KR102071769B1 - Plasma processing container and plasma processing apparatus - Google Patents

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Abstract

(과제) 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 비롯한 플라즈마 처리 장치에 있어서, 열에 의한 덮개 부재의 변형을 억제한다.
(해결 수단) 유도 결합 플라즈마 처리 장치(1)의 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 접속 부분에는, 전체 둘레에 걸쳐, O링(51), 단열 부재(52) 및 스파이럴 실드(53)가 구비되어 있다. 단열 부재(52)는, 단열 부재용 홈(62) 내에 끼워져 있다. 단열 부재(52)는, 리드 형상의 복수의 단열 시트(54)에 의해 구성되어 있다. 단열 부재(52)에 의해, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 사이에는, 극간 CL이 마련되어 있다. 단열 부재(52)에 의해, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)가 열적으로 분리되고, 상부 용기(2B)가 열에 의해 변형한 경우에도, 그 변형량을 흡수할 수 있다.(Problem) In the plasma processing apparatus including an inductively coupled plasma processing apparatus, deformation of the lid member due to heat is suppressed.
(Solution means) The O-ring 51, the heat insulating member 52 and the spiral shield 53 are connected to the connection portion between the main body container 2A and the upper container 2B of the inductively coupled plasma processing apparatus 1 over the entire circumference. ) Is provided. The heat insulating member 52 is fitted in the groove 62 for heat insulating members. The heat insulation member 52 is comprised by the some heat insulation sheet 54 of a lead shape. The gap CL is provided between the main body container 2A and the upper container 2B by the heat insulating member 52. By the heat insulation member 52, even if the main body container 2A and the upper container 2B are thermally separated, and the upper container 2B deforms by heat, the deformation amount can be absorbed.

Description

플라즈마 처리 용기 및 플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING CONTAINER AND PLASMA PROCESSING APPARATUS}Plasma processing vessel and plasma processing apparatus {PLASMA PROCESSING CONTAINER AND PLASMA PROCESSING APPARATUS}

본 발명은, 피처리체에 플라즈마 처리 등을 행하기 위한 플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용하는 플라즈마 처리 용기에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus for performing plasma processing on a target object and a plasma processing container used therefor.

FPD(플랫 패널 디스플레이)의 제조 공정에 있어서는, FPD용 기판에 대하여 플라즈마 에칭, 플라즈마 애싱, 플라즈마 성막 등의 여러 가지의 플라즈마 처리가 행해지고 있다. 이와 같은 플라즈마 처리를 행하는 장치로서, 예컨대 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치나, 유도 결합 플라즈마(ICP : Inductively Coupled Plasma) 처리 장치 등이 알려져 있다. 이들의 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기 내를 진공 상태로 감압하여 처리를 행하는 진공 장치로서 구성되어 있다. 또한, 최근에는, 대형의 FPD용 기판을 처리하기 위해 처리 용기도 대형화되고 있다.In the manufacturing process of an FPD (flat panel display), various plasma processes, such as plasma etching, plasma ashing, and plasma film-forming, are performed with respect to the FPD board | substrate. As the apparatus for performing such plasma processing, for example, a parallel plate type plasma processing apparatus, an inductively coupled plasma (ICP) processing apparatus and the like are known. These plasma processing apparatuses are comprised as a vacuum apparatus which processes by depressurizing the inside of a processing container in a vacuum state. Moreover, in recent years, the processing container is also enlarged in order to process a large sized FPD board | substrate.

예컨대, 유도 결합 플라즈마 처리 장치는, 기밀하게 유지되고, 기판에 대하여 플라즈마 처리가 행해지는 처리 용기와, 처리 용기의 외부에 배치된 고주파 안테나를 구비하고 있다. 처리 용기는, 본체 용기와, 처리실의 천정 부분을 구성하는 유전체벽과, 유전체벽을 지지하는 프레임 형상의 덮개 부재를 갖고 있다. 유도 결합 플라즈마 처리 장치에서는, 고주파 안테나에 의해, 처리 용기 내에 유도 전계가 형성되고, 이 유도 전계에 의해, 처리 용기 내에 도입된 처리 가스가 플라즈마로 전환되고, 이 플라즈마를 이용하여, 대형의 FPD용 기판에 대하여 소정의 플라즈마 처리가 행해진다.For example, the inductively coupled plasma processing apparatus is provided with a processing container which is kept airtight, and plasma processing is performed on a substrate, and a high frequency antenna arranged outside the processing container. The processing container has a main body container, a dielectric wall constituting the ceiling portion of the processing chamber, and a frame-shaped lid member supporting the dielectric wall. In the inductively coupled plasma processing apparatus, an induction electric field is formed in the processing container by a high frequency antenna, and the processing gas introduced into the processing container is converted into plasma by the induction electric field, and the plasma is used for a large FPD. A predetermined plasma treatment is performed on the substrate.

플라즈마 처리 장치에서는, 플라즈마의 발생이나 고온에서의 프로세스에 의해 처리 용기 내의 온도가 상승한다. 그리고, 예컨대 상기 구성의 유도 결합 플라즈마 처리 장치에서는, 처리 용기를 구성하는 본체 용기와, 상기 유전체벽을 지지하는 덮개 부재가 가열된다. 덮개 부재가 과잉 가열되면, 덮개 부재에 뒤틀림이 생기고, 본체 용기와의 접합 부분에 극간이 생긴다. 그 결과, 처리실 내로부터의 진공 누출이 생기거나, 덮개 부재에 의해 지지되는 유전체벽이 파손되거나 한다고 하는 가능성이 있다. 또한, 처리 용기의 대형화에 따라, 뒤틀림의 문제도 심각한 것이 되고 있다.In the plasma processing apparatus, the temperature in the processing chamber is increased by the generation of plasma or the process at high temperature. In the inductively coupled plasma processing apparatus having, for example, the main body container constituting the processing container and the lid member supporting the dielectric wall are heated. When the lid member is overheated, distortion occurs in the lid member, and a gap is generated at the joint portion with the main body container. As a result, there is a possibility that a vacuum leak from the inside of the processing chamber occurs or the dielectric wall supported by the lid member is broken. Moreover, with the enlargement of the processing container, the problem of distortion is also becoming serious.

플라즈마 처리 장치에 있어서의 구성 부재의 온도 제어에 관하여, 예컨대, 특허 문헌 1에서는, 가스를 방출하는 샤워헤드에 있어서, 헤드 본체와 헤드 덮개의 접합면에 단열 부재를 마련하는 것이 제안되어 있다. 이 특허 문헌 1은, 단열 부재에 의해 헤드 본체와 헤드 덮개의 열전도를 억제하고, 샤워헤드의 가스 분사 부분의 온도를 관리하는 것을 목적으로 하고 있다.Regarding the temperature control of the constituent members in the plasma processing apparatus, for example, Patent Document 1 proposes to provide a heat insulating member on a joining surface of a head main body and a head cover in a shower head that emits gas. This patent document 1 aims at restraining the heat conduction of a head main body and a head cover by a heat insulation member, and managing the temperature of the gas injection part of a showerhead.

또한, 유도 결합 플라즈마 처리 장치에 있어서의 덮개 부재와 본체 용기의 접합 부분의 실(seal) 구조에 관하여, 특허 문헌 2에서는, O링의 열화를 방지하기 위해, 접합 부분의 안쪽에 플라즈마 차단 수단을 마련하고, 그 바깥쪽에 O링을 마련하는 것이 제안되어 있다.Moreover, regarding the seal structure of the junction part of the cover member and a main body container in an inductive coupling plasma processing apparatus, in patent document 2, in order to prevent deterioration of an O-ring, a plasma blocking means is provided inside the junction part. It is proposed to provide an O-ring on the outside thereof.

또한, 특허 문헌 3에서는, 평면 안테나 방식의 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 마이크로파 투과판과 고정용의 가압 부재의 사이에 O링을 마련하고, 그 바깥쪽에 스파이럴 실드를 마련하는 것이 개시되어 있다.In addition, Patent Document 3 discloses a microwave antenna processing apparatus of a planar antenna type, in which an O-ring is provided between a microwave transmitting plate and a pressing member for fixing, and a spiral shield is provided outside thereof.

(선행 기술 문헌)(Prior art technical literature)

(특허 문헌)(Patent literature)

(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 2002-155364호 공보(도 2 등)(Patent Document 1) Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-155364 (Fig. 2, etc.)

(특허 문헌 2) 일본 특허 공개 2005-63986호 공보(도 1 등)(Patent Document 2) Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-63986 (Fig. 1, etc.)

(특허 문헌 3) 일본 특허 공개 2007-294924호 공보(도 3 등)(Patent Document 3) Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-294924 (Fig. 3, etc.)

상기와 같이, 플라즈마 처리 장치에서는, 플라즈마의 열이나 고온에서의 프로세스에 의해 덮개 부재 등의 처리 용기의 일부분에 변형이 생기면, 진공 누출이나 부품의 파손 등이 생기기 때문에, 신뢰성이 높은 플라즈마 프로세스를 행하는 것이 곤란하게 된다.As described above, in the plasma processing apparatus, when deformation occurs in a part of a processing container such as a lid member by a process of plasma heat or a high temperature, vacuum leakage, breakage of components, or the like occurs, so that a highly reliable plasma process is performed. It becomes difficult.

본 발명의 목적은, 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 비롯한 플라즈마 처리 장치에 있어서, 열에 의한 처리 용기의 변형을 억제하는 것이다.An object of the present invention is to suppress deformation of a processing vessel due to heat in a plasma processing apparatus including an inductively coupled plasma processing apparatus.

본 발명의 플라즈마 처리 용기는, 피처리체에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 처리실을 형성하는 플라즈마 처리 용기이다. 이 플라즈마 처리 용기는, 본체 용기와, 상기 본체 용기에 결합되는 상부 용기를 구비하고, 상기 본체 용기와 상기 상부 용기의 사이에, 진공 실 부재와, 단열 부재와, 도전 부재로서도 기능하는 전자파 차단 부재가 개재되어 마련되고, 상기 본체 용기와 상기 상부 용기가 이간하고 있는 것을 특징으로 한다.The plasma processing container of the present invention is a plasma processing container for forming a processing chamber in which plasma processing is performed on a target object. This plasma processing container includes a main body container and an upper container coupled to the main body container, and functions as a vacuum chamber member, a heat insulating member, and an electrically conductive member between the main body container and the upper container. Is provided, and the main body container and the upper container are separated from each other.

본 발명의 플라즈마 처리 용기는, 상기 단열 부재가, 복수로 분할된 단열 시트를 포함하고 있더라도 좋다.In the plasma processing container of the present invention, the heat insulating member may include a heat insulating sheet divided into a plurality.

본 발명의 플라즈마 처리 용기는, 상기 처리실의 안쪽으로부터 바깥쪽을 향해, 상기 진공 실 부재, 상기 전자파 차단 부재 및 상기 단열 부재의 순서로 배치되어 있더라도 좋고, 혹은, 상기 처리실의 안쪽으로부터 바깥쪽을 향해, 상기 진공 실 부재, 상기 단열 부재 및 상기 전자파 차단 부재의 순서로 배치되어 있더라도 좋다.The plasma processing container of the present invention may be arranged in the order of the vacuum chamber member, the electromagnetic wave blocking member, and the heat insulating member from the inside of the processing chamber to the outside, or from the inside of the processing chamber to the outside. The vacuum chamber member, the heat insulating member, and the electromagnetic wave blocking member may be arranged in this order.

본 발명의 플라즈마 처리 용기에 있어서, 상기 단열 시트는, 유리 전이 온도(Tg)가 125℃를 넘는 재질의 합성 수지에 의해 구성되어 있더라도 좋다. 이 경우, 상기 단열 시트의 두께 방향의 열전도율이 1W/mK 이하이더라도 좋다. 또한, 상기 합성 수지가, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 수지, 폴리에틸렌설파이드(PPS) 수지, 전방향족 폴리이미드 수지, 폴리에테르이미드(PEI) 및 MC나일론으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이더라도 좋다. 또한, 본 발명의 플라즈마 처리 용기는, 합성 수지인 상기 단열 시트의 두께가, 0.5㎜ 이상 20㎜ 이하의 범위 내이더라도 좋다.In the plasma processing container of this invention, the said heat insulation sheet may be comprised by the synthetic resin of the material whose glass transition temperature (Tg) exceeds 125 degreeC. In this case, the thermal conductivity of the heat insulation sheet in the thickness direction may be 1 W / mK or less. The synthetic resin may be at least one selected from the group consisting of polyether ether ketone (PEEK) resin, polyethylene sulfide (PPS) resin, wholly aromatic polyimide resin, polyetherimide (PEI) and MC nylon. Moreover, the plasma processing container of this invention may be in the range of 0.5 mm or more and 20 mm or less in thickness of the said heat insulation sheet which is synthetic resin.

또한, 본 발명의 플라즈마 처리 용기는, 상기 단열 시트가, 세라믹스에 의해 구성되어 있더라도 좋다. 이 경우, 상기 단열 시트의 두께 방향의 열전도율이 40W/mK 이하이더라도 좋다. 또한, 세라믹스인 상기 단열 시트의 두께가, 5㎜ 이상 20㎜ 이하의 범위 내이더라도 좋다.In the plasma processing container of the present invention, the heat insulating sheet may be made of ceramics. In this case, the thermal conductivity of the heat insulation sheet in the thickness direction may be 40 W / mK or less. Moreover, the thickness of the said heat insulation sheet which is ceramic may be in the range of 5 mm or more and 20 mm or less.

또한, 본 발명의 플라즈마 처리 용기는, 상기 단열 시트에 의해, 상기 본체 용기와 상기 상부 용기의 사이에 0.1㎜ 이상 2㎜ 이하의 범위 내의 극간이 마련되어 있더라도 좋다.Moreover, in the plasma processing container of this invention, the clearance gap in the range of 0.1 mm or more and 2 mm or less may be provided between the said main body container and the said upper container by the said heat insulation sheet.

또한, 본 발명의 플라즈마 처리 용기는, 상기 단열 시트가, 상기 본체 용기에 마련된 오목부 내에 배치되어 있더라도 좋다.In the plasma processing container of the present invention, the heat insulating sheet may be disposed in a recess provided in the main body container.

또한, 본 발명의 플라즈마 처리 용기는, 인접하는 단열 시트의 간격이, 1㎜ 이상 3㎜ 이하의 범위 내이더라도 좋다.In the plasma processing container of the present invention, the interval between adjacent heat insulating sheets may be in a range of 1 mm or more and 3 mm or less.

또한, 본 발명의 플라즈마 처리 용기는, 상기 본체 용기와 상기 상부 용기에, 각각 온도 조절 장치를 구비하고 있더라도 좋다.Moreover, the plasma processing container of this invention may be equipped with the temperature control apparatus in the said main body container and the said upper container, respectively.

본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 상기 어느 하나에 기재된 플라즈마 처리 용기를 구비하고 있다.The plasma processing apparatus of the present invention includes the plasma processing vessel according to any one of the above.

본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 상기 플라즈마 처리 용기 내에 마련되고, 피처리체가 탑재되는 탑재대와, 상기 처리 용기의 바깥쪽에 마련되고, 상기 처리 용기 내에 유도 전계를 형성하는 안테나와, 상기 안테나와 상기 처리 용기의 사이에 마련된 유전체벽과, 상기 안테나에 고주파 전력을 인가하여 유도 전계를 형성시키는 고주파 전원과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단과, 상기 처리 용기 내를 진공 또는 감압 상태로 하는 배기 수단을 구비한 유도 결합 플라즈마 처리 장치이더라도 좋다.A plasma processing apparatus of the present invention includes a mounting table provided in the plasma processing container, on which a target object is mounted, an antenna provided outside the processing container and forming an induction electric field in the processing container, the antenna and the A dielectric wall provided between the processing vessel, a high frequency power source for applying a high frequency power to the antenna to form an induction electric field, processing gas supply means for supplying the processing gas into the processing container, and vacuum or reduced pressure in the processing container. It may be an inductively coupled plasma processing apparatus having an exhausting means in a state.

본 발명에 의하면, 본체 용기와 상부 용기의 사이에 단열 부재를 배치하여 본체 용기와 상부 용기를 이간시키는 것에 의해, 본체 용기와 상부 용기를 확실히 열적으로 분리할 수 있다. 따라서, 본체 용기와 상부 용기를 각각 온도 제어하는 것이 가능하게 됨과 아울러, 상부 용기의 열에 의한 변형을 방지할 수 있다.According to the present invention, the main body container and the upper container can be thermally separated reliably by arranging a heat insulating member between the main body container and the upper container to separate the main body container and the upper container. Therefore, it becomes possible to control the temperature of the main body container and the upper container, respectively, and can prevent deformation by heat of the upper container.

도 1은 본 발명의 제 1 실시의 형태에 따른 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 나타내는 단면도이다.
도 3은 본체 용기의 측부의 상단면의 요부를 확대하여 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시의 형태에 따른 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시의 형태에 따른 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 요부 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows typically the structure of the inductively coupled plasma processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of part A of FIG. 1.
It is a top view which expands and shows the main part of the upper end surface of the side part of a main body container.
4 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of an inductively coupled plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
5 is a sectional view showing the principal parts of a structure of an inductively coupled plasma processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시의 형태에 따른 유도 결합 플라즈마 처리 장치에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the inductively coupled plasma processing apparatus which concerns on embodiment of this invention is demonstrated with reference to drawings.

[제 1 실시의 형태][First Embodiment]

도 1은 본 발명의 제 1 실시의 형태의 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 또, 이하에서는, 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명은, 임의의 플라즈마 처리 장치에 대하여 마찬가지로 적용할 수 있다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows typically the structure of the inductively coupled plasma processing apparatus of 1st Embodiment of this invention. In the following, the inductively coupled plasma processing apparatus is described as an example, but the present invention can be similarly applied to any plasma processing apparatus.

도 1에 나타낸 유도 결합 플라즈마 처리 장치(1)는, 예컨대 FPD용의 유리 기판(이하, 간단히 「기판」이라고 적는다) S에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 것이다. FPD로서는, 액정 디스플레이(LCD : Liquid Crystal Display), 일렉트로 루미네선스(EL : Electro Luminescence) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP : Plasma Display Panel) 등이 예시된다.The inductively coupled plasma processing apparatus 1 shown in Fig. 1 performs plasma processing on a glass substrate (hereinafter simply referred to as "substrate") S for FPD, for example. Examples of the FPD include a liquid crystal display (LCD), an electro luminescence (EL) display, a plasma display panel (PDP), and the like.

유도 결합 플라즈마 처리 장치(1)는, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)를 갖는 처리 용기(2)를 구비하고 있다.The inductively coupled plasma processing apparatus 1 includes a processing container 2 having a main body container 2A and an upper container 2B.

