JPH04233727A - 薄膜の選択的被着方法 - Google Patents
薄膜の選択的被着方法Info
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- JPH04233727A JPH04233727A JP3219355A JP21935591A JPH04233727A JP H04233727 A JPH04233727 A JP H04233727A JP 3219355 A JP3219355 A JP 3219355A JP 21935591 A JP21935591 A JP 21935591A JP H04233727 A JPH04233727 A JP H04233727A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
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- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
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- C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的に半導体デバイ
スの製造に関し、さらに詳しくは、半導体デバイス上に
パターン形成された薄膜を生成する方法に関する。
スの製造に関し、さらに詳しくは、半導体デバイス上に
パターン形成された薄膜を生成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】幾何学的なパターンの形成は、半導体デ
バイスの製造過程の一部となっている。形成されたパタ
ーンは、製造されるデバイスの物理的な素子を規定する
。通常、半導体ウェーハ上へのパターン形成は、被着工
程，フォトリソ工程，エッチング工程の３つの主要工程
に分けられる。
バイスの製造過程の一部となっている。形成されたパタ
ーンは、製造されるデバイスの物理的な素子を規定する
。通常、半導体ウェーハ上へのパターン形成は、被着工
程，フォトリソ工程，エッチング工程の３つの主要工程
に分けられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のパターン形成に
は多数の工程，装置，処理が用いられることが知られて
いる。各工程および高価な装置を使用するごとに、最終
製品にコストが加えられる。さらに、さまざまな装置は
工場の貴重なスペースを占めるで、それも最終製品にコ
ストを加えることになる。パターンの形成はコストが高
く労働集約的であることが明らかである。したがって、
作業工程数を実質的に低減・統合し、装置数も低減させ
る方法および装置が極めて望ましい。
は多数の工程，装置，処理が用いられることが知られて
いる。各工程および高価な装置を使用するごとに、最終
製品にコストが加えられる。さらに、さまざまな装置は
工場の貴重なスペースを占めるで、それも最終製品にコ
ストを加えることになる。パターンの形成はコストが高
く労働集約的であることが明らかである。したがって、
作業工程数を実質的に低減・統合し、装置数も低減させ
る方法および装置が極めて望ましい。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的と利点は、
幾何学的なパターンを半導体ウェーハに選択的に投影す
ることにより、薄膜を選択的に被着させる装置および方
法によって提供される。半導体ウェーハは、投影手段を
有する化学蒸着室内に装着される。化学蒸着室内を流れ
るガスの光解離エネルギ・レベルは低い。投影手段を介
して紫外線または同等なエネルギ源を照射して、所定の
幾何学的パターンを半導体ウェーハに形成し、少なくと
もパターン形成された単分子膜が得られる。この単分子
膜を用いて、必要に応じてより肉厚な膜を成長させるこ
とができる。
幾何学的なパターンを半導体ウェーハに選択的に投影す
ることにより、薄膜を選択的に被着させる装置および方
法によって提供される。半導体ウェーハは、投影手段を
有する化学蒸着室内に装着される。化学蒸着室内を流れ
