KR102062912B1 - Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판 위에 형성된 차광층; 상기 차광층을 덮는 버퍼 층; 상기 버퍼 층 위에서 상기 차광층을 덮는 반도체 층; 상기 반도체 층을 덮는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에서 상기 반도체 층의 중앙부와 중첩하고, 상기 차광층과 연결된 게이트 전극; 상기 게이트 절연막 위에서 상기 반도체 층의 일측부와 연결되는 소스 전극 및 상기 반도체 층의 타측부와 연결되는 드레인 전극; 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮는 보호층; 그리고 상기 보호층 위에서 상기 드레인 전극과 접촉하는 유기발광 다이오드를 포함한다.The present invention relates to an organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same. An organic light emitting diode display according to the present invention includes a light blocking layer formed on a substrate; A buffer layer covering the light blocking layer; A semiconductor layer covering the light blocking layer on the buffer layer; A gate insulating film covering the semiconductor layer; A gate electrode overlapping a central portion of the semiconductor layer on the gate insulating layer and connected to the light blocking layer; A source electrode connected to one side of the semiconductor layer and a drain electrode connected to the other side of the semiconductor layer on the gate insulating layer; A protective layer covering the gate electrode, the source electrode and the drain electrode; And an organic light emitting diode in contact with the drain electrode on the protective layer.

Description

유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법{Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same}Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same

본 발명은 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 이중 게이트 구조를 갖는 박막 트랜지스터를 구비한 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same. In particular, the present invention relates to an organic light emitting diode display having a thin film transistor having a double gate structure and a method of manufacturing the same.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광 표시장치 (Electroluminescence Device, EL) 등이 있다.Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. Such flat panel displays include liquid crystal displays (LCDs), field emission displays (FEDs), plasma display panels (PDPs), and electroluminescence devices (ELs). There is this.

전계발광 표시장치는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광 표시장치와 유기발광다이오드 표시장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.The electroluminescent display is classified into an inorganic electroluminescent display and an organic light emitting diode display according to the material of the light emitting layer. The electroluminescent display is a self-luminous device that emits light and has advantages such as high response speed, high luminous efficiency, high luminance, and a wide viewing angle.

도 1은 일반적인 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면이다. 유기발광 다이오드는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다. 1 is a view showing the structure of a general organic light emitting diode. The organic light emitting diode includes an organic electroluminescent compound layer electroluminescent as shown in FIG. 1, and a cathode and an anode facing each other with the organic electroluminescent compound layer interposed therebetween. The organic electroluminescent compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (Electron injection). layer, EIL).

유기발광 다이오드는 애노드 전극(Anode)과 캐소드 전극(Cathode)에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다. 유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드의 발광층(EML)에서 발생하는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.The organic light emitting diode emits light due to energy from the excitons in the excitation process when holes and electrons injected into the anode and cathode are recombined in the emission layer EML. The organic light emitting diode display displays an image by electrically controlling the amount of light generated in the light emitting layer EML of the organic light emitting diode as shown in FIG. 1.

전계발광 소자인 유기발광 다이오드의 특징을 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLEDD)에는 패시브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)와 액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)로 대별된다.The organic light emitting diode display (OLED), which uses the characteristics of the organic light emitting diode, an electroluminescent device, has a passive matrix type organic light emitting diode display (PMOLED) and an active matrix. It is roughly classified into an active matrix type organic light emitting diode display (AMOLED).

액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(AMOLED)는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: 혹은 "TFT")를 이용하여 유기발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다. 도 2는 일반적인 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도의 한 예이다. 도 3은 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.The active matrix type organic light emitting diode display device (AMOLED) displays an image by controlling a current flowing through the organic light emitting diode using a thin film transistor (or TFT). 2 is an example of an equivalent circuit diagram illustrating a structure of one pixel in a general organic light emitting diode display. 3 is a plan view illustrating the structure of one pixel in the organic light emitting diode display according to the related art. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display according to the related art, taken along the line II ′ in FIG. 3.

도 2 내지 3을 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다.2 to 3, the active matrix organic light emitting diode display includes a switching thin film transistor ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT. . The switching TFT ST is formed at a portion where the scan line SL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG branching from the scan line SL, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD.

그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.The driving TFT DT drives the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA, the driving current wiring VDD, and a drain electrode DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode ANO of the organic light emitting diode OLED.

좀 더 상세히 살펴보기 위해 도 4를 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는, 투명 기판(SUB) 상에 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(SG, DG)이 형성되어 있다. 그리고 게이트 전극(SG, DG) 위에는 게이트 절연막(GI)이 덮고 있다. 게이트 전극(SG, DG)과 중첩되는 게이트 절연막(GI)의 일부에 반도체 층(SA, DA)이 형성되어 있다. 반도체 층(SA, DA) 위에는 일정 간격을 두고 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)이 마주보고 형성된다. 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉한다. 이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)를 덮는 보호층(PAS)이 전면에 도포된다.Referring to FIG. 4 to describe in more detail, in the active matrix organic light emitting diode display, gate electrodes SG and DG of the switching TFT ST and the driving TFT DT are formed on the transparent substrate SUB. have. The gate insulating film GI is covered on the gate electrodes SG and DG. The semiconductor layers SA and DA are formed on a portion of the gate insulating film GI overlapping the gate electrodes SG and DG. On the semiconductor layers SA and DA, source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are formed to face each other at a predetermined interval. The drain electrode SD of the switching TFT ST contacts the gate electrode DG of the driving TFT DT through a contact hole formed in the gate insulating layer GI. A protective layer PAS covering the switching TFT ST and the driving TFT DT having such a structure is coated on the entire surface.

특히, 반도체 층(SA, DA)을 산화물 반도체 물질로 형성하는 경우, 높은 전하 이동도 특성에 의해 충전 용량이 큰 대면적 박막 트랜지스터 기판에서 고 해상도 및 고속 구동에 유리하다. 그러나, 산화물 반도체 물질은 소자의 안정성을 확보하기 위해 상부 표면에 식각액으로부터 보호를 위한 에치 스토퍼(SE, DE)를 더 포함하는 것이 바람직하다. 구체적으로, 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD) 사이의 이격된 부분에서 노출된 상부면과 접촉하는 식각액으로부터 반도체 층(SA, DA)이 백 에치(Back Etch) 되는 것을 보호하도록 에치 스토퍼(SE, DE)를 형성한다.In particular, when the semiconductor layers SA and DA are formed of an oxide semiconductor material, high charge mobility characteristics are advantageous for high resolution and high speed driving in a large area thin film transistor substrate having a large charge capacity. However, the oxide semiconductor material preferably further includes an etch stopper (SE, DE) on the upper surface for protection from the etchant to ensure the stability of the device. In detail, the semiconductor layers SA and DA are back etched from the etchant contacting the exposed upper surface at the spaced portion between the source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD. The etch stoppers SE and DE are formed.

나중에 형성될 애노드 전극(ANO)의 영역에 해당하는 부분에 칼라 필터(CF)가 형성된다. 칼라 필터(CF)는 가급적 넓은 면적을 차지하도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 전단의 스캔 배선(SL)의 많은 영역과 중첩하도록 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 칼라 필터(CF)가 형성된 기판은 여러 구성요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다.The color filter CF is formed at a portion corresponding to a region of the anode electrode ANO to be formed later. The color filter CF is preferably formed to occupy a large area as much as possible. For example, it is preferable to form so as to overlap with many areas of the data wiring DL, the driving current wiring VDD, and the scanning wiring SL of the front end. As described above, the substrate on which the color filter CF is formed has various components, and thus, the surface thereof is not flat and many steps are formed. Therefore, the overcoat layer OC is applied to the entire surface of the substrate for the purpose of flattening the surface of the substrate.

그리고 오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호층(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.An anode ANO of the organic light emitting diode OLED is formed on the overcoat layer OC. Here, the anode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving TFT DT through contact holes formed in the overcoat layer OC and the protective layer PAS.

애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크패턴(BANK)을 형성한다. 뱅크 패턴(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다.On the substrate on which the anode electrode ANO is formed, a bank pattern BANK is formed on the region where the switching TFT ST, the driving TFT DT, and the various wirings DL, SL, and VDD are formed to define a pixel region. . The anode ANO exposed by the bank pattern BANK becomes a light emitting region.

뱅크 패턴(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)이 순차적으로 적층된다. 유기발광 층(OLE)은 백색광을 발하는 유기물질로 이루어진 경우, 아래에 위치한 칼라 필터(CF)에 의해 각 화소에 배정된 색상을 나타낸다. 도 4와 같은 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치는 아래 방향으로 발광하는 하부 발광(Bottom Emission) 표시 장치가 된다.The organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT are sequentially stacked on the anode ANO exposed by the bank pattern BANK. When the organic light emitting layer OLE is formed of an organic material that emits white light, the organic light emitting layer OLE represents a color assigned to each pixel by a color filter CF disposed below. The organic light emitting diode display having the structure as shown in FIG. 4 is a bottom emission display that emits light downward.

유기발광 다이오드 표시장치의 경우, 비교적 대전류를 이용하여 유기발광 다이오드를 구동한다. 따라서, 박막 트랜지스터의 특성이 대전류 구동에 적합한 것이 바람직하다. 산화물 반도체의 경우, 이러한 유기발광 다이오드 표시장치에 적합하다. 하지만, 고밀도 고집적화된 유기발광 다이오드의 필요성이 증가함에 따라, 대전류를 고속으로 구동하는데 적합한 박막 트랜지스터의 특성이 더욱 필요한 실정이다.In the case of the organic light emitting diode display, the organic light emitting diode is driven using a relatively large current. Therefore, it is preferable that the characteristics of the thin film transistor are suitable for driving a large current. In the case of an oxide semiconductor, it is suitable for such an organic light emitting diode display. However, as the need for high-density, highly integrated organic light emitting diodes increases, the characteristics of thin film transistors suitable for driving large currents at high speeds are needed.

특히, 산화물 반도체의 경우, 주변에서 유입되는 빛에 의해 특성 변화가 심하다는 단점이 있다. 유기발광 다이오드 표시장치는 자발광 소자로 빛을 발하는 유기층에서 출사된 빛이 박막 트랜지스터의 산화물 반도체 층에 유입될 경우, 소자의 특성을 안정화하기 어렵다는 문제가 있다.In particular, in the case of the oxide semiconductor, there is a disadvantage that the characteristic change is severe by the light flowing from the surroundings. The organic light emitting diode display has a problem that it is difficult to stabilize the characteristics of the device when the light emitted from the organic layer emitting light to the self-luminous device flows into the oxide semiconductor layer of the thin film transistor.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써, 탑(Tpo) 게이트 구조의 박막 트랜지스터의 하부에 바텀(Bottom) 게이트 기능을 하는 차광용 금속층을 배치하여 이중 게이트 구조를 갖는 박막 트랜지스터를 구비한 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다. 또한, 상부 게이트 전극을 소스-드레인 전극과 동일한 층에 동일한 물질로 형성함으로써 공정을 단순화한 유기발광 다이오드 표시장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to solve the problems of the prior art, a thin film having a double gate structure by arranging a light shielding metal layer having a bottom gate function to the bottom of the thin film transistor having a top gate structure An organic light emitting diode display device having a transistor is provided. Another aspect of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic light emitting diode display device, which is simplified by forming an upper gate electrode on the same layer as a source-drain electrode.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판 위에 형성된 차광층; 상기 차광층을 덮는 버퍼 층; 상기 버퍼 층 위에서 상기 차광층을 덮는 반도체 층; 상기 반도체 층을 덮는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에서 상기 반도체 층의 중앙부와 중첩하고, 상기 차광층과 연결된 게이트 전극; 상기 게이트 절연막 위에서 상기 반도체 층의 일측부와 연결되는 소스 전극 및 상기 반도체 층의 타측부와 연결되는 드레인 전극; 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮는 보호층; 그리고 상기 보호층 위에서 상기 드레인 전극과 접촉하는 유기발광 다이오드를 포함한다.In order to achieve the object of the present invention, the organic light emitting diode display according to the present invention, a light shielding layer formed on a substrate; A buffer layer covering the light blocking layer; A semiconductor layer covering the light blocking layer on the buffer layer; A gate insulating film covering the semiconductor layer; A gate electrode overlapping a central portion of the semiconductor layer on the gate insulating layer and connected to the light blocking layer; A source electrode connected to one side of the semiconductor layer and a drain electrode connected to the other side of the semiconductor layer on the gate insulating layer; A protective layer covering the gate electrode, the source electrode and the drain electrode; And an organic light emitting diode in contact with the drain electrode on the protective layer.

상기 차광층과 동일한 층에 형성된 보조 용량 차광층; 상기 반도체 층과 동일한 층에 형성되고 상기 보조 용량 차광층과 중첩하는 제1 보조 용량 전극; 그리고 상기 드레인 전극에서 연장되어 상기 제1 보조 용량 전극과 중첩하는 제2 보조 용량 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.A storage capacitor light blocking layer formed on the same layer as the light blocking layer; A first storage capacitor electrode formed on the same layer as the semiconductor layer and overlapping the storage capacitor light blocking layer; And a second storage capacitor electrode extending from the drain electrode and overlapping the first storage capacitor electrode.

상기 차광층과 동일한 층에서 상기 차광층을 연결하는 게이트 배선; 그리고 상기 소스 전극을 연결하는 데이터 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.A gate wiring connecting the light blocking layer on the same layer as the light blocking layer; And a data line connecting the source electrode.

상기 유기발광 다이오드는, 상기 보호층 위에서 상기 드레인 전극과 연결되는 애노드 전극; 상기 애노드 전극 위에서 발광 영역을 정의하는 뱅크; 상기 뱅크 위에서 상기 애노드 전극과 접촉하는 유기발광 층; 그리고 상기 유기발광 층 위에 적층되는 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.The organic light emitting diode may include: an anode connected to the drain electrode on the protective layer; A bank defining a light emitting region on the anode; An organic light emitting layer in contact with said anode electrode over said bank; And a cathode electrode stacked on the organic light emitting layer.

상기 보호층 위에서 형성된 칼라 필터; 그리고 상기 칼라 필터 위와 상기 유기발광층 아래에 개재되어 기판 전체를 덮는 오버 코트 층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.A color filter formed on the protective layer; And an overcoat layer disposed on the color filter and below the organic light emitting layer to cover the entire substrate.

또한, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법은, 기판 위에 차광층을 형성하는 단계; 상기 차광층을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 위에서 상기 차광층을 덮는 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 반도체 층을 덮는 게이트 절연막을 형성하고, 상기 반도체 층의 양 측부를 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 위에서 상기 반도체 층의 양 측부와 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극, 그리고 상기 반도체 층의 중앙부와 중첩하며 상기 차광층과 연결되는 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 소스 전극, 상기 게이트 전극 및 상기 드레인 전극을 덮는 보호막을 형성하는 단계; 그리고 상기 보호막 위에 상기 드레인 전극과 접촉하는 유기발광 다이오드를 형성하는 단계를 포함한다.In addition, the organic light emitting diode display device manufacturing method according to the present invention, forming a light shielding layer on a substrate; Forming a gate insulating film covering the light blocking layer; Forming a semiconductor layer covering the light blocking layer on the gate insulating layer; Forming a gate insulating film covering the semiconductor layer, and forming contact holes exposing both sides of the semiconductor layer; Forming a source electrode and a drain electrode on both sides of the semiconductor layer on the gate insulating layer, and a gate electrode overlapping the center portion of the semiconductor layer and connected to the light blocking layer; Forming a passivation layer covering the source electrode, the gate electrode and the drain electrode; And forming an organic light emitting diode in contact with the drain electrode on the passivation layer.

상기 차광층을 형성할 때, 보조 용량 차광층을 더 형성하고; 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계는, 상기 게이트 절연막 위에서 상기 보조 용량 차광층과 중첩하는 제1 보조 용량 전극을 더 형성하고; 그리고 상기 드레인 전극을 형성하는 단계는, 상기 드레인 전극에서 연장되어 상기 제1 보조 용량 전극과 중첩하는 제2 보조 용량 전극을 더 형성하는 것을 특징으로 한다.When forming the light shielding layer, further forming a storage capacitor light shielding layer; The forming of the gate insulating layer may further include forming a first storage capacitor electrode overlapping the storage capacitor blocking layer on the gate insulating film; The forming of the drain electrode may further include forming a second storage capacitor electrode extending from the drain electrode and overlapping the first storage capacitor electrode.

상기 유기발광 다이오드를 형성하는 단계는, 상기 보호층 위에서 상기 드레인 전극과 연결되는 애노드 전극을 형성하는 단계; 상기 애노드 전극 위에서 발광 영역을 정의하는 뱅크를 형성하는 단계; 상기 뱅크 위에서 상기 애노드 전극과 접촉하는 유기발광 층을 형성하는 단계; 그리고 상기 유기발광 층 위에 캐소드 전극을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The forming of the organic light emitting diode may include forming an anode electrode connected to the drain electrode on the protective layer; Forming a bank defining an emission region over the anode; Forming an organic light emitting layer on the bank and in contact with the anode; And laminating a cathode electrode on the organic light emitting layer.

상기 보호층 위에 칼라 필터를 형성하는 단계; 그리고 상기 칼라 필터 위와 상기 유기발광층 아래에 개재되어 기판 전체를 덮는 오버 코트 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Forming a color filter on the protective layer; And forming an overcoat layer interposed on the color filter and below the organic light emitting layer to cover the entire substrate.

본 발명은, 탑 게이트 구조를 갖는 박막 트랜지스터의 하부에 금속 혹은 반도체 물질로 형성한 차광층을 구비함으로써, 박막 트랜지스터의 채널 영역을 외부의 빛으로부터 보호할 수 있다. 또한, 차광층을 하부 게이트 전극으로 활용함으로써 이중 게이트 구조의 박막 트랜지스터를 구현할 수 있다. 이로써, 유기발광 다이오드 표시장치의 소자 특성을 향상할 수 있다. 더구나, 이중 게이트 구조의 박막 트랜지스터를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치를 단일 게이트 구조의 박막 트랜지스터를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치와 동일한 수준의 마스크 공정으로 제조하는 방법을 제공한다. 따라서, 본 발명은 소자 특성이 향상된 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하며, 이를 단순하고 저렴한 제조 공정으로 제조하는 방법을 제공한다.According to the present invention, by providing a light blocking layer formed of a metal or a semiconductor material under a thin film transistor having a top gate structure, the channel region of the thin film transistor can be protected from external light. In addition, the thin film transistor having a double gate structure may be implemented by using the light blocking layer as a lower gate electrode. As a result, device characteristics of the organic light emitting diode display may be improved. Furthermore, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting diode display having a thin gate transistor having a double gate structure in a mask process at the same level as an organic light emitting diode display having a thin film transistor having a single gate structure. Accordingly, the present invention provides an organic light emitting diode display having improved device characteristics, and provides a method of manufacturing the same in a simple and inexpensive manufacturing process.

도 1은 일반적인 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면.
도 2는 일반적인 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도.
도 3은 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 6은 도 5에서 절취서 II-II'으로 자른 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 7a 내지 7j는 도 5에서 절취선 II-II'으로 자른, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 과정을 나타낸 단면도들.1 is a view showing the structure of a general organic light emitting diode.
2 is an equivalent circuit diagram illustrating a structure of one pixel in a conventional organic light emitting diode display.
3 is a plan view showing the structure of one pixel in the organic light emitting diode display according to the prior art.
4 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display according to the related art, taken along the line II ′ of FIG. 3.
5 is a plan view showing the structure of an organic light emitting diode display according to the present invention;
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display according to the present invention taken along the line II-II ′ of FIG. 5.
7A to 7J are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode display according to the present invention, taken along the line II-II ′ of FIG. 5.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals refer to substantially identical components throughout the specification. In the following description, when it is determined that the detailed description of the known technology or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 5는 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 6은 도 5에서 절취서 II-II'으로 자른 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.5 is a plan view showing the structure of an organic light emitting diode display according to the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display according to the present invention, taken by cutting line II-II ′ in FIG. 5.

도 5를 참조하면, 본 발명에 의한 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는, 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 채널 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다.Referring to FIG. 5, the active matrix organic light emitting diode display according to the present invention includes a switching thin film transistor ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT. It includes. The switching TFT ST is formed at a portion where the scan line SL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG branching from the scan line SL, a semiconductor channel layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD.

그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 채널 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.The driving TFT DT drives the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes the gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, the source electrode DS connected to the semiconductor channel layer DA, the driving current wiring VDD, and the drain electrode. (DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode ANO of the organic light emitting diode OLED.

본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서, 박막 트랜지스터의 채널 층으로 빛이 유입되는 것을 방지하기 위한 차광층을 더 구비한다. 또한, 이 차광층은 채널 층 아래에서 하부 게이트로 구성되어, 박막 트랜지스터는 이중 게이트 구조를 갖는다. 이중 게이트 구조를 완성하기 위해, 채널 층의 상부에 형성되는 게이트 전극(SG, DG)들은 각각 스위칭 게이트 콘택홀(SGH) 및 구동 게이트 콘택홀(DGH)을 통해 차광층들과 각각 연결된다.In the organic light emitting diode display according to the present invention, a light shielding layer for preventing light from flowing into the channel layer of the thin film transistor is further provided. Further, this light shielding layer is composed of a lower gate under the channel layer, so that the thin film transistor has a double gate structure. In order to complete the double gate structure, the gate electrodes SG and DG formed on the channel layer are respectively connected to the light blocking layers through the switching gate contact hole SGH and the driving gate contact hole DGH, respectively.

이와 같은 구조를 좀 더 상세히 살펴보기 위해 도 6을 더 참조하여 설명한다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 투명 기판(SUB) 상에 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(SG, DG)이 형성되어 있다. 특히, 기판(SUB)의 아래 방향에서 유입되는 빛을 차단하기 위해, 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)가 형성될 위치에 스위칭 차광층(SLS) 및 구동 차광층(DLS)이 형성되어 있다.In order to look at such a structure in more detail will be described with reference to FIG. In the organic light emitting diode display according to the present invention, the gate electrodes SG and DG of the switching TFT ST and the driving TFT DT are formed on the transparent substrate SUB. In particular, the switching light blocking layer SLS and the driving light blocking layer DLS are formed at positions where the switching TFT ST and the driving TFT DT are to be formed in order to block light flowing in the downward direction of the substrate SUB. have.

또한, 보조 용량(STG)을 형성하는 위치에도 보조 용량 차광층(TLS)이 형성되어, 보조 용량의 크기를 더 확보할 수 있다. 이들 차광층들(SLS, DLS, TLS)들과 동일한 층에서 동일한 물질로 게이트 배선(GL)을 형성할 수 있다. 이 경우, 스위칭 차광층(SLS)은 게이트 배선(GL)에서 분기된 형상을 갖는다.In addition, the storage capacitor light shielding layer TLS is formed at the position where the storage capacitor STG is formed, thereby further securing the size of the storage capacitor. The gate line GL may be formed of the same material on the same layer as the light blocking layers SLS, DLS, and TLS. In this case, the switching light blocking layer SLS has a shape branched from the gate line GL.

차광층들(SLS, DLS, TLS)이 형성된 기판(SUB)의 전체 표면 위에는 버퍼 층(BU)이 도포되어 있다. 버퍼 층(BU) 위에 채널 층들(SA, DA)을 포함하는 반도체 층이 형성되어 있다. 반도체 층 중에서 스위칭 차광층(SLS) 및 구동 차광층(DLS)들 각각과 중첩되는 부분은 채널 층(SA, DA)으로 정의되고, 그 양 옆에는 불순물이 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역으로 정의된다.The buffer layer BU is coated on the entire surface of the substrate SUB on which the light blocking layers SLS, DLS, and TLS are formed. The semiconductor layer including the channel layers SA and DA is formed on the buffer layer BU. The portion of the semiconductor layer overlapping each of the switching light blocking layer SLS and the driving light blocking layer DLS is defined as the channel layers SA and DA, and is defined as a source region and a drain region doped with impurities at both sides thereof. .

한편, 보조 용량(STG)이 형성되는 보조 용량 차광층(TLS)의 상부에는 버퍼 층(BU)을 매개로 중첩하는 제1 보조 용량 전극(SG1)이 형성된다. 이로써, 보조 용량 차광층(TLS)과 제1 보조 용량 전극(SG1) 사이에 제1 보조 용량(STG1)이 형성될 수 있다.On the other hand, the first storage capacitor electrode SG1 overlapping the buffer layer BU is formed on the storage capacitor blocking layer TLS in which the storage capacitor STG is formed. As a result, the first storage capacitor STG1 may be formed between the storage capacitor blocking layer TLS and the first storage capacitor electrode SG1.

반도체 층 위에는 기판(SUB) 전체 표면을 덮는 게이트 절연막(GI)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(GI) 위에는 소스 전극(SS, DS)들 및 드레인 전극(SD, DD)들이 형성된다. 소스 전극(SS, DS)들을 연결하는 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDD)이 형성된다. 또한, 게이트 절연막(GI) 위에서, 채널 층(SA, DA)과 중첩되는 위치에는 소스-드레인 전극(SS-SD, DS-DD)들과 동일한 물질로 형성된 게이트 전극(SG, DG)들이 배치된다.A gate insulating layer GI is formed on the semiconductor layer to cover the entire surface of the substrate SUB. Source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are formed on the gate insulating layer GI. The data line DL and the driving current line VDD connecting the source electrodes SS and DS are formed. Further, on the gate insulating layer GI, gate electrodes SG and DG formed of the same material as the source-drain electrodes SS-SD and DS-DD are disposed at positions overlapping with the channel layers SA and DA. .

소스 전극(SS, DS)들 및 드레인 전극(SD, DD)들은 게이트 절연막(GI)을 관통하여 형성된 콘택홀을 통해, 채널 층(SA, DA)들의 양 옆에 정의된 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 접촉한다. 그리고, 게이트 전극들(SG, DG)이 소스-드레인 전극(SS-SD, DS-DD)들과 동일한 층에, 동일한 물질로 형성되므로, 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)은 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 한 몸체로 패턴되는 것이 바람직하다.The source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD are formed through the contact hole formed through the gate insulating layer GI, and the source and drain regions defined on both sides of the channel layers SA and DA. Each contact. Since the gate electrodes SG and DG are formed of the same material on the same layer as the source-drain electrodes SS-SD and DS-DD, the drain electrode SD of the switching TFT ST is a driving TFT. It is preferable to pattern the body with the gate electrode DG of the DT.

또한, 게이트 절연막(GI) 위에는, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)에서 연장되어 보조 용량 영역까지 연장된 제2 보조 용량 전극(SG2)이 형성된다. 특히, 제2 보조 용량 전극(SG2)은 게이트 절연막(GI) 및 버퍼 층(BU)을 관통하는 콘택홀을 통해 보조 용량 차광층(TLS)과 연결되는 것이 바람직하다. 이로써, 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 중첩하는 제1 보조 용량 전극(SG1)과 제2 보조 용량 전극(SG2) 사이에 제2 보조 용량(STG2)이 형성된다.Further, on the gate insulating film GI, a second storage capacitor electrode SG2 extending from the drain electrode DD of the driving TFT DT and extending to the storage capacitor region is formed. In particular, the second storage capacitor electrode SG2 is preferably connected to the storage capacitor blocking layer TLS through a contact hole penetrating through the gate insulating layer GI and the buffer layer BU. As a result, the second storage capacitor STG2 is formed between the first storage capacitor electrode SG1 and the second storage capacitor electrode SG2 that overlap with the gate insulating layer GI therebetween.

이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 및 보조 용량(STG)을 덮는 보호층(PAS)이 전면에 도포된다. 하부 발광식이며, 백색 유기발광 층을 사용하는 경우, 보호층(PAS) 위에서 화소 영역에 대응하는 영역을 덮는 칼라 필터(CF)를 형성할 수 있다. 칼라 필터(CF)는 가급적 넓은 면적을 차지하도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 전단의 스캔 배선(SL)의 많은 영역과 중첩하도록 형성할 수도 있다.A protective layer PAS covering the switching TFT ST, the driving TFT DT, and the storage capacitor STG having such a structure is coated on the entire surface. When the bottom emission type and the white organic light emitting layer are used, the color filter CF may be formed on the passivation layer PAS to cover an area corresponding to the pixel area. The color filter CF is preferably formed to occupy a large area as much as possible. For example, it may be formed so as to overlap many areas of the data line DL, the drive current line VDD, and the scan line SL in the front end.

이와 같이 칼라 필터(CF)가 형성된 기판은 여러 구성요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다.As described above, the substrate on which the color filter CF is formed has various components, and thus, the surface thereof is not flat and many steps are formed. Therefore, the overcoat layer OC is applied to the entire surface of the substrate for the purpose of flattening the surface of the substrate.

오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호층(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.An anode ANO of the organic light emitting diode OLED is formed on the overcoat layer OC. Here, the anode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving TFT DT through contact holes formed in the overcoat layer OC and the protective layer PAS.

애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크패턴(BN)을 형성한다. 뱅크 패턴(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다.On the substrate on which the anode electrode ANO is formed, a bank pattern BN is formed on the region where the switching TFT ST, the driving TFT DT, and the various wirings DL, SL, and VDD are formed to define a pixel region. . The anode ANO exposed by the bank pattern BN becomes a light emitting region.

뱅크 패턴(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)이 순차적으로 적층된다. 하부 발광식이며, 유기발광 층(OLE)이 백색광을 발하는 유기물질로 이루어진 경우, 아래에 위치한 칼라 필터(CF)에 의해 각 화소에 배정된 색상을 나타낸다.
The organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT are sequentially stacked on the anode ANO exposed by the bank pattern BN. When the organic light emitting layer OLE is made of an organic material that emits white light, the color is assigned to each pixel by the color filter CF disposed below.

이하, 도 7a 내지 7j를 참조하여, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 방법을 설명한다. 도 7a 내지 7j는 도 5에서 절취선 II-II'으로 자른, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 과정을 나타낸 단면도들이다.Hereinafter, a method of manufacturing the organic light emitting diode display according to the present invention will be described with reference to FIGS. 7A to 7J. 7A to 7J are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode display according to the present invention, taken along the line II-II ′ of FIG. 5.

투명 기판(SUB) 위에 금속 물질, 반도체 물질 혹은 산화물 반도체 물질을 증착하고 제1 마스크 공정을 패턴하여, 차광층을 형성한다. 스위칭 TFT(ST)의 채널 층 하부 영역에는 스위칭 차광층(SLS)을, 구동 TFT(DT)의 채널 층 하부 영역에는 구동 차광층(DLS)을 형성한다. 또한, 보조 용량(STG)이 형성될 위치에는 보조 용량 차광층(TLS)을 형성한다. 특히, 이중 게이트 구조의 박막 트랜지스터를 위해, 스위칭 차광층(SLS)을 연결하는 게이트 배선(GL)을 형성하는 것이 바람직하다. 반면에, 구동 차광층(DLS) 및 보조 용량 차광층(TLS)들은 각각 독립된 형상으로 형성하는 것이 바람직하다. (도 7a)A metal material, a semiconductor material, or an oxide semiconductor material is deposited on the transparent substrate SUB, and the first mask process is patterned to form a light blocking layer. The switching light blocking layer SLS is formed in the lower region of the channel layer of the switching TFT ST, and the driving light blocking layer DLS is formed in the lower region of the channel layer of the driving TFT DT. In addition, the storage capacitor light blocking layer TLS is formed at the position where the storage capacitor STG is to be formed. In particular, for the thin film transistor having a double gate structure, it is preferable to form a gate line GL connecting the switching light blocking layer SLS. On the other hand, the driving light blocking layer DLS and the storage capacitor light blocking layer TLS may be formed in independent shapes, respectively. (FIG. 7A)

차광층들(SLS, DLS, TLS)이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 절연물질을 도포하여 버퍼 층(BU)을 형성한다. 버퍼 층(BU) 위에 금속 물질을 도포하고 제2 마스크로 패턴하여 보조 용량 차광층(TLS)과 대부분이 중첩하는 제1 보조 용량 전극(SG1)을 형성한다. (도 7b)The buffer layer BU is formed by applying an insulating material on the entire surface of the substrate SUB on which the light blocking layers SLS, DLS, and TLS are formed. A metal material is coated on the buffer layer BU and patterned with a second mask to form a first storage capacitor electrode SG1 that mostly overlaps the storage capacitor blocking layer TLS. (FIG. 7B)

제1 보조 용량 전극(SG1)이 형성된 버퍼 층(BU) 위에 산화물 반도체 물질을 도포하고 제3 마스크 공정으로 패턴하여 반도체 층을 형성한다. 반도체 층은 스위칭 차광층(SLS) 및 구동 차광층(DLS) 각각과 중첩하는 채널 층, 그리고 채널 층의 좌우로 연장된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함한다. 그리고, 스위칭 TFT(ST)의 채널 층(SA) 및 구동 TFT(DT)의 채널 층(DA)을 제외한 반도체 층에 불순물을 주입하여 소스-드레인 영역과 채널 층을 구획/정의한다. 이때, 추가적인 마스크 공정을 사용할 수도 있으나, 하프-톤 마스크를 사용하여, 반도체 층 패턴 공정 후, 불순물 주입 공정을 제3 마스크 공정으로 이룩할 수 있다. (도 7c)An oxide semiconductor material is coated on the buffer layer BU on which the first storage capacitor electrode SG1 is formed and patterned by a third mask process to form a semiconductor layer. The semiconductor layer includes a channel layer overlapping each of the switching light blocking layer SLS and the driving light blocking layer DLS, and a source region and a drain region extending left and right of the channel layer. In addition, impurities are injected into the semiconductor layers except for the channel layer SA of the switching TFT ST and the channel layer DA of the driving TFT DT to partition / define the source-drain region and the channel layer. In this case, although an additional mask process may be used, an impurity implantation process may be performed as a third mask process after the semiconductor layer pattern process using a half-tone mask. (FIG. 7C)

제1 보조 용량 전극(SG1)과 반도체 층이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 절연물질을 도포하여 게이트 절연막(GI)을 형성한다. 제4 마스크 공정으로 게이트 절연막(GI)을 패턴하여 스위칭 TFT(ST)의 소스-드레인 영역을 노출하는 콘택홀(SSH, SDH)들 그리고 구동 TFT(DT)의 소스-드레인 영역을 노출하는 콘택홀(DSH, DDH)들을 형성한다. 또한, 게이트 절연막(GI)과 버퍼 층(BU)을 패턴하여 보조 용량 차광층(TLS)의 일부를 노출하는 보조 용량 콘택홀(STH)을 형성한다.An insulating material is coated on the entire surface of the first storage capacitor electrode SG1 and the substrate SUB on which the semiconductor layer is formed to form a gate insulating layer GI. Contact holes SSH and SDH exposing the source-drain regions of the switching TFT ST by patterning the gate insulating layer GI in the fourth mask process, and contact holes exposing the source-drain regions of the driving TFT DT. To form (DSH, DDH). In addition, the gate insulating layer GI and the buffer layer BU are patterned to form the storage capacitor contact hole STH exposing a part of the storage capacitor light blocking layer TLS.

