KR101456152B1 - 초전도체 및 초전도체 형성방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 68
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 64
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 43
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 33
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 32
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 28
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FFWQPZCNBYQCBT-UHFFFAOYSA-N barium;oxocopper Chemical class [Ba].[Cu]=O FFWQPZCNBYQCBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 30
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 8
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical group 0.000 description 2
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003298 Ni-Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
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- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
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- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0548—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by deposition and subsequent treatment, e.g. oxidation of pre-deposited material
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
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- H10N60/857—Ceramic superconductors comprising copper oxide
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
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- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
초전도막 형성방법이 기술된다. 상기 방법은 희토류, 바륨 및 구리를 포함하는 비정질의 희토류-구리-바륨 산화물을 제공하고, 그리고 비정질의 희토류-구리-바륨 산화물을 열처리하여 분산된 희토류 산화물 알갱이를 함유하는 초전도체를 형성한다.
Description
본 발명은 초전도체에 관한 것이다.
초전도체(superconductor)는 낮은 온도에서 전기 저항이 사라져 많은 양의 전류를 흘릴 수 있다. 최근, 이축 배향된 집합조직을 갖는 얇은 완충층 또는 금속 기판 상에 초전도막을 형성하는 2세대 고온초전도체(Coated Conductor)에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 2세대 고온초전도체는 여러 가지 분야에 응용될 수 있다. 예를 들어, 2세대 고온초전도체를 이용한 선재는 일반적인 금속선 보다 월등히 우수한 단위 면적당 전류 수송 능력을 갖는다. 2세대 고온초전도체를 이용한 선재는 전력기기의 전력손실을 줄일 수 있으며, MRI, 초전도 자기부상열차 및 초전도 추진선박 등과 같은 분야에서 이용될 수 있다.
본 발명의 일 과제는 자속 고정점들을 함유하는 초전도막을 제공한다.
본 발명의 일 과제는 자속 고정점들을 함유하는 희토류-바륨-구리 산화물을 제공한다.
본 발명의 다른 과제는 자속 고정점들을 함유하는 초전도체를 형성하는 방법을 제공한다.
본 발명은 초전도체의 형성방법을 제공한다. 상기 방법은 기판상에 희토류, 바륨 및 구리를 포함하는 희토류-구리-바륨 산화물을 제공하고; 그리고 상기 희토류-구리-바륨 산화물을 열처리하여, 상기 희토류-구리-바륨 산화물의 내부에 분산된 희토류 산화물의 알갱이를 함유하는 초전도체를 형성하는 것을 포함하고, 상기 희토류-구리-바륨 산화물을 열처리하는 것은: 10-2토르 이하의 제1 산소분압 하에서 상기 기판을 850도 이상의 제1 온도까지 가열하여 상기 희토류-구리-바륨 산화물이 비정질 상태를 갖도록 하는 제1 열처리 단계; 상기 제1 온도 하에서 상기 제1 산소분압보다 높은 상기 10-2토르 이상의 제2 산소분압으로 열처리하여, 상기 희토류-구리-바륨 산화물이 액체 상태를 갖도록 하는 제2 열처리 단계; 및 상기 제2 산소분압 하에서 상기 기판을 상기 제1 온도보다 낮은 상기 850도 이하의 제2 온도로 감소시켜, 단결정 구조의 희토류-구리-바륨 산화물을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명은 희토류-바륨-구리 산화물 박막을 제공한다. 상기 희토류-바륨-구리 산화물 박막은 단결정 구조의 희토류-바륨- 구리 산화물; 및 상기 단결정 구조의 희토류-바륨-구리 산화물 내에 배치되어 상기 단결정 구조의 희토류-바륨-구리 산화물의 초전도체 내에서 자속 고정점들로 작용하는 희토류 산화물 알갱이 및 바륨-구리 산화물 알갱이를 포함한다.
상기 희토류-바륨-구리 산화물 박막은 상기 단결정 구조의 희토류-바륨-구리 산화물 내에 분산되어 함유된 구리 산화물의 알갱이들을 더 포함할 수 있다.
상기 희토류 산화물 알갱이들은 길쭉한 모양을 갖는다.
우수한 결정성을 갖는 초전도체를 보다 빠른 공정으로 형성할 수 있다. 이와 함께 초전도체 내부에 자속고정점들(pinning centers)로 기능할 수 있는 희토류 산화물의 알갱이를 용이하게 형성할 수 있다.
