KR101302788B1

KR101302788B1 - Processing apparatus

Info

Publication number: KR101302788B1
Application number: KR1020110015879A
Authority: KR
Inventors: 도시히로 가사하라
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2010-02-24
Filing date: 2011-02-23
Publication date: 2013-09-02
Also published as: CN105957791A; KR20110097679A; JP2011176066A; JP5582819B2; TW201203349A; CN105957791B; CN102194638A; TWI508165B

Abstract

본 발명의 과제는 취급이 용이하고 파티클 원인으로 되지 않고, 대형의 처리 용기에도 적용 가능한 방열 방지 구조를 구비한 처리 용기를 제공하는 것이다.
방열 억제 유닛(105)은 처리 용기(101)의 각 측벽(101b)의 외벽면의 일부분 혹은 대략 전체면을 덮도록 측벽(101b)을 따라서 배치되어 있다. 방열 억제 유닛(105)은 복수의 플레이트재(106)에 의해 구성되고, 각 플레이트재(106)는 처리 용기(101)의 측벽(101b)의 외벽면에 배치된 스페이서(107)에 장착된다. 각 플레이트재(106)는 스페이서(107)를 개재시킴으로써, 처리 용기(101)와 이격하여 장착되고, 사이에 공기 단열부(180)가 형성되어 있다.An object of the present invention is to provide a processing container having a heat dissipation preventing structure that is easy to handle and does not cause particles, and is also applicable to a large processing container.
The heat dissipation suppression unit 105 is disposed along the side wall 101b so as to cover a part or substantially the entire surface of the outer wall surface of each side wall 101b of the processing container 101. The heat dissipation suppression unit 105 is comprised by the some plate material 106, and each plate material 106 is attached to the spacer 107 arrange | positioned at the outer wall surface of the side wall 101b of the processing container 101. As shown in FIG. Each plate member 106 is mounted to be spaced apart from the processing container 101 by interposing a spacer 107, and an air heat insulating part 180 is formed therebetween.

Description

Processing unit {PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 처리 장치에 관한 것으로, 상세하게는 플라즈마 처리 등을 행하기 위한 처리 장치에 있어서의 처리 용기의 방열 억제 구조에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus, and more particularly, to a heat dissipation suppressing structure of a processing container in a processing apparatus for performing plasma processing or the like.

FPD(플랫 패널 디스플레이)의 제조 공정에 있어서는, FPD용 글래스 기판에 대해 플라즈마 에칭, 플라즈마 애싱, 플라즈마 성막 등의 다양한 플라즈마 처리가 행해지고 있다. 이와 같은 플라즈마 처리를 행하는 장치로서, 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치나, 유도 결합 플라즈마(ICP : Inductively Coupled Plasma) 처리 장치 등이 알려져 있다.In the manufacturing process of an FPD (flat panel display), various plasma processes, such as plasma etching, plasma ashing, and plasma film-forming, are performed with respect to the FPD glass substrate. As the apparatus for performing such plasma processing, a parallel plate type plasma processing apparatus, an inductively coupled plasma (ICP) processing apparatus, and the like are known.

여기서, 각종 플라즈마 처리 장치에서는 플라즈마의 발생에 의해 처리실 내의 온도가 상승하지만, 통상, 처리실 내벽 근방의 플라즈마 밀도는 낮기 때문에, 처리실 내에 온도 분포가 발생한다. 이 온도 분포에 의해 처리 용기의 내면에 반응 생성물이 퇴적되는 경우가 있다. 특히, 대형 기판을 처리하는 대형 장치에서는, 처리 용기의 열용량이 크고, 또한 처리 용기의 표면적이 커서 방열되기 쉽기 때문에 처리실 내에서 온도 분포가 발생하기 쉬워, 반응 생성물의 퇴적이 많아지는 것 외에, 플라즈마 처리의 면내 균일성에도 악영향을 미칠 우려가 있다.Here, in various plasma processing apparatuses, the temperature in the processing chamber rises due to the generation of plasma. However, since the plasma density near the inner wall of the processing chamber is usually low, a temperature distribution occurs in the processing chamber. Due to this temperature distribution, the reaction product may be deposited on the inner surface of the processing vessel. In particular, in a large apparatus for processing a large substrate, since the heat capacity of the processing container is large, and the surface area of the processing container is large, the heat dissipation is likely to occur, the temperature distribution easily occurs in the processing chamber, and the deposition of the reaction product increases, There is a possibility that it will adversely affect the in-plane uniformity of the treatment.

따라서, 플라즈마 처리 장치에서는, 처리 용기의 벽에 열매체를 흘리는 유로를 설치하거나, 히터를 부착하는 것 등을 하여 처리 용기의 온도 조절을 행하고 있다.Therefore, in the plasma processing apparatus, the temperature of the processing container is adjusted by providing a flow path for flowing the heat medium on the wall of the processing container, attaching a heater, or the like.

그러나, 최근에는, 대형 기판을 처리하기 위해 처리 용기도 대형화되고 있어, 외부로의 방열량이 증가하여 처리실 내에서의 균일한 온도 제어가 점점 곤란해지고 있고, 에너지 효율의 관점에서도 낭비가 크다. 따라서, 처리실 내의 온도 제어의 효율화나 에너지 절약화를 도모하기 위한 것 및 화상 방지 등의 안전 대책으로서, 내열성의 방진천에 단열재를 채운 구조의 천제 커버재를 사용하여 처리 용기를 외측으로부터 덮는 것이 행해지고 있다. 그러나, 상기 천제 커버재는 착탈 등의 작업에 시간이 걸리는데다가, 가공 비용도 높다고 하는 문제가 있었다.However, in recent years, the processing container is also enlarged in order to process a large substrate, and the amount of heat radiation to the outside increases, and uniform temperature control in a processing chamber becomes increasingly difficult, and wasteful in terms of energy efficiency. Therefore, in order to improve the efficiency of the temperature control and energy saving in the processing chamber and to prevent burns, the process container is covered from the outside using a cloth cover member having a structure in which a heat resistant dustproof fabric is filled with a heat insulating material. have. However, the fabric cover material has a problem in that it takes time for work such as detachment and the like, and also high processing cost.

처리 용기로부터의 방열을 억제하여 에너지 효율을 향상시키기 위해, 특허 문헌 1에서는 진공 열처리 장치에 있어서, 진공 용기 및 고주파 유도 가열용 코일을 하우징으로 덮는 것이 제안되어 있다.In order to suppress heat radiation from a processing container and improve energy efficiency, Patent Document 1 proposes to cover a vacuum container and a coil for high frequency induction heating with a housing in a vacuum heat treatment apparatus.

일본 특허 출원 공개 평8-134533호 공보(도 1 등)Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 8-134533 (Fig. 1, etc.)

FPD용 글래스 기판은, 최근에는 1변이 3m를 초과하는 것도 있고, 그것을 처리하는 처리 용기의 크기는 작은 건축물 정도나 된다. 이와 같이 대형의 처리 용기를, 외측으로부터 더 큰 하우징으로 덮는 것은 현실적이지 않다. 따라서, 특허 문헌 1의 방열 방지 대책은, 대형의 처리 용기에는 적용할 수 없다.In some cases, one side of the FPD glass substrate exceeds 3 m in recent years, and the size of the processing container for processing the glass substrate is as small as that of a small building. It is not practical to cover such a large processing container with a larger housing from the outside. Therefore, the heat radiation prevention measure of patent document 1 is not applicable to a large processing container.

본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 취급이 용이하고, 대형의 처리 용기에도 적용 가능한 방열 방지 구조를 구비한 처리 용기를 제공하는 데 있다.This invention is made | formed in view of such a problem, and the objective is to provide the processing container provided with the heat dissipation prevention structure which is easy to handle and applicable also to a large processing container.

본 발명의 처리 장치는 피처리체를 처리하는 처리실을 형성하는 처리 용기와, 상기 처리 용기의 외벽면을 외측으로부터 덮는 복수의 플레이트재를 조합한 방열 억제 조립체를 구비하고, 상기 플레이트재가 상기 처리 용기의 외벽면에 대해 이격하여 배치됨으로써, 상기 처리 용기와 상기 방열 억제 조립체 사이에 공기 단열부를 갖고 있다.The processing apparatus of this invention is equipped with the heat dissipation suppression assembly which combined the process container which forms the process chamber which processes a to-be-processed object, and the some plate material which covers the outer wall surface of the said process container from the outside, and the said plate material is a thing of the said process container. By being spaced apart from the outer wall surface, the air insulator is provided between the processing container and the heat dissipation suppressing assembly.

상기 플레이트재는 금속 혹은 수지에 의해 구성되어 있어도 좋다.The plate member may be made of metal or resin.

또한, 본 발명의 처리 장치는 상기 플레이트재의 상기 처리 용기에 대향하는 면이, 경면 가공되어 있어도 좋다.Moreover, in the processing apparatus of this invention, the surface which opposes the said processing container of the said plate material may be mirror-processed.

본 발명의 처리 장치는 상기 플레이트재의 상기 처리 용기에 대향하는 면에, 적외선 반사층을 갖고 있어도 좋다.The processing apparatus of this invention may have an infrared reflecting layer in the surface which opposes the said processing container of the said plate material.

또한, 본 발명의 처리 장치는 상기 플레이트재의 적어도 일부가 가시광 투과성의 재질에 의해 형성되어 있어도 좋다.In the processing apparatus of the present invention, at least a part of the plate member may be formed of a material having visible light transmission.

