TW201805147A - 積層沈積系統與方法 - Google Patents

Abstract

一種積層沈積系統與方法，該系統包括產生積層材料之一霧劑，該積層材料係為帶電並沈積至一選擇性帶電之基板上。將該基板選擇性充電，包括使該基板之一表面均勻性地帶電、自該基板選擇性地移除電荷以產生該基板表面之帶電與電中性區域。該基板之該帶電區域具有一與該帶電霧劑之極性相反的一極性。該積層材料之帶電霧劑因為該帶電基板與帶電霧劑間之電位差而沈積至該基板表面之選擇性帶電的部分。該系統與該方法進一步包括重複該積層沈積程序以產生積層材料之一多層基體。

Description

積層沈積系統與方法

零件之客製化製造為一成長中行業並具有廣泛的應用。傳統上，使用射出成型機與其他加工技術產生物件之模型或產生物件本身。進一步來說，將加熱性材料如玻璃、金屬、熱塑性塑膠或其他聚合物注射至一特別生成為該所需物件之形狀的射出模具。該材料在該模具中冷卻並採用該模具的形狀以形成該物件。射出模具昂貴且其生成耗時，而且若無進一步增加模具產生之時間與費用，物件之形狀改變將難以適用。

因應改變射出模具以產生模型或物件本身的費用、時間與困難度，出現積層製造產業。已知積層製造技術包括熔融沈積成型法(FDM)、光固化成型法(SLA)、選擇性雷射燒結法(SLS)以及噴射系統等等。每一已知積層製造技術在材料、費用和/或體積容量上有其限制，因而妨礙小量生產、客製化製造與使用一組完整之熱塑性材料的原型設計。此外，已知積層製造技術無法精確地產生具有由傳統技術如射出成型製造之品質物件的機械性能、表面光度與特性複製的零件。

在積層製造對一應用無法製造足夠效能之零件的情況 下，快速電腦控制(CNC)加工與使用低價工具之快速射出成型的一完整產業於是興起。然而，這些技術比積層製造技術明顯更加昂貴並且有其程序限制。

該產業被迫在兩種方案間選擇，由傳統但昂貴、無彈性且耗時之技術如射出成型製造一高品質、高體積容量物件，或用積層製造技術製造較低品質之物件或許沒有所需之結構完整性且有時沒有所需材料但有較快的速度與彈性。例如，FDM與SLS在可用之材料類別上有限制且產生一密度低於100%之物件。快速CNC成型法具有具很好的特性細節和拋光度之較佳品質的物件但依舊昂貴。由已知積層製造技術產生之原型通常加以精緻化直到選定一最後的設計，此時為大規模、高品質射出成型製造而產生一射出模具。此類多相製造程序亦是耗時且昂貴。

該製造產業將可自一製造程序獲益，其中該製造程序體現具有廣泛熱塑性材料組以及特性解析度以能製造具有使用較傳統製造技術而得之複雜度與結構完整性之物件的數位化、積層製造的優點。

根據本文所述內容，提供能使用多樣積層材料並將其以高解析度橫跨沈積於一基板的一積層沈積系統與方法。該系統進一步能藉由重複積層材料程序產生積層材料之一基體(matrix)。