るガスの光解離エネルギ・レベルは低い。投影手段を介
して紫外線または同等なエネルギ源を照射して、所定の
幾何学的パターンを半導体ウェーハに形成し、少なくと
もパターン形成された単分子膜が得られる。この単分子
膜を用いて、必要に応じてより肉厚な膜を成長させるこ
とができる。
【０００５】
【実施例】投影手段を有する化学蒸着炉の断面概略図を
図１に示す。紫外線光源１０はモジュール・ブロックと
して示されている。紫外線光源１０は、ウェーハ１７に
像を投影するするため照射および放射エネルギを与える
。紫外線光源１０には各種の鏡，ランプ，フィルターを
含むことができる。一般的に、ランプからの放射光を反
射させてその放射光をフィルタにかけることができるよ
うに、１枚の鏡が配置される。通常、ランプは紫外線帯
域にある強い波長の複数の光線を放射する水銀アーク灯
である。放射光をフィルターにかけることにより、特定
波長の光を選択できる。点線１６は、放射光が投影系の
各素子を通過する際の光路を示す。
図１に示す。紫外線光源１０はモジュール・ブロックと
して示されている。紫外線光源１０は、ウェーハ１７に
像を投影するするため照射および放射エネルギを与える
。紫外線光源１０には各種の鏡，ランプ，フィルターを
含むことができる。一般的に、ランプからの放射光を反
射させてその放射光をフィルタにかけることができるよ
うに、１枚の鏡が配置される。通常、ランプは紫外線帯
域にある強い波長の複数の光線を放射する水銀アーク灯
である。放射光をフィルターにかけることにより、特定
波長の光を選択できる。点線１６は、放射光が投影系の
各素子を通過する際の光路を示す。
【０００６】紫外線光源１０からの放射光は、集光レン
ズ系１１に配向される。集光レンズ系１１は、光学的に
必要な条件に応じて、複数のレンズから構成できる。集
光レンズ系１１は、紫外線光源１０からの放射光を集光
するとともに、照準またはマスク１２に均等に光が照射
されるようにする。照準またはマスク１２には投影され
る幾何学的なパターンが施されている。照準またはマス
ク１２は既知のフォトリソ工程によって製造される。一
般に、照準またはマスク１２は光学的に透明な石英板な
どで作られている。照準またはマスク１２の片面にはパ
ターンがクロムで描画されている。集光レンズ系１１か
らの放射光は照準またはマスク１２を介して照射して、
照準またはマスク１２にクロムで描画されたパターンに
対応する明・暗部のパターンを形成する。このパターン
が縮小レンズ系１３を照射する。縮小レンズ系１３は、
さまざまななレンズ素子から構成できる。縮小レンズ系
１３は、照準またはマスク１２から形成されたパターン
を所望のサイズに縮小する。半導体デバイスの製造に最
も一般的に用いられる縮小レンズは１０ｘおよび５ｘ倍
率の縮小レンズである。１０ｘ倍率縮小レンズの場合、
照準またはマスク１２上の１０ミクロンの線は、縮小レ
ンズ系１３を通過すると１ミクロンの線になる。ただし
、パーキン・エルマー走査システム，レーザー・ディレ
クト・ライト・システム，電子ビーム「Ｅビーム」ディ
レクト・ライト・システムなど、その他の光源装置も利
用できることが理解される。
ズ系１１に配向される。集光レンズ系１１は、光学的に
必要な条件に応じて、複数のレンズから構成できる。集
光レンズ系１１は、紫外線光源１０からの放射光を集光
するとともに、照準またはマスク１２に均等に光が照射
されるようにする。照準またはマスク１２には投影され
る幾何学的なパターンが施されている。照準またはマス
ク１２は既知のフォトリソ工程によって製造される。一
般に、照準またはマスク１２は光学的に透明な石英板な
どで作られている。照準またはマスク１２の片面にはパ
ターンがクロムで描画されている。集光レンズ系１１か
らの放射光は照準またはマスク１２を介して照射して、
照準またはマスク１２にクロムで描画されたパターンに
対応する明・暗部のパターンを形成する。このパターン
が縮小レンズ系１３を照射する。縮小レンズ系１３は、
さまざまななレンズ素子から構成できる。縮小レンズ系
１３は、照準またはマスク１２から形成されたパターン
を所望のサイズに縮小する。半導体デバイスの製造に最
も一般的に用いられる縮小レンズは１０ｘおよび５ｘ倍
