JP2013165293A - 極紫外線放射を使用すると共にゲッター材料を含む揮発性有機化合物吸収部材を有するリソグラフィー装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】極紫外線放射を使用すると共に、リソグラフィー装置(10)の処理チャンバー(13)に配置されるゲッター材料を含む炭化水素吸収部材を有する、前記装置が開示される。
【選択図】図1
Description
装置10は、
EUV放射源110と、
全ての方向について放射源から放射される放射の部分を収集して、放射を後のチャンバーに方向づける、集光器111と
を有する第1のチャンバー11と、
放射源から放射された周波数帯から所望の波長を選択すると共に、後のチャンバーへ単色放射を方向づける単色光分光器120
を含む第2のチャンバー12と、
半導体材料で作られた支持体上に配置された高分子フィルムの上に再現されるデザインを有するマスク131を保持するサンプルホルダー130と、
少なくとも1つの反射要素132(しかし、一般的に複数の反射要素が設けられる。例えば、特許文献1の図2参照。)と、
電動部材134により移動される“X−Y”テーブル133と
を含む処理チャンバー13と、
を具備する。
テーブル133上に、半導体材料で作られる支持体135が配置され、支持体135上に、放射によって影響を被る高分子フィルム136が存在し、図1の文字Rは、EUV放射の経路を示す。
特許文献11は、光学的要素の近傍に設置されるゲッター積層体によって、EUVの光学作用のための洗浄する解決策と、これらの配置とを開示し、一方で特許文献12は、汚染トラップを通過する紫外線光を有し、紫外線光源及びその近傍と、光に曝される要素との間に介在される汚染トラップの使用を開示する。光学的汚染を避けるための他のアプローチは、特許文献13及び特許文献14に開示され、EUV装置内部の要素から来る汚染を遮断する手段よりもむしろ、リソグラフィー装置内にパージガスのためのゲッター清浄機の使用を提供する。
Claims (13)
- 極紫外線放射を使用するリソグラフィー装置(10)において、
処理チャンバー(13)内に、又は適切な開口部により処理チャンバー(13)に接続される適切な空間内に配置される、ゲッター材料を含む揮発性有機化合物(VOCs)吸収部材(22;31;41)を有する
ことを特徴とするリソグラフィー装置(10)。 - 前記VOCs吸収部材は、ゲッターポンプ支持体(23)を具備するゲッターポンプ(22)であり、
前記ゲッターポンプは、処理チャンバーの壁(20)に形成される開口部(21)を通して処理チャンバー(13)に挿入されると共に、前記ゲッターポンプ支持体(23)を支持するフランジ(25)により前記壁に接続される、
請求項1に記載の装置。 - 前記VOCs吸収部材は、処理チャンバーの外部であるが、前記開口部を介して処理チャンバーと連通する側方チャンバー内に配置されるゲッターポンプである、
請求項1に記載の装置。 - 前記VOCs吸収部材は、ゲッター材料で作られる複数のディスク(24)から構成されると共に中央ゲッターポンプ支持体(23)に固定されるゲッターポンプ(22)である、
請求項1に記載の装置。 - 前記VOCs吸収部材は、ゲッター材料で作られる複数のディスク(24)と、加熱要素とを具備するゲッターポンプ(22)であり、
前記ゲッターディスクは、前記加熱要素に固定される、
請求項1に記載の装置。 - 前記VOCs吸収部材は、ゲッター材料で作られる複数のディスクと、加熱要素とを具備するゲッターポンプであり、
前記ゲッターディスクは、前記加熱要素に固定されることなく、前記加熱要素の周辺に配置される、
請求項1に記載の装置。 - 前記VOCs吸収部材は、処理チャンバー内において、紫外線放射と同軸に、かつ、支持体の支持部材の近傍に配置される、中空コンテナーの形状を有するゲッターポンプ(31)であり、支持体の上に、放射により影響を被る高分子フィルムが存在する、
請求項1に記載の装置。 - 前記中空コンテナーが円筒形である、
請求項7に記載の装置。 - 前記ゲッターポンプは、ゲッター材料で作られ孔が空けられた複数のディスク(33)が内部に存在する、円筒形のフレーム(32)から構成される、
請求項8に記載の装置。 - 前記ゲッターポンプは、ゲッター材料で作られ放射状に配置される複数かつ平坦な部材が内部に存在する、円筒形のフレームから構成される、
請求項8に記載の装置。 - 前記VOCs吸収部材は、金属の表面上のゲッター材料の積層体である、
請求項1に記載の装置。 - 前記VOCs吸収部材(41)は、紫外線放射と同軸に、かつ、支持体の支持部材の近傍に配置される中空体(43)の内壁にゲッター材料の積層体(42)から構成され、支持体の上に、放射により影響を被る高分子フィルムが存在する、
請求項11に記載の装置。 - ゲッター材料は、チタニウム、ジルコニウム、バナジウム、ニオビウム若しくはハフニウム、又は、遷移元素と、希土類元素と、アルミニウムとの中から選択される少なくとももう1つの元素を含むチタニウム及びジルコニウムの両方若しくは一方を基にした合金の中から選択される、
請求項1に記載の装置。
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