100、200‧‧‧積層沈積程序

102、104、106、108、110、112、202、204、206、208、210‧‧‧步驟

300‧‧‧積層沈積系統

301‧‧‧積層材料處理部分

302‧‧‧長絲延伸霧化器

304、306、310、314、316、318、320、322‧‧‧步驟

308‧‧‧帶電霧劑

311‧‧‧基板處理部分

312‧‧‧基板表面層

400‧‧‧積層沈積系統

401‧‧‧積層材料準備部分

402‧‧‧長絲延伸霧化器

404‧‧‧輥

406‧‧‧霧劑

408‧‧‧氣流

410‧‧‧通道

412‧‧‧霧滴選擇器

414‧‧‧回收步驟

420‧‧‧霧劑充電裝置

422‧‧‧帶電霧劑

423‧‧‧積層材料

430‧‧‧開口

501‧‧‧基板部分

502‧‧‧基板

504‧‧‧圍包充電裝置

506‧‧‧基板平移系統

510‧‧‧選擇性充電裝置

512‧‧‧帶電區域

514‧‧‧間隙

530‧‧‧支撐材料

534‧‧‧刮刀

圖1為根據本發明之一實施例的一示例性積層沈積程序。

圖2為根據本發明之一實施例的一進一步示例性積層沈積程序。

圖3為根據本發明之一實施例之一示例性積層沈積系統的方塊圖。

圖4為根據本發明之一實施例之一示例性積層沈積系統的一示例性 積層材料準備部分。

圖5為根據本發明之一實施例之一示例性積層沈積系統的一示例性基板部分。

圖1為根據本發明之一實施例的一示例性積層沈積程序100。該程序選擇性地將霧劑化、液態之積層材料利用該霧劑霧滴和一基板層表面被選定部分之間的一電位差而沈積至該基板上。該積層材料可為一液體或一材料之一液狀，例如一固體材料融化至一液體狀態。該積層材料可為任何數目之材料，包括例如熱塑性塑膠之聚合物。該材料首先被製成一霧劑，該霧劑可在該選擇性沈積過程中形成。積層材料之該選擇性沈積至該基板層表面而產生一高效率程序，因積層材料之任何過度的沈積基本上被限制，由於未沈積之積層材料可被再循環並再回收至程序100。此外，藉由選擇一表面電荷密度與控制霧滴上之電荷可控制材料每一次重複所沈積的數量。另外，根據該選擇性移除之電荷的解析度，程序100具有與該沈積相關的一解析度或精細度。其允許積層程序100根據該電荷密度與該程序之一電荷改變部分之解析度而達到高解析層級。重複積層材料之沈積可用以產生一由積層材料構成之三維基體或物件。

積層材料之一液態霧劑能以多樣方式產生。舉例而言，在圖1之步驟102中，該霧劑係用一長絲延伸霧化器(filament extension atomizer)產生。該長絲延伸霧化器使用一對反轉輥(counter-rotating roller)在下游端該輥之發散表面之間拉伸液態流體化積層材料的長絲以產生該霧劑。在一示例性實施例中，該積層材料可為一熱塑性塑膠聚合物，其係藉由加熱並融化該聚合物而成液態。該液態積層材料槽匯集在一輥隙(nip)之一上游端，並在該對輥反轉時被拉入輥隙，其中輥隙係為該對輥之間的 空間。在一下游端，該流體被拉伸成一在該輥之發散表面間的長絲，其中該流體之一部分仍然附著至該輥。當拉伸該流體長絲，該長絲變得更長且更細。當該流體長絲到達一不穩定點，即該流體長絲之毛細破裂點，該長絲破裂成多個液滴。當該對輥反轉時，橫跨該對輥表面之流體長絲的持續生成與破裂便產生該積層材料霧滴之霧劑。然後將該積層材料之霧劑引導至程序之另一部份以沈積至該基板上。其他可用之長絲延伸霧化器包括發散活塞、共轉輥以及輥和帶配置。

可選擇地，在步驟104中所形成之多個霧滴可選擇性地依據該霧滴之尺寸或其他物理參數過濾。該多個霧滴之可選擇的物理參數包括霧滴尺寸和/或重量。一篩選過濾器可用以選擇符合所需之物理參數之霧滴。或者，一慣性衝擊器或其他裝置或方法可用以選擇符合所需之物理參數之霧滴。

在步驟106中，積層材料霧滴之霧劑被靜電性帶電至一第一極性以準備沈積至一基板層表面上。一霧劑充電器可用以使該霧劑霧滴於傳送通過或經過該充電器時帶電。在一實例中，該霧劑可藉由將該霧劑通過其中包含電暈、離子電流流動的區域或使用從霧滴中激發電子發射之電離輻射或用其他方法而被靜電性充電。

基板層表面亦可在步驟112選擇性改變該基板層表面之電荷前便經過一均勻充電程序110。基板充電程序110使該基板層之表面均勻地靜電性帶電，亦即，該基板層之表面係被均勻地充電至一所需之具一極性的電荷密度，該極性可與該帶電之霧劑相反或相同。一基板充電裝置可用以將該基板層表面靜電性充電。此類裝置可包括一電暈管(corotron)、一柵控式電暈管(scorotron)或其他冠狀放電裝置。一冠狀放電裝置產生離子放電，其使該基板層表面均勻地靜電性帶電。

在一使基板靜電性帶電至一與該積層材料之霧劑相反極性的一實例中，在基板之表面電荷之一部分可被選擇性地改變至一大致中性的狀態。該選擇性地改變基板層表面電荷在基板層表面上產生大致中性的部分，帶電霧劑不會被吸引或藉由靜電力而沈積至該中性的部分。亦即，帶電霧劑藉由靜電力選擇性地只沈積在基板上仍保持帶電的部分。當積層材料之霧劑與基板帶有相反之極性時，兩者之間便存有一電位。該靜電電位產生一靜電力，該靜電力吸引或沈積該帶電霧劑至基板層表面上帶相反電性的部分。帶電霧劑不斷地被吸引或沈積至基板層表面上直到該帶電霧劑與帶電之基板層表面之間的靜電電位降低至一臨界點。一旦帶電霧劑與基板表面層之間的靜電電位降低至一臨界點，靜電力被減弱致使大致上沒有額外的帶電霧劑被吸引至該帶電基板表面層。

