KR102058239B1 - Large Area Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판에 매트릭스 방식으로 배열된 화소 영역; 상기 기판 위에서 상기 화소 영역들을 정의하는 스캔 배선, 데이터 배선 및 구동 전류 배선; 상기 화소 영역 내에 형성된 애노드 전극; 상기 애노드 전극이 형성된 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 도포된 제1 정공수송층; 상기 화소 영역별로 상기 제1 정공수송층 위에 형성된, 제2 정공수송층 및 상기 제2 정공수송층 위에 적층되어 형성된 유기발광 층; 그리고 상기 유기발광 층이 형성된 상기 기판 전체 표면에 걸쳐서 도포된 캐소드 전극을 포함한다.The present invention relates to a large area organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same. An organic light emitting diode display according to the present invention comprises: a pixel region arranged in a matrix manner on a substrate; Scan wiring, data wiring and driving current wiring defining the pixel regions on the substrate; An anode formed in the pixel region; A first hole transport layer commonly coated on the entire surface of the substrate on which the anode electrode is formed; An organic light emitting layer formed on the second hole transport layer and the second hole transport layer, the organic light emitting layer being formed on the first hole transport layer for each pixel region; And a cathode electrode applied over the entire surface of the substrate on which the organic light emitting layer is formed.

Description

대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 {Large Area Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same}Large Area Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same

본 발명은 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 포토리소그래피 방식에 의해 화소별로 원색 발광 다이오드를 형성한 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a large area organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same. In particular, the present invention relates to a large-area organic light emitting diode display device in which a primary color light emitting diode is formed for each pixel by a photolithography method and a method of manufacturing the same.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치 (Electroluminescence Device, EL) 등이 있다. Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. Such flat panel displays include liquid crystal displays (LCDs), field emission displays (FEDs), plasma display panels (PDPs), and electroluminescence devices (ELs). have.

전계발광장치는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광장치와 유기발광다이오드장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.Electroluminescent devices are classified into inorganic electroluminescent devices and organic light emitting diode devices according to the material of the light emitting layer. As the self-emitting devices emit light by themselves, they have fast response speed, high luminous efficiency, high luminance and viewing angle.

도 1은 일반적인 유기발광 다이오드 소자의 구조를 나타내는 도면이다. 유기발광 다이오드는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다.1 is a view showing the structure of a general organic light emitting diode device. The organic light emitting diode includes an organic electroluminescent compound layer electroluminescent as shown in FIG. 1, and a cathode and an anode facing each other with the organic electroluminescent compound layer interposed therebetween. The organic electroluminescent compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (Electron injection). layer, EIL).

유기발광 다이오드는 애노드 전극(Anode)과 캐소드 전극(Cathode)에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다. 유기발광 다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광 다이오드의 발광층(EML)에서 발생하는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.The organic light emitting diode emits light due to energy from the excitons in the excitation process when holes and electrons injected into the anode and cathode are recombined in the emission layer EML. The organic light emitting diode display displays an image by electrically controlling the amount of light generated in the light emitting layer EML of the organic light emitting diode as shown in FIG. 1.

전계발광소자인 유기발광 다이오드의 특징을 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLEDD)에는 패시브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)와 액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)로 대별된다.Organic Light Emitting Diode Display (OLED) using the characteristics of organic light emitting diode, an electroluminescent device, has a passive matrix type organic light emitting diode display (PMOLED) and an active matrix. It is roughly classified into an active matrix type organic light emitting diode display (AMOLED).

액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(AMOLED)는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 혹은 "TFT")를 이용하여 유기발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다.An active matrix type organic light emitting diode display device (AMOLED) displays an image by controlling a current flowing through the organic light emitting diode using a thin film transistor ("TFT").

도 2는 일반적인 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도의 한 예이다. 도 3은 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는, 도 3에서 절취선 I-I'로 자른, 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.2 is an example of an equivalent circuit diagram illustrating a structure of one pixel in a general organic light emitting diode display. 3 is a plan view illustrating the structure of one pixel in the organic light emitting diode display according to the related art. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the structure of an organic light emitting diode display according to the prior art, taken along the line II ′ in FIG. 3.

도 2 및 3을 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 스캔 배선(SL), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDD)이 기판(SUB) 위에 배치되어 화소 영역을 정의한다. 유기발광 다이오드(OLED)가 화소 영역 내에 형성되면서, 발광 영역을 정의한다.2 and 3, the active matrix organic light emitting diode display includes a switching thin film transistor ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT. . The scan wiring SL, the data wiring DL, and the driving current wiring VDD are disposed on the substrate SUB to define the pixel area. The organic light emitting diode OLED is formed in the pixel area, thereby defining the light emitting area.

스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다. 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT) 사이에는 유기발광 층(OLE)이 개재되어 있다. 캐소드 전극(CAT)은 기저 전압(VSS)에 연결된다. 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 구동 전류 배선(VDD) 사이 혹은 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD) 사이에는 보조 용량(Cst)이 배치된다.The switching TFT ST is formed at a portion where the scan line SL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG branching from the scan line SL, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD. The driving TFT DT serves to drive the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA, the driving current wiring VDD, and a drain electrode DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode ANO of the organic light emitting diode OLED. An organic light emitting layer OLE is interposed between the anode electrode ANO and the cathode electrode CAT. The cathode electrode CAT is connected to the base voltage VSS. The storage capacitor Cst is provided between the gate electrode DG of the driving TFT DT and the driving current wiring VDD or between the gate electrode DG of the driving TFT DT and the drain electrode DD of the driving TFT DT. Is placed.

좀 더 상세히 살펴보기 위해 도 4를 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치의 기판(SUB) 상에 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(SG, DG)이 형성되어 있다. 그리고 게이트 전극(SG, DG) 위에는 게이트 절연막(GI)이 덮고 있다. 게이트 전극(SG, DG)과 중첩되는 게이트 절연막(GI)의 일부에 반도체 층(SA, DA)이 형성되어 있다. 반도체 층(SA, DA) 위에는 일정 간격을 두고 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)이 마주보고 형성된다. 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉한다. 이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)를 덮는 보호막(PAS)이 전면에 도포된다.4, the gate electrodes SG and DG of the switching TFT ST and the driving TFT DT are formed on the substrate SUB of the active matrix organic light emitting diode display. The gate insulating film GI is covered on the gate electrodes SG and DG. The semiconductor layers SA and DA are formed on a part of the gate insulating film GI overlapping the gate electrodes SG and DG. On the semiconductor layers SA and DA, source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are formed to face each other at a predetermined interval. The drain electrode SD of the switching TFT ST contacts the gate electrode DG of the driving TFT DT through a contact hole formed in the gate insulating layer GI. A protective film PAS covering the switching TFT ST and the driving TFT DT having such a structure is coated on the entire surface.

이와 같이 박막 트랜지스터들(ST, DT)이 형성된 기판은 여러 구성 요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 유기발광 층(OLE)은 평탄한 표면에 형성되어야 발광이 일정하고 고르게 발산될 수 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다.As described above, the substrate on which the thin film transistors ST and DT are formed has various components, and thus the surface thereof is not flat and many steps are formed. The organic light emitting layer OLE must be formed on a flat surface to emit light uniformly and evenly. Therefore, the overcoat layer OC is applied to the entire surface of the substrate for the purpose of flattening the surface of the substrate.

그리고 오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호막(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.An anode ANO of the organic light emitting diode OLED is formed on the overcoat layer OC. Here, the anode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving TFT DT through contact holes formed in the overcoat layer OC and the passivation layer PAS.

애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 발광 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크(BN)를 형성한다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OLE)을 형성한다. 유기발광 층(OLE) 위에는 캐소드 전극층(CAT)이 형성된다.On the substrate on which the anode electrode ANO is formed, a bank BN is formed on the region in which the switching TFT ST, the driving TFT DT, and the various wirings DL, SL, and VDD are formed. The anode ANO exposed by the bank BN becomes a light emitting region. The organic light emitting layer OLE is formed on the anode ANO exposed by the bank BN. The cathode electrode layer CAT is formed on the organic light emitting layer OLE.

하부 발광형(Bottom Emission)이며, 풀-칼라를 구현하는 유기발광 다이오드 표시장치의 경우, 오버코트 층(OC)과 보호막(PAS) 사이에 칼라 필터(CF)를 더 포함하고, 애노드 전극(ANO)은 투명 도전물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 유기발광 층(OLE)은 백색광을 발현하는 유기물질로 이루어질 수 있다. 그리고 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극(CAT)은 기판 전체 표면에 걸쳐 도포될 수 있다.In the case of an organic light emitting diode display having bottom emission and implementing full color, the organic light emitting diode display further includes a color filter CF between the overcoat layer OC and the passivation layer PAS, and includes an anode electrode ANO. May comprise a transparent conductive material. In this case, the organic light emitting layer OLE may be formed of an organic material expressing white light. The organic light emitting layer OLE and the cathode electrode CAT may be coated over the entire surface of the substrate.

한편, 상부 발광형(Top Emission) 풀-칼라를 구현하는 유기발광 다이오드 표시장치의 경우, 애노드 전극(ANO)은 반사 전극으로 형성한다. 그리고 유기발광 층(OLE)이 적색, 녹색, 청색 중 어느 한 색상을 발현하는 유기물질로 이루어질 수 있다. 그리고 캐소드 전극(CAT)은 기판 전체 표면에 걸쳐 도포될 수 있다. 또 다른 예로, 유기발광 층(OLE)이 백색광을 발현하는 유기물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극(CAT)은 기판 전체 표면에 걸쳐 도포될 수 있다. 그리고 유기발광 층(OLE) 위에 혹은 캐소드 전극(CAT) 위에 칼라 필터(CF)가 형성될 수 있다.On the other hand, in the case of an organic light emitting diode display that implements a top emission full-color, the anode ANO is formed as a reflective electrode. The organic light emitting layer OLE may be formed of an organic material expressing any one color of red, green, and blue. The cathode electrode CAT may be applied over the entire surface of the substrate. As another example, the organic light emitting layer OLE may be formed of an organic material expressing white light. In this case, the organic light emitting layer OLE and the cathode electrode CAT may be applied over the entire surface of the substrate. The color filter CF may be formed on the organic light emitting layer OLE or on the cathode electrode CAT.

