KR101876873B1

KR101876873B1 - Plasma processing apparatus

Info

Publication number: KR101876873B1
Application number: KR1020160090730A
Authority: KR
Inventors: 신고 데구치; 토시히로 카사하라; 요헤이 야마다
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2015-07-22
Filing date: 2016-07-18
Publication date: 2018-07-10
Also published as: CN106373850A; TWI703901B; CN106373850B; KR20170012058A; JP2017027775A; KR20180079258A; JP6593004B2; TW201717710A

Abstract

플라즈마 내성을 가지고 경량인 금속창을 구비한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 처리 공간(100) 내의 피처리 기판(G)에 대하여 플라즈마 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치(1)는 접지된 금속제의 처리 용기(10, 11) 내에 피처리 기판(G)이 배치되는 배치대를 구비하고, 복수의 도전성의 부분창(30)을 배열하여 이루어지는 금속창(3)은 처리 용기(10, 11)의 상면측의 개구를 폐색하여 처리 공간(100)을 형성하고, 이웃하는 부분창(30)끼리의 사이에는, 수지제의 절연 부재(31)가 마련되어 있다. 세라믹스제의 절연 부재 커버(20)는 절연 부재(31)의 처리 공간측의 면을 덮고, 금속창(3)의 상방측에는 유도 결합에 의해 처리 가스를 플라즈마화하기 위한 플라즈마 안테나(5)가 마련되어 있다.There is provided a plasma processing apparatus having a metal window having a plasma resistance and a light weight. A plasma processing apparatus 1 for performing a plasma process on a substrate G in a process space 100 includes a process chamber 10 in which processing target substrates G are placed in grounded metal processing vessels 10, And the metal window 3 formed by arranging the plurality of conductive window portions 30 forms the processing space 100 by closing the opening on the upper surface side of the processing vessels 10 and 11, Insulating members 31 made of resin are provided between the first and second insulating films 30. The insulating member cover 20 made of ceramics covers the surface of the insulating member 31 on the side of the processing space and a plasma antenna 5 is provided on the upper side of the metal window 3 to plasmaize the process gas by inductive coupling have.

Description

PLASMA PROCESSING APPARATUS

본 발명은 플라즈마화된 처리 가스에 의해 피처리 기판의 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus for performing a plasma process on a substrate to be processed by a plasmaized process gas.

액정 표시 장치(LCD) 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 공정에 있어서는, 처리 공간 내에 배치된 피처리 기판인 글라스 기판에 대하여, 플라즈마화된 처리 가스를 공급하여, 에칭 처리 또는 성막 처리 등의 플라즈마 처리를 행하는 공정이 존재한다. 이들 플라즈마 처리에는 플라즈마 에칭 장치 또는 플라즈마 CVD 장치 등의 각종 플라즈마 처리 장치가 이용된다. 최근, 처리 가스를 플라즈마화하는 방법으로서, 고진공도 하에서 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있다고 하는 큰 이점을 가지는 유도 결합 플라즈마 (Inductively Coupled Plasma : ICP)가 주목받고 있다.2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a flat panel display (FPD) such as a liquid crystal display (LCD), a plasma processing gas is supplied to a glass substrate, which is a substrate to be processed, There is a step of performing a plasma treatment. Various plasma processing apparatuses such as a plasma etching apparatus or a plasma CVD apparatus are used for these plasma processing. Recently, inductively coupled plasma (ICP) has attracted attention as a method of converting a process gas into a plasma, which has a great advantage that a high density plasma can be obtained under a high degree of vacuum.

한편, 글라스 기판의 사이즈는 대형화가 진행되고 있다. 예를 들면 LCD용의 직사각형 형상 글라스 기판에서는 짧은 변 × 긴 변의 길이가 약 2200 mm × 약 2400 mm, 또한 약 2800 mm × 약 3000 mm의 사이즈를 처리 가능한 플라즈마 처리 장치가 필요해지고 있다.On the other hand, the size of the glass substrate is becoming larger. For example, in a rectangular glass substrate for an LCD, a plasma processing apparatus capable of processing a length of about 2200 mm by about 2400 mm and a length of about 2800 mm by about 3000 mm is required.

이러한 글라스 기판의 대형화에 수반하여 플라즈마 처리 장치도 대형화가 진행되고 있다. 그러나 유도 결합 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리 장치에서는 처리 공간의 천장면에 마련되고 석영 등으로 이루어지는 유전체창의 강성이 낮아, 장치의 대형화에 장애가 되고 있었다.With the increase in size of such a glass substrate, the plasma processing apparatus is also becoming larger in size. However, in the plasma processing apparatus using the inductively coupled plasma, the rigidity of the dielectric window made of quartz or the like is low in the ceiling of the processing space, which is an obstacle to enlargement of the apparatus.

따라서 특허 문헌 1에는, 석영보다 강성이 높은 금속창을 복수의 분할편(부분창)으로 분할하여 분할편끼리를 절연함으로써, 금속창의 대형화를 도모한 유도 결합 플라즈마 방식의 플라즈마 처리 장치가 기재되어 있다.Therefore, Patent Document 1 discloses a plasma processing apparatus of an inductively coupled plasma system in which a metal window having a higher rigidity than quartz is divided into a plurality of split pieces (partial windows) to insulate the divided pieces to thereby enlarge a metal window .

그러나, 특허 문헌 1에는 분할편끼리를 절연하는데 적합한 절연 부재의 재료 선정 및 특정한 재료가 선정된 경우에 유의해야 할 기술 사항에 관한 기재는 없다.However, in Patent Document 1, there is no description on the selection of the material of the insulating member suitable for insulating the divided pieces and the technical matters to be considered when a specific material is selected.

또한 특허 문헌 2에는, 마찬가지로 유도 결합 플라즈마 방식의 플라즈마 처리 장치에 있어서, 복수의 분할 유전 부재를 이용하여 구성된 유전체창의 하면에 유전체창을 보호하기 위한 착탈 가능한 유전체 커버를 마련하고, 이 유전체 커버를 복수의 분할 소편으로 분할하는 기술이 기재되어 있다. 이 유전체 커버에는 분할 소편의 열팽창 시에 분할 소편 간의 극간이 개구되는 것에 수반하는 유전체창의 손상 또는 극간에 대한 퇴적물의 퇴적을 방지하기 위한 커버 플레이트가 마련되어 있다. Patent Document 2 discloses a plasma processing apparatus of an inductively coupled plasma system in which a detachable dielectric cover for protecting a dielectric window is provided on a lower surface of a dielectric window formed by using a plurality of divided dielectric members, Is divided into a plurality of divided pieces. The dielectric cover is provided with a cover plate for preventing damages to the dielectric window or accumulation of deposits on the gap between the pieces when the thermal expansion of the divided pieces occurs.

그러나 특허 문헌 2는 서로 절연된 복수의 도전성의 부분창을 이용하여 금속창을 구성하는 기술에 관련된 문헌은 아니다.However, Patent Document 2 is not related to a technique of constructing a metal window using a plurality of conductive window portions insulated from each other.

일본특허공개공보 2015-022806호 : 청구항 1, 단락 0028 ~ 0029, 도 1Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2015-022806: Claim 1, paragraphs 0028 to 0029, Fig. 1 일본특허공개공보 2013-149377호 : 청구항 1, 단락 0042, 0057, 도 3Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2013-149377: Claim 1, paragraphs 0042, 0057,

본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은 내플라즈마성을 가지며 경량인 금속창을 구비한 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus having a metal window having a plasma resistance and being light in weight.

본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 진공 배기된 처리 공간 내의 피처리 기판에 대하여 플라즈마화된 처리 가스에 의한 플라즈마 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, The plasma processing apparatus of the present invention is a plasma processing apparatus for performing a plasma process by a plasma process gas on a substrate to be processed in a vacuum exhausted processing space,

상기 피처리 기판이 배치되는 배치대를 구비하고, 상기 배치대에 대향하는 상면이 개구되고 또한 전기적으로 접지된 금속제의 처리 용기와, A processing vessel made of a metal having an arrangement base on which the substrate to be processed is disposed and having an upper surface opposed to the arrangement stand and electrically grounded;

상기 처리 용기의 개구를 폐색하여 상기 처리 공간을 형성하도록 배열된 복수의 도전성의 부분창으로 이루어지는 금속창과, A metal window made of a plurality of conductive partial windows arranged to close the opening of the processing vessel to form the processing space;

상기 처리 용기와 부분창과의 사이, 및 이웃하는 부분창끼리의 사이에 마련된 수지제의 절연 부재와, A resin insulating member provided between the processing container and the partial window and between the adjacent partial windows,

상기 절연 부재의 처리 공간측의 면을 덮는 세라믹스제의 절연 부재 커버와, An insulating member cover made of ceramics for covering the surface of the insulating member on the processing space side,

상기 금속창의 상방측에 상기 금속창과 대향하도록 마련되고, 유도 결합에 의해 상기 처리 가스를 플라즈마화하기 위한 플라즈마 안테나를 구비한 것을 특징으로 한다.And a plasma antenna provided on the upper side of the metal window to face the metal window and to plasmaize the process gas by inductive coupling.

상기 플라즈마 처리 장치는, 이하의 구성을 구비하고 있어도 된다.The plasma processing apparatus may have the following configuration.

(a) 상기 절연 부재 커버는 복수의 부분 커버로 분할되고, 이웃하는 부분 커버끼리의 극간을 상기 처리 공간측으로부터 덮는 세라믹스제의 극간 커버가 마련되어 있는 것.(a) the insulating member cover is divided into a plurality of partial covers, and a clearance gap cover made of ceramics is provided so as to cover the gaps between neighboring partial covers from the processing space side.

상기 부분 커버 및 극간 커버는 금속제의 나사에 의해 상기 부분창에 체결되고, 상기 나사를 처리 공간측으로부터 덮는 세라믹스제의 나사 커버가 마련되어 있는 것.Wherein the partial cover and the clearance cover are provided with a screw cover made of ceramics which is fastened to the partial window by a metal screw and covers the screw from the processing space side.

(b) (a)에 있어서, 상기 금속창은 상기 처리 공간 내에 처리 가스를 공급하는 가스 샤워 헤드를 겸하고, 상기 극간 커버는 적어도 처리 공간 내의 피처리 기판에 대한 처리 가스의 공급이 행해지는 영역 내의 부분 커버에 대하여 마련되어 있는 것.(b) (a), the metal window also serves as a gas showerhead for supplying a process gas into the process space, and the interstice cover is provided in at least a region within the process space in which the process gas is supplied to the target substrate Provided for the partial cover.

(c) 상기 절연 부재의 하면에는 처리 용기와 부분창, 또는 이웃하는 부분창끼리의 전기적 거리를 넓히기 위하여, 상기 절연 부재의 하면의 연신 방향을 따라 연장되고 단면 형상이 처리 공간측으로 돌출된 돌출 형상부가 형성되고, 상기 절연 부재를 덮는 절연 부재 커버에는 상기 돌출 형상부와 감합하는 홈부가 형성되어 있는 것.(c) a protruding shape extending along the extending direction of the lower surface of the insulating member and having a cross-sectional shape protruding toward the process space side is provided on the lower surface of the insulating member so as to widen the electrical distance between the process container and the partial window, And an insulating member cover covering the insulating member is formed with a groove portion for fitting with the protruding portion.

(d) 상기 처리 용기와 상기 부분창의 서로 대항하는 측벽면, 또는 이웃하는 부분창끼리의 서로 대향하는 측벽면에는 계단부가 형성되고, 상기 절연 부재 커버는 그 측연부가 상기 계단부에 계지된 상태로 금속창에 장착되어 있는 것. 이 때, 상기 계단부보다 하방측의 처리 용기 또는 부분창의 측벽면에는 처리 용기와 부분창, 또는 이웃하는 부분창끼리의 전기적 거리를 넓히기 위한 노치면이 형성되어 있는 것. 또한, 상기 절연 부재 커버는 복수의 부분 커버로 분할되고, 이웃하는 부분 커버의 일방측의 단부는 타방측의 부분 커버의 상면에 적층되어 있는 것.(d) a stepped portion is formed on a sidewall surface of the processing container and the partial window that oppose each other, or a sidewall surface of each of the adjacent partial windows which face each other, and the side edge of the insulating cover is engaged with the stepped portion Attached to a metal window. At this time, the sidewall of the processing vessel or the partial window on the lower side of the step is formed with a notch surface for widening the electrical distance between the processing vessel and the partial window or the adjacent partial windows. The insulating member cover is divided into a plurality of partial covers, and one end of the adjacent partial cover is laminated on the upper surface of the other partial cover.

(e) 상기 부분창의 처리 공간측의 면은 양극 산화 처리 또는 세라믹스 용사에 의해 내플라즈마 코팅되어 있는 것.(e) the surface of the partial window on the processing space side is plated with anodic oxidation or plasma sprayed by ceramics.

(f) 상기 절연 부재는 상기 절연 부재 커버를 구성하는 세라믹스보다 체적 저항률이 큰 수지에 의해 구성되는 것.(f) the insulating member is made of a resin having a volume resistivity higher than that of ceramics constituting the insulating member cover.

본 발명은 경량이며 절연 성능이 높은 수지제의 절연 부재를 이용하여 처리 용기와 부분창과의 사이, 및 이웃하는 부분창끼리의 사이의 절연을 행하는 한편, 세라믹스제의 절연 부재 커버를 이용하여 수지제의 절연 부재를 플라즈마로부터 보호하므로, 처리 공간 내에 공급되는 처리 가스를 플라즈마화함에 있어서 필요한 금속창의 기능을 유지하면서 금속창을 경량화할 수 있다.The present invention uses an insulating member made of a resin having a light weight and high insulation performance to provide insulation between the processing container and the partial window and between the adjacent partial windows, It is possible to reduce the weight of the metal window while maintaining the function of the metal window necessary for plasmaizing the processing gas supplied in the processing space.

도 1은 제 1 실시의 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 종단 측면도이다.
도 2는 상기 플라즈마 처리 장치에 마련되어 있는 금속창의 평면도이다.
도 3은 상기 금속창에 마련되어 있는 절연 부재 커버의 확대 평면도이다.
도 4는 상기 절연 부재 커버를 제거한 상태에 있어서의 금속창의 확대 평면도이다.
도 5는 상기 금속창의 제 1 확대 종단면도이다.
도 6은 상기 금속창의 제 2 확대 종단면도이다.
도 7은 상기 금속창의 제 3 확대 종단면도이다.
도 8은 금속창 외주측의 절연 부재 커버의 확대 평면도이다.
도 9는 제 2 실시의 형태에 따른 금속창의 제 1 확대 종단면도이다.
도 10은 제 2 실시의 형태에 따른 금속창의 제 2 확대 종단면도이다.
도 11은 제 2 실시의 형태에 따른 금속창의 제 3 확대 종단면도이다.
도 12는 제 3 실시의 형태에 따른 금속창의 확대 평면도이다.
도 13은 제 3 실시의 형태에 따른 금속창의 제 1 확대 종단면도이다.
도 14는 제 3 실시의 형태에 따른 금속창의 제 2 확대 종단면도이다.1 is a longitudinal side view of a plasma processing apparatus according to the first embodiment.
2 is a plan view of a metal window provided in the plasma processing apparatus.
3 is an enlarged plan view of an insulating member cover provided on the metal window.
4 is an enlarged plan view of the metal window in a state in which the insulating member cover is removed.
5 is a first enlarged vertical cross-sectional view of the metal window;
6 is a second enlarged vertical cross-sectional view of the metal window.
7 is a third enlarged vertical cross-sectional view of the metal window.
8 is an enlarged plan view of the insulating member cover on the outer peripheral side of the metal window.
9 is a first enlarged vertical cross-sectional view of a metal window according to the second embodiment;
10 is a second enlarged vertical sectional view of the metal window according to the second embodiment;
11 is a third enlarged vertical sectional view of the metal window according to the second embodiment;
12 is an enlarged plan view of a metal window according to the third embodiment.
13 is a first enlarged vertical cross-sectional view of a metal window according to the third embodiment;
14 is a second enlarged vertical cross-sectional view of a metal window according to the third embodiment;

먼저, 도 1, 도 2를 참조하여, 본 발명의 실시의 형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)의 전체 구성을 설명한다. First, with reference to Figs. 1 and 2, the overall configuration of a plasma processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention will be described.

플라즈마 처리 장치(1)는 피처리 기판인 직사각형 기판, 예를 들면 FPD용의 글라스 기판(이하, '기판(G)'이라고 함) 상에 박막 트랜지스터를 형성할 시의 메탈막, ITO막, 산화막 등을 형성하는 성막 처리 또는 이들 막을 에칭하는 에칭 처리, 레지스트막의 애싱 처리 등의 각종 플라즈마 처리에 이용할 수 있다. 여기서 FPD로서는, 액정 디스플레이(LCD), 일렉트로 루미네선스(Electro Luminescence ; EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다. 또한, 플라즈마 처리 장치(1)는 FPD용의 기판(G)에 한정되지 않고, 태양 전지 패널용의 기판(G)에 대한 상술한 각종 플라즈마 처리에도 이용할 수 있다.The plasma processing apparatus 1 includes a metal film for forming a thin film transistor on a rectangular substrate to be processed, for example, a glass substrate for FPD (hereinafter referred to as substrate G), an ITO film, For example, an etching treatment for etching these films, an ashing treatment for a resist film, and the like. Examples of the FPD include a liquid crystal display (LCD), an electro luminescence (EL) display, a plasma display panel (PDP), and the like. Further, the plasma processing apparatus 1 is not limited to the substrate G for the FPD, but can also be used for the various plasma treatments for the substrate G for the solar panel.

도 1의 종단 측면도에 나타내는 바와 같이, 플라즈마 처리 장치(1)는 도전성 재료, 예를 들면 내벽면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 이루어지는 각통 형상의 용기 본체(10)를 구비하고, 당해 용기 본체(10)는 전기적으로 접지되어 있다. 용기 본체(10)의 상면에는 개구가 형성되고, 이 개구는 당해 용기 본체(10)와 절연되어 마련된 직사각형 형상의 금속창(3)에 의해 기밀하게 폐색된다. 이들 용기 본체(10) 및 금속창(3)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(G)의 처리 공간(100)이 되고, 금속창(3)의 상방측의 공간은, 고주파 안테나(플라즈마 안테나)(5)가 배치되는 안테나실(50)이 된다. 또한 처리 공간(100)의 측벽에는, 글라스 기판(G)을 반입반출하기 위한 반입반출구(101) 및 반입반출구(101)를 개폐하는 게이트 밸브(102)가 마련되어 있다.1, the plasma processing apparatus 1 includes a container body 10 of an electrically conductive material, for example, an angular cylinder made of aluminum whose inner wall surface is anodized, and the container body 10 Are electrically grounded. An opening is formed in the upper surface of the container body 10, and the opening is hermetically sealed by the rectangular metal window 3 provided so as to be insulated from the container body 10 in question. A space surrounded by the container body 10 and the metal window 3 serves as the processing space 100 of the substrate G and the space above the metal window 3 is a space surrounded by the high frequency antenna (plasma antenna) 5 Is disposed in the antenna chamber 50. A loading and unloading port 101 for loading and unloading the glass substrate G and a gate valve 102 for opening and closing the loading and unloading port 101 are provided on the side wall of the processing space 100.

처리 공간(100)의 하부측에는 상기 금속창(3)과 대향하도록, 기판(G)을 배치하기 위한 배치대(13)가 마련되어 있다. 배치대(13)는 도전성 재료, 예를 들면 표면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성되어 있다. 배치대(13)에 배치된 기판(G)은 미도시의 정전 척에 의해 흡착 유지된다. 배치대(13)는 절연체 프레임(14) 내에 수납되고, 이 절연체 프레임(14)을 개재하여 용기 본체(10)의 저면에 설치되어 있다.On the lower side of the processing space 100, there is provided a placement table 13 for positioning the substrate G so as to face the metal window 3. The stage 13 is made of a conductive material, for example, aluminum whose surface is anodized. The substrate G disposed on the placement stand 13 is held by suction by an electrostatic chuck (not shown). The placement stand 13 is accommodated in the insulator frame 14 and is provided on the bottom face of the container body 10 via the insulator frame 14. [

배치대(13)에는 정합기(151)를 개재하여 제 2 고주파 전원(152)이 접속되어 있다. 제 2 고주파 전원(152)은 바이어스용의 고주파 전력, 예를 들면 주파수가 3.2 MHz의 고주파 전력을 배치대(13)에 인가한다. 이 바이어스용의 고주파 전력에 의해 생성된 셀프 바이어스에 의해, 처리 공간(100) 내에 생성된 플라즈마 중의 이온을 기판(G)에 인입할 수 있다. A second RF power supply 152 is connected to the stage 13 via a matching device 151. [ The second high frequency power source 152 applies a high frequency power for bias, for example, a high frequency power having a frequency of 3.2 MHz to the stage 13. The ions in the plasma generated in the processing space 100 can be introduced into the substrate G by the self bias generated by the high frequency power for the bias.

또한 배치대(13) 내에는, 기판(G)의 온도를 제어하기 위하여, 세라믹 히터 등의 가열 수단, 및 냉매 유로로 이루어지는 온도 제어 기구와, 온도 센서, 기판(G)의 이면에 열 전달용의 He 가스를 공급하기 위한 가스 유로가 마련되어 있다(모두 도시하지 않음).In order to control the temperature of the substrate G, a heating means such as a ceramic heater and a temperature control mechanism composed of a refrigerant flow path and a temperature sensor are provided on the rear surface of the substrate G, (All not shown) for supplying helium gas of He gas.

또한, 용기 본체(10)의 저면에는 배기구(103)가 형성되고, 이 배기구(103)에는 진공 펌프 등을 포함하는 진공 배기부(12)가 접속되어 있다. 처리 공간(100)의 내부는 이 진공 배기부(12)에 의해 플라즈마 처리 시의 압력으로 진공 배기된다.An exhaust port 103 is formed in the bottom surface of the container body 10 and a vacuum exhaust unit 12 including a vacuum pump or the like is connected to the exhaust port 103. [ The interior of the processing space 100 is evacuated by the vacuum evacuation section 12 to the pressure during plasma processing.

도 1, 및 처리 공간(100)측에서 금속창(3)을 본 평면도인 도 2에 나타내는 바와 같이, 용기 본체(10)의 측벽의 상면측에는 알루미늄 등의 금속으로 이루어지는 직사각형 형상의 프레임체인 금속 프레임(11)이 마련되어 있다. 용기 본체(10)와 금속 프레임(11)의 사이에는 처리 공간(100)을 기밀하게 유지하기 위한 씰 부재(110)가 마련되어 있다. 여기서 용기 본체(10) 및 금속 프레임(11)은 본 실시의 형태의 처리 용기를 구성하고 있다.2, which is a plan view of the metal window 3 on the side of the processing space 100, is formed on the upper surface side of the side wall of the container body 10, a rectangular frame-shaped metal frame (Not shown). Between the container body 10 and the metal frame 11, there is provided a seal member 110 for keeping the processing space 100 airtight. Here, the container body 10 and the metal frame 11 constitute the processing container of the present embodiment.

또한, 본 예의 금속창(3)은 복수의 부분창(30)으로 분할되고, 이들 부분창(30)이 금속 프레임(11)의 내측에 배치되고, 전체로서 직사각형 형상의 금속창(3)을 구성하고 있다. 각 부분창(30)은 예를 들면 비자성체로 도전성의 금속, 알루미늄 또는 알루미늄을 포함하는 합금 등에 의해 구성된다.The metal window 3 of the present example is divided into a plurality of partial windows 30 and these partial windows 30 are disposed inside the metal frame 11 to form a rectangular metal window 3 as a whole Respectively. Each of the partial windows 30 is made of, for example, a non-magnetic material, a conductive metal, an alloy containing aluminum or aluminum, or the like.

또한, 각 부분창(30)은 처리 가스 공급용의 샤워 헤드를 겸하고 있다. 예를 들면 도 5에 나타내는 바와 같이 각 부분창(30)은, 처리 공간(100)에 대하여 처리 가스를 공급하기 위한 다수의 처리 가스 토출홀(302)이 형성된 샤워 플레이트(305)와, 당해 샤워 플레이트(305)와의 사이에 처리 가스를 확산시키는 처리 가스 확산실(301)을 형성하기 위한 금속창 본체(303)를 아래로부터 차례로 적층한 구성으로 되어 있다. 샤워 플레이트(305)는 금속제의 나사(201)에 의해 처리 가스 확산실(301)을 구성하는 오목부의 외측의 영역의 하면측에 체결되어 있다. 이러한 구성을 구비한 부분창은 미도시의 유지부를 개재하여 처리 공간(100)의 천장면측에 유지되어 있다.Each of the partial windows 30 also serves as a showerhead for supplying a process gas. 5, each of the partial windows 30 includes a shower plate 305 formed with a plurality of process gas discharge holes 302 for supplying a process gas to the process space 100, And a metal window main body 303 for forming a processing gas diffusion chamber 301 for diffusing a processing gas between itself and the plate 305 are sequentially stacked from the bottom. The shower plate 305 is fastened to the lower surface of the region outside the recess constituting the process gas diffusion chamber 301 by a metal screw 201. The partial window having such a configuration is held on the side of the ceiling of the processing space 100 through the holding portion (not shown).

또한, 부분창(30)의 내플라즈마성을 향상시키기 위하여, 각 부분창(30)의 처리 공간(100)측의 면(샤워 플레이트(305)의 하면)은 내플라즈마 코팅되어 있다. 내플라즈마 코팅의 구체예로서는 양극 산화 처리 또는 세라믹스 용사에 의한 유전체막의 형성을 들 수 있다.The surfaces of the respective partial windows 30 on the processing space 100 side (the lower surface of the shower plate 305) are coated with plasma to improve the plasma resistance of the partial window 30. A specific example of the inner plasma coating is anodizing or forming a dielectric film by ceramics spraying.

도 1에 나타내는 바와 같이, 각 부분창(30)의 처리 가스 확산실(301)은 가스 공급관(41)을 개재하여 처리 가스 공급부(42)에 접속되어 있다. 처리 가스 공급부(42)로부터는, 기술한 성막 처리, 에칭 처리, 애싱 처리 등에 필요한 처리 가스가 공급된다. 또한 도시의 편의상, 도 1에는 1 개의 부분창(30)에 처리 가스 공급부(42)를 접속한 상태를 나타내고 있지만, 실제로는 각 부분창(30)의 처리 가스 확산실(301)이 처리 가스 공급부(42)에 접속된다.As shown in Fig. 1, the process gas diffusion chamber 301 of each of the partial windows 30 is connected to the process gas supply unit 42 via a gas supply pipe 41. The process gas supplied from the process gas supply unit 42 is supplied to the film forming process, the etching process, and the ashing process. 1 shows a state in which the process gas supply section 42 is connected to one of the partial windows 30 but actually the process gas diffusion chamber 301 of each of the partial windows 30 is connected to the process gas supply section 42. [ (42).

또한 도 1, 도 5 등에 나타내는 바와 같이, 각 부분창(30)의 예를 들면 금속창 본체(303) 내에는 온도 조절용의 온조 유체를 통류시키는 온조 유로(307)가 형성되어 있다. 이 온조 유로(307)는 온조 유체 공급부에 접속되고, 부분창(30)에 마련된 온도 센서의 온도 검출 결과에 기초하여 이 온조 유체 공급부로부터 공급되는 온조 유체에 의해 부분창(30)이 미리 설정된 온도가 되도록 온도 조절이 행해진다(온조 유체 공급부, 온도 센서는 모두 미도시).In addition, as shown in Figs. 1 and 5, etc., for example, in the metal window body 303 of each of the partial windows 30, a temperature control flow path 307 for passing a temperature control fluid for temperature control is formed. This temperature control flow path 307 is connected to the heating fluid supply section and is controlled by the temperature control fluid supplied from the temperature control fluid supply section based on the temperature detection result of the temperature sensor provided in the partial window 30, (The temperature-controlled fluid supply unit and the temperature sensor are all not shown).

서로 분할된 부분창(30)은 절연 부재(31)에 의해 금속 프레임(11) 또는 그 하방측의 용기 본체(10)로부터 전기적으로 절연되고, 또한 이웃하는 부분창(30)끼리도 절연 부재(31)에 의해 서로 절연되어 있다. 예를 들면 도 5에 나타내는 바와 같이, 절연 부재(31)는 이웃하는 부분창(30)의 사이의 극간에 감합하는 종단면 형상을 구비하고, 각 부분창(30)의 대향하는 측면에 형성된 계단부(段部)(도 5의 예에서는 금속창 본체(303)의 측벽면으로부터 돌출된 샤워 플레이트(305))에 의해 지지되어 있다.The divided part windows 30 are electrically insulated from the metal frame 11 or the container body 10 on the lower side thereof by the insulating member 31 and the adjacent side windows 30 are electrically insulated from each other by the insulating member 31 Are insulated from each other. For example, as shown in Fig. 5, the insulating member 31 has a vertical cross-sectional shape that fits into a gap between neighboring partial windows 30, and has a stepped portion formed on an opposite side of each partial window 30. [ (The shower plate 305 protruding from the side wall surface of the metal window main body 303 in the example of Fig. 5).

여기서, 도 2는 금속창(3)을 처리 공간(100)측에서 본 도이며, 절연 부재(31)는 후술하는 부분 커버(2)에 의해 덮여 있어 보이지 않지만, 이들 부분 커버(2)의 배치 위치의 상방측에 절연 부재(31)가 마련되어 있다.2 shows the metal window 3 viewed from the side of the process space 100. The insulating member 31 is not seen as being covered by the partial cover 2 described later, And an insulating member 31 is provided on the upper side of the position.

본 예의 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 절연 부재(31)는 PTFE(Polytetrafluoroethylene) 등의 불소 수지가 채용된다. 예를 들면, PTFE는 체적 저항률이 > 10¹⁸[Ω·cm(23 ℃)], 밀도가 2.1 ~ 2.2[g/cm³] 정도이다. 이러한 수지제의 절연 부재(31)를 채용함으로써, 예를 들면 절연 부재(31)의 재료로서 알루미나(체적 저항률 > 10¹⁴ 정도[Ω·cm(23 ℃)], 밀도 3.9 정도[g/cm³])를 채용할 경우와 비교하여, 높은 절연 성능과 절연 부재(31)를 포함하는 금속창(3)의 경량화를 동시에 실현할 수 있다.In this example the plasma processing apparatus 1, the insulating member 31 is employed is a fluororesin such as PTFE (P oly t etra f luoro e thylene). For example, PTFE has a volume resistivity of> 10 ¹⁸ [Ω · cm (23 ° C.)] and a density of about 2.1 to 2.2 [g / cm ³ ]. By adopting such a resin insulating member 31, for example, alumina (volume resistivity> 10 ¹⁴ [Ω · cm (23 ° C.)] and density 3.9 [g / cm ³ ), It is possible to realize a high insulation performance and a lightweight metal window 3 including the insulating member 31 at the same time.

또한 도 1에 나타내는 바와 같이, 금속창(3)의 상방측에는 천판부(61)가 배치되고, 이 천판부(61)는 금속 프레임(11) 상에 마련된 측벽부(63)에 의해 지지되어 있다. 1, a top plate portion 61 is disposed above the metal window 3, and the top plate portion 61 is supported by a side wall portion 63 provided on the metal frame 11 .

이상에 설명한 금속창(3), 측벽부(63) 및 천판부(61)로 둘러싸인 공간은 안테나실(50)을 구성하고, 안테나실(50)의 내부에는 부분창(30)에 면하도록 고주파 안테나(5)가 배치되어 있다(도 1). 고주파 안테나(5)는 예를 들면 도시하지 않은 절연 부재로 이루어지는 스페이서를 개재하여 부분창(30)으로부터 이간되어 배치된다. 고주파 안테나(5)는 각 부분창(30)에 대응하는 면 내에서, 직사각형 형상의 금속창(3)의 둘레 방향을 따라 주회하도록 소용돌이 형상으로 형성된다(평면 도시 생략). 또한, 고주파 안테나(5)의 형상은 소용돌이에 한정되는 것은 아니며, 하나 또는 복수의 안테나선을 환상(環狀)으로 한 환상 안테나여도 된다. 또한, 각도를 다르게 하면서 복수의 안테나선을 감아, 전체가 소용돌이 형상이 되도록 한 다중 안테나를 채용해도 된다. 이와 같이, 금속창(3) 또는 금속창(3)을 구성하는 각 부분창(30)에 대응하는 면 내에서 그 둘레 방향을 따라 주회하도록 안테나선이 마련되어 있으면, 고주파 안테나(5)의 구조는 불문한다.The space surrounded by the metal window 3, the side wall portion 63 and the top plate portion 61 constitutes the antenna chamber 50 and the high frequency region An antenna 5 is disposed (Fig. 1). The high frequency antenna 5 is disposed apart from the partial window 30 via a spacer made of, for example, an insulating member (not shown). The high frequency antenna 5 is formed in a spiral shape (not shown in a plan view) so as to run around the circumferential direction of the rectangular metal window 3 in the plane corresponding to each partial window 30. The shape of the high-frequency antenna 5 is not limited to the spiral, and may be an annular antenna in which one or a plurality of antenna lines are annular. Further, a multi-antenna may be employed in which a plurality of antenna lines are wound while changing angles so as to form a spiral shape as a whole. When the antenna line is provided so as to extend along the circumferential direction in the plane corresponding to each of the partial windows 30 constituting the metal window 3 or the metal window 3 as described above, the structure of the high- No matter what.

각 고주파 안테나(5)에는 정합기(511)를 개재하여 제 1 고주파 전원(512)이 접속되어 있다. 각 고주파 안테나(5)에는 제 1 고주파 전원(512)으로부터 정합기(511)를 개재하여, 예를 들면 13.56 MHz의 고주파 전력이 공급된다. 이에 의해, 플라즈마 처리 동안, 부분창(30) 각각의 표면에 와전류가 발생되고, 이 와전류에 의해 처리 공간(100)의 내부에 유도 전계가 형성된다. 가스 토출홀(302)로부터 토출된 처리 가스는 유도 전계에 의해 처리 공간(100)의 내부에서 플라즈마화된다.The first high-frequency power source 512 is connected to each high-frequency antenna 5 via a matching device 511. Frequency power of, for example, 13.56 MHz is supplied to the high-frequency antenna 5 from the first high-frequency power source 512 through the matching unit 511. [ Thereby, during plasma processing, an eddy current is generated on the surface of each of the partial windows 30, and an induced electric field is formed inside the processing space 100 by this eddy current. The process gas discharged from the gas discharge hole 302 is converted into plasma by the induction field inside the process space 100.

또한 도 1에 나타내는 바와 같이, 이 플라즈마 처리 장치(1)에는 제어부(8)가 마련되어 있다. 제어부(8)는 미도시의 CPU(Central Processing Unit)와 기억부를 구비한 컴퓨터로 이루어지고, 이 기억부에는 기판(G)이 배치된 처리 공간(100) 내를 진공 배기하고, 고주파 안테나(5)를 이용하여 처리 가스를 플라즈마화하여 기판(G)을 처리하는 동작을 실행시키는 제어 신호를 출력하기 위한 단계(명령)군이 짜여진 프로그램이 기록되어 있다. 이 프로그램은, 예를 들면 하드 디스크, 컴팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되고, 그로부터 기억부에 인스톨된다.Further, as shown in Fig. 1, the plasma processing apparatus 1 is provided with a control section 8. The control unit 8 is constituted by a computer having a central processing unit (CPU) and a storage unit (not shown), and the processing space 100 in which the substrate G is disposed is evacuated and the high frequency antenna 5 (Command) group for outputting a control signal for performing an operation of processing the substrate G by converting the processing gas into a plasma by using the processing unit (not shown). This program is stored in, for example, a storage medium such as a hard disk, a compact disk, a magnet optical disk, or a memory card, and is installed in the storage unit.

이상에 설명한 구성을 구비하는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 부분창(30)은 처리 공간(100) 내에서 발생하는 플라즈마에 의한 손상을 억제하기 위하여, 양극 산화 처리 또는 세라믹스 용사에 의한 내플라즈마 코팅이 이루어져 있다. 한편, 금속 프레임(11)과 부분창(30), 및 이웃하는 부분창(30)끼리를 절연하는 절연 부재(31)에는 절연 성능이 높고 가벼운 PTFE 등의 수지가 채용되고 있다. 그러나, 알루미나 등의 세라믹스와 비교하여 수지의 내플라즈마성은 높지 않다. 또한 이들 수지는 양극 산화 처리 또는 세라믹스 용사에 의한 내플라즈마 코팅을 행하는 것도 곤란하다.In the plasma processing apparatus 1 having the above-described configuration, in order to suppress damage caused by the plasma generated in the processing space 100, the partial window 30 is subjected to anodizing treatment or plasma treatment by ceramics spraying Coating. On the other hand, the insulating member 31 for insulating the metal frame 11, the partial window 30 and the neighboring partial windows 30 is made of a resin such as PTFE having high insulation performance and light weight. However, compared with ceramics such as alumina, the plasma resistance of the resin is not high. In addition, it is also difficult to perform an anodic oxidation treatment or an inner plasma coating by ceramics spraying on these resins.

따라서 본 예의 플라즈마 처리 장치(1)는 절연 부재(31)의 처리 공간(100)측의 면을 덮는 세라믹스제의 절연 부재 커버(20)를 마련함으로써 플라즈마로부터 절연 부재(31)를 보호하고 있다.The plasma processing apparatus 1 of the present embodiment protects the insulating member 31 from plasma by providing the insulating member cover 20 made of ceramics to cover the surface of the insulating member 31 on the side of the process space 100. [

이하, 도 2 ~ 도 8을 참조하여 절연 부재 커버(20)의 구체적인 구성에 대하여 설명한다.Hereinafter, the specific configuration of the insulating member cover 20 will be described with reference to Figs. 2 to 8. Fig.

도 2에 나타내는 바와 같이, 부분창(30)은 필요에 따라 다양한 형상으로 분할된다. 이들 부분창(30)의 분할 형상에 따라, 금속 프레임(11)과 부분창(30)의 사이 및 이웃하는 부분창(30)끼리의 사이에 배치되는 절연 부재(31)는 그 배치 영역의 형상이 복잡해진다. 절연 부재 커버(20)는 이들 절연 부재(31)의 처리 공간(100)측의 모든 면을 덮을 필요가 있는데, 일체로 형성된 절연 부재 커버(20)로 이러한 복잡한 형상의 영역을 덮는 것은 곤란하다.As shown in Fig. 2, the partial window 30 is divided into various shapes as necessary. The insulating member 31 disposed between the metal frame 11 and the partial window 30 and between the adjacent partial windows 30 is formed in a shape of the arrangement region 30 in accordance with the divided shape of the partial window 30, . The insulating member cover 20 needs to cover all the surfaces of the insulating member 31 on the side of the processing space 100. It is difficult to cover such a complicated shape area with the insulating member cover 20 integrally formed.

따라서, 본 예의 절연 부재 커버(20)는 복수의 부분 커버(2)로 분할되어 있다. 예를 들면 각 부분 커버(2)는, 좁고 긴 평판 형상으로 성형된 알루미나 등의 세라믹스제의 부재로 이루어진다. 이들 복수의 부분 커버(2)를 배열하여 절연 부재(31)의 배치 영역을 덮는 절연 부재 커버(20)가 구성되어 있다.Therefore, the insulating member cover 20 of this embodiment is divided into a plurality of partial covers 2. [ For example, each of the partial covers 2 is made of a member made of ceramics such as alumina which is formed into a narrow and long flat plate shape. The plurality of partial covers 2 are arranged so as to constitute an insulating member cover 20 covering an arrangement region of the insulating member 31. [

그러나, 복수의 부분 커버(2)를 배열한 것 만으로는, 이웃하여 배치된 부분 커버(2)끼리의 사이에는 극간이 형성되어 버린다. 이러한 극간은 플라즈마 처리 시의 온도 상승에 수반하는 부분 커버(2)의 팽창에 의해 개구 폭이 커져, 여기로부터 플라즈마가 진입하여 절연 부재(31)를 손상시키거나, 극간의 개구 폭의 변화에 수반하여 극간 내에 퇴적된 퇴적물이 박리되어 기판(G)을 오염시킬 우려도 있다.However, only by arranging the plurality of partial covers 2, gaps are formed between the adjacent partial covers 2. This gap is caused by the expansion of the partial cover 2 due to the increase of the temperature during the plasma treatment, resulting in an increase in the opening width, damage to the insulating member 31 due to the plasma entering therefrom, So that there is a possibility that the sediments deposited in the gaps are peeled off and the substrate G is contaminated.

따라서, 본 예의 절연 부재 커버(20)는, 복수의 부분 커버(2)를 조합하여 절연 부재 커버(20)를 구성했을 때, 상술한 극간에 의한 절연 부재(31)의 손상 또는 퇴적물의 박리의 발생을 억제하는 것이 가능한 구성으로 되어 있다. Therefore, the insulating member cover 20 of the present embodiment can prevent damage to the insulating member 31 or separation of the deposit by the above-described gap when the insulating member cover 20 is formed by combining the plurality of partial covers 2 So that it is possible to inhibit the occurrence of the abnormality.

예를 들면 도 2에 나타낸 절연 부재 커버(20)에 있어서, 부분 커버(2) 간의 극간이 형성되는 영역은, 복수의 부분 커버(2)끼리가 합류하는 영역이다. 도 2 중에는, 이러한 극간이 형성되는 영역을 파선으로 둘러싸고 (i) ~ (v)의 부호를 부여하고 있다. 이하에 설명하는 도 3 ~ 도 8 중, 도 3 ~ 도 7은, 영역(i)에 마련된 부분 커버(2)의 구성을 나타내고, 도 8은 영역(iv)에 마련된 부분 커버(2)의 구성을 나타내고 있다.For example, in the insulating member cover 20 shown in Fig. 2, the region where the gaps between the partial covers 2 are formed is a region where the plurality of partial covers 2 join together. In Fig. 2, the regions where these gaps are formed are surrounded by broken lines and the symbols (i) to (v) are given. 3 to 8 and Figs. 3 to 7 show the structure of the partial cover 2 provided in the region i and Fig. 8 shows the structure of the partial cover 2 provided in the region iv .

도 3은 영역(i)에 있어서의 부분 커버(2)(배치 위치에 따른 식별 부호 "2a ~ 2c"를 병기하고 있음. 이하, "2d ~ 2m"에 대해서도 동일)의 평면도, 도 4는 이들의 부분 커버(2a ~ 2c)를 제거한 상태에 있어서의 부분창(30)(배치 위치에 따른 식별 부호 "30a ~ 30c"를 병기하고 있음) 및 절연 부재(31)(배치 위치에 따른 식별 부호 "31a, 31b"를 병기하고 있음. 이하, '"1c, 31d"에 대해서도 동일함)의 평면도이다. 또한, 도 5 ~ 도 7은, 각각 도 3, 도 4 중에 일점 쇄선으로 나타낸 A-A'선, B-B'선, C-C'선을 따라 화살표 방향으로 본 종단 측면도이다.Fig. 3 is a plan view of the partial cover 2 (identification codes 2a to 2c according to the arrangement positions, hereinafter also referred to as "2d to 2m" 30a to 30c "corresponding to the placement positions) and the insulating member 31 (the identification marks" 30a to 30c " 31a, 31b "are also described. Hereinafter, the same applies to" 1c, 31d "). 5 to 7 are longitudinal sectional side views taken along the line A-A ', line B-B' and line C-C 'indicated by the one-dot chain line in FIGS. 3 and 4, respectively.

도 3, 도 4에 나타내는 바와 같이, 영역(i)에 있어서는, 이웃하여 배치된 부분창(30a ~ 30c)의 극간에 감합하도록, 처리 공간(100)에서 봤을 때 T 자 형상으로 절연 부재(31a, 31b)가 배치되어 있다. 영역(i)에서는, 3 매의 부분 커버(2a ~ 2c)를 절연 부재(31a, 31b)의 하면에 배열함으로써, 처리 공간(100)측으로부터 이들 절연 부재(31a, 31b)를 덮고 있다.As shown in Fig. 3 and Fig. 4, in the region (i), the insulating member 31a (30a to 30c) is formed in a T shape when viewed in the processing space 100 so as to fit into the gaps of the adjacent side windows 30a to 30c. , 31b are disposed. In the region i, the three partial covers 2a to 2c are arranged on the lower surfaces of the insulating members 31a and 31b to cover the insulating members 31a and 31b from the processing space 100 side.

도 4 중의 파선 또는 도 5 ~ 도 7에 나타내는 바와 같이, 각 부분 커버(2a ~ 2c)의 짧은 변 방향의 폭 치수는 절연 부재(31a, 31b)의 하면 및 부분창(30a ~ 30c)의 하면측 주연부에 걸치는 영역을 덮는 것이 가능한 치수로 형성되어 있다. 이와 같이, 폭이 넓은 부분 커버(2a ~ 2c)로 절연 부재(31a, 31b)를 덮음으로써, 부분 커버(2a ~ 2c)의 측면으로부터 플라즈마가 진입한 경우라도, 절연 부재(31a, 31b)에 대한 플라즈마의 도달이 억제된다.The width of each of the partial covers 2a to 2c in the short side direction is smaller than the width of the bottom surface of the insulating members 31a and 31b and the bottom surface of the partial windows 30a to 30c And is formed in such a dimension as to be able to cover an area over the side edge portion. By covering the insulating members 31a and 31b with the wide portion covers 2a to 2c as described above, even when the plasma enters from the side surfaces of the partial covers 2a to 2c, the insulating members 31a and 31b The arrival of the plasma is suppressed.

그리고 도 3에 나타내는 바와 같이, 부분 커버(2b, 2c)의 단부(端部)와 이웃하여 배치되는 부분 커버(2a)의 단부에 있어서는, 부분 커버(2a)의 일부가 노치되어 있다. 그리고, 부분 커버(2b, 2c)는 이 노치 내에 감합하도록 배치되어 있다. 이와 같이 노치를 형성하여 부분 커버(2a)의 폭 치수를 작게 함으로써, 부분 커버(2b - 2a, 2c - 2a) 간의 극간이 형성되는 영역을 서로 근접시켜, 보다 컴팩트한 영역 내에 넣을 수 있다.3, a part of the partial cover 2a is notched at the end of the partial cover 2a disposed adjacent to the end of the partial covers 2b, 2c. The partial covers 2b and 2c are arranged so as to fit in the notches. By forming the notches and reducing the width dimension of the partial cover 2a, the regions where the gaps between the partial covers 2b-2a and 2c-2a are formed can be brought close to each other and put in a more compact area.

또한 도 3, 도 6, 도 7에 나타내는 바와 같이, 이들 극간의 형성 영역은, 세라믹스제의 평판으로 이루어지는 극간 커버(21)(배치 위치에 따른 식별 부호 "21a"를 병기하고 있음. 이하, "21b, 21c"에 대해서도 동일)에 의해 처리 공간(100)측으로부터 덮여 있다. 도 7에 나타내는 바와 같이 극간 커버(21a)는, 다단 헤드를 가지는 금속제의 나사(202)에 의해 부분창(30a)의 하면측에 체결된다. 그 결과, 극간 커버(21a)와 부분창(30a)의 사이에 개재된 부분 커버(2a ~ 2c)에 대해서도 부분창(30a)의 하면에 체결된다.As shown in Figs. 3, 6 and 7, the regions where the gaps are formed include inter-pole covers 21 made of a ceramic plate (hereinafter referred to as "21a" 21b, and 21c ") from the processing space 100 side. As shown in Fig. 7, the inter-pole cover 21a is fastened to the lower surface of the partial window 30a by a metal screw 202 having a multi-stage head. As a result, the partial covers 2a to 2c interposed between the inter-pole cover 21a and the partial window 30a are also fastened to the lower surface of the partial window 30a.

여기서 도 7에 나타내는 바와 같이, 금속제의 나사(202)의 헤드부는, 극간 커버(21)의 하면으로부터 처리 공간(100)측으로 돌출되어 있는데, 이 헤드부는 세라믹스제의 나사 커버(22)에 의해 덮여 있다. 예를 들면, 헤드부의 측주면과 당해 헤드부를 수용하는 나사 커버(22)의 오목부의 내주면과의 사이에는 서로 나사 결합 가능한 나사산이 형성되어 있고, 이 나사산에 의해 나사 커버(22)가 상기 헤드부에 고정된다.7, the head portion of the metal screw 202 protrudes from the lower surface of the inter-pole cover 21 toward the processing space 100. The head portion is covered with a screw cover 22 made of ceramics have. For example, between the side surface of the head portion and the inner circumferential surface of the concave portion of the screw cover 22 that houses the head portion, threads that can be screwed with each other are formed, Respectively.

또한, 종단면도의 도시는 생략했지만, 부분창(30a)의 샤워 플레이트(305)를 금속창 본체(303)에 체결하는 나사(201)의 헤드부는, 그 일부가 샤워 플레이트(305)의 하면으로부터 하방측으로 돌출되어 있다. 한편, 부분 커버(2b, 2c)에는 이 헤드를 삽입 가능한 오목부가 형성되어 있고, 극간 커버(21a)로 부분 커버(2b, 2c)를 고정할 시, 이들 헤드와 오목부를 감합시킴으로써, 부분 커버(2b, 2c)의 횡 방향의 위치 이탈이 발생하는 것을 방지하고 있다. The head portion of the screw 201 for fastening the shower plate 305 of the partial window 30a to the metal window main body 303 has a part of the head portion from the lower surface of the shower plate 305 And protrudes downward. On the other hand, the partial covers 2b and 2c are provided with concave portions into which the heads can be inserted. When the partial covers 2b and 2c are fixed by the inter-pole cover 21a, 2b, and 2c are prevented from being displaced in the lateral direction.

도 2 중의 영역(ii), (iii)에 있어서도 마찬가지로, 부분 커버(2)가 합류하는 영역을 덮는 극간 커버(21)가 마련되어 있다.In the regions (ii) and (iii) in Fig. 2, similarly, the inter-pole cover 21 covering the region where the partial covers 2 join is provided.

여기서, 도 3 ~ 도 7을 이용하여 설명한 부분 커버(2)의 구성은 금속창(3)에 마련되는 모든 부분 커버(2)에 적용하는 경우에 한정되지 않는다. 예를 들면 도 2 중에 일점 쇄선으로 둘러싸서 표시한 가스 토출홀 형성 영역(300)(가스 토출홀(302)에 대해서는 일부만을 나타내고 있음)은 처리 가스의 공급이 행해지는 영역이며, 이 영역에 대향하도록 하여 기판(G)이 배치되어 있다.Here, the configuration of the partial cover 2 described with reference to Figs. 3 to 7 is not limited to the case where it is applied to all the partial covers 2 provided in the metal window 3. For example, a gas discharge hole forming region 300 (only a part of which is shown with respect to the gas discharge hole 302) surrounded by a one-dot chain line in FIG. 2 is a region where supply of process gas is performed, So that the substrate G is disposed.

따라서, 가스 토출홀 형성 영역(300) 내에 배치된 부분 커버(2) 간의 극간이 처리 공간(100)을 향해 노출되면, 당해 극간을 통하여 플라즈마가 진입하고, 또한 극간에 퇴적된 퇴적물이 기판(G) 상에 낙하하는 요인이 되기 쉽다. 따라서 가스 토출홀 형성 영역(300) 내에 배치된 부분 커버(2)(도 2중의 영역(i) ~ (iii)에 마련된 부분 커버(2))에 대해서는 처리 공간(100)측으로부터 극간을 덮는 극간 커버(21)가 마련되어 있다.Therefore, when a gap between the partial covers 2 disposed in the gas discharge hole forming region 300 is exposed toward the processing space 100, plasma enters the gap, and a deposit deposited in the gap is discharged to the substrate G It is likely to fall down on the surface of the substrate. Therefore, for the partial covers 2 (the partial covers 2 provided in the regions (i) to (iii) in FIG. 2) disposed in the gas discharge hole forming region 300, A cover 21 is provided.

한편, 가스 토출홀 형성 영역(300)의 외측, 도 2에 나타내는 예에서는, 금속 프레임(11)측(용기 본체(10)의 내벽측)에 마련되어 있는 부분 커버(2)는, 기판(G)과 대향하는 위치로부터 떨어져 배치되고, 또한 플라즈마가 형성되는 영역으로부터도 떨어져 있는 경우도 있다. 이러한 경우에는, 도 2의 영역(iv) ~ (v)에 나타내는 부분 커버(2)와 같이, 이웃하여 배치된 부분 커버(2)의 극간을 덮는 극간 커버(21)를 마련하지 않고, 부분 커버(2)의 구조의 간소화를 도모해도 된다(도 8에는 영역(iv)의 부분 커버(2j, 2k)를 확대 표시하고 있음). 이 경우, 부분 커버(2)는 나사(202)에 의해 부분창(30)의 하면에 직접 체결된다.2, the partial cover 2 provided on the side of the metal frame 11 (on the inner wall side of the container body 10) of the gas ejection hole forming region 300, And also away from the region where the plasma is formed. In such a case, as in the case of the partial covers 2 shown in the regions iv to v in Fig. 2, the inter-pole cover 21 covering the gaps of the neighboring partial covers 2 is not provided, (The partial covers 2j and 2k of the region (iv) are enlarged in FIG. 8). In this case, the partial cover 2 is directly fastened to the lower surface of the partial window 30 by the screw 202.

이하, 상술한 실시의 형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)의 작용에 대하여 설명한다.The operation of the plasma processing apparatus 1 according to the above-described embodiment will be described below.

먼저, 게이트 밸브(102)를 열고, 인접하는 진공 반송실로부터 반송 기구(모두 도시하지 않음)에 의해, 반입반출구(101)를 거쳐 처리 공간(100) 내로 기판(G)을 반입한다. 이어서, 배치대(13) 상에 기판(G)을 배치하여, 미도시의 정전 척에 의해 고정하는 한편, 상기 반송 기구를 처리 공간(100)으로부터 퇴피시키고 게이트 밸브(102)를 닫는다. 또한 금속창(3)은 각 부분창(30)의 온조 유로(307)에 공급되는 온조 유체에 의해, 미리 설정된 온도로 조절되어 있다.First, the gate valve 102 is opened and the substrate G is carried into the processing space 100 from the adjacent vacuum transfer chamber via a transfer-in / out port 101 by a transfer mechanism (not shown). Subsequently, the substrate G is placed on the placement table 13, fixed by an electrostatic chuck (not shown), the transport mechanism is retracted from the processing space 100, and the gate valve 102 is closed. Further, the metal window (3) is adjusted to a predetermined temperature by the temperature fluid supplied to the temperature control flow path (307) of each partial window (30).

이 후, 처리 가스 공급부(42)로부터, 각 부분창(30)의 처리 가스 확산실(301)을 거쳐 처리 공간(100) 내로 처리 가스를 공급하는 한편, 진공 배기부(12)에 의해 처리 공간(100) 내의 진공 배기를 행하여, 처리 공간(100) 내를 예를 들면 0.66 Pa ~ 26.6 Pa 정도의 압력 분위기로 조절한다. 또한, 기판(G)의 이면측에는 열 전달용의 He 가스를 공급한다.Thereafter, the process gas is supplied from the process gas supply unit 42 into the process space 100 through the process gas diffusion chamber 301 of each of the partial windows 30, And the inside of the processing space 100 is adjusted to a pressure atmosphere of, for example, about 0.66 Pa to 26.6 Pa. He gas for heat transfer is supplied to the back side of the substrate (G).

이어서, 제 1 고주파 전원(512)으로부터 고주파 안테나(5)에 고주파 전력을 인가하고, 이에 의해 금속창(3)을 개재하여 처리 공간(100) 내에 균일한 유도 전계를 생성한다. 그 결과, 유도 전계에 의해 처리 공간(100) 내에서 처리 가스가 플라즈마화되고, 고밀도의 유도 결합 플라즈마가 생성된다. 그리고, 제 2 고주파 전원(152)으로부터 배치대(13)에 인가된 바이어스용의 고주파 전력에 의해 플라즈마 중의 이온이 기판(G)을 향해 인입되고, 기판(G)의 플라즈마 처리가 행해진다. Then, a high frequency electric power is applied to the high frequency antenna 5 from the first high frequency power source 512, thereby generating a uniform induction electric field in the processing space 100 through the metal window 3. As a result, the processing gas is plasmaized in the processing space 100 by the induction field, and a high-density inductively coupled plasma is generated. Then, the ions in the plasma are drawn toward the substrate G by the high-frequency power for bias applied from the second RF power supply 152 to the placement table 13, and the plasma processing of the substrate G is performed.

그리고, 미리 설정한 시간만큼 플라즈마 처리를 행하면 각 고주파 전원(512, 152)으로부터의 전력 공급, 처리 가스 공급부(42)로부터의 처리 가스 공급, 및 처리 공간(100) 내의 진공 배기를 정지하고, 반입 시와는 반대의 순서로 기판(G)을 반출한다.When the plasma processing is performed for a preset time, power is supplied from each of the high frequency power supplies 512 and 152, the process gas is supplied from the process gas supply unit 42, and the vacuum exhaust in the process space 100 is stopped, And the substrate G is carried out in the reverse order to the case.

이상에 동작 설명을 행한 처리 공간(100)의 내부에서 플라즈마를 이용하여 기판(G)의 플라즈마 처리를 행함에 있어, 부분창(30) 내에 있어서는 이웃하는 부분 커버(2)의 극간이 처리 공간(100)측으로부터 극간 커버(21)에 의해 덮여 있다. 그 결과, 상기 극간을 통한 플라즈마의 진입이 억제되어 절연 부재(31)의 손상을 방지할 수 있다.In the plasma processing of the substrate G using the plasma in the processing space 100 described above in the operation description, the gap of the neighboring part cover 2 in the partial window 30 is used as the processing space 100 cover the inter-pole cover 21 from the side. As a result, the penetration of the plasma through the interstices can be suppressed, and damage to the insulating member 31 can be prevented.

또한 상기 극간이 극간 커버(21)에 의해 덮여 있음으로써, 이 극간 내에 대한 퇴적물의 퇴적, 또는 퇴적물의 박리, 당해 극간에 대향하여 배치된 기판(G)에 대한 박리물의 낙하 등을 억제할 수 있다.Further, since the gaps are covered by the gaps 21, it is possible to suppress accumulation of deposits in the gaps, separation of deposits, dropping of the exfoliated matters on the substrate G disposed opposite to the gaps, and the like .

또한, 절연 부재 커버(20)가 마련되는 영역을 금속창(3)의 배치 영역에 한정함으로써, 예를 들면 금속창(3)의 하면측 전체를 세라믹스제의 커버로 덮는 경우와 비교하여, 절연 부재(31) 및 절연 부재 커버(20)를 포함하는 금속창(3)의 경량화를 도모할 수 있다. 이들에 더불어, 금속과 비교하여 비열이 큰 세라믹제의 부분 커버(2)의 배치 영역이 절연 부재(31)를 덮을 수 있을 정도의 한정된 면적 범위로 한정되어 있음으로써, 온조 유체를 이용한 금속창(3)의 온도 조절 시의 응답성을 향상시킬 수도 있다.In addition, by limiting the area where the insulating member cover 20 is provided to the area where the metal window 3 is arranged, as compared with the case where the entire bottom surface of the metal window 3 is covered with the ceramic cover, The weight of the metal window 3 including the member 31 and the insulating member cover 20 can be reduced. In addition, since the area of the partial cover 2 made of ceramic having a specific heat larger than that of the metal is limited to a limited area range enough to cover the insulating member 31, 3) may be improved.

본 실시의 형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)에 의하면 이하의 효과가 있다. 경량이며 절연 성능이 높은 수지제의 절연 부재(31)를 이용하여 금속 프레임(11) 또는 용기 본체(10)(처리 용기)와 부분창(30)과의 사이, 및 이웃하는 부분창끼리(30)의 사이의 절연을 행하는 한편, 세라믹스제의 절연 부재 커버(20)를 이용하여 절연 부재(31)를 플라즈마로부터 보호하므로, 처리 공간(100) 내로 공급되는 처리 가스를 플라즈마화함에 있어서 필요한 금속창(3)의 기능을 유지하면서 금속창(3)을 경량화할 수 있다.The plasma processing apparatus 1 according to the present embodiment has the following effects. It is possible to use the insulation member 31 made of a resin which is light in weight and high in insulation performance to secure a space between the metal frame 11 or the container body 10 (processing container) and the partial window 30 and between the adjacent partial windows 30 And protects the insulating member 31 from the plasma by using the insulating member cover 20 made of ceramics so that the processing gas supplied into the processing space 100 can be prevented from being damaged by the metal window It is possible to reduce the weight of the metal window 3 while maintaining the function of the window 3.

이어서, 도 9 ~ 도 11에 나타내는 제 2 실시의 형태는, 금속 프레임(11)(처리 용기)과 부분창(30), 또는 이웃하는 부분창(30)끼리의 단락을 방지하는 목적으로, 이들 금속 프레임(11)과 부분창(30) 또는 이웃하는 부분창(30)끼리의 사이에 배치되는 절연 부재(31a)와 부분 커버(2a)와의 사이에 래버린스 구조를 마련한 예이다.The second embodiment shown in Figs. 9 to 11 is for the purpose of preventing a short circuit between the metal frame 11 (processing container) and the partial window 30 or the adjacent partial windows 30, A labyrinth structure is provided between the metal frame 11 and the insulating member 31a disposed between the partial window 30 or the neighboring partial windows 30 and the partial cover 2a.

도 9 ~ 도 11의 종단면도는, 도 2의 영역(i)(도 3, 도 4)에 있어서의 절연 부재(31a, 31b) 및 부분 커버(2a ~ 2c)에 대하여 상기 래버린스 구조를 적용한 예를 나타내고 있다. 본 예에 있어서, 각 절연 부재(31a, 31b)의 하면에는 당해 절연 부재(31)의 연신 방향을 따라 연장되고, 단면 형상이 처리 공간(100)측으로 돌출된 돌출 형상부(311)가 형성되어 있다(절연 부재(31A)). 한편, 절연 부재 커버(20)를 구성하는 부분 커버(2a ~ 2c)(부분 커버(2A))의 상면에는, 상기 돌출 형상부(311)와 감합하는 홈부(23)가 형성되어 있다(도 9 ~ 도 11에는 부분 커버(2a)의 홈부(23)만이 나타나 있음).The longitudinal sectional views of Figs. 9 to 11 show a state in which the above-described labyrinth structure is applied to the insulating members 31a and 31b and the partial covers 2a to 2c in the region i (Fig. 3 and Fig. 4) For example. In the present example, protruding portions 311 extending along the extending direction of the insulating member 31 and having a cross-sectional shape protruding toward the processing space 100 are formed on the lower surfaces of the insulating members 31a and 31b (Insulating member 31A). On the other hand, on the upper surface of the partial covers 2a to 2c (partial covers 2A) constituting the insulating member cover 20, a groove portion 23 to be fitted with the protruding portion 311 is formed 11, only the groove 23 of the partial cover 2a is shown).

이와 같이, 금속 프레임(11)과 부분창(30), 또는 이웃하는 부분창(30)끼리의 사이에 래버린스 구조를 마련함으로써, 서로의 전기적 거리가 넓어져 단락의 발생에 수반하여 유도 결합 플라즈마를 충분히 형성할 수 없는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다.By providing the labyrinth structure between the metal frame 11 and the partial window 30 or between the adjacent partial windows 30 as described above, the electrical distance between the metal frames 11 and the adjacent partial windows 30 is widened, It is possible to prevent occurrence of a problem that it is impossible to sufficiently form the film.

또한, 래버린스 구조를 형성하는 돌출 형상부(311) 및 홈부(23)는 절연 부재(31)의 연신 방향을 따라 1 열만 마련되는 경우에 한정되지 않고, 복수 열 마련되어도 된다.The protruding portions 311 and the groove portions 23 forming the labyrinth structure are not limited to the case where only one row is provided along the extending direction of the insulating member 31, and a plurality of rows may be provided.

이어서, 도 12 ~ 도 14에 나타내는 제 3 실시의 형태는 극간 커버(21)와 부분창(30)과의 사이에 부분 커버(2)를 개재하는 제 1 실시의 형태에 따른 절연 부재 커버(20)와 비교하여, 부분 커버(2B)의 장착 방법이 상이하다. 즉, 본 예에서는, 금속 프레임(11)(처리 용기)과 부분창(30)의 서로 대향하는 측벽면, 또는 이웃하는 부분창(30)끼리의 서로 대향하는 측벽면에 계단부(308)를 형성하고, 이 계단부(308)로 부분 커버(2B)의 측연부를 계지함으로써 금속창(3)에 대하여 부분 커버(2B)를 장착하고 있다.Next, the third embodiment shown in Figs. 12 to 14 is an example in which the insulating cover 20 according to the first embodiment with the partial cover 2 interposed between the inter-pole cover 21 and the partial window 30 The mounting method of the partial cover 2B is different. That is, in this example, the stepped portions 308 are formed on the sidewall surfaces of the metal frame 11 (processing container) and the partial window 30 facing each other, or on the side surfaces of the side windows 30 facing each other And the side cover of the partial cover 2B is engaged with the stepped portion 308 to attach the partial cover 2B to the metal window 3. [

예를 들면 도 12는, 도 2의 영역(i)에 마련된 절연 부재(31a, 31b)를 덮도록 부분 커버(2l, 2m)(부분 커버(2B))를 장착한 예를 나타내고 있다. 도 13, 도 14는 도 12 중에 일점 쇄선으로 나타낸 A-A'선, B-B'선을 따라 화살표 방향으로 본 종단 측면도이다. 12 shows an example in which the partial covers 2l and 2m (partial covers 2B) are mounted so as to cover the insulating members 31a and 31b provided in the region i of Fig. Figs. 13 and 14 are longitudinal sectional side views taken along the line A-A 'and line B-B' indicated by the one-dot chain line in Fig.

도 13, 도 14에 나타내는 바와 같이, 본 예의 부분창(30a ~ 30c)에는 하면측의 샤워 플레이트(305A)가 금속창 본체(303)의 측벽보다 외방으로 돌출되어 계단부(308)가 형성되어 있다. 도 12에 나타내는 2 매의 부분 커버(2m, 2l(2B))는 그 양측의 측연부가 상기 계단부(308)에 의해 계지되어 있다(도 12 중에 긴 파선으로 나타낸 영역이 계단부(308) 상에 배치된 측연부임). 또한 절연 부재(31c, 31d(31B))는, 이웃하는 부분창(30)의 사이의 극간에 감합된 상태로, 이들 부분 커버(2m, 2l) 상에 배치되어 있다.As shown in Figs. 13 and 14, in the partial windows 30a to 30c of this embodiment, the shower plate 305A on the lower side is protruded outward from the side wall of the metal window body 303 to form a stepped portion 308 have. The two side cover portions 2m and 2l (2B) shown in Fig. 12 are held by the step portion 308 on both side edge portions thereof (the region indicated by the long broken line in Fig. 12 is the step portion 308 As shown in Fig. The insulating members 31c and 31d (31B) are arranged on the partial covers 2m and 21 in a state where they are engaged with the gaps between the neighboring partial windows 30.

또한 도 12에 짧은 파선으로 나타내며, 또한 도 14에 나타내는 바와 같이, 이웃하여 배치된 부분 커버(2l, 2m)의 일방측인 부분 커버(2m)는 그 단부가 타방측의 부분 커버(2l)의 상면에 적층되어 있다. 이러한 적층 구조를 채용함으로써, 극간 커버(21)를 마련하지 않아도 부분 커버(2l, 2m) 간의 극간의 형성을 피할 수 있다. 또한 도 13, 도 14에 나타내는 바와 같이, 이웃하여 배치되는 부분 커버(2l, 2m)를 적층하는 경우에는 각 부분 커버(2l, 2m)의 높이 위치에 맞춰, 그 측연부를 계지하는 계단부(308)의 높이 위치도 조절되어 있다.As shown in Fig. 14, the partial covers 2m, which are one side of the neighboring partial covers 2l and 2m, are formed in such a manner that the ends of the partial covers 2m, And is stacked on the upper surface. By adopting such a laminated structure, it is possible to avoid the formation of gaps between the partial covers 21 and 2m without the provision of the interlayer cover 21. [ 13 and 14, in the case of laminating the neighboring partial covers 2l and 2m, the stepped portions 308 and 308 are formed so as to match the height positions of the respective partial covers 2l and 2m, ) Is also adjusted.

이들에 더불어, 부분창(30)의 측벽면의 도중에 형성된 계단부(308)에 부분 커버(2l, 2m)를 계지하고, 이들 부분 커버(2l, 2m) 상에 절연 부재(31c, 31d)를 마련한 제 3 실시의 형태에 있어서는, 부분 커버(2l, 2m)의 하방측에 절연 부재(31c, 31d)가 삽입되어 있지 않은 영역이 형성된다. 이 때문에, 절연 부재(31c, 31d)가 삽입되어 있지 않은 영역에 있어서의 부분창(30) 간의 단락의 발생을 방지하기 위하여, 부분 커버(2l, 2m)의 하방측의 부분창(30a ~ 30c)의 측벽면에는 이웃하여 배치되는 부분창(30a ~ 30c)의 전기적 거리를 넓히기 위한 노치면(306)이 형성되어 있다.The partial covers 2l and 2m are engaged with the stepped portions 308 formed on the way of the side walls of the partial window 30 and the insulating members 31c and 31d are formed on the partial covers 2l and 2m The region where the insulating members 31c and 31d are not inserted is formed on the lower sides of the partial covers 2l and 2m. Therefore, in order to prevent the short-circuiting between the partial windows 30 in the region where the insulating members 31c and 31d are not inserted, the partial windows 30a to 30c on the lower side of the partial covers 2l and 2m A notch surface 306 for widening the electrical distance of the partial windows 30a to 30c arranged adjacent to each other is formed.

이상에 설명한 각 실시의 형태에 있어서, 피처리 기판으로서 FPD 기판을 이용한 예를 나타냈지만, 직사각형 기판이면 태양 전지 패널용의 기판 등 다른 종류의 기판에 대한 플라즈마 처리에도 적용 가능하다.In each of the embodiments described above, the FPD substrate is used as the substrate to be processed. However, the FPD substrate is applicable to the plasma processing of other types of substrates such as a substrate for a solar cell panel.

G : 글라스 기판
1 : 플라즈마 처리 장치
10 : 용기 본체
100 : 처리 공간
11 : 금속 프레임
13 : 배치대
20 : 절연 부재 커버
2, 2a ~ 2m, 2A, 2B : 부분 커버
21, 21a ~ 21c : 극간 커버
22 : 나사 커버
30, 30a ~ 30c : 부분창
31, 31a ~ 31d, 31A, 31B : 절연 부재
5 : 고주파 안테나
8 : 제어부 G: glass substrate
1: Plasma processing device
10:
100: Processing space
11: Metal frame
13:
20: Insulation member cover
2, 2a to 2m, 2A, 2B: partial cover
21, 21a to 21c: Inter-pole cover
22: screw cover
30, 30a to 30c: partial window
31, 31a to 31d, 31A, 31B:
5: High frequency antenna
8:

Claims

A plasma processing apparatus for performing plasma processing by a plasma-processed process gas on a substrate to be processed in a vacuum-evacuated processing space,
A processing vessel made of a metal having an arrangement base on which the substrate to be processed is disposed and having an upper surface opposed to the arrangement stand and electrically grounded;
A metal window made of a plurality of conductive partial windows arranged to form the processing space by closing an opening of the processing vessel and serving as a showerhead for supplying a processing gas,
A resin insulating member provided between the processing container and the partial window and between the adjacent partial windows,
An insulating member cover made of ceramics for covering the surface of the insulating member on the processing space side,
And a plasma antenna provided on the upper side of the metal window so as to face the metal window and for plasma-forming the process gas by inductive coupling,
In order to increase the electrical distance between the processing vessel and the partial window or between the adjacent partial windows, a protruding portion extending along the extending direction of the lower surface of the insulating member and having a sectional shape protruding toward the processing space is formed on the lower surface of the insulating member , And an insulating member cover covering the insulating member is provided with a groove portion which is fitted to the protruding portion.

The method according to claim 1,
Wherein the insulating member cover is divided into a plurality of partial covers and provided with a clearance cover made of ceramics for covering the gaps between adjacent partial covers from the side of the processing space.

3. The method of claim 2,
Wherein the partial cover and the clearance cover are provided with a screw cover made of ceramics which is fastened to the partial window by a metal screw and covers the screw from the processing space side.

The method according to claim 2 or 3,
Characterized in that the metal window also serves as a gas showerhead for supplying a processing gas into the processing space and the interspace cover is provided for at least a partial cover in an area where the processing gas is supplied to the substrate to be processed in the processing space .

delete

A plasma processing apparatus for performing plasma processing by a plasma-processed process gas on a substrate to be processed in a vacuum-evacuated processing space,
A processing vessel made of a metal having an arrangement base on which the substrate to be processed is disposed and having an upper surface opposed to the arrangement stand and electrically grounded;
A metal window made of a plurality of conductive partial windows arranged to form the processing space by closing an opening of the processing vessel and serving as a showerhead for supplying a processing gas,
A resin insulating member provided between the processing container and the partial window and between the adjacent partial windows,
An insulating member cover made of ceramics for covering the surface of the insulating member on the processing space side,
And a plasma antenna provided on the upper side of the metal window so as to face the metal window and for plasma-forming the process gas by inductive coupling,
Wherein stepped portions are formed on side walls facing each other of the processing container and the partial window or side walls facing each other between the adjacent partial windows and the side wall of the insulating cover is fixed to the metal window Mounted,
The insulating member cover is divided into a plurality of partial covers, one end of the adjacent partial cover is stacked on the upper surface of the other partial cover,
Wherein a height position of the step portion is adjusted in accordance with a height position of the stacked neighboring partial covers when the neighboring partial covers are stacked.

The method according to claim 6,
Wherein a notch surface for widening the electrical distance between the processing vessel and the partial window or between the adjacent partial windows is formed on the side wall of the processing vessel or the partial window below the step.

delete

4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the surface of the partial window on the processing space side is plasma-coated by anodic oxidation treatment or ceramics spraying.

4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the insulating member is made of a resin having a volume resistivity higher than that of ceramics constituting the insulating member cover.