KR101387771B1 - Developing processing method and developing processing apparatus - Google Patents

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KR101387771B1
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다로오 야마모또
유우이찌 요시다
고오스께 요시하라
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 세정·건조 시간의 단축을 도모할 수 있는 동시에, 줄무늬와 같은 건조 결함 제거를 도모할 수 있도록 한 현상 처리 방법 및 현상 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a development processing method and a development processing apparatus which can shorten the washing and drying time, and can also eliminate dry defects such as streaks.

이를 해결하기 위해, 노광된 반도체 웨이퍼(W)의 표면으로 현상액을 공급하여 현상을 행한 후에, 웨이퍼의 표면에 순수를 공급하여 세정을 행하는 현상 처리 방법에 있어서, 웨이퍼를 수평으로 유지한 스핀 척을 연직축 주위로 회전시키면서 웨이퍼의 중심부 상방에서 린스 노즐(58)로부터 순수를 공급하는 동시에, 린스 노즐에 인접하는 디퓨저(53)에 의해 웨이퍼의 회전에 의해 발생하는 기류(A)를 순수의 액막(F)으로 유도 확산시키고, 린스 노즐과 디퓨저를 평행 상태로 하여 웨이퍼의 중심부로부터 웨이퍼의 외주연을 향하여 직경 방향으로 동시에 이동시켜 웨이퍼의 세정 및 건조를 행한다.In order to solve this problem, after developing by supplying a developing solution to the exposed surface of the semiconductor wafer (W), the spin chuck which keeps the wafer horizontal is used in the developing processing method of supplying pure water to the surface of the wafer for cleaning. While the pure water is supplied from the rinse nozzle 58 above the center of the wafer while being rotated around the vertical axis, the air flow A generated by the rotation of the wafer is diffused by the diffuser 53 adjacent to the rinse nozzle. ), The rinse nozzle and the diffuser are placed in parallel, and simultaneously moved in the radial direction from the center of the wafer toward the outer periphery of the wafer to clean and dry the wafer.

반도체 웨이퍼, 현상액, 기류, 노즐, 건조 Semiconductor wafer, developer, air flow, nozzle, drying

Description

현상 처리 방법 및 현상 처리 장치 {DEVELOPING PROCESSING METHOD AND DEVELOPING PROCESSING APPARATUS}Developing Method and Developing Device {DEVELOPING PROCESSING METHOD AND DEVELOPING PROCESSING APPARATUS}

본 발명은, 노광된 기판을 현상한 후에 세정액을 공급하여 세정을 행하는 현상 처리 방법 및 현상 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a developing treatment method and a developing treatment apparatus in which a cleaning solution is supplied and then cleaned after developing the exposed substrate.

일반적으로, 반도체 디바이스의 제조에 있어서는, 반도체 웨이퍼 등의 기판 위에 포토레지스트를 도포하고, 이에 의해 형성된 레지스트막을 소정의 회로 패턴에 따라 노광하고, 이 노광 패턴을 현상 처리함으로써 레지스트막에 회로 패턴이 형성된다. 이러한 포토리소그래피 공정에 있어서는 일반적으로 레지스트의 도포· 현상을 행하는 도포·현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템이 사용되고 있다.Generally, in the manufacture of a semiconductor device, a photoresist is coated on a substrate such as a semiconductor wafer, a resist film formed by the exposure is exposed in accordance with a predetermined circuit pattern, and the exposure pattern is developed to form a circuit pattern do. In such a photolithography process, the system which connected the exposure apparatus to the application | coating and developing apparatus which apply | coats and develops a resist generally is used.

일반적인 현상 처리에서는, 레지스트의 용해물을 현상액과 함께 기판 표면으로부터 제거하기 위하여 세정 처리가 행하여진다.In the general development treatment, a washing treatment is performed to remove the dissolved substance of the resist from the substrate surface together with the developer.

종래의 이러한 종류의 세정 처리의 수법으로서, 기판의 중심부로 세정액을 공급하고, 그 원심력에 의해 액막을 넓혀 그 액류에 실어 상기 용해물 및 현상액을 기판 상으로부터 제거하는 스핀 세정 방법이 알려져 있다.As a conventional technique of this kind of cleaning treatment, a spin cleaning method is known in which a cleaning liquid is supplied to the center of the substrate, and the liquid film is widened by the centrifugal force and loaded in the liquid to remove the dissolved substance and developer from the substrate.

또한, 다른 세정 수법으로서, 기판을 수평으로 유지하면서 연직축 주위로 회 전시키고, 기판의 상방이면서 중심측에 위치하는 불활성 가스 노즐과, 기판의 상방이면서 외주측에 위치하는 세정액 공급 노즐을, 기판의 중심으로부터 외주에 걸쳐 직경 방향으로 동시에 이동시켜 기판 표면의 세정액막을 분사 불활성 가스에 의해 배제하여 건조하는 방법(장치)이 알려져 있다(예를 들어, 특허 문헌1 참조).In addition, as another cleaning method, the substrate is rotated around a vertical axis while keeping the substrate horizontal, and an inert gas nozzle located above and at the center side of the substrate, and a cleaning solution supply nozzle located above and at the outer peripheral side of the substrate are provided. A method (apparatus) for simultaneously moving in the radial direction from the center to the outer circumference to remove the cleaning liquid film on the substrate surface by spraying inert gas is known (see Patent Document 1, for example).

<특허 문헌1> 일본 특허 제3322853호 공보(특허 청구 범위, 도 2) <Patent Document 1> Japanese Patent No. 3322853 (Patent Claim, FIG. 2)

그러나, 전자, 즉 스핀 세정 방법에 있어서는 용해 생성물을 충분히 제거할 수 없어 잔류된 용해 생성물이 현상 결함으로서 나타나는 정도가 높아진다. 이로 인해, 스핀 세정을 장시간 행하고 있는 것이 현재의 상황이며 스루풋의 저하의 큰 요인으로 되어 있다. 또한, 레지스트 재료의 고발수화(高撥水化)에 수반하여 오래 세정을 행해도, 용해 생성물의 찌꺼기가 남게 되어, 충분한 세정을 행할 수 없을 우려가 있다.However, in the former, that is, the spin washing method, the dissolved product cannot be sufficiently removed, and the extent to which the remaining dissolved product appears as a development defect increases. For this reason, spin washing for a long time is a current situation and is a major factor in lowering throughput. Moreover, even if it wash | cleans for a long time with high water repellency of a resist material, the residue of a melted product remains and there exists a possibility that sufficient washing cannot be performed.

한편, 후자 즉 특허 문헌1에 기재된 기술에 있어서는, 기판의 상방 중심측에 위치하는 불활성 가스 노즐과, 기판의 상방이면서 외주측에 위치하는 세정액 공급 노즐을, 기판의 중심으로부터 외주에 걸쳐 직경 방향으로 동시에 이동시키면서 세정액과 불활성 가스를 기판으로 공급하기 때문에 상기 스핀 세정에 비해 세정 시간의 단축을 도모할 수 있다. 그러나, 특허 문헌1에 기재된 기술에 있어서는, 세정액 공급 노즐로부터 공급(토출)된 세정액의 중심측의 옆에서 불활성 가스를 공급(분사) 하면서 기판의 외주연으로 이동하면 건조한 영역에 액적이 비산하여 줄무늬와 같은 건조 결함이 발생하는 문제가 있다.On the other hand, in the latter, that is, in the technique described in Patent Document 1, the inert gas nozzle located on the upper center side of the substrate and the cleaning liquid supply nozzle located on the outer circumferential side above the substrate are radially extended from the center of the substrate to the outer circumference. Since the cleaning liquid and the inert gas are supplied to the substrate while moving at the same time, the cleaning time can be shortened as compared with the spin cleaning. However, in the technique described in Patent Literature 1, when the liquid moves to the outer periphery of the substrate while supplying (injecting) an inert gas from the side of the center of the cleaning liquid supplied (discharged) from the cleaning liquid supply nozzle, the droplets are scattered to dry areas and streaks. There is a problem that occurs such as a dry defect.

본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 세정·건조 시간의 단축이 도모되는 동시에, 줄무늬와 같은 건조 결함의 제거를 도모할 수 있도록 한 현상 처리 방법 및 현상 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of the said situation, and an object of this invention is to provide the image development processing method and image development apparatus which were able to shorten washing | cleaning and drying time, and also can remove the dry defects, such as a streak. .

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 현상 처리 방법은 노광된 기판의 표면으로 현상액을 공급하여 현상을 행한 후에, 기판의 표면으로 세정액을 공급하여 세정을 행하는 현상 처리 방법을 전제로 하여 제1 현상 처리 방법은, 기판을 수평으로 유지한 기판 유지부를 연직축 주위로 회전시키면서 기판의 중심부 상방에서 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에, 세정액 공급 노즐에 인접하는 기류 유도 확산부에 의해 기판의 회전에 의해 발생하는 기류를 세정액의 액막으로 유도 확산시키고, 상기 세정액 공급 노즐과 기류 유도 확산부를 평행 상태로 하여 기판 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 동시에 이동시켜 기판의 세정 및 건조를 행하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the said subject, the image development processing method of this invention is a 1st image development on the premise of the image development method of supplying a cleaning solution to the surface of a board | substrate, and developing after supplying a developing solution to the surface of the exposed board | substrate. The processing method supplies the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle above the center of the substrate while rotating the substrate holding part that holds the substrate horizontally, and rotates the substrate by the airflow induction diffusion part adjacent to the cleaning liquid supply nozzle. The generated airflow is guided and diffused into the liquid film of the cleaning liquid, and the cleaning liquid supply nozzle and the airflow guided diffusion are moved in parallel in the radial direction from the center of the substrate toward the outer periphery of the substrate, thereby cleaning and drying the substrate. do.

또한, 본 발명의 제2 현상 처리 방법은, 기판을 수평으로 유지한 기판 유지부를 연직축 주위로 회전시키면서 기판의 중심부 상방에서 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에, 상기 세정액 공급 노즐에 각각 인접하는 기류 유도 확산부와 상기 기류 유도 확산부와 협동하여 불활성 가스의 기류를 세정액의 액막으로 유도하는 불활성 가스 노즐에 의해 불활성 가스를 상기 액막으로 유도 확산시키고, 상기 세정액 공급 노즐, 기류 유도 확산부 및 불활성 가스 노즐을 서로 평행 상태로 하여 기판의 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 동시에 이동시켜 기판의 세정 및 건조를 행하는 것을 특징으로 한다.Moreover, the 2nd image development processing method of this invention supplies the cleaning liquid from a washing | cleaning liquid supply nozzle above the center part of a board | substrate, rotating the board | substrate holding part which hold | maintained the board | substrate horizontally around the vertical axis, and airflow adjacent to each of the said cleaning liquid supply nozzles, respectively. An inert gas nozzle is inductively diffused into the liquid film by an inert gas nozzle which cooperates with an induction diffuser and the airflow induction diffuser to guide an air stream of the inert gas into the liquid film of the cleaning liquid, The nozzles are placed in parallel with each other and simultaneously moved in the radial direction from the center of the substrate toward the outer periphery of the substrate, thereby cleaning and drying the substrate.

또한, 제2 현상 처리 방법에 있어서, 기판 표면으로 상기 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에 불활성 가스 노즐로부터 불활성 가스를 공급하기 전에, 보조 불활성 가스 노즐로부터 기판의 중심부로 불활성 가스를 공급하여 기판 중심부에 건조 영역을 형성하고, 그 후 기판 표면으로 상기 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에 불활성 가스 노즐로부터 불활성 가스를 공급하도록 해도 좋다(청구항 3).Further, in the second development processing method, the inert gas is supplied from the auxiliary inert gas nozzle to the center of the substrate by supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle to the substrate surface and simultaneously supplying the inert gas from the inert gas nozzle. A dry region may be formed in the substrate, and then the cleaning liquid may be supplied from the cleaning liquid supply nozzle to the substrate surface, and the inert gas may be supplied from the inert gas nozzle (claim 3).

또한, 본 발명의 제1 현상 처리 장치는, 본 발명의 제1 현상 처리 방법을 구현화하는 것으로 노광된 기판의 표면으로 현상액을 공급하여 현상을 행한 후에 기판의 표면으로 세정액을 공급하여 세정을 행하는 현상 처리 장치에 있어서, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와, In addition, the first developing apparatus of the present invention implements the first developing processing method of the present invention and develops the developer by supplying the developing solution to the exposed surface of the substrate, and then performs the cleaning by supplying the cleaning solution to the surface of the substrate. A processing apparatus comprising: a substrate holding portion for holding a substrate horizontally;

상기 기판 유지부를 연직축 주위로 회전시키는 회전 기구와, 기판의 상방에 위치하고, 기판 표면으로 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐과, 상기 세정액 공급 노즐에 대하여 평행하게 인접하고, 기판의 회전에 의해 발생하는 기류를 세정액의 액막으로 유도 확산시키는 기류 유도 확산부와, A rotation mechanism for rotating the substrate holding part around the vertical axis, a cleaning liquid supply nozzle located above the substrate, and supplying the cleaning liquid to the surface of the substrate, and parallel to the cleaning liquid supply nozzle, in parallel with the air flow generated by the rotation of the substrate. An airflow induced diffusion unit for inductively diffusing the liquid into the liquid film of the cleaning liquid,

상기 세정액 공급 노즐 및 기류 유도 확산부를 서로 평행 상태로 유지하는 동시에, 기판의 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 이동시키는 이동 기구와, 상기 회전 기구, 상기 세정액 공급 노즐과 세정액 공급원을 접속하는 세정액 공급관에 개재 설치되는 개폐 밸브 및 상기 이동 기구에 접속되는 제어 수단을 구비하고, 상기 제어 수단에 의해, 연직축 주위로 회전하는 기판의 중심부로 세정액을 공급함과 동시에, 기판의 회전에 의해 발생하는 기류를 세정액의 액막으로 유도 확산시키면서, 상기 세정액 공급 노즐과 기류 유도 확산부를 평행 상태로 하여 기판의 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 동시에 이동시켜 기판의 세정 및 건조를 행하는 것을 특징으로 한다(청구항 4).A moving mechanism for keeping the cleaning liquid supply nozzle and the air flow guide diffusion part parallel to each other and moving the cleaning liquid supply nozzle in the radial direction from the center of the substrate toward the outer periphery of the substrate, for connecting the rotating mechanism, the cleaning liquid supply nozzle and the cleaning liquid supply source. An opening / closing valve interposed in the cleaning liquid supply pipe and a control means connected to the moving mechanism, wherein the control means supplies the cleaning liquid to the center of the substrate rotating around the vertical axis, and at the same time, the air flow generated by the rotation of the substrate. While the induction diffusion into the liquid film of the cleaning liquid, the cleaning liquid supply nozzle and the air flow guided diffusion portion in parallel with each other in the radial direction from the center of the substrate toward the outer periphery of the substrate to perform cleaning and drying of the substrate ( Claim 4).

또한, 본 발명의 제2 현상 처리 장치는, 본 발명의 제2 현상 처리 방법을 구현화함으로써 노광된 기판의 표면으로 현상액을 공급하여 현상을 행한 후에, 기판의 표면으로 세정액을 공급하여 세정을 행하는 현상 처리 장치에 있어서, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와, In addition, the second development apparatus of the present invention implements the second development processing method of the present invention, and after developing the developer by supplying it to the surface of the exposed substrate, the development is performed by supplying the cleaning solution to the surface of the substrate for cleaning. A processing apparatus comprising: a substrate holding portion for holding a substrate horizontally;

상기 기판 유지부를 연직축 주위로 회전시키는 회전 기구와, 기판의 상방에 위치하고, 기판 표면으로 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐과, 상기 세정액 공급 노즐에 인접하는 기류 유도 확산부와, 상기 기류 유도 확산부와 협동하여 불활성 가스의 기류를 세정액의 액막으로 유도하는 불활성 가스 노즐과, 상기 세정액 공급 노즐, 기류 유도 확산부 및 불활성 가스 노즐을 서로 평행 상태로 유지하는 동시에, 기판의 중심부로부터 기판의 외주연를 향하여 직경 방향으로 이동시키는 이동 기구와, 상기 회전 기구, 상기 세정액 공급 노즐과 세정액 공급원을 접속하는 세정액 공급관에 개재 설치되는 제1 개폐 밸브와, 상기 불활성 가스 노즐과 불활성 가스 공급원을 접속하는 불활성 가스 공급관에 개재 설치되는 제2 개폐 밸브 및 상기 이동 기구에 접속되는 제어 수단을 구비하고, 상기 제어 수단에 의해, 연직축 주위로 회전하는 기판의 중심부로 세정액을 공급함과 동시에, 상기 기류 유도 확산부와 불활성 가스 노즐이 협동하여 불활성 가스를 세정액의 액막으로 유도 확산시키면서, 상기 세정액 공급 노즐, 기류 유도 확산부 및 불활성 가스 노즐을 서로 평행 상태로 하여 기판의 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 동시에 이동시켜 기판의 세정 및 건조를 행하는 것을 특징으로 한다(청구항 5).A rotating mechanism for rotating the substrate holding portion around the vertical axis, a cleaning liquid supply nozzle located above the substrate, and supplying a cleaning liquid to the substrate surface, an airflow induction diffusion portion adjacent to the cleaning liquid supply nozzle, and the airflow induction diffusion portion; The inert gas nozzle which cooperates to guide the air flow of the inert gas into the liquid film of the cleaning liquid, the cleaning liquid supply nozzle, the airflow guide diffusion portion, and the inert gas nozzle are kept in parallel with each other, and the diameter is from the center of the substrate toward the outer periphery of the substrate. A moving mechanism for moving in the direction, a first opening / closing valve interposed between the rotary mechanism, the cleaning liquid supply nozzle and the cleaning liquid supply pipe connecting the cleaning liquid supply source, and an inert gas supply pipe connecting the inert gas nozzle and the inert gas supply source. Connected to the second on-off valve and the moving mechanism Is provided with a control means, by which the cleaning means supplies the cleaning liquid to the center of the substrate rotating around the vertical axis, and the airflow induction diffusion portion and the inert gas nozzle cooperate to induce and diffuse the inert gas into the liquid film of the cleaning liquid. And cleaning and drying the substrate by simultaneously moving the cleaning liquid supply nozzle, the airflow induction diffuser, and the inert gas nozzle in a radial direction from the center of the substrate toward the outer periphery of the substrate (claim 5). ).

또한, 청구항 6에 기재된 발명은, 청구항 5에 기재된 현상 처리 장치에 있어 서, 상기 세정액 공급 노즐에 인접되는 보조 불활성 가스 공급 노즐과, 상기 보조 불활성 가스 공급 노즐을 기판의 중심부로 이동시키는 이동 기구와, 상기 보조 불활성 가스 공급 노즐과 불활성 가스 공급원을 접속하는 불활성 가스 공급관에 개재 설치되는 제3 개폐 밸브를 더 구비하는 동시에, 상기 이동 기구 및 제3 개폐 밸브에 상기 제어 수단을 접속하여 이루어지고, 상기 제어 수단에 의해, 기판 표면으로 상기 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에 불활성 가스 노즐로부터 불활성 가스를 공급하기 전에, 상기 보조 불활성 가스 노즐로부터 기판의 중심부로 불활성 가스를 공급하여 기판 중심부에 건조 영역을 형성하고, 그 후, 기판 표면으로 상기 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에 상기 불활성 가스 노즐로부터 불활성 가스를 공급하는 것을 특징으로 한다.In addition, the invention according to claim 6 includes, in the developing apparatus according to claim 5, an auxiliary inert gas supply nozzle adjacent to the cleaning liquid supply nozzle, a moving mechanism for moving the auxiliary inert gas supply nozzle to the center of the substrate; And a third open / close valve interposed between the auxiliary inert gas supply nozzle and an inert gas supply pipe connecting the inert gas supply source, and connect the control means to the moving mechanism and the third open / close valve. The control means supplies an inert gas from the auxiliary inert gas nozzle to the center of the substrate by supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle to the substrate surface and simultaneously supplying the inert gas from the inert gas nozzle to form a dry region at the center of the substrate. After that, the cleaning liquid is supplied to the surface of the substrate. And an inert gas is supplied from the inert gas nozzle at the same time as the cleaning liquid is supplied from the nozzle.

본 발명의 현상 처리 장치에 있어서, 상기 기류 유도 확산부를 임의의 형상으로 할 수 있다. 예를 들어, 기류 유도 확산부를 평판 형상 부재에 의해 형성해도 좋다(청구항 7).In the developing apparatus of the present invention, the air flow-induced diffusion portion can have any shape. For example, you may form an airflow guide diffusion part with a flat member (claim 7).

또한, 불활성 가스 노즐을 사용하는 경우에는, 상기 기류 유도 확산부를 서로 평행한 복수의 부재에 의해 형성하고, 각 부재 사이의 간극 내에 불활성 가스 노즐의 공급구를 배치하는 구성으로 해도 된다(청구항 8).In addition, when using an inert gas nozzle, it is good also as a structure which forms the said air-flow induction | diffusion part by several members parallel to each other, and arrange | positions the supply port of an inert gas nozzle in the space | interval between each member (claim 8). .

또한, 불활성 가스 노즐을 사용할 경우, 기류 유도 확산부는 불활성 가스 노즐을 내측에 수용하는 단면이 대략 역ㄷ자 형상 부재에 의해 형성하거나(청구항 9), 불활성 가스 노즐의 적어도 일부를 끼워 삽입하는 유지 홈을 갖는 부재에 의해 형성하거나(청구항 10), 불활성 가스 노즐을 내측에 수용하는 단면이 대략 원호 형 상 부재에 의해 형성하거나(청구항 11), 또는 불활성 가스 노즐을 내측에 수용하는 단면이 대략 원호 형상인 제1 원호 형상부와, 상기 제1 원호 형상부의 양측단부에 각각 연결되는 단면이 대략 원호 형상인 제2 원호 형상부 및 제3 원호 형상부를 갖는 부재에 의해 형성하거나(청구항 12), 혹은 세정액 공급 노즐측에 대한 이면측에 폭 방향으로 연속하는 파형 형상 요철부를 갖는 부재에 의해 형성할 수 있다(청구항 13).In addition, in the case of using an inert gas nozzle, the air flow induction diffuser is formed by a substantially inverted-shaped member having a cross section for accommodating the inert gas nozzle therein (claim 9), or a holding groove for inserting at least a portion of the inert gas nozzle into the inlet. The cross section formed by the member having the inert gas nozzle (claim 10) or the inside receiving the inert gas nozzle inside is substantially arc-shaped (claim 11), or the cross section accommodating the inert gas nozzle inside the substantially circular arc shape. Formed by a member having a first arc-shaped portion and a second arc-shaped portion and a third arc-shaped portion having a substantially arc-shaped cross section respectively connected to both end portions of the first arc-shaped portion (claim 12), or supplying a cleaning liquid It can form by the member which has the wave-shaped uneven part continuous in the width direction on the back surface side with respect to a nozzle side (claim 13).

또한, 상기 기류 유도 확산부를 불활성 가스 노즐에 접속하는 공동실을 갖는 중공 부재에 의해 형성해도 좋다. 이 경우, 상기 중공 부재의 일측에 세정액 공급 노즐의 공급구를 향하여 내리막 구배의 경사면을 설치하고, 상기 공동실의 저부에 다수의 가스 토출구를 형성하는 구조로 해도 좋다(청구항 14). 또한, 상기 중공 부재를, 세정액 공급 노즐과 평행한 편평 상자 형상으로 형성하고, 상기 중공 부재에 있어서의 상기 세정액 공급 노즐 및 기류 유도 확산부의 이동 방향의 후방 상단부 코너부에 상기 불활성 가스 노즐을 접속하고 상기 공동실의 저부 및 상기 이동 방향 앞쪽의 측벽에 연결되는 슬릿 형상의 가스 토출구를 형성하는 구조로 해도 좋다(청구항 15).Moreover, you may form by the hollow member which has the cavity chamber which connects the said airflow guide diffusion part with an inert gas nozzle. In this case, the inclined surface of the downhill gradient may be provided on one side of the hollow member toward the supply port of the cleaning liquid supply nozzle, and a plurality of gas discharge ports may be formed at the bottom of the cavity chamber (claim 14). Further, the hollow member is formed in a flat box shape parallel to the cleaning liquid supply nozzle, and the inert gas nozzle is connected to a corner of the rear upper end portion in the moving direction of the cleaning liquid supply nozzle and the airflow guide diffusion portion in the hollow member. It is good also as a structure which forms the slit-shaped gas discharge port connected to the bottom part of the said cavity chamber, and the side wall of the said moving direction forward (claim 15).

청구항 1, 4, 7에 기재된 발명에 따르면, 수평으로 유지되고, 연직축 주위로 회전하는 기판의 중심부 상방에서 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에, 세정액 공급 노즐에 인접하는 기류 유도 확산부에 의해 기판의 회전에 의해 발생하는 기류를 세정액의 액막으로 유도 확산시킴으로써, 액막을 얇게 하여 건조 영역을 형성할 수 있다. 이 상태에서, 세정액 공급 노즐과 기류 유도 확산부를 평행 상태로 하여 기판의 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 동시에 이동시킴으로써, 세정액 공급 노즐로부터 공급(토출)된 세정액의 건조 영역측으로의 비산을 기류 유도 확산부에 의해 저지할 수 있으므로, 건조 영역에 세정액의 액적이 비산되는 일 없이 기판의 세정 및 건조를 행할 수 있다.According to the invention of Claims 1, 4, and 7, the substrate is supplied by the airflow induction diffusion portion adjacent to the cleaning liquid supply nozzle while supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle above the center portion of the substrate which is horizontally maintained and rotates around the vertical axis. By inductively diffusing the airflow generated by the rotation of the liquid into the liquid film of the cleaning liquid, the liquid film can be made thin to form a dry region. In this state, the cleaning liquid supply nozzle and the air flow guide diffusion portion are moved in parallel in the radial direction from the center of the substrate toward the outer periphery of the substrate, thereby scattering the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply nozzle toward the dry region side. Since it can block by an airflow guide diffusion part, the board | substrate can be wash | cleaned and dried without the droplet of a washing | cleaning liquid flying to a dry area | region.

청구항 2, 5, 7, 9 내지 13에 기재된 발명에 따르면, 수평으로 유지되고, 연직축 주위로 회전하는 기판의 중심부 상방에서 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에, 기류 유도 확산부와 상기 기류 유도 확산부와 협동하여 불활성 가스의 기류를 세정액의 액막으로 유도하는 불활성 가스 노즐에 의해 불활성 가스를 액막으로 유도 확산시킴으로써, 액막을 얇게 하여 건조 영역을 형성할 수 있다. 이 상태에서, 세정액 공급 노즐, 기류 유도 확산부 및 불활성 가스 노즐을 서로 평행 상태로 하여 기판의 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 동시에 이동시킴으로써, 세정액 공급 노즐로부터 공급(토출)된 세정액의 건조 영역측으로의 비산을 기류 유도 확산부에 의해 저지할 수 있으므로, 건조 영역에 세정액의 액적이 비산되는 일 없이 기판의 세정 및 건조를 행할 수 있다.According to the inventions as claimed in claims 2, 5, 7, 9 to 13, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply nozzle above the center portion of the substrate which is horizontally maintained and rotates around the vertical axis, and at the same time, the airflow induction diffusion portion and the airflow induction diffusion. By inductively diffusing the inert gas into the liquid film by an inert gas nozzle which guides the air flow of the inert gas into the liquid film of the cleaning liquid in cooperation with the unit, the liquid film can be made thin to form a dry region. In this state, the cleaning liquid supply nozzle, the air flow induction diffusion portion, and the inert gas nozzle are parallel to each other and simultaneously moved in the radial direction from the center of the substrate toward the outer periphery of the substrate, whereby the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply nozzle is discharged. Since the scattering to the dry region side can be prevented by the airflow induction diffusion unit, the substrate can be cleaned and dried without the droplets of the cleaning liquid flying to the dry region.

청구항 3, 6에 기재된 발명에 따르면, 기판 표면에 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에 불활성 가스 노즐로부터 불활성 가스를 공급하기 전에, 보조 불활성 가스 노즐로부터 기판의 중심부로 불활성 가스를 공급하여 기판 중심부에 건조 영역을 형성하고, 그 후 기판 표면에 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에 불활성 가스 노즐로부터 불활성 가스를 공급함으로써 건조의 촉진이 도모된다.According to the invention of Claims 3 and 6, before supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle to the surface of the substrate and simultaneously supplying the inert gas from the inert gas nozzle, the inert gas is supplied from the auxiliary inert gas nozzle to the center of the substrate to the center of the substrate. The drying area is formed, and then, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply nozzle to the substrate surface, and the inert gas is supplied from the inert gas nozzle to promote the drying.

또한, 청구항 8에 기재된 발명에 따르면, 기류 유도 확산부를 서로 평행한 복수의 부재에 의해 형성하고, 각 부재 사이의 간극 내에 불활성 가스 노즐의 공급구를 배치함으로써, 많은 불활성 가스량에 의해 액막을 얇게 하는 영역, 즉 건조 영역을 넓힐 수 있다.In addition, according to the invention as set forth in claim 8, the air flow-induced diffusion portion is formed by a plurality of members parallel to each other, and the supply port of the inert gas nozzle is arranged in the gap between the members, thereby making the liquid film thin by a large amount of inert gas. The area, ie the dry area, can be widened.

또한, 청구항 14에 기재된 발명에 따르면, 공동부를 갖는 중공 부재의 일측에 세정액 공급 노즐의 공급구를 향하여 내리막 구배의 경사면을 설치하고, 공동실의 저부에 다수의 가스 토출구를 형성함으로써, 불활성 가스 노즐로부터 공급된 불활성 가스를 일단 공동실에 저류한 후, 공동실의 저부에 형성된 다수의 가스 토출구로부터 토출하여 세정액의 액막으로 분사할 수 있다.Further, according to the invention of claim 14, an inert gas nozzle is formed on one side of the hollow member having the cavity by providing a slope of downhill gradient toward the supply port of the cleaning liquid supply nozzle, and forming a plurality of gas discharge ports at the bottom of the cavity chamber. The inert gas supplied from the gas chamber can be stored in the cavity chamber once, and then discharged from a plurality of gas discharge ports formed in the bottom of the cavity chamber to be injected into the liquid film of the cleaning liquid.

또한, 청구항 15에 기재된 발명에 따르면 공동부를 갖는 중공 부재를, 세정액 공급 노즐과 평행한 편평 상자 형상으로 형성하고, 상기 중공 부재에 있어서의 세정액 공급 노즐 및 기류 유도 확산부의 이동 방향의 후방 상단부 코너부에 불활성 가스 노즐을 접속하고 공동실의 저부 및 상기 이동 방향 앞쪽의 측벽에 연결되는 슬릿 형상의 가스 토출구를 형성함으로써, 불활성 가스 노즐로부터 공급된 불활성 가스를 일단 공동실에 저류한 후, 가스 토출구로부터 토출하여 세정액의 액막으로 분사할 수 있다. 이때, 불활성 가스 노즐은 세정액 공급 노즐 및 기류 유도 확산부의 이동 방향으로 분사되어진다.Further, according to the invention of claim 15, the hollow member having the cavity is formed in a flat box shape parallel to the cleaning liquid supply nozzle, and the rear upper end corner portion in the moving direction of the cleaning liquid supply nozzle and the airflow guide diffusion portion in the hollow member. By connecting an inert gas nozzle to the bottom and forming a slit-shaped gas discharge port connected to the bottom of the cavity chamber and the side wall in the moving direction forward side, the inert gas supplied from the inert gas nozzle is once stored in the cavity chamber, It can discharge and inject | pour into the liquid film of washing | cleaning liquid. At this time, the inert gas nozzle is injected in the moving directions of the cleaning liquid supply nozzle and the air flow guided diffusion portion.

본 발명에 따르면, 상기와 같이 구성되어 있으므로, 이하와 같은 효과가 얻어진다.According to the present invention, since it is configured as described above, the following effects can be obtained.

(1) 청구항 1, 4, 7에 기재된 발명에 따르면, 회전하는 기판의 중심부 상방에서 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에, 기류 유도 확산부에 의해 기판의 회전에 의해 발생하는 기류를 세정액의 액막으로 유도 확산시킴으로써, 액막을 얇게 하여 건조 영역을 형성할 수 있다. 또한, 세정액 공급 노즐과 기류 유도 확산부를 평행 상태로 하여 기판의 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 동시에 이동시킴으로써, 세정액 공급 노즐로부터 공급(토출)된 세정액의 건조 영역측으로의 비산을 기류 유도 확산부에 의해 저지할 수 있으므로, 건조 영역에 세정액의 액적이 비산되는 일 없이 기판의 세정 및 건조를 행할 수 있다. 따라서, 세정·건조 시간의 단축이 도모되는 동시에, 줄무늬와 같은 건조 결함의 제거를 도모할 수 있다.(1) According to the invention of Claims 1, 4 and 7, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply nozzle above the central portion of the rotating substrate, and the air flow generated by the rotation of the substrate by the airflow induction diffusion unit is used for the liquid film of the cleaning liquid. By induction diffusion, the liquid film can be thinned to form a dry region. Further, by simultaneously moving the cleaning liquid supply nozzle and the airflow induction diffuser in the radial direction from the center of the substrate toward the outer circumference of the substrate, the flow of the cleaning liquid supplied (ejected) from the cleaning liquid supply nozzle to the dry region side is induced. Since it can block by a diffusion part, the board | substrate can be wash | cleaned and dried without the droplet of a washing | cleaning liquid flying to a dry area. Therefore, the washing and drying time can be shortened, and the dry defect such as streaks can be removed.

(2) 청구항 2, 5, 7, 9 내지 13에 기재된 발명에 따르면, 회전하는 기판의 중심부 상방에서 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급하는 동시에, 기류 유도 확산부와 상기 기류 유도 확산부와 협동하여 불활성 가스의 기류를 세정액의 액막으로 유도하는 불활성 가스 노즐에 의해 불활성 가스를 액막으로 유도 확산시킴으로써, 액막을 얇게 하여 건조 영역을 형성할 수 있다. 또한, 세정액 공급 노즐, 기류 유도 확산부 및 불활성 가스 노즐을 서로 평행 상태로 하여 기판의 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 동시에 이동시킴으로써, 세정액 공급 노즐로부터 공급(토출)된 세정액의 건조 영역측으로의 비산을 기류 유도 확산부에 의해 저지할 수 있으므로, 건조 영역에 세정액의 액적이 비산되는 일 없이 기판의 세정 및 건조를 행할 수 있다. 따라서, 세정· 건조 시간의 단축이 도모되는 동시 에, 줄무늬와 같은 건조 결함의 제거를 도모할 수 있다.(2) According to the invention of claims 2, 5, 7, 9 to 13, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply nozzle above the center of the rotating substrate, and is inert in cooperation with the airflow inducing diffusion portion and the airflow induction diffusion portion. The inert gas is guided and diffused into the liquid film by an inert gas nozzle which guides the air flow of the gas into the liquid film of the cleaning liquid, whereby the liquid film can be made thin to form a dry region. Further, the cleaning area supplied from the cleaning liquid supply nozzle (ejected) from the cleaning liquid supply nozzle by moving the cleaning liquid supply nozzle, the airflow induction diffuser and the inert gas nozzle in parallel with each other in the radial direction from the center of the substrate to the outer periphery of the substrate. Since the scattering to the side can be prevented by the airflow induction diffusion unit, the substrate can be cleaned and dried without the droplets of the cleaning liquid being scattered in the dry region. Therefore, while the washing | cleaning and drying time are shortened, the removal of dry defects, such as a streak, can be aimed at.

(3) 청구항 3, 6에 기재된 발명에 따르면, 기판 표면에 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에 불활성 가스 노즐로부터 불활성 가스를 공급하기 전에, 보조 불활성 가스 노즐로부터 기판의 중심부로 불활성 가스를 공급하여 기판 중심부에 건조 영역을 형성하므로, 상기 (2)에 더하여 건조의 촉진을 더욱 도모할 수 있다.(3) According to the invention of Claims 3 and 6, before supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle to the substrate surface and supplying the inert gas from the inert gas nozzle, the inert gas is supplied from the auxiliary inert gas nozzle to the center of the substrate. Since a dry region is formed in the center of the substrate, it is possible to further promote drying in addition to the above (2).

(4) 청구항 8에 기재된 발명에 따르면, 많은 불활성 가스량에 의해 액막을 얇게 하는 영역, 즉 건조 영역을 넓힐 수 있으므로, 상기 (2), (3)에 더하여 건조의 촉진을 더욱 도모할 수 있다.(4) According to the invention of claim 8, the area where the liquid film is thinned, i.e., the drying area, can be widened by a large amount of inert gas, so that it is possible to further promote the drying in addition to the above (2) and (3).

(5) 청구항 14에 기재된 발명에 따르면, 불활성 가스 노즐로부터 공급된 불활성 가스를 일단 공동실에 저류한 후, 공동실의 저부에 형성된 다수의 가스 토출구로부터 토출하여 세정액의 액막으로 분사할 수 있으므로, 상기 (2), (3)에 더하여 불활성 가스의 유도 확산 영역을 균일하게 하여 건조의 촉진을 더욱 도모할 수 있다.(5) According to the invention described in claim 14, since the inert gas supplied from the inert gas nozzle is once stored in the cavity chamber, it can be ejected from a plurality of gas discharge ports formed at the bottom of the cavity chamber and injected into the liquid film of the cleaning liquid, In addition to the above (2) and (3), it is possible to further promote the drying by making the induced diffusion region of the inert gas uniform.

(6) 청구항 15에 기재된 발명에 따르면, 불활성 가스 노즐로부터 공급된 불활성 가스를 일단 공동실에 저류한 후, 가스 토출구로부터 토출하여 세정액의 액막에 분사할 수 있고, 불활성 가스 노즐은 세정액 공급 노즐 및 기류 유도 확산부의 이동 방향으로 분사되므로, 상기 (2), (3)에 더하여 불활성 가스의 유도 확산 영역을 균일하게 하여 건조의 촉진을 더욱 도모할 수 있는 동시에, 기판 중심측의 건조 영역을 확실하게 확보할 수 있다.(6) According to the invention as set forth in claim 15, the inert gas supplied from the inert gas nozzle is once stored in the cavity chamber and then discharged from the gas discharge port to be sprayed onto the liquid film of the cleaning liquid. Since it is injected in the moving direction of the airflow induction diffuser, in addition to the above (2) and (3), the induction diffusion region of the inert gas can be made uniform to further promote drying, and the dry region at the center of the substrate is reliably ensured. It can be secured.

이하, 본 발명의 최선의 형태에 대해, 첨부 도면에 기초하여 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the best form of this invention is demonstrated based on an accompanying drawing.

도 1은 본 발명에 따른 현상 처리 장치를 적용하는 도포·현상 처리 장치에 노광 처리 장치를 접속한 처리 시스템의 전체를 도시하는 개략 평면도이고, 도 2는 상기 처리 시스템 개략 사시도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic plan view which shows the whole of the processing system which connected the exposure processing apparatus to the application | coating and developing apparatus which applies the developing processing apparatus which concerns on this invention, and FIG. 2 is a schematic perspective view of the said processing system.

상기 처리 시스템은 피처리 기판인 반도체 웨이퍼(W)[이하 웨이퍼(W)라고 한다]를 복수매, 예를 들어 25매 밀폐 수납하는 캐리어(10)를 반출입하기 위한 캐리어 스테이션(1)과, 이 캐리어 스테이션(1)으로부터 취출된 웨이퍼(W)에 레지스트 도포, 현상 처리 등을 실시하는 처리부(2)와, 웨이퍼(W)의 표면에 광을 투과하는 액층을 형성한 상태로 웨이퍼(W)의 표면을 액침 노광하는 노광부(4)와, 처리부(2)와 노광부(4) 사이에 접속되어 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스부(3)를 구비하고 있다.The processing system includes a carrier station (1) for carrying in and out of a carrier (10) for hermetically storing a plurality of semiconductor wafers (hereinafter referred to as wafers W) as substrates to be processed, for example, 25 sheets; The processing unit 2 which performs resist coating, development, etc. on the wafer W taken out from the carrier station 1, and the liquid layer which transmits light on the surface of the wafer W are formed, An exposure part 4 for immersion exposing the surface and an interface part 3 connected between the processing part 2 and the exposure part 4 to transfer the wafer W are provided.

캐리어 스테이션(1)은, 캐리어(10)를 복수개 배열하여 탑재 가능한 탑재부(11)와, 이 탑재부(11)로부터 보아 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(12)와, 개폐부(12)를 통하여 캐리어(10)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 전달 수단(A1)이 설치되어 있다.The carrier station 1 is provided with a carrier (11) through which a plurality of carriers (10) can be arranged and mounted, an opening / closing portion (12) provided on the front wall surface when viewed from the mounting portion (11), and an opening / closing portion (12). The delivery means A1 for taking out the wafer W from 10 is provided.

인터페이스부(3)는, 처리부(2)와 노광부(4) 사이에 전후로 설치되는 제1 반송실(3A) 및 제2 반송실(3B)로 구성되어 있고, 각각에 제1 웨이퍼 반송부(30A) 및 제2 웨이퍼 반송부(30B)가 설치되어 있다.The interface part 3 is comprised from the 1st conveyance chamber 3A and the 2nd conveyance chamber 3B which are provided back and forth between the process part 2 and the exposure part 4, and each of the 1st wafer conveyance parts ( 30A) and the 2nd wafer conveyance part 30B are provided.

또한, 캐리어 스테이션(1)의 안측에는 하우징(20)에 의해 주위를 둘러싸이는 처리부(2)가 접속되어 있고, 이 처리부(2)에는 전방측부터 순서대로 가열·냉각계의 유닛을 다단화한 선반 유닛(U1, U2, U3) 및 액 처리 유닛(U4, U5)의 각 유닛간의 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 주반송 수단(A2, A3)이 교대로 배열하여 설치되어 있다. 또한, 주반송 수단(A2, A3)은 캐리어 스테이션(1)으로부터 보아 전후 방향으로 배치되는 선반 유닛(U1, U2, U3)측의 일면부와, 후술하는, 예를 들어 우측의 액 처리 유닛(U4, U5)측의 일면부와, 좌측의 일면을 이루는 배면부로 구성되는 구획벽(21)에 의해 둘러싸이는 공간 내에 놓여 있다. 또한, 캐리어 스테이션(1)과 처리부(2) 사이, 처리부(2)와 인터페이스부(3) 사이에는 각 유닛에서 사용되는 처리액의 온도 조절 장치나 온도, 습도 조절용의 덕트 등을 구비한 온도, 습도 조절 유닛(22)이 배치되어 있다.In addition, a processing unit 2 enclosed by a housing 20 is connected to the inner side of the carrier station 1, and the processing unit 2 has a multi-stage unit of a heating / cooling system in order from the front side. The main transport means A2, A3 which transfer the wafer W between the units of the shelf units U1, U2, U3 and the liquid processing units U4, U5 are alternately arranged. In addition, the main transport means A2 and A3 are the one surface part by the side of the shelf unit U1, U2, U3 arrange | positioned in the front-back direction seen from the carrier station 1, and the liquid processing unit of the right side mentioned later (for example, It lies in the space enclosed by the partition wall 21 comprised from the one surface part by the side of U4 and U5, and the back part which forms the one surface on the left side. In addition, between the carrier station 1 and the processing unit 2, and between the processing unit 2 and the interface unit 3, a temperature including a temperature control device for the processing liquid used in each unit, a duct for temperature and humidity control, and the like, The humidity control unit 22 is arranged.

선반 유닛(U1, U2, U3)은, 액 처리 유닛(U4, U5)에서 행하여지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 유닛을 복수단, 예를 들어 10단으로 적층한 구성으로 되어 있으며, 그 조합은 웨이퍼(W)를 가열(베이킹)하는 가열 유닛(HP), 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 유닛(CPL) 등이 포함된다. 또한, 액 처리 유닛(U4, U5)은, 예를 들어 도 2에 도시한 바와 같이 레지스트나 현상액 등의 약액 수납부 위에 반사 방지막을 도포하는 보텀 반사 방지막 도포 유닛(BCT)(23), 도포 유닛(COT)(24), 웨이퍼(W)로 현상액을 공급하여 현상 처리하는 현상 유닛(DEV)(25) 등을 복수단, 예를 들어 5단으로 적층하여 구성되어 있다. 본 발명에 따른 현상 처리 장치(50)는 현상 유닛(DEV)(25)에 설치되어 있다.The shelf units U1, U2, and U3 have a configuration in which various units for pre- and post-treatment of the processing performed in the liquid processing units U4 and U5 are stacked in multiple stages, for example, ten stages. The combination includes a heating unit HP for heating (baking) the wafer W, a cooling unit CPL for cooling the wafer W, and the like. Further, the liquid processing units U4 and U5 are, for example, a bottom antireflection film coating unit (BCT) 23 for applying an antireflection film onto a chemical liquid storage part such as a resist or a developer, as shown in FIG. 2, and an application unit. (COT) 24, the developing unit (DEV) 25 etc. which supply and develop a developing solution to the wafer W, etc. are laminated | stacked in multiple stages, for example, five stages. The developing apparatus 50 according to the present invention is provided in a developing unit (DEV)

<제1 실시 형태>&Lt; First Embodiment >

도 3은 본 발명에 따른 현상 처리 장치의 제1 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이고, 도 4는 상기 현상 처리 장치의 개략 평면도이다.3 is a schematic cross-sectional view showing a first embodiment of a developing apparatus according to the present invention, and FIG. 4 is a schematic plan view of the developing processor.

상기 현상 처리 장치(50)는, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 반입출구(51a)를 갖는 케이싱(51) 내에 웨이퍼(W)의 이면측 중앙부를 흡인 흡착하여 수평으로 유지하는 기판 유지부를 이루는 스핀 척(40)을 구비하고 있다. 또한, 반입출구(51a)에는 셔터(51b)가 개폐 가능하게 배치되어 있다.As shown in Figs. 3 and 4, the developing apparatus 50 sucks and sucks a central portion of the back surface side of the wafer W in a casing 51 having a carrying in and out port 51a of the wafer W horizontally. The spin chuck 40 which comprises the board | substrate holding part to hold | maintain is provided. A shutter 51b is disposed on the loading / unloading port 51a so as to be openable / closable.

상기 스핀 척(40)은 축부(41)를 통하여, 예를 들어 서보 모터 등의 회전 기구(42)에 연결되어 있으며, 이 회전 기구(42)에 의해 웨이퍼(W)를 유지한 상태로 회전 가능하게 구성되어 있다. 또한, 회전 기구(42)는 제어 수단인 컨트롤러(60)에 전기적으로 접속되어 있어, 컨트롤러(60)로부터의 제어 신호에 기초하여 스핀 척(40)의 회전수가 제어되게 되어 있다.The spin chuck 40 is connected to, for example, a rotation mechanism 42 such as a servo motor via the shaft portion 41, and the spin chuck 40 can be rotated while the wafer W is held by the rotation mechanism 42. It is composed. Moreover, the rotation mechanism 42 is electrically connected to the controller 60 which is a control means, and the rotation speed of the spin chuck 40 is controlled based on the control signal from the controller 60.

또한, 스핀 척(40)에 유지된 웨이퍼(W)의 측방을 둘러싸도록 하여 컵(43)이 설치되어 있다. 이 컵(43)은, 원통 형상의 외측 컵(43a)과, 상부측이 내측으로 경사진 통 형상의 내측 컵(43b)으로 이루어지고, 외측 컵(43a)의 하단부에 접속된, 예를 들어 실린더 등의 승강 기구(44)에 의해 외측 컵(43a)이 승강하고, 또한 내측 컵(43b)은 외측 컵(43a)의 하단부측 내주면에 형성된 단차부에 밀어 올려져 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한, 승강 기구(44)는 컨트롤러(60)에 전기적으로 접속되어 있어, 컨트롤러(60)로부터의 제어 신호에 기초하여 외측 컵(43a)이 승강하도록 구성되어 있다.Further, a cup 43 is provided so as to surround the side of the wafer W held by the spin chuck 40. This cup 43 consists of a cylindrical outer cup 43a and a cylindrical inner cup 43b whose upper side is inclined inward, and is connected to the lower end of the outer cup 43a, for example. The outer cup 43a is lifted and lowered by the lifting mechanism 44 such as a cylinder, and the inner cup 43b is pushed up to the stepped portion formed on the inner circumferential surface of the lower end side of the outer cup 43a so as to be able to be lifted. Moreover, the lifting mechanism 44 is electrically connected to the controller 60, and is comprised so that the outer cup 43a may raise and lower based on the control signal from the controller 60. FIG.

또한, 스핀 척(40)의 하방측에는 원형판(45)이 설치되어 있고, 이 원형 판(45)의 외측에는 단면이 오목부 형상으로 형성된 액수용부(46)가 전체 둘레에 걸쳐 설치되어 있다. 액수용부(46)의 저면에는 드레인 배출구(47)가 형성되어 있어, 웨이퍼(W)로부터 흘러 떨어지거나, 혹은 흩뿌려져 액수용부(46)에 저류된 현상액이나 린스액은 이 드레인 배출구(47)를 통하여 장치의 외부로 배출된다. 또한, 원형판(45)의 외측에는 단면이 산(山) 형상인 링 부재(48)가 설치되어 있다. 또한, 도시는 생략하였으나, 원형판(45)을 관통하는, 예를 들어 3개의 기판 지지 핀인 승강 핀이 설치되어 있고, 이 승강 핀과 도시하지 않은 기판 반송 수단의 협동 작용에 의해 웨이퍼(W)는 스핀 척(40)으로 전달되도록 구성되어 있다.Moreover, the circular plate 45 is provided in the lower side of the spin chuck 40, and the liquid receiving part 46 in which the cross section was formed in the recessed part shape is provided in the outer side of this circular plate 45 over the perimeter. A drain discharge port 47 is formed at the bottom of the liquid receiving part 46, and the developer or rinse liquid stored in the liquid receiving part 46 that flows away from the wafer W or is scattered and stored in the drain discharge port 47 is formed. Through the outside of the device. In addition, a ring member 48 having a hill-shaped cross section is provided outside the circular plate 45. In addition, although not shown, the lifting pins, for example, three substrate supporting pins penetrating the circular plate 45 are provided, and the wafer W is cooperated with the lifting pins and the substrate conveying means (not shown). It is configured to be delivered to the spin chuck 40.

한편, 스핀 척(40)에 유지된 웨이퍼(W)의 상방측에는 웨이퍼(W)의 표면의 중앙부와 간극을 두고 대향하도록 하여 승강 및 수평 이동 가능한 현상액 공급 노즐(52)[이하, 현상 노즐(52)이라고 한다]이 설치되어 있다. 이 경우, 현상 노즐(52)은, 띠 형상으로 현상액을 토출(공급)하는 슬릿 형상의 토출구(도시하지 않음)를 갖고 있다. 이 토출구는, 예를 들어 그 길이 방향이 웨이퍼(W)의 중심부로부터 외주부를 향하도록 배치되어 있다. 또한, 토출구는 웨이퍼(W)의 중심부로부터 외주부를 향하는 직선(반경)을 따라 신장되는 경우뿐만 아니라, 이 직선에 대하여 약간 각도를 갖게 하여 교차시켜도 좋다.On the other hand, on the upper side of the wafer W held by the spin chuck 40, a developer supply nozzle 52 (hereinafter referred to as a development nozzle 52) capable of raising and lowering and facing the center portion of the surface of the wafer W with a gap therebetween. ) Is installed. In this case, the developing nozzle 52 has a slit-shaped discharge port (not shown) for discharging (supplying) the developer in a band shape. The discharge port is arranged, for example, such that its longitudinal direction is directed from the central portion of the wafer W to the outer peripheral portion. The discharge ports may not only extend along a straight line (radius) from the center of the wafer W to the outer peripheral portion, but may also cross at a slight angle with the straight line.

현상 노즐(52)은, 노즐 아암(54A)의 일단부측에 지지되어 있으며, 이 노즐 아암(54A)의 타단부측은 도시하지 않은 승강 기구를 구비한 이동 베이스(55A)와 연결되어 있으며, 또한 이동 베이스(55A)는, 예를 들어 볼 나사나 타이밍 벨트 등의 노즐 이동 기구(56A)에 의해 X 방향으로 신장되는 가이드 부재(57A)를 따라 횡방향 으로 이동 가능하도록 구성되어 있다. 이렇게 구성함으로써, 노즐 이동 기구(56A)를 구동함으로써 현상 노즐(52)은 웨이퍼(W)의 중심부로부터 외주부를 향하는 직선(반경)을 따라 이동한다.The developing nozzle 52 is supported at one end side of the nozzle arm 54A, and the other end side of the nozzle arm 54A is connected to a moving base 55A having a lifting mechanism (not shown), which is further moved. The base 55A is configured to be movable in the lateral direction along the guide member 57A extending in the X direction by the nozzle moving mechanism 56A such as a ball screw or a timing belt, for example. With this configuration, the developing nozzle 52 moves along a straight line (radius) from the center of the wafer W toward the outer circumferential portion by driving the nozzle moving mechanism 56A.

또한, 컵(43)의 한 쪽의 외측에는 현상 노즐(52)의 대기부(59A)가 설치되어 있고, 이 대기부(59A)에서 현상 노즐(52)의 노즐 선단부의 세정 등이 행하여진다.Moreover, the atmospheric part 59A of the developing nozzle 52 is provided in one outer side of the cup 43, The washing | cleaning etc. of the nozzle tip part of the developing nozzle 52 are performed in this atmospheric part 59A.

또한, 스핀 척(40)에 유지된 웨이퍼(W)의 상방측에는 웨이퍼(W)의 표면의 중앙부와 간극을 두고 대향하도록 하여, 세정액인 린스액, 예를 들어 순수를 토출(공급)하는 린스 노즐(58)과, 이 린스 노즐(58)에 평행하게 인접하는 기류 유도 확산부(53)[이하에 디퓨저(53)라고 한다]가 승강 및 수평 이동 가능하게 설치되어 있다. 이 경우, 디퓨저(53)는, 도 5에 도시한 바와 같이 린스 노즐(58)의 토출구측을 향하여 내리막 구배로 경사지는 판 형상 부재에 의해 형성되어 있어, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 발생하는 기류(A)를 순수(DIW)의 액막(F)으로 유도 확산시키도록 형성되어 있다.In addition, a rinse nozzle for discharging (supplying) a rinse liquid, for example, pure water, to face the center portion of the surface of the wafer W so as to face the upper side of the wafer W held by the spin chuck 40. (58) and an airflow guided diffusion portion 53 (hereinafter referred to as diffuser 53) adjacent to the rinse nozzle 58 in parallel with each other are provided to be capable of raising and lowering horizontally. In this case, as shown in FIG. 5, the diffuser 53 is formed of a plate-shaped member which is inclined toward the downhill gradient toward the discharge port side of the rinse nozzle 58, and is generated by the rotation of the wafer W. As shown in FIG. The airflow A is formed to induce and diffuse the liquid film F of the pure water DIW.

이 린스 노즐(58)과 디퓨저(53)는 노즐 아암(54B)의 일단부측에 서로 평행 상태로 유지되어 있으며, 이 노즐 아암(54B)의 타단부측은 도시하지 않은 승강 기구를 구비한 이동 베이스(55B)와 연결되어 있으며, 또한 이동 베이스(55B)는, 예를 들어 볼 나사나 타이밍 벨트 등의 노즐 이동 기구(56B)에 의해 X 방향으로 신장되는 가이드 부재(57B)를 따라 횡방향으로 이동 가능, 즉 웨이퍼(W)의 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 컵(43)의 한 쪽의 외측에는 린스 노즐(58)의 대기부(59B)가 설치되어 있다.The rinse nozzle 58 and the diffuser 53 are held parallel to each other on one end side of the nozzle arm 54B, and the other end side of the nozzle arm 54B has a moving base having a lifting mechanism (not shown). 55B), and the movement base 55B can move laterally along the guide member 57B extended by the X direction by the nozzle movement mechanism 56B, such as a ball screw and a timing belt, for example. That is, it is comprised so that a movement to a radial direction is possible from the center part of the wafer W toward the outer periphery of a board | substrate. Moreover, the atmospheric part 59B of the rinse nozzle 58 is provided in one outer side of the cup 43.

또한, 현상 노즐(52)은 개폐 밸브(V)를 개재 설치한 현상액 공급관(70)을 통하여 현상 액체 공급원(71)에 접속되어 있다. 또한, 린스 노즐(58)은 린스 노즐(58)과 세정액 공급원인 순수 공급원(73)을 접속하는 순수 공급관(72)에 제1 개폐 밸브(V1)가 개재 설치되어 있다.Moreover, the developing nozzle 52 is connected to the developing liquid supply source 71 via the developing solution supply pipe 70 which provided the opening / closing valve V via. In addition, the rinse nozzle 58 is provided with the 1st opening-closing valve V1 in the pure water supply pipe 72 which connects the rinse nozzle 58 and the pure water supply source 73 which is a washing | cleaning liquid supply source.

또한, 상기 노즐 이동 기구(56A, 56B), 개폐 밸브(V, V1)는, 각각 상기 컨트롤러(60)에 전기적으로 접속되어 있으며, 컨트롤러(60)에 미리 기억된 제어 신호에 기초하여 현상 노즐(52)의 수평 이동, 린스 노즐(58) 및 디퓨저(53)의 수평 이동, 개폐 밸브(V, V1)의 개폐 구동이 행해지도록 구성되어 있다.The nozzle moving mechanisms 56A and 56B and the opening / closing valves V and V1 are electrically connected to the controller 60, respectively, and are developed based on a control signal stored in advance in the controller 60. The horizontal movement of 52, the horizontal movement of the rinse nozzle 58 and the diffuser 53, and the opening / closing drive of the opening / closing valves V and V1 are configured.

다음에, 상기와 같이 구성되는 현상 처리 장치(50)의 동작 형태에 대하여 설명한다. 우선, 노즐 이동 기구(56A)를 구동하여 현상 노즐(52)을 웨이퍼 표면의 중심부 상방 위치로 이동하고, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면에 현상 노즐(52)로부터 현상액을 토출(공급)한 상태에서 현상 노즐(52)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 외주부를 향하는 직선(반경)을 따라 이동하여 현상 처리를 행한다. 이 현상 처리 후, 노즐 이동 기구(56B)를 구동하여 린스 노즐(58) 및 디퓨저(53)를 웨이퍼 표면의 중심부 상방 위치로 이동하고, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면으로 린스 노즐(58)로부터 린스액, 즉 순수를 토출(공급)함과 동시에, 디퓨저(53)에 의해 웨이퍼(W)의 회전에 의해 발생하는 기류(A)를 순수(DIW)의 액막(F)으로 유도 확산시킨다. 이에 의해 린스 노즐(58)로부터 토출(공급)된 순수(DIW)에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트 용해 성분을 포함하는 현상액이 씻겨짐과 동시에, 디퓨저(53)에 의해 유도 확산된 기류(A)를 액막(F)에 닿게 하여 순수(DIW)의 건조를 촉진시킨다. 그 후, 회전 기 구(42)의 구동에 의해 웨이퍼(W)를 고속 회전, 예를 들어 회전수를 2000rpm으로 하여 웨이퍼 표면의 액을 떨쳐내는 스핀 건조 처리를 행한다.Next, the operation form of the developing processing apparatus 50 comprised as mentioned above is demonstrated. First, the nozzle moving mechanism 56A is driven to move the developing nozzle 52 to a position above the center of the wafer surface, and the developer is discharged (supplied) from the developing nozzle 52 to the surface of the rotating wafer W. The developing nozzle 52 is moved along a straight line (radius) from the center of the wafer W toward the outer circumferential portion to perform the developing process. After this developing process, the nozzle moving mechanism 56B is driven to move the rinse nozzle 58 and the diffuser 53 to the position above the center of the wafer surface, and from the rinse nozzle 58 to the surface of the rotating wafer W. The rinse liquid, that is, pure water is discharged (supplied), and the diffuser 53 induces and diffuses the air flow A generated by the rotation of the wafer W into the liquid film F of the pure water DIW. As a result, the developer containing the resist dissolving component on the surface of the wafer is washed by pure water (DIW) discharged (supplied) from the rinse nozzle 58, and the air flow A induced by the diffuser 53 is diffused into the liquid film. (F) to promote drying of pure water (DIW). Thereafter, the wafer W is rotated at a high speed by driving the rotary mechanism 42, for example, at a rotational speed of 2000 rpm, to perform a spin drying process to shake off the liquid on the wafer surface.

다음에, 상기 도포·현상 장치를 사용하여 웨이퍼(W)를 처리하는 수순에 관하여, 도 1 및 도 2를 참조하면서 간단하게 설명한다. 여기에서는, 웨이퍼(W)의 표면에 보텀 반사 방지막(BARC)을 형성하고, 그 상층에 논 탑 코트(non top-coat) 레지스트를 도포한 경우에 대하여 설명한다. 우선, 예를 들어 25매의 웨이퍼(W)를 수납한 캐리어(10)가 탑재부(11)에 탑재되면, 개폐부(12)와 함께 캐리어(10)의 덮개가 벗겨져 전달 수단(A1)에 의해 웨이퍼(W)가 취출된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U1)의 일단을 이루는 전달 유닛(도시하지 않음)을 통하여 주반송 수단(A2)으로 전달되어, 도포 처리 전처리로서, 예를 들어 유닛(BCT)(23)에 의해 그 표면에 보텀 반사 방지막(BARC)이 형성된다. 그 후, 주반송 수단(A2)에 의해 선반 유닛(U1 내지 U3) 중 하나의 선반을 이루는 가열 처리부로 반송되어 프리베이크(CLHP)되고, 또한 냉각된 후, 주반송 수단(A2)에 의해 웨이퍼(W)는 도포 유닛(COT)(24) 내로 반입되어, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 박막 형상으로 논 탑 코트 레지스트가 도포된다. 그 후, 주반송 수단(A2)에 의해 선반 유닛(U1 내지 U3) 중 하나의 선반을 이루는 가열 처리부로 반송되어 프리베이크(CLHP)되고, 또한 냉각된 후, 선반 유닛(U3)의 전달 유닛을 경유하여 인터페이스부(3)로 반송된다. 이 인터페이스부(3)에 있어서, 제1 반송실(3A) 및 제2 반송실(3B)의 제1 웨이퍼 반송부(30A) 및 제2 웨이퍼 반송부(30B)에 의해 노광부(4)로 반송되어, 웨이퍼(W)의 표면에 대향하도록 노광 수단(도시하지 않음)이 배치되어 액침 노광이 행하여진다. 액침 노광을 종료한 웨이퍼(W)는 반대 경로로 주반송 수단(A3)까지 반송되어, 현상 유닛(DEV)(25)으로 반입된다. 현상 유닛(DEV)(25)으로 반입된 웨이퍼(W)는 현상 처리 장치(50)에 의해, 상술한 바와 같이 현상 처리 후, 린스 노즐(58) 및 디퓨저(53)를 웨이퍼 표면의 중심부 상방 위치로 이동하여, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면으로 린스 노즐(58)로부터 순수를 토출(공급)하는 동시에, 디퓨저(53)에 의해 웨이퍼(W)의 회전에 의해 발생하는 기류(A)를 순수(DIW)의 액막(F)으로 유도 확산시켜 세정 및 건조 처리가 실시되어, 소정의 레지스트 패턴이 형성된다.Next, the procedure of processing the wafer W using the coating and developing apparatus will be described briefly with reference to FIGS. 1 and 2. Here, the case where the bottom antireflection film BARC is formed on the surface of the wafer W and a non top-coat resist is applied to the upper layer will be described. First, for example, when the carrier 10 containing 25 wafers W is mounted on the mounting portion 11, the cover of the carrier 10 is peeled off together with the opening and closing portion 12, and the wafer is transferred by the transfer means A1. (W) is taken out. Then, the wafer W is transferred to the main transport means A2 through a transfer unit (not shown) constituting one end of the shelf unit U1, and is, for example, a unit (BCT) 23 as a coating treatment pretreatment. As a result, a bottom antireflection film BARC is formed on the surface thereof. Thereafter, the main transport means A2 is conveyed to the heat treatment unit forming one of the shelf units U1 to U3 and prebaked CLHP, and after cooling, the wafer is transported by the main transport means A2. (W) is carried into the coating unit (COT) 24, and the non top coat resist is apply | coated to the whole surface of the wafer W in thin film form. Thereafter, the main conveying means A2 is conveyed to the heat treatment unit forming one of the shelf units U1 to U3 and prebaked CLHP, and after cooling, the transfer unit of the shelf unit U3 is cooled. It is conveyed to the interface unit 3 via. In the interface unit 3, the exposure unit 4 is formed by the first wafer transfer unit 30A and the second wafer transfer unit 30B of the first transfer chamber 3A and the second transfer chamber 3B. An exposure means (not shown) is arrange | positioned so that it may convey and oppose the surface of the wafer W, and liquid immersion exposure is performed. The wafer W which has completed the liquid immersion exposure is conveyed to the main transport means A3 in the opposite path and is carried into the developing unit DEV 25. The wafer W carried into the developing unit (DEV) 25 is positioned above the center of the wafer surface by the developing apparatus 50 after the developing process, as described above, the rinse nozzle 58 and the diffuser 53. And discharge (supply) pure water from the rinse nozzle 58 to the surface of the rotating wafer W, and at the same time, the air flow A generated by the rotation of the wafer W by the diffuser 53 is purified. Induction diffusion into the liquid film F of the DIW is performed to perform washing and drying to form a predetermined resist pattern.

그 후, 웨이퍼(W)는 주반송 수단(A3)에 의해 현상 유닛(DEV)(25)으로부터 반출되어, 주반송 수단(A2), 전달 수단(A1)을 경유하여 탑재부(11) 상의 원래의 캐리어(10)로 복귀되어 일련의 도포·현상 처리를 종료한다.Thereafter, the wafer W is taken out of the developing unit (DEV) 25 by the main transfer means A3 and transferred to the transfer unit A1 via the main transfer means A2 and the transfer means A1, And returns to the carrier 10 to complete a series of coating and developing processes.

또한, 상기 실시 형태에서는 웨이퍼(W)의 표면에 보텀 반사 방지막(BARC)을 형성하고, 그 표면에 레지스트층을 형성한 경우에 대하여 설명했으나, 보텀 반사 방지막(BARC)이 없는 경우에 있어서도, 상기 실시 형태와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 이 경우의 처리 수순은, 레지스트 도포 공정→프리베이크 공정→액침 노광 공정→포스트 익스포저 베이크(post exposure bake) 공정→현상 공정(현상 처리→세정·건조 처리)의 순으로 처리된다.Moreover, in the said embodiment, although the case where the bottom antireflection film BARC was formed in the surface of the wafer W and the resist layer was formed in the surface was demonstrated, also when there is no bottom antireflection film BARC, the said The effect similar to embodiment is acquired. The processing procedure in this case is processed in the order of a resist coating process-prebaking process-immersion exposure process-post exposure bake process-development process (development process-washing and drying process).

<제2 실시 형태>&Lt; Second Embodiment >

도 6은 본 발명에 따른 현상 처리 장치의 제2 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이고, 도 7은 상기 현상 처리 장치의 개략 평면도이다.6 is a schematic cross-sectional view showing a second embodiment of the developing apparatus according to the present invention, and FIG. 7 is a schematic plan view of the developing processor.

제2 실시 형태의 현상 처리 장치(50A)는 린스 노즐(58)에 인접해서 이 린스 노즐(58)에 대하여 서로 평행한 디퓨저(53)와 불활성 가스 노즐(80)을 설치하고, 디퓨저(53)와 불활성 가스 노즐(80)이 협동하여 불활성 가스 노즐(80)로부터 토출(공급)되는 불활성 가스, 예를 들어 질소(N2) 가스를, 린스 노즐(58)로부터 토출(공급)된 순수(DIW)의 액막(F)으로 유도 확산시켜 건조 영역(D)을 형성하도록 한 경우이다.The developing apparatus 50A of the second embodiment is provided with a diffuser 53 and an inert gas nozzle 80 that are parallel to each other with respect to the rinse nozzle 58 adjacent to the rinse nozzle 58, and the diffuser 53. And the inert gas nozzle 80 cooperate to discharge inert gas, for example, nitrogen (N 2 ) gas, which is discharged (supplied) from the inert gas nozzle 80, from pure water (DIW) discharged (supplied) from the rinse nozzle 58. This is a case where the dry region D is formed by induction diffusion into the liquid film F of the?

이 경우, 디퓨저(53)는 도 8에 도시한 바와 같이 린스 노즐(58)의 토출구측을 향하여 내리막 구배로 경사지는 판 형상 부재에 의해 형성되어 있다. 또한, 불활성 가스 노즐(80)[이하에 N2 가스 노즐(80)이라고 한다]은 판 형상 부재에 의해 형성되는 디퓨저(53)와 평행하게 설치되는 구조[도 8의 (a)], 혹은 수평하게 배치되어 N2 가스를 판 형상 부재에 의해 형성되는 디퓨저(53)를 향하여 토출하는 구조[도 8의 (b)]로 되어 있다.In this case, the diffuser 53 is formed by the plate-shaped member which inclines to the downhill gradient toward the discharge port side of the rinse nozzle 58, as shown in FIG. In addition, the inert gas nozzle 80 (hereinafter referred to as N 2 gas nozzle 80) has a structure provided in parallel with the diffuser 53 formed by the plate-shaped member (Fig. 8 (a)), or horizontally. It is arranged so as to discharge the N 2 gas toward the diffuser 53 formed by the plate-shaped member (Fig. 8 (b)).

상기와 같이 구성되는 디퓨저(53)와 N2 가스 노즐(80)이 협동하여 N2 가스 노즐(80)로부터 토출(공급)되는 N2 가스를, 린스 노즐(58)로부터 토출(공급)된 순수(DIW)의 액막(F)으로 유도 확산시켜 건조 영역(D)을 형성한다.Pure water discharged (supplied) from the rinse nozzle 58 to the N 2 gas discharged (supplied) from the N 2 gas nozzle 80 in cooperation with the diffuser 53 and the N 2 gas nozzle 80 configured as described above. The dry region D is formed by induction diffusion into the liquid film F of the DIW.

상기 린스 노즐(58)과 디퓨저(53) 및 N2 가스 노즐(80)은 상기 노즐 아암(54B)의 일단부측에 서로 평행 상태로 유지되어 있으며, 이 노즐 아암(54B)의 타단부측은 도시하지 않은 승강 기구를 구비한 이동 베이스(55B)와 연결되어 있으며, 또한 이동 베이스(55B)는, 예를 들어 볼 나사나 타이밍 벨트 등의 노즐 이동 기 구(56B)에 의해 X 방향으로 연장되는 가이드 부재(57B)를 따라 횡방향으로 이동 가능, 즉 웨이퍼(W)의 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 컵(43)의 한쪽의 외측에는 린스 노즐(58)의 대기부(59B)가 설치되어 있다.The rinse nozzle 58, the diffuser 53, and the N 2 gas nozzle 80 are kept in parallel with one end side of the nozzle arm 54B, and the other end side of the nozzle arm 54B is not shown. It is connected to the movement base 55B provided with the lifting mechanism which is not raised, and the movement base 55B extends in the X direction by the nozzle movement mechanism 56B, such as a ball screw and a timing belt, for example. It is comprised so that it can move to the horizontal direction along 57B, ie, it can move to the outer periphery of a board | substrate from the center part of the wafer W in the radial direction. Moreover, the atmospheric part 59B of the rinse nozzle 58 is provided in one outer side of the cup 43.

또한, N2 가스 노즐(80)은 제2 개폐 밸브(V2)를 개재 설치한 N2 가스 공급관(75)을 통하여 N2 가스 공급원(74)에 접속되어 있다.In addition, N 2 gas nozzle 80 is connected to the N 2 gas source 74 through a second switching valve (V2) installed a N 2 gas supply line 75 via the.

또한, 제2 실시 형태에 있어서, 그 밖의 부분은 제1 실시 형태와 동일하므로, 동일 부분에는 동일한 부호를 부여하고 설명은 생략한다.In addition, in 2nd Embodiment, since another part is the same as that of 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the same part and description is abbreviate | omitted.

또한, 제2 실시 형태에 있어서, 상기 노즐 이동 기구(56A, 56B), 개폐 밸브(V, V1, V2)는, 각각 상기 컨트롤러(60)에 전기적으로 접속되어 있으며, 컨트롤러(60)에 미리 기억된 제어 신호에 기초하여 현상 노즐(52)의 수평 이동, 린스 노즐(58) 및 디퓨저(53)의 수평 이동, 개폐 밸브(V, V1, V2)의 개폐 구동이 행하여지도록 구성되어 있다.In the second embodiment, the nozzle moving mechanisms 56A and 56B and the opening / closing valves V, V1, and V2 are electrically connected to the controller 60, respectively, and stored in advance in the controller 60. The horizontal movement of the developing nozzle 52, the horizontal movement of the rinse nozzle 58 and the diffuser 53, and the opening / closing driving of the opening / closing valves V, V1, and V2 are performed based on the control signal.

제2 실시 형태의 현상 처리 장치(50A)에 따르면, 현상 처리 후, 린스 노즐(58)과 디퓨저(53) 및 N2 가스 노즐(80)을 웨이퍼 표면의 중심부 상방 위치로 이동시켜, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면으로 린스 노즐(58)로부터 순수를 토출(공급)함과 동시에, 디퓨저(53)와 N2 가스 노즐(80)이 협동하여 N2 가스 노즐(80)로부터 토출(공급)되는 N2 가스를, 린스 노즐(58)로부터 토출(공급)된 순수(DIW)의 액막(F)으 로 유도 확산시켜 건조 영역(D)을 형성할 수 있다.According to the developing apparatus 50A of the second embodiment, after the developing treatment, the rinse nozzle 58, the diffuser 53, and the N 2 gas nozzle 80 are moved to a position above the center of the wafer surface to rotate the wafer. While the pure water is discharged (supplyed) from the rinse nozzle 58 to the surface of (W), the diffuser 53 and the N 2 gas nozzle 80 cooperate to discharge (supply) from the N 2 gas nozzle 80. The dry region D can be formed by inductively diffusing N 2 gas into the liquid film F of pure water DIW discharged (supplied) from the rinse nozzle 58.

상기 설명에서는, 1매의 판 형상의 디퓨저(53)와 N2 가스 노즐(80)의 경우에 대하여 설명했으나, 도 9의 (a), (b)에 도시한 바와 같이, 디퓨저(53)를, 간극(76)을 두고 서로 평행한 복수(도면에서는, 3매의 경우를 도시한다)의 부재에 의해 형성하고, 각 부재 사이의 간극(76) 내에 N2 가스 노즐(80)의 공급구(토출구)(80a)를 배치해도 좋다. 이렇게 구성함으로써, N2 가스의 공급량(토출량)을 늘릴 수 있으므로, 건조 영역(D)을 더욱 넓힐 수 있어 건조의 촉진을 도모할 수 있다.In the above description, the case of one plate-shaped diffuser 53 and the N 2 gas nozzle 80 has been described, but as shown in FIGS. 9A and 9B, the diffuser 53 is shown. And a supply port of the N 2 gas nozzle 80 in the gap 76 between the members, formed by a plurality of members (shown in the drawing, three sheets) parallel to each other with a gap 76 formed therebetween. Discharge port) 80a may be disposed. By this configuration, it is possible to increase the supply amount (flow rate) of N 2 gas, it is possible to further widen the drying zone (D) it is possible to accelerate the drying.

또한, 상기 디퓨저(53)는 반드시 판 형상 부재일 필요는 없고, 다른 형상으로 해도 좋다. 예를 들어, N2 가스 노즐(80)을 내측에 수용하는 단면이 대략 역ㄷ자 형상 부재(53a)[도 10의 (a) 참조], N2 가스 노즐(80)의 적어도 일부를 끼워 삽입하는 유지 홈(53h)을 갖는 부재(53b)[도 10의 (b) 참조], N2 가스 노즐(80)을 내측에 수용하는 단면이 대략 원호 형상 부재(53c)[도 10의 (c) 참조], N2 가스 노즐(80)을 내측에 수용하는 단면이 대략 원호 형상인 제1 원호 형상부(53i)와, 상기 제1 원호 형상부(53i)의 양측단부에 각각 연결되는 단면이 대략 원호 형상인 제2 원호 형상부(53j) 및 제3 원호 형상부(53k)를 갖는 단면이 대략 W자 형상의 부재(53d)[도 10의 (d) 참조], 혹은 린스 노즐(58)측에 대한 이면측에 폭 방향으로 연속하는 삼각파 형상 요철부(53l)를 갖는 부재(53e)[도 10의 (e) 참조]로 해도 된다.In addition, the diffuser 53 does not necessarily need to be a plate-shaped member, but may be made into another shape. For example, N 2 gas nozzle (80) [see Figure 10 (a)] to the substantially reverse U-shaped member (53a) cross-section, it received in the interior, N 2 for insertion into at least a portion of the gas nozzle 80 member having a holding groove (53h) (53b) [degree of 10 (b), see], N 2 gas nozzles are substantially arc-shaped member (80) cross-section for receiving the inner (53c) [in Fig. 10 (c), see ], The first arc-shaped portion 53i having an approximately arc-shaped cross section for accommodating the N 2 gas nozzle 80 therein and the cross-sections respectively connected to both end portions of the first arc-shaped portion 53i are approximately circular arcs. The cross-section having the second circular arc shape portion 53j and the third circular arc shape portion 53k having a shape is substantially W-shaped to the member 53d (see FIG. 10D) or the rinse nozzle 58 side. It is good also as a member 53e (refer FIG. 10 (e)) which has the triangular wave-shaped uneven part 53l continuous to the back surface side with respect to the back surface side.

또한, 도 11에 도시한 바와 같이 기류 유도 확산부를, N2 가스 노즐(80)에 접속하는 공동실(53m)과, 상기 공동실(53m)의 저부(53n)에 설치되는 가스 토출구(53o)를 갖는 중공 부재(53f)에 의해 형성해도 좋다. 이 경우, 중공 부재(53f)의 일측에 린스 노즐(58)의 공급구(58a)를 향하여 내리막 구배의 경사면(53p)이 설치되고, 공동실(53m)의 저부(53n)에 다수의 가스 토출구(53o)가 형성되어 있다.Further, the gas discharge port (53o) provided on the bottom (53n) of the common chamber (53m) and the cavity chamber (53m) connected to the air flow induced diffusion part, N 2 gas nozzle 80 as shown in Fig. 11 The hollow member 53f may be formed. In this case, the inclined surface 53p of the downhill gradient is provided on one side of the hollow member 53f toward the supply port 58a of the rinse nozzle 58, and a plurality of gas discharge ports are provided at the bottom 53n of the cavity chamber 53m. 53o is formed.

상기와 같이 구성함으로써, N2 가스 노즐(80)로부터 공급된 N2 가스를 일단 공동실(53m)에 저류한 후, 가스 토출구(53o)로부터 토출하여 순수(DIW)의 액막(F)에 분사할 수 있으므로, N2 가스의 유도 확산 영역을 균일하게 하여 건조의 촉진을 도모할 수 있다. Spraying the liquid film (F) in pure water (DIW) and then stored in a configuration by, N 2 gas nozzle 80 once cavity chamber (53m) for the supply N 2 gas from as described above, by discharging from the gas discharge port (53o) Since it is possible to make the induced diffusion region of the N 2 gas uniform, it is possible to promote drying.

또한, 도 12에 도시한 바와 같이, 기류 유도 확산부를, N2 가스 노즐(80)에 접속하는 공동실(53m)과, 상기 공동실(53m)의 저부(53n)에 설치되는 가스 토출구(53s)를 갖는 중공 부재(53f)에 의해 형성해도 좋다. 이 경우, 중공 부재(53f)를 린스 노즐(58)과 평행한 편평한 상자 형상으로 형성하고, 상기 중공 부재(53f)에 있어서의 린스 노즐(58) 및 기류 유도 확산부의 이동 방향의 후방 상단부 코너부(53q)에 N2 가스 노즐(80)을 접속하여 저부(53n) 및 이동 방향 앞쪽의 측벽(53r)에 연결되는 슬릿 형상의 가스 토출구(53s)가 형성되어 있다.In addition, as shown in FIG. 12, the gas discharge port 53s provided in the cavity chamber 53m for connecting the airflow induction diffusion part to the N 2 gas nozzle 80 and the bottom portion 53n of the cavity chamber 53m. You may form with the hollow member 53f which has (). In this case, the hollow member 53f is formed in a flat box shape parallel to the rinse nozzle 58, and the rear upper end corner portion in the moving direction of the rinse nozzle 58 and the airflow guide diffusion portion in the hollow member 53f. A slit-shaped gas discharge port 53s is connected to 53q connected to the N 2 gas nozzle 80 and connected to the bottom portion 53n and the side wall 53r at the front of the moving direction.

상기와 같이 구성함으로써, N2 가스 노즐(80)로부터 공급된 N2 가스를 일단 공동실(53m)에 저류한 후, 가스 토출구(53s)로부터 토출하여 순수(DIW)의 액막(F) 에 분사할 수 있다. 이때, N2 가스는 린스 노즐(58) 및 기류 유도 확산부의 이동 방향으로 분사되므로, N2 가스의 유도 확산 영역을 균일하게 하여 건조의 촉진을 도모할 수 있는 동시에, 웨이퍼(W) 중심측의 건조 영역을 확실하게 확보할 수 있다.Spraying the liquid film (F) in pure water (DIW) and then stored in a configuration by, N 2 gas nozzle 80 once cavity chamber (53m) for the supply N 2 gas from as described above, by discharging from the gas discharge port (53s) can do. At this time, since the N 2 gas is injected in the moving directions of the rinse nozzle 58 and the airflow guided diffusion portion, the induced diffusion region of the N 2 gas can be uniformly promoted, and at the same time, The dry area can be secured.

<제3 실시 형태>&Lt; Third Embodiment >

도 13은 본 발명에 따른 현상 처리 장치의 제3 실시 형태의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다. 제3 실시 형태는 웨이퍼 표면에 린스 노즐(58)로부터 순수를 공급함과 동시에 N2 가스 노즐(80)로부터 N2 가스를 공급하기 전에 웨이퍼(W)의 중심부에 건조 영역을 형성하도록 한 경우이다.It is a schematic sectional drawing which shows the principal part of 3rd Embodiment of the image development processing apparatus which concerns on this invention. The third embodiment is a case where so as to form a drying zone in the center of the wafer (W) before supplying the N 2 gas from the rinse nozzle N 2 gas nozzle 80 for pure water from 58 at the same time and supplies the wafer surface.

즉, 제3 실시 형태의 현상 처리 장치(50B)는, 린스 노즐(58)에 인접되는 보조 불활성 가스 공급 노즐인 보조 N2 가스 노즐(80A)과, 보조 N2 가스 노즐(80A)을 웨이퍼(W)의 중심부로 이동시키는 상기 이동 기구(도 13에서는 도시 생략)와, 보조N2 가스 노즐(80A)과 N2 가스 공급원(74)을 접속하는 N2 가스 공급관에 개재 설치 되는 제3 개폐 밸브(V3)를 더 구비하는 동시에, 이동 기구 및 제3 개폐 밸브(V3)에 상기 컨트롤러(60)가 전기적으로 접속한 경우이다. 또한, 제3 실시 형태에 있어서, 그 밖의 부분은 제2 실시 형태와 동일하므로, 동일 부분에는 동일한 부호를 부여하고 설명은 생략한다.That is, in the developing apparatus 50B of the third embodiment, the auxiliary N 2 gas nozzle 80A, which is an auxiliary inert gas supply nozzle adjacent to the rinse nozzle 58, and the auxiliary N 2 gas nozzle 80A are placed on a wafer ( the moving mechanism (not shown in Fig. 13), and a secondary N 2 gas nozzle (80A) and the N 2 gas source a third on-off valve which is installed through the N 2 gas supply pipe for connecting (74) to move to the center of the W) It is a case where the said controller 60 is electrically connected to the moving mechanism and the 3rd opening / closing valve V3 further while providing (V3). In addition, in 3rd Embodiment, since another part is the same as 2nd Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the same part and description is abbreviate | omitted.

상기와 같이 구성되는 제3 실시 형태의 현상 처리 장치(50B)에 따르면, 컨트롤러(60)에 의해 웨이퍼 표면에 린스 노즐(58)로부터 순수를 공급(토출)함과 동시 에 N2 가스 노즐(80)로부터 N2 가스를 공급하기 전에 보조 N2 가스 노즐(80A)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 N2 가스를 공급하여 웨이퍼(W)의 중심부에 건조 영역을 형성하고, 그 후 웨이퍼 표면에 린스 노즐(58)로부터 순수를 공급(토출)함과 동시에 N2 가스 노즐로부터 N2 가스를 공급(토출)함으로써 건조의 촉진이 도모된다.According to a third embodiment of the developing apparatus (50B) that is configured as described above, the controller supplies the pure water from the rinse nozzle 58 to the wafer surface by 60 (discharge) the and the N 2 gas nozzle (80 at the same time N 2 gas is supplied from the auxiliary N 2 gas nozzle 80A to the center of the wafer W before supplying the N 2 gas from the wafer) to form a dry region in the center of the wafer W, and then rinsed on the wafer surface. Acceleration of drying is attained by supplying (ejecting) pure water from the nozzle 58 and supplying (ejecting) N 2 gas from the N 2 gas nozzle.

또한, 도 13에서는 N2 가스 노즐(80)과 보조 N2 가스 노즐(80A)을, 각각 N2 가스 공급관(75)을 통하여 N2 가스 공급원(74)에 접속하는 경우에 관하여 설명했으나, 도 14에 도시한 바와 같이 N2 가스 노즐(80)과 N2 가스 공급원(74)을 접속하는 N2 가스 공급관(75)으로부터 분기관(77)을 통하여 보조 N2 가스 노즐(80A)을 접속하여, N2 가스 공급관(75)과 분기관(77)의 분기부에 제2 개폐 밸브(V2)와 제3 개폐 밸브(V3)를 겸용하는 절환 밸브(V4)를 개재 설치해도 좋다. 이 절환 밸브(V4)에 컨트롤러(60)가 전기적으로 접속되어, 컨트롤러(60)로부터의 제어 신호에 기초하여 절환 밸브(V4)가 절환 제어되게 되어 있다.In addition, FIG. 13, but it described with reference to the case of connecting the N 2 gas nozzle 80 and the auxiliary N 2 gas nozzles (80A), the N 2 gas source 74, through the N 2 gas supply line 75, respectively, Fig. As shown in Fig. 14, the auxiliary N 2 gas nozzle 80A is connected through the branch pipe 77 from the N 2 gas supply pipe 75 connecting the N 2 gas nozzle 80 and the N 2 gas supply 74. The switching valve V4 which serves as the second open / close valve V2 and the third open / close valve V3 may be interposed between the N 2 gas supply pipe 75 and the branch pipe 77. The controller 60 is electrically connected to the switching valve V4, and the switching valve V4 is controlled to be switched based on the control signal from the controller 60.

이와 같이 구성되는 현상 처리 장치에 따르면, 웨이퍼 표면에 린스 노즐(58)로부터 순수를 공급(토출)함과 동시에 N2 가스 노즐(80)로부터 N2 가스를 공급하기 전에, 컨트롤러(60)로부터의 제어 신호에 의해 절환 밸브(V4)를 보조 N2 가스 노즐(80A)측으로 절환하여 보조 N2 가스 노즐(80A)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 N2 가 스를 공급하여 웨이퍼(W)의 중심부에 건조 영역을 형성하고, 그 후 컨트롤러(60)로부터의 제어 신호에 의해 제1 개폐 밸브(V1)를 개방하는 동시에, 절환 밸브(V4)를 N2 가스 노즐(80)측으로 절환하여 웨이퍼 표면에 린스 노즐(58)로부터 순수를 공급(토출)함과 동시에 N2 가스 노즐로부터 N2 가스를 공급(토출)함으로써, 건조의 촉진을 도모할 수 있다.According to a developing apparatus constituted in this manner, the rinse supply of pure water from the nozzle 58 to the wafer surface (discharge), and at the same time before supplying the N 2 gas from a N 2 gas nozzle 80, from the controller 60 the center of the switching valve (V4) and a second N 2 gas nozzle N 2 is supplied to the switch to switch to the side (80A) from the auxiliary N 2 gas nozzle (80A) to the center of the wafer (W) the wafer (W) by the control signal A dry region is formed on the wafer, and then the first open / close valve V1 is opened by a control signal from the controller 60, and the switching valve V4 is switched to the N 2 gas nozzle 80 side to the wafer surface. Drying can be promoted by supplying (ejecting) pure water from the rinse nozzle 58 and supplying (ejecting) N 2 gas from the N 2 gas nozzle.

도 1은 본 발명에 따른 현상 처리 장치를 적용한 도포·현상 처리 장치인 노광 처리 장치를 접속한 처리 시스템의 전체를 도시하는 개략 평면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic plan view which shows the whole of the processing system which connected the exposure processing apparatus which is the application | coating and developing apparatus which applied the developing processing apparatus which concerns on this invention.

도 2는 상기 처리 시스템의 개략 사시도.2 is a schematic perspective view of the processing system;

도 3은 본 발명에 따른 현상 처리 장치의 제1 실시 형태를 도시하는 개략 단면도.3 is a schematic cross-sectional view showing a first embodiment of a developing apparatus according to the present invention.

도 4는 상기 제1 실시 형태의 현상 처리 장치를 도시하는 개략 평면도.4 is a schematic plan view showing a developing apparatus of the first embodiment.

도 5는 제1 실시 형태에 있어서의 린스 노즐과 디퓨저를 도시하는 개략 사시도(a) 및 (a)의 I-I선을 따라 자른 단면도(b).Fig. 5 is a sectional view taken along the line I-I of schematic perspective views (a) and (a) showing a rinse nozzle and a diffuser in the first embodiment;

도 6은 본 발명에 따른 현상 처리 장치의 제2 실시 형태를 도시하는 개략 단면도.6 is a schematic cross-sectional view showing a second embodiment of a developing apparatus according to the present invention.

도 7은 상기 제1 실시 형태의 현상 처리 장치를 도시하는 개략 평면도.Fig. 7 is a schematic plan view showing the developing apparatus of the first embodiment.

도 8은 본 발명에 있어서의 린스 노즐, 디퓨저 및 N2 가스 노즐의 다른 예를 도시하는 개략적인 측면도.8 is a schematic side view showing another example of a rinse nozzle, a diffuser, and an N 2 gas nozzle according to the present invention;

도 9는 본 발명에 있어서의 린스 노즐, 디퓨저 및 N2 가스 노즐의 또 다른 예를 도시하는 개략적인 측면도.Fig. 9 is a schematic side view showing still another example of a rinse nozzle, a diffuser, and an N 2 gas nozzle in the present invention.

도 10은 본 발명에 있어서의 디퓨저의 다른 형상을 도시하는 단면 사시도.Fig. 10 is a sectional perspective view showing another shape of the diffuser in the present invention.

도 11은 본 발명에 있어서의 디퓨저를 중공 부재에 의해 형성한 경우의 개략 사시도(a) 및 개략 단면도(b).11 is a schematic perspective view (a) and a schematic sectional view (b) when the diffuser in the present invention is formed of a hollow member.

도 12는 본 발명에 있어서의 디퓨저를 다른 중공 부재에 의해 형성한 경우의 개략 사시도(a) 및 개략 단면도(b).12 is a schematic perspective view (a) and a schematic sectional view (b) when the diffuser in the present invention is formed of another hollow member.

도 13은 본 발명에 따른 현상 처리 장치의 제3 실시 형태의 주요부를 도시하는 개략 단면도.It is a schematic sectional drawing which shows the principal part of 3rd embodiment of the image development apparatus which concerns on this invention.

도 14는 제3 실시 형태의 다른 주요부를 도시하는 개략 단면도.14 is a schematic sectional view showing another main part of the third embodiment;

<부호의 설명> <Description of Symbols>

W : 반도체 웨이퍼(기판)W: Semiconductor wafer (substrate)

40 : 스핀 척(기판 유지부)40: spin chuck (substrate holding part)

42 : 회전 기구42: Rotation mechanism

50, 50A, 50B : 현상 처리 장치50, 50A, 50B: Developing apparatus

52 : 현상 노즐52: developing nozzle

53 : 디퓨저(기류 유도 확산부)53: diffuser (airflow induced diffusion)

53a : 단면이 대략 역ㄷ자 형상 부재53a: substantially inverted cross section

53b : 유지 홈(53h)을 갖는 부재53b: member having retaining groove 53h

53c : 단면이 대략 원호 형상 부재53c: roughly circular arc shaped member

53d : 단면이 대략 산형상 부재53d: roughly cross-sectional member

53e : 파형 형상 요철부(531)를 갖는 부재53e: member having corrugated irregularities 531

53f : 중공 부재53f: hollow member

53m : 공동부53m: cavity

53n : 저부53n: bottom

53o : 가스 토출구53o: gas outlet

53s : 슬릿 형상 가스 토출구53s: slit-shaped gas outlet

56A, 56B : 노즐 이동 기구56A, 56B: Nozzle Movement Mechanism

58 : 린스 노즐58: Rinse nozzle

58a : 공급구58a: supply port

60 : 컨트롤러(제어 수단)60: Controller (control means)

72 : 순수 공급관(세정액 공급관)72: pure water supply pipe (cleaning liquid supply pipe)

73 : 순수 공급원(세정액 공급원)73: pure water source (cleaning liquid supply source)

74 : N2 가스 공급원(불활성 가스 공급원)74: N 2 gas source (inert gas source)

75 : N2 가스 공급관(불활성 가스 공급관)75: N 2 gas supply pipe (inert gas supply pipe)

76 : 간극76: gap

80 : N2 가스 노즐(불활성 가스 노즐)80: N 2 gas nozzle (inert gas nozzle)

80A : 보조 N2 가스 노즐(보조 불활성 가스 공급 노즐)80A: Secondary N 2 gas nozzle (secondary inert gas supply nozzle)

V1 : 제1 개폐 밸브V1: first on-off valve

V2 : 제2 개폐 밸브V2: second on-off valve

V3 : 제3 개폐 밸브V3: third open / close valve

V4 : 밸브 절환 밸브(제2 개폐 밸브겸 제3 개폐 밸브) V4: valve selector valve (2nd on-off valve and 3rd on-off valve)

Claims (15)

노광된 기판의 표면으로 현상액을 공급하여 현상을 행한 후에, 기판의 표면으로 세정액을 공급하여 세정을 행하는 현상 처리 방법에 있어서, In the development processing method of supplying a cleaning solution to the surface of a board | substrate, and developing after supplying a developing solution to the surface of the exposed board | substrate, 기판을 수평으로 유지한 기판 유지부를 연직축 주위로 회전시키면서 기판의 중심부 상방에서 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에, 세정액 공급 노즐에 인접하는 기류 유도 확산부에 의해 기판의 회전에 의해 발생하는 기류를 세정액의 액막으로 유도 확산시키고,While supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle above the center of the substrate while rotating the substrate holding part holding the substrate horizontally, the airflow generated by the rotation of the substrate is generated by the airflow induction diffuser adjacent to the cleaning liquid supply nozzle. Induced diffusion into the liquid film of the cleaning liquid, 상기 세정액 공급 노즐과 기류 유도 확산부를 평행 상태로 하여 기판의 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 동시에 이동시켜, 기판의 세정 및 건조를 행하는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 방법.And cleaning and drying the substrate by simultaneously moving the cleaning liquid supply nozzle and the airflow guide diffusion portion in the radial direction from the center of the substrate toward the outer periphery of the substrate. 노광된 기판의 표면으로 현상액을 공급하여 현상을 행한 후에, 기판의 표면으로 세정액을 공급하여 세정을 행하는 현상 처리 방법에 있어서, In the development processing method of supplying a cleaning solution to the surface of a board | substrate, and developing after supplying a developing solution to the surface of the exposed board | substrate, 기판을 수평으로 유지한 기판 유지부를 연직축 주위로 회전시키면서 기판의 중심부 상방에서 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에, 상기 세정액 공급 노즐에 각각 인접하는 기류 유도 확산부와 상기 기류 유도 확산부와 협동하여 불활성 가스의 기류를 세정액의 액막으로 유도하는 불활성 가스 노즐에 의해 불활성 가스를 상기 액막으로 유도 확산시키고, While supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle above the central portion of the substrate while rotating the substrate holding part holding the substrate horizontally, the airflow induction diffusion portion and the airflow induction diffusion portion respectively adjacent to the cleaning liquid supply nozzle are cooperated with each other. An inert gas is induced and diffused into the liquid film by an inert gas nozzle which guides the air flow of the inert gas into the liquid film of the cleaning liquid, 상기 세정액 공급 노즐, 기류 유도 확산부 및 불활성 가스 노즐을 서로 평행 상태로 하여 기판 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 동시에 이동시켜 기판의 세정 및 건조를 행하는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 방법.And cleaning and drying the substrate by simultaneously moving the cleaning liquid supply nozzle, the air flow guide diffusion portion, and the inert gas nozzle in a radial direction from the center of the substrate toward the outer periphery of the substrate. 제2항에 있어서, 기판 표면으로 상기 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에 불활성 가스 노즐로부터 불활성 가스를 공급하기 전에 보조 불활성 가스 노즐로부터 기판의 중심부로 불활성 가스를 공급하여 기판 중심부에 건조 영역을 형성하고, 그 후 기판 표면으로 상기 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에 불활성 가스 노즐로부터 불활성 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 방법.The method of claim 2, wherein the inert gas is supplied from the auxiliary inert gas nozzle to the center of the substrate before supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle to the surface of the substrate and supplying the inert gas from the inert gas nozzle to form a dry region at the center of the substrate. And then supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle to the substrate surface and supplying the inert gas from the inert gas nozzle. 노광된 기판의 표면으로 현상액을 공급하여 현상을 행한 후에, 기판의 표면으로 세정액을 공급하여 세정을 행하는 현상 처리 장치에 있어서, In the developing apparatus which supplies and washes a developing solution to the surface of the board | substrate exposed, and develops it, it wash | cleans by supplying a washing | cleaning solution to the surface of a board | substrate, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와, A substrate holding unit for holding the substrate horizontally, 상기 기판 유지부를 연직축 주위로 회전시키는 회전 기구와, A rotation mechanism for rotating the substrate holding portion about a vertical axis; 기판의 상방에 위치하고, 기판 표면으로 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐과, A cleaning liquid supply nozzle located above the substrate and supplying the cleaning liquid to the substrate surface; 상기 세정액 공급 노즐에 대하여 평행하게 인접하고, 기판의 회전에 의해 발생하는 기류를 세정액의 액막으로 유도 확산시키는 기류 유도 확산부와, An airflow induced diffusion unit adjacent to the cleaning liquid supply nozzle in parallel and inductively diffusing the airflow generated by the rotation of the substrate into the liquid film of the cleaning liquid; 상기 세정액 공급 노즐 및 기류 유도 확산부를 서로 평행 상태로 유지하는 동시에, 기판의 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 이동시키는 이동 기구와, A moving mechanism which keeps the cleaning liquid supply nozzle and the airflow guide diffusion portion in parallel with each other, and moves in a radial direction from the center of the substrate toward the outer periphery of the substrate; 상기 회전 기구, 상기 세정액 공급 노즐과 세정액 공급원을 접속하는 세정액 공급관에 개재 설치되는 개폐 밸브 및 상기 이동 기구에 접속되는 제어 수단을 구비하고, And an opening / closing valve interposed in the cleaning liquid supply pipe connecting the rotating mechanism, the cleaning liquid supply nozzle, and the cleaning liquid supply source, and control means connected to the moving mechanism, 상기 제어 수단에 의해, 연직축 주위로 회전하는 기판의 중심부로 세정액을 공급하는 동시에, 기판의 회전에 의해 발생하는 기류를 세정액의 액막으로 유도 확산시키면서, 상기 세정액 공급 노즐과 기류 유도 확산부를 평행 상태로 하여 기판의 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 동시에 이동시켜 기판의 세정 및 건조를 행하는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 장치.The control means supplies the cleaning liquid to the center of the substrate rotating around the vertical axis, and in parallel diffuses the cleaning liquid supply nozzle and the airflow guide diffusion portion while inducing and diffusing the air flow generated by the rotation of the substrate to the liquid film of the cleaning liquid. And the substrate is cleaned and dried by simultaneously moving in the radial direction from the center of the substrate toward the outer periphery of the substrate. 노광된 기판의 표면으로 현상액을 공급하여 현상을 행한 후에, 기판의 표면으로 세정액을 공급하여 세정을 행하는 현상 처리 장치에 있어서, In the developing apparatus which supplies and washes a developing solution to the surface of the board | substrate exposed, and develops it, it wash | cleans by supplying a washing | cleaning solution to the surface of a board | substrate, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와, A substrate holding unit for holding the substrate horizontally, 상기 기판 유지부를 연직축 주위로 회전시키는 회전 기구와, A rotation mechanism for rotating the substrate holding portion about a vertical axis; 기판의 상방에 위치하고, 기판 표면으로 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐과, A cleaning liquid supply nozzle located above the substrate and supplying the cleaning liquid to the substrate surface; 상기 세정액 공급 노즐에 인접하는 기류 유도 확산부와, An airflow induction diffuser adjacent to the cleaning liquid supply nozzle, 상기 기류 유도 확산부와 협동하여 불활성 가스의 기류를 세정액의 액막으로 유도하는 불활성 가스 노즐과, An inert gas nozzle for cooperating with the air flow-inducing diffusion unit to direct an air stream of an inert gas to the liquid film of the cleaning liquid; 상기 세정액 공급 노즐, 기류 유도 확산부 및 불활성 가스 노즐을 서로 평행 상태로 유지하는 동시에 기판의 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 이동시키는 이동 기구와, A moving mechanism that keeps the cleaning liquid supply nozzle, the air flow guide diffusion portion, and the inert gas nozzle in parallel with each other and moves in a radial direction from the center of the substrate toward the outer periphery of the substrate; 상기 회전 기구, 상기 세정액 공급 노즐과 세정액 공급원을 접속하는 세정액 공급관에 개재 설치되는 제1 개폐 밸브와, 상기 불활성 가스 노즐과 불활성 가스 공급원을 접속하는 불활성 가스 공급관에 개재 설치되는 제2 개폐 밸브 및 상기 이동 기구에 접속되는 제어 수단을 구비하고,A second opening / closing valve interposed between the rotating mechanism, the cleaning liquid supply pipe connecting the cleaning liquid supply nozzle and the cleaning liquid supply source, and an inert gas supply pipe connecting the inert gas nozzle and the inert gas supply source; And a control means connected to the moving mechanism, 상기 제어 수단에 의해, 연직축 주위로 회전하는 기판의 중심부로 세정액을 공급하는 동시에, 상기 기류 유도 확산부와 불활성 가스 노즐이 협동하여 불활성 가스를 세정액의 액막으로 유도 확산시키면서, 상기 세정액 공급 노즐, 기류 유도 확산부 및 불활성 가스 노즐을 서로 평행 상태로 하여 기판의 중심부로부터 기판의 외주연을 향하여 직경 방향으로 동시에 이동시켜 기판의 세정 및 건조를 행하는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 장치.The cleaning liquid supply nozzle and the airflow are supplied by the control means to the central portion of the substrate rotating around the vertical axis, and the airflow induction diffuser and the inert gas nozzle cooperate to guide and diffuse the inert gas into the liquid film of the cleaning liquid. And the induction diffuser and the inert gas nozzle are parallel to each other to simultaneously move in the radial direction from the center of the substrate toward the outer periphery of the substrate, thereby cleaning and drying the substrate. 제5항에 있어서, 상기 세정액 공급 노즐에 인접되는 보조 불활성 가스 공급 노즐과, The method of claim 5, wherein the auxiliary inert gas supply nozzle adjacent to the cleaning liquid supply nozzle, 상기 보조 불활성 가스 공급 노즐을 기판의 중심부로 이동시키는 이동 기구와, A moving mechanism for moving the auxiliary inert gas supply nozzle to the center of the substrate; 상기 보조 불활성 가스 공급 노즐과 불활성 가스 공급원을 접속하는 불활성 가스 공급관에 개재 설치되는 제3 개폐 밸브를 더 구비하는 동시에, Further comprising a third on-off valve interposed in the inert gas supply pipe connecting the auxiliary inert gas supply nozzle and the inert gas supply source, 상기 이동 기구 및 제3 개폐 밸브에 상기 제어 수단을 접속하여 이루어지고,The control means is connected to the moving mechanism and a third open / close valve; 상기 제어 수단에 의해, 기판 표면으로 상기 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급하는 동시에 불활성 가스 노즐로부터 불활성 가스를 공급하기 전에, 상기 보조 불활성 가스 공급 노즐로부터 기판 중심부로 불활성 가스를 공급하여 기판 중심부에 건조 영역을 형성하고, 그 후 기판 표면으로 상기 세정액 공급 노즐로부터 세정액을 공급함과 동시에 상기 불활성 가스 노즐로부터 불활성 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 장치.The control means supplies an inert gas from the auxiliary inert gas supply nozzle to the center of the substrate by supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle to the substrate surface and simultaneously supplying an inert gas from the inert gas nozzle, thereby drying the region in the center of the substrate. And then supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle to the substrate surface, and simultaneously supplying the inert gas from the inert gas nozzle. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기류 유도 확산부가 평판 형상 부재인 것을 특징으로 하는, 현상 처리 장치.The developing apparatus according to any one of claims 4 to 6, wherein the air flow-induced diffusion portion is a flat member. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 기류 유도 확산부는, 간극을 두고 서로 평행한 복수의 부재이며, 각 부재 사이의 간극 내에 불활성 가스 노즐의 공급구를 배치하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 장치.The development process according to claim 5 or 6, wherein the air flow-induced diffusion is a plurality of members that are parallel to each other with a gap therebetween, and a supply port of an inert gas nozzle is disposed in the gap between the members. Device. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 기류 유도 확산부가 불활성 가스 노즐을 내측에 수용하는 단면이 역ㄷ자 형상 부재인 것을 특징으로 하는, 현상 처리 장치.7. The developing apparatus according to claim 5 or 6, wherein a cross section in which the air flow-inducing diffusion portion accommodates an inert gas nozzle inside is an inverted-shaped member. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 기류 유도 확산부가 불활성 가스 노즐의 적어도 일부를 끼워 삽입하는 유지 홈을 갖는 부재인 것을 특징으로 하는, 현상 처 리 장치.The developing processing apparatus according to claim 5 or 6, wherein the air flow-induced diffusion portion is a member having a holding groove for inserting at least a portion of the inert gas nozzle. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 기류 유도 확산부가 불활성 가스 노즐을 내측에 수용하는 단면이 원호 형상 부재인 것을 특징으로 하는, 현상 처리 장치.7. The developing apparatus according to claim 5 or 6, wherein a cross section in which the air flow-inducing diffusion portion accommodates an inert gas nozzle inside is an arc-shaped member. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 기류 유도 확산부가 불활성 가스 노즐을 내측에 수용하는 단면이 원호 형상인 제1 원호 형상부와, 상기 제1 원호 형상부의 양측단부에 각각 연결되는 단면이 원호 형상인 제2 원호 형상부 및 제3 원호 형상부를 갖는 부재인 것을 특징으로 하는, 현상 처리 장치.7. A circular arc according to claim 5 or 6, wherein a cross section in which the air flow induction-diffusing portion receives an inert gas nozzle inwardly has a circular arc shape, and a cross section connected to both end portions of the first circular arc shape portion, respectively. It is a member which has a 2nd circular arc-shaped part and a 3rd circular arc-shaped part which are shapes, The developing processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 기류 유도 확산부가 세정액 공급 노즐측에 대한 이면측에 폭 방향으로 연속하는 파형 형상 요철부를 갖는 부재인 것을 특징으로 하는, 현상 처리 장치.7. The developing apparatus according to claim 5 or 6, wherein the air flow-inducing diffusion portion is a member having a wave-shaped concave-convex portion continuous in the width direction on the back surface side with respect to the cleaning liquid supply nozzle side. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 기류 유도 확산부는 불활성 가스 노즐에 접속하는 공동실을 갖는 중공 부재에 의해 형성되고, 상기 중공 부재는 그 일측에 세정액 공급 노즐의 공급구를 향하여 내리막 구배의 경사면을 설치하고, 상기 공동실의 저부에 다수의 가스 토출구를 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 장치.7. The airflow induction diffuser is formed by a hollow member having a cavity connected to an inert gas nozzle, and the hollow member has a downhill gradient on one side thereof toward the supply port of the cleaning liquid supply nozzle. An inclined surface is provided and a plurality of gas discharge ports are formed at the bottom of the cavity chamber. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 기류 유도 확산부는 불활성 가스 노즐에 접속하는 공동실을 갖는 중공 부재에 의해 형성되고, 상기 중공 부재는 세정액 공급 노즐과 평행한 편평 상자 형상으로 형성되고, 상기 중공 부재에 있어서의 상기 세정액 공급 노즐 및 기류 유도 확산부의 이동 방향의 후방 상단부 코너부에 상기 불활성 가스 노즐을 접속하고, 상기 공동실의 저부 및 상기 이동 방향 앞쪽의 측벽에 연결되는 슬릿 형상의 가스 토출구를 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 현상 처리 장치.7. The air flow inducing diffusion according to claim 5 or 6, wherein the air flow induction diffusion is formed by a hollow member having a cavity connected to an inert gas nozzle, and the hollow member is formed into a flat box shape parallel to the cleaning liquid supply nozzle. A slit-shaped gas discharge port connected to the bottom of the cavity and the side wall of the moving direction in front of the cavity, connected to the inert gas nozzle at a corner of the rear upper end portion in the moving direction of the cleaning liquid supply nozzle and the airflow induction diffuser in the hollow member. The development apparatus characterized by the above-mentioned.
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