KR101419601B1 - Emc 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스 및 이의 제조방법 - Google Patents

Emc 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 공정을 단축하고 비용을 획기적으로 절감할 수 있을 뿐만 아니라, 제품의 최종 완성 단계에서 전체 패키지의 두께 조절이 가능한 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스 및 이의 제조방법은 본드 패드 및 상기 본드패드에 접속된 관통전극을 포함하는 제1 반도체 다이; 상기 본드 패드 또는 상기관통전극에 접속된 재배선층을 가지며, 상기 제1 반도체 다이 위에 형성된 인터포저; 상기 인터포저의 상기 재배선층에 접속되고, 상기 인터포저 위에 위치된 제2 반도체 다이; 상기 제2 반도체 다이를 봉지하는 봉지부; 및 상기 제1 반도체 다이의 상기 본드 패드 또는 상기 관통전극에 접속된 솔더볼을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스 및 이의 제조방법 {Semiconductor device using epoxy molding compound wafer support system and fabricating method thereof}
본 발명은 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼를 위한 서포트는 웨이퍼를 지지하기 위한 서포트 표면 및 서포트 표면으로부터 이격되어 있고 웨이퍼로부터 이격되어 있는 리세스된 표면을 구비하는 플레이트를 포함한다.
종래 기술에 따른 서포트는 상기 플레이트가 실리콘 카바이드, 실리콘 질화물, 및 실리콘 혹은 글래스로 이루어져 있기에 값이 비싸고 또한 공정수가 많은 문제점이 있었다.
본 발명은 웨어퍼 서포트 시스템(WSS: wafer support system) 대신에 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: epoxy molding compound)를 이용하여 인터포저와 반도체 다이 접속 그리고 몰딩의 일괄 공정처리가 가능하여 공정을 단축하고 비용을 획기적으로 절감할 수 있을 뿐만 아니라, 제품의 최종 완성 단계에서 전체 패키지의 두께 조절이 가능한 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스 및 이의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스는 본드 패드 및 상기 본드패드에 접속된 관통전극을 포함하는 제1 반도체 다이; 상기 본드 패드 또는 상기 관통전극에 접속된 재배선층을 가지며, 상기 제1 반도체 다이 위에 형성된 인터포저; 상기 인터포저의 상기 재배선층에 접속되고, 상기 인터포저 위에 위치된 제2반도체 다이; 상기 제2반도체 다이를 봉지하는 봉지부; 및 상기 제1반도체 다이의 상기 본드 패드 또는 상기 관통전극에 접속된 솔더볼을 포함한다.
상기 본드 패드는 상기 관통전극의 하면에 형성될 수 있다.
상기 본드 패드는 상기 관통전극의 상면에 형성될 수 있다.
상기 제1반도체 다이, 상기 인터포저, 및 상기 봉지부의 측면이 동일 평면 일 수 있다.
제1 반도체 다이의 하면에 상기 솔더볼의 외측으로 패시베이션층이 형성될 수 있다.
상기 인터포저의 상기 재배선층은 상기 패시베이션층에 둘러싸여 이루어질 수 있다.
상기 제2반도체 다이와 상기 인터포저 사이에 범프가 위치할 수 있다.
상기 관통전극의 길이는 20~70㎛일 수 있다.
상기 제1 반도체 다이의 두께는 400 ~ 500㎛일 수 있다.
일 실시예에 따른 상기 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스 의 제조방법은 본드 패드 및 관통전극을 포함하는 제1 반도체 다이의 상면에 시드층 및 구리층을 차례로 형성하는 시드층 및 구리층 형성단계; 상기 구리층에 상기 제1 반도체 다이와 같은 크기의 제1 봉지부를 형성하는 제1 봉지부 형성단계; 상기 제1 반도체 다이의 하면을 화학기계적 연마에 의해 연마하여 상기 관통전극을 노출시키는 관통전극 노출단계; 상기 관통전극에 접속된 재배선층을 갖는 인터포저를 형성하는 인터포저 형성단계; 상기 인터포저의 재배선층에 제2 반도체 다이를 접속하는 제2 반도체 다이 접속단계; 상기 제2 반도체 다이를 제2 봉지부로 봉지하는 제2 봉지부 형성단계; 상기 제1 봉지부를 그라인딩 하여 상기 구리층을 노출시키는 구리층 노출단계; 상기 구리층 및 상기 시드층을 차례로 식각하는 식각단계; 및 상기 본드 패드에 솔더볼을 부착하는 솔더볼 부착단계를 포함할 수 있다.
