KR101562285B1 - 3 3D images organic electro-luminescence device - Google Patents

3 3D images organic electro-luminescence device Download PDF

Info

Publication number
KR101562285B1
KR101562285B1 KR1020090131558A KR20090131558A KR101562285B1 KR 101562285 B1 KR101562285 B1 KR 101562285B1 KR 1020090131558 A KR1020090131558 A KR 1020090131558A KR 20090131558 A KR20090131558 A KR 20090131558A KR 101562285 B1 KR101562285 B1 KR 101562285B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
organic
electrode
oled
light emitting
thin film
Prior art date
Application number
KR1020090131558A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110075188A (en
Inventor
이정원
탁윤흥
김명섭
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020090131558A priority Critical patent/KR101562285B1/en
Publication of KR20110075188A publication Critical patent/KR20110075188A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101562285B1 publication Critical patent/KR101562285B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02304—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment formation of intermediate layers, e.g. buffer layers, layers to improve adhesion, lattice match or diffusion barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 특히, 3차원 입체 표현이 가능한 3차원 입체 영상 유기전계발광소자에 관한 것이다. The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to a three-dimensional stereoscopic organic electroluminescent device capable of three-dimensional stereoscopic display.

본 발명의 특징은 실질적으로 하나의 표시소자에 제 1 OLED패널과 투명한 제 2 OLED패널을 구비하여, 서로 다른 화상 정보를 구현하도록 함으로써, 깊이감과 실제감이 있는 입체 영상을 구현하는 것이다. A feature of the present invention is that the first OLED panel and the transparent second OLED panel are substantially implemented in one display element to implement different image information, thereby realizing a three-dimensional image having a sense of depth and a real feeling.

또한, 이와 동시에 제 1 및 제 2 OLED패널을 보호필름을 통해 동시에 인캡슐레이션함으로써, 경량 및 박형의 입체 유기전계발광소자를 구현할 수 있다. At the same time, the first and second OLED panels are simultaneously encapsulated through a protective film, thereby realizing a lightweight and thin stereolithographic organic electroluminescent device.

유기전계발광소자, 3차원 입체 영상, 인캡슐레이션 Organic electroluminescent device, three-dimensional stereoscopic image, encapsulation

Description

3차원 입체 영상 유기전계발광소자{3D images organic electro-luminescence device}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a three-dimensional organic electro-luminescence device,

본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 특히, 3차원 입체 표현이 가능한 3차원 입체 영상 유기전계발광소자에 관한 것이다. The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to a three-dimensional stereoscopic organic electroluminescent device capable of three-dimensional stereoscopic display.

최근까지, CRT(cathode ray tube)가 표시장치로서 주로 사용되었다. 그러나, 최근에 CRT를 대신할 수 있는, 플라즈마표시장치(plasma display panel : PDP), 액정표시장치(liquid crystal display device : LCD), 유기전계발광소자(organic electro-luminescence device : OLED)와 같은 평판표시장치가 널리 연구되며 사용되고 있는 추세이다.Until recently, CRT (cathode ray tube) was mainly used as a display device. However, in recent years, flat panel displays such as a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display device (LCD), and an organic electro-luminescence device (OLED) Display devices have been widely studied and used.

위와 같은 평판표시장치 중에서, 유기전계발광소자(이하, OLED라 함)는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다. Of the above flat panel display devices, an organic electroluminescent element (hereinafter referred to as OLED) is a self-luminous element and can be lightweight and thin because it does not require a backlight used in a liquid crystal display device which is a non-light emitting element.

그리고, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면 에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지고 있다. In addition, it has a better viewing angle and contrast ratio than liquid crystal display devices, is advantageous in terms of power consumption, can be driven by DC low voltage, has a fast response speed, is resistant to external impacts due to its solid internal components, It has advantages.

특히, 제조공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정표시장치 보다 많이 절감할 수 있는 장점이 있다. Particularly, since the manufacturing process is simple, it is advantageous in that the production cost can be saved more than the conventional liquid crystal display device.

이러한 특성을 갖는 OLED는 크게 패시브 매트릭스 타입(passive matrix type)과 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)으로 나뉘어지는데, 패시브 매트릭스 타입은 신호선을 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하는 반면, 액티브 매트릭스 타입은 화소를 온/오프(on/off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 화소영역 별로 위치하도록 한다. OLEDs having such characteristics are largely divided into a passive matrix type and an active matrix type. In a passive matrix type, a device is formed in a matrix form while crossing signal lines, whereas an active matrix type is a pixel A thin film transistor which is a switching element for on / off switching on / off is arranged for each pixel region.

최근, 패시브 매트릭스 타입은 해상도나 소비전력, 수명 등에 많은 제한적인 요소를 가지고 있어, 고해상도나 대화면을 구현할 수 있는 액티브 매트릭스 타입 OLED의 연구가 활발히 진행되고 있다. In recent years, passive matrix type has many limitations such as resolution, power consumption and lifetime, and active matrix type OLED capable of realizing high resolution and large screen is actively being studied.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 OLED의 한 화소영역에 대한 회로도이다. 1 is a circuit diagram for one pixel region of a general active matrix OLED.

각 화소영역(P)은 스위칭(switching) 박막트랜지스터(STr)와 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 캐패시터(StgC)를 포함한다.Each pixel region P includes a switching thin film transistor STr, a driving thin film transistor DTr, and a storage capacitor StgC.

이들에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 제 1 방향으로 게이트배선(GL)이 형성되어 있고, 이 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 연장하여 게이트배선(GL)과 더불어 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(DL)이 형성되어 있으며, 데이터배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다. In more detail, the gate line GL is formed in the first direction, and data extending in the second direction intersecting the first direction and defining the pixel region P together with the gate line GL A wiring DL is formed, and a power supply line PL for applying a power supply voltage is formed apart from the data line DL.

각 화소영역(P)에는 게이트배선(GL)과 데이터배선(DL)이 교차하는 부분에 이들 두 배선과 연결되는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되는데, 스위칭 박막트랜지스터(STr)는 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스토리지 캐패시터(StgC)와 연결되며, 구동 박막트랜지스터(DTr)는 전원배선(PL) 및 유기전계발광 다이오드(E) 사이에 연결된다. In each pixel region P, a switching thin film transistor STr connected to the two wiring lines is formed at a portion where the gate wiring GL and the data wiring DL cross each other. The switching thin film transistor STr is a driving thin film transistor DTr and the storage capacitor StgC and the driving thin film transistor DTr is connected between the power supply line PL and the organic electroluminescent diode E. [

즉, 유기전계발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인전극과 연결되고, 타측 단자인 제 2 전극은 접지된다. 이때, 전원배선(PL)은 전원전압을 유기전계발광 다이오드로(E) 전달하게 된다. That is, the first electrode, which is one terminal of the organic electroluminescent diode E, is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor DTr, and the second electrode, which is the other terminal, is grounded. At this time, the power supply line PL transfers the power supply voltage to the organic light emitting diode E.

따라서, 각각의 화소영역(P)에서, 게이트배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 화소영역(P) 별로 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 데이터배선(DL)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트전극에 전달되어 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. Therefore, in each pixel region P, when a signal is applied through the gate line GL, the switching thin film transistor STr is turned on for each pixel region P, and the signal of the data line DL is driven The light is transmitted to the gate electrode of the thin film transistor DTr and the driving thin film transistor DTr is turned on so that light is output through the organic light emitting diode E.

한편, 최근에는 입체성을 가져 더욱 실감있는 영상을 표현하기 위한, 즉 3차원 구현이 가능한 표시장치에 대한 사용자들의 요구가 증대됨으로써, 이에 부응하여 3차원 입체 표현이 가능한 OLED에 대한 연구 또한 활발히 진행되고 있다.Meanwhile, in recent years, there has been a demand for users to display a more realistic image with a three-dimensional structure, that is, a three-dimensional display device, and accordingly, research on an OLED capable of three- .

본 발명은 3차원 입체 영상을 구현할 수 있는 동시에 경량 및 박형의 OLED를 제공하고자 하는 것을 목적으로 한다. It is an object of the present invention to provide a lightweight and thin OLED capable of realizing a three-dimensional stereoscopic image.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 제 1 구동 박막트랜지스터와 제 1 유기전계발광 다이오드를 포함하며, 제 1 화상을 구현하는 제 1 유기전계패널과; 상기 제 1 화상이 투과되며, 제 2 구동 박막트랜지스터와 제 2 유기전계발광 다이오드를 포함하여, 상기 제 1 화상과 중첩되어 3차원 영상을 구현하는 제 2 화상을 구현하는 제 2 유기전계패널과; 상기 제 1 및 제 2 유기전계패널 사이에 개재되는 보호필름을 포함하는 3차원 입체 영상 유기전계발광소자를 제공한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display comprising: a first organic electroluminescent panel including a first driving thin film transistor and a first organic electroluminescent diode; A second organic electronic field panel including a second driving thin film transistor and a second organic light emitting diode, the first organic thin film transistor and the second organic thin film transistor being overlapped with the first image to implement a second image for implementing a three dimensional image; And a protective film interposed between the first and second organic electric field panels.

이때, 상기 제 1 및 제 2 유기전계발광 다이오드는 각각 제 1 및 제 2 전극과 발광층으로 이루어지며, 상기 제 2 유기전계발광 다이오드의 상기 제 1 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명 도전성 물질 중 선택된 하나로 이루어지며, 상기 제 1 유기전계발광 다이오드의 상기 제 1 전극은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄합금(AlNd), 마그네슘(Mg), 금(Au), 은(Ag) 등의 금속물질 중 선택된 하나로 이루어진다. Here, the first and second organic light emitting diodes include first and second electrodes and a light emitting layer, and the first electrode of the second organic light emitting diode may include indium-tin-oxide (ITO) Wherein the first electrode of the first organic light emitting diode is formed of one selected from the group consisting of aluminum (Al), an aluminum alloy (AlNd), magnesium (Mg), gold (Au) ), Silver (Ag), and the like.

그리고, 상기 보호필름은 소수성을 갖거나, 또는 흡습물질인 바륨 옥사이드(BaO) 또는 칼슘 옥사이드(CaO)를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 유기전계패널은 버퍼층을 통해, 인캡슐레이션(encapsulation)된다. The protective film may include barium oxide (BaO) or calcium oxide (CaO), which is hydrophobic or hygroscopic material, and the first and second organic electric field panels are encapsulated through a buffer layer. do.

이때, 상기 버퍼층은 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(Si02) 또는 알루미 나(Al2O3)를 포함하는 무기절연물질과 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리 아마이드(polyamide) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)를 포함하는 유기절연물질이 교대로 적층된 복수층으로 구성되며, 상기 구동 박막트랜지스터는 반도체층, 게이트전극 및 드레인 및 소스전극으로 이루어진다. In this case, the buffer layer is a silicon nitride (SiNx), silicon oxide (Si0 2) or alumina (Al 2 O 3) polyacrylate (polyacrylate) and inorganic insulating materials including, polyimide (polyimide), polyamide (polyamide ) Or benzocyclobutene (BCB), wherein the driving thin film transistor comprises a semiconductor layer, a gate electrode, and a drain and a source electrode.

또한, 상기 제 1 전극은 상기 드레인전극과 전기적으로 연결된다. The first electrode is electrically connected to the drain electrode.

본 발명에 따라, 실질적으로 하나의 표시소자에 제 1 OLED패널과 투명한 제 2 OLED패널을 구비하여, 서로 다른 화상 정보를 구현하도록 함으로써, 깊이감과 실제감이 있는 입체 영상을 구현할 수 있는 효과가 있다. According to the present invention, since a first OLED panel and a transparent second OLED panel are provided in substantially one display element and different image information is implemented, a stereoscopic image having a sense of depth and a real feeling can be realized .

또한, 이와 동시에 제 1 및 제 2 OLED패널을 보호필름을 통해 동시에 인캡슐레이션함으로써, 경량 및 박형의 입체 OLED를 구현할 수 있는 효과가 있다. At the same time, the first and second OLED panels are simultaneously encapsulated through a protective film, thereby realizing a lightweight and thin stereoscopic OLED.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 입체 영상 구현이 가능한 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면이며, 도 3은 도 2의 일부를 확대 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of an OLED capable of realizing a stereoscopic image according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of part of FIG.

도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 입체 영상 구현이 가능한 OLED(100, 이하, 입체 OLED라 함)는 서로 다른 화상을 구현하는 제 1 및 제 2 OLED패널(110, 120)이 흡습성 및 접착성을 갖는 보호필름(130)을 통해 서로 이격되어 합착된다. As shown in the drawing, an OLED 100 (hereinafter, referred to as a three-dimensional OLED) capable of realizing a stereoscopic image according to the present invention has a structure in which first and second OLED panels 110 and 120, And are adhered to each other through the protective film 130 having the same.

이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 제 1 OLED패널(110)은 제 1 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 구동 박막트랜지스터(DTr1)와 제 1 유기전계발광 다이오드(E1)가 형성된 제 1 기판(101)으로 이루어지는데, 제 1 구동 박막트랜지스터(DTr1)는 반도체층(103)과 게이트전극(107) 그리고 소스 및 드레인전극(113, 115)으로 이루어진다. The first OLED panel 110 includes a first substrate 101 on which a first switching thin film transistor (not shown), a driving thin film transistor DTr1 and a first organic light emitting diode E1 are formed The first driving thin film transistor DTr1 includes a semiconductor layer 103, a gate electrode 107, and source and drain electrodes 113 and 115.

즉, 제 1 OLED패널(110)을 이루는 제 1 기판(101) 상에는 반도체층(103)이 형성되는데, 반도체층(103)은 실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 액티브영역(103b) 그리고 액티브영역(103b) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(103a, 103c)으로 구성된다. That is, a semiconductor layer 103 is formed on the first substrate 101 constituting the first OLED panel 110. The semiconductor layer 103 is made of silicon, and its central portion is composed of an active region 103b constituting a channel, And source and drain regions 103a and 103c doped with a high concentration of impurities on both sides of the region 103b.

이러한 반도체층(103) 상부로는 게이트절연막(105)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 105 is formed on the semiconductor layer 103.

게이트절연막(105) 상부로는 반도체층(103)의 액티브영역(103b)에 대응하여 게이트전극(107)과 도면에 나타내지 않았지만 일방향으로 연장하는 게이트배선이 형성되어 있다. The gate electrode 107 and the gate wiring extending in one direction are formed on the gate insulating film 105 in correspondence with the active region 103b of the semiconductor layer 103 and not shown in the drawing.

그리고, 게이트전극(107)과 게이트배선(미도시)의 상부 전면에 제 1 층간절연막(109a)이 형성되어 있으며, 이때 제 1 층간절연막(109a)과 그 하부의 게이트절연막(105)은 액티브영역(103b) 양측면에 위치한 소스 및 드레인영역(103a, 103c)을 각각 노출시키는 제 1, 2 반도체층 콘택홀(111a, 111b)을 구비한다. The first interlayer insulating film 109a and the gate insulating film 105 under the first interlayer insulating film 109a are formed on the upper surface of the gate electrode 107 and the gate wiring (not shown) And first and second semiconductor layer contact holes 111a and 111b that respectively expose source and drain regions 103a and 103c located on both sides of the semiconductor layer 103b.

다음으로, 제 1, 2 반도체층 콘택홀(111a, 111b)을 포함하는 제 1 층간절연막(109a) 상부로는 서로 이격하며 제 1, 2 반도체층 콘택홀(111a, 111b)을 통해 노 출된 소스 및 드레인영역(103a, 103c)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극(113, 115)이 형성되어 있다. Next, the upper part of the first interlayer insulating film 109a including the first and second semiconductor layer contact holes 111a and 111b is separated from the exposed source via the first and second semiconductor layer contact holes 111a and 111b, And source and drain electrodes 113 and 115 which are in contact with the source and drain regions 103a and 103c, respectively.

그리고, 소스 및 드레인전극(113, 115)과 두 전극(113, 115) 사이로 노출된 제 1 층간절연막(109a) 상부로 제 2 층간절연막(109b)이 형성되는데, 제 2 층간절연막(109b)은 드레인전극(115)을 노출시키는 드레인콘택홀(117)을 갖는다. A second interlayer insulating film 109b is formed on the first interlayer insulating film 109a exposed between the source and drain electrodes 113 and 115 and the two electrodes 113 and 115. The second interlayer insulating film 109b And a drain contact hole 117 exposing the drain electrode 115.

이때 도면에 나타나지 않았지만, 게이트배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(미도시)이 형성되어 있다. 그리고, 제 1 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 제 1 구동 박막트랜지스터(DTr1)와 동일한 구조로, 제 1 구동 박막트랜지스터(DTr1)와 연결된다. At this time, although not shown in the drawing, data lines (not shown) are formed which cross the gate wiring (not shown) and define the pixel region P. The first switching thin film transistor (not shown) has the same structure as the first driving thin film transistor DTr1 and is connected to the first driving thin film transistor DTr1.

그리고 제 2 층간절연막(109b) 상부의 실질적으로 화상을 표시하는 영역에는 제 1 OLED패널(110)의 제 1 유기전계발광 다이오드(E1)를 구성하는 제 1 전극(211)과 유기발광층(213) 그리고 제 2 전극(215)이 순차적으로 형성되어 있다. The first electrode 211 and the organic light emitting layer 213 constituting the first OLED panel E1 of the first OLED panel 110 are formed in a region substantially displaying an image on the second interlayer insulating film 109b. And a second electrode 215 are sequentially formed.

이러한 제 1 구동 박막트랜지스터(DTr1)와 제 1 유기전계발광 다이오드(E1) 상부에는 제 1 버퍼층(110a)이 형성되어, 제 1 구동 박막트랜지스터(DTr1)와 제 1 유기전계발광 다이오드(E1)를 보호하게 된다.A first buffer layer 110a is formed on the first driving thin film transistor DTr1 and the first organic EL element E1 so that the first driving thin film transistor DTr1 and the first organic EL element E1 Protection.

제 1 버퍼층(110a)은 적어도 한층의 무기절연물질 및 적어도 한층의 유기절연물질을 교대로 적층한 복수층으로 구성하는데, 여기서 무기절연물질은 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(Si02) 또는 알루미나(Al2O3) 중 선택된 하나이거나, 유기절연물질은 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리 아마이 드(polyamide) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 중 선택된 하나이다. A first buffer layer (110a) is for composing a plurality of layers of alternately laminated with the inorganic insulating materials and organic insulating material of at least one layer of a further, at least, wherein the inorganic insulating material is silicon nitride (SiNx), silicon oxide (Si0 2) or alumina (Al 2 O 3 ), or the organic insulating material is a selected one of polyacrylate, polyimide, polyamide or benzocyclobutene (BCB).

이때, 무기절연물질과 유기절연물질을 교대로 적층하는 이유는 산소침투를 방지하는데는 무기절연물질이 적합하고 수분의 침투를 방지하는데는 유기절연물질이 적합하기 때문이다. In this case, the inorganic insulating material and the organic insulating material are alternately laminated because an inorganic insulating material is suitable for preventing oxygen penetration and an organic insulating material is suitable for preventing moisture penetration.

이를 통해, 제 1 OLED패널(110)는 인캡슐레이션(encapsulation)된다.Thereby, the first OLED panel 110 is encapsulated.

제 1 전극(211)은 각 화소영역(P)별로 형성되는데, 각 화소영역(P) 별로 형성된 제 1 전극(211) 사이에는 뱅크(bank : 121)가 위치한다. The first electrode 211 is formed for each pixel region P and a bank 121 is located between the first electrodes 211 formed for each pixel region P. [

즉, 뱅크(121)는 제 1 기판(101) 전체적으로 격자 구조의 매트릭스 타입으로 형성되어, 뱅크(121)를 각 화소영역 별 경계부로 하여 제 1 전극(211)이 화소영역(P) 별로 분리된 구조로 형성되어 있다. That is, the banks 121 are formed in the matrix type of the lattice structure as a whole on the first substrate 101, and the first electrodes 211 are divided into the pixel regions P by using the banks 121 as boundary portions for the respective pixel regions .

이러한 제 1 전극(211)은 각 화소영역(P)의 제 1 구동 박막트랜지스터(DTr1)의 드레인전극(115)과 연결된다. The first electrode 211 is connected to the drain electrode 115 of the first driving TFT DTr1 of each pixel region P.

이와 같은 경우에, 제 1 전극(211)은 애노드(anode) 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 높은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄합금(AlNd), 마그네슘(Mg), 금(Au), 은(Ag) 등의 금속물질로 형성한다. In such a case, the first electrode 211 may be made of aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), magnesium (Mg), gold (Au), silver Ag) or the like.

그리고, 제 2 전극(215)은 캐소드(cathode)의 역할을 하기 위해 비교적 일함수 값이 낮은 금속물질로 이루어지는데, 제 2 전극(215)은 일함수가 낮은 금속 물질을 얇게 증착한 반투명 금속막 상에 투명한 도전성 물질이 두껍게 증착된다. The second electrode 215 is formed of a metal material having a relatively low work function value to serve as a cathode. The second electrode 215 is formed of a semitransparent metal film A transparent conductive material is deposited thickly.

따라서, 유기발광층(213)으로부터 발광된 빛은 제 2 전극(215)을 투과하여 방출되므로, 제 1 OLED패널(110)은 상부 발광 방식으로 구동된다. Therefore, the light emitted from the organic light emitting layer 213 is transmitted through the second electrode 215, so that the first OLED panel 110 is driven by the upper light emitting method.

이러한 제 1 OLED패널(110)은 선택된 색 신호에 따라 제 1 전극(211)과 제 2 전극(215)으로 소정의 전압이 인가되면, 제 1 전극(211)으로부터 주입된 정공과 제 2 전극(215)으로부터 인가된 전자가 유기발광층(213)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선의 형태로 방출된다.When a predetermined voltage is applied to the first electrode 211 and the second electrode 215 according to a selected color signal, the first OLED panel 110 emits light by applying a predetermined voltage to the first electrode 211 and the second electrode 215, 215 are transported to the organic light emitting layer 213 to form excitons. When the excitons are transited from the excited state to the ground state, light is emitted and emitted in the form of visible light.

이때, 발광된 빛은 제 2 전극(215)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, 제 1 OLED패널(110)은 임의의 화상을 구현하게 된다. At this time, the emitted light passes through the second electrode 215 and exits to the outside, so that the first OLED panel 110 realizes an arbitrary image.

또한 입체 OLED(100)는 보호필름(130)을 사이에 두고 제 1 OLED패널(110)과 마주보는 제 2 OLED패널(120)이 구비되는데, 제 2 OLED패널(120) 또한 제 2 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 구동 박막트랜지스터(DTr2) 그리고 제 2 유기전계발광 다이오드(E2)가 형성된 제 2 기판(102)으로 이루어진다. In addition, the three-dimensional OLED 100 includes a second OLED panel 120 facing the first OLED panel 110 with a protective film 130 interposed therebetween. The second OLED panel 120 also includes a second switching thin- And a second substrate 102 on which a driving thin film transistor DTr2 and a second organic electroluminescent diode E2 are formed.

그리고, 제 2 구동 박막트랜지스터(DTr2)와 제 2 유기전계발광 다이오드(E2) 상부에는 제 2 버퍼층(120a)이 형성되어, 제 2 구동 박막트랜지스터(DTr2)와 제 2 유기전계발광 다이오드(E2)를 보호하게 된다.A second buffer layer 120a is formed on the second driving thin film transistor DTr2 and the second organic EL element E2 so that the second driving thin film transistor DTr2 and the second organic light emitting diode E2 are formed. .

제 2 버퍼층(120a) 또한 적어도 한층의 무기절연물질 및 적어도 한층의 유기절연물질을 교대로 적층한 복수층으로 구성하는데, 여기서 무기절연물질은 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(Si02) 또는 알루미나(Al2O3) 중 선택된 하나이거나, 유기절연물질은 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리 아마이드(polyamide) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 중 선택된 하나이다. A second buffer layer (120a) In addition to the configuration of a plurality of layers are stacked alternately an inorganic insulating material and an organic insulating material of at least one layer of a further, at least, wherein the inorganic insulating material is silicon nitride (SiNx), silicon oxide (Si0 2) or alumina (Al 2 O 3 ), or the organic insulating material is a selected one of polyacrylate, polyimide, polyamide or benzocyclobutene (BCB).

이를 통해, 제 2 OLED패널(120)는 인캡슐레이션(encapsulation)된다.Thereby, the second OLED panel 120 is encapsulated.

이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 제 2 기판(102) 상에는 제 1 OLED패널(110)의 화소영역(P) 사이에 형성된 뱅크(121)에 대응하여 제 2 구동 박막트랜지스터(DTr2)가 형성된다. A second driving TFT DTr2 is formed on the second substrate 102 in correspondence with the banks 121 formed between the pixel regions P of the first OLED panel 110. [

제 2 구동 박막트랜지스터(DTr2)는 앞서 전술한 제 1 구동 박막트랜지스터(DTr1)와 마찬가지로 반도체층(203)과 게이트전극(207) 그리고 소스 및 드레인전극(213, 215)으로 이루어지며, 게이트절연막(205) 그리고 제 1, 2 반도체층 콘택홀(211a, 211b), 제 1 및 제 2 층간절연막(209a, 209b)을 포함한다. The second driving thin film transistor DTr2 includes a semiconductor layer 203 and a gate electrode 207 and source and drain electrodes 213 and 215 in the same manner as the first driving thin film transistor DTr1 described above, 205, and first and second semiconductor layer contact holes 211a and 211b, and first and second interlayer insulating films 209a and 209b.

이때 도면에 나타나지 않았지만, 제 2 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 제 2 구동 박막트랜지스터(DTr2)와 동일한 구조로, 제 2 구동 박막트랜지스터(DTr2)와 연결된다.Although not shown in the figure, the second switching thin film transistor (not shown) has the same structure as the second driving thin film transistor DTr2 and is connected to the second driving thin film transistor DTr2.

또한, 제 1 OLED패널(110)의 제 1 유기전계발광 다이오드(E1)가 형성되어 실질적으로 화상을 표시하는 영역에는 제 1 전극(311)과 유기발광층(313) 그리고 제 2 전극(315)으로 이루어지는 제 2 유기전계발광 다이오드(E2) 또한 형성되어 있다. A first electrode 311, an organic light emitting layer 313, and a second electrode 315 are formed in a region where a first organic light emitting diode E1 of the first OLED panel 110 is formed, And a second organic electroluminescent diode E2 is formed.

제 2 유기전계발광 다이오드(E2)의 제 1 전극(311) 또한 각 화소영역(P)별로 형성되며, 각 화소영역(P) 별로 형성된 제 1 전극(311) 사이에는 뱅크(221)가 위치한다. The first electrode 311 of the second organic EL element E2 is formed for each pixel region P and the bank 221 is located between the first electrodes 311 formed for each pixel region P .

이러한 제 2 유기전계발광 다이오드(E2)의 제 1 전극(311)은 각 화소영역(P)의 제 2 구동 박막트랜지스터(DTr2)의 드레인전극(215)과 연결된다. The first electrode 311 of the second organic EL element E2 is connected to the drain electrode 215 of the second driving thin film transistor DTr2 of each pixel region P. [

이와 같은 경우에, 제 2 유기전계발광 다이오드(E2)의 제 1 전극(311)은 애 노드(anode) 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 높은 물질로 형성하며, 제 2 유기전계발광 다이오드(E2)의 제 2 전극(315)은 캐소드(cathode)의 역할을 하기 위해 비교적 일함수 값이 낮은 금속물질로 이루어진다. In this case, the first electrode 311 of the second organic electroluminescent diode E2 is formed of a material having a relatively high work function value to serve as an anode electrode, and the second organic electroluminescent diode E2 are formed of a metal material having a relatively low work function value to serve as a cathode.

이러한 제 2 OLED패널(120) 선택된 색 신호에 따라 제 2 유기전계발광 다이오드(E2)의 제 1 전극(311)과 제 2 전극(315)으로 소정의 전압이 인가되면, 제 2 유기전계발광 다이오드(E2)의 제 1 전극(311)으로부터 주입된 정공과 제 2 전극(315)으로부터 인가된 전자가 유기발광층(313)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선의 형태로 방출된다.When a predetermined voltage is applied to the first electrode 311 and the second electrode 315 of the second organic electroluminescent diode E2 according to the selected color signal of the second OLED panel 120, The holes injected from the first electrode 311 and the electrons injected from the second electrode 315 are transported to the organic light emitting layer 313 to form an exciton, When it is transited, light is generated and emitted in the form of visible light.

여기서, 제 2 유기전계발광 다이오드(E2)의 제 1 전극(311)은 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지도록 하며, 제 2 유기전계발광 다이오드(E2)의 제 2 전극(315)은 일함수가 낮은 금속 물질을 얇게 증착한 반투명 금속막 상에 투명한 도전성 물질이 두껍게 증착하여, 제 2 유기전계발광 다이오드(E2)의 유기발광층(313)으로부터 발광된 빛이 제 2 유기전계발광 다이오드(E2)의 제 1 전극(311)을 투과하여 방출되도록 한다. Here, the first electrode 311 of the second organic electroluminescent diode E2 is made of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) which is a transparent conductive material, The second electrode 315 of the diode E2 thickly deposits a transparent conductive material on the semitransparent metal film on which the metal material with a low work function is thinly deposited to form the organic light emitting layer 313 of the second organic electroluminescent diode E2. So that the light emitted from the first organic light emitting diode E2 is transmitted through the first electrode 311 of the second organic light emitting diode E2.

이에, 본 발명의 제 2 OLED패널(120)은 제 2 유기전계발광 다이오드(E2)의 유기발광층(313)으로부터 발광된 빛이 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 모두를 향해 발광될 수 있으며, 제 1 OLED패널(110)로부터 구현되는 화상이 제 2 OLED패널(120)을 투과하여 화상을 구현할 수 있는 투과형(transparent) OLED패널이다. Accordingly, the second OLED panel 120 of the present invention can emit light emitted from the organic light emitting layer 313 of the second organic electroluminescent diode E2 toward both the first and second substrates 101 and 102 And a transparent OLED panel in which an image formed by the first OLED panel 110 can be transmitted through the second OLED panel 120 to implement an image.

여기서, 제 1 및 제 2 OLED패널(110, 120)의 유기발광층(213, 313)은 발광물 질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.Here, the organic light emitting layers 213 and 313 of the first and second OLED panels 110 and 120 may be formed of a single layer made of a light emitting material. In order to increase the light emitting efficiency, a hole injection layer, A light emitting layer, a hole transporting layer, an emitting material layer, an electron transporting layer, and an electron injection layer.

그리고, 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 제 1 및 제 2 구동 박막트랜지스터(DTr1, DTr2)는 도면에서는 반도체층(103, 203)이 폴리실리콘 반도체층으로 이루어진 탑 게이트(top gate) 타입을 예로서 보이고 있으며, 이의 변형예로서 순수 및 불순물의 비정질질실리콘으로 이루어진 보텀 케이트(bottom gate) 타입으로 형성될 수도 있다. The first and second switching thin film transistors (not shown) and the first and second driving thin film transistors DTr1 and DTr2 are formed of a top gate made of a polysilicon semiconductor layer, ) Type is shown as an example, and as a modification thereof, it may be formed as a bottom gate type made of amorphous silicon of pure water and impurities.

이때, 제 1 및 제 2 OLED패널(110, 120)은 제 1 및 제 2 OLED패널(110, 120) 사이에 개재되는 보호필름(130)을 통해 서로 일정간격 이격하여 합착하게 된다. At this time, the first and second OLED panels 110 and 120 are adhered to each other with a predetermined distance therebetween through a protective film 130 interposed between the first and second OLED panels 110 and 120.

보호필름(130)은 소수성 성질을 갖거나 내부에 흡습 특성을 갖는 바륨 옥사이드(BaO) 또는 칼슘 옥사이드(CaO)가 포함될 수 있다. 이로 인하여, 보호필름(130) 자체가 소수성을 띠게 되어 수분 침투를 방지하거나 또는 보호필름(130) 내부로 수분이 침투한다 하여도 흡습 특성에 의해 유기발광층(213, 313)과의 접촉을 방지할 수 있다.The protective film 130 may include barium oxide (BaO) or calcium oxide (CaO), which have hydrophobic properties or have hygroscopic properties therein. Therefore, even if moisture permeates into the protective film 130 due to hydrophobicity of the protective film 130 itself, it is possible to prevent contact with the organic light emitting layers 213 and 313 due to moisture absorption characteristics .

이러한 본 발명의 입체 OLED(100)는 제 1 및 제 2 OLED패널(110, 120)이 서로 다른 화상을 구현하게 함으로써, 이를 통해, 3차원 입체 영상을 구현할 수 있다. The three-dimensional OLED 100 according to the present invention allows the first and second OLED panels 110 and 120 to implement different images, thereby realizing a three-dimensional stereoscopic image.

즉, 제 2 OLED패널(120)은 투과형 OLED패널로서, 제 1 OLED패널(110)을 통해 구현되는 제 1 화상은 제 2 OLED패널(120)을 투과하여 구현되며, 제 1 화상이 구현되는 동시에 제 2 OLED패널(120)을 통해 제 2 화상을 구현함으로써, 입체 OLED(100)를 통해 구현되는 실질적인 화상은 제 1 화상과 제 2 화상이 서로 중첩된 영상인 것이다.That is, the second OLED panel 120 is a transmissive OLED panel, and the first image, which is implemented through the first OLED panel 110, is implemented through the second OLED panel 120, By realizing the second image through the second OLED panel 120, the actual image realized through the stereoscopic OLED 100 is a video image in which the first image and the second image are superimposed on each other.

여기서, 본 발명의 실시예에 따른 입체 OLED(100)를 통하여 3차원 입체 영상이 구현되는 원리에 대해 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다. Here, the principle of realizing the three-dimensional stereoscopic image through the stereoscopic OLED 100 according to the embodiment of the present invention will be described in more detail.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 입체 OLED를 통해 3차원 입체 영상이 구현되는 원리를 간략하게 나타낸 개념도이다. FIG. 4 is a conceptual view briefly showing the principle of implementing a three-dimensional stereoscopic image through a stereoscopic OLED according to an embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 입체 OLED(도 3의 100)의 제 1 OLED패널(도 3의 110)를 통해 구현된 제 1 화상이 제 2 OLED패널(도 3의 120)을 투과하여 입체 OLED(도 3의 100)의 전면에 구현되며, 이와 동시에 제 2 OLED패널(도 3의 120)에는 제 2 화상이 입체 OLED(도 3의 100)의 전면에 구현된다. As shown, a first image realized through the first OLED panel (110 in FIG. 3) of the three-dimensional OLED (100 in FIG. 3) is transmitted through the second OLED panel (120 in FIG. 3) 3). At the same time, in the second OLED panel (120 in FIG. 3), a second image is implemented in front of the stereoscopic OLED (100 in FIG. 3).

이러한 구성에 의해, 입체 OLED(도 3의 100)는 실질적으로 제 1 및 제 2 화상이 서로 중첩된 영상이 구현된다. With this configuration, the stereoscopic OLED (100 in Fig. 3) substantially implements an image in which the first and second images overlap each other.

따라서, 입체 OLED(도 3의 100)에서 구현되는 영상을 시청하는 시청자는, 제 1 OLED패널(도 3의 110)과 제 2 OLED패널(도 3의 120)에서 각각 구현되는 제 1 및 제 2 화상이 서로 중첩하여 입체적 깊이감을 가지며 표시되는 최종화상을 보게 되는 것이다. Therefore, the viewer who views the image implemented in the stereoscopic OLED (100 in Fig. 3) can display the first and second images, which are respectively implemented in the first OLED panel (110 in Fig. 3) and the second OLED panel Images overlap each other and have a three-dimensional depth sense and see the final image displayed.

즉, 입체 OLED(도 3의 100)를 바라보는 시청자는 서로 다른 2차원 화상을 보게 되고, 이를 서로 융합하여 본래 3차원 영상의 깊이감과 실제감을 재생하게 되는 것이다.That is, viewers viewing stereoscopic OLED (100 in FIG. 3) will see different two-dimensional images and merge them to reproduce the depth sense and real feeling of the original three-dimensional image.

전술한 바와 같이, 본 발명의 입체 OLED(도 3의 100)는 실질적으로 하나의 표시소자에 제 1 OLED패널(도 3의 110)과 투명한 제 2 OLED패널(도 3의 120)을 구비하여, 서로 다른 화상 정보를 구현하도록 함으로써, 깊이감과 실제감이 있는 입체 영상을 구현하게 되며, 이와 동시에 제 1 및 제 2 OLED패널(도 3의 110, 120)은 보호필름(도 3의 130)을 통해 동시에 인캡슐레이션함으로써, 경량 및 박형의 입체 OLED(도 3의 100)를 구현할 수 있다. 3) is provided with a first OLED panel (110 of FIG. 3) and a transparent second OLED panel (120 of FIG. 3) in substantially one display element, 3 and FIG. 3), the first and second OLED panels (110 and 120 in FIG. 3) are formed by a protective film (130 in FIG. 3) By concurrently encapsulating, a lightweight and thin stereoscopic OLED (100 in Fig. 3) can be realized.

이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 일반적으로 서로 다른 2개의 화상을 통해 3차원 입체 영상을 구현하기 위해서는 적어도 2개의 표시장치를 필요로 하게 된다. 즉, 3차원 입체 영상을 구현하기 위해서는 각각 다른 화상을 구현하는 2개의 표시장치를 서로 중첩되도록 구성하는 것이 일반적이다. In more detail, generally, at least two display devices are required to implement a three-dimensional stereoscopic image through two different images. That is, in order to realize a three-dimensional stereoscopic image, it is general to configure two display devices, each of which implements a different image, to overlap each other.

따라서, 본 발명의 실시예와 같이 OLED패널을 통해 3차원 입체 영상을 구현하기 위해서는 각각 인캡슐레이션된 2개의 OLED패널을 구비하여, 2개의 OLED패널을 결합시켜줘야 한다. Therefore, in order to realize a three-dimensional image through an OLED panel, two OLED panels, each of which is encapsulated, must be provided to couple two OLED panels, as in the embodiment of the present invention.

이렇게, 각각 인캡슐레이션된 2개의 OLED패널이 결합된 입체 OLED는 적어도 4개의 기판이 구비되거나, 또는 2개의 기판과 2개의 보호필름이 구비되어야 하며, 2개의 OLED패널을 접착시키기 위한 접착층도 포함함으로써, 그 구성요소가 너무 많아 경량 및 박형화 추세를 거스르게 되는 것이다. Thus, the three-dimensional OLED in which the two encapsulated OLED panels are combined is provided with at least four substrates, or two substrates and two protective films, and also an adhesive layer for bonding two OLED panels Thus, the number of components is so large that the lightweight and thinning tendency is violated.

그러나, 본 발명의 입체 OLED(도 3의 100)는 제 1 및 제 2 OLED패널(도 3의 110, 120)은 하나의 보호필름(도 3의 130)을 통해 모두 인캡슐레이션되도록 함으로 써, 본 발명의 실시예에 따른 입체 OLED(도 3의 100)는 2개의 기판과 1개의 보호필름(도 3의 130)만을 필요로 하며, 특히 접착층을 삭제 할 수 있다. However, the stereolithographic OLED of the present invention (100 of FIG. 3) allows the first and second OLED panels (110 and 120 of FIG. 3) to be both encapsulated through one protective film (130 of FIG. 3) The three-dimensional OLED (100 in FIG. 3) according to the embodiment of the present invention requires only two substrates and one protective film (130 in FIG. 3), and in particular, can remove the adhesive layer.

이로 인하여, 기존에 비해 입체 OLED(도 3의 100)의 전체적인 두께를 줄일 수 있다. Accordingly, the overall thickness of the three-dimensional OLED (100 in FIG. 3) can be reduced compared to the conventional one.

한편, 보호필름(도 3의 130)은 소수성 성질을 갖거나 내부에 흡습 특성을 갖는 바륨 옥사이드(BaO) 또는 칼슘 옥사이드(CaO)가 포함될 수 있다. 이로 인하여, 보호필름(도 3의 130) 자체가 소수성을 띠게 되어 수분 침투를 방지하거나 또는 보호필름(도 3의 130) 내부로 수분이 침투한다 하여도 흡습 특성에 의해 유기발광층(도 3의 113)과의 접촉을 방지할 수 있다. Meanwhile, the protective film (130 in FIG. 3) may include barium oxide (BaO) or calcium oxide (CaO) having hydrophobic properties or moisture absorption characteristics therein. Therefore, even if the protective film (130 in FIG. 3) itself becomes hydrophobic to prevent moisture penetration or moisture permeates into the protective film (130 in FIG. 3), the organic light emitting layer Can be prevented.

또한, 제 1 및 제 2 유기전계발광 다이오드(도 3의 E1, E2) 상부에 바로 보호필름(도 3의 130)이 형성됨으로써, 실패턴(미도시)을 생략할 수 있어, 고분자물질로 이루어져, 온도가 가열되거나 장시간 보관함에 따라 실패턴(미도시)을 통해 외부로부터 수분이나 가스(gas)와 같은 오염원이 입체 OLED(도 3의 100) 내부로 침투하는 문제점을 방지할 수 있다. 3) can be formed directly on the first and second organic light emitting diodes (E1 and E2 in FIG. 3), thereby eliminating an actual pattern (not shown) , It is possible to prevent a pollution source such as moisture or gas from being infiltrated from the outside through the seal pattern (not shown) into the three-dimensional OLED (100 in FIG. 3) due to heating or storage for a long time.

또한, 본 발명의 입체 OLED(도 3의 100)는 외부로부터 누름 등의 압력이 가해져도 보호필름(도 3의 130)에 의해 입체 OLED(도 3의 100)의 눌림이 발생되지 않아, 제 1 및 제 2 유기전계발광 다이오드(도 3의 E1, E2)의 제 1 및 제 2 전극(도 3의 111, 115) 또는 제 1 및 제 2 구동 박막트랜지스터(도 3의 DTr1, DTr2)의 크랙(crack)을 방지할 수 있다.In addition, the three-dimensional OLED (100 in FIG. 3) of the present invention does not cause the pressing of the three-dimensional OLED (100 in FIG. 3) by the protective film (130 in FIG. 3) (111, 115 in FIG. 3) or the first and second driving thin film transistors (DTr1, DTr2 in FIG. 3) of the first and second organic light emitting diodes (E1, E2 in FIG. 3) cracks can be prevented.

이에 따라 암점불량 등의 문제점이 발생되는 것을 방지할 수 있으며, 이를 통해 휘도나 화상 특성의 불균일이 발생되었던 문제점을 방지하게 된다.Accordingly, it is possible to prevent a problem such as a defect in a dark spot, thereby preventing a problem of uneven brightness and image characteristics.

또한, 본 발명의 입체 OLED(도 3의 100)는 보는 사람의 시각에 따라 영상이 다르게 보이는 움직임시차 효과가 나타나게 되는데, 이를 통해 더욱 입체감을 갖게 되는 정점이 있다. In addition, the stereoscopic OLED (100 in FIG. 3) of the present invention exhibits a motion parallax effect in which an image looks different according to the viewer's vision, and thus has a vertex that becomes more stereoscopic.

도 5는 본 발명의 입체 OLED에 나타나는 움직임 시차 효과를 나타낸 도면이다. FIG. 5 is a diagram illustrating a motion parallax effect appearing in the stereoscopic OLED of the present invention.

도시한 바와 같이, 제 1 화상은 그 중앙부에 기준선을 갖는 배경화면을 표시하고, 제 2 화상은 중앙부에 사람이 나오는 경우, 시청자가 좌측 및 우측으로 이동하여 시청하면 도시한 바와 같이 실질적으로 배경을 중심으로 사람의 위치가 달라지게되는 화상을 보게 됨을 알 수 있다. As shown in the figure, the first image displays a background screen having a reference line at its center, the second image displays a person in the center, and when the viewer moves to the left and right to view and watch, It can be seen that the image of the person is changed at the center.

이러한 본 발명에 따른 3차원 입체 영상 구현이 가능한 OLED(도 3의 100)의 경우, 실질적으로 하나의 표시소자를 이용하여 각각 서로 다른 화상 정보를 갖는 서로 일정간격 이격하는 제 1 및 제 2 화상을 구현하도록 함으로써, 2개의 표시소자를 이용하여 입체 영상을 구현하던 기존의 표시소자에 비해 전체적인 두께를 줄일 수 있다. In the case of an OLED (100 in FIG. 3) capable of realizing a three-dimensional image according to the present invention, first and second images having different image information and spaced apart from each other by a predetermined distance are formed using substantially one display element The overall thickness of the display device can be reduced as compared with the conventional display device in which stereoscopic images are implemented using two display devices.