유기발광 다이오드 표시장치는 자발광 소자이므로 액정 표시장치처럼 백 라이트 유닛이 필요 없어 박형 표시장치 구현에 더욱 유리하다. 그리고 광 손실이 적어 저 전력으로 더 밝은 표시장치를 구현할 수 있다. 이와 같이 많은 장점을 가지고 있기 때문에 차세대 표시장치로 각광을 받고 있다. 하지만, TV와 같이 20인치 이상의 대화면으로 형성하기 위한 제조 방법이 아직 개발되지 않은 상황이어서, 15인치 이하 특히 10인치 이하의 소형 표시장치에서만 적용되고 있다.Since the organic light emitting diode display is a self-luminous element, a backlight unit is not required like a liquid crystal display, which is more advantageous for implementing a thin display. And because of the low light loss, a brighter display device can be realized with low power. As it has many advantages, it is attracting attention as a next generation display device. However, since a manufacturing method for forming a large screen of 20 inches or more, such as a TV, has not yet been developed, it is applied only to a small display device of 15 inches or less, particularly 10 inches or less.

풀-칼라를 구현하는 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하기 위해서는, 화소별로 RGB 색상을 발현하는 유기발광 층을 선택적으로 형성할 수 있어야 한다. 하지만, 현재의 포토리소그래피 공정에서 안정적인 방법으로 유기발광 물질을 패턴하기가 어렵다. 따라서, 미세 패턴을 갖는 스크린 마스크를 사용하여 선택적으로 증착하는 방법을 사용하고 있다.In order to manufacture an organic light emitting diode display that realizes full color, it is necessary to be able to selectively form an organic light emitting layer that expresses RGB colors for each pixel. However, it is difficult to pattern the organic light emitting material in a stable method in current photolithography process. Therefore, a method of selectively depositing using a screen mask having a fine pattern is used.

유기발광 다이오드 표시장치의 패널 크기가 15인치 이하의 소형인 경우, 유기발광 층(OLE)을 애노드 전극(ANO) 위에만 선택적으로 형성할 수 있다. 특히, 스크린 마스크를 사용하여 단순한 제조 공정으로도 특정 영역에만 유기발광 층(OLE)을 도포할 수 있다. 하지만, 20인치 이상 100인치에 이르는 대면적 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 경우에는 스크린 마스크를 사용하여 대면적에서 특정 영역에만 유기발광 층(OLE)을 도포하는 것은 실제로 불가능하다. 대면적 스크린 마스크의 경우에는 너무 무겁기 때문에 수평 상태를 유지하기가 어렵다. 특히, 대면적으로 증착할 경우, 증착 밀도를 고르게 유지할 수가 없다. 따라서, 대면적 유기발광 표시장치에서는, 유기발광 층(OLE)을 형성함에 있어서, 풀-칼라를 발현하는 RGB 유기물질로 만드는 것이 실제로 불가능하다.When the panel size of the organic light emitting diode display is small, 15 inches or less, the organic light emitting layer OLE may be selectively formed only on the anode electrode ANO. In particular, the screen mask may be used to apply the organic light emitting layer (OLE) to a specific region even in a simple manufacturing process. However, when manufacturing large area organic light emitting diode display devices ranging from 20 inches to 100 inches, it is practically impossible to apply the organic light emitting layer OLE to a specific area in a large area using a screen mask. Large screen masks are too heavy to maintain horizontal. In particular, when depositing in a large area, the deposition density cannot be maintained evenly. Therefore, in the large area organic light emitting display, in forming the organic light emitting layer OLE, it is practically impossible to make the RGB organic material expressing the full color.

따라서, 대면적 유기발광 다이오드 표시장치를 대량 생산 방식으로 제조하기 위해서는 해결해야 할 과제가 많이 산재해 있다.Therefore, there are many problems to be solved in order to manufacture a large area organic light emitting diode display device in a mass production method.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써, 대화면 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 포토리소그래피 공정으로 유기발광 층의 손상 없이 대면적 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 방법 및 그 방법에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a large-screen organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a large area organic light emitting diode display without damaging the organic light emitting layer by a photolithography process and an organic light emitting diode display according to the method.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판에 매트릭스 방식으로 배열된 화소 영역; 상기 기판 위에서 상기 화소 영역들을 정의하는 스캔 배선, 데이터 배선 및 구동 전류 배선; 상기 화소 영역 내에 형성된 애노드 전극; 상기 애노드 전극이 형성된 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 도포된 제1 정공수송층; 상기 화소 영역별로 상기 제1 정공수송층 위에 형성된, 제2 정공수송층 및 상기 제2 정공수송층 위에 적층되어 형성된 유기발광 층; 그리고 상기 유기발광 층이 형성된 상기 기판 전체 표면에 걸쳐서 도포된 캐소드 전극을 포함한다.In order to achieve the above object, the organic light emitting diode display according to the present invention comprises: a pixel region arranged in a matrix manner on the substrate; Scan wiring, data wiring and driving current wiring defining the pixel regions on the substrate; An anode formed in the pixel region; A first hole transport layer commonly coated on the entire surface of the substrate on which the anode electrode is formed; An organic light emitting layer formed on the second hole transport layer and the second hole transport layer, the organic light emitting layer being formed on the first hole transport layer for each pixel region; And a cathode electrode applied over the entire surface of the substrate on which the organic light emitting layer is formed.

상기 유기발광 층은, 적색 유기발광 층, 녹색 유기발광 층 및 청색 유기발광 층 중 어느 하나가 상기 화소 영역별로 할당되어 배치되는 것을 특징으로 한다.The organic light emitting layer is characterized in that any one of a red organic light emitting layer, a green organic light emitting layer, and a blue organic light emitting layer is allocated to each pixel area.

상기 제1 정공수송층과 상기 애노드 전극 사이에서, 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 도포된 정공주입층; 상기 유기발광 층과 상기 캐소드 전극 사이에서, 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 도포된 전자수송층; 그리고 상기 전자수송층과 상기 캐소드 전극 사이에서, 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 도포된 전자주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.A hole injection layer commonly applied between the first hole transport layer and the anode electrode over the entire surface of the substrate; An electron transport layer commonly applied between the organic light emitting layer and the cathode electrode over the entire surface of the substrate; And between the electron transport layer and the cathode electrode, an electron injection layer commonly coated on the entire surface of the substrate.

상기 제1 정공수송층과 상기 애노드 전극 사이에서, 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 도포된 정공주입층; 상기 유기발광 층과 상기 캐소드 전극 사이에서, 상기 화소 영역별로 상기 유기발광 층 위에 형성된 제1 전자수송층; 상기 제1 전자수송층과 상기 캐소드 전극 사이에서, 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 도포된 제2 전자수송층; 그리고 상기 제2 전자 수송층과 상기 캐소드 전극 사이에서, 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 도포된 전자주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.A hole injection layer commonly applied between the first hole transport layer and the anode electrode over the entire surface of the substrate; A first electron transport layer between the organic light emitting layer and the cathode electrode on the organic light emitting layer for each pixel region; A second electron transport layer commonly applied between the first electron transport layer and the cathode electrode over the entire surface of the substrate; And between the second electron transport layer and the cathode electrode, an electron injection layer commonly coated on the entire surface of the substrate.

상기 제1 정공수송층과 상기 애노드 전극 사이에서, 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 도포된 정공주입층; 상기 유기발광 층과 상기 캐소드 전극 사이에서, 상기 화소 영역별로 상기 유기발광 층 위에 형성된 전자수송층; 상기 전자수송층과 상기 캐소드 전극 사이에서, 상기 화소 영역별로 상기 전자수송층 위에 형성된 전자주입층; 그리고 상기 전자주입층과 상기 캐소드 전극 사이에서 상기 화소 영역별로 상기 전자주입층 위에 형성된 보조 캐소드 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.A hole injection layer commonly applied between the first hole transport layer and the anode electrode over the entire surface of the substrate; An electron transport layer formed between the organic light emitting layer and the cathode electrode on the organic light emitting layer for each pixel region; An electron injection layer formed on the electron transport layer for each pixel region between the electron transport layer and the cathode electrode; And an auxiliary cathode electrode formed on the electron injection layer for each pixel region between the electron injection layer and the cathode electrode.

또한, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 제조 방법은, 기판에 매트릭스 방식으로 배열된 화소 영역을 구획하는 단계; 상기 화소 영역 내에 애노드 전극을 형성하는 단계; 상기 애노드 전극이 형성된 상기 기판 전체 표면 위에 공통으로 제1 정공수송층을 도포하는 단계; 상기 제1 정공수송층이 형성된 상기 기판 위에 포토레지스트를 도포하고, 발광 영역을 노출하도록 패턴하는 단계; 상기 패턴된 포토레지스트를 포함하는 상기 기판 전체 표면 위에 제2 정공수송층 및 유기발광 층을 순차적으로 도포하는 단계; 상기 포토레지스트를 제거하여 상기 발광 영역만에 상기 제2 정공수송층 및 상기 유기발광 층을 남기는 단계; 그리고 상기 유기발광 층이 완성된 상기 기판 전체 표면 위에 캐소드 전극을 도포하는 단계를 포함한다.In addition, the method of manufacturing an organic light emitting diode display according to the present invention comprises the steps of: partitioning pixel regions arranged in a matrix manner on a substrate; Forming an anode electrode in the pixel region; Coating a first hole transport layer on the entire surface of the substrate on which the anode electrode is formed; Applying a photoresist on the substrate on which the first hole transport layer is formed, and patterning the photoresist to expose a light emitting region; Sequentially applying a second hole transport layer and an organic light emitting layer on the entire surface of the substrate including the patterned photoresist; Removing the photoresist to leave the second hole transport layer and the organic light emitting layer only in the light emitting region; And applying a cathode on the entire surface of the substrate on which the organic light emitting layer is completed.

상기 포토레지스트를 패턴하는 단계에서, 적색, 녹색 및 청색 중 어느 한 발광 영역을 노출하도록 패턴하고; 상기 패턴된 포토레지스트를 포함하는 상기 기판 전체 표면 위에 상기 제2 정공수송층 및 상기 유기발광 층을 순차적으로 도포하는 단계에서, 상기 제2 정공수송층, 그리고 적색, 녹색 및 청색 유기발광 층 중 어느 하나를 도포하고; 상기 포토레지스트를 제거하는 단계에서, 상기 적색, 녹색 및 청색 각각의 발광 영역에만 상기 제2 정공수송층, 그리고 상기 적색, 녹색 및 청색 유기발광 층 중 어느 하나를 남기는 것을 특징으로 한다.Patterning the photoresist so as to expose any one of red, green and blue light emitting regions; In the step of sequentially applying the second hole transport layer and the organic light emitting layer on the entire surface of the substrate including the patterned photoresist, one of the second hole transport layer and the red, green and blue organic light emitting layer Apply; In the removing of the photoresist, the second hole transport layer and one of the red, green, and blue organic light emitting layers may be left only in each of the red, green, and blue light emitting regions.

상기 제1 정공수송층을 형성하는 단계 이전에, 상기 애노드 전극 위에서 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 정공주입층을 도포하는 단계; 상기 캐소드 전극을 도포하는 단계 이전에, 상기 유기발광 층이 완성된 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 전자수송층을 도포하는 단계; 그리고 상기 전자수송층이 도포된 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 전자주입층을 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Prior to forming the first hole transport layer, applying a hole injection layer on the anode electrode in common across the substrate surface; Prior to applying the cathode electrode, applying an electron transport layer on the entire surface of the substrate on which the organic light emitting layer is completed; And applying an electron injection layer in common across the entire surface of the substrate on which the electron transport layer is applied.

상기 패턴된 포토레지스트를 포함하는 상기 기판 전체 표면 위에 상기 제2 정공수송층 및 상기 유기발광 층을 순차적으로 도포하는 단계에서, 상기 유기발광 층 위에 제1 전자수송층을 더 도포하고, 상기 포토레지스트를 제거하는 단계에서, 상기 발광 영역에만 상기 제2 정공수송층, 상기 유기발광 층, 그리고 상기 제1 전자수송층을 남기며; 상기 제1 정공수송층을 도포하는 단계 이전에, 상기 애노드 전극 위에서 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 정공주입층을 도포하는 단계; 상기 캐소드 전극을 도포하는 단계 이전에, 상기 제1 전자수송층이 형성된 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 제2 전자수송층을 도포하는 단계; 그리고 상기 제2 전자 수송층이 도포된 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 전자주입층을 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In the step of sequentially applying the second hole transport layer and the organic light emitting layer on the entire surface of the substrate including the patterned photoresist, further applying a first electron transport layer on the organic light emitting layer, and removing the photoresist Leaving the second hole transport layer, the organic light emitting layer, and the first electron transport layer only in the emission region; Prior to applying the first hole transport layer, applying a hole injection layer on the anode electrode in common over the entire surface of the substrate; Before applying the cathode electrode, coating a second electron transport layer on the entire surface of the substrate on which the first electron transport layer is formed; And applying an electron injection layer in common across the entire surface of the substrate to which the second electron transport layer is applied.

상기 제1 정공수송층을 형성하는 단계 이전에, 상기 애노드 전극 위에서 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 정공주입층을 도포하는 단계를 더 포함하며, 상기 패턴된 포토레지스트를 포함하는 상기 기판 전체 표면 위에 상기 제2 정공수송층 및 상기 유기발광 층을 순차적으로 도포하는 단계에서, 상기 유기발광 층 위에, 전자수송층, 전자주입층, 그리고 보조 캐소드 전극을 순차적으로 도포하고, 상기 포토레지스트를 제거하는 단계에서, 상기 발광 영역에만 상기 제2 정공수송층, 상기 유기발광 층, 상기 전자수송층, 상기 전자주입층, 그리고 상기 보조 캐소드 전극을 남기며, 상기 캐소드 전극을 도포하는 단계에서, 상기 캐소드 전극은 상기 보조 캐소드 전극이 형성된 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 도포하는 것을 특징으로 한다.Prior to forming the first hole transport layer, the method may further include applying a hole injection layer on the anode electrode in common over the entire surface of the substrate, wherein the entire surface of the substrate including the patterned photoresist is formed on the anode. In the step of sequentially applying a second hole transport layer and the organic light emitting layer, in the step of sequentially applying an electron transport layer, an electron injection layer, and an auxiliary cathode electrode on the organic light emitting layer, and removing the photoresist, In the step of applying the cathode electrode, leaving the second hole transport layer, the organic light emitting layer, the electron transport layer, the electron injection layer, and the auxiliary cathode electrode only in the emission region, the cathode electrode is formed with the auxiliary cathode electrode It is characterized by coating in common over the entire surface of the substrate.

본 발명은 원색 발광 유기 물질을 포토리소그래피 공정을 이용하여 대면적에 걸쳐 패턴함으로써 칼라 필터 없이 원색 발현하는 대면적 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 원색 발광하는 유기발광 층과 전자 수송층을 동시에 패턴함으로써, 포토리소그래피 공정에 취약한 유기발광 층을 안정적으로 대면적에 걸쳐 패턴할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 포토리소그래피 공정을 사용함으로써, 대면적에 걸쳐 고 밀도의 분포를 갖는 적색, 녹색 및 청색 화소를 구비한 유기발광 다이오드 표시장치를 안정적이고 높은 생산 수율로 제조할 수 있다.The present invention provides a large-area organic light emitting display device and a method for manufacturing the primary color light emitting organic material to be expressed without a color filter by patterning over a large area using a photolithography process. By simultaneously patterning the organic light emitting layer and the electron transporting layer emitting primary colors, the organic light emitting layer vulnerable to the photolithography process can be stably patterned over a large area. In addition, according to the present invention, by using a photolithography process, an organic light emitting diode display device having red, green, and blue pixels having a high density distribution over a large area can be manufactured with stable and high production yield.

도 1은 일반적인 유기발광 다이오드 소자를 나타내는 도면.
도 2는 일반적인 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도.
도 3은 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는, 도 3에서 절취선 I-I'로 자른, 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 의한 대면적 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 6은, 도 5에서 절취선 II-II'로 자른, 본 발명에 의한 대면적 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 7은, 도 5에서 절취선 II-II'로 자른, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 나타내는 단면도.
도 8은, 도 5에서 절취선 II-II'로 자른, 본 발명의 제3 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 나타내는 단면도.
도 9는, 도 5에서 절취선 II-II'로 자른, 본 발명의 제4 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 나타내는 단면도.
도 10a 내지 10g는, 도 5에서 절취선 II-II'로 자른, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 과정을 나타낸 단면도들.
1 is a view showing a general organic light emitting diode device.
2 is an equivalent circuit diagram illustrating a structure of one pixel in a conventional organic light emitting diode display.
3 is a plan view showing the structure of one pixel in the organic light emitting diode display according to the prior art.
4 is a cross-sectional view showing the structure of an organic light emitting diode display according to the prior art, taken along the line II ′ of FIG. 3.
5 is a plan view illustrating a structure of a large area organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the structure of a large area organic light emitting diode display according to the present invention, taken along the line II-II 'of FIG. 5; FIG.
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention, taken along the line II-II ′ of FIG. 5.
8 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to a third embodiment of the present invention, taken along the line II-II ′ of FIG. 5.
9 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to a fourth embodiment of the present invention, taken along the line II-II ′ of FIG. 5.
10A to 10G are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention, taken along the line II-II ′ of FIG. 5.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Like numbers refer to like elements throughout. In the following description, when it is determined that the detailed description of the known technology or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 5 및 6을 참조하여, 본 발명의 제1 실시 예에 의한 대면적 유기발광 다이오드 표시장치에 대하여 설명한다. 도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 의한 대면적 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 6은, 도 5에서 절취선 II-II'로 자른, 본 발명에 의한 대면적 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.A large area organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6. 5 is a plan view illustrating a structure of a large area organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the structure of a large area organic light emitting diode display according to the present invention, taken along the line II-II 'of FIG. 5.

도 5를 참조하면, 본 발명에 의한 대면적 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 스캔 배선(SL), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDD)이 기판(SUB) 위에 배치되어 화소 영역을 정의한다. 유기발광 다이오드(OLED)가 화소 영역 내에 형성되면서, 발광 영역을 정의한다.Referring to FIG. 5, a large area organic light emitting diode display according to the present invention includes a switching thin film transistor ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT. Include. The scan wiring SL, the data wiring DL, and the driving current wiring VDD are disposed on the substrate SUB to define the pixel area. The organic light emitting diode OLED is formed in the pixel area, thereby defining the light emitting area.

스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다.The switching TFT ST is formed at a portion where the scan line SL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG branching from the scan line SL, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD. The driving TFT DT serves to drive the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA, the driving current wiring VDD, and a drain electrode DD).

구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다. 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT) 사이에는 유기발광 층(OLE)이 개재되어 있다. 캐소드 전극(CAT)은 기저 전압(VSS)에 연결된다. 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 구동 전류 배선(VDD) 사이 혹은 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD) 사이에는 보조 용량(Cst)이 배치될 수 있다.The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode ANO of the organic light emitting diode OLED. An organic light emitting layer OLE is interposed between the anode electrode ANO and the cathode electrode CAT. The cathode electrode CAT is connected to the base voltage VSS. The storage capacitor Cst is provided between the gate electrode DG of the driving TFT DT and the driving current wiring VDD or between the gate electrode DG of the driving TFT DT and the drain electrode DD of the driving TFT DT. This can be arranged.

본 발명에서는 박막 트랜지스터(ST, DT) 부분은 종래 기술의 것과 큰 차이가 없다. 본 발명의 핵심적인 특징은 유기발광 다이오드(OLED) 부분에 있다. 따라서, 유기발광 다이오드 부분을 자른 단면도인 도 6을 더 참조하여 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 주요 특징을 설명한다. 필요하다면, 박막 트랜지스터 부분은 거의 유사한 구조를 나타내는 도 4를 참조한다.In the present invention, the thin film transistors ST and DT are not significantly different from those of the prior art. A key feature of the present invention lies in the organic light emitting diode (OLED) portion. Therefore, the main features of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 6, which is a cross-sectional view of the organic light emitting diode portion. If necessary, reference is made to FIG. 4 where the thin film transistor portion exhibits a substantially similar structure.

뱅크(BN)가 형성되어 애노드 전극들(ANO)이 노출된 기판(SUB) 표면 전체 위에 정공주입층(HIL)이 도포되어 있다. 그리고 정공주입층(HIL) 위에는 정공수송층(HTL)이 전면 도포된다. 정공주입층(HIL)과 정공수송층(HTL)은 기판(SUB) 표면 전체에 도포되므로, 마스크 공정이나 스크린 마스크를 사용하지 않고 도포할 수 있다. 예를 들어, 잉크-젯 방식이나, 증착 방법을 이용하여 기판(SUB) 전체 표면 위에 연속으로 도포할 수 있다.The bank BN is formed, and the hole injection layer HIL is coated on the entire surface of the substrate SUB on which the anode electrodes ANO are exposed. And the hole transport layer (HTL) is entirely coated on the hole injection layer (HIL). Since the hole injection layer HIL and the hole transport layer HTL are applied to the entire surface of the substrate SUB, the hole injection layer HIL and the hole transport layer HTL may be applied without using a mask process or a screen mask. For example, the ink-jet method or the deposition method may be used to continuously apply the entire surface of the substrate SUB.

뱅크(BN)에 의해 노출된 단일 화소 영역의 정공수송층(HTL) 위에는 화소별로 할당된 적색 유기발광 층(ROLE), 녹색 유기발광 층(GOLE) 혹은 청색 유기발광 층(BOLE) 중에 어느 하나가 형성된다. 실제로 이들 유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE)에 의해 발광 영역이 결정된다. 따라서, 뱅크(BN)와 뱅크(BN) 사이에서 발광 영역을 충분히 덮을 수 있도록 형성하는 것이 바람직하다.On the hole transport layer HTL of the single pixel region exposed by the bank BN, any one of a red organic light emitting layer ROLE, a green organic light emitting layer GOLE, or a blue organic light emitting layer BOLE allocated to each pixel is formed. do. In practice, the light emitting region is determined by these organic light emitting layers ROLE, GOLE, and BOLE. Therefore, it is preferable to form the light emitting region sufficiently between the bank BN and the bank BN.

유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE)이 형성된 기판(SUB) 표면 전체 위에 전자수송층(ETL) 및 캐소드 전극층(CAT)을 도포한다. 여기서 도면으로 도시하지 않았지만, 전자수송층(ETL)과 캐소드 전극층(CAT) 사이에는 전자주입층(EIL)이 더 포함되어 있을 수 있다.The electron transport layer ETL and the cathode electrode layer CAT are coated on the entire surface of the substrate SUB on which the organic light emitting layers ROLE, GOLE, and BOLE are formed. Although not shown in the drawings, an electron injection layer EIL may be further included between the electron transport layer ETL and the cathode electrode layer CAT.

제1 실시 예와 같이 화소 별로 할당된 유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE)을 형성할 때, 포토리소그래피 공정으로 패턴을 형성할 수 있다. 이때, 유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE) 아래에 위치한 정공수송층(HTL)이 손상을 받을 수 있다. 또한, 유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE) 자체도 포토리소그래피 공정에서 사용하는 포토레지스트(Photo-resist)를 제거하는 용액에 의해 손상을 당할 수 있다.
As in the first exemplary embodiment, when the organic light emitting layers ROLE, GOLE, and BOLE allocated to each pixel are formed, a pattern may be formed by a photolithography process. In this case, the hole transport layer HTL positioned under the organic light emitting layers ROLE, GOLE, and BOLE may be damaged. In addition, the organic light emitting layers ROLE, GOLE, and BOLE itself may also be damaged by a solution for removing the photoresist used in the photolithography process.

이하, 제2 실시 예에서는 포토리소그래피 공정에서 발생할 수 있는 정공수송층(HTL)과 유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE) 사이에서 발생할 수 있는 불량을 방지하는 기술을 제공한다. 도 7은, 도 5에서 절취선 II-II'로 자른, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 나타내는 단면도이다.Hereinafter, the second embodiment provides a technique for preventing a defect that may occur between the hole transport layer (HTL) and the organic light emitting layers (ROLE, GOLE, BOLE) that can occur in the photolithography process. FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention, taken along the line II-II ′ of FIG. 5.

본 발명에서는 박막 트랜지스터(ST, DT) 부분은 종래 기술의 것과 큰 차이가 없다. 본 발명의 핵심적인 특징은 유기발광 다이오드(OLED) 부분에 있다. 따라서, 유기발광 다이오드 부분을 자른 단면도인 도 7을 참조하여 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 주요 특징을 설명한다. 필요하다면, 박막 트랜지스터 부분은 거의 유사한 구조를 나타내는 도 4를 참조한다.In the present invention, the thin film transistors ST and DT are not significantly different from those of the prior art. A key feature of the present invention lies in the organic light emitting diode (OLED) portion. Therefore, the main features of the organic light emitting diode display according to the second exemplary embodiment will be described with reference to FIG. 7, which is a cross-sectional view of the organic light emitting diode portion. If necessary, reference is made to FIG. 4 where the thin film transistor portion exhibits a substantially similar structure.

뱅크(BN)가 형성되어 애노드 전극들(ANO)이 노출된 기판(SUB) 표면 전체 위에 정공주입층(HIL)이 도포되어 있다. 그리고 정공주입층(HIL) 위에는 제1 정공수송층(HTL1)이 전면 도포된다. 정공주입층(HIL)과 제1 정공수송층(HTL1)은 기판(SUB) 표면 전체에 도포되므로, 마스크 공정이나 스크린 마스크를 사용하지 않고 도포할 수 있다. 예를 들어, 잉크-젯 방식이나, 증착 방법을 이용하여 기판(SUB) 전체 표면 위에 연속으로 도포할 수 있다.The bank BN is formed, and the hole injection layer HIL is coated on the entire surface of the substrate SUB on which the anode electrodes ANO are exposed. The first hole transport layer HTL1 is coated on the entire surface of the hole injection layer HIL. Since the hole injection layer HIL and the first hole transport layer HTL1 are applied to the entire surface of the substrate SUB, the hole injection layer HIL and the first hole transport layer HTL1 may be applied without using a mask process or a screen mask. For example, the ink-jet method or the deposition method may be used to continuously apply the entire surface of the substrate SUB.

뱅크(BN)에 의해 노출된 단일 화소 영역의 제1 정공수송층(HTL1) 위에는 화소별로 할당된 제2 정공수송층(HTL2)이 형성된다. 또한, 각 화소에 형성된 제2 정공수송층(HTL2) 위에는 적색 유기발광 층(ROLE), 녹색 유기발광 층(GOLE) 혹은 청색 유기발광 층(BOLE) 중에 어느 하나가 형성된다. 실제로 이들 유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE)에 의해 발광 영역이 결정된다. 따라서, 뱅크(BN)와 뱅크(BN) 사이에서 발광 영역을 충분히 덮을 수 있도록 형성하는 것이 바람직하다.A second hole transport layer HTL2 allocated for each pixel is formed on the first hole transport layer HTL1 of the single pixel region exposed by the bank BN. In addition, any one of a red organic light emitting layer ROLE, a green organic light emitting layer GOLE, and a blue organic light emitting layer BOLE is formed on the second hole transport layer HTL2 formed in each pixel. In practice, the light emitting region is determined by these organic light emitting layers ROLE, GOLE, and BOLE. Therefore, it is preferable to form the light emitting region sufficiently between the bank BN and the bank BN.

유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE)이 형성된 기판(SUB) 표면 전체 위에는 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 및 캐소드 전극층(CAT)을 순차적으로 도포한다.The electron transport layer ETL, the electron injection layer EIL, and the cathode electrode layer CAT are sequentially coated on the entire surface of the substrate SUB on which the organic light emitting layers ROLE, GOLE, and BOLE are formed.

제2 실시 예에서는, 공통으로 전체 기판(SUB)에 걸쳐 도포된 제1 정공수송층(HTL1) 위에, 화소 별로 할당된 제2 정공수송층(HTL2)과 유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE)이 형성된다. 제2 정공수송층(HTL2)과 유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE)을 형성할 때, 포토리소그래피 공정으로 동시에 패턴한다. 제1 정공수송층(HTL1) 위에서 동일한 물질인 제2 정공수송층(HTL2)이 패턴되기 때문에, 계면에서 전자 및/또는 정공의 흐름이 방해받을 가능성이 줄어든다. 그리고, 제2 정공수송층(HTL2)과 유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE)은 연속 도포한 후에 동시에 패턴되므로, 포토 공정 중에 그 계면이 손상될 가능성이 제거된다.
In the second embodiment, the second hole transport layer HTL2 and the organic light emitting layers ROLE, GOLE, and BOLE, which are allocated for each pixel, are formed on the first hole transport layer HTL1 that is commonly applied over the entire substrate SUB. do. When the second hole transport layer HTL2 and the organic light emitting layers ROLE, GOLE, and BOLE are formed, they are simultaneously patterned by a photolithography process. Since the second hole transport layer HTL2, which is the same material, is patterned on the first hole transport layer HTL1, the possibility of interruption of the flow of electrons and / or holes at the interface is reduced. In addition, since the second hole transport layer HTL2 and the organic light emitting layers ROLE, GOLE, and BOLE are patterned at the same time after successive application, the possibility of damaging the interface during the photo process is eliminated.

이하, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 방법을 상세히 설명한다. 도 10a 내지 10g는, 도 5에서 절취선 II-II'로 자른, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 과정을 나타낸 단면도들이다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to a second embodiment of the present invention will be described in detail. 10A to 10G are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention, taken along the line II-II ′ of FIG. 5.

본 발명에서 박막 트랜지스터들(ST, DT)을 형성하는 과정은 기존의 제조 방법과 크게 다를 필요는 없다. 따라서, 본 발명의 주요 부분인 유기발광 다이오드를 제조하는 부분을 중심으로 설명한다.The process of forming the thin film transistors ST and DT in the present invention does not need to be significantly different from the existing manufacturing method. Therefore, a description will be given focusing on a part of manufacturing an organic light emitting diode which is a main part of the present invention.

박막 트랜지스터들(ST, DT)을 완성하고, 오버코트 층(OC)을 도포하고 화소 콘택홀(PH)을 형성하고, 화소 영역 내에 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)에 연결된 애노드 전극(ANO)을 형성한다. 그 후, 화소 영역별로 발광 영역 각각을 노출하는 뱅크(BN)를 형성한다. 뱅크(BN)가 형성된 기판(SUB)의 전체 표면 위에 정공주입층(HIL)을 도포한다. 이어서, 정공주입층(HIL) 위에서 제1 정공수송층(HTL1)을 전면 도포한다. (도 10a)An anode electrode connected to the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT is formed in the pixel area by completing the thin film transistors ST and DT, applying an overcoat layer OC, forming a pixel contact hole PH, and the like. ANO). Thereafter, a bank BN exposing each of the light emitting regions for each pixel region is formed. The hole injection layer HIL is coated on the entire surface of the substrate SUB on which the bank BN is formed. Subsequently, the first hole transport layer HTL1 is completely coated on the hole injection layer HIL. (FIG. 10A)

기판(SUB) 전체 표면 위에 도포된 정공수송층(HTL) 위에 포토레지스트(PR)를 전체 표면에 도포한다. 포토 마스크 공정으로 포토레지스트(PR)를 패턴하여, 적색 화소 영역의 발광 영역만을 개방한다. 이때, 패턴된 포토레지스트(PR)의 경계부는 역 테이퍼 형상을 갖도록 패턴하는 것이 바람직하다. (도 10b)The photoresist PR is applied to the entire surface on the hole transport layer HTL applied on the entire surface of the substrate SUB. The photoresist PR is patterned by a photo mask process to open only the light emitting region of the red pixel region. At this time, it is preferable to pattern the boundary portion of the patterned photoresist PR to have an inverse tapered shape. (FIG. 10B)

포토레지스트(PR)가 패턴된 기판(SUB)의 표면 위에 제2 정공수송층(HTL2)과 적색 유기발광 층(REML)을 연속으로 도포한다. 포토레지스트(PR)의 패턴 경계부가 역 테이퍼 형상을 갖고 있으므로, 포토레지스트(PR)가 있는 부분과 없는 부분이 서로 끊어진 상태로 제2 정공수송층(HTL2) 및 적색 유기발광 층(REML)이 도포된다. (도 10c)The second hole transport layer HTL2 and the red organic light emitting layer REML are successively coated on the surface of the photoresist PR patterned substrate SUB. Since the pattern boundary of the photoresist PR has an inverse tapered shape, the second hole transport layer HTL2 and the red organic light emitting layer REML are applied while the portions with and without the photoresist PR are separated from each other. . (FIG. 10C)

포토레지스트(PR)를 패턴할 때 포토 공정에서 사용하는 물질들에 의해 하부에 형성된 제1 정공수송층(HTL1)이 영향을 받을 수 있다. 그러나, 그 위에 바로 적색 유기발광 층(REML)이 도포되지 않고, 제2 정공수송층(HTL2)이 도포된다. 즉, 제1 정공수송층(HTL1)과 동일한 물질이 도포되므로, 제1 정공수송층(HTL1)이 영향을 받더라도, 그 계면에서 정공이 트랩(trap)되어 발생하는 적색 유기발광 층(REML)으로의 전자 이동에 문제가 발생하지 않는다.When the photoresist PR is patterned, the first hole transport layer HTL1 formed under the surface may be affected by materials used in the photo process. However, the red organic light emitting layer REML is not directly applied thereon, and the second hole transport layer HTL2 is applied. That is, since the same material as that of the first hole transport layer HTL1 is applied, the electrons to the red organic light emitting layer REML generated by trapping holes at the interface even when the first hole transport layer HTL1 is affected. There is no problem with the movement.

리프트-오프(Lift-Off) 공법으로 포토레지스트(PR)를 제거한다. 그러면, 포토레지스트(PR)와 함께, 그 위에 도포된 제2 정공수송층(HTL2) 및 적색 유기발광 층(REML)이 같이 제거된다. 그 결과, 적색 화소의 발광 영역에만, 제1 정공수송층(HTL1) 위에, 제2 정공수송층(HTL2) 및 적색 유기발광 층(REML)이 적층된 구조가 완성된다. (도 10d)The photoresist (PR) is removed by a lift-off method. Then, together with the photoresist PR, the second hole transport layer HTL2 and the red organic light emitting layer REML applied thereon are removed together. As a result, the structure in which the second hole transport layer HTL2 and the red organic light emitting layer REML are stacked on the first hole transport layer HTL1 only in the light emitting region of the red pixel is completed. (FIG. 10D)

적색 화소 영역이 완성된 후, 기판(SUB) 전체 면에 포토레지스트(PR)를 도포한다. 포토 마스크 공정으로 포토레지스트(PR)를 패턴하여, 녹색 화소 영역의 발광 영역만을 개방한다. 이때, 패턴된 포토레지스트(PR)의 경계부는 역 테이퍼 형상을 갖도록 패턴하는 것이 바람직하다. 그리고 포토레지스트(PR)가 패턴된 기판(SUB) 전체 표면 위에 제2 정공수송층(HTL2) 및 녹색 유기발광 층(GEML)을 연속으로 도포한다. 포토레지스트(PR)의 패턴 경계부가 역 테이퍼 형상을 갖고 있으므로, 포토레지스트(PR)가 있는 부분과 없는 부분이 서로 끊어진 상태로 제2 정공수송층(HTL2) 및 녹색 유기발광 층(GEML)이 도포된다. (도 10e)After the red pixel area is completed, the photoresist PR is coated on the entire surface of the substrate SUB. The photoresist PR is patterned by a photo mask process to open only the light emitting region of the green pixel region. At this time, it is preferable to pattern the boundary portion of the patterned photoresist PR to have an inverse tapered shape. The second hole transport layer HTL2 and the green organic light emitting layer GEML are successively coated on the entire surface of the substrate SUB on which the photoresist PR is patterned. Since the pattern boundary of the photoresist PR has an inverse taper shape, the second hole transport layer HTL2 and the green organic light emitting layer GEML are applied with the photoresist PR part and the part without the part being separated from each other. . (FIG. 10E)

리프트-오프 공법으로 포토레지스트(PR)를 제거한다. 포토레지스트(PR)와 함께, 그 위에 도포된 제2 정공수송층(HTL2) 및 녹색 유기발광 층(GEML)이 같이 제거된다. 그 결과, 녹색 화소의 발광 영역에만, 제2 정공수송층(HTL2) 및 녹색 유기발광 층(GEML)이 적층된 구조가 완성된다.The photoresist (PR) is removed by a lift-off method. Together with the photoresist PR, the second hole transport layer HTL2 and the green organic light emitting layer GEML applied thereon are removed together. As a result, the structure in which the second hole transport layer HTL2 and the green organic light emitting layer GEML are stacked only in the light emitting region of the green pixel is completed.

지금까지, 적색 화소 및 녹색 화소들이 완성되었다. 이후, 기판(SUB) 전체 면에 포토레지스트(PR)를 다시 도포한다. 포토 마스크 공정으로 포토레지스트(PR)를 패턴하여, 청색 화소 영역의 발광 영역만을 개방한다. 마찬가지로, 패턴된 포토레지스트(PR)의 경계부는 역 테이퍼 형상을 갖도록 패턴하는 것이 바람직하다. 그리고 포토레지스트(PR)가 패턴된 기판(SUB) 전체 표면 위에 제2 정공수송층(HTL2) 및 청색 유기발광 층(BEML)을 연속으로 도포한다. 포토레지스트(PR)의 패턴 경계부가 역 테이퍼 형상을 갖고 있으므로, 포토레지스트(PR)가 있는 부분과 없는 부분이 서로 끊어진 상태로 제2 정공수송층(HTL2) 및 청색 유기발광 층(BEML)이 도포된다. (도 10f)So far, red pixels and green pixels have been completed. Thereafter, the photoresist PR is applied on the entire surface of the substrate SUB again. The photoresist PR is patterned by a photo mask process to open only the light emitting region of the blue pixel region. Similarly, it is preferable to pattern the boundary portion of the patterned photoresist PR to have an inverse tapered shape. The second hole transport layer HTL2 and the blue organic light emitting layer BEML are successively coated on the entire surface of the substrate SUB on which the photoresist PR is patterned. Since the pattern boundary of the photoresist PR has an inverse tapered shape, the second hole transport layer HTL2 and the blue organic light emitting layer BEML are applied while the portions having the photoresist PR and the portions without the photoresist PR are separated from each other. . (FIG. 10F)

리프트-오프 공법으로 포토레지스트(PR)를 제거한다. 그러면, 포토레지스트(PR)와 함께, 그 위에 적층된 제2 정공수송층(HTL2) 및 청색 유기발광 층(BEML)이 같이 제거된다. 그 결과, 청색 화소의 발광 영역에만, 제2 정공수송층(HTL2) 및 청색 유기발광 층(BEML)이 적층된 구조를 갖는다. 그 결과, 적색 화소, 녹색 화소 그리고 청색 화소들이 완성된다. 이후, 기판(SUB) 전체 표면 위에 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 및 캐소드 전극(CAT)을 순차적으로 도포함으로써 유기발광 다이오드(OLE)가 완성된다. (도 10g)The photoresist (PR) is removed by a lift-off method. Then, together with the photoresist PR, the second hole transport layer HTL2 and the blue organic light emitting layer BEML stacked thereon are removed together. As a result, only the light emitting region of the blue pixel has a structure in which the second hole transport layer HTL2 and the blue organic light emitting layer BEML are stacked. As a result, red pixels, green pixels and blue pixels are completed. Thereafter, the organic light emitting diode OLE is completed by sequentially applying the electron transport layer ETL, the electron injection layer EIL, and the cathode electrode CAT on the entire surface of the substrate SUB. (Fig. 10g)

또한, 리프트-오프 공법 중에서 스트립 용액을 이용할 경우, 스트립 용 솔벤트가 유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE)에 손상을 줄 가능성도 있다. 이를 방지하기 위해서 포토레지스트(PR)는 광이합체화 반응을 이용하는 포토레지스트인 것이 바람직하다. 예를 들어, 고불소계 포토레지스트를 포함할 수 있다.In addition, when the strip solution is used in the lift-off method, the solvent for the strip may damage the organic light emitting layers ROLE, GOLE, and BOLE. In order to prevent this, the photoresist PR is preferably a photoresist using a photodimerization reaction. For example, it may include a high fluorine-based photoresist.

이와 같이 본 발명은, 대면적에 걸쳐 고른 패턴 형상을 형성할 수 있는 안정된 공법인 포토리소그래피 공정을 사용하므로, 높은 생산성으로 양질의 대면적 유기발광 다이오드 표시장치를 제조할 수 있다.
As described above, the present invention uses a photolithography process, which is a stable method capable of forming an even pattern shape over a large area, and therefore a high-quality large area organic light emitting diode display device can be manufactured with high productivity.

제2 실시 예에서는 정공수송층과 유기발광층의 계면이 포토리소그래피 공정에서 손상 받지 않는 구조에 대해 설명하였다. 이하에서는, 제2 실시 예의 구조에 더불어서, 유기발광층과 전자수송층의 계면이 포토리소그래피 공정에서 손상 받지 않는 구조를 더 구비한 경우에 대해서 설명한다. 도 8은, 도 5에서 절취선 II-II'로 자른, 본 발명의 제3 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 나타내는 단면도이다.In the second embodiment, the structure of the interface between the hole transport layer and the organic light emitting layer is not damaged in the photolithography process. In the following, in addition to the structure of the second embodiment, a case in which the interface between the organic light emitting layer and the electron transport layer is further provided with a structure that is not damaged in the photolithography step will be described. FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to a third exemplary embodiment of the present invention, taken along the line II-II ′ of FIG. 5.

본 발명에서는 박막 트랜지스터(ST, DT) 부분은 종래 기술의 것과 큰 차이가 없다. 본 발명의 핵심적인 특징은 유기발광 다이오드(OLED) 부분에 있다. 따라서, 유기발광 다이오드 부분을 자른 단면도인 도 8을 참조하여 본 발명의 제3 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 주요 특징을 설명한다. 필요하다면, 박막 트랜지스터 부분은 거의 유사한 구조를 나타내는 도 4를 참조한다.In the present invention, the thin film transistors ST and DT are not significantly different from those of the prior art. A key feature of the present invention lies in the organic light emitting diode (OLED) portion. Therefore, the main features of the organic light emitting diode display according to the third exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 8, which is a cross-sectional view of the organic light emitting diode portion. If necessary, reference is made to FIG. 4 where the thin film transistor portion exhibits a substantially similar structure.

뱅크(BN)가 형성되어 애노드 전극들(ANO)이 노출된 기판(SUB) 표면 전체 위에 정공주입층(HIL)이 도포되어 있다. 그리고 정공주입층(HIL) 위에는 제1 정공수송층(HTL1)이 전면 도포된다. 정공주입층(HIL)과 제1 정공수송층(HTL1)은 기판(SUB) 표면 전체에 도포되므로, 마스크 공정이나 스크린 마스크를 사용하지 않고 도포할 수 있다. 예를 들어, 잉크-젯 방식이나, 증착 방법을 이용하여 기판(SUB) 전체 표면 위에 연속으로 도포할 수 있다.The bank BN is formed, and the hole injection layer HIL is coated on the entire surface of the substrate SUB on which the anode electrodes ANO are exposed. The first hole transport layer HTL1 is coated on the entire surface of the hole injection layer HIL. Since the hole injection layer HIL and the first hole transport layer HTL1 are applied to the entire surface of the substrate SUB, the hole injection layer HIL and the first hole transport layer HTL1 may be applied without using a mask process or a screen mask. For example, the ink-jet method or the deposition method may be used to continuously apply the entire surface of the substrate SUB.

뱅크(BN)에 의해 노출된 단일 화소 영역의 제1 정공수송층(HTL1) 위에는 화소별로 할당된 제2 정공수송층(HTL2)이 형성된다. 또한, 각 화소에 형성된 제2 정공수송층(HTL2) 위에는 적색 유기발광 층(ROLE), 녹색 유기발광 층(GOLE) 혹은 청색 유기발광 층(BOLE) 중에 어느 하나가 형성된다. 각 화소에 형성된 유기발광층 들(ROLE, GOLE, BOLE) 위에는 각 화소 별로 형성된 제1 전자수송층(ETL1)이 형성된다.A second hole transport layer HTL2 allocated for each pixel is formed on the first hole transport layer HTL1 of the single pixel region exposed by the bank BN. In addition, any one of a red organic light emitting layer ROLE, a green organic light emitting layer GOLE, and a blue organic light emitting layer BOLE is formed on the second hole transport layer HTL2 formed in each pixel. The first electron transport layer ETL1 formed for each pixel is formed on the organic light emitting layers ROLE, GOLE, and BOLE formed in each pixel.

이와 같이, 제2 정공수송층(HTL2), 유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE) 및 제1 전자수송층(ETL1)이 적층되어 형성된 기판(SUB) 표면 전체 위에는 공통적으로 제2 전자수송층(ETL2), 전자주입층(EIL) 및 캐소드 전극층(CAT)이 순차적으로 도포된다.As such, the second electron transport layer HTL2, the organic light emitting layers ROLE, GOLE, and BOLE and the first electron transport layer ETL1 may be commonly stacked on the entire surface of the substrate SUB. The electron injection layer EIL and the cathode electrode layer CAT are sequentially applied.

제3 실시 예에서는, 공통으로 전체 기판(SUB)에 걸쳐 도포된 제1 정공수송층(HTL1) 위에, 화소 별로 할당된 제2 정공수송층(HTL2), 유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE) 및 제1 전자수송층(ETL1)이 적층된 구조로 형성된다. 제2 정공수송층(HTL2), 유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE) 및 제1 전자수송층(ETL1)을 동시에 형성할 때, 포토리소그래피 공정으로 패턴할 수 있다. 제1 정공수송층(HTL1) 위에서 동일한 물질인 제2 정공수송층(HTL2)이 패턴되기 때문에 계면에서 전자 및/또는 정공의 흐름이 방해받을 가능성이 줄어든다. 그리고, 제2 정공수송층(HTL2), 유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE) 및 제1 전자수송층(ETL1)은 연속 도포한 후에 동시에 패턴되므로, 포토 공정 중에 그 계면들이 손상될 가능성이 없다.In the third embodiment, the second hole transport layer HTL2, the organic light emitting layers ROLE, GOLE, BOLE, and the second, which are allocated per pixel, are disposed on the first hole transport layer HTL1 that is commonly applied over the entire substrate SUB. 1 The electron transport layer ETL1 is formed in a stacked structure. When the second hole transport layer HTL2, the organic light emitting layers ROLE, GOLE, and BOLE and the first electron transport layer ETL1 are simultaneously formed, the second hole transport layer HTL2 may be patterned by a photolithography process. Since the second hole transport layer HTL2, which is the same material, is patterned on the first hole transport layer HTL1, the possibility of interruption of the flow of electrons and / or holes at the interface is reduced. In addition, since the second hole transport layer HTL2, the organic light emitting layers ROLE, GOLE, and BOLE and the first electron transport layer ETL1 are patterned at the same time after the continuous coating, the interfaces are not likely to be damaged during the photo process.

도면으로 설명하지 않았지만, 본 발명의 제3 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 방법은, 제2 실시 예에 의한 방법과 거의 동일하다. 다만, 제2 정공수송층(HTL2)와, 적색, 녹색 및 청색 유기발광 층들(REML, GEML, BEML) 위에 제1 전자수송층(ETL1)을 더 도포한다.Although not illustrated in the drawings, the method of manufacturing the organic light emitting diode display according to the third embodiment of the present invention is almost the same as the method according to the second embodiment. However, the first electron transport layer ETL1 is further coated on the second hole transport layer HTL2 and the red, green, and blue organic light emitting layers REML, GEML, and BEML.

예를 들어, 도 10c에서, 포토레지스트(PR)가 패턴된 기판(SUB)의 표면 위에 제2 정공수송층(HTL2)과 적색 유기발광 층(REML)을 연속으로 도포할 때, 추가로 제1 전자수송층(ETL1)을 더 도포한다. 또한, 도 10e에서, 포토레지스트(PR)가 패턴된 기판(SUB) 전체 표면 위에 제2 정공수송층(HTL2) 및 녹색 유기발광 층(GEML)을 연속으로 도포할 때, 추가로 제1 전자수송층(ETL1)을 더 도포한다. 그리고, 도 10f에서, 포토레지스트(PR)가 패턴된 기판(SUB) 전체 표면 위에 제2 정공수송층(HTL2) 및 청색 유기발광 층(BEML)을 연속으로 도포할 때, 추가로 제1 전자수송층(ETL1)을 더 도포한다.
For example, in FIG. 10C, when the second hole transport layer HTL2 and the red organic light emitting layer REML are successively applied onto the surface of the substrate SUB on which the photoresist PR is patterned, the first electrons may be further added. The transport layer ETL1 is further applied. In addition, in FIG. 10E, when the second hole transport layer HTL2 and the green organic light emitting layer GEML are successively applied onto the entire surface of the substrate SUB on which the photoresist PR is patterned, the first electron transport layer ( ETL1) is further applied. In addition, in FIG. 10F, when the second hole transport layer HTL2 and the blue organic light emitting layer BEML are successively coated on the entire surface of the substrate SUB on which the photoresist PR is patterned, the first electron transport layer ( ETL1) is further applied.

이하, 도 9를 참조하여, 본 발명의 제4 실시 예에 대해서 설명한다. 도 9는, 도 5에서 절취선 II-II'로 자른, 본 발명의 제4 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 나타내는 단면도이다.Hereinafter, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 9. FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to a fourth exemplary embodiment of the present invention, taken along the line II-II ′ of FIG. 5.

제4 실시 예는 제3 실시 예와 거의 유사하다 차이가 있다면, 각 화소 별로 제2 정공수송층(HTL2), 유기발광 층들(ROLE, GOLE, BOLE), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 및 제1 캐소드 전극(CAT1)들이 순차적으로 적층된 구조로 형성된다. 그리고, 기판(SUB) 표면 전체 위에는 공통적으로 제2 캐소드 전극(CAT2)이 도포된다.The fourth embodiment is almost similar to the third embodiment. If there is a difference, the second hole transport layer HTL2, the organic light emitting layers ROLE, GOLE, and BOLE, the electron transport layer ETL, and the electron injection layer EIL for each pixel ) And the first cathode electrodes CAT1 are sequentially stacked. The second cathode electrode CAT2 is commonly coated on the entire surface of the substrate SUB.

도면으로 설명하지 않았지만, 본 발명의 제4 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 방법은, 제2 실시 예에 의한 방법과 거의 동일하다. 다만, 제2 정공수송층(HTL2)와, 적색, 녹색 및 청색 유기발광 층들(REML, GEML, BEML) 위에 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 및 제1 캐소드 전극(CAT1)을 더 도포한다.Although not illustrated in the drawings, the method of manufacturing the organic light emitting diode display according to the fourth embodiment of the present invention is almost the same as the method according to the second embodiment. However, an electron transport layer ETL, an electron injection layer EIL, and a first cathode electrode CAT1 are further coated on the second hole transport layer HTL2 and the red, green, and blue organic light emitting layers REML, GEML, and BEML. do.

예를 들어, 도 10c에서, 포토레지스트(PR)가 패턴된 기판(SUB)의 표면 위에 제2 정공수송층(HTL2)과 적색 유기발광 층(REML)을 연속으로 도포할 때, 추가로 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 및 제1 캐소드 전극(CAT1)을 더 도포한다. 또한, 도 10e에서, 포토레지스트(PR)가 패턴된 기판(SUB) 전체 표면 위에 제2 정공수송층(HTL2) 및 녹색 유기발광 층(GEML)을 연속으로 도포할 때, 추가로 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 및 제1 캐소드 전극(CAT1)을 더 도포한다. 그리고, 도 10f에서, 포토레지스트(PR)가 패턴된 기판(SUB) 전체 표면 위에 제2 정공수송층(HTL2) 및 청색 유기발광 층(BEML)을 연속으로 도포할 때, 추가로 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 및 제1 캐소드 전극(CAT1)을 더 도포한다.
For example, in FIG. 10C, when the second hole transport layer HTL2 and the red organic light emitting layer REML are successively applied onto the surface of the substrate SUB on which the photoresist PR is patterned, an electron transport layer ( ETL), electron injection layer EIL, and first cathode electrode CAT1 are further applied. In addition, in FIG. 10E, when the second hole transport layer HTL2 and the green organic light emitting layer GEML are successively applied on the entire surface of the substrate SUB on which the photoresist PR is patterned, the electron transport layer ETL is further added. , The electron injection layer EIL and the first cathode electrode CAT1 are further applied. In addition, in FIG. 10F, when the second hole transport layer HTL2 and the blue organic light emitting layer BEML are successively applied onto the entire surface of the substrate SUB on which the photoresist PR is patterned, the electron transport layer ETL may be further added. , The electron injection layer EIL and the first cathode electrode CAT1 are further applied.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description but should be defined by the claims.

DL: 데이터 배선 SL: 스캔 배선
VDD: 구동 전류 배선 ST: 스위칭 TFT
DT: 구동 TFT OLED: 유기발광 다이오드
SG, DG: 게이트 전극 SS, DS: 소스 전극
SD, DD: 드레인 전극 SUB: 기판
CAT: 캐소드 전극(층) ANO: 애노드 전극(층)
BANK: 뱅크 PAS: 보호막
OLE: 유기발광 층 OC: 오버코트 층
ROLE: 적색 유기발광 층 GOLE: 녹색 유기발광 층
BOLE: 청색 유기발광 층 ETL: 전자수송층
ETL1: 제1 전자수송층 ETL2: 제2 전자수송층
CAT1: 제1 캐소드 전극 CAT2: 제2 캐소드 전극
HIL: 정공주입층 HTL: 정공수송층
HTL1: 제1 정공수송층 HTL2: 제2 정공수송층
DH: 드레인 콘택홀 PH: 화소 콘택홀
DL: data wiring SL: scan wiring
VDD: drive current wiring ST: switching TFT
DT: driving TFT OLED: organic light emitting diode
SG, DG: gate electrode SS, DS: source electrode
SD, DD: drain electrode SUB: substrate
CAT: cathode electrode (layer) ANO: anode electrode (layer)
BANK: Bank PAS: Shield
OLE: organic light emitting layer OC: overcoat layer
ROLE: Red organic light emitting layer GOLE: Green organic light emitting layer
BOLE: Blue organic light emitting layer ETL: Electron transport layer
ETL1: first electron transport layer ETL2: second electron transport layer
CAT1: first cathode electrode CAT2: second cathode electrode
HIL: Hole injection layer HTL: Hole transport layer
HTL1: first hole transport layer HTL2: second hole transport layer
DH: Drain contact hole PH: Pixel contact hole

Claims (12)

기판에 매트릭스 방식으로 배열된 화소 영역;
상기 기판 위에서 상기 화소 영역들을 정의하는 스캔 배선, 데이터 배선 및 구동 전류 배선;
상기 화소 영역 내에 형성된 애노드 전극;
상기 애노드 전극이 형성된 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 배치된 제1 정공수송층;
상기 화소 영역별로 상기 제1 정공수송층 위에 형성된, 제2 정공수송층 및 상기 제2 정공수송층 위에 적층되어 형성된 유기발광 층; 그리고
상기 유기발광 층이 형성된 상기 기판 전체 표면에 걸쳐서 배치된 캐소드 전극을 포함하고,
상기 제1 정공수송층과 상기 애노드 전극 사이에서, 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 배치된 정공주입층;
상기 유기발광 층과 상기 캐소드 전극 사이에서, 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 배치된 전자수송층; 그리고
상기 전자수송층과 상기 캐소드 전극 사이에서, 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 배치된 전자주입층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
A pixel region arranged in a matrix manner on the substrate;
Scan wiring, data wiring and driving current wiring defining the pixel regions on the substrate;
An anode formed in the pixel region;
A first hole transport layer commonly disposed throughout the substrate surface on which the anode electrode is formed;
An organic light emitting layer formed on the second hole transport layer and the second hole transport layer formed on the first hole transport layer for each pixel region; And
A cathode electrode disposed over the entire surface of the substrate on which the organic light emitting layer is formed,
A hole injection layer disposed in common between the first hole transport layer and the anode electrode over the entire surface of the substrate;
An electron transport layer disposed in common between the organic light emitting layer and the cathode electrode over the entire surface of the substrate; And
And an electron injection layer disposed in common between the electron transport layer and the cathode electrode over the entire surface of the substrate.
삭제delete 삭제delete 기판에 매트릭스 방식으로 배열된 화소 영역;
상기 기판 위에서 상기 화소 영역들을 정의하는 스캔 배선, 데이터 배선 및 구동 전류 배선;
상기 화소 영역 내에 형성된 애노드 전극;
상기 애노드 전극이 형성된 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 배치된 제1 정공수송층;
상기 화소 영역별로 상기 제1 정공수송층 위에 형성된, 제2 정공수송층 및 상기 제2 정공수송층 위에 적층되어 형성된 유기발광 층; 그리고
상기 유기발광 층이 형성된 상기 기판 전체 표면에 걸쳐서 배치된 캐소드 전극을 포함하고,
상기 제1 정공수송층과 상기 애노드 전극 사이에서, 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 배치된 정공주입층;
상기 유기발광 층과 상기 캐소드 전극 사이에서, 상기 화소 영역별로 상기 유기발광 층 위에 형성된 제1 전자수송층;
상기 제1 전자수송층과 상기 캐소드 전극 사이에서, 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 배치된 제2 전자수송층; 그리고
상기 제2 전자 수송층과 상기 캐소드 전극 사이에서, 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 배치된 전자주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
A pixel region arranged in a matrix manner on the substrate;
Scan wiring, data wiring and driving current wiring defining the pixel regions on the substrate;
An anode formed in the pixel region;
A first hole transport layer commonly disposed throughout the substrate surface on which the anode electrode is formed;
An organic light emitting layer formed on the second hole transport layer and the second hole transport layer, the organic light emitting layer being formed on the first hole transport layer for each pixel region; And
A cathode electrode disposed over the entire surface of the substrate on which the organic light emitting layer is formed,
A hole injection layer disposed in common between the first hole transport layer and the anode electrode over the entire surface of the substrate;
A first electron transport layer between the organic light emitting layer and the cathode electrode on the organic light emitting layer for each pixel region;
A second electron transport layer disposed in common between the first electron transport layer and the cathode electrode over the entire surface of the substrate; And
And an electron injection layer disposed in common across the surface of the substrate between the second electron transport layer and the cathode electrode.
기판에 매트릭스 방식으로 배열된 화소 영역;
상기 기판 위에서 상기 화소 영역들을 정의하는 스캔 배선, 데이터 배선 및 구동 전류 배선;
상기 화소 영역 내에 형성된 애노드 전극;
상기 애노드 전극이 형성된 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 배치된 제1 정공수송층;
상기 화소 영역별로 상기 제1 정공수송층 위에 형성된, 제2 정공수송층 및 상기 제2 정공수송층 위에 적층되어 형성된 유기발광 층; 그리고
상기 유기발광 층이 형성된 상기 기판 전체 표면에 걸쳐서 배치된 캐소드 전극을 포함하고,
상기 제1 정공수송층과 상기 애노드 전극 사이에서, 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 배치된 정공주입층;
상기 유기발광 층과 상기 캐소드 전극 사이에서, 상기 화소 영역별로 상기 유기발광 층 위에 형성된 전자수송층;
상기 전자수송층과 상기 캐소드 전극 사이에서, 상기 화소 영역별로 상기 전자수송층 위에 형성된 전자주입층; 그리고
상기 전자주입층과 상기 캐소드 전극 사이에서, 상기 화소 영역별로 상기 전자주입층 위에 형성된 보조 캐소드 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
A pixel region arranged in a matrix manner on the substrate;
Scan wiring, data wiring and driving current wiring defining the pixel regions on the substrate;
An anode formed in the pixel region;
A first hole transport layer commonly disposed throughout the substrate surface on which the anode electrode is formed;
An organic light emitting layer formed on the second hole transport layer and the second hole transport layer, the organic light emitting layer being formed on the first hole transport layer for each pixel region; And
A cathode electrode disposed over the entire surface of the substrate on which the organic light emitting layer is formed,
A hole injection layer disposed in common between the first hole transport layer and the anode electrode over the entire surface of the substrate;
An electron transport layer formed between the organic light emitting layer and the cathode electrode on the organic light emitting layer for each pixel region;
An electron injection layer formed on the electron transport layer for each pixel region between the electron transport layer and the cathode electrode; And
And an auxiliary cathode formed on the electron injection layer for each pixel region between the electron injection layer and the cathode electrode.
기판에 매트릭스 방식으로 배열된 화소 영역을 구획하는 단계;
상기 화소 영역 내에 애노드 전극을 형성하는 단계;
상기 애노드 전극이 형성된 상기 기판 전체 표면 위에 공통으로 제1 정공수송층을 도포하는 단계;
상기 제1 정공수송층이 형성된 상기 기판 위에 포토레지스트를 도포하고, 발광 영역을 노출하도록 패턴하는 단계;
상기 패턴된 포토레지스트를 포함하는 상기 기판 전체 표면 위에 제2 정공수송층 및 유기발광 층을 순차적으로 도포하는 단계;
상기 포토레지스트를 제거하여 상기 발광 영역만에 상기 제2 정공수송층 및 상기 유기발광 층을 남기는 단계; 그리고
상기 유기발광 층이 완성된 상기 기판 전체 표면 위에 캐소드 전극을 도포하는 단계를 포함하고,
상기 제1 정공수송층을 형성하는 단계 이전에, 상기 애노드 전극 위에서 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 정공주입층을 도포하는 단계;
상기 캐소드 전극을 도포하는 단계 이전에, 상기 유기발광 층이 완성된 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 전자수송층을 도포하는 단계; 그리고
상기 전자수송층이 배치된 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 전자주입층을 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법.
Partitioning pixel regions arranged in a matrix manner on a substrate;
Forming an anode electrode in the pixel region;
Coating a first hole transport layer on the entire surface of the substrate on which the anode electrode is formed;
Applying a photoresist on the substrate on which the first hole transport layer is formed, and patterning the photoresist to expose a light emitting region;
Sequentially applying a second hole transport layer and an organic light emitting layer on the entire surface of the substrate including the patterned photoresist;
Removing the photoresist to leave the second hole transport layer and the organic light emitting layer only in the light emitting region; And
Applying a cathode on the entire surface of the substrate on which the organic light emitting layer is completed;
Prior to forming the first hole transport layer, applying a hole injection layer on the anode electrode in common across the substrate surface;
Prior to applying the cathode electrode, applying an electron transport layer on the entire surface of the substrate on which the organic light emitting layer is completed; And
And coating an electron injection layer on the entire surface of the substrate on which the electron transport layer is disposed.
삭제delete 삭제delete 기판에 매트릭스 방식으로 배열된 화소 영역을 구획하는 단계;
상기 화소 영역 내에 애노드 전극을 형성하는 단계;
상기 애노드 전극이 형성된 상기 기판 전체 표면 위에 공통으로 제1 정공수송층을 도포하는 단계;
상기 제1 정공수송층이 형성된 상기 기판 위에 포토레지스트를 도포하고, 발광 영역을 노출하도록 패턴하는 단계;
상기 패턴된 포토레지스트를 포함하는 상기 기판 전체 표면 위에 제2 정공수송층 및 유기발광 층을 순차적으로 도포하는 단계;
상기 포토레지스트를 제거하여 상기 발광 영역만에 상기 제2 정공수송층 및 상기 유기발광 층을 남기는 단계; 그리고
상기 유기발광 층이 완성된 상기 기판 전체 표면 위에 캐소드 전극을 도포하는 단계를 포함하고,
상기 패턴된 포토레지스트를 포함하는 상기 기판 전체 표면 위에 상기 제2 정공수송층 및 상기 유기발광 층을 순차적으로 도포하는 단계에서, 상기 유기발광 층 위에 제1 전자수송층을 더 도포하고,
상기 포토레지스트를 제거하는 단계에서, 상기 발광 영역만에 상기 제2 정공수송층, 상기 유기발광 층, 그리고 상기 제1 전자수송층을 남기며;
상기 제1 정공수송층을 도포하는 단계 이전에, 상기 애노드 전극 위에서 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 정공주입층을 도포하는 단계;
상기 캐소드 전극을 도포하는 단계 이전에, 상기 제1 전자수송층이 형성된 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 제2 전자수송층을 도포하는 단계; 그리고
상기 제2 전자 수송층이 도포된 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 전자주입층을 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법.
Partitioning pixel regions arranged in a matrix manner on a substrate;
Forming an anode electrode in the pixel region;
Coating a first hole transport layer on the entire surface of the substrate on which the anode electrode is formed;
Applying a photoresist on the substrate on which the first hole transport layer is formed, and patterning the photoresist to expose a light emitting region;
Sequentially applying a second hole transport layer and an organic light emitting layer on the entire surface of the substrate including the patterned photoresist;
Removing the photoresist to leave the second hole transport layer and the organic light emitting layer only in the light emitting region; And
Applying a cathode on the entire surface of the substrate on which the organic light emitting layer is completed;
In the step of sequentially applying the second hole transport layer and the organic light emitting layer on the entire surface of the substrate including the patterned photoresist, further applying a first electron transport layer on the organic light emitting layer,
Removing the photoresist, leaving the second hole transport layer, the organic light emitting layer, and the first electron transport layer only in the light emitting region;
Prior to applying the first hole transport layer, applying a hole injection layer on the anode electrode in common over the entire surface of the substrate;
Before applying the cathode electrode, coating a second electron transport layer on the entire surface of the substrate on which the first electron transport layer is formed; And
And coating an electron injection layer on the entire surface of the substrate on which the second electron transport layer is applied.
기판에 매트릭스 방식으로 배열된 화소 영역을 구획하는 단계;
상기 화소 영역 내에 애노드 전극을 형성하는 단계;
상기 애노드 전극이 형성된 상기 기판 전체 표면 위에 공통으로 제1 정공수송층을 도포하는 단계;
상기 제1 정공수송층이 형성된 상기 기판 위에 포토레지스트를 도포하고, 발광 영역을 노출하도록 패턴하는 단계;
상기 패턴된 포토레지스트를 포함하는 상기 기판 전체 표면 위에 제2 정공수송층 및 유기발광 층을 순차적으로 도포하는 단계;
상기 포토레지스트를 제거하여 상기 발광 영역만에 상기 제2 정공수송층 및 상기 유기발광 층을 남기는 단계; 그리고
상기 유기발광 층이 완성된 상기 기판 전체 표면 위에 캐소드 전극을 도포하는 단계를 포함하고,
상기 제1 정공수송층을 형성하는 단계 이전에, 상기 애노드 전극 위에서 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 정공주입층을 도포하는 단계를 더 포함하며,
상기 패턴된 포토레지스트를 포함하는 상기 기판 전체 표면 위에 상기 제2 정공수송층 및 상기 유기발광 층을 순차적으로 도포하는 단계에서, 상기 유기발광 층 위에, 전자수송층, 전자주입층, 그리고 보조 캐소드 전극을 순차적으로 도포하고,
상기 포토레지스트를 제거하는 단계에서, 상기 발광 영역에만 상기 제2 정공수송층, 상기 유기발광 층, 상기 전자수송층, 상기 전자주입층, 그리고 상기 제1 캐소드 전극을 남기며,
상기 캐소드 전극을 도포하는 단계에서, 상기 캐소드 전극은 상기 보조 캐소드 전극이 형성된 상기 기판 표면 전체에 걸쳐 공통으로 도포하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법.
Partitioning pixel regions arranged in a matrix manner on a substrate;
Forming an anode electrode in the pixel region;
Coating a first hole transport layer on the entire surface of the substrate on which the anode electrode is formed;
Applying a photoresist on the substrate on which the first hole transport layer is formed, and patterning the photoresist to expose a light emitting region;
Sequentially applying a second hole transport layer and an organic light emitting layer on the entire surface of the substrate including the patterned photoresist;
Removing the photoresist to leave the second hole transport layer and the organic light emitting layer only in the light emitting region; And
Applying a cathode on the entire surface of the substrate on which the organic light emitting layer is completed;
Prior to forming the first hole transport layer, the method further includes applying a hole injection layer on the anode electrode in common over the entire surface of the substrate,
In the step of sequentially applying the second hole transport layer and the organic light emitting layer on the entire surface of the substrate including the patterned photoresist, the electron transport layer, the electron injection layer, and the auxiliary cathode electrode sequentially on the organic light emitting layer Apply with
In the step of removing the photoresist, leaving the second hole transport layer, the organic light emitting layer, the electron transport layer, the electron injection layer, and the first cathode electrode only in the emission region,
The method of manufacturing the organic light emitting diode display device, wherein in the applying of the cathode electrode, the cathode electrode is commonly coated on the entire surface of the substrate on which the auxiliary cathode electrode is formed.
제1항, 제4항, 제5항 중 어느 한 항에 있어서
상기 유기발광 층은,
적색 유기발광 층, 녹색 유기발광 층 및 청색 유기발광 층 중 어느 하나가 상기 화소 영역별로 할당되어 배치되는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method according to any one of claims 1, 4, and 5,
The organic light emitting layer,
An organic light emitting diode display device, wherein any one of a red organic light emitting layer, a green organic light emitting layer, and a blue organic light emitting layer is allocated to each pixel area.
제6항, 제9항, 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 포토레지스트를 패턴하는 단계에서, 적색, 녹색 및 청색 중 어느 한 발광 영역을 노출하도록 패턴하고;
상기 패턴된 포토레지스트를 포함하는 상기 기판 전체 표면 위에 상기 제2 정공수송층 및 상기 유기발광 층을 순차적으로 도포하는 단계에서, 상기 제2 정공수송층, 그리고 적색, 녹색 및 청색 유기발광 층 중 어느 하나를 도포하고;
상기 포토레지스트를 제거하는 단계에서, 상기 적색, 녹색 및 청색 각각의 발광 영역에만 상기 제2 정공수송층, 그리고 상기 적색, 녹색 및 청색 유기발광 층 중 어느 하나를 남기는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법.
The method according to any one of claims 6, 9, 10,
Patterning the photoresist so as to expose any one of red, green and blue light emitting regions;
In the step of sequentially applying the second hole transport layer and the organic light emitting layer on the entire surface of the substrate including the patterned photoresist, one of the second hole transport layer and the red, green and blue organic light emitting layer Apply;
In the removing of the photoresist, the organic light emitting diode display device, wherein any one of the second hole transport layer and the red, green, and blue organic light emitting layers is left in each of the red, green, and blue light emitting regions. Manufacturing method.
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