KR101594399B1 - 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거 장치 및 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101594399B1
KR101594399B1 KR1020140113112A KR20140113112A KR101594399B1 KR 101594399 B1 KR101594399 B1 KR 101594399B1 KR 1020140113112 A KR1020140113112 A KR 1020140113112A KR 20140113112 A KR20140113112 A KR 20140113112A KR 101594399 B1 KR101594399 B1 KR 101594399B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
scratch
stage
semiconductor wafer
distance
hole
Prior art date
Application number
KR1020140113112A
Other languages
English (en)
Inventor
정성민
Original Assignee
주식회사 하나테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하나테크 filed Critical 주식회사 하나테크
Priority to KR1020140113112A priority Critical patent/KR101594399B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101594399B1 publication Critical patent/KR101594399B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명의 하나의 실시형태에 따른 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거장치는 복수의 다이들을 포함하는 반도체 웨이퍼를 놓기 위한 제1 스테이지, 상기 반도체 웨이퍼의 상면 및 상기 제1 스테이지까지의 거리를 측정하기 위한 거리센서, 상기 거리센서가 상기 제1 스테이지까지 측정한 거리값을 기준으로 상기 복수의 다이들에 대해 각각 측정한 거리값들의 차이값이 허용값을 초과하는 다이에 스크래치가 있다고 판단하여 상기 스크래치가 제거되도록 제어하는 제어부, 상기 제어부가 상기 다이 하면에 스크래치가 있다고 판단한 경우, 상기 스크래치가 있는지 검증 및 제거하기 위한 홀을 가진 제2 스테이지, 상기 스크래치를 상기 제2 스테이지의 홀에 위치시키기 위해 상기 반도체 웨이퍼를 이동시키는 이동부, 상기 이동부에 의해 상기 제2 스테이지의 홀에 위치한 상기 스크래치를 검증하기 위한 검증부 및 상기 스크래치를 제거하기 위한 스크래치 제거부를 포함하는 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거장치를 포함한다.

Description

반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거 장치 및 방법 {SEMICONDUCTOR WAFER DEFECT ANALYZING SYSTEM AND METHOD THEREOF}
본 발명은 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거 방법 및 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 가공 진행 단계에 따라 각 가공 공정 단계에서 기판 후면에 발생한 스크래치(scratch), 마이크로 스크래치(micro-scratch), 파티클(particles), 크랙(crack) 등을 검사하고, 제거하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자 제조를 위한 공정은 크게 전공정과 후공정으로 구분된다. 전공정은 주로 웨이퍼 가공의 Fab 공정으로서 산화공정(Oxidation), 감광액도포(Photo resist), 노광(Exposure), 현상(Development), 식각(Etching), 이온주입(Implementation), 화상기상증착, 금속배선(Metallization) 공정의 반복적 공정으로 이루어진다. 후공정은 주로 조립 및 검사 공정으로서, 웨이퍼 자동선별(EDS), 웨이퍼 절단(Sawing), 칩접착(Die attach), 금속연결(wire bonding), 성형(Moding), 최종검사(Final Test), 마킹(marking), 포장(packaging)으로 크게 나누어져 반복적으로 공정이 이루어진다.
웨이퍼 전공정 각각의 가공단계와 후공정에서 웨이퍼를 투입하기 전에 웨이퍼 이상유무를 확인하는 웨이퍼 자동 선별과정까지는 웨이퍼 가공의 각각의 공정단계마다 웨이퍼 결함검사 공정이 필요하다. Bare Wafer 투입부터 가공공정의 각 단계를 거치면서 웨이퍼 가공 완료까지는 각 단계마다 웨이퍼의 핸들링이 계속적으로 이루어지면서 웨이퍼 후면에 오염물질, 크랙, 스크래치 등이 발생될 수 있다.
또한, 오염물질은 유기물질이 탄화된 후 고착된 고착성 물질과 화학물질이 그대로 달라붙은 소프트성 물질이 있다. 특히, 고착성 물질은 솔벤트와 같은 화학용제로서도 제거되지 않아, 웨이퍼의 결함을 일으키는 주요 원인이 되고 있다. 전공정 가공 공정에서 웨이퍼 후면에 결함이 발생하면 결함으로 인하여 웨이퍼 상면(Top side)에 회로 성형이나 소자 형성 시에 미성형이나 소자 형성에 중대한 문제가 발생 할 수 있으며, 최종적으로 패키지 조립 공정의 불량 및 웨이퍼 파손이 발생하여 생산성에 치명적인 원인이 될 수 있다.
웨이퍼 후면검사 초창기에는 작업자에 의한 육안검사를 하였으나, 작업자의 숙련도에 따라서 검사력이 차이가 많이 발생할 수 있어 검사의 신뢰성이 떨어지며, 웨이퍼가 8인치에서 12인치로 대구경화 되면서 더욱 더 신뢰성이 떨어질 수 있다. 또한 육안검사를 위해서는 작업자가 웨이퍼를 손으로 잡은 상태에서 하기 때문에 웨이퍼 표면에 2차 결함을 발생시킬 수 있고 검사속도가 늦어 전수검사가 필요한 라인에서는 생산성 향상이 저해될 수 있다. 라인에서는 웨이퍼가 12인치로 대구경화 되고 생산성 향상을 위해 전수검사를 목표로 하여 현재는 육안검사를 하지 않고 장치를 이용한 자동 검사를 실시하고 있다.
그러나, 기존의 웨이퍼 후면 검사 장치는 웨이퍼를 반전하는 과정에서 웨이퍼의 파손이 발생될 수 있고, 웨이퍼 표면의 영상을 취득하여 처리하는데 시간이 오래 걸리고, 검사력이 떨어지는 문제점이 있다.
전술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 웨이퍼의 반전 없이 후면의 스크래치를 검사 및 제거할 수 있는 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거방법을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 웨이퍼 후면의 스크래치를 제거한 균일한 웨이퍼를 제공함으로써, 노광공정시 초점심도(depth of focus; DOF) 마진을 향상시키고 그에 따른 반도체 소자의 고집적화를 가능하게 하는 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 하나의 실시형태에 따른 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거장치는 복수의 다이들을 포함하는 반도체 웨이퍼를 놓기 위한 제1 스테이지, 상기 반도체 웨이퍼의 상면 및 상기 제1 스테이지까지의 거리를 측정하기 위한 거리센서, 상기 거리센서가 상기 제1 스테이지까지 측정한 거리값을 기준으로 상기 복수의 다이들에 대해 각각 측정한 거리값들의 차이값이 허용값을 초과하는 다이에 스크래치가 있다고 판단하여 상기 스크래치가 제거되도록 제어하는 제어부, 상기 제어부가 상기 다이 하면에 스크래치가 있다고 판단한 경우, 상기 스크래치가 있는지 검증 및 제거하기 위한 홀을 가진 제2 스테이지, 상기 스크래치를 상기 제2 스테이지의 홀에 위치시키기 위해 상기 반도체 웨이퍼를 이동시키는 이동부, 상기 이동부에 의해 상기 제2 스테이지의 홀에 위치한 상기 스크래치를 검증하기 위한 검증부 및 상기 스크래치를 제거하기 위한 스크래치 제거부를 포함하는 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거장치를 포함한다.
실시 예로서, 상기 검증부는 레이저 산란 장치 또는 매크로(macro) 장치인 것을 특징으로 한다.
실시 예로서, 상기 스크래치 제거부는 상기 스크래치 제거시 발생하는 파티클을 제거할 수 있도록 음압밀폐장치를 포함한다.
실시 예로서, 상기 제2 스테이지의 홀은 상기 다이 하면에 발생한 상기 스크래치를 제거할 수 있도록 상기 스크래치 제거부가 통과할 수 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 하나의 실시형태에 따른 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거방법은 거리센서가 제1 스테이지와의 거리 및 상기 제1 스테이지 상에 놓여진 반도체 웨이퍼까지의 거리를 측정하는 단계, 제어부가 상기 제1 스테이지와의 거리를 기준으로 상기 반도체 웨이퍼의 다이들에 대해 각각 측정한 거리값들의 차이값이 허용값을 초과하는 다이에 스크래치가 있다고 판단하는 단계, 이동부가 상기 반도체 웨이퍼 또는 제2 스테이지를 이동하여 상기 스크래치를 상기 제2 스테이지의 홀에 위치시키는 단계 및 스크래치 제거부가 상기 제2 스테이지의 홀에 위치한 상기 스크래치를 제거하는 단계를 포함한다.
실시 예로서, 상기 스크래치 제거부가 상기 제2 스테이지의 홀에 위치한 상기 스크래치를 제거하기 전에 검증부가 상기 제2 스테이지의 홀에 위치한 상기 스크래치를 검증하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거장치는 노광공정시 초점심도(depth of focus; DOF) 마진을 향상시키고 그에 따른 반도체 소자의 고집적화를 가능하게 하는 효과를 제공한다.
또한, 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거장치는 웨이퍼의 오버레이(overlay)를 개선할 수 있다.
또한, 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거장치는 웨이퍼의 워피지(warpage)를 개선할 수 있다.
도 1a은 후면의 특정부분에 스크래치가 발생한 반도체 웨이퍼가 표면이 균일한 스테이지에 놓여진 단면도이다.
도 1b는 도 1a의 반도체 웨이퍼에서 스크래치의 돌출부분을 제거한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거방법의 순서도이다.
도 3a는 웨이퍼의 평면도이다.
도 3b는 표면이 균일한 제1 스테이지에서 웨이퍼 하면에 스크래치의 위치를 추측하는 단계를 설명하기 위한 개략도이다.
도 4는 스크래치가 있는지 검증하는 단계를 설명하기 위한 개략도이다.
도 5는 검증된 스크래치를 부분적으로 제거하는 단계를 설명하기 위한 개략도이다.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시 예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시 예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 개시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
한편, 어떤 실시 예가 달리 구현 가능한 경우에 특정 블록 내에 명기된 기능 또는 동작이 순서도에 명기된 순서와 다르게 일어날 수도 있다. 예를 들어, 연속하는 두 블록이 실제로는 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 관련된 기능 또는 동작에 따라서는 상기 블록들이 거꾸로 수행될 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다.
도 1a은 후면의 특정부분에 스크래치(10)가 발생한 반도체 웨이퍼(11)가 표면이 균일한 스테이지(12)에 놓여진 단면도를 도시한다. 도 1b는 도 1a의 반도체 웨이퍼(11)에서 스크래치(10)의 돌출부분(13)을 제거한 단면도를 도시한다.
도 1a를 참조하면, 반도체 웨이퍼 각각의 가공공정의 각 단계를 거치면서 웨이퍼 가공 완료까지 각 단계마다 웨이퍼의 핸들링이 계속적으로 이루어지기 때문에, 웨이퍼(11) 후면에 오염물질, 크랙, 스크래치(10) 등이 발생될 수 있다. 스크래치(10)는 고착성 오염물질일 수 있다.
스크래치(10)는 웨이퍼(11) 후면에 톱니모양과 같은 요철부를 형성하여 웨이퍼(11)를 휘어지게(warpage) 한다. 이로 인해, 스크래치(10)는 서브하프 마이크론(Sub Half Micron) 이하의 장치에서 필수적인 오버레이 마진 부족(특히, 30nm 이하가 될 때)을 유발시켜 공정상의 한계에 봉착하게 한다.
도 1b를 참조하면, 요철부의 돌출부분(13)이 제거되면 웨이퍼(11)의 휘어짐을 개선할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거방법의 순서도이다. 먼저, 표면이 균일한 제1 스테이지(21)에 놓여진 반도체 웨이퍼(22)의 다이 하면에 있는 스크래치(23)의 위치를 추측한다(S11). 도 3a는 웨이퍼(22)의 평면도이고, 도 3b는 균일한 제1 스테이지(21)에서 웨이퍼(22) 하면에 스크래치(23)의 위치를 추측하는 단계(S11)를 설명하기 위한 개략도이다.
도 3a를 참조하면, 웨이퍼(22)는 복수의 다이(26)들을 포함한다. 각 다이(26)들은 웨이퍼(22)상에 분할되어 있으며, 이 중 특정한 다이(30)는 하면에 스크래치 또는 고착성 오염물질을 가지고 있다고 가정한다.
도 3b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예로서, 반도체 웨이퍼(22)는 균일도가 아주 좋은 제1 스테이지(21)에 놓여진다. 그리고, 거리센서(24)는 각각의 다이(26) 윗면과의 거리(d2)를 측정한다. 이 때, 거리센서(24)는 각각의 다이(26)마다 있을 수 있고, 하나 또는 그 이상 개수로 존재하여 위치를 반복적으로 이동하여 각각의 다이(26) 윗면의 거리(d2)를 측정할 수 있다. 거리센서(24)는 레이저 장치일 수도 있다. 이 때, 거리센서(24)가 측정할 다이(26)의 측정부분은 가공이 덜 된 부분, 예를 들면 패터닝(patterning)이 되지 않은 부분으로 순수한 웨이퍼의 두께를 측정할 수 있는 실리콘 기판 부분이어야 한다. 이것은 모든 다이(26)에 공통적인 조건이다. 이러한 방식으로, 웨이퍼(22)의 모든 다이(26)들의 표면 데이터들(d2)이 형성된다.
그리고, 거리센서(24)는 제1 스테이지(21)와의 거리(d1)을 기준값(reference)으로 설정한다. 다이(26) 각각의 표면 데이터들 중 균일도가 좋지 않은 경우, 즉, 기준값과의 차이(d1-d2) 값이 허용치(tolerance)를 넘어가는 경우, 스크래치(23)나 오염물질이 그 다이(30)의 하면에 있다고 추측될 수 있다. 이 때, 허용치는 실제 설비 제작시 조건화할 수 있다.
도 4는 스크래치가 있는지 검증하는 단계(S13)를 설명하기 위한 개략도이다. 도 4를 참조하면, 제2 스테이지(41)는 다이(30) 크기 정도 지름의 홀(hole)(40)을 가진 스테이지로서, S11에서 하면에 스크래치가 있다고 추측되는 부분의 다이(30)가 이동부(도시 생략)에 의해 홀(40)에 놓여진다(S12). 이동부는 하면에 스크래치가 있다고 추측되는 부분의 다이(30)를 홀(40)에 위치시키기 위해 웨이퍼(22)를 이동시키거나, 제2 스테이지(41)를 이동시킬 수 있다. 이 때, 이동부는 스텝모터와 구동기어 등을 조합한 구조로 구현될 수 있으며, 이러한 구성은 통상의 기술자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다.
S13은 S11에서 하면에 스크래치가 있다고 추측되는 부분의 다이(30)에 스크래치가 있는지 제2 스테이지(41)에서 검증하는 단계이다. 여기서, 스크래치가 있는지 검증하는 단계(S13)는 다이를 기준으로 후면의 스크래치의 유무 판단을 할 수 있다. 하면에 스크래치(23)가 있다고 추측된 다이(30)가 홀(40)에 놓여지므로, 다이(30) 하면의 스크래치(23)나 오염물질이 아래방향으로 돌출된다. 이 때, 측정기(42)는 돌출부위를 측정할 수 있도록 제2 스테이지(41)의 홀(40) 아래에 위치한다.
측정기(42)는 레이져 산란(laser scattering) 장치를 이용하여 웨이퍼 전체를 스캐닝함으로써, 오염물질이나 스크래치(23)를 측정할 수 있다. 또한 측정기(42)는 매크로(macro) 설비일 수 있다. 그러므로, 스크래치(23)의 발생여부 및 위치가 측정기(42)를 통하여 검증될 수 있다.
도 5는 스크래치가 있다면, 스크래치를 부분적으로 제거하는 단계(S14)를 설명하기 위한 개략도이다. 도 5를 참조하면, 스크래치(23)가 있을 때, 스크래치를 부분적으로 제거하는 단계(S14)는 제2 스테이지(41)에서 수행할 수도 있고, 제2 스테이지(41)와 같이 홀(40)이 있는 다른 스테이지로 이동하여 수행할 수도 있다.
스크래치 제거유닛(50)은 연마장치(51)와 음압밀폐장치(60)를 포함한다. 연마장치(51)는 제2 스테이지(41)의 홀(40)에서 스크래치(23)의 돌출부분을 제거할 수 있다. 연마장치(51)는 CMP(Chemical-Mechanical Planarization)의 방법과 다이아몬드 패드 또는 슬러리로서 Al2O3를 이용할 수 있다. 이 때, 홀(40) 지름은 스크래치(23)가 있다고 추측된 다이(30)의 폭 크기 정도일 수 있다. 또한, 홀(40)의 지름은 다이의 크기에 따라 다양하게 정해질 수 있다. 연마장치(51)는 스크래치(23)가 있는 다이의 하면을 전체적으로 제거할 수 있다. 연마장치(51)는 스크래치(23)의 돌출부분만 부분적으로 연마함으로써 공정 시간을 단축할 수 있다.
이 경우, 연마장치(51)는 스크래치(23)의 돌출부분만을 제거할 수 있도록, 정밀한 Z축 컨트롤이 필요하다. 이와 같이, 연마장치(51)는 고착성 오염물질 또는 스크래치(23)의 돌출부분만을 국지적으로 제거할 수 있다.
스크래치 제거유닛(50)은 스크래치를 부분적으로 제거하는 과정에서 발생한 파티클이 비산되지 않도록 연마장치(51) 주위를 기구적, 공압적으로 차단해야 한다. 그러므로, 스크래치 제거유닛(50)은 음압밀폐장치(60)를 포함할 수 있다. 음압밀폐장치(60)는 연마하는 동안 발생한 파티클이 비산되지 않도록, 연마장치(51)의 회전체 주변을 외부와 차단한다. 또한, 음압밀폐장치(60)는 연마장치(51) 주변에 음압을 발생시키기 위해 연마장치(51) 주변의 공기흐름을 파티클이 흡입되는 방향, 즉, 홀(40)에서 하강하는 방향(61)으로 공기의 흐름을 유지할 수 있다. 스크래치(23)의 돌출부분이 제거된 후, 웨이퍼(22)의 후면은 세정된다(S15).
본 발명은 도면에 도시된 일 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시 예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
10, 23 : 스크래치 11, 22 : 웨이퍼
12 : 제1 스테이지 13 : 돌출부분
24 : 거리센서 26 : 결함이 없는 다이
30 : 하면에 스크래치가 있는 다이
40 : 홀 41 : 제2 스테이지
42 : 측정기 50 : 스크래치 제거유닛
51 : 연마장치 60 : 음압밀폐장치
61 : 음압을 발생시키는 기류

Claims (6)

  1. 반도체 웨이퍼 결함 제거장치에 있어서,
    복수의 다이들을 포함하는 반도체 웨이퍼를 놓기 위한 제1 스테이지;
    상기 반도체 웨이퍼의 상면 및 상기 제1 스테이지까지의 거리를 측정하기 위한 거리센서;
    상기 거리센서가 상기 제1 스테이지까지 측정한 거리값을 기준으로 상기 복수의 다이들에 대해 각각 측정한 거리값들의 차이값이 허용값을 초과하는 다이에 스크래치가 있다고 판단하여 상기 스크래치가 제거되도록 제어하는 제어부;
    상기 제어부가 상기 다이 하면에 스크래치가 있다고 판단한 경우, 상기 스크래치가 있는지 검증 및 제거하기 위한 홀을 가진 제2 스테이지;
    상기 스크래치를 상기 제2 스테이지의 홀에 위치시키기 위해 상기 반도체 웨이퍼를 이동시키는 이동부;
    상기 이동부에 의해 상기 제2 스테이지의 홀에 위치한 상기 스크래치를 검증하기 위한 검증부 및 상기 스크래치를 제거하기 위한 스크래치 제거부를 포함하는 반도체 웨이퍼 결함 제거장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 검증부는 레이저 산란 장치 또는 매크로(macro) 장치인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 결함 제거장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 스크래치 제거부는 상기 스크래치 제거시 발생하는 파티클을 제거할 수 있도록 음압밀폐장치를 포함하는 반도체 웨이퍼 결함 제거장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 스테이지의 홀은 상기 다이 하면에 발생한 상기 스크래치를 제거할 수 있도록 상기 스크래치 제거부가 통과할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 결함 제거장치.
  5. 반도체 웨이퍼 결함 제거방법에 있어서,
    거리센서가 제1 스테이지와의 거리 및 상기 제1 스테이지 상에 놓여진 반도체 웨이퍼까지의 거리를 측정하는 단계;
    제어부가 상기 제1 스테이지와의 거리를 기준으로 상기 반도체 웨이퍼의 다이들에 대해 각각 측정한 거리값들의 차이값이 허용값을 초과하는 다이에 스크래치가 있다고 판단하는 단계;
    이동부가 상기 스크래치가 있는지 검증 및 제거하기 위한 홀을 가진 제2 스테이지 또는 상기 반도체 웨이퍼를 이동하여 상기 스크래치를 상기 제2 스테이지의 홀에 위치시키는 단계; 및
    스크래치 제거부가 상기 제2 스테이지의 홀에 위치한 상기 스크래치를 제거하는 단계;
    를 포함하는 반도체 웨이퍼 결함 제거방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 스크래치 제거부가 상기 제2 스테이지의 홀에 위치한 상기 스크래치를 제거하기 전에,
    검증부가 상기 제2 스테이지의 홀에 위치한 상기 스크래치를 검증하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 결함 제거방법.
KR1020140113112A 2014-08-28 2014-08-28 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거 장치 및 방법 KR101594399B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140113112A KR101594399B1 (ko) 2014-08-28 2014-08-28 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거 장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140113112A KR101594399B1 (ko) 2014-08-28 2014-08-28 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거 장치 및 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101594399B1 true KR101594399B1 (ko) 2016-02-16

Family

ID=55448129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140113112A KR101594399B1 (ko) 2014-08-28 2014-08-28 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101594399B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0124552Y1 (ko) * 1995-06-12 1999-02-18 김주용 웨이퍼링 검사장치
KR20120131105A (ko) * 2011-05-24 2012-12-04 오보텍 엘티 솔라 엘엘씨 손상된 웨이퍼 복구 시스템
KR20130029470A (ko) * 2011-09-15 2013-03-25 길명군 웨이퍼 그라인딩 프로세스

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0124552Y1 (ko) * 1995-06-12 1999-02-18 김주용 웨이퍼링 검사장치
KR20120131105A (ko) * 2011-05-24 2012-12-04 오보텍 엘티 솔라 엘엘씨 손상된 웨이퍼 복구 시스템
KR20130029470A (ko) * 2011-09-15 2013-03-25 길명군 웨이퍼 그라인딩 프로세스

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6057522B2 (ja) 欠陥検査方法
JP4216263B2 (ja) 製造検査解析システム、および製造検査解析方法
JP7366637B2 (ja) ワークの確認方法、及び、加工方法
KR20180010307A (ko) 설계를 사용한 사전 층 결함 사이트 검토
KR101302588B1 (ko) 웨이퍼의 처리 방법
KR101594399B1 (ko) 반도체 웨이퍼 결함 검사 및 제거 장치 및 방법
TW201117272A (en) Method for cleaning a wafer stage
JP6498950B2 (ja) プログラムされたマニピュレータを用いた表面除層
Carlson et al. Correlation of wafer backside defects to photolithography hot spots using advanced macro inspection
KR20060117032A (ko) 웨이퍼 결함 검출 방법
CN112735964B (zh) 晶圆表面缺陷检测及表面修复方法
JP4249813B2 (ja) 半導体ウェハへの識別子刻印装置およびその刻印方法
JP7463037B2 (ja) 検査用基板及び検査方法
KR101170759B1 (ko) 기판 처리 방법
Pan et al. Advanced Sample Preparation Techniques for Rescuing Damaged Samples with Cracks, Scratches, or Unevenness in Delayering
JP4011371B2 (ja) 半導体露光装置
JP2004144587A (ja) 薄膜デバイスの膜厚検査方法及びそれを用いた薄膜デバイスの製造方法
JP6771495B2 (ja) 設計を利用する先行層欠陥箇所の点検
JP2024082748A (ja) 加工装置
JP2023018741A (ja) 加工システム、及び検査対象の選定方法
KR0168353B1 (ko) 넌패턴 웨이퍼의 검사방법
CN115831792A (zh) 晶圆缺陷检测方法
KR20060084116A (ko) Ｅｄｓ공정에서의 웨이퍼 리페어 방법
KR20130026698A (ko) 웨이퍼 검사 방법
JP2019150889A (ja) 研削方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
N231 Notification of change of applicant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190207

Year of fee payment: 4