이어서, 입체 OLED의 제조공정을 설명하도록 하겠다. Next, the manufacturing process of the three-dimensional OLED will be described.

도 6a ~ 6g는 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 제조 단계별 공정 단면도이다. 6A to 6G are cross-sectional views illustrating steps of fabricating an OLED according to an embodiment of the present invention.

우선, 도 6a에 도시한 바와 같이, 다수의 화소영역(P)으로 형성되어, 각 화소영역(P)에는 제 1 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 제 1 구동 박막트랜지스 터(DTr1)와 제 1 유기전계발광 다이오드(E1)가 구비되는 제 1 기판(101)을 준비한다. First, as shown in FIG. 6A, a plurality of pixel regions P are formed. In each pixel region P, a first switching thin film transistor (not shown), a first driving thin film transistor DTr1, A first substrate 101 having an organic electroluminescent diode E1 is prepared.

이와 동시에, 도 6b에 도시한 바와 같이, 각 화소영역(P)에는 제 2 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 제 2 구동 박막트랜지스터(DTr2)와 제 2 유기전계발광 다이오드(E2)가 구비되는 제 2 기판(102)을 준비한다. At the same time, as shown in FIG. 6B, each pixel region P is provided with a second switching thin film transistor (not shown), a second driving thin film transistor DTr2 and a second organic light emitting diode E2 2 substrate 102 is prepared.

여기서, 각 화소영역(P)에 형성된 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 제 1 및 제 2 구동 박막트랜지스터(DTr1, DTr2)와 제 1 및 제 2 유기전계발광 다이오드(E1, E2)에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 제 1 및 제 2 기판(101, 102)의 각 화소영역(P)에 비정질 실리콘을 증착하여 비정질 실리콘층(미도시)을 형성하고, 이에 대해 레이저 빔을 조사하거나 또는 열처리를 실시하여 상기 비정질 실리콘층을 폴리실리콘층(미도시)으로 결정화시킨다. Here, the first and second switching thin film transistors (not shown), the first and second driving thin film transistors DTr1 and DTr2, and the first and second organic light emitting diodes E1 and E2 , An amorphous silicon layer (not shown) is formed by depositing amorphous silicon on each pixel region P of the first and second substrates 101 and 102, and a laser beam is irradiated to the amorphous silicon layer And the amorphous silicon layer is crystallized into a polysilicon layer (not shown) by heat treatment.

이후, 마스크 공정을 실시하여 폴리실리콘층(미도시)을 패터닝하여 순수 폴리실리콘 상태의 반도체층(도 3의 103, 203)을 형성한다. 이때 비정질 실리콘층(미도시)을 형성하기 전에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 전면에 증착함으로써 버퍼층(미도시)을 형성할 수도 있다. Thereafter, a mask process is performed to pattern a polysilicon layer (not shown) to form a semiconductor layer (103, 203 in FIG. 3) in a pure polysilicon state. Before forming the amorphous silicon layer (not shown), an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x) is deposited on the entire surface of the first and second substrates 101 and 102 to form a buffer layer ) May be formed.

다음으로, 순수 폴리실리콘의 반도체층(도 3의 103, 203) 위로 산화실리콘(SiO2)을 증착하여 게이트절연막(도 3의 105, 205)을 형성한다. Next, pure depositing a polysilicon semiconductor layer of silicon oxide (SiO 2) to the top (103, 203 in Fig. 3) to form a gate insulating film (105, 205 in Fig. 3).

이후, 게이트절연막(도 3의 105, 205) 위로 저저항 금속물질 예를들면 알루 미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금 중 하나를 증착하여 제 1 금속층(미도시)을 형성하고, 이를 마스크 공정을 진행하여 반도체층(도 3의 103, 203)의 중앙부에 대응하여 게이트전극(도 3의 107, 207)을 형성한다. Thereafter, one of low resistance metal materials such as aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), and copper alloy is deposited on the gate insulating film (105 and 205 in FIG. 3) And a mask process is performed to form gate electrodes (107 and 207 in FIG. 3) corresponding to the central portions of the semiconductor layers (103 and 203 in FIG. 3).

다음, 게이트전극(도 3의 107, 207)을 블록킹 마스크로 이용하여 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 전면에 불순물 즉, 3가 원소 또는 5가 원소를 도핑함으로써 반도체층(도 3의 103, 203) 중 게이트전극(도 3의 107, 207) 외측에 위치한 부분에 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(도 3의 103a, 103c, 203a, 203c)을 이루도록 하고, 도핑이 방지된 게이트전극(도 3의 107, 207)에 대응하는 부분은 순수 폴리실리콘의 액티브영역(도 3의 103b, 203b)을 이루도록 한다. Next, the impurity, that is, the trivalent element or the pentavalent element is doped on the entire surface of the first and second substrates 101 and 102 by using the gate electrode (107 and 207 in FIG. 3) as a blocking mask, 103c, 203a, and 203c of FIG. 3) doped with impurities are formed in portions located outside the gate electrodes (107 and 207 in FIG. 3) (107 and 207 in FIG. 3) constitute active regions (103b and 203b in FIG. 3) of pure polysilicon.

다음으로 반도체층(도 3의 103, 203)이 형성된 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 전면에 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiO2)과 같은 무기절연물질을 증착하여 전면에 제 1 층간절연막(도 3의 109a, 209a)을 형성하고, 마스크 공정을 진행하여 제 1 층간절연막(도 3의 109a, 209a)과 하부의 게이트절연막(도 3의 105, 205)을 동시 또는 일괄 패터닝함으로써 반도체층(도 3의 103, 203)의 소스 및 드레인영역(도 3의 103a, 103c, 203a, 203c)을 각각 노출시키는 제 1 및 제 2 반도체층콘택홀(도 3의 111a, 111b, 211a, 211b)을 형성한다.Next, the front by depositing an inorganic insulating material such as a semiconductor layer (103, 203 in Fig. 3) is formed, the first and second substrates 101 and 102, a silicon nitride (SiNx) on a whole surface or a silicon oxide (SiO 2) The first interlayer insulating film (109a, 209a in FIG. 3) and the lower gate insulating film (105, 205 in FIG. 3) are simultaneously or collectively patterned by forming a first interlayer insulating film (109a, 209a in FIG. 3) The first and second semiconductor layer contact holes (111a, 111b, 211a in Fig. 3) for exposing the source and drain regions (103a, 103c, 203a and 203c in Fig. 3) of the semiconductor layers , And 211b are formed.

이후, 제 1 층간절연막(도 3의 109a, 209a) 위로 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 크롬(Cr) 및 몰리브덴(Mo) 중 하나를 증착하여 제 2 금속층(미도시)을 형성하고, 마스크 공정을 진행하여 패터닝 함으로써 제 1 및 제 2 반도체층콘택홀(도 3의 111a, 111b, 211a, 211b)을 통해 소스 및 드레인영역(도 3의 103a, 103c, 203a, 203c)과 접촉하는 소스 및 드레인전극(도 3의 113, 115, 213, 215)을 형성한다. Thereafter, a metal material such as aluminum (Al), an aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), a copper alloy, chromium (Cr) and molybdenum (Mo) is deposited on the first interlayer insulating film (Not shown) are formed on the first and second semiconductor layer contact holes (111a, 111b, 211a, and 211b in FIG. 3) by patterning the second metal layer (113, 115, 213, and 215 in FIG. 3) are formed in contact with the gate electrodes 103a, 103c, 203a, and 203c.

다음으로 소스 및 드레인전극(도 3의 113, 115, 213, 215)이 형성된 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 상에 포토아크릴(photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등의 유기절연물질을 도포하고 마스크공정을 통해 패터닝함으로써, 제 2 층간절연막(도 3의 109b, 209b)을 형성한다. Next, on the first and second substrates 101 and 102 on which the source and drain electrodes (113, 115, 213 and 215 in FIG. 3) are formed, an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene (BCB) A material is applied and patterned through a mask process to form a second interlayer insulating film (109b, 209b in Fig. 3).

이때, 제 2 층간절연막(도 3의 109b, 209b)은 드레인전극(도 3의 115, 215)을 노출하는 드레인전극 콘택홀(도 3의 117, 217)을 가진다. At this time, the second interlayer insulating film (109b and 209b in FIG. 3) has drain electrode contact holes (117 and 217 in FIG. 3) exposing drain electrodes (115 and 215 in FIG. 3).

다음으로, 제 2 층간절연막(도 3의 109b, 209b)의 상부로 드레인콘택홀(도 3의 117, 217)을 통해 드레인전극(도 3의 115, 215)과 접촉하며 제 1 및 제 2 유기전계발광 다이오드(E1, E2)를 구성하는 일 구성요소로써 양극(anode)을 이루는 제 1 전극(211, 311)을 형성한다. Next, the first and second organic layers are formed in contact with the drain electrodes (115 and 215 in FIG. 3) through the drain contact holes (117 and 217 in FIG. 3) to the upper portions of the second interlayer insulating films (109b and 209b in FIG. 3) First electrodes 211 and 311 constituting an anode are formed as constituent elements of the electroluminescent diodes E1 and E2.

이어서, 제 1 전극(211, 311)의 상부에 감광성 유기절연 재질, 예를 들면 블랙 수지, 그래파이트 파우더(graphite powder), 그라비아 잉크, 블랙 스프레이, 블랙 에나멜 중 하나를 도포하고 이를 패터닝함으로써 제 1 전극(211, 311)의 상부로 뱅크(도 3의 121, 221)를 형성한다. Then, one of a photosensitive organic insulating material such as a black resin, a graphite powder, a gravure ink, a black spray, and a black enamel is coated on the first electrodes 211 and 311 and patterned, (121 and 221 in FIG. 3) are formed above the banks 211 and 311, respectively.

뱅크(도 3의 121, 221)는 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 전체적으로 격자 구조의 매트릭스 타입으로 형성되어 화소영역(P) 간을 구분하게 된다.The banks (121 and 221 in FIG. 3) are formed in a matrix type of a lattice structure as a whole on the first and second substrates 101 and 102 to distinguish between the pixel regions P.

다음으로, 뱅크(도 3의 121, 221)의 상부에 유기발광물질을 도포 또는 증착 하여 유기발광층(213, 312)을 형성한다. Next, the organic light emitting layers 213 and 312 are formed by applying or depositing an organic light emitting material on the banks (121 and 221 in FIG. 3).

이때 도면에 나타나지 않았지만, 유기발광층(213, 312)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층( hole transporting layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성할 수도 있다.Although not shown in the drawing, the organic light emitting layers 213 and 312 may be formed of a single layer made of a light emitting material. In order to enhance the light emitting efficiency, a hole injection layer, a hole transporting layer, emitting material layer, an electron transporting layer, and an electron injection layer.

다음으로, 유기발광층(213, 312) 상부에 일함수가 낮은 금속 물질을 얇게 증착한 반투명 금속막 상에 투명한 도전성 물질을 두껍게 증착한 제 2 전극(215, 315)을 형성함으로써, 제 1 및 제 2 유기전계발광 다이오드(E1, E2)를 완성하게 된다.Next, the second electrodes 215 and 315 are formed by depositing a thick transparent conductive material on the semitransparent metal film thinly deposited on the organic light emitting layers 213 and 312, 2 organic electroluminescent diodes E1 and E2.

그리고, 제 1 및 제 2 유기전계발광 다이오드(E1, E2)의 상부에는 각각 적어도 한층의 무기절연물질 및 적어도 한층의 유기절연물질을 교대로 적층된 제 1 및 제 2 버퍼층(110a, 120a)이 형성되어, 제 1 및 제 2 OLED패널(110a, 120)을 인캡슐레이션하게 된다. First and second buffer layers 110a and 120a, which are alternately stacked with at least one layer of an inorganic insulating material and at least one organic insulating material, are formed on the first and second organic light emitting diodes E1 and E2, And encapsulate the first and second OLED panels 110a and 120. [

이로써, 입체 OLED(도 3의 100)의 제 1 OLED패널(도 6a의 110) 및 제 2 OLED패널(도 6b의 120)이 완성된다. This completes the first OLED panel (110 in FIG. 6A) and the second OLED panel (120 in FIG. 6B) of the stereolithography OLED (100 in FIG. 3).

이때, 제 1 OLED패널(도 6a의 110)의 제 1 전극(도 3의 211)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄합금(AlNd), 마그네슘(Mg), 금(Au), 은(Ag) 등의 금속물질로 형성하며, 제 2 전극(도 3의 215)은 일함수가 낮은 금속 물질을 얇게 증착한 반투명 금속막 상에 투명한 도전성 물질이 두껍게 증착된하여 형성한다. The first electrode (211 in FIG. 3) of the first OLED panel (110 in FIG. 6A) may be formed of aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), magnesium (Mg), gold (Au) The second electrode 215 is formed by thickly depositing a transparent conductive material on a semitransparent metal film on which a metal material having a low work function is thinly deposited.

그리고, 제 2 OLED패널(도 6b의 120)의 제 1 전극(도 3의 311)은 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지도록 하며, 제 2 전극(도 3의 315)은 일함수가 낮은 금속 물질을 얇게 증착한 반투명 금속막 상에 투명한 도전성 물질이 두껍게 증착된하여 형성한다. The first electrode (311 in FIG. 3) of the second OLED panel (120 in FIG. 6B) is made of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) which is a transparent conductive material, The two electrodes (315 in FIG. 3) are formed by thickly depositing a transparent conductive material on a semitransparent metal film thinly deposited with a metal material having a low work function.

이로 인하여, 제 2 OLED패널(도 6b의 120)은 유기발광층(도 3의 313)으로부터 발광된 빛이 제 1 및 제 2 기판(101, 102) 모두를 향해 발광될 수 있는 투과형(transparent) OLED패널이다. Thus, the second OLED panel 120 of FIG. 6B is a transparent OLED in which light emitted from the organic light emitting layer 313 of FIG. 3 can be emitted toward both the first and second substrates 101 and 102. Therefore, Panel.

한편, 도면에 있어서는 3개의 화소영역(P)만이 도시되고 있으나 이는 편의를 위해 3개의 화소영역(P)만을 도시한 것이며 실질적으로는 수백에서 수천개의 화소영역이 구비된다.Although only three pixel regions P are illustrated in the drawing, only three pixel regions P are shown for convenience, and substantially hundreds to thousands of pixel regions are provided.

다음으로, 도 6c에 도시한 바와 같이, 제 1 및 제 2 OLED패널(도 6a의 110, 도 6b의 120)의 합착을 위해 절연기판(200) 상에 보호필름(130)을 부착하는 공정을 진행한다. Next, as shown in FIG. 6C, a process of attaching the protective film 130 on the insulating substrate 200 for attaching the first and second OLED panels (110 of FIG. 6A and 120 of FIG. 6B) Go ahead.

즉, 본 발명의 제 1 및 제 2 OLED패널(도 6a의 110, 도 6b의 120)은 보호필름(130)을 통해 서로 일정간격 이격하여 합착하게 된다. That is, the first and second OLED panels of the present invention (110 of FIG. 6A and 120 of FIG. 6B) are adhered to each other at a predetermined interval through the protective film 130.

여기서, 보호필름(130)은 소수성 특징을 갖거나, 또는 그 내부에 흡습 특성을 갖는 바륨 옥사이드(BaO) 또는 칼슘 옥사이드(CaO)가 포함된다. Here, the protective film 130 includes barium oxide (BaO) or calcium oxide (CaO), which has a hydrophobic characteristic or has a hygroscopic property therein.

그리고, 절연기판(200)과 접착되는 보호필름(130)의 타면에는 보호필름(130)을 보호하기 위한 보호테이프(130a)가 부착되며, 보호테이프(130a)는 차후 제 1 기판(도 6a의 110)과 절연기판(200)을 합착하는 단계에서 제거된다. A protective tape 130a for protecting the protective film 130 is attached to the other surface of the protective film 130 adhered to the insulating substrate 200. The protective tape 130a is attached to the first substrate 110 and the insulating substrate 200 are adhered to each other.

다음으로, 도 6d에 도시한 바와 같이 절연기판(200)의 보호테이프(도 6c의 130a)를 제거하여 보호필름(130)을 노출시킨 후, 절연기판(200)을 제 1 기판(101)과 마주하도록 위치시키고 얼라인을 실시한 후, 도 6e에 도시한 바와 같이 보호필름(130)과 제 1 기판(101) 상에 형성된 제 1 버퍼층(110a)이 완전히 밀착되도록 가압한 후, 절연기판(200)을 제거함으로써, 제 1 기판(101) 상에 보호필름(130)을 부착한다. Next, as shown in FIG. 6D, the protective tape 130a of the insulating substrate 200 is removed to expose the protective film 130, and then the insulating substrate 200 is removed from the first substrate 101, The protective film 130 and the first buffer layer 110a formed on the first substrate 101 are pressed so as to be completely in contact with each other as shown in FIG. 6E, and then the insulating substrate 200 The protective film 130 is adhered to the first substrate 101.

다음으로, 도 6f에 도시한 바와 같이, 제 2 OLED패널(120)을 제 2 버퍼층(120a)이 보호필름(130)과 밀착되도록 가압한다. Next, as shown in FIG. 6F, the second OLED panel 120 is pressed so that the second buffer layer 120a is in close contact with the protective film 130. Next, as shown in FIG.

이로써, 도 6g에 도시한 바와 같이 제 1 OLED패널(101)과 제 2OLED패널(102)이 완전히 합착되어 입체 OLED(100)를 이루게 된다. Thus, as shown in FIG. 6G, the first OLED panel 101 and the second OLED panel 102 are completely attached to each other to form a three-dimensional OLED 100.

