KR101371971B1 - 파장 변환 입자 및 그것을 이용한 파장 변환 부재 및 발광 장치 - Google Patents
파장 변환 입자 및 그것을 이용한 파장 변환 부재 및 발광 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101371971B1 KR101371971B1 KR1020127010434A KR20127010434A KR101371971B1 KR 101371971 B1 KR101371971 B1 KR 101371971B1 KR 1020127010434 A KR1020127010434 A KR 1020127010434A KR 20127010434 A KR20127010434 A KR 20127010434A KR 101371971 B1 KR101371971 B1 KR 101371971B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light
- wavelength conversion
- particle
- refractive index
- phosphor particles
- Prior art date
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 263
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 127
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 155
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 42
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 32
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000010335 hydrothermal treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 16
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 11
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 2
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007116 SnPb Inorganic materials 0.000 description 1
- LNKWAVLAOSVMOE-UHFFFAOYSA-N Thelepin Natural products O1C=2C(Br)=CC(CO)=CC=2CC21C=C(Br)C(=O)C(Br)=C2 LNKWAVLAOSVMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
파장 변환 부재(70)의 파장 변환 입자(7)는, 형광체 입자(71)의 표면측에 미세 요철 구조를 갖는 모스-아이형 구조부(74)를 구비하고, 당해 미세 요철 구조가 형광체 입자(71) 자체에 형성되어 있다. 파장 변환 부재(70)는, 파장 변환 입자(7)가 당해 파장 변환 입자(7)의 형광체 입자(71)보다도 굴절률이 작은 투광성 매체(73)에 분산되어 이루어지고, 형광체 입자(71)의 표면측에, 모스-아이형 구조부(74)와 모스-아이형 구조부(74)의 가늘어지는 형상의 미세 돌기(75) 사이에 들어간 투광성 매체(73)로 구성되는 반사 방지부(76)를 구비하고 있다. 발광 장치(1)는, LED칩(10)으로부터 방사되는 광의 일부를 당해 광보다도 장파장의 광으로 변환하여 방사하는 색변환 부재로서 파장 변환 부재(70)를 이용하고 있다.
Description
본 발명은, 형광체 입자를 이용해서 형성된 파장 변환 입자 및 그것을 이용한 파장 변환 부재 및 발광 장치에 관한 것이다.
종래부터, LED칩을 이용한 LED 램프는, 신호등, 휴대전화기, 각종 전식(電飾), 차재용 표시기, 각종 표시장치 등, 많은 분야에 이용되고 있다. 또, LED칩과 LED칩으로부터 방사된 광에 의해 여기되어 LED칩보다도 장파장의 광을 방사하는 형광체 입자를 조합하여 LED칩의 발광색과는 상이한 색조의 광을 내는 발광 장치의 연구 개발이 각처에서 행해지고 있다. 이런 종류의 발광 장치로는, 예를 들면, LED칩과 형광체를 조합하여 백색의 광(백색광의 발광 스펙트럼)을 얻는 백색 발광 장치(일반적으로 백색 LED라고 함)의 상품화가 이루어지고 있으며, 액정 표시기의 백 라이트, 소형 스트로보 등으로의 응용이 활발해지고 있다.
또, 최근의 백색 LED의 고출력화에 수반해서, 백색 LED를 조명 용도로 전개하는 연구 개발이 활발해지고 있으며, 긴 수명·수은 프리와 같은 장점을 살림으로써, 환경 부하가 작은 형광등 대체광원으로서 기대되고 있다.
상술한 백색 LED로는, 예를 들면, 청색광을 방사하는 LED칩과, 형광체 입자(적색 형광체 입자, 녹색 형광체 입자)를 이용해서 형성한 파장 변환 입자를 투광성 매체(실리콘 수지, 유리 등)에 분산시킨 파장 변환 부재(색변환 부재)를 조합한 발광 장치가 있다(예를 들면, 일본 특허 공개 2007－324475호 공보 참조).
여기서, 상기 문헌에 개시된 파장 변환 부재는, 형광체 입자(적색 형광체 입자, 녹색 형광체 입자)가 투광성 피막으로 덮인 파장 변환 입자를 이용하고 있으며, 투광성 피막의 재료로서, 형광체 입자의 굴절률과 투광성 매체의 굴절률의 중간 굴절률인 것을 이용하고 있다. 그러나, 이 파장 변환 부재에서는, LED칩으로부터 방사되는 광이 형광체 입자 내에 입사하는 효율(형광체 입자로의 여기광의 입사 효율) 및 형광체 입자로부터의 변환광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
그러나, 상기 문헌에 개시된 파장 변환 부재에서는, 도 8a에 나타낸 바와 같이, 형광체 입자(171)의 굴절률을 n11, 투광성 매체(173)의 굴절률을 n13, 투광성 피막(172)의 굴절률을 n12로 하면, n13＜n12＜n11이다. 그리고, 도 8b에 나타낸 바와 같이 형광체 입자(171)의 표면의 법선 방향에서 굴절률이 단계적으로 변화하고 있다. 이 파장 변환 부재에서는, 투광성 매체(173)와 투광성 피막(172)의 계면, 투광성 피막(172)과 형광체 입자(171)의 계면 각각에서 LED칩으로부터의 여기광의 일부는 프레넬 반사한다. 이 때문에, 형광체 입자(171)로의 여기광의 입사 효율의 보다 한층의 향상이 요망되고 있다. 또, 상술한 파장 변환 부재에서는, 형광체 입자(171)의 굴절률 n11에 비해 투광성 피막(172)의 굴절률 n12가 작아져 있다. 그 결과, 형광체 입자(171)와 투광성 피막(172)의 계면에서 형광체 입자(171)로부터의 변환광이 전반사되는 전반사각이 존재하므로, 형광체 입자(171)로부터의 변환광의 취출 효율의 보다 한층의 향상이 요망되고 있다.
여기서, 본 발명의 목적은, 형광체 입자로의 여기광의 입사 효율의 보다 한층의 향상 및 형광체 입자로부터의 변환광의 취출 효율의 보다 한층의 향상을 도모할 수 있는 파장 변환 입자 및 그것을 이용한 파장 변환 부재 및 발광 장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 파장 변환 입자는, 형광체 입자를 이용해서 형성되며 입사한 여기광을 흡수하여 여기광보다도 장파장의 광을 방사한다. 본 발명의 제1의 특징에 있어서, 파장 변환 입자는, 형광체 입자의 표면측에 미세 요철 구조를 갖는 모스-아이형 구조부를 구비하고, 당해 미세 요철 구조가 형광체 입자 자체에 형성된다.
이 발명에 의하면, 형광체 입자의 표면측에 미세 요철 구조를 갖는 모스-아이형 구조부를 구비하고, 당해 미세 요철 구조가 형광체 입자 자체에 형성되어 있으므로, 프레넬 반사의 억제에 의해 형광체 입자로의 여기광의 입사 효율의 보다 한층의 향상 및 형광체 입자로부터의 변환광의 취출 효율의 보다 한층의 향상을 도모할 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 파장 변환 입자는, 상기 형광체 입자의 상기 표면측에, 투광성의 금속 산화물층이 형성되어 이루어지는 것이 바람직하다.
이 발명에 의하면, 금속 산화물층이, 외부로부터의 수분이 상기 형광체 입자로 도달하는 것을 저지하는 배리어층으로서 기능하므로, 내습성을 향상시킬 수 있으므로(습도의 영향으로 상기 형광체 입자의 특성이 열화 하는 것을 억제할 수 있다), 상기 형광체 입자의 재료의 선택의 자유도가 높아진다.
본 발명의 제2의 특징에 있어서, 파장 변환 부재는, 형광체 입자를 이용해서 형성되며 입사한 여기광을 흡수하여 여기광보다도 장파장의 광을 방사하는 파장 변환 입자이며, 형광체 입자의 표면측에 미세 요철 구조를 갖는 모스-아이형 구조부를 구비하고, 당해 미세 요철 구조가 형광체 입자 자체에 형성되어 이루어지는 상기 파장 변환 입자가, 상기 형광체 입자보다도 굴절률이 작은 투광성 매체에 분산되어 이루어지고, 상기 형광체 입자의 상기 표면측에, 상기 모스-아이형 구조부와 상기 모스-아이형 구조부의 가늘어지는 형상의 미세 돌기 사이에 들어간 상기 투광성 매체로 구성되는 반사 방지부를 구비하여 이루어진다.
이 발명에 의하면, 상기 형광체 입자의 표면측에, 상기 모스-아이형 구조부와 상기 모스-아이형 구조부의 가늘어지는 형상의 미세 돌기 사이에 들어간 투광성 매체로 구성되는 반사 방지부를 구비하고, 상기 모스-아이형 구조부의 각 미세 돌기가, 형광체 입자 자체에 형성되어 있으므로, 상기 반사 방지부의 두께 방향에서 상기 반사 방지부의 유효 굴절률이 상기 형광체 입자의 굴절률과 상기 투광성 매체의 굴절률 사이에서 연속적으로 변화하기 때문에, 상기 형광체 입자로의 여기광의 입사 효율의 보다 한층의 향상 및 상기 형광체 입자로부터의 변환광의 취출 효율의 보다 한층의 향상을 도모할 수 있다.
본 발명의 제3의 특징에 있어서, 파장 변환 부재는, 형광체 입자를 이용해서 형성되며 입사한 여기광을 흡수하여 여기광보다도 장파장의 광을 방사하는 파장 변환 입자이며, 형광체 입자의 표면측에 미세 요철 구조를 갖는 모스-아이형 구조부를 구비하고, 당해 미세 요철 구조가 형광체 입자 자체에 형성되어 이루어지고, 상기 형광체 입자의 상기 표면측에, 투광성의 금속 산화물층이 형성되어 이루어지는 상기 파장 변환 입자가, 상기 형광체 입자보다도 굴절률이 작고, 또한 상기 금속 산화물층과 대략 동일한 굴절률을 갖는 투광성 매체에 분산되어 이루어지고, 상기 형광체 입자의 표면측에, 상기 모스-아이형 구조부와 상기 모스-아이형 구조부의 가늘어지는 형상의 미세 돌기 사이에 들어간 상기 금속 산화물층으로 구성되는 반사 방지부를 구비한다.