帶電霧劑與帶電基板表面層之間之電位的量值大小與靜電力的強度係取決於電荷密度以及帶電霧劑與帶電基板表面層所分隔之距離。改變基板表面層之電荷密度便改變沈積至該基板層表面之積層材料的量。當帶電材料被沈積或吸引時，帶電霧劑與基板層表面之間的靜電電位隨著基板層表面電荷被沈積之帶電積層材料中和而被降低。藉由選擇性地改變基板層表面之靜電電荷不只可限制積層材料選擇性沈積的區域，亦可同樣地限制積層材料沈積的量。選擇性地減少基板表面層被類似地充電之部分或區域導致較少被類似地充電之積層材料被沈積至這些部分。

在步驟112中，一離子圖形(ionographic)列印頭或其他離子沈積裝置可被用以選擇性地改變基板層表面。該離子圖形列印頭直接向基板層表面發射離子。被發射之離子接觸基板層表面並可依據放電離子之極性與基板層表面之極性或靜電狀態而在該基板層表面中和或誘發一靜電電荷。

在一實例中，基板可均勻地帶電至一第二極性且放電離子可具有一與該基板層表面相反之極性。當帶相反電性之離子接觸基板層表面時，他們中和位於該基板層表面該被接觸之位置的靜電電荷。相對於基板平移該離子圖形列印頭並根據一輸入調控離子之輸出，使得一基板表面具有保留原本均勻帶電的區域以及靜電中性或充電成一相反極性(該放電離子之極性)的其他區域。該帶電區域係被選擇性地改變，因為均勻帶電之基板表面層的電荷選擇性地被大致中和或選擇性地被改變成一相反之極性。帶電之積層材料被具有一第二極性之基板表面層和具有一第一極性之帶電霧劑之間的靜電電位沈積或吸引至該基板表面層的帶電部分。該第一與第二極性可為相同，在這種情況下，該均勻帶電的基板層表面將排斥該帶電霧劑並抑制沈積。或者，該第一與第二極性可為相反，在這種情況下，該均勻帶電的基板層表面將吸引帶電霧劑使得積層材料被沈積至該基板層表面上。根據帶電霧劑之第一極性以及均勻帶電基板之第二極性，離子圖形列印頭基本上產生積層材料將不會被選擇性地沈積在其區域的負電空間，或積層材料將被選擇性地沈積在其區域的正電空間。離子圖形列印頭選擇性地追溯一輸入之圖樣，其可為正的或負的。可用替代方法或裝置選擇性地自均勻帶電基板上移除電荷以促進積層材料之選擇性沈積橫跨該基板。

在另一實例中，基板層表面可大致為中性且基板充電裝置可選擇性地在所需區域改變或充電該基板表面層。一基板充電裝置可根據一預定圖樣或輸入而施加電荷至該基板之目標區域。該基板帶電之目標區域對應於帶相反電性之積層材料被吸附的區域。在此實例中，所需之圖樣以一正像形成於基板上，亦即基板之帶電區域根據該輸入形成所需之圖樣或配置。

在霧劑與基板表面為相同極性之實例中，帶電霧劑將被相同靜電電荷排斥，且積層材料將沈積至基板表面上靜電電荷已被選擇性改變成一相反極性或大致中和狀態的區域上。在霧劑與基板表面具有相反極性之一替代實施例中，因為由帶電霧劑與帶相反電性之基板表面之間的靜電電位所造成之一靜電力使得帶電霧劑將被吸引並沈積至基板表面上。選擇性地改變基板表面之電荷至一與該霧劑相同之極性將導致該帶電霧劑被排斥並被抑制而不沈積至這些電荷被改變的區域。

在均勻帶電之基板表面具有與帶電霧劑之第一極性相反之一第二極性的一實例中，基板層表面電荷可被選擇性地改變成一中性或大致中性的狀態。在此實例中，帶電霧劑因為靜電力將被吸引並沈積至基板表面未被改變帶電之區域上，但不會被吸引至基板表面上大致中性的部分。帶電霧劑可能沈積在該大致中性的部分，但該沈積將是最小的因為帶電霧劑將被強烈吸引至未被改變、帶相反電性之區域。可如下所述藉由包括用於該霧劑之一引導通道而達到進一步最小化帶電材料之錯誤沈積，其藉由將沈積之積層材料限制在被靜電力沈積之積層材料而將帶電霧劑吸引至基板上，防止帶電霧劑沈積至該基板上。

帶電霧劑係由積層材料組成，接著根據基板被改變電荷之部分的配置而以一所需之圖樣或配置沈積於該基板。基板表面層被改變帶電的部分驅動帶電積層材料的沈積與配置以形成一所需之形狀、輪廓或圖樣。該沈積帶電積層材料層之程序可被重複以形成一積層材料之多層、三維的物件。

圖2為根據本發明之一實施例的一進一步示例性積層沈積程序200。在這實施例中，積層材料之帶電霧劑以和圖1之上一實施例相似的方法沈積至基板層表面，加上步驟208額外之支撐材料沈積在沈積之 積層材料之間或周圍的間隙或區域中。

