JP4069316B2 - Cleaning method and cleaning apparatus - Google Patents

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JP4069316B2
JP4069316B2 JP2001221274A JP2001221274A JP4069316B2 JP 4069316 B2 JP4069316 B2 JP 4069316B2 JP 2001221274 A JP2001221274 A JP 2001221274A JP 2001221274 A JP2001221274 A JP 2001221274A JP 4069316 B2 JP4069316 B2 JP 4069316B2
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光則 中森
武彦 折居
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東京エレクトロン株式会社
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Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、半導体ウエハやLCD基板等の各種基板に所定の処理液を供給して行う洗浄処理方法と洗浄処理装置に関する。 The present invention relates to a cleaning apparatus and a cleaning processing method to various substrates such as a semiconductor wafer or LCD substrate performed by supplying a predetermined processing liquid.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
例えば、半導体デバイスの製造工程においては、基板である半導体ウエハ(ウエハ)を所定の薬液や純水等の洗浄液によって洗浄処理し、ウエハからパーティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーションや有機物、酸化膜を除去している。 For example, in a manufacturing process of a semiconductor device, a semiconductor wafer (wafer) substrate was washed processed by a predetermined chemical solution or the cleaning liquid such as pure water, the particles from the wafer, organic contaminants, contamination and organic matter and metal impurities, and removing the oxide film. このような洗浄処理は、通常、薬液による洗浄処理、純水による洗浄処理、揮発性薬剤例えばイソプロピルアルコール(IPA)を用いた乾燥処理、ガスを供給して行うブロー乾燥処理またはスピン乾燥処理の順序で行われる。 Such washing treatment is usually cleaning with chemical cleaning with pure water, dried using volatile agents such as isopropyl alcohol (IPA), the order of blow drying or spin drying process performed by supplying a gas It is carried out at.
【0003】 [0003]
このうちIPA乾燥処理は、例えば、IPAが貯留されたタンク内にウエハを浸漬させた後にウエハを引き上げる方法、またはウエハを低速回転状態として液状のIPAをウエハに供給し、その後にウエハを高速で回転させてウエハに付着したIPAを振り切る方法等を用いて行われている。 Among IPA drying process, for example, a method raising the wafer after immersion of the wafer in a tank IPA is stored or wafer IPA liquid supplied to the wafer as a low speed state, thereafter the high speed wafer, It is rotated have been made using a method like shaken off IPA attached to the wafer.
【0004】 [0004]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
しかしながら、IPAが貯留されたタンク内にウエハを浸漬させる方法では、経時的にIPAの汚れが進むためにIPA内のパーティクルがウエハに付着する問題がある。 However, in the method of immersing the wafer in a tank IPA is stored, there is a problem that particles in the IPA from adhering to the wafer to advance the dirt over time IPA. さらに、停止または低速回転状態にあるウエハに液状のIPAを供給した場合には、IPAを多量に消費するために処理コストが嵩み、製品コストが高くなるという問題がある。 Furthermore, the case of supplying the IPA liquid on the wafer in a stopped or low-speed rotation state, Kasami processing costs to draw large amounts of IPA, there is a problem that manufacturing cost becomes high.
【0005】 [0005]
本発明はこのような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、薬剤を効率的に基板表面に供給することでその消費量を抑制することができる洗浄処理方法とその洗浄処理方法を行う洗浄処理装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of such problems of the prior art, an object of the drug cleaning method in which it is possible to efficiently suppress the consumption by supplying to the surface of the substrate and its and to provide a cleaning apparatus for performing cleaning method.
【0006】 [0006]
また本発明の他の目的は、基板の表面に発生する洗浄痕(ウォーターマーク)を低減することが可能な洗浄処理方法を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a cleaning method that can reduce cleaning marks generated on the surface of the substrate (watermark).
【0007】 [0007]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
すなわち、本発明の第1の観点によれば、処理容器内に保持された基板の洗浄処理方法であって、前記基板を停止または低速回転させた状態において、ミスト状の薬剤を前記基板に供給する第1工程と、前記薬剤の供給を停止した後に前記基板を前記低速回転よりも高い回転速度で高速回転させることにより前記基板に付着した薬剤を振り切る第2工程と、を有し、前記第1工程では、薬剤を吐出するノズルまたは前記ノズルに薬剤を供給する薬剤供給管に前記薬剤を滞留させた後に前記薬剤供給管に窒素ガスを供給することにより、前記薬剤をミスト状として基板に供給することを特徴とする洗浄処理方法が提供される。 That is, according to the first aspect of the present invention, there is provided a cleaning method of the substrate held in the processing container, supplying in a state where the substrate is stopped or low speed, the mist of the drug to the substrate having a first step, and a second step of shake off the drug deposited on the substrate by the substrate that is rotated at high speed at a high rotational speed than the low speed after stopping the supply of the drug to the first in one step, by supplying nitrogen gas into the drug supply pipe after the drug was retained in the drug supply pipe for supplying the agent to the nozzle or the nozzle to eject the medicine, fed to a substrate the agent as a mist cleaning method characterized by it is provided.
【0008】 [0008]
この場合に、薬剤を吐出するノズルまたは前記ノズルに薬剤を供給する薬剤供給管に前記薬剤と窒素ガスとを交互に滞留させた後に前記薬剤供給管に窒素ガスを供給することにより、前記薬剤をミスト状として間欠的に基板に供給することができる。 In this case, by supplying the nitrogen gas into the drug supply pipe after the said drug and a nitrogen gas into the drug supply pipe for supplying the agent to the nozzle or the nozzles for ejecting the medicine to dwell alternately, said agent it can be intermittently supplied to the substrate as a mist.
【0009】 [0009]
本発明の第の観点によれば、基板に洗浄液を供給して洗浄処理を行う洗浄処理装置であって、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内で基板を保持する保持手段と、前記保持手段を回転させる回転機構と、前記洗浄液を前記基板に向けて吐出する洗浄液供給機構と、薬剤をミスト状として前記保持手段に保持された基板に供給する薬剤供給機構と、を具備し、前記薬剤供給機構は、前記薬剤を吐出する吐出ノズルと、前記吐出ノズルに薬剤を送液する薬剤供給管と、前記薬剤供給管にガスを供給するガス供給機構と、を有し、前記吐出ノズルまたは前記薬剤供給管に薬剤を滞留させた後にガスを供給することで、前記吐出ノズルまたは前記薬剤供給管に滞留している薬剤が前記吐出ノズルからミスト状で吐出されることを特徴とする洗 According to a second aspect of the present invention, a holding unit to a cleaning apparatus for cleaning treatment by supplying a cleaning liquid to a substrate, for holding a processing container for accommodating a substrate, a substrate in the processing chamber; comprising a rotating mechanism for rotating the holding means, and the cleaning liquid supply mechanism for ejecting the cleaning liquid to the substrate, and a drug supply mechanism for supplying to the substrate held by the holding means a drug as mist, and the drug supply mechanism includes a discharge nozzle for discharging the medicament, a drug supply pipe for feeding an agent to the discharge nozzle, and a gas supply mechanism for supplying gas into the drug supply tube, said discharge nozzle or the drug supply pipe to supply the gas after was retained drug, pickling agent remaining in the said discharge nozzle or the drug supply pipe, characterized in that the discharged in mist from the discharge nozzle 処理装置が提供される。 Processing apparatus is provided.
【0010】 [0010]
この場合に、前記薬剤供給機構は、さらに、前記薬剤供給管に対する薬剤の供給とガスの供給とを切り替えるバルブ機構を具備し、前記バルブ機構を複数回切り替えることにより、前記薬剤供給管に前記薬剤と前記ガスとを交互に滞留させ、その後前記バルブ機構により前記薬剤供給管を前記ガス供給機構に接続させて前記吐出ノズルまたは前記薬剤供給管に滞留している薬剤が前記吐出ノズルからミスト状で間欠的に吐出されるようにすることができる。 In this case, the drug supply mechanism further comprises a valve mechanism for switching the supply of the feed gas of drug to the drug supply pipe, by switching a plurality of times said valve mechanism, said agent to said agent supply pipe wherein the gas to dwell alternately, thereafter the valve mist from drug staying the medicine supply pipe to the discharge nozzle or the drug supply pipe by connecting to the gas supply mechanism the ejection nozzle by a mechanism and it can be made to be intermittently discharged.
【0011】 [0011]
このような洗浄処理方法および洗浄処理装置によれば、薬剤をミスト状または蒸気状として供給することにより、薬剤の使用量を低減して、処理コストを低減することができる。 According to this cleaning method and cleaning apparatus, the agent by supplying a mist state or a vapor state, to reduce the amount of drug used, it is possible to reduce the processing cost. また、供給された薬剤は基板にむらなく付着して、例えば基板表面に水分が残留していた場合には水分と揮発性薬剤が置換されて振り切りが容易となり、基板の表面に発生する洗浄痕(ウォーターマーク)が低減される。 The supply drugs are adhered evenly to the substrate, such as washing marks when water was left on the substrate surface by shaking can be easily substituted moisture and volatile agent, which is generated on the surface of the substrate (watermark) is reduced. こうして、基板を高い品質に維持することが可能となる。 Thus, it is possible to maintain the substrate at high quality.
【0012】 [0012]
さらに、本発明の洗浄処理装置は、薬剤を用いた乾燥処理工程前に純水によるリンス処理等の他の液処理を行っている場合にも、基板を移動させることなく処理を行うことができるために、装置の構造が複雑とならない。 Further, the cleaning apparatus of the present invention, when the pre-drying step with agents doing other liquid treatment of the rinse treatment by pure water can also be processed without moving the substrate for, it is not a complicated structure of the device. これによって、装置の大型化も抑制される。 Thus, increase in size of the device is also suppressed.
【0013】 [0013]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の態様について具体的に説明する。 Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail embodiments of the present invention. 本実施態様では、半導体ウエハ(ウエハ)の搬入、洗浄、乾燥、搬出をバッチ式に一貫して行うように構成された洗浄処理システムとその洗浄処理システムを用いた洗浄処理方法について説明する。 In the present embodiment, loading of the semiconductor wafer (wafer), washing, drying, cleaning method will be described using the cleaning system and its cleaning system configured to perform out consistently in batchwise. また、本実施態様においては、洗浄処理工程の中の1工程である薬剤を用いた乾燥処理について、揮発性溶媒であるイソプロピルアルコール(IPA)を用いた場合について説明することとする。 In the present embodiment, the drying treatment using an agent which is one step in the cleaning process, and it will be described with isopropyl alcohol (IPA) is a volatile solvent.
【0014】 [0014]
図1は洗浄処理システム1の斜視図であり、図2はその平面図である。 Figure 1 is a perspective view of the cleaning system 1, FIG. 2 is a plan view thereof. これら図1および図2に示されるように、洗浄処理システム1は、ウエハWを収納可能なキャリア(基板収納容器)Cの搬入出が行われるイン・アウトポート(容器搬入出部)2と、ウエハWに対して洗浄処理を実施する洗浄処理ユニット3と、イン・アウトポート2と洗浄処理ユニット3との間に設けられ、洗浄処理ユニット3に対してキャリアCの搬入出を行うためのステージ部4と、キャリアCを洗浄するキャリア洗浄ユニット5と、複数のキャリアCをストックするキャリアストックユニット6とを備えている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the cleaning processing system 1, in-out port for the wafer W can be accommodated carrier loading and unloading of (substrate container) C is performed (container transfer portion) 2, a cleaning unit 3 to perform the cleaning process on the wafer W, is provided between the in-out port 2 and the cleaning unit 3, a stage for transferring the carrier C with respect to the cleaning unit 3 and part 4, the carrier cleaning unit 5 for cleaning the carrier C, and a carrier stock unit 6 for stocking a plurality of carriers C. なお、参照符号7は電源ユニットであり、8は薬液貯蔵ユニットである。 Reference numeral 7 is a power supply unit, 8 is a chemical liquid storing unit.
【0015】 [0015]
イン・アウトポート2は、4個のキャリアCを載置可能な載置台10と、キャリアCの配列方向に沿って形成された搬送路11と、載置台10のキャリアCをステージ部4に搬送し、かつステージ部4のキャリアCを載置台10に搬送するためのキャリア搬送機構12とを有している。 In-out port 2 is conveyed can be placed the table 10 four carrier C, the conveyance path 11 formed in the arrangement direction of the carrier C, the carrier C of the mounting table 10 to the stage section 4 and, and and a carrier transport mechanism 12 for transporting the table 10 mounting the carrier C of the stage 4. キャリア搬送機構12は、搬送路11をキャリアCの配列方向に沿って移動可能である。 Carrier transfer mechanism 12 is movable conveying path 11 along the arrangement direction of the carrier C.
【0016】 [0016]
キャリアC内には、例えば、25枚または26枚のウエハWが収納可能となっており、キャリアCはウエハWの面が略垂直(略鉛直)となるように載置台10に配置される。 In the carrier C, for example, has become capable of accommodating 25 sheets or 26 sheets of wafers W, the carrier C is placed in table 10 mounting as a surface of the wafer W is substantially perpendicular (substantially vertical).
【0017】 [0017]
ステージ部4は、キャリアCを載置するステージ13を有しており、ステージ13にはスライドステージ32が設けられている。 Stage section 4 has a stage 13 for mounting the carrier C, the slide stage 32 is provided on the stage 13. イン・アウトポート2からこのスライドステージ32に搬送され、載置されたキャリアCは、スライドステージ32を駆動することによって洗浄処理ユニット3内に搬入され、洗浄処理ユニット3内のキャリアCはこのスライドステージ32によりステージ13に搬出される。 Is conveyed from the in-out port 2 on the slide stage 32, the placed carrier C is carried into the cleaning unit 3 by driving the slide stage 32, the carrier C of the cleaning unit 3 is the slide It is carried out to the stage 13 by the stage 32.
【0018】 [0018]
なお、ステージ13には、載置台10からキャリア搬送機構12のアームを回転させてキャリアCが載置されるため、載置台10とは逆向きにキャリアCが載置される。 Incidentally, the stage 13, for rotating the arm of the carrier transfer mechanism 12 from the table 10 and the carrier C is mounted, the carrier C in the direction opposite to the mounting table 10 is mounted. このため、ステージ13にはキャリアCの向きを戻すための反転機構(図示せず)が設けられている。 Therefore, reversing mechanism for returning the direction of the carrier C (not shown) is provided in the stage 13.
【0019】 [0019]
ステージ部4と洗浄処理ユニット3との間には仕切壁14が設けられており、仕切壁14にはキャリアCの搬入出用の開口部14aが形成されている。 Between the stage portion 4 and the cleaning unit 3 and the partition wall 14 is provided, opening 14a for loading and unloading of the carrier C are formed in the partition wall 14. この開口部14aはシャッター15により開閉可能となっており、処理中にはシャッター15が閉じられ、キャリアCの搬入出時にはシャッター15が開けられる。 The opening 14a can be opened and closed by a shutter 15, while processing the shutter 15 is closed, the shutter 15 is opened at the time of loading and unloading of the carriers C.
【0020】 [0020]
キャリア洗浄ユニット5は、キャリア洗浄槽16を有しており、後述するように洗浄処理ユニット3においてウエハWが取り出されて空になったキャリアCが洗浄されるようになっている。 Carrier cleaning unit 5 has a carrier cleaning tank 16, the carrier C the wafers W in the cleaning process unit 3 as described later has become is the sky taken is adapted to be cleaned.
【0021】 [0021]
キャリアストックユニット6は、洗浄前のウエハWが入ったキャリアCや洗浄前のウエハWが取り出されて空になったキャリアCを一時的に待機させるためや、洗浄後のウエハWを収納するための空のキャリアCを予め待機させるためのものであり、上下方向に複数のキャリアCがストック可能となっており、その中の所定のキャリアCを載置台10に載置したり、その中の所定の位置にキャリアCをストックしたりするためのキャリア移動機構を内蔵している。 Carrier stock unit 6, and for causing the wafer W before the carrier C and cleaning the wafer W enters the pre-cleaning is taken out temporarily standby the carrier C becomes empty, for accommodating the wafer W after the cleaning of is intended empty for advance to wait for carrier C, the vertical direction has become more carrier C allows stock, or placed on a table 10 mounting a predetermined carrier C therein, therein It incorporates a carrier moving mechanism for or stock carrier C in place.
【0022】 [0022]
次に、洗浄処理ユニット3について説明する。 Next, the cleaning unit 3 will be described. 図3は洗浄処理ユニット3の内部を示す断面図、図4および図5は洗浄処理ユニット3の洗浄処理部20を示す断面図である。 Figure 3 is a sectional view showing the interior of the cleaning unit 3, 4 and 5 are sectional views showing the cleaning unit 20 of the cleaning unit 3.
【0023】 [0023]
図3は、ロータ24とウエハ保持部材42との間でウエハWの受け渡しができるように、外側チャンバ26と内側チャンバ27を退避位置(図3において実線で示される位置)へ移動させた状態を示している。 3, to allow transfer of the wafer W between the rotor 24 and the wafer holding member 42, a state in which moving the outer chamber 26 and inner chamber 27 retracted position (position indicated by solid lines in FIG. 3) shows. また、図4は、外側チャンバ26を用いてロータ24に保持されたウエハWの洗浄処理を行うために、外側チャンバ26が処理位置にあり、内側チャンバ27が退避位置にある状態を示している。 Further, FIG. 4, in order to perform a cleaning process of the wafer W held by the rotor 24 with the outer chamber 26, located in the outer chamber 26 is the processing position, the inner chamber 27 shows a state in which the retracted position . さらに、図5は、内側チャンバ27を用いてロータ24に保持されたウエハWの洗浄処理を行うために、内側チャンバ27が処理位置にある状態を示している。 Further, FIG. 5, in order to perform a cleaning process of the wafer W held by the rotor 24 with the inner chamber 27, inner chamber 27 shows a state in the processing position. なお、内側チャンバ27が処理位置にあるときには、外側チャンバ26も処理位置にある。 Incidentally, when the inner chamber 27 is in the processing position is in the outer chamber 26 is also processing position.
【0024】 [0024]
洗浄処理ユニット3の内部には、図3に示すように、洗浄処理部20と、洗浄処理部20の直下にキャリアCを待機させるキャリア待機部30と、キャリア待機部30に搬入されたキャリアCと、洗浄処理部20に設けられたロータ24との間でウエハWを搬送するウエハ移動機構40とが設けられている。 Inside the cleaning unit 3, as shown in FIG. 3, a cleaning unit 20, a carrier waiting section 30 to wait for a carrier C directly below the cleaning unit 20, the carrier C, which is carried into the carrier waiting section 30 When a wafer moving mechanism 40 for transporting the wafer W between the rotor 24 provided in the cleaning unit 20 is provided.
ステージ13上に設けられたスライドステージ32は、例えば、3段に構成されており、上方の2段をそれぞれキャリア待機部30側にスライドさせることで、最上段のステージに載置されたキャリアCをキャリア待機部30におけるロータ24の直下に搬入して待機させることが可能となっている。 Slide stage 32 provided on the stage 13, for example, constituted in three stages, by sliding the upper two stages on the carrier waiting section 30 side, respectively, the carrier C placed on the uppermost stage it is possible to wait carried directly below the rotor 24 in the carrier waiting section 30.
【0025】 [0025]
図3に示すように、キャリア待機部30上方のウエハ移動路の途中には、ウエハ移動路を挟んで前後に発光子および受光子が配置された複数対の光学センサーからなるウエハ検知部31が設けられており、このウエハ検知部31をウエハが通過することにより、ウエハWの枚数確認および正規に保持されていないウエハ(いわゆるジャンプスロット)の有無の確認が行われる。 As shown in FIG. 3, in the middle of the carrier waiting section 30 above the wafer travel path, the wafer detecting unit 31 consisting of an optical sensor a plurality of pairs of the light emitting element and a light receiving element are arranged one behind the other across the wafer movement path provided, by the wafer detecting portion 31 wafer passes, confirmation of the presence or absence of a wafer is not held to the number check and normalization of the wafer W (so-called jump slot) is performed.
【0026】 [0026]
ウエハ移動機構40は、ウエハWを保持するウエハ保持部材41と、鉛直に配置されウエハ保持部材41を支持する支持棒42と、支持棒42を介してウエハ保持部材41を昇降する昇降駆動部43とを有している。 Wafer moving mechanism 40, the wafer holding member 41, a support rod 42 for supporting the wafer holding member 41 is disposed vertically, the elevation driving unit 43 for lifting the wafer holding member 41 via a support rod 42 which holds the wafer W and it has a door. 昇降駆動部43によりウエハ保持部材41を昇降させることで、キャリア待機部30にあるキャリアCに収納された洗浄処理前のウエハWを上方の洗浄処理部20のロータ24内に移動させ、またはロータ24内の洗浄処理後のウエハWをキャリア待機部30にあるキャリアCに移動させるようになっている。 The elevation drive unit 43 by moving up and down the wafer holding member 41 to move the wafer W before cleaning treatment housed in the carrier C in the carrier waiting section 30 into the rotor 24 above the cleaning unit 20, or the rotor It is adapted to move the carrier C with the wafer W after the cleaning treatment in 24 to the carrier waiting section 30.
【0027】 [0027]
このような動作を実現するために、キャリアCが載置されたスライドステージ32の最上段のステージは額縁状に形成されおり、ウエハ保持部材41がこの最上段のステージを通過することができるようになっている。 To realize such an operation, the uppermost stage of the slide stage 32 in which the carrier C is placed and formed in a frame shape, so that the wafer holding member 41 can pass through the stages of the uppermost It has become.
【0028】 [0028]
ウエハ保持部材41にはウエハWを保持するための保持溝が所定のピッチで、例えば、52箇所形成されている。 Holding groove for holding the wafer W to the wafer holding member 41 at a predetermined pitch, for example, it is formed 52 places. 洗浄処理前のウエハWをロータ24へ搬入するために使用する保持溝と、洗浄処理が終了した後のウエハWを保持するための保持溝とを区別して用いることができるように、ウエハWはこれらの保持溝に1箇所飛ばしに保持される。 A holding groove for use wafer W before cleaning treatment in order to carry the rotor 24, as the cleaning process can be used to distinguish between holding groove for holding the wafer W after the completion of the wafer W is It is held in skipping one place to these retention grooves. こうして、洗浄後のウエハWへのパーティクル等の付着を防止することができる。 Thus, it is possible to prevent adhesion of particles or the like to the wafer W after the cleaning.
【0029】 [0029]
洗浄処理部20は、ウエハWのエッチング処理後にレジストマスク、エッチング残渣であるポリマー層等を除去するものであり、鉛直に設けられた支持壁18と、回転軸23aが水平となるように支持壁18に固定部材18aによって固定されたモータ23と、モータ23の回転軸23aに取り付けられたロータ24と、モータ23の回転軸23aを囲繞する円筒状の支持筒25と、ロータ24に保持されたウエハWに対して所定の洗浄処理を施す外側チャンバ26および内側チャンバ27とを有している。 Cleaning unit 20, the wafer W resist mask after the etching process is intended to remove the polymer layer such as an etching residue, a support wall 18 provided vertically, supported so that the rotational shaft 23a is horizontal wall a motor 23 fixed by the fixing members 18a to 18, a rotor 24 attached to a rotating shaft 23a of the motor 23, a cylindrical support tube 25 surrounding the rotary shaft 23a of the motor 23, held in the rotor 24 and an outer chamber 26 and inner chamber 27 applies predetermined cleaning processing for the wafer W.
【0030】 [0030]
ロータ24は、所定間隔で配置された一対の円盤70a・70bと、円盤70a・70b間に架設された係止部材71a・71b(71bは71aの背面に位置する)・72a・72b(72bは72aの背面に位置する)と、円盤70a・70b間に設けられた開閉動作を行うことができるウエハ保持部材83a・83b(83bは83aの背面に位置する)とを有する。 The rotor 24 has a pair of disc 70a · 70b arranged at predetermined intervals, the engaging member 71a · 71b which bridges the disc 70a · 70b (71b is located on the back of 71a) · 72a · 72b (72b is It has to be located on the back of 72a), and a wafer holding member 83a · 83 b which can be opened and closed provided between disk 70a · 70b (83b is located on the back of 83a). ロータ24においては、ウエハWは係止部材71a・71b・72a・72bによって係止され、かつ、ウエハ保持部材83a・83bにより保持される。 A rotor 24, the wafer W is locked by the locking member 71a · 71b · 72a · 72b, and is held by the wafer holding members 83a · 83 b. こうして、ロータ24は、例えば、複数(例えば26枚)のウエハWを略垂直な姿勢で水平方向に所定間隔で並べて保持することができる。 Thus, the rotor 24, for example, can be held side by side at predetermined intervals in the horizontal direction of the wafer W of a plurality (e.g., 26 sheets) a substantially vertical position. モータ23を駆動すると回転軸23aを介してロータ24が回転し、ロータ24に保持されたウエハWも回転する。 The rotor 24 is rotated through the rotary shaft 23a to drive the motor 23, also rotates the wafer W held by the rotor 24.
【0031】 [0031]
外側チャンバ26は円筒状をなし、処理位置(図3において二点鎖線で示される位置または図4および図5に示す位置)と退避位置(図3において実線で示される位置)との間で移動可能に構成されており、ウエハWの搬入出時には図3に示すように退避位置に位置される。 The outer chamber 26 a cylindrical shape, moving between a processing position (position in FIG. 3 shown by a two-dot chain line or Figures 4 and 5 are shown position) and a retracted position (position indicated by the solid line in FIG. 3) capable are configured, at the time of loading and unloading of the wafer W is positioned at the retracted position as shown in FIG. 図4に示すように、外側チャンバ26が処理位置にあり、内側チャンバ27が退避位置にある際には、外側チャンバ26と、モータ23側の垂直壁26aと、先端側の垂直壁26bとで処理容器が構成され、その中に処理空間51が規定される。 As shown in FIG. 4, located in the outer chamber 26 is the processing position, when the inner chamber 27 is in the retracted position, with the outer chamber 26, and the vertical wall 26a of the motor 23 side, of the distal end side and the vertical wall 26b processing vessel is configured, the processing space 51 is defined therein.
【0032】 [0032]
垂直壁26aは支持筒25に取り付けられており、支持筒25と回転軸23aとの間にはベアリング28が設けられている。 The vertical wall 26a is attached to the support tube 25, a bearing 28 is provided between the support cylinder 25 and the rotary shaft 23a. また、垂直壁26aと支持筒25の先端部はラビリンスシール29によりシールされており、モータ23で発生するパーティクル等が処理空間51に侵入することが防止されている。 The tip portion of the vertical wall 26a supporting cylinder 25 is sealed by a labyrinth seal 29, such as particles generated by the motor 23 is prevented from entering the processing space 51. 支持筒25のモータ23側端部には外側チャンバ26、内側チャンバ27を係止する係止部材25aが設けられている。 The motor 23 side end portion of the support cylinder 25 is provided with a locking member 25a for locking the outer chamber 26, the inner chamber 27.
【0033】 [0033]
内側チャンバ27は外側チャンバ26よりも径が小さい円筒状の形状を有する。 Inner chamber 27 has a cylindrical shape having a smaller diameter than the outer chamber 26. 内側チャンバ27は図5に示す処理位置と図3と図4に示す支持筒25の外側の退避位置との間で移動可能であり、ウエハWの搬入出時には外側チャンバ26とともに退避位置に保持される。 Inner chamber 27 is movable between an outer retracted position of the support tube 25 shown in processing position and Figure 3 and Figure 4 shown in FIG. 5, at the time of loading and unloading of the wafer W is held in the retracted position with the outer chamber 26 that. また、図5に示すように内側チャンバ27が処理位置にある際には、内側チャンバ27と垂直壁26a・26bによって処理容器が構成され、その中に処理空間52が規定される。 The inner chamber 27 as shown in FIG. 5 when in the treatment position is configured processing vessel and the inner chamber 27 by a vertical wall 26a · 26b, the processing space 52 is defined therein. 処理空間51および処理空間52はシール機構により密閉空間とされる。 Processing space 51 and the processing space 52 is an enclosed space by sealing mechanism.
【0034】 [0034]
外側チャンバ26の上壁部には、多数の吐出口53を有する2本(図3から図5において1本のみ図示)の吐出ノズル54が、吐出口53が水平方向に並ぶようにして取り付けられている。 The upper wall of the outer chamber 26, the discharge nozzle 54 of the two having a plurality of discharge ports 53 (only one in FIGS. 3 to 5), the discharge port 53 is attached so as to line up in the horizontal direction ing. 吐出ノズル54からは、図示しない供給源から供給された純水、IPA等の揮発性薬剤、各種薬液や、窒素(N )ガス等が吐出可能となっている。 From the discharge nozzle 54, the pure water supplied from a supply source (not shown), a volatile agent such as IPA, and various chemical, nitrogen (N 2) gas or the like is made possible ejection. 吐出ノズル54から吐出される上記液体は、例えば、吐出口53から円錐状に裾拡がりに拡がる液膜の形で吐出され、ウエハWに均一に液体が当たるように吐出することができるようになっている。 The liquid discharged from the discharge nozzle 54, for example, discharged from the discharge port 53 in the form of a liquid film spreading in the hem spread conically uniformly become possible to discharge such liquid hits the wafer W ing.
【0035】 [0035]
内側チャンバ27の上壁部には、多数の吐出口55を有する2本(図3から図5において1本のみ図示)の吐出ノズル56が、吐出口55が水平方向に並ぶようにして取り付けられている。 The upper wall of the inner chamber 27, the discharge nozzle 56 of the two having a plurality of discharge ports 55 (only one in FIGS. 3-5) is, the discharge port 55 is attached so as to line up in the horizontal direction ing. 吐出ノズル56からは、図示しない供給源から供給された各種薬液、純水、IPA、N ガス等が吐出可能となっている。 From the discharge nozzle 56, various chemical liquid supplied from the supply source (not shown), pure water, IPA, N 2 gas or the like is made possible ejection. 吐出ノズル56から吐出される上記液体は、例えば、吐出口55から扇状に拡がる液膜の形で吐出され、1箇所の吐出口55から吐出される液体が1枚のウエハに当たるように吐出することができるようになっている。 The liquid discharged from the discharge nozzle 56, for example, discharged from the discharge port 55 in the form of a liquid film spreading like a fan, that the liquid discharged from the discharge port 55 at one location to discharge to impinge on a single wafer so that the can.
【0036】 [0036]
これらの吐出ノズル54・56は外側チャンバ26・内側チャンバ27にそれぞれ2本より多く設けることが可能であり、また、吐出ノズル54・56の他にも、処理液の種類に応じて異なる構造のノズルを、各チャンバの上部以外の場所に設けることもできる。 These discharge nozzles 54, 56 it is possible to provide more than the respective two outwardly chamber 26, inner chamber 27, also in addition to the discharge nozzles 54, 56, of different structures depending on the type of the treatment liquid the nozzle may be provided in a location other than the top of each chamber. これら吐出ノズル54・56としては、例えば、PTFEやPFA等のフッ素樹脂製のものや、ステンレス製のものが好適に用いられる。 These discharge nozzles 54, 56, for example, made of fluorine resin such as PTFE or PFA, or those made of stainless steel is preferably used.
【0037】 [0037]
内側チャンバ27の上部内壁には、円盤70a・70bの内側面(ウエハWに対向する面)を水洗等するために純水等を吐出する図示しない吐出ノズルが配置されている。 The upper inner wall of the inner chamber 27, a discharge nozzle (not shown) for ejecting pure water or the like inside surface of the disk 70a · 70b (the surface opposed to the wafer W) to water washing and the like are arranged. また、垂直壁26a・26bには、円盤70a・70bのそれぞれ垂直壁26a・26bと対向する外側面を水洗等するための純水等を吐出する吐出ノズル74a・74bが設けられている。 Further, the vertical walls 26a · 26b, the discharge nozzle 74a · 74b for discharging the pure water for rinsing, etc. an outer surface facing the respective vertical walls 26a · 26b of the disk 70a · 70b are provided.
【0038】 [0038]
図6の(a),(b)に、外側チャンバ26が有する各種吐出ノズルの取り付け位置を示す正面図と展開図を示す。 Of FIG. 6 (a), (b), the show as a developing view front view showing the attachment positions of various discharge nozzle having an outer chamber 26. 外側チャンバ26の斜め上方には3個のIPA吐出ノズル76aが水平方向1列に配置され、外側チャンバ26の横方向(水平方向)には3個のIPA吐出ノズル76bが水平方向1列に配置されている。 The obliquely upward of the outer chamber 26 three IPA spurting nozzles 76a are arranged in one horizontal row, three IPA spurting nozzle 76b in the lateral direction of the outer chamber 26 (the horizontal direction) is arranged in a horizontal direction one column It is. IPA吐出ノズル76aと76bとは、同じ構造を有している。 The IPA discharge nozzle 76a and 76 b, have the same structure.
【0039】 [0039]
上述したように、吐出ノズル54からもIPAを吐出することが可能であるが、吐出ノズル54からはIPAは液膜状で吐出されるのに対し、IPA吐出ノズル76a・76bからはIPAはミスト状(霧状)として吐出されるという相違点がある。 As described above, it is possible to discharge the IPA from the discharge nozzle 54, while the IPA is discharged by the liquid membrane from the discharge nozzle 54, the IPA from the IPA discharge nozzle 76a · 76 b Mist there is a difference that is ejected as Jo (mist).
【0040】 [0040]
IPA吐出ノズル76a・76bからは、ミスト状のIPAがウエハW全体に散布されるように、略三角錐状等のように裾拡がりにミスト状のIPAが吐出されることが好ましい。 From IPA discharge nozzle 76a · 76 b, as a mist-like IPA is distributed throughout the wafer W, a mist-like IPA hem spread as a substantially triangular pyramid shape or the like is preferably discharged.
【0041】 [0041]
IPA吐出ノズル76a・76bは、IPAをミスト状として吐出することができる限りにおいて、その形状が限定されることはない。 IPA discharge nozzle 76a · 76 b, to the extent capable of discharging IPA as mist, is not that the shape is limited. 例えば、先端部に小孔や幅の狭いスリット等を形成して、その小孔等からIPAが吐出される構成とすることができる。 For example, to form a narrow slit or the like having small holes or the width at the tip, may be configured to IPA is discharged from the small hole and the like.
【0042】 [0042]
水平方向に1列に配置された3個のIPA吐出ノズル76aから吐出されるミスト状のIPAがウエハWに散布される前に互いにぶつかり合うことがないように、個々のIPA吐出ノズル76aの間隔とIPAが拡がる角度が調節されている。 So as not to collide with each other before the mist-like IPA discharged from three IPA spurting nozzles 76a arranged in a row in the horizontal direction is sprayed on the wafer W, spacing of individual IPA discharge nozzle 76a IPA is an angle that is spread is adjusted with.
【0043】 [0043]
また、IPA吐出ノズル76a間の間隔DとIPA吐出ノズル76b間の間隔Dは同じであるが、IPA吐出ノズル76aとIPA吐出ノズル76bは、外側チャンバ27の長手方向においてD/2ずれた位置に配置されている。 Further, although the distance D between the distance D and the IPA discharge nozzle 76b between IPA discharge nozzle 76a is the same, IPA discharge nozzle 76a and IPA discharge nozzle 76b is the D / 2 shifted positions in the longitudinal direction of the outer chamber 27 It is located. このようにIPA吐出ノズル76a・76bを互いにずらして配置することで、ウエハWに均一にミスト状のIPAを散布することができる。 By arranging staggered IPA discharge nozzle 76a · 76 b to each other, it can be uniformly sprayed mist of the IPA to the wafer W.
【0044】 [0044]
図7の(a),(b)は、IPA吐出ノズル76aを例として、IPA吐出ノズルからミスト状IPAを吐出させる機構の態様を示す模式図である。 Figure 7 (a), (b), as an example of IPA discharge nozzle 76a, is a schematic view showing an aspect of a mechanism for ejecting a mist IPA from the IPA spurting nozzles. IPA吐出ノズル76aからミスト状のIPAを吐出させるためには、IPA吐出ノズル76aの吐出口に小孔やスリット等を形成した所定の形状とし、図7の(a),(b)に示すようにガス圧を利用してIPAを吐出口に衝突させる。 To eject the mist of the IPA from the IPA discharge nozzle 76a, and a predetermined shape to form a small hole or a slit or the like to the discharge port of the IPA discharge nozzle 76a, as shown in FIGS. 7 (a), (b) using the gas pressure impinging IPA to discharge ports. これにより、容易にIPAをミスト状とすることが可能である。 Thus, a readily IPA may be a mist.
【0045】 [0045]
IPA吐出ノズル76aにはIPA供給管77が取り付けられ、IPA供給管77の他端にはN ガスとIPAの切替とこれらの供給/停止を制御する切替制御弁78aが設けられている。 The IPA discharge nozzle 76a is attached IPA supply pipe 77, the other end of the IPA supply pipe 77 a switching control valve 78a for controlling the supply / stop and switching of N 2 gas and IPA are provided. また、切替制御弁78aは配管81を介してIPA供給源79と連通し、N ガスを供給/停止を制御するN 制御弁78bとも連通している。 The switching control valve 78a communicates with the IPA supply source 79 via a pipe 81 communicates with the N 2 gas with N 2 control valve 78b for controlling the supply / stop. 制御弁78bにはN ガス供給源80から配管82を介してN ガスが供給される。 The N 2 control valve 78b N 2 gas is supplied via from N 2 gas supply source 80 pipe 82.
【0046】 [0046]
IPAの供給の方法としては、例えば図7の(a)に示されるように、切替制御弁78aを操作して所定量(例えば100ml)のIPAをIPA供給管77内に滞留するように供給しておき、その後にN 制御弁78bおよび切替制御弁78aを開いてN ガス供給源80から所定の圧力でIPA供給管77にN ガスを供給し、そのガス圧でIPAをIPA吐出ノズル76aからミスト状に吐出させる方法を採用することができる。 As a method of the IPA supply of, for example, as shown in FIG. 7 (a), a predetermined amount by operating the switching control valve 78a of IPA (e.g. 100ml) was supplied to remaining in the IPA supply pipe 77 and leave, followed by the N 2 gas is supplied to the IPA supply pipe 77 from the N 2 gas supply source 80 at a predetermined pressure to open the N 2 control valve 78b and the switching control valve 78a, IPA discharging IPA at its gas pressure nozzle it is possible to employ a method of ejecting the mist from 76a.
【0047】 [0047]
また、図7の(b)に示されるように、例えば、合計100mlのIPAと所定量のN ガスが交互にIPA供給管77内に滞留するように切替制御弁78aとN 制御弁78bを操作した後に、N ガスをIPA供給管77に導入することにより、IPA供給管77内に滞留しているIPAをIPA吐出ノズル76aからミスト状として間欠的に吐出させることもできる。 Further, as shown in (b) of FIG. 7, for example, total 100ml of IPA and the switching control valve so that a predetermined amount of N 2 gas remaining in the IPA supply pipe 77 to alternately 78a and N 2 control valve 78b the after operations, by introducing N 2 gas into the IPA supply pipe 77 may be intermittently ejected IPA staying in the IPA supply pipe 77 as a mist from the IPA discharge nozzle 76a. 図7の(b)ではIPAがほぼ等量に分割されてIPA供給管77内に滞留している状態が示されているが、IPAは等量に分割される必要はなく、分割されたIPA間のN ガスの量もそれぞれ異なっていてもよい。 Although IPA in (b) of FIG. 7 is substantially divided into equal amounts by the state staying in the IPA supply pipe 77 shown, IPA need not be divided into equal amounts, divided IPA the amount of N 2 gas between may also be different.
【0048】 [0048]
このようなIPAの吐出方法を用いた場合には、供給するIPAの量が例えば100mlと少量であっても、ウエハWの表面に均一にIPAのミストを付着させことができるため、従来のようにIPAを液状でウエハWに供給、塗布する場合と比べると、IPAの使用量を著しく減少させることが可能となる。 In the case of using the ejection method such IPA, even as small as an amount, for example, 100ml of IPA supplied, it is possible to uniformly adhere the mist of IPA on the surface of the wafer W, as in the prior art supplied to the wafer W to IPA in liquid form, as compared with the case of applying, it is possible to significantly reduce the amount of IPA. こうして、IPAの消費量が低減されれば処理コストが低減される。 Thus, the processing cost is reduced if the consumption of IPA is reduced.
また、ウエハWをIPA貯留槽中に浸漬する方法を用いる方法と比較すると、IPA貯留槽を設ける必要がなく、IPA貯留槽を用いた場合に生ずる経時的なIPAの汚れによるパーティクル等のウエハWへの再付着の問題も生じない。 Further, when the wafer W is compared with the method using the method of immersion in IPA reservoir, there is no need to provide the IPA reservoir, the wafer W such as particles due to contamination of the temporal IPA occurring when using IPA reservoir It does not occur re-attachment of the problem to.
なお、IPA吐出ノズル76a・76bからは純水をも吐出することができるようにすることも好ましい。 Note that the IPA discharge nozzle 76a · 76 b it is also preferable to be able to discharge even the pure water. この場合には、例えば、ミスト状の純水をウエハWに供給してウエハWの表面を均一に濡らした後に、ミスト状のIPAをウエハWに供給する。 In this case, for example, after uniformly wetting the surface of the wafer W by supplying a mist of pure water to the wafer W, it supplies the mist of IPA on the wafer W. その後にロータ24を回転させてウエハWからIPAを振り切ることで、ウエハWの表面をより均一に乾燥させることができる。 Followed by rotating the rotor 24 by shaking off the IPA from the wafer W, thereby the surface of the wafer W is more uniformly dried.
【0049】 [0049]
垂直壁26bの下部には、図4の状態において処理空間51から使用済みの洗浄液を排出する第1の排液ポート61が設けられており、第1の排液ポート61の上方には図5の状態において処理空間52から使用済みの洗浄液を排出する第2の排液ポート62が設けられている。 At the bottom of the vertical wall 26b, and the first drain port 61 is provided for discharging the spent washing liquid from the processing space 51 in the state of FIG. 4, above the first drain port 61 Figure 5 second drain port 62 for discharging the spent washing liquid from the processing space 52 is provided in the state. また、第1の排液ポート61および第2の排液ポート62には、それぞれ第1の排液管63および第2の排液管64が接続されている。 Further, the first drain port 61 and the second drain port 62, the first drain pipe 63 and the second drain pipe 64 are respectively connected.
【0050】 [0050]
また、垂直壁26bの上部には、図4の状態において処理空間51を排気する第1の排気ポート65が設けられており、第1の排気ポート65の下方には図5の状態において処理空間52を排気する第2の排気ポート66が設けられている。 Further, above the vertical wall 26b, and the first exhaust port 65 is provided for exhausting the process space 51 in the state of FIG. 4, the processing space below the first exhaust port 65 in the state of FIG. 5 the second exhaust port 66 is provided for exhausting the 52. また、第1の排気ポート65および第2の排気ポート66には、それぞれ第1の排気管67および第2の排気管68が接続されている。 Also, the first exhaust port 65 and the second exhaust port 66, the first exhaust pipe 67 and the second exhaust pipe 68 are respectively connected.
【0051】 [0051]
次に、上述した洗浄処理システム1を用いたウエハWの洗浄処理方法について説明する。 It will now be described cleaning method of the wafer W using the cleaning processing system 1 described above. まず、載置台10の所定位置に処理すべきウエハWが収容されたキャリアCを載置する。 First, placing the carrier C the wafers W to be processed at a predetermined position of the table 10 is accommodated. 続いて、キャリア搬送機構12を用いてこのキャリアCをステージ部4へ搬入して、ステージ13上に設けられたスライドステージ32上に載置する。 Subsequently, using a carrier transfer mechanism 12 to carry the carrier C to the stage unit 4, placed on the slide stage 32 provided on the stage 13. 続いて、スライドステージ32をキャリア待機部30側へ移動させ、また、外側チャンバ26および内側チャンバ27を待避位置にスライドさせた状態とする。 Then, by moving the slide stage 32 to the carrier waiting section 30 side, also, a state in which slide the outer chamber 26 and inner chamber 27 to the retracted position. この状態で昇降駆動部43によりウエハ保持部材41を上昇させると、ウエハ保持部材41は上昇途中でキャリアC内のウエハWを保持して、ウエハWを洗浄処理部20のロータ24内に移動させる。 Increasing the wafer holding member 41 by the elevation drive unit 43 in this state, the wafer holding member 41 holds the wafer W in the carrier C in the middle rises, moves the wafer W into the rotor 24 of the cleaning unit 20 . ウエハ保持部材41に保持されたウエハWの枚数が、上昇の途中にウエハ検知部31によって検査される。 Number of wafers W held by the wafer holding member 41 is inspected by the wafer detecting portion 31 in the middle of the rise. ロータ24にウエハWを保持させた後にウエハ保持部材41を降下させる。 The wafer holding member 41 is lowered after the wafer W was held by the rotor 24.
【0052】 [0052]
次に、外側チャンバ26を処理位置に戻し、続いて内側チャンバ27も処理位置にスライドさせて処理空間52を形成する。 Then, the outer casing chamber 26 to the processing position, followed the inner chamber 27 also is slid into the processing position form a processing space 52. モータ23による回転駆動によりロータ24を所定回転速度で回転させて、ウエハWを回転させながら吐出ノズル56から、例えば、所定の薬液を吐出してレジスト除去処理を行う。 And the rotor 24 is rotated at a predetermined rotational speed by a drive rotation by a motor 23, carried out from the discharge nozzle 56 while rotating the the wafer W, for example, a resist removing process by ejecting a predetermined liquid medicine. この処理は1回または複数回行う。 This process is performed one or more times.
【0053】 [0053]
続いて、内側チャンバ27を待避位置へスライドさせて外側チャンバ26による処理空間51を形成し、純水によるリンス処理を行う。 Subsequently, the processing space 51 by the outer chamber 26 is formed by sliding the inner chamber 27 to the retreat position, it performs a rinsing process with pure water. このリンス処理に際しては、モータ23による回転駆動によりロータ24を所定速度で回転させ、ウエハWを回転させながら、吐出ノズル54から純水を吐出させる。 During this rinsing process, the rotor 24 by the rotational driving of the motor 23 is rotated at a predetermined speed, while rotating the the wafer W, thereby the discharge nozzle 54 discharging pure water.
【0054】 [0054]
このリンス処理が終了した後にIPA乾燥処理を行う。 Performing the IPA drying process after the rinsing process has been completed. IPA乾燥処理の最初の工程は、IPA吐出ノズル76a・76bから所定量のミスト状のIPAをウエハW全体に散布するIPA供給工程である。 The first step of the IPA drying treatment is IPA supplying step of spraying from IPA discharge nozzle 76a · 76 b mist-like IPA predetermined amount throughout the wafer W. このとき、ロータ24は停止した状態であってもよく、またウエハWの表面にIPAのミストが付着することができる程度に低速で回転させておいてもよい。 At this time, the rotor 24 may be allowed to rotate at a low speed to a degree that can IPA mist adheres to the surface of the well, also the wafer W even when stopped. ここで、「低速で回転」とは、ミスト状の薬剤がウエハWの表面に十分接触可能な回転速度で、後述する中速回転、高速回転よりも低い回転速度で回転させることを意味する。 Here, the "rotated at a low speed", mist of the drug in sufficient contactable rotational speed on the surface of the wafer W, which means that rotating at a speed rotation, a rotation speed lower than the high-speed rotation in which will be described later. IPA供給工程においてロータ24を回転させる場合には、その回転速度は100rpm以下とすることが好ましい。 When rotating the rotor 24 in the IPA supplying step, the rotational speed is preferably 100rpm or less.
【0055】 [0055]
IPA吐出ノズル76a・76bからミスト状のIPAを吐出させる方法としては、先に図7の(a),(b)を参照しながら説明したように、所定量のIPAをIPA供給管77内に滞留させて、N ガスによるガス圧でIPA吐出ノズル76a・76bから吐出させる方法が挙げられる。 As a method of discharging IPA discharge nozzle 76a · 76 b misty IPA from, previously in FIG. 7 of (a), (b) as described while referring to the, a predetermined amount of IPA in the IPA supply pipe 77 by residence, a method of ejecting from IPA discharge nozzle 76a · 76 b in the gas pressure by N 2 gas.
【0056】 [0056]
ウエハWの表面に付着したIPAのミストは、容易にウエハW上の水分と置換されるために、IPA供給工程後には、IPAの供給を停止してロータ24およびウエハWを中速回転させることにより水分およびIPAを振り切る第1乾燥処理を行う。 Mist IPA attached to the surface of the wafer W in order to be easily replaced with water on the wafer W, and after IPA supplying step, by stopping the supply of the IPA to rotate medium speed rotor 24 and the wafer W performing a first drying treatment shaken off water and IPA by. ここで、中速回転とは、ミスト状の薬剤や、これが混入した水分を遠心力で振り切ることが可能な回転速度で、前述の低速回転より高い回転速度をいう。 Here, the medium-speed rotation, or mist form medicament, now contaminated with moisture can be a spin off by centrifugal force rotational speed, say higher than the low-speed rotation of the aforementioned rotary speed. 具体的には、第1乾燥処理におけるロータ24の回転速度は約100rpm以上300rpm以下とすることが好ましい。 Specifically, it is preferable rotational speed of the rotor 24 in the first drying process to about 100rpm or 300rpm or less.
【0057】 [0057]
この第1乾燥処理工程をこのような中速回転で行う主な理由は、高速回転は、ウエハWやロータ24から振り切られて飛ばされた水分やIPAが、外側チャンバ26の内壁等に当たって跳ね返り、再びウエハWに付着してウエハWを汚染するといった事態を生じるので、これを防止するためにある。 The main reason for the first drying step performed in such a medium-speed rotation, high speed rotation, water and IPA was skipped been spun off from the wafer W and the rotor 24, rebound when the inner wall of the outer chamber 26 or the like, since it produces a situation to contaminate the wafer W attached to the wafer W again, in order to prevent this. このことを考慮すると、ウエハWやロータ24から振り切られた水分やIPAの跳ね返り等によるウエハWの汚染がない限りにおいて、上記範囲より高速でロータ24を回転させることも可能である。 In view of this, as long as there is no contamination of the wafer W by the wafer W and the rotor 24 from shaken off moisture and IPA rebound etc., it is also possible to rotate the rotor 24 faster than the above range.
【0058】 [0058]
第1乾燥処理工程が終了した段階では、ウエハWやロータ24から大部分の水分およびIPAが振り切られていることから、次に、ウエハWを高速回転させてウエハWをほぼ乾燥した状態とする第2乾燥処理を行う。 At the stage where the first drying step is completed, since the wafer W and the rotor 24 are thrown off most of the water and IPA, then, the wafer W is rotated at a high speed and almost dry state wafer W the second drying process is performed. この第2乾燥処理工程においてロータ24やウエハWから飛散する水滴等は大きなものではないことから、外側チャンバ26の内壁等からの跳ね返り等が起こらず、良好な乾燥状態を得ることが可能となる。 Since water drops from scattering from the rotor 24 and the wafer W in the second drying step is not large, it is possible to rebound or the like from the inner wall of the outer chamber 26 does not occur, to obtain a good dry . ここで、高速回転とは、前述の低速および中速回転に比べて回転速度が大きいことを意味し、約300rpm以上800rpm以下の回転速度が好ましい。 Here, the high-speed rotation, which means that the rotational speed is larger than the low-speed and medium-speed rotation of the above, the following rotation speed of about 300rpm or more 800rpm is preferred. このような第1乾燥工程と第2乾燥工程は、回転速度を連続的にまたは段階的に上げることによって連続して行っても構わない。 The first drying step and second drying step may be performed continuously by increasing the rotational speed continuously or stepwise.
【0059】 [0059]
このようなIPA乾燥処理、つまり、ロータ24に保持されたウエハWにミスト状のIPAを供給してウエハWを乾燥する方法を用いた場合には、IPA乾燥処理工程の前後でウエハWを他の装置へ搬送する必要がないために、装置の構造が簡単となり、また、ウエハWの搬送に伴って生ずるパーティクルの付着等の問題も回避される。 Such IPA drying process, i.e., in the case of using a method of drying the wafer W by supplying a mist-like IPA on the wafer W held by the rotor 24, the other wafer W before and after the IPA drying step since there is no need to convey to the apparatus, the structure of the apparatus is simple, and the particles produced in accordance with the transfer of the wafer W such as adhesion problems are avoided. さらに、ウエハWの搬送に要する時間を必要としないことから、スループットを上げることができる。 Furthermore, the time required for the conveyance of the wafer W since it does not require, it is possible to increase throughput.
【0060】 [0060]
なお、IPA吐出ノズル76a・76bからIPAのみならず、純水をも吐出することができる場合には、吐出ノズル54から純水をロータ24に保持されたウエハWに供給してリンス処理を行った後に、ミスト状の純水をウエハWに供給することによってウエハWの表面を均一に濡らし、その後にIPA乾燥処理を行うことで、ウエハWの表面をより均一に乾燥させることができる。 Incidentally, not only from IPA discharge nozzle 76a · 76 b IPA only, if the pure water can also be discharged, subjected to rinsing from the discharge nozzle 54 of the pure water is supplied to the wafer W held by the rotor 24 after the, mist of the pure water uniformly wet the surface of the wafer W by supplying the wafer W, is followed by performing the IPA drying process, it is possible to the surface of the wafer W is more uniformly dried. こうして、ウォーターマークの発生をより効果的に防止することができる。 In this way, it is possible to prevent the occurrence of the water mark more effectively.
【0061】 [0061]
IPA乾燥処理が終了した後には、吐出ノズル54から、例えばN ガスを吐出させながらウエハWをより完全に乾燥させるガス乾燥処理を行う。 After IPA drying process is completed, the discharge nozzle 54, performs the gas drying process for drying for instance a wafer W while discharging the N 2 gas more completely. このガス乾燥処理においては、ロータ24およびウエハWは静止した状態でもよく、また、例えば高速回転させる等、所定の回転速度で回転させてもよい。 In the gas drying process, the rotor 24 and the wafer W may be in a stationary state, also, for example, or the like for high speed, may be rotated at a predetermined rotational speed. このガス乾燥処理により、IPA乾燥処理後にウエハWの表面に微量に残留するIPAがほぼ完全に除去される。 The Gas drying, IPA remaining traces after IPA drying treatment on the surface of the wafer W is almost completely removed.
【0062】 [0062]
その後、外側チャンバ26を待避位置へスライドさせて図3に示した状態とし、先にウエハWをロータ24内へ搬入した際に使用された保持溝とは異なる保持溝でウエハWを受け取るようにウエハ保持部材41を上昇させる。 Thereafter, as by sliding the outer chamber 26 to the retracted position to the state shown in FIG. 3, receives the wafer W in different holding groove and the holding groove that is used upon transferring the previously wafer W into the rotor 24 in the wafer holding member 41 is raised. 洗浄処理が終了したウエハWを保持したウエハ保持部材41を降下させる際に、ウエハ検知部31により再びウエハWの枚数等が確認される。 When the cleaning process to lower the wafer holding member 41 holding the wafer W has been completed, the number of re wafers W by the wafer detecting unit 31 or the like is confirmed.
【0063】 [0063]
ウエハ保持部材41がキャリア待機部30に待機しているキャリアCを通過する際に、ウエハWはキャリアCに収納される。 When the wafer holding member 41 passes through the carrier C waiting in the carrier waiting section 30, the wafer W is housed in the carrier C. スライドステージ32の駆動によってウエハWが収納されたキャリアCはステージ部4へ搬出され、次いでキャリア搬送機構12によりイン・アウトポート2の載置台10に載置され、作業者または自動搬送装置により搬出され、一連の洗浄処理が終了する。 Carrier C the wafer W is accommodated by the drive of the slide stage 32 is carried out to the stage section 4 and then mounted on the mounting table 10 of the in-out port 2 by the carrier transport mechanism 12, transported by an operator or automated transporter is a series of cleaning process is completed.
【0064】 [0064]
次に、本発明の他の実施形態について説明する。 Next, a description of another embodiment of the present invention.
上記実施態様では、リンス処理が終了した後のIPA乾燥処理における最初の工程として、IPA吐出ノズル76a・76bからミスト状のIPAをウエハW全体に散布するようにしたが、本実施形態では蒸気状のIPAを供給する。 In the above embodiment, as the first step in the IPA drying treatment after the rinsing process is completed, it has been adapted to scatter from IPA discharge nozzle 76a · 76 b mist of IPA across the wafer W, vaporous in this embodiment supplies of IPA.
【0065】 [0065]
本実施形態においても、上記実施形態と同様、図6の(a),(b)に示すように配置されたIPA吐出ノズル76a・76bから蒸気状のIPAが吐出される。 In this embodiment, as in the above embodiment, in FIG. 6 (a), the vaporous IPA from arranged IPA discharge nozzle 76a · 76 b as shown in (b) is ejected. 本実施形態においては、IPA吐出ノズル76a・76bからは、蒸気状のIPAがウエハW全体に散布されるように、略三角錐状等のように裾拡がりに蒸気状のIPAが吐出されることが好ましい。 In the present embodiment, from the IPA spurting nozzle 76a · 76 b, as vaporous IPA is distributed throughout the wafer W, the vaporous IPA is discharged hem spread as a substantially triangular pyramid shape or the like It is preferred. IPA吐出ノズル76a・76bは、IPAを蒸気状として吐出することができる限りにおいて、その形状が限定されることはない。 IPA discharge nozzle 76a · 76 b, to the extent capable of discharging IPA as vaporous, is not that the shape is limited.
【0066】 [0066]
図8の(a),(b)は、IPA吐出ノズル76aを例として、IPA吐出ノズルから蒸気状IPAを吐出させる機構の態様を示す模式図である。 In Figure 8 (a), (b), as an example of IPA discharge nozzle 76a, is a schematic view showing an aspect of a mechanism for ejecting vaporous IPA from the IPA spurting nozzles. 図8の(a),(b)の機構は図7の(a),(b)の機構と類似しており、図7と同じものには同じ符号を付している。 (A) of FIG. 8 are denoted by the mechanism (a) of FIG. 7 is similar to the mechanism of (b), the same reference numerals the same as the FIG. 7 (b).
【0067】 [0067]
図8の(a)の機構は、IPA供給管77のIPAが滞留する部分の周囲にヒータ90が設けられている他は図7の機構と同様に構成されている。 Mechanism of FIG. 8 (a), except that a heater 90 around the portion of IPA IPA supply pipe 77 is retained is provided and is configured similarly to the mechanism of Figure 7. このような機構によりIPA吐出ノズル76aから蒸気状のIPAを吐出させる方法としては、切替制御弁78aを操作して所定量(例えば100ml)のIPAをIPA供給管77内に滞留するように供給しておき、ヒータ90によりIPA供給管77内のIPAを加熱して蒸気状とし、その後にN 制御弁78bおよび切替制御弁78aを開いてN ガス供給源80からIPA供給管77にN ガスを供給することが挙げられる。 Such a method of ejecting a vaporous IPA from IPA discharge nozzle 76a by a mechanism, a predetermined amount by operating the switching control valve 78a of IPA (e.g. 100ml) was supplied to remaining in the IPA supply pipe 77 and keep the heater 90 to heat the IPA in the IPA supply pipe 77 and vaporous by, followed by N 2 control valve 78b and the switching control valve 78a from N 2 gas supply source 80 by opening the IPA supply pipe 77 N 2 It includes supplying the gas. これにより、IPA供給管77内のIPA蒸気がIPA吐出ノズル76aから吐出される。 Thereby, IPA vapor in the IPA supply pipe 77 is ejected from the IPA discharge nozzle 76a. この場合に上述の実施形態のようにIPAをミスト化する必要はないので、N ガスの供給はゆっくりと行えばよい。 This does not need to mist of IPA as in the above embodiment the case, the supply of N 2 gas may be conducted slowly.
【0068】 [0068]
図8の(b)の機構は、N ガス供給源80の代わりに高温N ガス供給源91が設けられている他は図7の機構と同様に構成されている。 Mechanism of FIG. 8 (b), except that the hot N 2 gas supply source 91 in place of the N 2 gas supply source 80 is provided has the same structure as the mechanism of FIG. このような機構によりIPA吐出ノズル76aから蒸気状のIPAを吐出させる方法としては、切替制御弁78aを操作して所定量(例えば100ml)のIPAをIPA供給管77内に滞留するように供給しておき、その後にN 制御弁78bおよび切替制御弁78aを開いて高温N ガス供給源91からIPA供給管77に高温のN ガスを供給することが挙げられる。 Such a method of ejecting a vaporous IPA from IPA discharge nozzle 76a by a mechanism, a predetermined amount by operating the switching control valve 78a of IPA (e.g. 100ml) was supplied to remaining in the IPA supply pipe 77 and advance, and it is then fed to the IPA supply pipe 77 from the hot N 2 gas supply source 91 by opening the N 2 control valve 78b and the switching control valve 78a of the hot N 2 gas. これにより、IPA供給管77内のIPAが高温のN ガスによって蒸気状となり、この蒸気状のIPAがIPA吐出ノズル76aから吐出される。 Thereby, IPA in the IPA supply pipe 77 becomes vaporous by the hot N 2 gas, the vaporous IPA is discharged from the IPA discharge nozzle 76a.
【0069】 [0069]
このように蒸気状のIPAにより乾燥処理する場合にも、上記実施態様と全く同じ手順でウエハWの洗浄処理が行われる。 Even if such be dried by vaporous IPA, cleaning of the wafer W is performed in exactly the same procedure as the above embodiments.
【0070】 [0070]
このようなIPAの吐出方法を用いた場合にも、供給するIPAの量が例えば100mlと少量であっても、ウエハWの表面に均一にIPAの蒸気を付着させことができるため、従来のようにIPAを液状でウエハWに供給、塗布する場合と比べると、IPAの使用量を極端に減少させることが可能となる。 Even when using a discharge method such IPA, even in small quantities and amounts for example 100ml of IPA supplied, it is possible to uniformly adhere the vapor of IPA on the surface of the wafer W, as in the prior art the IPA supplied to the wafer W in liquid form, as compared with the case of applying, it is possible to reduce the amount of IPA extreme to. こうして、IPAの消費量が低減されれば処理コストが低減される。 Thus, the processing cost is reduced if the consumption of IPA is reduced.
【0071】 [0071]
次に、本発明のさらに他の実施態様について説明する。 Next, there is discussed other embodiments of the present invention.
上記2つの実施態様では、複数枚のウエハを一度に処理する場合について説明したが、本発明の洗浄処理方法は、1枚のウエハを洗浄処理する場合にも適用することができる。 In the above two embodiments, the description has been given of the case of processing a plurality of wafers at one time, cleaning method of the present invention can be applied to a case of cleaning processing one wafer.
【0072】 [0072]
図9は枚葉式の洗浄処理ユニット100の概略平面図であり、図10はその概略断面図である。 Figure 9 is a schematic plan view of the cleaning unit 100 of the single wafer, FIG. 10 is a schematic sectional view thereof. 例えば、ウエハWは、ウエハWが略水平となるように載置されたキャリアCと洗浄処理ユニット100との間で搬送装置によって搬送される。 For example, the wafer W is the wafer W is transported by the transport device between the mounted carrier C and the cleaning process unit 100 has to be substantially horizontal.
【0073】 [0073]
洗浄処理ユニット100には、処理カップ122と、ウエハWを略水平に保持するスピンチャック123と、スピンチャック123に保持されたウエハWの下側に位置するように設けられたステージ124と、スピンチャック123に保持されたウエハWの表面に所定の洗浄液を供給する洗浄液供給機構180と、ミスト状または蒸気状のIPAをウエハWに供給するIPA供給機構190と、を有している。 The cleaning unit 100 includes a processing cup 122, a spin chuck 123 for holding the wafer W substantially horizontally, a stage 124 provided so as to be positioned below the wafer W held by the spin chuck 123, the spin a cleaning liquid supply mechanism 180 for supplying a predetermined cleaning liquid to the surface of the wafer W held by the chuck 123, and a IPA supply mechanism 190 for supplying a mist or vaporous IPA on the wafer W, a.
【0074】 [0074]
処理カップ122は、固定されたアウターカップ122bと、昇降可能なインナーカップ122aからなり、スピンチャック123へウエハWが搬入され、またはスピンチャック123からウエハWが搬出される際には、図10の点線位置へ降下した状態に保持され、一方、洗浄処理中は図10の実線位置へ上昇した状態に保持される。 Processing cup 122, an outer cup 122b fixed, made elevatable inner cup 122a, are carried wafer W to the spin chuck 123 or when the wafer W is unloaded from the spin chuck 123, in FIG. 10, It is held in a state of being lowered into the dotted line position, whereas, during the cleaning process is held in an elevated state to the solid line position of FIG. 10. アウターカップ122bの底部には、排気および洗浄液を排出するためのドレイン132が設けられている。 At the bottom of the outer cup 122b, it is provided drain 132 for discharging exhaust and cleaning liquid.
【0075】 [0075]
スピンチャック123は、スピンプレート126と、スピンプレート126の周縁の3箇所にそれぞれ等間隔に取り付けられた保持部材125aおよび支持ピン125bと、図示しない回転機構によって回転自在である中空状の回転軸127とを有している。 The spin chuck 123 includes a spin plate 126, and the holding member 125a and the support pins 125b that are attached at regular intervals at three positions on the periphery of the spin plate 126, a hollow is rotatable by a rotating mechanism (not shown) rotating shaft 127 and it has a door. スピンチャック123へウエハWが搬入される際には、ウエハWは支持ピン125bに支持される。 When the spin chuck 123 wafer W is carried, the wafer W is supported by the support pins 125b.
【0076】 [0076]
保持部材125aは、スピンプレート126に固定された支柱164と、支柱164に釣支された保持ピン165と、保持ピン165の下部に取り付けられた重錘163とからなり、スピンチャック123を回転させた際には、重錘163が遠心力によって回転の外側へ移動することで保持ピン165全体が傾斜して、保持ピン165の上部がウエハWの端面を保持する。 Retaining member 125a includes a post 164 that is fixed to the spin plate 126, a retaining pin 165 which is Tsuri支 the post 164, consists weight 163 attached to the lower portion of the holding pin 165, to rotate the spin chuck 123 and when the weight 163 is tilted the entire retaining pin 165 by moving to the outside of the rotation by the centrifugal force, the upper portion of the holding pin 165 holds the end face of the wafer W.
【0077】 [0077]
スピンプレート126の下方には、回転軸127を囲繞するように階段状のカバー128が設けられており、このカバー128は台座129に固定されている。 Below the spin plate 126, a stepped cover 128 is provided so as to surround the rotating shaft 127, the cover 128 is fixed to the base 129. カバー128の内周側には排気口131が形成されており、図示しない排気ポンプ等によって処理カップ122内の空気を吸引できるようになっている。 The inner peripheral side of the cover 128 is formed with an exhaust port 131, and to be able to suck the air inside the processing cup 122 by a not-shown exhaust pump.
【0078】 [0078]
ステージ124は枢軸137によって支持されており、この枢軸137の下方には図示しない昇降機構が取り付けられている。 Stage 124 is supported by a pivot 137, lifting mechanism is attached (not shown) below the pivot 137. この昇降機構を動作させることで、ステージ124を所定の高さ位置に上下させて、保持することがことができるようになっている。 By operating the lifting mechanism, up and down the stage 124 to a predetermined height position, it is held and is capable.
【0079】 [0079]
例えば、スピンチャック123へウエハWが搬入され、またはスピンチャック123からウエハWが搬出される際には、ステージ124の下面に形成された円環状の突起部124aがスピンプレート126の上面に当接し、かつ、スピンプレート126の上面に形成された円環状の突起部126aがステージ124の下面に当接する位置にステージ124を降下させた状態とする。 For example, is carried wafer W to the spin chuck 123, or from the spin chuck 123 when the wafer W is carried out abuts protrusion 124a of the annular formed on the lower surface of the stage 124 on the upper surface of the spin plate 126 and a state in which the protrusion 126a of the annular formed on the upper surface of the spin plate 126 is lowered to the stage 124 to a position abutting the lower surface of the stage 124. このようにステージ124とウエハWとの間隔を拡げることで、ウエハWの搬入出を容易に行うことができる。 By thus expanding the gap between the stage 124 and the wafer W, the loading and unloading of the wafer W can be easily performed.
【0080】 [0080]
ステージ124のほぼ中央を貫通するように、洗浄液供給孔141とガス供給孔142が設けられており、洗浄液供給孔141には洗浄液供給管141aが、ガス供給孔142にはガス供給管142aがそれぞれ取り付けられている。 Approximately in the middle so as to penetrate the stage 124, the cleaning liquid supply holes 141 and the gas supply holes 142 are provided, the cleaning liquid supply pipe 141a to the cleaning liquid supply hole 141, the gas supply holes 142 each gas supply pipe 142a It is attached.
【0081】 [0081]
洗浄液供給管141aを通して、各種の薬液や純水、IPA等の洗浄液が洗浄液供給孔141からウエハWの裏面に向けて吐出可能となっている。 Through the cleaning liquid supply pipe 141a, various chemical and pure water, the cleaning liquid such as IPA is enabled discharged toward the rear surface of the wafer W from the cleaning liquid supply hole 141. また、ガス供給管142aを通して、N ガスがガス供給孔142からウエハWの裏面に向けて吐出可能となっている。 Further, through the gas supply pipe 142a, N 2 gas is enabled discharged toward the rear surface of the wafer W through the gas supply holes 142. つまり、洗浄処理ユニット100においては、ウエハWの裏面の洗浄と乾燥をも行うことができる。 That is, in the cleaning process unit 100 can also perform the cleaning and drying of the back surface of the wafer W.
【0082】 [0082]
洗浄液供給機構180は、スピンチャック123に保持されたウエハWの表面に各種の薬液や純水、IPA等の洗浄液またはN ガスを供給する洗浄液吐出ノズル181と、洗浄液吐出ノズル181を保持する保持アーム182と、洗浄液吐出ノズル181がウエハWの表面の所定位置に移動するように、保持アーム182を支持して保持アーム182を回動させる支持回転軸183と、洗浄液吐出ノズル181に所定の洗浄液等を供給する図示しない洗浄液供給管と、を有している。 Cleaning liquid supply mechanism 180, holding for holding various chemicals or pure water to the surface of the wafer W held by the spin chuck 123, a cleaning liquid discharge nozzle 181 for supplying a cleaning liquid or N 2 gas such as IPA, a cleaning liquid discharge nozzle 181 an arm 182, as the cleaning liquid discharge nozzle 181 is moved to a predetermined position of the surface of the wafer W, the support rotation shaft 183 for rotating the holding arm 182 and supports the holding arms 182, a predetermined cleaning liquid to the cleaning liquid discharge nozzle 181 and a, a cleaning liquid supply pipe (not shown) for supplying the like. 支持回転軸183を所定角度回動させることによって、洗浄液吐出ノズル181をウエハW上の所定位置へ移動させて、また、ウエハW上をスキャンさせることができる。 By the supporting rotary shaft 183 is rotated by a predetermined angle, it moves the cleaning liquid discharge nozzle 181 to a predetermined position on the wafer W, also can be scanned over the wafer W.
【0083】 [0083]
IPA吐出機構190は、スピンチャック123に保持されたウエハWの表面にミスト状または蒸気状のIPAを供給するIPA吐出ノズル191と、IPA吐出ノズル191を保持する保持アーム192と、IPA吐出ノズル191がウエハWの表面の所定位置に移動するように、保持アーム192を支持して保持アーム192を回動させる支持回転軸193と、を有している。 IPA ejection mechanism 190 includes a IPA discharge nozzle 191 for supplying a mist or vaporous IPA to wafer W held by the surface of the spin chuck 123, a holding arm 192 which holds the IPA discharge nozzle 191, IPA discharge nozzle 191 There has to be moved to a predetermined position of the surface of the wafer W, the support rotating shaft 193 for rotating the holding arm 192 and supports the holding arm 192, the. 支持回転軸193を所定角度回動させることによって、IPA吐出ノズル191をウエハW上の所定位置へ移動させて、また、ウエハW上をスキャンさせることができる。 By the supporting rotary shaft 193 is rotated by a predetermined angle, by moving the IPA discharge nozzle 191 to a predetermined position on the wafer W, also can be scanned over the wafer W.
【0084】 [0084]
このような洗浄処理ユニット100を用いて、例えば、以下に記す洗浄処理を行うことができる。 Using such cleaning unit 100, for example, it is possible to perform the cleaning process described below. 最初に、ウエハWをスピンチャック123に保持させ、スピンチャック123を静止させた状態または低速で回転させた状態で、洗浄液吐出ノズル181からウエハWの表面および裏面に向けて所定の薬液を供給し、ウエハWの表裏面が薬液に接した状態を所定時間保持する。 First, the wafer W held by the spin chuck 123, while rotating in a state or slow were stationary spin chuck 123, for supplying a predetermined chemical liquid toward the cleaning liquid discharge nozzle 181 to the surface and the back surface of the wafer W , the front and back surfaces of the wafer W to hold the state of contact with the drug solution for a predetermined time. こうして薬液処理が行われる。 Thus, the chemical process is carried out.
【0085】 [0085]
続いて、ウエハWから薬液を振り切るようにスピンチャック123を所定の回転速度で回転させる。 Subsequently, it rotates the spin chuck 123 so as to shake off the chemical solution from the wafer W at a predetermined rotational speed. このときに、回転するウエハWの表裏面に純水を供給して、ウエハWのリンス処理を行う。 In this case, by supplying pure water to the front and back surfaces of the wafer W rotating, performing rinsing of the wafer W. スピンチャック123の回転速度を下げて、ノズル保持アーム192をウエハW上で回動させながら、IPA吐出ノズル191からミスト状または蒸気状のIPAをウエハWの表面に向けて供給する。 Lower the rotational speed of the spin chuck 123, while rotating the nozzle holding arm 192 on the wafer W, supplied toward the IPA discharge nozzle 191 in a mist state or vaporous IPA on the surface of the wafer W. これと同時に、洗浄液供給孔141からはIPAをウエハWの裏面に向けて吐出する。 At the same time, from the cleaning liquid supply holes 141 for ejecting IPA to the back surface of the wafer W. こうして、ウエハWの表面に供給するIPAの量を低減することができる。 Thus, it is possible to reduce the amount of IPA supplied to the surface of the wafer W. また、高い洗浄精度が要求されるウエハWの表面にウォーターマークが発生することを防止することができる。 Further, it is possible to prevent the watermark are generated on the surface of the wafer W high cleaning precision is required.
【0086】 [0086]
その後、IPAのウエハWへの供給を停止して、スピンチャック123に保持されたウエハWを3000rpm〜5000rpmの高速で回転させる。 Then, by stopping the supply of the wafer W in IPA, to rotate the wafer W held by the spin chuck 123 at a high speed 3000Rpm~5000rpm. こうして、ウエハWからIPAを振り切り、ウエハWを乾燥させることができる。 Thus, finishing off with IPA from the wafer W, the wafer W can be dried. このとき、N ガスをウエハWに向けて供給することも好ましい。 In this method, it is preferable to supply toward the N 2 gas to the wafer W.
【0087】 [0087]
以上、本発明の実施の態様について説明してきたが、本発明が上記実施の態様に限定されるものでないことはいうまでもなく、種々の変形が可能である。 Having thus described aspects of the present invention, that the present invention is not limited to the embodiment of the above embodiment, not to mention various modifications are possible. 例えば、上記実施の態様では、IPAをミスト状または蒸気状にしてウエハWへ供給したが、IPAに代えて界面活性剤を添加した薬剤を用いることができる。 For example, in an embodiment of the above embodiment has been supplied to the IPA mist or vapor state to the wafer W, it is possible to use an agent containing a surfactant in place of IPA. このような界面活性剤が添加された薬剤をミスト状または蒸気状にしてウエハWに供給することで、ウエハWにウォーターマークが発生することを有効に防止することができる。 Such agents surfactant is added by supplying the wafer W in the mist state or a vapor state, the watermark on the wafer W can be effectively prevented from occurring. 界面活性剤が添加された薬剤のベースとなる溶剤は、水であってもよく、エーテル等の有機溶剤であってもよい。 Solvent surfactant is based drug that is added may be water, or an organic solvent such as ether.
【0088】 [0088]
また、上記実施の態様では外側チャンバ26および内側チャンバ27の2つの処理チャンバを用いて洗浄処理を行う場合について説明したが、チャンバは1つであってもよいし、3つ以上あってもよい。 Further, in the aspect of the above embodiment has been described the case of performing the cleaning process using two process chambers of the outer chamber 26 and inner chamber 27, the chamber may be one, or may be three or more . さらに、洗浄処理ユニット100にウエハWの表面に当接するブラシを設けて、ウエハWの表面をスクラブ洗浄することも可能である。 Further, abutting brushes provided on the surface of the wafer W to the cleaning process unit 100, it is possible to scrub clean the surface of the wafer W. 上記実施の態様では本発明を半導体ウエハの洗浄処理に適用した場合について示したが、これに限らず、本発明は、液晶表示装置(LCD)用基板等、他の基板の洗浄処理にも適用することができる。 Applied in the manner of the above-described it has been shown the case where the present invention is applied to the cleaning process of the semiconductor wafer is not limited thereto, the present invention includes a substrate, such as a liquid crystal display (LCD), to washing treatment of other substrates can do.
【0089】 [0089]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
上述の通り、本発明の洗浄処理方法および洗浄処理装置によれば、薬剤をミスト状または蒸気状として供給することにより、薬剤の使用量を低減して、処理コストを低減することができる。 As described above, according to the cleaning method and cleaning apparatus of the present invention, the agent by supplying a mist state or a vapor state, to reduce the amount of drug used, it is possible to reduce the processing cost. また、供給された薬剤は基板にむらなく付着して、例えば基板表面に水分が残留していた場合には水分と揮発性薬剤が置換されて振り切りが容易となり、基板の表面に発生する洗浄痕(ウォーターマーク)が低減される。 The supply drugs are adhered evenly to the substrate, such as washing marks when water was left on the substrate surface by shaking can be easily substituted moisture and volatile agent, which is generated on the surface of the substrate (watermark) is reduced. こうして、基板を高い品質に維持することが可能となる。 Thus, it is possible to maintain the substrate at high quality. さらに、本発明の洗浄処理装置は、薬剤を用いた乾燥処理工程前に純水によるリンス処理等の他の液処理を行っている場合にも、基板を移動させることなく処理を行うことができるために、装置の構造が複雑とならない。 Further, the cleaning apparatus of the present invention, when the pre-drying step with agents doing other liquid treatment of the rinse treatment by pure water can also be processed without moving the substrate for, it is not a complicated structure of the device. これによって、装置の大型化も抑制される。 Thus, increase in size of the device is also suppressed.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】本発明の一実施形態に係る洗浄処理装置を具備する洗浄処理システムを示す斜視図。 Perspective view of a cleaning system having a cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.
【図2】図1に示した洗浄処理システムの概略構成を示す平面図。 Figure 2 is a plan view showing a schematic configuration of the cleaning system shown in FIG.
【図3】図1の洗浄処理システムの一構成要素である本発明の一実施形態に係る洗浄処理ユニットを示す断面図。 3 is a cross-sectional view showing a cleaning unit according to an embodiment of the present invention which is a component of the cleaning system of Figure 1.
【図4】図3に示した洗浄処理ユニットにおいて、内側チャンバを外側チャンバの外部に出した状態を示す概略断面図。 In the cleaning unit shown in FIG. 4 FIG. 3, a schematic sectional view showing a state that issued the inner chamber to the outside of the outer chamber.
【図5】図3に示した洗浄処理ユニットにおいて、外側チャンバの内部に内側チャンバを配置した状態を示す概略断面図。 [5] In the cleaning unit shown in FIG. 3, a schematic sectional view showing a state in which the interior of the outer chamber was placed inside the chamber.
【図6】外側チャンバに設けられた各種の吐出ノズルの取り付け位置を示す正面図および展開図。 Figure 6 is a front view and a development view showing the attachment positions of various discharge nozzles provided in the outer chamber.
【図7】図3に示した洗浄処理ユニットにおいて、IPA吐出ノズルからミスト状IPAを吐出させる機構の例を示す模式図。 [7] In the cleaning unit shown in FIG. 3, a schematic diagram showing an example of a mechanism for ejecting a mist IPA from the IPA spurting nozzles.
【図8】図3に示した洗浄処理ユニットにおいて、IPA吐出ノズルから蒸気状IPAを吐出させる機構の例を示す模式図。 [8] In the cleaning unit shown in FIG. 3, a schematic diagram showing an example of a mechanism for ejecting vaporous IPA from the IPA spurting nozzles.
【図9】本発明の別の実施態様に係る洗浄処理ユニットを示す概略平面図。 Schematic plan view showing a cleaning unit according to another embodiment of the present invention; FIG.
【図10】図9に示した洗浄処理ユニットに設けられた洗浄処理カップとその内部構造を示す概略断面図。 Figure 10 is a schematic sectional view showing the cleaning cup provided in the cleaning unit and its internal structure shown in FIG.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
1;洗浄処理システム2;イン・アウトポート3,100;洗浄処理ユニット4;ステージ部20;洗浄処理部23;モータ24;ロータ26;外側チャンバ27;内側チャンバ30;キャリア待機部40;ウエハ移動機構51;処理空間53・55;吐出口54・56;吐出ノズル76;IPA吐出ノズル77;IPA供給管78a;切替制御弁78b;N 制御弁79;IPA供給源80;N ガス供給源91;高温N ガス供給源122;処理カップ123;スピンチャック180;洗浄液供給機構190;IPA供給機構W;半導体ウエハ(基板) 1; cleaning system 2; in-out port 3,100; cleaning unit 4; stage unit 20; the cleaning part 23; the motor 24; rotor 26; outer chamber 27; inner chamber 30; carrier waiting section 40; wafer movement mechanism 51; the processing space 53, 55; discharge ports 54, 56; discharge nozzle 76; IPA discharge nozzle 77; IPA supply pipe 78a; the switching control valve 78b; N 2 control valve 79; IPA supply source 80; N 2 gas supply source 91; hot N 2 gas supply source 122; processing cup 123; spin chuck 180; cleaning liquid supply mechanism 190; IPA supply mechanism W; semiconductor wafer (substrate)
C;キャリア(基板収納容器) C; carrier (substrate container)

Claims (17)

  1. 前記処理容器内に保持された基板を洗浄処理する洗浄処理方法であって、 A cleaning method for cleaning a substrate held in the processing chamber;
    前記基板を停止または低速回転させた状態において、ミスト状の薬剤を前記基板に供給する第1工程と、 In a state where the substrate is stopped or low-speed rotation, a first step of supplying a mist of drug to the substrate,
    前記薬剤の供給を停止した後に前記基板を前記低速回転よりも高い回転速度で高速回転させることにより前記基板に付着した薬剤を振り切る第2工程と、 A second step of shake off the drug adhered to the substrate by high speed at a high rotational speed than the low-speed rotation of the substrate after stopping the supply of the drug,
    を有し、 Have,
    前記第1工程では、薬剤を吐出するノズルまたは前記ノズルに薬剤を供給する薬剤供給管に前記薬剤を滞留させた後に前記薬剤供給管に窒素ガスを供給することにより、前記薬剤をミスト状として基板に供給することを特徴とする洗浄処理方法。 The substrate in the first step, by supplying nitrogen gas into the drug supply pipe after the drug was retained in the drug supply pipe for supplying the agent to the nozzle or the nozzles for ejecting the medicine, the medicine as a mist cleaning method characterized by supplying to the.
  2. 薬剤を吐出するノズルまたは前記ノズルに薬剤を供給する薬剤供給管に前記薬剤と窒素ガスとを交互に滞留させた後に前記薬剤供給管に窒素ガスを供給することにより、前記薬剤をミスト状として間欠的に基板に供給することを特徴とする請求項1に記載の洗浄処理方法。 By supplying nitrogen gas into the drug supply pipe after said the drug and nitrogen gas to dwell alternately agent supply pipe for supplying the agent to the nozzle or the nozzles for ejecting the medicine, intermittent said agent as a mist cleaning method according to claim 1 to and supplying to the substrate.
  3. 前記薬剤は、揮発性薬剤であることを特徴とする請求項1 または請求項2に記載の洗浄処理方法。 It said agent, cleaning method according to claim 1 or claim 2, wherein the volatile agent.
  4. 前記薬剤は、界面活性剤を含む溶剤であることを特徴とする請求項1 または請求項2に記載の洗浄処理方法。 Said agent, cleaning method according to claim 1 or claim 2, characterized in that a solvent containing a surfactant.
  5. 前記処理容器内には、複数の基板が略垂直な状態で水平方向に並べられて保持されることを特徴とする請求項1から請求項のいずれか1項に記載の洗浄処理方法。 Wherein the processing chamber, the cleaning method according to any one of claims 1 to 4, wherein a plurality of substrates are held are arranged horizontally in a substantially vertical state.
  6. 前記高速回転は300rpm以上800rpm以下の回転速度で行われることを特徴とする請求項1から請求項のいずれか1項に記載の洗浄処理方法。 The high speed rotation cleaning method as claimed in any one of claims 5, characterized in that it is carried out at 300rpm or 800rpm less speed.
  7. 前記低速回転は100rpm以下の回転速度で行われることを特徴とする請求項1から請求項のいずれか1項に記載の洗浄処理方法。 The low-speed rotation cleaning method as claimed in any one of claims 6, characterized in that it is carried out at 100rpm following rotational speed.
  8. 前記第1工程の後、基板にN ガスを吹き付けて乾燥することを特徴とする請求項1から請求項のいずれか1項に記載の洗浄処理方法。 After the first step, cleaning method as claimed in any one of claims 7, characterized in that the blown dry with N 2 gas to the substrate.
  9. 基板に洗浄液を供給して洗浄処理を行う洗浄処理装置であって、 A cleaning apparatus for cleaning treatment by supplying a cleaning liquid to the substrate,
    基板を収容する処理容器と、 A processing container for accommodating a substrate,
    前記処理容器内で基板を保持する保持手段と、 Holding means for holding a substrate in the processing chamber;
    前記保持手段を回転させる回転機構と、 A rotating mechanism for rotating the holding means,
    前記洗浄液を前記基板に向けて吐出する洗浄液供給機構と、 A cleaning liquid supply mechanism for ejecting the cleaning liquid to the substrate,
    薬剤をミスト状として前記保持手段に保持された基板に供給する薬剤供給機構と、 A drug supply mechanism for supplying to the substrate held by the holding means a drug as mist,
    を具備し、 Equipped with,
    前記薬剤供給機構は、前記薬剤を吐出する吐出ノズルと、前記吐出ノズルに薬剤を送液する薬剤供給管と、前記薬剤供給管にガスを供給するガス供給機構と、を有し、 The drug supply mechanism includes a discharge nozzle for discharging the medicament, a drug supply pipe for feeding an agent to the discharge nozzle, and a gas supply mechanism for supplying gas into the drug supply pipe,
    前記吐出ノズルまたは前記薬剤供給管に薬剤を滞留させた後にガスを供給することで、前記吐出ノズルまたは前記薬剤供給管に滞留している薬剤が前記吐出ノズルからミスト状で吐出されることを特徴とする洗浄処理装置。 By supplying gas to after staying drug to the discharge nozzle or the drug feed tube, characterized in that the agent remaining in the said discharge nozzle or the drug supply pipe is ejected in a mist form from the ejection nozzle cleaning apparatus according to.
  10. 前記薬剤供給機構は、さらに、前記薬剤供給管に対する薬剤の供給とガスの供給とを切り替えるバルブ機構を具備し、前記バルブ機構を複数回切り替えることにより、前記薬剤供給管に前記薬剤と前記ガスとを交互に滞留させ、その後前記バルブ機構により前記薬剤供給管を前記ガス供給機構に接続させて前記吐出ノズルまたは前記薬剤供給管に滞留している薬剤が前記吐出ノズルからミスト状で間欠的に吐出されることを特徴とする請求項に記載の洗浄処理装置。 Wherein the agent supply mechanism further comprises a valve mechanism for switching the supply of the feed gas of drug to the drug supply pipe, by switching a plurality of times the valve mechanism, and the gas and the drug to the drug supply pipe the to dwell alternately, intermittently discharged thereafter the valve mechanism by mist from drug staying the medicine supply pipe to the discharge nozzle or the drug supply pipe by connecting to the gas supply mechanism the ejection nozzle cleaning apparatus according to claim 9, wherein the to be.
  11. 前記薬剤は、揮発性薬剤であることを特徴とする請求項9または請求項10に記載の洗浄処理装置。 It said agent, cleaning apparatus according to claim 9 or claim 10, characterized in that a volatile agent.
  12. 前記薬剤は、界面活性剤を含む溶剤であることを特徴とする請求項から請求項11のいずれか1項に記載の洗浄処理装置。 It said agent, cleaning apparatus according to any one of claims 11 claim 9, characterized in that the solvent comprises a surfactant.
  13. 前記保持手段には、複数の基板が略垂直な状態で水平方向に並べられて保持されることを特徴とする請求項から請求項12のいずれか1項に記載の洗浄処理装置。 Wherein the holding means, cleaning apparatus according to any one of claims 12 to claim 9, wherein a plurality of substrates are held are arranged horizontally in a substantially vertical state.
  14. 前記処理容器は、外側チャンバと内側チャンバにより、別個に略密閉された処理室を形成することができる二重チャンバ構造を有することを特徴とする請求項から請求項13のいずれか1項に記載の洗浄処理装置。 The processing container, the outer chamber and the inner chamber, to any one of claims 13 claim 9, characterized in that it has a double chamber structure capable of forming a process chamber that is separate substantially sealed cleaning apparatus according.
  15. 前記保持手段は1枚の基板を略水平に保持することを特徴とする請求項から請求項14のいずれか1項に記載の洗浄処理装置。 Cleaning apparatus according to any one of claims 14 wherein the retaining means from claim 9, characterized in that retaining one substrate substantially horizontally.
  16. 前記処理容器は、前記保持手段に保持された基板を囲繞するように配置された処理カップであることを特徴とする請求項15に記載の洗浄処理装置。 The processing vessel, the cleaning apparatus according to claim 15, characterized in that it is arranged processed cup so as to surround the substrate held by the holding means.
  17. 前記ミスト状または蒸気状の薬剤が供給された基板にN ガスを吐出する吐出ノズルをさらに具備することを特徴とする請求項から請求項16のいずれか1項に記載の洗浄処理装置。 Cleaning apparatus according to any one of claims 16 claim 9, characterized in that the mist-like or vaporous agent further comprises a discharge nozzle for discharging the N 2 gas to the substrate supplied.
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