KR20180077856A - Electroluminescent Display Device - Google Patents

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KR20180077856A
KR20180077856A KR1020160182644A KR20160182644A KR20180077856A KR 20180077856 A KR20180077856 A KR 20180077856A KR 1020160182644 A KR1020160182644 A KR 1020160182644A KR 20160182644 A KR20160182644 A KR 20160182644A KR 20180077856 A KR20180077856 A KR 20180077856A
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박성수
유영준
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이학민
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Abstract

The present invention relates to an electroluminescent display device. The electroluminescent display device comprises first and second substrates; a light emitting diode on the internal surface of the first substrate; and a black matrix having an aperture ratio corresponding to the light emitting diode on the internal surface of the second substrate. In the black matrix, the width of a first surface contacting the second substrate is narrower than the width of a second surface opposite to the first surface. Therefore, an angle of outputted light is widened to provide an improved viewing angle.

Description

전계발광 표시장치{Electroluminescent Display Device}[0001] Electroluminescent Display Device [0002]

본 발명은 전계발광 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 효율 및 색 재현율을 향상시킬 수 있는 전계발광 표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention [0001] The present invention relates to an electroluminescent display device, and more particularly, to an electroluminescent display device capable of improving light efficiency and color gamut.

최근, 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판표시장치(flat panel display)가 널리 개발되어 다양한 분야에 적용되고 있다. 2. Description of the Related Art Flat panel displays having excellent characteristics such as thinning, lightening, and low power consumption have been widely developed and applied to various fields.

평판표시장치 중에서, 전계발광 표시장치(electroluminescent display device)는 전자 주입 전극인 음극과 정공 주입 전극인 양극 사이에 형성된 발광층에 전하를 주입하여 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내는 소자이다. 이러한 전계발광 표시장치는 플라스틱과 같은 유연한 기판(flexible substrate) 위에도 형성할 수 있을 뿐 아니라, 자체 발광형이기 때문에 대조비(contrast ratio)가 크며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도이므로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없다. Among flat panel display devices, an electroluminescent display device is a device which injects electric charge into a light emitting layer formed between a cathode which is an electron injection electrode and a cathode which is a hole injection electrode, and pairs electrons and holes and then extinguishes and emits light . The electroluminescent display device can be formed on a flexible substrate such as a plastic substrate. Since the self-emission type display device has a large contrast ratio and response time of several microseconds, It is easy, there is no limitation of viewing angle.

전계발광 표시장치는 구동 방식에 따라 수동형(passive matrix type) 및 능동형(active matrix type)으로 나누어질 수 있는데, 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 능동형 전계발광 표시장치가 다양한 표시장치에 널리 이용되고 있다. The electroluminescent display device can be divided into a passive matrix type and an active matrix type according to a driving method. An active type electroluminescent display device capable of low power consumption, high definition, and large size is widely used in various display devices have.

이러한 전계발광 표시장치는, 하나의 화소가 적, 녹, 청의 부화소(sub pixel)를 포함하고, 적, 녹, 청의 부화소는 각각 적, 녹, 청색 광을 발광하는 발광층을 포함함으로써, 각 부화소로부터 발광된 빛을 조합하여 영상을 표시한다. In this electroluminescent display device, one pixel includes red, green, and blue subpixels, and the red, green, and blue subpixels include a light emitting layer that emits red, green, and blue light, respectively, And displays the image by combining light emitted from the sub-pixel.

그런데, 적, 녹, 청색 광을 발광하는 발광층은 서로 다른 물질로 형성되어 서로 다른 특성을 가진다. 이에 따라, 적, 녹, 청의 부화소는 서로 다른 발광 효율을 가지며 각각의 수명도 서로 다르다는 문제가 있다. However, the light emitting layers emitting red, green and blue light are formed of different materials and have different characteristics. Accordingly, the red, green, and blue subpixels have different luminous efficiencies and have different lifetimes.

또한, 종래의 전계발광 표시장치는 낮은 색 순도에 의해 색재현율이 낮은 문제가 있다. 이때, 색 순도를 높이기 위해 마이크로 캐비티(microcavity) 효과를 적용할 경우, 시야각이 좁아지게 된다. In addition, the conventional electroluminescent display device has a low color purity due to low color purity. At this time, when the microcavity effect is applied to increase the color purity, the viewing angle becomes narrow.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 종래 전계발광 표시장치의 부화소 별 발광 효율 및 수명 차이 문제를 해결하고자 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to solve the luminous efficiency and lifetime difference problem of the conventional EL display device.

또한, 본 발명은 종래 전계발광 표시장치의 낮은 색재현율 및 시야각 문제를 해결하고자 한다.Also, the present invention aims to solve the low color gamut and viewing angle problem of the conventional electroluminescent display device.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 전계발광 표시장치는, 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 내면의 발광다이오드와, 제2 기판 내면에 발광다이오드에 대응하여 개구부를 가지는 블랙매트릭스를 포함하고, 블랙매트릭스는 제2 기판과 접하는 제1 면의 폭이 상기 제1 면 반대의 제2 면의 폭보다 좁다.According to an aspect of the present invention, there is provided an electroluminescent display device including a first substrate and a second substrate, a light emitting diode on an inner surface of the first substrate, and a light emitting diode having an opening corresponding to the light emitting diode on the inner surface of the second substrate, And the black matrix has a width of the first surface that is in contact with the second substrate is narrower than a width of the second surface opposite to the first surface.

이때, 발광다이오드는 다수의 부화소 각각에 위치하고, 다수의 부화소의 발광다이오드는 동일 발광물질로 이루어진 발광층을 포함한다.At this time, the light emitting diode is located in each of the plurality of sub-pixels, and the light emitting diodes of the plurality of sub-pixels include the light emitting layer made of the same light emitting material.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 각 부화소의 발광다이오드의 발광층을 동일 발광물질로 형성함으로써, 부화소 별 발광 효율 및 수명을 균일하게 할 수 있다. As described above, according to the present invention, by forming the light emitting layers of the light emitting diodes of the respective sub-pixels from the same light emitting material, the light emitting efficiency and lifetime can be made uniform for each sub-pixel.

