KR102024784B1 - Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이중 게이트 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판 위에서 화소 영역을 정의하는 스캔 배선, 데이터 배선 및 구동 전류 배선; 상기 화소 영역 내에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호막; 상기 보호막 위에서 상기 박막 트랜지스터를 덮는 이중 게이트 전극; 상기 화소 영역 내에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터에 연결된 유기발광 다이오드; 그리고 상기 유기발광 다이오드의 발광 영역을 정의하도록 형성된 뱅크를 포함한다. 본 발명에서는 유기발광 다이오드의 애노드 전극과 이중 게이트 전극을 동일한 물질로 형성하며, 뱅크 패턴을 마스크로 하여 애노드 전극의 불투명 전극층을 제거함으로써, 추가되는 마스크 공정 수를 최소화할 수 있다.The present invention relates to an organic light emitting diode display having a double gate structure and a method of manufacturing the same. An organic light emitting diode display according to the present invention comprises: scan wiring, data wiring and driving current wiring defining a pixel region on a substrate; A thin film transistor formed in the pixel region; A passivation layer covering the thin film transistor; A double gate electrode covering the thin film transistor on the passivation layer; An organic light emitting diode formed in the pixel region and connected to the thin film transistor; And a bank formed to define a light emitting region of the organic light emitting diode. In the present invention, the anode electrode and the double gate electrode of the organic light emitting diode are formed of the same material, and the number of additional mask processes can be minimized by removing the opaque electrode layer of the anode electrode using the bank pattern as a mask.
Description
본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 이중 게이트 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same. In particular, the present invention relates to an organic light emitting diode display having a double gate structure and a method of manufacturing the same.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치 (Electroluminescence Device, EL) 등이 있다. Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. Such flat panel displays include liquid crystal displays (LCDs), field emission displays (FEDs), plasma display panels (PDPs), and electroluminescence devices (ELs). have.
전계발광장치는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광장치와 유기발광다이오드장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.Electroluminescent devices are classified into inorganic electroluminescent devices and organic light emitting diode devices according to the material of the light emitting layer. As the self-emitting devices emit light by themselves, they have fast response speed, high luminous efficiency, high luminance and viewing angle.
도 1은 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면이다. 유기발광 다이오드는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다. 1 is a view showing the structure of an organic light emitting diode. The organic light emitting diode includes an organic electroluminescent compound layer electroluminescent as shown in FIG. 1, and a cathode electrode and an anode electrode facing each other with the organic electroluminescent compound layer interposed therebetween. The organic electroluminescent compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (Electron injection). layer, EIL).
유기발광 다이오드는 애노드 전극(Anode)과 캐소드 전극(Cathode)에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다. 유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드의 발광층(EML)에서 발생하는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.The organic light emitting diode emits light due to energy from the excitons in the excitation process when holes and electrons injected into the anode and cathode are recombined in the emission layer EML. The organic light emitting diode display displays an image by electrically controlling the amount of light generated in the light emitting layer EML of the organic light emitting diode as shown in FIG. 1.
전계발광소자인 유기발광 다이오드의 특징을 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLEDD)에는 패시브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)와 액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)로 대별된다.The organic light emitting diode display (OLED), which uses the characteristics of the organic light emitting diode, an electroluminescent device, has a passive matrix type organic light emitting diode display (PMOLED) and an active matrix. It is roughly classified into an active matrix type organic light emitting diode display (AMOLED).
액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(AMOLED)는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: 혹은 "TFT")를 이용하여 유기발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다.An active matrix type organic light emitting diode display device (AMOLED) displays an image by controlling a current flowing through the organic light emitting diode using a thin film transistor (or TFT).
도 2는 AMOLED에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도의 한 예이다. 도 3은 AMOLED에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 AMOLED의 구조를 나타내는 단면도이다.2 is an example of an equivalent circuit diagram showing the structure of one pixel in an AMOLED. 3 is a plan view showing the structure of one pixel in an AMOLED. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the structure of an AMOLED taken along the line II ′ of FIG. 3.
도 2 내지 3을 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.2 to 3, the active matrix organic light emitting diode display includes a switching thin film transistor ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT. .
스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.The switching TFT ST is formed at a portion where the scan line SL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG branching from the scan line SL, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD. The driving TFT DT serves to drive the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA, the driving current wiring VDD, and a drain electrode DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode ANO of the organic light emitting diode OLED.
좀 더 상세히 살펴보기 위해 도 4를 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치의 기판(SUB) 상에 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(SG, DG)이 형성되어 있다. 그리고 게이트 전극(SG, DG) 위에는 게이트 절연막(GI)이 덮고 있다. 게이트 전극(SG, DG)과 중첩되는 게이트 절연막(GI)의 일부에 반도체 층(SA, DA)이 형성되어 있다. 반도체 층(SA, DA) 위에는 일정 간격을 두고 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)이 마주보고 형성된다. 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉한다. 이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)를 덮는 보호층(PAS)이 전면에 도포된다. 4, the gate electrodes SG and DG of the switching TFT ST and the driving TFT DT are formed on the substrate SUB of the active matrix organic light emitting diode display. The gate insulating film GI is covered on the gate electrodes SG and DG. The semiconductor layers SA and DA are formed on a part of the gate insulating film GI overlapping the gate electrodes SG and DG. On the semiconductor layers SA and DA, source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are formed to face each other at a predetermined interval. The drain electrode SD of the switching TFT ST contacts the gate electrode DG of the driving TFT DT through a contact hole formed in the gate insulating layer GI. A protective layer PAS covering the switching TFT ST and the driving TFT DT having such a structure is coated on the entire surface.
나중에 형성될 애노드 전극(ANO)의 영역에 해당하는 부분에 칼라 필터(CF)가 형성된다. 칼라 필터(CF)는 가급적 넓은 면적을 차지하도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 전단의 스캔 배선(SL)의 많은 영역과 중첩하도록 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 칼라 필터(CF)가 형성된 기판은 여러 구성요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다.The color filter CF is formed at a portion corresponding to a region of the anode electrode ANO to be formed later. The color filter CF is preferably formed to occupy a large area as much as possible. For example, it is preferable to form so as to overlap with many areas of the data wiring DL, the drive current wiring VDD, and the scan wiring SL of the front end. As described above, the substrate on which the color filter CF is formed has various components, and thus, the surface thereof is not flat and many steps are formed. Therefore, the overcoat layer OC is applied to the entire surface of the substrate for the purpose of flattening the surface of the substrate.
그리고 오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호층(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.An anode ANO of the organic light emitting diode OLED is formed on the overcoat layer OC. Here, the anode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving TFT DT through contact holes formed in the overcoat layer OC and the protective layer PAS.
애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크패턴(BANK)을 형성한다.On the substrate on which the anode electrode ANO is formed, a bank pattern BANK is formed on the region where the switching TFT ST, the driving TFT DT, and the various wirings DL, SL, and VDD are formed to define a pixel region. .
뱅크 패턴(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다. 뱅크 패턴(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)이 순차적으로 적층된다. 유기발광 층(OLE)은 백색광을 발하는 유기물질로 이루어진 경우, 아래에 위치한 칼라 필터(CF)에 의해 각 화소에 배정된 색상을 나타낸다. 도 4와 같은 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치는 아래 방향으로 발광하는 하부 발광(Bottom Emission) 표시 장치가 된다.The anode ANO exposed by the bank pattern BANK becomes a light emitting region. The organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT are sequentially stacked on the anode ANO exposed by the bank pattern BANK. When the organic light emitting layer OLE is formed of an organic material that emits white light, the organic light emitting layer OLE represents a color assigned to each pixel by a color filter CF positioned below. The organic light emitting diode display having the structure as shown in FIG. 4 is a bottom emission display that emits light downward.
유기발광 다이오드 표시장치는, 전압 구동을 하는 액정 표시장치와 달리 유기발광 다이오드를 전류 구동하기 때문에 흐르는 전류가 높을수록 제품의 특성이 향상된다. 흐르는 전류를 더 많이 공급하기 위해서는 박막 트랜지스터, 특히 구동 박막 트랜지스터의 크기가 커져야 한다. 하지만, 박막 트랜지스터의 크기가 커지면, 동일한 화소 영역 내에서 비 발광 영역이 차지하는 비율이 커진다. 그 결과, 발광 영역이 줄어들고, 고 해상도 및 고 휘도 표시장치를 개발하는 데 문제가 있다.The organic light emitting diode display device, unlike a liquid crystal display device that performs voltage driving, current-drives the organic light emitting diode. Therefore, the higher the current flowing, the better the product characteristics. In order to supply more flowing current, the size of the thin film transistor, especially the driving thin film transistor, must be increased. However, as the size of the thin film transistor increases, the proportion of the non-light emitting region in the same pixel region increases. As a result, the light emitting area is reduced, and there is a problem in developing a high resolution and high luminance display device.
본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써, 박막 트랜지스터의 크기를 키우지 않고도 구동 전류를 향상한 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 구동 전류를 향상하기 위해, 이중 게이트 구조를 갖는 박막 트랜지스터들을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to solve the problems of the prior art, to provide an organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the improved driving current without increasing the size of the thin film transistor. Another object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display including thin film transistors having a double gate structure and a method of manufacturing the same in order to improve driving current.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판 위에서 화소 영역을 정의하는 스캔 배선, 데이터 배선 및 구동 전류 배선; 상기 화소 영역 내에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호막; 상기 보호막 위에서 상기 박막 트랜지스터를 덮는 이중 게이트 전극; 상기 화소 영역 내에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터에 연결된 유기발광 다이오드; 그리고 상기 유기발광 다이오드의 발광 영역을 정의하도록 형성된 뱅크를 포함한다.In order to achieve the above object, the organic light emitting diode display according to the present invention, the scan wiring, data wiring and driving current wiring defining a pixel area on the substrate; A thin film transistor formed in the pixel region; A passivation layer covering the thin film transistor; A double gate electrode covering the thin film transistor on the passivation layer; An organic light emitting diode formed in the pixel region and connected to the thin film transistor; And a bank formed to define a light emitting region of the organic light emitting diode.
상기 이중 게이트 전극과 상기 유기발광 다이오드의 제1 전극은 동일한 층에 형성된 것을 특징으로 한다.The double gate electrode and the first electrode of the organic light emitting diode are formed on the same layer.
상기 이중 게이트 전극은, 하부에 도포된 투명 도전층과 상부에 적층된 불투명 전극층을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 발광 영역에서 상기 불투명 전극층이 배제되고 상기 투명 도전층을 포함하는 것을 특징으로 한다.The double gate electrode may include a transparent conductive layer applied on a lower portion and an opaque electrode layer stacked on the upper portion, and the first electrode may include the transparent conductive layer without the opaque electrode layer in the emission region. .
상기 박막 트랜지스터는, 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선에 연결된 스위칭 박막 트랜지스터; 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 구동 전류 배선사이에 연결된 구동 박막 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 유기발광 다이오드에 연결된 것을 특징으로 한다.The thin film transistor may include: a switching thin film transistor connected to the gate line and the data line; And a driving thin film transistor connected between the drain electrode of the switching thin film transistor and the driving current line, wherein the drain electrode of the driving thin film transistor is connected to the organic light emitting diode.
상기 유기발광 다이오드는, 상기 구동 박막 트랜지스터의 상기 드레인 전극에 연결된 상기 제1 전극; 상기 제1 전극 위에 도포된 유기발광층; 그리고 상기 유기발광층 위에 형성된 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.The organic light emitting diode may include the first electrode connected to the drain electrode of the driving thin film transistor; An organic light emitting layer coated on the first electrode; And a second electrode formed on the organic light emitting layer.
또한, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법은, 기판 위에 스캔 배선 및 상기 스캔 배선에 분기된 하부 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극에 연결된 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막 위에 상기 하부 게이트 전극과 연결된 상부 게이트 전극과 상기 박막 트랜지스터에 연결된 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극에서 발광 영역을 개방하는 뱅크를 형성하는 단계; 그리고 상기 뱅크를 마스크로 하여 상기 발광 영역에 노출된 상기 제1 전극을 투명화하는 단계를 포함한다.In addition, the organic light emitting diode display device manufacturing method according to the present invention, forming a scan wiring on the substrate and the lower gate electrode branched to the scan wiring; Forming a thin film transistor connected to the gate electrode; Forming a protective film covering the thin film transistor; Forming an upper gate electrode connected to the lower gate electrode and a first electrode connected to the thin film transistor on the passivation layer; Forming a bank that opens a light emitting region in the first electrode; And transparentizing the first electrode exposed to the emission area using the bank as a mask.
상기 상부 게이트 전극 및 상기 제1 전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 보호막 위에 칼라 필터를 형성하는 단계; 그리고 상기 칼라 필터를 덮는 오버코트 층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 노출된 상기 제1 전극을 투명화하는 단계 이후에, 유기발광 층을 도포하는 단계; 그리고 상기 유기발광 층 위에 캐소드 전극을 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Forming a color filter on the passivation layer prior to forming the upper gate electrode and the first electrode; And forming an overcoat layer covering the color filter, and after the transparenting of the exposed first electrode, applying an organic light emitting layer; And applying a cathode on the organic light emitting layer.
상기 상부 게이트 전극과 상기 제1 전극을 형성하는 단계는, 하부층에 배치한 투명 도전층과 상부층에 배치한 불투명 도전층이 적층된 물질을 도포하고 패턴하는 단계를 포함하고, 상기 제1 전극을 투명화하는 단계는, 상기 뱅크를 마스크로 하여 노출된 상기 불투명 도전층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The forming of the upper gate electrode and the first electrode may include applying and patterning a material in which a transparent conductive layer disposed on a lower layer and an opaque conductive layer disposed on an upper layer are stacked, and transparentizing the first electrode. The method may include selectively removing the exposed opaque conductive layer using the bank as a mask.
상기 뱅크에 의해 노출되고, 투명화된 제1 전극 위에 유기발광 층을 도포하는 단계; 그리고 상기 유기발광 층 위에 제2 전극을 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Applying an organic light emitting layer over the transparent first electrode exposed by the bank; And applying a second electrode on the organic light emitting layer.
본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 이중 게이트 구조를 갖는 박막 트랜지스터를 포함한다. 따라서, 박막 트랜지스터의 크기를 키우지 않고도 더 높은 구동 전류를 얻을 수 있다. 그 결과, 고 개구율 및/또는 고 해상도를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치를 구현할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 유기발광 다이오드의 애노드 전극과 이중 게이트 전극을 동일한 물질로 형성함과 더불어, 애노드 전극의 투명성을 유지하기 위해, 뱅크 패턴을 마스크로 하여 불투명 전극층을 제거함으로써, 추가되는 마스크 공정 수를 최소화할 수 있다.The organic light emitting diode display according to the present invention includes a thin film transistor having a double gate structure. Thus, a higher driving current can be obtained without increasing the size of the thin film transistor. As a result, an organic light emitting diode display having high aperture ratio and / or high resolution can be realized. In addition, in the present invention, in order to form the anode electrode and the double gate electrode of the organic light emitting diode with the same material, and to maintain the transparency of the anode electrode, by removing the opaque electrode layer using the bank pattern as a mask, the number of mask processes added Can be minimized.
도 1은 유기발광다이오드소자를 나타내는 도면.
도 2는 AMOLED에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도.
도 3은 AMOLED에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 AMOLED의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명에 의한 이중 게이트 구조의 박막 트랜지스터들을 구비한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 6은 도 5에서 절취선 II-II'로 자른 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.1 is a view showing an organic light emitting diode device.
2 is an equivalent circuit diagram showing the structure of one pixel in an AMOLED.
3 is a plan view showing the structure of one pixel in an AMOLED.
4 is a cross-sectional view illustrating a structure of an AMOLED taken along the line II ′ of FIG. 3.
5 is a plan view illustrating a structure of an organic light emitting diode display having thin film transistors having a double gate structure according to the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display according to the present invention taken along the line II-II ′ of FIG. 5.
이하, 첨부한 도면 도 5 및 6을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings, FIGS. 5 and 6. Like numbers refer to like elements throughout. In the following description, when it is determined that the detailed description of the known technology or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
도 5는 본 발명에 의한 이중 게이트 구조의 박막 트랜지스터들을 구비한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 6은 도 5에서 절취선 II-II'로 자른 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.5 is a plan view illustrating a structure of an organic light emitting diode display having thin film transistors having a double gate structure according to the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display according to the present invention, taken by cutting line II-II ′ in FIG. 5.
도 5 및 6을 참조하면, 본 발명에 의한 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 특히, 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)는 게이트 전극들(SG, DG)이 반도체 층들(SA, DA)의 상층과 하층 각각에 한 개씩 구비한 이중 게이트 전극 구조를 갖는다.5 and 6, an active matrix organic light emitting diode display according to the present invention includes a switching thin film transistor (ST), a driving TFT (DT) connected to a switching TFT, and an organic light emitting diode (OLED) connected to a driving TFT (DT). ). In particular, the switching TFT ST and the driving TFT DT have a double gate electrode structure in which one gate electrode SG and DG is provided in each of the upper and lower layers of the semiconductor layers SA and DA.
스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 전송 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.The switching TFT ST is formed at a portion where the scan line SL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG branching from the scan line SL, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD. The driving TFT DT serves to drive the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA, the driving current transfer wiring VDD, and a drain electrode. (DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode ANO of the organic light emitting diode OLED.
좀 더 상세히 살펴보기 위해 도 6을 더 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치의 기판(SUB) 상에 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(SG, DG)이 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)의 게이트 전극(SG)은 스캔 배선(SL)에서 분기된 구조를 갖는다. 그리고 게이트 전극(SG, DG) 위에는 게이트 절연막(GI)이 덮고 있다. 게이트 전극(SG, DG)과 중첩되는 게이트 절연막(GI)의 일부에 반도체 층(SA, DA)이 형성되어 있다. 반도체 층(SA, DA) 위에는 일정 간격을 두고 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)이 마주보고 형성된다. 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉한다.Referring to FIG. 6 in further detail, gate electrodes SG and DG of the switching TFT ST and the driving TFT DT are formed on the substrate SUB of the active matrix organic light emitting diode display. . The gate electrode SG of the switching TFT ST has a structure branched from the scan line SL. The gate insulating film GI is covered on the gate electrodes SG and DG. The semiconductor layers SA and DA are formed on a part of the gate insulating film GI overlapping the gate electrodes SG and DG. On the semiconductor layers SA and DA, source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are formed to face each other at a predetermined interval. The drain electrode SD of the switching TFT ST contacts the gate electrode DG of the driving TFT DT through a contact hole formed in the gate insulating layer GI.
구동 TFT(DT)의 소스 전극(DS)은 구동 전류 배선(VDD)에서 분기된 구조를 갖는다. 이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)를 덮는 보호층(PAS)이 전면에 도포된다. 보호막(PAS) 및 게이트 절연막(GI)을 패턴하여, 하부에 형성된 스위칭 TFT(ST)의 게이트 전극(SG)을 노출하는 스위칭 게이트 콘택홀(SGH)과 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)을 노출하는 구동 게이트 콘택홀(DGH)을 형성한다.The source electrode DS of the driving TFT DT has a structure branched from the driving current wiring VDD. A protective layer PAS covering the switching TFT ST and the driving TFT DT having such a structure is coated on the entire surface. The passivation layer PAS and the gate insulating layer GI are patterned to expose the gate electrode SG of the switching TFT ST formed below, and the switching gate contact hole SGH and the gate electrode DG of the driving TFT DT. A driving gate contact hole DGH is formed to expose the gap.
그 후, 보호막(PAS) 위에는, 나중에 형성될 애노드 전극(ANO)의 영역에 해당하는 부분에 칼라 필터(CF)를 배치한다. 칼라 필터(CF)는 가급적 넓은 면적을 차지하도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 전단의 스캔 배선(SL)의 많은 영역과 중첩하도록 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 칼라 필터(CF)가 형성된 기판은 여러 구성요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다.Thereafter, the color filter CF is disposed on the portion corresponding to the region of the anode electrode ANO to be formed later on the passivation film PAS. The color filter CF is preferably formed to occupy a large area as much as possible. For example, it is preferable to form so as to overlap with many areas of the data wiring DL, the drive current wiring VDD, and the scan wiring SL of the front end. As described above, the substrate on which the color filter CF is formed has various components, and thus, the surface thereof is not flat and many steps are formed. Therefore, the overcoat layer OC is applied to the entire surface of the substrate for the purpose of flattening the surface of the substrate.
그리고 오버코트 층(OC)을 패턴하여, 칼라 필터(CF)가 형성된 발광 영역 부분에만 남도록 형성한다. 오버코트 층(OC)은 그 위에 도포되는 유기발광 층(OLE)을 평탄한 표면 위에 형성하기 위한 것이다. 즉, 발광 영역에서 빛을 발생하는 유기발광 층(OLE)이 평탄한 표면 위에 평탄하게 도포되어야 고른 밀도로 빛을 발산할 수 있도록 하기 위함이다. 오버코트 층(OC)이 발광 영역에 형성된 칼라 필터(CF)를 덮기 때문에, 비 발광 영역에 배치된 박막 트랜지스터들(ST, DT)에 형성된 하부 게이트 전극들(SG, DG)을 노출하는 콘택홀들(SGH, DGH) 및 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)을 노출하는 화소 콘택홀(PXH)이 노출된 상태가 된다.The overcoat layer OC is patterned to form only the portion of the light emitting region where the color filter CF is formed. The overcoat layer OC is for forming an organic light emitting layer OLE applied thereon on a flat surface. In other words, the organic light emitting layer OLE generating light in the emission region should be applied evenly on a flat surface to emit light at an even density. Since the overcoat layer OC covers the color filter CF formed in the emission region, contact holes exposing the lower gate electrodes SG and DG formed in the thin film transistors ST and DT disposed in the non-emission region. The pixel contact holes PXH exposing the (SGH, DGH) and the drain electrode DD of the driving TFT DT are exposed.
이 상태에서 오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극 물질을 도포한다. 애노드 전극 물질을 패턴하여, 보호막(PAS)에 형성된 화소 콘택홀(PXH)을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결되는 애노드 전극(ANO)을 형성한다. 이와 동시에, 스위칭 게이트 콘택홀(SGH)을 통해 스위칭 TFT(ST)의 게이트 전극(SG)과 접촉하며, 스위칭 TFT(ST)의 반도체 층(SA)을 덮는 이중 스위칭 게이트 전극(SDG)을 형성한다. 또한, 드레인 게이트 콘택홀(DGH)을 통해 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉하며, 구동 TFT(DT)의 반도체 층(DA)을 덮는 이중 구동 게이트 전극(DDG)을 형성한다.In this state, the anode electrode material of the organic light emitting diode OLED is coated on the overcoat layer OC. The anode electrode material is patterned to form an anode ANO connected to the drain electrode DD of the driving TFT DT through the pixel contact hole PXH formed in the passivation layer PAS. At the same time, a double switching gate electrode SDG is formed to contact the gate electrode SG of the switching TFT ST through the switching gate contact hole SGH and cover the semiconductor layer SA of the switching TFT ST. . In addition, a double driving gate electrode DDG is formed to contact the gate electrode DG of the driving TFT DT through the drain gate contact hole DGH and cover the semiconductor layer DA of the driving TFT DT.
애노드 전극 물질은 하부에 투명 도전 물질인 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)를 포함하는 투명층(IT)과 그 위에 적층된 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금과 같은 불투명 금속 물질을 포함하는 불투명층(MT)을 포함한다. 이중 게이트 전극들(SDG, DDG)은 불투명층(MT)을 포함하는 것이 바람직하다. 불투명층(MT)은 투명층(IT)보다 저항이 낮기 때문에 이중 게이트 전극의 기능을 제대로 확보할 수 있다. 또한, 불투명층(MT)이 반도체 층(SA, DA)을 덮는 구조를 가짐으로써, 반도체 층(SA, DA)로 유입되는 외부의 빛을 차단하여 박막 트랜지스터들(ST, DT)의 특성이 변하는 것을 방지할 수 있다.The anode electrode material includes an opaque metal material such as a transparent layer (IT) including an indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), which is a transparent conductive material, and a molybdenum-titanium (MoTi) alloy stacked thereon. An opaque layer MT is included. The double gate electrodes SDG and DDG preferably include an opaque layer MT. Since the opaque layer MT has a lower resistance than the transparent layer IT, the function of the double gate electrode can be properly secured. In addition, since the opaque layer MT covers the semiconductor layers SA and DA, the external light flowing into the semiconductor layers SA and DA is blocked to change characteristics of the thin film transistors ST and DT. Can be prevented.
하지만, 도 6에 의한 구조는 애노드 전극(ANO) 하부에 칼라 필터(CF)가 배치된, 하부 발광형 표시 장치이므로, 애노드 전극(ANO) 위에 형성되는 유기발광 층(OLE)에서 발생한 빛이 애노드 전극(ANO)을 통해 하부 방향으로 방사되어야 한다. 따라서, 애노드 전극(ANO)은 투명성을 유지하여야 한다. 따라서, 애노드 전극(ANO)에서는 불투명층(MT)이 삭제되어야만 한다.However, since the structure according to FIG. 6 is a bottom emission type display device in which the color filter CF is disposed below the anode electrode ANO, light generated from the organic light emitting layer OLE formed on the anode electrode ANO is anode. It must radiate downward through the electrode ANO. Therefore, the anode ANO must maintain transparency. Therefore, the opaque layer MT should be deleted from the anode ANO.
애노드 전극물질을 도포한 후, 발광 영역에서 선택적으로 불투명층(MT)만을 삭제하기 위해서는 별도의 마스크 공정이 필요할 수 있다. 하지만, 본 발명에서는 추가 마스크 공정 없이 애노드 전극 물질의 불투명층(MT)을 발광 영역에서 선택적으로 제거하는 방법을 제공한다.After applying the anode electrode material, a separate mask process may be necessary to selectively remove only the opaque layer MT from the emission region. However, the present invention provides a method for selectively removing the opaque layer MT of the anode electrode material from the light emitting region without an additional mask process.
본 발명에서는 뱅크 물질을 도포하고, 패턴하여 애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크(BANK)를 형성한다. 그리고 나서, 뱅크(BANK)를 마스크로 하여 발과 영역에 노출된 불투명층(MT)을 선택적으로 제거한다.According to the present invention, a switching TFT (ST), a driving TFT (DT), and various wirings (DL, SL, VDD) are applied to a bank material on a substrate on which a pattern of the anode electrode ANO is formed by coating and patterning. The bank BANK is formed on the formed region. Then, the opaque layer MT exposed to the feet and the area is selectively removed using the bank BANK as a mask.
뱅크(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)은 투명층(IT)만을 포함하기 때문에, 발광 영역으로 사용하는데 아무런 장애가 없다. 뱅크(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)이 순차적으로 적층한다. 도 6과 같은 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치는 아래 방향으로 발광하는 하부 발광(Bottom Emission) 표시 장치이므로, 유기발광 층(OLE)에서 백색광을 방출하더라도 아래에 위치한 칼라 필터(CF)에 의해 각 화소에 배정된 색상을 나타낼 수 있다.Since the anode ANO exposed by the bank BANK includes only the transparent layer IT, there is no obstacle in using it as a light emitting region. The organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT are sequentially stacked on the anode electrode ANO exposed by the bank BANK. Since the organic light emitting diode display having the structure as shown in FIG. 6 is a bottom emission display that emits downwards, the organic light emitting diode display emits white light from the organic light emitting layer OLE by the color filter CF disposed below. The color assigned to the pixel may be represented.
도 6에서는 발광 영역에만 유기발광 층(OLE)이 도포된 것으로 도시했지만, 백색 광을 발광하는 유기발광 층(OLE)을 형성하는 경우, 기판 전면에 걸쳐 형성할 수 있다. 또한, 캐소드 전극(CAT)도 발광 영역에 해당하는 영역에만 형성된 것으로 도시하였지만, 기판 전체 표면에 걸쳐 하나의 캐소드 전극(CAT)으로 형성할 수도 있다.In FIG. 6, the organic light emitting layer OLE is applied to only the emission region. However, when the organic light emitting layer OLE emitting white light is formed, the organic light emitting layer OLE may be formed over the entire surface of the substrate. In addition, although the cathode electrode CAT is illustrated as being formed only in a region corresponding to the light emitting region, it may be formed as one cathode electrode CAT over the entire surface of the substrate.
본 발명에 의하면, 기판(SUB) 위에 먼저 형성된 게이트 전극들(SG, DG)과 보호막(PAS) 위에 나중에 형성된 이중 게이트 전극들(SDG, DDG)을 구비한 이중 게이트 전극 구조를 갖는 박막 트랜지스터들(ST, DT)을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치를 제공한다. 이중 게이트 전극들(SDG, DDG)은 애노드 전극(ANO)과 동일한 물질로 애노드 전극(ANO)을 형성하는 마스크 공정에서 동시에 형성하기 때문에 이중 게이트 전극들을 형성하기 위한 추가 마스크 공정은 필요로 하지 않는다. 또한, 투명성을 확보해야 하는 애노드 전극(ANO)을 형성하기 위해서는, 애노드 전극(ANO) 위에 형성된 뱅크(BANK) 패턴을 마스크로 하여 불투명층을 발광 영역에서 제거함으로써, 추가 마스크 공정 없이 이룩할 수 있다.
According to the present invention, thin film transistors having a double gate electrode structure having gate electrodes SG and DG formed first on the substrate SUB and double gate electrodes SDG and DDG formed later on the passivation layer PAS Provided is an organic light emitting diode display including ST, DT). Since the double gate electrodes SDG and DDG are simultaneously formed in a mask process of forming the anode ANO using the same material as the anode electrode ANO, an additional mask process for forming the double gate electrodes is not required. In addition, in order to form the anode ANO, which should ensure transparency, the opaque layer may be removed from the emission region by using the bank BANK pattern formed on the anode ANO as a mask, without performing an additional mask process.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description but should be defined by the claims.
DL: 데이터 배선 SL: 스캔 배선
VDD: 구동 전류 배선 ST: 스위칭 TFT
DT: 구동 TFT OLED: 유기발광 다이오드
CAT: 캐소드 전극(층) ANO: 애노드 전극(층)
BANK: 뱅크 패턴 CF: 칼라 필터
OLE: (백색) 유기층 SUB: 기판
PAS: 보호막 OC: 오버코트 층
PXH: 화소 콘택홀
SGH: 스위칭 게이트 콘택홀 DGH: 구동 게이트 콘택홀
SDG: 이중 스위칭 게이트 전극 DDG: 이중 구동 게이트 전극DL: data wiring SL: scan wiring
VDD: drive current wiring ST: switching TFT
DT: driving TFT OLED: organic light emitting diode
CAT: cathode electrode (layer) ANO: anode electrode (layer)
BANK: Bank Pattern CF: Color Filter
OLE: (white) organic layer SUB: substrate
PAS: Shield OC: Overcoat Layer
PXH: pixel contact hole
SGH: Switching Gate Contact Hole DGH: Driving Gate Contact Hole
SDG: double switching gate electrode DDG: double driving gate electrode
Claims (9)
상기 화소 영역 내에 형성된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호막;
상기 보호막 위에서 상기 박막 트랜지스터를 덮는 이중 게이트 전극;
상기 화소 영역 내에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터에 연결된 제1 전극을 포함하는 유기발광 다이오드; 그리고
상기 유기발광 다이오드의 발광 영역을 정의하도록 형성된 뱅크를 포함하며,
상기 이중 게이트 전극은, 상기 보호막 상에 형성된 제1 투명 도전층과 상기 제1 투명 도전층 상에 형성된 제1 불투명 전극층을 포함하고,
상기 제1 전극은 상기 보호막 상에 형성된 제2 투명 도전층과 상기 제2 투명 도전층 상에 형성된 제2 불투명 도전층을 포함하며, 상기 제2 불투명 도전층은 상기 뱅크의 발광 영역에서 제거되고, 상기 제2 투명 도전층은 상기 발광 영역으로부터 비발광 영역으로 연장되어 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
Scan wiring, data wiring and driving current wiring defining a pixel region on the substrate;
A thin film transistor formed in the pixel region;
A passivation layer covering the thin film transistor;
A double gate electrode covering the thin film transistor on the passivation layer;
An organic light emitting diode formed in the pixel region and including a first electrode connected to the thin film transistor; And
A bank formed to define a light emitting region of the organic light emitting diode,
The double gate electrode includes a first transparent conductive layer formed on the protective film and a first opaque electrode layer formed on the first transparent conductive layer,
The first electrode includes a second transparent conductive layer formed on the passivation layer and a second opaque conductive layer formed on the second transparent conductive layer, the second opaque conductive layer is removed from the light emitting region of the bank, And the second transparent conductive layer extends from the light emitting region to the non-light emitting region and is connected to the drain electrode of the thin film transistor.
상기 이중 게이트 전극의 상기 제1 투명 도전층과 상기 제1 전극의 제2 투명 도전층은 동일한 층에 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
And the first transparent conductive layer of the double gate electrode and the second transparent conductive layer of the first electrode are formed on the same layer.
상기 박막 트랜지스터는,
상기 스캔 배선과 상기 데이터 배선에 연결된 스위칭 박막 트랜지스터;
상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 구동 전류 배선 사이에 연결된 구동 박막 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제1 전극의 제2 투명 도전층과 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The thin film transistor,
A switching thin film transistor connected to the scan line and the data line;
A driving thin film transistor connected between the drain electrode of the switching thin film transistor and the driving current line;
The drain electrode of the driving thin film transistor is in direct contact with the second transparent conductive layer of the first electrode.
상기 유기발광 다이오드는,
상기 제1 전극;
상기 제1 전극 위에 도포된 유기발광층; 그리고
상기 유기발광층 위에 형성된 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 4, wherein
The organic light emitting diode,
The first electrode;
An organic light emitting layer coated on the first electrode; And
And a second electrode formed on the organic light emitting layer.
상기 하부 게이트 전극에 연결된 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호막을 형성하는 단계;
상기 보호막 위에 상기 하부 게이트 전극과 연결된 상부 게이트 전극과 상기 박막 트랜지스터에 연결된 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극에서 발광 영역을 개방하는 뱅크를 형성하는 단계; 그리고
상기 뱅크를 마스크로 하여 상기 발광 영역에 노출된 상기 제1 전극을 투명화하는 단계를 포함하며,
상기 상부 게이트 전극은, 상기 보호막 상에 형성된 제1 투명 도전층과 상기 제1 투명 도전층 상에 형성된 제1 불투명 전극층을 포함하고,
상기 제1 전극은 상기 보호막 상에 형성된 제2 투명 도전층과 상기 제2 투명 도전층 상에 형성된 제2 불투명 도전층을 포함하며, 상기 제2 불투명 도전층은 상기 뱅크 상의 발광 영역에서 제거되고, 상기 제2 투명 도전층은 상기 발광 영역으로부터 비발광 영역으로 연장되어 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법.
Forming scan lines on the substrate and lower gate electrodes branched to the scan lines;
Forming a thin film transistor connected to the lower gate electrode;
Forming a protective film covering the thin film transistor;
Forming an upper gate electrode connected to the lower gate electrode and a first electrode connected to the thin film transistor on the passivation layer;
Forming a bank that opens a light emitting region in the first electrode; And
Transparentizing the first electrode exposed to the light emitting region using the bank as a mask;
The upper gate electrode includes a first transparent conductive layer formed on the protective film and a first opaque electrode layer formed on the first transparent conductive layer,
The first electrode includes a second transparent conductive layer formed on the passivation layer and a second opaque conductive layer formed on the second transparent conductive layer, the second opaque conductive layer is removed from the light emitting region on the bank, And the second transparent conductive layer extends from the light emitting region to a non-light emitting region and is connected to a drain electrode of the thin film transistor.
상기 상부 게이트 전극 및 상기 제1 전극을 형성하는 단계 이전에,
상기 보호막 위에 칼라 필터를 형성하는 단계; 그리고
상기 칼라 필터를 덮는 오버코트 층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 노출된 상기 제1 전극을 투명화하는 단계 이후에,
유기발광 층을 도포하는 단계; 그리고
상기 유기발광 층 위에 캐소드 전극을 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법.
The method of claim 6,
Prior to forming the upper gate electrode and the first electrode,
Forming a color filter on the passivation layer; And
Forming an overcoat layer covering said color filter,
After the transparentizing of the exposed first electrode,
Applying an organic light emitting layer; And
A method of manufacturing an organic light emitting diode display, further comprising applying a cathode on the organic light emitting layer.
상기 상부 게이트 전극과 상기 제1 전극을 형성하는 단계는, 하부층에 배치한 투명 도전층과 상부층에 배치한 불투명 도전층이 적층된 물질을 도포하고 패턴하여 상기 제1 투명 도전층 및 상기 제2 투명 도전층과, 상기 제1 불투명 전극층 및 상기 제2 불투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 전극을 투명화하는 단계는, 상기 뱅크를 마스크로 하여 노출된 상기 제2 불투명 도전층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법.
The method of claim 6,
The forming of the upper gate electrode and the first electrode may include coating and patterning a material in which a transparent conductive layer disposed on a lower layer and an opaque conductive layer disposed on an upper layer are coated and patterned to form the first transparent conductive layer and the second transparent layer. Forming a conductive layer, the first opaque electrode layer and the second opaque electrode layer,
The transparentening of the first electrode may include selectively removing the exposed second opaque conductive layer using the bank as a mask.
상기 뱅크에 의해 노출되고, 상기 제1 전극의 제2 투명 도전층 위에 유기발광 층을 도포하는 단계; 그리고
상기 유기발광 층 위에 제2 전극을 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법.The method of claim 6,
Applying an organic light emitting layer on the second transparent conductive layer of the first electrode and exposed by the bank; And
The method of manufacturing an organic light emitting diode display, further comprising applying a second electrode on the organic light emitting layer.
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