KR101575922B1 - 직렬 연결된 세그먼트화 led - Google Patents

직렬 연결된 세그먼트화 led Download PDF

Info

Publication number
KR101575922B1
KR101575922B1 KR1020117005709A KR20117005709A KR101575922B1 KR 101575922 B1 KR101575922 B1 KR 101575922B1 KR 1020117005709 A KR1020117005709 A KR 1020117005709A KR 20117005709 A KR20117005709 A KR 20117005709A KR 101575922 B1 KR101575922 B1 KR 101575922B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
segment
trench
light
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020117005709A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110057152A (ko
Inventor
굴람 하스나인
Original Assignee
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 가부시끼가이샤 도시바
Publication of KR20110057152A publication Critical patent/KR20110057152A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101575922B1 publication Critical patent/KR101575922B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

광원(60) 및 이를 제조하기 위한 방법이 개시되어 있다. 광원(60)은 기판(51), 및 세그먼트(64, 65)로 분할된 발광 구조를 포함한다. 발광 구조는 기판(51) 위에 증착된 제 1 전도성 타입의 반도체 물질의 제 1 층(52), 제 1 층(52) 위에 놓인 활성층(55), 및 활성층(55) 위에 놓인 제 1 전도성 타입과 반대인 전도성 타입의 반도체 물질의 제 2 층(53)을 포함한다. 장벽(66)은 서로 전기적으로 절연된 제 1 및 제 2 세그먼트들(64, 65)로 발광 구조를 분할한다. 직렬 연결 전극(59)은 제 1 세그먼트(64)의 제 1 층을 상기 제 2 세그먼트(65)의 제 2 층에 연결한다. 제 1 전력 콘택트(61)는 제 1 세그먼트(64)의 제 2 층에 전기적으로 연결되고, 제 2 전력 콘택트(62)는 제 2 세그먼트(65)의 제 1 층에 전기적으로 연결된다.

Description

직렬 연결된 세그먼트화 LED{Series connected segmented LED}
본 발명은 직렬 연결된 세그먼트화 LED에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)들은 전기 에너지를 광으로 전환하는 중요한 종류의 고체상태 디바이스들이다. 이들 디바이스에서의 개선으로 통상적인 백열(incandescent) 및 형광(fluorescent) 광원들을 교체하도록 설계된 조명 기구(light fixture)들이 사용되어 왔다. LED들은 상당히 더 긴 수명을 가지며, 몇 경우에는, 전기 에너지를 광으로 전환하기 위한 상당히 더 높은 효율성을 가진다.
이 설명을 위해, LED를 3 개의 층을 가지며, 활성층이 2 개의 다른 층들 사이에 끼어 있는 것으로 나타낼 수 있다. 활성층은 외부 층들로부터 정공 및 전자가 활성층에서 결합하는 경우 광을 방출한다. 정공 및 전자는 LED를 통해 전류를 통과시킴으로써 발생된다. LED는 상부 층, 및 하부 층에 전기 연결을 제공하는 콘택트 위에 놓인 전극을 통해 전력이 공급된다.
LED들의 비용 및 전력 전환 효율성은 이 새로운 기술이 통상적인 광원을 대체하며 높은 전력의 응용들에 활용되는 속도를 결정하는데 있어 중요한 인자들이다. LED의 전환 효율성은 LED에 의해 방출된 광전력 대 소멸된 전기 전력의 비로 정의된다. LED를 떠나는 광으로 전환되지 않은 전기 전력은 LED의 온도를 상승시키는 열로 전환된다. 열 소산은 LED가 동작하는 전력 레벨 상의 제한을 둔다.
전기의 광으로의 전환의 효율성은 LED가 구성되는 물질 체계에 따르는 양자 효율성과, 또한 관련없는 저항성 손실들에 좌우된다. GaN-기반 LED들에 대해, 활성층 위에 놓인 p-형 층은 매우 높은 전기 저항성을 가진다. 이는 또한 다양한 설계에서 광이 나가는 상부 층이다. 결과적으로, ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명한 전도층은 칩에 걸쳐 측방향으로 전류를 확산하며 이 ITO 층의 면 저항(sheet resistance)은 활성 층들 아래에 n-형 GaN 층의 면 저항과 비슷한 것으로 선택된다. 대형 면적의 전력 칩들에 대해, 전기 저항성을 더욱 감소시키기 위해, 금속 전극지(electrode finger)들은 n-GaN 층을 노출하기 위해 아래로 에칭된 트렌치들에서뿐만 아니라 ITO 층들 위에 사용된다. 불투명한 이들 금속 전극들은 광 차단을 최소화하는 것을 가능하게 하는 한 좁게 만들어져야 하지만 이는 주어진 금속 두께에 대해 단위 길이 당 저항을 증가시킨다. 따라서, 주어진 전극 너비에 대해, 전극 금속의 두께는 전극의 길이에 걸쳐 전압 강하가 일정하게 그리고 최소로 유지된다면 더 높은 전류 동작을 위해 증가되어야 한다.