또한, 역경사진 측면을 갖는 블랙 매트릭스를 이용함으로써, 출력되는 빛의 각도를 넓혀 시야각을 향상시킬 수 있다. Further, by using a black matrix having a side opposite to the photographic image, the viewing angle can be improved by widening the angle of output light.

또한, 블랙 매트릭스와 컬러필터층 사이에 컬러필터층보다 낮은 굴절률을 갖는 반사층을 형성하여, 광 효율을 증가시킬 수 있다. Further, a reflective layer having a refractive index lower than that of the color filter layer may be formed between the black matrix and the color filter layer to increase light efficiency.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 하나의 화소영역을 나타내는 회로도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에서 방출되는 빛의 경로의 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 시야각 특성을 나타내는 도면이다.
도 5는 비교예에 따른 전계발광 표시장치의 시야각 특성을 나타내는 도면이다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도이다. 1 is a circuit diagram showing one pixel region of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view of a path of light emitted from an electroluminescence display according to an embodiment of the present invention.
4 is a view illustrating viewing angle characteristics of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing a viewing angle characteristic of an electroluminescent display device according to a comparative example.
6A to 6E are cross-sectional views schematically illustrating a method of manufacturing an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 전계발광 표시장치는, 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판 내면의 발광다이오드와, 상기 제2 기판 내면에 상기 발광다이오드에 대응하여 개구부를 가지는 블랙매트릭스를 포함하고, 상기 블랙매트릭스는 상기 제2 기판과 접하는 제1 면의 폭이 상기 제1 면 반대의 제2 면의 폭보다 좁다.An electroluminescent display device according to the present invention includes a first substrate and a second substrate, a light emitting diode on the inner surface of the first substrate, and a black matrix having an opening corresponding to the light emitting diode on the inner surface of the second substrate, The width of the first surface contacting the second substrate is narrower than the width of the second surface opposite to the first surface.

상기 블랙매트릭스의 폭은 상기 제1 면에서 상기 제2 면으로 갈수록 증가한다.The width of the black matrix increases from the first surface to the second surface.

상기 제2 기판 내면에 상기 개구부에 대응하여 컬러필터층을 더 포함한다.And a color filter layer on the inner surface of the second substrate corresponding to the opening.

상기 발광다이오드는 다수의 부화소 각각에 포함되고, 상기 다수의 부화소의 발광다이오드는 동일 발광물질로 이루어진 발광층을 포함한다.The light emitting diode is included in each of the plurality of sub-pixels, and the light emitting diodes of the plurality of sub-pixels include a light emitting layer made of the same light emitting material.

상기 블랙매트릭스과 상기 컬러필터층 사이에 반사층을 더 포함한다.And a reflective layer between the black matrix and the color filter layer.

상기 반사층은 상기 컬러필터층보다 작은 굴절률을 가진다.The reflective layer has a smaller refractive index than the color filter layer.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 하나의 화소영역을 나타내는 회로도이다. 1 is a circuit diagram showing one pixel region of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)을 포함하고, 각각의 화소영역(P)에는 스위칭 박막트랜지스터(Ts)와 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터(Cst), 그리고 발광다이오드(D)가 형성된다. 1, an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a gate line GL and a data line DL that define a pixel region P and intersect with each other, A switching thin film transistor Ts, a driving thin film transistor Td, a storage capacitor Cst, and a light emitting diode D are formed in the pixel region P.

보다 상세하게, 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트 전극은 게이트 배선(GL)에 연결되고 소스 전극은 데이터 배선(DL)에 연결된다. 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극은 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 드레인 전극에 연결되고, 소스 전극은 고전위 전압(VDD)에 연결된다. 발광다이오드(D)의 애노드(anode)는 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인 전극에 연결되고, 캐소드(cathode)는 저전위 전압(VSS)에 연결된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 드레인 전극에 연결된다. More specifically, the gate electrode of the switching thin film transistor Ts is connected to the gate wiring GL and the source electrode thereof is connected to the data wiring DL. The gate electrode of the driving thin film transistor Td is connected to the drain electrode of the switching thin film transistor Ts, and the source electrode thereof is connected to the high potential voltage VDD. The anode of the light emitting diode D is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor Td and the cathode is connected to the low potential voltage VSS. The storage capacitor Cst is connected to the gate electrode and the drain electrode of the driving thin film transistor Td.

이러한 전계발광 표시장치의 영상표시 동작을 살펴보면, 게이트 배선(GL)을 통해 인가된 게이트 신호에 따라 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 턴-온(turn-on) 되고, 이때, 데이터 배선(DL)으로 인가된 데이터 신호가 스위칭 박막트랜지스터(Ts)를 통해 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 스토리지 커패시터(Cst)의 일 전극에 인가된다. In the image display operation of the electroluminescence display device, the switching thin film transistor Ts is turned on according to a gate signal applied through the gate line GL, and at this time, An applied data signal is applied to the gate electrode of the driving thin film transistor Td and one electrode of the storage capacitor Cst through the switching thin film transistor Ts.

구동 박막트랜지스터(Td)는 데이터 신호에 따라 턴-온 되어 발광다이오드(D)를 흐르는 전류를 제어하여 영상을 표시한다. 발광다이오드(D)는 구동 박막트랜지스터(Td)를 통하여 전달되는 고전위 전압(VDD)의 전류에 의하여 발광한다.The driving thin film transistor Td is turned on according to the data signal to control the current flowing through the light emitting diode D to display an image. The light emitting diode D emits light by a current of a high potential voltage (VDD) transmitted through the driving thin film transistor Td.

즉, 발광다이오드(D)를 흐르는 전류의 양은 데이터 신호의 크기에 비례하고, 발광다이오드(D)가 방출하는 빛의 세기는 발광다이오드(D)를 흐르는 전류의 양에 비례하므로, 화소영역(P)은 데이터 신호의 크기에 따라 상이한 계조를 표시하고, 그 결과 전계발광 표시장치는 영상을 표시한다. That is, since the amount of current flowing through the light emitting diode D is proportional to the size of the data signal and the intensity of light emitted by the light emitting diode D is proportional to the amount of current flowing through the light emitting diode D, ) Displays different gradations according to the size of the data signal, and as a result, the electroluminescence display device displays an image.

스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 신호에 대응되는 전하를 일 프레임(frame) 동안 유지하여 발광다이오드(D)를 흐르는 전류의 양을 일정하게 하고 발광다이오드(D)가 표시하는 계조를 일정하게 유지시키는 역할을 한다. The storage capacitor Cst holds the charge corresponding to the data signal for one frame to keep the amount of current flowing through the light emitting diode D constant and to keep the gradation displayed by the light emitting diode D constant .

한편, 화소영역(P)에는 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(Ts, Td)와 스토리지 커패시터(Cst) 외에 다른 트랜지스터와 커패시터가 더 추가될 수도 있다. In addition, transistors and capacitors other than the switching and driving thin film transistors Ts and Td and the storage capacitor Cst may be further added to the pixel region P. [

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 단면도로, 하나의 화소영역을 도시한다. 2 is a cross-sectional view of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention, and shows one pixel region.

도 2에 도시한 바와 같이, 제1 기판(110) 상부에 패터닝된 반도체층(122)이 형성된다. 제1 기판(110)은 유리기판이나 플라스틱기판일 수 있다. 여기서, 제1 기판(110)과 반도체층(122) 사이에는 버퍼층(도시하지 않음)이 더 형성될 수 있다.As shown in FIG. 2, a patterned semiconductor layer 122 is formed on the first substrate 110. The first substrate 110 may be a glass substrate or a plastic substrate. Here, a buffer layer (not shown) may be further formed between the first substrate 110 and the semiconductor layer 122.

반도체층(122)은 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있는데, 이 경우 반도체층(122) 하부에는 차광패턴(도시하지 않음)이 더 형성될 수 있으며, 차광패턴은 반도체층(122)으로 입사되는 빛을 차단하여 반도체층(122)이 빛에 의해 열화되는 것을 방지한다. 이와 달리, 반도체층(122)은 다결정 실리콘으로 이루어질 수도 있으며, 이 경우 반도체층(122)의 양 가장자리에 불순물이 도핑되어 있을 수 있다. In this case, a light shielding pattern (not shown) may be further formed under the semiconductor layer 122, and the light shielding pattern may include a light shielding pattern Thereby preventing the semiconductor layer 122 from being deteriorated by light. Alternatively, the semiconductor layer 122 may be made of polycrystalline silicon. In this case, impurities may be doped on both edges of the semiconductor layer 122.

반도체층(122) 상부에는 절연물질로 이루어진 게이트 절연막(130)이 실질적으로 제1 기판(110) 전면에 형성된다. 게이트 절연막(130)은 산화 실리콘(SiO2)과 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다. 반도체층(122)이 다결정 실리콘으로 이루어질 경우, 게이트 절연막(130)은 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)으로 형성될 수 있다.A gate insulating layer 130 made of an insulating material is formed on the entire surface of the first substrate 110 on the semiconductor layer 122. The gate insulating film 130 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ). When the semiconductor layer 122 is made of polycrystalline silicon, the gate insulating layer 130 may be formed of silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx).

게이트 절연막(130) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 게이트 전극(132)이 반도체층(122)의 중앙에 대응하여 형성된다. 또한, 게이트 절연막(130) 상부에는 게이트 배선(도시하지 않음)과 제1 커패시터 전극(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 게이트 배선은 제1방향을 따라 연장되고, 제1 커패시터 전극은 게이트 전극(132)에 연결된다. A gate electrode 132 made of a conductive material such as metal is formed on the gate insulating layer 130 to correspond to the center of the semiconductor layer 122. A gate line (not shown) and a first capacitor electrode (not shown) may be formed on the gate insulating layer 130. The gate wiring extends along the first direction, and the first capacitor electrode is connected to the gate electrode 132. [

한편, 본 발명의 실시예에서는 게이트 절연막(130)이 제1 기판(110) 전면에 형성되어 있으나, 게이트 절연막(130)은 게이트 전극(132)과 동일한 모양으로 패터닝될 수도 있다. Although the gate insulating layer 130 is formed on the entire surface of the first substrate 110 in the exemplary embodiment of the present invention, the gate insulating layer 130 may be patterned to have the same shape as the gate electrode 132.

게이트 전극(132) 상부에는 절연물질로 이루어진 층간 절연막(140)이 실질적으로 제1 기판(110) 전면에 형성된다. 층간 절연막(140)은 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질로 형성되거나, 포토 아크릴(photo acryl)이나 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 같은 유기절연물질로 형성될 수 있다. An interlayer insulating layer 140 made of an insulating material is formed on the entire surface of the first substrate 110 on the gate electrode 132. The interlayer insulating film 140 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x), or an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene .

층간 절연막(140)은 반도체층(122)의 양측 상면을 노출하는 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)을 가진다. 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)은 게이트 전극(132)의 양측에 게이트 전극(132)과 이격되어 위치한다. 여기서, 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)은 게이트 절연막(130) 내에도 형성된다. 이와 달리, 게이트 절연막(130)이 게이트 전극(132)과 동일한 모양으로 패터닝될 경우, 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)은 층간 절연막(140) 내에만 형성된다. The interlayer insulating film 140 has first and second contact holes 140a and 140b that expose both upper surfaces of the semiconductor layer 122. [ The first and second contact holes 140a and 140b are spaced apart from the gate electrode 132 on both sides of the gate electrode 132. Here, the first and second contact holes 140a and 140b are also formed in the gate insulating film 130. Alternatively, when the gate insulating film 130 is patterned to have the same shape as the gate electrode 132, the first and second contact holes 140a and 140b are formed only in the interlayer insulating film 140. [

층간 절연막(140) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 소스 및 드레인 전극(142, 144)이 형성된다. 또한, 층간 절연막(140) 상부에는 제2방향을 따라 연장되는 데이터 배선(도시하지 않음)과 전원 배선(도시하지 않음) 및 제2 커패시터 전극(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. On the interlayer insulating layer 140, source and drain electrodes 142 and 144 are formed of a conductive material such as a metal. A data line (not shown), a power supply line (not shown), and a second capacitor electrode (not shown) may be formed on the interlayer insulating layer 140 in the second direction.