在沈積多層積層材料之程序中，可期望確保下一層能被建在一大致平坦之表面上以更平均的靜電充電。在積層材料周圍沈積支撐材料提供此一功能，並且在未來層形成時支撐他們。該支撐材料較佳為不與積層材料交互作用，並且當積層沈積程序完成以及由積層材料形成的所需之物件或積體完成時容易將該兩種材料分開。每一由積層和支撐材料所得之層形成用於下一積層程序之基板層。如本文所述處理新的基板層表面以形成積層與支撐材料之下一層，一再重複該程序直到物件形成。

支撐材料可為多種材料，包括流體和固體，其根據他們的特性以及與積層材料的交互作用來選擇。支撐材料沈積在選擇性沈積之積層材料的周圍，並且可整平以形成一新的基板層，下一積層程序將進行於其上。

在一實例中，支撐材料可為分配於選擇性沈積之積層材料與基板層表面間的一流體。該流體較佳為不與該選擇性沈積之積層材料結合或容易從選擇性沈積之積層材料分離出來。作為一支撐材料，該流體可硬化成固體或半固體狀態以支撐該選擇性沈積之積層材料。使用設置在距該基板層表面一固定或可變動高度之一刮刀組，該流體可圍繞該積層材料均勻地展開和整平。此外，在該支撐材料程序期間，該刮刀可用於移除多餘或累積之積層材料，確保用於下個積層沈積程序之均勻且平整的一層。

或者，如同可用在選擇性沈積積層材料的區域之間分配該支撐材料的一噴墨程序，可使用一狹縫模塗覆方法(slot die coating method)和裝置。可用另外的替代方法和裝置在該選擇性沈積積層材料的區域之間增加支撐材料。

在圖2之程序200中，一開始至少基板表面層之一部份可被 均勻地充電(步驟202)。如上述討論，可藉由諸如柵控式電暈管之一圍包充電(blanket charging)裝置達成，該裝置使基板表面層均勻地帶電至一與該積層材料霧劑之第一極性相反的第二極性。

在步驟204中，基板表面層電荷之一部份以一選定之圖樣或配置被選擇性地改變。在所示之實施例中，選擇性電荷被改變的部分成為大致中性或帶相反電性，即從第二極性變成第一極性。基板表面層之電荷未被改變的部分係為積層材料之帶電霧劑將被靜電吸引並被靜電力沈積至其上的部分。該電荷被改變的區域或大致中性的區域將不具有沈積其上之積層材料，因為該帶電霧劑將被排斥沈積且/或該靜電力對沈積而言夠弱而不會將帶電之霧劑霧滴吸引至該基板表面層。

或者，一大致中性基板表面層可選擇性地改變靜電至一與該積層材料之靜電帶電霧劑之第一極性相反的極性，而非選擇性地自該基板表面層移除電荷。然後選擇性地將該帶電霧劑沈積至該基板表面層已被選擇性地改變靜電的部分上，並且不被吸引至該基板表面層未被施加靜電之中性的部分。

在步驟206中，積層材料之帶電霧劑的一部份接著沈積至基板表面層之帶電部分上，該帶電部分係由選擇性地改變所述之基板表面層之靜電電荷而形成。該基板表面層現在具有沈積其上之一選擇性沈積之積層材料層。在基板上沈積之積層材料之間和其周圍形成間隙。間隙係為該基板表面層之靜電電荷被選擇性移除或從未施加的區域，其抑制積層材料沈積在基板的這些部分上。該間隙係為該沈積之積層材料之間的空隙且在尺寸、形狀與輪廓上與該沈積之積層材料為相反互補地變化。在步驟208中，接著用如上所述之一支撐材料填補該間隙。

支撐材料可為多樣不同之材料，包括一液體或一固體，其 在如上所述沈積之積層材料周圍與之間分配與整平。當結構在一逐層程序中形成時，該支撐材料包圍並支撐該選擇性沈積之積層材料結構。

在一實例中，支撐材料可為一熱固性材料。該熱固性材料係為一可延展的預聚合物，其可使用刮刀壓入沈積之積層材料之間的間隙中。一旦沈積在該間隙內，該熱固性支撐材料便被固化或加熱以使該材料聚合並固化成圍繞且支撐該選擇性沈積之積層材料的固態硬質材料。

如上所述，步驟210可重複該程序200以生成一多層、三維的結構，其係在使用一基板電荷沈積與選擇性電荷移除和/或選擇性施加電荷程序的一逐層程序中形成。

在圖1與圖2之實施例中概述之程序的各步驟可用一逐步進行之程序或一連續之程序進行。亦即，該程序之每一部分可在移動至該程序之下一部分之前在基板之至少一部份上完成，或者該程序之各步驟可在基板平移經過該系統之各部分時依概述之順序同時進行。將在下文詳細討論之圖5所示為採用後者之一積層沈積程序，由此當基板平移經過各部分時，各程序步驟將被同時進行。

現在參照圖3所示之方塊圖，其顯示包括一積層材料處理部分301以及一基板處理部分311的一示例性積層沈積系統300，其中當積層材料之帶電霧劑308沈積至基板318時，所述兩處理部分相交。積層材料處理部分301包括一管道之通道，帶電積層材料通過該通道被引導至該選擇性帶電的平移基板上。通道或管道之開口允許該帶電之積層材料被一靜電力拉動通過並因為帶電霧劑與基板表面層之選定區域之間的靜電電位而沈積至該基板表面層上。未沈積之材料以及未被吸引至該基板表面層選定區域的帶電積層材料可被再循環或再回收回到積層材料處理部分301。

積層沈積系統300之積層材料處理部分301包括一長絲延伸 霧化器302。使用長絲延伸霧化器302以產生要沈積至基板表面層312之積層材料之霧劑。長絲延伸霧化器302使用一對反轉輥在下游端該輥之發散表面之間拉伸積層材料之流體長絲。該長絲被拉伸至一毛細破裂點，每一流體長絲在該點破裂成一積層材料液滴之霧劑。

使用長絲延伸霧化器允許霧化存有非牛頓性質之流體和材料。非牛頓流體可能難以霧化以產生霧化流體材料之霧劑，因為拉伸該流體之長絲中發生拉伸增厚，如此需要超過傳統噴霧產生器的能力拉伸該長絲。除了非牛頓流體之外，該流體延伸霧化器亦可用於一牛頓流體以產生一霧劑。

接著可藉由一霧劑尺寸選擇裝置或方法304依據霧滴之尺寸或其他物理參數過濾該霧劑。可藉由一過濾器、慣性衝擊器或其他可排除具有超出預定限制的物理參數之霧滴的裝置或方法執行霧劑尺寸或其他物理參數的霧劑尺寸選擇304。將慣性衝擊器放置在該霧劑霧滴流中並包括要求該霧滴持續流動至下游的幾何形狀，如尖角。具有一動量超過由該衝擊器之幾何形狀設置之低限值的霧滴將自該霧滴流中排除，影響該流動而不是該衝擊器之幾何形狀。一霧滴之動量係為該霧滴之速度與質量的函數，其允許衝擊器排除超出預定尺寸和重量參數的霧滴。

將霧劑充電306以準備沈積於基板312上。霧劑充電306係使用一霧劑充電裝置。該霧劑充電裝置可產生其中包含一電暈、一流動之離子流的一區域或從該霧滴中激發電子發射之電離輻射，將該霧劑之霧滴帶電至一所需之一第一極性。該霧劑之電荷的極性可與基板表面層312之圍包電荷相反，其使得該帶電霧劑被吸引至基板表面層帶相反電性的部分。

一旦帶電，帶電霧劑308被平行引導或通過選擇性帶電之基板表面層318的表面以沈積該積層材料。帶相反電性之霧劑與基板表面 層之部分因為一靜電電位而彼此吸引。該靜電電位產生一驅動該霧劑沈積至該基板表面層選定之區域上的靜電力。積層材料之帶電霧劑可藉由一氣流或其他方法而被引導通過一通道或管道。在通道或管道之一開口允許帶電霧劑霧滴僅在限定區域上與該基板表面層選定之區域靜電性相互作用，因此在兩者之間產生靜電電位和所得之靜電力。該靜電力使得該積層材料之帶電霧劑的一部分通過該開口離開該通道或管道並選擇性地沈積至該基板表面層。

未沈積之帶電霧劑可選擇是否再回收310回到長絲延伸霧化器302而用於之後的積層沈積程序。以這種方式，大致上只使用沈積至基板的積層材料，如此產生一高效率積層程序。過量、未沈積之積層材料透過積層材料處理部分301重新引導回到該長絲延伸霧化器。然後該流體積層材料可進行更進一步之霧劑產生程序。

積層沈積系統300之基板處理部分311可使基板表面層312均勻地帶電並選擇性地改變其靜電電荷，以促進積層材料之選擇性沈積。基板表面層312可在一開始以與帶電霧劑308之第一極性相似或相反之一極性的均勻電荷314圍包。使基板表面層312帶電係使用一圍包充電裝置。

一旦被圍包於電荷中，至少該電荷之一部份被選擇性改變316。一離子圖形列印頭或其他合適之裝置或設備可用於選擇性地改變基板表面層之靜電電荷。選擇性地改變基板表面層之電荷在該表面產生電中性的、與該第一極性帶相同電性的或與該第一極性帶相反電性的區域。該中性的或與該基板表面層帶相同電性的部分不會吸引該帶電霧劑，從而抑制或防止該積層材料沈積於這些區域。

在基板表面層的一部分靜電電荷被選擇性改變之後，基板被平移318經過帶電霧劑引導結構。帶電霧劑霧滴被帶電霧劑與基板表面 層選定區域之間靜電電位所造成的一靜電力選擇性地沈積至該基板表面層。一旦該積層材料沈積後，允許該積層材料冷卻與固化。

該基板亦可進行更進一步之積層沈積步驟。可在沈積之積層材料之間施加支撐材料320以產生一新的、平的基板層表面。如上所述，該支撐材料可分配橫跨當前之基板表面層並整平選擇性沈積之積層材料周圍，以形成用於下一積層沈積程序之一新的基板層表面。其結果為積層材料與支撐材料之一平滑連續層形成一基板層表面，該積層材料與支撐材料的整個結構係被原始基板所支撐。

若重複執行積層沈積程序，該選擇性沈積之積層材料的上一層可維持於半流體狀態以協助黏附並結合下一積層材料層以形成多層結構。作為一實例，整個程序可在一加熱之環境中完成，使得積層材料之每一連續之選擇性沈積結合至先前沈積之材料。

在柵控式電暈管預充電步驟期間，沈積之積層材料和/或基板表面層之任何殘餘電荷可同時被中和322。或者，任何殘餘電荷可在柵控式電暈管預充電步驟之前作為一單獨的步驟進行。該表面現在再次移動通過積層沈積系統300之基板處理部分311。該程序可視需求重複多次以生成選擇性施加之積層材料的一結構或積體。為產生該層，基板平移318可包括在一垂直軸上移動基板，因此在帶電霧劑沈積與基板層表面之間維持一不變且固定的間隔。或者，可垂直移動該帶電霧劑沈積以維持相同之間隔。一旦完成所需之結構或積體，若必要或需要，可使用多種不同程序，包括用溶劑移除、機械移除或熱性移除而將支撐材料與積層材料分離。

圖4係為根據本發明之一實施例之一積層沈積系統400的一示例性積層材料準備部分401。在系統400之該準備部分401中，使用一長絲延伸霧化器402形成一積層材料之霧劑406。該積層材料霧劑被充電成帶 電霧劑422以準備通過一開口430沈積至一基板上。流體形式之積層材料被自外部或內部引導至長絲延伸霧化器402。一對反轉輥接合該流體積層材料，並且在輥404之發散的下游表面之間拉伸積層材料的長絲。當該流體長絲在對輥404之間拉伸時，該流體長絲到達一不穩定點，即一毛細破裂點。在毛細破裂點，每一流體長絲之至少一部份破裂成一積層流體霧滴之霧劑406。可用一引入之氣流408引導所形成之霧劑通過系統400之積層材料準備部分401。可藉由旋轉長絲延伸霧化器402之對輥404或其他方式產生氣流408，例如一外部來源。

使長絲延伸霧化器402如圖4所示位於一垂直方位，由長絲延伸霧化器402所形成之霧劑406可根據霧滴大小和/或重量進行過濾。所形成之霧劑406之霧滴上的重力可用以防止尺寸過大和/或重量過重之霧滴進一步通過積層材料準備部分401。改變長絲延伸霧化器402相對於氣流408之垂直高度可用來選擇性地允許所需之一尺寸和/或重量之霧滴離開長絲延伸霧化器402並繼續通過積層材料準備部分401且進入通道410。

一通道410從長絲延伸霧化器402引導所形成之霧劑通過系統400之積層材料處理部分401。通道410係安置成引導所形成之霧劑的流動平行並鄰近該平移基板，以促進基於帶電霧劑與選擇性電荷改變之基板表面層之間的靜電作用力將帶電之積層材料沈積至基板表面層所選擇的部分。

可於積層材料處理部分401之一通道410內設置一霧滴選擇器412。霧滴選擇器412可選擇性地移除或排除具有物理參數如尺寸和重量超出一組所需參數的霧滴。被排除之霧滴可被回收414回到長絲延伸霧化器402供以後使用。在圖4所示之實施例中，霧滴選擇器412為安置於所形成之霧劑流動流中的一慣性衝擊器。該衝擊器包括幾何形狀以跟據其動量 選擇性地過濾霧劑霧滴。使用該幾何形狀，攔阻超過一預定和/或所需之物理參數範圍的霧滴繼續通過該通道。

一霧劑充電裝置420使霧劑霧滴在通過時靜電性帶電。充電裝置420在霧劑霧滴中誘發一靜電電荷以準備沈積至一基板表面層上。充電裝置420可產生其中包含一電暈、一離子流流動或霧劑霧滴通過電離輻射的區域。這從霧滴中激發電子發射以將他們靜電充電至一所需之極性。帶電之霧劑霧滴422繼續通過通道410並穿越一沈積開口430。

當帶電霧劑422穿越通過沈積開口430，該帶電霧劑之一部份被吸引並沈積穿過開口430至一經過下方之基板表面層，其係因為帶電霧劑422與基板表面層之間之靜電電位造成的一靜電力。繼續穿越該通道之過量或殘餘的帶電霧劑422可被回收414回到系統400。

圖5繪示積層沈積系統400之一示例性基板部分501。在這個部分，一基板502層表面之電荷的一部份被選擇性改變之前，基板502可先被均勻地圍包充電。該基板502經過沈積通道開口430下方時，帶電霧劑霧滴422因為基板502層表面與帶電霧劑422之間的靜電電位造成之一靜電力而被吸引並沈積至基板502層表面被選定之區域上。該靜電力將帶電霧劑422之一部份從沈積通道開口430驅動至基板502層表面被選定之區域上。剩餘之帶電霧劑繼續通過沈積通道410以被再回收或處理。帶電霧劑422被吸引至該基板帶相反電性的部分。以一支撐性材料530填充在該積層材料之沈積部分之間形成的間隙，以產生覆蓋該基板層表面之一材料、支撐與積層的光滑、連續層。然後該靜電電荷自基板和積層材料上大致中和，以產生一新的靜電中性基板層表面，該新的靜電中性基板層表面可饋送通過積層沈積系統400以用於更進一步之積層材料沈積程序。一基板平移系統506將基板502平移經過積層沈積系統400。

可藉由一圍包充電裝置504在基板502層表面上誘發一均勻之圍包靜電電荷。在圖5所示之該示例性實施例中，基板被圍包於一負電電荷中。在一示例性實施例中，可用一柵控式電暈管在基板層表面產生圍包電荷。該柵控式電暈管藉由產生一電暈放電使基板層表面靜電帶電並使電荷加速朝向該經過之基板，使該基板表面層帶電直到表面電荷密度造成基板電位與柵控式電暈管格柵之電位相等。電暈放電可藉由在金屬壁原筒內之一細金屬線上施放一高電壓來形成。該高壓電場因此產生接著離子化周圍之氣體，例如空氣。當基板經過該所形成之帶電粒子雲時，基板層表面被充電至該發射粒子之極性。柵控式電暈管允許該基板層表面被充電至一均勻的電荷密度而不論其先前之電荷狀態，這可免除在一進一步之積層沈積程序進行之前減少或大致中和該基板層表面、支撐和積層材料上之殘餘電荷的需求。

一旦基板502層表面被一連續且相等電性電荷覆蓋，一選擇性充電裝置510根據一輸入選擇性地改變該電荷之一部份。該輸入可來自一使用者、電腦程式或其他，並且包含關於由裝置510執行之選擇性電荷改變之圖樣的指令。在所示之該實施例中，選擇性充電裝置510係為一離子圖形列印頭。該離子圖形列印頭引導(或使用一格柵加速)具有一與該帶電基板相反之極性的一離子流。所發射之帶相反電性的離子中和基板層表面之一局部區域或使其帶相反電性。以這種方式，該離子圖形列印頭可根據諸如一圖樣、電腦控制指令或其他的輸入以選擇性方式中和、使帶相反電性或使帶電。離子圖形列印頭510可用垂直於基板502之平移的線性方式移動橫跨基板502之表面，其中該基板於每次經過後前進一離子圖形列印頭510的寬度。離子圖形列印頭510之線性移動結合基板502之平移，形成橫跨基板502表面之一選擇性帶電部分的二維圖樣。

或者，可安排離子圖形列印頭或其他離子沈積裝置的一陣列。以這種方法，可增加每次通過該陣列時基板502層表面被覆蓋的量。或者，該陣列可跨越一相等或大於基板502寬度的距離，如此將允許該陣列被固定且基板502以一連續或逐步的方式在下方前進。

在離子圖形列印頭510已選擇性地改變基板502表面層靜電電荷之至少一部份後，基板502被基板平移系統506在沈積開口430之下方平移。當帶電霧劑422流動通過通道410並越過沈積開口430時，帶電霧劑422之一部分被吸引至基板502層表面帶相反電性的區域512上。在所示之實例中，基板502層表面帶相反電性的區域512係為基板502層表面上圍包電荷未被選擇性移除或帶相反電性的那些部分。

基板502表面其中電荷被選擇性改變至一中性或相反帶電狀態的部分在選擇性地沈積、帶電的積層材料423之間形成間隙514。一支撐材料530沈積橫跨基板502層表面並沈積積層材料422、填充間隙514。將一刮刀534設置於距基板502之表面一定距離處，使選擇性沈積積層材料422與支撐材料530的表面平滑並整平。一旦基板502層表面被沈積之積層材料423和支撐材料530覆蓋，剩餘或殘留之靜電電荷可從材料422與530以及基板502上被大致減少或中和。

基板502可進行重複的積層沈積程序，或者若有需要，可允許積層材料凝固至該基板，如上所述。支撐材料530可作為該凝固程序之一部份結合至基板502上，或可被移除，留下該凝固之所沈積積層材料物件。

基板平移系統506可依基板502之平面水平地以及垂直該基板垂直地平移基板502。在所示之實施例中，系統506可沿著三個軸平移該板502。在其中選擇性充電裝置510沿著跨越基板502層表面之一軸平移的 實例中，基板平移系統506可於選擇性充電裝置510每次經過之後用一遞增或逐步方式平移基板502。一旦基板502層表面電荷改變完成，該基板平移可在以一水平面重複該平移之前在一垂直軸上平移基板502，以產生新的一層選擇性沈積之積層材料。在選擇性充電裝置或裝置之一陣列為靜止的另一實例中，基板502可在2個或更多軸上平移以完成所需之電荷移除圖樣。

積層沈積系統400之基板部分501的各樣元件可被安排成使得基板502依序在元件504、510與530之下平移。以這種方式，基板502可透過系統400被連續處理。

透過系統400重複該積層材料沈積程序可用以在一3維積體材料中建立該積層材料。該重複之積層材料沈積程序產生一高解析度三維物件。該積層沈積程序之解析度可根據選擇性電荷移除裝置510之精細度和準確度而變化。因為沈積之積層材料的選擇性厚度，解析度被進一步增強。帶電霧劑422與帶相反電性之基板502之間的靜電電位越大可致使霧劑化積層材料在基板502上的凝聚越大，因為需要額外的帶電霧劑以中和基板層表面帶相反電性的區域，其取決於靜電電位的大小。如上所述，可在加工程序中移除該支撐材料530，以揭露出由沈積之積層材料形成的固態三維物件。

應該理解，上述之公開說明和其他特徵與功能之變化或其替代，可組合至許多其他不同的系統或應用中。本領域技術人員可隨後進行其中各樣目前未預見或未預料之替代、修改、變化或改進，亦旨在被下列所要求之專利範圍所涵蓋。

400‧‧‧積層沈積系統

422‧‧‧帶電霧劑

423‧‧‧積層材料

430‧‧‧開口

501‧‧‧基板部分

502‧‧‧基板

504‧‧‧圍包充電裝置

506‧‧‧基板平移系統

510‧‧‧選擇性充電裝置

512‧‧‧帶電區域

514‧‧‧間隙

530‧‧‧支撐材料

534‧‧‧刮刀

Claims (10)

1. 一種積層沈積系統，其包括：一霧劑產生裝置，該霧劑產生裝置係配置成產生一積層材料之霧劑；一霧劑充電裝置，該霧劑充電裝置係配置成將該產生的積層材料之霧劑靜電性充電至一第一極性；一選擇性充電裝置，該選擇性充電裝置係配置成改變一基板層表面之一靜電電荷；且該積層材料之帶電霧劑藉由因積層材料之該帶電霧劑與該基板間之靜電電位而得之靜電力而選擇性地沈積至電性被改變之該基板上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之積層沈積系統，其中該霧劑產生裝置係為一長絲延伸霧化器。
3. 如申請專利範圍第1項所述之積層沈積系統，其中該積層材料係為一聚合物。
4. 如申請專利範圍第1項所述之積層沈積系統，其中該選擇性充電裝置根據一輸入而選擇性地改變該基板層表面之靜電電荷。
5. 如申請專利範圍第1項所述之積層沈積系統，其中該選擇性地改變該基板層表面之靜電電荷包括改變一極性或一靜電電荷密度兩者至少其中之一。
6. 如申請專利範圍第1項所述之積層沈積系統，其中進一步包括一基板充電裝置，該基板充電裝置係配置成均勻性地以一具有一第二極性之靜電電荷使該基板層表面靜電性帶電。
7. 如申請專利範圍第6項所述之積層沈積系統，其中該第一與第二極性係大致相同且該選擇性充電裝置選擇性地改變該基板表面層之靜電電荷至與該第一與第二極性相反之一極性和一大致中性狀態兩者至少 其中之一。
8. 如申請專利範圍第6項所述之積層沈積系統，其中該第一極性與第二極性大致相反且該選擇性充電裝置選擇性地改變該基板表面層之靜電電荷至與該第一極性大致相同之一極性和一大致中性狀態兩者至少其中之一。
9. 如申請專利範圍第1項所述之積層沈積系統，進一步包括一霧劑沈積通道，該霧劑沈積通道位於鄰近該基板處並配置成引導與該基板平行之該帶電霧劑橫跨位於該沈積通道之一開口，該帶電霧劑之至少一部份直接鄰近該開口並藉由靜電力沈積至該基板表面層。
10. 一種積層沈積系統，其包括：一長絲延伸霧化器，該長絲延伸霧化器係配置成產生一聚合物之一霧劑；一霧劑充電裝置，該霧劑充電裝置係配置成使該霧化之聚合物靜電性帶電至一第一極性；一離子沈積裝置，該離子沈積裝置係配置成選擇性地改變一基板層表面之一靜電電荷；且該帶電之霧化聚合物選擇性地藉由因積層材料之該帶電霧劑與該基板間之靜電電位而得之一靜電力而選擇性地沈積至電性被改變之該基板上。