이 발명에 의하면, 상기 형광체 입자의 표면측에, 상기 모스-아이형 구조부와 상기 모스-아이형 구조부의 가늘어지는 형상의 미세 돌기 사이에 들어간 상기 금속 산화물층으로 구성되는 반사 방지부를 구비하고, 상기 모스-아이형 구조부의 각 미세 돌기가, 형광체 입자 자체에 형성되어 있으므로, 상기 반사 방지부의 두께 방향에서 상기 반사 방지부의 유효 굴절률이 상기 형광체 입자의 굴절률과 상기 투광성 매체의 굴절률 사이에서 연속적으로 변화하기 때문에, 상기 형광체 입자로의 여기광의 입사 효율의 보다 한층의 향상 및 상기 형광체 입자로부터의 변환광의 취출 효율의 보다 한층의 향상을 도모할 수 있는데다가, 상기 금속 산화물층의 굴절률이 상기 투광성 매체의 굴절률과 대략 동일함에 따라, 내습성을 향상시키면서도, 상기 모스-아이형 구조부의 반사 방지 효과의 저하를 억제할 수 있음과 더불어 여기광의 반사를 억제할 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 상기 투광성 매체는, 실리콘 수지 혹은 유리인 것이 바람직하다.
이 발명에 의하면, 상기 형광체 입자의 여기광으로서 일반적인 청색광이나 자외광을 채용한 경우에 상기 투광성 매체가 여기광에 의해 열화하는 것을 억제할 수 있다.
본 발명의 제4의 특징에 있어서, 발광 장치는, LED칩과, LED칩으로부터 방사되는 광의 일부를 당해 광보다도 장파장의 광으로 변환하여 방사하는 색변환 부재를 구비하고, 당해 색변환 부재로서 상기 파장 변환 부재를 이용해서 이루어진다.
이 발명에 의하면, LED칩으로부터 방사되는 광의 일부를 당해 광보다도 장파장의 광으로 변환하여 방사하는 색변환 부재로서 상기 파장 변환 부재를 이용하고 있으므로, 색변환 부재에 있어서의 상기 형광체 입자로의 여기광의 입사 효율의 보다 한층의 향상 및 상기 형광체 입자로부터의 변환광의 취출 효율의 보다 한층의 향상을 도모할 수 있어, 광출력의 고출력화를 도모할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태를 더욱 상세하게 기술한다. 본 발명의 다른 특징 및 이점은, 이하의 상세한 기술 및 첨부 도면과 관련해서 한층 잘 이해되는 것이다.
도 1a는 본 발명의 실시형태 1을 나타내며, 파장 변환 부재를 이용한 발광 장치의 개략 단면도이다.
도 1b는 본 발명의 실시형태 1의 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 1c는 본 발명의 실시형태 1의 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 1d는 본 발명의 실시형태 1의 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태 1의 발광 장치의 개략 분해 사시도이다.
도 3a는 본 발명의 실시형태 1의 파장 변환 입자의 제조 방법의 설명도이다.
도 3b는 본 발명의 실시형태 1의 파장 변환 입자의 제조 방법의 설명도이다.
도 3c는 본 발명의 실시형태 1의 파장 변환 입자의 제조 방법의 설명도이다.
도 4a는 본 발명의 실시형태 1의 이상적인 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 4b는 본 발명의 실시형태 1의 이상적인 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 5a는 본 발명의 실시형태 2를 나타내며, 파장 변환 부재를 이용한 발광 장치의 개략 단면도이다.
도 5b는 본 발명의 실시형태 2의 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 5c는 본 발명의 실시형태 2의 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 5d는 본 발명의 실시형태 2의 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 6a는 본 발명의 실시형태 2의 파장 변환 입자의 제조 방법의 설명도이다.
도 6b는 본 발명의 실시형태 2의 파장 변환 입자의 제조 방법의 설명도이다.
도 6c는 본 발명의 실시형태 2의 파장 변환 입자의 제조 방법의 설명도이다.
도 7은 본 발명의 실시형태 2의 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 8a는 종래예를 나타내는 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 8b는 종래예를 나타내는 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 1a는 본 발명의 실시형태 1을 나타내며, 파장 변환 부재를 이용한 발광 장치의 개략 단면도이다.
도 1b는 본 발명의 실시형태 1의 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 1c는 본 발명의 실시형태 1의 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 1d는 본 발명의 실시형태 1의 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태 1의 발광 장치의 개략 분해 사시도이다.
도 3a는 본 발명의 실시형태 1의 파장 변환 입자의 제조 방법의 설명도이다.
도 3b는 본 발명의 실시형태 1의 파장 변환 입자의 제조 방법의 설명도이다.
도 3c는 본 발명의 실시형태 1의 파장 변환 입자의 제조 방법의 설명도이다.
도 4a는 본 발명의 실시형태 1의 이상적인 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 4b는 본 발명의 실시형태 1의 이상적인 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 5a는 본 발명의 실시형태 2를 나타내며, 파장 변환 부재를 이용한 발광 장치의 개략 단면도이다.
도 5b는 본 발명의 실시형태 2의 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 5c는 본 발명의 실시형태 2의 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 5d는 본 발명의 실시형태 2의 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 6a는 본 발명의 실시형태 2의 파장 변환 입자의 제조 방법의 설명도이다.
도 6b는 본 발명의 실시형태 2의 파장 변환 입자의 제조 방법의 설명도이다.
도 6c는 본 발명의 실시형태 2의 파장 변환 입자의 제조 방법의 설명도이다.
도 7은 본 발명의 실시형태 2의 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 8a는 종래예를 나타내는 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
도 8b는 종래예를 나타내는 파장 변환 부재의 주요부 설명도이다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는, 도 1a 및 도 2에 나타낸 바와 같이 LED칩(10)과 파장 변환 부재(70)를 구비한 발광 장치(1)에 대해서 설명한 후에, 형광체 입자(71)를 이용해서 형성된 파장 변환 입자(7) 및 그것을 이용한 파장 변환 부재(70)에 대해서 설명한다.
본 실시형태에 있어서의 발광 장치(1)는, LED칩(10)과, 일표면측에 LED칩(10)으로의 급전용 도체 패턴(23, 23)을 갖고 LED칩(10)이 상기 일표면측에 실장된 직사각형 판형상의 실장 기판(20)을 구비하고 있다. 또, 발광 장치(1)는, LED칩(10)으로부터 방사된 광의 배광을 제어하는 투광성 재료로 이루어지는 돔형상의 광학 부재(60)를 구비하고 있다. 이 광학 부재(60)는, 실장 기판(20) 사이에 LED칩(10)을 수납하는 형태로 실장 기판(20)의 상기 일표면측에 고착되어 있다. 또, 발광 장치(1)는, LED칩(10)에 전기적으로 접속된 금속 세선(예를 들면, 금 세선, 알루미늄 세선 등)으로 이루어지는 복수개(본 실시형태에서는, 2개)의 본딩 와이어(14)를 갖고 있다. 또, 발광 장치(1)는, 광학 부재(60)와 실장 기판(20)으로 둘러싸인 공간에 채워지고 LED칩(10) 및 각 본딩 와이어(14)를 시일링한 투광성의 시일링 재료로 이루어지는 시일링부(50)를 구비하고 있다. 또한, 발광 장치(1)는, LED칩(10)으로부터 방사된 광(여기광)에 의해 여기되어 여기광보다도 장파장의 광(LED칩(10)의 발광색과는 상이한 색의 광으로 이루어지는 변환광)을 방사하는 형광체 입자(71)(도 1b 참조)가 투광성 매체(73)(도 1b 참조)에 분산된 파장 변환 부재(색변환 부재)(70)를 구비하고 있다. 이 파장 변환 부재(70)는, 돔형상으로 형성되어 있으며, 실장 기판(20)의 상기 일표면측에서 실장 기판(20) 사이에 LED칩(10) 등을 둘러싸는 형태로 설치된다. 여기서, 광학 부재(60)와 파장 변환 부재(70) 사이에 기체층(예를 들면, 공기층 등)(80)이 형성되어 있다. 여기에서, 실장 기판(20)의 상기 일표면에 있어서 광학 부재(60)의 외측에는, 광학 부재(60)를 실장 기판(20)에 고착시킬 때에 상기 공간으로부터 흘러나온 시일링 수지를 막는 환상의 제방부(27)가 돌출 설치되어 있다.
LED칩(10)은, 청색광을 방사하는 GaN계의 청색 LED칩이며, 결정 성장용 기판으로서 사파이어 기판에 비해 격자 상수나 결정 구조가 GaN에 가깝고 또한 도전성을 갖는 n형의 SiC 기판을 이용하고 있다. 그리고, 이 LED칩(10)은, SiC 기판의 주 표면측에 GaN계 화합물 반도체 재료에 의해 형성되며 예를 들면 더블헤테로 구조를 갖는 적층 구조부로 이루어지는 발광부가 에피택셜 성장법(예를 들면, MOVPE법 등)에 의해 성장되어 있다. 여기서, LED칩(10)은, 일표면측(도 1a에서의 상면측)에 애노드 전극(도시하지 않음)이 형성되고, 타표면측(도 1a에서의 하면측)에 캐소드 전극(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 상기 캐소드 전극 및 상기 애노드 전극은, Ni막과 Au막의 적층막에 의해 구성되어 있다. 상기 캐소드 전극 및 상기 애노드 전극의 재료는, 특별히 한정되는 것이 아니라, 양호한 오믹 특성이 얻어지는 재료면 되고, 예를 들면, Al 등을 채용해도 된다. 또, LED칩(10)의 구조는 특별히 한정되는 것이 아니라, 예를 들면, 결정 성장용 기판의 주 표면측에 발광부 등을 에피택셜 성장시킨 후에, 발광부를 지지하는 지지 기판(예를 들면, Si기판 등)을 발광부에 고착시킨 후에, 결정 성장용 기판 등을 제거한 것을 이용해도 된다.
실장 기판(20)은, 열전도성 재료로 이루어지고 LED칩(10)이 탑재되는 직사각형 판형상의 전열판(21)과, 전열판(21)의 일면측(도 1a에서의 상면측)에 예를 들면 폴리오레핀계의 고착 시트(29)(도 2 참조)를 통해 고착된 직사각형 판형상의 플렉시블 프린트 배선판으로 이루어지는 배선 기판(22)으로 구성되어 있다. 이 실장 기판(20)은, 배선 기판(22)의 중앙부에, 전열판(21)에서의 LED칩(10)의 실장면(상기 일면의 일부)을 노출시키는 직사각형 형상의 창공(窓孔)(24)이 형성되어 있다. 그리고, 실장 기판(20)은, LED칩(10)이, 창공(24)의 내측에 배치된 후술하는 서브 마운트 부재(30)를 통해 전열판(21)에 탑재되어 있다. 따라서, LED칩(10)에서 발생한 열이 배선 기판(22)을 통하지 않고 서브 마운트 부재(30) 및 전열판(21)에 전열되도록 되어 있다.
상술한 배선 기판(22)은, 폴리이미드 필름으로 이루어지는 절연성 기재(基材)(22a)의 일표면측에, LED칩(10)으로의 급전용 한 쌍의 도체 패턴(23, 23)이 설치되어 있다. 또한, 배선 기판(22)은, 각 도체 패턴(23, 23) 및 절연성 기재(22a)에서 도체 패턴(23, 23)이 형성되어 있지 않은 부위를 덮는 백색계의 레지스트(수지) 로 이루어지는 보호층(26)이 적층되어 있다. 따라서, 발광 장치(1)에서는, LED칩(10)의 측면으로부터 방사되어 보호층(26)의 표면에 입사된 광이, 보호층(26)의 표면에서 반사되므로, LED칩(10)으로부터 방사된 광이 배선 기판(22)에 흡수되는 것을 방지할 수 있어, 외부로의 광 취출 효율의 향상에 따른 광 출력의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 각 도체 패턴(23, 23)은, 절연성 기재(22a)의 외주 형상의 반분보다도 약간 작은 외주 형상으로 형성되어 있다. 또, 절연성 기재(22a)의 재료로는, 글라스 클로스 에폭시 수지(FR4, FR5), 페이퍼 페놀 등을 채용해도 된다.
보호층(26)은, 배선 기판(22)의 창공(24)의 근방에서 각 도체 패턴(23, 23)의 2개소가 노출되고, 배선 기판(22)의 둘레부에서 각 도체 패턴(23, 23)의 1개소가 노출되도록 패터닝되어 있다. 여기서, 각 도체 패턴(23, 23)은, 배선 기판(22)의 창공(24) 근방에서 노출된 2개의 직사각형 형상의 부위가, 본딩 와이어(14)가 접속되는 단자부(23a)를 구성하고, 배선 기판(22)의 둘레부에서 노출된 원형 형상의 부위가, 외부 접속용 전극부(23b)를 구성한다. 또한, 배선 기판(22)의 도체 패턴(23, 23)은, Cu막과 Ni막과 Au막의 적층막에 의해 구성되어 있다.
그런데, LED칩(10)은, LED칩(10)과 전열판(21)의 선팽창률의 차에 기인해 LED칩(10)에 작용하는 응력을 완화하는 상술한 서브 마운트 부재(30)를 통해 전열판(21)에 탑재되어 있다. 여기서, 서브 마운트 부재(30)는, LED칩(10)의 칩 사이즈보다도 큰 사이즈의 직사각형 판형상으로 형성되어 있다.
서브 마운트 부재(30)는, 상기 응력을 완화하는 기능 뿐만이 아니라, LED칩(10)에서 발생한 열을 전열판(21)에 있어서 LED칩(10)의 칩 사이즈보다도 넓은 범위에 전열시키는 열전도 기능을 갖고 있다. 따라서, 본 실시형태에 있어서의 발광 장치(1)에서는, LED칩(10)과 전열판(21)의 선팽창률차에 기인해 LED칩(10)에 작용하는 상기 응력을 완화할 수 있음과 더불어, LED칩(10)이 서브 마운트 부재(30)를 통해 전열판(21)에 탑재되어 있으므로, LED칩(10)에서 발생한 열을 서브 마운트 부재(30) 및 전열판(21)을 통해 효율적으로 방열시킬 수 있다.
서브 마운트 부재(30)의 재료로는, 열전도율이 비교적 높고 또한 절연성을 갖는 AlN를 채용하고 있다. 그리고, LED칩(10)은, 상기 캐소드 전극이, 서브 마운트 부재(30)에 있어서의 LED칩(10)측의 표면에 설치된 전극 패턴(도시하지 않음) 및 본딩 와이어(14)를 통해 한쪽의 도체 패턴(23)과 전기적으로 접속되어 있다. 또, LED칩(10)은, 상기 애노드 전극이, 본딩 와이어(14)를 통해 한쪽의 도체 패턴(23)과 전기적으로 접속되어 있다. 또한, LED칩(10)과 서브 마운트 부재(30)는, 예를 들면, SnPb, AuSn, SnAgCu 등의 땜납이나, 은페이스트 등을 이용해서 접합하면 되는데, AuSn, SnAgCu 등의 납프리 땜납을 이용해서 접합하는 것이 바람직하다. 서브 마운트 부재(30)의 재료가 Cu이고, AuSn를 이용해서 접합하는 경우에는, 서브 마운트 부재(30) 및 LED칩(10)에 있어서의 접합 표면에 미리 Au 또는 Ag로 이루어지는 금속층을 형성하는 사전 처리가 필요하다. 또, 서브 마운트 부재(30)와 전열판(21)은, 예를 들면, AuSn, SnAgCu 등의 납프리 땜납을 이용해서 접합하는 것이 바람직하다. 여기서, AuSn를 이용해 접합하는 경우에는, 전열판(21)에 있어서의 접합 표면에 미리 Au 또는 Ag로 이루어지는 금속층을 형성하는 사전 처리가 필요하다.
서브 마운트 부재(30)의 재료는 AlN에 한정되지 않고, 선팽창률이 결정 성장용 기판의 재료인 6H－SiC에 비교적 가깝고 또한 열전도율이 비교적 높은 재료이면 된다. 예를 들면, 복합 SiC, Si, Cu, CuW 등을 채용해도 된다. 또한, 발광 장치(1)는, 서브 마운트 부재(30)가, 상술한 열전도 기능을 갖고 있으므로, 전열판(21)에 있어서의 LED칩(10)측의 표면의 면적이, LED칩(10)에 있어서의 전열판(21)측의 표면의 면적보다도 충분히 큰 것이 바람직하다.
또, 본 실시형태에 있어서의 발광 장치(1)에서는, 서브 마운트 부재(30)의 두께 치수를, 당해 서브 마운트 부재(30)의 표면이 배선 기판(22)의 보호층(26)의 표면보다도 전열판(21)으로부터 멀어지도록 설정해 둔다. 따라서, 발광 장치(1)에서는, LED칩(10)으로부터 측방에 방사된 광이 배선 기판(22)의 창공(24)의 내주면을 통해 배선 기판(22)에 흡수되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 서브 마운트 부재(30)에 있어서는, LED칩(10)이 접합되는 측의 표면에 있어서의 LED칩(10)과의 접합 부위의 주위에, LED칩(10)으로부터 방사된 광을 반사하는 반사막을 형성하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 발광 장치(1)에 있어서, LED칩(10)의 측면으로부터 방사된 광이 서브 마운트 부재(30)에 흡수되는 것을 방지할 수 있어, 외부로의 광 취출 효율을 더욱 향상시키는 것이 가능해진다. 여기서, 반사막은, 예를 들면, Ni막과 Ag막의 적층막에 의해 구성하면 된다.
상술한 시일링부(50)의 재료인 시일링 재료로는, 실리콘 수지를 이용하고 있는데, 실리콘 수지로 한정되지 않고, 예를 들면, 유리 등을 이용해도 된다. 또, 시일링 재료로는, 실리콘 수지 중에 Si에 추가해 Ti나 Zr, Al, Y, Ge 등의 다른 금속 성분, 예를 들면 금속 산화물 나노 입자를 함유하는 수지·입자 복합체(나노 컴포지트)나, 상술한 금속 성분을 수지 골격 중에 함유하는 실리콘 수지 하이브리드 재료를 이용해도 된다. 또한, 금속 성분 이외에, 예를 들면 올레핀과 같은 수지 성분과 실리콘 수지 성분을 복합시킨 실리콘 수지 하이브리드 재료를 이용해도 된다. 또, 시일링 재료의 유리로는, Ti나 Zr, Al, Y, Ge 등의 금속 원소를 첨가함으로써 굴절률이나 융점을 조정한 유리 재료를 이용해도 된다.
광학 부재(60)는, 투광성 재료(예를 들면, 실리콘 수지, 유리 등)의 성형품이며 돔형상으로 형성되어 있다. 여기서, 광학 부재(60)를 실리콘 수지의 성형품에 의해 구성하면, 광학 부재(60)와 시일링부(50)의 굴절률차 및 선팽창률차를 작게 할 수 있다.
또, 광학 부재(60)는, 광출사면(60b)이, 광입사면(60a)으로부터 입사한 광을 광출사면(60b)과 상술한 기체층(80)의 경계에서 전반사 시키지 않는 철곡면형상으로 형성되어 있고, LED칩(10)과 광축이 일치하도록 배치되어 있다. 따라서, 발광 장치(1)에서는, LED칩(10)으로부터 방사되어 광학 부재(60)의 광입사면(60a)에 입사된 광이, 광출사면(60b)과 기체층(80)의 경계에서 전반사 되지 않고 파장 변환 부재(70)까지 도달하기 쉬워져, 전광속(光束)을 향상시킬 수 있다. 또한, 광학 부재(60)는, 위치에 관계없이 법선 방향을 따라 두께가 균일해지도록 형성되어 있다.
파장 변환 부재(70)는, 형광체 입자(71)를 이용해서 형성된 파장 변환 입자(7)가 당해 파장 변환 입자(7)의 형광체 입자(71)보다도 굴절률이 작은 투광성 매체(예를 들면, 실리콘 수지 등)(73)에 분산되어 있고(파장 변환 입자(7)가 투광성 매체(73) 내에 산재하고 있고), 형광체 입자(71)로서, 적색 형광체 입자 및 녹색 형광체 입자를 채용하고 있다. 따라서, LED칩(10)으로부터 방사된 청색광과 파장 변환 부재(70)의 적색 형광체 입자 및 녹색 형광체 입자 각각으로부터 광이 파장 변환 부재(70)의 광출사면(외면)(70b)을 통해 방사되게 되어, 백색광을 얻을 수 있다.
파장 변환 부재(70)의 형광체 입자(71)로는, 적색 형광체 입자 및 녹색 형광체 입자를 이용하는 대신에, 예를 들면, 황색 형광체 입자를 이용해도 된다. 또, 녹색 형광체 입자와 등 주황색 형광체 입자를 이용해도 되고, 황녹색 형광체 입자와 주황색 형광체 입자를 이용해도 된다. 또, LED칩(10)으로서 청색광을 방사하는 청색 LED칩을 이용하는 대신에, 자외광을 방사하는 자외 LED칩을 이용하고, 형광체 입자(71)로서 적색 형광체 입자, 녹색 형광체 입자 및 청색 형광체 입자를 이용함으로써, 백색광을 얻도록 해도 된다.
또, 파장 변환 부재(70)의 재료로서 이용하는 투광성 매체(73)는, 실리콘 수지에 한정되지 않고, 예를 들면, 다른 수지(예를 들면, 에폭시 수지 등)나 유리여도 된다. 그러나, 실리콘 수지나 유리를 채용함으로써, 여기광으로서 일반적인 청색광이나 자외광을 채용한 경우에 투광성 매체(73)가 여기광에 의해 열화하는 것을 억제할 수 있다. 투광성 매체(73)는, 일반적인 실리콘 수지나 유리에 한정되지 않고, 실리콘 수지 중에 Si에 추가해 Ti나 Zr, Al, Y, Ge 등의 다른 금속 성분, 예를 들면 금속 산화물 나노 입자를 함유하는 수지·입자 복합체(나노 컴포지트)나, 상기 금속 성분이 분자 레벨로 혼합, 결합된 실리콘 수지 하이브리드 재료를 이용해도 된다. 또한, 금속 성분 이외에, 예를 들면 올레핀과 같은 수지 성분과 실리콘 수지 성분을 복합시킨 실리콘 수지 하이브리드 재료를 이용해도 된다. 실리콘 수지 나노 컴포지트이나 실리콘 수지 하이브리드 이외에도, 유기 성분과 무기 성분이 nm레벨 혹은 분자레벨로 혼합, 결합된 유기·무기 하이브리드 재료나 나노 컴포지트 재료 등을 채용해도 된다. 또, 투광성 매체(73)로서 이용하는 유리로는, Ti나 Zr, Al, Y, Ge 등의 금속 원소를 첨가함으로써 굴절률이나 융점을 조정한 유리 재료를 이용해도 된다.
또, 파장 변환 부재(70)는, 광입사면(내면)(70a)이 광학 부재(60)의 광출사면(60b)을 따른 형상으로 형성되어 있다. 따라서, 광학 부재(60)의 광출사면(60b)의 위치에 관계없이 법선 방향에서의 당해 광학 부재(60)의 광출사면(60b)과 파장 변환 부재(70) 사이의 거리가 대략 일정값으로 되어 있다. 또한, 파장 변환 부재(70)는, 위치에 관계없이 법선 방향을 따른 두께가 균일하게 되도록 성형되어 있다. 또, 파장 변환 부재(70)는, 실장 기판(20)측의 끝 가장자리(개구부의 둘레 가장자리)를 실장 기판(20)에 대해, 예를 들면 접착제(예를 들면, 실리콘 수지, 에폭시 수지 등)를 이용해서 고착시키면 된다.
그런데, 본 실시형태의 파장 변환 부재(70)는, 도 1b 및 1c에 나타낸 바와 같이, 형광체 입자(71)의 표면측에, 미세 요철 구조를 갖는 모스-아이형 구조부(74)와 모스-아이형 구조부(74)의 가늘어지는 형상의 미세 돌기(75) 사이에 들어간 투광성 매체(73)로 구성되는 반사 방지부(76)를 구비하고 있으며, 모스-아이형 구조부(74)의 미세 요철 구조가 형광체 입자(71) 자체에 형성되어 있다(즉, 모스-아이형 구조부(74)의 각 미세 돌기(75)가, 형광체 입자(71) 자체에 형성되어 있다).
여기서, 각 형광체 입자(71)의 표면에 미세 요철 구조를 갖는 모스-아이형 구조부(74)를 형성할 때에는, 특별히 형성 방법에 제한은 없으나, 형성 방법으로서, 케미컬 에칭이나 열처리, 물열처리, 플라즈마 에칭 처리 등을 들 수 있다. 예를 들면, 산계 용액(예를 들면, 질산의 수용액, 불산의 수용액 등)을 이용해서 각 형광체 입자(71)의 표면을 에칭함으로써, 각 형광체 입자(71) 각각에 다수의 미세 돌기(75)를 형성하고 있다. 산계 용액의 종류, 농도, 온도, 에칭 시간 등을 적절하게 설정함으로써, 미세 돌기(75)의 형상이나 크기를 제어할 수 있다. 따라서, 미세 돌기(75)의 형상을, 예를 들면 도 1b와 같은 반구형의 형상으로 하거나, 후술하는 도 4a와 같은 송곳형의 형상으로 하는 것이 가능해진다. 또, 미세 돌기(75)의 크기에 대해서는, 미세 돌기(75)간의 간격이나 미세 돌기(75)의 횡방향의 폭이나, 돌출 치수(높이 치수)를 제어하는 것이 가능해진다.
각 형광체 입자(71)의 표면에 미세 요철 구조를 갖는 모스-아이형 구조부(74)를 형성하는 방법은, 상술한 산계 용액 등을 이용한 습식 에칭법으로 한정되지 않고, 예를 들면, 열처리나 수열처리, 암모니아 가스 및 염화수소 가스 등의 가스에 노출시키는 처리, 플라즈마 에칭(플라즈마 가스 에칭) 등의 건식 에칭법이어도 된다. 여기에서, 플라즈마 에칭에 의해 각 형광체 입자(71)의 표면에 모스-아이형 구조부(74)를 형성할 때에는, 예를 들면, 각 형광체 입자(71)를 부유시킨 상태에서 Ar이온을 각 형광체 입자(71)의 표면에 충돌시켜 스패터링하면 된다(즉, 각 형광체 입자(71)의 표면을 물리적으로 에칭하면 된다).
또, 각 형광체 입자(71)의 표면을 에칭하기 전에, 미리, 도 3a에 나타낸 바와 같이 각 형광체 입자(71) 각각의 표면을 각 형광체 입자(71)보다도 입자 직경(평균 입자 직경)이 작은 다수의 미립자(78)로 부분적으로 마스킹하도록 하고, 도 3c에 나타낸 바와 같이 각 형광체 입자(71)의 표면을 에칭한 후에, 이들 미립자(78)를 세정 등으로 제거하도록 해도 된다. 또한, 도 3c는, 반응성 가스(예를 들면, CF4 가스, CH4 가스, CF6 가스, NH3 가스, Cl2 가스, H2가스, CO가스 등)의 플라즈마를 이용해서 형광체 입자(71)를 반응성 이온 에칭한 경우에 형광체 입자(71)의 표면에 형성되는 모스-아이형 구조부(74)의 형상의 일례를 나타내고 있다. 또, 도 3b는 반응성 이온 에칭의 개시시의 설명도이며, 도 3b 및 3C 중의 화살표는, 반응성 이온의 진행 방향을 모식적으로 나타내고 있다.
예를 들면, 입자 직경이 50nm인 다수의 미립자(78)를 각 형광체 입자(71)의 표면에 부착시킨 후에, 마스킹용 각 미립자(78)를 마스크로서 형광체 입자(71)를 에칭하면, 미세 돌기(75)의 횡방향의 폭(볼록부의 횡방향의 폭)을 50nm로 할 수 있다. 그리고, 이웃하는 미립자(78)의 중심간의 거리가 예를 들면 200nm인 경우에는, 이웃하는 미세 돌기(75)간의 거리(오목부의 횡방향의 폭)를, 200－(25＋25)=150nm로 하는 것이 가능해진다.
형광체 입자(71)의 표면을 다수의 미립자(78)로 부분적으로 마스킹할 때에는, 예를 들면, 나노 입자(평균 입자 직경이 50nm인 단분산 구상 알루미나 나노 입자)로 이루어지는 미립자(78)의 알코올 분산액과 형광체 입자(71)(예를 들면, 평균 입자 직경이 15μm이며 조성이 (Ba, Sr)2SiO4：Eu2 ＋인 형광체 입자)를 투입하여 교반, 분산시키면, 형광체 입자(71)의 표면에 미립자(78)를 부착시킬 수 있다. 여기에서, 알코올 분산액 중의 미립자(78)의 농도를 조절함으로써, 형광체 입자(71)의 표면으로의 미립자(78)의 부착량을 바꿀 수 있고, 형광체 입자(71)의 표면의 전체가 미립자(78)로 덮여 있는 상태(형광체 입자(71)의 표면이 100% 마스킹된 상태)에서, 형광체 입자(71)의 표면이 미립자(78)로 전혀 덮혀있지 않은 상태(형광체 입자(71)의 표면이 0% 마스킹된 상태)까지, 연속적으로 컨트롤하는 것이 가능해진다. 이 경우, 평균 입자 직경이 15μm인 형광체 입자(71)의 표면을 평균 입자 직경이 50nm인 미립자(78)에 의해 11% 마스킹하면, 이웃하는 미립자(78)의 중심간의 거리의 평균이 200nm 정도가 된다.
모스-아이형 구조부(74)에 있어서의 미세 돌기(75)의 돌출 치수 및 미세 돌기(75)의 간격(피치)은, 여기광의 파장을 λ, 투광성 매체(73)의 굴절률을 n3으로 하면, λ／n3 이하로 설정할 필요가 있다. 따라서, 예를 들면, 도 1b와 같이 모스-아이형 구조부(74)에 있어서의 미세 돌기(75)의 형상이 반구상이며, 여기광이 청색광이고 당해 청색광의 파장 λ가 480nm, 투광성 매체(73)가 실리콘 수지이며 굴절률 n3이 1.4인 경우에는, 미세 돌기(75)의 돌출 치수 및 간격을 480/1.4≒343nm 이하로 설정할 필요가 있다. λ=350nm인 경우에는, 미세 돌기(75)의 돌출 치수 및 간격을 350/1.4≒250nm 이하로 설정할 필요가 있다. 여기서, 파장 λ가 예를 들면, n3=1.4에 있어서 λ=350nm∼480nm로 파장 범위가 있는 경우, 미세 돌기(75)의 돌출 치수 및 간격을 적어도 480/1.4≒343nm 이하로 설정할 필요가 있는데, 보다 바람직하게는 단파장의 λ=350nm에 의해 규정되는 350/1.4≒250nm를, 미세 돌기(75)의 최대 돌출 치수 및 최대 간격(최대 피치)으로 하는 것이 좋다. 또한, 이 경우, 대부분의 미세 돌기(75)가 250nm 이하, 예를 들면 100nm∼20nm의 피치로 배열되어 있어도 된다. 또, 미세 요철 구조를 형성한 형광체 입자(71)의 표면 거칠기에 대해서는, JIS B 0601－2001(ISO 4287－1997)로 규정되어 있는 산술 평균 거칠기 Ra가 171.5nm 이하, 보다 바람직하게는 125nm 이하, 윤곽 곡선 요소에 대해서도 평균 길이 RSm이 171.5nm 이하, 보다 바람직하게는 125nm 이하가 되도록 하면 된다.
또, 예를 들면, 도 4a와 같이 모스-아이형 구조부(74)에 있어서의 미세 돌기(75)의 형상이 송곳형상이며, 여기광이 청색광이고 당해 청색광의 파장 λ가 480nm, 투광성 매체(73)가 실리콘 수지고 굴절률 n3이 1.4인 경우에는, 미세 돌기(75)의 간격을 480/1.4≒343nm 이하로 설정할 필요가 있으며, λ=350nm인 경우에는, 미세 돌기(75)의 간격을 350/1.4≒250nm 이하로 설정할 필요가 있다. 여기서, 파장 λ가 예를 들면, n3=1.4에서 λ=350nm∼480nm로 파장 범위가 있는 경우, 미세 돌기(75)의 간격을 적어도 480/1.4≒343nm 이하로 설정할 필요가 있는데, 보다 바람직하게는 단파장의 λ=350nm에 의해 규정되는 350/1.4≒250nm를, 미세 돌기(75)의 최대 간격(최대 피치)으로 하는 것이 좋다. 또한, 이 경우, 대부분의 미세 돌기(75)가 250nm 이하, 예를 들면 100nm∼20nm의 피치로 배열되어 있어도 된다.
그런데, 가령, 도 4a에 나타낸 바와 같이, 형광체 입자(71)의 표면측의 반사 방지부(76)에 있어서의 모스-아이형 구조부(74)는, 송곳형상의 미세 돌기(75)가 배열된 미세 요철 구조를 갖고 있다. 여기서, 미세 돌기(75) 사이에 들어간 투광성 매체(73)의 굴절률을 n3, 형광체 입자(71)의 굴절률을 n1로 하면, 미세 돌기(75)의 굴절률이 형광체 입자(71)의 굴절률과 같으므로, 반사 방지부(76)의 유효 굴절률은, 당해 반사 방지부(76)의 두께 방향에서 도 4b에 나타낸 바와 같이 형광체 입자(71)의 굴절률 n1과 투광성 매체(73)의 굴절률 n3 사이에서 연속적으로 변화한다.
그러나, 형광체 입자(71)의 표면측에 도 4a에 나타낸 바와 같은 미세 요철 구조를 갖는 모스-아이형 구조부(74)를 단독으로 형성하는(즉, 대략 모든 미세 돌기(75)의 형상을 송곳형상으로 하는) 것은 곤란하다. 따라서, 본 실시형태의 파장 변환 부재(70)에서는, 대부분이 도 1b 및 1c에 나타낸 바와 같은 가늘어지는 형상의 미세 돌기(75)가 배열된 미세 요철 구조로 되어 있다. 반사 방지부(76)의 유효 굴절률은, 당해 반사 방지부(76)의 두께 방향에서 도 1d에 나타낸 바와 같이 형광체 입자(71)의 굴절률 n1과 투광성 매체(73)의 굴절률 n3 사이에서 연속적으로 변화한다. 또한, 모스-아이형 구조부(74)를 에칭에 의해 형성할 때의 에칭 조건에 따라서는, 도 4a에 나타낸 바와 같은 미세 요철 구조와 도 1b 및 1c에 나타낸 바와 같은 가늘어지는 형상의 미세 돌기(75)가 배열된 미세 요철 구조가 혼재한 형태가 되는데, 이 경우에도, 반사 방지부(76)의 유효 굴절률은, 당해 반사 방지부(76)의 두께 방향에서 형광체 입자(71)의 굴절률 n1과 투광성 매체(73)의 굴절률 n3 사이에서 연속적으로 변화하므로 유효하다.
또, 파장 변환 부재(70)에 있어서의 형광체 입자(71)에 관해, 적색 형광체 입자로서 조성이 CaAlSiN3：Eu2＋이며 굴절률이 2.0, 중심 입경 d50이 10μm인 형광체 입자를 이용하고 있다. 녹색 형광체 입자로서 조성이 CaSc2O4：Ce3 ＋이며 굴절률이 1.9, 중심 입경 d50이 8μm인 형광체 입자를 이용하고 있다. 그러나, 이러한 조성으로 한정되는 것이 아니라, 적색 형광체 입자로는, 예를 들면, 조성이, (Ca, Sr) AlSiN3：Eu2 ＋, CaS：Eu2 ＋, (Ca, Sr)2Si5N8：Eu2 ＋ 등의 것을 이용해도 된다. 녹색 형광체 입자로는, 예를 들면, 조성이, Ca3Sc2Si3O12：Ce3 ＋, (Ca, Sr, Ba) Al2O4：Eu2 ＋, SrGa2S4：Eu2 ＋ 등의 것을 이용해도 된다. 또, 형광체 입자(71)로서 황색 형광체 입자를 채용하는 경우에는, 예를 들면, 조성이, Y3Al5O12：Ce3 ＋, (Ca, Sr, Ba, Zn)2SiO4：Eu2＋ 등의 것을 이용하면 된다. 형광체 입자(71)로서 황녹색 형광체 입자와 주황색 형광체 입자를 채용하는 경우에는, 예를 들면, 황녹색 형광체 입자로서, 조성이, (Ba, Sr)2SiO4：Eu2 ＋ 등의 것을 이용하면 된다. 주황색 형광체 입자로서, 조성이, Sr3SiO5：Eu2 ＋, Ca0 .7Sr0 .3AlSiN3：Eu2 ＋ 등의 것을 이용하면 된다. 또한, 형광체 입자(71)는, 중심 입경 d50이 큰 것이, 결함 밀도가 작고 에너지 손실이 적어서 발광 효율이 높아지므로, 발광 효율의 관점으로부터 중심 입경 d50이 5μm 이상인 것을 채용하는 것이 바람직하다.
이상 설명한 본 실시형태의 파장 변환 부재(70)의 파장 변환 입자(7)는, 형광체 입자(71)를 이용해서 형성되며 입사한 여기광을 흡수하여 여기광보다도 장파장의 광을 방사하는 것으로서, 형광체 입자(71)의 표면측에 미세 요철 구조를 갖는 모스-아이형 구조부(74)를 구비하고, 당해 미세 요철 구조가 형광체 입자(71) 자체에 형성되어 있다. 따라서, 프레넬 반사의 억제에 의해 형광체 입자(71)로의 여기광의 입사 효율의 보다 한층의 향상 및 형광체 입자(71)로부터의 변환광의 취출 효율의 보다 한층의 향상을 도모할 수 있다.
또, 본 실시형태의 파장 변환 부재(70)는, 상술한 파장 변환 입자(7)가 당해 파장 변환 입자(7)의 형광체 입자(71)보다도 굴절률이 작은 투광성 매체(73)에 분산되어 이루어지고, 형광체 입자(71)의 표면측에, 모스-아이형 구조부(74)와 모스-아이형 구조부(74)의 가늘어지는 형상의 미세 돌기(75) 사이에 들어간 투광성 매체(73)로 구성되는 반사 방지부(76)를 구비하고 있다. 이에 의해, 파장 변환 부재(70)는, 반사 방지부(76)의 두께 방향(다수의 미세 돌기(75)의 포락선에 직교하는 방향이며, 도 1c의 상하 방향)에서 반사 방지부(76)의 유효 굴절률이 형광체 입자(71)의 굴절률 n1과 투광성 매체(73)의 굴절률 n3 사이에서 연속적으로 변화하기 때문에, 형광체 입자(71)로의 여기광의 입사 효율의 보다 한층의 향상 및 형광체 입자(71)로부터의 변환광의 취출 효율의 보다 한층의 향상을 도모할 수 있다.
또, 본 실시형태의 발광 장치(1)는, LED칩(10)으로부터 방사되는 광의 일부를 당해 광보다도 장파장의 광으로 변환하여 방사하는 색변환 부재로서 상술한 파장 변환 부재(70)를 이용하고 있다. 그 결과, 색변환 부재에 있어서의 형광체 입자(71)로의 여기광의 입사 효율의 보다 한층의 향상 및 형광체 입자(71)로부터의 변환광의 취출 효율의 보다 한층의 향상을 도모할 수 있어, 광속의 향상에 따른 광출력의 고출력화를 도모할 수 있다.
(실시예 1)
본 실시예에서는, 실시형태 1의 발광 장치(1)에 있어서, LED칩(10)으로서 발광 피크 파장이 460nm인 청색 LED칩을 채용하고 있다. 또, 파장 변환 부재(70)에 관해, 투광성 매체(73)로서, 굴절률이 1.4인 실리콘 수지를 채용하고 있다. 그리고, 형광체 입자(71)에 관해, 녹색 형광체 입자로서 조성이 CaSc2O4：Ce3 ＋이며 굴절률이 1.9, 중심 입경 d50이 8μm인 형광체 입자를 채용하고 있다. 또한, 적색 형광체 입자로서 조성이 CaAlSiN3：Eu2 ＋이며 굴절률이 2.0, 중심 입경 d50이 10μm인 형광체 입자를 채용하고 있다.
여기에서, 파장 변환 부재(70)의 제조시에, 파장 변환 입자(7)를 형성할 때에는, 녹색 형광체 입자, 적색 형광체 입자 각각에 대해서, 순수 중에서 소정량의 형광체 입자(71)(소정량의 녹색 형광체 입자, 혹은, 소정량의 주황색 형광체 입자)를 분산시킨다. 이어서 질산을 혼합해서 교반하여 얻은 슬러리를 여과, 세정함으로써, 형광체 입자(71)의 표면측에 산술 평균 거칠기 Ra가 150nm, 윤곽 곡선 요소의 평균 길이 RSm이 150nm인 미세 요철 구조를 갖는 모스-아이형 구조부(74)를 구비한 파장 변환 입자(7)를 형성했다. 그 후, 소정량의 파장 변환 입자(7)를 굴절률이 1.4인 실리콘 수지에 분산시키고, 돔형상으로 성형함으로써, 파장 변환 부재(70)를 형성했다. 그 후, 발광 장치(1)의 조립을 행했다. 또, 비교예 1로서, 실시예 1의 형광체 입자(71)에 모스-아이형 구조부(74)를 형성하고 있지 않는 것에 대해서 발광 장치를 제작했다.
이상 설명한 실시예 1 및 비교예 1에 대해서, 온도 85℃, 상대 습도 85%RH, 단속 통전(30분 점등, 30분 소등의 사이클)의 시험 조건으로 신뢰성 가속 시험을 행했다. 시험 전의 전광속 및 시험 개시부터 1000시간이 경과한 후의 전광속 각각을 측정한 결과를 하기 표 1에 나타냈다. 또한, 표 1에서는, 비교예 1의 시험전의 광속을 100으로서 규격화한 상대치가 기재되어 있다.
표 1로부터, 실시예 1의 발광 장치(1)에서는, 비교예 1에 비해, 시험 개시전의 광속이 15% 향상함과 더불어, 시험 개시부터 1000시간이 경과한 후의 광속의 열화도 적어져 있어, 광출력의 고출력화의 향상이 도모되었음을 알 수 있다.
(실시형태 2)
그런데, 실시예 1에서 설명한 발광 장치(1)에서는, 광출력의 고출력화를 도모할 수 있으나, 신뢰성 가속 시험의 시험 개시부터 1000시간이 경과한 후의 광속이 시험 개시 전부터 저하되어 있다. 이는, 파장 변환 부재(70)에 있어서의 파장 변환 입자(7)의 형광체 입자(71)가 외부로부터의 수분을 흡수해 형광체 입자(7)의 특성이 저하했기 때문이라고 생각된다.
이에 대해, 도 5a에 나타낸 본 실시형태의 발광 장치(1)의 기본 구성은 실시형태 1과 같다. 그리고, 파장 변환 부재(70)에 관해, 도 5b, 5C 및 5D에 나타낸 바와 같이, 파장 변환 입자(7)에 있어서, 모스-아이형 구조부(74)가 형성된 형광체 입자(71)의 표면측에, 투광성의 금속 산화물층(77)이 형성되어 있는 점에 특징이 있다. 또한, 실시형태 1과 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 달아 설명을 생략한다.
금속 산화물층(77)의 재료는, 투광성 매체(73)와 굴절률 n3과 대략 동일한 굴절률을 갖는 재료인 것이 바람직하고, 투광성 매체(73)의 굴절률 n3에 따라, Si, Ti, Al, Zr, Ge, Y의 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 금속을 구성 원소로서 포함하는 금속 산화물로부터 적절하게 선택하면 된다. 또한, SiO2의 굴절률은 1.4∼1.5, TiO2의 굴절률은 2.3∼2.55, Al2O3의 굴절률은 1.63, ZrO2의 굴절률은 2.05, GeO2의 굴절률은 1.99이며, Y2O3의 굴절률은 1.87이다.
여기에서, 투광성 매체(73)로서, 실리콘 수지나 유리를 채용하는 경우에는, 금속 산화물층(77)의 재료로서, 예를 들면, SiO2를 채용하면 된다. 또, 본 실시형태에서는, 금속 산화물층(77)의 두께를 100nm∼150nm의 범위로 설정해 두지만, 이 수치는 일례이며, 특별히 한정되는 것은 아니다. 또, 금속 산화물층(77)의 재료로서 Al2O3이나 Y2O3를 채용하는 경우에는, 투광성 매체(73)로서, 실리콘 수지 중에 Ti나 Zr, Al, Y, Ge 등의 금속 성분, 예를 들면 금속 산화물 나노 입자를 함유하는 수지·입자 복합체(나노 컴포지트)나, 상술한 금속 성분을 실리콘 수지 중에 분자 레벨로 혼합, 결합한 실리콘 수지 하이브리드 재료나, 유리 등을 채용하면 된다. 또, 금속 산화물층(77)의 재료로서 ZrO2나 GeO2나 TiO2를 채용하는 경우에는, 투광성 매체(73)의 재료로서 유리를 채용하면 된다.
여기서, 파장 변환 부재(70)의 제조시에는, 도 6a에 나타낸 바와 같은 형광체 입자(71)의 표면을 실시형태 1에서 설명한 산계 용액을 이용한 습식 에칭법이나 플라즈마 에칭과 같은 건식 에칭법에 의해 에칭한다. 이에 의해, 형광체 입자(71)의 표면측에 다수의 미세 돌기(75)에 의해 구성되는 미세 요철 구조를 갖는 모스-아이형 구조부(74)를 형성한다(도 6b 참조). 그 후, 형광체 입자(71)의 표면측에 금속 산화물층(77)을 예를 들면 졸겔 법에 의해 형성함으로써 파장 변환 입자(7)를 얻는다(도 6c 참조). 계속해서, 소정량의 파장 변환 입자(7)를 투광성 매체(73)의 재료(예를 들면, 실리콘 수지, 유리 및, 유기 성분과 무기 성분이 nm레벨 혹은 분자 레벨로 혼합, 결합된 유기·무기 하이브리드 재료 등)에 분산시키고, 돔형상으로 성형하고 있다. 또한, 금속 산화물층(77)의 형성 방법은, 졸겔 법으로 한정되지 않고, 예를 들면, 플라즈마 증착법이어도 된다. 한층 치밀한 금속 산화물층(77)으로 하기 위해서, 필요에 따라 열처리를 행해도 된다.
여기에서, 실시형태 1과 동일하게, 형광체 입자(71)의 굴절률을 n1, 투광성 매체(73)의 굴절률을 n3으로 하고, 금속 산화물층(77)의 굴절률을 n4로 하면, 반사 방지부(76)의 유효 굴절률은, 반사 방지부(76)의 두께 방향(미세 돌기(75)의 포락선에 직교하는 방향이며, 도 5c의 상하 방향)에서 도 5d에 나타낸 바와 같이 형광체 입자(71)의 굴절률 n1과 금속 산화물층(77)의 굴절률 n4 사이에서 연속적으로 변화한다. 따라서, 금속 산화물층(77)의 굴절률 n4가 투광성 매체(73)의 굴절률 n3과 동일하면, 반사 방지부(76)의 유효 굴절률은, 반사 방지부(76)의 두께 방향에서 형광체 입자(71)의 굴절률 n1과 투광성 매체(73)의 굴절률 n3 사이에서 연속적으로 변화한다. 요컨데, 금속 산화물층(77)의 굴절률 n4는, 투광성 매체(73)의 굴절률 n3과 대략 동일한 것이 바람직하고, 동일한 것이 보다 바람직하다. 본 실시형태에서는, 금속 산화물층(77)의 굴절률 n4를 투광성 매체(73)의 굴절률 n3과 대략 동일하게 하고 있지만, 도 5d에서는, 금속 산화물층(77)의 굴절률 n4에 관해, 투광성 매체(73)의 굴절률 n3과 대략 동일하게 간주하는 굴절률 n4의 상한치를 n4max, 하한치를 n4min로서 도시하고 있다.
여기서, 금속 산화물층(77)의 굴절률 n4를 투광성 매체(73)의 굴절률 n3과 대략 동일하다고 간주하는 범위를 규정하기 위해서, 투광성 매체(73)의 굴절률 n3과 금속 산화물층(77)의 굴절률 n4의 굴절률차(｜n3－n4｜)의 투광성 매체(73)의 굴절률 n3에 대한 비율(｛｜n3－n4｜／n3｝×100)과, 투광성 매체(73)와 금속 산화물층(77)의 계면(굴절률 계면)에서의 상대 반사 손실(정반사 성분만을 고려한 반사 손실의 상대치)의 관계를 시뮬레이션한 결과를 도 7에 나타냈다. 도 7로부터 알 수 있듯이, 굴절률차의 굴절률 n3에 대한 비율이 22% 이상이 되면, 투광성 매체(73)와 금속 산화물층(77)의 계면(굴절률 계면)에서의 상대 반사 손실이 1%를 넘는다. 한편, 상술한 실시예 1의 발광 장치(1)에서는, 비교예 1에 대한 광 취출 효율의 상승률이 15%이므로, 상대 반사 손실인 1%라는 값은 무시할 수 있는 값이 아니다. 여기서, 굴절률차의 굴절률 n3에 대한 비율이 15% 이하(상대 반사 손실이 0.5% 이하)로 되는 경우에, 금속 산화물층(77)의 굴절률 n4를 투광성 매체(73)의 굴절률 n3과 대략 동일하다고 간주하기로 한다.
이상 설명한 본 실시형태의 파장 변환 입자(7)는, 형광체 입자(71)의 표면측에, 투광성의 금속 산화물층(77)이 형성되어 있다. 이 때문에, 금속 산화물층(77)이, 외부로부터의 수분이 형광체 입자(71)에 도달하는 것을 저지하는 배리어층으로서 기능하게 되어, 내습성을 향상시킬 수 있다(습도의 영향으로 형광체 입자(71)의 특성이 열화하는 것을 억제할 수 있다). 그 결과, 형광체 입자(71)의 재료의 선택의 자유도가 향상된다.
또, 본 실시형태의 파장 변환 부재(70)에서는, 형광체 입자(71)보다도 굴절률이 작고 또한 금속 산화물층(77)과 대략 동일한 굴절률을 갖는 투광성 매체(73)에, 파장 변환 입자(7)가 분산되어 있으며, 형광체 입자(71)의 표면측에, 모스-아이형 구조부(74)와 모스-아이형 구조부(74)의 가늘어지는 형상의 미세 돌기(75) 사이에 들어간 금속 산화물층(77)으로 구성되는 반사 방지부(76)를 구비하고 있다. 그러나, 본 실시형태의 파장 변환 부재(70)에서는, 반사 방지부(76)의 두께 방향에서 반사 방지부(76)의 유효 굴절률이 형광체 입자(71)의 굴절률 n1과 투광성 매체(73)의 굴절률 n3 사이에서 연속적으로 변화하므로, 형광체 입자(71)로의 여기광의 입사 효율의 보다 한층의 향상 및 형광체 입자(71)로부터의 변환광의 취출 효율의 보다 한층의 향상을 도모할 수 있다. 게다가, 이 파장 변환 부재(70)에서는, 금속 산화물층(77)의 굴절률 n4가 투광성 매체(73)의 굴절률 n3과 대략 동일함에 따라, 내습성을 높이면서도, 모스-아이형 구조부(74)의 반사 방지 효과의 저하를 억제할 수 있음과 더불어 여기광의 반사를 억제할 수 있다.
또, 본 실시형태의 발광 장치(1)도, 실시형태 1과 동일하게, LED칩(10)으로부터 방사되는 광의 일부를 당해 광보다도 장파장의 광으로 변환하여 방사하는 색변환 부재로서 상술한 파장 변환 부재(70)를 이용하고 있다. 그 결과, 색변환 부재에 있어서의 형광체 입자(71)로의 여기광의 입사 효율의 보다 한층의 향상 및 형광체 입자(71)로부터의 변환광의 취출 효율의 보다 한층의 향상을 도모할 수 있어, 광출력의 고출력화를 도모할 수 있다.
(실시예 2)
본 실시예에서는 실시형태 2의 발광 장치(1)에 있어서, LED칩(10)으로서 발광 피크 파장이 460nm인 청색 LED칩을 채용하고 있다. 파장 변환 부재(70)에 관해, 투광성 매체(73)로서 굴절률이 1.4인 실리콘 수지를 채용하고 있다. 형광체 입자(71)에 관해, 녹색 형광체 입자로서 조성이 CaSc2O4：Ce3＋이며 굴절률이 1.9, 중심 입경 d50이 8μm인 형광체 입자를 채용하고 있다. 적색 형광체 입자로서 조성이 CaAlSiN3：Eu2 ＋이며 굴절률이 2.0, 중심 입경 d50이 10μm인 형광체 입자를 채용하고 있다.
여기에서, 파장 변환 부재(70)의 제조시에, 파장 변환 입자(7)를 형성할 때에는, 우선, 녹색 형광체 입자, 적색 형광체 입자 각각에 대해서, 순수 중에서 소정량의 형광체 입자(71)(소정량의 녹색 형광체 입자, 혹은, 소정량의 주황색 형광체 입자)를 분산시킨다. 그 다음에 질산을 혼합해서 교반하여 얻은 슬러리를 여과, 세정함으로써, 형광체 입자(71)의 표면측에 산술 평균 거칠기 Ra가 150nm, 윤곽 곡선 요소의 평균 길이 RSm이 150nm인 미세 요철 구조를 갖는 모스-아이형 구조부(74)를 형성했다. 그 후, 모스-아이형 구조부(74)가 형성된 녹색 형광체 입자, 모스-아이형 구조부(74)가 형성된 적색 형광체 입자 각각에 대해서, 이소프로판올 중에서 소정량의 형광체 입자(71)(소정량의 녹색 형광체 입자, 혹은, 소정량의 적색 형광체 입자), TEOS(테트라에틸오소실리케이트), 물, 촉매로서의 아세트산을 60℃에서 소정 시간(12시간)만큼 혼합 교반해 얻은 슬러리를, 여과, 세정하고, 80℃에서 건조한다. 또한 300℃에서 열처리를 행함으로써, 굴절률이 1.5인 SiO2층으로 이루어지는 금속 산화물층(77)을 형성함으로써 파장 변환 입자(7)를 제조했다. 또한 그 후, 소정량의 파장 변환 입자(7)를 굴절률이 1.4인 실리콘 수지에 분산시키고, 돔형상으로 성형함으로써, 파장 변환 부재(70)를 형성했다. 그 후, 발광 장치(1)의 조립을 행했다. 요컨데, 실시예 2는, 금속 산화물층(77)을 구비하고 있는 점 이외에는 실시예 1과 같다.
이상 설명한 실시예 2에 대해서, 온도 85℃, 상대 습도 85%RH, 단속 통전(30분 점등, 30분 소등의 사이클)의 시험 조건으로 신뢰성 가속 시험을 행했다. 시험전의 전광속 및 시험 개시부터 1000시간이 경과한 후의 전광속 각각을 측정한 결과를 상술한 실시예 1 및 비교예 1의 결과와 함께 하기 표 2에 나타냈다. 또한, 표 2에서는, 상술한 비교예 1의 시험전의 광속을 100으로서 규격화한 상대치가 기재되어 있다.
표 2로부터, 실시예 2의 발광 장치(1)에서는, 시험 개시전의 광속이 실시예 1과 동일하게, 비교예 1에 비해 높아져 있다. 게다가, 시험 개시부터 1000시간이 경과한 후의 광속의 열화가 실시예 1보다도 적어져 있어, 고출력화 및 내습성의 향상이 도모되었음을 알 수 있다. 즉, 실시예 2와 실시예 1의 비교로부터, 금속 산화물층(77)을 구비한 실시예 2가 금속 산화물층(77)을 구비하지 않은 실시예 1에 비해, 내습성이 향상했음을 알 수 있다.
그런데, 파장 변환 부재(70)를 적용하는 발광 장치(1)의 구조는 상기 각 실시형태 및 상기 각 실시예의 구조로 한정되는 것은 아니고, 파장 변환 부재(70)의 형상도 돔형상으로 한정되지 않고, 예를 들면, 시트상의 형상이어도 된다.
본 발명을 몇 가지의 바람직한 실시형태에 대해서 기술했는데, 이 발명의 본래의 정신 및 범위, 즉 청구범위를 일탈하지 않고, 당업자에 의해 여러 가지 수정 및 변형이 가능하다.
Claims (9)
- 형광체 입자를 이용해서 형성되며 입사한 여기광을 흡수하여 여기광보다도 장파장의 광을 방사하는 파장 변환 입자로서, 형광체 입자의 표면측에 미세 요철 구조를 갖는 모스-아이(moth-eye)형 구조부를 구비하고, 당해 미세 요철 구조가 형광체 입자 자체에 형성되어 이루어지고, 상기 미세 요철 구조는, 각각이 반구형으로 형성된 복수의 미세 돌기를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 변환 입자.
- 청구항 1에 있어서,
상기 형광체 입자의 상기 표면측에, 투광성의 금속 산화물층이 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 파장 변환 입자. - 청구항 1에 기재된 상기 파장 변환 입자가 상기 형광체 입자보다도 굴절률이 작은 투광성 매체에 분산되어 이루어지고, 상기 형광체 입자의 상기 표면측에, 상기 모스-아이형 구조부와 상기 모스-아이형 구조부의 가늘어지는 형상의 미세 돌기 사이에 들어간 상기 투광성 매체로 구성되는 반사 방지부를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 파장 변환 부재.
- 청구항 2에 기재된 상기 파장 변환 입자가 상기 형광체 입자보다도 굴절률이 작은 투광성 매체에 분산되어 이루어지고,
상기 투광성 매체의 굴절률 n3과 상기 금속 산화물층의 굴절률 n4의 굴절률차의 상기 투광성 매체의 굴절률 n3에 대한 비의 백분율(｛｜n3－n4｜／n3｝×100)이 15% 이하이며,
상기 형광체 입자의 표면측에, 상기 모스-아이형 구조부와 상기 모스-아이형 구조부의 가늘어지는 형상의 미세 돌기 사이에 들어간 상기 금속 산화물층으로 구성되는 반사 방지부를 구비하는 것
을 특징으로 하는 파장 변환 부재. - 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,
상기 투광성 매체는, 실리콘 수지 혹은 유리인 것을 특징으로 하는 파장 변환 부재. - LED칩과, LED칩으로부터 방사되는 광의 일부를 당해 광보다도 장파장의 광으로 변환하여 방사하는 색변환 부재를 구비하고, 당해 색변환 부재로서 청구항 3 또는 청구항 4에 기재된 파장 변환 부재를 이용해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- LED칩과, LED칩으로부터 방사되는 광의 일부를 당해 광보다도 장파장의 광으로 변환하여 방사하는 색변환 부재를 구비하고, 당해 색변환 부재로서 청구항 5에 기재된 파장 변환 부재를 이용해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 복수의 미세 돌기는, 모스-아이 구조로서, 인접한 미세 돌기들이 서로 접하도록 조밀하게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 파장 변환 입자.
- 청구항 1에 기재된 파장 변환 입자의 제조 방법으로서, 상기 미세 요철 구조는 케미컬 에칭, 열처리, 수열처리, 플라즈마 에칭 중 어느 1종 이상으로부터 선택되는 에칭 처리로 형성하는 것을 특징으로 하는 파장 변환 입자의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2009-221504 | 2009-09-25 | ||
| JP2009221504 | 2009-09-25 | ||
| PCT/JP2010/066491 WO2011037159A1 (ja) | 2009-09-25 | 2010-09-24 | 波長変換粒子およびそれを用いた波長変換部材ならびに発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120089300A KR20120089300A (ko) | 2012-08-09 |
| KR101371971B1 true KR101371971B1 (ko) | 2014-03-07 |
Family
ID=43795904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020127010434A KR101371971B1 (ko) | 2009-09-25 | 2010-09-24 | 파장 변환 입자 및 그것을 이용한 파장 변환 부재 및 발광 장치 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8669578B2 (ko) |
| EP (1) | EP2482348B1 (ko) |
| JP (1) | JP5543884B2 (ko) |
| KR (1) | KR101371971B1 (ko) |
| CN (1) | CN102576794B (ko) |
| TW (1) | TW201132740A (ko) |
| WO (1) | WO2011037159A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9741904B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-08-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Light emitting device |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013067710A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Dexerials Corp | 被覆蛍光体の製造方法、被覆蛍光体及び白色光源 |
| WO2013051165A1 (ja) * | 2011-10-03 | 2013-04-11 | 株式会社 東芝 | Ｘ線検出器用増感紙、ｘ線検出器、およびｘ線検査装置 |
| JP6044073B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2016-12-14 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換装置及びそれを用いた発光装置 |
| JP6068473B2 (ja) * | 2012-08-01 | 2017-01-25 | パナソニック株式会社 | 波長変換粒子、波長変換部材及び発光装置 |
| JP2015038978A (ja) * | 2013-07-17 | 2015-02-26 | 日本電気硝子株式会社 | 波長変換部材 |
| JP6286918B2 (ja) * | 2013-08-06 | 2018-03-07 | セイコーエプソン株式会社 | 照明装置及びプロジェクター |
| JPWO2015194180A1 (ja) * | 2014-06-18 | 2017-04-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 表面処理蛍光体の製造方法、表面処理蛍光体、波長変換部材及び発光装置 |
| CN105301878B (zh) * | 2014-07-17 | 2018-04-13 | 深圳市光峰光电技术有限公司 | 波长转换装置及其制备方法、相关发光装置和投影系统 |
| KR20160017849A (ko) * | 2014-08-06 | 2016-02-17 | 서울바이오시스 주식회사 | 고출력 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| CN104241507B (zh) | 2014-09-18 | 2017-12-01 | 广东晶科电子股份有限公司 | 广色域led发光器件及其背光组件 |
| JP2016028170A (ja) * | 2015-11-11 | 2016-02-25 | デクセリアルズ株式会社 | 被覆蛍光体の製造方法、被覆蛍光体及び白色光源 |
| CN110023796B (zh) * | 2016-11-30 | 2021-10-08 | 富士胶片株式会社 | 波长转换部件及背光单元 |
| JP7120745B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2022-08-17 | 日本特殊陶業株式会社 | 光波長変換装置及び光複合装置 |
| CN107807095B (zh) * | 2017-10-11 | 2020-10-20 | 华南师范大学 | 基于半导体硅纳米颗粒的动态颜色调控装置及方法 |
| EP4033276B1 (en) * | 2017-10-19 | 2023-05-31 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Wavelength converter |
| CN107783362B (zh) * | 2017-11-29 | 2023-09-29 | 深圳市大晟云视传媒科技有限公司 | 一种用于高亮度激光投影的锥形荧光粉色轮 |
| TWI742335B (zh) * | 2018-12-25 | 2021-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板與其操作方法 |
| TWI808178B (zh) * | 2019-05-21 | 2023-07-11 | 隆達電子股份有限公司 | 波長轉換物質及發光裝置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100730A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Toshiba Corp | 発光素子の製造方法および発光素子 |
| JP2007126536A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Sharp Corp | 波長変換部材及び発光装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076434A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| JP2003222701A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Seiko Epson Corp | 光学部品及びその製造方法 |
| US6734466B2 (en) * | 2002-03-05 | 2004-05-11 | Agilent Technologies, Inc. | Coated phosphor filler and a method of forming the coated phosphor filler |
| ATE448571T1 (de) * | 2002-08-30 | 2009-11-15 | Lumination Llc | Geschichtete led mit verbessertem wirkungsgrad |
| TWI249861B (en) * | 2005-01-12 | 2006-02-21 | Lighthouse Technology Co Ltd | Wavelength converting substance and light emitting device and encapsulating material comprising the same |
| KR20080049754A (ko) * | 2005-08-24 | 2008-06-04 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 고형 이산화탄소체의 형성 |
| JP2009538536A (ja) | 2006-05-26 | 2009-11-05 | クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド | 固体発光デバイス、および、それを製造する方法 |
| JP2007324475A (ja) | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Sharp Corp | 波長変換部材および発光装置 |
| DE102007053770A1 (de) * | 2007-11-12 | 2009-05-14 | Merck Patent Gmbh | Beschichtete Leuchtstoffpartikel mit Brechungsindex-Anpassung |
-
2010
- 2010-09-24 WO PCT/JP2010/066491 patent/WO2011037159A1/ja active Application Filing
- 2010-09-24 CN CN201080042468.7A patent/CN102576794B/zh active Active
- 2010-09-24 EP EP10818831.9A patent/EP2482348B1/en active Active
- 2010-09-24 JP JP2010213606A patent/JP5543884B2/ja active Active
- 2010-09-24 KR KR1020127010434A patent/KR101371971B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-24 TW TW099132427A patent/TW201132740A/zh unknown
- 2010-09-24 US US13/497,723 patent/US8669578B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100730A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Toshiba Corp | 発光素子の製造方法および発光素子 |
| JP2007126536A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Sharp Corp | 波長変換部材及び発光装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9741904B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-08-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Light emitting device |
| US10158048B2 (en) | 2015-03-30 | 2018-12-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Light emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130001619A1 (en) | 2013-01-03 |
| EP2482348B1 (en) | 2018-07-25 |
| EP2482348A4 (en) | 2014-04-16 |
| US8669578B2 (en) | 2014-03-11 |
| TW201132740A (en) | 2011-10-01 |
| KR20120089300A (ko) | 2012-08-09 |
| CN102576794B (zh) | 2014-12-10 |
| JP5543884B2 (ja) | 2014-07-09 |
| CN102576794A (zh) | 2012-07-11 |
| JP2011089117A (ja) | 2011-05-06 |
| WO2011037159A1 (ja) | 2011-03-31 |
| EP2482348A1 (en) | 2012-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101371971B1 (ko) | 파장 변환 입자 및 그것을 이용한 파장 변환 부재 및 발광 장치 | |
| JP5707697B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP4698412B2 (ja) | 発光装置および照明装置 | |
| JP5515992B2 (ja) | 発光装置 | |
| US8723409B2 (en) | Light emitting device | |
| JP6089686B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2009543335A (ja) | 効率的な放射ｌｅｄパッケージ及び光を効率的に放射する方法 | |
| JP2006237264A (ja) | 発光装置および照明装置 | |
| KR20060042215A (ko) | 발광장치 및 조명장치 | |
| KR102098590B1 (ko) | 발광모듈 및 이를 구비한 면 조명장치 | |
| JP2007184319A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2011096740A (ja) | 発光装置 | |
| JP2019145690A (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
| JP5351669B2 (ja) | 波長変換部材およびそれを用いた発光装置 | |
| JP5786278B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP5678462B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6068473B2 (ja) | 波長変換粒子、波長変換部材及び発光装置 | |
| JP5034342B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2012009723A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2005285871A (ja) | 発光装置およびその製造方法ならびに照明装置 | |
| US20220190208A1 (en) | Support structures for light emitting diode packages | |
| US20220165923A1 (en) | Cover structure arrangements for light emitting diode packages | |
| JP2009123909A (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法、サブマウントおよびサブマウントの製造方法 | |
| JP2014053579A (ja) | 発光ダイオード素子および発光装置 | |
| US20230170335A1 (en) | Light-emitting diode chips and manufacturing processes thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170119 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180119 Year of fee payment: 5 |