전술한 바와 같이, 본 발명의 입체 OLED(100)는 실질적으로 하나의 표시소자에 제 1 OLED패널(110)과 투명한 제 2 OLED패널(120)을 구비하여, 서로 다른 화상 정보를 구현하도록 함으로써, 깊이감과 실제감이 있는 입체 영상을 구현하게 되며, 이와 동시에 제 1 및 제 2 OLED패널(110, 120)을 보호필름(130)을 통해 합착함으로써, 경량 및 박형의 입체 OLED(100)를 구현할 수 있다. As described above, the stereoscopic OLED 100 of the present invention includes the first OLED panel 110 and the transparent second OLED panel 120 in one display element, and realizes different image information, A three-dimensional image having a sense of depth and a real feeling can be realized. At the same time, the first and second OLED panels 110 and 120 are bonded together through the protective film 130 to realize a lightweight and thin stereoscopic OLED 100 have.

본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present invention.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 OLED의 한 화소에 대한 회로도.1 is a circuit diagram of a pixel of a general active matrix OLED;

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 입체 영상 구현이 가능한 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an OLED display.

도 3은 도 2의 일부를 확대 도시한 단면도.3 is an enlarged cross-sectional view of part of Fig.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 입체 OLED의 3차원 입체 영상이 구현되는 원리를 간략하게 나타낸 개념도.4 is a conceptual view briefly showing the principle of realizing a three-dimensional stereoscopic image of a stereoscopic OLED according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 입체 OLED에 나타나는 움직임 시차 효과를 나타낸 도면.FIG. 5 is a diagram showing a motion parallax effect appearing in the stereoscopic OLED of the present invention. FIG.

도 6a ~ 6g는 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 제조 단계별 공정 단면도.6A to 6G are cross-sectional views illustrating the steps of manufacturing an OLED according to an embodiment of the present invention.

Claims (9)

제 1 구동 박막트랜지스터와 제 1 유기전계발광 다이오드를 포함하며, 제 1 화상을 구현하는 제 1 유기전계패널과; A first organic electroluminescent panel including a first driving thin film transistor and a first organic electroluminescent diode, the first organic electroluminescent panel implementing a first image; 상기 제 1 화상이 투과되며, 제 2 구동 박막트랜지스터와 제 2 유기전계발광 다이오드를 포함하여, 상기 제 1 화상과 중첩되어 3차원 영상을 구현하는 제 2 화상을 구현하는 제 2 유기전계패널과; A second organic electronic field panel including a second driving thin film transistor and a second organic light emitting diode, the first organic thin film transistor and the second organic thin film transistor being overlapped with the first image to implement a second image for implementing a three dimensional image; 상기 제 1 및 제 2 유기전계패널 사이에 개재되는 보호필름And a protective film interposed between the first and second organic electric field panels 을 포함하는 3차원 입체 영상 유기전계발광소자. Dimensional stereoscopic organic electroluminescent device. 제 1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제 1 및 제 2 유기전계발광 다이오드는 각각 제 1 및 제 2 전극과 발광층으로 이루어지는 3차원 입체 영상 유기전계발광소자. Wherein the first and second organic light emitting diodes comprise first and second electrodes and a light emitting layer, respectively. 제 2 항에 있어서, 3. The method of claim 2, 상기 제 2 유기전계발광 다이오드의 상기 제 1 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명 도전성 물질 중 선택된 하나로 이루어지며, 상기 제 1 유기전계발광 다이오드의 상기 제 1 전극은 알루미 늄(Al) 또는 알루미늄합금(AlNd), 마그네슘(Mg), 금(Au), 은(Ag) 등의 금속물질 중 선택된 하나로 이루어지는 3차원 입체 영상 유기전계발광소자. Wherein the first electrode of the second organic light emitting diode is made of a selected one of transparent conductive materials including indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO), and the first electrode of the first organic light emitting diode Wherein the first electrode is made of one selected from the group consisting of aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), magnesium (Mg), gold (Au), and silver (Ag). 제 1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 보호필름은 소수성을 갖거나, 또는 흡습물질을 포함하는 3차원 입체 영상 유기전계발광소자. The three-dimensional stereoscopic organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the protective film is hydrophobic or comprises a hygroscopic material. 제 4 항에 있어서, 5. The method of claim 4, 상기 흡습물질은 바륨 옥사이드(BaO) 또는 칼슘 옥사이드(CaO)인 3차원 입체 영상 유기전계발광소자.Wherein the moisture absorbing material is barium oxide (BaO) or calcium oxide (CaO). 제 1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제 1 및 제 2 유기전계패널은 버퍼층을 통해, 인캡슐레이션(encapsulation)되는 3차원 입체 영상 유기전계발광소자. Wherein the first and second organic electroluminescent panels are encapsulated through a buffer layer. 제 6 항에 있어서, The method according to claim 6, 상기 버퍼층은 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(Si02) 또는 알루미나(Al2O3)를 포함하는 무기절연물질과 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리 아마이드(polyamide) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)를 포함하는 유기절연물질이 교대로 적층된 복수층인 3차원 입체 영상 유기전계발광소자. The buffer layer is a silicon nitride (SiNx), silicon oxide (Si0 2) or alumina (Al 2 O 3) inorganic insulating material and a polyacrylate (polyacrylate) including a polyimide (polyimide), polyamide (polyamide), or benzo A three-dimensional stereoscopic organic electroluminescent device having a plurality of layers in which organic insulating materials including cyclobutene (BCB) are alternately laminated. 제 2 항에 있어서, 3. The method of claim 2, 상기 구동 박막트랜지스터는 반도체층, 게이트전극 및 드레인 및 소스전극으로 이루어지는 3차원 입체 영상 유기전계발광소자.Wherein the driving thin film transistor comprises a semiconductor layer, a gate electrode, and a drain and a source electrode. 제 8 항에 있어서, 9. The method of claim 8, 상기 제 1 전극은 상기 드레인전극과 전기적으로 연결되는 3차원 입체 영상 유기전계발광소자.Wherein the first electrode is electrically connected to the drain electrode.
KR1020090131558A 2009-12-28 2009-12-28 3 3D images organic electro-luminescence device KR101562285B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090131558A KR101562285B1 (en) 2009-12-28 2009-12-28 3 3D images organic electro-luminescence device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090131558A KR101562285B1 (en) 2009-12-28 2009-12-28 3 3D images organic electro-luminescence device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110075188A KR20110075188A (en) 2011-07-06
KR101562285B1 true KR101562285B1 (en) 2015-10-21

Family

ID=44915226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090131558A KR101562285B1 (en) 2009-12-28 2009-12-28 3 3D images organic electro-luminescence device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101562285B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003208109A (en) 2002-01-11 2003-07-25 Hitachi Ltd Active matrix type display device
JP2004226795A (en) 2003-01-24 2004-08-12 Pioneer Electronic Corp Three-dimensional image display device
JP2006128679A (en) 2005-10-24 2006-05-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method for manufacturing semiconductor device
KR100770127B1 (en) 2006-11-10 2007-10-24 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display device and manufacturing method thereof and moving device therefor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003208109A (en) 2002-01-11 2003-07-25 Hitachi Ltd Active matrix type display device
JP2004226795A (en) 2003-01-24 2004-08-12 Pioneer Electronic Corp Three-dimensional image display device
JP2006128679A (en) 2005-10-24 2006-05-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method for manufacturing semiconductor device
KR100770127B1 (en) 2006-11-10 2007-10-24 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display device and manufacturing method thereof and moving device therefor

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110075188A (en) 2011-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101994227B1 (en) Organic light emitting diode device and method for fabricating the same
KR101927334B1 (en) Organic electro luminescence device and method for fabricating the same
KR102045036B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Having High Aperture Ratio And Method For Manufacturing The Same
JP6182985B2 (en) Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus
KR101697611B1 (en) Organic electro luminescent device
KR102009802B1 (en) Flexible type organic light emitting diode device and fabricating method thereof
KR101576834B1 (en) Organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same
KR101967600B1 (en) Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same
KR101603145B1 (en) Method of fabricating for dual panel type organic electro-luminescent device
KR20190048642A (en) Display apparatus
KR20210025567A (en) Electroluminescent display device
KR102062912B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same
CN110010652B (en) Electroluminescent display device and method of manufacturing the same
KR102100656B1 (en) Organic light emitting display device and method of fabricating thereof
WO2015096356A1 (en) Double-sided display panel
KR20190073979A (en) Two-way organic light emitting diodes
KR101311670B1 (en) Organic Electroluminescent Device and method for fabricating thereof
EP2197061A2 (en) Organic light emitting diode display
KR101992903B1 (en) Flexible organic luminescence emitted diode device and method for fabricating the same
KR20180077856A (en) Electroluminescent Display Device
KR20150074826A (en) Flexible organic electroluminescent emitted diode device and method for fabricating the same
CN114725163A (en) Display device
KR101587097B1 (en) Method of fabricating for dual panel type organic electro-luminescent device
KR102094143B1 (en) Fabricating Method Of Organic Light Emitting Diode Display
KR101782165B1 (en) Organic electro-luminescence display and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180917

Year of fee payment: 4