<본체 용기><Body container>

본체 용기(2A)는, 저부(2b)와 4개의 측부(2c)를 갖는 각기둥 형상의 용기이다. 또, 본체 용기(2A)는, 원기둥 형상의 용기이더라도 좋다. 본체 용기(2A)의 재료로서는, 예컨대 알루미늄, 알루미늄 합금 등의 도전성 재료가 이용된다. 본체 용기(2A)의 재료로서 알루미늄을 이용한 경우에는, 본체 용기(2A)의 내벽면으로부터 오염물이 발생하지 않도록, 본체 용기(2A)의 내벽면에는 알루마이트 처리(양극 산화 처리)가 실시된다. 또한, 본체 용기(2A)는 접지되어 있다.The main body container 2A is a prismatic container having a bottom portion 2b and four side portions 2c. In addition, the main body container 2A may be a cylindrical container. As a material of 2 A of main body containers, electroconductive materials, such as aluminum and an aluminum alloy, are used, for example. When aluminum is used as the material of the main body container 2A, anodization (anodic oxidation treatment) is performed on the inner wall surface of the main body container 2A so that no contaminants are generated from the inner wall surface of the main body container 2A. In addition, the main body container 2A is grounded.

<상부 용기><Upper container>

상부 용기(2B)는, 천정 부분(2a)과, 본체 용기(2A)의 상부에 배치되어, 처리 용기(2) 내의 공간을 상하의 2개의 공간으로 구획하는 유전체벽(6)과, 유전체벽(6)을 지지하는 지지 부재로서, 덮개 부재(7) 및 지지 빔(16)을 구비하고 있다. 상부 용기(2B) 내에는 안테나실(4)이 형성되고, 본체 용기(2A) 내에는 처리실(5)이 형성되고, 이들 2개의 방은 유전체벽(6)에 의해 구획되어 있다. 즉, 안테나실(4)은 처리 용기(2) 내에 있어서의 유전체벽(6)의 위쪽의 공간에 형성되고, 처리실(5)은 처리 용기(2) 내에 있어서의 유전체벽(6)의 아래쪽의 공간에 형성되어 있다. 따라서, 유전체벽(6)은, 안테나실(4)의 저부를 구성함과 아울러, 처리실(5)의 천정 부분을 구성한다. 처리실(5)은, 기밀하게 유지되고, 그곳에서 기판 S에 대하여 플라즈마 처리가 행해진다.The upper container 2B is disposed on the ceiling portion 2a, the upper portion of the main body container 2A, and divides the space in the processing container 2 into two upper and lower spaces, and a dielectric wall ( As a support member for supporting 6), a lid member 7 and a support beam 16 are provided. An antenna chamber 4 is formed in the upper container 2B, a processing chamber 5 is formed in the main body container 2A, and these two rooms are partitioned off by the dielectric wall 6. That is, the antenna chamber 4 is formed in the space above the dielectric wall 6 in the processing container 2, and the processing chamber 5 is located below the dielectric wall 6 in the processing container 2. It is formed in space. Therefore, the dielectric wall 6 constitutes the bottom of the antenna chamber 4 and constitutes the ceiling portion of the processing chamber 5. The processing chamber 5 is kept airtight, and plasma processing is performed on the substrate S there.

유전체벽(6)은, 대략 정사각형 형상 또는 대략 직사각형 형상의 상면 및 저면과, 4개의 측면을 갖는 대략 직육면체 형상을 이루고 있다. 유전체벽(6)의 두께는, 예컨대 30㎜이다. 유전체벽(6)은, 유전체 재료에 의해 형성되어 있다. 유전체벽(6)의 재료로서는, 예컨대, Al2O3 등의 세라믹스나, 석영이 이용된다. 일례로서, 유전체벽(6)은, 4개의 부분으로 분할되어 있다. 즉, 유전체벽(6)은, 제 1 부분벽, 제 2 부분벽, 제 3 부분벽 및 제 4 부분벽을 갖고 있다. 또, 유전체벽(6)은, 분할되어 있지 않더라도 좋고, 4 이외의 수의 부분으로 분할되어 있더라도 좋다.The dielectric wall 6 has a substantially rectangular parallelepiped shape having an upper surface and a lower surface of a substantially square shape or a substantially rectangular shape and four side surfaces. The thickness of the dielectric wall 6 is 30 mm, for example. The dielectric wall 6 is formed of a dielectric material. As the material for the dielectric wall (6), for example, a ceramic, or quartz, such as Al 2 O 3 is used. As an example, the dielectric wall 6 is divided into four parts. That is, the dielectric wall 6 has a 1st partial wall, a 2nd partial wall, a 3rd partial wall, and a 4th partial wall. In addition, the dielectric wall 6 may not be divided | segmented, and may be divided into the number of parts other than four.

덮개 부재(7)는, 상부 용기(2B)의 하부에 마련되어 있다. 덮개 부재(7)는, 본체 용기(2A)의 상단에 위치 조정되어 배치되어 있다. 덮개 부재(7)는, 본체 용기(2A) 위에 배치함으로써 처리 용기(2)가 닫히고, 본체 용기(2A)와 분리하는 것에 의해 처리 용기(2)가 개방된다. 또, 덮개 부재(7)는, 상부 용기(2B)와 일체이더라도 좋다.The lid member 7 is provided below the upper container 2B. The lid member 7 is positioned and arranged at the upper end of the main container 2A. The processing member 2 is closed by arranging the lid member 7 on the main container 2A, and the processing container 2 is opened by separating the main container 2A. In addition, the lid member 7 may be integrated with the upper container 2B.

지지 빔(16)은, 예컨대 십자 형상을 이루고 있고, 유전체벽(6)의 상기 4개의 부분벽은, 덮개 부재(7)와 지지 빔(16)에 의해 지지되어 있다.The support beam 16 has a cross shape, for example, and the four partial walls of the dielectric wall 6 are supported by the lid member 7 and the support beam 16.

유도 결합 플라즈마 처리 장치(1)는, 또한, 각각 상부 용기(2B)의 천정 부분(2a)에 접속된 상단부를 갖는 복수의 원기둥 형상의 서스펜더(8)를 구비하고 있다. 도 1에서는, 3개의 서스펜더(8)를 도시하고 있지만, 서스펜더(8)의 수는 임의이다. 지지 빔(16)은, 서스펜더(8) 하단부에 접속되어 있다. 이와 같이 하여, 지지 빔(16)은, 복수의 서스펜더(8)에 의해 상부 용기(2B)의 천정 부분(2a)에서 매달려, 처리 용기(2)의 내부에 있어서의 상하 방향의 대략 중앙의 위치에 있어서, 수평 상태를 유지하도록 배치되어 있다.The inductively coupled plasma processing apparatus 1 further includes a plurality of columnar suspenders 8 each having an upper end portion connected to the ceiling portion 2a of the upper vessel 2B. In FIG. 1, three suspenders 8 are shown, but the number of suspenders 8 is arbitrary. The support beam 16 is connected to the lower end of the suspender 8. In this way, the support beam 16 is suspended from the ceiling portion 2a of the upper container 2B by the plurality of suspenders 8, and is positioned approximately in the vertical direction in the interior of the processing container 2. It is arrange | positioned so that a horizontal state may be maintained.

지지 빔(16)에는, 가스 공급 장치(20)로부터 처리 가스가 공급되는 도시하지 않는 가스 유로와, 이 가스 유로에 공급된 처리 가스를 방출하기 위한 도시하지 않는 복수의 개구부가 형성되어 있다. 지지 빔(16)의 재료로서는, 도전성 재료가 이용된다. 이 도전성 재료로서는, 알루미늄 등의 금속 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 지지 빔(16)의 재료로서 알루미늄을 이용한 경우에는, 표면으로부터 오염물이 발생하지 않도록, 지지 빔(16)의 내외의 표면에는 알루마이트 처리(양극 산화 처리)가 실시된다.The support beam 16 is formed with a gas flow path (not shown) to which the processing gas is supplied from the gas supply device 20 and a plurality of openings not shown to discharge the processing gas supplied to the gas flow path. As the material of the support beam 16, a conductive material is used. As this electroconductive material, it is preferable to use metal materials, such as aluminum. When aluminum is used as the material of the support beam 16, anodization (anodic oxidation) is performed on the surfaces inside and outside the support beam 16 so that no contaminants are generated from the surface.

<가스 공급 장치><Gas supply device>

본체 용기(2A)의 외부에는, 또한, 가스 공급 장치(20)가 설치되어 있다. 가스 공급 장치(20)는, 예컨대, 중앙의 서스펜더(8)의 중공부에 삽입된 가스 공급관(21)을 거쳐 지지 빔(16)의 도시하지 않는 가스 유로에 접속되어 있다. 가스 공급 장치(20)는, 플라즈마 처리에 이용되는 처리 가스를 공급하기 위한 것이다. 플라즈마 처리가 행해질 때에는, 처리 가스는, 가스 공급관(21), 지지 빔(16) 내의 가스 유로 및 개구부를 지나, 처리실(5) 내에 공급된다. 처리 가스로서는, 예컨대 SF6 가스가 이용된다.Outside the main body container 2A, a gas supply device 20 is further provided. The gas supply apparatus 20 is connected to the gas flow path which is not shown of the support beam 16 via the gas supply line 21 inserted in the hollow part of the center suspender 8, for example. The gas supply device 20 is for supplying a processing gas used for plasma processing. When the plasma processing is performed, the processing gas is supplied into the processing chamber 5 through the gas supply pipe 21, the gas flow path and the opening in the support beam 16. As the processing gas, for example, SF 6 gas is used.