다른 실시예에 따른 상기 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스의 제조방법은, 본드 패드 및 관통전극을 포함하는 제1 반도체 다이의 하면에 제1 봉지부를 형성하는 제1 봉지부 형성단계; 상기 제1 반도체 다이의 상면에 상기 관통전극에 접속된 재배선층을 갖는 제1 인터포저를 형성하는 제1 인터포저 형성단계; 상기 제1인터포저의 재배선층에 제2 반도체 다이를 접속하는 제2 반도체 다이 접속단계; 상기 제2 반도체 다이를 제2 봉지부로 봉지하는 제2 봉지부 형성단계; 및 상기 제1 봉지부를 화학기계적 연마에 의해 연마하여 상기 관통전극을 노출시키는 관통전극 노출단계; 및 상기 본드 패드 또는 상기 관통전극에 솔더볼을 부착하는 솔더볼 부착단계를 포함한다.
본 발명의 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스 및 이의 제조방법에 의하면, 에폭시 몰딩 컴파운드를 이용하여 공정을 단축하고 비용을 획기적으로 절감할 수 있을 뿐만 아니라, 제품의 최종 완성 단계에서 전체 패키지의 두께 조절이 가능한 반도체 디바이스 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스의 구조를 도시한 도면이다.
도 2a내지 도 2j는 도 1에 도시된 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스를 제조하는 방법을 순차적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스의 구조를 도시한 도면이다.
도 4a내지 도 4g는 도 3에 도시된 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스를 제조하는 방법을 순차적으로 도시한 도면이다.
이하, 실시예와 첨부한 도면을 통하여 본 발명에 따른 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스(100, 200) 및 이의 제조방법을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스(100)의 구조를 도시한 도면이고, 도 2a내지 도 2j는 도 1에 도시된 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스(100)를 제조하는 방법을 순차적으로 도시한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스(100)는 제1 반도체 다이(110), 인터포저(120), 제2 반도체 다이(130), 봉지부(140) 및 솔더볼(150)을 포함한다.
상기 제1 반도체 다이(110)는 본드 패드(111), 상기 본드패드에 접속된 관통전극(112), 및 패시베이션층(113)을 포함한다. 상기 본드 패드(111)는 상기 관통전극(112)의 하면에 형성되어 있다. 상기 관통전극(112)은 상기 제1 반도체 다이(110)의 본드 패드(111)를 관통하고 상기 본드 패드(111)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 관통전극(112)의 길이는 20~70㎛일 수 있고, 상기 제1 반도체 다이(110)의 두께는 400~500㎛일 수 있다. 상기 패시베이션층(113)은 폴리머로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 인터포저(120)는 상기 제1 반도체 다이(110)의 상면에 형성되고, 패시베이션층(121), 재배선층(122), 및 랜드(123)를 포함할 수 있다. 상기 재배선층(122)은 상기 관통전극(112)에 접속되고 상기 패시베이션층(121)에 둘러싸여 이루어질 수 있다. 상기 랜드(123)는 상기 재배선층(122) 위에 형성되어 있고, 상기 패시베이션층(121)에 둘어싸여 있다. 상기 패시베이션층(121)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 및 폴리머일 수 있다.
상기 제2 반도체 다이(130)는 상기 인터포저(120)의 상면에 위치하고, 범프(131)를 통하여 상기 인터포저(120)의 상기 재배선층(122)에 접속될 수 있다.
상기 봉지부(140)는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: epoxy molding compound)로 이루어지고, 상기 제2 반도체 다이(130) 및 상기 인터포저(120)의 상면을 봉지하고, 상기 제2 반도체 다이(130)와 상기 인터포저(120) 사이를 채움으로써, 상기 제2 반도체 다이(130)와 상기 인터포저(120)를 외부 환경으로부터 보호하는 역할을 한다. 상기 제1 반도체 다이(110), 상기 인터포저(120), 및 상기 봉지부(140)의 측면은 동일 평면을 이룰 수 있다.
상기 솔더볼(150)은 상기 제1 반도체 다이(110)의 상기 본드 패드(111)에 접속되고, 상기 본드 패드(111)를 통하여 상기 제1 반도체 다이(110)와 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 제1 반도체 다이(110)의 하면에 상기 솔더볼(150)의 외측으로 패시베이션층(113)이 형성될 수 있다.
상기 일 실시예에 따른 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스(100)의 구성에 의하여 반도체 패키지의 두께를 얇게 조절할 수 있다.
상기 일 실시예에 따른 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스(100)의 제조방법은, 시드층 및 구리층 형성단계; 제1 봉지부 형성단계; 관통전극 노출단계; 인터포저 형성단계; 제2 반도체 다이 접속단계; 제2 봉지부 형성단계; 구리층 노출단계; 식각단계; 및 솔더볼 부착단계를 포함한다.
상기 시드층 및 구리층 형성단계는 본드 패드(111) 및 관통전극(112)을 포함하는 제1 반도체 다이(110)의 상면에 시드층(160) 및 구리층(170)을 차례로 형성하는 단계이다. 상기 시드층(160)은 스퍼터링 등의 방법에 의해 형성될 수 있고, 상기 관통전극(112)의 상면에 형성된 본드 패드(111)를 통하여 상기 관통전극(112)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 시드층(160)은 티타늄, 텅스텐, 금, 은, 구리, 또는 그 등가물 중 선택되는 어느 하나의 물질로 형성될 수 있으며, 이러한 물질로 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 상기 시드층(160)의 상면에 형성되는 구리층(170)은 후속 단계로 진행하게 될 상기 화학기계적 연마의 오차가 대략 15㎛이므로, 두께를 대략 30㎛로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 제1 봉지부 형성단계는 상기 구리층(170)에 상기 제1 반도체 다이(110)와 같은 크기의 제1 봉지부(141)를 형성하여 상기 제1 반도체 다이(110)를 외부 환경으로부터 보호하고 상기 제1 반도체 다이(110)의 핸들링을 용이하게 해주는 역할을 한다.
상기 관통전극 노출단계는 상기 제1 봉지부(141)를 이용하여 상기 제1 반도체 다이(110)의 하면을 화학기계적 연마에 의해 연마함으로써 상기 관통전극(112)을 노출시키는 단계이다. 상기 제1 봉지부(141)를 이용하여 상기 제1 반도체 다이(110)를 핸들링하기에 상기 제1 반도체 다이(110)를 외부 환경으로부터 보호할 수 있다.
상기 인터포저 형성단계는 상기 관통전극(112)에 접속된 재배선층(122)을 갖는 인터포저(120)를 형성하는 단계이다. 상기 인터포저(120)를 형성함으로써 상기 제1 반도체 다이(110)에 제2 반도체 다이(130)를 적층하여 전기적으로 연결할 수 있다. 즉, 상기 인터포저(120)는 상기 제1 반도체 다이(110)의 하면에 패시베이션층(121)을 형성하고, 상기 패시베이션층(121)에 재배선층(122)을 형성하되, 상기 관통전극(112)에 접속되도록 형성한다. 상기 랜드(123)는 상기 재배선층(122)의 상면에 형성되고 상기 패시베이션층(121)에 둘러싸여 있다.
제2 반도체 다이 접속단계는 상기 인터포저(120)의 재배선층(122)에 상기 제2 반도체 다이(130)를 접속하는 단계이다. 상기 제2 반도체 다이(130)는 별도의 패키징 구성이 없이 상기 인터포저(120)를 통하여 상기 제1 반도체 다이(110)의 관통전극(112)과 전기적으로 연결됨으로써 와이어 본딩에 연결하는 방법에 비해 배선 거리를 단축한다. 따라서, 패키지 면적과 높이를 축소할 수 있고 반도체 디바이스(100)의 소형화가 가능하다.
상기 제2 봉지부 형성단계는 상기 제2 반도체 다이(130)를 제2 봉지부(142)로 봉지하는 단계이다. 상기 제2 봉지부(142)는 상기 제1봉지부의 두께보다 두껍게 형성한다. 상기 제2 봉지부(142)는 상기 제1 봉지부(141)를 화학기계적 연마에 의해 연마 시 상기 제1 반도체 다이(110)와 상기 제2 반도체 다이(130)의 핸들링을 용이하게 해주고 외부 환경으로부터 보호해주는 역할을 한다.
상기 구리층 노출단계는 상기 제2 봉지부(142)를 이용하여 상기 제1 봉지부(141)를 화학기계적 연마에 의해 연마함으로써 상기 구리층(170)을 노출시키는 단계이다. 상기 화학기계적 연마 오차가 15㎛이므로 상기 구리층(170)이 일부 연마될 수도 있다.
여기서, 제2 봉지부(142)는 실질적으로 도 1에 도시된 봉지부(140)와 동일 구성요소이다.
상기 식각단계는 화학적방법에 의하여 상기 구리층(170) 및 상기 시드층(160)을 차례로 식각하여 제거하고 상기 제1 반도체 다이(110)의 본드 패드(111)를 노출하는 단계이다.
상기 솔더볼 부착단계는 상기 본드 패드(111)에 전기적 신호를 전달하는 솔더볼(150)을 부착하는 단계이다. 상기 솔더볼(150)은 Pb/Sn 또는 Sn-Ag 솔더볼(150)일 수 있다. 상기 제1 반도체 다이(110)의 하면에 상기 솔더볼(150)의 외측으로 패시베이션층(113)이 형성될 수 있다.
상기 일 실시예에 따른 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스(100)의 제조방법에 의하여 값비싼 실리콘 혹은 글래스로 이루어진 웨이퍼 서포트 시스템 대신에 인터포저, 반도체 디바이스 접속, 및 몰딩의 일괄 공정처리가 가능하므로 공정을 단축하고 비용을 획기적으로 절감할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스(200)의 구조를 도시한 도면이고, 도 4a내지 도 4g는 도 3에 도시된 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스(200)를 제조하는 방법을 순차적으로 도시한 도면이다.
상기 도 3에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스(200)는 본드 패드(211)가 상기 관통전극(112)의 상면에 형성되어 있다. 따라서, 인터포저(120)의 재배선층(122)은 상기 본드 패드(211)에 전기적으로 접속된다.
상기 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스(200)와 동일한 부분에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.
상기 다른 실시예에 따른 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스(200)의 제조방법은, 제1 봉지부 형성단계; 인터포저 형성단계; 제2 반도체 다이 접속단계; 제2 봉지부 형성단계; 관통전극 노출단계; 및 솔더볼 부착단계를 포함한다.
상기 제1 봉지부 형성단계는 본드 패드(211) 및 관통전극(112)을 포함하는 제1 반도체 다이(110)의 하면에 제1 봉지부(141)를 형성하여 상기 제1 반도체 다이(110)를 외부 환경으로부터 보호하고 상기 제1 반도체 다이(110)의 핸들링을 용이하게 해주는 역할을 한다.
상기 인터포저 형성단계는 상기 제1 반도체 다이(110)의 상면에 상기 관통전극(112)에 접속된 재배선층(122)을 갖는 인터포저(120)를 형성하여 상기 제1 반도체 다이(110)와 상기 제1 반도체 다이(110)의 상면에 적층되는 제2 반도체 다이(130)를 전기적으로 연결할 수 있다.
상기 제2 반도체 다이 접속단계는 상기 인터포저(120)의 재배선층(122)에 상기 제2 반도체 다이(130)를 접속하여 상기 제2 반도체 다이(130)의 범프(131)를 통하여 상기 인터포저(120)의 재배선층(122)과 전기적으로 연결된다.
상기 제2 봉지부 형성단계는 상기 제2 반도체 다이(130)를 제2 봉지부(142)로 봉지하는 단계이다. 상기 제2 봉지부(142)는 상기 제1봉지부의 두께보다 두껍게 형성한다. 상기 제2 봉지부(142)는 상기 제1 봉지부(141)를 화학기계적 연마에 의해 연마 시 상기 제1 반도체 다이(110)와 상기 제2 반도체 다이(130)의 핸들링을 용이하게 해주고 외부 환경으로부터 보호해주는 역할을 한다.
상기 관통전극 노출단계는 상기 제1 봉지부(141)를 화학기계적 연마에 의해 연마하여 상기 관통전극(112)을 노출시킨다. 노출된 상기 관통전극(112)에 재배선층(114)과 패시베이션층(113)을 형성한다. 상기 재배선층(114)은 상기 패시베이션층(113)에 둘러싸여 이루어진다.
상기 솔더볼 부착단계는 상기 재배선층(114)에 솔더볼(150)을 부착하는 단계이다. 상기 제1 반도체 다이(110)의 하면에 상기 솔더볼(150)의 외측으로 패시베이션층(113)이 형성된다.
상기 다른 실시예에 따른 EMC 웨이퍼 서포트 시스템을 이용한 반도체 디바이스(200)의 제조방법에 의하여 값비싼 실리콘 혹은 글래스로 이루어진 웨이퍼 서포트 시스템 대신에 인터포저, 반도체 다이의 접속, 및 몰딩의 일괄 공정처리가 가능하므로 공정을 단축하고 비용을 획기적으로 절감할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술 적 정신이 있다고 할 것이다.
100, 200: 반도체 디바이스 110: 제1 반도체 다이
111, 211: 본드 패드 112: 관통전극
113, 121: 패시베이션층 120: 인터포저
122, 114: 재배선층 123: 랜드
130: 제2 반도체 다이 131: 범프
140: 봉지부 141: 제1 봉지부
142: 제2 봉지부 150: 솔더볼
160: 시드층 170: 구리층

Claims (19)

  1. 본드 패드 및 상기 본드패드에 접속된 관통전극을 포함하는 제1 반도체 다이;
    상기 본드 패드 또는 상기 관통전극에 접속된 재배선층을 가지며, 상기 제1 반도체 다이 위에 형성된 인터포저;
    상기 인터포저의 상기 재배선층에 접속되고, 상기 인터포저 위에 위치된 제2 반도체 다이;
    상기 제 2 반도체 다이와 상기 인터포저 사이에 위치된 범프;
    상기 제2 반도체 다이를 봉지하는 봉지부; 및
    상기 제1 반도체 다이의 상기 본드 패드 또는 상기 관통전극에 접속된 솔더볼을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 본드 패드는 상기 관통전극의 하면에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 본드 패드는 상기 관통전극의 상면에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반도체 다이, 상기 인터포저, 및 상기 봉지부의 측면이 동일 평면인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  5. 제1항에 있어서,
    제1 반도체 다이의 하면에 상기 솔더볼의 외측으로 패시베이션층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 인터포저의 상기 재배선층은 패시베이션층에 둘러싸여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 관통전극의 길이는 20~70㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반도체 다이의 두께는 400 ~ 500㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  10. 본드 패드 및 관통전극을 포함하는 제1 반도체 다이의 상면에 시드층 및 구리층을 차례로 형성하는 시드층 및 구리층 형성단계;
    상기 구리층에 상기 제1 반도체 다이와 같은 크기의 제1 봉지부를 형성하는 제1 봉지부 형성단계;
    상기 제1 반도체 다이의 하면을 화학기계적 연마에 의해 연마하여 상기 관통전극을 노출시키는 관통전극 노출단계;
    상기 관통전극에 접속된 재배선층을 갖는 인터포저를 형성하는 인터포저 형성단계;
    상기 인터포저의 재배선층에 제2 반도체 다이를 접속하는 제2 반도체 다이 접속단계;
    상기 제2 반도체 다이를 제2 봉지부로 봉지하는 제2 봉지부 형성단계;
    상기 제1 봉지부를 그라인딩 하여 상기 구리층을 노출시키는 구리층 노출단계;
    상기 구리층 및 상기 시드층을 차례로 식각하는 식각단계; 및
    상기 본드 패드에 솔더볼을 부착하는 솔더볼 부착단계를 포함하는 반도체 디바이스 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 반도체 다이, 상기 인터포저, 및 상기 봉지부의 측면이 동일 평면인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 반도체 다이의 하면에 상기 솔더볼의 외측으로 패시베이션층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 인터포저의 상기 재배선층은 패시베이션층에 둘러싸여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제2 반도체 다이와 상기 인터포저 사이에 범프가 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조 방법.
  15. 본드 패드 및 관통전극을 포함하는 제1 반도체 다이의 하면에 제1 봉지부를 형성하는 제1 봉지부 형성단계;
    상기 제1 반도체 다이의 상면에 상기 관통전극에 접속된 재배선층을 갖는 인터포저를 형성하는 인터포저 형성단계;
    상기 인터포저의 재배선층에 제2 반도체 다이를 접속하는 제2 반도체 다이 접속단계;
    상기 제2 반도체 다이를 제2 봉지부로 봉지하는 제2 봉지부 형성단계; 및
    상기 제1 봉지부를 화학기계적 연마에 의해 연마하여 상기 관통전극을 노출시키는 관통전극 노출단계; 및
    상기 관통전극에 솔더볼을 부착하는 솔더볼 부착단계를 포함하는 반도체 디바이스 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 반도체 다이, 상기 인터포저, 및 상기 봉지부의 측면이 동일 평면인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 반도체 다이의 하면에 상기 솔더볼의 외측으로 패시베이션층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 인터포저의 상기 재배선층은 패시베이션층에 둘러싸여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조 방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 제2 반도체 다이와 상기 인터포저 사이에 범프가 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조 방법.
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