RU2598150C1 - Сверхпроводящий объект и способ его получения - Google Patents
Сверхпроводящий объект и способ его получения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2598150C1 RU2598150C1 RU2015104312/28A RU2015104312A RU2598150C1 RU 2598150 C1 RU2598150 C1 RU 2598150C1 RU 2015104312/28 A RU2015104312/28 A RU 2015104312/28A RU 2015104312 A RU2015104312 A RU 2015104312A RU 2598150 C1 RU2598150 C1 RU 2598150C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- oxide
- copper
- barium
- rare earth
- earth element
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 8
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 50
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 13
- IGDGIZKERQBUNG-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ba] Chemical compound [Cu].[Ba] IGDGIZKERQBUNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- FFWQPZCNBYQCBT-UHFFFAOYSA-N barium;oxocopper Chemical compound [Ba].[Cu]=O FFWQPZCNBYQCBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 5
- SALZVZXDBQJLKA-UHFFFAOYSA-N copper barium(2+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[Cu++].[Ba++] SALZVZXDBQJLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 33
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 7
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical group 0.000 description 3
- -1 rare earth barium copper oxide Chemical class 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000002595 magnetic resonance imaging Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000001654 germ layer Anatomy 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
- H01B12/02—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines characterised by their form
- H01B12/06—Films or wires on bases or cores
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0016—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables for heat treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0548—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by deposition and subsequent treatment, e.g. oxidation of pre-deposited material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
- H10N60/855—Ceramic superconductors
- H10N60/857—Ceramic superconductors comprising copper oxide
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Использование: для создания сверхпроводящего объекта. Сущность изобретения заключается в том, что способ получения сверхпроводящего объекта включает: обеспечение оксида редкоземельного элемента-меди-бария, содержащего редкоземельный элемент, барий и медь, и проведение термической обработки указанного оксида редкоземельного элемента-меди-бария с образованием сверхпроводника, содержащего распределенные в нем зерна оксида редкоземельного элемента, при этом проведение указанной термической обработки включает: первую стадию термической обработки, на которой температуру повышают с обеспечением жидкой фазы указанного оксида редкоземельного элемента-меди-бария, содержащей оксид редкоземельного элемента, и вторую стадию термической обработки, на которой температуру и/или давление кислорода изменяют по сравнению с их значением на первой стадии термической обработки с получением монокристаллического оксида редкоземельного элемента-меди-бария. Технический результат: обеспечение возможности получения повышенной кристалличности и зерен редкоземельного элемента, действующих в качестве центров пиннинга в сверхпроводнике. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 14 ил.
Description
Область техники
[1] Настоящее изобретение относится к сверхпроводящему объекту и способу его получения.
Уровень техники
[2] Сверхпроводник обеспечивает возможность протекания большого количества тока, поскольку электрическое сопротивление сверхпроводника исчезает при низкой температуре, которая ниже температуры его перехода в сверхпроводящее состояние. В последние годы исследования интенсивно сосредоточены на создании высокотемпературного сверхпроводящего провода второго поколения (покрытого проводника), в котором сверхпроводящая пленка сформирована на биаксиально текстурированном тонком буферном слое на металлической подложке. Покрытый проводник второго поколения можно применять в различных областях. Например, провод, в котором используют покрытый проводник второго поколения, проявляет улучшенную способность передачи тока на единицу площади по сравнению с обычным металлическим проводом. Провод, в котором используют покрытый проводник второго поколения, позволяет снизить потери мощности силового устройства. Его также можно использовать в областях применения, связанных с магнитными полями, таких как магнитно-резонансная визуализация (МРВ), поезд на сверхпроводящей магнитной подвеске и судно с электромагнитным принципом движения, в котором используется сверхпроводимость.
Раскрытие изобретения
Техническая задача
[3] Варианты реализации изобретательского замысла обеспечивают высококачественный проводящий объект и способ его получения.
Решение задачи
[4] Согласно одному из аспектов настоящего изобретения предложен способ получения сверхпроводящего объекта. Указанный способ может включать обеспечение оксида редкоземельного элемента-меди-бария, содержащего редкоземельный элемент, барий и медь, и проведение термической обработки указанного оксида редкоземельного элемента-меди-бария с образованием сверхпроводника, содержащего распределенные в нем зерна оксида редкоземельного элемента. Проведение термической обработки оксида редкоземельного элемента-меди-бария может включать первую стадию термической обработки, на которой температуру повышают с обеспечением жидкой фазы указанного оксида редкоземельного элемента-меди-бария имеет жидкую фазу, содержащей оксид редкоземельного элемента, и вторую стадию термической обработки, на которой температуру и/или давление кислорода изменяют по сравнению с их значением на первой стадии термической обработки с получением кристаллического оксида редкоземельного элемента-меди-бария.
[5] Согласно другому аспекту изобретательского замысла предложен оксид редкоземельного элемента-бария-меди. Оксид редкоземельного элемента-бария-меди может содержать распределенные в нем зерна оксида редкоземельного элемента и зерна оксида бария-меди и иметь кристаллическую структуру.
[6] В одном из вариантов реализации оксид редкоземельного элемента-бария-меди может дополнительно включать зерна оксида меди, распределенные и содержащиеся в кристаллическом оксиде редкоземельного элемента-бария-меди.
[7] В одном из вариантов реализации каждое зерно оксида редкоземельного элемента может иметь продолговатую форму.
Преимущества настоящего изобретения
[8] Как описано выше, сверхпроводник, имеющий отличную кристалличность, можно получить посредством быстропротекающего процесса. Кроме того, можно легко получить зерна редкоземельного элемента, действующие в качестве центров пиннинга в сверхпроводнике.
Краткое описание чертежей
[9] На ФИГ. 1 представлена диаграмма стабильности фаз GdBCO.
[10] На ФИГ. 2-6 представлены виды поперечного сечения, иллюстрирующие способ получения сверхпроводящего объект в соответствии с вариантами реализации изобретательского замысла.
[11] На ФИГ. 7-9 представлены полученные с помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) изображения эпитаксиального сверхпроводящего объекта, полученного согласно вариантам реализации изобретательского замысла.
[12] На ФИГ. 10 представлена рентгенограмма эпитаксиального сверхпроводящего объекта, полученного согласно вариантам реализации изобретательского замысла.
[13] На ФИГ. 11 представлена блок-схема устройства для получения сверхпроводящего объекта согласно изобретательскому замыслу.
[14] На ФИГ. 12 показано поперечное сечение блока осаждения тонкой пленки в устройстве для получения сверхпроводящего объекта согласно изобретательскому замыслу.
[15] На ФИГ. 13 показан вид сверху перемоточного устройства согласно изобретательскому замыслу.
[16] На ФИГ. 14 схематически проиллюстрирован блок термической обработки в устройстве для получения сверхпроводящего объекта согласно изобретательскому замыслу.
Осуществление изобретения
[17] В данном разделе изобретательский замысел описан более подробно со ссылками на прилагаемые чертежи, на которых показаны предпочтительные варианты реализации изобретения. Однако изобретательский замысел может быть реализован во многих различных формах и не ограничен вариантами реализации, изложенными в этом документе. Напротив, эти варианты реализации представлены для того, чтобы это описание было подробным и завершенным, и чтобы оно полностью отражало объем изобретательского замысла для специалиста в данной области техники. Аналогичные номера позиций относятся к подобным элементам по всему описанию.
[18] В описанных ниже вариантах реализации изобретательского замысла сверхпроводник поясняют на примере GdBCO. Однако специалистам в данной области техники понятно, что сверхпроводник не ограничен этим соединением.
[19] На ФИГ. 1 представлена диаграмма стабильности фаз GdBCO. Первая область R1 может содержать фазу при парциальном давлении кислорода менее примерно 1,3 Па (10-2 Торр) и при температуре менее примерно 850°C. Вторая область R2 может содержать фазу при парциальном давлении кислорода менее примерно от 13 Па до 1,3 Па (от 10-1 до 10-2 Торр) и при температуре менее примерно 850°C. Третья область R3 может содержать фазу при более высоком парциальном давлении кислорода и при более низкой температуре, чем в случае фаз области R1 и области R2.
[20] Следует понимать, что в первой области R1 совместно находятся Gd2O3, GdBa6Cu3Oy и жидкая фаза. Жидкая фаза содержит барий (Ba), медь (Cu) и кислород (O) в качестве основных компонентов и растворенный в ней гадолиний (Gd). Следует понимать, что во второй области R2 совместно находятся Gd2O3 и жидкая фаза. Следует понимать, что в третьей области R3 GdBCO является термодинамически стабильным.
[21] На ФИГ. 2-6 представлены виды поперечного сечения, иллюстрирующие способ получения сверхпроводящего объекта в соответствии с вариантами реализации изобретательского замысла. Со ссылкой на ФИГ. 2-6 далее вкратце описан способ получения сверхпроводящего объекта согласно настоящему изобретению.
[22] Как показано на ФИГ. 2, обеспечивают подложку 10. Подложка 10 может иметь биаксильно ориентированную текстурированную структуру. Подложка 10 может представлять собой, например, металлическую подложку. Металлическая подложка может представлять собой металл с кубической решеткой, такой как прокатанный и термообработанный никель, сплав Ni (например, Ni-W, Ni-Cr, Ni-Cr-W и т.д.), серебро, серебряный сплав и Ni-серебряный композит. Подложка 10 может быть выполнена в виде ленты для пластины или линейного материала.
[23] На подложке 10 может быть сформирован нанесенный путем ионно-лучевого осаждения (англ.: ion beam assisted deposition, IBAD) слой 20. IBAD-слой 20 может включать диффузионно-барьерный слой (например, Al2O3), зародышевый слой (например, Y2O3) и слой MgO, которые последовательно нанесены один на другой. IBAD-слой 20 получают посредством процесса IBAD. На слое MgO может быть дополнительно сформирован эпитаксиально выращенный слой гомоэпи-MgO. На IBAD-слое 20 может быть сформирован буферный слой 30. Указанный буферный слой 30 может включать LaMnO3, LaAlO3, CeO2 или SrTiO3. Буферный слой 30 может быть сформирован посредством процесса напыления. IBAD-слой 20 и буферный слой 30 могут предотвращать взаимодействие подложки с находящимся на ней сверхпроводящим материалом и передавать кристалличность биаксиально ориентированной текстурированной структуры.
[24] Как показано на ФИГ. 3, пленку 40 предшественника сверхпроводящего материала получают на буферном слое 30. Пленка 40 предшественника сверхпроводящего материала может содержать по меньшей мере один элемент (например, Gd), выбранный из редкоземельного элемента (РЭ), меди (Cu) и бария (Ba).
[25] Пленку 40 предшественника сверхпроводящего материала можно получать различными способами. Пленку 40 предшественника сверхпроводящего материала можно получать посредством, например, реактивного совместного испарения, физического осаждения из жидкой фазы (PLD), напыления, химического осаждения из паровой фазы (CVD), осаждения из паров металлорганических соединений (MOD) или посредством процесса золь-гель. Однако получение пленки 40 предшественника сверхпроводящего материала не ограничивается вышеуказанными способами.
[26] Например, пленку 40 предшественника сверхпроводящего материала можно получать посредством реактивного совместного испарения. При реактивном совместном испарении пары металлов, образующиеся посредством облучения содержащихся в контейнере меди (Cu) и бария (Ba) электронным пучком, могут быть нанесены на подложку для осаждения пленки предшественника сверхпроводящего материала. Следует понимать, что редкоземельные элементы (РЭ) могут представлять собой элементы на основе иттрия (на основе Y), на основе лантана (на основе La) или их комбинации. Как хорошо известно, элементы на основе La включают La, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu и т.п.
[27] Другим примером может быть пленка 40 предшественника сверхпроводящего материала, полученная посредством осаждения из паров металлорганических соединений (MOD). Например, ацетат РЭ, ацетат Ba, ацетат Cu растворяют в органическом растворителе и выполняют операции испарения, перегонки, повторного растворения и кипячения с обратным холодильником, с получением содержащего металлы раствора-предшественника, включающего по меньшей мере один элемент, выбранный из редкоземельного элемента, Cu и Ba. Указанный содержащий металлы раствор-предшественник наносят на подложку.
[28] Как показано на ФИГ. 4, первую термическую обработку выполняют на подложке 10, на которой сформирована пленка 40 предшественника сверхпроводящего материала. Первую термическую обработку можно проводить при парциальном давлении кислорода примерно от 1,3·10-4 Па до 0,13 Па (от 10-6 до 10-3 Торр). Парциальное давление кислорода при первой термической обработке может составлять, например, примерно 1,3·10-3 Па (10-5 Торр). Температура первой термической обработки может быть повышена до диапазона от 700 до 800°C (например, примерно 860°C). Первую термическую обработку можно выполнять по пути I, показанному на ФИГ. 1. Посредством первой термической обработки на подложке 10 может быть сформирована аморфная пленка 40 предшественника сверхпроводящего материала.
Как показано на ФИГ. 5, вторую термическую обработку можно выполнять на подложке 10, на которой сформирована аморфная пленка 40 предшественника сверхпроводящего материала. Вторую термическую обработку можно выполнять при температуре от 700 до 1000°C (например, примерно 860°C). Вторую термическую обработку можно выполнять при парциальном давлении кислорода, которое выше, чем при первой термической обработке. В ходе второй термической обработки парциальное давление кислорода может быть повышено, например, от примерно 1,3·10-3 Па (10-5 Торр) до 1,3 Па-13 Па (10-2 Торр-10-1 Торр) (например, примерно 40 Па (30 мТорр). Вторую термическую обработку можно выполнять по пути II, показанному на ФИГ. 1. Посредством второй термической обработки аморфная пленка 40 предшественника сверхпроводящего материала может быть преобразована в имеющий жидкую фазу объект 41, представляющий собой предшественник сверхпроводящего материала. В жидком объекте 41, представляющем собой предшественник сверхпроводящего материала, может образовываться оксид редкоземельного элемента 43 (например, Gd2O3). Указанный оксид редкоземельного элемента 43 может быть выращен в виде дендритных кристаллов из буферного слоя 30. То есть, посредством второй термической обработки, выполняемой по пути II, можно получить жидкий объект 41, представляющий собой предшественник сверхпроводящего материала, содержащий оксид редкоземельного элемента 43.
[29] Как показано на ФИГ. 6, третью термическую обработку выполняют в отношении жидкого объекта 41, представляющего собой предшественник сверхпроводящего материала, который содержит оксид редкоземельного элемента 43. Третья термическая обработка может представлять собой процесс охлаждения для снижения температуры при парциально давлении кислорода, составляющем примерно от 1,3 Па до нескольких десятков Па (от 10-2 Торр до нескольких 10-1 Торр). Скорость охлаждения может составлять 1°C/час или выше (примерно 5°C/час). Третью термическую обработку можно выполнять по пути III, показанному на ФИГ. 1. Посредством третьей термической обработки можно получить эпитаксиальный сверхпроводящий объект 45 из оксида редкоземельного элемента-бария-меди (здесь и далее называемого "оксид РЭ-Ва-Cu"). Эпитаксиальный сверхпроводящий объект 45 из оксида РЭ-Ва-Cu может быть образовано из жидкого объекта 41, представляющего собой предшественник сверхпроводящего материала, при расходовании редкоземельного элемента оксида редкоземельного элемента 43. Таким образом, эпитаксиальный сверхпроводящий объект 45, обладающий отличной кристалличностью, можно получить с использованием очень быстрого процесса.
[30] Кроме того, оксид редкоземельного элемента 43 уменьшается в размере и меняет форму зерна на продолговатую. Зерна оксида редкоземельного элемента 43 могут иметь размер менее 1 мкм. Не только зерна оксида редкоземельного элемента 43, но также и жидкий остаток 48 и зерна оксида меди 47 могут содержаться в эпитаксиальном сверхпроводящем объекте 45. Другой жидкий остаток 49 может оставаться на верхней поверхности эпитаксиального сверхпроводящего объекта 45. Жидкие остатки 48 и 49 могут иметь происхождение из жидкого объекта 41, представляющего собой предшественник сверхпроводящего материала, который не преобразовался в эпитаксиальный сверхпроводящий объект 45, и могут представлять собой оксид бария-меди.
[31] Зерна 43 и 47, полученные при эпитаксиальном росте сверхпроводящего объекта 45, могут служить в качестве центров пиннинга потока в сверхпроводнике. Зерна оксида редкоземельного элемента 43 могут иметь ширину от десятков нанометров до 100 нанометров. Предпочтительно зерна оксида редкоземельного элемента 43 могут иметь ширину менее 100 нанометров.
[32] На ФИГ. 7-9 представлены полученные с помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) изображения эпитаксиального сверхпроводящего объекта 45, полученного согласно вариантам реализации изобретательского замысла. На ФИГ. 7 показано эпитаксиальный сверхпроводящий объект 45 на подложке 10, зерна оксида редкоземельного элемента 43, содержащиеся в эпитаксиальном сверхпроводящем объекте 45, и жидкие остатки 48 и 49. На ФИГ. 8 и 9 показан эпитаксиальный сверхпроводящий объект 45 на подложке 10 и зерна оксида редкоземельного элемента 43 (например, Gd2O3). Зерна оксида редкоземельного элемента 43 могут иметь ширину в десятки нанометров.
[33] На ФИГ. 10 представлена рентгенограмма рентгеновской дифракции (XRD) эпитаксиального сверхпроводящего объекта, полученного согласно вариантам реализации изобретательского замысла. На ФИГ. 10 показана отличная кристалличность эпитаксиального сверхпроводящего объекта 45 из оксида РЭ-Ba-Cu.
[34] Процедура роста эпитаксиального сверхпроводящего объекта согласно вышеизложенным вариантам реализации может быть аналогична такой процедуре для жидкофазной эпитаксии (LPE).C другой стороны, поскольку ФИГ. 1 представляет собой фазовую диаграмму GdBCO, конкретное парциальное давление кислорода и температура обработки могут изменяться в зависимости от вида редкоземельного элемента (РЭ).
[35] Несмотря на то, что получение сверхпроводящего объекта было описано в вышеизложенных вариантах реализации, варианты реализации настоящего изобретения не ограничиваются описанными выше. Очевидно, что термические обработки вышеизложенных вариантов реализации можно применять к объемному сверхпроводнику. Например, приготавливают аморфный оксид РЭ, Ba и Cu. Аморфный оксид РЭ, Ba и Cu можно преобразовать в монокристаллический оксид РЭ, Ba и Cu посредством вышеописанной термической обработки. Монокристаллический оксид РЭ, Ba и Cu может включать зерна оксида редкоземельного элемента и распределенные и содержащиеся в нем зерна оксида бария-меди.
[36] Со ссылкой на ФИГ. 11-14 ниже описан пример устройства для получения сверхпроводящего объекта. Устройство, описанное со ссылкой на ФИГ. 11-14, представляет собой пример изобретательского замысла для сверхпроводящего провода, но изобретательский замысел не ограничен этим устройством.
[37] На ФИГ. 11 представлена блок-схема устройства для получения сверхпроводящего объекта согласно изобретательскому замыслу. Как показано на ФИГ. 11, устройство для получения сверхпроводящего объекта включает блок 100 осаждения тонкой пленки для получения пленки предшественника сверхпроводящего материала на подложке; блок 200 термической обработки для выполнения термической обработки на подложке, содержащей пленку предшественника сверхпроводящего материала, полученную в блоке 100 осаждения тонкой пленки, и блок 300 подачи/сбора подложек. Дополнительно может быть обеспечен вакуумный стержень 20, чтобы поддерживать вакуум и обеспечивать возможность пропускания подложки между блоком 100 осаждения тонкой пленки и блоком 200 термической обработки, и блоком 300 подачи/сбора подложек.
[38] На ФИГ. 12 показано поперечное сечение блока осаждения тонкой пленки в устройстве для получения сверхпроводящего объекта согласно изобретательскому замыслу. Как показано на ФИГ. 11 и 12, блок 100 осаждения тонкой пленки может включать рабочую камеру 110, перемоточное устройство 120 и элемент 130 для осаждения. Более конкретно, рабочая камера 110 обеспечивает пространство, в котором выполняют процесс осаждения для получения пленки предшественника сверхпроводящего материала на подложке 10. Рабочая камера 110 содержит первую боковую стенку 111 и вторую боковую стенку 112, которые обращены друг к другу. На первой боковой стенке 111 обеспечен узел 113 ввода, соединенный с блоком 300 подачи/сбора подложек, а узел 114 извлечения, соединенный с блоком 200 термической обработки, обеспечен на второй боковой стенке 112. Подложку 10 вводят в рабочую камеру 100 из блока 300 подачи/сбора подложек через узел 113 ввода, и вводят в блок 200 термической обработки через узел 114 извлечения.
[39] Элемент 130 для осаждения может быть обеспечен ниже перемоточного устройства 120. Пары сверхпроводящего материала подают на поверхность подложки 10. В качестве варианта реализации, элемент 130 для осаждения может обеспечивать нанесение пленки предшественника сверхпроводящего материала на подложку 10 посредством совместного испарения. Элемент 130 для осаждения может включать источники 131, 132 и 133 паров металлов, которые поставляют пар метала с помощью электронного пучка. Источники 131, 132 и 133 паров металлов могут включать источник для редкоземельного элемента, источник для бария (Ba) и источник для (Cu).
[40] На ФИГ. 13 показан вид сверху перемоточного устройства согласно изобретательскому замыслу. Как показано на ФИГ. 12 и 13, перемоточное устройство 120 включает в себя первый катушечный элемент 121 и второй катушечный элемент 122, которые размещены на расстоянии друг от друга и обращены друг к другу. Элемент 130 для осаждения расположен ниже подложки между первым катушечным элементом 121 и вторым катушечным элементом 122. Первый катушечный элемент 121 и второй катушечный элемент 122 многократно поворачивают подложку 10 в области, где осаждается пленка предшественника сверхпроводящего материала. То есть, подложка 10 поворачивается на первом катушечном элементе 121 и втором катушечном элементе 122, при этом совершая перемещение вперед и назад между первым катушечным элементом 121 и вторым катушечным элементом 122. Первый катушечный элемент 121 расположен рядом с первой боковой стенкой 111 рабочей камеры 110, а второй катушечный элемент 122 расположен рядом со второй боковой стенкой 112 рабочей камеры 110. Первый катушечный элемент 121 и второй катушечный элемент 122 могут иметь одинаковую конфигурацию. Первый катушечный элемент 121 и второй катушечный элемент 122 могут проходить в направлении, пересекающем направление движения подложки 10 вперед и назад.
[41] Первый катушечный элемент 121 и второй катушечный элемент 122 включают в себя катушки, расположенные в направлении протяженности первого катушечного элемента 121 и второго катушечного элемента 122, чтобы сопрягаться друг с другом, соответственно. Подложка 10 поворачивается на соответствующих катушках. Если смотреть сверху, второй катушечный элемент 122 слегка смещен относительно первого катушечного элемента 121, чтобы обеспечивать многократное поворачивание подложки 120. Подложка 10 продвигается в направлении протяженности первого катушечного элемента 121 и второго катушечного элемента 122 и совершает перемещение вперед и назад между первым катушечным элементом 121 и вторым катушечным элементом 122.
[42] На ФИГ. 14 схематически проиллюстрирован блок 200 термической обработки в устройстве для получения сверхпроводящего объекта согласно изобретательскому замыслу. Как показано на ФИГ. 14, блок 200 термической обработки может включать в себя первый контейнер 210, второй контейнер 220 и третий контейнер 230, которые размещены последовательно возле друг друга, чтобы обеспечивать возможность пропускания подложки через них. Первый контейнер 210 и третий контейнер 230 размещены на расстоянии друг от друга. Центральная часть второго контейнера может соответствовать пространству, в котором первый контейнер 210 и третий контейнер 230 размещены на расстоянии друг от друга друг от друга. Второй контейнер 220 выполнен с возможностью охвата части первого контейнера 210 и части третьего контейнера 230. Каждый из первого, второго и третьего контейнера 210, 220 и 230 может быть выполнен из цилиндрических кварцевых труб. Первый контейнер 210 может быть присоединен к узлу 114 извлечения блока 100 осаждения тонкой пленки. Первый и третий контейнер 210 и 230 могут включать узлы 211, 231 ввода и узлы 212, 232 извлечения, расположенные на их обоих концах, чтобы обеспечить возможность пропускания подложки 10 через них. Подложку 10 вводят в первый узел 211 ввода первого контейнера 2410 и извлекают в первом узле 212 извлечения первого контейнера 210. После пропускания через центральную часть второго контейнера 220 подложка 10 может быть введена во второй узел 231 ввода третьего контейнера 230 и извлечена во втором узле 232 извлечения третьего контейнера 230. В первом контейнере 210, во втором контейнере 220 и в третьем контейнере 230 может поддерживаться разрежение независимо от других контейнеров. Для этого первый контейнер 210, второй контейнер 220 и третий контейнер 230 могут включать в себя отдельные входные отверстия 214, 224 и 234 для откачки и узлы подачи кислорода (не показаны), соответственно. Кислород можно подавать через узлы подачи кислорода, чтобы регулировать парциальное давление кислорода независимо в первом контейнере 210, втором контейнере 220 и третьем контейнере 230. Например, парциальное давление кислорода в первом контейнере 210 может быть ниже, чем парциальное давление кислорода в третьем контейнере 230, а парциальное давление кислорода во втором контейнере 220 может поддерживаться между парциальным давлением во втором контейнере 220 и парциальным давлением в третьем контейнере 230. Парциальное давление кислорода во втором контейнере 220 может увеличиваться по мере прохождения от участка, прилегающего к первому контейнеру 210, к участку, прилегающему к третьему контейнеру 230.
[43] Первый контейнер 210, второй контейнер 220 и третий контейнер 230 помещены внутрь окружающей их печи. Участок, на котором разнесены первый контейнер 210 и третий контейнер 230, может быть расположен вокруг центра печи. Таким образом, температура в центральном участке второго контейнера 220 может поддерживаться выше, чем температуры в первом контейнере 210 и третьем контейнере 230. Температуры в первом контейнере 210 и третьем контейнере 230 могут уменьшаться по мере удаления от центрального участка второго контейнера 220.
[44] Операция термической обработки согласно вышеописанным вариантам реализации ниже описана с помощью блока 200 термической обработки, показанного на ФИГ. 14. Путь I можно осуществлять во время того, как подложка 10 проходит через первый контейнер 210 блока 200 термической обработки. Первый контейнер 210 может иметь относительно низкое парциальное давление кислорода (например, примерно от 1,3·10-4 Па до 0,13 Па (от 10-6 до 10-3 Торр)). Температура в первом контейнере 210 может увеличиваться от первого узла 211 ввода, достигая 800°C в первом узле 212 извлечения. Путь II осуществляют во время того, как подложка 10 проходит через центральный участок второго контейнера 220 блока 200 термической обработки. Второй контейнер 220 может иметь парциальное давление кислорода, например, примерно от 1,3 Па до 13 ПА (от 10-2 до 10-1 Торр). Парциальное давление кислорода может увеличиваться по мере прохождения от участка, прилегающего к первому контейнеру 210 к участку, прилегающему к третьему контейнеру 230. Температура в центральной участке второго контейнера 220 может составлять примерно 850°C или выше. Путь III можно осуществлять во время того, как подложка 10 проходит через третий контейнер 230 блока 200 термической обработки. Третий контейнер 230 может иметь парциальное давление кислорода, например, примерно от 6,7 Па до 40 ПА (от 5·10-2 до 3·10-1 Торр). Температура в третьем контейнере 230 может снижаться от примерно 850°C второго узла 221 ввода, по мере прохождения ко второму узлу 222 извлечения. Скорость охлаждения может составлять 1°/час или выше (примерно 5°/час).
[45] В вышеизложенных вариантах реализации было описано, что блок 100 осаждения тонкой пленки, блок 200 термической обработки и блок 300 подачи/сбора подложек сконструированы как единое целое. Однако изобретательский замысел не ограничивается этим вариантом.
[46] В одном варианте реализации блок 300 подачи/сбора подложек можно обеспечивать отдельно от блока 100 осаждения тонкой пленки и блока 200 термической обработки, соответственно. Сначала блок подачи/сбора подложек, наматывающий подложку, устанавливают на блок 100 осаждения тонкой пленки. В блоке 100 осаждения тонкой пленки на подложке формируют пленку предшественника сверхпроводящего материала. Блок 100 осаждения тонкой пленки может иметь конфигурацию, отличную от представленной в вышеописанном примере. Например, блок 100 осаждения тонкой пленки может представлять собой блок для осаждения из паров металлорганических соединений (MOD). Далее блок подачи/сбора линейного материала, наматывающий подложку, на которой формируют пленку предшественника сверхпроводящего материала, отделяют от блока 100 осаждения тонкой пленки. Подложка, на которой получена пленка предшественника сверхпроводящего материала, может быть установлена на блок 200 термической обработки. После этого подложку, на которой получена пленка предшественника сверхпроводящего материала, можно подвергать термической обработке.
[47] В другом варианте реализации подложка может представлять собой не провод, а пластину с большой площадью поверхности. В этом случае блок подачи/сбора подложек может иметь конфигурацию, отличную от вышеописанного примера. Подложку поставляют в блок осаждения тонкой пленки, и на подложке формируют пленку предшественника сверхпроводящего материала. Подложку, на которой обеспечена пленка предшественника сверхпроводящего материала, поставляют в устройство, способное к выполнению вышеописанных стадий термической обработки, чтобы подвергнуть ее термической обработке.
[48] Несмотря на то, что изобретательский замысел был конкретно показан и описан со ссылками на приведенные в качестве примеров варианты реализации изобретения, для специалиста в данной области техники очевидно, что в этих вариантах реализации могут быть сделаны различные изменения по форме и в деталях без отклонения от сущности и объема изобретательского замысла, определенного нижеследующей формулой изобретения.
Промышленная применимость
[49] Изобретение может быть использовано в таких областях техники, как магнитно-резонансная визуализация (МРВ), поезд на сверхпроводящей магнитной подвеске и судно с электромагнитным принципом движения, в котором используется сверхпроводимость.
Claims (11)
1. Способ получения сверхпроводящего объекта, включающий:
обеспечение оксида редкоземельного элемента-меди-бария, содержащего редкоземельный элемент, барий и медь, и
проведение термической обработки указанного оксида редкоземельного элемента-меди-бария с образованием сверхпроводника, содержащего распределенные в нем зерна оксида редкоземельного элемента,
при этом проведение указанной термической обработки включает:
первую стадию термической обработки, на которой температуру повышают с обеспечением жидкой фазы указанного оксида редкоземельного элемента-меди-бария, содержащей оксид редкоземельного элемента, и
вторую стадию термической обработки, на которой температуру и/или давление кислорода изменяют по сравнению с их значением на первой стадии термической обработки с получением монокристаллического оксида редкоземельного элемента-меди-бария.
обеспечение оксида редкоземельного элемента-меди-бария, содержащего редкоземельный элемент, барий и медь, и
проведение термической обработки указанного оксида редкоземельного элемента-меди-бария с образованием сверхпроводника, содержащего распределенные в нем зерна оксида редкоземельного элемента,
при этом проведение указанной термической обработки включает:
первую стадию термической обработки, на которой температуру повышают с обеспечением жидкой фазы указанного оксида редкоземельного элемента-меди-бария, содержащей оксид редкоземельного элемента, и
вторую стадию термической обработки, на которой температуру и/или давление кислорода изменяют по сравнению с их значением на первой стадии термической обработки с получением монокристаллического оксида редкоземельного элемента-меди-бария.
2. Способ по п. 1, в котором монокристаллический оксид редкоземельного элемента-бария-меди выращивают из оксида редкоземельного элемента.
3. Способ по п. 2, в котором парциальное давление кислорода на первой стадии термической обработки составляет примерно от 1,3·10-4 Па до 0,13 Па (от 10-6 до 10-3 Торр), а парциальное давление кислорода на второй стадии термической обработки составляет примерно от 0,13 Па до 13 Па (от 10-3 до 10-1 Торр).
4. Способ по п. 2, в котором размер зерна оксида редкоземельного элемента составляет менее 1 мкм.
5. Способ по п. 1, в котором оксид редкоземельного элемента-меди-бария получают на подложке, и при этом указанная подложка содержит металл, имеющий текстурированную структуру, или оксидный буферный слой, имеющий текстурированную структуру, на металлической подложке.
6. Кристаллический оксид редкоземельного элемента-бария-меди, содержащий распределенные в нем зерна оксида редкоземельного элемента и зерна оксида бария-меди.
7. Кристаллический оксид редкоземельного элемента-бария-меди по п. 6, дополнительно содержащий:
зерна оксида меди, распределенные в указанном кристаллическом оксиде редкоземельного элемента-бария-меди.
зерна оксида меди, распределенные в указанном кристаллическом оксиде редкоземельного элемента-бария-меди.
8. Кристаллический оксид редкоземельного элемента-бария-меди по п. 6, в котором каждое зерно оксида редкоземельного элемента имеет размер менее 1 мкм.
9. Кристаллический оксид редкоземельного элемента-бария-меди по п. 6, в котором каждое зерно оксида редкоземельного элемента имеет продолговатую форму.
10. Сверхпроводящий объект, содержащий:
подложку,
оксид редкоземельного элемента-бария-меди по любому из пп. 6-9, полученный на указанной подложке, и
оксиды бария-меди, полученные на верхней поверхности указанного оксида редкоземельного элемента-бария-меди.
подложку,
оксид редкоземельного элемента-бария-меди по любому из пп. 6-9, полученный на указанной подложке, и
оксиды бария-меди, полученные на верхней поверхности указанного оксида редкоземельного элемента-бария-меди.
11. Сверхпроводящий объект по п. 10, в котором подложка содержит металл, имеющий текстурированную структуру, или оксидный буферный слой, имеющий текстурированную структуру, на металлической подложке.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120085768A KR101456152B1 (ko) | 2012-08-06 | 2012-08-06 | 초전도체 및 초전도체 형성방법 |
| KR10-2012-0085768 | 2012-08-06 | ||
| PCT/KR2012/008132 WO2014025088A1 (en) | 2012-08-06 | 2012-10-08 | Superconducting body and method of forming the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2598150C1 true RU2598150C1 (ru) | 2016-09-20 |
Family
ID=50068293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015104312/28A RU2598150C1 (ru) | 2012-08-06 | 2012-10-08 | Сверхпроводящий объект и способ его получения |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20150228379A1 (ru) |
| JP (1) | JP2015532630A (ru) |
| KR (1) | KR101456152B1 (ru) |
| RU (1) | RU2598150C1 (ru) |
| WO (1) | WO2014025088A1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5306697A (en) * | 1989-02-10 | 1994-04-26 | University Of Houston - University Park | Oriented grained Y-Ba-Cu-O superconductors having high critical currents and method for producing same |
| JPH07187671A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-25 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
| JP2003327496A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 超電導体の製造方法 |
| US6774088B2 (en) * | 2001-03-27 | 2004-08-10 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Rare earth-Ba-Cu complex composition and method of producing superconductor using same |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0710732B2 (ja) * | 1991-06-28 | 1995-02-08 | 工業技術院長 | 超電導体の製造方法 |
| JP3155333B2 (ja) * | 1992-03-27 | 2001-04-09 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 臨界電流密度の高い酸化物超電導体の製造方法 |
| KR100336613B1 (ko) * | 1999-10-27 | 2002-05-16 | 이종훈 | 상.하 종자결정법을 이용한 고온초전도 단결정체 및 그 제조방법 |
| US20050065035A1 (en) * | 2003-06-10 | 2005-03-24 | Rupich Martin W. | Superconductor methods and reactors |
| US9362477B2 (en) * | 2010-02-05 | 2016-06-07 | Sunam Co., Ltd. | Method of forming ceramic wire, system of forming the same, and superconductor wire using the same |
| KR20130065637A (ko) * | 2010-04-21 | 2013-06-19 | 가부시키가이샤후지쿠라 | 산화물 초전도 도체 및 그 제조 방법 |
| JP5599045B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-10-01 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液及びその製造方法 |
| JP2013235766A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導薄膜とその形成方法 |
-
2012
- 2012-08-06 KR KR1020120085768A patent/KR101456152B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-08 RU RU2015104312/28A patent/RU2598150C1/ru active
- 2012-10-08 US US14/420,113 patent/US20150228379A1/en not_active Abandoned
- 2012-10-08 JP JP2015526454A patent/JP2015532630A/ja active Pending
- 2012-10-08 WO PCT/KR2012/008132 patent/WO2014025088A1/en active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5306697A (en) * | 1989-02-10 | 1994-04-26 | University Of Houston - University Park | Oriented grained Y-Ba-Cu-O superconductors having high critical currents and method for producing same |
| JPH07187671A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-25 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
| US6774088B2 (en) * | 2001-03-27 | 2004-08-10 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Rare earth-Ba-Cu complex composition and method of producing superconductor using same |
| JP2003327496A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 超電導体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014025088A1 (en) | 2014-02-13 |
| KR101456152B1 (ko) | 2014-11-03 |
| KR20140019558A (ko) | 2014-02-17 |
| US20150228379A1 (en) | 2015-08-13 |
| JP2015532630A (ja) | 2015-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2521827C2 (ru) | Способ получения керамического проводника, система для его получения и сверхпроводящий проводник с его применением | |
| RU2597247C2 (ru) | Сверхпроводящий провод и способ его формирования | |
| JP4713012B2 (ja) | テープ状酸化物超電導体 | |
| CN101911218B (zh) | Re系氧化物超导线材及其制造方法 | |
| JP5513154B2 (ja) | 酸化物超電導線材及び酸化物超電導線材の製造方法 | |
| WO2011017439A1 (en) | Critical current density enhancement via incorporation of nanoscale ba2renbo6 in rebco films | |
| Chen et al. | Composition effects on the critical current of MOCVD-processed Zr: GdYBCO coated conductors in an applied magnetic field | |
| JP2003034527A (ja) | 厚膜テープ状酸化物超電導体及びその製造方法 | |
| JP5535453B2 (ja) | 単純化された層構造を有する被覆導体 | |
| KR101719266B1 (ko) | 초전도체, 초전도 선재, 및 초전도체 형성방법 | |
| RU2598150C1 (ru) | Сверхпроводящий объект и способ его получения | |
| US9634223B2 (en) | Superconductor, superconducting wire, and method of forming the superconductor | |
| JP2012212571A (ja) | 酸化物超電導導体 | |
| US20130017956A1 (en) | Method of forming superconducting wire | |
| JP2015011867A (ja) | 酸化物超電導体及び酸化物超電導導体 | |
| WO2002093590A1 (fr) | Supraconducteur oxyde sous forme de ruban et son mode de fabrication | |
| JP2010238633A (ja) | 希土類系厚膜酸化物超電導線材の製造方法 | |
| JP2011249162A (ja) | 超電導線材の製造方法 |