KR102053440B1 - Organic Light Emitting Diode Display Having High Aperture Ratio And Method For Manufacturing The Same - Google Patents

Organic Light Emitting Diode Display Having High Aperture Ratio And Method For Manufacturing The Same Download PDF

Info

Publication number
KR102053440B1
KR102053440B1 KR1020130114572A KR20130114572A KR102053440B1 KR 102053440 B1 KR102053440 B1 KR 102053440B1 KR 1020130114572 A KR1020130114572 A KR 1020130114572A KR 20130114572 A KR20130114572 A KR 20130114572A KR 102053440 B1 KR102053440 B1 KR 102053440B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
storage capacitor
layer
light emitting
capacitor electrode
Prior art date
Application number
KR1020130114572A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150034462A (en
Inventor
남경진
노소영
김태환
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130114572A priority Critical patent/KR102053440B1/en
Publication of KR20150034462A publication Critical patent/KR20150034462A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102053440B1 publication Critical patent/KR102053440B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 개의 전극 층들을 중첩하여 3중 보조 용량을 구비한 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판 위에 매트릭스 방식으로 배치된 화소 영역; 상기 화소 영역 내에 배치된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 상기 화소 영역 내에 배치된 유기발광 다이오드; 그리고 상기 박막 트랜지스터 및 상기 유기발광 다이오드에 연결되며, 4개의 전극층들이 중첩되어 형성된 3중 보조 용량을 포함한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high aperture ratio organic light emitting diode display having a triple auxiliary capacitance by overlapping two electrode layers and a method of manufacturing the same. An organic light emitting diode display according to the present invention comprises: a pixel region arranged in a matrix manner on a substrate; A thin film transistor disposed in the pixel region; An organic light emitting diode connected to the thin film transistor and disposed in the pixel area; And a triple auxiliary capacitor connected to the thin film transistor and the organic light emitting diode and formed by overlapping four electrode layers.

Description

고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법{Organic Light Emitting Diode Display Having High Aperture Ratio And Method For Manufacturing The Same}Organic Light Emitting Diode Display Having High Aperture Ratio And Method For Manufacturing The Same

본 발명은 고 개구율을 갖는 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 4개의 전극 층들을 중첩하여 3중 보조 용량을 구성함으로써 동일 혹은 더 큰 용량을 확보하되 보조 용량의 면적을 최소화한, 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display having a high aperture ratio and a method of manufacturing the same. In particular, the present invention relates to a high aperture ratio organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same, having a same or larger capacitance by minimizing the area of the auxiliary capacitance by forming three auxiliary capacitances by overlapping four electrode layers.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치 (Electroluminescence Device, EL) 등이 있다. Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. Such flat panel displays include liquid crystal displays (LCDs), field emission displays (FEDs), plasma display panels (PDPs), and electroluminescence devices (ELs). have.

전계발광장치는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광장치와 유기발광다이오드장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.Electroluminescent devices are classified into inorganic electroluminescent devices and organic light emitting diode devices according to the material of the light emitting layer. As the self-emitting devices emit light by themselves, they have fast response speed, high luminous efficiency, high luminance and viewing angle.

도 1은 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면이다. 유기발광 다이오드는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다. 1 is a view showing the structure of an organic light emitting diode. The organic light emitting diode includes an organic electroluminescent compound layer electroluminescent as shown in FIG. 1, and a cathode electrode and an anode electrode facing each other with the organic electroluminescent compound layer interposed therebetween. The organic electroluminescent compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (Electron injection). layer, EIL).

유기발광 다이오드는 애노드 전극(Anode)과 캐소드 전극(Cathode)에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다. 유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드의 발광층(EML)에서 발생하는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.The organic light emitting diode emits light due to energy from the excitons in the excitation process when holes and electrons injected into the anode and cathode are recombined in the emission layer EML. The organic light emitting diode display displays an image by electrically controlling the amount of light generated in the light emitting layer EML of the organic light emitting diode as shown in FIG. 1.

전계발광소자인 유기발광 다이오드의 특징을 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLEDD)에는 패시브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)와 액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)로 대별된다.Organic Light Emitting Diode Display (OLED) using the characteristics of organic light emitting diode, an electroluminescent device, has a passive matrix type organic light emitting diode display (PMOLED) and an active matrix. It is roughly classified into an active matrix type organic light emitting diode display (AMOLED).

액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(AMOLED)는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: 혹은 "TFT")를 이용하여 유기발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다.An active matrix type organic light emitting diode display device (AMOLED) displays an image by controlling a current flowing through the organic light emitting diode using a thin film transistor (or TFT).

도 2는 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도의 한 예이다. 도 3은 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.2 is an example of an equivalent circuit diagram illustrating a structure of one pixel in an organic light emitting diode display. 3 is a plan view illustrating a structure of one pixel in an organic light emitting diode display. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display, taken along the line II ′ of FIG. 3.

도 2 내지 3을 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.2 to 3, the active matrix organic light emitting diode display includes a switching thin film transistor ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT. .

스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.The switching TFT ST is formed at a portion where the scan line SL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG branching from the scan line SL, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD. The driving TFT DT serves to drive the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA, the driving current wiring VDD, and a drain electrode DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode ANO of the organic light emitting diode OLED.

좀 더 상세히 살펴보기 위해 도 4를 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치의 기판(SUB) 상에 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(SG, DG)이 형성되어 있다. 그리고 게이트 전극(SG, DG) 위에는 게이트 절연막(GI)이 덮고 있다. 게이트 전극(SG, DG)과 중첩되는 게이트 절연막(GI)의 일부에 반도체 층(SA, DA)이 형성되어 있다. 반도체 층(SA, DA) 위에는 일정 간격을 두고 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)이 마주보고 형성된다. 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉한다. 이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)를 덮는 보호층(PAS)이 전면에 도포된다.4, the gate electrodes SG and DG of the switching TFT ST and the driving TFT DT are formed on the substrate SUB of the active matrix organic light emitting diode display. The gate insulating film GI is covered on the gate electrodes SG and DG. The semiconductor layers SA and DA are formed on a part of the gate insulating film GI overlapping the gate electrodes SG and DG. On the semiconductor layers SA and DA, source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are formed to face each other at a predetermined interval. The drain electrode SD of the switching TFT ST contacts the gate electrode DG of the driving TFT DT through a contact hole formed in the gate insulating layer GI. A protective layer PAS covering the switching TFT ST and the driving TFT DT having such a structure is coated on the entire surface.

특히, 반도체 층(SA, DA)을 산화물 반도체 물질로 형성하는 경우, 높은 전하 이동도 특성에 의해 충전 용량이 큰 대면적 박막 트랜지스터 기판에서 고 해상도 및 고속 구동에 유리하다. 그러나, 산화물 반도체 물질은 소자의 안정성을 확보하기 위해 상부 표면에 식각액으로부터 보호를 위한 에치 스토퍼(SE, DE)를 더 포함하는 것이 바람직하다. 구체적으로, 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD) 사이의 이격된 부분에서 노출된 상부면과 접촉하는 식각액으로부터 반도체 층(SA, DA)이 백 에치(Back Etch) 되는 것을 보호하도록 에치 스토퍼(SE, DE)를 형성한다.In particular, when the semiconductor layers SA and DA are formed of an oxide semiconductor material, high charge mobility characteristics are advantageous for high resolution and high speed driving in a large area thin film transistor substrate having a large charge capacity. However, the oxide semiconductor material preferably further includes an etch stopper (SE, DE) on the upper surface for protection from the etchant to ensure the stability of the device. In detail, the semiconductor layers SA and DA are back etched from the etchant contacting the exposed upper surface at the spaced portion between the source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD. The etch stoppers SE and DE are formed.

나중에 형성될 애노드 전극(ANO)의 영역에 해당하는 부분에 칼라 필터(CF)가 형성된다. 칼라 필터(CF)는 가급적 넓은 면적을 차지하도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 전단의 스캔 배선(SL)의 많은 영역과 중첩하도록 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 칼라 필터(CF)가 형성된 기판은 여러 구성요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다.The color filter CF is formed at a portion corresponding to a region of the anode electrode ANO to be formed later. The color filter CF is preferably formed to occupy a large area as much as possible. For example, it is preferable to form so as to overlap with many areas of the data wiring DL, the drive current wiring VDD, and the scan wiring SL of the front end. As described above, the substrate on which the color filter CF is formed has various components, and thus, the surface thereof is not flat and many steps are formed. Therefore, the overcoat layer OC is applied to the entire surface of the substrate for the purpose of flattening the surface of the substrate.

그리고 오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호층(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.An anode ANO of the organic light emitting diode OLED is formed on the overcoat layer OC. Here, the anode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving TFT DT through contact holes formed in the overcoat layer OC and the protective layer PAS.

애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크패턴(BANK)을 형성한다.On the substrate on which the anode electrode ANO is formed, a bank pattern BANK is formed on the region where the switching TFT ST, the driving TFT DT, and the various wirings DL, SL, and VDD are formed to define a pixel region. .

뱅크 패턴(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다. 뱅크 패턴(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)이 순차적으로 적층된다. 유기발광 층(OLE)은 백색광을 발하는 유기물질로 이루어진 경우, 아래에 위치한 칼라 필터(CF)에 의해 각 화소에 배정된 색상을 나타낸다. 도 4와 같은 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치는 아래 방향으로 발광하는 하부 발광(Bottom Emission) 표시 장치가 된다.The anode ANO exposed by the bank pattern BANK becomes a light emitting region. The organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT are sequentially stacked on the anode ANO exposed by the bank pattern BANK. When the organic light emitting layer OLE is formed of an organic material that emits white light, the organic light emitting layer OLE represents a color assigned to each pixel by a color filter CF positioned below. The organic light emitting diode display having the structure as shown in FIG. 4 is a bottom emission display that emits light downward.

이와 같은 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치에서 보조 용량(STG)은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)과 애노드 전극(ANO)이 중첩하는 공간에 형성된다. 유기발광 다이오드 표시장치의 경우, 유기발광 다이오드를 구동하여 화상 정보를 표시하는데, 유기발광 다이오드를 구동하는 데 필요한 에너지가 상당히 많이 요구되는 편이다.In such a bottom emission type organic light emitting diode display, the storage capacitor STG is formed in a space where the gate electrode DG and the anode ANO of the driving thin film transistor DT overlap. In the case of an organic light emitting diode display device, an organic light emitting diode is driven to display image information. However, a large amount of energy required to drive the organic light emitting diode is required.

따라서, 동영상과 같이 데이터 값이 빠르게 변화하는 화상 정보를 정확하게 표시하기 위해서는 대용량의 보조 용량이 필요하다. 보조 용량의 크기를 충분히 확보하기 위해서는, 보조 용량 전극의 면적이 충분히 커야 한다. 유기발광 다이오드 표시장치에서는 보조 용량 면적이 커지면, 빛을 발하는 면적 즉 개구율이 감소하는 문제가 발생한다. 특히, 고해상도를 넘어 1000ppi(pixel per inch) 수준의 초고해상도 표시장치에서는 화소 영역의 크기가 작아지므로, 보조 용량에 의한 개구율 감소가 더욱더 큰 문제로 대두하고 있다.Therefore, in order to accurately display image information whose data value changes rapidly, such as a moving picture, a large storage capacity is required. In order to sufficiently secure the size of the storage capacitor, the area of the storage capacitor electrode must be sufficiently large. In the organic light emitting diode display, when the storage capacitor area becomes large, a problem occurs in that the area that emits light, that is, the aperture ratio decreases. In particular, in the ultra-high resolution display device having a resolution of 1000 ppi (pixel per inch) beyond the high resolution, the size of the pixel area is reduced, so that the reduction of the aperture ratio due to the storage capacitor is a bigger problem.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써, 개구율 감소의 원인 중 하나인 보조 용량의 면적을 최소화한 발광형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 4개의 면 전극층을 적층한 구조로 3중 보조 용량을 형성함으로써, 동일 혹은 더 큰 용량을 확보하면서 보조 용량의 면적 비율을 최소화할 수 있는 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to solve the problems of the prior art, to provide a light emitting organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the same to minimize the area of the auxiliary capacitance which is one of the causes of the reduction of the aperture ratio. Another object of the present invention is to form a triple storage capacitor having a structure in which four surface electrode layers are stacked, and thus an organic light emitting diode display device capable of minimizing the area ratio of the storage capacitor and securing the same or larger capacity, and fabricating the same. To provide a way.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판 위에 매트릭스 방식으로 배치된 화소 영역; 상기 화소 영역 내에 배치된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 상기 화소 영역 내에 배치된 유기발광 다이오드; 그리고 상기 박막 트랜지스터 및 상기 유기발광 다이오드에 연결되며, 4개의 전극층들이 중첩되어 형성된 3중 보조 용량을 포함한다.In order to achieve the object of the present invention, the organic light emitting diode display according to the present invention, the pixel region disposed in a matrix manner on the substrate; A thin film transistor disposed in the pixel region; An organic light emitting diode connected to the thin film transistor and disposed in the pixel area; And a triple auxiliary capacitor connected to the thin film transistor and the organic light emitting diode and formed by overlapping four electrode layers.

상기 박막 트랜지스터는, 상기 기판 위에 형성된 채널 층을 포함하는 반도체 층; 게이트 절연막을 매개로 상기 채널 층과 중첩하는 게이트 전극; 상기 반도체 층 및 상기 상부 게이트 전극을 덮으며 순차적으로 적층된 제1 중간 절연막 및 제2 중간 절연막; 그리고 상기 제2 중간 절연막 위에서 상기 채널 층의 양측부에 배치된 상기 반도체 층과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호막; 상기 보호막 위에서 상기 화소 영역에 형성된 칼라 필터; 그리고 상기 칼라 필터를 덮도록 기판 전체에 도포된 오버코트 층을 더 포함하고, 상기 유기발광 다이오드는, 상기 오버코트 층 위에 형성되어 상기 드레인 전극에 연결된 애노드 전극; 상기 애노드 전극 위에 도포된 유기발광 층; 그리고 상기 유기발광 층 위에 도포된 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.The thin film transistor may include a semiconductor layer including a channel layer formed on the substrate; A gate electrode overlapping the channel layer via a gate insulating film; A first intermediate insulating film and a second intermediate insulating film sequentially covering the semiconductor layer and the upper gate electrode; And a passivation layer on the second intermediate insulating layer, the passivation layer including a source electrode and a drain electrode in contact with the semiconductor layer disposed at both sides of the channel layer, and covering the thin film transistor. A color filter formed in the pixel area on the passivation layer; And an overcoat layer applied to the entire substrate to cover the color filter, wherein the organic light emitting diode comprises: an anode electrode formed on the overcoat layer and connected to the drain electrode; An organic light emitting layer coated on the anode electrode; And it is characterized in that it comprises a cathode electrode applied on the organic light emitting layer.

상기 3중 보조 용량은, 상기 제1 중간 절연막을 매개로 하여 중첩된 제1 보조 용량 전극과 제2 보조 용량 전극 사이에 형성된 제1 보조 용량; 상기 제2 중간 절연막을 매개로 하여 중첩된 제2 보조 용량 전극과 제3 보조 용량 전극 사이에 형성된 제2 보조 용량; 그리고 상기 보호막 및 상기 오버코트 층을 매개로 하여 중첩된 제3 보조 용량 전극과 제4 보조 용량 전극 사이에 형성된 제3 보조 용량을 포함하는 것을 특징으로 한다.The triple storage capacitor may include: a first storage capacitor formed between the first storage capacitor electrode and the second storage capacitor electrode overlapped with each other through the first intermediate insulating layer; A second storage capacitor formed between the second storage capacitor electrode and the third storage capacitor electrode overlapped with each other by the second intermediate insulating layer; And a third storage capacitor formed between the overlapping third storage capacitor electrode and the fourth storage capacitor electrode through the passivation layer and the overcoat layer.

상기 제1 보조 용량 전극은, 상기 게이트 절연막 위에서, 상기 게이트 전극과 동일한 층에 동일한 물질로 형성되고; 상기 제2 보조 용량 전극은, 상기 제1 중간 절연막 위에서, 상기 제1 보조 용량 전극의 일측부를 노출하도록 중첩되어 형성되고; 상기 제3 보조 용량 전극은, 상기 제2 중간 절연막 위에서, 상기 드레인 전극이 연장되어 상기 제2 보조 용량 전극과 중첩하여 형성되고; 그리고 상기 제4 보조 용량 전극은, 상기 오버코트 층 위에서, 상기 애노드 전극과 동일한 층에 동일한 물질로 상기 애노드 전극과 분리 고립되어 형성된 것을 특징으로 한다.The first storage capacitor electrode is formed of the same material on the same layer as the gate electrode on the gate insulating film; The second storage capacitor electrode is formed to overlap one side of the first storage capacitor electrode on the first intermediate insulating layer; The third storage capacitor electrode is formed on the second intermediate insulating layer to extend the drain electrode to overlap the second storage capacitor electrode; The fourth storage capacitor electrode is formed on the overcoat layer by being separated and isolated from the anode electrode with the same material on the same layer as the anode electrode.