率の縮小レンズである。１０ｘ倍率縮小レンズの場合、
照準またはマスク１２上の１０ミクロンの線は、縮小レ
ンズ系１３を通過すると１ミクロンの線になる。ただし
、パーキン・エルマー走査システム，レーザー・ディレ
クト・ライト・システム，電子ビーム「Ｅビーム」ディ
レクト・ライト・システムなど、その他の光源装置も利
用できることが理解される。
【０００７】縮小レンズ系１３を通過した像は、次にウ
ィンドウ１４を通過する。ウィンドウ１４は、光学シス
テムと化学蒸着システムとの間のインターフェースであ
る。ウィンドウ１４は、石英など紫外線を透過する材料
から成り、ウィンドウ１４を透過するパターン化さらた
放射光が強度または解像度を失うことなくウェーハ１７
に配向される。ウィンドウ１４は化学蒸着炉または室１
８の一部であり、炉１８内で高圧または低圧いずれかの
化学作用を用いることができるように化学蒸着炉１８に
接続される。高圧または低圧のいずれの化学作用を選ぶ
かは、使用ガスの化学作用によって決まる。ウィンドウ
１４と化学蒸着炉１８とを通過した放射光は、化学蒸着
炉１８内に装着されたウェーハ１７を最終的に照射する
。ガス注入口１９から化学蒸着炉１８に反応ガスが注入
される。２種類以上のガスをガス注入口１９から化学蒸
着炉１８に注入できることが理解される。いったんガス
が化学蒸着炉１８に注入されると、動的操作，静的操作
のいずれも行うことができる。動的操作の場合、注入ガ
スはウェーハ１７上を通過する。ガスがウェーハ１７を
通過する際、投影手段からのエネルギは、少なくとも単
分子膜をウェーハ１７に被着せしめるのに十分なエネル
ギである。被着は、ウェーハ１７自体を局部加熱するか
、あるいは気相核形成を行い近接被着させるかのいずれ
かによって行われる。未使用ガスは排出口２１から排出
される。投影システムからの放射光の投影によって得ら
れたウェーハ１７上の被着は、照準またはマスク１２の
パターンの複写である。静的操作の場合には、ガスが化
学蒸着炉１８に入る。圧力，流量，温度，時間などの所
定の処理パラメータに達すると、適切なバルブが閉じて
ガスを化学蒸着炉１８内に封入する。次に、投影手段か
らのエネルギがウェーハ上に照射される。投影手段から
のエネルギは、ウェーハ１７上に少なくとも選択的単分
子膜層を被着せしめるのに十分なエネルギである。未使
用ガスは排出口２１から排出される。
ィンドウ１４を通過する。ウィンドウ１４は、光学シス
テムと化学蒸着システムとの間のインターフェースであ
る。ウィンドウ１４は、石英など紫外線を透過する材料
から成り、ウィンドウ１４を透過するパターン化さらた
放射光が強度または解像度を失うことなくウェーハ１７
に配向される。ウィンドウ１４は化学蒸着炉または室１
８の一部であり、炉１８内で高圧または低圧いずれかの
化学作用を用いることができるように化学蒸着炉１８に
接続される。高圧または低圧のいずれの化学作用を選ぶ
かは、使用ガスの化学作用によって決まる。ウィンドウ
１４と化学蒸着炉１８とを通過した放射光は、化学蒸着
炉１８内に装着されたウェーハ１７を最終的に照射する
。ガス注入口１９から化学蒸着炉１８に反応ガスが注入
される。２種類以上のガスをガス注入口１９から化学蒸
着炉１８に注入できることが理解される。いったんガス
が化学蒸着炉１８に注入されると、動的操作，静的操作
のいずれも行うことができる。動的操作の場合、注入ガ
スはウェーハ１７上を通過する。ガスがウェーハ１７を
通過する際、投影手段からのエネルギは、少なくとも単
分子膜をウェーハ１７に被着せしめるのに十分なエネル
ギである。被着は、ウェーハ１７自体を局部加熱するか
、あるいは気相核形成を行い近接被着させるかのいずれ
かによって行われる。未使用ガスは排出口２１から排出
される。投影システムからの放射光の投影によって得ら
れたウェーハ１７上の被着は、照準またはマスク１２の
パターンの複写である。静的操作の場合には、ガスが化
学蒸着炉１８に入る。圧力，流量，温度，時間などの所
定の処理パラメータに達すると、適切なバルブが閉じて
ガスを化学蒸着炉１８内に封入する。次に、投影手段か
らのエネルギがウェーハ上に照射される。投影手段から
のエネルギは、ウェーハ１７上に少なくとも選択的単分
子膜層を被着せしめるのに十分なエネルギである。未使
用ガスは排出口２１から排出される。
【０００８】本発明では、放射光源をウェーハに投影す
ると、ガスを少なくとも２つの成分に解離するのに十分
なエネルギが得られるように調製したガスを用いる。一
方の成分は、ウェーハ上に所定のパターンで被着され、
もう一方の成分は排出口２１から排出される。ガスの被
着成分は、メタル相互接続配線、誘電絶縁パターン，半
導体パターンなど幾何学的パターンを形成するのに必要
な幾何学的パターンとなる。本発明に適したガスは揮発
性の有機金属ガスである。一例として、アミン，亜燐酸
塩，アルシン，カルボニル，アルキル，ジケトネートな
どの銅（Ｉ）種が本発明に使用できる。ただし、これら
の例に限定せずに他のガス構成も可能である。放射光源
は、紫外線，電子ビーム，レーザーなど多種類のものが
使用できる。使用ガスは低活性化エネルギで光解離性を
持つことが望ましい。光解離とは、パターン化された光
線またはＥビーム・システムなどのディレクト・ライト
・システムによって生じる解離のことである。ディレク
ト・ライト・システムでは図１に示すようなマスクまた
は照準は必要ないことは周知である。
ると、ガスを少なくとも２つの成分に解離するのに十分
なエネルギが得られるように調製したガスを用いる。一
方の成分は、ウェーハ上に所定のパターンで被着され、
もう一方の成分は排出口２１から排出される。ガスの被
着成分は、メタル相互接続配線、誘電絶縁パターン，半
導体パターンなど幾何学的パターンを形成するのに必要
な幾何学的パターンとなる。本発明に適したガスは揮発
性の有機金属ガスである。一例として、アミン，亜燐酸
塩，アルシン，カルボニル，アルキル，ジケトネートな
どの銅（Ｉ）種が本発明に使用できる。ただし、これら
の例に限定せずに他のガス構成も可能である。放射光源
は、紫外線，電子ビーム，レーザーなど多種類のものが
使用できる。使用ガスは低活性化エネルギで光解離性を
持つことが望ましい。光解離とは、パターン化された光
線またはＥビーム・システムなどのディレクト・ライト
・システムによって生じる解離のことである。ディレク
ト・ライト・システムでは図１に示すようなマスクまた
は照準は必要ないことは周知である。
【０００９】図２は本発明の実施例を複数の室からなる
集合ツールとして示したものである。集合ツールは高度
に自動化されており、ウェーハの処理と移動はコンピュ
ータ管理システムによって制御されることが理解される
。また、集合ツールは、ウェーハの処理および移動中に
おいてウェーハを無塵の真空状態で維持することができ
るという長所を有する。ウェーハはウェーハ格納室２９
に導入される。ウェーハ格納室２９は、特定の用途に応
じて、真空状態または非真空状態も可能である。ウェー
ハ格納室２９は少なくとも１つのカセット２８を収納で
きる余裕がなければならないが、図２に示すように２つ
以上のカセットを収納することができる。ウェーハ・カ
セット２８はウェーハを収容する収容器である。一般的
に、個々のウェーハが一定間隔をおいて別々のスロット
に収容されるようにカセットは作られている。この間隔
は、格納されるウェーハが互いに擦り合って粒子を発生
しないように充分な間隔が設けられる。さらに、ロボッ
ト・アーム３１によってウェーハの処理のための出し入
れができるように充分な間隔がとられる。ウェーハはウ
ェーハ格納室２９のカセット２８から取り出されて真空
ウェーハ格納室３３に移される。ウェーハをカセット２
８から真空ウェーハ格納室３３に移すのはロボット・ア
ーム３１によって行われる。真空格納室３３に移された
ウェーハは、いずれの炉または室に移すことができる。 ウェーハ格納室３３から炉への移動はロボット・アーム
３２によって行われる。ウェーハの操作ミスを避けるた
め、ロボット・アーム３１とロボット・アーム３２は互
いに連絡しあう必要がある。一般的な処理では、ウェー
ハ３４を真空ウェーハ格納室３３から前処理炉２２に移
す。前処理炉２２は、ウェーハ３５を洗浄し、前処理を
施して化学蒸着リソグラフ（ＣＶＤリソ）炉２３に移さ
れる。ウェーハ３５に前処理を施すことにより、ＣＶＤ
リソ炉２３においてウェーハ３６にパターン蒸着しやす
くなるようにウェーハ表面３５が処理される。
集合ツールとして示したものである。集合ツールは高度
に自動化されており、ウェーハの処理と移動はコンピュ
ータ管理システムによって制御されることが理解される
。また、集合ツールは、ウェーハの処理および移動中に
おいてウェーハを無塵の真空状態で維持することができ
るという長所を有する。ウェーハはウェーハ格納室２９
に導入される。ウェーハ格納室２９は、特定の用途に応
じて、真空状態または非真空状態も可能である。ウェー
ハ格納室２９は少なくとも１つのカセット２８を収納で
きる余裕がなければならないが、図２に示すように２つ
以上のカセットを収納することができる。ウェーハ・カ
セット２８はウェーハを収容する収容器である。一般的
に、個々のウェーハが一定間隔をおいて別々のスロット
に収容されるようにカセットは作られている。この間隔
は、格納されるウェーハが互いに擦り合って粒子を発生
しないように充分な間隔が設けられる。さらに、ロボッ
ト・アーム３１によってウェーハの処理のための出し入
れができるように充分な間隔がとられる。ウェーハはウ
ェーハ格納室２９のカセット２８から取り出されて真空
ウェーハ格納室３３に移される。ウェーハをカセット２
８から真空ウェーハ格納室３３に移すのはロボット・ア
ーム３１によって行われる。真空格納室３３に移された
ウェーハは、いずれの炉または室に移すことができる。 ウェーハ格納室３３から炉への移動はロボット・アーム
３２によって行われる。ウェーハの操作ミスを避けるた
め、ロボット・アーム３１とロボット・アーム３２は互
いに連絡しあう必要がある。一般的な処理では、ウェー
ハ３４を真空ウェーハ格納室３３から前処理炉２２に移
す。前処理炉２２は、ウェーハ３５を洗浄し、前処理を
施して化学蒸着リソグラフ（ＣＶＤリソ）炉２３に移さ
れる。ウェーハ３５に前処理を施すことにより、ＣＶＤ
リソ炉２３においてウェーハ３６にパターン蒸着しやす
くなるようにウェーハ表面３５が処理される。
【００１０】ＣＶＤリソ炉２３内の反応メカニズムは、
一般的に光解離反応として説明される。一般的に、光解
離反応とは露光時に生じる化学反応のことで、これによ
り分子を少なくとも２つの成分に分解する反応のことで
ある。この反応は波長，入力エネルギおよび特定の使用
ガスに依存することが理解される。さらに、特定の波長
およびエネルギ・レベルで解離するようにガスを調製す
ることができることが理解される。
一般的に光解離反応として説明される。一般的に、光解
離反応とは露光時に生じる化学反応のことで、これによ
り分子を少なくとも２つの成分に分解する反応のことで
ある。この反応は波長，入力エネルギおよび特定の使用
ガスに依存することが理解される。さらに、特定の波長
およびエネルギ・レベルで解離するようにガスを調製す
ることができることが理解される。
【００１１】ロボット・アーム３２は処理の済んだウェ
ーハ３５を前処理炉２２から取り出して、ＣＶＤリソ炉
２３に移動させる。ＣＶＤリソ炉２３はウェーハ３６上
に少なくとも単分子膜を選択的に被着させる。ＣＶＤリ
ソ炉２３は、１つの実施例としてさらに詳しく図１に示
されている。ただし、これはあくまでも一例に過ぎず、
他の方法も利用できる。次に、ウェーハ３６は化学蒸着
（ＣＶＤ）室または蒸着炉２４または蒸着炉２６に移さ
れて、ＣＶＤリソ炉２３で生成された単分子層の上に選
択的蒸着が行われる。蒸着炉２４または蒸着室２６にお
いて充分な厚さで選択的蒸着が行われると、ウェーハ３
７またはウェーハ３８は、ロボット・アーム３２によっ
て取り出され、真空室３３に入れられる。完成したウェ
ーハ３４はカセット２８に戻される。
ーハ３５を前処理炉２２から取り出して、ＣＶＤリソ炉
２３に移動させる。ＣＶＤリソ炉２３はウェーハ３６上
に少なくとも単分子膜を選択的に被着させる。ＣＶＤリ
ソ炉２３は、１つの実施例としてさらに詳しく図１に示
されている。ただし、これはあくまでも一例に過ぎず、
他の方法も利用できる。次に、ウェーハ３６は化学蒸着
（ＣＶＤ）室または蒸着炉２４または蒸着炉２６に移さ
れて、ＣＶＤリソ炉２３で生成された単分子層の上に選
択的蒸着が行われる。蒸着炉２４または蒸着室２６にお
いて充分な厚さで選択的蒸着が行われると、ウェーハ３
７またはウェーハ３８は、ロボット・アーム３２によっ
て取り出され、真空室３３に入れられる。完成したウェ