또한, 본 발명의 처리 장치는 상기 처리 용기의 외벽면에 스페이서 부재가 설치되어 있고, 상기 스페이서 부재에 상기 플레이트재가 고정되어 있어도 좋다. 이 경우, 상기 스페이서 부재에 의해 상기 공기 단열부가 밀봉되어 있어도 좋다. 또한, 상기 스페이서 부재가 단열성의 재질에 의해 형성되어 있어도 좋다.Moreover, in the processing apparatus of this invention, the spacer member may be provided in the outer wall surface of the said processing container, and the said plate material may be fixed to the said spacer member. In this case, the air insulator may be sealed by the spacer member. The spacer member may be made of a heat insulating material.

본 발명의 처리 장치는 상기 공기 단열부의 두께가, 5㎜ 내지 20㎜의 범위 내라도 좋다. 또한, 상기 플레이트재가 부분적 또는 전체적으로 다중으로 배치됨으로써, 상기 공기 단열부가 부분적 또는 전체적으로 다층으로 설치되어 있어도 좋다. 또한, 피처리체는 장변이 2m를 초과하는 직사각형의 기판이라도 좋다.In the processing apparatus of this invention, the thickness of the said air heat insulation part may be in the range of 5 mm-20 mm. Moreover, since the said plate | board material is arrange | positioned in multiple partly or entirely, the said air heat insulation part may be provided in multiple layers partially or entirely. Moreover, the to-be-processed object may be a rectangular board | substrate whose long side exceeds 2 m.

본 발명의 처리 장치에 따르면, 처리 용기를 외측으로부터 덮는 복수의 플레이트재를 조합한 방열 억제 조립체를 설치하여, 처리 용기와 방열 억제 조립체 사이에 공기 단열부를 갖고 있으므로, 처리 용기로부터의 방열을 억제하는 것이 가능해져, 처리 용기의 온도 조절 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 방열 억제 조립체는 복수의 플레이트재를 조합하여 구성되므로, 대형의 처리 용기에도 적용 가능해, 설치, 제거가 용이하고, 저비용에 의한 설치가 가능하다. 또한, 파티클 원인으로 될 우려도 거의 없다.According to the processing apparatus of this invention, since the heat dissipation suppression assembly which combined the some plate material which covers a process container from the outside is provided, and has an air heat insulation part between a process container and a heat dissipation suppression assembly, it is possible to suppress heat dissipation from a process container. It becomes possible to improve the temperature regulation efficiency of a processing container. In addition, since the heat dissipation suppressing assembly is constituted by combining a plurality of plate materials, the heat dissipation suppressing assembly can be applied to a large processing container, and is easy to install and remove, and can be installed at low cost. In addition, there is little fear of causing particles.

따라서, 본 발명의 처리 장치는 방열 억제 조립체를 구비한 것에 의해, 처리 용기 내에서의 온도 제어의 효율성이 우수하고, 그 결과, 원하는 처리를 높은 신뢰성을 갖고 행할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.Therefore, the processing apparatus of this invention is excellent in the efficiency of temperature control in a processing container by providing the heat dissipation suppressing assembly, As a result, it has the effect that a desired process can be performed with high reliability.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 플라즈마 에칭 장치의 구성을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 2는 도 1의 플라즈마 에칭 장치의 주요부 단면도.
도 3은 도 1의 플라즈마 에칭 장치에 있어서의 스페이서의 배치예를 도시하는 측면도.
도 4는 도 1의 플라즈마 에칭 장치에 있어서, 플레이트재를 장착한 상태를 도시하는 측면도.
도 5는 도 4에 있어서의 5-5선 화살표에 있어서의 주요부 단면도.
도 6은 도 4에 있어서의 6-6선 화살표에 있어서의 주요부 단면도.
도 7은 도 1의 플라즈마 에칭 장치에 있어서의 스페이서의 다른 배치예를 도시하는 측면도.
도 8은 플레이트재의 변형예를 도시하는 단면도.
도 9는 플레이트재의 다른 변형예를 도시하는 단면도.
도 10은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 플라즈마 에칭 장치의 주요부 단면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows typically the structure of the plasma etching apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention.
FIG. 2 is an essential part cross sectional view of the plasma etching apparatus of FIG. 1; FIG.
FIG. 3 is a side view illustrating an arrangement example of a spacer in the plasma etching apparatus of FIG. 1. FIG.
4 is a side view showing a state in which a plate material is mounted in the plasma etching apparatus of FIG. 1.
FIG. 5 is an essential part cross sectional view taken along a 5-5 line arrow in FIG. 4; FIG.
6 is an essential part cross sectional view taken along a 6-6 line arrow in FIG. 4;
FIG. 7 is a side view illustrating another arrangement example of the spacers in the plasma etching apparatus of FIG. 1. FIG.
8 is a cross-sectional view showing a modification of the plate material.
9 is a cross-sectional view showing another modification of the plate material.
10 is an essential part cross sectional view of a plasma etching apparatus according to a second embodiment of the present invention;

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

[제1 실시 형태][First Embodiment]

도 1은 본 발명의 처리 장치의 제1 실시 형태로서의 플라즈마 에칭 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도이다. 도 2는 도 1의 주요부를 확대하여 도시하는 단면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 플라즈마 에칭 장치(200)는 피처리체로서, 예를 들어 FPD용 글래스 기판(이하, 단순히 「기판」이라고 기재함)(S)에 대해 에칭을 행하는 용량 결합형의 평행 평판 플라즈마 에칭 장치로서 구성되어 있다. 또한, FPD로서는, 액정 디스플레이(LCD), 일렉트로 루미네센스(Electro Luminescence;EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows schematic structure of the plasma etching apparatus as 1st Embodiment of the processing apparatus of this invention. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the main part of FIG. 1. FIG. As shown in FIG. 1, the plasma etching apparatus 200 is a to-be-processed object, for example, the capacitively-coupled parallelism which etches with respect to the glass substrate for FPD (henceforth simply a "substrate") (S). It is comprised as a flat plate plasma etching apparatus. Moreover, as FPD, a liquid crystal display (LCD), an electro luminescence (EL) display, a plasma display panel (PDP), etc. are illustrated.

이 플라즈마 에칭 장치(200)는 내측이 양극 산화 처리(알루마이트 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 각통 형상으로 성형된 처리 용기(101)를 갖고 있다. 처리 용기(101)의 본체(용기 본체)는, 저벽(101a), 4개의 측벽(101b)(2개만 도시)에 의해 구성되어 있다. 또한, 처리 용기(101)의 본체의 상부에는 덮개(101c)가 접합되어 있다.This plasma etching apparatus 200 has a processing container 101 molded into a cylindrical shape made of aluminum whose inner side is anodized (anodized). The main body (container main body) of the processing container 101 is constituted by a bottom wall 101a and four side walls 101b (only two are shown). In addition, a lid 101c is joined to the upper portion of the main body of the processing container 101.

또한, 4개의 측벽(101b)의 내부에는 열매체 유로(101d)가 형성되어 있다. 이 열매체 유로(101d)에는 도입관(102) 및 배출관(103)이 접속되어 있다. 그리고, 이들 도입관(102) 및 배출관(103)을 통해 처리 용기(101)의 외부에 설치된, 열매체 순환 장치로서의 칠러 유닛(104)과 접속되어 있다. 칠러 유닛(104)은, 예를 들어 도시하지 않은 열교환기나 순환 펌프 등을 구비하고 있다. 열매체는 도시하지 않은 순환 펌프의 작용에 의해 열매체 유로(101d)와 장치의 외부에 설치한 칠러 유닛(104) 사이를 순환하면서 측벽(101b)을 승온 또는 냉각한다. 열매체 유로(101d), 상기 도입관(102), 배출관(103) 및 칠러 유닛(104)은 처리 용기(101)의 온도를 조절하는 온도 조절 수단을 구성하고 있다.Moreover, the heat medium flow path 101d is formed inside the four side walls 101b. The introduction pipe 102 and the discharge pipe 103 are connected to this heat medium flow path 101d. And it connects with the chiller unit 104 as a heat medium circulation apparatus provided in the exterior of the processing container 101 via these introduction pipe 102 and the discharge pipe 103. As shown in FIG. The chiller unit 104 is provided with a heat exchanger, a circulation pump, etc. which are not shown, for example. The heat medium heats or cools the side wall 101b while circulating between the heat medium flow path 101d and the chiller unit 104 provided outside the apparatus by the action of a circulation pump (not shown). The heat medium flow path 101d, the introduction pipe 102, the discharge pipe 103, and the chiller unit 104 constitute a temperature adjusting means for adjusting the temperature of the processing container 101.

처리 용기(101)의 측벽(101b)의 외측에는 처리 용기(101)의 주위를 둘러싸도록, 「방열 억제 조립체」로서의 방열 억제 유닛(105)이 설치되어 있다. 방열 억제 유닛(105)은 복수의 플레이트재(106)가 조합되어 구성되어 있다. 방열 억제 유닛(105)의 각 플레이트재(106)는 처리 용기(101)의 측벽(101b)에 배치된 스페이서(107)에 설치되어 있다. 방열 억제 유닛(105)의 상세한 구조에 대해서는 후술한다.On the outer side of the side wall 101b of the processing container 101, a heat dissipation suppressing unit 105 as a "heat dissipation suppressing assembly" is provided to surround the processing container 101. The heat dissipation suppression unit 105 is configured by combining a plurality of plate members 106. Each plate material 106 of the heat dissipation suppression unit 105 is provided in a spacer 107 disposed on the side wall 101b of the processing container 101. The detailed structure of the heat dissipation suppression unit 105 is mentioned later.

