CN107848208A - 利用静电压实的增材制造 - Google Patents
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Abstract
一种增材制造系统包括:工作台;分配器设备,经构造以将粉末层输送至所述工作台或先前在所述工作台上分配的层上;电压源,耦接至所述工作台并且经构造以将电压施加至所述工作台,从而产生所述粉末到所述工作台的静电吸引,所述静电吸引足以压实所述粉末;和能量源,经构造以将足够的能量施加至所述粉末,从而熔融所述粉末。
Description
技术领域
本发明涉及增材制造,并且更特定地涉及分配粉末层的3D打印工艺。
背景技术
增材制造(AM),也被称为实体自由成形制造或3D打印,是指三维物体从原料(通常为粉末、液体、悬浮液、或熔化固体)以一系列的二维层或横截面而堆积的任何制造工艺。相比之下,传统机械加工技术包括减材工艺并且生产从诸如木头块或金属块的原料切出的物体。
在增材制造中可以使用各种增材工艺。各种工艺在层沉积以形成完成物体的方式和在每个工艺中可相容地使用的材料上有所不同。一些方法熔化或软化材料以生产层,例如,选择性激光熔化(Selective Laser Melting;SLM)或直接金属激光烧结(Direct MetalLaser Sintering;DMLS)、选择性激光烧结(Selective Laser Sintering;SLS)、熔融沉积成型(Fused Deposition Modeling;FDM),而另外一些方法则使用不同技术(例如,立体光刻(Stereolithography;SLA))固化(cure)液体材料。
烧结是熔融小粒(例如,粉末)来产生物体的工艺。烧结通常包括加热粉末。当在烧结工艺中将粉末状材料加热至足够的温度时,粉末颗粒中的原子扩散穿过颗粒边界,从而将颗粒熔融在一起以形成固体件。相较熔化来说,烧结中使用的粉末无需达到液相。由于烧结温度不必达到材料熔点,常对诸如钨和钼的具有高熔点的材料使用烧结。
烧结和熔化均可在增材制造中使用。所使用的材料决定进行的是哪种工艺。诸如丙烯腈丁二烯苯乙烯(Acrylonitrile Butadiene Styrene;ABS)的非晶固体实际上是过冷粘性液体,并且实际上不熔化;因为熔化涉及从固相到液相的相变。因此,选择性激光烧结(Selective Laser Sintering;SLS)是用于ABS的相关工艺,而选择性激光熔化(SelectiveLaser Melting;SLM)用于结晶和半结晶材料(诸如尼龙和金属),所述材料具有离散的熔化/冻结温度并且在SLM工艺期间经历熔化。
使用激光束作为用于烧结或熔化粉末状材料的能量源(energy source)的常规系统一般在粉末状材料的层中的选定点上引导激光束并且将所述激光束跨层选择性地光栅扫描到位。一旦已烧结或熔化第一层上的所有选定位置,新的粉末状材料的层在已完成层的顶部上沉积并且所述工艺逐层重复直至生产出期望物体。
电子束也可用作引起材料中烧结或熔化的能量源。同样,电子束跨层光栅扫描以完成特定层的处理。
发明内容
一方面,一种增材制造系统包括:工作台;分配器设备,经构造以将粉末层输送至工作台或先前在工作台上分配的层上;电压源,耦接至工作台并且经构造以将电压施加至工作台,从而产生粉末到工作台的静电吸引,所述静电吸引足以压实粉末;和能量源,经构造以将足够的能量施加至粉末,从而熔融粉末。
实现方式包括以下特征中的一个或多个。电压可以是DC电压,例如,在-4000伏与+4000伏之间。
系统可以包括真空腔室,并且工作台和分配器定位于真空腔室中。能量源可以包括射频(Radio Frequency;RF)电源,所述RF电源耦接至电极结构以在真空腔室内施加足够的能量来在真空腔室内产生等离子体。能量源可以包括激光器。
电极结构可以包括在工作台中的导电板、和对电极(counter-electrode)。对电极可以包括位于真空腔室中的第二导电板,并且第二导电板可大体上平行于工作台定向。电压源可经构造以将电压施加至导电板。控制器可以耦接至电压源和RF电源,并且控制器可经构造以引起电压施加电压,而RF电源则施加足够的能量,从而产生等离子体。能量源可以是激光器。电压源可经构造以在工作台与真空腔室的壁之间施加电压。
工作台可以包括导电板和设在导电板上方的介电层。工作台可以竖直移动。
另一方面,一种增材制造的方法包括:将粉末层分配至工作台或先前在工作台上分配的层上;通过静电吸引在工作台上压实粉末,从而提供压实的粉末层;和熔融压实的粉末。
实现方式包括以下特征中的一个或多个。压实粉末可以包括将电压施加至工作台。电压可以是DC电压,例如,在-4000伏与+4000伏之间的电压。
熔融粉末可以包括在真空腔室中支撑压实的粉末层并且在腔室中压实的粉末层之上产生等离子体。产生等离子体可以包括在工作台与阴极之间施加RF。阴极可以包括真空腔室的壁和/或在真空腔室中的导电板。
熔融粉末可以包括将激光束施加至粉末。
工作台可以在分配连续的粉末层间竖直降低。
粉末可以包括介电颗粒。粉末颗粒可以具有金属芯和盖住芯的介电涂层。介电涂层可以是自然氧化层。
实现方式可以包括以下优点中的一个或多个。可以提高增材制造工艺质量,例如,可以实现所制造的物体的更高密度。可(例如)通过调整处理腔室中的等离子体来控制静电压实力。
本发明的一个或多个实施方式的细节在附图和以下描述中阐述。本发明的其它方面、特征和优点将从描述和附图、和从权利要求书变得显而易见。
附图说明
图1是增材制造系统的示意性侧视图。
图2A是带有等离子体的静电吸盘的示意性侧视图。
图2B是不带有等离子体的静电吸盘的示意性侧视图。
图2C是双极吸盘的示意性侧视图。
图3是带有两种进料的增材制造系统的示意性侧视图。
各个附图中的相同参考符号指示相同元件。
具体实施方式
增材制造工艺可以包括在工作台或先前沉积的层上分配进料(例如,粉末)层,随后是熔融进料层的部分的方法。能量源加热进料并且引起进料熔融在一起而形成固体件。有时期望在增材制造工艺期间,在熔融之前压实新进料层。此举可有助于提高增材制造的工艺质量,例如,增加粉末密度并且因此增加所制造的物体的密度。一种压实新进料层的方式是通过在进料上施加静电力。
图1示出了示例性增材制造系统100的示意图。系统100包括外壳102并由外壳围绕。外壳102可以(例如)允许在外壳内部的腔室103中维持真空环境,例如,约1Torr或更低的压力。或者,腔室103的内部可以是大体上纯的气体,例如,已过滤以移除颗粒物的气体,或者腔室可通风至大气(be vented to the atmosphere)。气体可从气源(未示出)通过气体入口136进入腔室103。来自腔室的气体可通过真空通气口138移除。真空环境或被过滤的气体可在制造零件期间减少缺陷。此外,真空环境可有助于等离子体产生。
增材制造系统100包括用于在工作台105上方输送粉末层(例如,在工作台上或到工作台上的下层上)的粉末输送系统。粉末输送系统可以包括可定位在工作台105之上的材料分配器组件104。工作台105的竖直位置可由活塞107控制。
在一些实现方式中,分配器104包括多个开口,进料可通过开口来分配。每个开口可以具有可单独控制的闸门,使得可单独地控制进料通过每个开口的输送。在一些实现方式中,多个开口跨工作台的宽度延伸,例如,在垂直于分配器104的行进方向106的方向上延伸。在此情况下,在操作中,分配器104可以在方向106上的单次扫掠中跨工作台105扫描。或者,分配器104可在两个方向上移动以跨工作台105扫描,例如,跨工作台105的光栅扫描。在一些实现方式中,可以存在在工作台上方分配不同材料的多个分配器。
控制器130控制连接至分配器组件104的驱动系统(未示出),例如,线性致动器。驱动系统经构造以使得在操作期间,分配器组件可平行于工作台105的顶表面(沿着由箭头106指示的方向)前后移动。例如,分配器组件104可被支撑于跨腔室103延伸的轨道上。随着分配器组件104跨工作台扫描,分配器组件104根据可以存储为计算机辅助设计(CAD)-兼容文件的打印图案将进料沉积在工作台105上的适当位置处,所述文件当时由与控制器130相关联的计算机读出。
分配器组件104包括用于保存进料114的贮槽108。进料114的释放由闸门112控制。当将分配器平移至由CAD兼容文件规定的位置时,将电子控制信号发送至闸门112以分配进料。
能量源(power source)可将足够的热量供应至进料层以引发粉末熔融。在按图案分配进料的情况下,能量源可同时加热整个层。例如,能量源可以是定位在工作台105之上的灯阵列,灯阵列辐照加热进料层。
或者,进料可均匀地沉积在工作台105上并且能量源可经构造以加热由存储为计算机辅助设计(CAD)-兼容文件的打印图案规定的位置,从而引起在所述位置处的粉末熔融。
例如,来自激光源126的激光束124可以跨工作台105扫描,其中在每个位置处控制激光功率以确定是否熔融特定体素。激光束124也可跨由CAD文件规定的位置扫描以在那些位置处选择性地熔融进料。为了使激光束124跨工作台105扫描,工作台105可以保持不动,而激光束124水平地移动。或者,激光束124可以保持不动,而工作台105水平移动。电子束可替代激光束来使用。
作为另一示例,呈可单独控制的光源阵列的形式的可数字寻址的热源(如,竖直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser;VCSEL)芯片)可定位于工作台105之上。可控光源阵列可以是跨工作台105扫描的线性阵列或根据被激活的光源来选择性地加热层区域的全二维阵列。
在工作台105上均匀沉积进料的情况下,粉末输送系统可包括辊,辊水平移动(平行于工作台表面)以从贮槽且跨工作台105推动材料。
在制造期间,逐渐沉积并烧结或熔化进料层。例如,进料114从分配器组件104分配以形成接触工作台105的第一层116。后续进料层分配在先前沉积的层上方(不论是否熔融)。
来自能量源126的束124经构造以提升被束照射的进料区域的温度。工作台105可额外由加热器(例如,嵌入工作台105中的加热器)加热至基础温度,基础温度低于进料熔点。以此方式,束124可经构造以提供较小幅的温度增加来熔化沉积的进料。通过小温度差的过渡可以使得进料能够被更快地处理。例如,工作台105的基础温度可以是约1500℃,束124可以引发温度增加约50℃。
能量源126和/或工作台105可以耦接至致动器组件(例如,经构造以提供在正交的方向上的运动的一对线性致动器),从而提供在束124与工作台105之间的相对运动。控制器130可以连接至致动器组件,从而引起束124和等离子体148跨进料层扫描。
如果期望产生等离子体,那么通过气体入口136将气体供应至腔室103。从RF电源(RF power source)150将射频(RF)功率施加在工作台105上可以带来在放电(discharge)空间142中产生等离子体148。仅出于说明性目的将等离子体148描绘为椭圆形。一般来说,等离子体填充在工作台105与对电极(counter electrode)115之间的区域。由RF电源150产生的RF的振幅可以用于控制等离子体中的离子通量。由RF电源150产生的RF的频率可以用于控制等离子体中的离子能量。
工作台105和对电极115也连接至电压源122,从而在工作台105与对电极115之间产生电压差。电压源122可以(例如)是DC电压源。
在真空环境下操作系统100可向由发生在系统100中的工艺形成的材料提供质量控制。然而,对于一些系统来说,等离子体148也可在大气压力下产生。
等离子体是正性和负性颗粒的电中性介质(即,等离子体的总电荷大致为零)。例如,当从气源供应氮气时,气体变为离子化的以产生N2+或N+。这些由离子化产生的正离子和电子形成等离子体148。
一种以上进料可由分配器组件104提供。将进一步参考图3论述这种情况。在此情况下,每种进料可以被储存在具有自身控制闸门的单独的贮槽中,并且被单独地控制,以在工作台105上如由CAD文件规定的位置处释放相应进料。以此方式,两种或更多种不同化学物质可以用于产生所增材制造的零件(part)。
进料可以是干燥粉末、金属、陶瓷、或塑料颗粒,在液体悬浮液中的金属、陶瓷、或塑料粉末,或材料的浆状悬浮液(slurry suspension)。例如,对于使用压电打印头的分配器来说,进料将一般是在液体悬浮液中的颗粒。在悬浮液的情况下,液体组成可以在下文所论述的压实之前蒸发。
在一些实施方式中,控制器130可以用于调节从气源(未示出)进入气体入口136的气体流速。在一些实施方式中,控制器130可以用于调节施加至工作台105和对电极115的电压。可连同激光束在特定的进料层(Z位置)上的位置(x-y位置)一起来做出调节。以此方式,所制造的零件的期望化学组成可根据特定的进料层内的侧向(x-y)位置而变化。举例来说,如果进料是钛,那么在进料层上的特定位置可以与氧反应以形成氧化钛。可以停止氧气的流动并且开始氮气的流动从而在进料层中的另一位置处产生氮化钛。除了化学改性所增材制造的零件的表面或改变所增材制造的零件的表面粗糙度之外,点等离子体源也可用于通过移除所制造的零件的部分进行的减材制造。以此方式,减材工艺可以用于改善所制造的零件的分解(resolution)。以此方式,方法和设备允许在所增材制造的零件内的所有点的化学组成和表面粗糙度的全三维(x,y,z)控制。
在操作中,在已经沉积和热处理每一层之后,工作台105降低大体上等于层厚度的量。随后,不需要在竖直方向上平移的分配器104跨工作台水平扫描以沉积覆盖先前沉积的层的新的层,并且随后可以热处理新层以熔融进料。此工艺可重复,直至制造出了完整的三维物体。通过热处理进料得到的熔融进料提供所增材制造的物体。
使用等离子体允许容易地控制熔融的进料的特性。例如,可通过选择性地注入来自等离子体的离子来掺杂进料层。掺杂浓度可以逐层变化。离子注入可有助于在进料层中释放或诱发点应力。掺杂剂的示例包括磷。
如先前所描述的,参考图1,束124与进料114之间的相互作用可熔化或软化进料,或引发材料在粉末表面相互扩散。因此,进料可熔融在一起以形成固体件。
对于一些工艺来说,在烧结之前将进料压实可提高由增材制造工艺产生的零件的质量。例如,压实可以提供较高密度零件。例如,可通过在进料上施加机械和/或静电压力而实现进料压实。
图2A示出了静电吸盘的实施方式,其中进料压实可通过施加静电力来实现。吸盘(吸盘可以是工作台105)包括导电板205。可选地,吸盘可以包括介电层206,介电层206在的侧面(进料被分配至所述侧面上)上覆盖板205。板205和电极215连接至电压源222。电极215可以是将用于等离子体产生的对电极115。电压源222可以是(例如)可在板205与电极215之间施加DC电位差的电压源。进料在介电层206的顶部上沉积并且熔融。随着增材制造工艺进行,在熔融进料210上沉积新进料层250。
进料可以是(例如)介电颗粒、金属颗粒、或具有被介电材料层包围的金属芯的颗粒。颗粒可以是约1μm至150μm。介电材料层可以在10nm至2μm厚之间。
用于金属颗粒或金属芯的金属的示例包括钛、不锈钢、镍、钴、铬、钒和这些金属的各种合金。用于颗粒或介电层的介电材料的示例包括陶瓷和塑料。陶瓷材料示例包括金属氧化物,诸如二氧化铈、氧化铝、二氧化硅、氮化铝、氮化硅、碳化硅、或这些材料的组合。塑料的示例包括ABS、尼龙、Ultem、聚氨基甲酸酯、丙烯酸酯、环氧树脂、聚醚酰亚胺、或聚酰胺。
电压源222将足够的电压施加至板205,从而引起在工作台上的粉末被静电压实。足够用于压实的电压可以是至少200V,例如,300-500V,但是以适当硬件和良好接地也可实现高达4000V的电压。
在图2A所示的实现方式中,进料250与电极215之间的空间容纳等离子体248。等离子体248可通过在工作台205与电极215之间施加RF电压来产生(如图1所示)。由于存在等离子体248,当电源222跨工作台205和电极215施加电压时,大部分电位降跨任何先前沉积的层和新进料层250而发生。
板205可以处于与电极215相比较高的电位(如图2A所示)。不受限于任何特定理论,如果进料是介电颗粒的粉末,那么由施加的电压引起的跨进料的电压差引起进料层210和250极化,使得负极化(negative polarization)更靠近工作台205(参见图2A)。因此,朝向工作台205吸引新进料层250。此吸引带来了新的层250的压实。在产生等离子体期间,除了RF偏压之外,工作台可维持于较低或较高的DC电位以减速或加速离子。
此外,粉末可以在分配之前或分配之时带电或在分配至工作台上之后通过等离子体带电。同样,不受限于任何特定理论,如果进料是带电金属或介电颗粒的粉末,那么粉末可通过选择与颗粒电荷的极性相反的工作台205的极性来压实。如果颗粒是金属,那么介电涂层206用作绝缘层并且防止金属进料离子通过板205放电。
在一些实现方式中,可以将相反极性的电压脉冲施加至工作台。例如,施加这样的电压脉冲可有助于解吸附零件,使得可移除零件而不对锚固(anchored)层造成任何损坏。此外,从工作台放电的风险可通过导电接地带而降低。
图2B中所示的静电吸盘与图2A的静电吸盘相似。然而,在进料层250与电极215之间没有等离子体。虽然使用等离子体可以提供优异的压实,但是对于一些工艺来说,仍可在不具有等离子体的情况下或通过增加所施加的电压来提供足够的压实。不受限于任何特定理论,当电源222跨工作台205和电极215施加电压时,跨处于电极215与新进料层250之间的间隙的电位降远大于跨烧结的进料层210和新进料层250的电位降。因此,预期的是,参考图2A描述的实现方式的静电压实是较强的。
图2C示出了双极静电吸盘。工作台包括两个子部分:处于较高电位205a的子部分和处于较低电位205b的子部分。电极215接地。双极静电吸盘通过与针对图2A中的静电吸盘描述的相似的机构实现对新进料层的压实。对于利用双极静电吸盘进行卡紧,等离子体不是必需的。
图3示出了增材制造系统300。增材制造系统300与增材制造系统100相似,但是分配器组件304可以沉积两种进料314和316。静电吸盘包括板310和电极330。工作台310连接至RF电源320。工作台310和电极330连接至外部电源322,外部电源322在工作台310与电极330之间施加电位差。等离子体340由从气体入口306进入腔室304的气体产生。
虽然上文所示实现方式表明悬挂在腔室中的单独的对电极,但是腔室壁的部分可以提供对电极。另外,对电极可仅接地。
在一些实现方式中,静电压实可以在熔融进料之前完成。在一些实现方式中,静电压实在施加能量以熔融进料之前和/或施加能量以熔融进料期间进行。
上文所述实现方式使用静电压实,但是所述静电压实可连同机械压实进行。例如,辊可以跨进料层平移并且用于在静电压实之前、静电压实期间或静电压实之后将压力施加至进料。
本说明书中描述的本发明的实施方式和全部功能操作(包括本说明书中公开的结构装置和结构装置的结构等效物、或它们的组合)可在数字电子电路中实现,或在计算机软件、固件、或硬件中实现。本发明的实施方式可以作为一个或多个计算机程序产品(即,实质地包含在信息载体中的一个或多个计算机程序,例如,在非暂态机器可读存储介质中或在传播信号中)实现,以由数据处理设备(例如,可编程处理器、计算机、或多个处理器或计算机)执行或控制所述数据处理设备的操作。计算机程序(也被称为程序、软件、软件应用、或代码)可以任何形式的编程语言(包括编译语言或解释语言)写入,并且计算机程序可以任何形式(包括作为独立程序或作为模块、部件、子程序或适用于计算环境的其他单元)部署。计算机程序不一定对应于文件。程序可以存储在保存其他程序或数据的文件的一部分中、存储在专用于所讨论的程序的单个文件中、或存储在多个协同文件(例如,存储一个或多个模块、子程序、或部分代码的文件)中。计算机程序可部署为在一个计算机上执行,或部署为在处于一个地点(site)的多个计算机上执行或跨多个地点分布且由通信网络互连的多个计算机上执行。本说明书中描述的工艺和逻辑流可由执行一个或多个计算机程序的一个或多个可编程处理器执行,以便通过操作输入数据和生成输出来执行功能。工艺和逻辑流也可由专用逻辑电路(例如,现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array;FPGA)或专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit;ASIC))执行,并且设备也可作为所述专用逻辑电路实现。
已描述了多个实现方式。然而,应当理解,可以做出各种修改。因此,其他实现方式在随附权利要求书的范围内。
Claims (15)
1.一种增材制造系统,包括:
工作台;
分配器设备,经构造以将粉末层输送至所述工作台或先前在所述工作台上分配的层上;
电压源,耦接至所述工作台并且经构造以将电压施加至所述工作台,从而产生所述粉末至所述工作台的静电吸引,所述静电吸引足以压实所述粉末;和
能量源,经构造以将足够能量施加至所述粉末,从而熔融所述粉末。
2.如权利要求1所述的系统,其中所述电压包括DC电压。
3.如权利要求2所述的系统,其中所述DC电压在-4000伏与+4000伏之间。
4.如权利要求1所述的系统,包括真空腔室,其中所述工作台和分配器定位于所述真空腔室中。
5.如权利要求4所述的系统,其中所述能量源包括射频(RF)电源,所述RF电源耦接至电极结构以在所述真空腔室内施加足够能量来在所述真空腔室内产生等离子体。
6.如权利要求5所述的系统,其中所述电极结构包括在所述工作台中的导电板、和对电极。
7.如权利要求6所述的系统,其中所述电压源经构造以将所述电压施加至所述导电板。
8.如权利要求1所述的系统,其中所述工作台包括导电板和设置在所述导电板上方的介电层。
9.一种增材制造的方法,包括:
将粉末层分配至所述工作台或先前在所述工作台上分配的层上;
通过静电吸引在所述工作台上压实所述粉末,从而提供压实的粉末的层;和
熔融所述压实的粉末。
10.如权利要求9所述的方法,其中压实所述粉末包括将电压施加至所述工作台。
11.如权利要求10所述的方法,其中施加电压包括施加DC电压。
12.如权利要求11所述的方法,其中施加所述DC电压包括施加在-4000伏与+4000伏之间的电压。
13.如权利要求9所述的方法,其中所述粉末包括介电颗粒。
14.如权利要求9所述的方法,其中所述粉末包括具有金属芯和盖住所述芯的介电涂层的颗粒。
15.如权利要求14所述的方法,其中所述介电涂层包括自然氧化层。
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