또한, 활성층이 전력을 광으로 전환하는 효율성은 특정 설계 및 활성 영역 층들의 품질에 따라 어느 정도의 선을 넘어서면 밀도에 따라 감소한다. 따라서, LED의 단위 면적당 광의 양은 실질적 한계에 도달한다. 이 한계에 도달하면 더 높은 광출력을 제공하기 위해, LED의 영역이 증가되어야 한다. 그러나, LED의 상부 표면상에 확산하는 적절한 전류를 제공하기 위해, LED의 상부 표면 위에 단일 접촉으로부터 전력이 공급될 수 있는 LED의 크기에 대한 한계가 존재한다. 광이 LED의 상부 표면을 통해 추출되는 경우, (ITO와 같은) 투명한 전도층이 앞서 설명된 이유로 상부 층 상에 증착된다. 이 물질이 밑에 있는 GaN보다 상당히 낮은 저항성을 가지는 반면, 여전히 층의 저항성은 상당하다. 주로, ITO 층에서의 저항 손실은 ITO의 두꺼운 층들을 사용함으로써 극복될 수 있지만, 그러나, ITO는 청색에 있어 무시할 수 없는 흡수를 가지며 부분적으로 "투명"하고, 그러므로 ITO 층의 두께에 있어 실질적 한계가 존재한다. 실제로, 추가 금속 콘택트들은 전류 확산을 돕기 위해 ITO 층 위에 제공되지만, 그러나 이와 같은 콘택트들은 불투명하고, 그러므로 광 출력을 감소시킨다.
p-형 층 상에서 물질들의 전류 확산과 광 흡수 사이의 다양한 교환(tradeoffs)의 결과로서, 단일 LED의 크기에 실질적 한계가 존재한다. 그러므로, 단일 LED에 의해 제공될 수 있는 것보다 더 많은 광 출력을 요구하는 광원들은 다수의 더 작은 LED들로 구성되어야 한다. 비용을 최소화하기 위해, 다수의 LED들은 동일한 다이에 구성되고 이 다이 상에 공통의 단자들로부터 전력이 공급된다. 이와 같은 광원들은 때때로 세그먼트화 LED로 언급된다. 그러나, 각각의 세그먼트는 다이 위에서 다른 LED들에 연결되어 있는 단일 LED로 보여질 수 있다.
이 설계의 종래 기술의 광원들에서, 개별 세그먼트들은 병렬로 연결되어 있다. 이는 다수의 문제점을 유발한다. 먼저, 광원에 인가될 수 있는 최대 전압은 단일 LED가 견딜 수 있는 최대 전압, 전형적으로 약간의 볼트에 의해 결정된다. 그 결과, 광원에 전력을 공급하는 전원은 낮은 전압으로 매우 높은 전류를 제공해야 한다. 이는 전원과 광원 사이의 컨덕터들에서의 또다른 전력 손실을 유발한다. 또한, 개별 LED의 밝기는 각각의 LED에 전력을 공급하는 2 개의 콘택트들 사이에 존재하는 저항에서의 변화를 야기하는 다이에 걸친 프로세싱 변화 때문에 광원에 걸쳐 변할 수 있다.
본 발명의 내용에 포함되어 있음.
본 발명은 광원 및 이를 제조하기 위한 방법을 포함한다. 광원은 기판, 및 세그먼트로 분할된 발광 구조를 포함한다. 발광 구조는 기판 위에 증착된 제 1 전도성 타입의 반도체 물질의 제 1 층, 제 1 층 위에 놓인 활성층, 및 활성층 위에 놓인 제 1 전도성 타입과 반대인 전도성 타입의 반도체 물질의 제 2 층을 포함한다. 발광 구조는 또한 서로 전기적으로 절연된 제 1 및 제 2 세그먼트들로 발광 구조를 분할하는 장벽을 포함한다. 직렬 연결 전극은 제 1 세그먼트의 제 1 층을 상기 제 2 세그먼트의 제 2 층에 연결한다. 광원은 제 1 및 제 2 전력 콘택트들로부터 전력이 공급된다. 제 1 전력 콘택트는 제 1 세그먼트의 제 2 층에 전기적으로 연결되고, 제 2 전력 콘택트는 제 2 세그먼트의 제 1 층에 전기적으로 연결된다. 제 1 및 제 2 세그먼트들은 전위차가 제 1 및 제 2 전력 콘택트들 사이에 생성되는 경우 광을 발생시킨다.
본 발명의 일 태양에서, 장벽은 발광 구조를 통해 확장하는 트렌치를 포함한다. 직렬 연결 전극은 트렌치에 증착된 전도성 물질의 층을 포함한다. 트렌치는 전도성 물질의 층이 제 2 세그먼트의 제 1 층 또는 활성층과 직접 접촉하게 하는 것을 방지하는 절연층을 가진다.
본 발명의 또다른 태양에서, 절연층은 제 2 세그먼트의 활성층 위에 놓인 직렬 연결 전극의 일부 밑에 있다.
본 발명의 또다른 태양에서, 전도성 물질은 금속 또는 ITO이다.
본 발명의 또다른 태양에서, 장벽은 제 1 층에서 이동하는 광에 투명하다.
본 발명의 내용에 포함되어 있음.
도 1은 종래 기술의 LED에 관한 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 선 2-2를 통한 종래 기술의 LED(20)에 관한 단면도이다.
도 3은 종래 기술의 광원에 관한 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 선 4-4를 통한 종래 기술의 광원(40)에 관한 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 광원의 일 실시예예 관한 평면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 선 6-6을 통한 광원(60)에 관한 단면도이다.
도 7은 광원(60)의 또다른 단면도이다.
도 8은 절연 트렌치의 하부를 채우기 위해 클리어 절연체(clear insulator)를 사용함으로써 광 손실 문제가 감소되는 본 발명의 일 실시예를 도시한다.
도 9a-9d는 금속 직렬 연결 전극을 활용하는 광원이 제조되는 방식을 도시한다.
도 10a-10c는 절연 트렌치가 유리로 채워지는 광원을 가지는 웨이퍼의 일부분에 관한 단면도이다.
도 11은 3개의 세그먼트들을 가지는 광원의 단면도이다.
본 발명이 이점을 제공하는 방법은 종래 기술의 GaN-기반 LED를 도시하는, 도 1 및 도 2를 참고로 하여 더 잘 쉽게 이해될 수 있다. 도 1은 LED(20)에 관한 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 선 2-2를 따른 LED(20)의 단면도이다. LED(20)는 사파이어 기판(19) 위에 3 개의 층들을 가지는 발광 구조(21)를 성장시킴으로써 구성된다. 제 1 층(22)은 n-형 GaN 물질이다. 제 2 층(23)은 안에서 정공 및 전자가 결합하는 경우 광을 방출하는 활성층이다. 제 3 층은 p-형 GaN 층(24)이다. 이들 각각의 층은 복수의 서브-층들을 포함할 수 있다. 이들 서브-층의 기능이 당해 기술에 주지되어 있으며 본 발명의 중심이 되지 않기 때문에, 이들 서브-층에 대한 상세한 설명은 도면 및 이하 설명에서 생략되어 있다.
트렌치(28)는 층(23 및 24)을 통해 에칭되며, 콘택트(26)는 전기 연결을 층(22)에 제공하기 위해 트렌치(28)의 하부 표면 위에 증착되어 있다. 층(24)으로의 전기 연결은 ITO(indium tin oxide)로부터 전형적으로 구성된 투명 전극(27)에 의해 제공된다. 층(27)은 전원으로 전기 연결을 제공하는 제 2 콘택트(25)에 연결되어 있다. 전력이 콘택트(25 및 26)에 제공되는 경우, 광은 활성층(23)에서 발생되고 29로 도시된 바와 같이 투명 전극(27)을 통하여 LED(20)로부터 추출된다.
p-형 GaN의 비저항은 n-형 GaN의 비저항보다 훨씬 더 크다. LED(20)의 광 발생 효율성을 극대화하기 위해, 활성층(23)에 걸친 전류 밀도는 균일해야 한다. 즉, 경로(31-33)의 저항은 모두 동일해야한다. 층(27)이 없는 경우, 경로(31)의 저항은 경로(33)의 저항보다 훨씬 작을 것이며, 그러므로 광 발생은 경로(31) 주위의 활성 영역에 집중되며 LED의 표면에 걸쳐 세기에서 기울기를 유발한다. ITO의 비저항이 p-형 GaN의 비저항보다 상당히 낮은 반면, ITO 층을 통한 저항은 무시할 수 없다. LED들의 전력 출력이 증가됨에 따라, ITO에서의 손실이 중요하게 되며 ITO 층의 두께가 증가하지 않는 한 광 세기의 기울기가 발생한다. 불행하게도, ITO 두께가 증가함에 따라, ITO에서 흡수된 광의 량은 또한 증가한다. 층이 높은 전력의 LED들에 요구된 전류 밀도들을 수용하기 위해 증가되는 경우 ITO에서 광의 흡수로부터의 광 손실은 중요하게 된다.
전술한 바와 같이, 종래 기술의 디바이스들은 광을 방출하는 광원의 영역, 이에 의해 전체 광 출력을 증가시키기 위해 세그먼트화 설계를 활용한다. 종래 기술의 세그먼트화 광원을 도시하는 도 3 및 4를 참고한다. 도 3은 광원(40)의 평면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 선 4-4를 따른 광원(40)의 단면도이다. 설명을 간단히 하기 위해, 광원(40)은 2 개의 세그먼트들(51 및 52)만을 포함하지만, 그러나, 추가 세그먼트들이 활용될 수 있음은 명백하다. 광원(40)은 기판(41) 위의 통상적인 3-층 구조(42)를 성장시킴으로써 구성된다. ITO 층(44)은 p-층 상에 증착된다. 층들이 증착된 이후, 구조는 3-층 구조의 층(43)을 노출시키기 위해 에칭된다. n-콘택트(46)는 전기 콘택트를 층(43)에 제공하기 위해 에칭된 트렌치에 증착된다. p-콘택트(45)는 세그먼트화된 ITO 층 위에 증착된다. 각각의 세그먼트의 n-콘택트들은 47에 도시된 바와 같이 함께 연결된다. 마찬가지로, 각각의 세그먼트의 p-콘택트들은 48로 도시된 바와 같이 함께 연결되어 있다.
트렌치들이 에칭된 이후 세그먼트들이 연결된 채로 남아있는 공통의 n-형층을 공유하기 때문에, 이 구조는 세그먼트들이 병렬로 연결되는 배열에서 활용될 수 있을 뿐임을 유의해야 한다. 그러므로, 컨덕터(47 및 48)에 의해 전달되어야 하는 전류는 개별 세그먼트들에 전력을 공급하는데 필요한 전류들의 합이다. 낮은 전압의 높은 전류를 제공하는 것은 광원의 비용을 증가시키거나 또는 광 발생의 효율성을 감소시키는 문제점을 나타낸다. 예를 들어, 전극 금속 두께는 금속 저항을 낮추기 위해 증가되어야 하며, 이는 금속이 전형적으로 금이기 때문에 칩 비용을 증가시킬 뿐만 아니라, 또한 조작 및 기계적 문제점을 도입하였다.
본 발명의 일 태양을 활용하는 세그먼트화 LED 광원을 도시하는, 도 5 및 6을 참고한다. 도 5는 광원(60)의 평면도이고 도 6은 도 5에 도시된 선 6-6을 따른 광원(60)의 단면도이다. 광원(60)은 2 개의 세그먼트들(64 및 65)를 포함하지만, 그러나, 더 많은 세그먼트들을 가지는 광원들이 본 발명으로부터 구성될 수 있음은 다음의 설명으로부터 명백하다. 광원(60)은 층들이 사파이어 기판(51) 위에 성장되는 동일한 3-층 LED 구조로부터 구성된다. n-층(52)은 기판(51) 위에 성장되고, 이후 활성층(55) 및 p-층(53)이 n-층(52) 상에 성장된다.
세그먼트들(64 및 65)은 기판(51)으로 층(52)을 통해 확장하는 절연 트렌치(66)에 의해 분리된다. 절연 트렌치(66)는 층(52)으로 부분적으로만 확장하는 플래토(plateau)(67)를 포함한다. 절연 트렌치(66)의 벽들은 각각의 세그먼트와 연관된 층(52)의 일부에 전기적 접촉을 만들기 위해 개방 영역(58)을 포함하는 절연층(57)에 의해 커버된다. 절연층(57)은 핀홀 결점들이 없는 절연층을 제공하는 임의 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, SiNx는 절연 물질로 사용될 수 있다. 다른 물질들은 폴리이미드, BCB 및 스핀-온-글래스(spin-on-glass) 및 장치 평탄화를 위해 반도체 산업에서 통상적으로 사용되는 물질을 포함할 수 있다.
유사한 트렌치들이 68 및 69로 도시된 바와 같이 광원(60)의 단부들 상에 제공되어 있다. 직렬 연결 전극(59)은 전극(59)이 절연층(57) 안에 개구부(58)를 통해 층(52)과 접촉하도록 절연 트렌치(66)에서 증착된다. 전극(59)은 또한 인접한 세그먼트에서 ITO 층(56)과 전기 접촉을 형성한다. 그러므로, 전력이 전극들(61 및 62)를 경유하여 제공되는 경우, 세그먼트들(64 및 65)은 직렬로 연결된다. 그 결과, 광원(60)은 도 3 및 4에 관하여 위에서 논의된 광원(40)의 2 배의 전압 및 절반의 전류로 동작한다.
본 발명의 일 태양에서, 절연층(57)은 도 6에서 57a로 도시된 바와 같이 전극들(59 및 61) 아래에서 확장한다. 전극(59)이 불투명하기 때문에, 전극(59)은 전극(59) 바로 아래에 있는 활성층(55)의 일부에서 발생된 광을 차단한다. 이와 관련하여, 도면들에 도시된 층들의 두께는 일정한 비율이 아님을 유의해야 한다. 실제로 층(53)의 두께는 층(52)의 두께보다 훨씬 더 작으며, 그러므로 전극(59)은 전극(59) 아래에서 발생되는 광의 대부분을 차단한다. 따라서, 전극(59) 아래의 층(55)을 관통하는 전류는 실질적으로 낭비되며, 이는 이 전류에 의해 발생된 광의 대부분이 손실되기 때문이다. 절연층 확장은 전류가 층(55)의 낭비된 영역을 통해 흐르는 것을 차단하여, 광원의 전체 효율성을 개선한다. 유사한 문제가 전극(61) 아래에도 존재하며, 그러므로 절연층은 마찬가지로 이 전극 아래에서 확장된다.
광원(60)의 또다른 단면도인 도 7을 참고한다. 직렬 연결 전극(59)은 구리 또는 알루미늄과 같은 금속의 층을 증착함으로써 구성될 수 있다. 그러나, 이와 같은 층은 광이 세그먼트들(64 및 65)들 사이에서 이동하는 것을 막는다. GaN 기반 LED들에서, 활성층(55)에 발생된 광의 상당한 부분은 기판(51)과 층(52) 사이의 경계 및 층(53)과 ITO 층(56) 사이의 경계와 같은 광의 경계들에서 내부 반사 때문에 광원 내에 트랩된다. 예시적인 트랩된 광선(ray)은 71로 도시되어 있다.
트랩된 광은, LED가 반사 표면들 중 하나 이상의 반사 표면에서 반사 각도를 랜덤화하는 몇 가지의 메커니즘을 포함하지 않는 한, 흡수 때문에 광이 손실될 때까지 당해 층들 사이에서 앞뒤로 반사된다. 전형적으로, 층(53)의 상부 표면이 거칠게된다. 그 결과, 광이 경계(72) 상에 영향을 미칠 때마다, 광은 거칠어진 표면을 관통하거나 또는 층(53)의 평균 표면으로의 법선에 대하여 다른 각도로 다시 반사된다. 그 결과, 각각의 반사시 반사된 광의 일부는 광이 위로 반사되며 표면(72)과 부딪히는 다음번에 광이 탈출하도록 하는 각도로 표면을 떠난다.
전극(59)이 금속이라면, 광선(71)은 전극(59)에 의해 가로막아지며, 세그먼트(64)로 다시 반사되거나 또는 세그먼트(65)로 나아가는 것보다는 차라리 손실되고 다시 세그먼트(65)의 표면(72)의 일부에 도달한다. 광이 세그먼트(64)로 다시 반사된다면, 광의 약간의 부분은 표면(71)과 다음번 부딪힘으로 탈출할 것이다. 불행하게도, 절연 트렌치의 표면과 같은 에칭된 표면들 상에 증착된 금속의 층들은 100 퍼센트에 상당히 미만인 반사율을 가진다. 이와 관련하여, 광원(60)에서의 다양한 층들이 일정한 비율로 그려지지 않음을 유의해야 한다. 실제로, 층(52)은 층(53 및 55)들의 합보다 훨씬 더 두껍다. 그러므로, 전극(59)을 때리는 광의 상당한 부분이 손실된다.
본 발명의 일 태양에서, 이 광 손실 문제는 전극(59)에 대한 ITO와 같은 투명한 컨덕터를 활용함으로써 감소된다. 세그먼트들 사이로 광을 전파하기 위한 전극(59)의 투명성은 기판(51)으로 확장하는 절연 트렌치 내의 층의 단면, 즉 도 7에 도시된 "t"에 의해 결정된다. 반면, 전극(59)의 저항은 전극(59)의 전체 단면 영역, 즉 도 7에 도시된 치수 "T"에 의해 결정된다. 그러므로, 전극(59)은 수용가능한 광 전송을 가지는데 충분한 두께로 만들어질 수 있는 동안 여전히 세그먼트들 사이의 전류에 상당히 낮은 저항을 제공한다.
또한, 전극(59)이 투명하다면, 전극(59) 아래에서 발생된 광이 전극(59)을 통해 탈출할 수 있기 때문에, 도 6에서 57a로 도시된 절연층의 일부가 필요하지 않음을 또한 유의해야 한다. 그러므로, 전극(59)에 투명한 전극 물질을 사용하는 것은 또한 세그먼트(65)의 사용가능한 영역을 또한 증가시킨다.
위에서 논의된 광 손실 문제가 절연 트렌치의 하부를 채우기 위해 클리어 절연체를 사용함으로써 감소되는, 본 발명의 실시예를 도시하는 도 8을 참고한다. 광원(80)에서, 기판(51)으로 확장하는 절연 트렌치의 일부는 81로 도시된 유리층과 같은 클리어 절연체로 채워진다. 개별 금속 전극(82)은 세그먼트(84 및 85)들 사이의 직렬 연결을 만드는데 사용된다.
금속 직렬 연결 전극을 활용하는 광원이 제조되는 방식을 설명하는 도 9a-9d를 참고로 한다. 도 9a-9d는 2 개의 세그먼트들을 가지는 광원(90)이 제조 공정에서 다양한 단계들에 나타나 있는 웨이퍼의 일부에 관한 단면도이다. 도 9a를 참고로 하면, 광원(90)은 사파이어 기판(51) 위에 GaN 층들(52, 55, 및 53)을 증착함으로써 구성된다. 이 공정은 당해 기술에 통상적이므로, 본 발명에서 상세히 논의되지 않을 것이다. 층들이 증착된 이후, 트렌치(92a-92c)들은 층들(53 및 55)을 통해 그리고 n-형 층(52)로 에칭된다.
도 9b를 참고로 한다. 트렌치(92a-92c)가 에칭된 이후, 웨이퍼는 마스킹되고 트렌치(93a-93c)들은 기판(51)으로 아래쪽으로 에칭된다. 트렌치(93b)는 전술된 절연 트렌치를 구성하는데 사용된다. 도 9c를 참고하면, SiN의 패터닝된 절연층(94)은 이후 트렌치의 벽들 위에 증착되고, 개구부(95)들은 전기 액세스를 층(52)에 제공하기 위해 층(94)에서 에칭된다.
도 9d를 참고로 한다. 패터닝된 ITO 층(96)은 p-형 층(53) 상에 증착된다. 층(53)이 광 추출을 개선하기 위해 거칠게 되는 실시예에서, 층(53)의 상부 표면은 층(96)이 증착되기 전에 원하는 확산 특징들을 제공하기 위해 에칭된다. 패터닝된 금속 층은 광원(90)에 전력을 공급하는데 사용되는 직렬 연결 전극(97) 및 콘택트들(98 및 99)을 제공하기 위해 증착된다.
전술한 바와 같이, 직렬 전극(97)이 ITO로부터 구성되는 본 발명의 실시예들은 광 추출의 면에서 이점을 가진다. 이와 같은 실시예들에서, 직렬 연결 전극은 ITO 또는 유사한 투명 컨덕터로부터 구성되고, 직렬 연결 전극은 층(96)과 동시에 증착된다.
절연 트렌치가 클리어 절연체를 포함하는 실시예들의 구성은 유사한 방식으로 구성된다. 절연 트렌치가 유리로 채워지는 광원(100)을 가지는 웨이퍼의 일부에 관한 단면도인, 도 10a-10c를 참고한다. 도 10a를 참고한다. 제조 공정은 도 9a 및 9b와 관련하여 전술한 것과 동일한 방식으로 진행한다. 절연 트렌치가 개방된 이후, 절연 트렌치는 101로 도시된 유리로 채워진다. 유리층은 이후 층(52)의 플래토로 아래쪽으로 트렌치를 개방하도록 부분적으로 에칭되며 도 10b에 도시된 바와 같이 유리 벽(102)를 남긴다. SiN의 패터닝된 층(103)은 103으로 도시된 바와 같이 증착되어 있다. ITO 층(107)은 이후 도 10c에서 107로 도시된 바와 같이 층(53)의 표면상에 증착되고 패터닝된 금속 층은 직렬 연결 전극(104) 및 전력 콘택트들(105 및 106)을 형성하도록 증착된다.
본 발명의 전술한 실시예들은 2 개의 세그먼트만을 가진다. 그러나, 3 개 이상의 세그먼트를 가지는 광원들이 본 발명의 사상을 벗어나지 않고 구성될 수 있다. 3 개의 세그먼트를 가지는 광원의 단면도를 나타내는 도 11을 참고한다. 광원(150)은 직렬 연결 전극들(162 및 163)을 이용하여 직렬로 연결된 세그먼트들(151-153)을 활용한다. 광원은 콘택트들(161 및 164) 사이에 개별 세그먼트들의 각각에 전력을 공급하는데 필요한 3 배의 전압과 동일하거나 또는 더 큰 전위차를 인가함으로써 전력이 공급된다. 더 많은 세그먼트들을 가지는 광원들은 세그먼트(152)를 복제함으로써 구성될 수 있다.
본 발명의 전술한 실시예들은 본 발명의 다양한 태양을 설명하도록 제공되어 있다. 그러나, 다른 구체적 실시예들에 도시되어 있는 본 발명의 다른 태양이 본 발명의 다른 실시예들을 제공하기 위해 결합될 수 있음을 이해할 수 있다. 또한, 본 발명에 대한 다양한 수정은 앞선 설명과 첨부한 도면들로부터 당업자에 명백하게 될 것이다. 따라서, 본 발명은 다음의 청구항들의 범위에 의해서만 제한되는 것이다.
본 발명의 내용에 포함되어 있음.

Claims (14)

  1. 기판;
    발광 구조로서, 상기 기판 위에 퇴적된 제 1 전도성 타입의 반도체 물질의 제 1 층, 상기 제 1 층 위에 놓인 활성층, 및 상기 활성층 위에 놓인, 상기 제 1 전도성 타입과는 반대인 전도성 타입의 반도체 물질의 제 2 층을 포함하는 발광 구조;
    상기 발광 구조를 관통하여, 상기 발광 구조를 제 1 및 제 2 세그먼트로 분할하는 트렌치로서, 그 일부는 상기 제 1 세그먼트 내의 상기 제 1 층의 도중까지 도달하여, 상기 제 1 층을 남기고 있는 트렌치;
    상기 트렌치 내에 퇴적된 전도성 물질의 층을 포함하고, 상기 제 2 세그먼트 내의 상기 활성층의 상방으로 연장되고, 상기 제 1 세그먼트 내의 상기 제 1 층을 상기 제 2 세그먼트 내의 상기 제 2 층에 접속하는 직렬 연결 전극;
    상기 트렌치의 저면 및 상기 제 2 세그먼트 내의 상기 제 1 층 및 상기 활성층의 측면에 형성되고, 상기 트렌치 내에 남겨진 상기 제 1 세그먼트 내의 상기 제 1 층의 상면으로 연장되고, 상기 직렬 연결 전극이 상기 제 2 세그먼트 내의 상기 제 1 층 및 상기 활성층과 직접 접촉하는 것을 방지하도록 형성된 절연층;
    상기 제 1 세그먼트 내의 상기 제 2 층에 전기적으로 접속된 제 1 전력 콘택트; 및
    상기 제 2 세그먼트 내의 상기 제 1 층에 전기적으로 접속된 제 2 전력 콘택트를 포함하고,
    상기 절연층은, 상기 제 2 세그먼트 내의 상기 활성층의 상방에 위치하는 상기 직렬 연결 전극과 상기 제 2 세그먼트 내의 상기 활성층 사이에 연장되어 형성되어 있고,
    상기 제 1 및 제 2 전력 콘택트 사이에 전위차가 생성되는 경우, 상기 제 1 및 제 2 세그먼트는 광을 발생시키는, 광원.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 직렬 연결 전극은, 상기 트렌치 내에 남은 상기 제 1 세그먼트 내의 상기 제 1 층 위에 연장된 상기 절연층에 형성된 개구부를 통해서, 상기 제1 세그먼트 내의 상기 제 1 층과 접속되어 있는, 광원.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전도성 물질은 금속을 포함하는, 광원.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전도성 물질은 ITO를 포함하는, 광원.
  5. 기판 위에 발광 구조를 퇴적하는 단계로서, 상기 발광 구조는 상기 기판 위에 퇴적된 제 1 전도성 타입의 반도체 물질의 제 1 층, 상기 제 1 층 위에 놓인 활성층, 및 상기 활성층 위에 놓인, 상기 제 1 전도성 타입과는 반대인 전도성 타입의 반도체 물질의 제 2 층을 포함하는 단계;
    상기 발광 구조를 관통하여 상기 기판까지 도달하여 있는 트렌치를 에칭함으로써, 상기 발광 구조를 제 1 및 제 2 세그먼트로 분할하는 단계로서, 상기 트렌치의 일부에서는 상기 제 1 세그먼트 내의 상기 제 1 층의 도중까지 도달하도록 하여 상기 제 1 층을 남기는 단계;
    상기 트렌치에 있어서, 상기 트렌치의 저면 및 상기 제 2 세그먼트 내의 상기 제 1 층 및 상기 활성층의 측면을 덮음과 함께, 상기 트렌치 내에 남은 상기 제 1 세그먼트 내의 상기 제 1 층의 상면으로 연장시켜, 상기 제 2 세그먼트 내의 상기 제 2 층 위에 연장되도록 절연층을 형성하는 단계;
    상기 트렌치 내에 퇴적되는 전도성 물질의 층을 포함하고, 상기 제 2 세그먼트 내의 상기 제 2 층 위에 형성된 상기 절연층의 위로 연장되어, 상기 제 1 세그먼트 내의 상기 제 1 층을 상기 제 2 세그먼트 내의 상기 제 2 층에 접속하는 직렬 연결 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1 세그먼트 내의 상기 제 2 층에 전기적으로 연결된 제 1 전력 콘택트, 및 상기 제 2 세그먼트 내의 상기 제 1 층에 전기적으로 접속된 제 2 전력 콘택트를 제공하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 전력 콘택트 사이에 전위차가 생성되는 경우 상기 제 1 및 제 2 세그먼트는 광을 발생시키는, 광원의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 세그먼트 내의 상기 제 1 층 위에 연장된 상기 절연층에 개구부를 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 직렬 연결 전극을 상기 트렌치 내에 형성하는 단계는, 상기 직렬 연결 전극이 상기 개구부를 통해서 상기 제 1 세그먼트 내의 상기 제 1 층과 접속되도록 하는 단계를 포함하는, 광원의 제조 방법.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 전도성 물질은 금속을 포함하는, 광원의 제조 방법.