상기 제1 보조 용량 전극과 상기 제3 보조 용량 전극은 상기 제1 및 제2 중간 절연막을 관통하는 보조 용량 콘택홀을 통해 접촉하는 것을 특징으로 한다.The first storage capacitor electrode and the third storage capacitor electrode may contact each other through a storage capacitor contact hole penetrating the first and second intermediate insulating layers.

상기 박막 트랜지스터 및 상기 3중 보조 용량의 하부에 버퍼 층을 매개로 중첩되도록 형성된 차광층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.And a light blocking layer formed to overlap the thin film transistor and the triple storage capacitor via a buffer layer.

또한, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 제조 방법은, 기판 위에 광 차단 물질, 절연 물질, 반도체 물질을 연속으로 증착하고 패턴하여, 광 차단층, 버퍼 층 및 반도체 층을 형성하는 제1 공정; 게이트 절연 물질 및 게이트 금속을 증착하고 패턴하여, 게이트 절연막을 매개로 상기 반도체 층과 중첩하는 게이트 전극 및 제1 보조 용량 전극을 형성하는 제2 공정; 상기 게이트 전극 및 상기 제1 보조 용량 전극 위에 제1 중간 절연막을 도포하고, 상기 제1 중간 절연막 위에 상기 제1 보조 용량 전극과 중첩하는 제2 보조 용량 전극을 형성하는 제3 공정; 상기 제2 보조 용량 전극이 형성된 기판 전체 표면 위에 제2 중간 절연막을 도포하고, 상기 반도체 층의 양측부 및 상기 제1 보조 용량 전극의 일측부를 노출하는 제4 공정; 상기 제2 중간 절연막 위에 소스-드레인 금속을 증착하고 패턴하여, 소스 전극 및 드레인 전극 그리고 상기 드레인 전극에서 연장되어 상기 제2 보조 용량 전극과 중첩하고, 상기 제1 보조 용량 전극과 접촉하는 제3 보조 용량 전극을 형성하는 제5 공정; 상기 소스-드레인 전극이 형성된 기판 전체에 보호막을 도포하고, 상기 보호막 위에 칼라 필터를 형성하는 제6 공정; 상기 칼라 필터가 형성된 기판 전체에 오버코트 층을 도포하고, 상기 보호막 및 상기 오버코트 층을 패턴하여 상기 드레인 전극을 노출하는 제7 공정; 그리고 상기 오버코트 층 위에 투명 도전 물질을 증착하고 패턴하여 상기 칼라 필터와 중첩하는 애노드 전극, 그리고 상기 애노드 전극과는 분리 고립되고 상기 제3 보조 용량 전극과 중첩하는 제4 보조 용량 전극을 형성하는 제8 공정을 포함한다.In addition, a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to the present invention includes a first process of continuously depositing and patterning a light blocking material, an insulating material, and a semiconductor material on a substrate to form a light blocking layer, a buffer layer, and a semiconductor layer. ; Depositing and patterning a gate insulating material and a gate metal to form a gate electrode and a first storage capacitor electrode overlapping the semiconductor layer through a gate insulating film; A third process of coating a first intermediate insulating film on the gate electrode and the first storage capacitor electrode and forming a second storage capacitor electrode on the first intermediate insulating film, the second storage capacitor electrode overlapping the first storage capacitor electrode; A fourth process of coating a second intermediate insulating film on the entire surface of the substrate on which the second storage capacitor electrode is formed, and exposing both sides of the semiconductor layer and one side of the first storage capacitor electrode; Depositing and patterning a source-drain metal on the second intermediate insulating layer to extend from the source electrode, the drain electrode, and the drain electrode to overlap the second storage capacitor electrode and to contact the first storage capacitor electrode; A fifth step of forming a capacitor electrode; A sixth step of applying a protective film to the entire substrate on which the source-drain electrode is formed, and forming a color filter on the protective film; A seventh step of applying an overcoat layer to the entire substrate on which the color filter is formed, and exposing the drain electrode by patterning the protective film and the overcoat layer; And depositing and patterning a transparent conductive material on the overcoat layer to form an anode electrode overlapping the color filter and a fourth storage capacitor electrode that is isolated from the anode electrode and overlaps the third storage capacitor electrode. Process.

상기 애노드 전극 중에서 상기 칼라 필터에 대응하는 발광 영역을 노출하는 뱅크를 형성하는 제8 공정; 그리고 상기 뱅크에 의해 노출된 상기 애노드 전극과 접촉하는 유기발광 층 및 상기 유기발광 층과 접촉하는 캐소드 전극을 형성하는 제9 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.An eighth step of forming a bank in the anode that exposes a light emitting region corresponding to the color filter; And a ninth process of forming an organic light emitting layer in contact with the anode electrode exposed by the bank and a cathode electrode in contact with the organic light emitting layer.

본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 4개의 면 전극층들을 적층하여 3중 보조 용량부를 구비함으로써, 더 작은 보조 용량 면적으로 동일 혹은 더 큰 용량을 확보하여, 보조 용량의 면적 비율을 최소화할 수 있다. 따라서, 화소 영역 내에서 비 개구 영역인 보조 용량의 면적을 줄이고, 개구 영역을 더 증가할 수 있어 고 개구율을 갖는 유기발광 다이오드 표시장치를 구현할 수 있다. 또한, 종래 기술에 의한 제조 방법과 비교하여, 제조 공정수의 증가 없이 고 개구율을 갖는 하면 발광식 유기발광 다이오드 표시장치를 구현할 수 있다.In the organic light emitting diode display according to the present invention, by stacking four surface electrode layers to include triple storage capacitors, the same or larger capacity can be ensured with a smaller storage capacity, thereby minimizing the area ratio of the storage capacitors. have. Therefore, the area of the storage capacitor, which is a non-opening area, in the pixel area can be reduced, and the opening area can be further increased to implement an organic light emitting diode display having a high aperture ratio. In addition, compared to the manufacturing method according to the prior art, it is possible to implement a bottom-emitting organic light emitting diode display having a high aperture ratio without increasing the number of manufacturing processes.

도 1은 일반적인 유기발광 다이오드 소자를 나타내는 도면.
도 2는 일반적인 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도.
도 3은 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 6은, 도 5에서 절취선 II-II'로 자른, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 7a 내지 7j는 , 도 5에서 절취선 II-II'로 자른, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 과정을 나타내는 단면도들.1 is a view showing a general organic light emitting diode device.
2 is an equivalent circuit diagram illustrating a structure of one pixel in a conventional organic light emitting diode display.
3 is a plan view showing the structure of one pixel in the organic light emitting diode display according to the prior art.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display taken along the line II ′ of FIG. 3.
5 is a plan view showing the structure of one pixel in the organic light emitting diode display according to the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the structure of an organic light emitting diode display according to the present invention, taken along the line II-II 'of FIG. 5; FIG.
7A to 7J are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode display according to the present invention, taken along the line II-II ′ of FIG. 5.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Like numbers refer to like elements throughout. In the following description, when it is determined that the detailed description of the known technology or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 5는 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 6은 도 5에서 절취선 II-II'로 자른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다5 is a plan view showing the structure of one pixel in the organic light emitting diode display according to the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display taken along a cut line II-II ′ in FIG. 5.

도 5를 참조하면, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.Referring to FIG. 5, the organic light emitting diode display according to the present invention includes a switching thin film transistor ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT. do.

스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에 연결된 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다.The switching TFT ST is formed at a portion where the scan line SL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG connected to the scan line SL, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD.

구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 소스 전극(DS)과 일정 거리 이격되어 대향하는 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.The driving TFT DT serves to drive the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA, the driving current wiring VDD, and a source electrode The drain electrode DD is spaced apart from the DS by a predetermined distance. The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode ANO of the organic light emitting diode OLED.

또한, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서는, 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 및 보조 용량(STG)을 포함하는 구동부의 하부에는 외부로부터 유입되는 빛을 차단하기 위한 차광층(LS)이 배치된다. 차광층(LS)은 아몰퍼스 실리콘(a-Si) 혹은 금속 산화물 반도체 물질 등을 포함할 수 있다.Further, in the organic light emitting diode display according to the present invention, a light blocking layer LS for blocking light flowing from the outside is provided under the driving part including the switching TFT ST, the driving TFT DT, and the storage capacitor STG. ) Is placed. The light blocking layer LS may include amorphous silicon (a-Si) or a metal oxide semiconductor material.

