KR101363112B1 - 반사형 마스크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 장치 - Google Patents
반사형 마스크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은, 캡핑층의 광학 특성의 변화를 억제할 수 있는 반사형 마스크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 장치를 제공한다.
본 발명의 실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 방법은, 기판의 주면에 반사층을 형성하는 공정과, 상기 반사층 상에 루테늄을 포함하는 캡핑층을 형성하는 공정과, 상기 캡핑층 상에 흡수층을 형성하는 공정과, 상기 흡수층에 패턴 영역을 형성하는 공정과, 상기 패턴 영역을 형성할 때 이용된 레지스트 마스크를 제거하는 공정과, 상기 흡수층과 상기 캡핑층과 상기 반사층에 상기 패턴 영역을 둘러싸는 차광 영역을 형성하는 공정을 포함한다.
그리고, 상기 패턴 영역을 형성할 때 이용된 레지스트 마스크를 제거하는 공정에서는, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스, 또는 암모니아 가스만을 이용한 드라이 애싱 처리를 실시한다.
본 발명의 실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 방법은, 기판의 주면에 반사층을 형성하는 공정과, 상기 반사층 상에 루테늄을 포함하는 캡핑층을 형성하는 공정과, 상기 캡핑층 상에 흡수층을 형성하는 공정과, 상기 흡수층에 패턴 영역을 형성하는 공정과, 상기 패턴 영역을 형성할 때 이용된 레지스트 마스크를 제거하는 공정과, 상기 흡수층과 상기 캡핑층과 상기 반사층에 상기 패턴 영역을 둘러싸는 차광 영역을 형성하는 공정을 포함한다.
그리고, 상기 패턴 영역을 형성할 때 이용된 레지스트 마스크를 제거하는 공정에서는, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스, 또는 암모니아 가스만을 이용한 드라이 애싱 처리를 실시한다.
Description
본 발명의 실시형태는, 일반적으로 반사형 마스크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 장치에 관한 것이다.
극단 자외선(EUV : Extreme Ultra Violet)을 이용하여 미세한 패턴의 전사(轉寫)를 행하는 EUV 리소그래피법이 제안되어 있다.
이 EUV 리소그래피법에 이용되는 반사형 마스크의 제조에서는, 기판의 주면에, 반사층, 캡핑층(스토퍼층 등이라고도 칭해짐), 흡수층을 순차적으로 형성하고, 흡수층을 드라이 에칭 처리함으로써, 원하는 패턴을 갖는 패턴 영역을 형성하고 있다. 그리고, 흡수층과 캡핑층과 반사층을 드라이 에칭 처리함으로써, 패턴 영역을 둘러싸는 차광 영역(차광 프레임 등이라고도 칭해짐)을 형성하고 있다.
여기서, 반사형 마스크의 제조에서는, 흡수층을 드라이 에칭 처리했을 때 이용된 레지스트 마스크를 산소 플라즈마를 이용한 드라이 애싱 처리나 황산을 이용한 웨트 애싱 처리에 의해 제거하고 있다(예컨대, 특허문헌 1, 2를 참조).
그런데, 캡핑층이 루테늄(Ru)으로 형성되어 있는 경우에 이와 같은 애싱 처리를 행하면, 캡핑층의 광학 특성이 변화해 버린다고 하는 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 캡핑층의 광학 특성의 변화를 억제할 수 있는 반사형 마스크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 장치를 제공하는 것이다.
실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 방법은, 기판의 주면에 반사층을 형성하는 공정과, 상기 반사층 상에 루테늄을 포함하는 캡핑층을 형성하는 공정과, 상기 캡핑층 상에 흡수층을 형성하는 공정과, 상기 흡수층에 패턴 영역을 형성하는 공정과, 상기 패턴 영역을 형성할 때 이용된 레지스트 마스크를 제거하는 공정과, 상기 흡수층과 상기 캡핑층과 상기 반사층에 상기 패턴 영역을 둘러싸는 차광 영역을 형성하는 공정을 포함하고 있다.
그리고, 상기 패턴 영역을 형성할 때 이용된 레지스트 마스크를 제거하는 공정에서, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스, 또는 암모니아 가스만을 이용한 드라이 애싱 처리를 실시한다.
본 발명의 실시형태에 의하면, 캡핑층의 광학 특성의 변화를 억제할 수 있는 반사형 마스크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 장치가 제공된다.
도 1은 마스크 블랭크(200)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 2의 (a)∼(h)는, 제1 실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 방법을 예시하기 위한 모식 공정 단면도이다.
도 3은 드라이 애싱 처리에 이용되는 가스의 종류와, 캡핑층(203)의 광학 특성의 변화의 관계를 예시하기 위한 그래프도이다.
도 4는 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스에서의 암모니아 가스의 함유 비율이 레지스트 마스크(211)에 대한 애싱 레이트에 미치는 영향을 예시하기 위한 그래프도이다.
도 5의 (a)∼(g)는, 드라이 애싱 처리 전후에서의 루테늄(Ru)의 막의 굴절률의 변화와 소광 계수의 변화의 파장 의존성을 예시하기 위한 그래프도이다.
도 6은 제2 실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 장치를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 2의 (a)∼(h)는, 제1 실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 방법을 예시하기 위한 모식 공정 단면도이다.
도 3은 드라이 애싱 처리에 이용되는 가스의 종류와, 캡핑층(203)의 광학 특성의 변화의 관계를 예시하기 위한 그래프도이다.
도 4는 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스에서의 암모니아 가스의 함유 비율이 레지스트 마스크(211)에 대한 애싱 레이트에 미치는 영향을 예시하기 위한 그래프도이다.
도 5의 (a)∼(g)는, 드라이 애싱 처리 전후에서의 루테늄(Ru)의 막의 굴절률의 변화와 소광 계수의 변화의 파장 의존성을 예시하기 위한 그래프도이다.
도 6은 제2 실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 장치를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서 실시형태에 관해 예시한다. 또한, 각 도면 중 동일한 구성요소에는 동일한 부호를 붙이고 상세한 설명은 적절하게 생략한다.
[제1 실시형태]
우선, 제1 실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 방법에 관해 예시한다.
또한, 이하에서는, 「혼합 가스」란, 처리를 행하는 환경에 도입하기 전에 복수의 가스를 혼합한 것 뿐만 아니라, 처리를 행하는 환경에 복수의 가스를 도입하여 처리를 행하는 환경에서 혼합된 것도 포함하는 것으로 한다.
(마스크 블랭크의 제조)
도 1은, 마스크 블랭크(200)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
우선, 반사형 마스크(210)[도 2의 (h) 참조]의 제조에 이용하는 마스크 블랭크(200)를 제조한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 마스크 블랭크(200)에 마련된 기판(201)의 한쪽 주면에는, 반사층(202), 캡핑층(203), 흡수층(204)이 이 순으로 적층되도록 하여 형성되어 있다. 또한, 기판(201)의 다른쪽 주면에는 도전층(205)이 형성되어 있다.
기판(201)은 투명 재료로 형성되어 있다. 기판(201)은, 예컨대 저열팽창 재료(LTEM; Low Thermal Expansion Material)나 석영 등으로 형성할 수 있다. 반사층(202)은, 노광광인 극단 자외선을 반사시키기 위해 형성된다. 반사층(202)은, 몰리브덴(Mo)층과 실리콘(Si)층이 교대로 적층되도록 하여 형성된 것으로 할 수 있다. 반사층(202)은, 몰리브덴(Mo)층과 실리콘(Si)층의 쌍이 40쌍∼50쌍 정도 적층된 것으로 할 수 있다.
캡핑층(203)은 반사층(202)을 보호하기 위해서 형성된다. 캡핑층(203)은, 예컨대 루테늄(Ru)을 포함하는 것으로 할 수 있다. 이 경우, 캡핑층(203)은 루테늄(Ru)으로 형성되는 것으로 할 수 있다.
흡수층(204)은, 노광광인 극단 자외선의 반사를 억제하기 위해 형성된다. 흡수층(204)은, 흡수체층(204a)과 반사 방지층(204b)을 갖는다.
흡수체층(204a)은 노광광인 극단 자외선을 흡수한다. 흡수체층(204a)은, 예컨대 탄탈의 질화물[예컨대, 탄탈붕소질화물(TaBN), 질화탄탈(TaN) 등]이나 크롬의 질화물[예컨대, 질화크롬(CrN) 등] 등을 포함하는 것으로 할 수 있다.
반사 방지층(204b)은, 파장 250 ㎚ 근방의 검사광에 대한 반사 방지층(AR층)으로서 기능한다. 반사 방지층(204b)은, 예컨대 탄탈의 산화물[예컨대, 탄탈붕소산화물(TaBO), 산화탄탈(TaO) 등]이나 크롬의 산화물[예컨대, 산화크롬(CrOx) 등] 등을 포함하는 것으로 할 수 있다.
도전층(205)은, 정전 척에 의한 반사형 마스크의 유지가 가능해지도록 하기 위해 형성된다. 도전층(205)은, 예컨대 질화크롬(CrN) 등을 포함하는 것으로 할 수 있다.
반사층(202), 캡핑층(203), 흡수층(204), 도전층(205)의 형성에는, 스퍼터링법 등의 기지의 성막법을 적용할 수 있다.
예컨대, 마스크 블랭크(200)의 제조에서는, 기판(201)의 주면에 반사층(202)을 형성하는 공정, 반사층(202) 상에 루테늄(Ru)을 포함하는 캡핑층(203)을 형성하는 공정, 캡핑층(203) 상에 흡수층(204)을 형성하는 공정을 포함하도록 할 수 있다.
예컨대, 스퍼터링법 등을 이용하여, 280 ㎚ 정도의 총두께를 갖는 반사층(202)을 형성하고, 10 ㎚ 정도의 두께를 갖는 캡핑층(203)을 형성하며, 70 ㎚ 정도의 총두께를 갖는 흡수층(204)을 형성하고, 10 ㎚ 정도의 두께를 갖는 도전층(205)을 형성할 수 있다. 단, 각 층의 두께는 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니며 적절하게 변경할 수 있다. 또한, 스퍼터링법을 이용하는 경우의 성막 조건 등에는 기지의 기술을 적용할 수 있기 때문에, 성막 조건 등의 상세한 사항은 생략한다.
(반사형 마스크의 제조)
다음으로, 이렇게 하여 제조된 마스크 블랭크(200)로 반사형 마스크(210)를 제조한다.
또한, 여기서는, 일례로서, 기판(201)이 저열팽창 재료(LTEM)로 형성되고, 반사층(202)이 몰리브덴(Mo)층과 실리콘(Si)층을 가지며, 캡핑층(203)이 루테늄(Ru)으로 형성되고, 흡수체층(204a)이 탄탈붕소질화물(TaBN)로 형성되며, 반사 방지층(204b)이 탄탈붕소산화물(TaBO)로 형성되어 있는 경우를 예시한다.
도 2의 (a)∼(h)는, 제1 실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 방법을 예시하기 위한 모식 공정 단면도이다. 또한, 도 2의 (a)∼(c)는 패턴 영역의 형성을 예시하기 위한 모식 공정 단면도이고, 도 2의 (d)∼(h)는 차광 영역의 형성을 예시하기 위한 모식 공정 단면도이다.
(패턴 영역의 형성)
우선, 패턴 영역(216)의 형성을 예시한다.
도 2의 (a)에 나타낸 바와 같이, 반사 방지층(204b) 상에 EB 레지스트(전자선 직접 묘화용의 레지스트)(211a)를 도포한다. 그리고, 전자선 묘화 장치를 이용하여 원하는 패턴(예컨대, 회로 패턴 등)을 묘화하고, 포스트ㆍ익스포져ㆍ베이크(PEB; Post Exposure Bake), 현상 등을 행함으로써 원하는 레지스트 패턴을 갖는 레지스트 마스크(211)를 형성한다.
다음으로, 도 2의 (b)에 나타낸 바와 같이, 반사 방지층(204b), 흡수체층(204a)을 순차적으로 드라이 에칭 처리한다.
탄탈붕소산화물(TaBO)로 형성된 반사 방지층(204b)의 드라이 에칭 처리는, 예컨대 불소를 포함하는 가스(예컨대, CF4, SF6, CHF3 등)를 이용한 드라이 에칭 처리로 할 수 있다.
탄탈붕소질화물(TaBN)로 형성된 흡수체층(204a)의 드라이 에칭 처리는, 예컨대 염소를 포함하는 가스(예컨대, Cl2, BCl3 등)를 이용한 드라이 에칭 처리로 할 수 있다.
다음으로, 도 2의 (c)에 나타낸 바와 같이, 레지스트 마스크(211)를 제거한다.
이때, 캡핑층(203)이 루테늄(Ru)으로 형성되어 있는 경우에, 산소를 포함하는 가스를 이용한 드라이 애싱 처리(예컨대, 산소 플라즈마를 이용한 플라즈마 애싱 처리 등)를 하거나, 황산 등의 약액을 이용한 웨트 애싱 처리를 하거나 하면, 패턴 영역(216)에 있어서 노출되어 있는 캡핑층(203)의 표면(203a)이 제거되거나 하여, 캡핑층(203)의 광학 특성이 변화해 버릴 우려가 있다.
즉, 레지스트 마스크(211)를 제거하는 동안, 패턴 영역(216)에 있어서 노출되어 있는 캡핑층(203)의 표면(203a)이, 산소 라디칼이나 황산 등의 약액에 노출되게 되므로, 캡핑층(203)의 표면(203a)이 제거되거나 하여 캡핑층(203)의 광학 특성이 변화해 버릴 우려가 있다.
또, 본 발명자가 얻은 지견에 의하면, 예컨대 질소 가스, 수소 가스, 질소 가스와 수소 가스의 혼합 가스 등의 산소를 포함하지 않는 가스를 이용한 드라이 애싱 처리를 하는 경우라 하더라도 캡핑층(203)의 광학 특성이 변화해 버리는 것으로 판명되었다.
도 3은, 드라이 애싱 처리에 이용되는 가스의 종류와, 캡핑층(203)의 광학 특성의 변화의 관계를 예시하기 위한 그래프도이다.
도 3중의 가스의 종류는, A가 암모니아 가스(NH3)와 질소 가스의 혼합 가스, B가 질소 가스, C가 질소 가스와 수소 가스의 혼합 가스, D가 산소 가스이다.
반사율의 차는, 드라이 애싱 처리전의 캡핑층(203)의 반사율과, 드라이 애싱 처리후의 캡핑층(203)의 반사율의 차이다. 또한, 반사율은, 파장이 13.6 ㎚인 광에 대한 캡핑층(203)의 반사율이다.
도 3중에서, 반사율의 차가 (+)인 영역은 드라이 애싱 처리후의 캡핑층(203)의 반사율이 높아진 것을 나타내고, 반사율의 차가 (-)인 영역은 드라이 애싱 처리후의 캡핑층(203)의 반사율이 낮아진 것을 나타내고 있다. 또한, 반사율의 차가 「0」인 것은 드라이 애싱 처리의 전후에 반사율의 값에 변화가 없는 것을 나타내고 있다.
도 3중의 A에 나타낸 바와 같이, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스를 이용한 드라이 애싱 처리를 실시하도록 하면, 반사율의 차를 「0」에 가깝게 할 수 있다. 즉, 드라이 애싱 처리를 했을 때의 캡핑층(203)의 광학 특성의 변화를 억제할 수 있다. 그리고, 도 3에서는, 오히려 드라이 애싱 처리후의 캡핑층(203)의 반사율의 향상이 눈에 띈다.
또한, 도 3 중의 A는, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스에서의 암모니아 가스의 함유 비율이 75 vol%인 경우이다.
도 4는, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스에서의 암모니아 가스의 함유 비율이 레지스트 마스크(211)에 대한 애싱 레이트에 미치는 영향을 예시하기 위한 그래프도이다.
도 4에서, 암모니아 가스의 함유 비율이 「0」인 것은 질소 가스만인 경우(암모니아 가스가 포함되지 않는 경우)이고, 암모니아 가스의 함유 비율이 「1」인 것은 암모니아 가스만인 경우(질소 가스가 포함되지 않는 경우)이다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스를 이용하고, 혼합 가스에서의 암모니아 가스의 함유 비율을 0.25(25 vol%) 이상으로 하면 레지스트 마스크(211)에 대한 애싱 레이트를 향상시킬 수 있다.
또한, 암모니아 가스만을 이용하는 경우도, 레지스트 마스크(211)에 대한 애싱 레이트를 향상시킬 수 있다.
도 5의 (a)∼(g)는, 드라이 애싱 처리 전후에서의 루테늄(Ru)의 막의 굴절률의 변화와 소광 계수의 변화의 파장 의존성을 예시하기 위한 그래프도이다.
굴절률과 소광 계수는, 편광 해석법(엘립소메트리법)을 이용하여 측정했다.
측정에는, 2.5 ㎚ 정도 두께의 루테늄(Ru)의 막이 표면에 형성된 석영으로 이루어진 기판을 이용했다.
그리고, 드라이 애싱 처리전의 루테늄(Ru)의 막의 굴절률 n0과 소광 계수 k0과, 드라이 애싱 처리후의 루테늄(Ru)의 막의 굴절률 n1과 소광 계수 k1을 측정하여, 드라이 애싱 처리후의 측정치로부터 드라이 애싱 처리전의 측정치를 감산함으로써, 굴절률의 변화량 Δn(Δn=n1-n0)과 소광 계수의 변화량 Δk(Δk=k1-k0)를 구했다.
도 5의 (a)는 질소 가스만을 이용하여 드라이 애싱 처리한 경우이다.
도 5의 (b)는 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스를 이용하고, 혼합 가스에서의 암모니아 가스의 함유 비율을 25 vol%로 하여 드라이 애싱 처리한 경우이다.
도 5의 (c)는 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스를 이용하고, 혼합 가스에서의 암모니아 가스의 함유 비율을 50 vol%로 하여 드라이 애싱 처리한 경우이다.
도 5의 (d)는 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스를 이용하고, 혼합 가스에서의 암모니아 가스의 함유 비율을 60 vol%로 하여 드라이 애싱 처리한 경우이다.
도 5의 (e)는 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스를 이용하고, 혼합 가스에서의 암모니아 가스의 함유 비율을 75 vol%로 하여 드라이 애싱 처리한 경우이다.
도 5의 (f)는 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스를 이용하고, 혼합 가스에서의 암모니아 가스의 함유 비율을 80 vol%로 하여 드라이 애싱 처리한 경우이다.
도 5의 (g)는 암모니아 가스만을 이용하여 드라이 애싱 처리한 경우이다.
도 5의 (a)∼(g)에서 알 수 있는 바와 같이, 드라이 애싱 처리시에 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스를 이용하는 경우에는, 혼합 가스에서의 암모니아 가스의 함유 비율을 50 vol% 이상으로 하면, 굴절률의 변화량 Δn과 소광 계수의 변화량 Δk를 작게 할 수 있다.
또한, 드라이 애싱 처리시에 암모니아 가스만을 이용하는 경우에도, 굴절률의 변화량 Δn과 소광 계수의 변화량 Δk를 작게 할 수 있다.
이것은, 드라이 애싱 처리시에, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스를 이용하고, 혼합 가스에서의 암모니아 가스의 함유 비율을 50 vol% 이상으로 하거나, 암모니아 가스만을 이용하도록 하면, 루테늄(Ru)을 포함하는 캡핑층(203)의 광학 특성의 변화를 억제할 수 있는 것을 의미한다.
이 때문에, 본 실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 방법에서는, 패턴 영역(216)을 형성할 때 이용된 레지스트 마스크(211)를 제거하는 공정에서, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스, 또는 암모니아 가스만을 이용한 드라이 애싱 처리가 실시되도록 하고 있다.
또한, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스를 이용한 드라이 애싱 처리를 실시하는 경우에는, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스에서의 암모니아 가스의 함유 비율을 0.5(50 vol%) 이상으로 하고 있다.
이상과 같이 하면, 루테늄(Ru)을 포함하는 캡핑층(203)의 광학 특성의 변화를 억제할 수 있고, 레지스트 마스크(211)에 대한 애싱 레이트를 향상시킬 수 있다.
이상과 같이 하여, 패턴 영역(216)이 형성된다.
(차광 영역의 형성)
다음으로, 도 2의 (d)로 되돌아가, 차광 영역(217)의 형성에 관해 예시한다.
차광 영역(217)은, 패턴 영역(216)을 둘러싸도록 형성되는 프레임형의 영역이며, 패턴을 전사할 때 노광광이 인접하는 영역으로 새지 않도록 하기 위해 형성된다.
우선, 도 2의 (d)에 나타낸 바와 같이, 반사 방지층(204b), 흡수체층(204a) 및 노출된 캡핑층(203)의 표면(203a)에 레지스트를 도포한다. 그리고, 레이저광 등을 이용하여 원하는 패턴을 묘화하고, 포스트ㆍ익스포져ㆍ베이크, 현상 등을 행함으로써 원하는 레지스트 패턴을 갖는 레지스트 마스크(212)를 형성한다. 이 경우, 패턴 영역(216)을 둘러싸도록 프레임형의 영역(212a)을 패터닝한다.
다음으로, 도 2의 (e)에 나타낸 바와 같이, 반사 방지층(204b), 흡수체층(204a)을 순차적으로 드라이 에칭 처리한다. 드라이 에칭 처리는, 캡핑층(203)의 표면이 노출될 때까지 행해진다.
반사 방지층(204b), 흡수체층(204a)의 드라이 에칭 처리는, 도 2의 (b)에서 예시한 것과 동일하게 할 수 있다.
또한, 패턴 영역(216)의 형성시에 차광 영역(217)의 흡수체층(204a), 반사 방지층(204b)을 동시에 드라이 에칭 처리하는 것도 가능하다.
다음으로, 도 2의 (f)에 나타낸 바와 같이, 캡핑층(203)을 드라이 에칭 처리한다.
루테늄(Ru)으로 형성된 캡핑층(203)의 드라이 에칭 처리는, 예컨대 염소를 포함하는 가스와 산소 가스의 혼합 가스를 이용한 드라이 에칭 처리로 할 수 있다.
염소를 포함하는 가스로는, 예컨대 Cl2, CCl4, HCl 등을 예시할 수 있다.
다음으로, 도 2의 (g)에 나타낸 바와 같이, 몰리브덴(Mo)층과 실리콘(Si)층을 갖는 반사층(202)을 드라이 에칭 처리한다.
이 경우, 염소를 포함하는 가스와 산소 가스의 혼합 가스를 이용하고, 산소 가스의 첨가량을 5 vol% 이상, 30 vol% 이하로 한다. 이러한 산소 가스의 첨가량으로 하면, 드라이 에칭 처리된 면이 빗살형이 되는 것을 억제할 수 있다.
염소를 포함하는 가스로는, 예컨대 Cl2, CCl4, HCl 등을 예시할 수 있다.
또한, 예컨대 흡수층(204)의 총두께가 70 ㎚ 정도, 캡핑층(203)의 두께가 10 ㎚ 정도, 반사층(202)의 총두께가 280 ㎚ 정도이면, 레지스트 마스크(212)의 두께를 420 ㎚ 이상으로 하고, 산소 가스의 첨가량을 5 vol% 이상, 30 vol% 이하로 함으로써, 적어도 레지스트 마스크(212)의 재형성의 횟수를 대폭 저감시킬 수 있다.
여기서, 반사층(202)에 있어서 실리콘(Si)층이 성막시에 산화하거나, 에칭 처리시에 이용되는 가스중의 산소에 의해 산화하거나 하여, 실리콘(Si)층이 산화실리콘(SiO2)층으로 변질되어 있는 경우가 있다.
염소를 포함하는 가스와 산소 가스의 혼합 가스를 이용하는 것은, 산화실리콘(SiO2)층에 대한 선택비가 커지는 가스 조건이다. 이 때문에, 산화실리콘(SiO2)층의 에칭 레이트가 매우 낮아져, 산화실리콘(SiO2)층이 잔사가 되어 남을 가능성이 있다.
이와 같은 경우에는, 염소를 포함하는 가스와 산소 가스의 혼합 가스에, 불소를 포함하는 가스(예컨대, CF4, CHF3, NF3 등이나 이들의 혼합 가스)를 더 첨가함으로써, 산화실리콘(SiO2)층의 에칭 레이트를 높이도록 할 수 있다.
그리고, 불소를 포함하는 가스를 첨가하는 경우에, 염소를 포함하는 가스에 대한 첨가량을 조정함으로써, 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)을 거의 동일한 에칭 레이트로 제거할 수 있게 된다.
다음으로, 도 2의 (h)에 나타낸 바와 같이, 레지스트 마스크(212)를 제거한다.
이 경우, 도 2의 (c)의 경우에 비해 캡핑층(203)의 표면(203a)이 산소 라디칼이나 황산 등의 약액에 노출되는 시간이 짧기 때문에, 산소를 포함하는 가스를 이용한 드라이 애싱 처리로 할 수도 있고, 약액을 이용한 웨트 애싱 처리로 할 수도 있다.
단, 도 2의 (c)의 경우와 마찬가지로, 레지스트 마스크(212)를 제거할 때, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스, 또는 암모니아 가스만을 이용한 드라이 애싱 처리를 실시하도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스를 이용한 드라이 애싱 처리를 실시할 때, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스에 있어서 암모니아 가스의 함유 비율을 0.5(50 vol%) 이상으로 하면, 루테늄(Ru)으로 형성된 캡핑층(203)의 광학 특성의 변화를 억제할 수 있고, 레지스트 마스크(212)에 대한 애싱 레이트를 향상시킬 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 암모니아 가스만을 이용한 드라이 애싱 처리를 실시하는 경우도, 루테늄(Ru)으로 형성된 캡핑층(203)의 광학 특성의 변화를 억제할 수 있고, 레지스트 마스크(212)에 대한 애싱 레이트를 향상시킬 수 있다.
이상과 같이 하여, 차광 영역(217)을 형성함으로써 반사형 마스크(210)가 제조된다.
[제2 실시형태]
도 6은, 제2 실시형태에 따른 반사형 마스크의 제조 장치를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 6에 예시하는 반사형 마스크의 제조 장치는 2주파 플라즈마 처리 장치이다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 제조 장치(160)에는, 처리 용기(161), 처리 용기(161)에 마련된 반입 반출구(179)를 폐쇄하는 게이트 밸브(177), 처리 용기(161)의 내부에 복수의 처리 가스(G)를 선택적으로 공급하는 공급부(168), 처리 용기(161)의 내부를 배기시키는 배기부(169) 등이 마련되어 있다.
처리 용기(161)는, 알루미늄 등의 도전성 재료로 형성되며, 감압 분위기를 유지할 수 있도록 되어 있다. 처리 용기(161)의 천정 중앙 부분에는, 처리 가스(G)를 도입하기 위한 처리 가스 도입구(162)가 마련되어 있다.
처리 가스(G)는, 공급부(168)로부터 처리 가스 도입구(162)를 통해 처리 용기(161)의 내부에 공급된다. 처리 용기(161)의 내부에 공급될 때, 처리 가스(G)는, 도시하지 않은 처리 가스 조정부에 의해 유량이나 압력 등이 조정된다.
또한, 공급부(168)에는 도시하지 않은 전환부가 설치되어, 처리 용기(161)의 내부에 공급되는 처리 가스(G)의 종류가 전환되도록 되어 있다. 예컨대, 전술한 반사층(202), 캡핑층(203), 흡수체층(204a), 반사 방지층(204b)을 드라이 에칭 처리할 때, 각각의 드라이 에칭 처리에 적합한 처리 가스(G)를 공급할 수 있도록 되어 있다. 또한, 레지스트 마스크(211), 레지스트 마스크(212)를 드라이 애싱 처리할 때, 각각의 드라이 애싱 처리에 적합한 처리 가스(G)를 공급할 수 있도록 되어 있다.
또한, 도시하지 않은 처리 가스 조정부나 도시하지 않은 전환부를 제어하는 공급 제어부(170)가 마련되어 있다.
이 때문에, 전술한 처리 가스(G)의 유량 또는 압력의 조정이나, 처리 가스(G)의 종류의 전환은, 공급 제어부(170)에 의해 도시하지 않은 처리 가스 조정부나 도시하지 않은 전환부를 제어함으로써 행할 수 있도록 되어 있다.
이 경우, 공급 제어부(170)에 의해, 처리 가스(G)의 종류의 전환과 처리 가스(G)의 유량을 제어함으로써, 혼합 가스에서의 성분비를 제어할 수도 있다.
처리 용기(161)의 천정 부분이자, 처리 가스 도입구(162)의 직경 외측 방향 부분에는 유전체 재료(예컨대, 석영 등)로 이루어진 유전체창(21)이 마련되어 있다. 유전체창(21)의 표면에는 도전체로 이루어진 코일(20)이 마련되어 있다. 코일(20)의 일단은 접지되고(도시하지 않음), 타단은 정합기(16a)를 통하여 고주파 전원(6c)에 접속되어 있다.
처리 용기(161)의 내부에는, 피처리물(W)을 처리하기 위한 공간인 처리 공간(163)이 마련되어 있다. 피처리물(W)은, 예컨대 전술한 마스크 블랭크(200)로 할 수 있다.
처리 공간(163)의 하측에는 전극부(4)가 마련되어 있다. 전극부(4)에는 고주파 전원(6b)이 정합기(16)를 통하여 접속되어 있다. 또한, 처리 용기(161)는 접지되어 있다.
제조 장치(160)는, 상부에 유도 결합형 전극을 가지며, 하부에 용량 결합형 전극을 갖는 2주파 플라즈마 처리 장치이다. 즉, 전극부(4)와 처리 용기(161)가 용량 결합형 전극을 구성하고, 또한 코일(20)이 유도 결합형 전극을 구성한다.
고주파 전원(6b)은, 100 ㎑∼100 ㎒ 정도의 주파수를 가지며, 1 ㎾ 정도의 고주파 전력을 전극부(4)에 인가하는 것으로 할 수 있다.
고주파 전원(6c)은, 100 ㎑∼100 ㎒ 정도의 주파수를 가지며, 3 ㎾ 정도의 고주파 전력을 코일(20)에 인가하는 것으로 할 수 있다.
정합기(16, 16a)에는 도시하지 않은 튜닝 회로가 내장되어 있고, 도시하지 않은 튜닝 회로에서 반사파를 제어함으로써 플라즈마(P)에 대한 제어를 할 수 있도록 되어 있다.
제조 장치(160)에서는, 전극부(4), 처리 용기(161), 고주파 전원(6b), 고주파 전원(6c), 코일(20) 등이, 처리 용기(161)의 내부에 플라즈마(P)를 발생시키는 플라즈마 발생부가 된다.
전극부(4)는 주위가 절연 링(5)으로 덮여 있다. 전극부(4)에는 피처리물(W)이 배치 가능하고, 피처리물(W)을 유지하기 위한 유지 기구(도시하지 않음)나 피처리물(W)의 전달부(도시하지 않음) 등이 내장되어 있다.
처리 용기(161)의 바닥부에는 배기구(167)가 마련되고, 배기구(167)에는 압력 컨트롤러(8)를 통하여 진공 펌프 등과 같은 배기부(169)가 접속되어 있다. 배기부(169)는, 처리 용기(161)의 내부가 소정의 압력이 되도록 배기한다. 처리 용기(161)의 측벽에는, 피처리물(W)을 반입 반출하기 위한 반입 반출구(179)가 마련되고, 반입 반출구(179)를 기밀하게 폐쇄할 수 있도록 게이트 밸브(177)가 마련되어 있다. 게이트 밸브(177)는, O링과 같은 시일 부재(174)를 구비하는 도어(173)를 가지며, 도시하지 않은 게이트 개폐 기구에 의해 개폐된다. 도어(173)가 닫혔을 때에는, 시일 부재(174)가 반입 반출구(179)의 벽면을 눌러, 반입 반출구(179)는 기밀하게 폐쇄된다.
(반사형 마스크의 제조 장치(160)의 작용)
다음으로, 제조 장치(160)의 작용에 관해 예시한다.
이 경우, 일례로서, 피처리물(W)을 마스크 블랭크(200)로 하고, 마스크 블랭크(200)에 드라이 에칭 처리, 드라이 애싱 처리를 실시하여 반사형 마스크(210)를 제조하는 경우를 예를 들어 설명한다.
또한, 일례로서, 기판(201)이 저열팽창 재료(LTEM)로 형성되고, 반사층(202)이 몰리브덴(Mo)층과 실리콘(Si)층을 가지며, 캡핑층(203)이 루테늄(Ru)으로 형성되고, 흡수체층(204a)이 탄탈붕소질화물(TaBN)로 형성되며, 반사 방지층(204b)이 탄탈붕소산화물(TaBO)로 형성되어 있는 경우를 예시한다.
우선, 전술한 패턴 영역(216)을 형성한다.
게이트 밸브(177)의 도어(173)를, 도시하지 않은 게이트 개폐 기구에 의해 연다.
도시하지 않은 반송부에 의해, 반입 반출구(179)를 통해 마스크 블랭크(200)를 처리 용기 내에 반입한다. 마스크 블랭크(200)는 전극부(4) 상에 배치되고, 전극부(4)에 내장된 도시하지 않은 유지 기구에 의해 유지된다.
도시하지 않은 반송부를 처리 용기(161)의 밖으로 후퇴시킨다.
도시하지 않은 게이트 개폐 기구에 의해 게이트 밸브(177)의 도어(173)를 닫는다.
배기부(169)에 의해 처리 용기(161) 내를 배기시킨다.
그리고, 전술한 반사 방지층(204b)의 드라이 에칭 처리를 행한다.
이 경우, 불소를 포함하는 가스를 이용한 드라이 에칭 처리를 행하도록 할 수 있다.
즉, 우선, 공급부(168)로부터 처리 가스 도입구(162)를 통해 처리 공간(163) 내에 불소를 포함하는 가스가 공급된다. 불소를 포함하는 가스는, 예컨대 CF4, CHF3, NF3 등이나 이들의 혼합 가스로 할 수 있다. 또한, 불소를 포함하는 가스의 유량은 60 sccm 정도로 할 수 있다.
다음으로, 고주파 전원(6c)으로부터 100 ㎑∼100 ㎒ 정도의 주파수를 갖는 고주파 전력이 코일(20)에 인가된다. 또한, 고주파 전원(6b)으로부터 100 ㎑∼100 ㎒ 정도의 주파수를 갖는 고주파 전력이 전극부(4)에 인가된다. 또한, 고주파 전원(6c)과 고주파 전원(6b)으로부터 인가되는 고주파 전력의 주파수가 동일해지도록 하는 것이 바람직하다. 예컨대, 고주파 전원(6c)과 고주파 전원(6b)으로부터 인가되는 고주파 전력의 주파수를 13.56 ㎒로 할 수 있다.
또한, 고주파 전원(6c)은 3 ㎾ 정도의 고주파 전력을 인가하고, 고주파 전원(6b)은 1 ㎾ 정도의 고주파 전력을 인가하는 것으로 할 수 있다.
그렇게 하면, 전극부(4)와 처리 용기(161)가 용량 결합형 전극을 구성하기 때문에, 전극부(4)와 처리 용기(161) 사이에 방전이 발생한다. 또한, 코일(20)이 유도 결합형 전극을 구성하기 때문에, 코일(20)로부터 유전체창(21)을 통해 고주파 전력이 처리 용기(161)의 내부에 도입된다. 이 때문에, 전극부(4)와 처리 용기(161) 사이에 생긴 방전과, 처리 용기(161)의 내부에 도입된 고주파 전력에 의해 처리 공간(163)에 플라즈마(P)가 발생한다. 발생한 플라즈마(P)에 의해 불소를 포함하는 가스가 여기, 활성화되어 중성 활성종, 이온, 전자 등의 반응 생성물이 생성된다. 이 생성된 반응 생성물이, 처리 공간(163) 내를 하강하여 마스크 블랭크(200)에 도달하고, 드라이 에칭 처리가 실시된다. 또한, 플라즈마(P)의 제어는, 정합기(16, 16a)에 내장되어 있는 도시하지 않은 튜닝 회로에서 반사파를 제어함으로써 행한다.
또한, 나머지 불소를 포함하는 가스나 반응 생성물, 부생성물의 대부분은, 배기구(167)를 통해 처리 용기(161) 밖으로 배출된다.
이 드라이 에칭 처리에서는, 반사 방지층(204b)의 표면에 형성된 레지스트 마스크(211)를 이용하여, 반사 방지층(204b)의 일부를 제거한다. 즉, 반사 방지층(204b) 중 레지스트 마스크(211)에 덮여 있지 않은 부분을 제거한다.
반사 방지층(204b)의 드라이 에칭 처리가 종료되면, 처리 용기(161) 내가 배기된다. 그리고, 다음으로, 흡수체층(204a)에 대하여 드라이 에칭 처리가 실시된다.
이 경우, 공급부(168)에 마련된 도시하지 않은 전환부에 의해, 공급되는 처리 가스(G)의 종류가 전환된다. 즉, 공급부(168)로부터 염소를 포함하는 가스가 공급되어, 염소를 포함하는 가스를 이용한 드라이 에칭 처리가 실시된다. 염소를 포함하는 가스는, 예컨대 Cl2, CCl4, HCl 등이나 이들의 혼합 가스로 할 수 있다. 염소를 포함하는 가스의 유량은 180 sccm 정도로 할 수 있다.
그리고, 반사 방지층(204b)의 경우와 동일하게 하여, 반사 방지층(204b)의 표면에 형성된 레지스트 마스크(211)를 이용하여, 흡수체층(204a)의 일부를 제거한다. 즉, 흡수체층(204a) 중, 레지스트 마스크(211)에 덮여 있지 않은 부분을 제거한다.
이상과 같이 하여, 패턴 영역(216)의 형성이 행해진다.
다음으로, 처리 용기(161)의 내부에서, 패턴 영역(216)을 형성할 때 이용된 레지스트 마스크(211)를 제거한다.
이 경우, 공급부(168)에 마련된 도시하지 않은 전환부에 의해, 공급되는 처리 가스(G)의 종류가 전환된다.
전술한 바와 같이, 루테늄(Ru)을 포함하는 캡핑층(203)의 표면의 일부가 노출되어 있기 때문에, 공급부(168)로부터 암모니아 가스와 질소 가스, 또는 암모니아 가스만이 공급되어, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스, 또는 암모니아 가스만을 이용한 드라이 애싱 처리가 실시된다.
이때, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스를 이용하는 경우에는, 혼합 가스에서의 암모니아 가스의 함유 비율을 0.5(50 vol%) 이상으로 한다. 또한, 플라즈마(P)를 발생시키는 것과 관련된 작용 등은, 전술한 드라이 에칭 처리의 경우와 동일하기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
또한, 제조 장치(160)와 동일한 구성을 갖는 제조 장치에서 각각 드라이 애싱 처리를 실시하도록 할 수도 있다.
즉, 드라이 에칭 처리를 실시하는 제조 장치(160), 또는 드라이 애싱 처리를 실시하는 제조 장치(160), 혹은 드라이 에칭 처리와 드라이 애싱 처리를 실시하는 제조 장치(160)로 할 수 있다.
제조 장치(160)와 동일한 구성을 갖는 제조 장치에서 드라이 애싱 처리를 실시하는 경우에는, 우선 처리 용기(161) 내의 압력과 게이트 밸브(177)의 도어(173)의 외측의 압력이 거의 같아지도록, 처리 가스 도입구(162)를 통해 퍼지 가스 등이 도입된다.
다음으로, 게이트 밸브(177)의 도어(173)를 도시하지 않은 게이트 개폐 기구에 의해 연다.
다음으로, 도시하지 않은 반송부에 의해, 패턴 영역(216)이 형성된 마스크 블랭크(200)를 반출한다.
다음으로, 제조 장치(160)와 동일한 구성을 갖는 제조 장치에 패턴 영역(216)이 형성된 마스크 블랭크(200)를 반입하여, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스, 또는 암모니아 가스만을 이용한 드라이 애싱 처리를 실시함으로써 나머지 레지스트 마스크(211)를 제거한다.
다음으로, 전술한 차광 영역(217)을 형성한다.
우선, 처리 용기(161)의 외측에서, 반사 방지층(204b), 흡수체층(204a) 및 노출된 캡핑층(203)의 표면에 레지스트를 도포하고, 패턴의 묘화, 포스트ㆍ익스포져ㆍ베이크, 현상 등을 행함으로써 원하는 레지스트 패턴을 갖는 레지스트 마스크(212)를 형성한다.
다음으로, 전술한 것과 동일하게 하여, 마스크 블랭크(200)를 처리 용기 내에 반입한다.
그리고, 전술한 것과 동일하게 하여, 반사 방지층(204b), 흡수체층(204a), 캡핑층(203), 반사층(202)을 순차적으로 드라이 에칭 처리한다.
이 경우, 전술한 바와 같이 반사층(202)의 드라이 에칭 처리에는, 염소와 산소를 포함하는 가스를 이용하고, 산소의 첨가량을 5 vol% 이상, 30 vol% 이하로 할 수 있다. 이와 같은 산소의 첨가량으로 하면, 반사층(202)의 드라이 에칭 처리된 면이 빗살형이 되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 예컨대 흡수층(204)의 총두께가 70 ㎚ 정도, 캡핑층(203)의 두께가 10 ㎚ 정도, 반사층(202)의 총두께가 280 ㎚ 정도, 레지스트 마스크(212)의 두께가 420 ㎚ 이상이면, 산소의 첨가량을 5 vol% 이상, 30 vol% 이하로 할 수 있다. 이러한 산소의 첨가량으로 하면, 적어도 레지스트 마스크(212)의 재형성의 횟수를 대폭 저감시킬 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 반사층(202)에 있어서, 실리콘(Si)층이 산화되어 산화실리콘(SiO2)층이 형성되어 있는 경우에는, 염소와 산소를 포함하는 가스에 불소를 포함하는 가스(예컨대, CF4, CHF3, NF3 등이나 이들의 혼합 가스)를 더 첨가할 수 있다.
이 경우, 염소에 대한 불소를 포함하는 가스인 CF4의 첨가량을, 5 vol% 이상, 40 vol% 이하로 할 수 있다.
이와 같이 하면, 레지스트에 대한 선택비를 유지한 채로, 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)을 거의 동일한 에칭 레이트로 제거할 수 있다.
또한, 염소와 산소를 포함하는 가스를 이용하여 드라이 에칭 처리한 경우에 비해, 산화실리콘(SiO2)층의 에칭 레이트를 10배 가까이 높게 할 수 있다. 이 때문에, 산화실리콘(SiO2)층이 잔사가 되지 않는 드라이 에칭 처리를 행할 수 있다.
또한, 반입이나 반출과 관련된 작용, 플라즈마(P)를 발생시키는 것과 관련된 작용 등은, 패턴 영역(216)을 형성하는 경우와 동일하기 때문에 상세한 설명은 생략한다.
다음으로, 나머지 레지스트 마스크(212)를 제거한다.
이 경우, 공급부(168)에 마련된 도시하지 않은 전환부에 의해, 공급되는 처리 가스(G)의 종류가 전환된다. 예컨대, 전술한 바와 같이, 캡핑층(203)의 표면(203a)이 산소 라디칼이 노출되는 시간이 짧기 때문에, 산소를 포함하는 가스를 공급하여 드라이 애싱 처리를 실시할 수 있다.
단, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스, 또는 암모니아 가스만을 이용하여 드라이 애싱 처리를 실시하도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스를 이용하여 드라이 애싱 처리를 실시할 때, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스에서의 암모니아 가스의 함유 비율을 0.5(50 vol%) 이상으로 하면, 루테늄(Ru)으로 형성된 캡핑층(203)의 광학 특성의 변화를 억제할 수 있고, 레지스트 마스크(212)에 대한 애싱 레이트를 향상시킬 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 암모니아 가스만을 이용한 드라이 애싱 처리를 실시하는 경우도, 루테늄(Ru)으로 형성된 캡핑층(203)의 광학 특성의 변화를 억제할 수 있고, 레지스트 마스크(212)에 대한 애싱 레이트를 향상시킬 수 있다.
이 경우, 플라즈마(P)를 발생시키는 것과 관련된 작용 등은, 전술한 드라이 에칭 처리의 경우와 동일하기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
또한, 전술한 레지스트 마스크(211)의 제거와 마찬가지로, 제조 장치(160)에서 레지스트 마스크(212)를 제거할 수도 있고, 제조 장치(160)와 동일한 구성을 갖는 제조 장치에서 레지스트 마스크(212)를 제거할 수도 있다.
또한, 레지스트 마스크(212)의 제거는, 전술한 EB 레지스트(211a)로 형성된 레지스트 마스크(211)의 제거와 동일하게 할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
이상, 실시형태에 관해 예시했다. 그러나, 본 발명은 이러한 설명에 한정되는 것은 아니다.
전술한 실시형태에 관해, 당업자가 적절하게 구성요소의 추가, 삭제 혹은 설계 변경을 행한 것, 또는 공정의 추가, 생략 혹은 조건 변경을 행한 것도, 본 발명의 특징을 갖추고 있는 한 본 발명의 범위에 포함된다.
예컨대, 제조 장치(160)가 구비하는 각 요소의 형상, 치수, 재질, 배치, 개수 등은, 예시를 한 것에 한정되지 않고 적절하게 변경할 수 있다.
예컨대, 전술한 실시형태에서는, 레지스트 마스크(212)를 제거하는 제조 장치(160)는 2주파 플라즈마 처리 장치로서 설명했지만, 리모트 플라즈마 처리 장치, 표면파 플라즈마 처리 장치 등의 다른 형태의 플라즈마 처리 장치이어도 좋다. 이 경우에도, 전술한 실시형태의 경우와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 전술한 각 실시형태가 구비하는 각 요소는, 가능한 한 조합할 수 있고, 이들을 조합한 것도 본 발명의 특징을 포함하는 한 본 발명의 범위에 포함된다.
4 : 전극부 6b : 고주파 전원
6c : 고주파 전원 20 : 코일
160 : 제조 장치 161 : 처리 용기
168 : 공급부 169 : 배기부
200 : 마스크 블랭크 201 : 기판
202 : 반사층 203 : 캡핑층
203a : 표면 204 : 흡수층
204a : 흡수체층 204b : 반사 방지층
205 : 도전층 211 : 레지스트 마스크
212 : 레지스트 마스크 216 : 패턴 영역
217 : 차광 영역 G : 처리 가스
6c : 고주파 전원 20 : 코일
160 : 제조 장치 161 : 처리 용기
168 : 공급부 169 : 배기부
200 : 마스크 블랭크 201 : 기판
202 : 반사층 203 : 캡핑층
203a : 표면 204 : 흡수층
204a : 흡수체층 204b : 반사 방지층
205 : 도전층 211 : 레지스트 마스크
212 : 레지스트 마스크 216 : 패턴 영역
217 : 차광 영역 G : 처리 가스
Claims (6)
- 기판의 주면에 반사층을 형성하는 공정과,
상기 반사층 상에 루테늄을 포함하는 캡핑층을 형성하는 공정과,
상기 캡핑층 상에 흡수층을 형성하는 공정과,
상기 흡수층에 패턴 영역을 형성하는 공정과,
상기 패턴 영역을 형성할 때 이용된 레지스트 마스크를 제거하는 공정, 그리고
상기 흡수층과 상기 캡핑층과 상기 반사층에 상기 패턴 영역을 둘러싸는 차광 영역을 형성하는 공정
을 포함하고,
상기 패턴 영역을 형성할 때 이용된 레지스트 마스크를 제거하는 공정에서는, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스, 또는 암모니아 가스만을 이용한 드라이 애싱 처리를 실시하는 것인 반사형 마스크의 제조 방법. - 제1항에 있어서, 상기 패턴 영역을 형성할 때 이용된 레지스트 마스크를 제거하는 공정에서는, 상기 루테늄을 포함하는 캡핑층의 표면의 일부가 노출되어 있는 것인 반사형 마스크의 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 패턴 영역을 형성할 때 이용된 레지스트 마스크를 제거하는 공정에서는, 상기 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스에서의 상기 암모니아 가스의 비율을 50 vol% 이상으로 하는 것인 반사형 마스크의 제조 방법.
- 반사층과, 상기 반사층 상에 마련되고 루테늄을 포함하는 캡핑층과, 상기 캡핑층 상에 마련된 흡수층을 갖는 마스크 블랭크에 패턴 영역을 형성할 때 이용된 레지스트 마스크를 제거하는 반사형 마스크의 제조 장치로서,
처리 용기와,
상기 처리 용기의 내부에 가스를 공급하는 공급부와,
상기 처리 용기의 내부를 배기시키는 배기부, 그리고
상기 처리 용기의 내부에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부
를 포함하고,
상기 처리 용기의 내부에서, 상기 패턴 영역을 형성할 때 이용된 레지스트 마스크를 제거할 때, 상기 공급부는, 암모니아 가스와 질소 가스, 또는 암모니아 가스만을 공급하는 것인 반사형 마스크의 제조 장치. - 제4항에 있어서, 상기 처리 용기의 내부에서, 상기 패턴 영역을 형성할 때 이용된 레지스트 마스크를 제거할 때, 상기 루테늄을 포함하는 캡핑층의 표면의 일부가 노출되어 있는 것인 반사형 마스크의 제조 장치.
- 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 암모니아 가스와 상기 질소 가스에서의 상기 암모니아 가스의 비율은 50 vol% 이상인 것인 반사형 마스크의 제조 장치.
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