도 1은 GdBCO의 상태도(phase diagram)를 나타낸다.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 초전도막의 형성방법을 설명하는 단면도들이다.
도 7 내지 9는 본 발명의 실시예들에 따라 형성된 에피택시 초전도막의 TEM 이미지들이다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따라 형성된 에피택시 초전도막의 XRD이다.
도 11은 본 발명의 개념에 따른 초전도막 형성장치를 개략적으로 도시한다.
도 12는 본 발명의 개념에 따른 초전도막 형성장치의 막 증착 유닛의 단면을 개략적으로 도시한다.
도 13은 본 발명의 개념에 따른 릴투릴 장치의 평면도를 도시한다.
도 14는 본 발명의 개념에 따른 초전도막 형성장치의 열처리 유닛을 개략적으로 도시한다.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 초전도막의 형성방법을 설명하는 단면도들이다.
도 7 내지 9는 본 발명의 실시예들에 따라 형성된 에피택시 초전도막의 TEM 이미지들이다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따라 형성된 에피택시 초전도막의 XRD이다.
도 11은 본 발명의 개념에 따른 초전도막 형성장치를 개략적으로 도시한다.
도 12는 본 발명의 개념에 따른 초전도막 형성장치의 막 증착 유닛의 단면을 개략적으로 도시한다.
도 13은 본 발명의 개념에 따른 릴투릴 장치의 평면도를 도시한다.
도 14는 본 발명의 개념에 따른 초전도막 형성장치의 열처리 유닛을 개략적으로 도시한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 바람직한 실시예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다.
이하의 실시예들에서는 초전도체로 GdBCO가 설명되지만 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 GdBCO의 상태도(phase diagram)이다. 제1 영역(R1)은 대략 10-2 Torr 이하의 산소분압 및 850℃ 이하의 온도에서의 상태일 수 있다. 제2 영역(R2)은 대략 10-1 ~ 10-2 Torr 이하의 산소분압 및 850℃ 이상의 온도에서의 상태일 수 있다. 제3 영역(R3)은 대략 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2) 보다 높은 산소분압이고, 보다 낮은 온도에서의 상태일 수 있다.
제1 영역(R1)에서, GdBCO는 Gd2O3, GdBa6Cu3Oy 및 액상을 갖는 것으로 이해될 수 있다. 여기서 액상은 Ba, Cu 및 O가 주성분이고 Gd가 녹아 들어간 액체 상태이다. 제2 영역(R2)에서, GdBCO는 Gd2O3 및 액상을 갖는 것으로 이해될 수 있다. 제3 영역(R3)에서, GdBCO는 에피택시 GdBCO을 갖는 것으로 이해될 수 있다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 개념의 실시예들에 따른 초전도막의 형성방법을 나타내는 단면도들이다. 도 2 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 개념에 따른 초전도막의 형성방법이 개략적으로 설명된다.
도 2를 참조하여, 기판(10)이 제공된다. 기판(10)은 2축 배향된 집합조직(biaxially aligned textured structure)을 가질 수 있다. 기판(10)은 예를 들어, 금속 기판일 수 있다. 금속 기판은, 압연 열처리된 Ni, Ni계 합금(Ni-W, Ni-Cr, Ni-Cr-W 등), 스테인레스, 은, 은 합금, Ni-은 복합체 등의 입방정계 금속일 수 있다. 기판(10)은 판상 또는 선재를 위한 테이프 형상일 수 있다.
기판(10) 상에 IBAD 층(20)이 형성될 수 있다. IBAD 층(20)은 순차적으로 적층된 확산 방지막(예를 들면, Al2O3), 씨드막(예를 들면, Y2O3), 및 MgO 막을 포함할 수 있다. IBAD 층(20)은 IBAD 방법으로 형성된다. MgO 막 상에 에피택시 성장된 호모 에피 MgO(homoepi-MgO) 막이 더 형성될 수 있다. IBAD 층(20) 상에 버퍼층(30)이 형성될 수 있다. 버퍼층(30)은 LaMnO3, LaAlO3, CeO2 또는 SrTiO3 을 포함할 수 있다. 버퍼층(30)은 스퍼터링 방법으로 형성될 수 있다. IBAD 층(20) 및 버퍼층(30)은 기판과 그 상부의 초전도 물질과의 반응을 방지하고 2축 배향된 집합조직의 결정성을 전달하는 역할을 한다.
도 3을 참조하여, 버퍼층(30) 상에 초전도 전구체 막(precursor film, 40)이 형성된다. 초전도 전구체 막(40)은, 예를 들어 희토류 원소(RE) 중의 적어도 하나(예를 들어, Gd), 구리(Cu) 및 바륨(Ba)을 포함할 수 있다.
초전도 전구체 막(40)은 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 초전도 전구체 막(40)은, 예를 들면 증발법(reactive co-evaporation), PLD, 스퍼터링, CVD, 유기금속 증착법(Metal Organic Deposition: MOD) 또는 졸-겔(sol-gel) 방법으로 형성될 수 있다. 초전도 전구체 막(40)의 형성은 전술한 특정방법에 한정되지 않는다.
일 방법으로, 초전도 전구체 막(40)은 증발법으로 형성될 수 있다. 증발법은 희토류 원소(RE) 중의 적어도 하나, 구리(Cu) 및 바륨(Ba)을 담은 그릇들에 전자 빔을 조사하여, 생성되는 금속 증기(metal vapor)를 기판 상에 제공하여 초전도 전구체 막을 증착할 수 있다. 희토류 원소(RE)는 이트륨(Y) 및 란타늄족 원소 또는 이들의 조합인 것으로 이해될 수 있다. 란타늄족 원소는 잘 알려진 바와 같이, La, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 등을 포함한다.
다른 방법으로, 초전도 전구체 막(40)은 유기금속 증착법(Metal Organic Deposition: MOD)으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 유기 용매에 희토류(RE)-아세테이트, 바륨(Ba)-아세테이트, 구리(Cu)-아세테이트를 용해시키고, 증발 증류 및 재용해-중합(Refluxing) 공정을 거쳐서, 희토류 원소(RE) 중의 적어도 하나, 구리(Cu) 및 바륨(Ba)을 포함하는 금속 전구용액을 제조한다. 기판 상에 금속 전구용액을 도포한다.
도 4를 참조하여, 초전도 전구체 막(40)이 형성된 기판(10)을 제1 열처리한다. 제1 열처리는 10-3 Torr 내지 10-6 Torr의 산소분압 하에서 수행될 수 있다. 제1 열처리의 산소분압은, 예를 들어 대략 10-5 Torr일 수 있다. 제1 열처리의 온도는 700 ~ 1000℃ (예를 들면, 대략 860℃)로 상승될 수 있다. 제1 열처리는 도 1의 경로 I을 따라 수행될 수 있다. 제1 열처리에 의하여, 기판(10 상에 비정질의 초전도 전구체 막(40)이 형성될 수 있다.
도 5를 참조하여, 비정질의 초전도 전구체 막(40)이 형성된 기판(10)을 제2 열처리한다. 제2 열처리는 700 ~ 1000℃ (예를 들면, 대략 860℃)의 온도에서 수행될 수 있다. 제2 열처리는 제1 열처리에서 보다 산소분압을 증가시켜 수행될 수 있다. 제2 열처리 동안 산소분압은, 예를 들어 10-5 Torr로부터 10-2 Torr 내지 10-1 Torr(예를 들어 30mTorr)로 증가될 수 있다. 제2 열처리는 도 1의 경로 II를 따라 수행될 수 있다. 제2 열처리에 의하여, 비정질의 초전도 전구체 막(40)은 액상의 초전도 전구체 막(41)으로 변하고, 액상의 초전도 전구체 막(41) 내에 희토류 산화물(예를 들면, Gd2O3)이 형성될 수 있다. 희토류 산화물(43)은 기판(10) 상의 버퍼층(30)으로부터 성장(dendric growth)될 수 있다. 즉, 경로 II를 따른 제2 열처리에 의하여, 희토류 산화물(43)을 함유하는 액상의 초전도 전구체막(41)이 형성된다.
도 6을 참조하여, 희토류 산화물(43)을 함유하는 액상의 초전도 전구체막(41)을 제3 열처리한다. 제3 열처리는 대략 10-2 Torr 내지 수 10-1 Torr의 산소분압(예를 들면, 100mTorr) 하에서 온도를 감소시키는 냉각(cooling process)일 수 있다. 냉각 속도는 1℃/1hr 이상(대략 5℃/1hr)일 수 있다. 제3 열처리는 도 1의 경로 III을 따라 수행될 수 있다. 제3 열처리에 의하여, 희토류-바륨-구리 산화물의 에피택시 초전도막(45)이 형성된다. 희토류-바륨-구리 산화물의 에피택시 초전도막(45)은 희토류 산화물(43)의 희토류를 소모하면서 액상의 초전도 전구체로부터 생성될 수 있다. 이러한 방법으로, 매우 빠른 공정으로 결정성이 띄어난 에피택시 초전도막(45)이 형성될 수 있다.
이와 함께, 희토류 산화물(43)의 크기는 줄어들고, 희토류 산화물(43)은 길쭉한 모양의 알갱이들로 변화된다. 희토류 산화물(43)의 알갱이들은 대략 1㎛이하의 크기를 가질 수 있다. 에피택시 초전도막(45) 내에는 희토류 산화물(43)의 알갱이들 뿐만 아니라, 액상의 잔류물(48) 및 구리 산화물(47)의 알갱이들이 추가로 함유될 수 있다. 에피택시 초전도막(45)의 상부면 상에는 또 다른 액상의 잔류물(49)이 잔류할 수 있다. 액상의 잔류물들(48, 49)은 에피택시 초전도막(45)으로 변화되지 않은 액상의 초전도 전구체막(41)에 기인하고, 바륨-구리 산화물일 수 있다.
에피택시 성장된 초전도막(45) 내에 생성된 알갱이들(43, 47)은 초전도체의 자속 고정점들로 기능할 수 있다. 희토류 산화물(43)의 알갱이들의 폭은 대략 수십nm 내지 100nm일 수 있다. 희토류 산화물(43)의 알갱이들의 폭은, 바람직하게는 100nm 이하일 수 있다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 실시예들에 따라 형성된 에피택시 초전도막(45)의 TEM 이미지들이다. 도 7은 기판(10) 상에 형성된 에피택시 초전도막(45), 그 내부에 함유된 희토류 산화물(43)의 알갱이, 및 액상의 잔류물들(48, 49)을 보여준다. 도 8 및 도 9는 기판(10) 상에 형성된 에피택시 초전도막(45) 및 희토류 산화물(예를 들면, Gd2O3)(43)의 알갱이를 보여준다. 희토류 산화물(43)의 알갱이들의 폭은 대략 수십nm이었다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따라 형성된 희토류-바륨-구리 산화물의 에피택시 초전도막(45)의 XRD이다. 도 10은 희토류-바륨-구리 산화물의 에피택시 초전도막(45)의 좋은 결정성을 보여준다.
전술한 실시예들에 따른 에피택시 초전도막의 성장 과정은 액상 에피택시 성장법(liquid Phase Epitaxy: LPE)과 유사하다. 한편, 도 1은 GdBCO의 상태도를 나타내기 때문에, 구체적인 산소 분압 및 열처리 온도는 희토류 원소(RE)의 종류에 따라 달라질 수 있다.
전술한 실시예들은 초전도막의 형성을 설명하지만, 이에 한정되지 않는다. 전술한 실시예들의 열처리는 벌크 초전도체에도 적용될 수 있음은 자명할 것이다. 예를 들어, 비정질의 희토류-바륨-구리 산화물을 준비한다. 전술한 열처리를 통하여 비정질의 희토류-바륨-구리 산화물은 단결정 구조의 희토류-바륨-구리 산화물로 변화될 수 있을 것이다. 단결정 구조의 희토류-바륨-구리 산화물은 그의 내부에 분산되어 함유된 희토류 산화물의 알갱이들 및 바륨-구리 산화물의 알갱이들을 포함할 수 있다.
도 11 내지 도 14를 참조하여, 본 발명의 개념에 따른 초전도막 형성 장치의 일 예가 개략적으로 설명된다. 도 12 내지 도 14를 참조하여 설명되는 초전도막 형성 장치는 본 발명의 개념에 따른 일 예로 초전도 선재를 위한 것이고, 본 발명의 개념이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 11은 본 발명의 개념에 따른 초전도막 형성 장치를 개략적으로 도시한다. 도 11을 참조하여, 초전도막 형성장치는 기판 상에 초전도 전구체 막을 형성하기 위한 박막 증착 유닛(100), 박막 증착 유닛(100)에서 형성된 초전도 전구체 막을 포함하는 기판을 열처리하기 위한 열 처리 유닛(200) 및 기판 공급/회수 유닛(300)을 포함한다. 박막 증착 유닛(100), 열 처리 유닛(200) 및 기판 공급/회수 유닛(300) 사이에 기판이 통과하고 진공을 유지할 수 있는 진공 로드(20)가 추가로 제공될 수 있다.
도 12는 본 발명의 개념에 따른 초전도막 형성장치의 박막 증착 유닛(100)의 단면을 개략적으로 도시한다. 도 11 및 도 12를 참조하여, 박막 증착 유닛(100)은, 공정 챔버(110), 릴투릴(reel to reel) 장치(120), 및 증착부재(130)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 공정 챔버(110)는 기판(10)에 초전도 전구체 막을 형성하는 증착 공정이 이루어지는 공간을 제공한다. 공정 챔버(110)는 서로 마주보는 제1 측벽(111) 및 제2 측벽(112)을 포함한다. 제1 측벽(111)에 기판 공급/회수 유닛(300)과 연결되는 인입부(113)가 제공되고, 제2 측벽(112)에 열 처리 유닛(200)에 연결되는 인출부(114)가 제공된다. 기판(10)은 선재 공급/회수 유닛(300)으로부터 인입부(113)를 통해 공정 챔버(110) 안으로 인입되고, 인출부(114)를 통해 열 처리 유닛(200)으로 인입된다.
증착부재(130)는 릴투릴 장치(120)의 아래에 제공될 수 있다. 기판(10)의 표면에 초전도 물질의 증기를 제공한다. 일 실시예로, 증착부재(130)는 증발법(co-evaporation)을 이용하여, 기판(10) 상에 초전도 전구체 막을 제공할 수 있다. 증착부재(130)는, 기판(10) 하부에, 전자빔에 의하여 금속 증기를 제공하는 금속 증기 소스들(131, 132,133)을 포함할 수 있다. 금속 증기 소스들은 희토류를 위한 소스, 바륨을 위한 소스 및 구리를 위한 소스를 포함할 수 있다.
도 13은 본 발명에 따른 릴투릴 장치의 평면도를 도시한다. 도 12 및 도 13을 참조하여, 릴투릴 장치(120)는 제1 릴 부재(121) 및 제2 릴부재(122)를 포함하며, 제1 릴부재(121) 및 제2 릴부재(122)는 서로 이격되어 마주한다. 증착부재(130)는 제1 릴부재(121)와 제2 릴부재(122) 사이에 위치하는 기판의 아래에 위치한다. 제1 릴부재(121) 및 제2 릴부재(122)는 초전도 전구체 막의 증착이 이루어지는 영역에서 기판(10)을 멀티턴(multiturn)시킨다. 즉, 기판(10)은 제1 릴부재(121)와 제2 릴부재(122) 사이를 왕복하며 제1 릴부재(121) 및 제2 릴부재(122)에 턴된다. 제1 릴부재(121)는 공정 챔버(110)의 제1 측벽(111)에 인접하여 제공되고, 제2 릴부재(122)는 공정 챔버(110)의 제2 측벽(112)에 인접하여 제공될 수 있다. 제1 릴부재(121) 및 제2 릴부재(122)는 서로 동일한 구성을 가질 수 있다. 제1 릴부재(121) 및 제2 릴부재(122)는 기판(10)의 왕복 방향에 교차하는 방향으로 연장할 수 있다.
제1 릴부재(121) 및 제2 릴부재(122)는 각각 제1 릴부재(121) 및 제2 릴부재(122)의 연장 방향으로 배치되어 결합되는 릴들을 포함한다. 기판(10)는 각각의 릴에서 한번씩 턴한다. 각각의 릴은 독립적으로 구동될 수 있으며, 기판(10)과의 마찰력에 의해서 회전된다. 평면상에서 볼 때, 제2 릴부재(122)는 기판(10)의 멀티턴을 위해 제1 릴부재(121)와 약간 어긋나게 배치된다. 기판(10)은 제1 릴부재(121) 및 제2 릴부재(122)를 오가면서, 제1 릴부재 및 제2 릴부재(122)의 연장 방향으로 이동한다.
도 14는 본 발명의 개념에 따른 초전도막 형성장치의 열처리 유닛(200)을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 14를 참조하여, 열 처리 유닛(200)은 기판(10)을 연속적으로 통과시킬 수 있고 차례로 인접한 제1 용기(210), 제2 용기(220) 및 제3 용기(230)를 포함할 수 있다. 제1 용기(210) 및 제3 용기(230)는 서로 이격된다. 제2 용기(220)의 중심 부분은, 제1 용기(210) 및 제3 용기(230)가 서로 이격된 공간에 대응될 수 있다. 제2 용기(220)는 제1 용기(210) 및 제3 용기(230) 각각의 일부들을 둘러싸도록 구성된다. 제1 용기(210), 제2 용기(220) 및 제3 용기(230)는 실린더형의 석영관(quartz)으로 구성될 수 있다. 제1 용기(210)는 박막 증착 유닛(100)의 인출부(114)와 연결될 수 있다. 제1 용기 및 제3 용기는 그 양단에 기판(10)이 통과할 수 있는 인입부들 및 인출부들(211, 212, 231, 232)을 포함할 수있다. 기판(10)은, 제1 용기의 제1 인입부(211)로 인입되어 제1 용기의 제1 인출부(212)로 인출되고, 제2 용기의 중심 부분을 통과하고, 제3 용기의 제2 인입부(231)로 인입되어 제3 용기의 제2 인출부(232)로 인출될 수 있다.
제1 용기(210), 제2 용기(220) 및 제3 용기(230)는 독립적인 진공을 유지할 수 있다. 이를 위하여 제1 용기(210), 제2 용기(220) 및 제3 용기(230)는 각각 별도의 펌핑 포트들(214, 224, 234) 및 산소 공급부들(미도시)을 가질 수 있다. 산소 공급부들을 통하여 산소가 공급되어, 제1 용기(210), 제2 용기(220) 및 제3 용기(230) 내의 산소 분압이 서로 독립적으로 조절될 수 있다. 예를 들어, 제1 용기(210) 내의 산소 분압은 제3 용기(230) 내의 산소분압 보다 낮고, 제2 용기(220) 내의 산소분압은 제1 용기(210) 내와 제3 용기(230) 내의 산소분압의 사이로 유지되도록 될 수 있다. 제1 용기(210)에 인접한 부분에서 제3 용기(230)에 인접한 부분으로 갈수록, 제2 용기(220) 내의 산소분압은 증가할 수 있다.
제1 용기(210), 제2 용기(220) 및 제3 용기(230)는 이들을 둘러싸는 퍼니스 내에 제공된다. 제1 용기(210) 및 제3 용기(230)가 이격된 부분이 퍼니스의 중심 부근에 위치할 수 있다. 이에 따라, 제2 용기(220)의 중심 부근의 온도는 제1 용기(210) 및 제3 용기(230) 내의 온도보다 높게 유지될 수 있다. 제1 용기(210) 및 제3 용기(230) 내의 온도는 제2 용기(220)의 중심 부분으로부터 멀어질수록 낮아질 수 있다.
전술한 실시예들에 따른 열처리 과정이 도 14의 열처리 유닛(200)과 함께 설명된다. 경로 I은 상기 기판(10)이 열처리 유닛(200)의 제1 용기(210)를 통과하면서 수행될 수 있다. 제1 용기(210)는 상대적으로 낮은 산소분압(예를 들면, 1×10-6 ~ 1×10-3 Torr)을 가질 수 있다. 제1 용기(210) 내의 온도는 제1 인입부(211)로부터 증가되어 제1 인출부(212)에서 대략 800℃가 될 수 있다. 경로 II는 기판(10)이 열처리 유닛(200)의 제2 용기(220)의 중심 부분을 통과하면서 수행될 수 있다. 제2 용기(220)은, 예를 들면 1×10-2 ~ 10-1 Torr의 산소분압을 가질 수 있다. 제1 용기(210)에 인접한 부분에서 제3 용기(230)에 인접한 부분으로 갈수록, 제2 용기(220) 내의 산소분압은 증가할 수 있다. 제2 용기(220)의 중심 부분의 온도는 대략 850℃ 이상일 수 있다. 경로 III은 기판(10)이 열처리 유닛(200)의 제3 용기(230)를 통과하면서 수행될 수 있다. 제3 용기(230)는, 예를 들면 5×10-2 ~ 3×10-1 Torr의 산소분압을 가질 수 있다. 제3 용기(230) 내의 온도는 제2 인입부(221)의 대략 850℃로부터 제2 인출부(222)로 갈수록 감소할 수 있다. 냉각 속도는 1℃/1hr 이상(대략 5℃/1hr)일 수 있다.
전술한 예에서는, 박막 증착 유닛(100), 열처리 유닛(200) 및 기판 공급/회수 유닛(300)이 일체로 구성되어, 기판(10)이 연속적으로 이송되는 것이 설명되었지만, 이에 한정되지 않는다.
일 실시예에서, 먼저 공급/회수 유닛(300)이 박막 증착 유닛(100) 및 열처리 유닛(200) 각각에 별도로 제공될 수 있다. 먼저, 기판을 감은 기판 공급/회수 유닛이 박막 증착 유닛(100)에 장착된다. 박막 증착 유닛(100)에서, 기판 상에 초전도 전구체 막이 형성된다. 박막 증착 유닛(100)은 전술한 예와 다른 구조일 수 있다. 예를 들면, 박막 증착 유닛(100)은 유기금속 증착(Metal Organic Deposition: MOD)을 위한 것일 수 있다. 다음, 초전도 전구체 막이 형성된 기판을 감은 선재 공급/회수 유닛은, 박막 증착 유닛(100)으로부터 분리된다. 초전도 전구체 막이 형성된 기판은 열처리 유닛(200)에 장착될 수 있다. 이후 초전도 전구체 막이 형성된 기판은 열처리된다.
다른 실시예에서, 기판은 선재 타입이 아니라 대면적의 판상일 수 있다. 이러한 경우, 공급/회수 유닛은 전술한 예와는 다른 구조를 가질 수 있다. 기판은 박막 증착장치에 제공되고, 기판 상에 초전도 전구체막이 형성된다. 초전도 전구체 막이 형성된 기판은 전술한 열처리 단계들을 수행할 수 있는 장치에 제공되어 열처리된다.
Claims (12)
- 기판상에 희토류, 바륨 및 구리를 포함하는 희토류-구리-바륨 산화물을 제공하고; 그리고
상기 희토류-구리-바륨 산화물을 열처리하여, 상기 희토류-구리-바륨 산화물의 내부에 분산된 희토류 산화물의 알갱이를 함유하는 초전도체를 형성하는 것을 포함하고,
상기 희토류-구리-바륨 산화물을 열처리하는 것은:
10-2토르 이하의 제1 산소분압 하에서 상기 기판을 850도 이상의 제1 온도까지 가열하여 상기 희토류-구리-바륨 산화물이 비정질 상태를 갖도록 하는 제1 열처리 단계;
상기 제1 온도 하에서 상기 제1 산소분압보다 높은 상기 10-2토르 이상의 제2 산소분압으로 상기 기판을 열처리하여, 상기 희토류-구리-바륨 산화물이 액체 상태를 갖도록 하는 제2 열처리 단계; 및
상기 제2 산소분압 하에서 상기 기판을 상기 제1 온도보다 낮은 상기 850도이하의 제2 온도로 감소시켜, 단결정 구조의 희토류-구리-바륨 산화물을 형성하는 단계를 포함하는 초전도체의 형성방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 희토류 산화물은 상기 제 2 열처리 단계에서 생성되고,
상기 단결정 구조의 희토류-바륨-구리 산화물은, 상기 희토류 산화물 내의 희토류를 소모하면서 상기 액체 상태의 상기 희토류-구리-바륨 산화물로부터 성장하는 초전도체의 형성방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 산소분압은 10-6 ~ 10-3 토르이고, 상기 제2 산소분압은 10-2 ~ 10-1토르인 초전도체의 형성방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 희토류 산화물의 알갱이는 1㎛이하의 크기를 갖는 초전도체의 형성방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 기판은 집합조직을 갖는 금속 또는 상기 금속의 상기 기판상에 집합조직을 갖는 산화물 버퍼층을 포함하고,
상기 희토류 산화물은 상기 기판 또는 상기 산화물 버퍼층으로부터 성장하는 초전도체의 형성방법. - 단결정 구조의 희토류-바륨- 구리 산화물; 및
상기 단결정 구조의 희토류-바륨-구리 산화물 내에 배치되어 상기 단결정 구조의 희토류-바륨-구리 산화물의 초전도체 내에서 자속 고정점들로 작용하는 희토류 산화물 알갱이 및 바륨-구리 산화물 알갱이를 포함하는 희토류-바륨- 구리 산화물 박막. - 청구항 6에 있어서,
상기 단결정 구조의 희토류-바륨-구리 산화물 내에 분산되어 함유된 구리 산화물 알갱이들을 더 포함하는 희토류-바륨-구리 산화물 박막. - 청구항 6에 있어서,
상기 희토류 산화물 알갱이들은 1㎛이하의 크기를 갖는 희토류-바륨-구리 산화물 박막. - 청구항 6에 있어서,
상기 희토류 산화물 알갱이들은 길쭉한 모양을 갖는 희토류-바륨-구리 산화물 박막. - 기판;
상기 기판 상에 형성된 청구항 6 내지 청구항 9 중 어느 하나의 희토류-바륨-구리 산화물 박막; 및
상기 희토류-바륨-구리 산화물 박막의 상부면에 형성된 바륨-구리 산화물들을 포함하는 초전도막. - 청구항 10에 있어서,
상기 기판은 집합조직을 갖는 금속, 또는 금속 기판 상에 집합조직을 갖는 산화물 버퍼층을 포함하는 초전도막. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 온도는 1000도이고, 상기 제 2 온도는 700도인 초전도체의 형성방법.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120085768A KR101456152B1 (ko) | 2012-08-06 | 2012-08-06 | 초전도체 및 초전도체 형성방법 |
| US14/420,113 US20150228379A1 (en) | 2012-08-06 | 2012-10-08 | Superconducting body and method of forming the same |
| RU2015104312/28A RU2598150C1 (ru) | 2012-08-06 | 2012-10-08 | Сверхпроводящий объект и способ его получения |
| PCT/KR2012/008132 WO2014025088A1 (en) | 2012-08-06 | 2012-10-08 | Superconducting body and method of forming the same |
| JP2015526454A JP2015532630A (ja) | 2012-08-06 | 2012-10-08 | 超伝導体及び超伝導体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120085768A KR101456152B1 (ko) | 2012-08-06 | 2012-08-06 | 초전도체 및 초전도체 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140019558A KR20140019558A (ko) | 2014-02-17 |
| KR101456152B1 true KR101456152B1 (ko) | 2014-11-03 |
Family
ID=50068293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120085768A KR101456152B1 (ko) | 2012-08-06 | 2012-08-06 | 초전도체 및 초전도체 형성방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20150228379A1 (ko) |
| JP (1) | JP2015532630A (ko) |
| KR (1) | KR101456152B1 (ko) |
| RU (1) | RU2598150C1 (ko) |
| WO (1) | WO2014025088A1 (ko) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05279033A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-26 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 臨界電流密度の高い酸化物超電導体の製造方法 |
| JP2003327496A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 超電導体の製造方法 |
| JP2012012247A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液及びその製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5306697A (en) * | 1989-02-10 | 1994-04-26 | University Of Houston - University Park | Oriented grained Y-Ba-Cu-O superconductors having high critical currents and method for producing same |
| JPH0710732B2 (ja) * | 1991-06-28 | 1995-02-08 | 工業技術院長 | 超電導体の製造方法 |
| JPH07187671A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-25 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
| KR100336613B1 (ko) * | 1999-10-27 | 2002-05-16 | 이종훈 | 상.하 종자결정법을 이용한 고온초전도 단결정체 및 그 제조방법 |
| JP3548801B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2004-07-28 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液組成物、希土類超電導膜製造用溶液組成物、特定金属錯体の非結晶固形物、特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液の製造方法、希土類超電導膜製造用溶液の製造方法、及び超電導薄膜の形成方法。 |
| US20050065035A1 (en) * | 2003-06-10 | 2005-03-24 | Rupich Martin W. | Superconductor methods and reactors |
| US9362477B2 (en) * | 2010-02-05 | 2016-06-07 | Sunam Co., Ltd. | Method of forming ceramic wire, system of forming the same, and superconductor wire using the same |
| JPWO2011132731A1 (ja) * | 2010-04-21 | 2013-07-18 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導導体及びその製造方法 |
| JP2013235766A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導薄膜とその形成方法 |
-
2012
- 2012-08-06 KR KR1020120085768A patent/KR101456152B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-08 RU RU2015104312/28A patent/RU2598150C1/ru active
- 2012-10-08 JP JP2015526454A patent/JP2015532630A/ja active Pending
- 2012-10-08 US US14/420,113 patent/US20150228379A1/en not_active Abandoned
- 2012-10-08 WO PCT/KR2012/008132 patent/WO2014025088A1/en active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05279033A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-26 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 臨界電流密度の高い酸化物超電導体の製造方法 |
| JP2003327496A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 超電導体の製造方法 |
| JP2012012247A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140019558A (ko) | 2014-02-17 |
| US20150228379A1 (en) | 2015-08-13 |
| WO2014025088A1 (en) | 2014-02-13 |
| JP2015532630A (ja) | 2015-11-12 |
| RU2598150C1 (ru) | 2016-09-20 |
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| FPAY | Annual fee payment |
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