또한, 박막 트랜지스터들(ST, DT)을 이중 게이트 구조로 형성하기 위해서 차광층들(SLS, DLS)을 게이트 전극들(SG, DG)와 연결하는 것이 바람직하다. 이를 위해, 단면도에서는 표시되지 않지만, 스위칭 차광층(SLS)을 노출하는 스위칭 게이트 콘택홀(SGH)과 구동 차광층(DLS)을 노출하는 구동 게이트 콘택홀(DGH)을 더 형성하는 것이 바람직하다. (도 7d)In addition, in order to form the thin film transistors ST and DT in a double gate structure, the light blocking layers SLS and DLS may be connected to the gate electrodes SG and DG. For this purpose, although not shown in the cross-sectional view, it is preferable to further form the switching gate contact hole SGH exposing the switching light blocking layer SLS and the driving gate contact hole DGH exposing the driving light blocking layer DLS. (FIG. 7D)

콘택홀들이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 금속 물질을 도포한다. 제5 마스크 공정으로 금속 물질을 패턴하여, 데이터 배선(DL), 데이터 배선(DL)에서 분기하여 소스 영역과 연결된 스위칭 TFT(ST)의 소스 전극(SS), 소스 전극(SS)과 일정 거리 이격하여 대향하며 드레인 영역과 연결된 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD), 그리고 소스 전극(SS)과 드레인 전극(SD) 사이에 배치된 스위칭 TFT(ST)의 게이트 전극(SG)을 형성한다. 마찬가지로, 구동 전류 배선(VDD), 구동 전류 배선(VDD)에서 분기하여 소스 영역과 연결된 구동 TFT(DT)의 소스 전극(DS), 소스 전극(DS)과 일정 거리 이격하여 대향하며 드레인 영역과 연결된 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD), 그리고 소스 전극(DS)과 드레인 전극(DD) 사이에 배치된 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)을 형성한다.A metal material is coated on the entire surface of the substrate SUB on which contact holes are formed. The metal material is patterned by a fifth mask process, and is separated from the source electrode SS and the source electrode SS of the switching TFT ST connected to the source region by branching from the data line DL and the data line DL. As a result, a drain electrode SD of the switching TFT ST facing the drain region and a gate electrode SG of the switching TFT ST disposed between the source electrode SS and the drain electrode SD are formed. Similarly, the source electrode DS and the source electrode DS of the driving TFT DT connected to the source region by branching from the driving current wiring VDD and the driving current wiring VDD are spaced apart from each other by a predetermined distance and connected to the drain region. The drain electrode DD of the driving TFT DT and the gate electrode DG of the driving TFT DT disposed between the source electrode DS and the drain electrode DD are formed.

특히, 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)은 하나의 몸체로 형성하여 스위칭 TFT(ST)에 의해 구동 TFT(DT)가 선택되도록 한다. 또한, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 보조 용량(STG) 영역으로 연장되어, 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 제1 보조 용량 전극(SG1)과 중첩하는 제2 보조 용량 전극(SG2)을 형성한다. 제2 보조 용량 전극(SG2)은 보조 용량 콘택홀(STH)을 통해 보조 용량 차광층(TLS)과 연결된다. 이로써, 보조 용량 차광층(TLS), 제1 보조 용량 전극(SG1) 및 제2 보조 용량 전극(SG2)이 적층된 보조 용량(STG)이 완성된다. (도 7e)In particular, the drain electrode SD of the switching TFT ST and the gate electrode DG of the driving TFT DT are formed in one body so that the driving TFT DT is selected by the switching TFT ST. In addition, the drain electrode DD of the driving TFT DT extends to the storage capacitor STG region and overlaps the first storage capacitor electrode SG1 with the gate insulating film GI interposed therebetween. SG2) is formed. The second storage capacitor electrode SG2 is connected to the storage capacitor light blocking layer TLS through the storage capacitor contact hole STH. As a result, the storage capacitor STG in which the storage capacitor blocking layer TLS, the first storage capacitor electrode SG1, and the second storage capacitor electrode SG2 are stacked are completed. (FIG. 7E)

박막 트랜지스터들(ST, DT) 및 보조 용량(STG)을 덮는 보호층(PAS)을 기판(SUB) 전체 표면에 도포한다. 보호층(PAS) 위에 칼라 필터를 도포하고, 마스크 공정으로 패턴하여 칼라 필터(CF)를 형성한다. 칼라 필터(CF)가, 화소 별로 적색, 녹색 및 청색 중 어느 하나가 배치되는 경우, 3회의 서브 마스크 공정이 필요하므로, 제6, 제7 및 제8 마스크 공정을 수행할 수 있다. (도 7f)The protective layer PAS covering the thin film transistors ST and DT and the storage capacitor STG is applied to the entire surface of the substrate SUB. The color filter is applied on the protective layer PAS, and patterned by a mask process to form the color filter CF. When any one of red, green, and blue is disposed for each pixel, the color filter CF requires three sub mask processes, and thus the sixth, seventh, and eighth mask processes may be performed. (FIG. 7F)

칼라 필터(CF)가 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 오버 코트 층(OC)을 도포한다. 제9 마스크 공정으로 오버 코트 층(OC) 및 보호층(PAS)을 패턴하여 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)의 일부를 노출하는 화소 콘택홀(PH)을 형성한다. (도 7g)The overcoat layer OC is coated on the entire surface of the substrate SUB on which the color filter CF is formed. The overcoat layer OC and the protective layer PAS are patterned by a ninth mask process to form a pixel contact hole PH exposing a part of the drain electrode DD of the driving TFT DT. (Fig. 7g)

화소 콘택홀(PH)이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 인듐-주석 산화물(Indium Tin Oxide: ITO) 혹은 인듐-아연 산화물(Indium Zinc Oxide: IZO)와 같은 투명 도전 물질을 도포한다. 제10 마스크 공정으로 투명 도전 물질을 패턴하여, 애노드 전극(ANO)을 형성한다. (도 7h)A transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) is coated on the entire surface of the substrate SUB on which the pixel contact hole PH is formed. An anode electrode ANO is formed by patterning a transparent conductive material in a tenth mask process. (FIG. 7H)

애노드 전극(ANO) 전극이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 유기물질을 도포한다. 제11 마스크 공정으로 유기 물질을 패턴하여, 애노드 전극(ANO)의 대부분 영역이며 발광 영역을 정의하는 뱅크(BN)를 형성한다. (도 7i)The organic material is coated on the entire surface of the substrate SUB on which the anode electrode ANO electrode is formed. The organic material is patterned by an eleventh mask process to form a bank BN that is a large portion of the anode ANO and defines a light emitting region. (FIG. 7i)