소스 및 드레인 전극(142, 144)은 게이트 전극(132)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)을 통해 반도체층(122)의 양측과 접촉한다. 도시하지 않았지만, 데이터 배선은 제2방향을 따라 연장되고 게이트 배선과 교차하여 각 화소영역을 정의하며, 고전위 전압을 공급하는 전원 배선은 데이터 배선과 이격되어 위치한다. 제2 커패시터 전극은 드레인 전극(144)과 연결되고, 제1 커패시터 전극과 중첩하여 둘 사이의 층간 절연막(140)을 유전체로 스토리지 커패시터를 이룬다. The source and drain electrodes 142 and 144 are spaced around the gate electrode 132 and contact the two sides of the semiconductor layer 122 through the first and second contact holes 140a and 140b, respectively. Although not shown, the data wiring extends along the second direction and crosses the gate wiring to define each pixel region, and the power wiring for supplying the high potential voltage is located apart from the data wiring. The second capacitor electrode is connected to the drain electrode 144, and overlaps the first capacitor electrode to form a storage capacitor with the dielectric interlayer 140 between the two.

한편, 반도체층(122)과, 게이트 전극(132), 그리고 소스 및 드레인 전극(142, 144)은 박막트랜지스터를 이룬다. 여기서, 박막트랜지스터는 반도체층(122)의 일측, 즉, 반도체층(122)의 상부에 게이트 전극(132)과 소스 및 드레인 전극(142, 144)이 위치하는 코플라나(coplanar) 구조를 가진다.On the other hand, the semiconductor layer 122, the gate electrode 132, and the source and drain electrodes 142 and 144 constitute a thin film transistor. Here, the thin film transistor has a coplanar structure in which the gate electrode 132 and the source and drain electrodes 142 and 144 are located on one side of the semiconductor layer 122, that is, above the semiconductor layer 122.

이와 달리, 박막트랜지스터는 반도체층의 하부에 게이트 전극이 위치하고 반도체층의 상부에 소스 및 드레인 전극이 위치하는 역 스태거드(inverted staggered) 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 반도체층은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다. Alternatively, the thin film transistor may have an inverted staggered structure in which a gate electrode is positioned below the semiconductor layer and source and drain electrodes are located above the semiconductor layer. In this case, the semiconductor layer may be made of amorphous silicon.

여기서, 박막트랜지스터는 전계발광 표시장치의 구동 박막트랜지스터에 해당하며, 구동 박막트랜지스터와 동일한 구조의 스위칭 박막트랜지스터(도시하지 않음)가 각 화소영역에 대응하여 제1 기판(110) 상에 더 형성된다. 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극(132)은 스위칭 박막트랜지스터의 드레인 전극(도시하지 않음)에 연결되고 구동 박막트랜지스터의 소스 전극(142)은 전원배선(도시하지 않음)에 연결된다. 또한, 스위칭 박막트랜지스터의 게이트 전극(도시하지 않음)과 소스 전극(도시하지 않음)은 게이트 배선 및 데이터 배선과 각각 연결된다.Here, the thin film transistor corresponds to a driving thin film transistor of an electroluminescence display, and a switching thin film transistor (not shown) having the same structure as the driving thin film transistor is further formed on the first substrate 110 corresponding to each pixel region . The gate electrode 132 of the driving thin film transistor is connected to the drain electrode (not shown) of the switching thin film transistor and the source electrode 142 of the driving thin film transistor is connected to the power supply wiring (not shown). In addition, a gate electrode (not shown) and a source electrode (not shown) of the switching thin film transistor are connected to the gate wiring and the data wiring, respectively.

소스 및 드레인 전극(142, 144) 상부에는 절연물질로 제1 절연막(152)과 제2 절연막(154)이 실질적으로 제1 기판(110) 전면에 순차적으로 형성된다. 제1 절연막(152)은 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질로 형성될 수 있으며, 제2 절연막(154)은 포토 아크릴이나 벤조사이클로부텐과 같은 유기절연물질로 형성되어 제2 절연막(154)의 상면은 평탄할 수 있다. A first insulating layer 152 and a second insulating layer 154 are sequentially formed on the entire surface of the first substrate 110 as insulating materials on the source and drain electrodes 142 and 144. The first insulating layer 152 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), and the second insulating layer 154 may be formed of an organic insulating material such as photoacryl or benzocyclobutene And the upper surface of the second insulating film 154 may be flat.

제1 절연막(152)과 제2 절연막(154)은 드레인 전극(144)을 노출하는 드레인 컨택홀(156)을 가진다. 여기서, 드레인 컨택홀(156)은 제2 컨택홀(140b) 바로 위에 형성된 것으로 도시되어 있으나, 제2 컨택홀(140b)과 이격되어 형성될 수도 있다. The first insulating layer 152 and the second insulating layer 154 have a drain contact hole 156 exposing the drain electrode 144. Here, the drain contact hole 156 is formed directly on the second contact hole 140b, but may be formed apart from the second contact hole 140b.

제1 절연막(152)과 제2 절연막(154) 중 하나는 생략될 수도 있으며, 일례로, 무기절연물질로 이루어진 제1 절연막(152)이 생략될 수 있다. One of the first insulating film 152 and the second insulating film 154 may be omitted. For example, the first insulating film 152 made of an inorganic insulating material may be omitted.

제2 절연막(154) 상부에는 비교적 일함수가 높은 도전성 물질로 제1 전극(160)이 형성된다. 제1 전극(160)은 각 화소영역마다 형성되고, 드레인 컨택홀(156)을 통해 드레인 전극(144)과 접촉한다. 일례로, 제1 전극(160)은 인듐-틴-옥사이드(indium tin oxide: ITO)나 인듐-징크-옥사이드(indium zinc oxide: IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있다. The first electrode 160 is formed of a conductive material having a relatively high work function on the second insulating layer 154. The first electrode 160 is formed in each pixel region and contacts the drain electrode 144 through the drain contact hole 156. For example, the first electrode 160 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

제1 전극(160) 상부에는 절연물질로 뱅크층(162)이 형성된다. 뱅크층(162)은 인접한 화소영역 사이에 위치하고, 제1 전극(160)을 노출하는 투과홀을 가지며, 제1 전극(160)의 가장자리를 덮는다. A bank layer 162 is formed on the first electrode 160 as an insulating material. The bank layer 162 is located between adjacent pixel regions and has a transmission hole for exposing the first electrode 160 and covers the edge of the first electrode 160.

여기서, 뱅크층(162)은 단일층 구조를 가지나, 이에 제한되지 않는다. 일례로, 뱅크층은 이중층 구조를 가질 수도 있다. 즉, 뱅크층은 제1 뱅크와 제1 뱅크 상부의 제2 뱅크를 포함하고, 제1뱅크의 폭이 제2 뱅크의 폭보다 넓을 수 있다. 이때, 제1 뱅크는 친수성 특성을 갖는 무기절연물질이나 유기절연물질로 이루어질 수 있으며, 제2 뱅크는 소수성 특성을 갖는 유기절연물질로 이루어질 수 있다.Here, the bank layer 162 has a single layer structure, but is not limited thereto. In one example, the bank layer may have a bilayer structure. That is, the bank layer includes the first bank and the second bank above the first bank, and the width of the first bank may be wider than the width of the second bank. In this case, the first bank may be formed of an inorganic insulating material or an organic insulating material having a hydrophilic property, and the second bank may be formed of an organic insulating material having a hydrophobic property.

뱅크층(162)의 투과홀을 통해 노출된 제1 전극(160) 상부에는 발광층(164)이 형성된다. 도시하지 않았지만, 발광층(164)은 제1 전극(160) 상부로부터 순차적으로 위치하는 정공보조층(hole auxiliary layer)과 발광물질층(light-emitting material layer) 및 전자보조층(electron auxiliary layer)을 포함할 수 있다. 발광물질층은 유기발광물질로 이루어지거나 양자 점(quantum dot)과 같은 무기발광물질로 이루어질 수 있다.A light emitting layer 164 is formed on the first electrode 160 exposed through the transmission hole of the bank layer 162. Although not shown, the light emitting layer 164 includes a hole auxiliary layer, a light-emitting material layer, and an electron auxiliary layer sequentially disposed from the top of the first electrode 160 . The light emitting material layer may be formed of an organic light emitting material or an inorganic light emitting material such as a quantum dot.

여기서, 정공보조층과 발광물질층 및 전자보조층은 용액 공정을 통해 형성될 수 있다. 이에 따라, 공정을 단순화하고 대면적 고해상도의 표시장치를 제공할 수 있다. 용액 공정으로는 스핀 코팅법이나 잉크젯 프린팅법 또는 스크린 프린팅법이 사용될 수 있다. Here, the hole-assist layer, the light-emitting material layer, and the electron-assist layer may be formed through a solution process. Thus, the process can be simplified and a display device with a large area and high resolution can be provided. As the solution process, a spin coating method, an inkjet printing method, or a screen printing method may be used.

이와 달리, 정공보조층과 발광물질층 및 전자보조층은 진공 증착을 통해 형성될 수도 있다. Alternatively, the hole-assist layer, the light-emitting material layer, and the electron-assist layer may be formed through vacuum deposition.

또는, 정공보조층과 발광물질층 및 전자보조층은 용액 공정과 진공 증착의 조합에 의해 형성될 수도 있다. Alternatively, the hole-assist layer, the light-emitting material layer and the electron-assist layer may be formed by a combination of a solution process and a vacuum deposition.

정공보조층은 정공주입층(hole injecting layer: HIL)과 정공수송층(hot transporting layer: HTL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 전자보조층은 전자주입층(electron injecting layer: EIL)과 전자수송층(electron transporting layer: ETL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The hole assist layer may include at least one of a hole injecting layer (HIL) and a hot transporting layer (HTL). The electron assist layer may include an electron injecting layer (EIL) and an electron transporting layer (ETL).

도면 상에서, 발광층(164)은 뱅크층(162)으로 둘러싸인 제1 전극(160) 상부에만 형성된 것으로 도시되어 있으나, 발광층(164)은 실질적으로 제1 기판(110) 전면에 형성될 수도 있다. 즉, 발광층(164)은 뱅크층(162)의 상면과 측면에도 형성될 수 있다.The light emitting layer 164 is formed only on the first electrode 160 surrounded by the bank layer 162. The light emitting layer 164 may be formed substantially on the entire surface of the first substrate 110. [ That is, the light emitting layer 164 may also be formed on the upper surface and the side surface of the bank layer 162.

발광층(164) 상부에는 비교적 일함수가 낮은 도전성 물질로 제2 전극(166)이 실질적으로 제1 기판(110) 전면에 형성된다. 여기서, 제2 전극(166)은 알루미늄(aluminum)이나 마그네슘(magnesium), 은(silver) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.A second electrode 166 is formed on the entire surface of the first substrate 110 with a conductive material having a relatively low work function above the light emitting layer 164. Here, the second electrode 166 may be formed of aluminum, magnesium, silver, or an alloy thereof.

제1 전극(160)과 발광층(164) 및 제2 전극(166)은 발광다이오드(D)를 이루며, 제1 전극(160)은 애노드(anode)의 역할을 하고, 제2 전극(166)은 캐소드(cathode)의 역할을 한다.The first electrode 160, the light emitting layer 164 and the second electrode 166 constitute a light emitting diode D. The first electrode 160 serves as an anode and the second electrode 166 serves as an anode. And serves as a cathode.

여기서, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 발광층(164)으로부터의 빛이 제2 전극(166)을 통해 외부로 출력되는 상부 발광 방식(top emission type)일 수 있다. 이때, 제1 전극(160)은 불투명 도전성 물질로 이루어진 반사층(도시하지 않음)을 더 포함한다. 일례로, 반사층은 알루미늄-팔라듐-구리(aluminum-paladium-copper: APC) 합금으로 형성될 수 있으며, 제1 전극(160)은 ITO/APC/ITO의 3중층 구조를 가질 수 있다. 또한, 제2 전극(166)은 빛이 투과되도록 비교적 얇은 두께를 가질 수 있다.Here, the electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention may be a top emission type in which light from the light emitting layer 164 is output to the outside through the second electrode 166. At this time, the first electrode 160 further includes a reflective layer (not shown) made of an opaque conductive material. For example, the reflective layer may be formed of an aluminum-palladium-copper (APC) alloy, and the first electrode 160 may have a triple-layer structure of ITO / APC / ITO. In addition, the second electrode 166 may have a relatively thin thickness so that light is transmitted.

이때, 발광다이오드(D)는 마이크로 캐비티 효과에 해당하는 소자 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 광 효율을 높일 수 있다.At this time, the light emitting diode D may have a thickness corresponding to the micro-cavity effect. Thus, the light efficiency can be increased.

한편, 제2 기판(170)이 제1 기판(110)과 이격되어 위치한다. 제2기판(170)은 유리기판이나 플라스틱기판일 수 있다.On the other hand, the second substrate 170 is spaced apart from the first substrate 110. The second substrate 170 may be a glass substrate or a plastic substrate.

제2 기판(170) 하부, 즉, 제2 기판(170)의 내면에는 블랙 매트릭스(172)가 형성된다. 블랙 매트릭스(172)는 화소영역의 발광다이오드(D)에 대응하여 개구부를 가지며, 인접한 화소영역 사이에 위치하여 화소영역 이외의 부분에서 빛이 출력되는 것을 차단한다. 이러한 블랙 매트릭스(172)는 제1 기판(110) 상의 뱅크층(162)에 대응하여 형성될 수 있다. A black matrix 172 is formed under the second substrate 170, that is, on the inner surface of the second substrate 170. The black matrix 172 has openings corresponding to the light emitting diodes D of the pixel region and is positioned between adjacent pixel regions to block light from being output in portions other than the pixel region. The black matrix 172 may be formed corresponding to the bank layer 162 on the first substrate 110.

한편, 블랙 매트릭스(172)는 제1 기판(110) 상의 박막트랜지스터 및/또는 게이트 배선과 데이터 배선 등을 덮을 수 있다. On the other hand, the black matrix 172 may cover the thin film transistors and / or the gate wirings and the data wirings on the first substrate 110.

여기서, 블랙 매트릭스(172)는 제2 기판(170)에서 제1 기판(110) 방향으로 갈수록 증가하는 폭을 가진다. 즉, 블랙 매트릭스(172)는 제2 기판(170)에 접하는 제1 면의 폭이 제1 면 반대의 제2 면의 폭보다 좁다. Here, the width of the black matrix 172 increases from the second substrate 170 toward the first substrate 110. That is, the width of the first surface of the black matrix 172 which is in contact with the second substrate 170 is narrower than the width of the second surface of the black matrix 172 opposite to the first surface.

블랙 매트릭스(172) 상부에는 반사층(174)이 형성된다. 이때, 반사층(174)은 블랙 매트릭스(172)를 둘러싼다. 보다 상세하게, 반사층(174)은 블랙 매트릭스(172)의 측면과 제2 면을 둘러싸며 이들과 접촉한다. 반사층(174)은 비교적 낮은 굴절률을 갖는 물질로 이루어질 수 있으며, 이에 대해 추후 상세히 설명한다.A reflective layer 174 is formed on the black matrix 172. At this time, the reflective layer 174 surrounds the black matrix 172. More specifically, the reflective layer 174 surrounds the second side of the black matrix 172 and contacts them. The reflective layer 174 may be made of a material having a relatively low refractive index, which will be described in detail later.

또한, 제2 기판(170)의 내면에는 블랙 매트릭스(172)의 개구부에 대응하여 컬러필터층(176)이 형성된다. 이에 따라, 반사층(174)은 블랙 매트릭스(172)의 측면과 컬러필터층(176)의 측면 사이에 위치한다. On the inner surface of the second substrate 170, a color filter layer 176 is formed corresponding to the opening of the black matrix 172. Accordingly, the reflective layer 174 is positioned between the side surface of the black matrix 172 and the side surface of the color filter layer 176.

컬러필터층(176)은 서로 다른 컬러필터를 포함하며, 하나의 화소영역에 하나의 컬러필터가 대응한다. 일례로, 컬러필터층(176)은 적, 녹, 청 컬러필터를 포함할 수 있다.The color filter layer 176 includes different color filters, and one color filter corresponds to one pixel region. As an example, the color filter layer 176 may include red, green, and blue color filters.

여기서, 컬러필터층(176)은 제2 기판(170)에서 제1 기판(110) 방향으로 갈수록 감소하는 폭을 가질 수 있다. Here, the color filter layer 176 may have a width decreasing from the second substrate 170 toward the first substrate 110.

이때, 제1 기판(110)을 향하는 컬러필터층(176)의 일면과 반사층(174)의 일면은 동일 평면 상에 있을 수 있다. 이와 달리, 컬러필터층(176)의 일면은 반사층(174)의 일면보다 제1 기판(110)에 더 가까울 수 있다. At this time, one surface of the color filter layer 176 facing the first substrate 110 and one surface of the reflective layer 174 may be on the same plane. Alternatively, one side of the color filter layer 176 may be closer to the first substrate 110 than one side of the reflective layer 174.

한편, 제1 기판(110)의 발광다이오드(D)와 제2 기판(170)의 컬러필터층(176) 사이에는 충진층(180)이 위치한다. 충진층(180)은 광경화성 또는 열경화성 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 충진층(180)은 흡습제를 포함할 수 있으며, 외부에서 유입되는 수분이나 산소를 차단함으로써 발광다이오드(D)를 보호할 수 있다.A filling layer 180 is disposed between the light emitting diode D of the first substrate 110 and the color filter layer 176 of the second substrate 170. The fill layer 180 may be made of a photocurable or thermosetting material. In addition, the filling layer 180 may include a moisture absorbent, and may protect the light emitting diode D by blocking water or oxygen introduced from the outside.

