KR101408413B1 - 중공 성형품의 제조 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 균일한 두께의 매우 얇은 중공 성형품을 용이하게 효율적으로 안정적으로 제조할 수 있는 중공 성형품의 제조 방법 및 장치를 제공하는 것이다. 2개 이상으로 분할이 가능한 금형의 내부에, 상기 금형의 입구부로부터 삽입한 분무 지그로부터, 상기 금형에 대해 전위차를 갖는 액상의 수지를 분무하여 수지층을 형성하는 분무 스텝과, 상기 수지층을 고화하는 고화 스텝과, 상기 분무 지그에 대해 상기 금형을 개방하고, 고화된 상기 수지층을 상기 분무 지그에 보유 지지한 상태로 상기 금형으로부터 이형시키는 이형 스텝 및 상기 분무 지그에 보유 지지된 수지층을 상기 분무 지그로부터 제거하는 제거 스텝으로부터 이루어지는 것을 특징으로 하는 중공 성형품의 제조 방법이다.

Description

중공 성형품의 제조 방법 및 장치{MANUFACTURING METHOD AND APPARATUS FOR A HOLLOW MOLDED PART}
본 발명은, 정전 도장의 원리로 성형 재료를 금형 내부에 분무하여 제조하는 중공 성형품의 제조 방법 및 장치에 관한 것이다.
종래, 중공 성형품을 제조하기 위해서는, 열가소성의 점성 수지를 파이프 형상으로 압출, 에어 블로우에 의해 팽창시키는 다이렉트 블로우 성형, 혹은 사출 성형에 의해 시험관 형상의 예비 성형체를 만들고, 그 후 에어 블로우 등에 의해 팽창시키는 사출 블로우 성형에 의해 제조되어 있다.
다이렉트 블로우 성형은, 암형틀만으로 형성할 수 있고, 또한 복수의 수지를 동시에 압출함으로써, 수지를 적층한 중공 성형품을 염가로 제조할 수 있다. 사출 블로우 성형은 예비 성형체를 사출 성형에 의해 작성하기 때문에, 최종 성형품의 제품 중량이나 두께가 안정되어 있어, 대량 생산품을 효율적으로 제조할 수 있다.
그러나, 이들의 블로우 성형은 수지를 연신하여 성형하기 위해, 연신량(블로우 비율)에 의해 수지의 두꺼운 부분과 얇은 부분이 생기게 되는 문제가 있다.
또한, 이들의 성형 방법은, 수지의 점성을 균일화하기 위해, 용융 수지 내의 기포를 탈기하기 위해, 블로우 성형의 전단계에 있어서 과열하면서 혼련할 필요가 있어, 다대한 열에너지를 필요로 하는 등의 문제도 있다.
상술한 블로우 성형기나 사출 성형기에 비교하여 설비 비용이 매우 적어, 용이하게 성형품의 두께를 균일하게 할 수 있는 기술로서, 개방된 금형의 오목면 내에 재료 분말을 정전 분말 분사 장치에 의해 분사하고, 상기 금형과 분사된 성형 재료를 주기적으로 가열하고, 계속해서 상기 금형과 분사된 성형 재료를 냉각하여 이형시키는 플라스틱 제품의 성형 장치가 제안되어 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).
일본 특허 공고 소44-32673호
상술한 특허 문헌 1에 개시된 플라스틱 제품의 성형 장치에 있어서는, 개방된 복수의 금형(28)을 장착한 드럼(12)의 외부에, 정전기를 대전한 플라스틱의 폴리에틸렌 입자를 상기 금형(28)에 분사하는 분사 헤드(46)를 설치하고 있고, 트레이와 같은 개방형의 용기를 성형할 수 있지만, 보틀과 같은 중공 성형품을 성형할 수는 없다.
특허 문헌 1에 개시된 플라스틱 제품의 성형 장치에 있어서는, 또한, 고화 후의 수지층 즉 목적 성형품을 금형으로부터 이탈시키는 이젝터(72) 등이 필요하다. 이젝터(72)는 목적 성형품을 금형으로부터 이탈시킬 때, 목적 성형품에 가해지는 역학적 부하에 견딜 수 있는 강도가 필요해져, 박막과 같은 박육의 성형품을 얻는 것은 불가능하다.