<제 1 고주파 공급부><1st high frequency supply part>

유도 결합 플라즈마 처리 장치(1)는, 또한, 안테나실(4)의 내부, 즉 처리실(5)의 외부로서 유전체벽(6)의 위쪽에 배치된 고주파 안테나(이하, 간단히 「안테나」라고 적는다)(13)를 구비하고 있다. 안테나(13)는, 예컨대 대략 정사각형의 평면각형 소용돌이 형상을 이루고 있다. 안테나(13)는, 유전체벽(6)의 상면의 위에 배치되어 있다.The inductively coupled plasma processing apparatus 1 further includes a high frequency antenna (hereinafter, simply referred to as an “antenna”) disposed above the dielectric wall 6 inside the antenna chamber 4, that is, outside the processing chamber 5. (13) is provided. The antenna 13 has a substantially square planar vortex shape, for example. The antenna 13 is disposed on the upper surface of the dielectric wall 6.

처리 용기(2)의 외부에는, 정합기(14)와, 고주파 전원(15)이 설치되어 있다. 안테나(13)의 일단은, 정합기(14)를 거쳐 고주파 전원(15)에 접속되어 있다. 안테나(13)의 다른 단은, 상부 용기(2B)의 내벽에 접속되고, 본체 용기(2A)를 거쳐 접지되어 있다. 기판 S에 대하여 플라즈마 처리가 행해질 때에는, 안테나(13)에, 고주파 전원(15)으로부터 유도 전계 형성용의 고주파 전력(예컨대, 13.56㎒의 고주파 전력)이 공급된다. 이것에 의해, 안테나(13)에 의해, 처리실(5) 내에 유도 전계가 형성된다. 이 유도 전계는, 처리 가스를 플라즈마로 전환시킨다.On the outside of the processing container 2, a matching device 14 and a high frequency power supply 15 are provided. One end of the antenna 13 is connected to the high frequency power supply 15 via the matching unit 14. The other end of the antenna 13 is connected to the inner wall of the upper container 2B and is grounded via the main body container 2A. When plasma processing is performed on the substrate S, the antenna 13 is supplied with a high frequency power (for example, 13.56 MHz high frequency power) for forming an induction field from the high frequency power supply 15. As a result, an induction electric field is formed in the processing chamber 5 by the antenna 13. This induction electric field converts the processing gas into plasma.

<탑재대><Mounting stand>

유도 결합 플라즈마 처리 장치(1)는, 또한, 기판 S를 탑재하기 위한 서셉터(탑재대)(22)와, 절연체 프레임(24)과, 지주(25)와, 벨로즈(26)와, 게이트 밸브(27)를 구비하고 있다. 지주(25)는, 본체 용기(2A)의 아래쪽에 설치된 도시하지 않는 승강 장치에 접속되고, 본체 용기(2A)의 저부(2b)에 형성된 개구부를 지나, 처리실(5) 내에 돌출하고 있다. 또한, 지주(25)는, 중공부를 갖고 있다. 절연체 프레임(24)은, 지주(25)의 위에 설치되어 있다. 이 절연체 프레임(24)은, 상부가 개구한 상자 형상을 이루고 있다. 절연체 프레임(24)의 저부에는, 지주(25)의 중공부에 이어지는 개구부가 형성되어 있다. 벨로즈(26)는, 지주(25)를 포위하고, 절연체 프레임(24) 및 본체 용기(2A)의 저부(2b)의 내벽에 기밀하게 접속되어 있다. 이것에 의해, 처리실(5)의 기밀성이 유지된다.The inductively coupled plasma processing apparatus 1 further includes a susceptor (mounting stand) 22, an insulator frame 24, a support 25, a bellows 26, and a gate for mounting the substrate S. FIG. The valve 27 is provided. The strut 25 is connected to a lifting device (not shown) provided below the main body container 2A, and protrudes into the processing chamber 5 through an opening formed in the bottom portion 2b of the main body container 2A. Moreover, the support | pillar 25 has a hollow part. The insulator frame 24 is provided on the support post 25. This insulator frame 24 has comprised the box shape which the upper part opened. At the bottom of the insulator frame 24, an opening is formed that extends to the hollow portion of the strut 25. The bellows 26 surrounds the support 25 and is hermetically connected to the inner wall of the insulator frame 24 and the bottom 2b of the main body container 2A. Thereby, the airtightness of the process chamber 5 is maintained.

서셉터(22)는, 절연체 프레임(24) 내에 수용되어 있다. 서셉터(22)는, 기판 S를 탑재하기 위한 탑재면(22A)을 갖고 있다. 서셉터(22)의 재료로서는, 예컨대, 알루미늄 등의 도전성 재료가 이용된다. 서셉터(22)의 재료로서 알루미늄을 이용한 경우에는, 표면으로부터 오염물이 발생하지 않도록, 서셉터(22)의 표면에 알루마이트 처리(양극 산화 처리)가 실시된다.The susceptor 22 is housed in the insulator frame 24. The susceptor 22 has a mounting surface 22A for mounting the substrate S. As shown in FIG. As the material of the susceptor 22, for example, a conductive material such as aluminum is used. When aluminum is used as the material of the susceptor 22, anodization (anodic oxidation treatment) is performed on the surface of the susceptor 22 so that no contaminants are generated from the surface.

<제 2 고주파 공급부><2nd high frequency supply part>

처리 용기(2)의 외부에는, 또한, 정합기(28)와, 고주파 전원(29)이 설치되어 있다. 서셉터(22)는, 절연체 프레임(24)의 개구부 및 지주(25)의 중공부에 삽통된 통전봉을 거쳐 정합기(28)에 접속되고, 또한, 이 정합기(28)를 거쳐 고주파 전원(29)에 접속되어 있다. 기판 S에 대하여 플라즈마 처리가 행해질 때에는, 서셉터(22)에는, 고주파 전원(29)으로부터 바이어스용의 고주파 전력(예컨대, 380㎑의 고주파 전력)이 공급된다. 이 고주파 전력은, 플라즈마 중의 이온을, 서셉터(22) 위에 탑재된 기판 S에 효과적으로 끌어들이기 위해 사용되는 것이다.Outside of the processing container 2, a matching device 28 and a high frequency power supply 29 are provided. The susceptor 22 is connected to the matching unit 28 via an energizing rod inserted into the opening of the insulator frame 24 and the hollow portion of the support 25, and also via the matching unit 28. It is connected to (29). When the plasma processing is performed on the substrate S, the susceptor 22 is supplied with the high frequency power for biasing (for example, 380 kW high frequency power) from the high frequency power supply 29. This high frequency power is used to effectively attract ions in the plasma to the substrate S mounted on the susceptor 22.

<게이트 밸브><Gate valve>

게이트 밸브(27)는, 본체 용기(2A)의 측부(2c)의 벽에 마련되어 있다. 게이트 밸브(27)는, 개폐 기능을 갖고, 닫힌 상태에서 처리실(5)의 기밀성을 유지함과 아울러, 열린 상태에서 처리실(5)과 외부의 사이에서 기판 S의 이송을 가능하게 한다.The gate valve 27 is provided in the wall of the side part 2c of the main body container 2A. The gate valve 27 has an opening and closing function, maintains the airtightness of the processing chamber 5 in the closed state, and enables the transfer of the substrate S between the processing chamber 5 and the outside in the open state.

<배기 장치><Exhaust device>

처리 용기(2)의 외부에는, 또한, 배기 장치(30)가 설치되어 있다. 배기 장치(30)는, 본체 용기(2A)의 저부(2b)에 접속된 배기관(31)을 거쳐, 처리실(5)에 접속되어 있다. 기판 S에 대하여 플라즈마 처리가 행해질 때에는, 배기 장치(30)는, 처리실(5) 내의 공기를 배기하고, 처리실(5) 내를 진공 또는 감압 분위기로 유지한다.Outside the processing container 2, an exhaust device 30 is further provided. The exhaust device 30 is connected to the processing chamber 5 via an exhaust pipe 31 connected to the bottom 2b of the main body container 2A. When plasma processing is performed on the substrate S, the exhaust device 30 exhausts air in the processing chamber 5 and maintains the interior of the processing chamber 5 in a vacuum or reduced pressure atmosphere.

<온도 조절 장치><Thermostat>

본체 용기(2A)의 4개의 측부(2c)를 구성하는 벽 내에는, 열매체 유로(40)가 마련되어 있다. 열매체 유로(40)의 일단과 다른 단에는, 도입구(40a)와 배출구(40b)가 마련되어 있다. 그리고, 도입구(40a)는 도입관(41)에, 배출구(40b)는 배출관(42)에 각각 접속되어 있다. 도입관(41)과 배출관(42)은, 처리 용기(2)의 외부에 마련된 온도 조절 장치로서의 칠러 유닛(43)과 접속되어 있다.The heat medium flow path 40 is provided in the wall which comprises four side parts 2c of the main body container 2A. An introduction port 40a and an outlet port 40b are provided at one end and the other end of the heat medium flow path 40. The inlet 40a is connected to the inlet tube 41, and the outlet 40b is connected to the outlet tube 42, respectively. The introduction pipe 41 and the discharge pipe 42 are connected with the chiller unit 43 as a temperature control apparatus provided in the exterior of the processing container 2.

<본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 접속 구조><Connecting structure of the main body container 2A and the upper container 2B>

다음으로, 도 2 및 도 3을 참조하면서, 본 실시의 형태의 유도 결합 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서의 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 접속 구조에 대하여 설명한다. 도 2는 도 1에 있어서의 A 부분을 확대하여 나타내는 단면도이다. 도 3은 본체 용기(2A)의 측부(2c)의 상단면을 확대하여 나타내는 요부 평면도이다. 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 본체 용기(2A)의 측부(2c)의 상단면에는, 전체 둘레에 걸쳐, 진공 실 부재로서의 O링(51), 도전 부재로서도 기능하는 전자파 차단 부재로서의 스파이럴 실드(53), 및 단열 부재(52)가 구비되어 있다. O링(51), 스파이럴 실드(53), 및 단열 부재(52)는, 처리 용기(2)의 안쪽(처리실(5)쪽)으로부터 바깥쪽으로, 이 순서로 배치되어 있다. 본 실시의 형태에서는, 단열 부재(52)보다 처리실(5)의 내부에 가까운 위치에 스파이럴 실드(53)를 구비하는 것에 의해, 단열 부재(52)가 고주파나 플라즈마에 노출되는 것을 막을 수 있다. 따라서, 단열 부재(52)의 열화가 방지되고, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 열적인 차단 효과를 장기간 확보할 수 있음과 아울러 교환 수명을 장기화할 수 있다.Next, the connection structure of the main body container 2A and the upper container 2B in the inductively coupled plasma processing apparatus 1 of this embodiment is demonstrated, referring FIG. 2 and FIG. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a portion A in FIG. 1. 3 is a plan view of the main portion, in which the upper end surface of the side portion 2c of the main body container 2A is enlarged. As shown in FIG.2 and FIG.3, on the upper end surface of the side part 2c of 2 A of main body containers, the spiral as an electromagnetic wave blocking member which also functions as an O-ring 51 as a vacuum chamber member and an electrically conductive member over the whole perimeter. The shield 53 and the heat insulating member 52 are provided. The O-ring 51, the spiral shield 53, and the heat insulating member 52 are arranged in this order from the inside (the processing chamber 5 side) of the processing container 2 to the outside. In this embodiment, by providing the spiral shield 53 at a position closer to the inside of the processing chamber 5 than the heat insulating member 52, the heat insulating member 52 can be prevented from being exposed to high frequency or plasma. Therefore, deterioration of the heat insulation member 52 is prevented, the thermal interruption effect of the main body container 2A and the upper container 2B can be ensured for a long time, and a replacement life can be extended.

<O링><O-ring>

O링(51)은, 진공 실 부재이고, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 사이의 기밀성을 유지하고, 처리실(5) 내를 진공 상태로 유지한다. O링(51)은, 본체 용기(2A)의 측부(2c)의 상단면에 형성된 오목부인 O링용 홈(61) 내에 끼워져 있다. O링(51)의 재질로서는, 예컨대 니트릴 고무(NBR), 불소 고무(FKM), 실리콘 고무(Q), 플루오로실리콘 고무(FVMQ), 퍼플루오로폴리에테르계 고무(FO), 아크릴 고무(ACM), 에틸렌프로필렌 고무(EPM)를 이용할 수 있다.The O-ring 51 is a vacuum chamber member, maintains airtightness between the main body container 2A and the upper container 2B, and maintains the inside of the processing chamber 5 in a vacuum state. The O-ring 51 is fitted in the O-ring groove 61 which is a recess formed in the upper end surface of the side portion 2c of the main body container 2A. Examples of the material of the O-ring 51 include nitrile rubber (NBR), fluorine rubber (FKM), silicone rubber (Q), fluorosilicone rubber (FVMQ), perfluoropolyether rubber (FO), and acrylic rubber ( ACM) and ethylene propylene rubber (EPM) can be used.

<스파이럴 실드><Spiral Shield>

스파이럴 실드(53)는, 본체 용기(2A)의 측부(2c)의 상단면에 형성된 실드용 홈(63) 내에 끼워져 있다. 스파이럴 실드(53)는, 예컨대, 알루미늄, 스테인리스, 구리, 철 등의 금속제이고, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 도통을 확보하고, 상부 용기(2B)를 접지 전위로 유지한다. 또한, 스파이럴 실드(53)는, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 사이로부터의 고주파나 플라즈마의 누설을 방지한다.The spiral shield 53 is fitted in the shield groove 63 formed in the upper end surface of the side portion 2c of the main body container 2A. The spiral shield 53 is made of metal such as aluminum, stainless steel, copper or iron, for example, to secure the conduction between the main body container 2A and the upper container 2B, and maintain the upper container 2B at a ground potential. In addition, the spiral shield 53 prevents high frequency or plasma leakage from between the main body container 2A and the upper container 2B.

<단열 부재><Insulation member>

단열 부재(52)는, 본체 용기(2A)의 측부(2c)의 상단면에 형성된 단열 부재용 홈(62) 내에 끼워져 있다. 단열 부재(52)는, 리드(reed) 형상의 복수의 단열 시트(54)에 의해 구성되어 있다. 즉, 단열 시트(54)는, 직사각형 형상의 상면 및 저면과, 4개의 측면을 갖는 박판 형상을 이루고 있다. 단열 시트(54)의 상면은, 상부 용기(2B)의 하단(다시 말해, 덮개 부재(7)의 하단)에 맞닿는 면이다. 단열 부재(52)는, 본체 용기(2A)의 도달 온도에 견디는 것이 가능하고, 또한, 열전도율이 작은 재료로서, 예컨대 합성 수지나 세라믹스 등으로 형성할 수 있지만, 특히, 열전도율이 작은 합성 수지가 보다 바람직하다.The heat insulating member 52 is fitted in the groove 62 for heat insulating members formed in the upper end surface of the side part 2c of 2 A of main body containers. The heat insulation member 52 is comprised by the some heat insulation sheet 54 of a lead shape. That is, the heat insulation sheet 54 has comprised the rectangular upper surface and the bottom surface, and the thin plate shape which has four side surfaces. The upper surface of the heat insulation sheet 54 is a surface which abuts on the lower end (that is, the lower end of the lid member 7) of the upper container 2B. The heat insulating member 52 can withstand the temperature reached by the main body container 2A and can be formed of, for example, a synthetic resin, ceramics, or the like as a material having a low thermal conductivity. desirable.

단열 부재(52)로서 합성 수지를 이용하는 경우는, 유리 전이 온도(Tg)가 예컨대 125℃를 넘는 것이 바람직하다. 단열 부재(52)의 유리 전이 온도(Tg)가 125℃ 이하인 경우, 처리실(5) 내의 플라즈마에 의한 열에 의해 변형하여, 단열 효과가 손상되는 일이 있다.When using synthetic resin as the heat insulating member 52, it is preferable that glass transition temperature (Tg) exceeds 125 degreeC, for example. When the glass transition temperature Tg of the heat insulating member 52 is 125 degrees C or less, it may deform | transform by the heat by the plasma in the process chamber 5, and a heat insulation effect may be impaired.

단열 부재(52)의 열전도율은, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 사이의 열전도를 최대한 억제하기 위해, 단열 시트(54)의 재질로서, 합성 수지를 이용하는 경우는, 예컨대 1W/mK 이하가 바람직하고, 세라믹스를 이용하는 경우는, 예컨대 40W/mK 이하가 바람직하다.The thermal conductivity of the heat insulating member 52 is, for example, 1 W / mK when a synthetic resin is used as the material of the heat insulating sheet 54 in order to minimize the heat conductivity between the main body container 2A and the upper container 2B. The following is preferable, and when using ceramics, 40 W / mK or less is preferable, for example.

단열 부재(52)는, 유도 결합 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서 대면적의 기판 S를 처리하는 경우에, 처리실(5)을 진공 상태로 했을 때의 상부 용기(2B)에 의한 압력에 견딜 수 있는 압축 강도를 갖는 것이 바람직하다.When the large-area substrate S is processed in the inductively coupled plasma processing apparatus 1, the heat insulating member 52 can withstand the pressure caused by the upper container 2B when the processing chamber 5 is in a vacuum state. It is desirable to have a compressive strength that is.

이상과 같은 물성을 고려하여, 단열 부재(52)로서는, 예컨대, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 수지, 폴리에틸렌설파이드(PPS) 수지, 전방향족 폴리이미드 수지, 폴리에테르이미드(PEI), MC나일론 등의 합성 수지나, 지르코니아(ZnO2), 알루미나(Al2O3) 등의 세라믹스를 이용할 수 있다.In consideration of the above physical properties, as the heat insulating member 52, for example, polyether ether ketone (PEEK) resin, polyethylene sulfide (PPS) resin, wholly aromatic polyimide resin, polyetherimide (PEI), MC nylon, etc. resin or composite, it is possible to use ceramics such as zirconia (ZnO 2), alumina (Al 2 O 3).

단열 부재(52)는, 복수의 직사각형의 단열 시트(54)로 분할되어 있다. 이와 같이, 복수의 단열 시트(54)로 분할하는 것에 의해, 예컨대 FPD용 기판을 처리하기 위한 대형의 처리 용기(2)로의 배치가 용이하게 된다. 인접하는 단열 시트(54)끼리의 간격은, 예컨대 100℃ 이상의 온도에서 각 단열 시트(54)가 열팽창한 경우에, 인접하는 단열 시트(54)끼리 거의 접촉할 정도의 간격으로 설정하는 것이 바람직하고, 예컨대 1㎜ 이상 3㎜ 이하의 범위 내, 바람직하게는 2㎜ 정도로 할 수 있다.The heat insulating member 52 is divided into the plurality of rectangular heat insulating sheets 54. Thus, by dividing | segmenting into the some heat insulation sheet 54, arrangement | positioning to the large processing container 2 for processing the board | substrate for FPD, for example becomes easy. It is preferable to set the space | interval of adjoining heat insulation sheets 54 to the space | interval so that adjacent heat insulation sheets 54 may mutually contact, when each heat insulation sheet 54 thermally expands at the temperature of 100 degreeC or more, for example, For example, in the range of 1 mm or more and 3 mm or less, it can be about 2 mm preferably.

단열 부재(52)를 구성하는 각 단열 시트(54)의 두께는, 단열 시트(54)의 재질로서, 합성 수지를 이용하는 경우는, 예컨대 0.5㎜ 이상 20㎜ 이하의 범위 내로 하는 것이 바람직하고, 세라믹스를 이용하는 경우는, 예컨대 5㎜ 이상 20㎜ 이하의 범위 내로 하는 것이 바람직하다. 또한, 각 단열 시트(54)의 두께는, 단열 부재용 홈(62)의 깊이보다 크고, 단열 시트(54)의 상면은 단열 부재용 홈(62)으로부터 돌출하고 있다.As for the thickness of each heat insulating sheet 54 which comprises the heat insulating member 52, as a material of the heat insulating sheet 54, when using synthetic resin, it is preferable to make it into the range of 0.5 mm or more and 20 mm or less, for example, When using, it is preferable to set it in the range of 5 mm or more and 20 mm or less, for example. In addition, the thickness of each heat insulation sheet 54 is larger than the depth of the groove | channel 62 for heat insulation members, and the upper surface of the heat insulation sheet 54 protrudes from the groove | channel 62 for heat insulation members.

도 2에 확대하여 나타내는 바와 같이, 단열 부재(52)에 의해, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 사이에는, 극간 CL이 마련되어 있다. 이 극간 CL은, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 사이의 충분한 단열성을 확보함과 아울러, 가령 상부 용기(2B)가 열에 의해 변형된 경우에도, 그 변형량을 흡수할 수 있는 크기로 설정되어 있다. 따라서, 극간 CL은, 예컨대 0.1㎜ 이상 2㎜ 이하의 범위 내로 마련되어 있다. 극간 CL이 0.1㎜ 미만이면, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 사이의 단열성이 불충분하게 되기 쉽고, 상부 용기(2B)가 열에 의해 변형된 경우에도 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 사이에 충분한 클리어런스를 확보할 수 없다. 극간 CL이 2㎜를 넘으면, 단열 성능은 향상되지만, O링(51)에 의한 진공 유지 기능이나, 스파이럴 실드(53)에 의한 고주파나 플라즈마의 차단 기능이 저하되고, 또한 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 사이의 도통의 확보도 곤란하게 된다.As enlarged in FIG. 2, the gap CL is provided between the main body container 2A and the upper container 2B by the heat insulating member 52. This gap CL ensures sufficient heat insulation between the main body container 2A and the upper container 2B, and has a size capable of absorbing the deformation amount even when the upper container 2B is deformed by heat, for example. It is set. Therefore, the clearance gap CL is provided in the range of 0.1 mm or more and 2 mm or less, for example. If the clearance gap CL is less than 0.1 mm, the heat insulation between the main body container 2A and the upper container 2B tends to be insufficient, and even if the upper container 2B is deformed by heat, the main container 2A and the upper container ( Sufficient clearance cannot be secured between 2B). When the clearance gap CL exceeds 2 mm, heat insulation performance improves, but the vacuum holding function by the O-ring 51 and the high frequency and the plasma blocking function by the spiral shield 53 fall, and also the main body container 2A It is also difficult to secure the conduction between the upper containers 2B.

각 단열 시트(54)는, 단열 부재용 홈(62)에 끼워진 상태에서, 예컨대 복수의 나사(55)에 의해 본체 용기(2A)의 측부(2c)에 고정되어 있다. 또, 단열 시트(54)의 고정 방법은 특별히 제한은 없다.Each heat insulation sheet 54 is being fixed to the side part 2c of the main body container 2A with the some screw 55, for example in the state fitted into the groove | channel 62 for heat insulation members. In addition, the fixing method of the heat insulation sheet 54 does not have a restriction | limiting in particular.

다음으로, 이상과 같이 구성되는 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 이용하여 기판 S에 대하여 플라즈마 처리를 실시할 때의 처리 동작에 대하여 설명한다.Next, the processing operation at the time of performing a plasma process with respect to the board | substrate S using the inductively coupled plasma processing apparatus comprised as mentioned above is demonstrated.

우선, 게이트 밸브(27)를 연 상태에서, 도시하지 않는 반송 기구에 의해 기판 S를 처리실(5) 내에 반입하고, 서셉터(22)의 탑재면(22A)에 탑재한 후, 정전척 등에 의해 기판 S를 서셉터(22) 위에 고정한다.First, while the gate valve 27 is open, the board | substrate S is carried in in the process chamber 5 by the conveyance mechanism (not shown), and it mounts on the mounting surface 22A of the susceptor 22, The substrate S is fixed on the susceptor 22.

다음으로, 가스 공급 장치(20)로부터, 가스 공급관(21), 지지 빔(16) 내의 도시하지 않는 가스 유로 및 복수의 개구부를 거쳐 처리 가스를 처리실(5) 내에 토출시킴과 아울러, 배기 장치(30)에 의해 배기관(31)을 거쳐 처리실(5) 내를 진공 배기하는 것에 의해, 처리 용기 내를 예컨대 1.33㎩ 정도의 압력 분위기로 유지한다.Next, the processing gas is discharged from the gas supply device 20 through the gas supply pipe 21, the gas flow path (not shown) in the support beam 16, and the plurality of openings into the processing chamber 5, and the exhaust device ( By evacuating the inside of the processing chamber 5 via the exhaust pipe 31 by 30), the inside of the processing container is maintained in a pressure atmosphere of, for example, about 1.33 kPa.

다음으로, 고주파 전원(15)으로부터 13.56㎒의 고주파를 안테나(13)에 인가하고, 이것에 의해 유전체벽(6)을 거쳐 처리실(5) 내에 균일한 유도 전계를 형성한다. 이와 같이 하여 형성된 유도 전계에 의해, 처리실(5) 내에서 처리 가스가 플라즈마화하고, 고밀도의 유도 결합 플라즈마가 생성된다. 이와 같이 하여 생성된 플라즈마 중의 이온은, 고주파 전원(29)으로부터 서셉터(22)에 대하여 인가되는 고주파 전력에 의해 기판 S에 효과적으로 이끌려, 기판 S에 대하여 균일한 플라즈마 처리가 실시된다.Next, a high frequency of 13.56 MHz is applied to the antenna 13 from the high frequency power supply 15, thereby forming a uniform induction field in the processing chamber 5 via the dielectric wall 6. The induction electric field thus formed causes the processing gas to be plasma-formed in the processing chamber 5 to generate a high density inductively coupled plasma. The ions in the plasma generated in this way are effectively attracted to the substrate S by the high frequency power applied from the high frequency power supply 29 to the susceptor 22, and uniform plasma processing is performed on the substrate S.

플라즈마 처리 동안, 본체 용기(2A)는 플라즈마의 열에 의해 고온으로 가열되지만, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 사이의 단열 부재(52)에 의해 열적으로 분리되어 있기 때문에, 상부 용기(2B)의 과잉 온도 상승에 의한 뒤틀림 등의 변형을 억제하고, 진공 누출이나 유전체벽(6)의 파손 등을 방지할 수 있다. 또한, 본체 용기(2A)는, 칠러 유닛(43)에 의해 상부 용기(2B)와 독립한 온도 조절이 가능하게 되는 것으로부터, 처리실(5) 내에서 행해지는 플라즈마 프로세스의 온도 제어가 용이하게 되고, 프로세스의 안정성을 높일 수 있다. 또한, 본 실시의 형태에서는, 단열 부재(52)에 의해 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 사이를 열적으로 분리함으로써, 상부 용기(2B)의 온도 조절 설비를 생략하고 있다.During the plasma treatment, the main body container 2A is heated to a high temperature by the heat of the plasma, but because it is thermally separated by the heat insulating member 52 between the main body container 2A and the upper container 2B, the upper container ( Deformation, such as distortion, caused by excessive temperature rise of 2B) can be suppressed, and vacuum leakage and breakage of the dielectric wall 6 can be prevented. In addition, since the temperature control of the main body container 2A independent of the upper container 2B is enabled by the chiller unit 43, the temperature control of the plasma process performed in the processing chamber 5 becomes easy. This can increase the stability of the process. In addition, in this embodiment, the temperature regulation installation of the upper container 2B is abbreviate | omitted by thermally separating between the main body container 2A and the upper container 2B by the heat insulation member 52. In addition, in FIG.

<실험 결과><Experiment Result>

여기서, 본 발명의 효과를 확인한 실험 결과에 대하여 설명한다. 도 1과 같은 구성의 유도 결합 플라즈마 처리 장치(1)를 이용하여, 기판 S 표면의 박막에 대하여 플라즈마 에칭 처리를 행하고 있는 동안, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 온도를 각각 계측했다. 그 결과, 본체 용기(2A)의 온도는 96~101℃의 사이였던 것에 비하여, 상부 용기(2B)의 온도는 48~50℃의 사이이고, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 사이에 약 50℃의 온도차를 확보할 수 있었다. 이 실측 데이터로부터, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 사이에 개재시킨 단열 부재(52)에 의해, 본체 용기(2A)로부터 상부 용기(2B)로의 열전도를 효과적으로 차단할 수 있는 것이 확인되었다.Here, the experimental result which confirmed the effect of this invention is demonstrated. The temperature of the main body container 2A and the upper container 2B was measured, respectively, while performing the plasma etching process with respect to the thin film of the surface of the board | substrate S using the inductively coupled plasma processing apparatus 1 of the structure similar to FIG. . As a result, the temperature of the main body container 2A was between 96-101 degreeC, while the temperature of the upper container 2B is between 48-50 degreeC, and between the main body container 2A and the upper container 2B. The temperature difference of about 50 degreeC was able to be ensured. From the measured data, it was confirmed that the heat conduction member 52 interposed between the main container 2A and the upper container 2B can effectively block the heat conduction from the main container 2A to the upper container 2B. .

이상 설명한 바와 같이, 본 실시의 형태의 유도 결합 플라즈마 처리 장치(1)는, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 사이에 단열 부재(52)를 배치하여 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)가 직접 접하지 않도록 하는 것에 의해, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)를 확실히 열적으로 분리할 수 있다. 이것에 의해, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)를 각각 온도 제어하는 것이 가능하게 됨과 아울러, 칠러 등의 온도 조절 설비의 간소화를 실현할 수 있다. 또한, 상부 용기(2B)의 열변형에 의한 진공 누출의 발생이나 유전체벽(6)의 파손을 미연에 방지할 수 있다.As described above, in the inductively coupled plasma processing apparatus 1 of the present embodiment, the heat insulating member 52 is disposed between the main body container 2A and the upper container 2B, and the main body container 2A and the upper container are disposed. By not directly contacting 2B, the main body container 2A and the upper container 2B can be thermally separated reliably. As a result, the temperature control of the main body container 2A and the upper container 2B can be performed, respectively, and the simplification of temperature control equipment such as a chiller can be realized. In addition, it is possible to prevent occurrence of vacuum leakage and breakage of the dielectric wall 6 due to thermal deformation of the upper container 2B.

[제 2 실시의 형태]Second Embodiment

다음으로, 도 4를 참조하여, 본 발명의 제 2 실시의 형태에 따른 유도 결합 플라즈마 처리 장치에 대하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 제 2 실시의 형태의 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 제 2 실시의 형태에 따른 유도 결합 플라즈마 처리 장치(101)는, 본체 용기(2A)뿐 아니라, 상부 용기(2B)에도 온도 조절 장치를 마련한 점 이외에는, 제 1 실시의 형태의 유도 결합 플라즈마 처리 장치(1)와 같다. 그 때문에, 도 4에 있어서, 도 1과 같은 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.Next, an inductively coupled plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4. It is sectional drawing which shows typically the structure of the inductively coupled plasma processing apparatus of 2nd Embodiment of this invention. The inductively coupled plasma processing apparatus 101 according to the second embodiment is the inductively coupled plasma processing apparatus according to the first embodiment except that not only the temperature control device is provided in the upper container 2B but also in the main container 2A. Same as (1). Therefore, in FIG. 4, the same code | symbol is attached | subjected about the structure similar to FIG. 1, and description is abbreviate | omitted.

도 4에 나타내는 바와 같이, 상부 용기(2B)를 구성하는 벽 내에는, 열매체 유로(70)가 마련되어 있다. 열매체 유로(70)의 일단과 다른 단에는, 도입구(70a)와 배출구(70b)가 마련되어 있다. 그리고, 도입구(70a)는 도입관(71)에, 배출구(70b)는 배출관(72)에 각각 접속되어 있다. 도입관(71)과 배출관(72)은, 처리 용기(2)의 외부에 마련된 칠러 유닛(73)과 접속되어 있다. 이와 같이, 본 실시의 형태의 유도 결합 플라즈마 처리 장치(101)에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 제 1 온도 조절 장치로서 본체 용기(2A)에 마련된 칠러 유닛(43)에 더하여, 제 2 온도 조절 장치로서 상부 용기(2B)에 마련된 칠러 유닛(73)을 구비하고 있다. 본 실시의 형태에서는, 단열 부재(52)에 의해 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)의 사이가 열적으로 분리되어 있기 때문에, 칠러 유닛(43)과 칠러 유닛(73)에 의해, 본체 용기(2A)와 상부 용기(2B)를 각각 독립하여 용이하게 온도 제어할 수 있다. 따라서, 처리실(5) 내에서 행해지는 플라즈마 프로세스의 온도 제어의 자유도가 높아지고, 또한, 프로세스의 안정성을 높일 수 있다.As shown in FIG. 4, the heat medium flow path 70 is provided in the wall which comprises the upper container 2B. An introduction port 70a and a discharge port 70b are provided at one end and the other end of the heat medium flow path 70. The inlet 70a is connected to the inlet tube 71 and the outlet 70b is connected to the outlet tube 72, respectively. The introduction pipe 71 and the discharge pipe 72 are connected to the chiller unit 73 provided outside the processing container 2. As described above, in the inductively coupled plasma processing apparatus 101 of the present embodiment, as shown in FIG. 4, in addition to the chiller unit 43 provided in the main body container 2A as the first temperature regulating device, the second temperature regulation is performed. The chiller unit 73 provided in the upper container 2B is provided as an apparatus. In this embodiment, since between the main body container 2A and the upper container 2B is thermally isolate | separated by the heat insulation member 52, the main body container by the chiller unit 43 and the chiller unit 73 is carried out. Temperature control can be performed independently of 2A and the upper container 2B, respectively. Therefore, the freedom of temperature control of the plasma process performed in the process chamber 5 becomes high, and the stability of a process can be improved.

본 실시의 형태에 있어서의 다른 구성 및 효과는, 제 1 실시의 형태와 같다.The other structure and effect in this embodiment are the same as that of 1st embodiment.

[제 3 실시의 형태][Third Embodiment]

다음으로, 도 5를 참조하여, 본 발명의 제 3 실시의 형태에 따른 유도 결합 플라즈마 처리 장치에 대하여 설명한다. 도 5는 본 발명의 제 3 실시의 형태의 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 요부의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 5는 제 1 실시의 형태의 유도 결합 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서의 도 2에 대응하는 부분(A 부분)의 확대도이다. 본 실시의 형태에 따른 유도 결합 플라즈마 처리 장치는, A 부분의 구성 이외에는, 제 1 실시의 형태의 유도 결합 플라즈마 처리 장치(1)와 같다. 그 때문에, 도 5에 있어서, 도 1과 같은 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.Next, an inductively coupled plasma processing apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5. It is sectional drawing which shows typically the structure of the principal part of the inductively coupled plasma processing apparatus of 3rd Embodiment of this invention. FIG. 5 is an enlarged view of a portion (part A) corresponding to FIG. 2 in the inductively coupled plasma processing apparatus 1 of the first embodiment. The inductively coupled plasma processing apparatus according to the present embodiment is the same as the inductively coupled plasma processing apparatus 1 of the first embodiment except for the configuration of the A portion. Therefore, in FIG. 5, the same code | symbol is attached | subjected about the structure similar to FIG. 1, and description is abbreviate | omitted.

도 5에 나타내는 바와 같이, 본 실시의 형태에 따른 유도 결합 플라즈마 처리 장치에 있어서, 측부(2c)의 상단면에는, 전체 둘레에 걸쳐, O링(51), 단열 부재(52) 및 스파이럴 실드(53)가 배치되어 있다. O링(51), 단열 부재(52) 및 스파이럴 실드(53)는, 처리 용기(2)의 안쪽(처리실(5)쪽)으로부터 바깥쪽으로, 이 순서로 배치되어 있다. O링(51), 단열 부재(52) 및 스파이럴 실드(53)의 구성과 작용은, 제 1 실시의 형태와 같다.As shown in FIG. 5, in the inductively coupled plasma processing apparatus according to the present embodiment, the O-ring 51, the heat insulating member 52, and the spiral shield are formed on the upper end surface of the side portion 2c over the entire circumference. 53) is arranged. The O-ring 51, the heat insulating member 52, and the spiral shield 53 are arranged in this order from the inside (the processing chamber 5 side) of the processing container 2 to the outside. The structure and action of the O-ring 51, the heat insulating member 52, and the spiral shield 53 are the same as in the first embodiment.

본 실시의 형태에 있어서의 다른 구성 및 효과는, 제 1 실시의 형태와 같다.The other structure and effect in this embodiment are the same as that of 1st embodiment.

이상, 본 발명의 실시의 형태를 예시의 목적으로 상세히 설명했지만, 본 발명은 상기 실시의 형태로 제약되는 일은 없다. 예컨대, 상기 실시의 형태에서는, 유도 결합 플라즈마 장치를 예로 들었지만, 본 발명은 복수의 부분으로 분할되는 처리 용기를 구비한 플라즈마 처리 장치이면 제한 없이 적용 가능하고, 예컨대, 평행 평판형 플라즈마 장치, 표면파 플라즈마 장치, ECR(Electron Cyclotron Resonance) 플라즈마 장치, 헬리콘파 플라즈마 장치 등 다른 방식의 플라즈마 장치에도 적용 가능하다. 또한, 드라이 에칭 장치에 한하지 않고, 성막 장치나 애싱 장치 등에도 동등하게 적용 가능하다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described in detail for the purpose of illustration, this invention is not restrict | limited to the said embodiment. For example, in the above embodiment, the inductively coupled plasma apparatus has been exemplified, but the present invention can be applied without limitation as long as it is a plasma processing apparatus having a processing container divided into a plurality of parts. The present invention can be applied to other types of plasma devices, such as a device, an ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma device, and a helicon wave plasma device. Moreover, it is not limited to a dry etching apparatus, It is equally applicable to a film forming apparatus, an ashing apparatus, etc.

또한, 본 발명은, FPD용 기판을 피처리체로 하는 것에 한하지 않고, 예컨대 반도체 웨이퍼나 태양 전지용 기판을 피처리체로 하는 경우에도 적용할 수 있다.In addition, the present invention is not limited to using the FPD substrate as an object to be processed, but is also applicable to a case where a semiconductor wafer or a solar cell substrate is used as the object to be processed.

또한, 상기 각 실시의 형태에서는, 단열 부재(52)를 본체 용기(2A)에 배치했지만, 단열 부재(52)를 상부 용기(2B)쪽에 배치할 수도 있다.In addition, in each said embodiment, although the heat insulation member 52 was arrange | positioned at 2 A of main body containers, the heat insulation member 52 can also be arrange | positioned at the upper container 2B side.

1 : 유도 결합 플라즈마 처리 장치 2A : 본체 용기
2B : 상부 용기 4 : 안테나실
5 : 처리실 6 : 유전체벽
7 : 덮개 부재 8 : 서스펜더
13 : 안테나 14 : 정합기
15 : 고주파 전원 16 : 지지 빔
20 : 가스 공급 장치 21 : 가스 공급관
22 : 서셉터 22A : 탑재면
24 : 절연체 프레임 25 : 지주
26 : 벨로즈 28 : 정합기
29 : 고주파 전원 30 : 배기 장치
31 : 배기관 51 : O링
52 : 단열 부재 53 : 스파이럴 실드
54 : 단열 시트 61 : O링용 홈
62 : 단열 부재용 홈 63 : 실드용 홈1: Inductively Coupled Plasma Processing Apparatus 2A: Main Body Container
2B: upper container 4: antenna chamber
5: process chamber 6: dielectric wall
7: cover member 8: suspender
13 antenna 14 matching device
15: high frequency power source 16: support beam
20 gas supply device 21 gas supply pipe
22: susceptor 22A: mounting surface
24: insulator frame 25: holding
26: bellows 28: matching device
29: high frequency power supply 30: exhaust device
31: exhaust pipe 51: O-ring
52: heat insulation member 53: spiral shield
54: heat insulation sheet 61: groove for O-ring
62: groove for insulation member 63: groove for shield

Claims (14)

플랫 패널 디스플레이용 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 처리실을 형성하는 플라즈마 처리 용기로서,
본체 용기와,
상기 본체 용기에 결합되는 상부 용기
를 구비하고,
상기 본체 용기와 상기 상부 용기의 사이에, 진공 실(seal) 부재와, 단열 부재와, 전자파 차단 부재가 개재되어 마련되고, 상기 본체 용기와 상기 상부 용기가 이간하고 있고,
상기 단열 부재는 복수의 단열 시트로 이루어지고,
상기 복수의 단열 시트는 상기 본체 용기의 상단면의 전체 둘레에 걸쳐 형성된 단열 부재용 홈 내에, 100℃ 이상의 온도에서 각 상기 복수의 단열 시트가 열팽창하는 경우 인접한 단열 시트끼리 접촉하도록, 서로 1㎜ 이상 3㎜ 이하의 범위 내의 간격으로 인접하도록 끼워져 있으며,
상기 복수의 단열 시트는 직사각형 모양의 윗면 및 밑면과 4 개의 측면을 갖는 박판 형상을 가지며,
상기 복수의 단열 시트의 각 단열 시트의 두께는 상기 단열 부재용 홈의 깊이보다 크고, 상기 복수의 단열 시트의 상면은 상기 단열 부재용 홈으로부터 돌출되어 상기 상부 용기의 하단에 접하며,
상기 본체 용기의 상단면의 전체 둘레에 걸쳐 배치된 상기 복수의 단열 시트에 의해, 상기 본체 용기와 상기 상부 용기의 사이에는, 0.1mm 이상 2mm 이하의 극간이 마련되는
것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 용기.
A plasma processing container for forming a processing chamber in which plasma processing is performed on a substrate for a flat panel display,
With a body container,
An upper container coupled to the body container
And
Between the main body container and the upper container, a vacuum seal member, a heat insulating member, and an electromagnetic wave shielding member are interposed, and the main body container and the upper container are separated from each other.
The heat insulating member is composed of a plurality of heat insulating sheets,
The plurality of heat insulating sheets are not less than 1 mm from each other such that adjacent heat insulating sheets contact each other when the plurality of heat insulating sheets thermally expands at a temperature of 100 ° C. or more in a groove for a heat insulating member formed over the entire circumference of the upper surface of the main body container. It is fitted to adjoin at intervals within the range of 3 mm or less,
The plurality of insulating sheets has a thin plate shape having a rectangular top and bottom and four sides,
The thickness of each heat insulation sheet of the said plurality of heat insulation sheets is larger than the depth of the said groove | channel for heat insulation members, The upper surface of the said several heat insulation sheet protrudes from the groove | channel for heat insulation members, and contact | connects the lower end of the said upper container,
The gap between 0.1 mm and 2 mm is provided between the main body container and the upper container by the plurality of heat insulating sheets arranged over the entire circumference of the upper end surface of the main body container.
Plasma processing vessel, characterized in that.
제 1 항에 있어서,
상기 처리실의 안쪽으로부터 바깥쪽을 향해, 상기 진공 실 부재, 상기 전자파 차단 부재 및 상기 단열 부재의 순서로 배치되어 있는 플라즈마 처리 용기.
The method of claim 1,
Plasma processing container disposed in the order of the vacuum chamber member, the electromagnetic wave shielding member, and the heat insulating member from the inside to the outside of the processing chamber.
제 1 항에 있어서,
상기 처리실의 안쪽으로부터 바깥쪽을 향해, 상기 진공 실 부재, 상기 단열 부재 및 상기 전자파 차단 부재의 순서로 배치되어 있는 플라즈마 처리 용기.
The method of claim 1,
Plasma processing container disposed in the order of the vacuum chamber member, the heat insulating member, and the electromagnetic wave shielding member from the inside to the outside of the processing chamber.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 단열 시트는, 유리 전이 온도(Tg)가 125℃를 넘는 재질의 합성 수지에 의해 구성되어 있는 플라즈마 처리 용기.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The said heat insulation sheet is a plasma processing container comprised by the synthetic resin of the material whose glass transition temperature (Tg) exceeds 125 degreeC.
제 4 항에 있어서,
상기 단열 시트의 두께 방향의 열전도율은 1W/mK 이하인 플라즈마 처리 용기.
The method of claim 4, wherein
The thermal conductivity of the said heat insulation sheet in the thickness direction is 1 W / mK or less plasma processing containers.
제 4 항에 있어서,
상기 합성 수지는, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 수지, 폴리에틸렌설파이드(PPS) 수지, 전방향족 폴리이미드 수지, 폴리에테르이미드(PEI) 및 MC나일론으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상인 플라즈마 처리 용기.
The method of claim 4, wherein
The synthetic resin is at least one plasma treatment vessel selected from the group consisting of polyether ether ketone (PEEK) resin, polyethylene sulfide (PPS) resin, wholly aromatic polyimide resin, polyetherimide (PEI) and MC nylon.
제 4 항에 있어서,
상기 단열 시트의 두께는, 0.5㎜ 이상 20㎜ 이하의 범위 내인 플라즈마 처리 용기.
The method of claim 4, wherein
The thickness of the said heat insulation sheet is a plasma processing container in the range of 0.5 mm or more and 20 mm or less.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 단열 시트는 세라믹스에 의해 구성되어 있는 플라즈마 처리 용기.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The said heat insulating sheet is a plasma processing container comprised by ceramics.
제 8 항에 있어서,
상기 단열 시트의 두께 방향의 열전도율은 40W/mK 이하인 플라즈마 처리 용기.
The method of claim 8,
The thermal conductivity of the said heat insulation sheet in the thickness direction is 40 W / mK or less plasma processing containers.
제 8 항에 있어서,
상기 단열 시트의 두께는, 5㎜ 이상 20㎜ 이하의 범위 내인 플라즈마 처리 용기.
The method of claim 8,
The thickness of the said heat insulation sheet is a plasma processing container in the range of 5 mm or more and 20 mm or less.
삭제delete 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 본체 용기와 상기 상부 용기에, 각각 온도 조절 장치를 구비하고 있는 플라즈마 처리 용기.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The plasma processing container provided with the temperature control apparatus in the said main body container and the said upper container, respectively.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 처리 용기를 구비한 플라즈마 처리 장치.
The plasma processing apparatus provided with the plasma processing container of any one of Claims 1-3.
제 13 항에 있어서,
상기 플라즈마 처리 용기 내에 마련되고, 상기 플랫 패널 디스플레이용 기판이 탑재되는 탑재대와,
상기 처리 용기의 바깥쪽에 마련되고, 상기 처리 용기 내에 유도 전계를 형성하는 안테나와,
상기 안테나와 상기 처리 용기의 사이에 마련된 유전체벽과,
상기 안테나에 고주파 전력을 인가하여 유도 전계를 형성시키는 고주파 전원과,
상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단과,
상기 처리 용기 내를 진공 또는 감압 상태로 하는 배기 수단
을 구비한 유도 결합 플라즈마 처리 장치인 플라즈마 처리 장치.The method of claim 13,
A mounting table provided in the plasma processing container and on which the substrate for the flat panel display is mounted;
An antenna provided outside the processing container and forming an induction electric field in the processing container;
A dielectric wall provided between the antenna and the processing container;
A high frequency power source for applying high frequency power to the antenna to form an induction field;
Processing gas supply means for supplying a processing gas into the processing container;
Exhaust means for bringing the processing container into a vacuum or reduced pressure state
A plasma processing apparatus which is an inductively coupled plasma processing apparatus having a.
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