이러한 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 다수의 부화소를 포함하며, 각 부화소는 도 2의 구조를 가진다. 이때, 각 부화소의 발광층(164)은 동일 발광물질로 이루어지고, 단일 색 광, 일례로, 백색광을 방출한다. 따라서, 발광층(164)으로부터 방출된 빛은 컬러필터층(176)을 통과하면서 착색되고, 착색된 빛의 조합에 의해 영상을 표시한다.An electroluminescent display according to an embodiment of the present invention includes a plurality of sub-pixels, and each sub-pixel has the structure of FIG. At this time, the light emitting layer 164 of each sub-pixel is made of the same light emitting material and emits single color light, for example, white light. Therefore, the light emitted from the light emitting layer 164 is colored while passing through the color filter layer 176, and the image is displayed by the combination of the colored light.

이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 각 부화소의 발광층(164)을 동일 발광물질로 형성함으로써, 부화소 별 발광 효율 및 수명을 균일하게 할 수 있다. As described above, the electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention can uniformize the luminous efficiency and lifetime of each sub-pixel by forming the light emitting layer 164 of each sub-pixel from the same light emitting material.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에서 방출되는 빛의 경로의 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 시야각 특성을 나타내는 도면이며, 도 5는 비교예에 따른 전계발광 표시장치의 시야각 특성을 나타내는 도면이다. 여기서, 비교예는 블랙 매트릭스의 제1 면과 제2 면의 폭이 동일하며, 반사층을 포함하지 않는다.FIG. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating a path of light emitted from an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a view illustrating a viewing angle characteristic of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention, 5 is a view showing a viewing angle characteristic of an electroluminescent display device according to a comparative example. Here, the comparative example has the same width as the first surface and the second surface of the black matrix, and does not include a reflective layer.

도 3에 도시한 바와 같이, 발광층(164)로부터 방출된 빛은 컬러필터층(176)을 통과하면서 착색되어 외부로 방출된다. 3, the light emitted from the light emitting layer 164 passes through the color filter layer 176 and is colored and emitted to the outside.

이때, 본 발명의 블랙 매트릭스(172)는 제2 기판(170)에 접하는 제1 면의 폭이 제1 면 반대의 제2 면의 폭보다 좁기 때문에, 발광층(164)으로부터 빛이 더 넓은 각도로 컬러필터층(176)을 통과하여 출력될 수 있다. At this time, since the width of the first surface in contact with the second substrate 170 is narrower than the width of the second surface opposite to the first surface, the light emitted from the light emitting layer 164 is incident on the black matrix 172 And may be output through the color filter layer 176.

따라서, 도 4와 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 비교예에 비해 출력되는 빛의 각도를 넓혀 시야각을 향상시킬 수 있다.4 and 5, the electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention can improve the viewing angle by widening the angle of output light compared with the comparative example.

또한, 앞서 언급한 바와 같이, 반사층(174)은 비교적 낮은 굴절률을 가지며, 반사층(174)의 굴절률은 컬러필터층(176)의 굴절률보다 낮다. Also, as mentioned above, the reflective layer 174 has a relatively low refractive index, and the refractive index of the reflective layer 174 is lower than the refractive index of the color filter layer 176. [

이에 따라, 발광층(164)으로부터 컬러필터층(176)을 지나 반사층(174)으로 입사되는 빛은 컬러필터층(176)과 반사층(174) 사이의 계면에서 반사되어 외부로 출력된다. The light that has entered the reflective layer 174 from the light emitting layer 164 through the color filter layer 176 is reflected at the interface between the color filter layer 176 and the reflective layer 174 and is output to the outside.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 비교예에 비해 광 효율을 보다 높일 수 있다. Therefore, the electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention can increase the light efficiency as compared with the comparative example.

이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 블랙 매트릭스(172)의 구조에 의해 시야각을 향상시키며, 반사층(174)을 이용하여 광 효율을 증가시킬 수 있다. As described above, the electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention improves the viewing angle by the structure of the black matrix 172, and can increase the light efficiency by using the reflective layer 174.

도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도로, 블랙 매트릭스를 포함하는 기판의 제조 과정을 도시한다. 6A to 6E are cross-sectional views schematically showing a method of manufacturing an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention, and show a process of manufacturing a substrate including a black matrix.

도 6a에 도시한 바와 같이, 기판(170) 상에 차광물질층(172a)을 형성한다. 이어, 차광물질층(172a) 상부에 포토레지스트를 도포하고 노광 마스크를 통해 이를 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴(192)을 형성한다. 여기서, 차광물질층(172a)은 블랙 수지로 이루어질 수 있다. As shown in Fig. 6A, a light-shielding material layer 172a is formed on the substrate 170. Fig. Next, a photoresist is coated on the light-shielding layer 172a, and exposed and developed through an exposure mask to form a photoresist pattern 192. [ Here, the light-shielding layer 172a may be made of black resin.

다음, 도 6b에 도시한 바와 같이, 포토레지스트 패턴(도 6a의 192)을 식각 마스크로 차광물질층(도 6a의 172a)을 선택적으로 식각하여 블랙 매트릭스(172)를 형성하고, 포토레지스트 패턴(도 6a의 192)을 제거한다. 블랙 매트릭스(172)는 화소영역에 대응하여 개구부를 가지며, 인접한 화소영역 사이에 위치한다.Next, as shown in Fig. 6B, a black matrix 172 is formed by selectively etching the light-shielding layer (172a in Fig. 6A) with a photoresist pattern (192 in Fig. 6A) 192 in Fig. 6A) is removed. The black matrix 172 has openings corresponding to the pixel regions, and is located between adjacent pixel regions.

여기서, 블랙 매트릭스(172)는 역경사진 측면을 가진다. 즉, 블랙 매트릭스(172)는 기판(170)과 접하는 제1 면과 제1 면 반대의 제2 면을 가지며, 제1 면의 제1 폭(w1)이 제2 면의 제2 폭(w2)보다 작다. Here, the black matrix 172 has a reverse photographic aspect. That is, the black matrix 172 has a first surface that is in contact with the substrate 170 and a second surface that is opposite the first surface, and the first width w1 of the first surface is the second width w2 of the second surface, Lt; / RTI >

이러한 블랙 매트릭스(172)는 차광물질층(도 6a의 172a)과 포토레지스트 패턴(도 6a의 192) 및 기판(170) 간의 접착력을 다르게 하여 형성할 수 있다. 즉, 차광물질층(도 6a의 172a)과 포토레지스트 패턴(도 6a의 192) 간의 접착력을 차광물질층(도 6a의 172a)과 기판(170) 간의 접착력보다 크게 하여, 기판(170)에 인접한 차광물질층(도 6a의 172a)의 일부가 더 빨리 제거되도록 함으로써, 역경사진 측면을 갖는 블랙 매트릭스(172)를 형성할 수 있다. This black matrix 172 can be formed by differentiating the adhesive force between the light-shielding layer 172a (FIG. 6A), the photoresist pattern 192 (FIG. 6A), and the substrate 170. That is, the adhesion force between the light-shielding layer (172a in Fig. 6A) and the photoresist pattern (192 in Fig. 6A) It is possible to form the black matrix 172 having the reversed photographic side by allowing a portion of the light mineral layer (172a in Fig. 6A) to be removed more quickly.

다음, 도 6c에 도시한 바와 같이, 블랙 매트릭스(172)를 덮는 반사층(174)을 형성한다. 이때, 반사층(174)은 블랙 매트릭스(172)의 측면과 상면인 제2 면을 덮으며 이들과 접촉한다. 이러한 반사층(174)은 마스크를 이용하여 증착 방식을 통해 형성될 수 있다. Next, as shown in Fig. 6C, a reflection layer 174 covering the black matrix 172 is formed. At this time, the reflective layer 174 covers the side surface and the upper surface of the black matrix 172 and contacts them. The reflective layer 174 may be formed through a deposition method using a mask.

다음, 도 6d에 도시한 바와 같이, 기판(170) 상의 블랙 매트릭스(172)의 개구부에 대응하여 컬러물질층(176a)을 형성한다. 컬러물질층(176a)은 컬러물질을 포함하는 용액을 도포하여 형성될 수 있다. Next, as shown in Fig. 6D, a color material layer 176a is formed corresponding to the opening of the black matrix 172 on the substrate 170. Then, as shown in Fig. The color material layer 176a may be formed by applying a solution containing a color material.

다음, 도 6e에 도시한 바와 같이, 컬러물질층(도 6d의 176a)을 경화함으로써 컬러필터층(176)을 형성한다. 이때, 컬러필터층(176)은 컬러물질층을 형성하고 경화하는 과정을 반복하여 각 화소영역에 대응하는 컬러필터를 각각 형성함으로써 완성될 수 있다. Next, as shown in Fig. 6E, the color filter layer 176 is formed by curing the color material layer (176a in Fig. 6D). At this time, the color filter layer 176 can be completed by forming the color material layer and repeating the process of curing to form color filters corresponding to the respective pixel regions.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. And changes may be made without departing from the spirit and scope of the invention.

110: 제1 기판 122: 반도체층
130: 게이트 절연막 132: 게이트 전극
140: 층간 절연막 140a: 제1 컨택홀
140b: 제2 컨택홀 142: 소스 전극
144: 드레인 전극 152: 제1 절연막
154: 제2 절연막 156: 드레인 컨택홀
160: 제1 전극 162: 뱅크층
164: 발광층 166: 제2 전극
170: 제2 기판 172: 블랙 매트릭스
174: 반사층 176: 컬러필터층
180: 충진층 D: 발광다이오드110: first substrate 122: semiconductor layer
130: gate insulating film 132: gate electrode
140: interlayer insulating film 140a: first contact hole
140b: second contact hole 142: source electrode
144: drain electrode 152: first insulating film
154: second insulating film 156: drain contact hole
160: first electrode 162: bank layer
164: light emitting layer 166: second electrode
170: second substrate 172: black matrix
174: reflection layer 176: color filter layer
180: filling layer D: light emitting diode

Claims (6)

제1 기판 및 제2 기판과;
상기 제1 기판 내면의 발광다이오드와;
상기 제2 기판 내면에 상기 발광다이오드에 대응하여 개구부를 가지는 블랙매트릭스
를 포함하고,
상기 블랙매트릭스는 상기 제2 기판과 접하는 제1 면의 폭이 상기 제1 면 반대의 제2 면의 폭보다 좁은 전계발광 표시장치.
A first substrate and a second substrate;
A light emitting diode on the inner surface of the first substrate;
And a black matrix having an opening corresponding to the light emitting diode on the inner surface of the second substrate,
Lt; / RTI >
Wherein the black matrix has a width of a first surface in contact with the second substrate being narrower than a width of a second surface in opposition to the first surface.
제1항에 있어서,
상기 블랙매트릭스의 폭은 상기 제1 면에서 상기 제2 면으로 갈수록 증가하는 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the width of the black matrix increases from the first surface to the second surface.
제1항에 있어서,
상기 제2 기판 내면에 상기 개구부에 대응하여 컬러필터층을 더 포함하는 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
And a color filter layer on the inner surface of the second substrate corresponding to the opening.
제3항에 있어서,
상기 발광다이오드는 다수의 부화소 각각에 포함되고, 상기 다수의 부화소의 발광다이오드는 동일 발광물질로 이루어진 발광층을 포함하는 전계발광 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the light emitting diode is included in each of the plurality of sub-pixels, and the light emitting diodes of the plurality of sub-pixels include a light emitting layer made of the same light emitting material.
제3항에 있어서,
상기 블랙매트릭스과 상기 컬러필터층 사이에 반사층을 더 포함하는 전계발광 표시장치.
The method of claim 3,
Further comprising a reflective layer between the black matrix and the color filter layer.
제5항에 있어서,
상기 반사층은 상기 컬러필터층보다 작은 굴절률을 가지는 전계발광 표시장치.6. The method of claim 5,
Wherein the reflective layer has a smaller refractive index than the color filter layer.
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CN113517414A (en) * 2021-07-09 2021-10-19 武汉天马微电子有限公司 Display panel and display device

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