ーハ３４はカセット２８に戻される。
【００１２】別のプロセス・フローでは、蒸着室２４に
おいてウェーハ３７に所望の厚さで蒸着が行われた後、
ウェーハ３７が蒸着炉２６に移動され、窒化物，酸化物
などの異なる膜が被着される。ウェーハ３８は次に炉２
７に移されて、ここでウェーハ３９の表面調整が行われ
る。ついで、ウェーハ３９は蒸着炉２６に戻されて、さ
らに蒸着が行われる。次に、ウェーハ３８は炉２７に移
されてさらに表面調整が行われるか、あるいは真空室３
３を介して系外に取り出される。集合ツールは統合処理
に適しており、非常に多くの種類の膜を被着またはエッ
チングすることが可能であることが理解される。
おいてウェーハ３７に所望の厚さで蒸着が行われた後、
ウェーハ３７が蒸着炉２６に移動され、窒化物，酸化物
などの異なる膜が被着される。ウェーハ３８は次に炉２
７に移されて、ここでウェーハ３９の表面調整が行われ
る。ついで、ウェーハ３９は蒸着炉２６に戻されて、さ
らに蒸着が行われる。次に、ウェーハ３８は炉２７に移
されてさらに表面調整が行われるか、あるいは真空室３
３を介して系外に取り出される。集合ツールは統合処理
に適しており、非常に多くの種類の膜を被着またはエッ
チングすることが可能であることが理解される。
【００１３】別の実施例においては、ウェーハ３４をＣ
ＶＤリソ炉２３に入れてＣＶＤリソによる選択的蒸着を
行う際、充分な厚さの蒸着が行われる。ついで、ウェー
ハ３６は次の処理に移される。
ＶＤリソ炉２３に入れてＣＶＤリソによる選択的蒸着を
行う際、充分な厚さの蒸着が行われる。ついで、ウェー
ハ３６は次の処理に移される。
【００１４】化学蒸着リソグラフ工程に使用するガスに
応じて、生成される幾何学的なパターンは半導体デバイ
スの導線部やその他の部分となりうる。
応じて、生成される幾何学的なパターンは半導体デバイ
スの導線部やその他の部分となりうる。
【００１５】上記の炉はモジュール構成をであることが
理解される。このモジュール構成をにより、集合ツール
において炉を自由に配置することが可能となる。さらに
、ウェーハは必要に応じて各炉から何度も出し入れ可能
であることが理解される。
理解される。このモジュール構成をにより、集合ツール
において炉を自由に配置することが可能となる。さらに
、ウェーハは必要に応じて各炉から何度も出し入れ可能
であることが理解される。
【００１６】以上から、半導体ウェーハ上に幾何学的な
パターを形成する新規な装置およびその方法が提供され
たことが明かである。さらに、この方法は半導体材料を
パターン形成するのに必要な工程数を大幅に低減し、し
かも欠陥のない制御された環境を提供することが理解さ
れる。
パターを形成する新規な装置およびその方法が提供され
たことが明かである。さらに、この方法は半導体材料を
パターン形成するのに必要な工程数を大幅に低減し、し
かも欠陥のない制御された環境を提供することが理解さ
れる。
【図１】投影手段を有する化学蒸着炉の概略断面図であ
る。
る。
【図２】集合ツールの説明図である。
１０ 紫外線光源
１１ 周光レンズ系
１２ 照準またはマスク
１３ 縮小レンズ系
１４ ウィンドウ
１７ ウェーハ
１８ 化学蒸着炉
１９ ガス注入口
２１ ガス排出口
２２ 前処理炉
２３ 化学蒸着リソグラフ炉
２４，２６，２７ 化学蒸着炉
２８ カセット
２９ ウェーハ格納室
３１，３２ ロボット・アーム
３３ 真空ウェーハ格納室
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェーハ上に幾何学的パターン
を投影することによって薄膜を選択的に被着させる方法
であって：投影手段（１４）を有する化学蒸着炉（１８
）内に半導体ウェーハ（１７）を装着する段階；化学蒸
着炉（１８）に低エネルギの光解離ガスを流入する段階
；および投影手段を介して紫外線光源（１０）を照射し
て、少なくともパターン形成された単分子膜が生成され
るように所定の幾何学的パターンを半導体ウェーハ（１
７）上に形成する段階；によって構成されることを特徴
とする方法。 - 【請求項２】 ウェーハ表面に金属膜を選択的に被着
させる方法であって：投影手段を有する化学蒸着炉（１
８）内にウェーハ（１７）を入れる段階；活性化エネル
ギの比較的低いガスを前記炉（１８）に導入する段階；
および前記投影手段を用いて前記ウェーハの表面にメタ
ライズ用パターンを投影する段階によって構成され、前
記パターン化投影が前記ガスを活性化して、該ガスを固
相状態で前記ウェーハ（１７）上に選択的に被着させる
エネルギを有することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US56509690A | 1990-08-10 | 1990-08-10 | |
| US565096 | 1990-08-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04233727A true JPH04233727A (ja) | 1992-08-21 |
Family
ID=24257199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3219355A Pending JPH04233727A (ja) | 1990-08-10 | 1991-08-06 | 薄膜の選択的被着方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0470784A3 (ja) |
| JP (1) | JPH04233727A (ja) |
| KR (1) | KR920005253A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0501278B1 (en) * | 1991-02-28 | 1998-09-30 | Texas Instruments Incorporated | Method to produce masking |
| US5460693A (en) * | 1994-05-31 | 1995-10-24 | Texas Instruments Incorporated | Dry microlithography process |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3378401A (en) * | 1964-02-11 | 1968-04-16 | Minnesota Mining & Mfg | Process for the formation of visible images on a substrate |
| US4608117A (en) * | 1982-06-01 | 1986-08-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Maskless growth of patterned films |
| US4701347A (en) * | 1986-04-18 | 1987-10-20 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Method for growing patterned metal layers |
| JP3527624B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2004-05-17 | リズム時計工業株式会社 | 時計装置 |
-
1991
- 1991-08-02 EP EP19910307148 patent/EP0470784A3/en not_active Withdrawn
- 1991-08-06 JP JP3219355A patent/JPH04233727A/ja active Pending
- 1991-08-07 KR KR1019910013626A patent/KR920005253A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0470784A3 (en) | 1993-03-03 |
| EP0470784A2 (en) | 1992-02-12 |
| KR920005253A (ko) | 1992-03-28 |
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