보조 용량(STG)은 제1 보조 용량(STG1), 제2 보조 용량(STG2) 및 제3 보조 용량(STG3)이 적층된 구조를 갖는다. 제1 보조 용량(STG1)은 중첩하는 제1 보조 용량 전극(T1)과 제2 보조 용량 전극(T2)에 의해 형성된다. 제2 보조 용량(STG2)은 중첩하는 제2 보조 용량 전극(T2)과 제3 보조 용량 전극(T3)에 의해 형성된다. 그리고 제3 보조 용량(STG3)은 중첩하는 제3 보조 용량 전극(T3)과 제4 보조 용량 전극(T4)에 의해 형성된다.The storage capacitor STG has a structure in which the first storage capacitor STG1, the second storage capacitor STG2, and the third storage capacitor STG3 are stacked. The first storage capacitor STG1 is formed by the overlapping first storage capacitor electrode T1 and the second storage capacitor electrode T2. The second storage capacitor STG2 is formed by the overlapping second storage capacitor electrode T2 and the third storage capacitor electrode T3. The third storage capacitor STG3 is formed by the overlapping third storage capacitor electrode T3 and the fourth storage capacitor electrode T4.

보조 용량의 크기는 전극의 넓이와 전극들 사이에 개재된 유전체의 유전율에 비례한다. 따라서, 큰 보조 용량을 확보하기 위해서는 보조 용량을 형성하는 보조 용량 전극의 면적을 크게 확보하는 것이 가장 쉬운 방법이다. 하지만, 보조 용량의 면적이 커지면, 상대적으로 발광 영역의 크기가 작아진다. 본 발명에서는, 보조 용량 전극의 면적을 작게 유지하면서도 용량의 크기를 크게 확보하기 위한 것으로서, 보조 용량의 전극을 다수 층으로 형성한다.The size of the storage capacitor is proportional to the width of the electrode and the dielectric constant of the dielectric sandwiched between the electrodes. Therefore, in order to secure a large storage capacitor, it is easiest to secure a large area of the storage capacitor electrode forming the storage capacitor. However, when the area of the storage capacitor becomes large, the size of the light emitting region is relatively small. In the present invention, the storage capacitor electrode is largely secured while keeping the area of the storage capacitor electrode small, and the storage capacitor electrode is formed in multiple layers.

이하, 도 6을 더 참조하여, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 단면 구조를 설명한다. 특히, 본 발명의 핵심 구성 요소인 보조 용량(STG)에 대해 중점적으로 설명한다.Hereinafter, the cross-sectional structure of the organic light emitting diode display according to the present invention will be described with reference to FIG. 6 further. In particular, the description will focus on the auxiliary capacity (STG), which is a key component of the present invention.

액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치의 기판(SUB) 상에서 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 및 보조 용량(STG)이 형성될 영역에 대응하도록 차광층(LS)이 배치된다. 차광층(LS) 위에는 버퍼 층(BU)과 반도체 층(SE)이 적층되어 배치된다.The light blocking layer LS is disposed on the substrate SUB of the active matrix organic light emitting diode display so as to correspond to a region where the switching TFT ST, the driving TFT DT, and the storage capacitor STG are to be formed. The buffer layer BU and the semiconductor layer SE are stacked and disposed on the light blocking layer LS.

반도체 층들(SA, DA) 위에는 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 중첩하는 게이트 전극들(SG, DG)이 형성된다. 보조 용량(STG) 영역에는 게이트 절연막(GI) 위에 적층된 제1 보조 용량 전극(T1)이 배치된다. 게이트 전극(SG, DG) 및 제1 보조 용량 전극(T1)의 상부에는 기판(SUB) 전체를 덮는 제1 중간 절연막(IN1)이 도포된다. 제1 중간 절연막(IN1) 위에는 제1 보조 용량 전극(T1)과 중첩하는 제2 보조 용량 전극(T2)이 배치된다. 제2 보조 용량 전극(T2) 상부에는 기판(SUB) 전체를 덮는 제2 중간 절연막(IN2)이 도포된다. Gate electrodes SG and DG are formed on the semiconductor layers SA and DA and overlap each other with the gate insulating layer GI therebetween. The first storage capacitor electrode T1 stacked on the gate insulating layer GI is disposed in the storage capacitor STG region. The first intermediate insulating layer IN1 covering the entire substrate SUB is coated on the gate electrodes SG and DG and the first storage capacitor electrode T1. The second storage capacitor electrode T2 overlapping the first storage capacitor electrode T1 is disposed on the first intermediate insulating layer IN1. A second intermediate insulating layer IN2 covering the entire substrate SUB is coated on the second storage capacitor electrode T2.

제2 중간 절연막(IN2) 위에서, 게이트 전극들(SG, DG)의 양 옆에는 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)이 각각 마주보고 형성된다. 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)은 제1 및 제2 중간 절연막(IN1, IN2)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 제2 보조 용량 전극(T2)와 중첩하도록 연장되어 제3 보조 용량 전극(T3)을 형성한다. 또한, 제1 보조 용량 전극(T1)은 제1 및 제2 중간 절연막(IN1, IN2)에 형성된 콘택홀을 통해 제3 보조 용량 전극(T3)과 연결된다. 이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 및 제3 보조 용량 전극(T3)를 덮는 보호층(PAS)이 전면에 도포된다.On the second intermediate insulating layer IN2, source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are formed on both sides of the gate electrodes SG and DG, respectively. The drain electrode SD of the switching TFT ST contacts the gate electrode DG of the driving TFT DT through contact holes formed in the first and second intermediate insulating layers IN1 and IN2. The drain electrode DD of the driving TFT DT extends to overlap the second storage capacitor electrode T2 to form the third storage capacitor electrode T3. In addition, the first storage capacitor electrode T1 is connected to the third storage capacitor electrode T3 through contact holes formed in the first and second intermediate insulating layers IN1 and IN2. The protective layer PAS covering the switching TFT ST, the driving TFT DT, and the third storage capacitor electrode T3 having such a structure is coated on the entire surface.

보호층(PAS) 위에는, 나중에 형성될 애노드 전극(ANO)의 영역에 해당하는 부분에 칼라 필터(CF)가 형성된다. 칼라 필터(CF)는 가급적 넓은 면적을 차지하도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 전단의 스캔 배선(SL)과 가깝게 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 칼라 필터(CF)가 형성된 기판은 여러 구성요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다.On the passivation layer PAS, the color filter CF is formed at a portion corresponding to a region of the anode electrode ANO to be formed later. The color filter CF is preferably formed to occupy a large area as much as possible. For example, it is preferable to form the data wiring DL, the driving current wiring VDD, and the scan wiring SL at the front end. As described above, the substrate on which the color filter CF is formed has various components, and thus, the surface thereof is not flat and many steps are formed. Therefore, the overcoat layer OC is applied to the entire surface of the substrate for the purpose of flattening the surface of the substrate.

그리고 오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호층(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다. 또한, 애노드 전극(ANO)과는 분리 독립된 형상을 갖고, 제3 보조 용량 전극(T3)과 중첩하는 제4 보조 용량 전극(T4)이 배치된다.An anode ANO of the organic light emitting diode OLED is formed on the overcoat layer OC. Here, the anode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving TFT DT through contact holes formed in the overcoat layer OC and the protective layer PAS. In addition, a fourth storage capacitor electrode T4 having a shape separate from the anode electrode ANO and overlapping the third storage capacitor electrode T3 is disposed.

애노드 전극(ANO) 및 제4 보조 용량 전극(T4)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT), 보조 용량(STG) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크패턴(BN)을 형성한다. 뱅크 패턴(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다.On the substrate on which the anode electrode ANO and the fourth storage capacitor electrode T4 are formed, a switching TFT ST, a driving TFT DT, a storage capacitor STG, and various wirings DL and SL to define a pixel area. The bank pattern BN is formed on the region where the VDD is formed. The anode ANO exposed by the bank pattern BN becomes a light emitting region.

뱅크 패턴(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 형성된 기판(SUB) 표면 위에 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)이 순차적으로 적층된다. 유기발광 층(OLE)은 백색광을 발하는 유기물질로 이루어지며, 아래에 위치한 칼라 필터(CF)에 의해 각 화소에 배정된 색상을 나타낸다. 도 6과 같은 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치는 아래 방향으로 발광하는 하부 발광(Bottom Emission) 표시 장치가 된다.The organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT are sequentially stacked on the surface of the substrate SUB on which the anode electrode ANO exposed by the bank pattern BN is formed. The organic light emitting layer OLE is formed of an organic material that emits white light, and represents a color assigned to each pixel by a color filter CF disposed below. The organic light emitting diode display having the structure as shown in FIG. 6 becomes a bottom emission display that emits light downward.

이상과 같은 본 발명에 의한 구조에서는, 제1 보조 용량 전극(T1)과 제2 보조 용량 전극(T2)이 중첩하는 제1 중간 절연막(IN1)에 제1 보조 용량(STG1)이 형성된다. 제2 보조 용량 전극(T2)과 제3 보조 용량 전극(T3)이 중첩하는 제2 중간 절연막(IN2)에 제2 보조 용량(STG2)이 형성된다. 제3 보조 용량 전극(T3)과 제4 보조 용량 전극(T4)이 중첩하는 보호막(PAS) 및 오버코트 층(OC)에 제3 보조 용량(STG3)이 형성된다. 이와 같이 세 개의 보조 용량들(STG1, STG2, STG3)이 적층되어 보조 용량(STG)을 형성함으로써, 차지하는 면적이 작더라도 충분한 보조 용량을 확보할 수 있다.In the structure according to the present invention as described above, the first storage capacitor STG1 is formed in the first intermediate insulating film IN1 in which the first storage capacitor electrode T1 and the second storage capacitor electrode T2 overlap. The second storage capacitor STG2 is formed in the second intermediate insulating layer IN2 in which the second storage capacitor electrode T2 and the third storage capacitor electrode T3 overlap. The third storage capacitor STG3 is formed in the passivation layer PAS and the overcoat layer OC in which the third storage capacitor electrode T3 and the fourth storage capacitor electrode T4 overlap. As such, the three storage capacitors STG1, STG2, and STG3 are stacked to form the storage capacitor STG, thereby ensuring sufficient storage capacity even if the area occupied is small.

일반적으로 현재 사용하는 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서는, 2중층 구조의 보조 용량(STG)을 사용한다. 좀 더 구체적으로 설명하면, 보조 용량(STG)의 면적은 약 1085㎛2의 면적을 갖고, 보조 용량의 크기는 약 2.29×10-13F의 크기를 갖는다. 반면에, 본 발명에 의한 3중 구조의 보조 용량(STG)을 종래 기술에 의한 면적()으로 형성할 경우, 약 5,34×10-13F의 크기를 갖는다. 즉, 동일한 보조 용량 면적에서 보조 용량의 크기가 약 2.33배 증가한 결과를 얻을 수 있다.In general, the organic light emitting diode display according to the related art currently used uses a storage capacitor (STG) having a double layer structure. More specifically, the area of the storage dose STG has an area of about 1085 μm 2 , and the size of the storage dose is about 2.29 × 10 −13 F. On the other hand, when the auxiliary capacitance (STG) of the triple structure according to the present invention is formed with the area () according to the prior art, it has a size of about 5,34 x 10 -13 F. That is, the result can be obtained by about 2.33 times the size of the storage capacity in the same storage capacity area.

한편, 본 발명에 의한 3중 구조의 보조 용량을 구현함에 있어서, 보조 용량의 면적은 738㎛2으로 줄여서 형성하더라도, 보조 용량의 크기는 3.63×10-13F의 크기를 갖는 것으로 측정된다. 즉, 보조 용량이 차지하는 면적을 줄이더라도 종래 기술에 의한 보조 용량보다 더 큰 용량을 확보할 수 있다.
On the other hand, in implementing the storage capacity of the triple structure according to the present invention, even if the area of the storage capacity is reduced to 738㎛ 2 , the size of the storage capacity is measured to have a size of 3.63 × 10 -13 F. That is, even if the area occupied by the auxiliary capacity can be reduced, a capacity larger than that of the conventional technology can be ensured.

이하, 도 7a 내지 7j를 참조하여 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 방법을 설명한다. 도 7a 내지 7j는 , 도 5에서 절취선 II-II'로 자른, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 과정을 나타내는 단면도들이다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to the present invention will be described with reference to FIGS. 7A to 7J. 7A to 7J are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode display according to the present invention, taken along the line II-II ′ of FIG. 5.

기판(SUB) 위에 아몰퍼스 반도체 물질, 절연 물질 그리고 금속 산화물 반도체 물질을 연속으로 증착한다. 하프-톤 마스크를 사용하는, 제1 마스크 공정으로 3개 층들을 동시에 패턴하여, 차광층(LS), 버퍼 층(BU) 및 반도체 층(SE)을 형성한다. 차광층(LS)은 비 발광 영역에 형성되는 박막 트랜지스터들(ST, DT) 및 보조 용량(STG)이 차지하는 영역에 대응하도록 형성하는 것이 바람직하다. 버퍼 층(BU)과 반도체 층(SE)은 박막 트랜지스터(ST, DT)의 채널 영역과, 보조 용량(STG)이 형성될 위치에서 동일한 모양으로 형성한다. (도 7a)An amorphous semiconductor material, an insulating material and a metal oxide semiconductor material are sequentially deposited on the substrate SUB. Three layers are simultaneously patterned in a first mask process using a half-tone mask to form a light blocking layer LS, a buffer layer BU, and a semiconductor layer SE. The light blocking layer LS is preferably formed to correspond to a region occupied by the thin film transistors ST and DT and the storage capacitor STG formed in the non-light emitting region. The buffer layer BU and the semiconductor layer SE are formed in the same shape at the channel region of the thin film transistors ST and DT and at the position where the storage capacitor STG is to be formed. (FIG. 7A)

기판(SUB)의 전체 표면 위에, 게이트 절연물질과 게이트 전극 물질을 연속으로 증착한다. 제2 마스크 공정으로 2개 층들을 동시에 패턴하여, 게이트 전극들(SG, DG) 및 제1 보조 용량 전극(T1)을 형성한다. 예를 들어, 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 반도체 층(SE)의 중앙부와 중첩하도록 스위칭 TFT(ST)의 게이트 전극(SG)과 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)을 형성한다. 이와 동시에, 보조 용량(STG) 영역에도 반도체 층(SE) 위에 게이트 절연막(GI)과 제1 보조 용량 전극(T1)이 적층되도록 형성한다. 그리고, 기판(SUB) 전체 표면 위에 제1 중간 절연막(IN1)을 도포한다. (도 7b)On the entire surface of the substrate SUB, a gate insulating material and a gate electrode material are sequentially deposited. The two layers are simultaneously patterned in the second mask process to form the gate electrodes SG and DG and the first storage capacitor electrode T1. For example, the gate electrode SG of the switching TFT ST and the gate electrode DG of the driving TFT DT are formed to overlap the center portion of the semiconductor layer SE with the gate insulating layer GI therebetween. At the same time, the gate insulating layer GI and the first storage capacitor electrode T1 are formed on the semiconductor layer SE in the storage capacitor STG region. Then, the first intermediate insulating film IN1 is coated on the entire surface of the substrate SUB. (FIG. 7B)

제1 중간 절연막(IN1) 위에 금속 물질을 도포한다. 제3 마스크 공정으로 금속 물질을 패턴하여, 제1 보조 용량 전극(T1)과 중첩하는 제2 보조 용량 전극(T2)을 형성한다. 이때, 제1 보조 용량 전극(T1)과 제2 보조 용량 전극(T2)이 완전히 일치되도록 중첩하는 것보다는, 제1 보조 용량 전극(T1)의 일측부가 제2 보조 용량 전극(T2) 일측부와 어긋나도록 형성하는 것이 바람직하다. (도 7c)A metal material is coated on the first intermediate insulating layer IN1. The metal material is patterned by a third mask process to form a second storage capacitor electrode T2 overlapping the first storage capacitor electrode T1. In this case, rather than overlapping the first storage capacitor electrode T1 and the second storage capacitor electrode T2 so that the first storage capacitor electrode T1 is completely coincident with each other, one side portion of the first storage capacitor electrode T1 and one side portion of the second storage capacitor electrode T2 are formed. It is preferable to form so that it may shift. (FIG. 7C)

제2 보조 용량 전극(T2)이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 제2 중간 절연막(IN2)을 도포한다. 제4 마스크 공정으로 제2 중간 절연막(IN2) 및 제1 중간 절연막(IN1)을 패턴하여, 콘택홀들을 형성한다. 예를 들어, 스위칭 TFT(ST)의 반도체 층(SE)에서 소스 영역을 노출하는 스위칭 소스 콘택홀(SSH) 및 드레인 영역을 노출하는 스위칭 드레인 콘택홀(SDH)을 형성한다. 마찬가지로 구동 TFT(DT)의 반도체 층(SE)에서 소스 영역을 노출하는 구동 소스 콘택홀(DSH) 및 드레인 영역을 노출하는 구동 드레인 콘택홀(DDH)을 형성한다. 또한, 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG) 일부를 노출하는 게이트 콘택홀(GH)을 형성한다. 그리고 제1 보조 용량 전극(T1)의 일측부를 노출하는 보조 용량 콘택홀(STH)을 형성한다. (도 7d)The second intermediate insulating layer IN2 is coated on the entire surface of the substrate SUB on which the second storage capacitor electrode T2 is formed. The second intermediate insulating layer IN2 and the first intermediate insulating layer IN1 are patterned by a fourth mask process to form contact holes. For example, the switching source contact hole SSH exposing the source region and the switching drain contact hole SDH exposing the drain region are formed in the semiconductor layer SE of the switching TFT ST. Similarly, the driving source contact hole DSH exposing the source region and the driving drain contact hole DDH exposing the drain region are formed in the semiconductor layer SE of the driving TFT DT. In addition, a gate contact hole GH exposing a part of the gate electrode DG of the driving TFT DT is formed. The storage capacitor contact hole STH exposing one side of the first storage capacitor electrode T1 is formed. (FIG. 7D)

콘택홀들이 형성된 기판(SUB) 위에 소스-드레인 물질을 도포한다. 제5 마스크 공정으로 패턴하여, 소스-드레인 요소들을 형성한다. 예를 들어, 데이터 배선(DL), 데이터 배선(DL)에서 분기하여 스위칭 TFT(ST)의 소스 영역과 접촉하는 스위칭 소스 전극(SS) 그리고 스위칭 TFT(ST)의 드레인 영역과 접촉하며 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉하는 스위칭 드레인 전극(SD)을 형성한다. 또한, 구동 전류 배선(VDD), 구동 전류 배선(VDD)에서 분기하여 구동 TFT(DT)의 소스 영역과 접촉하는 구동 소스 전극(DS) 그리고 구동 TFT(DT)의 드레인 영역과 접촉하는 구동 드레인 전극(DD)을 형성한다. 여기서, 구동 드레인 전극(DD)은 보조 용량(STG) 영역으로 연장되어, 제1 보조 용량 전극(T1)과 접촉하고, 제2 보조 용량(T2)과 중첩하는 제3 보조 용량 전극(T3)을 형성한다. (도 7e)The source-drain material is coated on the substrate SUB on which the contact holes are formed. Patterning is performed in a fifth mask process to form source-drain elements. For example, the switching source electrode SS branched from the data line DL, the data line DL and in contact with the source region of the switching TFT ST, and in contact with the drain region of the switching TFT ST, is connected to the driving TFT. The switching drain electrode SD is formed in contact with the gate electrode DG of the DT. In addition, the driving source electrode DS which branches from the driving current wiring VDD, the driving current wiring VDD and contacts the source region of the driving TFT DT, and the driving drain electrode which contacts the drain region of the driving TFT DT. (DD) is formed. Here, the driving drain electrode DD extends into the storage capacitor area STG, contacts the first storage capacitor electrode T1, and overlaps the third storage capacitor electrode T3 overlapping the second storage capacitor T2. Form. (FIG. 7E)

소스-드레인 요소들이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 보호막(PAS)을 도포한다. 보호막(PAS) 위에서 안료를 도포하고 제6 마스크 공정으로 발광 영역에 대응하도록 칼라 필터(CF)를 형성한다. 칼라 필터가 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 구비하는 경우, 제6 마스크 공정은 3회의 마스크 공정이 필요할 수 있다. 리프트 오프 공정을 이용한 잉크-젯 방법을 사용한다면, 2회 혹은 1회의 마스크 공정으로 이룩할 수도 있다. (도 7f)A protective film PAS is applied on the entire surface of the substrate SUB on which the source-drain elements are formed. The pigment is coated on the passivation layer PAS and the color filter CF is formed to correspond to the light emitting region in a sixth mask process. When the color filter includes red (R), green (G), and blue (B), the sixth mask process may require three mask processes. If an ink-jet method using a lift-off process is used, it may be achieved in two or one mask processes. (FIG. 7F)

칼라 필터(CF)가 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 오버코트 층(OC)을 도포한다. 제7 마스크 공정으로 오버코트 층(OC)과 보호막(PAS)을 패턴하여, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD) 일부를 노출하는 화소 콘택홀(PH)을 형성한다. 여기서, 칼라 필터(CF)들을 형성하는 서브 마스크 공정 수를 별도로 산정하지 않고 1회의 마스크 공정으로 취급하여, 화소 콘택홀(PH) 형성을 제7 마스크 공정으로 정의한 것이다. (도 7g)The overcoat layer OC is coated on the entire surface of the substrate SUB on which the color filter CF is formed. The overcoat layer OC and the passivation layer PAS are patterned by a seventh mask process to form a pixel contact hole PH exposing a part of the drain electrode DD of the driving TFT DT. Here, the pixel contact hole PH is defined as a seventh mask process by treating it as a single mask process without separately calculating the number of sub mask processes for forming the color filters CF. (Fig. 7g)

오버코트 층(OC) 위에 ITO(Induim Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 혹은 IGZO(Indium Galium Zinc Oxide)와 같은 투명 도전 물질을 증착한다. 제8 마스크 공정으로 투명 도전 물질을 패턴하여 애노드 전극(ANO) 및 제4 보조 용량 전극(T4)을 형성한다. 애노드 전극(ANO)은 발광 영역에서 칼라 필터(CF)에 대응하는 면적으로 형성하는 것이 바람직하다. 반면에, 제4 보조 용량 전극(T4)은 비 발광 영역의 일부인 보조 용량(STG) 영역에 형성한다. 특히, 애노드 전극(ANO)과는 분리 고립되고, 제3 보조 용량 전극(T3)과 중첩하도록 형성하는 것이 바람직하다. (도 7h)A transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or indium gallium zinc oxide (IGZO) is deposited on the overcoat layer (OC). The transparent conductive material is patterned by the eighth mask process to form the anode ANO and the fourth storage capacitor electrode T4. The anode electrode ANO is preferably formed in an area corresponding to the color filter CF in the emission region. On the other hand, the fourth storage capacitor electrode T4 is formed in the storage capacitor STG region which is part of the non-light emitting region. In particular, it is preferable to form an isolation | separation isolation | separation from the anode electrode ANO, and to overlap with the 3rd storage capacitor electrode T3. (FIG. 7H)

애노드 전극(ANO)과 제4 보조 용량 전극(T4)이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 포토레지스트와 같은 광 반응성 유기물질을 도포한다. 제9 마스크 공정으로 패턴하여, 애노드 전극(ANO)에서 발광 영역을 개방하고 나머지 영역들을 덮는 뱅크(BN)를 형성한다. (도 7i)A photoreactive organic material such as a photoresist is coated on the entire surface of the substrate SUB on which the anode electrode ANO and the fourth storage capacitor electrode T4 are formed. Patterning is performed in a ninth mask process to form a bank BN that opens the emission region and covers the remaining regions in the anode electrode ANO. (FIG. 7i)

뱅크(BN)가 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 백색광을 발광하는 유기발광 층(OLE) 및 캐소드 전극(CAT)을 연속으로 도포한다. 이로써, 발광 영역에서는 애노드 전극(ANO), 유기발광 층(OLE) 및 캐소드 전극(CAT)이 적층된 유기발광 다이오드(OLED)가 완성된다. (도 7j)The organic light emitting layer OLE and the cathode electrode CAT, which emit white light, are successively coated on the entire surface of the substrate SUB on which the bank BN is formed. As a result, the organic light emitting diode OLED in which the anode electrode ANO, the organic light emitting layer OLE, and the cathode electrode CAT are stacked is completed. (FIG. 7J)

이상 본 발명에 의한 제조 공정에 의하면, 보조 용량(STG)은 세 개의 보조 용량들이 중첩하여 형성되며, 보조 용량 전극들은 모두 4개가 형성된다. 그러나, 전체 공정에서 필요한 마스크 공정 수는 9회의 마스크 공정수를 필요로 한다. 한편, 칼라 필터를 형성하는 서브 마스크 공정 3회를 고려하더라도, 전체 공정수는 11회의 마스크 공정 수를 필요로하는 데, 이는 종래 기술에 의한 것과 비교할 때 거의 동일한 수준이다.According to the manufacturing process according to the present invention, the storage capacitor STG is formed by overlapping three storage capacitors, and all four storage capacitor electrodes are formed. However, the number of mask processes required in the whole process requires 9 mask processes. On the other hand, even considering three sub mask processes for forming a color filter, the total number of steps requires 11 mask steps, which is almost the same level as compared with the prior art.

이상과 같이, 본 발명은 보조 용량이 차지하는 면적을 줄이면서, 동일하거나 더 큰 용량을 확보할 수 있는 유기발광 다이오드 표시장치를 제공한다. 또한, 제조 공정의 복잡성이 증가하지 않고, 제조 비용이 증가하지 않는다.
As described above, the present invention provides an organic light emitting diode display device which can secure the same or larger capacity while reducing the area occupied by the storage capacitor. In addition, the complexity of the manufacturing process does not increase, and the manufacturing cost does not increase.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description but should be defined by the claims.

