JP3576899B2 - Development processing equipment - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カラー液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のカラーフィルター等を製造する際、露光処理後の基板に現像処理を施すための現像処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
カラー液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のカラーフィルターの製造においては、ガラス製の矩形の基板に、４色（レッド、グリーン、ブルー、およびブラック）の色彩レジストを塗布し、これを露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術によりカラーフィルターを形成している。
【０００３】
このようなカラーフィルターのフォトリソグラフィー工程においては、各色彩レジスト毎に塗布処理および露光・現像処理を行っている。すなわち、例えば、基板が洗浄された後、レジスト塗布ユニットに搬入され、まず、レッドの色彩レジストを塗布して、このレッドの色彩レジストを露光し、引き続き現像処理し、次いで、グリーンの色彩レジストを塗布して、グリーンの色彩レジストを露光し、引き続き現像処理し、その後、ブルー、ブラックに関しても同様に行っている。
【０００４】
ところで、このようなカラーフィルター用の基板を現像するに際しては、現像処理ユニットにおいては、矩形の基板がスピンチャックに装着され、現像液供給ノズルから現像液が供給されて、基板の全面に塗布され、所定時間静止されて現像処理が進行される。その後、基板がスピンチャックにより回転されて現像液が振り切られ、次いで、リンス液供給ノズルから純水等のリンス液が吐出されて基板上に残存する現像液が洗い流される。その後、スピンチャックが高速で回転され、基板上に残存するリンス液が振り切られて基板が乾燥され、これにより、一連の現像処理が終了する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このようなカラーフィルター用基板の現像処理においては、レジストの種類が、例えばＬＣＤ基板の回路パターンのレジスト等と異なり、特殊な顔料を含んでいる。そのため、現像液を基板に塗布し、現像処理が終了した後、現像液とレジストとの反応が終了した後に基板上に残存するレジストを除去する際に、従来のリンス液供給ノズルから吐出する比較的低圧のリンス液では、基板上のレジスト液を確実に除去することができないという問題点がある。
【０００６】
本発明はかる事情に鑑みてなされたものであり、基板上に残存したレジストを確実に除去することができる現像処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点によれば、露光処理後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理装置であって、基板に現像液を供給して塗布し、基板上で現像処理するための現像液供給ノズルと、基板の現像処理後に、リンス液を高圧で基板に噴射するリンス液噴射ノズルと、このリンス液噴射ノズルによるリンス液の噴射の際、基板上にリンス液の膜を形成するリンス液膜形成手段とを具備し、前記リンス液膜形成手段は、前記リンス液噴射ノズルの側方を囲うとともに基板との間に所定隙間をおいて配置され、リンス液噴射ノズルから噴射されたリンス液を一時的に貯留しながら基板上にリンス液の膜を形成するカバーを有し、前記カバーと基板との所定隙間は、基板上にリンス液の膜を形成できるとともに、リンス液の圧力を所定以上に維持できる隙間に設定されていることを特徴とする現像処理装置が提供される。
【０００８】
本発明の第２の観点によれば、露光処理後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理装置であって、基板に現像液を供給して塗布し、基板上で現像処理するための現像液供給ノズルと、基板の現像処理後に、リンス液を高圧で基板に噴射するリンス液噴射ノズルと、このリンス液噴射ノズルによるリンス液の噴射の際、基板上にリンス液の膜を形成するリンス液膜形成手段と、前記リンス液噴射ノズルによるリンス液の噴射後、所定圧力以下でリンス液を基板に吐出するリンス液吐出ノズルとを具備することを特徴とする現 像処理装置が提供される。
【０００９】
本発明の第３の観点によれば、露光処理後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理装置であって、基板に現像液を供給して塗布し、基板上で現像処理するための現像液供給ノズルと、基板の現像処理後に、リンス液を高圧で基板に噴射するリンス液噴射ノズルと、このリンス液噴射ノズルによるリンス液の噴射の際、基板上にリンス液の膜を形成するリンス液膜形成手段とを具備し、前記リンス液噴射ノズルは、前記リンス液の膜を泡立てる窒素バブリング手段を有することを特徴とする現像処理装置が提供される。
【００１０】
このように、リンス液を高圧で噴射する際、基板上にリンス液の膜を形成するように構成されているので、リンス液の膜の緩衝作用により高圧のリンス液による基板の損傷を回避しつつ基板上に残存したレジストを確実に除去することができる。すなわち、リンス液を単に高圧で噴射する場合には、高圧のリンス液が基板上の回路パターン等に損傷を与えるおそれがあるが、基板上にリンス液の膜を形成しながらリンス液を噴射しているため、噴射するリンス液の圧力およびリンス液の膜の厚さを調整すれば、基板に損傷を与えることなく基板上に残存したレジストを確実に除去することが可能となる。
【００１１】
この場合に、リンス液膜形成手段を、前記リンス液噴射ノズルの側方を囲うとともに基板との間に所定隙間をおいて配置され、リンス液噴射ノズルから噴射されたリンス液を一時的に貯留しながら基板上にリンス液の膜を形成するカバーを有するものとすることができる。
【００１２】
このように、リンス液を高圧で噴射する際、リンス液噴射ノズルの側方を囲うとともに基板との間に所定隙間をおいて配置されたカバーにより、リンス液を一時的に貯留しながら基板上にリンス液の膜を形成するので、リンス液の膜の緩衝作用により高圧のリンス液による基板の損傷を回避しつつ基板上に残存したレジストを確実に除去することができる。また、このリンス液の膜を形成するためのカバーが、基板との間に所定隙間をおいて配置されているため、この隙間を調整することにより、リンス液の膜の厚さを容易に調整することができ、リンス液の膜の厚さおよびリンス液の圧力を調整して、基板に対する損傷を防止しながら洗浄の最適化を図ることができる。
【００１３】
さらに、上記リンス液膜形成手段により基板上に形成したリンス液の膜をバブリング手段によって泡立てることにより、基板上に残存したレジストをより確実に除去することが可能となる。この場合には、バブリング手段を、リンス液の膜の中に窒素ガスを噴出させる手段とすることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明が適用されるＬＣＤのカラーフィルターの塗布・現像処理システムを示す平面図である。
【００１５】
この塗布・現像処理システムは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェース部３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェース部３が配置されている。
【００１６】
カセットステーション１は、カセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション１においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００１７】
処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には、中継部１５、１６が設けられている。
【００１８】
前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが配置されており、搬送路１２の他方側には、冷却ユニット（ＣＯＬ）２５、上下２段に積層されてなる加熱処理ユニット（ＨＰ）２６および冷却ユニット（ＣＯＬ）２７が配置されている。
【００１９】
また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の一方側には、色彩レジストを塗布するためのレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２、および基板Ｇの周縁部の色彩レジストを除去するエッジリムーバー（ＥＲ）２３が設けられており、搬送路１３の他方側には、二段積層されてなる加熱処理ユニット（ＨＰ）２８、加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが上下に積層されてなる加熱処理・冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）２９、および冷却ユニット（ＣＯＬ）３０が配置されている。
【００２０】
さらに、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２と、エッジリムーバー（ＥＲ）２３との間に、乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０が設けられている。これにより、色彩レジストが塗布された基板Ｇが乾燥処理ユニット（ＶＤ）４０に搬送されて乾燥処理され、その後、エッジリムーバー（ＥＲ）２３により端面処理されるようになっている。
【００２１】
さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４の一方側には、３つの現像処理ユニット２４ａ、２４ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側には上下２段に積層されてなる加熱処理ユニット３１、および加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが上下に積層されてなる２つの加熱処理・冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）３２、３３が配置されている。
【００２２】
なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄処理ユニット２１ａ、レジスト処理ユニット２２、現像処理ユニット２４ａのようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。
【００２３】
また、中継部１５、１６のスピナー系ユニット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置されており、さらにメンテナンスのためのスペース３５が設けられている。
【００２４】
上記主搬送装置１７は、搬送機構１０のアーム１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。また、主搬送装置１８は中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。さらに、主搬送装置１９は中継部１６との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｃの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらにはインターフェース部３との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部１５、１６は冷却プレートとしても機能する。
【００２５】
インターフェース部３は、処理部２との間で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエクステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バッファーカセットを配置する２つのバッファーステージ３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８はエクステンション３６およびバッファステージ３７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。
このように各処理ユニットを集約して一体化することにより、省スペース化および処理の効率化を図ることができる。
【００２６】
このように構成される塗布・現像処理システムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ，２１ｂでスクラバー洗浄が施され、加熱処理ユニット（ＨＰ）２６の一つで加熱乾燥された後、冷却ユニット（ＣＯＬ）２７の一つで冷却される。
【００２７】
その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２で所定の色彩レジストが塗布され、乾燥処理ユニット４０により乾燥処理されて、エッジリムーバー（ＥＲ）２３で基板Ｇの周縁の余分な色彩レジストが除去される。その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処理ユニット（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、ユニット２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。
【００２８】
その後、基板Ｇは中継部１６から主搬送装置１９にてインターフェース部３を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Ｇは再びインターフェース部３を介して搬入され、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理される。現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷却される。
【００２９】
このような各色彩毎の一連の処理が予め設定されたレシピに従って実行される。例えば、レッドの塗布・露光・現像処理が終了した基板Ｇは、順次グリーン、ブルー、ブラックの塗布・露光・現像処理が施されるが、後述するように、塗布処理ユニット（ＣＴ）２２において異なる色彩のノズルを用いる他は、各色彩ともほぼ同様に処理される。完成したカラーフィルターの基板は、主搬送装置１９，１８，１７および搬送機構１０によってカセットステーション１上の所定のカセットに収容される。
【００３０】
次に、図２ないし図４を参照しつつ、本実施の形態に係る現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃについて説明する。図２は、本実施の形態に係る現像処理ユニット（ＤＥＶ）の平面図、図３はその断面図、図４は、図２および図３に示した現像処理ユニット（ＤＥＶ）に装着されたリンス液噴射ノズルの断面図、図５は、図４のノズルを一部切り欠いて示す斜視図である。
【００３１】
図２、図３に示すように、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃにおいては、基板Ｇを吸着保持する水平回転可能なスピンチャック４１が設けられ、このスピンチャック４１により保持された基板Ｇを包囲する円筒形状のインナーカップ４２が設けられ、このインナーカップ４２の外周囲を取り囲むように円筒形状のアウターカップ４３が設けられている。このアウターカップ４３の外側に、全体を覆うシンク５２が設けられている。
【００３２】
このアウターカップ４３の一側には、現像液用ノズルアーム４４が設けられ、この現像液用ノズルアーム４４の下側には、現像液を吐出する複数の吐出口５３ａを有する現像液供給ノズル５３が設けられている。このノズルアーム４４は、ガイドレール４５に沿って、ベルト駆動等の駆動機構（図示略）により基板Ｇを横切って移動するように構成され、これにより、現像液の塗布時には、ノズルアーム４４は、基板Ｇの中心に停止し、回転している基板Ｇ上に、現像液供給ノズル５３の下面に設けられた複数の現像液吐出口５３ａから現像液を吐出するようになっている。
【００３３】
アウターカップ４３の他側には、純水等のリンス液を高圧で噴射するノズルを移動させるための高圧リンス液用ノズルアーム４６が設けられている。このノズルアーム４６の下側には、図４および図５に示すような、高圧でリンス液を噴射するリンス液噴射ノズル４７が設けられている。このリンス液噴射ノズル４７は、基板Ｇの幅方向に沿って延在するノズルヘッド４８ａと、ノズルヘッド４８ａの下側に設けられた複数の噴射部４８ｂとを有している。そして、噴射部４８ｂから、所定圧力（例えば、１５ｋｇ／ｃｍ２）以上の高圧で、かつ所定流量（例えば、１５ｌ／ｍｉｎ）でリンス液を噴射する。これにより、後述するように、現像処理が終了した後に基板Ｇ上に現像液と反応した後の余分なレジストが残存していたとしても、高圧で噴射したリンス液により除去することができる。
【００３４】
高圧リンス液用ノズルアーム４６は、現像液用ノズルアーム４４と同様に、ガイドレール４５に沿って、ベルト駆動等の駆動機構（図示略）により基板Ｇを横切って移動するように構成され、これにより、リンス液の噴射時には、ノズルアーム４６は、リンス液噴射ノズル４７の噴射部４８ｂからリンス液を高圧で噴射した状態で、静止した基板Ｇ上をスキャンするようになっている。
【００３５】
なお、ノズルヘッド４８ａの両端側上部には、上方に延びるリンス液配管４９が接続されており、この配管４９を介してノズルヘッド４８ａにリンス液が供給されるとともに、この配管によりノズルアーム４６とノズルヘッド４８ａとが連結されている。
【００３６】
図４、図５に示すように、リンス液を高圧で噴射するためのリンス液噴射ノズル４７には、その側方および上方を覆うように、側壁５０ａおよび上壁５０ｂを有するボックス状のカバー５０が設けられている。このカバー５０の下端と、基板Ｇとの間には、所定の隙間ｄ（例えば２〜５ｍｍ）が形成されている。
【００３７】
このようなカバー５０が設けられているため、リンス液噴射ノズル４７の噴射部４８ｂから基板Ｇに向けてリンス液を高圧で噴射する際、リンス液を一時的に貯留しつつ基板Ｇ上にリンス液の膜を形成することができる。このリンス液の膜は、後述するように、噴射されたリンス液に対する緩衝作用を有し、基板Ｇの回路パターン等への損傷を防止することができる。
【００３８】
上記高圧リンス液用ノズルアーム４６とアウターカップ４３との間には、比較的低圧で純水等のリンス液を吐出するためのリンス液吐出ノズル（図示略）を先端部に有する低圧リンス液用ノズルアーム５１が枢軸５１ａの廻りに回動自在に設けられている。ノズルアーム５１の先端のリンス液吐出ノズルは、例えば、上記リンス液噴射ノズル４７により高圧でリンス液を噴射した後、比較的低圧でリンス液を吐出して、洗浄の仕上げをする役割を果たす。また、このリンス液の吐出時には、ノズルアーム５１は、枢軸５１ａの廻りに回動して、リンス液吐出ノズルを基板Ｇの中心に位置させ、回転する基板Ｇに対してリンス液吐出ノズルからリンス液を吐出するようになっている。
【００３９】
図３に示すように、インナーカップ４２およびアウターカップ４３は、連結部材６０により連結されており、図示しない昇降機構により一体的に昇降可能となっている。インナーカップ４２およびアウターカップ４３は、いずれもその上端部が内側に向かって傾斜しており、現像液またはリンス液が外部へ飛散することが防止可能となっている。なお、開口径が最も小さいインナーカップ４２の上端部分においても、基板Ｇを水平にした状態で挿入可能な大きさとなっている。また、アウターカップ４３の上端位置はインナーカップ４２の上端位置よりも高く構成されており、スピンチャック４１の回転の調整により、後述するように、現像液とリンス液との分離回収が可能となっている。
【００４０】
インナーカップ４２の下方には、現像液の塗布および振り切りの際、インナーカップ４２の内壁またはその内側を通って下方に流された現像液を貯留して排出する現像液用受け皿５５が、インナーカップ４２の底部を覆うように設けられており、この受け皿５５には排出口５６が設けられている。そして、排出口５６には排出管５６ａが連結されている。また、現像液用受け皿５５は、現像液を排出口５６に集めるように傾斜されている。
【００４１】
アウターカップ４３の下方には、リンス液の吐出および振り切りの際、アウターカップ４３の内壁またはアウターカップ４３とインナーカップ４２との間を通って下方に流されたリンス液を貯留して排出するリンス液用受け皿５７が、アウターカップ４３の底部を覆うように設けられており、この受け皿５７には排出口５８が設けられている。そして排出口５８には排出管５８ａが連結されている。また、リンス液用受け皿５７は、リンス液を排出口５８に集めるように傾斜されている。また、シンク５２の底部には、この底部に貯留された現像液およびリンス液を排出するための排出口５９が設けられている。
【００４２】
次に、以上のように構成された現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃにおける現像処理動作について説明する。
図１に示すように、露光処理された基板Ｇが主搬送装置１９により、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかに搬入される。
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃでは、図２に示すように、搬入された基板Ｇがスピンチャック４１に吸着保持される。現像液用のノズルアーム４４がガイドレール４５に沿って基板Ｇの中心部に移動、停止し、基板Ｇがスピンチャック４１により回転されながら、現像液用供給ノズル（図示略）の下面に設けられた複数の吐出口から現像液が吐出されて基板Ｇの全面に塗布され、現像処理が進行される。
【００４３】
その後、基板Ｇがスピンチャック４１により回転されて現像液が振り切られる。この際にインナーカップ４２およびアウターカップ４３は、図３に示す上昇した位置に配置されており、スピンチャック４１が、例えば５０〜１５０ｒｐｍの比較的低速で１〜３ｓｅｃ回転される。したがって、振り切られた現像液はインナーカップ４２の内壁またはその内側を通って現像液用受け皿５５に至り、排出口５６から排出管５６ａを介して、リンス液とは別に回収される。なお、現像処理の際に基板Ｇから飛散した現像液もインナーカップ４２の内側を通って受け皿５５に至る。
【００４４】
次いで、高圧リンス液用ノズルアーム４６がガイドレール４５に沿って静止した基板Ｇ上をスキャンしながら、その下側に設けられたリンス液噴射ノズル４７の噴射部４８ｂから高圧でリンス液を噴射させる。このようにリンス液を噴射させる際には、インナーカップ４２およびアウターカップ４３は下降した位置に配置される。
【００４５】
噴射部４８ｂから基板Ｇに向けてリンス液を高圧で噴射する際、上述したカバー５０が設けられているため、リンス液を一時的に貯留しながら基板Ｇ上にリンス液の膜を形成することができ、その後、隙間を介してリンス液を基板Ｇ上に流出することができる。なお、ノズルアーム４６のスキャン開始時には、リンス液の膜が形成されていない虞れがあるが、スキャンを開始する基板Ｇの外周部は、製品にならない部分であり、スキャン開始後一定時間経過後には、リンス液の膜が十分に形成されているため、基板Ｇ上の製品になる部分に対して実質的に悪影響を及ぼさない。
【００４６】
このように、リンス液噴射ノズル４７により、リンス液を所定圧力（例えば、１５ｋｇ／ｃｍ２）以上の圧力で、かつ所定流量（例えば、１５ｌ／ｍｉｎ）でリンス液を噴射しているため、現像処理が終了し、現像液とレジストとの反応が終了した後に、基板Ｇ上に反応後のレジストが残存していたとしても、高圧で噴射したリンス液により、残存したレジストを確実に除去することができるとともに、リンス液を高圧で噴射する際、カバー５０により基板Ｇ上にリンス液の膜を形成しているので、その緩衝作用により、回路パターンの損傷等の基板Ｇに対する損傷を回避することができる。
【００４７】
また、リンス液の膜を形成するためのカバー５０が、基板Ｇとの間に所定の隙間ｄを形成した状態で配置されているため、この隙間ｄを例えば２〜５ｍｍの間で調整することにより、リンス液の膜の厚さを容易に調整することができる。したがって、リンス液の膜の厚さおよびリンス液の圧力を調整して、基板Ｇに対する損傷を防止しながら洗浄の最適化を図ることができる。
【００４８】
このようにして基板Ｇのリンスを行った後、スピンチャック４１が高速で回転され、基板Ｇ上に残存するリンス液が振り切られる。この際に、上述したように、インナーカップ４２およびアウターカップ４３が下降した位置に配置され、スピンチャック４１が、現像液の振り切りの際よりも高い回転数、例えば１００〜２００ｒｐｍで１８ｓｅｃ回転され、インナーカップ４２よりも高い位置にあるアウターカップ４３の内壁またはインナーカップ４２との間を通ってリンス液用受け皿５７に至り、排出口５８から排出管５８ａを介して、現像液とは別に回収される。なお、リンス液供給の際に基板Ｇから飛散したリンス液もアウターカップ４３とインナーカップ４２との間を通って受け皿５７に至る。
【００４９】
その後、必要に応じて、ノズルアーム５１が枢軸５１ａの廻りに回動されて、リンス液吐出ノズル（図示略）が基板Ｇの中心に位置され、回転する基板Ｇに対してリンス液が低圧で吐出される。これにより、高圧洗浄後における洗浄の仕上げがなされる。次いで、基板Ｇがスピンチャック４１により高速で回転されて振り切り乾燥され、これにより、一連の現像処理が終了する。なお、この振り切りの際にも、高圧リンスの場合と同様にして受け皿５７を介して現像液とは別に回収される。
【００５０】
このように、アウターカップ４３の高さをインナーカップ４２よりも高くした状態でこれらを連結し、現像液を回収する際には、インナーカップ４２およびアウターカップ４３を上昇した状態にするとともにスピンチャック４１の回転速度を比較的低速にするので、現像液はインナーカップ４２の内壁および内側を通って現像液用受け皿５５に至り、一方、リンス液を回収する際には、インナーカップ４２およびアウターカップ４３を下降させた状態にするとともにスピンチャック４１を比較的高速にするので、リンス液はアウターカップ４３の内壁および内側をとおってリンス液用受け皿５７に至る。そして、現像液は受け皿５５から排出口５６および排出管５６ａを介して回収され、リンス液は受け皿５７から排出口５８および排出管５８ａを介して回収される。
【００５１】
したがって、現像液とリンス液とを効率良く分離することができ、リンス液はシンク５２ではなく受け皿５７を通って回収されるので、リンス液を高効率で回収することができる。また、受け皿５５，５７がそれぞれ排出口５６，５８に向けて傾斜するように設けられているので、現像液およびリンス液の回収を速やかに行うことができる。
【００５２】
ところで、上述した実施形態においては、カバー５０と基板Ｇとの隙間ｄを例えば２〜５mmに設定するように説明したが、この隙間ｄのより適切な値と高圧リンス条件について以下に検討する。
図６は、表１に示した高圧リンス設定条件で現像後のリンスを行なったガラス基板の透過率と波長の関係を示すグラフである。リンス液により基板上に残存したレジストを除去するリンス効果が高く、現像処理が良好に行なわれた場合には、レジストの残渣が少なくなり、基板の透過率が大きくなる。図６のグラフにおいて、曲線１、２、３、４、５および６は、表１に示した高圧リンス設定条件のサンプルＮｏ．１、２、３、４、５および６にそれぞれ対応している。なお、高圧リンスに際しては下面寸法（基板と平行な面の内寸）が４０（mm）×４００（mm）のカバーを用いた。
【００５３】
【表１】

Figure 0003576899
【００５４】
図６に示されるように、サンプルＮｏ．３および６の高圧リンス条件では、波長４００〜７００ｎｍの全域において透過率が９９％以上を達成しており、リンス効果が高く、現像処理が極めて良好に行なわれている。表１に示すように、サンプルＮｏ．３は隙間ｄが３mm、流量が１１．０（ｌ／ｍｉｎ）、スキャン回数が２回（往復）の条件であり、サンプルＮｏ．６は、隙間ｄが５mm、流量が１１．０（ｌ／ｍｉｎ）、スキャン回数が１回の条件である。
【００５５】
また、スキャン回数以外は同じ条件としたサンプルＮｏ．２および３の結果を比較すると、スキャン回数が多いサンプルＮｏ．３の方が高い透過率が得られている。この結果は、スキャン回数が多い方がリンス効果が高いということを示している。さらに、隙間ｄ以外は同じ条件としたサンプルＮｏ．２および５の結果を比較すると、５７０ｎｍより短い波長ではほぼ同じ透過率が得られているが、５７０ｎｍ以上の波長では隙間ｄが大きいサンプルＮｏ．５の方が高い透過率が得られている。この結果は、隙間ｄが大きい条件の方がリンス効果が高いということを示しているが、隙間ｄが５mmを超えるとカバー内にリンス液の膜を形成することが難しくなるため好ましくない。
【００５６】
以上のような高圧リンス設定条件と得られる透過率および波長の関係とを鑑みると、隙間ｄ：３（mm）、流量：１１（ｌ／ｍｉｎ）、スキャン回数：２回（往復）、スキャン速度：５００（mm／ｓ）とすることが実用的である。隙間ｄと流量等を上記のように設定することにより、リンス液が基板上に有効に滞留され、良好なリンス効果を得ることができる。
【００５７】
また、リンス効果を向上するためには、高圧リンスの際に、基板上に滞留されたリンス液の中に窒素を噴出させて泡立てる窒素バブリング法が有効である。以下、上記窒素バブリング法を行なうための構成と、その動作について説明する。図７は、この窒素バブリング法を行なうための窒素バブリング手段として、パイプ６１ａ、６１ｂ、６１ｃが設けられたカバー５０の断面図であり、図８は、カバー５０内における前記パイプ６１ａ、６１ｂ、６１ｃの位置を概略的に示した斜視図である。
【００５８】
前記パイプ６１ａ、６１ｂ、６１ｃは、カバー５０内側のスキャン方向前側および両側の下部に取り付けられている。これらのパイプ６１ａ、６１ｂ、６１ｃには、多数の小孔６３が設けられているとともに、図示しない窒素ガス供給手段が接続されていて、窒素ガス供給手段から窒素ガスを供給することにより小孔６３から窒素ガスを噴出させることができる。
【００５９】
次に、以上のようにパイプ６１ａ、６１ｂ、６１ｃを配置したカバー５０を用いて、窒素バブリング法により高圧リンスを行なう動作について説明する。
この窒素バブリング法による高圧リンスでは、リンス液噴射ノズル４７の噴射部４８ｂから高圧でリンス液を噴射させるとともに、パイプ６１ａ、６１ｂ、６１ｃの有する小孔６３から窒素ガスを噴出させ、カバー５０の内側下部に形成されるリンス液の膜を泡立てながら基板に残存したレジストを除去する。このようにリンス液を泡立てながら高圧リンスを行なうことにより、リンス効果をさらに向上することができる。
【００６０】
窒素バブリング手段としての前記パイプ６１ａ、６１ｂ、６１ｃから窒素ガスを噴出させる方向は、スキャン方向前側が最良であるが、リンス液噴射ノズル４７の長さ方向に沿ってガスを噴出させる方向を変えてもよい。ガスの噴出方向を変える場合には、両端部を下向きにして中央を上向きにすれば、リンス液の圧力が低いためにリンス効果が低い両端部で重点的にリンス液を泡立てて、両端部におけるリンス効果を補うことができるので好ましい。また、リンス液噴射ノズル４７の長さ方向に沿ってガスを噴出する量を変えてもよい。ガスの噴出量を変える場合には、両端部における噴出量を大きくすれば、前記同様に両端部でのリンス効果を補うことができるので好ましい。
【００６１】
また、リンス液噴射ノズル４７の横方向両端部ではリンス液噴射方向の関係でレジストが残存しやすいので、窒素バブリング手段として端部パイプ６１ｂ、６１ｃのみを設けて、横方向両端部におけるリンス効果を補強するようにしてもよい。
【００６２】
次に、前述のように構成された現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃにおける現像処理動作の他の例について、リンス液の供給と基板Ｇの回転速度を中心に説明する。図９は、この現像処理動作における基板Ｇの回転速度を経時的に示した図面である。現像後の洗浄では、まず、図９に示されるように、リンス液吐出ノズルからリンス液を基板に吐出させながら、基板を５０〜１００ｒｐｍの速度で回転させる。次いで、一旦基板の回転速度を５００ｒｐｍに上昇させてから、再び５０〜１００ｒｐｍに減速して、この速度で基板を回転させながら高圧リンスによるスキャンを行なう。その後、基板の回転速度を２００ｒｐｍまで加速し、この速度で基板を回転させながら通常リンスを行なって、高圧リンスにより生じた泡等を除去した後、基板を２０００ｒｐｍの高速で回転させることにより基板を乾燥する。
【００６３】
このように、現像処理と、基板を低速で回転させながら行なう高圧リンスと、高速で回転させながら行なう通常リンスと、超高速で回転させることによる乾燥とを順次行なうことにより、リンス液により基板上に残存したレジストを確実に除去し、基板を良好な状態に処理することができる。
【００６４】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、カラーフィルターの塗布・現像処理システムについて説明したが、これに限らず、ＬＣＤ基板等、他の基板の塗布・現像処理システムについても適用することができる。また、リンス液の膜を形成するためにボックス状のカバーを用いたが、これに限らずリンス液の膜が形成されればどのような機構であってもよい。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、リンス液を高圧で噴射する際、基板上にリンス液の膜を形成するようにしたので、リンス液の膜の緩衝作用により高圧のリンス液による基板の損傷を回避しつつ基板上に残存したレジストを確実に除去することができる。すなわち、基板上にリンス液の膜を形成しながらリンス液を噴射しているため、噴射するリンス液の圧力およびリンス液の膜の厚さを調整すれば、基板に損傷を与えることなく基板上に残存したレジストを確実に除去することが可能となる。
【００６６】
また、リンス液膜形成手段を、リンス液噴射ノズルの側方を囲うとともに基板との間に所定隙間をおいて配置され、リンス液噴射ノズルから噴射されたリンス液を一時的に貯留しながら基板上にリンス液の膜を形成するカバーを有するものとすることにより、リンス液を高圧で噴射する際、そのカバーにより、リンス液を一時的に貯留しながら基板上にリンス液の膜を形成することができるので、リンス液の膜の緩衝作用により高圧のリンス液による基板の損傷を回避しつつ基板上に残存したレジストを確実に除去することができる。しかも、上記隙間を調整することにより、リンス液の膜の厚さを容易に調整することができ、リンス液の膜の厚さおよびリンス液の圧力を調整して、基板に対する損傷を防止しながら洗浄の最適化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用されるＬＣＤのカラーフィルターの塗布・現像処理システムを示す平面図。
【図２】本実施の形態に係る現像処理ユニット（ＤＥＶ）を示す平面図。
【図３】本実施の形態に係る現像処理ユニット（ＤＥＶ）を示す断面図。
【図４】図２、図３に示した現像処理ユニット（ＤＥＶ）に装着されたリンス液噴射ノズルを示す断面図。
【図５】図２、図３に示した現像処理ユニット（ＤＥＶ）に装着されたリンス液噴射ノズルを示す一部切り欠いた斜視図。
【図６】各高圧リンス設定条件により現像後のリンスを行なったガラス基板の透過率と波長の関係を示すグラフ。
【図７】窒素バブリング手段を備えたカバーの断面図。
【図８】カバー内におけるパイプ６１ａ、６１ｂ、６１ｃの位置を概略的に示した斜視図。
【図９】現像処理動作の他の例における基板Ｇの回転速度の変動を示した図面。
【符号の説明】
２４ａ，２４ｂ，２４ｃ；現像処理ユニット
４１；スピンチャック
４２；インナーカップ
４３；アウターカップ
４４；現像液用のノズルアーム
４５；ガイドレール
４６；高圧リンス液用ノズルアーム
４７；リンス液噴射ノズル
４８ａ；ノズルヘッド
４８ｂ；噴射部
５０；カバー（リンス液膜形成手段）
５１；低圧リンス用ノズルアーム
５２；シンク
５５；現像液用受け皿
５６；排出口
５７；リンス液用受け皿
５８；排出口
Ｇ；カラーフィルター基板[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a development processing apparatus for performing development processing on a substrate after exposure processing when manufacturing a color filter or the like of a color liquid crystal display (LCD).
[0002]
[Prior art]
In the production of color filters for color liquid crystal displays (LCDs), four color (red, green, blue, and black) color resists are applied to a rectangular glass substrate, exposed, and developed. The color filters are formed by a so-called photolithography technique.
[0003]
In the photolithography process of such a color filter, a coating process and an exposure / development process are performed for each color resist. That is, for example, after the substrate is washed, it is carried into the resist coating unit, and first, a red color resist is applied, the red color resist is exposed, and subsequently developed, and then the green color resist is removed. After coating, the green color resist is exposed and subsequently developed, and thereafter, the same process is performed for blue and black.
[0004]
By the way, when developing such a substrate for a color filter, in the development processing unit, a rectangular substrate is mounted on a spin chuck, a developing solution is supplied from a developing solution supply nozzle, and is applied to the entire surface of the substrate. Then, the developing process is carried out while being stopped for a predetermined time. Thereafter, the substrate is rotated by a spin chuck to shake off the developing solution, and then a rinsing solution such as pure water is discharged from a rinsing solution supply nozzle to wash away the developing solution remaining on the substrate. Thereafter, the spin chuck is rotated at a high speed, the rinse liquid remaining on the substrate is shaken off, and the substrate is dried, thereby completing a series of development processing.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In the development processing of such a color filter substrate, the type of the resist differs from, for example, the resist of the circuit pattern of the LCD substrate, and contains a special pigment. Therefore, after removing the resist remaining on the substrate after the reaction between the developer and the resist is completed after the developing solution is applied to the substrate and the developing process is completed, the conventional rinsing liquid is supplied from a nozzle for supplying a rinse liquid. There is a problem that a very low pressure rinsing liquid cannot reliably remove the resist liquid on the substrate.
[0006]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a developing apparatus capable of reliably removing a resist remaining on a substrate.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, there is provided a development processing apparatus for applying a developing solution to a substrate after an exposure process and performing a developing process, wherein the developing solution is supplied to the substrate. A developing solution supply nozzle for applying and developing on the substrate, a rinsing solution jetting nozzle for jetting a rinsing solution to the substrate at a high pressure after the substrate developing process, and a rinsing solution jetting by the rinsing solution jetting nozzle. Rinsing liquid film forming means for forming a rinsing liquid film on a substrateThe rinsing liquid film forming means surrounds a side of the rinsing liquid injection nozzle and is disposed at a predetermined gap between the substrate and the substrate, and temporarily stores the rinsing liquid injected from the rinsing liquid injection nozzle. A cover for forming a film of the rinsing liquid on the substrate while the predetermined gap between the cover and the substrate is a gap capable of forming a film of the rinsing liquid on the substrate and maintaining the pressure of the rinsing liquid at a predetermined value or more. Is setA development processing apparatus is provided.
[0008]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a developing apparatus for applying a developing solution to a substrate after an exposure process and performing a developing process, wherein the developing solution is supplied and applied to the substrate, and the developing process is performed on the substrate. A rinsing liquid jet nozzle for jetting a rinsing liquid onto the substrate at a high pressure after the substrate is developed, and a rinsing liquid film on the substrate when the rinsing liquid is jetted by the rinsing liquid jet nozzle. And a rinsing liquid discharge nozzle for discharging the rinsing liquid to the substrate at a predetermined pressure or less after the rinsing liquid is injected by the rinsing liquid injection nozzle. An image processing device is provided.
[0009]
According to a third aspect of the present invention, there is provided a developing apparatus for applying a developing solution to a substrate after an exposure process and performing a developing process, wherein the developing solution is supplied and applied to the substrate, and the developing process is performed on the substrate. A rinsing liquid jet nozzle for jetting a rinsing liquid onto the substrate at a high pressure after the substrate is developed, and a rinsing liquid film on the substrate when the rinsing liquid is jetted by the rinsing liquid jet nozzle. And a rinsing liquid film forming means for forming the rinsing liquid, wherein the rinsing liquid injection nozzle has a nitrogen bubbling means for bubbling a film of the rinsing liquid.
[0010]
As described above, when the rinsing liquid is ejected at a high pressure, a film of the rinsing liquid is formed on the substrate, so that the substrate is prevented from being damaged by the high-pressure rinsing liquid by a buffer action of the rinsing liquid film. In addition, the resist remaining on the substrate can be reliably removed. In other words, if the rinsing liquid is simply sprayed at a high pressure, the high-pressure rinsing liquid may damage circuit patterns on the substrate, but the rinsing liquid is sprayed while forming a rinsing liquid film on the substrate. Therefore, by adjusting the pressure of the rinse liquid to be sprayed and the thickness of the rinse liquid film, the resist remaining on the substrate can be reliably removed without damaging the substrate.
[0011]
In this case, the rinsing liquid film forming means is arranged to surround the side of the rinsing liquid injection nozzle and at a predetermined gap from the substrate, and temporarily store the rinsing liquid injected from the rinsing liquid injection nozzle. In addition, a cover for forming a rinse liquid film on the substrate can be provided.
[0012]
As described above, when the rinsing liquid is injected at a high pressure, the cover that surrounds the rinsing liquid injection nozzle and is disposed at a predetermined gap from the substrate while temporarily storing the rinsing liquid onto the substrate. Since the rinsing liquid film is formed on the substrate, the resist remaining on the substrate can be reliably removed while avoiding damage to the substrate due to the high-pressure rinsing liquid due to the buffer action of the rinsing liquid film. Further, since the cover for forming the rinse liquid film is disposed with a predetermined gap between the cover and the substrate, the thickness of the rinse liquid film can be easily adjusted by adjusting the gap. By adjusting the thickness of the rinsing liquid film and the pressure of the rinsing liquid, cleaning can be optimized while preventing damage to the substrate.
[0013]
Furthermore, by bubbling the rinse liquid film formed on the substrate by the rinse liquid film forming means by the bubbling means, the resist remaining on the substrate can be more reliably removed. In this case, the bubbling means may be a means for ejecting nitrogen gas into the film of the rinsing liquid.
[0014]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a plan view showing a system for applying and developing a color filter of an LCD to which the present invention is applied.
[0015]
This coating / developing processing system includes a cassette station 1 on which a cassette C accommodating a plurality of substrates G is placed, and a plurality of processing units for performing a series of processing including resist coating and developing on the substrates G. The processing unit 2 includes an interface unit 3 for transferring a substrate G between the processing unit 2 and an exposure apparatus (not shown). I have.
[0016]
The cassette station 1 includes a transfer mechanism 10 for transferring a substrate G between the cassette C and the processing unit 2. Then, the cassette C is loaded and unloaded at the cassette station 1. The transport mechanism 10 includes a transport arm 11 that can move on a transport path 10 a provided along the direction in which the cassettes are arranged. The transport arm 11 transports the substrate G between the cassette C and the processing unit 2. Done.
[0017]
The processing section 2 is divided into a front section 2a, a middle section 2b, and a rear section 2c, each having transport paths 12, 13, and 14 in the center, and processing units disposed on both sides of these transport paths. I have. And between these, the relay parts 15 and 16 are provided.
[0018]
The front section 2a includes a main transport device 17 that can move along the transport path 12. On one side of the transport path 12, two cleaning units (SCRs) 21a and 21b are disposed. On the other side of 12, a cooling unit (COL) 25, a heat treatment unit (HP) 26 and a cooling unit (COL) 27, which are stacked in two layers, are arranged.
[0019]
The middle section 2b includes a main transfer device 18 movable along the transfer path 13. On one side of the transfer path 13, a resist coating unit (CT) 22 for coating a color resist, And an edge remover (ER) 23 for removing a color resist at a peripheral portion of the substrate G. On the other side of the transport path 13, a heat treatment unit (HP) 28, a heat treatment unit A heat treatment / cooling unit (HP / COL) 29 and a cooling unit (COL) 30 in which a heat treatment / cooling unit and a cooling treatment unit are stacked vertically.
[0020]
Further, a drying processing unit (VD) 40 is provided between the resist coating processing unit (CT) 22 and the edge remover (ER) 23. Thus, the substrate G to which the color resist has been applied is transported to the drying processing unit (VD) 40 to be dried, and thereafter, the edge is removed by the edge remover (ER) 23.
[0021]
Further, the rear section 2c includes a main transport device 19 that can move along the transport path 14. On one side of the transport path 14, three development processing units 24a, 24b, and 24c are arranged. On the other side of the transport path 14, a heat treatment unit 31 that is stacked in two upper and lower stages, and two heat treatment / cooling units (HP / COL) 32 in which a heat treatment unit and a cooling unit are stacked vertically, 33 are arranged.
[0022]
The processing unit 2 includes only a spinner unit such as a cleaning unit 21a, a resist processing unit 22, and a developing unit 24a on one side of the transport path, and a heating unit on the other side. It has a structure in which only thermal processing units such as cooling units and the like are arranged.
[0023]
Further, a chemical solution supply unit 34 is arranged in a portion of the relay units 15 and 16 on the side where the spinner system unit is arranged, and further a space 35 for maintenance is provided.
[0024]
The main transfer device 17 transfers the substrate G to and from the arm 11 of the transfer mechanism 10, and loads and unloads the substrate G to and from each processing unit in the former stage 2 a, and further transfers the substrate G to and from the relay unit 15. It has a function to transfer G. In addition, the main transfer device 18 transfers the substrate G to and from the relay unit 15, and loads and unloads the substrate G from and to each processing unit in the middle unit 2 b, and further transfers the substrate G to and from the relay unit 16. Has the function of performing Further, the main transfer device 19 transfers the substrate G to and from the relay unit 16, and also loads and unloads the substrate G to and from each processing unit in the subsequent unit 2 c, and transfers the substrate G to and from the interface unit 3. Has the function of performing Note that the relay units 15 and 16 also function as cooling plates.
[0025]
The interface unit 3 includes an extension 36 for temporarily holding the substrate when transferring the substrate to and from the processing unit 2, and two buffer stages 37 provided on both sides thereof for disposing a buffer cassette. And a transport mechanism 38 for carrying in and out the substrate G between the substrate G and an exposure device (not shown). The transport mechanism 38 includes a transport arm 39 that can move on a transport path 38 a provided along the direction in which the extensions 36 and the buffer stages 37 are arranged. The transport arm 39 allows the substrate G to be moved between the processing unit 2 and the exposure apparatus. Is carried out.
By consolidating and integrating the processing units in this manner, it is possible to save space and increase processing efficiency.
[0026]
In the coating / developing processing system configured as described above, the substrate G in the cassette C is transported to the processing unit 2, where the scrubbers are firstly cleaned by the cleaning units (SCR) 21a and 21b of the former stage 2a. After being washed and dried by heating in one of the heat treatment units (HP) 26, it is cooled in one of the cooling units (COL) 27.
[0027]
Thereafter, the substrate G is transported to the middle section 2b, where a predetermined color resist is applied by the resist coating unit (CT) 22 and dried by the drying unit 40, and the edge of the substrate G is removed by the edge remover (ER) 23. The excess color resist is removed. Thereafter, the substrate G is pre-baked in one of the heat processing units (HP) in the middle section 2b, and is cooled in the lower cooling unit (COL) of the unit 29 or 30.
[0028]
Thereafter, the substrate G is transferred from the relay unit 16 to the exposure device via the interface unit 3 by the main transfer unit 19, where a predetermined pattern is exposed. Then, the substrate G is carried in again via the interface unit 3, and is subjected to development processing by any of the development processing units (DEV) 24a, 24b, and 24c. The substrate G that has been subjected to the development processing is subjected to post-bake processing in any one of the heat processing units (HP) in the subsequent section 2c, and then cooled by the cooling unit (COL).
[0029]
Such a series of processes for each color is executed according to a preset recipe. For example, the substrate G that has been subjected to the red coating, exposure, and development processing is sequentially subjected to green, blue, and black coating, exposure, and development processing, but differs in the coating processing unit (CT) 22 as described later. Other than using color nozzles, each color is processed in substantially the same manner. The completed substrate of the color filter is stored in a predetermined cassette on the cassette station 1 by the main transfer devices 19, 18, and 17 and the transfer mechanism 10.
[0030]
Next, the developing units (DEV) 24a, 24b, 24c according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a plan view of the developing unit (DEV) according to the present embodiment, FIG. 3 is a cross-sectional view thereof, and FIG. 4 is a rinsing attached to the developing unit (DEV) shown in FIGS. FIG. 5 is a cross-sectional view of the liquid injection nozzle, and FIG. 5 is a perspective view showing the nozzle of FIG.
[0031]
As shown in FIGS. 2 and 3, the developing units (DEVs) 24a, 24b, and 24c are provided with a horizontally rotatable spin chuck 41 for sucking and holding the substrate G, and the substrate held by the spin chuck 41. A cylindrical inner cup 42 surrounding G is provided, and a cylindrical outer cup 43 is provided so as to surround the outer periphery of the inner cup 42. Outside the outer cup 43, a sink 52 that covers the whole is provided.
[0032]
On one side of the outer cup 43, a developing solution nozzle arm 44 is provided. Under the developing solution nozzle arm 44, a developing solution supply nozzle 53 having a plurality of discharge ports 53a for discharging the developing solution is provided. Is provided. The nozzle arm 44 is configured to move across the substrate G along a guide rail 45 by a drive mechanism (not shown) such as a belt drive, so that when the developer is applied, the nozzle arm 44 The developing solution is discharged from a plurality of developing solution discharge ports 53a provided on the lower surface of the developing solution supply nozzle 53 onto the rotating substrate G stopped at the center of the substrate G.
[0033]
On the other side of the outer cup 43, a high-pressure rinse liquid nozzle arm 46 for moving a nozzle for injecting a rinse liquid such as pure water at a high pressure is provided. A rinsing liquid jet nozzle 47 for jetting a rinsing liquid at a high pressure is provided below the nozzle arm 46 as shown in FIGS. The rinsing liquid injection nozzle 47 has a nozzle head 48a extending along the width direction of the substrate G, and a plurality of injection units 48b provided below the nozzle head 48a. Then, a predetermined pressure (for example, 15 kg / cm2) The rinsing liquid is injected at a high pressure and at a predetermined flow rate (for example, 15 l / min). As a result, as described later, even if an excess resist remaining after reacting with the developing solution remains on the substrate G after the completion of the developing process, it can be removed by the high-pressure rinsing solution.
[0034]
The high pressure rinsing liquid nozzle arm 46 is configured to move across the substrate G along a guide rail 45 by a driving mechanism (not shown) such as a belt drive, similarly to the developing liquid nozzle arm 44. Accordingly, when the rinsing liquid is ejected, the nozzle arm 46 scans the stationary substrate G in a state where the rinsing liquid is ejected from the ejection section 48b of the rinsing liquid ejection nozzle 47 at a high pressure.
[0035]
A rinsing liquid pipe 49 extending upward is connected to the upper portion on both ends of the nozzle head 48a. A rinsing liquid is supplied to the nozzle head 48a via the pipe 49, and the rinsing liquid is connected to the nozzle arm 46 by this pipe. The nozzle head 48a is connected.
[0036]
As shown in FIGS. 4 and 5, a rinsing liquid injection nozzle 47 for injecting the rinsing liquid at a high pressure has a box-shaped cover 50 having a side wall 50a and an upper wall 50b so as to cover the side and the upper side thereof. Is provided. A predetermined gap d (for example, 2 to 5 mm) is formed between the lower end of the cover 50 and the substrate G.
[0037]
Since such a cover 50 is provided, when rinsing liquid is jetted at a high pressure from the jetting portion 48b of the rinsing liquid jetting nozzle 47 toward the substrate G, the rinsing liquid is temporarily stored on the substrate G while rinsing. A liquid film can be formed. As will be described later, the film of the rinsing liquid has a buffering action for the injected rinsing liquid, and can prevent damage to the circuit pattern and the like of the substrate G.
[0038]
A low-pressure rinsing liquid having a rinsing liquid discharge nozzle (not shown) for discharging a rinsing liquid such as pure water at a relatively low pressure is provided between the high-pressure rinsing liquid nozzle arm 46 and the outer cup 43. A nozzle arm 51 is rotatably provided around a pivot 51a. The rinsing liquid discharge nozzle at the tip of the nozzle arm 51 plays a role of, for example, rinsing the rinsing liquid at a high pressure by the rinsing liquid injection nozzle 47 and then discharging the rinsing liquid at a relatively low pressure to finish the cleaning. When discharging the rinsing liquid, the nozzle arm 51 rotates around the pivot 51a to position the rinsing liquid discharging nozzle at the center of the substrate G, and the rinsing liquid discharging nozzle rinses the rotating substrate G from the rinsing liquid discharging nozzle. The liquid is discharged.
[0039]
As shown in FIG. 3, the inner cup 42 and the outer cup 43 are connected by a connecting member 60, and can be moved up and down integrally by a lifting mechanism (not shown). The upper end of each of the inner cup 42 and the outer cup 43 is inclined inward, so that the developing solution or the rinsing liquid can be prevented from scattering outside. The upper end portion of the inner cup 42 having the smallest opening diameter has a size that can be inserted with the substrate G kept horizontal. The upper end position of the outer cup 43 is higher than the upper end position of the inner cup 42. By adjusting the rotation of the spin chuck 41, it is possible to separate and collect the developer and the rinsing liquid as described later. ing.
[0040]
Below the inner cup 42, a developer tray 55 for storing and discharging the developer flowing downward through the inner wall of the inner cup 42 or inside thereof when applying and shaking off the developer is provided with an inner cup. The tray 55 is provided with a discharge port 56. A discharge pipe 56a is connected to the discharge port 56. Further, the developing solution receiving tray 55 is inclined so as to collect the developing solution at the discharge port 56.
[0041]
Below the outer cup 43, a rinsing liquid for storing and discharging the rinsing liquid flowing downward through the inner wall of the outer cup 43 or between the outer cup 43 and the inner cup 42 when the rinsing liquid is discharged and shaken off. A liquid receiving tray 57 is provided so as to cover the bottom of the outer cup 43, and the receiving tray 57 is provided with a discharge port 58. A discharge pipe 58a is connected to the discharge port 58. The rinsing liquid receiving tray 57 is inclined so as to collect the rinsing liquid at the discharge port 58. The bottom of the sink 52 is provided with a discharge port 59 for discharging the developer and the rinsing liquid stored in the bottom.
[0042]
Next, the developing operation in the developing units (DEV) 24a, 24b, 24c configured as described above will be described.
As shown in FIG. 1, the substrate G that has been subjected to the exposure processing is carried into one of the development processing units (DEV) 24a, 24b, and 24c by the main transfer device 19.
In the development processing units (DEV) 24a, 24b, 24c, the loaded substrate G is suction-held by the spin chuck 41 as shown in FIG. The nozzle arm 44 for the developer moves and stops at the center of the substrate G along the guide rail 45, and is provided on the lower surface of a supply nozzle for the developer (not shown) while the substrate G is rotated by the spin chuck 41. The developing solution is discharged from the plurality of discharge ports and applied to the entire surface of the substrate G, and the developing process proceeds.
[0043]
Thereafter, the substrate G is rotated by the spin chuck 41 to shake off the developer. At this time, the inner cup 42 and the outer cup 43 are arranged at the raised positions shown in FIG. 3, and the spin chuck 41 is rotated at a relatively low speed of, for example, 50 to 150 rpm for 1 to 3 seconds. Accordingly, the shaken-out developer passes through the inner wall of the inner cup 42 or the inside thereof, reaches the developer receiver 55, and is collected from the outlet 56 through the discharge pipe 56a separately from the rinse liquid. Note that the developer scattered from the substrate G during the developing process also reaches the tray 55 through the inside of the inner cup 42.
[0044]
Next, while the high-pressure rinsing liquid nozzle arm 46 scans over the substrate G which is stationary along the guide rail 45, the rinsing liquid is jetted at a high pressure from the jetting part 48b of the rinsing liquid jet nozzle 47 provided thereunder. . When the rinsing liquid is ejected in this manner, the inner cup 42 and the outer cup 43 are arranged at the lowered position.
[0045]
When the rinsing liquid is ejected from the ejecting unit 48b toward the substrate G at a high pressure, the cover 50 is provided, so that a film of the rinsing liquid is formed on the substrate G while temporarily storing the rinsing liquid. After that, the rinse liquid can flow out onto the substrate G through the gap. At the start of the scan of the nozzle arm 46, there is a possibility that the film of the rinsing liquid may not be formed. However, the outer peripheral portion of the substrate G from which the scan is started is a portion that does not become a product, and after a certain period of time has elapsed after the start of the scan. Since the film of the rinsing liquid is sufficiently formed, there is substantially no adverse effect on a portion of the substrate G which will be a product.
[0046]
Thus, the rinsing liquid is sprayed at a predetermined pressure (for example, 15 kg / cm2) Since the rinsing liquid is sprayed at the above pressure and at a predetermined flow rate (for example, 15 l / min), after the development processing is completed and the reaction between the developing liquid and the resist is completed, Even if the resist remains, the remaining resist can be reliably removed by the rinsing liquid jetted at a high pressure, and when the rinsing liquid is jetted at a high pressure, the rinsing liquid Since the film is formed, damage to the substrate G, such as damage to a circuit pattern, can be avoided by the buffering action.
[0047]
Further, since the cover 50 for forming the film of the rinsing liquid is disposed with a predetermined gap d formed between the cover 50 and the substrate G, the gap d may be adjusted to, for example, 2 to 5 mm. Accordingly, the thickness of the rinse liquid film can be easily adjusted. Therefore, the thickness of the rinsing liquid film and the pressure of the rinsing liquid can be adjusted to optimize the cleaning while preventing damage to the substrate G.
[0048]
After rinsing the substrate G in this manner, the spin chuck 41 is rotated at a high speed, and the rinse liquid remaining on the substrate G is shaken off. At this time, as described above, the inner cup 42 and the outer cup 43 are disposed at the lowered position, and the spin chuck 41 is rotated at a higher rotation speed than at the time of shaking off the developer, for example, at 100 to 200 rpm for 18 seconds, It passes through the inner wall of the outer cup 43 at a position higher than the inner cup 42 or between the inner cup 42 and the rinsing liquid receiving tray 57, and is collected separately from the developer through the discharge port 58 and the discharge pipe 58a. You. Note that the rinsing liquid scattered from the substrate G when the rinsing liquid is supplied also reaches the receiving tray 57 through the space between the outer cup 43 and the inner cup 42.
[0049]
Thereafter, if necessary, the nozzle arm 51 is rotated around the pivot 51a, and the rinsing liquid discharge nozzle (not shown) is positioned at the center of the substrate G, and the rinsing liquid is supplied to the rotating substrate G at a low pressure. Discharged. Thereby, the finishing of the cleaning after the high-pressure cleaning is performed. Next, the substrate G is rotated at a high speed by the spin chuck 41 and shaken off and dried, whereby a series of development processing is completed. At the time of this shaking-off, it is collected separately from the developer via the receiving tray 57 in the same manner as in the case of the high-pressure rinsing.
[0050]
As described above, the outer cup 43 is connected to the inner cup 42 in a state where the height thereof is higher than that of the inner cup 42, and when the developer is collected, the inner cup 42 and the outer cup 43 are raised and the spin chuck is removed. Since the rotation speed of the rotating member 41 is relatively low, the developing solution passes through the inner wall and the inner side of the inner cup 42 to reach the developing solution tray 55. On the other hand, when the rinsing solution is collected, the inner cup 42 and the outer cup Since the spin chuck 41 is moved at a relatively high speed while the 43 is lowered, the rinse liquid reaches the rinse liquid tray 57 through the inner wall and the inside of the outer cup 43. Then, the developer is recovered from the receiving tray 55 via the discharge port 56 and the discharge pipe 56a, and the rinsing liquid is recovered from the receiving tray 57 via the discharge port 58 and the discharge pipe 58a.
[0051]
Therefore, the developer and the rinsing liquid can be efficiently separated, and the rinsing liquid is collected not through the sink 52 but through the tray 57, so that the rinsing liquid can be collected with high efficiency. Further, since the trays 55 and 57 are provided so as to be inclined toward the discharge ports 56 and 58, respectively, the developer and the rinsing liquid can be quickly collected.
[0052]
By the way, in the embodiment described above, the gap d between the cover 50 and the substrate G is set to, for example, 2 to 5 mm. However, a more appropriate value of the gap d and high-pressure rinsing conditions will be discussed below.
FIG. 6 is a graph showing the relationship between the transmittance and the wavelength of a glass substrate rinsed after development under the high-pressure rinse setting conditions shown in Table 1. When the rinsing liquid has a high rinsing effect of removing the resist remaining on the substrate and the development processing is performed well, the residue of the resist decreases and the transmittance of the substrate increases. In the graph of FIG. 6, curves 1, 2, 3, 4, 5, and 6 correspond to sample Nos. Under the high-pressure rinse setting conditions shown in Table 1. 1, 2, 3, 4, 5, and 6, respectively. For high-pressure rinsing, a cover having a lower surface dimension (inner dimension of a plane parallel to the substrate) of 40 (mm) × 400 (mm) was used.
[0053]
[Table 1]
Figure 0003576899
[0054]
As shown in FIG. Under the high-pressure rinsing conditions of 3 and 6, the transmittance is 99% or more in the entire wavelength range of 400 to 700 nm, the rinsing effect is high, and the development processing is performed extremely well. As shown in Table 1, the sample No. Sample No. 3 is a condition in which the gap d is 3 mm, the flow rate is 11.0 (l / min), and the number of scans is 2 (reciprocation). 6 is a condition in which the gap d is 5 mm, the flow rate is 11.0 (l / min), and the number of scans is one.
[0055]
In addition, sample Nos. Under the same conditions except for the number of scans were used. Comparing the results of Sample Nos. 2 and 3, Sample No. No. 3 has a higher transmittance. This result indicates that the greater the number of scans, the higher the rinsing effect. Further, the sample No. was set under the same conditions except for the gap d. When the results of Samples Nos. 2 and 5 are compared, almost the same transmittance is obtained at a wavelength shorter than 570 nm. 5 has a higher transmittance. This result indicates that the rinsing effect is higher under the condition that the gap d is large, but it is not preferable that the gap d exceeds 5 mm because it becomes difficult to form a rinse liquid film in the cover.
[0056]
Considering the relationship between the high pressure rinsing setting conditions and the obtained transmittance and wavelength, the gap d: 3 (mm), the flow rate: 11 (l / min), the number of scans: 2 (reciprocation), the scan speed : 500 (mm / s) is practical. By setting the gap d, the flow rate, and the like as described above, the rinsing liquid is effectively retained on the substrate, and a good rinsing effect can be obtained.
[0057]
In order to improve the rinsing effect, it is effective to use a nitrogen bubbling method in which nitrogen is jetted into a rinsing liquid retained on the substrate during high-pressure rinsing to form bubbles. Hereinafter, a configuration for performing the nitrogen bubbling method and an operation thereof will be described. FIG. 7 is a sectional view of a cover 50 provided with pipes 61a, 61b and 61c as nitrogen bubbling means for performing the nitrogen bubbling method. FIG. 8 is a sectional view of the pipes 61a, 61b and 61c in the cover 50. FIG. 3 is a perspective view schematically showing the position of the hologram.
[0058]
The pipes 61a, 61b, 61c are attached to the inside of the cover 50 in the front side in the scanning direction and the lower part on both sides. These pipes 61a, 61b, 61c are provided with a large number of small holes 63, and a nitrogen gas supply means (not shown) is connected thereto. Nitrogen gas can be spouted from the nozzle.
[0059]
Next, the operation of performing high-pressure rinsing by the nitrogen bubbling method using the cover 50 on which the pipes 61a, 61b, and 61c are arranged as described above will be described.
In the high-pressure rinsing by the nitrogen bubbling method, the rinsing liquid is jetted from the jetting portion 48b of the rinsing liquid jet nozzle 47 at a high pressure, and the nitrogen gas is jetted from the small holes 63 of the pipes 61a, 61b, 61c. The resist remaining on the substrate is removed while bubbling the rinse liquid film formed below. By performing high-pressure rinsing while bubbling the rinsing liquid, the rinsing effect can be further improved.
[0060]
The direction in which nitrogen gas is ejected from the pipes 61a, 61b, and 61c serving as nitrogen bubbling means is best on the front side in the scanning direction, but the direction in which gas is ejected along the length direction of the rinsing liquid ejection nozzle 47 is changed. Is also good. When changing the gas jetting direction, if both ends are directed downward and the center is directed upward, the rinsing liquid is foamed mainly at both ends where the rinsing effect is low due to the low pressure of the rinsing liquid, and the This is preferable because the rinsing effect can be compensated. Further, the amount of gas jetted along the length direction of the rinsing liquid jet nozzle 47 may be changed. When changing the gas ejection amount, it is preferable to increase the ejection amount at both ends because the rinsing effect at both ends can be compensated for as described above.
[0061]
In addition, since the resist is likely to remain at both ends in the horizontal direction of the rinsing liquid injection nozzle 47 due to the rinsing liquid injection direction, only the end pipes 61b and 61c are provided as nitrogen bubbling means to reduce the rinsing effect at both ends in the horizontal direction. It may be reinforced.
[0062]
Next, another example of the development processing operation in the development processing units (DEV) 24a, 24b, 24c configured as described above will be described focusing on the supply of the rinsing liquid and the rotation speed of the substrate G. FIG. 9 is a diagram showing the rotation speed of the substrate G in the developing operation over time. In the cleaning after development, first, as shown in FIG. 9, the substrate is rotated at a speed of 50 to 100 rpm while the rinsing liquid is discharged from the rinsing liquid discharge nozzle onto the substrate. Next, once the rotation speed of the substrate is increased to 500 rpm, the speed is again reduced to 50 to 100 rpm, and scanning by high-pressure rinsing is performed while rotating the substrate at this speed. Thereafter, the rotation speed of the substrate is accelerated to 200 rpm, a normal rinse is performed while rotating the substrate at this speed, bubbles and the like generated by the high-pressure rinse are removed, and the substrate is rotated at a high speed of 2000 rpm to remove the substrate. dry.
[0063]
As described above, the developing process, the high-pressure rinsing performed while rotating the substrate at a low speed, the normal rinsing performed while rotating at a high speed, and the drying by rotating the substrate at an ultra-high speed are sequentially performed, so that the rinsing liquid is applied to the substrate. The resist remaining on the substrate can be reliably removed, and the substrate can be processed in a favorable state.
[0064]
Note that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. For example, in the above-described embodiment, a coating / developing processing system for a color filter has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to a coating / developing processing system for another substrate such as an LCD substrate. Although a box-shaped cover is used to form the rinse liquid film, the present invention is not limited to this, and any mechanism may be used as long as the rinse liquid film is formed.
[0065]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, when the rinsing liquid is jetted at a high pressure, a film of the rinsing liquid is formed on the substrate. The resist remaining on the substrate can be reliably removed while avoiding damage to the substrate. That is, since the rinsing liquid is sprayed while forming the rinsing liquid film on the substrate, if the pressure of the rinsing liquid to be sprayed and the thickness of the rinsing liquid film are adjusted, the rinsing liquid is not damaged on the substrate. The remaining resist can be reliably removed.
[0066]
Further, the rinsing liquid film forming means is disposed at a predetermined gap between the rinsing liquid injection nozzle and the substrate while surrounding the side of the rinsing liquid injection nozzle, and while temporarily storing the rinsing liquid injected from the rinsing liquid injection nozzle, By having a cover for forming a rinse liquid film thereon, when the rinse liquid is ejected at a high pressure, the cover forms a rinse liquid film on the substrate while temporarily storing the rinse liquid. Therefore, the resist remaining on the substrate can be reliably removed while avoiding damage to the substrate due to the high-pressure rinsing solution by the buffer action of the rinsing solution film. In addition, by adjusting the gap, the thickness of the rinsing liquid film can be easily adjusted, and the thickness of the rinsing liquid film and the pressure of the rinsing liquid can be adjusted to prevent damage to the substrate. The cleaning can be optimized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a system for applying and developing a color filter of an LCD to which the present invention is applied.
FIG. 2 is a plan view showing a development processing unit (DEV) according to the exemplary embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a developing unit (DEV) according to the exemplary embodiment.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a rinsing liquid injection nozzle attached to the developing unit (DEV) shown in FIGS. 2 and 3;
FIG. 5 is a partially cutaway perspective view showing a rinsing liquid injection nozzle attached to the development processing unit (DEV) shown in FIGS. 2 and 3;
FIG. 6 is a graph showing the relationship between the transmittance and the wavelength of a glass substrate rinsed after development under each high-pressure rinse setting condition.
FIG. 7 is a cross-sectional view of a cover provided with nitrogen bubbling means.
FIG. 8 is a perspective view schematically showing positions of pipes 61a, 61b, and 61c in a cover.
FIG. 9 is a diagram showing a change in the rotation speed of the substrate G in another example of the developing operation.
[Explanation of symbols]
24a, 24b, 24c; development processing unit
41; Spin chuck
42; inner cup
43; Outer cup
44; nozzle arm for developer
45; guide rail
46; Nozzle arm for high-pressure rinsing liquid
47; Rinse liquid injection nozzle
48a; nozzle head
48b; injection unit
50; cover (rinse liquid film forming means)
51; Nozzle arm for low pressure rinsing
52; sink
55; pan for developer
56; outlet
57; Rinsing pan
58; outlet
G: Color filter substrate

Claims (7)

露光処理後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理装置であって、
基板に現像液を供給して塗布し、基板上で現像処理するための現像液供給ノズルと、
基板の現像処理後に、リンス液を高圧で基板に噴射するリンス液噴射ノズルと、
このリンス液噴射ノズルによるリンス液の噴射の際、基板上にリンス液の膜を形成するリンス液膜形成手段と
を具備し、
前記リンス液膜形成手段は、前記リンス液噴射ノズルの側方を囲うとともに基板との間に所定隙間をおいて配置され、リンス液噴射ノズルから噴射されたリンス液を一時的に貯留しながら基板上にリンス液の膜を形成するカバーを有し、
前記カバーと基板との所定隙間は、基板上にリンス液の膜を形成できるとともに、リンス液の圧力を所定以上に維持できる隙間に設定されていることを特徴とする現像処理装置。A developing processing apparatus for performing a developing process by applying a developing solution to the substrate after the exposure process,
A developer supply nozzle for supplying and applying a developer to the substrate, and performing a development process on the substrate;
A rinsing liquid injection nozzle that injects a rinsing liquid onto the substrate at a high pressure after the development processing of the substrate,
Rinsing liquid film forming means for forming a film of the rinsing liquid on the substrate when the rinsing liquid is injected by the rinsing liquid injection nozzle ,
The rinsing liquid film forming means is disposed at a predetermined gap between the substrate and the side of the rinsing liquid injection nozzle and is disposed at a predetermined gap between the substrate and the substrate while temporarily storing the rinsing liquid injected from the rinsing liquid injection nozzle. Having a cover for forming a rinse liquid film thereon,
The development processing apparatus is characterized in that the predetermined gap between the cover and the substrate is set so that a film of a rinsing liquid can be formed on the substrate and the pressure of the rinsing liquid can be maintained at a predetermined level or more . 露光処理後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理装置であって、A developing apparatus for performing a developing process by applying a developing solution to the substrate after the exposure process,
基板に現像液を供給して塗布し、基板上で現像処理するための現像液供給ノズルと、  A developing solution supply nozzle for supplying and applying a developing solution to the substrate, and performing a developing process on the substrate;
基板の現像処理後に、リンス液を高圧で基板に噴射するリンス液噴射ノズルと、  A rinsing liquid injection nozzle that injects a rinsing liquid onto the substrate at a high pressure after the development processing of the substrate;
このリンス液噴射ノズルによるリンス液の噴射の際、基板上にリンス液の膜を形成するリンス液膜形成手段と、  A rinsing liquid film forming means for forming a rinsing liquid film on the substrate when the rinsing liquid is injected by the rinsing liquid injection nozzle;
前記リンス液噴射ノズルによるリンス液の噴射後、所定圧力以下でリンス液を基板に吐出するリンス液吐出ノズルと  A rinsing liquid ejection nozzle that ejects the rinsing liquid to the substrate at a predetermined pressure or less after the rinsing liquid is injected by the rinsing liquid injection nozzle;
を具備することを特徴とする現像処理装置。A development processing apparatus comprising: 露光処理後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理装置であって、A developing apparatus for performing a developing process by applying a developing solution to the substrate after the exposure process,
基板に現像液を供給して塗布し、基板上で現像処理するための現像液供給ノズルと、  A developing solution supply nozzle for supplying and applying a developing solution to the substrate, and performing a developing process on the substrate;
基板の現像処理後に、リンス液を高圧で基板に噴射するリンス液噴射ノズルと、  A rinsing liquid injection nozzle that injects a rinsing liquid onto the substrate at a high pressure after the development processing of the substrate;
このリンス液噴射ノズルによるリンス液の噴射の際、基板上にリンス液の膜を形成するリンス液膜形成手段と  A rinsing liquid film forming means for forming a rinsing liquid film on the substrate when the rinsing liquid is injected by the rinsing liquid injection nozzle;
を具備し、With
前記リンス液噴射ノズルは、前記リンス液の膜を泡立てる窒素バブリング手段を有することを特徴とする現像処理装置。  The development processing apparatus according to claim 1, wherein the rinsing liquid injection nozzle includes nitrogen bubbling means for bubbling a film of the rinsing liquid. 前記窒素バブリング手段は、前記リンス液の膜の中に窒素ガスを噴出させる手段により構成されることを特徴とする請求項３に記載の現像処理装置。4. The development processing apparatus according to claim 3 , wherein the nitrogen bubbling unit includes a unit that ejects a nitrogen gas into the film of the rinsing liquid. 前記リンス液噴射ノズルは、リンス液を噴射した状態で、静止または低速で回転している基板上を移動されることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の現像処理装置。The rinsing liquid injection nozzle, while injecting a rinse solution, developed according to any one of claims 1 to 4, characterized in that it is moved on the substrate being rotated at a stationary or slow Processing equipment. 前記リンス液噴射ノズルは、基板上を横切るように移動されることを特徴とする請求項５に記載の現像処理装置。The developing apparatus according to claim 5 , wherein the rinsing liquid injection nozzle is moved so as to cross over the substrate. 前記リンス液噴射ノズルは、基板Ｇの幅方向に沿って延在するノズルヘッドと、ノズルヘッドの下側に設けられた複数の噴射部とを有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の現像処理装置。The rinsing liquid injection nozzle includes a nozzle head extending along the width direction of the substrate G, either of claims 1 and having a plurality of ejection portions provided on the lower side of the nozzle head 6 2. The development processing apparatus according to claim 1.
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