KR102122518B1

KR102122518B1 - Transparent Organic Light Emitting Diode Display Having Hight Transmittance And Method For Manufacturing The Same

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Publication number: KR102122518B1
Application number: KR1020120151438A
Authority: KR
Inventors: 도의두; 김영미; 김민기; 허준영; 박한선; 이연경; 김동윤; 박용민
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2012-12-21
Filing date: 2012-12-21
Publication date: 2020-06-15
Also published as: KR20140082090A

Abstract

본 발명은 고 투과율 및 고 휘도를 갖는 투명 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판에 매트릭스 방식으로 배열되고, 발광부와 투과부를 포함하는 화소 영역; 상기 기판 위에서 상기 화소 영역을 정의하는 스캔 배선, 데이터 배선 및 구동 전류 배선; 그리고 상기 투과부를 제외한 상기 발광부에 형성된 유기발광 다이오드를 포함한다. 본 발명에 의한 투명 유기발광 다이오드 표시장치는 표시장치일 뿐만 아니라, 투과도가 높은 투명 패널로 전환할 수 있어, 헤드-업 표시장치와 같은 다양한 분야에 응용할 수 있다.The present invention relates to a transparent organic light emitting diode display having a high transmittance and high luminance and a manufacturing method thereof. An organic light emitting diode display device according to the present invention is arranged in a matrix manner on a substrate, and includes a pixel region including a light emitting portion and a transmitting portion; Scan wiring, data wiring and driving current wiring defining the pixel region on the substrate; And it includes an organic light emitting diode formed in the light emitting portion except the transmission portion. The transparent organic light emitting diode display device according to the present invention is not only a display device, but also can be converted into a transparent panel having high transmittance, and can be applied to various fields such as a head-up display device.

Description

High transmittance transparent organic light emitting diode display device and its manufacturing method {Transparent Organic Light Emitting Diode Display Having Hight Transmittance And Method For Manufacturing The Same}

본 발명은 고 투과율 및 고 휘도를 갖는 투명 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 화소 영역이 유기발광 다이오드가 배치된 발광 영역과 투과도가 높은 투과 영역을 포함하는 고 휘도 투명 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a transparent organic light emitting diode display having a high transmittance and high luminance and a manufacturing method thereof. In particular, the present invention relates to a high-brightness transparent organic light emitting diode display device and a method for manufacturing the same, wherein the pixel region includes a light emitting region in which an organic light emitting diode is disposed and a high transmittance region.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치 (Electroluminescence Device, EL) 등이 있다. Recently, various flat panel display devices that can reduce weight and volume, which are disadvantages of a cathode ray tube, have been developed. Such flat panel displays include liquid crystal displays (LCDs), field emission displays (FEDs), plasma display panels (PDPs), and electroluminescence devices (ELs). have.

전계발광장치는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광장치와 유기발광다이오드장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.The electroluminescent device is classified into an inorganic electroluminescent device and an organic light emitting diode device depending on the material of the light emitting layer, and is a self-luminous device that emits light by itself, and has a fast response speed, high luminous efficiency, high brightness and wide viewing angle.

도 1은 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면이다. 유기발광 다이오드는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다. 1 is a view showing the structure of an organic light emitting diode. The organic light emitting diode includes an organic electroluminescent compound layer that emits light as shown in FIG. 1, and an opposite cathode electrode and an anode electrode that are disposed with the organic electroluminescent compound layer interposed therebetween. The organic electroluminescent compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (Electron injection layer) layer, EIL).

유기발광다이오드는 애노드 전극(Anode)과 캐소드 전극(Cathode)에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다. 유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드의 발광층(EML)에서 발생하는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.The organic light-emitting diode excites in the excitation process when holes and electrons injected into the anode and cathode recombine in the emission layer EML, and emits light due to energy from the exciton. The organic light emitting diode display device displays an image by electrically controlling the amount of light generated in the light emitting layer EML of the organic light emitting diode as shown in FIG. 1.

전계발광소자인 유기발광 다이오드의 특징을 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLEDD)에는 패시브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)와 액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)로 대별된다.An organic light emitting diode display (OLED) using the characteristics of an organic light emitting diode, which is an electroluminescent device, includes a passive matrix type organic light emitting diode display (PMOLED) and an active matrix. It is classified as an active matrix type organic light emitting diode display (AMOLED).

액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(AMOLED)는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, 혹은 "TFT")를 이용하여 유기발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다.The active matrix type organic light emitting diode display (AMOLED) displays an image by controlling a current flowing through the organic light emitting diode using a thin film transistor (or "TFT").

도 2는 AMOLED에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도의 한 예이다. 도 3은 AMOLED에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 AMOLED의 구조를 나타내는 단면도이다.2 is an example of an equivalent circuit diagram showing the structure of one pixel in an AMOLED. 3 is a plan view showing the structure of one pixel in an AMOLED. 4 is a cross-sectional view showing the structure of the AMOLED cut along the perforation line I-I' in FIG. 3.

도 2 내지 3을 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.2 to 3, the active matrix organic light emitting diode display includes a switching thin film transistor (ST), a driving TFT (DT) connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode (OLED) connected to the driving TFT (DT). .

스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다. 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT) 사이에는 유기발광 층(OLE)이 개재되어 있다. 캐소드 전극(CAT)은 기저 전압(VSS)에 연결된다. 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 구동 전류 배선(VDD) 사이 혹은 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD) 사이에는 보조 용량(Cst)이 배치된다.The switching TFT ST is formed at a region where the scan wiring SL and the data wiring DL intersect. The switching TFT (ST) functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG branching from the scan wiring SL, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD. Further, the driving TFT DT serves to drive the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a semiconductor layer DA, a source electrode DS connected to the driving current line VDD, and a drain electrode ( DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLED. An organic light emitting layer OLE is interposed between the anode electrode ANO and the cathode electrode CAT. The cathode electrode CAT is connected to the ground voltage VSS. The auxiliary capacitance Cst is between the gate electrode DG of the driving TFT DT and the driving current wiring VDD or between the gate electrode DG of the driving TFT DT and the drain electrode DD of the driving TFT DT. It is placed.

좀 더 상세히 살펴보기 위해 도 4를 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치의 기판(SUB) 상에 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(SG, DG)이 형성되어 있다. 그리고 게이트 전극(SG, DG) 위에는 게이트 절연막(GI)이 덮고 있다. 게이트 전극(SG, DG)과 중첩되는 게이트 절연막(GI)의 일부에 반도체 층(SA, DA)이 형성되어 있다. 반도체 층(SA, DA) 위에는 일정 간격을 두고 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)이 마주보고 형성된다. 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉한다. 이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)를 덮는 보호막(PAS)이 전면에 도포된다.4, gate electrodes SG and DG of the switching TFT ST and the driving TFT DT are formed on the substrate SUB of the active matrix organic light emitting diode display. The gate insulating layer GI is covered on the gate electrodes SG and DG. Semiconductor layers SA and DA are formed on a portion of the gate insulating layer GI overlapping the gate electrodes SG and DG. On the semiconductor layers SA and DA, the source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD are formed facing each other at regular intervals. The drain electrode SD of the switching TFT ST contacts the gate electrode DG of the driving TFT DT through a contact hole formed in the gate insulating film GI. A protective film PAS covering the switching TFT ST and the driving TFT DT having such a structure is applied to the entire surface.

이와 같이 박막 트랜지스터들(ST, DT)이 형성된 기판은 여러 구성 요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 유기발광 층(OLE)는 평탄한 표면에 형성되어야 발광이 일정하고 고르게 발산될 수 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다.As described above, the substrate on which the thin film transistors ST and DT are formed has various components, and thus the surface is not flat, and many steps are formed. The organic light emitting layer OLE needs to be formed on a flat surface so that light emission can be uniformly and evenly emitted. Therefore, an overcoat layer (OC) is applied to the entire surface of the substrate for the purpose of flattening the surface of the substrate.

그리고 오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호막(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.And the anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLED is formed on the overcoat layer OC. Here, the anode electrode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving TFT DT through a contact hole formed in the overcoat layer OC and the passivation layer PAS.

애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크(BANK)를 형성한다. 뱅크(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다. 뱅크(BANK)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OLE)을 형성한다. 유기발광 층(OLE) 위에는 캐소드 전극층(CAT)이 형성된다.A bank BANK is formed on the substrate on which the anode electrode ANO is formed, and on the region where the switching TFT ST, the driving TFT DT, and the various wirings DL, SL, and VDD are formed to define the pixel region. The anode electrode ANO exposed by the bank BANK becomes a light emitting region. The organic light emitting layer OLE is formed on the anode electrode ANO exposed by the bank BANK. The cathode electrode layer CAT is formed on the organic emission layer OLE.

하부 발광형(Bottom Emission)이며, 풀-칼라를 구현하는 유기발광 다이오드 표시장치의 경우, 오버코트 층(OC)과 보호막(PAS) 사이에 칼라 필터를 더 포함하고, 애노드 전극(ANO)은 투명 도전물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 유기발광 층(OLE)은 백색광을 발현하는 유기물질로 이루어질 수 있다. 그리고 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극(CAT)은 기판 전체 표면에 걸쳐 도포될 수 있다.In the case of an organic light emitting diode display having a bottom emission type and implementing full-color, a color filter is further included between the overcoat layer (OC) and the passivation layer (PAS), and the anode electrode (ANO) is transparent conductive It may contain substances. In this case, the organic light emitting layer (OLE) may be made of an organic material that expresses white light. In addition, the organic light emitting layer OLE and the cathode electrode CAT may be applied over the entire surface of the substrate.

한편, 상부 발광형(Top Emission) 풀-칼라를 구현하는 유기발광 다이오드 표시장치의 경우, 애노드 전극(ANO)은 반사 전극으로 형성한다. 그리고 유기발광 층(OLE)이 적색, 녹색, 청색 중 어느 한 색상을 발현하는 유기물질로 이루어질 수 있다. 그리고 캐소드 전극(CAT)은 기판 전체 표면에 걸쳐 도포될 수 있다. 또 다른 예로, 유기발광 층(OLE)이 백색광을 발현하는 유기물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극(CAT)은 기판 전체 표면에 걸쳐 도포될 수 있다. 그리고 유기발광 층(OLE) 위에 혹은 캐소드 전극(CAT) 위에 칼라 필터가 형성될 수 있다.Meanwhile, in the case of an organic light emitting diode display device that implements a top emission type full-color, the anode electrode ANO is formed as a reflective electrode. And the organic light emitting layer (OLE) may be made of an organic material that expresses any one of red, green, and blue colors. In addition, the cathode electrode CAT may be applied over the entire surface of the substrate. As another example, the organic light emitting layer (OLE) may be made of an organic material that expresses white light. In this case, the organic light emitting layer OLE and the cathode electrode CAT may be applied over the entire surface of the substrate. In addition, a color filter may be formed on the organic emission layer OLE or on the cathode electrode CAT.

상기 설명한 현재 주로 사용하는 유기발광 다이오드 표시장치는 상부 발광 혹은 하부 발광 방식의 표시장치로 사용되고 있다. 특히, 자발광 소자이므로 액정 표시장치처럼 백 라이트 유닛이 필요 없어 박형 표시장치 구현에 더욱 유리하다. 그리고, 광 손실이 적어 저 전력으로 더 밝은 표시장치를 구현할 수 있다. 하지만, 유기발광 층의 수명 및 제조 공정의 안정화가 이루어지지 않아 다양한 응용 분야에 적용할 수 있는 방안의 개발이 미비한 상태이다.The organic light emitting diode display mainly used as described above is used as a display device of an upper emission or lower emission method. In particular, since it is a self-luminous element, it does not require a backlight unit like a liquid crystal display device, which is more advantageous for implementing a thin display device. In addition, a lighter display device with low power may be realized due to low light loss. However, since the life of the organic light emitting layer and the stabilization of the manufacturing process are not achieved, development of a method that can be applied to various application fields is insufficient.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써, 다양한 응용이 가능한 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 표시 장치로 활용할 수 있으면서, 사용하지 않을 경우에는 투명 상태를 유지함으로써 다양한 분야에서 활용할 수 있는 투명 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명의 또 다른 방법은, 발광부에는 유기발광 다이오드가 형성되고 투과부에는 발광 소자들이 형성되지 않아 고 투과율 및 고 휘도를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display device capable of various applications and a method of manufacturing the same as an invention devised to solve the problems of the prior art. Another object of the present invention is to provide a transparent organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same, which can be utilized as a display device and can be utilized in various fields by maintaining a transparent state when not in use. Another method of the present invention is to provide an organic light emitting diode display device having a high transmittance and high luminance because an organic light emitting diode is formed in the light emitting unit and no light emitting elements are formed in the transmitting unit, and a method for manufacturing the same.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판에 매트릭스 방식으로 배열되고, 발광부와 투과부를 포함하는 화소 영역; 상기 기판 위에서 상기 화소 영역을 정의하는 스캔 배선, 데이터 배선 및 구동 전류 배선; 그리고 상기 투과부를 제외한 상기 발광부에 형성된 유기발광 다이오드를 포함한다.In order to achieve the above object, an organic light emitting diode display device according to the present invention is arranged in a matrix manner on a substrate and includes a pixel region including a light emitting portion and a transmitting portion; Scan wiring, data wiring and driving current wiring defining the pixel region on the substrate; And it includes an organic light emitting diode formed in the light emitting portion except the transmission portion.

상기 화소 영역 내에 형성되며, 상기 유기발광 다이오드에 연결된 박막 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that it further comprises a thin film transistor formed in the pixel region and connected to the organic light emitting diode.

상기 박막 트랜지스터는, 상기 스캔 배선과 상기 데이터 배선에 연결된 스위칭 박막 트랜지스터; 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 구동 전류 배선 사이에 연결된 구동 박막 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 유기발광 다이오드에 연결된 것을 특징으로 한다.The thin film transistor may include a switching thin film transistor connected to the scan wiring and the data wiring; The driving thin film transistor further includes a driving thin film transistor connected between the drain electrode of the switching thin film transistor and the driving current line, and the drain electrode of the driving thin film transistor is connected to the organic light emitting diode.

상기 유기발광 다이오드는, 상기 구동 박막 트랜지스터의 상기 드레인 전극에 연결된 상기 제1 전극; 상기 제1 전극 위에 도포된 유기발광 층; 그리고 상기 유기발광 층 위에 형성된 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.The organic light emitting diode may include: the first electrode connected to the drain electrode of the driving thin film transistor; An organic light emitting layer applied on the first electrode; And it characterized in that it comprises a second electrode formed on the organic light emitting layer.

또한, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 제조 방법은, 기판에 발광부와 투과부를 포함하는 화소 영역을 구획하는 단계; 상기 투과부를 제외한 상기 발광부에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 발광부 및 상기 투과부를 노출하는 뱅크를 형성하는 단계; 상기 뱅크가 형성된 상기 기판 표면 위에 포토레지스트를 도포하고, 상기 발광부를 노출하도록 패턴하는 단계; 상기 패턴된 포토레지스트를 포함하는 상기 기판 표면 위에 유기발광 층 및 제2 전극을 연속으로 도포하는 단계; 그리고 상기 포토레지스트를 제거하여 상기 투과부를 제외한 상기 발광부에 상기 유기발광 층과 상기 제2 전극을 남기는 단계를 포함한다.In addition, a method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to the present invention includes: dividing a pixel region including a light emitting part and a transmitting part on a substrate; Forming a first electrode on the light emitting portion excluding the transmissive portion; Forming a bank exposing the light emitting portion and the transmitting portion; Applying a photoresist on the surface of the substrate on which the bank is formed, and patterning to expose the light emitting portion; Continuously applying an organic light emitting layer and a second electrode on the substrate surface including the patterned photoresist; And removing the photoresist to leave the organic light emitting layer and the second electrode in the light emitting portion excluding the transmissive portion.

상기 포토레지스트를 패턴하는 단계는, 상기 발광부를 노출하도록 패턴된 경계부가 역 테이퍼 형상을 갖도록 패턴하는 것을 특징으로 한다.The step of patterning the photoresist is characterized in that the boundary portion patterned to expose the light emitting portion has a reverse tapered shape.

상기 포토레지스트를 제거하는 단계는, 상기 포토레지스트 위에 도포된 상기 제2 전극과 분리 필름을 합착하는 단계; 그리고 상기 분리 필름을 벗겨내어 상기 포토레지스트 및 상기 포토레지스트 위에 도포된 상기 유기발광 층과 상기 제2 전극을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The removing of the photoresist may include bonding the second electrode and a separation film coated on the photoresist; And removing the separation film to remove the photoresist and the organic light emitting layer and the second electrode applied on the photoresist.

상기 포토레지스트를 제거하는 단계는, 상기 유기발광 층과 상기 제2 전극이 도포된 상태에서, 제2 포토레지스트를 도포하고 패턴하여, 상기 발광부에 도포된 상기 유기발광 층과 상기 제2 전극을 덮고, 상기 투과부에 도포된 상기 포토레지스트 및 상기 포토레지스트 위에 도포된 상기 유기발광 층과 상기 제2 전극을 노출하는 단계; 그리고 상기 노출된 상기 포토레지스트 및 상기 포토레지스트 위에 도포된 상기 유기발광 층과 상기 제2 전극을 건식 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the step of removing the photoresist, in the state in which the organic light emitting layer and the second electrode are applied, a second photoresist is applied and patterned to remove the organic light emitting layer and the second electrode applied to the light emitting unit. Covering, exposing the photoresist applied to the transmissive part and the organic light emitting layer and the second electrode applied on the photoresist; And it characterized in that it comprises the step of dry etching the exposed photoresist and the organic light emitting layer and the second electrode coated on the photoresist.

상기 포토레지스트를 제거하는 단계는, 상기 포토레지스트를 용해하는 스트립 용제로 제거하는 것을 특징으로 한다.The step of removing the photoresist is characterized in that the photoresist is removed with a strip solvent.

상기 포토레지스트는 광이합체화 반응을 이용하는 고불소계 포토레지스트 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.The photoresist is characterized by including a high fluorine-based photoresist material using a photodimerization reaction.

본 발명은 한 화소 내에 발광부와 투과부를 구비하여 작동시에는 표시장치로 활용할 수 있고, 사용하지 않을 경우에는 투명 상태를 유지하는 투명 유기발광 다이오드 표시장치를 제공한다. 또한, 본 발명에 의한 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 제조 방법은, 선택적으로 발광 영역에만 유기발광 층 및 캐소드 전극을 형성할 수 있도록 한다. 따라서, 표시장치로 활용하지 않을 경우에, 투과부의 투과도가 향상되어, 뒤쪽 배경을 정확하게 인지할 수 있는 장점이 있다. 따라서, 본 발명에 의한 투명 유기발광 다이오드 표시장치는 표시장치일 뿐만 아니라, 투과도가 높은 투명 패널로 전환할 수 있어, 헤드-업 표시장치와 같은 다양한 분야에 응용할 수 있다.The present invention provides a transparent organic light emitting diode display device having a light emitting unit and a transmitting unit in one pixel, which can be utilized as a display device when operating, and maintains a transparent state when not in use. In addition, the manufacturing method of the transparent organic light emitting diode display device according to the present invention allows the organic light emitting layer and the cathode electrode to be selectively formed only in the light emitting region. Therefore, when it is not used as a display device, the transmittance of the transmissive part is improved, and there is an advantage of accurately recognizing the back background. Accordingly, the transparent organic light emitting diode display device according to the present invention is not only a display device, but also can be converted into a transparent panel having high transmittance, and can be applied to various fields such as a head-up display device.

도 1은 유기발광다이오드소자를 나타내는 도면.
도 2는 AMOLED에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도.
도 3은 AMOLED에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 AMOLED의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명에 의한 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 6은 도 5에서 절취선 II-II'로 자른 도면으로, 본 발명의 제1 실시 예에 의한, 하부 발광형 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 7은 도 5에서 절취선 II-II'로 자른 도면으로, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 8은 본 발명의 제3 실시 예에 의한 상부 발광형 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 9는 도 8에서 절취선 IV-IV'으로 자른 단면으로, 본 발명의 제3 실시 예에 의한 상부 발광형 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 10a 내지 10c는 도 5의 절취선 III-III'로 자른 도면들로서, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들.
도 11a 내지 11c는 본 발명에 의한 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 제조 방법에서 적용하는 다양한 리프트-오프 공정들을 나타내는 단면도들.1 is a view showing an organic light emitting diode device.
2 is an equivalent circuit diagram showing the structure of one pixel in an AMOLED.
3 is a plan view showing the structure of one pixel in AMOLED.
Figure 4 is a cross-sectional view showing the structure of the AMOLED cut to the line I-I' in FIG.
5 is a plan view showing a structure of a transparent organic light emitting diode display device according to the present invention.
6 is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 5, and is a cross-sectional view showing a structure of a lower emission type transparent organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
7 is a view taken along line II-II' of FIG. 5, and is a cross-sectional view showing the structure of a transparent organic light emitting diode display according to a second embodiment of the present invention.
8 is a plan view showing a structure of an upper emission type transparent organic light emitting diode display according to a third embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view taken along line IV-IV' of FIG. 8 and is a cross-sectional view showing the structure of the upper emission type transparent organic light emitting diode display according to the third embodiment of the present invention.
10A to 10C are cross-sectional views taken along line III-III' of FIG. 5, and are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a transparent organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.
11A to 11C are cross-sectional views illustrating various lift-off processes applied in a method of manufacturing a transparent organic light emitting diode display device according to the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Throughout the specification, the same reference numbers refer to substantially the same components. In the following description, when it is determined that the detailed description of the known technology or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted.

이하, 도 5 및 6을 참조하여 본 발명의 제1 실시 예를 설명한다. 도 5는 본 발명에 의한 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 6은 도 5에서 절취선 II-II'로 자른 도면으로, 본 발명의 제1 실시 예에 의한, 하부 발광형 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6. 5 is a plan view showing the structure of a transparent organic light emitting diode display device according to the present invention. 6 is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 5, and is a cross-sectional view showing the structure of a lower emission type transparent organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.

본 발명의 제1 실시 예에 의한 하부 발광형 투명 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 특히, 제1 실시 예에서는 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치에 대하여 설명한다.The lower emission type transparent organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention includes a switching thin film transistor (ST), a driving TFT (DT) connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode (OLED) connected to the driving TFT (DT). It includes. In particular, in the first embodiment, a lower emission type organic light emitting diode display device will be described.

투명 유기발광 다이오드 표시장치에서 하나의 화소 영역은, 화상을 표현하는 발광부(LEA)와 뒷 배경을 그냥 통과하는 투과부(TRA)를 포함한다. 따라서, 스캔 배선(SL), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDD)에 의해 화소 영역이 정의되고, 화소 영역은 다시 발광부(LEA)와 투과부(TRA)로 나뉜다. 또한 화소 영역은 박막 트랜지스터들(ST, DT)이 형성된 비 발광부도 포함한다.In the transparent organic light emitting diode display, one pixel area includes a light emitting unit (LEA) representing an image and a transmitting unit (TRA) passing through the back background. Therefore, the pixel area is defined by the scan line SL, the data line DL, and the driving current line VDD, and the pixel area is further divided into a light emitting part LEA and a transmission part TRA. In addition, the pixel area also includes a non-light emitting portion in which thin film transistors ST and DT are formed.

도 6을 더 참조하면, 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 기판(SUB) 상에 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(SG, DG)이 형성되어 있다. 그리고 게이트 전극(SG, DG) 위에는 게이트 절연막(GI)이 덮고 있다. 게이트 전극(SG, DG)과 중첩되는 게이트 절연막(GI)의 일부에 반도체 층(SA, DA)이 형성되어 있다. 반도체 층(SA, DA) 위에는 일정 간격을 두고 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)이 마주보고 형성된다. 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 드레인 콘택 홀(DH)을 통해 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉한다. 이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)를 덮는 보호막(PAS)이 전면에 도포된다.6, gate electrodes SG and DG of the switching TFT ST and the driving TFT DT are formed on the substrate SUB of the transparent organic light emitting diode display. The gate insulating layer GI is covered on the gate electrodes SG and DG. Semiconductor layers SA and DA are formed on a portion of the gate insulating layer GI overlapping the gate electrodes SG and DG. On the semiconductor layers SA and DA, the source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD are formed facing each other at regular intervals. The drain electrode SD of the switching TFT ST contacts the gate electrode DG of the driving TFT DT through the drain contact hole DH formed in the gate insulating film GI. A protective film PAS covering the switching TFT ST and the driving TFT DT having such a structure is applied to the entire surface.

보호막(PAS) 위에는 칼라 필터(CF)가 배치된다. 칼라 필터(CF)는 발광부(LEA)에만 형성하여야 한다. 따라서, 추후에 형성되는 애노드 전극(ANO)이 형성될 위치에 국한적으로 형성하는 것이 바람직하다. 풀-칼라(Full Color)를 구현하기 위해서, 칼라 필터(CF)는 적색, 녹색, 청색 염료 중 어느 하나를 포함한다. 그리고 적,녹,청(RGB) 칼라 필터(CF)들이 화소 별로 순차적으로 배열된다.The color filter CF is disposed on the passivation layer PAS. The color filter CF should be formed only on the light emitting part LEA. Therefore, it is preferable to form the anode electrode ANO, which is formed later, to be limited to the position to be formed. To realize full color, the color filter CF includes any one of red, green, and blue dyes. And red, green, and blue (RGB) color filters CF are sequentially arranged for each pixel.

이와 같이 박막 트랜지스터들(ST, DT)이 형성된 기판은 여러 구성 요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 유기발광 층(OLE)은 평탄한 표면에 형성되어야 발광이 일정하고 고르게 발산될 수 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다.As described above, the substrate on which the thin film transistors ST and DT are formed has various components, and thus the surface is not flat, and many steps are formed. The organic light emitting layer OLE must be formed on a flat surface so that light emission can be uniformly and evenly emitted. Therefore, an overcoat layer (OC) is applied to the entire surface of the substrate for the purpose of flattening the surface of the substrate.

그리고 오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호막(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다. 특히, 애노드 전극(ANO)은 발광부(LEA)에만 형성하는 것이 바람직하다. 발광부(LEA)와 투과부(TRA)의 비율은 특별히 정해지지 않는다. 설계 의도 및 발광부(LEA)의 휘도 조건에 따라 다양하게 조절할 수 있다.And the anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLED is formed on the overcoat layer OC. The anode electrode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving TFT DT through a contact hole formed in the overcoat layer OC and the passivation layer PAS. In particular, it is preferable to form the anode electrode ANO only in the light emitting part LEA. The ratio of the light emitting portion LEA and the transmitting portion TRA is not particularly determined. Various adjustments can be made according to design intent and luminance conditions of the light emitting part LEA.

제1 실시 예는 하부 발광형(Bottom Emission) 풀-칼라를 구현하는 유기발광 다이오드 표시장치에 대한 설명이다. 따라서, 제1 실시 예의 애노드 전극(ANO)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO (Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 도전 물질을 포함하는 것이 바람직하다.The first embodiment is a description of an organic light emitting diode display device that implements a bottom emission full-color. Therefore, it is preferable that the anode electrode ANO of the first embodiment includes a transparent conductive material such as Indium Tin Oxide (ITO) or Indium Zinc Oxide (IZO).

애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에 뱅크(BANK)를 형성한다. 뱅크(BANK)는 발광부(LEA)와 투과부(TRA)를 구분하면서 각각 노출하는 형태를 갖는 것이 바람직하다. 하지만 필요에 따라서는 발광부(LEA)와 투과부(TRA)를 구분하지 않고, 모두 노출하는 형태를 가질 수도 있다. 또는, 발광부(LEA)는 노출하고, 투과부(TRA)는 노출하지 않는 형태를 가질 수도 있다. 뱅크(BANK)에 의해 발광부(LEA)에서 노출된 애노드 전극(ANO)이 실제 발광 영역이 된다.A bank BANK is formed on the substrate on which the anode electrode ANO is formed. It is preferable that the bank BANK has a form of exposing the light emitting part LEA and the transmitting part TRA, respectively. However, if necessary, the light emitting part LEA and the transmissive part TRA are not distinguished, but they may have a form of exposing both. Alternatively, the light emitting part LEA may be exposed and the transmissive part TRA may not be exposed. The anode electrode ANO exposed from the light emitting part LEA by the bank BANK becomes an actual light emitting area.

뱅크(BANK)에 의해 적어도 발광부(LEA)의 애노드 전극(ANO)이 노출된 기판(SUB) 표면 위에 유기발광 층(OLE)을 도포한다. 애노드 전극(ANO) 하부에 칼라 필터(CF)가 구비된 하부 발광 방식이므로, 유기발광 층(OLE)는 백색광을 발현하는 유기 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 그리고 유기발광 층(OLE) 위에는 캐소드 전극(CAT)을 도포한다. 이로써, 애노드 전극(ANO), 유기발광 층(OLE) 및 캐소드 전극(CAT)을 포함하며, 구동 TFT(DT)에 의해 구동되는 유기발광 다이오드(OLED)가 완성된다. The organic light emitting layer OLE is coated on the surface of the substrate SUB to which at least the anode electrode ANO of the light emitting part LEA is exposed by the bank BANK. Since the color filter CF is provided below the anode electrode ANO, the organic light emitting layer OLE preferably includes an organic material that expresses white light. And the cathode electrode CAT is applied on the organic light emitting layer OLE. As a result, an organic light emitting diode (OLED) including an anode electrode (ANO), an organic light emitting layer (OLE), and a cathode electrode (CAT) and driven by a driving TFT (DT) is completed.

투명 유기발광 다이오드 표시장치의 패널 크기가 15인치 이하의 소형인 경우, 유기발광 층(OLE)을 애노드 전극(ANO) 위에만 선택적으로 도포할 수 있다. 특히, 스크린 마스크를 사용하여 단순한 제조 공정으로도 특정 영역에만 유기발광 층(OLE)을 도포할 수 있다. 하지만, 20인치 이상 100인치에 이르는 대면적 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 경우에는 스크린 마스크를 사용하여 대면적에서 특정 영역에만 유기발광 층(OLE)을 도포하는 것은 실제로 불가능하다. 특히, 대면적 유기발광 표시장치에서는, 유기발광 층(OLE)을 형성함에 있어서, 풀-칼라를 발현하는 RGB 유기물질로 만드는 것이 실제로 불가능하다. 따라서, 대면적 유기발광 다이오드 표시장치에서는 상부 발광형을 구현하기가 어렵다.When the panel size of the transparent organic light emitting diode display is small or less than 15 inches, the organic light emitting layer OLE may be selectively applied only on the anode electrode ANO. In particular, an organic light emitting layer (OLE) may be applied only to a specific region using a screen mask using a simple manufacturing process. However, in the case of manufacturing a large area organic light emitting diode display device ranging from 20 inches to 100 inches, it is practically impossible to apply the organic light emitting layer (OLE) only to a specific area in a large area using a screen mask. In particular, in a large-area organic light emitting display device, in forming the organic light emitting layer (OLE), it is practically impossible to make a full-color RGB organic material. Therefore, it is difficult to implement a top emission type in a large area organic light emitting diode display.

본 발명의 제1 실시 예는 대면적 투명 유기발광 다이오드 표시장치에 적합한 구조를 설명한다. 즉, 본 발명의 제1 실시 예에서는 스크린 마스크나, 포토 공정이 필요 없이, 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극(CAT)은 기판 전체 표면에 걸쳐 도포한다. 스크린 마스크나 포토 마스크 공정을 사용하지 않으므로, 제조 공정이 단순하고, 비용도 절감된다.The first embodiment of the present invention describes a structure suitable for a large area transparent organic light emitting diode display. That is, in the first embodiment of the present invention, without the need for a screen mask or a photo process, the organic light emitting layer OLE and the cathode electrode CAT are applied over the entire surface of the substrate. Since no screen mask or photo mask process is used, the manufacturing process is simple and costs are reduced.

본 발명의 제1 실시 예에 의한 투명 유기발광 다이오드 표시장치는 한 화소는, 화상 데이터를 표현할 수 있는 발광부(LEA)와 뒷 배경을 그대로 통과하는 투과부(TRA)를 포함한다. 따라서, 표시장치로 사용할 경우에는 화상 데이터를 표시하며, 동시에 뒷 배경도 표시장치를 통해 관측할 수 있다. 그리고, 표시장치로 사용하지 않을 경우에는 마치 유리처럼 뒷 배경을 그대로 관측할 수 있는 상태가 된다.
The transparent organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention includes one pixel, a light emitting unit (LEA) capable of representing image data, and a transmissive unit (TRA) passing through the background. Therefore, when used as a display device, image data is displayed, and the background can also be observed through the display device. In addition, when not used as a display device, the background can be observed as it is like glass.

본 발명의 제1 실시 예의 경우, 스크린 마스크나 포토 마스크 공정을 사용하지 않으므로 제조 공정이 단순하다는 장점이 있지만, 양질의 표시 품질을 확보하는 데 어려움이 있다. 이유는, 투과부(TRA)에도 발광부(LEA)와 같이 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극(CAT)을 모두 포함하고 있기 때문이다. 유기발광 층(OLE)이 백색광을 발현하는 유기물질이라고 하더라도, 약간 노르스름한 색상을 띠고 있다. 그리고, 캐소드 전극(CAT)도 투명 도전 물질로 만들지만, 투과율이 약 95%로서, 투과율 저하에 원인이 되기도 한다. 이와 같은 이유로 해서, 투과부(TRA)의 투과도가 현저히 저하되며, 노르스름한 색상을 띠고 있어, 뒷 배경을 인지하는 데 왜곡이 발생할 수 있다.In the first embodiment of the present invention, there is an advantage in that the manufacturing process is simple because a screen mask or a photo mask process is not used, but it is difficult to secure a high quality display quality. The reason is that the transmissive part TRA includes both the organic light emitting layer OLE and the cathode electrode CAT like the light emitting part LEA. Even if the organic light emitting layer (OLE) is an organic material that expresses white light, it has a slightly yellowish color. In addition, although the cathode electrode CAT is also made of a transparent conductive material, the transmittance is about 95%, which may cause a decrease in transmittance. For this reason, the transmittance of the transmissive part TRA is significantly lowered and has a yellowish color, so that distortion may occur in recognizing the back background.

이와 같은 문제점을 극복하기 위한 것으로, 도 5 및 7을 참조하여 본 발명의 제2 실시 예를 설명한다. 도 7은 도 5에서 절취선 II-II'로 자른 도면으로, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다. 특히, 제2 실시 예에서는, 유기발광 층을 패턴할 수 있는 포토 공정을 이용하므로, 하부 발광형과 상부 발광형을 모두 구현할 수 있다. 본 발명의 제1 실시 예와 제2 실시 예의 차이는 평면도 상에서는 거의 나타나지 않으므로 동일한 평면도를 사용한다.To overcome this problem, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 7. 7 is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 5 and is a cross-sectional view showing the structure of a transparent organic light emitting diode display according to a second embodiment of the present invention. In particular, in the second embodiment, since a photo process capable of patterning the organic light emitting layer is used, both the lower emission type and the upper emission type can be implemented. Since the difference between the first and second embodiments of the present invention is hardly seen on the top view, the same top view is used.

본 발명의 제2 실시 예에 의한 투명 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.The transparent organic light emitting diode display according to the second embodiment of the present invention includes a switching thin film transistor (ST), a driving TFT (DT) connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode (OLED) connected to the driving TFT (DT). .

스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다. 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT) 사이에는 유기발광 층(OLE)이 개재되어 있다. 캐소드 전극(CAT)은 기저 전압(VSS)에 연결된다. 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 구동 전류 배선(VDD) 사이 혹은 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD) 사이에는 보조 용량(Cst)이 배치된다.The switching TFT ST is formed at a region where the scan wiring SL and the data wiring DL intersect. The switching TFT ST includes a gate electrode SG branching from the scan wiring SL, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD. Further, the driving TFT DT serves to drive the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a semiconductor layer DA, a source electrode DS connected to the driving current line VDD, and a drain electrode ( DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLED. An organic light emitting layer OLE is interposed between the anode electrode ANO and the cathode electrode CAT. The cathode electrode CAT is connected to the ground voltage VSS. The auxiliary capacitance Cst is between the gate electrode DG of the driving TFT DT and the driving current wiring VDD or between the gate electrode DG of the driving TFT DT and the drain electrode DD of the driving TFT DT. It is placed.

도 7을 더 참조하면, 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 기판(SUB) 상에 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(SG, DG)이 형성되어 있다. 그리고 게이트 전극(SG, DG) 위에는 게이트 절연막(GI)이 덮고 있다. 게이트 전극(SG, DG)과 중첩되는 게이트 절연막(GI)의 일부에 반도체 층(SA, DA)이 형성되어 있다. 반도체 층(SA, DA) 위에는 일정 간격을 두고 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)이 마주보고 형성된다. 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 드레인 콘택 홀(DH)을 통해 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉한다. 이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)를 덮는 보호막(PAS)이 전면에 도포된다.Referring to FIG. 7, gate electrodes SG and DG of the switching TFT ST and the driving TFT DT are formed on the substrate SUB of the transparent organic light emitting diode display. The gate insulating layer GI is covered on the gate electrodes SG and DG. Semiconductor layers SA and DA are formed on a portion of the gate insulating layer GI overlapping the gate electrodes SG and DG. On the semiconductor layers SA and DA, the source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD are formed facing each other at regular intervals. The drain electrode SD of the switching TFT ST contacts the gate electrode DG of the driving TFT DT through the drain contact hole DH formed in the gate insulating film GI. A protective film PAS covering the switching TFT ST and the driving TFT DT having such a structure is applied to the entire surface.

애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에 뱅크(BANK)를 형성한다. 뱅크(BANK)는 필요에 따라서는 발광부(LEA)와 투과부(TRA)를 구분하지 않고, 모두 노출하는 형태를 가질 수도 있다. 또는, 발광부(LEA)는 노출하고, 투과부(TRA)는 노출하지 않는 형태를 가질 수도 있다. 하지만, 투과부(TRA)의 투과도를 최대한으로 확보하기 위해서는 발광부(LEA)와 투과부(TRA)를 구분하면서 각각을 노출하는 형태를 갖는 것이 바람직하다. 뱅크(BANK)에 의해 발광부(LEA)에서 노출된 애노드 전극(ANO)이 실제 발광 영역이 된다.A bank BANK is formed on the substrate on which the anode electrode ANO is formed. If necessary, the bank BANK does not distinguish the light emitting part LEA and the transmission part TRA, and may have a form of exposing all of them. Alternatively, the light emitting part LEA may be exposed and the transmissive part TRA may not be exposed. However, in order to secure the maximum transmittance of the transmissive part TRA, it is preferable to have a form of exposing each of the light emitting parts LEA and the transmissive part TRA. The anode electrode ANO exposed from the light emitting part LEA by the bank BANK becomes an actual light emitting area.

뱅크(BANK)에 의해 적어도 발광부(LEA)의 애노드 전극(ANO) 위에만, 유기발광 층(OLE)과 애노드 전극(ANO)이 적층된다. 이로써, 애노드 전극(ANO), 유기발광 층(OLE) 및 캐소드 전극(CAT)을 포함하며, 구동 TFT(DT)에 의해 구동되는 유기발광 다이오드(OLED)가 형성된다.The organic light emitting layer OLE and the anode electrode ANO are stacked only on the anode electrode ANO of at least the light emitting part LEA by the bank BANK. Thus, an organic light emitting diode (OLED) including an anode electrode (ANO), an organic light emitting layer (OLE), and a cathode electrode (CAT) and driven by a driving TFT (DT) is formed.

제2 실시 예는 하부 발광형 및 상부 발광형으로 풀-칼라를 구현하는 유기발광 다이오드 표시장치에 모두 적용할 수 있다. 예를 들어, 하부 발광형의 경우, 애노드 전극(ANO)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 도전 물질로 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 유기발광 층(OLE)은 백색광을 발현하는 유기발광 물질을 포함하고, 오버코트 층(OC)과 보호막(PAS) 사이에는 칼라 필터(도시하지 않음)가 더 포함될 수 있다. 또 다른 방법으로, 유기발광 층(OLE)이 각 화소별로 다르게 형성될 수 있으므로, 적색, 녹색 및 청색 중 어느 한 색상을 발현하는 유기 물질을 포함하도록 형성할 수도 있다.The second embodiment can be applied to both an organic light emitting diode display device that implements full-color in a lower emission type and an upper emission type. For example, in the case of the lower emission type, the anode electrode ANO is preferably formed of a transparent conductive material such as Indium Tin Oxide (ITO) or Indium Zinc Oxide (IZO). In this case, the organic light emitting layer OLE includes an organic light emitting material that expresses white light, and a color filter (not shown) may be further included between the overcoat layer OC and the passivation layer PAS. As another method, since the organic light emitting layer OLE may be formed differently for each pixel, the organic light emitting layer OLE may be formed to include an organic material expressing any one of red, green, and blue colors.

또한, 제2 실시 예는 상부 발광형으로 구현할 수도 있다. 이 경우, 애노드 전극(ANO)은 은 합금을 포함하는 불투명 반사 도전 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 일함수 조건을 만족하기 위해서 투명 도전 물질을 포함할 필요가 있는 경우에는 투명 도전층 위에 반사 금속층이 적층된 구조로 형성할 수도 있다. 상부 발광형의 경우에는 별도의 칼라 필터를 구현할 수도 있지만, 본 발명에서는 각 화소별로 유기발광 층(OLE)을 패턴할 수 있으므로, 칼라 필터가 없는 구조로 형성할 수 있다. 즉, 유기발광 층(OLE)은 적색, 녹색 및 청색 중 어느 한 색상을 발현하는 유기 물질을 포함하도록 형성하는 것이 바람직하다.
In addition, the second embodiment may also be implemented in a top emission type. In this case, it is preferable that the anode electrode ANO includes an opaque reflective conductive material containing a silver alloy. When it is necessary to include a transparent conductive material in order to satisfy the work function condition, it may be formed in a structure in which a reflective metal layer is stacked on the transparent conductive layer. In the case of the top emission type, a separate color filter may be implemented, but in the present invention, since the organic light emitting layer OLE can be patterned for each pixel, it can be formed in a structure without a color filter. That is, the organic light emitting layer (OLE) is preferably formed to include an organic material that expresses any one of red, green, and blue colors.

상부 발광형 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 경우에는, 발광부의 넓이를 더 넓게 확보하도록 하기 위해 발광부가 박막 트랜지스터(ST, DT)의 영역을 덮도록 형성할 수 있다. 즉, 애노드 전극(ANO)이 박막 트랜지스터들(ST, DT)보다 상부층에 형성되는 특징이 있으므로 이러한 구성이 가능하다. 도 8은 본 발명의 제3 실시 예에 의한 상부 발광형 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 9는 도 8에서 절취선 IV-IV'으로 자른 단면으로, 본 발명의 제3 실시 예에 의한 상부 발광형 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.In the case of the upper emission type transparent organic light emitting diode display device, the light emitting unit may be formed to cover the regions of the thin film transistors ST and DT in order to ensure a wider area of the light emitting unit. That is, since the anode electrode ANO is formed on the upper layer than the thin film transistors ST and DT, such a configuration is possible. 8 is a plan view illustrating a structure of an upper emission type transparent organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention. 9 is a cross-sectional view taken along line IV-IV' of FIG. 8 and is a cross-sectional view showing a structure of an upper emission type transparent organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention.

도 8 및 9를 참조하면, 본 발명의 제3 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구성 요소들은 제2 실시 예에 의한 것과 비교해서 큰 차이가 없다. 따라서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 중복 설명을 하지 않는다. 차이가 있다면, 박막 트랜지스터(ST, DT)들이 유기발광 다이오드(OLED)의 하부에 중첩되어 형성된 구조를 갖는다. 이는 상부 발광형이기 때문에 가능한 구조이다.8 and 9, the components of the organic light emitting diode display according to the third embodiment of the present invention are not significantly different from those of the second embodiment. Therefore, duplicate descriptions are not made for the same components. If there is a difference, the thin film transistors ST and DT have a structure formed by overlapping the lower portion of the organic light emitting diode OLED. This is a possible structure because of the top emission type.

본 발명의 제3 실시 예에 의한 상부 발광형 투명 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판(SUB) 위에 스캔 배선(SL), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDD)이 배치되어 화소 영역을 정의한다. 화소 영역은 발광부(LEA)와 투과부(TRA)를 포함한다. 투과부(TRA)는 기판(SUB)의 투명성을 이용하여 앞, 뒤면 사이를 빛이 관통하도록, 투명성 박막 이외에 아무런 구성 요소들도 배치되지 않는 것이 바람직하다.In the upper emission type transparent organic light emitting diode display device according to the third embodiment of the present invention, a scan wiring SL, a data wiring DL and a driving current wiring VDD are disposed on a substrate SUB to define a pixel area. do. The pixel area includes a light emitting part LEA and a transmissive part TRA. It is preferable that no components other than the transparent thin film are disposed so that the light passes through the front and rear surfaces of the transmission part TRA by using the transparency of the substrate SUB.

발광부(LEA)는 유기발광 다이오드(OLED)가 형성되어 화상 정보를 표현한다. 상부 발광형 이므로, 발광부(LEA)에 형성된 유기발광 다이오드(OLED) 하부에는 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT) 또는 보조용량(Cst) 등이 배치될 수 있다. 이와 같은 구조를 가짐으로써, 본 발명의 제3 실시 예에 의한 투명 유기발광 다이오드 표시장치는, 다른 실시 예의 경우에 비해서, 발광부의 영역을 더 확장할 수 있다.
An organic light emitting diode (OLED) is formed in the light emitting part LEA to express image information. Since it is an upper emission type, a switching TFT (ST) and a driving TFT (DT) or an auxiliary capacitance (Cst) may be disposed under the organic light emitting diode (OLED) formed in the light emitting unit (LEA). By having such a structure, the transparent organic light emitting diode display device according to the third embodiment of the present invention can further expand the area of the light emitting portion compared to the case of other embodiments.

이하, 도 10a 내지 10c를 참조하여, 본 발명의 제2 및 제3 실시 예에 의한 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 제조 방법을 설명한다. 도 10a 내지 10c는 도 5의 절취선 III-III'로 자른 도면들로서, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.Hereinafter, a method of manufacturing the transparent organic light emitting diode display device according to the second and third embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 10A to 10C. 10A to 10C are cross-sectional views taken along line III-III' of FIG. 5, and are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a transparent organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.

본 발명에서 박막 트랜지스터들(ST, DT)을 형성하는 과정은 기존의 제조 방법과 크게 다를 필요는 없다. 따라서, 본 발명의 주요 특징인 유기발광 다이오드를 제조하는 부분을 중심으로 설명한다. 제3 실시 예는 박막 트랜지스터들(ST, DT)이 유기발광 다이오드(OLED)와 중첩한 구조인 점에서 차이가 있을 뿐이며, 주요 특징인 유기발광 다이오드(OLED)의 구조 및 제조 방법은 동일하므로, 별도로 설명하지 않는다.The process of forming the thin film transistors ST and DT in the present invention need not be significantly different from the existing manufacturing method. Therefore, a description will be given focusing on the part of manufacturing the organic light emitting diode which is the main feature of the present invention. The third embodiment differs only in that the thin film transistors ST and DT have a structure overlapping the organic light emitting diode OLED, and the structure and manufacturing method of the organic light emitting diode OLED, which is a main feature, are the same. It is not described separately.

박막 트랜지스터들(ST, DT)을 완성하고, 오버코트 층(OC)을 도포하고 화소 콘택홀(PH)을 형성하고, 발광부(LEA)에 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)에 연결된 애노드 전극(ANO)을 형성한다. 그 후, 발광부(LEA) 및 투과부(TRA) 각각을 노출하는 뱅크(BANK)를 형성한다. 뱅크(BANK)가 형성된 기판(SUB) 표면 위에 포토레지스트(PR)를 도포한다. 포토 마스크 공정으로 포토레지스트(PR)를 패턴하여, 발광부(LEA)만을 개방한다. 이때, 패턴된 포토레지스트(PR)의 경계부는 역 테이퍼 형상을 갖도록 패턴하는 것이 바람직하다. (도 10a)The thin film transistors ST and DT are completed, the overcoat layer OC is applied, the pixel contact hole PH is formed, and the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT is connected to the light emitting part LEA. An anode electrode (ANO) is formed. Thereafter, a bank BANK exposing each of the light emitting part LEA and the transmitting part TRA is formed. The photoresist PR is applied on the surface of the substrate SUB on which the bank BANK is formed. The photoresist PR is patterned by a photomask process to open only the light emitting part LEA. At this time, it is preferable to pattern the boundary of the patterned photoresist PR to have an inverse taper shape. (Figure 10a)

포토레지스트(PR)가 패턴된 기판(SUB)의 표면 위에 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)을 연속으로 도포한다. 포토레지스트(PR)의 패턴 경계부가 역 테이퍼 형상을 갖고 있으므로, 포토레지스트(PR)가 있는 부분과 없는 부분이 서로 끊어진 상태로 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)이 도포된다. (도 10b)The organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT are continuously applied on the surface of the substrate SUB on which the photoresist PR is patterned. Since the pattern boundary portion of the photoresist PR has an inverse tapered shape, the organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT are applied in a state where the portion with and without the photoresist PR is cut off from each other. (Figure 10b)

리프트-오프 공법으로 포토레지스트(PR)를 제거한다. 그러면, 포토레지스트(PR)와 함께, 그 위에 도포된 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)이 제거된다. 단, 발광부(LEA)에 도포된 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)만 남는다. 그 결과, 발광부(LEA)에는 유기발광 다이오드(OLED)가 형성되고, 투과부(TRA)에는 오버코트 층(OC)이 노출된 상태가 된다. (도 10c)Photoresist (PR) is removed by a lift-off method. Then, together with the photoresist PR, the organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT applied thereon are removed. However, only the organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT applied to the light emitting part LEA remain. As a result, an organic light emitting diode (OLED) is formed in the light emitting part LEA, and the overcoat layer OC is exposed in the transmissive part TRA. (Figure 10c)

이와 같이, 본 발명의 제2 및 제3 실시 예에서는 포토 공정을 사용하여 제조하므로, 공정은 제1 실시 예에 비해 조금 복잡하지만, 투과부(TRA)에 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)이 제거되어 투과율이 향상되고 뒷 배경에 대한 색상 왜곡이 발생하지 않는다. 실제로, 제2 및 제3 실시 예에 의한 투과부는 제1 실시 예에 비해서, 투과도가 10% 이상 향상되고, 간섭 색상이 존재하지 않아 표시 품질이 향상된 결과를 얻을 수 있다.As described above, since the second and third embodiments of the present invention are manufactured using a photo process, the process is slightly more complicated than the first embodiment, but the organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT are formed in the transmissive part TRA. ) Is removed to improve the transmittance and prevent color distortion on the background. In fact, the transmissive portion according to the second and third embodiments can improve the transmittance by 10% or more, and the interference color does not exist, thereby improving the display quality.

앞에서 설명한 도 10b에서 포토레지스트(PR)와 그 위에 적층된 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)을 제거하는 구체적인 방법에는 여러 가지가 있을 수 있다. 이하, 도 11a 내지 11c를 참조하여, 리프트-오프 공정의 구체적인 방법들에 대하여 설명한다. 도 11a 내지 11c는 본 발명에 의한 투명 유기발광 다이오드 표시장치의 제조 방법에서 적용하는 다양한 리프트-오프 공정들을 나타내는 단면도들이다.In FIG. 10B described above, various methods of removing the photoresist PR and the organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT stacked thereon may be various. Hereinafter, specific methods of the lift-off process will be described with reference to FIGS. 11A to 11C. 11A to 11C are cross-sectional views illustrating various lift-off processes applied in a method of manufacturing a transparent organic light emitting diode display device according to the present invention.

도 11a를 참조하여, 분리 필름을 이용한 리프트-오프 공정을 설명한다. 포토레지스트(PR)가 패턴된 기판(SUB)의 표면 위에 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)을 연속으로 도포하면, 포토레지스트(PR)가 있는 부분이 투과부(LEA)보다 위로 돌출된 구조를 갖는다. 이 상태에서, 분리 필름(Detaching Film)(DF)을 기판(SUB)의 표면에 합착한다, 그 후, 분리 필름(DF)을 벗겨 냄으로써 포토레지스트(PR)와 그 위에 적층된 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)만을 제거할 수 있다.11A, a lift-off process using a separation film will be described. When the organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT are continuously applied on the surface of the substrate SUB on which the photoresist PR is patterned, the portion with the photoresist PR protrudes above the transmissive part LEA. It has a structure. In this state, a detaching film (DF) is adhered to the surface of the substrate (SUB). Then, the separation film (DF) is peeled off to remove the photoresist (PR) and the organic light emitting layer (OLE) layered thereon. ) And the cathode electrode layer (CAT) can be removed.

도 11b를 참조하여, 건식 식각법(Dry Etch)에 의한 리프트-오프 공정을 설명한다. 포토레지스트(PR)가 패턴된 기판(SUB)의 표면 위에 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)을 연속으로 도포한 후, 제2 포토레지스트(PR2)를 도포하고 패턴하여 발광부(LEA)에만 제2 포토레지스트(PR2)를 남긴다. 제2 포토레지스트(PR2)를 마스크로 하여 건식 식각법으로 포토레지스트(PR)와 그 위에 적층된 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)만을 제거한다.Referring to FIG. 11B, a lift-off process by dry etching will be described. After the organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT are continuously applied on the surface of the substrate SUB on which the photoresist PR is patterned, the second photoresist PR2 is applied and patterned to form a light emitting unit LEA ) Leaves the second photoresist PR2 only. Using the second photoresist PR2 as a mask, only the photoresist PR and the organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT stacked thereon are removed by dry etching.

도 11c를 참조하여, 스트립(Strip) 용액을 이용한 리프트-오프 공정을 설명한다. 포토레지스트(PR)가 패턴된 기판(SUB)의 표면 위에 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)을 연속으로 도포한 상태에서, 포토레지스트(PR) 스트립(Strip) 용 솔벤트를 이용하여 포토레지스트(PR)를 용해하여 제거한다. 그러면, 포토레지스트(PR)가 용해됨과 동시에 그 위에 있던 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극층(CAT)이 떨어져 나간다. 포토레지스트(PR) 스트립 용 솔벤트가 발광부(LEA)에 도포된 유기발광 층(OLE)에 손상을 줄 가능성도 있다. 이를 방지하기 위해서는 포토레지스트(PR)는 광이합체화 반응을 이용하는 포토레지스트인 것이 바람직하다. 예를 들어, 고불소계 포토레지스트를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 11C, a lift-off process using a strip solution will be described. In the state in which the organic light emitting layer (OLE) and the cathode electrode layer (CAT) are continuously applied on the surface of the substrate (SUB) on which the photoresist (PR) is patterned, the photoresist (PR) strip is used to solve the photo. The resist PR is dissolved and removed. Then, at the same time as the photoresist PR is dissolved, the organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT separated thereon are separated. It is also possible that the solvent for the photoresist (PR) strip damages the organic light emitting layer (OLE) applied to the light emitting part (LEA). In order to prevent this, the photoresist (PR) is preferably a photoresist using a photodimerization reaction. For example, a high fluorine-based photoresist may be included.

제2 및 제3 실시 예에서는, 유기발광 층(OLE) 및 캐소드 전극층(CAT)을 발광부(LEA)에만 형성하는 것을 특징으로 한다. 이 경우, 유기발광 층(OLE)은 적색, 녹색 및 청색 중 어느 한 색상을 발현하는 유기물질을 포함할 수 있고, 이들 RGB 유색 유기발광 물질이 화소 배열에 따라 RGB 방식으로 할당될 수 있다. 이 경우에는, 도 10a 내지 10c에 이르는 제조 과정을 RGB 각 색상별로 별도로 반복 수행하는 것이 바람직하다.In the second and third embodiments, the organic light emitting layer OLE and the cathode electrode layer CAT are formed only in the light emitting part LEA. In this case, the organic light emitting layer (OLE) may include an organic material that expresses any one of red, green, and blue colors, and these RGB colored organic light emitting materials may be allocated in an RGB manner according to a pixel arrangement. In this case, it is preferable to separately repeat the manufacturing process of FIGS. 10A to 10C for each color of RGB.

본 발명의 제2 및 제3 실시 예는 스크린 마스크를 이용하지 않고 포토 마스크 공정을 사용하기 때문에 대면적 투명 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 데 적합한 방법이다. 또한, 투과부에는 투과도를 저하하거나 간섭 색상을 유발할 수 있는 유기층이 형성되지 않는다. 따라서, 고 휘도 및 고 투과율을 갖는 투명 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다.
The second and third embodiments of the present invention is a method suitable for manufacturing a large area transparent organic light emitting diode display device because a photomask process is used instead of a screen mask. In addition, an organic layer that may lower the transmittance or cause interference color is not formed in the transmission portion. Accordingly, a transparent organic light emitting diode display device having high luminance and high transmittance can be provided.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.Through the above description, those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications are possible without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description, but should be defined by the claims.

DL: 데이터 배선 SL: 스캔 배선
VDD: 구동 전류 배선 ST: 스위칭 TFT
DT: 구동 TFT OLED: 유기발광 다이오드
SG, DG: 게이트 전극 SS, DS: 소스 전극
SD, DD: 드레인 전극 SUB: 기판
CAT: 캐소드 전극(층) ANO: 애노드 전극(층)
BANK: 뱅크 PAS: 보호막
OLE: 유기발광 층 OC: 오버코트 층
DH: 드레인 콘택홀 PH: 화소 콘택홀
DF: 분리 필름 PR2: 제2 포토레지스트DL: Data wiring SL: Scan wiring
VDD: Drive current wiring ST: Switching TFT
DT: driving TFT OLED: organic light emitting diode
SG, DG: Gate electrode SS, DS: Source electrode
SD, DD: Drain electrode SUB: Substrate
CAT: cathode electrode (layer) ANO: anode electrode (layer)
BANK: Bank PAS: Shield
OLE: organic light emitting layer OC: overcoat layer
DH: Drain contact hole PH: Pixel contact hole
DF: Separation film PR2: Second photoresist

Claims

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Partitioning a pixel region including a light emitting portion and a transmitting portion on a substrate;
Forming a first electrode on the light emitting portion excluding the transmissive portion;
Forming banks respectively exposing the light emitting portion and the transmitting portion, including portions crossing the inside of the pixel region;
Applying a photoresist on the surface of the substrate on which the bank is formed, and patterning to expose the light emitting portion;
Continuously applying an organic light emitting layer and a second electrode on the substrate surface including the patterned photoresist; And
And removing the photoresist to leave the organic light emitting layer and the second electrode in the light emitting portion excluding the transmissive portion,
The step of patterning the photoresist,
A method of manufacturing an organic light emitting diode display, characterized in that the boundary portion patterned to expose the light emitting portion has a reverse tapered shape.

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The method of claim 5,
The step of removing the photoresist,
Bonding the second electrode and the separation film coated on the photoresist; And
And removing the separation film to remove the photoresist and the organic light emitting layer and the second electrode applied on the photoresist.

The method of claim 5,
The step of removing the photoresist,
In the state in which the organic light emitting layer and the second electrode are applied, a second photoresist is applied and patterned to cover the organic light emitting layer and the second electrode applied to the light emitting part, and the photo applied to the transmissive part Exposing the organic light emitting layer and the second electrode coated on a resist and the photoresist; And
And dry-etching the exposed photoresist and the organic light emitting layer and the second electrode coated on the photoresist.

The method of claim 5,
The step of removing the photoresist,
A method of manufacturing an organic light emitting diode display, characterized in that the photoresist is removed with a stripping solvent.

The method of claim 9,
The photoresist comprises a high fluorine-based photoresist material using a photodimerization reaction.

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