DL: 데이터 배선 SL: 스캔 배선
VDD: 구동 전류 배선 ST: 스위칭 TFT
DT: 구동 TFT OLED: 유기발광 다이오드
CAT: 캐소드 전극(층) ANO: 애노드 전극(층)
BN: 뱅크 패턴 CF: 칼라 필터
OLE: (백색) 유기층 SUB: 기판
PAS: 보호막 OC: 오버코트 층
SG, DG: 게이트 전극 SE: 반도체 층
SS, DS: 소스 전극 SD, DD: 드레인 전극
SE, DE: 에치 스토퍼 PH: 화소 콘택홀
LS: 차광층 STG: 보조 용량
STG1: 제1 보조 용량 STG2: 제2 보조 용량
STG3: 제3 보조 용량 T1: 제1 보조 용량 전극
T2: 제2 보조 용량 전극 T3: 제3 보조 용량 전극
T4: 제4 보조 용량 전극DL: data wiring SL: scan wiring
VDD: drive current wiring ST: switching TFT
DT: driving TFT OLED: organic light emitting diode
CAT: cathode electrode (layer) ANO: anode electrode (layer)
BN: Bank Pattern CF: Color Filter
OLE: (white) organic layer SUB: substrate
PAS: Shield OC: Overcoat Layer
SG, DG: Gate electrode SE: Semiconductor layer
SS, DS: source electrode SD, DD: drain electrode
SE, DE: etch stopper PH: pixel contact hole
LS: Shading Layer STG: Auxiliary Capacity
STG1: first subcapacity STG2: second subcapacity
STG3: third storage capacitor T1: first storage capacitor electrode
T2: second storage capacitor electrode T3: third storage capacitor electrode
T4: fourth storage capacitor electrode

Claims (10)

기판 상의 화소 영역 내에 위치하는 박막 트랜지스터, 유기발광 다이오드 및 상기 박막 트랜지스터 및 상기 유기발광 다이오드에 연결되며, 4개의 전극층들이 중첩되어 형성된 3중 보조 용량을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치에 있어서,
상기 기판 위에 연속으로 증착되고 패턴된 광 차단층, 버퍼 층 및 반도체 층;
상기 반도체 층 위의 게이트 절연막;
상기 게이트 절연막 위의 상기 반도체층과 중첩하는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 동일한 물질로 이루어지는 제1 보조 용량 전극;
상기 게이트 전극 및 상기 제1 보조 용량 전극 위의 제1 중간 절연막;
상기 제1 중간 절연막 위에서 상기 제1 보조 용량 전극과 중첩하는 제2 보조 용량 전극;
상기 제2 보조 용량 전극을 덮도록 상기 기판 전체에 위치하고 상기 반도체 층의 양측부 및 상기 제1 보조 용량 전극의 일부를 노출하는 제2 중간 절연막;
상기 제2 중간 절연막 위에 위치하고 상기 반도체 층의 양측부에 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극 그리고 상기 드레인 전극에서 연장되어 상기 제2 보조 용량 전극과 중첩하고 상기 제1 보조 용량 전극과 접촉하는 제3 보조 용량 전극;
상기 소스 전극 및 드레인 전극을 덮도록 상기 기판 전체에 위치하는 보호막;
상기 보호막 위의 칼라 필터;
상기 칼라 필터를 덮도록 상기 기판 전체에 위치하고 상기 드레인 전극을 노출하는 오버코트 층; 및
상기 오버코트 층 위에 위치하고 상기 칼라 필터와 중첩하는 애노드 전극 그리고 상기 애노드 전극과 동일한 물질로 이루어지되 상기 애노드 전극과는 분리되어 상기 제3 보조 용량 전극과 중첩하는 제4 보조 용량 전극을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치.An organic light emitting diode display device including a thin film transistor, an organic light emitting diode, and a triple auxiliary capacitor connected to the thin film transistor and the organic light emitting diode and formed by overlapping four electrode layers.
A light blocking layer, a buffer layer and a semiconductor layer deposited and patterned successively on the substrate;
A gate insulating film on the semiconductor layer;
A first storage capacitor electrode made of the same material as the gate electrode and a gate electrode overlapping the semiconductor layer on the gate insulating layer;
A first intermediate insulating layer on the gate electrode and the first storage capacitor electrode;
A second storage capacitor electrode overlapping the first storage capacitor electrode on the first intermediate insulating layer;
A second intermediate insulating layer disposed on the entire substrate so as to cover the second storage capacitor electrode and exposing both sides of the semiconductor layer and a portion of the first storage capacitor electrode;
Source and drain electrodes disposed on the second intermediate insulating layer and in contact with both sides of the semiconductor layer; and third storage capacitors extending from the drain electrodes to overlap the second storage capacitor electrode and to contact the first storage capacitor electrode. electrode;
A passivation layer on the entire substrate to cover the source electrode and the drain electrode;
A color filter on the protective film;
An overcoat layer disposed over the substrate to cover the color filter and exposing the drain electrode; And
An organic light emitting diode comprising an anode electrode disposed on the overcoat layer and overlapping the color filter and a fourth storage capacitor electrode formed of the same material as the anode electrode and separated from the anode electrode and overlapping the third storage capacitor electrode; Display. 제 1 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터는,
상기 기판 위에 형성된 채널 층을 포함하는 상기 반도체 층;
상기 게이트 절연막을 매개로 상기 채널 층과 중첩하는 상기 게이트 전극;
상기 반도체 층 및 상기 게이트 전극을 덮으며 순차적으로 적층된 상기 제1 중간 절연막 및 상기 제2 중간 절연막; 그리고
상기 제2 중간 절연막 위에서 상기 채널 층의 양측부에 배치된 상기 반도체 층과 접촉하는 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 포함하고,
상기 유기발광 다이오드는,
상기 오버코트 층 위에 형성되어 상기 드레인 전극에 연결된 상기 애노드 전극;
상기 애노드 전극 위에 도포된 유기발광 층; 그리고
상기 유기발광 층 위에 도포된 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The thin film transistor,
The semiconductor layer including a channel layer formed on the substrate;
The gate electrode overlapping the channel layer via the gate insulating layer;
The first intermediate insulating film and the second intermediate insulating film sequentially stacked to cover the semiconductor layer and the gate electrode; And
The source electrode and the drain electrode in contact with the semiconductor layer disposed on both sides of the channel layer on the second intermediate insulating film,
The organic light emitting diode,
The anode electrode formed on the overcoat layer and connected to the drain electrode;
An organic light emitting layer coated on the anode electrode; And
And a cathode electrode coated on the organic light emitting layer.
제 2 항에 있어서,
상기 3중 보조 용량은,
상기 제1 중간 절연막을 매개로 하여 중첩된 상기 제1 보조 용량 전극과 상기 제2 보조 용량 전극 사이에 형성된 제1 보조 용량;
상기 제2 중간 절연막을 매개로 하여 중첩된 상기 제2 보조 용량 전극과 상기 제3 보조 용량 전극 사이에 형성된 제2 보조 용량; 그리고
상기 보호막 및 상기 오버코트 층을 매개로 하여 중첩된 상기 제3 보조 용량 전극과 상기 제4 보조 용량 전극 사이에 형성된 제3 보조 용량을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 2,
The triple auxiliary dose is,
A first storage capacitor formed between the first storage capacitor electrode and the second storage capacitor electrode which are overlapped with each other by the first intermediate insulating layer;
A second storage capacitor formed between the second storage capacitor electrode and the third storage capacitor electrode overlapped with each other by the second intermediate insulating layer; And
And a third storage capacitor formed between the third storage capacitor electrode and the fourth storage capacitor electrode overlapping each other via the passivation layer and the overcoat layer.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제1 보조 용량 전극과 상기 제3 보조 용량 전극은 상기 제1 및 제2 중간 절연막을 관통하는 보조 용량 콘택홀을 통해 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
And the first storage capacitor electrode and the third storage capacitor electrode are in contact with each other through a storage capacitor contact hole penetrating the first and second intermediate insulating layers.
삭제delete 기판 위에 광 차단 물질, 절연 물질, 반도체 물질을 연속으로 증착하고 패턴하여, 광 차단층, 버퍼 층 및 반도체 층을 형성하는 제1 공정;
게이트 절연 물질 및 게이트 금속을 증착하고 패턴하여, 게이트 절연막을 매개로 상기 반도체 층과 중첩하는 게이트 전극 및 제1 보조 용량 전극을 형성하는 제2 공정;
상기 게이트 전극 및 상기 제1 보조 용량 전극 위에 제1 중간 절연막을 도포하고, 상기 제1 중간 절연막 위에 상기 제1 보조 용량 전극과 중첩하는 제2 보조 용량 전극을 형성하는 제3 공정;
상기 제2 보조 용량 전극이 형성된 기판 전체 표면 위에 제2 중간 절연막을 도포하고, 상기 반도체 층의 양측부 및 상기 제1 보조 용량 전극의 일측부를 노출하는 제4 공정;
상기 제2 중간 절연막 위에 소스-드레인 금속을 증착하고 패턴하여, 소스 전극 및 드레인 전극 그리고 상기 드레인 전극에서 연장되어 상기 제2 보조 용량 전극과 중첩하고, 상기 제1 보조 용량 전극과 접촉하는 제3 보조 용량 전극을 형성하는 제5 공정;
상기 소스-드레인 전극이 형성된 기판 전체에 보호막을 도포하고, 상기 보호막 위에 칼라 필터를 형성하는 제6 공정;
상기 칼라 필터가 형성된 기판 전체에 오버코트 층을 도포하고, 상기 보호막 및 상기 오버코트 층을 패턴하여 상기 드레인 전극을 노출하는 제7 공정; 그리고
상기 오버코트 층 위에 투명 도전 물질을 증착하고 패턴하여 상기 칼라 필터와 중첩하는 애노드 전극, 그리고 상기 애노드 전극과 동일한 물질로 이루어지되 상기 애노드 전극과는 분리되어 상기 제3 보조 용량 전극과 중첩하는 제4 보조 용량 전극을 형성하는 제8 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법.
A first process of continuously depositing and patterning a light blocking material, an insulating material and a semiconductor material on a substrate to form a light blocking layer, a buffer layer and a semiconductor layer;
Depositing and patterning a gate insulating material and a gate metal to form a gate electrode and a first storage capacitor electrode overlapping the semiconductor layer through a gate insulating film;
A third process of coating a first intermediate insulating film on the gate electrode and the first storage capacitor electrode and forming a second storage capacitor electrode on the first intermediate insulating film, the second storage capacitor electrode overlapping the first storage capacitor electrode;
A fourth process of coating a second intermediate insulating film on the entire surface of the substrate on which the second storage capacitor electrode is formed, and exposing both sides of the semiconductor layer and one side of the first storage capacitor electrode;
Depositing and patterning a source-drain metal on the second intermediate insulating layer to extend from the source electrode, the drain electrode, and the drain electrode to overlap the second storage capacitor electrode and to contact the first storage capacitor electrode; A fifth step of forming a capacitor electrode;
A sixth step of applying a protective film to the entire substrate on which the source-drain electrode is formed, and forming a color filter on the protective film;
A seventh step of applying an overcoat layer to the entire substrate on which the color filter is formed, and exposing the drain electrode by patterning the protective film and the overcoat layer; And
A fourth auxiliary auxiliary layer formed of an anode electrode overlapping the color filter by depositing and patterning a transparent conductive material on the overcoat layer and the same material as the anode electrode, but separated from the anode electrode and overlapping with the third storage capacitor electrode And an eighth step of forming a capacitor electrode.
제 7 항에 있어서,
상기 애노드 전극 중에서 상기 칼라 필터에 대응하는 발광 영역을 노출하는 뱅크를 형성하는 제9 공정; 그리고
상기 뱅크에 의해 노출된 상기 애노드 전극과 접촉하는 유기발광 층 및 상기 유기발광 층과 접촉하는 캐소드 전극을 형성하는 제10 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
A ninth step of forming a bank in the anode that exposes a light emitting region corresponding to the color filter; And
And a tenth step of forming an organic light emitting layer in contact with the anode electrode exposed by the bank and a cathode electrode in contact with the organic light emitting layer.
제 1 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터는
화소를 선택하는 스위칭 TFT와, 선택된 화소의 유기발광 다이오드를 구동하는 구동 TFT를 포함하고,
상기 스위칭 TFT는 스위칭 반도체 층에서 소스 영역을 노출하는 스위칭 소스 콘택홀 및 드레인 영역을 노출하는 스위칭 드레인 콘택홀을 포함하고,
상기 구동 TFT는 구동 반도체 층에서 소스 영역을 노출하는 구동 소스 콘택홀 및 드레인 영역을 노출하는 구동 드레인 콘택홀을 포함하고,
상기 스위칭 TFT의 상기 스위칭 소스 콘택홀과 상기 스위칭 드레인 콘택홀은 스캔 배선을 따라 가로 방향으로 배치되고,
상기 구동 TFT의 상기 구동 소스 콘택홀과 상기 구동 드레인 콘택홀은 데이터 배선을 따라 세로 방향으로 배치된 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The thin film transistor is
A switching TFT for selecting a pixel, and a driving TFT for driving the organic light emitting diode of the selected pixel,
The switching TFT includes a switching source contact hole exposing a source region and a switching drain contact hole exposing a drain region in the switching semiconductor layer,
The driving TFT includes a driving source contact hole exposing a source region and a driving drain contact hole exposing a drain region in the driving semiconductor layer,
The switching source contact hole and the switching drain contact hole of the switching TFT are disposed in a horizontal direction along a scan line;
And the driving source contact hole and the driving drain contact hole of the driving TFT are disposed in a vertical direction along a data line.
제 9 항에 있어서,
상기 제1 보조 용량 전극의 일측부를 노출하는 보조 용량 콘택홀과,
상기 구동 TFT의 드레인 전극의 일부를 노출하는 화소 콘택홀을 더 포함하고,
상기 보조 용량 콘택홀과 상기 화소 콘택홀은 상기 데이터 배선을 따라 세로 방향으로 배치된 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 9,
A storage capacitor contact hole exposing one side of the first storage capacitor electrode;
A pixel contact hole exposing a part of the drain electrode of the driving TFT;
The storage capacitor contact hole and the pixel contact hole are disposed in the vertical direction along the data line.
KR1020130114572A 2013-09-26 2013-09-26 Organic Light Emitting Diode Display Having High Aperture Ratio And Method For Manufacturing The Same KR102053440B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130114572A KR102053440B1 (en) 2013-09-26 2013-09-26 Organic Light Emitting Diode Display Having High Aperture Ratio And Method For Manufacturing The Same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130114572A KR102053440B1 (en) 2013-09-26 2013-09-26 Organic Light Emitting Diode Display Having High Aperture Ratio And Method For Manufacturing The Same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150034462A KR20150034462A (en) 2015-04-03
KR102053440B1 true KR102053440B1 (en) 2020-01-08