특허 문헌 1에 개시된 플라스틱 제품의 성형 장치에 있어서는, 또한, 금형과 플라스틱의 열수축의 차이를 이용하고, 제품을 분리하기 쉽게 하기 위해 가열한 금형을 냉각하는 공정이 필요하며, 나아가서는 금형에 액상 이형제를 도포하는 등의 전처리가 필요하였다.
(발명의 목적)
본 발명은, 종래의 중공 성형품의 제조 방법에 관한 상술한 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 균일한 두께의 매우 얇은 중공 성형품을 용이하게 효율적으로 안정적으로 제조할 수 있는 중공 성형품의 제조 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 또한 사용하는 에너지의 비용이 작은 중공 성형품의 제조 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 또한 성형시에 있어서 금형 내에 내압이 가해지지 않고, 형 체결 압력을 필요로 하지 않음으로써, 금형에 경도가 높은 금속을 필요로 하지 않고, 모든 도전성 소재, 예를 들어 도전성 수지인 등을 사용하는 것이 가능하며, 금형의 경량화, 저비용화가 도모되는 중공 성형품의 제조 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 또한 기계적인 구동부가 적고, 성형시의 안전성이 매우 높고, 형상 충실도성이 높은 중공 성형품의 제조 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
제1 발명은,
2개 이상으로 분할이 가능한 금형의 내부에, 상기 금형의 입구부로부터 삽입한 분무 지그로부터, 상기 금형에 대해 전위차를 갖는 액상의 수지를 분무하여 수지층을 형성하는 분무 스텝과,
상기 수지층을 고화하는 고화 스텝과,
상기 분무 지그에 대해 상기 금형을 개방하고, 고화된 상기 수지층을 상기 분무 지그에 보유 지지한 상태로 상기 금형으로부터 이형시키는 이형 스텝 및
상기 분무 지그에 보유 지지된 수지층을 상기 분무 지그로부터 제거하는 제거 스텝
으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 중공 성형품의 제조 방법이다.
제2 발명은,
2개 이상으로 분할이 가능한 금형의 내부에, 상기 금형의 입구부로부터 삽입한 분무 지그로부터, 상기 금형에 대해 전위차를 갖는 액상의 수지를 분무하여 수지층을 형성하는 분무 스텝과,
상기 분무 지그에 대신하여 배치된 고화 전자파 방사 지그에 의해 상기 수지층을 고화하는 고화 스텝과,
상기 고화 전자파 방사 지그에 대해 상기 금형을 개방하고, 고화된 상기 수지층을 상기 고화 전자파 방사 지그에 보유 지지한 상태로 상기 금형으로부터 이형시키는 이형 스텝 및
상기 고화 전자파 방사 지그에 보유 지지된 수지층을 상기 분무 지그로부터 제거하는 제거 스텝
으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 중공 성형품의 제조 방법이다.
제3 발명은,
2개 이상으로 분할이 가능한 금형과,
상기 금형의 입구부로부터 삽입한 분무 지그이며, 상기 금형에 대해 전위차를 갖는 대전된 액상의 수지를 분무하여 상기 금형 내면에 수지층을 형성하는 분무 지그와,
상기 분무 지그에 대해 상기 금형을 개방하고, 고화된 상기 수지층을 상기 분무 지그에 보유 지지한 상태로 상기 금형으로부터 이형시키는 금형 구동 수단과,
상기 분무 지그에 보유 지지된 수지층을 상기 분무 지그로부터 제거하는 제거 수단
을 갖는 것을 특징으로 하는 중공 성형품의 제조 장치이다.
제4 발명은,
2개 이상으로 분할이 가능한 금형과,
상기 금형의 입구부로부터 삽입한 분무 지그이며, 대전된 액상의 수지를 분무하여 상기 금형 내면에 수지층을 형성하는 분무 지그와,
상기 분무 지그에 대신하여 배치되어 고화 전자파를 방사하는 고화 전자파 방사 지그와,
상기 고화 전자파 방사 지그에 대해 상기 금형을 개방하고, 고화된 상기 수지층을 상기 고화 전자파 방사 지그에 보유 지지한 상태로 상기 금형으로부터 이형시키는 금형 구동 수단과,
상기 고화 전자파 방사 지그에 보유 지지된 수지층을 상기 분무 지그로부터 제거하는 제거 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 중공 성형품의 제조 장치이다.
