KR101551235B1 - 금속 나노 콜로이드의 제조 방법 - Google Patents

금속 나노 콜로이드의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

금속 나노 콜로이드의 제조 방법이 제공된다. 상기 방법은, 구연산나트륨 및 구연산을 포함하는 베이스 용액(base solution)을 준비하는 단계, 상기 베이스 용액 내에 복수의 전극을 배치시키는 단계, 및 상기 복수의 전극에 전압을 인가하여 상기 복수의 전극에 포함된 금속 원소를 이온화시키고, 상기 이온화된 금속 원소를 환원시켜 금속 파티클을 생성하는 단계를 포함한다.
상기 베이스 용액에 포함된 구연산나트륨 및 구연산에 의해, 금속 파티클의 생산 수율이 향상되어, 생산 단가가 감소된 고순도의 금속 나노 콜로이드의 제조 방법이 제공될 수 있다.

Description

금속 나노 콜로이드의 제조 방법{Method of fabricating metal nano colloid}
본 발명은 금속 나노 콜로이드의 제조 방법에 관련된 것으로, 보다 상세하게는 구연산나트륨 및 구연산을 포함하는 베이스 용액을 이용한 금속 나노 콜로이드의 제조 방법에 관련된 것이다.
금속 나노 입자는 크기가 수 nm에서 수백 nm 크기의 넓은 표면적을 갖는 입자를 의미한다. 금속 나노 입자는 나노 스테일에서 물질을 조작 및 제어하기 때문에, 기준 물질과 새로운 물리적/화학적 특성을 기대할 수 있어, 기존 물질의 한계를 극복할 수 있는 차세대 재료로 각광받고 있다.
이에 따라, 금속 나노 입자는 바이오 센서, 차세대 디스플레이의 발광체, 테라비트급 하드 드라이브, 태양 전지, 잉크젯 프리팅의 잉크 원료, 촉매, 의학, 생명공학, 고부가가치의 농작물 재배 등 다양한 분야의 기술이 상용화되기 위해 필요한 핵심 신소재이다.
금속 나노 입자를 제조하는 방법으로 공침법, 분무법, 졸-겔법 등이 제시되고 있지만, 이러한 방법의 경우, 균일한 크기를 갖는 금속 나노 입자를 제조하는 것이 어렵고, 제조 과정이 복잡하여 대량생산에 적합하지 못한 단점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, 금속 나노 입자를 갖는 콜로이드의 제조 방법에 대한 연구 개발이 진행 중이다.
예를 들어, 대한민국 등록특허공보 10-0661621(출원번호 10-2006-0014851)에 금속 함유 염, 용매, 계면활성제, 수용성 고분자, 및 당 화합물을 혼합하고, 이를 30~90℃로 열처리하여 30nm 이하의 크기를 갖는 금속 나노 입자를 함유하는 콜로이드의 제조 방법이 개시되어 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 생산 수율이 향상된 금속 나노 콜로이드의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 생산 단가가 감소된 금속 나노 콜로이드의 제조 방법을 제고하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는 고순도의 금속 나노 콜로이드의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는 친환경적인 금속 나노 콜로이드 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 금속 나노 콜로이드의 제조 방법을 제공한다.
상기 금속 나노 콜로이드의 제조 방법은, 구연산나트륨 및 구연산을 포함하는 베이스 용액(base solution)을 준비하는 단계, 상기 베이스 용액 내에 복수의 전극을 배치시키는 단계, 및 상기 복수의 전극에 전압을 인가하여 상기 복수의 전극에 포함된 금속 원소를 이온화시키고, 상기 이온화된 금속 원소를 환원시켜 금속 파티클을 생성하는 단계를 포함한다.
상기 베이스 용액은 0.01~0.02mol의 구연산나트륨 및 0.01~0.02mol의 구연산을 포함할 수 있다.
상기 베이스 용액은 0.01mol의 구연산나트륨 및 0.02mol의 구연산을 포함할 수 있다.
상기 금속 나노 콜로이드의 제조 방법은, 상기 금속 원소를 이온화시키고, 상기 금속 이온을 환원시키는 동안, 생성된 상기 금속 파티클을 상기 베이스 용액 내에 분산시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 금속 파티클을 상기 베이스 용액 내에 분산시키는 단계는, 상기 베이스 용액 내에 배치된 교반기를 이용하여 수행되는 것을 포함할 수 있다.
초기 반응 시간 동안 상기 교반기가 회전하는 속도는, 후기 반응 시간 동안 상기 교반기가 회전하는 속도보다 느린 것을 포함할 수 있다.
상기 금속 파티클을 상기 베이스 용액 내에 분산시키는 단계는, 상기 베이스 용액 내에 배치된 초음파 분산기를 이용하여 수행되는 것을 포함할 수 있다. 초기 반응 시간 동안 상기 초음파 분산기에서 발생되는 초음파의 강도는, 후기 반응 시간 동안 상기 초음파 분산기에서 발생되는 초음파 강도보다 낮은 것을 포함할 수 있다.
상기 금속 나노 콜로이드의 제조 방법은, 상기 금속 원소를 이온화시키고, 상기 금속 이온을 환원시키는 동안, 상기 베이스 용액은 열처리되는 것을 포함할 수 있다.
상기 복수의 전극은, 제1 전압이 인가되는 양의 전극, 및 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압이 인가되고 상기 양의 전극보다 큰 표면적을 갖는 음의 전극을 포함할 수 있다.
상기 복수의 전극은, 제1 전압이 인가되는 양의 전극, 및 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압이 인가되는 복수의 음의 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 구연산나트륨 및 구연산을 포함하는 베이스 용액에 전극을 배치시키고, 전극에 전원을 인가된다. 상기 베이스 용액에 포함된 구연산나트륨 및 구연산에 의해, 전극에 포함된 금속 원소들이 용이하게 이온화되고, 이온화된 금속 원소들이 용이하게 석출되어, 금속 파티클의 생산 수율이 향상될 수 있다. 이에 따라, 생산 단가 감소된 고순도의 금속 나노 콜로이드의 제조 방법이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 금속 나노 콜로이드의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 금속 나노 콜로이드의 제조 방법에 따라 금속 나노 콜로이드를 제조하기 위한 제조 장치이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 금속 나노 콜로이드의 제조 방법에 따라 금속 나노 콜로이드를 제조하기 위한 장치의 변형 예이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 금속 나노 콜로이드의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 금속 나노 콜로이드의 제조 방법에 따라 금속 나노 콜로이드를 제조하기 위한 제조 장치이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 용기(200) 내에 베이스 용액(210)이 준비된다.(S110) 상기 베이스 용액(210)은 초순수(DI water)에 환원제가 첨가된 것일 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 환원제는 구연산나트륨 및 구연산일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 용액(210)은 0.01~0.02mol의 구연산나트륨 및 0.01~0.02mol의 구연산을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 용액(210)은 0.01mol의 구연산나트륨 및 0.02mol의 구연산을 포함할 수 있다.
상기 베이스 용액(210) 내에 제1 전극(221) 및 제2 전극(222)이 서로 이격되도록 배치될 수 있다.(S120) 상기 제1 전극(221)의 크기는 상기 제2 전극(222)의 크기보다 작을 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 전극(221)의 표면적이 상기 제2 전극(222)의 표면적보다 좁을 수 있다.
전원(230)에 의해, 상기 제1 전극(221) 및 상기 제2 전극(222)에 전압이 인가될 수 있다. 상기 전원(230)에 의해 상기 제1 전극(221)에 제1 전압(V1)이 인가되고, 상기 제2 전극(222)에 상기 제1 전압(V1)보다 낮은 레벨의 제2 전압(V2)이 인가될 수 있다.
상기 전원(230)에 의해 인가되는 전압에 의해, 상기 제1 전극(221)을 구성하는 금속 원소들이 이온화될 수 있다. 상기 이온화된 금속 원소들은 상기 제2 전극(222)으로 이동하여 전자를 얻게 되어 금속 파티클이 석출될 수 있다.(S130)
상기 제1 및 제2 전극(221, 222)에 전원이 공급되어 금속 원소들이 이온화되고, 상기 이온화된 금속 원소들이 환원되어 상기 금속 파티클이 석출되는 동안, 발생하는 열을 제어하기 위해, 냉각수를 이용하여 상기 베이스 용액(210)이 냉각될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 금속 나노 콜로이드의 제조 방법에 사용되는 상기 베이스 용액(210)은 구연산나트륨 및 구연산을 환원제로 사용한다. 이로 인해, 상기 전극들(221, 222)의 이온화 에너지가 급격하게 감소되고, 금속 원소들이 용이하게 이온화될 수 있다. 이에 따라, 상기 금속 파티클이 용이하게 석출될 수 있어, 상기 금속 파티클을 포함하는 금속 나노 콜로이드의 생산 수율이 향상되고, 생산 단가가 감소될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 금속 나노 콜로이드의 제조 방법에 따르면, 음극으로 사용되는 상기 제2 전극(222)의 표면적이 양극으로 사용되는 상기 제1 전극(221)의 표면적보다 넓을 수 있다. 이에 따라, 상기 이온화된 금속 원소들이 상기 제2 전극(222)의 표면에서 전자를 얻어 환원될 수 있는 다수의 site가 제공될 수 있다. 이로 인해, 상기 이온화된 금속 원소들이 용이하게 환원되고, 상기 이온화된 금속 원자들이 환원되는 속도가 향상되어, 금속 파티클을 갖는 금속 나노 콜로이드의 생산 수율 및 생산 단가가 감소될 수 있다.
상기 베이스 용액(210)이 채워진 상기 용기(200) 내에 교반기(242)가 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(221)을 구성하는 금속 원소들이 이온화되고 상기 이온화된 금속 원소들이 환원되는 동안, 상기 교반기(242)는 상기 베이스 용액(210)을 교반시킬 수 있다. 이로 인해, 석출된 상기 금속 파티클들이 상기 베이스 용액(210) 내에 분산될 수 있다.
상기 제1 및 제2 전극(221, 222)에 전압이 인가되고, 상기 금속 파티클들이 석출되는 초기 반응 시간 동안 상기 교반기(242)가 회전하는 속도는, 후기 반응 시간 동안 상기 교반기(242)가 회전하는 속도보다 느릴 수 있다. 이에 따라, 상기 베이스 용액(210) 내에 상기 금속 파티클들이 증가될수록, 상기 교반기(242)의 회전 속도가 빨라져, 상기 금속 파티클들이 상기 베이스 용액(210) 내에 균일하게 분산될 수 있다. 이로 인해, 상기 금속 파티클들이 균일한 크기를 가질 수 있다.
상기 베이스 용액(210)이 채워진 상기 용기(200)의 바닥면에 초음파 분산기(244)가 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(221)을 구성하는 금속 원소들이 이온화되고 상기 이온화된 금속 원소들이 환원되는 동안, 상기 초음파 분산기(244)에서 발생되는 초음파에 의해, 상기 베이스 용액(210)이 교반될 수 있다. 이로 인해, 상기 금속 파티클들이 상기 베이스 용액(210) 내에 분산될 수 있다.
상기 제1 및 제2 전극(221, 222)에 전압이 인가되고, 상기 금속 파티클들이 석출되는 초기 반응 시간 동안 상기 초음파 분산기(244)에서 발생되는 초음파의 강도는, 후기 반응 시간 동안 상기 초음파 분산기(244)에서 발생되는 초음파의 강도보다 낮을 수 있다. 상술된 바와 같이, 이로 인해, 상기 금속 파티클들이 균일한 크기를 가질 수 있다.
만약, 상기 이온화된 금속 원소들이 환원되는 동안, 상기 베이스 용액(210)이 교반되지 않거나, 또는 상기 베이스 용액(210)이 동일한 강도로 교반되는 경우, 상기 금속 파티클들이 응집될 수 있다.
하지만, 상술된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따르면, 석출되는 금속 파티클의 양이 증가될수록, 상기 베이스 용액(210)이 교반 속도가 증가하여, 상기 금속 파티클들의 응집이 최소화되고, 균일한 크기의 금속 파티클들을 갖는 금속 나노 콜로이드가 제공될 수 있다.
상술된 실시 예 및 도 2에서, 상기 베이스 용액(210) 내에 상기 교반기(242) 및 상기 초음파 분산기(244)가 동시에 제공되는 것으로 설명되었으나, 상기 교반기(242) 및 상기 초음파 분산기(244) 중에서 어느 하나에 의해, 상기 베이스 용액(210)이 교반될 수 있다.
또한, 상술된 실시 예에서, 상기 교반기(242)의 회전 속도 및 상기 초음파 분산기(244)에서 발생되는 초음파의 강도가, 2회에 걸쳐 조절되는 것으로 설명되었으나, 3회 이상 복수의 단계로 조절될 수 있다.
또한, 상기 교반기(242)의 회전속도 및 상기 초음파 분산기(244)의 초음파 강도는 상기 금속 파트클들의 석출 정도에 따라서 다양하게 조절될 수 있다.
상술된 실시 예에서, 음의 전극으로 사용되는 상기 제2 전극(222)이 하나 제공되는 것으로 설명되었으나, 음의 전극이 복수로 제공될 수 있다. 이를, 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 금속 나노 콜로이드의 제조 방법에 따라 금속 나노 콜로이드를 제조하기 위한 장치의 변형 예이다.
도 3을 참조하면, 도 2를 참조하여 설명된 것과 같이, 상기 제1 전압(V1)보다 낮은 상기 제2 전압(V2)이 인가되는 복수의 음의 전극들(222a, 222b)이 제공될 수 있다.
상기 음의 전극들(222a, 222b)이 복수로 제공되어, 이온화된 금속 원자들이 전자를 얻어 환원될 수 있는 다수의 site가 제공될 수 있다. 이로 인해, 상기 이온화된 금속 원소들이 용이하게 환원되고, 상기 이온화된 금속 원자들이 환원되는 속도가 향상되어, 금속 파티클을 갖는 금속 나노 콜로이드의 생산 수율 및 생산 단가가 감소될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 음의 전극들(222a, 222b)의 각각의 크기는 상기 제1 전압(V1)이 인가되는 양의 전극(221)보다 클 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 상기 음의 전극들(222a, 222b)의 각각의 크기는 상기 양의 전극(221)의 크기와 동일할 수 있다.
상술된 본 발명의 실시 예에 따른 상기 베이스 용액(210)은 구연산나트륨 및 구연산을 포함할 수 있다. 구연산나트륨 및 구연산을 포함하는 상기 베이스 용액(210)에 의해, 상기 금속 파티클의 석출량이 증가될 수 있다. 이하, 본 발명의 실시 예 및 비교 예들에 따른 금속 파티클의 석출량이 설명된다.
<표 1>은 본 발명의 실시 예들 및 비교 예들에 따라 베이스 용액 내에 첨가된 구연산나트륨 및 구연산의 양 및 석출된 금 파티클의 함량을 나타낸다.
구연산나트륨(mol) 구연산(mol) 침전여부 금 함량(ppm)
실시 예 1 0.01 0.02 침전없음 6.28
실시 예 2 0.015 0.015 침전없음 5.32
실시 예 3 0.02 0.01 침전없음 4.67
비교 예 1 0.03 - 침전없음 3.52
비교 예 2 0.005 0.025 침전없음 3.13
비교 예 3 - 0.03 침전없음 2.54
<실시 예 1>
실시 예 1은, 초순수 1L에 분산제 1g, 구연산나트륨 0.01mol, 및 구연산 0.02mol을 첨가한 베이스 용액을 제조하고, 실시 예 1에 따른 베이스 용액에 금(Au)으로 형성된 전극 2개를 위치시킨 후, 베이스 용액을 60℃까지 가열한 후, 반응에 의해 발생되는 열을 제어하기 위해 냉각수로 온도를 유지하면서, 3A의 교류 전류를 30분간 인가하면서, 전기 분해를 실시한 것이다.
<실시 예 2>
실시 예 2는, 초순수 1L에 분산제 1g, 구연산나트륨 0.015mol, 및 구연산 0.015mol을 첨가한 베이스 용액을 제조하고, 실시 예 2에 따른 베이스 용액을 실시 예1과 동일한 조건에서 전기 분해를 실시한 것이다.
<실시 예 3>
실시 예 3은 초순수 1L에 분산제 1g, 구연산나트륨 0.02mol, 및 구연산 0.01mol을 첨가한 베이스 용액을 제조하고, 실시 예 3에 따른 베이스 용액을 실시 예1과 동일한 조건에서 전기 분해를 실시한 것이다.
<비교 예 1>
비교 예 1은, 초순수 1L에 분산제 1g, 및 구연산나트륨 0.03mol을 첨가한 베이스 용액을 제조하고, 비교 예 1에 따른 베이스 용액을 실시 예1과 동일한 조건에서 전기 분해를 실시한 것이다.
<비교 예 2>
비교 예 2는, 초순수 1L에 분산제 1g, 구연산 0.005mol, 및 구연산 0.025mol을 첨가한 베이스 용액을 제조하고, 비교 예 2에 따른 베이스 용액을 실시 예1과 동일한 조건에서 전기 분해를 실시한 것이다.
<비교 예 3>
비교 예 3은, 초순수 1L에 분산제 1g, 및 구연산 0.03mol을 첨가한 베이스 용액을 제조하고, 비교 예 3에 따른 베이스 용액을 실시 예1과 동일한 조건에서 전기 분해를 실시한 것이다.
<실시 예들과 비교 예들에 따른 금 파티클 추출량 비교>
비교 예 1에서는 반응시작 초반에는 반응기 내부의 전극 사이에 기포가 발생하면서, 반응이 시작되었으나, 반응이 시작된지 5분 후, 기포의 수가 현격하게 줄어들며 반응 속도가 줄어들었다. 반응이 끝난 후, ICP-OED을 이용하여 분석한 결과, 금 파티클의 함량은 3.52ppm으로 측정되었다.
또한, 비교 예 2 및 3에서는 구연산이 용해되어 구연산에서 발생한 과다한 수소이온들이 전기 분해 시 금 이온이 받아야 하는 전자를 먼저 받아, 금 파티클의 생성을 저하시켰다. 또한, 반응하는 동안, 베이스 용액의 온도가 급격하게 상승하였다. 반응이 끝난 후, ICP-OED을 이용하여 분석한 결과, 금 파티클의 함량은 3.13ppm 및 2.54ppm으로 측정되었다.
반면, 본 발명의 실시 예에 따라 구연산나트륨과 구연산이 함께 첨가된 베이스 용액의 경우, 금 파티클의 생성 반응이 대체적으로 원활하게 일어났으며, 특히, <표 1>의 실시 예 1 내지 실시 예 3에 따라, 0.01mol~ 0.02mol의 구연산나트륨과 0.01mol~ 0.02mol의 구연산이 첨가된 베이스 용액을 이용하여 전기분해를 하는 경우, 비교 예 1 내지 비교 예 3에 따른 베이스 용액을 이용하여 전기분해 하는 것과 비교하여, 금 파티클 추출량이 현저하게 높은 것을 확인할 수 있다.
구체적으로, 실시 예 3에 따른 베이스 용액을 이용하여 전기분해를 수행하는 경우, 비교 예 1 내지 비교 예 3에 따른 베이스 용액들을 이용하는 것과 비교하여, 각각 1.33배, 1.49배, 및 1.84배 더 많은 금 파티클이 추출된 것을 확인할 수 있다.
또한, 실시 예 2에 따른 베이스 용액을 이용하여 전기분해를 수행하는 경우, 비교 예 1 내지 비교 예 3에 따른 베이스 용액들을 이용하는 것과 비교하여, 각각 1.51배, 1.67배, 및 1.70배 더 많은 금 파티클이 추출된 것을 확인할 수 있다.
특히, 실시 예 1에 따라 0.01mol 구연산나트륨과 0.02mol의 구연산이 첨가된 베이스 용액을 이용한 경우, 금 파티클 추출량이 가장 높게 측정되는 것을 확인할 수 있으며, 구체적으로 비교 예 1 내지 비교 3에 따른 베이스 용액들을 이용하는 것과 비교하여, 각각 1.78배, 2.00배, 및 2.47배 더 많은 금 파티클이 추출된 것을 확인할 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
200: 용기
210: 베이스 용액
221: 제1 전극
222: 제2 전극
230: 전원
242: 교반기
244: 초음파 분산기

Claims (7)

  1. 0.01~0.02mol의 구연산나트륨 및 0.01~0.02mol의 구연산을 포함하는 베이스 용액(base solution)을 준비하는 단계;
    상기 베이스 용액 내에 복수의 전극을 배치시키는 단계; 및
    상기 복수의 전극에 전압을 인가하여 상기 복수의 전극에 포함된 금속 원소를 이온화시키고, 상기 이온화된 금속 원소를 환원시켜 금속 파티클을 생성하는 단계를 포함하는 금속 나노 콜로이드의 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 베이스 용액은 0.01mol의 구연산나트륨 및 0.02mol의 구연산을 포함하는 금속 나노 콜로이드의 제조 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 금속 원소를 이온화시키고, 상기 금속 이온을 환원시키는 동안, 생성된 상기 금속 파티클을 상기 베이스 용액 내에 분산시키는 단계를 더 포함하는 금속 나노 콜로이드의 제조 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 금속 파티클을 상기 베이스 용액 내에 분산시키는 단계는, 상기 베이스 용액 내에 배치된 교반기를 이용하여 수행되는 것을 포함하는 금속 나노 콜로이드의 제조 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    초기 반응 시간 동안 상기 교반기가 회전하는 속도는, 후기 반응 시간 동안 상기 교반기가 회전하는 속도보다 느린 것을 포함하는 금속 나노 콜로이드의 제조 방법.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 금속 파티클을 상기 베이스 용액 내에 분산시키는 단계는, 상기 베이스 용액 내에 배치된 초음파 분산기를 이용하여 수행되는 것을 포함하는 금속 나노 콜로이드의 제조 방법.
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