  8. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 전도성 물질은 ITO를 포함하는, 광원의 제조 방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
KR1020117005709A 2008-09-11 2009-08-20 직렬 연결된 세그먼트화 led KR101575922B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/208,502 US7939839B2 (en) 2008-09-11 2008-09-11 Series connected segmented LED
US12/208,502 2008-09-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110057152A KR20110057152A (ko) 2011-05-31
KR101575922B1 true KR101575922B1 (ko) 2015-12-08

Family

ID=41798442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117005709A KR101575922B1 (ko) 2008-09-11 2009-08-20 직렬 연결된 세그먼트화 led

Country Status (8)

Country Link
US (3) US7939839B2 (ko)
EP (1) EP2338183B1 (ko)
JP (2) JP2012507134A (ko)
KR (1) KR101575922B1 (ko)
CN (1) CN102132429B (ko)
HK (1) HK1158827A1 (ko)
TW (1) TWI462282B (ko)
WO (1) WO2010030482A2 (ko)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8698184B2 (en) * 2011-01-21 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting diodes with low junction temperature and solid state backlight components including light emitting diodes with low junction temperature
US9443903B2 (en) 2006-06-30 2016-09-13 Cree, Inc. Low temperature high strength metal stack for die attachment
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US7939839B2 (en) * 2008-09-11 2011-05-10 Bridgelux, Inc. Series connected segmented LED
TWI418060B (zh) * 2008-12-26 2013-12-01 Lextar Electronics Corp 發光二極體晶片的製造方法
US7982409B2 (en) 2009-02-26 2011-07-19 Bridgelux, Inc. Light sources utilizing segmented LEDs to compensate for manufacturing variations in the light output of individual segmented LEDs
US8581229B2 (en) * 2009-11-23 2013-11-12 Koninklijke Philips N.V. III-V light emitting device with thin n-type region
KR101081135B1 (ko) * 2010-03-15 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
US8084775B2 (en) * 2010-03-16 2011-12-27 Bridgelux, Inc. Light sources with serially connected LED segments including current blocking diodes
TWI466325B (zh) * 2010-06-25 2014-12-21 Toyoda Gosei Kk Semiconductor light emitting element
US20120037946A1 (en) * 2010-08-12 2012-02-16 Chi Mei Lighting Technology Corporation Light emitting devices
KR101650518B1 (ko) * 2010-09-13 2016-08-23 에피스타 코포레이션 발광 구조체
US10490598B2 (en) 2010-09-13 2019-11-26 Epistar Corporation Light-emitting structure having a plurality of light-emitting structure units
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US8536594B2 (en) * 2011-01-28 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices with reduced dimensions and methods of manufacturing
JP5541261B2 (ja) * 2011-03-23 2014-07-09 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
US8344392B2 (en) 2011-05-12 2013-01-01 Epistar Corporation Light-emitting element and the manufacturing method thereof
US9337366B2 (en) 2011-07-26 2016-05-10 Micron Technology, Inc. Textured optoelectronic devices and associated methods of manufacture
US8937323B2 (en) * 2011-09-02 2015-01-20 Stanley Electric Co., Ltd. LED array capable of reducing uneven brightness distribution
US8581267B2 (en) 2011-11-09 2013-11-12 Toshiba Techno Center Inc. Series connected segmented LED
CN103700682A (zh) * 2012-05-04 2014-04-02 奇力光电科技股份有限公司 发光二极管结构及其制造方法
TW201407747A (zh) * 2012-08-03 2014-02-16 Chi Mei Lighting Tech Corp 發光二極體結構及其製造方法
TW201347141A (zh) * 2012-05-04 2013-11-16 Chi Mei Lighting Tech Corp 發光二極體結構及其製造方法
US8816383B2 (en) * 2012-07-06 2014-08-26 Invensas Corporation High performance light emitting diode with vias
US10388690B2 (en) 2012-08-07 2019-08-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
US10804316B2 (en) * 2012-08-07 2020-10-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
CN102983147A (zh) * 2012-09-24 2013-03-20 杭州士兰明芯科技有限公司 一种发光二极管芯片及其制造方法
KR101420789B1 (ko) * 2012-12-05 2014-07-18 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101420788B1 (ko) * 2012-12-05 2014-07-18 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR20140073351A (ko) * 2012-12-06 2014-06-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
DE112013006123T5 (de) * 2012-12-21 2015-09-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Leuchtdiode und Verfahren zu deren Herstellung
US9356212B2 (en) 2012-12-21 2016-05-31 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
CN106910758B (zh) * 2013-01-09 2020-05-15 新世纪光电股份有限公司 发光装置
CN105074942A (zh) * 2013-02-25 2015-11-18 首尔伟傲世有限公司 具有多个发光元件的发光二极管及其制造方法
KR102364160B1 (ko) * 2014-03-06 2022-02-21 서울반도체 주식회사 Mjt led를 이용한 백라이트 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
US10278243B2 (en) 2014-03-06 2019-04-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight module with MJT LED and backlight unit including the same
CN110010750B (zh) * 2014-06-18 2021-11-09 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器
US9343633B1 (en) * 2014-10-31 2016-05-17 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Light-emitting diode lighting device
CN104409605B (zh) * 2014-11-28 2017-10-27 杭州士兰明芯科技有限公司 一种高压芯片led结构及其制作方法
USD826871S1 (en) 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
KR102326926B1 (ko) * 2014-12-26 2021-11-16 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 및 발광 소자 패키지
CN104733487B (zh) * 2015-03-20 2018-01-09 厦门乾照光电股份有限公司 一种具有立体发光结构的高压发光二极管
JP2017059638A (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 株式会社東芝 半導体発光素子
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
EP3476063A1 (en) 2016-06-23 2019-05-01 Koninklijke Philips N.V. Optical transmitter, optical receiver and optical link
KR102550005B1 (ko) * 2016-07-15 2023-07-03 서울바이오시스 주식회사 자외선 발광 다이오드
TWI830759B (zh) * 2019-07-31 2024-02-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件及其製造方法
TWI765788B (zh) * 2021-07-28 2022-05-21 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007517378A (ja) 2003-12-24 2007-06-28 松下電器産業株式会社 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表示素子、および半導体発光装置の製造方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4879250A (en) 1988-09-29 1989-11-07 The Boeing Company Method of making a monolithic interleaved LED/PIN photodetector array
JP3497741B2 (ja) 1998-09-25 2004-02-16 株式会社東芝 半導体発光装置及び半導体発光装置の駆動方法
US6307218B1 (en) * 1998-11-20 2001-10-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Electrode structures for light emitting devices
US6614056B1 (en) * 1999-12-01 2003-09-02 Cree Lighting Company Scalable led with improved current spreading structures
US6410942B1 (en) * 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
JP2002076437A (ja) * 2000-08-29 2002-03-15 Kyocera Corp Ｌｅｄアレイ
US6547249B2 (en) * 2001-03-29 2003-04-15 Lumileds Lighting U.S., Llc Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates
US7880182B2 (en) * 2002-07-15 2011-02-01 Epistar Corporation Light-emitting element array
TWI249148B (en) * 2004-04-13 2006-02-11 Epistar Corp Light-emitting device array having binding layer
US6869812B1 (en) * 2003-05-13 2005-03-22 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
TWI223460B (en) * 2003-09-23 2004-11-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diodes in series connection and method of making the same
JP2005136142A (ja) * 2003-10-30 2005-05-26 Kyocera Corp 発光ダイオードアレイ装置及びそれを用いた発光ダイオードプリンタ
US7122398B1 (en) * 2004-03-25 2006-10-17 Nanosolar, Inc. Manufacturing of optoelectronic devices
JP3904571B2 (ja) * 2004-09-02 2007-04-11 ローム株式会社 半導体発光装置
KR100721454B1 (ko) * 2005-11-10 2007-05-23 서울옵토디바이스주식회사 광 결정 구조체를 갖는 교류용 발광소자 및 그것을제조하는 방법
DE112006002927B4 (de) * 2006-01-09 2010-06-02 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Licht emittierende Diode mit ITO-Schicht und Verfahren zur Herstellung einer solchen
JP5008911B2 (ja) * 2006-07-04 2012-08-22 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
JP2008060132A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Rohm Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
WO2008038910A1 (en) * 2006-09-25 2008-04-03 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having alingap active layer and method of fabricating the same
US7714348B2 (en) * 2006-10-06 2010-05-11 Ac-Led Lighting, L.L.C. AC/DC light emitting diodes with integrated protection mechanism
TWI440210B (zh) * 2007-01-22 2014-06-01 Cree Inc 使用發光裝置外部互連陣列之照明裝置及其製造方法
CN101257071B (zh) * 2007-03-02 2011-09-07 普瑞光电股份有限公司 发光二极管元件及其制作方法
KR100974923B1 (ko) * 2007-03-19 2010-08-10 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드
US7939839B2 (en) * 2008-09-11 2011-05-10 Bridgelux, Inc. Series connected segmented LED
US7982409B2 (en) * 2009-02-26 2011-07-19 Bridgelux, Inc. Light sources utilizing segmented LEDs to compensate for manufacturing variations in the light output of individual segmented LEDs

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007517378A (ja) 2003-12-24 2007-06-28 松下電器産業株式会社 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表示素子、および半導体発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2338183A4 (en) 2013-03-27
TW201027798A (en) 2010-07-16
US7939839B2 (en) 2011-05-10
CN102132429B (zh) 2015-08-26
EP2338183B1 (en) 2018-01-10
JP2012507134A (ja) 2012-03-22
JP5586748B2 (ja) 2014-09-10
US20110163347A1 (en) 2011-07-07
TWI462282B (zh) 2014-11-21
USRE46155E1 (en) 2016-09-20
US20100059768A1 (en) 2010-03-11
WO2010030482A3 (en) 2010-05-27
KR20110057152A (ko) 2011-05-31
HK1158827A1 (en) 2012-07-20
EP2338183A2 (en) 2011-06-29
US8207543B2 (en) 2012-06-26
JP2013232677A (ja) 2013-11-14
WO2010030482A2 (en) 2010-03-18
CN102132429A (zh) 2011-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101575922B1 (ko) 직렬 연결된 세그먼트화 led
US11843083B2 (en) High voltage monolithic LED chip with improved reliability
KR101552366B1 (ko) 개선된 ｌｅｄ 구조
TWI515919B (zh) 改良式多接點發光二極體
KR20080075368A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
EP2610929A2 (en) Light emitting device
TW201624760A (zh) 發光元件
CN101286541B (zh) 具有叠合透明电极的半导体发光装置
TWI575783B (zh) 光電半導體晶片及製造光電半導體晶片之方法
CN209859970U (zh) 一种发光二极管及灯具
KR101984672B1 (ko) 발광 소자
TW201832376A (zh) 光電元件
KR20130074563A (ko) 발광 소자
CN116682839A (zh) 一种高压倒装发光二极管及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant