면을 저반사 처리해 두면, 금속의 반사색이 억제되어 전극패턴의 존재가 눈에 띄지 않게 된다. 또한 터치면측과 반대의 면도 저반사 처리를 해 두면, 반대면에서의 반사색이 표시화면에 비쳐 나오거나 하지 않아 시인성이 향상하므로 특히 바람직하다.
상기 저반사 처리의 구체적인 예로서는, 화성처리나 도금처리 등의 표면처리를 들 수 있다. 화성처리는 산화처리, 황화처리를 함으로써 금속표면에 저반사층을 형성하는 것으로서, 예를 들면 금속세선의 소재로 구리를 사용하고 그 표면에 산화처리에 의하여 산화피막을 형성하면, 금속세선의 단면 치수를 감소시키지 않고 그 금속세선의 표면을 광반사 방지성을 구비한 흑색으로 처리할 수 있다.
또한 도금처리로서 금속세선에 대하여 예를 들면 흑색 크롬 도금을 실시하면, 금속세선의 표면을 광반사 방지성을 구비한 흑색으로 처리할 수 있다. 또한 고전류밀도의 구리도금을 실시하면 다갈색으로 처리할 수 있다.
또한 상기 저반사 처리로서 전착도료처리(電着塗料處理)를 사용할 수 있다.
그런데 제1∼4실시형태와 같이 제1전극패턴(25a)의 도전성 세선이 제2전극패턴(25b)의 도전성 세선보다 선폭을 좁게 하여 형성되면, 선폭이 좁아진 분(分)만큼 저항이 높아진다. 따라서 전극시트(1)의 외형이 직사각형일 경우에, 이 단변과 선폭을 좁게 설계한 제1전극패턴(25a)의 연장방향을 맞추는 쪽이 제2전극패턴(25b)과의 저항차가 적어지므로 바람직하다.
제1∼4실시형태의 전극시트에 있어서는 제1전극패턴(25a)이 형성되는 기체(12)의 1주면(12a)과 제2전극패턴(25b)이 형성되는 타주면(12b)은, 어느 쪽을 터치면측으로서 터치패널에 조립할지는 특정하지 않고 있다. 따라서 본 명세서중에 있어서 「제1」과 「제2」를 바꿔도 좋다.
1, 10, 100 전극시트
12 기체
14a 제1도전부
14b 제2도전부
16, 18 도전성 세선
16a, 18a 대향하는 선분
17 공백부
20, 21 간격
24a 제1센서부
24b 제2센서부
25a 제1전극패턴
25b 제2전극패턴
34a 제1단자배선부
34b 제2단자배선부
35a 제1단자배선패턴
35b 제2단자배선패턴
40 선모양 돌기
55a 제1더미패턴
55b 제2더미패턴
110, 120 적층원판
111a 제1광
11lb 제2광
113a 제1감광층
113b 제2감광층
115a 제1도전성막
115b 제2도전성막
117a 제1포토마스크
117b 제2포토마스크
118a 제1광원
118b 제2광원
123a 제1도전성 감광층
123b 제2도전성 감광층

Claims (11)

  1. 투명한 기체(基體)와,
    상기 기체의 일방의 주면(主面)에 형성된 제1도전부와,
    상기 기체의 타방의 주면에 형성된 제2도전부를
    구비하고,
    상기 제1도전부는, 각각 불투명한 도전성 세선(導電性 細線) 및 상기 도전성 세선에 의하여 구획된 공백부(空白部)로 이루어지고 제1방향으로 연장하고 또한 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 배열된 복수의 제1전극패턴을 구비하고,
    상기 제2도전부는, 각각 불투명한 도전성 세선 및 상기 도전성 세선에 의하여 구획된 공백부로 이루어지고 상기 제2방향으로 연장하고 또한 상기 제1방향으로 배열된 복수의 제2전극패턴을 구비하고,
    상기 제1전극패턴 및 상기 제2전극패턴이, 상기 도전성 세선에 상기 기체를 사이에 두고 대향하는 선분(線分)을 구비하고,
    상기 제1전극패턴 및 상기 제2전극패턴 중에서 일방의 상기 도전성 세선이 상기 대향하는 선분에 있어서만 타방의 상기 도전성 세선보다 선폭을 좁게 하여 형성됨으로써, 일정폭이 아닌 것을 특징으로 하는 정전용량방식 터치패널용 전극시트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 대향하는 선분에 있어서의 협폭화(狹幅化)의 비율이 30∼90%인 정전용량방식 터치패널용 전극시트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1도전부 및 상기 제2도전부를 조합시킴으로써, 평면에서 볼 때에 투시(透視)를 필요로 하는 부분에 투영메쉬패턴(投影 mesh pattern)이 형성되는 정전용량방식 터치패널용 전극시트.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 투영메쉬패턴의 선폭이 15μｍ 이하, 개구율(開口率)이 85% 이상인 정전용량방식 터치패널용 전극시트.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극패턴 및 상기 제2전극패턴의 적어도 일방이 그물코 구조를 구비하는 형상으로 형성되어 있는 정전용량방식 터치패널용 전극시트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극패턴 및 상기 제2전극패턴의 양쪽 모두가 그물코 구조를 구비하는 형상으로 형성되어 있지 않은 정전용량방식 터치패널용 전극시트.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극패턴 및 상기 제2전극패턴 중에서 상기 대향하는 선분에 있어서 선폭을 좁게 하여 형성된 쪽이 타방보다 짧은 정전용량방식 터치패널용 전극시트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 세선이, 금, 구리, 은, 니켈, 알루미늄, 몰리브덴의 군에서 선택된 금속 또는 합금으로 이루어지는 금속세선(金屬細線)인 정전용량방식 터치패널용 전극시트.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 도전성 세선에 있어서, 터치면(touch 面)측의 표면이 저반사 처리 되어 있는 정전용량방식 터치패널용 전극시트.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 세선이, 카본, 카본나노튜브, 그래핀(graphene)의 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 물질을 포함하는 비금속세선(非金屬細線)인 정전용량방식 터치패널용 전극시트.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1도전부가, 상기 제1전극패턴과 같은 재료의 도전성 세선으로 이루어지고 이웃하는 상기 제1전극패턴 상호의 간격에 배치되며 상기 제1전극패턴과 전기적으로 절연된 복수의 제1더미패턴을 더 구비하고,
    상기 제2도전부가, 상기 제2전극패턴과 같은 재료의 도전성 세선으로 이루어지고 이웃하는 상기 제2전극패턴 상호의 간격에 배치되며 상기 제2전극패턴과 전기적으로 절연된 복수의 제2더미패턴을 더 구비하고,
    상기 제1전극패턴 및 상기 제2전극패턴 중에서 상기한 선폭을 좁게 하여 형성한 일방이, 상기 제1더미패턴 또는 제2더미패턴과 대향하는 선분에 있어서도 선폭을 좁게 하여 형성한 정전용량방식 터치패널용 전극시트.
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