덮개(101c)는 도시하지 않은 개폐 기구에 의해, 측벽(101b)에 대해 개폐 가능하게 구성되어 있다. 덮개(101c)를 폐쇄한 상태에서 덮개(101c)와 각 측벽(101b)의 접합 부분은 O링(120)에 의해 시일되어, 처리 용기(101) 내의 기밀성이 유지되어 있다. 덮개(101c)의 외측에는 덮개(101c)의 주위를 둘러싸도록, 「방열 억제 조립체」로서의 방열 억제 유닛(121)이 설치되어 있다. 방열 억제 유닛(121)은 복수의 플레이트재(122)가 조합되어 구성되어 있다. 방열 억제 유닛(121)의 각 플레이트재(122)는 덮개(101c)에 배치된 스페이서(123)에 설치되어 있다. 또한, 덮개(101c)의 외측의 방열 억제 유닛(121)은 설치하지 않아도 좋다. 또한, 방열 억제 유닛(121)의 기본적인 구성은 방열 억제 유닛(105)과 마찬가지이므로, 상세한 설명은 생략한다.The cover 101c is comprised so that opening and closing with respect to the side wall 101b by the opening / closing mechanism not shown. In the state in which the lid 101c is closed, the joined portion of the lid 101c and the side walls 101b is sealed by the O-ring 120 to maintain the airtightness in the processing container 101. The heat dissipation suppression unit 121 as a "heat dissipation suppressing assembly" is provided outside the lid 101c so as to surround the periphery of the lid 101c. The heat dissipation suppression unit 121 is configured by combining a plurality of plate members 122. Each plate member 122 of the heat dissipation suppression unit 121 is provided in a spacer 123 disposed on the lid 101c. In addition, the heat dissipation suppression unit 121 on the outer side of the lid 101c may not be provided. In addition, since the basic structure of the heat dissipation suppression unit 121 is the same as that of the heat dissipation suppression unit 105, detailed description is abbreviate | omitted.

처리 용기(101) 내의 저부에는 프레임 형상의 절연 부재(110)가 배치되어 있다. 절연 부재(110) 상에는 기판(S)을 적재 가능한 적재대인 서셉터(111)가 설치되어 있다. 하부 전극이기도 한 서셉터(111)는 기재(基材)(112)를 구비하고 있다. 기재(112)는, 예를 들어 알루미늄이나 스테인리스강(SUS) 등의 도전성 재료로 형성되어 있다. 기재(112)는 절연 부재(110) 상에 배치되고, 양 부재의 접합 부분에는 O링 등의 시일 부재(113)가 배치되어 기밀성이 유지되어 있다. 절연 부재(110)와 처리 용기(101)의 저벽(101a) 사이도, O링 등의 시일 부재(114)에 의해 기밀성이 유지되어 있다. 기재(112)의 측부 외주는 절연 부재(115)에 의해 둘러싸여 있다. 이에 의해, 서셉터(111)의 측면의 절연성이 확보되어, 플라즈마 처리 시의 이상 방전이 방지되어 있다.A frame-shaped insulating member 110 is disposed at the bottom of the processing container 101. On the insulating member 110, the susceptor 111 which is a mounting table which can load the board | substrate S is provided. The susceptor 111, which is also a lower electrode, is provided with a base 112. As shown in FIG. The base material 112 is formed of electroconductive material, such as aluminum and stainless steel (SUS), for example. The base material 112 is arrange | positioned on the insulating member 110, and sealing member 113, such as an O-ring, is arrange | positioned at the junction part of both members, and airtightness is maintained. Airtightness is also maintained between the insulating member 110 and the bottom wall 101a of the processing container 101 by a sealing member 114 such as an O-ring. The side outer periphery of the base material 112 is surrounded by the insulating member 115. Thereby, the insulation of the side surface of the susceptor 111 is ensured, and abnormal discharge at the time of plasma processing is prevented.

서셉터(111)의 상방에는 이 서셉터(111)와 평행하게, 또한 대향하여 상부 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(131)가 설치되어 있다. 샤워 헤드(131)는 처리 용기(101)의 상부의 덮개(101c)에 지지되어 있다. 샤워 헤드(131)는 중공 형상을 이루고, 그 내부에는 가스 확산 공간(133)이 형성되어 있다. 또한, 샤워 헤드(131)의 하면[서셉터(111)와의 대향면]에는 처리 가스를 토출하는 복수의 가스 토출 구멍(135)이 형성되어 있다. 이 샤워 헤드(131)는 접지되어 있어, 서셉터(111)와 함께 한 쌍의 평행 평판 전극을 구성하고 있다.Above the susceptor 111 is provided a shower head 131 which functions as an upper electrode in parallel with and facing the susceptor 111. The shower head 131 is supported by the lid 101c of the upper portion of the processing container 101. The shower head 131 has a hollow shape, and a gas diffusion space 133 is formed therein. Further, a plurality of gas discharge holes 135 for discharging the processing gas are formed on the lower surface of the shower head 131 (the surface facing the susceptor 111). The shower head 131 is grounded to form a pair of parallel flat electrodes together with the susceptor 111.

샤워 헤드(131)의 상부 중앙 부근에는 가스 도입구(137)가 형성되어 있다. 이 가스 도입구(137)에는 처리 가스 공급관(139)이 접속되어 있다. 이 처리 가스 공급관(139)에는 2개의 밸브(141, 141) 및 매스 플로우 컨트롤러(143)를 통해, 에칭을 위한 처리 가스를 공급하는 가스 공급원(145)이 접속되어 있다. 처리 가스로서는, 예를 들어 할로겐계 가스나 O₂ 가스 외에, Ar 가스 등의 희가스 등을 사용할 수 있다.A gas inlet 137 is formed near the upper center of the shower head 131. A process gas supply pipe 139 is connected to the gas introduction port 137. The gas supply source 145 for supplying the processing gas for etching is connected to the processing gas supply pipe 139 through two valves 141 and 141 and the mass flow controller 143. As the processing gas, for example, a rare gas such as Ar gas can be used in addition to the halogen-based gas and the O ₂ gas.

상기 처리 용기(101) 내의 4코너에 가까운 위치에는 저벽(101a)을 관통한 배기용 개구(151)가 4개소 형성되어 있다. 각 배기용 개구(151)에는 배기관(153)이 접속되어 있다. 배기관(153)은 그 단부에 플랜지부(153a)를 갖고 있고, 이 플랜지부(153a)와 저벽(101a) 사이에 O링(도시 생략)을 개재시킨 상태에서 고정되어 있다. 배기관(153)은 배기 장치(155)에 접속되어 있다. 배기 장치(155)는, 예를 들어 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하고 있고, 이에 의해 처리 용기(101) 내를 소정의 감압 분위기까지 진공화하는 것이 가능하게 구성되어 있다.Four exhaust openings 151 penetrating the bottom wall 101a are formed at positions close to the four corners in the processing container 101. An exhaust pipe 153 is connected to each exhaust opening 151. The exhaust pipe 153 has a flange portion 153a at its end, and is fixed in a state where an O-ring (not shown) is interposed between the flange portion 153a and the bottom wall 101a. The exhaust pipe 153 is connected to the exhaust device 155. The exhaust device 155 is provided with a vacuum pump such as a turbo molecular pump, for example, and is thereby configured to allow the inside of the processing container 101 to be evacuated to a predetermined reduced pressure atmosphere.

또한, 도시는 생략하지만, 처리 용기(101)의 측벽(101b)에는 게이트 밸브에 의해 개폐되는 기판(S)의 반송용 개구부나, 처리 용기(101)의 내부를 시인할 수 있도록 설치된 투과창이 형성되어 있다.Although not shown, the side wall 101b of the processing container 101 is provided with an opening for conveyance of the substrate S opened and closed by a gate valve, and a transmission window provided so that the inside of the processing container 101 can be visually recognized. It is.

서셉터(111)의 기재(112)에는 급전선(171)이 접속되어 있다. 이 급전선(171)에는 매칭 박스(M.B.)(173)를 통해 고주파 전원(175)이 접속되어 있다. 이에 의해, 고주파 전원(175)으로부터, 예를 들어 13.56㎒의 고주파 전력이, 하부 전극으로서의 서셉터(111)에 공급된다. 또한, 급전선(171)은 저벽(101a)에 형성된 관통 개구부로서의 급전용 개구(177)를 통해 처리 용기(101) 내에 도입되어 있다.The feed line 171 is connected to the base material 112 of the susceptor 111. The power supply line 171 is connected to a high frequency power supply 175 via a matching box (M.B.) 173. Thereby, the high frequency electric power of 13.56 MHz is supplied from the high frequency power supply 175 to the susceptor 111 as a lower electrode. In addition, the feed line 171 is introduced into the processing container 101 through the opening 177 for power feeding as a through opening formed in the bottom wall 101a.

다음에, 방열 억제 유닛(105)의 상세에 대해 설명한다. 방열 억제 유닛(105)은 처리 용기(101)의 각 측벽(101b)의 외벽면의 일부분 혹은 대략 전체면을 덮도록 측벽(101b)을 따라서 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 방열 억제 유닛(105)의 플레이트재(106)가, 처리 용기(101)의 측벽(101b)의 상단부[덮개(101c)와의 경계]보다 조금 아래의 위치로부터 측벽(101b)의 하단부 근방까지를 덮도록 배치되어 있다. 처리 용기(101)의 측벽(101b)에, 게이트 밸브나 기판(S)의 반송용 개구부, 플라즈마의 상태를 확인하기 위한 투과창 등이 배치되는 경우에는, 그 부분을 피하여 방열 억제 유닛(105)을 배치하면 되고, 반드시 측벽(101b)의 전체면을 덮고 있을 필요는 없다.Next, the detail of the heat dissipation suppression unit 105 is demonstrated. The heat dissipation suppression unit 105 is disposed along the side wall 101b so as to cover a part or substantially the entire surface of the outer wall surface of each side wall 101b of the processing container 101. In the present embodiment, the plate member 106 of the heat dissipation suppression unit 105 is formed from the position of the side wall 101b from a position slightly lower than the upper end portion (boundary with the lid 101c) of the side wall 101b of the processing container 101. It is arrange | positioned so that it may cover to the vicinity of a lower end part. When the gate valve, the opening part for conveyance of the board | substrate S, the permeation | transmission window for checking the state of a plasma, etc. are arrange | positioned in the side wall 101b of the processing container 101, the heat dissipation suppression unit 105 avoids the part. May be disposed, and it is not necessary to necessarily cover the entire surface of the side wall 101b.

방열 억제 유닛(105)은 복수의 플레이트재(106)와, 이것을 지지하는 스페이서(107)를 포함하여 구성되어 있다. 방열 억제 유닛(105)을 구성하는 플레이트재(106)에는, 예를 들어 스테인리스나, 처리 용기(101)와 마찬가지로 알루미늄, 알루미늄 합금 등의 금속 재료, 혹은 내열성이 있는 수지 재료를 사용할 수 있다.The heat radiating suppression unit 105 is comprised including the some plate material 106 and the spacer 107 which supports this. As the plate member 106 constituting the heat dissipation suppressing unit 105, for example, stainless steel, a metal material such as aluminum or an aluminum alloy, or a resin material having heat resistance can be used similarly to the processing container 101.

각 플레이트재(106)의 형상은 임의이지만, 예를 들어, 직사각형의 판 형상으로 할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 각 플레이트재(106)는 처리 용기(101)의 하나의 측벽(101b)의 면적보다도 작은 면적의 평면을 갖는 판 형상 부재이다. 또한, 각 플레이트재(106)의 크기는 동일해도 좋고, 상이해도 좋다. 또한, 각 플레이트재(106)의 형상은 동일한 형상으로 정렬해도 좋고, 상이해도 좋다. 또한, 처리 용기(101)를 원통 형상으로 하는 경우에는, 방열 억제 유닛(105)은 처리 용기(101)보다도 직경이 큰 원통 형상의 울타리로 할 수 있다. 이 경우, 플레이트재(106)는 원통을 임의의 수로 분단한 곡면 형상으로 할 수 있다.Although the shape of each plate material 106 is arbitrary, it can be set as a rectangular plate shape, for example. In this embodiment, each plate material 106 is a plate-shaped member which has a plane of area smaller than the area of one side wall 101b of the processing container 101. In addition, the size of each plate material 106 may be the same and may differ. In addition, the shape of each plate material 106 may be aligned in the same shape, and may differ. In addition, when making the process container 101 into a cylindrical shape, the heat dissipation suppression unit 105 can be made into the cylindrical fence larger than the process container 101 in diameter. In this case, the plate material 106 can be made into the curved shape which divided the cylinder by arbitrary numbers.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에서는 플레이트재(106)의 상단부 부근은 L자형으로 절곡되어 있고, 그 절곡부(106a)가 최상부에 배열된 스페이서(107)의 상면에 걸려 있다. 절곡부(106a)는, 플레이트재(106)의 상단부와 스페이서(107) 사이에 간극이 발생하여 공기 단열부(180)의 공기가 상방으로 배출되는 것을 방지하도록 작용한다. 또한, 절곡부(106a)를 형성함으로써, 플레이트재(106)를 스페이서(107)에 장착할 때의 설치 작업이나 위치 결정이 용이해진다. 또한, 플레이트재(106)는 절곡부(106a)를 갖고 있지 않아도 좋다.As shown in FIG. 2, in this embodiment, the vicinity of the upper end of the plate member 106 is bent into an L shape, and the bent portion 106a is hung on the upper surface of the spacer 107 arranged at the uppermost portion. The bent portion 106a acts to prevent a gap from occurring between the upper end of the plate member 106 and the spacer 107 so that the air of the air insulator 180 is discharged upward. In addition, the formation of the bent portion 106a facilitates the installation work and the positioning when the plate member 106 is attached to the spacer 107. In addition, the plate member 106 may not have the bent portion 106a.

플레이트재(106)에는 처리 용기(101)의 외관을 정렬하는 의장적인 효과도 있으므로, 장식판의 대체로 된다. 즉, 플레이트재(106)를 배치함으로써, 처리 용기(101)에 장식판을 배치할 필요는 없어진다.The plate member 106 also has a design effect of aligning the appearance of the processing container 101, and thus becomes a replacement of the decorative plate. In other words, by arranging the plate member 106, it is not necessary to arrange the decorative plate in the processing container 101.

각 플레이트재(106)는 처리 용기(101)의 측벽(101b)의 외벽면에 배치된 스페이서(107)에 장착된다. 각 플레이트재(106)는 스페이서(107)를 개재시킴으로써, 처리 용기(101)와 이격하여 장착된다. 처리 용기(101)의 측벽(101b)과 플레이트재(106) 사이에 형성되는 공간은 공기 단열부(180)를 형성하고 있다. 처리 용기(101)의 측벽(101b)과 플레이트재(106)의 거리[즉, 공기 단열부(180)의 두께]는 필요로 하는 단열 효과와 대형 처리 용기로의 적용을 고려하여 정하면 된다. 본 실시 형태에서는, 예를 들어 5㎜ 내지 20㎜ 정도로 하는 것이 바람직하고, 7㎜ 내지 12㎜ 정도로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 공기 단열부(180)의 두께는, 필요한 두께 이상이면 일정하지 않아도 좋고, 예를 들어 측벽(101b)의 상측 부분을 하측 부분보다도 두껍게 해도 좋다.Each plate member 106 is attached to a spacer 107 disposed on an outer wall surface of the side wall 101b of the processing container 101. Each plate material 106 is mounted apart from the processing container 101 by interposing the spacer 107. The space formed between the side wall 101b of the processing container 101 and the plate material 106 forms the air heat insulation part 180. What is necessary is just to determine the distance (namely, thickness of the air heat insulation part 180) of the side wall 101b of the processing container 101 and the plate material 106 in consideration of the required heat insulation effect and application to a large processing container. In this embodiment, it is preferable to set it as about 5 mm-20 mm, for example, and it is more preferable to set it as about 7 mm-12 mm. In addition, as long as the thickness of the air heat insulation part 180 is more than required thickness, it may not be constant, for example, you may make the upper part of the side wall 101b thicker than a lower part.

본 실시 형태의 방열 억제 유닛(105)은 처리 용기(101)의 측벽(101b)보다도 작은 플레이트재(106)를 복수매 조합하여 사용함으로써, 처리 용기(101)가 대형의 기판(S)을 처리 대상으로 하는 대형의 것이라도, 전혀 장해 없이 설치나 제거가 가능하다. 또한, 방열 억제 유닛(105)은 측벽(101b)보다도 작은 복수의 플레이트재(106)를 조합하여 구성되어 있으므로, 처리 용기(101)의 형상에 따라서 플레이트재(106)의 크기나 형상을 바꾸어 배치할 수 있다. 따라서, 스페이서(107)를 사용하여 공기 단열부(180)의 두께를 필요한 두께로 유지하면서 플레이트재(106)를 배치하는 것이 가능해, 우수한 단열 효율을 얻을 수 있다. 가령, 처리 용기(101)의 전체를 큰 하우징으로 덮는 구조(예를 들어, 특허 문헌 1)를 채용한 경우에는, 대형의 처리 용기로의 적용이 곤란한 동시에, 처리 용기와 하우징의 간격이 일정하지 않으므로, 공기 단열의 효과가 부위에 따라서 다르고, 충분한 방열 억제 효과가 얻어지지 않는 경우가 있다.In the heat dissipation suppression unit 105 of the present embodiment, a plurality of plate materials 106 smaller than the side wall 101b of the processing container 101 are used in combination so that the processing container 101 processes the large substrate S. Even the large target object can be installed or removed without any obstacles. In addition, since the heat dissipation suppression unit 105 is comprised combining the several plate material 106 smaller than the side wall 101b, the size and shape of the plate material 106 are changed and arrange | positioned according to the shape of the process container 101. FIG. can do. Therefore, it is possible to arrange | position the plate material 106, maintaining the thickness of the air heat insulation part 180 to a required thickness using the spacer 107, and the outstanding heat insulation efficiency can be obtained. For example, when the structure (for example, patent document 1) which covers the whole process container 101 with the big housing is employ | adopted, it is difficult to apply to a large process container, and the space | interval of a process container and a housing is not constant. Therefore, the effect of air insulation differs according to a site | part, and sufficient heat radiation suppression effect may not be acquired.

또한, 처리 용기(101)로부터 플레이트재(106)로의 직접적인 열전도를 피하기 위해, 각 플레이트재(106)는 처리 용기(101)의 측벽(101b)에 대해 면접촉하는 부분을 갖지 않는 것이 바람직하고, 플레이트재(106)와 처리 용기(101)를 완전한 비접촉 상태로 하는 것이 보다 바람직하다.In addition, in order to avoid direct heat conduction from the processing container 101 to the plate material 106, it is preferable that each plate material 106 does not have a portion in surface contact with the side wall 101b of the processing container 101, It is more preferable to make the plate material 106 and the processing container 101 into a completely non-contact state.

또한, 플레이트재(106)의 내면[처리 용기(101)의 측벽(101b)의 외벽면에 대향하는 면]은 경면 가공 등을 실시하여 반사율이 높은 상태로 해 두는 것이 바람직하다. 플레이트재(106)의 내면을 경면 가공해 둠으로써, 처리 용기(101)로부터 방사되는 적외선을 반사하여, 외부로의 방열을 억제하여, 공기 단열부(180)에 의한 단열 성능을 향상시킬 수 있다.In addition, it is preferable that the inner surface of the plate member 106 (the surface facing the outer wall surface of the side wall 101b of the processing container 101) is subjected to mirror processing or the like so as to have a high reflectance. By mirror-processing the inner surface of the plate material 106, the infrared rays radiated from the processing container 101 can be reflected to suppress heat radiation to the outside, and the heat insulation performance by the air heat insulation part 180 can be improved. .

스페이서(107)는 처리 용기(101)의 측벽(101b)에 대해 일정한 간격을 갖고 플레이트재(106)를 고정하는 기능을 갖고 있다. 즉, 스페이서(107)는 플레이트재(106)를 지지, 고정하는 기능과, 플레이트재(106)와 측벽(101b) 사이에 개재하여 공기 단열부(180)의 두께를 확보하는 기능을 갖고 있다. 스페이서(107)는 처리 용기(101)의 온도에 견딜 수 있고, 열전도율이 작은 단열 재료로 형성할 수 있다. 스페이서(107)를 단열 재료로 형성함으로써, 스페이서(107)를 통해 처리 용기(101)로부터 플레이트재(106)로의 열전도를 억제할 수 있다. 단열 재료로서는, 예를 들어 폴리카보네이트, 불소 수지, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르설폰, 폴리설폰, 에폭시 글래스 등의 수지 재료, 불소 고무, 실리콘 고무, 플루오로 실리콘 고무, 퍼플루오로폴리에테르계 고무, 아크릴 고무, 에틸렌프로필렌 고무 등의 고무 재료 등을 사용할 수 있다.The spacer 107 has a function of fixing the plate member 106 at regular intervals with respect to the sidewall 101b of the processing container 101. In other words, the spacer 107 has a function of supporting and fixing the plate member 106 and a function of securing the thickness of the air insulator 180 between the plate member 106 and the side wall 101b. The spacer 107 can withstand the temperature of the processing container 101, and can be formed of a heat insulating material having a low thermal conductivity. By forming the spacer 107 with a heat insulating material, heat conduction from the processing container 101 to the plate member 106 via the spacer 107 can be suppressed. As a heat insulation material, For example, resin materials, such as a polycarbonate, a fluororesin, a polyimide, a polyamideimide, a polyphenylene sulfide, a polyether sulfone, a polysulfone, an epoxy glass, a fluororubber, a silicone rubber, a fluoro silicone rubber, Rubber materials, such as a perfluoro polyether rubber, an acrylic rubber, and ethylene propylene rubber, etc. can be used.

도 3은 처리 용기(101)의 임의의 측벽(101b)의 외벽면에 있어서의 스페이서(107)의 배치예를 도시하는 측면도이다. 도 3에 도시하는 예에서는, 하나의 측벽(101b)의 외벽면에 종횡으로 각 3개씩 합계 9개의 스페이서(107)가 배치되어 있다. 또한, 스페이서(107)의 배치 위치, 배치 개수는, 복수의 플레이트재(106)를 고정할 수 있는 한 임의이다. 또한, 본 실시 형태에서는, 스페이서(107)를 장척의 각기둥 형상으로 하고 있지만, 그 형상은 특별히 한정되는 것은 아니다. 스페이서(107)는, 예를 들어 평면에서 볼 때 L자형이나 십자형이라도 좋고, 혹은 사각형 등의 프레임 형상이나 ㄷ자형(U자형)으로 해도 좋다.FIG. 3: is a side view which shows the example of arrangement | positioning of the spacer 107 in the outer wall surface of the arbitrary side wall 101b of the processing container 101. As shown in FIG. In the example shown in FIG. 3, nine spacers 107 in total are arranged on the outer wall surface of one side wall 101b, three each in length and width. In addition, the arrangement position and the number of arrangement | positioning of the spacer 107 are arbitrary as long as the some plate material 106 can be fixed. In addition, in this embodiment, although the spacer 107 is made into elongate prismatic shape, the shape is not specifically limited. The spacer 107 may be, for example, L-shaped or cross-shaped in plan view, or may be a frame or c-shaped (U-shaped) such as a quadrangle.

도 4는 도 3의 상태로 설치된 스페이서(107)에 플레이트재(106)를 장착하여, 처리 용기(101)에 방열 억제 유닛(105)을 배치한 상태를 도시하고 있다. 도 4에서는 스페이서(107)의 위치를 파선으로 명확하게 하고 있다. 이 예에서는, 3매의 플레이트재(106A, 106B, 106C)를 하나의 측벽(101b)의 외측에 장착하고 있다. 또한, 하나의 측벽(101b)에 배치되는 플레이트재(106)의 매수는 3매로 한정되는 것은 아니고, 처리 용기(101)의 크기에 따라서 임의의 매수를 선택할 수 있다.FIG. 4 shows a state in which the plate member 106 is attached to the spacer 107 provided in the state shown in FIG. 3, and the heat dissipation suppression unit 105 is disposed in the processing container 101. In FIG. 4, the position of the spacer 107 is made clear by the broken line. In this example, three plate members 106A, 106B, and 106C are attached to the outside of one side wall 101b. In addition, the number of sheets of plate material 106 disposed on one side wall 101b is not limited to three sheets, and any number can be selected according to the size of the processing container 101.

스페이서(107)는 나사(108)에 의해 처리 용기(101)에 고정되어 있다. 또한, 플레이트재(106)는 나사(108)를 통한 처리 용기(101)로부터 플레이트재(106)로의 열전도를 최대한 작게 하기 위해, 스페이서(107)를 고정하는 나사(108)와는 다른 나사(109)에 의해 스페이서(107)에 고정되어 있다. 또한, 열전도가 작은 나사이면, 스페이서(107)와 플레이트재(106)를 처리 용기(101)에 함께 결합해도 좋다. 또한, 스페이서(107) 및 플레이트재(106)를 고정하는 수단은 나사(108, 109)로 한정되지 않는다. 예를 들어, 스페이서(107)와 플레이트재(106)에 수형, 암형에 의한 끼워 맞춤 구조를 설치하거나, 스페이서(107)에 플레이트재(106)를 걸거나 하는 방법으로, 스페이서(107)에 플레이트재(106)를 보다 착탈 용이하게 설치할 수도 있다.The spacer 107 is fixed to the processing container 101 by a screw 108. In addition, the plate member 106 is a screw 109 different from the screw 108 fixing the spacer 107 in order to minimize the heat conduction from the processing container 101 through the screw 108 to the plate member 106 as much as possible. It is fixed to the spacer 107 by it. In addition, as long as it is a screw with small thermal conductivity, you may couple the spacer 107 and the plate material 106 to the process container 101 together. In addition, the means for fixing the spacer 107 and the plate member 106 is not limited to the screws 108 and 109. For example, the spacer 107 and the plate member 106 are provided with a male and female fitting structure, or the plate member 106 is fastened to the spacer 107 by the plate 107. The ashes 106 can be installed more easily.

플레이트재(106A)와 플레이트재(106B)의 접합부, 플레이트재(106B)와 플레이트재(106C)의 접합부는 각각 약간의 폭(예를 들어, 2 내지 10㎝)으로 서로 겹쳐져 있어, 공기 단열부(180)의 공기가 외부로 최대한 누설되지 않도록 구성되어 있다. 구체적으로는, 예를 들어 도 5에 도시한 바와 같이, 플레이트재(106B)의 단부 부근은 외측을 향해 구부러져, 플레이트재(106A)의 단부를 외측으로부터 덮도록 겹쳐져 있다. 도 6은 방열 억제 유닛(105)의 코너부의 단면을 도시하고 있다. 방열 억제 유닛(105)의 코너부에서는 처리 용기(101)의 코너의 형상을 따라서 플레이트재(106A)가 대략 직각으로 절곡되어 있다. 그리고, 플레이트재(106A)의 단부는, 도 3, 4에 도시하는 측벽(101b)과 직교하는 이웃하는 측벽(101b)을 덮는 플레이트재(106D)(도 4에서는 도시 생략)의 단부를 외측으로부터 덮도록 겹쳐져 접합되어 있다. 또한, 방열 억제 유닛(105)의 코너부의 형상은 안전성 등을 고려하여 원호 형상, 혹은 복수의 둔각에 의해 절곡되는 형상이라도 좋다.The junction between the plate member 106A and the plate member 106B, and the junction portion between the plate member 106B and the plate member 106C, respectively, overlap each other with a slight width (for example, 2 to 10 cm), thereby providing an air insulator. It is comprised so that the air of 180 may not leak to the outside as much as possible. Specifically, for example, as shown in FIG. 5, the vicinity of the end portion of the plate member 106B is bent toward the outside and overlapped so as to cover the end portion of the plate member 106A from the outside. 6 illustrates a cross section of a corner portion of the heat dissipation suppression unit 105. In the corner part of the heat dissipation suppression unit 105, 106 A of plate materials are bent at substantially right angle along the shape of the corner of the processing container 101. FIG. And the edge part of plate material 106A has the edge part of plate material 106D (not shown in FIG. 4) which covers the adjacent side wall 101b orthogonal to the side wall 101b shown to FIG. 3, 4 from the outside. They are overlapped and covered to cover. The shape of the corner portion of the heat dissipation suppression unit 105 may be an arc shape or a shape that is bent by a plurality of obtuse angles in consideration of safety.

이와 같이, 플레이트재(106)의 단부끼리를 겹쳐 방열 억제 유닛(105)을 조립함으로써, 플레이트재(106)의 접합 부분의 간극을 없애, 공기 단열부(180)의 공기가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다. 인접하는 플레이트재(106)끼리가 서로 겹치는 부분은, 예를 들어 도시하지 않은 나사 등으로 고정해도 좋다. 또한, 플레이트재(106)의 단부끼리를 겹치지 않고, 다른 부재에 의해 플레이트재(106)의 단부 사이의 간극을 덮어도 좋다.In this way, by assembling the heat dissipation suppression unit 105 by overlapping the ends of the plate member 106, it is possible to eliminate the gap between the joining portions of the plate member 106, so that the air of the air insulation unit 180 leaks to the outside. It can be suppressed. The portions where the adjacent plate materials 106 overlap with each other may be fixed, for example, with screws or the like not shown. Moreover, you may cover the clearance gap between the edge parts of the plate material 106 with another member, without overlapping the edge parts of the plate material 106.

또한, 스페이서(107)를 이용하여, 공기 단열부(180)를 밀봉할 수 있다. 도 7은 측벽(101b)의 상부 및 하부에, 플레이트재(106)의 상단부 및 하단부를 고정하기 위해, 측벽(101b)의 횡방향의 길이에 대략 동등한 길이의 장척의 스페이서(107A)를 배치한 구성예를 도시하고 있다. 측벽(101b)의 상하 방향의 대략 중간 위치에는, 도 3과 동일한 형상의 스페이서(107)를 배치하고 있다. 장척의 스페이서(107A)를 사용함으로써, 플레이트재(106)의 상단부 및 하단부 부근에서 공기 단열부(180)를 밀봉할 수 있다. 즉, 공기 단열부(180)의 상하가 스페이서(107A)에 의해 밀폐되어, 공기 단열부(180)의 공기가 외부로 배출되는 것이 억제되어, 단열 효율을 높일 수 있다. 도 7의 장척의 스페이서(107A) 대신에, 보다 짧은 스페이서(107)를 간극 없이 횡방향으로 연속적으로 배치함으로써도, 동일한 효과가 얻어진다. 또한, 도 7에 도시한 예에서는, 측벽(101b)의 상부와 하부의 양쪽에 장척의 스페이서(107A)를 설치하였지만, 측벽(101b)의 좌우의 단부에도, 상기 단부를 따라서 스페이서(107A)를 설치하여, 공기 단열부(180)의 상하 좌우가 스페이서(107A)에 의해 밀폐되도록 해도 좋다. 한편, 예를 들어 측벽(101b)의 상부에만 장척의 스페이서(107A)를 설치하여 공기 단열부(180)의 상부만을 밀봉하도록 해도 좋다.In addition, the air insulator 180 may be sealed using the spacer 107. FIG. 7 shows a long spacer 107A of approximately equal length in the transverse length of the side wall 101b for fixing the upper and lower ends of the plate member 106 to the upper and lower portions of the side wall 101b. The structural example is shown. Spacers 107 having the same shape as in FIG. 3 are disposed at substantially intermediate positions in the vertical direction of the side wall 101b. By using the elongate spacer 107A, the air heat insulating part 180 can be sealed in the vicinity of the upper end and lower end of the plate material 106. That is, the upper and lower sides of the air heat insulation part 180 are sealed by the spacer 107A, and it is suppressed that air of the air heat insulation part 180 is discharged to the outside, and heat insulation efficiency can be improved. Instead of the long spacer 107A of FIG. 7, the same effect can be obtained by continuously disposing the shorter spacer 107 laterally without a gap. In addition, in the example shown in FIG. 7, although the long spacer 107A was provided in the upper part and the lower part of the side wall 101b, the spacer 107A was also provided along the said edge part also to the left and right edge parts of the side wall 101b. It may be provided so that the top, bottom, left, and right sides of the air insulator 180 are sealed by the spacer 107A. On the other hand, for example, a long spacer 107A may be provided only on the upper side of the side wall 101b to seal only the upper portion of the air insulator 180.

다음에, 이상과 같이 구성되는 플라즈마 에칭 장치(200)에 있어서의 처리 동작에 대해 설명한다. 우선, 도시하지 않은 게이트 밸브가 개방된 상태에서 기판 반송용 개구를 통해, 피처리체인 기판(S)이, 도시하지 않은 반송 장치의 포크에 의해 처리 용기(101) 내로 반입되어, 서셉터(111)로 전달된다. 그 후, 게이트 밸브가 폐쇄되어, 배기 장치(155)에 의해, 처리 용기(101) 내가 소정의 진공도까지 진공화된다.Next, the processing operation in the plasma etching apparatus 200 configured as described above will be described. First, the board | substrate S which is a to-be-processed object is carried in into the process container 101 by the fork of the conveying apparatus which is not shown in the state through which the gate valve which is not shown in figure was opened, and the susceptor 111 was carried out. Is delivered. Thereafter, the gate valve is closed, and the inside of the processing container 101 is evacuated to a predetermined vacuum degree by the exhaust device 155.

다음에, 밸브(141)를 개방하여, 처리 가스를 가스 공급원(145)으로부터 처리 가스 공급관(139), 가스 도입구(137)를 통해 샤워 헤드(131)의 가스 확산 공간(133)으로 도입한다. 이때, 매스 플로우 컨트롤러(143)에 의해 처리 가스의 유량 제어가 행해진다. 가스 확산 공간(133)으로 도입된 처리 가스는, 또한 복수의 토출 구멍(135)을 통해 서셉터(111) 상에 적재된 기판(S)에 대해 균일하게 토출되어, 처리 용기(101) 내의 압력이 소정의 값으로 유지된다.Next, the valve 141 is opened to introduce the processing gas from the gas supply source 145 into the gas diffusion space 133 of the shower head 131 through the processing gas supply pipe 139 and the gas inlet 137. . At this time, the flow rate control of the processing gas is performed by the mass flow controller 143. The processing gas introduced into the gas diffusion space 133 is further uniformly discharged with respect to the substrate S loaded on the susceptor 111 through the plurality of discharge holes 135, and thus the pressure in the processing container 101. This is kept at a predetermined value.

이 상태에서 고주파 전원(175)으로부터 고주파 전력이 매칭 박스(173)를 통해 서셉터(111)에 인가된다. 이에 의해, 하부 전극으로서의 서셉터(111)와 상부 전극으로서의 샤워 헤드(131) 사이에 고주파 전계가 발생하여, 처리 가스가 해리되어 플라즈마화된다. 이 플라즈마에 의해, 기판(S)에 에칭 처리가 실시된다.In this state, high frequency power is applied from the high frequency power supply 175 to the susceptor 111 through the matching box 173. As a result, a high frequency electric field is generated between the susceptor 111 as the lower electrode and the shower head 131 as the upper electrode, so that the processing gas dissociates and becomes plasma. By this plasma, an etching process is performed on the board | substrate S. FIG.

에칭 처리를 실시한 후, 고주파 전원(175)으로부터의 고주파 전력의 인가를 정지하여, 가스 도입을 정지한 후, 처리 용기(101) 내를 소정의 압력까지 감압한다. 다음에, 게이트 밸브를 개방하여, 서셉터(111)로부터 도시하지 않은 반송 장치의 포크로 기판(S)을 전달하고, 처리 용기(101)의 반송용 개구부로부터 기판(S)을 반출한다. 이상의 조작에 의해, 기판(S)에 대한 플라즈마 에칭 처리가 종료된다.After performing the etching process, the application of the high frequency power from the high frequency power supply 175 is stopped to stop the gas introduction, and the inside of the processing container 101 is decompressed to a predetermined pressure. Next, the gate valve is opened, the substrate S is transferred from the susceptor 111 to the fork of the conveying device (not shown), and the substrate S is taken out from the opening for conveyance of the processing container 101. By the above operation, the plasma etching process with respect to the board | substrate S is complete | finished.

이상의 처리의 과정에서, 플라즈마 에칭 장치(200)에서는 처리 용기(101)의 주위를 방열 억제 유닛(105)에 의해 둘러싸고, 공기 단열부(180)를 형성함으로써, 처리 용기(101)에 설치된 열매체 유로(101d)에 의한 온도 조절 효율을 높일 수 있다. 따라서, 처리 용기(101) 내의 퇴적물의 부착을 억제하거나, 플라즈마 에칭 처리의 기판 면내 균일성을 향상시키는 효과가 얻어진다. 또한, 방열 억제 유닛(105)은 복수의 플레이트재(106)를 조합한 조립 구조이므로, 설치, 제거가 용이해, 대형의 처리 용기(101)에도 적합한 것이다. 또한, 방열 억제 유닛(105)은 플레이트재(106)로 구성되므로, 파티클 원인으로 되는 경우는 거의 없다.In the process of the above-mentioned process, in the plasma etching apparatus 200, the heat medium flow path installed in the processing container 101 is formed by surrounding the circumference | surroundings of the processing container 101 by the heat dissipation suppression unit 105, and forming the air heat insulation part 180. The temperature control efficiency by 101d can be improved. Therefore, the effect which suppresses adhesion of the deposit in the process container 101, or improves the in-plane uniformity of a plasma etching process is acquired. Moreover, since the heat dissipation suppression unit 105 is an assembly structure which combined the several plate material 106, it is easy to install and remove, and is suitable also for the large processing container 101. Moreover, since the heat dissipation suppression unit 105 is comprised from the plate material 106, it hardly becomes a particle cause.

또한, 플레이트재(106)는 금속 재료 이외의 재질에 의해 구성할 수도 있다. 도 8은 가시광 투과성의 투명 재료에 의해 플레이트재(106)를 형성한 변형예를 도시하고 있다. 플레이트재(106)에 이용 가능한 투명 재료로서는, 예를 들어 아크릴 수지, 폴리카보네이트 등을 들 수 있다. 플레이트재(106)의 재질로서 투명 재료를 사용함으로써, 플라즈마 에칭 장치(200)의 시인성을 개선할 수 있다. 예를 들어, 처리 용기(101)의 측벽(101b)에 그 내부(처리실)를 확인하기 위한 투과창(도시 생략)이 형성되어 있는 경우, 당해 투과창의 배치 위치를 피하지 않고, 그 외측으로부터 방열 억제 유닛(105)으로 덮어도, 투명한 플레이트(106) 및 투과창을 통해 처리실 내의 상태를 확인할 수 있다. 이 경우, 투과창의 배치 위치에 대응하는 부분만을 투명한 플레이트(106)로 치환할 수도 있다.In addition, the plate material 106 can also be comprised with materials other than a metal material. 8 shows a modification in which the plate member 106 is formed of a transparent material having visible light transmission. As a transparent material which can be used for the plate material 106, an acrylic resin, polycarbonate, etc. are mentioned, for example. By using a transparent material as the material of the plate material 106, the visibility of the plasma etching apparatus 200 can be improved. For example, when a transmission window (not shown) is formed on the side wall 101b of the processing container 101 to check its interior (processing chamber), the heat dissipation is performed from the outside without avoiding the arrangement position of the transmission window. Even if it covers with the suppression unit 105, the state in a process chamber can be confirmed through the transparent plate 106 and a transmission window. In this case, only the part corresponding to the arrangement position of the transmission window may be replaced with the transparent plate 106.

도 9는 플레이트재(106)의 내면[처리 용기(101)의 측벽(101b)의 외벽면에 대향하는 면]에, 적외선 반사층(190)을 설치한 변형예를 도시하고 있다. 적외선 반사층(190)은 플레이트재(106)의 표면에 적외선 반사 도료를 코팅하거나, 적외선 반사 필름을 적층함으로써 형성할 수 있다. 적외선 반사 도료로서는, 예를 들어 ATTSU-9(상품명 ; 니혼 페인트 주식회사제) 등을 이용할 수 있다. 적외선 반사 필름으로서는, 예를 들어 나노 70S(상품명 ; 스미토모 스리엠사제) 등을 이용할 수 있다. 또한, 도 8에 예시한 바와 같이, 플레이트재(106)를 투명 재료에 의해 형성하는 경우에는, 가시광 투과성의 적외선 반사 도료나 가시광 투과성의 적외선 반사 필름을 사용하여 적외선 반사층(190)을 형성하는 것이 바람직하다. 가시광 투과성의 적외선 반사 필름으로서는, 예를 들어 나노 80S(상품명 ; 스미토모 스리엠사제) 등을 이용할 수 있다.FIG. 9 shows a modification in which the infrared reflecting layer 190 is provided on the inner surface of the plate member 106 (the surface facing the outer wall surface of the side wall 101b of the processing container 101). The infrared reflecting layer 190 can be formed by coating an infrared reflecting paint on the surface of the plate material 106 or laminating an infrared reflecting film. As an infrared reflecting paint, ATTSU-9 (brand name; the Nippon Paint Corporation make) etc. can be used, for example. As an infrared reflecting film, Nano 70S (brand name; the Sumitomo 3M company make) etc. can be used, for example. In addition, as illustrated in FIG. 8, when the plate member 106 is formed of a transparent material, it is preferable to form the infrared reflecting layer 190 using a visible light-transmitting infrared reflecting paint or a visible light-transmitting infrared reflecting film. desirable. As a visible light permeable infrared reflecting film, Nano 80S (brand name; Sumitomo 3M company make) etc. can be used, for example.

[제2 실시 형태][Second Embodiment]

다음에, 도 10을 참조하면서, 본 발명의 처리 장치의 제2 실시 형태에 관한 플라즈마 에칭 장치에 대해 설명한다. 도 10은 제1 실시 형태에 있어서의 도 2에 대응하는 처리 용기(101)의 주요부 단면을 확대하여 도시하는 도면이다. 또한, 이하의 설명에서는, 제1 실시 형태와의 상이점을 중심으로 설명하고, 제2 실시 형태에 있어서 제1 실시 형태와 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.Next, the plasma etching apparatus which concerns on 2nd Embodiment of the processing apparatus of this invention is demonstrated, referring FIG. FIG. 10: is the figure which expands and shows the principal part cross section of the processing container 101 corresponding to FIG. 2 in 1st Embodiment. In addition, in the following description, it demonstrates centering around difference with 1st Embodiment, and abbreviate | omits description about the structure similar to 1st Embodiment in 2nd Embodiment.

도 10에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 플라즈마 에칭 장치의 방열 억제 유닛(201)은 측벽(101b)에 가까운 내측 플레이트재(202)와, 이 내측 플레이트재(202)의 외측에 배치되는 외측 플레이트재(203)를 구비하고 있다. 이에 의해, 공기 단열부는 내측 단열부(180a)와 외측 단열부(180b)의 이중 단열 구조로 되어 있다. 내측 단열부(180a)는 제1 스페이서(204)가 개재됨으로써 획정되는 측벽(101b)의 외벽과 내측 플레이트재(202) 사이의 공간이다. 외측 단열부(180b)는 제2 스페이서(205)가 개재됨으로써 획정되는 내측 플레이트재(202)와 외측 플레이트재(203) 사이의 공간이다.As shown in FIG. 10, the heat dissipation suppression unit 201 of the plasma etching apparatus of this embodiment is the inner side plate material 202 near the side wall 101b, and the outer side arrange | positioned outside this inner plate material 202. As shown in FIG. The plate material 203 is provided. Thereby, the air heat insulation part has a double heat insulation structure of the inner side heat insulation part 180a and the outer side heat insulation part 180b. The inner heat insulating part 180a is a space between the outer wall of the side wall 101b and the inner plate member 202 defined by the first spacer 204 interposed therebetween. The outer heat insulating part 180b is a space between the inner plate material 202 and the outer plate material 203 which are defined by interposing the second spacer 205.

처리 용기(101)의 외벽에는, 예를 들어 나사에 의해 제1 스페이서(204)가 고정되어 있고, 이 제1 스페이서(204)에 내측 플레이트재(202)가 고정된다. 이 내측 플레이트재(202)를 통해 제1 스페이서(204)에 제2 스페이서(205)가 고정되고, 또한 외측 플레이트재(203)는 이 제2 스페이서(205)에 고정된다. 내측 플레이트재(202), 외측 플레이트재(203) 및 제2 스페이서(205)의 고정은, 예를 들어 나사에 의해 행할 수 있다.The first spacer 204 is fixed to the outer wall of the processing container 101 by, for example, a screw, and the inner plate member 202 is fixed to the first spacer 204. The second spacer 205 is fixed to the first spacer 204 through the inner plate member 202, and the outer plate member 203 is fixed to the second spacer 205. The inner plate material 202, the outer plate material 203, and the second spacer 205 can be fixed by screws, for example.

또한, 처리 용기(101)의 외벽에, 예를 들어 나사에 의해 제1 스페이서(204)가 고정되고, 제2 스페이서(205)와 내측 플레이트재(202)가, 이들을 관통하는 나사에 의해 제1 스페이서(204)에 고정되고, 또한 외측의 플레이트재(203)와 제2 스페이서(205)와 내측의 플레이트재(202)가, 이들을 관통하는 나사에 의해 제1 스페이서(204)에 고정되도록 해도 좋다.In addition, the first spacer 204 is fixed to the outer wall of the processing container 101 by, for example, a screw, and the second spacer 205 and the inner plate member 202 are firstly screwed through the screws. The outer plate member 203, the second spacer 205, and the inner plate member 202 may be fixed to the spacer 204, and may be fixed to the first spacer 204 with a screw passing therethrough. .

또한, 처리 용기(101)의 외벽에, 예를 들어 나사에 의해 제1 스페이서(204)가 고정되고, 제2 스페이서(205)와 내측 플레이트재(202)와 제1 스페이서(204)가, 이들을 관통하는 나사에 의해 처리 용기(101)의 외벽에 고정되고, 또한 외측의 플레이트재(203)와 제2 스페이서(205)와 내측의 플레이트재(202)가, 이들을 관통하는 나사에 의해 제1 스페이서(204)에 고정되도록 해도 좋다.Further, the first spacer 204 is fixed to the outer wall of the processing container 101 by, for example, a screw, and the second spacer 205, the inner plate member 202, and the first spacer 204 are fixed to the outer wall of the processing container 101. The outer plate member 203, the second spacer 205 and the inner plate member 202 are fixed to the outer wall of the processing container 101 by screws that pass through the first spacer by screws that pass through them. It may be fixed to 204.

또한, 예를 들어 내측 플레이트재(202)와 외측 플레이트재(203) 사이에 제2 스페이서(205)를 배치한 것을 미리 조립해 두고, 그것을 제1 스페이서(204)에 고정해도 좋다.For example, what arrange | positioned the 2nd spacer 205 between the inner side plate material 202 and the outer side plate material 203 may be assembled previously, and you may fix it to the 1st spacer 204. FIG.

이와 같이 공기 단열부를 이중 구조로 함으로써, 처리 용기(101)로부터의 방열 억제 효과를 더욱 높일 수 있다.Thus, by making the air heat insulation part into a dual structure, the effect of suppressing the heat radiation from the processing container 101 can be further enhanced.

본 실시 형태의 방열 억제 유닛(201)에 있어서의 내측 플레이트재(202)끼리 및 외측 플레이트재(203)끼리의 접합 부분의 구조는 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 또한, 제1 실시 형태의 플레이트재(106)와 마찬가지로, 내측 플레이트재(202) 및 외측 플레이트재(203)는 모두 투명 재료에 의해 구성하는 것이 가능하고, 또한 내측 플레이트재(202) 및 외측 플레이트재(203)의 내벽면[처리 용기(101)측의 면]에는 경면 가공을 실시하거나, 적외선 반사층을 설치할 수 있다.The structure of the junction part of the inner side plate material 202 and the outer side plate material 203 in the heat dissipation suppression unit 201 of this embodiment is the same as that of 1st Embodiment. In addition, similar to the plate member 106 of the first embodiment, both the inner plate member 202 and the outer plate member 203 can be made of a transparent material, and the inner plate member 202 and the outer plate can be formed. The inner wall surface (surface on the processing container 101 side) of the ash 203 can be mirror-finished or an infrared reflecting layer can be provided.

또한, 하나의 처리 용기(101)에 있어서, 부위에 따라서 1중의 공기 단열부(제1 실시 형태를 참조)를 설치하는 부분과, 2중의 공기 단열부를 설치하는 부분을 조합할 수도 있다. 예를 들어, 처리 용기(101)에 있어서 방열이 특히 큰 부위에는 2중의 공기 단열부를 설치하고, 다른 부위는 1중의 공기 단열부를 설치한 방열 억제 유닛을 배치함으로써, 효과적인 방열 억제를 실현할 수 있다. 또한, 공기 단열부는 2중으로 한정되지 않고, 3중 이상으로 해도 좋다. 이와 같이, 플레이트재를 부분적 또는 전체적으로 다중으로 배치함으로써, 공기 단열부를 부분적 또는 전체적으로 다층으로 설치할 수도 있다.In addition, in one process container 101, you may combine the part which provides a single air heat insulation part (refer 1st Embodiment), and the part which provides a double air heat insulation part according to a site | part. For example, an effective heat dissipation suppression can be realized by arranging a double air insulator in a portion where heat dissipation is particularly large in the processing container 101 and a heat dissipation suppression unit in which a single air insulator is provided in another portion. In addition, an air heat insulation part is not limited to double, You may make it triple or more. In this way, by arranging the plate material in multiple parts, in part or in whole, the air insulation unit may be provided in multiple layers in part or in whole.

제2 실시 형태에 있어서의 다른 구성 및 효과는 제1 실시 형태와 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.Since the other structure and effect in 2nd Embodiment are the same as that of 1st Embodiment, description is abbreviate | omitted.

이상, 본 발명의 실시 형태를 예시의 목적으로 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 형태로 제약되는 경우는 없다. 당업자는 본 발명의 사상 및 범위를 일탈하지 않고 많은 개변을 할 수 있고, 그들도 본 발명의 범위 내에 포함된다. 예를 들어, 상기 실시 형태에서는 평행 평판 플라즈마 처리 장치를 예로 들었지만, 본 발명은, 예를 들어 유도 결합 플라즈마 처리 장치, 표면파 플라즈마 처리 장치, ECR(Electron Cyclotron Resonance) 플라즈마 처리 장치, 헬리콘파 플라즈마 처리 장치 등 다른 방식의 플라즈마 처리 장치에도 적용 가능하다. 또한, 챔버 내의 온도 조절이 필요한 장치이면, 드라이 에칭 장치로 한정되지 않고, 성막 장치나 애싱 장치 등에도 동등하게 적용 가능하다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described in detail for the purpose of illustration, this invention is not restrict | limited to the said embodiment. Those skilled in the art can make many modifications without departing from the spirit and scope of the invention, and they are included within the scope of the invention. For example, in the above embodiment, the parallel plate plasma processing apparatus is taken as an example, but the present invention is, for example, an inductively coupled plasma processing apparatus, a surface wave plasma processing apparatus, an ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma processing apparatus, or a helicon wave plasma processing apparatus. It is also applicable to other types of plasma processing apparatus. Moreover, if it is an apparatus which requires temperature control in a chamber, it is not limited to a dry etching apparatus, It is equally applicable to a film forming apparatus, an ashing apparatus, etc.

또한, 본 발명은 FPD용 기판을 피처리체로 하는 것으로 한정되지 않고, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 태양 전지용 기판을 피처리체로 하는 경우에도 적용할 수 있다.In addition, this invention is not limited to using a board | substrate for FPD as a to-be-processed object, For example, it is applicable also when a semiconductor wafer or a solar cell substrate is used as a to-be-processed object.

또한, 상기 각 실시 형태의 방열 억제 유닛은 온도 조절 수단을 갖지 않는 처리 용기에도 적용 가능하다.Moreover, the heat dissipation suppression unit of each said embodiment is applicable also to the processing container which does not have a temperature control means.

101 : 처리 용기
101a : 저벽
101b : 측벽
101c : 덮개
101d : 열매체 유로
105 : 방열 억제 유닛
106 : 플레이트재
107 : 스페이서
108 : 나사
109 : 나사
111 : 서셉터
112 : 기재
113, 114 : 시일 부재
115 : 절연 부재
131 : 샤워 헤드
133 : 가스 확산 공간
135 : 가스 토출 구멍
137 : 가스 도입구
139 : 처리 가스 공급관
141 : 밸브
143 : 매스 플로우 컨트롤러
145 : 가스 공급원
151 : 배기용 개구
153 : 배기관
153a : 플랜지부
155 : 배기 장치
171 : 급전선
173 : 매칭 박스(M.B.)
175 : 고주파 전원
180 : 공기 단열부
200 : 플라즈마 에칭 장치101: processing container
101a: bottom wall
101b: sidewalls
101c: cover
101d: heat medium euro
105: heat dissipation suppression unit
106: plate material
107: spacer
108: screw
109 screw
111: susceptor
112: description
113, 114: seal member
115: insulation member
131: Shower Head
133: gas diffusion space
135: gas discharge hole
137 gas inlet
139: process gas supply pipe
141: Valve
143: Mass Flow Controller
145: gas source
151: opening for exhaust
153: exhaust pipe
153a: flange
155: exhaust device
171 feeder
173: matching box (MB)
175: high frequency power supply
180: air insulation
200: plasma etching apparatus

Claims

A processing container for forming a processing chamber for processing a target object;
A heat dissipation suppressing assembly including a plurality of plate materials covering the outer wall surface of the processing container from the outside;
The plate member is disposed spaced apart from the outer wall surface of the processing container, thereby having an air insulating portion between the processing container and the heat dissipation suppressing assembly,
A joining portion of adjacent plate materials overlaps with each other, and an end portion of one plate member is bent to cover an end portion of another adjacent plate member.

The processing apparatus according to claim 1, wherein the plate member is made of metal or resin.

The processing apparatus of Claim 1 or 2 in which the surface which opposes the said processing container of the said plate material is mirror-processed.

The processing apparatus of Claim 1 or 2 which has an infrared reflecting layer in the surface which opposes the said processing container of the said plate material.

The processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein at least part of the plate member is formed of a material having visible light transmission.

The processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein a spacer member is provided on an outer wall surface of the processing container, and the plate member is fixed to the spacer member.

The processing apparatus of Claim 6 with which the said air heat insulation part is sealed by the said spacer member.

The processing apparatus according to claim 6, wherein the spacer member is made of a heat insulating material.

The processing apparatus of Claim 1 or 2 whose thickness of the said air heat insulation part exists in the range of 5 mm-20 mm.

The processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the air insulator portion is partially or wholly provided in multiple layers by partially or entirely disposing the plate member.

The processing apparatus of Claim 1 or 2 whose said to-be-processed object is a rectangular board | substrate whose long side exceeds 2 m.