KR101302588B1 - 웨이퍼의 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
실시예는 벌크(bulk) 내에 결함(defect)이 포함된 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 웨이퍼를 80 내지 120℃의 온도에서 6 내지 10 시간 동안 열처리하여, 상기 결함을 상기 웨이퍼의 표면으로 확산시키는 단계; 및 상기 웨이퍼 표면의 결함을 검사하는 단계를 포함하는 웨이퍼의 처리 방법을 제공한다.
Description
실시예는 웨이퍼의 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 표면의 결함 검사 및 제거 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 재료로서 사용되는 실리콘 웨이퍼는, 단결정 실리콘 잉곳을 웨이퍼 단위로 얇게 절단하는 슬라이싱 공정(slicing), 원하는 웨이퍼의 두께로 연마하면서 평탄도를 개선하는 래핑 공정(lapping), 웨이퍼의 손상(damage) 제거를 위한 에칭 공정(etching), 표면 경면화 및 평탄도를 향상시키기 위한 연마 공정(polishing), 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하기 위한 세정 공정(cleaning) 등의 단계를 거쳐 생산된다.
그러나 이러한 웨이퍼의 제조 공정 중 래핑, 연마 공정에 사용되는 슬러리나 각종 에천트(etchant)에 포함된 구리 성분에 의해 웨이퍼에 구리가 오염되며, 이러한 구리 관련 결함들은 반도체 소자에 있어서 장애(fail)를 유발하는 원인이 된다.
이와 같이 웨이퍼 제조 공정 중에 구리의 오염으로 인하여 형성되는 결함들은 웨이퍼 제조 공정이 완료된 후 표면 검사 장비를 통해 검사하게 되는데, 이때 검출되는 결함들은 구리로 인한 결함뿐만 아니라 피트(pit)성 결함, 보이드(void)성 결함, 스크래치(scratch)성 결함, PID(Plasma Induced Damage)성 결함들이 포함된다.
구리 등의 금속은 높은 확산도와 높은 용해도를 가지고 있으므로 매우 쉽게 오염될 수 있으나 쉽게 제거되지 않는 문제점이 있다. 따라서 웨이퍼 내의 구리 오염 수준을 측정하는 것은 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 매우 중요하다.
따라서, 금속 오염 기인성 결함을 검출하기 위해서는 검출된 결함들을 모두 전자 현미경으로 확인하여 결함들의 형태를 보거나, 성분을 분석하여 오염원이 금속인지 다른 원인인지를 파악해야 하는데 이러한 방법은 시간 및 금전적인 문제로 인해 시행되기 어려운 문제점이 있다.
그리고, 웨이퍼에 포함된 구리 등의 메탈을 검출할 때 표면(Surface)이나 벌크(Bulk)를 측정하는 방법이 있다.
웨이퍼의 표면의 구리를 검출하는 방법으로 VPD/ICP-MS 법이 있고, 벌크를 측정하는 방법으로 LTOD 법이 있다. 상술한 방법들은 모두 웨이퍼의 전 영역을 분석하는 방법이며, 국부적으로 발생하는 구리 오염 등의 결함(defect)은 위치를 정확하게 확인하기 어려운 문제점이 있다.
최근에는 상술한 분석법에 웨이퍼를 복수 개의 영역(area)로 나누고 각각의 영역을 차례로 스캔하는 방법이 제안되고 있으나, 이러한 방법 역시 웨이퍼 표면의 결함 발생 영역을 정확히 검출할 수 없다.
도 1은 종래의 표면의 결함 검출을 나타낸 도면이다.
먼저, 슬라이싱 공정과 랩핑 공정과 에칭 공정을 거친 웨이퍼를 준비하고(S110), 상기 웨이퍼의 표면을 열처리한다(S120). 이때 열처리는 250 ℃의 온도에서 3시간을 실행할 수 있다. 그리고, 웨이퍼 표면의 결함을 검사한다(S130).
이러한 방법에 의하면, 웨이퍼 표면의 열처리 공정에서 웨이퍼의 벌크 내부의 오염원이 표면으로 확산되는 외에, 외부의 오염원에 의하여 웨이퍼의 표면에 파티클(particle) 등이 형성될 수 있다.
실시예는 웨이퍼 내에서 메탈이 국부적으로 오염된 위치를 정확히 검출하고, 제거하는 방법을 제공하고자 한다.
실시예는 벌크(bulk) 내에 결함(defect)이 포함된 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 웨이퍼를 80 내지 120℃의 온도에서 6 내지 10 시간 동안 열처리하여, 상기 결함을 상기 웨이퍼의 표면으로 확산시키는 단계; 및 상기 웨이퍼 표면의 결함을 검사하는 단계를 포함하는 웨이퍼의 처리 방법을 제공한다.
결함 검사 단계는, 상기 웨이퍼 표면의 구리 분포를 검출할 수 있다.
결함 검사 단계는, 90 나노미터 이하의 크기를 갖는 구리를 검출할 수 있다.
웨이퍼의 처리 방법은 웨이퍼 표면의 결함을 제거하는 세정 단계를 더 포함할 수 있다.
웨이퍼의 처리 방법은 열처리 단계 이전에 상기 웨이퍼 표면의 결함을 사전 검사하는 단계를 더 포함할 수 있다.
웨이퍼의 열처리는 복수 개의 웨이퍼를 카세트에 배치하고 실행될 수 있다.
카세트는 PC 또는 PBT 수지로 이루어질 수 있다.
웨이퍼의 처리 방법은 웨이퍼를 가공하는 단계를 더 포함할 수 있다.
가공 단계는, 양면 연마 가공, 양면 연마 세정 가공, 최종 연마 가공 및 사전 세정 공정 중 적어도 하나일 수 있다.
가공 단계는 상기 열처리 공정의 이전 또는 이후에 이루어질 수 있다.
실시예에 따른 웨이퍼의 처리 방법은, 벌크 내에 구리 등의 오염 물질이 포함된 웨이퍼를 140 ℃ 이하의 온도에서 열처리하여 웨이퍼의 표면으로 구리를 확산시키되 다른 파티클에 의한 웨이퍼 표면의 오염을 방지하고, 표면에서 검출된 구리를 세정 공정 만으로 간단히 제거할 수 있다.
도 1은 종래의 웨이퍼 표면의 결함 검출을 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 표면의 결함 검출을 나타낸 도면이고,
도 3은 온도에 따른 웨이퍼 내에서의 구리 확산 길이를 나타낸 도면이고,
도 4는 도 2에서의 열처리 공정을 나타낸 도면이고,
도 5a는 도 2에서 웨이퍼 표면을 결함을 1차 검사한 결과를 나타낸 도면이고,
도 5b 및 도 5c는 도 2에서 열처리 후에 웨이퍼 표면의 결함을 검사한 결과를 나타낸 도면이고,
도 6은 웨이퍼 표면의 구리 제거를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 표면의 결함 검출을 나타낸 도면이고,
도 3은 온도에 따른 웨이퍼 내에서의 구리 확산 길이를 나타낸 도면이고,
도 4는 도 2에서의 열처리 공정을 나타낸 도면이고,
도 5a는 도 2에서 웨이퍼 표면을 결함을 1차 검사한 결과를 나타낸 도면이고,
도 5b 및 도 5c는 도 2에서 열처리 후에 웨이퍼 표면의 결함을 검사한 결과를 나타낸 도면이고,
도 6은 웨이퍼 표면의 구리 제거를 나타낸 도면이다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 실시예들을 설명한다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 표면의 결함 검출을 나타낸 도면이다.
먼저, 슬라이싱(S210) 공정과 랩핑(S220) 공정과 에칭(S230) 공정을 거친 웨이퍼를 준비한다(S210). 슬라이싱 공정에서 단결정 실리콘 잉곳을 웨이퍼 단위로 얇게 절단하고, 랩핑 공정에서 원하는 웨이퍼의 두께로 연마하면서 평탄도를 개선하고, 에칭 공정에서 웨이퍼의 손상을 제거한다. 상술한 공정에서 웨이퍼의 벌크에 구리 등의 금속이 오염될 수 있으므로, 아래의 결함 검사와 열처리 공정 등을 진행할 수 있다.
그리고, 웨이퍼 표면의 결함을 검사한다(S240). 본 단계에서의 웨이퍼 표면의 결함 검사는 후술하는 열처리 공정 후의 결함 검사와 구분하여, 1차 결함 검사라 할 수 있다.
그리고, 웨이퍼를 열처리한다(S250). 이때 열처리는 100 ℃의 온도에서 8시간을 실행할 수 있다. 본 실시예에서는 실리콘으로 이루어지는 웨이퍼 내에서 구리 등의 금속이 확산(diffesion)하는 것을 이용한다.
도 3은 온도에 따른 웨이퍼 내에서의 구리 확산 길이를 나타낸 도면이다. 도 3에서 온도에 따라서 웨이퍼 내에서 구리가 확산되는 길이의 차리를 나타내고 있다. 열처리 온도가 높을수록 동일한 시간에 구리가 확산되는 길이가 더 증가하는 것을 알 수 있다.
본 실시예에서는 웨이퍼를 80 내지 120 ℃의 온도에서 6시간 내이 10시간 동안 열처리하여 구리를 웨이퍼의 표면으로 확산시킬 수 있다.
종래와 같인 250 ℃의 온도에서 3시간 가량 열처리를 하면 웨이퍼 벌크 내의 구리는 모두 표면으로 확산될 수 있으나, 열처리 진행시에 웨이퍼의 오염이 심하게 발생하여 국부적인 구리의 분포를 확인하기 어렵다.
따라서, 본 실시예에서는 웨이퍼를 카세트 내에 배치하고 열처리를 진행하여, 웨이퍼를 원하는 온도에서 열처리하면서도 웨이퍼 자체의 오염을 방지할 수 있다. 즉, 웨이퍼를 카세트 내에 정렬하지 않고 열처리하면 웨이퍼의 표면에 다른 파티클(particle)이 오염되고, 웨이퍼의 표면에 구리와 파티클이 혼재되어 웨이퍼 표면의 구리 분포를 검사하기가 어렵다.
상술한 카세트는 PC(Polycarbonate) 또는 PBT(Polybutylene Terephthalate) 수지로 이루어질 수 있는데, 상술한 재료는 140 ℃ 부근의 온도에서 열에 의한 변형이 발생할 수 있다. 따라서, 종래와 같은 250 ℃의 온도에서 열처리를 하면 열에 의한 카세트의 변형이 발생할 수 있으므로, 본 실시예와 같이 140 ℃ 이하의 온도에서 열처리를 하면 웨이퍼의 벌크 내에서 구리를 표면으로 확산시키면서도 카세트의 변형에 의한 웨이퍼 표면의 오염은 방지할 수 있다.
도 4는 도 2에서의 열처리 공정을 나타낸 도면이다. 열처리 공정은 상온에서 시작하여 2시간 동안 웨이퍼 주변의 온도를 100 ℃까지 상승시키고, 100 ℃, 30%의 습도(humidity)에서 웨이퍼를 8시간 동안 열처리하고, 2시간 동안 상온으로 냉각시킨다.
상술한 열처리 공정 후에 웨이퍼 표면에서 구리를 검출할 때 90 나노미터 이하의 크기의 입자를 검출할 수 있다. 여기서, '크기'는 입자의 지름을 의미하며, 구리 입자의 크기를 고려하면 90 나노미터의 크기를 갖는 입자를 검출하여야 하며 그 이하의 크기를 갖는 입자를 검출할 수도 있다.
그리고, 웨이퍼 표면의 결함을 검사한다(S260). 본 단계에서의 웨이퍼 표면의 결함 검사는 전술한 열처리 공정 전의 결함 검사와 구분하여, 2차 결함 검사라 할 수 있다.
도 5a는 도 2에서 웨이퍼 표면을 결함을 1차 검사한 결과를 나타낸 도면이고, 도 5b 및 도 5c는 도 2에서 열처리 후에 웨이퍼 표면의 결함을 검사한 결과를 나타낸 도면이다.
즉, 벌크에 구리가 오염된 것으로 추정되는 웨이퍼를 준비하고 S240의 1차 결함을 검사하였을 때, 도 5a에 도시된 바와 같이 웨이퍼의 표면에서 클러스터(cluster) 형태의 결함이 관찰되지 않는다. 즉, 웨이퍼의 벌크 내의 구리가 웨이퍼의 표면으로 충분히 확산되지 않기 때문이다.
그리고, S250의 열처리 공정 후에 웨이퍼 표면의 결함을 관찰하면 클러스터 형태의 결함을 관찰할 수 있다. 도 5c에서 SEM(Scanning Election Microscopy)과 EDX(energy dispersive x-ray spectroscopy) 장치로 웨이퍼의 표면의 결함을 분석한 것이 도시되어 있다.
따라서, 벌크 내에 구리가 분포되어 검출되지 않던 웨이퍼를 상술한 열처리 공정을 실행하면, 구리가 웨이퍼의 표면으로 확산되므로, 열처리 공정 후에는 웨이퍼의 표면에서 구리에 의한 결함을 관찰할 수 있다.
상술한 효과를 확인하기 위하여 웨이퍼의 벌크에 구리를 강제주입할 수 있는데, 표면에 구리를 오염시킨 웨이퍼를 준비하고 오염된 웨이퍼에 도너 킬링(Donor Killing) 열처리를 750 ℃의 온도에서 10초 동안 수행하여, 구리가 웨이퍼의 벌크 내부로 진입할 수 있게 한다. 그리고, 상술한 웨이퍼 표면의 1차 결함 검사와 열처리 및 2차 결함 검사를 진행하면, 1차 결함 검사에서 검출되지 않은 구리를 2차 결함 검사에서 웨이퍼의 표면으로부터 검출할 수 있다.
웨이퍼의 열처리 공정 이전 또는 이후에 웨이퍼의 가공 공정을 진행할 수 있는데, 가공 공정은 양면 연마 가공(Double side polishing), 양면 연마 세정 가공(Double side polishing cleaning), 최종 연마 가공(Final polishing) 및 사전 세정 공정(Pre-cleaning system) 등일 수 있다.
그리고, 검출된 웨이퍼 표면의 구리 오염 등을 제거하는 세정 공정을 진행할 수 있다(S270). 웨이퍼의 세정은 RCA 클리닝(cleaning)법으로 진행할 수 있는데, RCA 클리닝은 화학적 방법으로 구리 등의 금속 불순물 외에 유기물도 제저할 수 있으며, 세정액으로 NH4OH+H2O2+H2O와 HCl+H2O2+H2O 및 HF를 조합하여 사용할 수 있다.
도 6은 웨이퍼 표면의 구리 제거를 나타낸 도면이다. 웨이퍼 표면에서 검출된 구리가 세정 공정 후에 제거됨을 알 수 있다. 웨이퍼의 벌크 내에 주입된 구리는 검출이 어렵고, 제거하려면 웨이퍼를 소정 두께로 식각하여야 하는 문제점이 있다. 그러나, 상술한 열처리 공정을 통하여 구리를 웨이퍼의 표면으로 확산시킨 후에 세정 공정 만으로 간단히 제거할 수 있다.
이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
Claims (10)
- 벌크(bulk) 내에 결함(defect)이 포함된 웨이퍼를 준비하는 단계;
상기 웨이퍼를 80 내지 100℃의 온도에서 6 내지 10 시간 동안 열처리하여, 상기 결함을 상기 웨이퍼의 표면으로 확산시키는 단계; 및
상기 웨이퍼 표면의 결함을 검사하는 단계를 포함하는 웨이퍼의 처리 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 결함 검사 단계는, 상기 웨이퍼 표면의 구리 분포를 검출하는 웨이퍼의 처리 방법. - 제2 항에 있어서,
상기 결함 검사 단계는, 90 나노미터 이하의 크기를 갖는 구리를 검출하는 웨이퍼의 처리 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 웨이퍼 표면의 결함 검사 후에, 상기 웨이퍼 표면의 결함을 제거하는 세정 단계를 더 포함하는 웨이퍼의 처리 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 열처리 단계 이전에 상기 웨이퍼 표면의 결함을 사전 검사하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼의 처리 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 웨이퍼의 열처리는 복수 개의 웨이퍼를 카세트에 배치하고 실행되는 웨이퍼의 처리 방법. - 제6 항에 있어서,
상기 카세트는 PC 또는 PBT 수지로 이루어지는 웨이퍼의 처리 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 열처리 공정 전에, 상기 웨이퍼를 가공하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼의 처리 방법. - 제8 항에 있어서, 상기 가공 단계는,
양면 연마 가공, 양면 연마 세정 가공, 최종 연마 가공 및 사전 세정 공정 중 적어도 하나인 웨이퍼의 처리 방법. - 삭제
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| KR970063618A (ko) * | 1996-02-15 | 1997-09-12 | 니시무로 타이조 | 반도체기판의 제조방법 및 반도체기판의 검사방법 |
| KR20050012500A (ko) * | 2003-07-25 | 2005-02-02 | 주식회사 실트론 | 실리콘웨이퍼의 결함 검출방법 |
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Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| KR970063618A (ko) * | 1996-02-15 | 1997-09-12 | 니시무로 타이조 | 반도체기판의 제조방법 및 반도체기판의 검사방법 |
| JP2005510085A (ja) | 2001-11-16 | 2005-04-14 | バリアン・セミコンダクター・イクイップメント・アソシエーツ・インコーポレーテッド | 極浅接合を形成するための方法 |
| KR20050012500A (ko) * | 2003-07-25 | 2005-02-02 | 주식회사 실트론 | 실리콘웨이퍼의 결함 검출방법 |
| KR20100061122A (ko) * | 2008-11-28 | 2010-06-07 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 제조 방법 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106067435A (zh) * | 2015-04-23 | 2016-11-02 | 株式会社荏原制作所 | 基板处理装置及基板异常的检测方法 |
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