본 발명의 중공 성형품의 제조 방법 및 장치에 따르면, 균일한 두께의 매우 얇은 중공 성형품을 용이하게 효율적으로 안정적으로 제조할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 중공 성형품의 제조 방법 및 장치에 따르면, 또한, 사용하는 에너지의 비용이 작은 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 중공 성형품의 제조 방법 및 장치에 따르면, 또한, 성형시에 있어서 금형 내에 내압이 가해지지 않고, 형 체결 압력을 필요로 하지 않음으로, 금형에 경도가 높은 금속을 필요로 하지 않고, 모든 도전성 소재, 예를 들어 도전성 수지인 폴리아세틸렌이 사용 가능하다. 또한, 도전 필러로서 금분, 은분, 동분, 니켈분, 알루미늄분, 도금분, 카본분, 그라파이트분을 사용한 수지 등을 사용하는 것이 가능하며, 금형의 경량화, 저비용화가 도모되는 효과를 얻을 수 있다. 다른 금형 소재로서, 도전성 도금 처리한 수지도 사용할 수 있다. 수지 금형의 경우, 전자파에 대해 투과성을 갖는 수지를 사용함으로써, 수지 금형의 외부로부터 고화 전자파를 조사하는 것도 가능하다.
본 발명의 중공 성형품의 제조 방법 및 장치에 따르면, 또한, 기계적인 구동부가 적어, 큰 구동력을 필요로 하지 않아, 성형시의 안전성을 매우 높게 할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 중공 성형품의 제조 방법 및 장치에 따르면, 또한, 버어가 되는 부분이 생기지 않아, 유출되는 원료도 없기 때문에, 원료 로스가 발생하지 않는 이점이 있다.
사출 성형이나 압출 성형, 시트 성형, 인플레이션 성형, 블로우 성형, 컴프레션 성형 등에서는, 상온에서 고체의 열가소성 수지 혹은 열경화성 수지를 사용한다. 이들 열가소성 수지 혹은 열경화성 수지는, 스크류를 사용하여 착색재를 혼련할 필요가 있다. 이 경우 수지 유로 내에서, 용융 상태의 수지와 착색재나 첨가재의 흐름의 차이가 생기고, 용접이나, 분산 불량 등의 제품 외관상 혹은 기능상의 문제가 발생하기 쉽다.
본 발명에 있어서, 자외선 경화 수지나 에멀전 등, 상온에서 액체의 수지 원료를 사용한 경우, 안료나 염료 등의 착색재나 첨가재를 미리 브랜드해 두는 것이 가능하다. 분무 노즐로부터 분무된 수지는 유로를 통과하는 일 없이, 수지끼리의 전기적 반발력에 의해 균일하게 분산하면서 금형 표면에 도달하기 위해, 용접이나 분산 불량 등의 문제는 발생할 우려는 적다.
본 발명의 실시 형태는 이하와 같다.
제1 발명 및 제2 발명에 있어서, 분무 스텝을 복수회 행하고, 복수의 수지층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
제1 발명 및 제2 발명에 있어서,
수지가 열경화 수지이며, 분무 스텝에 있어서 가열한 상기 금형을 사용하고, 고화 스텝이 상기 분무 스텝과 동시에 행해지는 것을 특징으로 한다.
제1 발명 및 제2 발명에 있어서,
상기 수지가 자외선 경화 수지이며,
상기 고화 스텝에 있어서 상기 고화 전자파 방사 지그가 상기 수지층에 자외선을 조사하는 것을 특징으로 한다.
제1 발명 및 제2 발명에 있어서,
상기 수지가 광경화 수지이며,
상기 고화 스텝에 있어서 상기 고화 전자파 방사 지그가 상기 수지층에 가시광을 조사하는 것을 특징으로 한다.
제1 발명 및 제2 발명에 있어서,
상기 수지가 열가소성 수지이며,
상기 분무 스텝에 있어서 냉각한 상기 금형을 사용하고,
상기 고화 스텝과 상기 분무 스텝이 동시에 행해지는 것을 특징으로 한다.
제1 발명 및 제2 발명에 있어서,
상기 수지가 에멀전 수지이며,
상기 분무 스텝에 있어서 상기 금형 내에서 에멀전 용제를 기화시키는 것을 특징으로 한다.
제1 발명 및 제2 발명에 있어서,
상기 이형 스텝에 있어서, 상기 금형의 전하를 고화된 상기 수지층의 전하와 동일하게 한 것을 특징으로 한다.
제1 발명 및 제2 발명에 있어서,
상기 금형이 플러스로 대전되고, 수지가 마이너스로 대전되어 있는 것을 특징으로 한다.
제1 발명 및 제2 발명에 있어서,
상기 금형이 마이너스로 대전되고, 수지가 플러스로 대전되어 있는 것을 특징으로 한다.
제1 발명 및 제2 발명에 있어서,
상기 금형이 어스되고, 수지가 마이너스로 대전되어 있는 것을 특징으로 한다.
제1 발명 및 제2 발명에 있어서,
상기 금형이 어스되고, 수지가 플러스로 대전되어 있는 것을 특징으로 한다.
제3 발명 및 제4 발명에 있어서,
상기 금형이, 금속제 또는 도전성 수지제인 것을 특징으로 한다.
제3 발명 및 제4 발명에 있어서,
상기 금형이 플러스로 대전되고, 수지가 마이너스로 대전되어 있는 것을 특징으로 한다.
제3 발명 및 제4 발명에 있어서,
상기 금형이 마이너스로 대전되고, 수지가 플러스로 대전되어 있는 것을 특징으로 한다.
제3 발명 및 제4 발명에 있어서,
상기 금형이 어스되고, 수지가 마이너스로 대전되어 있는 것을 특징으로 한다.
제3 발명 및 제4 발명에 있어서,
상기 금형이 어스되고, 수지가 플러스로 대전되어 있는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태의 중공 성형품의 제조 장치의 구성 설명도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태의 중공 성형품의 제조 장치의 분무 상태를 도시하는 구성 설명도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태의 중공 성형품의 제조 장치의 형 개방 상태를 도시하는 구성 설명도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 형태의 중공 성형품의 제조 장치의 분무 상태를 도시하는 구성 설명도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시 형태의 중공 성형품의 제조 장치의 고화 상태를 도시하는 구성 설명도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태의 중공 성형품의 제조 장치의 형 개방 상태를 도시하는 구성 설명도이다.
(제1 실시 형태)
제1 실시 형태의 중공 성형품의 제조 장치는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 2개로 분할할 수 있는 보틀 금형(10)의 입구부(12)에, 간극 공차가 0.2㎜ 이하이며 절연체(14)에 의해 절연된 노즐부(16)를 배치하여 이루어진다. 노즐부(16)는, 정전 도장에 의해 일반적으로 사용되는 정전 스프레이 건의 분무 노즐인 노즐 바디(20)를 갖는다. 노즐 바디(20)는 접지하고, 보틀 금형(10)에 10㎸의 고전압을 가하여 정전계를 형성한다.
제1 실시 형태의 중공 성형품의 제조 장치에 있어서, 노즐부(16)로부터, 마이너스로 대전된 바인더를 포함하지 않는 성형 수지를 분무한다. 성형 수지는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 보틀 금형(10)의 내면에 균일한 두께 0.01 내지 2.0㎜, 바람직하게는 0.05 내지 0.6㎜의 성형 수지층(22)을 형성하고, 상기 성형 수지층(22)은 정전기력에 의해 보틀 금형(10) 내면에 밀착하게 된다.
성형 수지 재료의 예로서는, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 페놀 수지, 알키드 수지, 아미노알키드 수지, 비닐 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 실리콘 수지, 규소 수지, 불소 수지, 요소 수지, 폴리아세탈 수지 외에, 올레핀계 수지, 스티렌계 수지, 염화비닐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리아미드계 수지, 셀룰로오스, 건성 오일 등을 들 수 있다.
그 후, 도 3에 도시하는 바와 같이, 고정된 노즐부(16)를 중심으로 보틀 금형(10)을 2개로 분할 개방하고, 성형 수지층(22)에 부착된 상태이다. 성형 수지층(20)은 노즐부(16)로부터 제거되어, 보틀이 된다. 성형 수지층(22) 즉 보틀의 평균 두께는, 0.6㎜이다.
(제2 실시 형태)
제2 실시 형태의 중공 성형품의 제조 장치는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 2개로 분할할 수 있는 보틀 금형(110)의 입구부(112)에, 간극 공차가 0.2㎜ 이하인 절연체(114)에 의해 절연된 노즐부(116)를 배치하여 이루어진다. 제2 실시 형태의 중공 성형품의 제조 장치에 있어서는, 노즐체(116)로부터, 마이너스로 대전된 바인더를 포함하지 않는 자외선 경화 수지를 분무한다. 자외선 경화 성형 수지는, 보틀 금형(110)의 내면에 균일한 두께의 성형 수지층(122)을 형성하고, 상기 성형 수지층(122)은 정전기력에 의해 보틀 금형(110) 면에 밀착하게 된다.
그 후, 도 5에 도시하는 바와 같이, 노즐부(116)를 뽑아내고, 대신에 자외선 조사부(150)를 삽입한다. 자외선 조사부(150)는, 200 내지 450㎚의 파장을 포함하는 자외선을 방사하고, 노즐부(116)와 동일 형상의 단면을 갖고, 금형 개구부와의 간극 공차 0.2㎜ 이하의 자외선 투과성을 가진 노즐 투명체(152)를 갖는다.
그 후, 도 6에 도시하는 바와 같이, 고정된 자외선 조사부(150)를 중심으로 보틀 금형(110)을 2개로 분할 개방하고, 성형 수지층(122)은 자외선 조사부(150)에 부착된 상태이다. 성형 수지층(122)은 자외선 조사부(150)로부터 제거되어, 보틀이 된다.
(그 밖의 실시 형태)
제1 실시 형태 및 제2 실시 형태는, 수지의 분무 공정 및 고화 공정이 각 일 공정이지만, 각각의 공정을 복수회 반복하여 적층 성형품을 얻는다.
또한, 제2 실시 형태는, 자외선 경화 수지를 사용하였지만, 그 밖의 광경화 수지를 사용하는 것도 가능하다.
또한, 보틀 금형을 상시 100℃ 이상으로 가열해 두고, 금속에 접착하는 바인더를 포함하지 않는 수성 에멀전을 정전 분무하고, 보틀 금형의 열에 의해 수분을 증발시켜 수지를 고화시킨다.
반대로, 금형을 상시 20℃ 이하로 냉각해 두고, 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌 등의 열가소성 수지를 용융 상태로 정전 분무하고, 보틀 금형에 의한 냉각으로 수지를 고화시킨다.
또한, 분무 노즐을 일반적으로 분체 도장에 의해 사용되어 있는 스프레이 건으로 변경하고, 분무하는 원료를 열경화성 수지로 하고, 상시, 수지의 고화 온도로 가열한 보틀 금형 내면에 분무하고, 수지를 고화시킨다.
이들의 방법은, 금형의 가열과 냉각을 반복하여 행할 필요가 없기 때문에, 에너지의 손실을 최소한으로 억제할 수 있다. 동시에, 보틀 금형의 온도가 다음 공정에서 요구되는 온도까지 가열, 혹은 냉각될 때까지 기다릴 필요도 없기 때문에, 보틀 금형 1개당의 생산성이 높다고 하는 이점도 갖는다.
10, 110 : 보틀 금형
12, 112 : 입구부
14, 114 : 절연체
16, 116 : 노즐부
20, 120 : 노즐 바디
22, 122 : 성형 수지층

Claims (19)

  1. 2개 이상으로 분할이 가능한 금형의 내부에, 상기 금형의 입구부로부터 삽입한 분무 지그로부터, 상기 금형에 대해 전위차를 갖는 액상의 수지를 분무하여 수지층을 형성하는 분무 스텝과,
    상기 수지층을 고화하는 고화 스텝과,
    상기 분무 지그에 대해 상기 금형을 개방하고, 고화된 상기 수지층을 상기 분무 지그에 보유 지지한 상태로 상기 금형으로부터 이형시키는 이형 스텝 및
    상기 분무 지그에 보유 지지된 수지층을 상기 분무 지그로부터 제거하는 제거 스텝으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 방법.
  2. 2개 이상으로 분할이 가능한 금형의 내부에, 상기 금형의 입구부로부터 삽입한 분무 지그로부터, 상기 금형에 대해 전위차를 갖는 액상의 수지를 분무하여 수지층을 형성하는 분무 스텝과,
    상기 분무 지그에 대신하여 배치된 고화 전자파 방사 지그에 의해 상기 수지층을 고화하는 고화 스텝과,
    상기 고화 전자파 방사 지그에 대해 상기 금형을 개방하고, 고화된 상기 수지층을 상기 고화 전자파 방사 지그에 보유 지지한 상태로 상기 금형으로부터 이형시키는 이형 스텝 및
    상기 고화 전자파 방사 지그에 보유 지지된 수지층을 상기 분무 지그로부터 제거하는 제거 스텝으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 분무 스텝을 복수회 행하고, 복수의 수지층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수지가 열경화 수지이며,
    상기 분무 스텝에 있어서 가열한 상기 금형을 사용하고,
    상기 고화 스텝과 상기 분무 스텝이 동시에 행해지는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 수지가 자외선 경화 수지이며,
    상기 고화 스텝에 있어서 상기 고화 전자파 방사 지그가 상기 수지층에 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 방법.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 수지가 광경화 수지이며,
    상기 고화 스텝에 있어서 상기 고화 전자파 방사 지그가 상기 수지층에 가시광을 조사하는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수지가 열가소성 수지이며,
    상기 분무 스텝에 있어서 냉각한 상기 금형을 사용하고,
    상기 고화 스텝과 상기 분무 스텝이 동시에 행해지는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수지가 에멀전 수지이며,
    상기 분무 스텝에 있어서 상기 금형 내에서 에멀전 용제를 기화시키는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 이형 스텝에 있어서, 상기 금형의 전하를 고화된 상기 수지층의 전하와 동일하게 한 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 금형이 플러스로 대전되고, 수지가 마이너스로 대전되어 있는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 방법.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 금형이 마이너스로 대전되고, 수지가 플러스로 대전되어 있는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 방법.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 금형이 어스되고, 수지가 마이너스로 대전되어 있는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 방법.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 금형이 어스되고, 수지가 플러스로 대전되어 있는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 방법.
  14. 2개 이상으로 분할이 가능한 금형과,
    상기 금형의 입구부로부터 삽입한 분무 지그이며, 상기 금형에 대해 전위차를 갖는 대전된 액상의 수지를 분무하여 상기 금형 내면에 수지층을 형성하는 분무 지그와,
    상기 분무 지그에 대해 상기 금형을 개방하고, 고화된 상기 수지층을 상기 분무 지그에 보유 지지한 상태로 상기 금형으로부터 이형시키는 금형 구동 수단과,
    상기 분무 지그에 보유 지지된 수지층을 상기 분무 지그로부터 제거하는 제거 수단을 갖는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 장치.
  15. 2개 이상으로 분할이 가능한 금형과,
    상기 금형의 입구부로부터 삽입한 분무 지그이며, 대전된 액상의 수지를 분무하여 상기 금형 내면에 수지층을 형성하는 분무 지그와,
    상기 분무 지그에 대신하여 배치되어 고화 전자파를 방사하는 고화 전자파 방사 지그와,
    상기 고화 전자파 방사 지그에 대해 상기 금형을 개방하고, 고화된 상기 수지층을 상기 고화 전자파 방사 지그에 보유 지지한 상태로 상기 금형으로부터 이형시키는 금형 구동 수단과,
    상기 고화 전자파 방사 지그에 보유 지지된 수지층을 상기 분무 지그로부터 제거하는 제거 수단을 갖는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 장치.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서,
    상기 금형이, 금속제 또는 도전성 수지제인 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 장치.
  17. 제14항 또는 제15항에 있어서,
    상기 금형이 플러스로 대전되고, 수지가 마이너스로 대전되어 있는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 장치.
  18. 제14항 또는 제15항에 있어서,
    상기 금형이 마이너스로 대전되고, 수지가 플러스로 대전되어 있는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 장치.
  19. 제14항 또는 제15항에 있어서,
    상기 금형이 어스되고, 수지가 마이너스로 대전되어 있는 것을 특징으로 하는, 중공 성형품의 제조 장치.
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