KR101361289B1 - Film forming apparatus - Google Patents
Film forming apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR101361289B1 KR101361289B1 KR1020120021714A KR20120021714A KR101361289B1 KR 101361289 B1 KR101361289 B1 KR 101361289B1 KR 1020120021714 A KR1020120021714 A KR 1020120021714A KR 20120021714 A KR20120021714 A KR 20120021714A KR 101361289 B1 KR101361289 B1 KR 101361289B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film forming
- film
- forming apparatus
- chamber
- deposition
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/52—Means for observation of the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
[과제] 피성막재료의 유무를 검출하는 검출기능을 확보할 수 있는 성막장치를 제공한다.
[해결수단] 성막장치(1)는, 워크(W)에 성막재료를 성막하는 성막장치로서, 워크(W)를 수납하여 성막처리를 행하는 성막실(2)과, 성막실(2)의 내부에 설치되고, 워크(W)를 반송하는 반송장치(7)와, 성막실(2)을 구획 형성하는 벽(3a)에 설치되고, 광을 투과하는 방착유리(27)를 가져서, 성막실(2)의 외부로부터 내부에의 투광을 가능하게 하는 뷰포트(13)와, 성막실(2)의 외부에 설치되고, 뷰포트(13)의 방착유리(27)를 투과시켜서 센서광을 투광하여 성막실(2)의 내부의 워크(W)의 유무를 검출하는 주행센서(11)와, 방착유리(27)에의 성막재료의 퇴적을 억제하기 위한 히터(31)를 구비하고 있다.[PROBLEMS] To provide a film forming apparatus capable of securing a detection function for detecting the presence or absence of a film forming material.
[Fixing means] The film forming apparatus 1 is a film forming apparatus for forming a film forming material onto the work W. The film forming apparatus 2 accommodates the work W and performs the film forming process, and the interior of the film forming chamber 2. Installed on the conveying apparatus 7 for conveying the workpiece W and the wall 3a for partitioning the film forming chamber 2, and having an anti-glare glass 27 that transmits light. It is provided in the viewport 13 which enables light transmission from the outside of 2) to the inside, and is formed outside the film forming chamber 2, and transmits the sensor light by transmitting the adhesion glass 27 of the viewport 13 to the film forming room. The traveling sensor 11 which detects the presence or absence of the workpiece | work W in (2), and the heater 31 for suppressing deposition of the film-forming material on the adhesion glass 27 are provided.
Description
본 발명은, 피(被)성막(成膜)재에 성막재료를 성막하는 성막장치에 관한 것이다.The present invention relates to a film forming apparatus for forming a film forming material on a film forming material.
종래, 이러한 분야의 기술로서, 하기 특허문헌 1에 기재된 성막장치가 알려져 있다. 이 성막장치는, 진공용기 내에 피성막재를 수용하고, 피성막재 표면에 성막재료를 성막하는 것이다.Conventionally, the film-forming apparatus of following
이런 종류의 성막장치에서는, 진공용기 내에 있어서의 피성막재의 이동을 제어하기 위하여, 소정의 위치에 있어서의 피성막재의 유무를 검출할 필요가 있다. 이러한 검출수단으로서는, 예컨대, 피성막재를 재치(載置)하는 트레이 등에 광을 쬐어서 검출하는 타입의 센서 등을 생각할 수 있다. 그러나, 이 타입의 센서를 진공용기의 외측에 배치하여 이용하는 경우, 적어도 진공용기의 벽에 센서광을 투과하는 투과부를 설치할 필요가 있다. 그런데, 진공용기 중에는 성막재료가 부유(浮遊)하고 있으므로 투과부에도 성막재료가 부착될 수 있다. 그리고, 성막재료가 투과부에 부착되어 퇴적함으로써, 이 투과부의 광투과성이 없어져서, 센서에 의한 검출기능을 확보할 수 없게 되는 경우가 있다.In this type of film forming apparatus, it is necessary to detect the presence or absence of the film forming material at a predetermined position in order to control the movement of the film forming material in the vacuum container. As such detection means, for example, a sensor or the like that detects light by applying light to a tray or the like on which a film is formed can be considered. However, when using this type of sensor disposed outside the vacuum vessel, it is necessary to provide a transmissive portion that transmits the sensor light at least on the wall of the vacuum vessel. However, since the film forming material is suspended in the vacuum vessel, the film forming material may be attached to the permeable part. When the film-forming material adheres to and is deposited on the transmissive portion, the light transmittance of the transmissive portion is lost, and the detection function by the sensor may not be secured.
이러한 문제를 감안하여, 본 발명은, 피성막재료의 유무를 검출하는 검출기능을 확보할 수 있는 성막장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In view of such a problem, an object of the present invention is to provide a film forming apparatus capable of securing a detection function for detecting the presence or absence of a film forming material.
본 발명의 성막장치는, 피성막재에 성막재료를 성막하는 성막장치로서, 피성막재를 수납하여 성막처리를 행하는 성막실과, 성막실의 내부에 설치되고, 피성막재를 반송(搬送)하는 반송수단과, 성막실을 구획 형성하는 벽(壁)부에 설치되어, 광을 투과하는 투과부를 가지고, 성막실의 외부로부터 내부에의 투광(投光)을 가능하게 하는 창(窓)부와, 성막실의 외부에 설치되고, 창부의 투과부를 투과시켜서 센서광을 투광하여 성막실의 내부의 피성막재의 유무를 검출하는 검출수단과, 투과부에의 성막재료의 퇴적을 억제하는 퇴적억제수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.The film forming apparatus according to the present invention is a film forming apparatus for forming a film forming material onto a film forming material, and is formed inside a film forming chamber for storing the film forming material and performing a film forming process, and conveys the film forming material. A window portion provided at the wall portion for partitioning the deposition chamber and having a transmission portion for transmitting light, and allowing light transmission from the outside of the deposition chamber to the interior; Detecting means for detecting the presence or absence of a film forming material in the film forming chamber by transmitting the sensor light through the transmission part of the window, and depositing suppressing means for suppressing deposition of the film forming material in the transmitting part. It is characterized by being provided.
이 성막장치는, 투과부에의 성막재료의 퇴적이, 퇴적억제수단에 의하여 억제되므로, 퇴적된 성막재료에 의한 센서광의 투과상태의 악화를 억제할 수 있고, 그 결과, 피성막재료의 유무를 검출하는 검출기능을 확보할 수 있다.This film deposition apparatus suppresses the deterioration of the transmission state of the sensor light due to the deposited film deposition material because deposition of the film deposition material on the transmission portion is suppressed by the deposition inhibiting means, and as a result, the presence or absence of the film formation material can be detected. The detection function can be ensured.
또한, 구체적으로는, 퇴적억제수단은, 투과부에 부착된 성막재료를 증발시킴과 함께, 투과부에의 성막재료의 부착을 억제하는 것으로 하여도 된다.In addition, the deposition inhibiting means may evaporate the film forming material adhering to the permeable part and suppress the adhesion of the film forming material to the permeable part.
더욱 구체적으로는, 퇴적억제수단은, 투과부를 가열하는 가열부를 구비하는 것으로 하여도 된다. 이 구성에 의하면, 투과부에 부착된 성막재료를 가열하여 증발시켜서, 부착을 억제할 수 있다.More specifically, the deposition inhibiting means may be provided with a heating section for heating the permeation section. According to this structure, deposition can be suppressed by heating and evaporating the film-forming material adhering to the permeation part.
또한, 가열부는, 벽부보다도 성막실의 내부의 측에 설치되어 있는 것으로 하여도 된다. 가열부를 벽부보다도 내부의 측에 설치하는 것으로 하면, 가열에 관한 투과부 주변의 구조의 복잡화를 억제할 수 있다.In addition, the heating section may be provided on the inside of the film formation chamber rather than the wall section. If the heating portion is provided on the inner side of the wall portion, the complexity of the structure around the permeation portion related to the heating can be suppressed.
또한, 구체적인 구성으로서, 창부는, 벽부보다도 성막실의 내부의 측에 설치되는 것과 함께 중공(中空)부에 센서광을 통과시키는 통형상부를 구비하고, 통형상부의 중공부에 투과부가 설치되어 있고, 가열부는, 통형상부의 단부의 측면과 투과부를 에워싸도록 설치되어 있는 것으로 하여도 된다. 이 구성에 의하면, 가열부의 열이 통형상부를 통하여 투과부에 효율 좋게 전달된다.Moreover, as a specific structure, the window part is provided in the inside of the film-forming chamber rather than the wall part, and is provided with the cylindrical part which passes a sensor light in a hollow part, and the transmission part is provided in the hollow part of a cylindrical part. The heating part may be provided so as to surround the side surface and the permeation | transmission part of the edge part of a cylindrical part. According to this structure, the heat of a heating part is efficiently transmitted to a permeation | transmission part through a cylindrical part.
또한, 가열부는, 벽부보다도 성막실의 외부의 측에 설치되어 있는 것으로 하여도 된다. 가열부를 벽부보다도 외부의 측에 설치하는 것으로 하면, 성막실 내의 공간을 절약할 수 있다.In addition, the heating section may be provided on the outside of the deposition chamber rather than the wall section. If the heating section is provided on the side outside the wall section, the space in the film formation chamber can be saved.
또한, 구체적인 구성으로서, 창부는, 벽부보다도 성막실의 외부의 측에 설치됨과 함께 중공부에 센서광을 통과시키는 통형상부를 구비하고, 통형상부의 중공부에 투과부가 설치되어 있고, 가열부는, 통형상부의 단부의 측면과 투과부를 에워싸도록 설치되어 있는 것으로 하여도 된다. 이 구성에 의하면, 가열부의 열이 통형상부를 통하여 투과부에 효율 좋게 전달된다.Moreover, as a specific structure, the window part is provided in the outer side of the film-forming chamber rather than the wall part, is provided with the cylindrical part which passes a sensor light in a hollow part, the permeable part is provided in the hollow part of a cylindrical part, and a heating part is It may be provided so as to surround the side surface of the end part of a cylindrical part, and a permeable part. According to this structure, the heat of a heating part is efficiently transmitted to a permeation | transmission part through a cylindrical part.
또한 구체적인 구성으로서, 창부는, 투과부보다도 성막실의 내부의 측에 설치되고, 센서광을 통과시키는 중공부를 가지는 통(筒)체와, 중공부 내에 설치되어 센서광을 투과하는 제2 투과부를 구비하고, 투과부는, 통체와 제2 투과부에 의하여 성막재료가 부유하는 공간으로부터 칸막이되어 있고, 제2 투과부는, 통체에 대하여 착탈 가능하게 설치되어 있는 것으로 하여도 된다. 이 경우, 제2 투과부가 퇴적억제수단으로서 기능한다. 또한, 제2 투과부가 통체로부터 착탈 가능하므로, 제2 투과부에 성막재료가 퇴적된 경우에도, 제2 투과부를 용이하게 교환할 수 있어서, 센서광의 투과상태를 확보할 수 있다.Moreover, as a specific structure, a window part is provided in the inside of a film-forming chamber rather than a transmission part, and has a cylindrical body which has a hollow part which let a sensor light pass, and a 2nd transmission part which is provided in a hollow part and permeate | transmits a sensor light. The permeable portion may be partitioned from a space in which the film forming material floats by the cylindrical body and the second permeable portion, and the second permeable portion may be detachably attached to the cylindrical body. In this case, the second transmission portion functions as a deposition inhibiting means. In addition, since the second transmission part is detachable from the cylinder, even when the film-forming material is deposited on the second transmission part, the second transmission part can be easily replaced, thereby ensuring the transmission state of the sensor light.
또한, 성막재료는 셀렌인 것으로 하여도 된다. 셀렌은, 투과부에 두껍게 부착되는 성질이 있고, 또한 부착된 경우의 광의 투과도도 낮기 때문에, 투과부에 있어서의 광투과가 저해되기 쉽다. 따라서, 성막재료가 셀렌인 경우에는, 특히 상술한 퇴적억제수단의 필요성이 높다.The film forming material may be selenium. Since selenium has a property of thickly adhering to the transmissive part and also has a low transmittance of light in the case of adhering, selenium tends to inhibit light transmission in the transmissive part. Therefore, in the case where the film forming material is selenium, the necessity of the above-described deposition inhibiting means is particularly high.
본 발명의 성막장치에 의하면, 피성막재료의 유무를 검출하는 검출기능을 확보할 수 있다.According to the film forming apparatus of the present invention, a detection function for detecting the presence or absence of a film forming material can be ensured.
도 1은, 본 발명의 제1 실시형태에 관한 성막장치를 측방으로부터 본 단면도이다.
도 2는, 도 1의 성막장치를 상방으로부터 본 단면도이다.
도 3은, 도 1의 성막장치로 행하여지는 다원증착법을 설명하는 도면이다.
도 4는, CIGS 발전층을 구비하는 CIGS 태양전지의 단면도이다.
도 5는, 정지(靜止)성막 방법에 따르는 다원증착법을 행하는 성막장치의 단면도이다.
도 6은, 본 발명의 제2 실시형태에 관한 성막장치를 측방으로부터 본 단면도이다.
도 7은, 도 6의 성막장치를 상방으로부터 본 단면도이다.
도 8은, 본 발명의 제3 실시형태에 관한 성막장치를 측방으로부터 본 단면도이다.
도 9는, 도 8의 성막장치를 상방으로부터 본 단면도이다.1: is sectional drawing which looked at the film-forming apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention from the side.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the film forming apparatus of FIG. 1 viewed from above. FIG.
FIG. 3 is a view for explaining a multiple deposition method performed by the film forming apparatus of FIG. 1.
4 is a cross-sectional view of a CIGS solar cell having a CIGS power generation layer.
5 is a cross-sectional view of a film forming apparatus for performing a multiple deposition method according to a still film forming method.
6 is a cross-sectional view of the film forming apparatus according to the second embodiment of the present invention as seen from the side.
FIG. 7 is a cross-sectional view of the film forming apparatus of FIG. 6 viewed from above. FIG.
8 is a cross-sectional view of the film forming apparatus according to the third embodiment of the present invention as seen from the side.
9 is a cross-sectional view of the film forming apparatus of FIG. 8 viewed from above.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명에 관한 성막장치의 적합한 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다. 다만, 필요한 경우에는, 각 도면에 나타내는 바와 같이, Z축을 연직축으로 하고 XY평면을 수평면으로 하는 XYZ 좌표계를 설정하고, X, Y, Z를 편의적으로 설명에 이용하는 경우가 있다. 또한, Z방향을 윗 방향으로 하여, "상", "하"의 개념을 포함하는 말을 설명에 이용하는 경우가 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of the film-forming apparatus which concerns on this invention is described in detail, referring drawings. In addition, when necessary, as shown in each figure, the XYZ coordinate system which makes a Z axis a vertical axis and an XY plane a horizontal plane may be set, and X, Y, and Z may be conveniently used for description. In addition, the word which includes the concept of "up" and "down" may be used for description, with the Z direction upward.
(제1 실시형태)(First embodiment)
도 1 및 도 2에 나타내는 성막장치(1)는, 진공의 성막실(2)을 내부에 구획 형성하는 챔버(3)를 구비하고 있고, 성막실(2)에 수용된 워크(피성막재)(W)에 대하여, 다원증착법(MSD)에 의하여, 셀렌 등을 성막재료로 한 성막처리를 실시하는 장치이다. 예컨대, 성막장치(1)는, 태양전지의 재료인 유리기판에 셀렌증착막을 성막하는 용도로 이용된다.The
도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 성막장치(1)에서 행하여지는 다원증착법은, 마스크를 실시한 워크(W)를 성막실(2) 내에서 반송(搬送)하면서 행하여진다. 도면에 나타내는 바와 같이, 성막장치(1)의 성막실(2) 내에서, 워크(W)의 반송로의 상방에 히터(44)가 배치되어 있다. 또한, 워크(W)의 반송로의 하방에는, 2개의 셀렌증착원(源) 유닛(45, 45)이 Y방향으로 배열되어 설치되어 있다. 셀렌증착원 유닛(45, 45)에는, 성막실(2) 밖에 설치되는 셀렌증착원(45a)이 접속되어 있다.As shown in FIG. 3, the multiple deposition method performed in the
또한, 셀렌증착원 유닛(45, 45)의 하방에는, 다른 증착물질(구리, 인듐, 갈륨)의 증착원(46, 47, 48)이 설치되어 있다. 다만, 도 3에서, 증착원(46, 47, 48)이, 지면(紙面)에 수직인 Y방향으로 배열되어 있기 때문에 겹쳐 보이지만, 평면에서 본 경우에는, 2개의 셀렌증착원 유닛(45, 45) 사이에서, 증착원(46, 47, 48)이 순서대로 Y방향으로 배열되어 있다. 워크(W)를 재치하는 트레이(5)에는 개구부(미도시)가 설치되어 있고, 셀렌증착원 유닛(45) 및 증착원(46, 47, 48)으로부터 발생하는 증착물질은, 상기 개구부를 통하여 워크(W)의 하면에 주로 증착되어, 워크(W)에 셀렌증착막이 형성된다.Further, below the selenium deposition source units 45 and 45,
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 성막장치(1)의 성막실(2) 내에는, 상기 워크(W)를 성막실(2) 내에서 이동시킬 수 있도록, 워크(W)를 상면에 재치하여 이동하는 트레이(5)와, 이 트레이(5)를 반송하는 반송장치(7)가 설치되어 있다. 반송장치(7)는 모터를 동력원으로 하는 공지의 것이고, 성막실(2) 내에 있어서, Y방향으로 배열된 복수의 트레이(5)를, Y방향으로 연속적으로 반송할 수 있다. 트레이(5)의 반송 하류에는, 성막실(2)로부터의 출구가 있고, 성막실(2) 내의 압력제어용의 개폐 가능한 문이 존재한다. 예컨대, 이 문의 개폐의 타이밍 등을 제어하기 위하여, 트레이(5)가 소정의 위치에 도달하였는지 아닌지, 나아가서는 워크(W)가 소정의 위치에 존재하는지 아닌지를 검출할 필요가 있다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, in the
그래서, 성막장치(1)는, 성막실(2) 내의 소정위치에 트레이(5)가 존재하는지 아닌지를 검출하는 검출수단을 구비하고 있다. 이 검출수단은, 성막실(2)의 외부에 설치된 주행센서(검출수단)(11)와, 이 주행센서(11)로부터 출사되는 센서광을 통과시켜서 성막실(2)의 내부로 도입하는 뷰포트(창부)(13)를 구비하고 있다. 뷰포트(13)의 존재에 의하여, 성막실(2)의 외부의 주행센서(11)로부터 성막실(2) 내부에의 투광(投光)이 가능하여진다. 주행센서(11) 및 뷰포트(13)는, 챔버(3)의 격벽 중 YZ평면에 평행한 벽(3a)에 설치되어 있다.Therefore, the
주행센서(11)로부터 성막실(2)의 내부를 향하여 출사된 센서광은, 뷰포트(13)를 통과하여 X방향으로 출사된다. 이 센서광의 광축은, 부호 "A"로 도시되어 있다. 벽(3a)에 대향하는 벽(3d)에는, 광축(A) 상에 위치하는 뷰포트(13')와 수광부(17)가 설치되어 있고, 상기 센서광이 뷰포트(13')를 투과하여 수광부(17)에 입사되는 위치관계에 있다. 뷰포트(13')의 상세한 도시는 생략하고 있지만, 뷰포트(13')는 뷰포트(13)와 마찬가지의 구성을 가져도 된다. 상기 수광부(17)에 센서광이 입사함으로써, 주행센서(11)와 수광부(17) 사이의 소정위치에 트레이(5)가 존재하지 않는 것이 인식된다. 그리고, 성막실(2) 내의 소정위치에 트레이(5)가 존재할 때에는, 트레이(5)의 차광부(5a)가 광축(A)에 위치하여 상기 센서광을 차단함으로써, 수광부(17)에 센서광이 입사하지 않게 되어, 소정위치에 있는 트레이(5)의 존재가 인식된다.The sensor light emitted from the
이어서, 상기 뷰포트(13)에 대하여, 더욱 상세하게 설명한다. 이하, 뷰포트(13)의 구성요소의 설명에 있어서는, 성막실(2)의 내부의 측(도 1, 도 2에 있어서는 좌측)을 "전(前)", 성막실(2)의 외부의 측(도 1, 도 2에 있어서는 우측)을 "후(後)"로 하여, 위치관계의 설명에 "전", "후"가 이용되는 경우가 있다.Next, the
뷰포트(13)는, 성막실(2)의 진공과 외부의 대기를 칸막음하는 투명한 칸막이유리(21)를 구비하고 있다. 칸막이유리(21)는, O링(21a)을 통하여 벽(3a)의 외측에 고정되고, 광축(A) 상에 위치하여, 센서광을 투과한다. 칸막이유리(21)는, 예컨대 두께 6mm 이상의 투명한 내열유리이다. 또한, 뷰포트(13)는, 칸막이유리(21)의 전방에 있어서, 벽(3a)보다도 성막실(2)의 내부의 측에 위치하는 SUS제(製)의 통(筒)형상부(23)를 구비하고 있다. 광축(A)은, 통형상부(23)의 중공부(23a)를 통과하고 있다. 통형상부(23)의 후단측은, 벽(3a)에 매립되어 있고, 통형상부(23)의 전단측에는, 광축(A) 상에 위치하는 방착(防着; 부착방지)유리(투과부)(27)가 중공부(23a) 내에 끼워져 있다. 방착유리(27)는 센서광을 투과한다. 다만, 통형상부(23)의 상부에는 연통구멍(23b)이 설치되어 있으므로, 중공부(23a) 내부도 성막실(2)과 마찬가지로 진공이 된다. 이상의 뷰포트(13)의 구성에 의하여, 주행센서(11)로부터 출사되는 센서광은, 칸막이유리(21)를 투과하고, 중공부(23a)를 통과하고, 또한 방착유리(27)를 통과하여 성막실(2) 내에 조사(照射)된다.The
성막실(2)에는 성막재료가 부유하고 있어서, 칸막이유리(21)나 방착유리(27)와 같은 투명부재 상에 성막재료가 부착되어 퇴적되면, 센서광의 투과상태가 악화되어, 트레이(5)의 유무의 검출을 할 수 없게 된다. 이 성막장치(1)에서는, 칸막이유리(21)의 전방에 방착유리(27)를 설치함으로써, 칸막이유리(21) 위에의 성막재료의 퇴적을 억제하는 것이지만, 이 경우, 방착유리(27)에의 성막재료의 부착·퇴적이 마찬가지의 문제를 발생시킨다. 따라서, 방착유리(27)에의 성막재료의 퇴적을 억제하는 수단이 요망된다. 특히, 성막장치(1)에서 성막재료로서 사용되는 셀렌은, 방착유리(27) 등에 두껍게 부착되는 성질이 있고, 또한 부착된 경우의 빛의 투과도도 낮기 때문에, 방착유리(27)에 있어서의 광투과가 저해되기 쉽다. 따라서, 성막재료로서 셀렌을 이용하는 경우에는, 특히 퇴적억제의 필요성이 높다.When the film forming material is suspended in the
그래서, 성막장치(1)의 뷰포트(13)는, 방착유리(27)를 가열하기 위한 히터(가열부, 퇴적억제수단)(31)를 구비하고 있다. 히터(31)는, 통형상부(23)의 전단측의 측면의 주위에 권취되어 있다. 그리고, 급전부(33)로부터 히터(31)에 급전함으로써, 통형상부(23)를 가열하고, 간접적으로 방착유리(27)를 가열한다. 히터(31)가 통형상부(23) 측면과 방착유리(27)를 에워싸도록 설치되어 있으므로, 히터(31)의 열이 효율 좋게 방착유리(27)에 전달된다. 또한, 통형상부(23)가 SUS제(製)인 것도, 전열(傳熱)효율을 높이는 요인이 된다. 또한, 히터(31)의 주위를 에워싸도록, 히터(31)로부터의 방사열을 반사하는 반사판(35)이 설치되어 있어서, 방착유리(27)에의 전열효율을 더욱 높이고 있다.Therefore, the
이 구성에 의하면, 방착유리(27)가 가열되므로, 방착유리(27)에 부착된 성막재료가, 방착유리(27)의 열로 승화(증발)된다. 또한, 방착유리(27)에 부착되려고 하는 성막재료도 부착 직후에 승화하게 되므로, 방착유리(27)에의 성막재료의 부착 자체가 억제된다. 따라서, 방착유리(27)에의 성막재료의 퇴적이 억제되어, 퇴적된 성막재료에 의한 센서광의 투과상태의 악화를 억제할 수 있다. 그 결과, 주행센서(11)의 검출기능을 확보할 수 있어서, 워크(W) 반송의 정확한 제어가 가능하게 된다. 다만, 이러한 작용효과를 얻기 위해서는, 셀렌의 증발온도(120℃)를 고려하여, 방착유리(27)의 가열온도는 약 150℃로 된다. 또한, 다른 성막재료가 이용되는 경우에는, 그 성막재료의 증발온도를 고려하여, 방착유리(27)의 가열온도를 적절히 설정하면 된다.According to this structure, since the
또한, 히터(31), 통형상부(23) 및 방착유리(27)가, 벽(3a)보다도 성막실(2)의 내부 측의 위치에 설치되므로, 뷰포트(13)에 있어서 성막실(2)을 진공 밀봉하는 구조도 복잡하여지지 않아서, 부품점수의 증가를 억제할 수 있다.Moreover, since the
여기서, 센서광의 투과상태를 확보하기 위한 다른 구성으로서는, 방착유리(27)를 생략하고, 칸막이유리(21)를 가열하는 가열수단을 설치하는 구성도 생각할 수 있다. 그런데, 칸막이유리(21)는, 진공의 성막실(2)을 대기로부터 밀봉하는 것이기 때문에, O링(21a)을 통하여 장착된다. 따라서, 칸막이유리(21)를 가열하는 구성을 채용하는 경우에는, O링(21a)의 열(熱) 열화에 의한 밀봉기능의 열화를 피하기 위하여, 열 열화가 적은 재질로 이루어지는 특수한 O링(21a)을 채용하는 것이 필요하게 된다. 이러한 특수한 O링(21a)을 채용하면, 칸막이유리(21)를 직접 가열하여 칸막이유리(21)에의 성막재료의 부착을 억제할 수 있어, 방착유리(27)나 그 주위의 구성요소를 생략하여 부품점수를 감소시킬 수 있다.Here, as another structure for ensuring the transmission state of a sensor light, the structure which installs the heating means for heating the
이에 대하여, 상술한 성막장치(1)에서는, 상기와 같은 특수한 O링을 필요로 하지 않도록, 방착유리(27)를 칸막이유리(21)의 전방에 설치하고, 성막재료가 희박한 공간(중공부(23a))을 방착유리(27)와 칸막이유리(21) 사이에 형성한 다음, 방착유리(27)를 가열하는 구성으로 한 것이다. 방착유리(27)는, 압력이 상이한 공간끼리의 칸막이가 아니라서 O링은 불필요하므로, 방착유리(27)를 가열하여도 O링의 열화와 같은 문제는 발생하지 않는다.In contrast, in the
이상 설명한 성막장치(1)는, 적합한 한 적용예로서, 예컨대, CIGS 태양전지의 CIGS 발전층의 성막에 이용된다. 도 4에, CIGS 태양전지의 한 예를 나타낸다. 이 도면에 나타내는 바와 같이, CIGS 태양전지(70)는, 소다라임 유리(71) 위에, Mo 이면전극(72)과, CIGS 발전층(73)과, 버퍼층(74)과, 투명도전막(75)이 순서대로 성막되고 적층되어 이루어진다. Mo 이면전극(72)은 스퍼터링법으로 성막되고, CIGS 발전층(73)은 셀렌화법 또는 다원증착법으로 성막되며, 버퍼층(74)은 스퍼터링법으로 성막되고, 투명도전막(75)은 RPD법, 스퍼터링법, 또는 CVD법으로 성막된다. 이 중, CIGS 발전층(73)의 성막이, 다원증착법을 이용하여 성막장치(1)에 의하여 행하여진다.As a suitable application example, the film-forming
다만, 성막장치(1)를 이용하는 방법 이외에도, 일반적인 다른 다원증착법으로서는, 워크를 반송하지 않고 정지(靜止)시켜서 행하는 정지성막 방법도 있다. 정지성막 방법에서는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 마스크를 실시한 워크(W)를 성막장치(51)의 성막실(52) 내에 설치하여 행하여진다. 예컨대, 성막실(52) 내에서, 워크(W)의 상방에 온도센서(53) 및 히터(54)를 순차로 배치하고, 워크(W)의 하방에는 개구부(56a)를 가지는 개구판(56) 및 셔터(58)를 순차로 배치한다. 그리고, 셔터의 하방에, 제1~제n 증착원(60a, 60b, 60c, …)이 배치된다. 셀렌증착막을 생성하는 경우에 있어서, 제1~제n 증착원(성막재료)에는, 구리, 인듐, 갈륨 및 셀렌이 적용된다. 다원증착법은 공지의 방법이므로, 더욱 상세한 설명은 생략한다.In addition to the method of using the
(제2 실시형태)(Second Embodiment)
도 6 및 도 7에 나타내는 성막장치(201)는, 상기 성막장치(1)에 있어서의 뷰포트(13) 대신, 뷰포트(213)를 구비하고 있다. 이하, 성막장치(201)에 있어서, 상술한 성막장치(1)와 동일 또는 동등한 구성부분에는 동일 부호를 붙이고 중복되는 설명을 생략한다.The
뷰포트(213)는, 챔버(3)의 벽(3a)을 관통하는 방착(防着)관(251)을 가지고 있다. 광축(A)은, 방착관(251)의 중공부(251a)를 통과한다. 방착관(251)의 후단부의 바로 후방에 방착유리(투과부)(227)가 설치되어 있다. 또한, 뷰포트(213)는, 방착관(251)의 후방에 설치된 SUS제(製)인 통형상부(통형상부)(223)를 구비하고 있다. 방착유리(227)는, 통형상부(223)의 전단부에 있어서 중공부(223a)에 끼워져 있다. 그리고, 통형상부(223)의 후방에, 칸막이유리(221)가 설치되고, 그 칸막이유리(221)의 후방에 주행센서(11)가 설치되어 있다. 이상의 뷰포트(213)의 구성에 의하여, 주행센서(11)로부터 출사되는 센서광은, 칸막이유리(221)를 투과하고, 통형상부(223)의 중공부(223a)를 통과하며, 방착유리(227)를 투과하고, 방착관(251)의 중공부(251a)를 통과하여, 성막실(2)의 내부에 조사된다. 다만, 성막장치(1)(도 1)와 마찬가지로, 벽(3a)에 대향하는 벽(3d)에는, 광축(A) 상에 위치하는 뷰포트(13') 및 수광부(17)가 설치되어 있지만, 그 도시는 생략하고 있다.The
또한, 이 성막장치(201)에 있어서는, 방착관(251)의 중공부(251a)가 성막실(2) 내의 성막재료에 노출되므로, 성막재료가 중공부(251a)의 내벽면에 부착되어 간다. 따라서, 중공부(251a)에 부착 퇴적된 성막재료가 센서광을 차단하지 않도록, 정기적으로 방착관(251)을 교환하는 운용으로 한다.In the
또한, 뷰포트(213)는, 방착유리(227)를 가열하기 위한 히터(가열부, 퇴적억제수단)(231)를 구비하고 있다. 히터(231)는, 통형상부(223)의 전단측의 측면의 주위에 권취되어 있다. 그리고, 급전부(233)로부터 히터(231)에 급전함으로써, 통형상부(223)를 가열하여, 간접적으로 방착유리(227)를 가열한다. 히터(231)가 통형상부(223) 측면과 방착유리(227)를 에워싸도록 설치되어 있으므로, 히터(231)의 열이 효율 좋게 방착유리(227)에 전달된다. 또한, 통형상부(223)가 SUS제(製)인 것도, 전열(傳熱)효율을 높이는 요인이 된다. 또한, 히터(231)의 주위를 에워싸도록, 히터(231)로부터의 방사열을 반사하는 반사판(235)이 설치되어 있어서, 방착유리(227)에의 전열효율을 더욱 높이고 있다.In addition, the
또한, 이러한 뷰포트(213)의 구성에서는, 통형상부(223), 방착유리(227) 및 히터(231)가 성막실(2)의 외부에 설치되므로, 이들을 수용하기 위한 진공케이스부(253)가, 벽(3a)으로부터 외측으로 돌출되어 설치되어 있다. 칸막이유리(221)는, O링(221a)을 통하여 진공케이스부(253)의 후단부에 장착되어 있고, 진공의 성막실(2)을 대기로부터 밀봉하고 있다. 히터(231)의 열에 의한 O링(221a)의 열화를 억제하도록, 진공케이스부(253)의 후단부를 냉각하기 위하여, 냉각수를 유동시키는 냉각수로(253a)가, 진공케이스부(253)의 후단부에 형성되어 있다.In addition, in the structure of this
성막장치(201)에서는, 방착유리(227)를 히터(231)로 가열함으로써, 상술한 성막장치(1)와 동일한 작용효과가 나타난다. 즉, 센서광의 투과상태의 악화를 억제할 수 있고, 주행센서(11)의 검출기능을 확보할 수 있어서, 워크(W) 반송의 정확한 제어가 가능하게 된다. 또한, 통형상부(223), 방착유리(227) 및 히터(231)를 벽(3a)보다도 성막실(2)의 외부의 측에 설치하는 구성을 채용하고 있으므로, 성막실(2)의 내부의 스페이스를 절약할 수 있다. 또한, 기존의 성막장치에 뷰포트를 추가하는 경우에, 성막실(2)의 내부에 스페이스의 여유가 없는 경우이더라도, 벽(3a)의 외측에 뷰포트(213)의 상기 각 요소를 장착할 수 있다.In the
(제3 실시형태)(Third Embodiment)
도 8 및 도 9에 나타내는 성막장치(301)는, 상기 성막장치(1)에 있어서의 뷰포트(13) 대신, 뷰포트(313)를 구비하고 있다. 이하, 성막장치(301)에 있어서, 상술한 성막장치(1, 201)와 동일 또는 동등한 구성부분에는 동일 부호를 붙이고 중복되는 설명을 생략한다.The
뷰포트(313)는, 칸막이유리(21)의 전방에 설치된 방착(防着)관(통체)(351)을 구비하고 있다. 광축(A)은, 방착관(351)의 중공부(351a)를 통과하고 있다. 방착관(351)의 후단측은, 벽(3a)에 형성된 관통구멍(3b)에 삽입되어 있다. 방착관(351)의 길이방향 중앙부에는, 방착유리(제2 투과부)(327)가, 착탈 가능하게 장착되어 있다. 예컨대, 방착관(351)에는, YZ평면에 평행한 판형상의 방착유리(327)를, 상방으로부터 삽입시키는 슬릿이 형성되고, 이 슬릿에 방착유리(327)를 삽탈할 수 있는 구성으로 되어 있다. 방착유리(327)는, 방착관(351)의 중공부(351a)를 전후로 분단하도록 삽입되고, 광축(A)을 가로지르도록 배치된다. 주행센서(11)로부터의 센서광은, 칸막이유리(21)를 투과하고, 관통구멍(3b)을 통과한다. 또한, 센서광은, 방착관(351)의 중공부(351a)를 통과할 때에 방착유리(327)를 투과하여, 성막실(2) 내에 조사된다. 다만, 성막장치(1)(도 1)와 마찬가지로, 벽(3a)에 대향하는 벽(3d)에는, 광축(A) 상에 위치하는 뷰포트(13') 및 수광부(17)가 설치되어 있지만, 그 도시는 생략하고 있다.The
이 구성에 의하면, 칸막이유리(투과부)(21)의 전방에, 방착관(351)이 설치되고, 이 방착관(351)의 중공부(351a)에 방착유리(퇴적억제수단)(327)가 존재하고 있으므로, 칸막이유리(21)는, 성막재료가 부유하는 성막실(2)의 공간으로부터 칸막음되어 있다. 따라서, 성막실(2)에 부유하는 성막재료는, 칸막이유리(21)까지 도달하기 어렵다. 따라서, 칸막이유리(21)에의 성막재료의 퇴적이 억제되어, 칸막이유리(21)에 퇴적된 성막재료에 의한 센서광의 투과상태의 악화를 억제할 수 있다. 이 경우, 방착유리(327)에는 성막재료가 비교적 접촉하기 쉽지만, 이 방착유리(327)에 성막재료가 퇴적된 경우에도, 방착유리(327)를 용이하게 착탈하여 교환할 수 있어서, 센서광의 투과상태를 회복시킬 수 있다. 또한, 정기적으로 방착유리(327)를 교환함으로써, 방착유리(327)에 있어서의 센서광의 투과상태를 양호하게 유지할 수 있다. 그 결과, 주행센서(11)의 검출기능을 확보할 수 있어서, 워크(W) 반송의 정확한 제어가 가능하게 된다.According to this structure, the
본 발명은, 상술한 제1~제3 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제1 및 제2 실시형태에 있어서는, 방착유리(27, 227)를 가열하기 위하여 고주파 히터를 이용하여도 된다. 또한, 방착유리(27, 227)에 히터를 내장하여 히터로 직접 가열하여도 된다. 또한, 성막재료의 부착·퇴적을 억제하는 수단으로서는, 방착유리(27, 227)의 가열에 한정되지 않고, 방착유리(27, 227)를 대전시켜도 된다. 또한, 제1~제3 실시형태에서는, 워크(W)의 유무를 간접적으로 검출하기 위하여, 트레이(5)의 유무를 검출하고 있지만, 센서광을 워크(W)에 조사하여 워크(W)의 유무를 직접 검출하여도 된다. 또한, 제1~제3 실시형태에서는, 검출수단으로서 투과형의 센서를 이용하고 있지만, 반사형의 센서를 이용하여도 된다. 또한, 제1~제3 실시형태에서는, 다원증착법(MSD)을 이용하는 성막장치에 본 발명을 적용하였지만, 다른 성막법(예컨대, 플라즈마 성막법, 스퍼터링법)을 이용하는 성막장치에도 적용 가능하다.This invention is not limited to the 1st-3rd embodiment mentioned above. For example, in 1st and 2nd embodiment, in order to heat the
1, 201, 301…성막(成膜)장치, 2…성막실, 3…챔버, 3a…벽(壁)부, 5…트레이, 7…반송(搬送)장치(반송수단), 11…주행센서(검출수단), 13, 213, 313…뷰포트(창(窓)부), 21…칸막이유리, 23, 223…통(筒)형상부, 23a, 223a…통형상부의 중공(中空)부, 27, 227…방착(防着)유리(투과부), 31, 231, 331…히터(가열부, 퇴적억제수단), 327…방착유리(제2 투과부), 351…통체, 351a…통체의 중공부, W…워크(피(被)성막재)1, 201, 301... Film forming apparatus, 2... Tabernacle, 3. Chamber, 3a... Wall portion, 5.. Tray, 7.. Conveying apparatus (conveying means), 11... Travel sensor (detecting means) 13, 213, 313... Viewport, 21... Partition glass, 23, 223...
Claims (9)
상기 피성막재를 수납하고 성막처리를 행하는 성막실과,
상기 성막실의 내부에 설치되고, 상기 피성막재를 반송하는 반송(搬送)수단과,
상기 성막실을 구획 형성하는 벽부에 설치되고, 광을 투과하는 투과부를 가져서, 상기 성막실의 외부로부터 내부에의 투광(投光)을 가능하게 하는 창(窓)부와,
상기 성막실의 외부에 설치되고, 상기 창부의 상기 투과부를 투과시켜서 센서광을 투광하여 상기 성막실의 내부의 상기 피성막재의 유무를 검출하는 검출수단과,
상기 투과부에의 상기 성막재료의 퇴적을 억제하는 퇴적억제수단
을 구비하고,
상기 창부는,
상기 센서광의 광축상에 위치하여 상기 센서광을 투과 가능하고, 상기 성막실의 진공과 외부의 대기를 칸막음하는 칸막이부와,
중공부가 상기 광축상에 마련되고, 상기 벽부에 매립된 통형상부
를 가지고,
상기 투과부는, 상기 통형상부의 중공부 내에 끼워져 있고,
상기 퇴적억제수단은, 상기 투과부를 가열하는 가열부를 가지고 있는 것
을 특징으로 하는 성막장치.A film forming apparatus for depositing a film forming material on a film forming material,
A film forming chamber which stores the film forming material and performs film forming processing;
A conveying means provided in the film forming chamber and conveying the film forming material;
A window portion provided in a wall portion that partitions the deposition chamber, and having a transmission portion that transmits light, and allowing light transmission from the outside to the interior of the deposition chamber;
Detection means which is provided outside the film formation chamber and transmits sensor light by transmitting the transmission portion of the window portion to detect the presence or absence of the film forming material inside the film formation chamber;
Deposition inhibiting means for suppressing deposition of the film forming material on the permeable portion
And,
The window portion,
A partition unit positioned on an optical axis of the sensor light and capable of transmitting the sensor light and partitioning the vacuum of the deposition chamber and the outside atmosphere;
The hollow portion is provided on the optical axis, the cylindrical portion embedded in the wall portion
Lt; / RTI &
The transmission portion is sandwiched in the hollow portion of the tubular portion,
The deposition inhibiting means has a heating section for heating the permeation section.
The film forming apparatus comprising:
상기 퇴적억제수단은, 상기 투과부에 부착된 성막재료를 증발시킴과 함께, 상기 투과부에의 상기 성막재료의 부착을 억제하는 것
을 특징으로 하는 성막장치.The method according to claim 1,
Wherein said deposition inhibiting means evaporates the film forming material adhering to said permeable part and inhibits adhesion of said film forming material to said permeable part.
The film forming apparatus comprising:
상기 가열부는, 상기 벽부보다도 상기 성막실의 내부의 측에 설치되어 있는 것
을 특징으로 하는 성막장치.The method according to claim 1,
The said heating part is provided in the inside of the said film-forming chamber rather than the said wall part.
The film forming apparatus comprising:
상기 통형상부는, 상기 벽부보다 상기 성막실의 내부의 측에 설치되고,
상기 가열부는, 상기 통형상부의 단부의 측면과 상기 투과부를 에워싸도록 설치되어 있는 것
을 특징으로 하는 성막장치.The method according to claim 3,
The cylindrical portion is provided on the inside of the film formation chamber rather than the wall portion,
The said heating part is provided so that the side surface of the edge part of the said cylindrical part and the said permeation part may be enclosed.
The film forming apparatus comprising:
상기 가열부는, 상기 벽부보다도 상기 성막실의 외부의 측에 설치되어 있는 것
을 특징으로 하는 성막장치.The method according to claim 1,
The said heating part is provided in the outer side of the said film-forming chamber rather than the said wall part.
The film forming apparatus comprising:
상기 통형상부는, 상기 벽부보다 상기 성막실의 외부의 측에 설치되고,
상기 가열부는, 상기 통형상부의 단부의 측면과 상기 투과부를 에워싸도록 설치되어 있는 것
을 특징으로 하는 성막장치.The method according to claim 5,
The tubular portion is provided on the outside of the film formation chamber than the wall portion,
The said heating part is provided so that the side surface of the edge part of the said cylindrical part and the said permeation part may be enclosed.
The film forming apparatus comprising:
상기 성막재료는 셀렌인 것
을 특징으로 하는 성막장치.The method according to any one of claims 1 to 6,
The film forming material is selenium
The film forming apparatus comprising:
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2011-046565 | 2011-03-03 | ||
JP2011046565A JP5456711B2 (en) | 2011-03-03 | 2011-03-03 | Deposition equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120100795A KR20120100795A (en) | 2012-09-12 |
KR101361289B1 true KR101361289B1 (en) | 2014-02-11 |
Family
ID=46729580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120021714A KR101361289B1 (en) | 2011-03-03 | 2012-03-02 | Film forming apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5456711B2 (en) |
KR (1) | KR101361289B1 (en) |
CN (1) | CN102653852B (en) |
TW (1) | TWI546404B (en) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101425864B1 (en) * | 2012-09-11 | 2014-07-31 | (주)세미코아 | Fims loader comprising sensor unit to easily installaiton and maintenance |
CN104508172B (en) * | 2012-11-13 | 2016-10-12 | 三菱重工业株式会社 | Vacuum deposition apparatus |
CN107017177B (en) * | 2017-04-25 | 2019-06-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | Rate of film build detects mould group, film-forming apparatus, rate of film build detection method |
CN111206210A (en) * | 2018-11-02 | 2020-05-29 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | Film coating equipment and film coating method |
CN111206221A (en) * | 2018-11-02 | 2020-05-29 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | Film coating equipment and film coating method |
CN111206207A (en) * | 2018-11-02 | 2020-05-29 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | Deposition chamber, coating equipment and coating method |
CN111206224A (en) * | 2018-11-02 | 2020-05-29 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | Deposition chamber, coating equipment and coating method |
CN111206209A (en) * | 2018-11-02 | 2020-05-29 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | Film coating equipment and film coating method |
CN111206204A (en) * | 2018-11-02 | 2020-05-29 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | Film coating equipment and film coating method |
CN111206205A (en) * | 2018-11-02 | 2020-05-29 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | Deposition chamber, coating equipment and coating method |
CN111206208A (en) * | 2018-11-02 | 2020-05-29 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | Film coating equipment and film coating method |
CN111206220A (en) * | 2018-11-02 | 2020-05-29 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | Film coating equipment and film coating method |
CN111206223A (en) * | 2018-11-02 | 2020-05-29 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | Film coating equipment and film coating method |
CN111206203A (en) * | 2018-11-02 | 2020-05-29 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | Deposition chamber, coating equipment and coating method |
CN111206219A (en) * | 2018-11-02 | 2020-05-29 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | Deposition chamber, coating equipment and coating method |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100268448B1 (en) | 1998-08-17 | 2000-10-16 | 윤종용 | Etching end point detector |
KR20070019421A (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Flat panel display manufacturing machine |
KR20070080517A (en) * | 2006-02-07 | 2007-08-10 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for treating substrates |
KR20100012862A (en) * | 2007-05-01 | 2010-02-08 | 베러티 인스트루먼트, 인코퍼레이티드 | Method and apparatus for reducing the effects of window clouding on a viewport window in a reactive environment |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2641922B2 (en) * | 1988-10-26 | 1997-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Processing equipment |
JPH0448263U (en) * | 1990-08-31 | 1992-04-23 | ||
WO1999029923A1 (en) * | 1997-12-05 | 1999-06-17 | Tegal Corporation | Plasma reactor with a deposition shield |
JP4072889B2 (en) * | 2001-03-19 | 2008-04-09 | 新明和工業株式会社 | Vacuum deposition system |
CN2592656Y (en) * | 2003-01-08 | 2003-12-17 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | Rotary guard plate of observation window of vacuum chamber for vacuum coating system |
CN100487948C (en) * | 2004-03-03 | 2009-05-13 | 三洋电机株式会社 | Method and apparatus for measuring thickness of deposited film and method and apparatus for forming material layer |
SE0400582D0 (en) * | 2004-03-05 | 2004-03-05 | Forskarpatent I Uppsala Ab | Method for in-line process control of the CIGS process |
CN101681802A (en) * | 2007-03-21 | 2010-03-24 | 真实仪器公司 | Method and apparatus for reducing the effects of window clouding on a viewport window in a reactive environment |
JP4413953B2 (en) * | 2007-07-10 | 2010-02-10 | 株式会社アルバック | Method for detecting missing carrier having missing portion |
JP2009027100A (en) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Rohm Co Ltd | Substrate temperature measuring apparatus and substrate temperature measurement method |
WO2009017804A1 (en) * | 2007-08-01 | 2009-02-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for identifying thin films on a substrate |
CN101608301B (en) * | 2009-06-24 | 2011-12-07 | 江苏常松机械集团有限公司 | Production line of continuous vacuum plasma evaporation metal composite material |
-
2011
- 2011-03-03 JP JP2011046565A patent/JP5456711B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-02-22 TW TW101105865A patent/TWI546404B/en not_active IP Right Cessation
- 2012-03-01 CN CN201210051972.4A patent/CN102653852B/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-02 KR KR1020120021714A patent/KR101361289B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100268448B1 (en) | 1998-08-17 | 2000-10-16 | 윤종용 | Etching end point detector |
KR20070019421A (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Flat panel display manufacturing machine |
KR20070080517A (en) * | 2006-02-07 | 2007-08-10 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for treating substrates |
KR20100012862A (en) * | 2007-05-01 | 2010-02-08 | 베러티 인스트루먼트, 인코퍼레이티드 | Method and apparatus for reducing the effects of window clouding on a viewport window in a reactive environment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120100795A (en) | 2012-09-12 |
TW201241220A (en) | 2012-10-16 |
JP2012184457A (en) | 2012-09-27 |
CN102653852B (en) | 2014-12-10 |
CN102653852A (en) | 2012-09-05 |
JP5456711B2 (en) | 2014-04-02 |
TWI546404B (en) | 2016-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101361289B1 (en) | Film forming apparatus | |
JP7117332B2 (en) | Deposition apparatus for coating flexible substrates and method of coating flexible substrates | |
US9966241B2 (en) | Sputtering apparatus | |
JP2005048227A (en) | Box type facing target sputtering system, and method of producing compound thin film | |
US20150235822A1 (en) | Processing apparatus | |
US20170044662A1 (en) | Thin-film forming device | |
US20150184289A1 (en) | Deposition apparatus and deposition method | |
EP2607516B1 (en) | Method for forming a gas blocking layer | |
JP2006336029A (en) | Continuous sputtering apparatus and continuous sputtering method | |
KR101302788B1 (en) | Processing apparatus | |
US20160047032A1 (en) | Deposition device and deposition method | |
JP6067300B2 (en) | Magnetron sputtering film forming apparatus and magnetron sputtering film forming method | |
US8709158B2 (en) | Thermal management of film deposition processes | |
US8986795B2 (en) | Manufacturing method of functional film | |
JP5646405B2 (en) | Deposition equipment | |
JP5456716B2 (en) | Deposition equipment | |
JP5248662B2 (en) | Substrate processing apparatus and thin film solar cell manufacturing apparatus | |
US10126657B2 (en) | Extreme ultraviolet light generating apparatus | |
JP5689047B2 (en) | Substrate transfer device for substrate processing system | |
JP2013142164A (en) | Film-forming apparatus | |
JP6116969B2 (en) | Electron beam evaporation system | |
JP2009172654A (en) | Laser beam machining apparatus | |
WO2016107689A1 (en) | Systems and methods with improved thermal evaporation of optical coatings onto ophthalmic lens substrates | |
KR102070865B1 (en) | Linear source and substrate processing system having same | |
EA200501183A1 (en) | VACUUM CLUSTER FOR APPLYING COATINGS ON A SUBSTRATE (OPTIONS) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170103 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |