KR101429440B1 - 극자외선을 사용하고 게터 물질을 포함하는 휘발성 유기 화합물 흡수 부재를 갖는 리소그래피 장치 - Google Patents

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Abstract

극자외선을 사용하고, 장치의 공정 챔버 (13) 배치된 게터 물질을 포함하는 탄화수소 흡수 부재를 갖는 리소그래피 장치가 개시되었다.
Figure 112010059992009-pct00001

Description

극자외선을 사용하고 게터 물질을 포함하는 휘발성 유기 화합물 흡수 부재를 갖는 리소그래피 장치 {LITHOGRAPHY APPARATUS USING EXTREME UV RADIATION AND HAVING A VOLATILE ORGANIC COMPOUNDS SORBING MEMBER COMPRISING A GETTER MATERIAL}
본 발명은 극자외선을 사용하고 게터 물질을 포함하는 휘발성 유기 화합물 (VOCs) 흡수 부재를 갖는 리소그래피 장치에 관한 것이다.
리소그래피는 집적 회로의 제조에 사용되는 기술로서 이들 회로들을 형성하는 부분의 기하학적 배열을 한정한다; 이 기술은 또한 (MEMs로서 당업계에 알려진) 마이크로기계 시스템의 회로들과 같은 유사한 제조 공정에 사용된다. 본 발명을 설명하기 위해, 참조 문헌들은 (ICs로 알려진) 집적 회로의 제조에 관한 텍스트로 구성될 것이지만, 본 발명은 리소그래피 기술을 사용하는 모든 제조 공정에 사용될 수 있다.
ICs의 제조에서, 일반적으로 실리콘 또는 다른 반도체 물질인 한 장의 지지 물질 상에, 소정의 파장에서 방사선에 노출되면 이의 화학적 작용 (예를 들어 소정의 용매에서 이의 용해도)이 변화할 수 있는 특성을 보여주는 고분자 물질의 막이 배치되거나, 액체 전구체로부터 시작하여 형성된다. 중합체 막의 단지 일부에 적합한 방사선을 선택적으로 조명함으로써, 중합체 막은, 그러한 중합체 막을 용매에 의한 후속 공격을 가능하게 하는 방식으로, 국소적으로 감작된다(또한 그 반대가 가능하다. 즉, 그러한 막은 용매에 의해서 공격 가능하거나, 그 대신, 방사선 처리가 용매에 대해서 내성을 나타내게 한다). 선택적인 조명 처리 후, 용매의 화학적 공격에 민감하게 된 (또는 민감하게 남아있는) 부분이 후속된 처리에 의해 제거되어, 지지 표면의 바람직한 부분만이 노출된다; 다음에 예컨대 물리적 증기 증착 (PVD, "스퍼터링"으로 보다 일반적으로 당업계에 공지된 기술), 화학적 증기 증착 (CVD), 분자 빔 에피택시 (MBE) 등과 같은 기술에 의해 이들 부분에 바람직한 특성을 갖는 물질, 예를 들어 전도 또는 절연 물질의 국소적 증착물을 형성시킬 수 있다; 택일적으로, 지지 표면의 노출된 부분은 자체의 지지 표면에서 적합한 기하학적 배열의 리세스(recesses)를 형성시키기 위해, 예를 들어 화학적 공격에 의한 침식성 (erosive) 처리가 수행될 수 있다. 고분자 막의 배치 또는 증착의 택일적인 후속 사이클에 의해, 자체 부분의 선택적 제거 및 서포트의 노출된 부분 또는 이의 침식된 부분 상에 바람직한 물질의 "흔적(traces)"을 증착하여, 바람직한 구조의 집적 회로가 최종적으로 제조된다.
제조 단가를 절감하고 보다 더 조밀한 전자 제품에 대한 시장의 요구에 따르기 위해, 집적 회로를 형성하는 부분의 일반적인 치수는 시간이 지남에 따라 일정하게 감소하고 있다; 현재 리소그래피 기술을 통해 얻어진 IC 부분의 최소 치수는 약 100 나노미터 (nm)이지만, 차세대 ICs에 대한 변화가 이미 진행되고 있어, IC 부분의 최소 치수는 대략 30 nm가 될 것이다.
보다 작은 기하학적 배열 및 구조를 한정할 수 있도록 하기 위해서는, 리소그래피 작업 중에 이들 기하학적 배열의 치수를 비교할 수 있는 보다 작은 파장의 방사선을 사용하는 것이 필요하다. ICs의 주요 제조사들은 차세대 ICs의 제조에 사용하기 위해 대략 13.5 nm로 새로운 파장 표준을 정하였다. 이값은 극자외선 (또는 EUV) 영역으로 정의된 짧은 파장의 UV 방사선의 영역에 있다: 이들 방사선이 사용되는 리소그래피는 따라서 당업계에 "극자외선 리소그래피", 또는 이의 약자인 EUVL로 정의되어 알려졌다.
지금까지 사용된 리소그래피 기술은 몇몇 가스, 액체 또는 고체가 투과하는 파장을 사용하였다; 따라서, 리소그래피 시스템을 형성하는 물질의 적합한 선정에 의해, 광원으로부터 고분자 막으로의 UV 방사선의 광학적 경로가 기체성 매질 (예를 들어, 정제된 공기)에서 발생되고 방사선의 편차 및 초점이 필수적으로 적합한 렌즈를 통한 굴절에 의해서만 발생되도록 하는 것이 가능하였다. EUVL을 사용함에 의해 이것은 더 이상 가능하지 않은데, 왜냐하면 EUV 파장이 모든 물질에 의해 거의 완전히 흡수되기 때문이다. 결과적으로, EUVL에서 방사선의 광학적 경로는 단지 내부 진공 흡입 챔버 (inside evacuated chambers) 및 반사 구성요소 (거울, 단색화 장치, ...)의 사용에 의해 정해질 수 있다.
현재 개발되고 있는 EUVL 장치들은 한 챔버로부터 다른 챔버로 방사선의 통과를 위해 작은 개구들을 통해 서로 연결된 다양한 주 챔버로 구성된다. 보통은, EUV 방사원 (일반적으로 레이저 또는 방전에 의해 생성된 플라즈마) 및 공급원에 의해 방사된 방사선의 일부를 수집하고 바람직한 방향에 따라 방사선을 향하게 하는 콜렉터가 제1 챔버에 배치된다. 중간 챔버에는 제1 챔버로부터 나온 빔을 포커싱하고 디렉팅하기 위한 구성요소의 부분이 있다 (예를 들어, 단색화 장치 및 단색화 장치로부터의 방사선을 향하도록 하는 반사 구성요소의 시스템). 마지막으로, "공정 챔버"로 다음에 정의되는 최종 챔버에, 방사선에 의해 처리되도록 고분자 막을 고정하는, 바람직하게 반도체 물질로 구성된 서포트 상에 방사선을 포커싱하기 위한 최종 반사 구성요소, 및 방사선의 입사 방향에 대해 수직인 면에서 조절되는 방식에서 자유롭게 기동할 수 있는, 상기 서포트를 고정하는 샘플 홀더 (샘플 홀더는 "X-Y 테이블"로서 알려져 있다)가 있다. 일반적으로 터보-분자 또는 극저온 펌프를 포함하는 펌핑 시스템이 장치 내부에서 필요로 하는 진공도를 유지하기 위해 장치와 연결된다. 요구되는 진공도는 여러 챔버들에서 서로 다르며, 제1 챔버에서는 공정 챔버에서의 10-7 Pa보다 낮은 잔여 압력의 값까지 필요하므로 덜 심하다. EUVL 장치의 예는 특허출원 US 2006/0175558 A1에 개시되었으며, 이는 유사한 장치의 여러 부분 및 이들의 기능에 관한 보다 자세한 설명을 위해 참조되었다.
EUVL 장치들이 가진 문제는 공정 챔버 내의 휘발성 유기 분자들의 존재이다. 이들 분자들은, 높은 에너지의 UV 방사에 의해 조사될 때, 상호 반응하거나 바람직하게 반도체 물질로 구성된 서포트의 표면과 반응할 수 있으며, 따라서, 형성 과정에서 구조에 포함되어 잔류할 수 있고 이의 결함을 야기할 수 있는, 후속 화학적 처리에 저항력을 갖는 새로운 화학종 또는 탄소 잔여물을 생성하고, 따라서 제조 폐기물을 생성한다. 또한, 유기 분자의 분해 및 탄소-기재층의 증착은 EUV 소스로부터 오는 방사선을 반사하는 것을 과제로 하는 공정 챔버 내에 존재하는 광학 렌즈 상에 발생할 수도 있다. 렌즈의 표면상의 탄소층의 존재는 이들의 광 반사력을 감소시키며, 따라서 기판에 도달하는 방사선의 세기를 감소시킨다. 이는 차례로 포토리소그래피 효율 및 전체적인 공정 수율을 감소시킨다.
탄화수소는 EUVL 장치 내에 존재할 수 있는 가장 일반적인 VOCs 오염 물질에 포함된다.
EUVL 장치에는 보통 고도의 진공 상태하에서 챔버를 유지하기 위해 여러 펌핑 유닛들이 설치되는데, 서포트 상의 고분자 막의 표면을 가로지르는 방사선의 스캐닝이 유기 분자들의 소스이며, 고분자의 분해 및 그 안에 트랩된 용매 분자들로부터 유래된다. 이들 분자들은 따라서 시스템의 가장 중요한 영역 (critical zone)에 형성되어 방출된다.
EUVL 장치에서 진공을 유지하기 위해 통상 제공되는 펌핑 시스템은 이들 화학종들이 서포트 상에서 또는 서포트와 원치않는 반응을 일으킬 수 있기 이전에 이들 종들을 신속하고 효과적인 방식으로 제거할 수 없는데, 왜냐하면 이들 시스템이 통상적으로 서포트, 또한 유기 분자들이 생성되는 영역으로부터 멀리 배치되기 때문이다. EUVL 장치에서 이미 존재하는 펌프를 이 영역으로 이동시키는 것은 불가능한데, 왜냐하면 터보분자 펌프는 반사 구성요소 또는 X-Y 테이블에 진동을 전달하므로, 스캐닝 정확도가 위협을 받으며, 극저온 펌프 역시 이들이 생성하는 고온 변화도에 기인하여 시스템 내의 기계적 변형을 야기하므로 이러한 스캐닝이 부정확한 예가 된다. WO 2006/011105는 EUV 광학에 대한 세척액 및 광학 구성요소에 인접하여 설치된 게터 증착물에 의한 이들의 배치를 개시하고 있고, US 2005/0122491은 UV 광원 및 이의 인근의 노출되는 구성요소 사이에 삽입되고, UV 광이 이를 통과하는 오염 트랩의 용도를 개시한다. 광학 오염을 피하기 위한 다른 접근법은 US 2005/0229783 및 US 2007/0023709에 개시되는데, EUV 장치 내부의 구성요소로부터 오는 오염을 막기 위한 수단이라기보다는, 리소그래픽 장치 내의 퍼지 가스 (purge gas)를 위한 게터 정화장치의 용도를 제공한다.
따라서, 본 발명의 목적은 공정 챔버 내의 휘발성 유기 분자들의 존재로 인한 문제점을 해결하거나 최소화할 수 있는 극자외선을 사용하는 리소그래피 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 이 목적은 극자외선을 사용하고, 공정 챔버 또는 이에 연결된 적합한 공간 내부에 게터 구성요소를 포함하는 VOC 흡수 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치에 의해 달성된다.
본 발명자들은 200-300℃의 작업 온도에서 H2, O2, H2O, CO 및 CO2와 같은 간단한 기체성 화학종들을 흡수하기 위해 통상 진공 기술에 사용되는 게터 물질이 실온에서 VOCs, 특히 일반적으로 탄화수소를 효과적으로 흡수할 수 있음을 발견하였다. 이는 특히 EUVL 시스템의 공정 챔버에서 서포트에 근접하여 사용하기에 적합한 게터 물질을 함유한 구성요소 (이들은 게터 물질만으로 형성된 보디 (bodies)이거나 표면, 또는 실제 조직된 게터 펌프 상의 이들 물질의 증착물이다)를 만든다. 실제 알려진 바와 같이 게터 물질은 가동부를 가지지 않는 기체 흡수 부재를 제조할 수 있고 따라서 진동으로부터 자유로우며, 실온에서 VOCs 흡수 용량의 결과는 이들 물질이 시스템의 열적 균형을 변화시키지 않고 따라서 고분자 막을 가로지르는 UV 방사선의 스캐닝 부정확성이 개입할 여지가 없이 고분자 막이 배치된 서포트, 즉, 휘발성 무기 분자의 소스에 매우 가깝게 배치될 수 있다는 사실을 도출한다.
본 발명은 아래에 첨부된 도면을 참조하여 설명될 것이다:
도 1은 EUVL 장치의 일반적인 기하학적 배열을 보여주고;
도 2는 EUVL 장치의 공정 챔버에서 게터 부재의 일차적인 위치 가능성을 보여주며;
도 3은 EUVL 장치의 공정 챔버에서 게터 부재의 다른 위치 가능성을 보여주고;
도 4는 EUVL 장치의 공정 챔버에서 게터 부재의 추가적인 위치 가능성을 보여준다.
도면에 도시된 구성요소 및 부재의 치수는 일정한 비율이 아니며, 특히 도 4에 도시된 바람직하게 반도체 물질로 제조된 서포트, 고분자 막 또는 게터 증착물 (deposit)과 같은 것들의 일부 두께는 도면을 이해하는데 도움이 되도록 대체로 증가되었다.
더욱이 아래의 참조에서는 반도체 물질로 제조된 서포트로 만들어질 것이지만, 이는 단지 본 발명을 수행하기 위한 바람직한 구체예이며, 서포트를 위한 다른 종류의 물질, 예를 들어 절연 또는 비전도성 물질을 필요로 할 수 있는 장치의 예들이 있을 수 있다.
도 1은 개략적이고 극단적으로 간단한 방식으로 EUVL 장치를 도시한 것이다. 장치 (10)는 EUV 방사원 (110) 및 공급원으로부터 모든 방향으로 방사된 방사선의 일부를 수집하고 후속 챔버로 방사선을 향하게 하는 콜렉터 (111)가 존재하는 제1 챔버 (11); 모든 방향에서의 공급원으로부터 방사된 주파수의 밴드로부터 원하는 파장을 선택하고 후속 챔버로 단색 방사선을 향하게 하는 단색화 장치 (120)를 포함하는 제2 챔버 (12); 및 반도체 물질로 제조된 서포트 상에 배치된 고분자 막 상에 재생되도록 디자인된 마스크 (131)를 고정한 샘플 홀더 (130), 하나 이상의 반사 구성요소 (132) (그러나, 일반적으로 복수의 반사 구성요소가 제공된다. 예를 들어 특허출원 US 2006/0175558 A1의 도 2를 참조하라), 및 동력 부재 (134)에 의해 이동하는 "X-Y" 테이블 (133)를 포함하는 공정 챔버 (13)를 포함한다. 테이블 (133) 위에 반도체 물질로 제조된 서포트 (135)가 배치되고, 그 위에 방사선에 의해 감작되는 고분자 막 (136)이 존재한다; 도 1에서 문자 R은 EUV 방사선의 경로를 나타낸다.
본 발명에 따르면, 유기 분자의 공급원에 근접한 영역에서, 게터 부재가 공정 챔버 내에 배치된다.
도 2는 공정 챔버 내에 게터 부재를 도입하는 일차적인 가능한 방법을 보여준다. 이 예에서 부재는 트루 게터 펌프이다. 도면은 벽 (20)에 의해 한정된 공정 챔버 (13)의 파단 뷰 및 개략적인 부분을 보여준다. 벽에서 게터 펌프 (22)를 챔버에 연결하기 위한 개구 (21)가 제공되며, 펌프는 예를 들어 중심 서포트 (23) 상에 다공성 게터 물질로 제조된 복수의 디스크 (24)가 고정되어 구성된다. 서포트 (23)는 개구 (21)를 닫는 플랜지 (25)에 고정되고, 또한 펌프의 위치에 고정된다. 게터 펌프는 또한 다른 구조, 예컨대 특허 EP 650639 B1, EP 650640 B1 또는 EP 910106 B1에 보여지는 형태의 구조를 가질 수도 있다. 도 2에서 펌프는 벽 (20)에 설치되고 챔버의 내부를 향한 게터 구조를 갖는 것으로 도시되나, 반대의 배치, 즉, 작은 사이드 챔버 내의 게터 펌프를 챔버 (13)의 외부에 있지만 개구 (21)를 통해 챔버에 연결되도록 배치하는 것도 가능하다. 이 두 번째 방식에서 또한, 예컨대 게터 펌프를 교체하거나 이의 재활성 처리를 수행하기 위해 필요한 경우, 개구 (21)를 막고 공정 챔버로부터 사이드 챔버를 절연시키기 위한 용도의 밸브가 제공될 수도 있다.
도 3은 공정 챔버 내에 게터 부재를 도입하는 이차적인 가능한 방법을 보여준다. 이 예에서도 게터 물질이 펌프 (31)의 형태로 챔버 (13) (벽 (30)으로 한정된) 내로 도입된다. 펌프는 중공 원통의 모양을 가지며 방사선 R과 동일한 축으로 "X-Y" 테이블 (133)에 근접하여 배치된다. 펌프 (31)는 프레임 (32) (일반적으로 금속으로 제조된) 및 다공성 게터 물질로 제조된 복수의 천공 디스크 (33)로 구성된다. 디스크는 프레임 (32)에 간단히 고정된 것으로 보여지지만, 더욱 정교한 해법에 의지하는 것도 분명히 가능한데, 이를 테면 디스크는 프레임 (32)에 삽입된 자립식 구조를 형성하기 위해 금속 부재에 의해 고정된다. 또한 게터 물질 부재의 기하학적 배열은 도시된 것과는 다르게 될 수 있으며 예를 들어 특허 EP 650639 B1에 개시된 방사상으로 배치된 평면 게터 부재에 기반한 기하학적 배열, 특허 EP 918934 B1에 개시된 사인 곡선 게터 부재 또는 이러한 목적을 위한 임의의 다른 적합한 기하학적 배열이 사용될 수 있다. 바람직하게, 프레임의 하부는 상술한 스탠딩 게터 부재로부터 떨어질 수 있는 게터 물질 입자를 가능한 함유하기에 적당한 부피 (34)를 형성하도록 개조되는데, 이는 이들 입자들이 테이블 (133) 또는 막 (136) 위에 떨어지는 것을 방지하기 위함이다.
임의의 적합한 중공 용기가 동일한 목적과 기능을 만족시킬 수 있지만, 중공 원통 형태가 바람직하다.
마지막으로, 도 4는 공정 챔버 내로 게터 부재를 도입하는 다른 가능한 방법을 도시한다. 이 경우 흡수 부재는 일반적인 금속성 표면상의 게터 물질의 증착물로 구성된다. 도 4는 방사선 R과 동일한 축이고 "X-Y" 테이블 (133)에 근접하여 배치된 바람직하게 원통형인 중공 보디 (43)의 내벽에 배치된 게터 물질의 증착물 (42)로 구성된 부재 (41)를 보여준다. 또한 이 예에서 이는 증착물 (42)로부터 떨어질 수 있는 입자들을 보유하기 위해 "서랍 (drawer)" (도면에서 도시되지 않은 예)을 형성하는 방식으로 보디 (43)의 하부를 개조하도록 제공될 수 있는데, 이는 이들 입자들이 테이블 (133) 또는 막 (136) 위에 떨어지는 것을 방지하기 위함이다. 그러나, 증착물 (42)이 스퍼터링에 의해 얻어지는 경우 이 해법에 의지하는 것은 필요하지 않은데, 왜냐하면 이 기술을 통해 얻어진 증착물이 일반적으로 컴팩트하고 입자를 생성하지 않기 때문이다.
공정 챔버에서 제조 단계들을 수행하는 동안, 게터 부재들 및 펌프는 실온에서 작동한다. 그러나, 이들 조건에서는 단지 게터 물질의 표면만이 사용되어, 소정의 수 시간 동안의 작업 후 이에 의해 포화된 표면은 이 작업을 더 이상 수행할 수 없다. 따라서, 주기적으로 게터 물질의 흡수 능력을 재활성화하기 위해 게터 부재 또는 펌프 (도면에 도시되지 않음)를 위한 가열 구성요소의 존재가 예측되는데, 이러한 재활성화는 장치의 정비에 필요한 제조 공정의 중단 동안에 수행될 수 있다.
비록 유리한 배치가 가열 구성요소에 고정되지 않은 채 이의 주변에 배치된 게터 구성요소로 예상되지만, 가열 구성요소가 존재하는 경우, 이는 게터 펌프의 게터 구성요소를 고정하는데 사용될 수도 있다. 이들 게터 펌프의 타입은 CapaciTorr? D2000 MK5 게터 펌프로서 본 출원인에 의해 판매된다.
본 발명에 적합한 게터 물질은 티타늄, 지르코늄, 바나듐, 니오븀 또는 하프늄 중에서 선택된 하나의 단일 금속으로 구성될 수 있거나 여러 금속으로 형성된 조성물을 가질 수 있다. 단일 금속의 예에서, 이는 바람직하게 티타늄 또는 지르코늄이다. 다중-금속 물질의 예에서, 이들은 일반적으로 적어도 전이 원소, 희토류 및 알루미늄 중에서 선택된 다른 원소를 포함하는 티타늄- 및/또는 지르코늄-기반의 합금, 예컨대 Zr-Fe, Zr-Ni, Zr-Al, Zr-V-Fe, Zr-Co-A 합금 (여기서 A는 이트륨, 란타늄 및 희토류 중에서 선택된 하나 또는 여러 원소를 나타낸다) 또는 Zr-Ti-V 합금이다.
게터 물질의 흡수 속도 (rate)를 증가시키기 위해, 이는 바람직하게 고도의 특정 표면적 (즉, 동종의 각 그램에 대한 표면적)을 가지는 형태일 수 있다. 이 조건은 예컨대, 특허 EP 719609 B1 또는 특허 출원 EP 1600232 A1에 기재된 기술에 따라 고도의 다공성 게터 물질 보디를 제조함에 의해 달성될 수 있다. 택일적으로, 특허 출원 EP 1821328 A1에 기재된 기술에 따라서 또는 특허 EP 906635 B1에 기재된 바와 같은 스퍼터링에 의해 적합하게 개조된 표면에 형성된 게터 물질 증착물을 사용할 수 있다. 스퍼터링에 의한 게터 물질의 증착에 의지하는 경우, 불균일하거나 거친 표면에 증착물을 형성하고/거나 특허 출원 WO 2006/109343 A2의 교시에 따른 작업, 즉, 금속층의 증착에 통상 사용되는 값보다 더욱 높은 스퍼터링 챔버 내의 불활성 기체 (보통 아르곤)의 압력하에서, 상기 기술에 사용된 통상의 값보다 더욱 낮은 목표에 적용되는 파워를 사용함에 의해 증착물의 표면적이 증가할 수 있다.

Claims (21)

  1. 고분자 막이 배치되도록 적합화된 서포트를 포함하는 진공 공정 챔버, 및
    게터 물질을 포함하는 휘발성 유기 화합물 (VOCs) 흡수 부재로서, 상기 VOCs 흡수 부재는 방사선에 대해 노출된 고분자 막으로부터의 유기 분자를 흡수하는 데 사용되는, 휘발성 유기 화합물 (VOCs) 흡수 부재를 포함하는,
    극자외선 리소그래피 장치로서,
    상기 게터 물질은 진공 공정 챔버 내 또는 개구를 거쳐 챔버에 연결된 공간 내에 배치되고,
    상기 VOCs 흡수 부재는 진공 공정 챔버 내 서포트로부터 이격되어 있고, 상기 서포트는 사용 중에, 고분자 막 상에 입사하는 UV 방사선의 경로에 수직으로 배치되어, 고분자 막을 국부적으로 감작되게 하고, 상기 VOCs 흡수 부재는 UV 방사선에 동축으로 진공 공정 챔버 내에 배치되고, UV 방사선에 의해 감작되는 고분자 막으로부터 이격되어 있는 중공 (hollow) 용기의 모양을 갖는 게터 펌프인, 극자외선 리소그래피 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 중공 용기가 원통형 (cylindrical-shaped)인 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 게터 펌프가 내부에 게터 물질로 제조된 복수의 천공 디스크가 존재하는 원통형 프레임을 포함하는 장치.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 게터 펌프가 내부에 게터 물질로 제조된 복수의, 방사상으로 배치된 평면 부재가 존재하는 원통형 프레임을 포함하는 장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 VOCs 흡수 부재가 금속 표면상의 게터 물질의 증착물인 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 게터 물질이 티타늄, 지르코늄, 바나듐, 니오븀 또는 하프늄 중에서 선택되거나, 적어도 전이 원소, 희토류 및 알루미늄 중에서 선택된 다른 원소와의 티타늄- 및/또는 지르코늄-기반의 합금인 장치.
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  10. 서포트를 포함하는 진공 공정 챔버, 및
    게터 물질을 포함하는 휘발성 유기 화합물 (VOCs) 흡수 부재를 포함하는, 극자외선 리소그래피 장치로서,
    상기 게터 물질은 진공 공정 챔버 내 또는 개구를 거쳐 챔버에 연결된 공간 내에 배치되고,
    상기 VOCs 흡수 부재는 서포트 상에 입사하도록 적합화된 UV 방사선의 경로에 동축으로 진공 공정 챔버 내에 배치된 중공 용기의 모양을 갖는 게터 펌프인, 극자외선 리소그래피 장치.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 VOCs 흡수 부재가 UV 방사선에 의해 감작되는 고분자 막으로부터 이격되어 있는 장치.
  12. 제 10항에 있어서, 게터 펌프가 게터 물질로 제조된 복수의 디스크를 포함하고 중앙 게터 펌프 서포트에 고정된 장치.
  13. 제 10항에 있어서, 게터 펌프가 i) 게터 물질로 제조된 복수의 디스크 및 ii) 상기 게터 디스크가 고정되어 있는 가열 요소를 포함하는 장치.
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  20. 서포트를 포함하는 진공 공정 챔버, 및
    게터 물질을 포함하는 휘발성 유기 화합물 (VOCs) 흡수 부재를 포함하는, 극자외선 리소그래피 장치로서,
    상기 게터 물질은 진공 공정 챔버 내 또는 개구를 거쳐 챔버에 연결된 공간 내에 배치되고,
    상기 VOCs 흡수 부재는 진공 공정 챔버 내 서포트로부터 이격되어 있고,
    금속 표면상의 게터 물질의 증착물이고,
    UV 방사선에 동축으로 배치되고 UV 방사선에 의해 감작되는 고분자 막으로부터 이격되어 있는 중공 보디 (body)의 내부 벽 상의 게터 물질 증착물을 포함하는, 극자외선 리소그래피 장치.
  21. 고분자 막이 배치되도록 적합화된 서포트를 포함하는 진공 공정 챔버, 및
    게터 물질을 포함하는 휘발성 유기 화합물 (VOCs) 흡수 부재로서, 상기 VOCs 흡수 부재는 방사선에 대해 노출된 고분자 막으로부터의 유기 분자를 흡수하는 데 사용되고 있는 휘발성 유기 화합물 (VOCs) 흡수 부재를 포함하는,
    극자외선 리소그래피 장치로서,
    상기 게터 물질은 진공 공정 챔버 내 또는 개구를 거쳐 챔버에 연결된 공간 내에 배치되고,
    상기 VOCs 흡수 부재는 진공 공정 챔버 내 서포트로부터 이격되어 있고, 상기 서포트는 사용 동안에, 고분자 막 상에 입사하는 UV 방사선의 경로에 수직으로 배치되어, 고분자 막을 국부적으로 감작되게 하고,
    상기 VOCs 흡수 부재는 금속 표면 상의 게터 물질의 증착물이고 UV 방사선에 동축으로 배치되고 UV 방사선에 의해 감작되는 고분자 막으로부터 이격되어 있는 중공 보디의 내부 벽 상의 게터 물질 증착물을 포함하는, 극자외선 리소그래피 장치.
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