뱅크(BN)가 형성된 기판(SUB) 전체 표면에 걸쳐 백색 유기발광 층(OLE) 및 캐소드 전극(CAT)을 연속으로 도포한다. 이로써, 구동 TFT(DT)에 연결된 애노드 전극(ANO), 유기발광 층(OLE) 그리고 캐소드 전극(CAT)이 접합된 유기발광 다이오드(OLED)가 완성된다. (도 7j)The white organic light emitting layer OLE and the cathode electrode CAT are successively coated over the entire surface of the substrate SUB on which the bank BN is formed. As a result, the organic light emitting diode OLED to which the anode electrode ANO, the organic light emitting layer OLE, and the cathode electrode CAT connected to the driving TFT DT are bonded is completed. (FIG. 7J)

이와 같이 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 차광층을 구비하여 외부로부터 빛이 채널 층으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이중 게이트 구조를 갖는 박막 트랜지스터를 구비하여, 향상된 특성을 확보할 수 있다. 더구나, 게이트 전극을 소스-드레인 전극과 동일한 공정으로 형성함으로써, 종래 기술에 의한 단일 게이트 구조의 박막 트랜지스터를 구비한 유기발광 다이오드 표시장치의 제조 공정과 유사한 수준의 마스크 공정 수를 갖는 제조 공정을 제공할 수 있다.
As described above, the organic light emitting diode display according to the present invention may include a light blocking layer to prevent light from flowing into the channel layer from the outside. In addition, by providing a thin film transistor having a double gate structure, it is possible to ensure improved characteristics. Furthermore, by forming the gate electrode in the same process as the source-drain electrode, there is provided a manufacturing process having the same number of mask processes as the manufacturing process of an organic light emitting diode display device having a thin film transistor having a single gate structure according to the prior art. can do.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description but should be defined by the claims.

DL: 데이터 배선 SL: 스캔 배선
VDD: 구동 전류 배선 ST: 스위칭 TFT
DT: 구동 TFT OLED: 유기발광 다이오드
CAT: 캐소드 전극(층) ANO: 애노드 전극(층)
BN: 뱅크 패턴 CF: 칼라 필터
OLE: (백색) 유기층 SUB: 기판
PAS: 보호막 OC: 오버코트 층
SG, DG: 게이트 전극 SE: 반도체 층
SS, DS: 소스 전극 SD, DD: 드레인 전극
ES, SE, DE: 에치 스토퍼 PH: 화소 콘택홀
SLS: 스위칭 차광층 DLS: 구동 차광층
TLS: 보조 용량 차광층 STG: 보조 용량
SG1: 제1 보조 용량 전극 SG2: 제2 보조 용량 전극DL: data wiring SL: scan wiring
VDD: drive current wiring ST: switching TFT
DT: driving TFT OLED: organic light emitting diode
CAT: cathode electrode (layer) ANO: anode electrode (layer)
BN: Bank Pattern CF: Color Filter
OLE: (white) organic layer SUB: substrate
PAS: Shield OC: Overcoat Layer
SG, DG: Gate electrode SE: Semiconductor layer
SS, DS: source electrode SD, DD: drain electrode
ES, SE, DE: etch stopper PH: pixel contact hole
SLS: switching shading layer DLS: driving shading layer
TLS: subcapacity shading layer STG: subcapacity
SG1: first storage capacitor electrode SG2: second storage capacitor electrode

Claims (9)

기판 위에 형성된 스위칭 차광층 및 구동 차광층;
상기 스위칭 차광층 및 상기 구동 차광층을 덮는 버퍼 층;
상기 버퍼 층 위에서 상기 스위칭 차광층을 덮는 스위칭 반도체 층 및 상기 구동 차광층을 덮는 구동 반도체 층;
상기 스위칭 반도체 층 및 상기 구동 반도체 층들을 덮는 게이트 절연막;
상기 게이트 절연막 위에서, 상기 스위칭 반도체 층의 중앙부와 중첩하고 상기 스위칭 차광층과 직접 접촉하는 스위칭 게이트 전극, 및 상기 구동 반도체 층의 중앙부와 중첩하고 상기 구동 차광층과 직접 접촉하는 구동 게이트 전극;
상기 게이트 절연막 위에서 상기 스위칭 게이트 전극 및 상기 구동 게이트 전극과 동일 층에 배치되며, 상기 스위칭 반도체 층의 일측과 타측에 각각 연결되는 스위칭 소스 전극과 스위칭 드레인 전극, 및 상기 구동 반도체 층의 일측과 타측에 각각 연결되는 구동 소스 전극과 구동 드레인 전극;
상기 스위칭 게이트 전극, 상기 스위칭 소스 전극, 상기 스위칭 드레인 전극, 상기 구동 게이트 전극, 상기 구동 소스 전극, 상기 구동 드레인 전극을 덮는 보호층;
상기 보호층 위에서 상기 구동 드레인 전극과 접촉하는 유기발광 다이오드;
상기 스위칭 차광층 및 상기 구동 차광층과 동일한 층에 형성된 보조 용량 차광층;
상기 스위칭 반도체층 및 상기 구동 반도체층과 동일한 층에 형성되고 상기 보조 용량 차광층과 중첩하는 제1 보조 용량 전극; 그리고
상기 구동 드레인 전극에서 연장되어 상기 제1 보조 용량 전극과 중첩하고, 상기 유기발광 다이오드의 애노드 전극과 전기적으로 연결되는 제2 보조 용량 전극을 포함하고,
상기 스위칭 드레인 전극은,
상기 구동 게이트 전극과 한 몸체로 형성되는, 유기발광 다이오드 표시장치.
A switching light blocking layer and a driving light blocking layer formed on the substrate;
A buffer layer covering the switching light blocking layer and the driving light blocking layer;
A switching semiconductor layer covering the switching light blocking layer on the buffer layer and a driving semiconductor layer covering the driving light blocking layer;
A gate insulating layer covering the switching semiconductor layer and the driving semiconductor layers;
A switching gate electrode overlying the center portion of the switching semiconductor layer and in direct contact with the switching light blocking layer, and a driving gate electrode overlapping the center portion of the driving semiconductor layer and in direct contact with the driving light blocking layer;
A switching source electrode and a switching drain electrode disposed on the gate insulating layer on the same layer as the switching gate electrode and the driving gate electrode, and connected to one side and the other side of the switching semiconductor layer, and on one side and the other side of the driving semiconductor layer. A driving source electrode and a driving drain electrode respectively connected;
A protective layer covering the switching gate electrode, the switching source electrode, the switching drain electrode, the driving gate electrode, the driving source electrode, and the driving drain electrode;
An organic light emitting diode in contact with the driving drain electrode on the passivation layer;
An auxiliary capacitance light blocking layer formed on the same layer as the switching light blocking layer and the driving light blocking layer;
A first storage capacitor electrode formed on the same layer as the switching semiconductor layer and the driving semiconductor layer and overlapping the storage capacitor blocking layer; And
A second storage capacitor electrode extending from the driving drain electrode and overlapping the first storage capacitor electrode and electrically connected to the anode electrode of the organic light emitting diode;
The switching drain electrode,
And an organic light emitting diode display.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 스위칭 차광층 및 상기 구동 차광층과 동일한 층에서 상기 스위칭 차광층에 연결되는 게이트 배선; 그리고
상기 스위칭 소스 전극을 연결하는 데이터 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
A gate wiring connected to the switching light blocking layer on the same layer as the switching light blocking layer and the driving light blocking layer; And
And a data line connecting the switching source electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 유기발광 다이오드는,
상기 보호층 위에서 상기 구동 드레인 전극과 연결되는 애노드 전극;
상기 애노드 전극 위에서 발광 영역을 정의하는 뱅크;
상기 뱅크 위에서 상기 애노드 전극과 접촉하는 유기발광 층; 그리고
상기 유기발광 층 위에 적층되는 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The organic light emitting diode,
An anode electrode connected to the driving drain electrode on the protective layer;
A bank defining a light emitting region on the anode;
An organic light emitting layer in contact with said anode electrode over said bank; And
And a cathode electrode stacked on the organic light emitting layer.
제 4 항에 있어서,
상기 보호층 위에서 형성된 칼라 필터; 그리고
상기 칼라 필터 위와 상기 유기발광층 아래에 개재되어 상기 기판 전체를 덮는 오버 코트 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 4, wherein
A color filter formed on the protective layer; And
And an overcoat layer disposed on the color filter and below the organic light emitting layer to cover the entire substrate.
기판 위에 스위칭 차광층 및 구동 차광층을 형성하는 단계;
상기 스위칭 차광층 및 상기 구동 차광층을 덮는 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 버퍼 층 위에서 상기 스위칭 차광층을 덮는 스위칭 반도체 층 및 상기 구동 차광층을 덮는 구동 반도체 층을 형성하는 단계;
상기 스위칭 반도체 층 및 상기 구동 반도체 층들을 덮는 게이트 절연막을 형성하고, 상기 스위칭 반도체 층의 양측부 및 상기 구동 반도체 층의 양측부를 노출하는 콘택홀들을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연막 위에, 상기 스위칭 반도체 층의 중앙부와 중첩하고 상기 스위칭 차광층과 직접 접촉하는 스위칭 게이트 전극, 상기 스위칭 반도체 층의 양측부에 각각 연결되는 스위칭 소스 전극 및 스위칭 드레인 전극, 상기 구동 반도체 층의 중앙부와 중첩하고 상기 구동 차광층과 직접 접촉하는 구동 게이트 전극, 상기 구동 반도체 층의 양측부에 각각 연결되는 구동 소스 전극 및 구동 드레인 전극을 형성하는 단계;
상기 스위칭 게이트 전극, 상기 스위칭 소스 전극, 상기 스위칭 드레인 전극, 상기 구동 게이트 전극, 상기 구동 소스 전극, 상기 구동 드레인 전극을 덮는 보호층을 형성하는 단계; 그리고
상기 보호층 위에서 상기 구동 드레인 전극과 접촉하는 유기발광 다이오드를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 차광층을 형성할 때, 보조 용량 차광층을 더 형성하고;
상기 버퍼층 형성 후, 상기 게이트 절연막 위에서 상기 보조 용량 차광층과 중첩하는 제1 보조 용량 전극을 더 형성하고; 그리고
상기 구동 드레인 전극을 형성할 때, 상기 구동 드레인 전극에서 연장되어 상기 제1 보조 용량 전극과 중첩하며 상기 유기발광 다이오드의 애노드 전극과 전기적으로 연결되는 제2 보조 용량 전극을 더 형성하며,
상기 스위칭 드레인 전극은,
상기 구동 게이트 전극과 한 몸체로 형성되는, 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법.
Forming a switching light blocking layer and a driving light blocking layer on the substrate;
Forming a buffer layer covering the switching light blocking layer and the driving light blocking layer;
Forming a switching semiconductor layer covering the switching light blocking layer and a driving semiconductor layer covering the driving light blocking layer on the buffer layer;
Forming a gate insulating layer covering the switching semiconductor layer and the driving semiconductor layers, and forming contact holes exposing both sides of the switching semiconductor layer and both sides of the driving semiconductor layer;
A switching gate electrode overlapping a center portion of the switching semiconductor layer and directly contacting the switching light blocking layer, a switching source electrode and a switching drain electrode respectively connected to both sides of the switching semiconductor layer, and the driving semiconductor layer on the gate insulating layer. Forming a driving gate electrode overlapping a center portion and in direct contact with the driving light blocking layer, a driving source electrode and a driving drain electrode respectively connected to both sides of the driving semiconductor layer;
Forming a protective layer covering the switching gate electrode, the switching source electrode, the switching drain electrode, the driving gate electrode, the driving source electrode, and the driving drain electrode; And
Forming an organic light emitting diode in contact with the driving drain electrode on the protective layer,
When forming the light shielding layer, further forming a storage capacitor light shielding layer;
After forming the buffer layer, further forming a first storage capacitor electrode overlapping the storage capacitor blocking layer on the gate insulating layer; And
When the driving drain electrode is formed, a second storage capacitor electrode further extending from the driving drain electrode and overlapping the first storage capacitor electrode and electrically connected to the anode electrode of the organic light emitting diode,
The switching drain electrode,
And a body formed with the driving gate electrode.
삭제delete 제 6 항에 있어서,
상기 유기발광 다이오드를 형성하는 단계는,
상기 보호층 위에서 상기 구동 드레인 전극과 연결되는 애노드 전극을 형성하는 단계;
상기 애노드 전극 위에서 발광 영역을 정의하는 뱅크를 형성하는 단계;
상기 뱅크 위에서 상기 애노드 전극과 접촉하는 유기발광 층을 형성하는 단계; 그리고
상기 유기발광 층 위에 캐소드 전극을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법.
The method of claim 6,
Forming the organic light emitting diode,
Forming an anode electrode connected to the driving drain electrode on the passivation layer;
Forming a bank defining an emission region over the anode;
Forming an organic light emitting layer on the bank and in contact with the anode; And
And depositing a cathode electrode on the organic light emitting layer.
제 8 항에 있어서,
상기 보호층 위에 칼라 필터를 형성하는 단계; 그리고
상기 칼라 필터 위와 상기 유기발광층 아래에 개재되어 상기 기판 전체를 덮는 오버 코트 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법.The method of claim 8,
Forming a color filter on the protective layer; And
And forming an overcoat layer interposed on the color filter and under the organic light emitting layer to cover the entirety of the substrate.
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KR102583621B1 (en) * 2017-12-08 2023-09-26 엘지디스플레이 주식회사 Display Device And Method for Manufacturing Of The Same
KR102574096B1 (en) * 2017-12-29 2023-09-01 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display panel, method of manufacturing the same, and organic light emitting display apparatus using the same
KR102643466B1 (en) 2018-11-21 2024-03-05 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100462861B1 (en) * 2002-04-15 2004-12-17 삼성에스디아이 주식회사 Flat Panel Display with Black Matrix and Fabrication Method thereof
KR101732988B1 (en) * 2010-05-20 2017-05-08 삼성디스플레이 주식회사 Thin film transistor, array substrate including the same, and method of manufacturing the same
KR20120079796A (en) * 2011-01-05 2012-07-13 한국전자통신연구원 Active matrix organic light emitting diode and method for manufacturing the same

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