Family

ID=53031273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130114572A KR102053440B1 (en) 2013-09-26 2013-09-26 Organic Light Emitting Diode Display Having High Aperture Ratio And Method For Manufacturing The Same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102053440B1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102478471B1 (en) * 2015-07-03 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 Ddisplay apparatus
KR102428433B1 (en) * 2015-09-18 2022-08-04 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device
KR102513990B1 (en) * 2017-12-04 2023-03-23 엘지디스플레이 주식회사 Electroluminescent Display Device ANd METHOD OF FABRICATING THE SAME
KR20200127023A (en) * 2018-03-01 2020-11-09 에이치이에스 아이피 홀딩스, 엘엘씨 Near-eye display method capable of shooting multiple depths of field

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101162772B1 (en) * 2005-04-06 2012-07-04 삼성모바일디스플레이주식회사 Light Emission Display and Manufacturing Method Thereof
KR20120079796A (en) * 2011-01-05 2012-07-13 한국전자통신연구원 Active matrix organic light emitting diode and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150034462A (en) 2015-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102045036B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Having High Aperture Ratio And Method For Manufacturing The Same
KR102315094B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Having High Aperture Ratio And Method For Manufacturing The Same
US10700149B2 (en) Organic light-emitting diode display having multi-mode cavity structure
US9647046B2 (en) Organic light emitting diode display having high aperture ratio and method for manufacturing the same
KR102193886B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Having High Aperture Ratio And Method For Manufacturing The Same
KR101920766B1 (en) Method of fabricating the organic light emitting device
KR102081317B1 (en) High Aperture Ratio Organic Light Emitting Diode Display Having Double Bank Structure
KR102062912B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same
KR101576834B1 (en) Organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same
KR20180118857A (en) Organic light emitting diode display
KR102053440B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Having High Aperture Ratio And Method For Manufacturing The Same
KR102247825B1 (en) Bottom Emission Type Organic Light Emission Diode Display Having Color Filters And Method For Manufacturing The Same
KR102076620B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same
KR102269099B1 (en) Thin film Transistor Substrate For Flat Panel Display And Method For Manufacturing The Same
KR102355605B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Device and Method of Fabricating the Same
KR102211066B1 (en) Thin film Transistor Substrate For Flat Panel Display And Method For Manufacturing The Same
KR102056275B1 (en) Ultra High Density Organic Light Emitting Diode Display
KR20150058961A (en) Organic light emitting diode display device and method for fabricating the same
KR102024784B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same
US20240215357A1 (en) Display device
KR20170062647A (en) Organic Light Emitting Display Device

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant