KR20110040807A

KR20110040807A - Vacuum container and plasma processing apparatus

Info

Publication number: KR20110040807A
Application number: KR1020110025704A
Authority: KR
Inventors: 도시히로 가사하라
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2008-04-15
Filing date: 2011-03-23
Publication date: 2011-04-20
Also published as: CN101562126B; TW201003818A; JP2009278062A; KR101429800B1; TWI508207B; CN101562126A; JP5285403B2

Abstract

PURPOSE: A vacuum container and plasma processing apparatus are provided to have sufficient mechanical strength and a light weight and drastically save material costs and processing costs. CONSTITUTION: A lower container(1) includes one bottom wall(1a) and four side walls(1b). An insulating member(3) is arranged on the bottom part of the lower container. The insulating member has a frame shape. A susceptor(5) on which a substrate is mounted is installed on the insulating member. The gap between the insulating member and the bottom wall of the container is sealed by a sealing member(14). An O ring(19) is arranged in the bonding part between an upper container(10) and the side walls as a sealing member.

Description

VACUUM CONTAINER AND PLASMA PROCESSING APPARATUS}

본 발명은, 예를 들면 플랫 패널 디스플레이(FPD)용의 유리 기판 등의 피처리체에 대하여 진공 상태에서 플라즈마 처리 등을 행할 때에 피처리체를 수용하는 진공 용기 및 해당 진공 용기를 구비한 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
The present invention is, for example, to a plasma processing apparatus provided with a vacuum container for accommodating the processing target object and a vacuum processing apparatus for processing the processing target object such as a glass substrate for a flat panel display (FPD) in a vacuum state. It is about.

액정 디스플레이(LCD)로 대표되는 FPD의 제조 과정에 있어서는 진공 하에서 유리 기판 등의 피처리체에 에칭, 성막 등의 각종 처리가 실시된다. 플라즈마를 이용하여 상기 처리를 행하기 위해서 진공흡인 가능한 플라즈마 처리 용기를 구비한 플라즈마 처리 장치가 사용된다. 플라즈마 처리 용기는 진공 상태에서 플라즈마 처리를 행하기 때문에 용기 내외의 압력차에 견딜 수 있을 만큼의 강도가 필요하다. 그 때문에 종래의 플라즈마 처리 용기에서는 내부에 피처리체를 수용하는 용기 본체와, 이 용기 본체에 대하여 개폐가능하게 구성된 덮개를 함께 알루미늄 등의 재질이 두꺼운 부재로 형성함으로써 진공 장치로서의 기계적 강도를 갖게 하고 있었다(예컨대, 특허 문헌 1).In the manufacturing process of FPD represented by a liquid crystal display (LCD), various processes, such as etching and film-forming, are performed to to-be-processed objects, such as a glass substrate, under vacuum. In order to perform the above treatment using plasma, a plasma processing apparatus having a vacuum processing vessel capable of vacuum suction is used. Since the plasma processing vessel performs plasma processing in a vacuum state, it is necessary to have sufficient strength to withstand the pressure difference in and out of the vessel. Therefore, in the conventional plasma processing container, the container body which accommodates a to-be-processed object inside and the cover which can be opened and closed with respect to this container main body are formed by the thick member, such as aluminum, to have mechanical strength as a vacuum apparatus. (For example, patent document 1).

그러나, 최근 FPD용의 기판에 대한 대형화의 요구가 강해지고 있고, 그것에 대응하여 플라즈마 처리 용기도 대형화하는 경향이 있다. 현재는 한변이 2m를 넘는 거대한 기판을 처리 대상으로 하는 플라즈마 처리 용기도 제조되고 있고, 앞으로 더욱 대형화하는 것이 불가피하다. 이렇게 플라즈마 처리 용기가 대형화한 결과, 대기압에 견딜 수 있는 강도를 유지하기 위해서는, 용기를 구성하는 부재의 두께를 증가시킬 필요가 있다. 예를 들면, 현재의 제 8 세대(2200mm × 2400mm)의 액정 디스플레이용 기판을 처리하는 플라즈마 처리 용기로마저도, 덮개에 가해지는 대기압은 60t를 넘는다. 이 때문에, 덮개의 휨을 방지하기 위해서는 덮개의 두께를 200mm 정도까지 두껍게 할 필요가 있다. 그 결과, 덮개에 관해서의 재료비나 가공비만으로도 팽대(膨大)해져, 그 삭감이 요구되고 있었다.However, in recent years, there has been a strong demand for larger substrates for FPDs, and correspondingly, plasma processing containers tend to be larger. At present, plasma processing vessels for processing a large substrate of more than 2 m on one side are also manufactured, and it is inevitable to further increase the size in the future. As a result of the larger size of the plasma processing container, in order to maintain the strength that can withstand atmospheric pressure, it is necessary to increase the thickness of the members constituting the container. For example, even in a plasma processing vessel for processing a current eighth generation (2200 mm x 2400 mm) liquid crystal display substrate, the atmospheric pressure applied to the lid exceeds 60 t. For this reason, in order to prevent curvature of a cover, it is necessary to thicken the thickness of a cover to about 200 mm. As a result, it expanded only by the material cost and processing cost regarding a cover, and the reduction was calculated | required.

특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 2006-283096 호
Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2006-283096

본 발명은 상기 실정을 감안하여 이루어진 것으로서, 진공 용기로서 충분한 기계적 강도를 유지하면서 경량화를 도모하는 동시에, 그 재료비 및 가공비를 대폭 경감할 수 있는 진공 용기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
This invention is made | formed in view of the said situation, Comprising: It aims at providing the vacuum container which can reduce weight while maintaining sufficient mechanical strength as a vacuum container, and can significantly reduce the material cost and processing cost.

본 발명의 제 1 관점에 따른 진공 용기는 피처리체에 대하여 진공 상태에서 소정의 처리를 행하는 처리 공간을 형성하는 진공 용기에 있어서, 상부가 개구된 상자형을 이루고, 내부에 피처리체를 탑재하는 탑재대가 배치되는 하부 용기와, 상기 하부 용기에 대하여 개폐가능하게 구성되고, 폐쇄 상태에서 상기 하부 용기와 기밀하게 접합되는 상부 용기를 구비하고, A vacuum container according to a first aspect of the present invention is a vacuum container for forming a processing space for performing a predetermined process in a vacuum state with respect to a target object, the upper part of which is formed in a box shape, and is mounted on which the target object is mounted. A lower container having a stand disposed thereon, and an upper container configured to be openable and closed with respect to the lower container, and tightly bonded to the lower container in a closed state,

상기 상부 용기는 상기 하부 용기의 개구단에 접촉시켜지는 제 1 프레임체와, 상기 제 1 프레임체에 고정된 비임(beam) 구조체와, 상기 비임 구조체에 외측으로부터 연결되어 지지된 상태에서 상기 처리 공간에 처리 가스를 도입하는 샤워헤드를 갖고, The upper container includes a first frame body contacting the open end of the lower container, a beam structure fixed to the first frame body, and the processing space in a state of being connected to and supported from the outside by the beam structure. Has a showerhead for introducing a processing gas into the

상기 샤워헤드의 상부를 대기압 공간에 노출시킨 상태에서 상기 비임 구조체에 의해 대기압에 대한 내압 강도를 갖게 하고 있다.In the state where the upper part of the shower head is exposed to the atmospheric pressure space, the beam structure has a pressure resistance against atmospheric pressure.

본 발명의 제 1 관점에 따른 진공 용기에 있어서, 상기 샤워헤드는 다수의 가스 토출 구멍을 갖고 상기 탑재대에 대향하여 배치된 가스 분사판과, 상기 가스 분사판을 지지하는 베이스판과, 상기 가스 분사판과 상기 베이스판에 의해 구획되는 내부의 가스 확산 공간을 갖고 있고, 대기압의 외부 공간에 노출된 상기 베이스판을 상기 비임 구조체에 의해 지지하도록 구성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 베이스판은, 상기 처리 공간을 진공으로 한 상태에서 단체(單體)로는 대기압에 대한 필요한 내압 강도를 갖지 않는 두께로 형성되어 있는 것이 바람직하다.In the vacuum container according to the first aspect of the present invention, the shower head has a plurality of gas discharge holes and is disposed to face the mounting table, a base plate for supporting the gas injection plate, and the gas. It is preferable to comprise so that the said base board which has an internal gas diffusion space partitioned by an injection plate and the said base board, and exposed to the outer space of atmospheric pressure is supported by the said beam structure. In this case, it is preferable that the said base plate is formed in the thickness which does not have required pressure-resistant strength with respect to atmospheric pressure in the state which made the said process space into the vacuum.

본 발명의 제 1 관점에 따른 진공 용기에 있어서, 상기 샤워헤드를 상부 전극으로 하고 상기 탑재대를 하부 전극으로 하여, 상기 처리 공간 내에 플라즈마를 발생시키기 위한 한쌍의 대향 전극을 형성하고 있는 것이 바람직하다.In the vacuum container according to the first aspect of the present invention, it is preferable to form a pair of opposing electrodes for generating plasma in the processing space with the shower head as the upper electrode and the mounting table as the lower electrode. .

본 발명의 제 1 관점에 따른 진공 용기에 있어서, 상기 베이스판과 상기 제 1 프레임체 사이에, 절연성 재료로 이루어지는 스페이서 부재를 배치하는 것이 바람직하다.In the vacuum container according to the first aspect of the present invention, it is preferable to arrange a spacer member made of an insulating material between the base plate and the first frame body.

또한, 본 발명의 제 1 관점에 따른 진공 용기는 상기 베이스판과 상기 비임 구조체 사이에 도전성 플레이트 부재를 구비하고 있고, 상기 베이스판으로부터 상기 도전성 플레이트 부재를 거쳐 상기 제 1 프레임체를 향해 전류의 경로가 형성되도록 구성되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 베이스판과 상기 도전성 플레이트 부재가 상기 베이스판의 중앙부에서 전기적으로 접속되어 있는 것이 바람직하다.In addition, the vacuum container according to the first aspect of the present invention includes a conductive plate member between the base plate and the beam structure, and a path of electric current from the base plate to the first frame body via the conductive plate member. Is preferably configured to form. In this case, it is preferable that the base plate and the conductive plate member are electrically connected at the center portion of the base plate.

본 발명의 제 1 관점에 따른 진공 용기에 있어서, 상기 비임 구조체와 상기 샤워헤드를, 상기 샤워헤드의 높이 위치를 가변적으로 조정가능한 복수의 연결 수단에 의해 연결하는 것이 바람직하다.In the vacuum container according to the first aspect of the present invention, it is preferable to connect the beam structure and the shower head by a plurality of connecting means that can variably adjust the height position of the shower head.

본 발명의 제 1 관점에 따른 진공 용기에 있어서, 상기 비임 구조체가 아치 형상의 비임 부재를 갖고 있는 것이 바람직하다.In the vacuum container according to the first aspect of the present invention, it is preferable that the beam structure has an arc-shaped beam member.

본 발명의 제 2 관점에 따른 진공 용기는 피처리체에 대하여 진공 상태에서 소정의 처리를 행하는 처리 공간을 형성하는 진공 용기에 있어서, A vacuum container according to a second aspect of the present invention is a vacuum container for forming a processing space for performing a predetermined process in a vacuum state to an object to be processed,

상부가 개구된 상자형을 이루고, 내부에 피처리체를 탑재하는 탑재대가 배치되는 하부 용기와, A lower container which forms a box shape with an upper opening, and has a mounting table on which an object to be processed is mounted;

상기 하부 용기에 대하여 개폐가능하게 구성되고, 폐쇄 상태에서 상기 하부 용기와 기밀하게 접합되는 상부 용기를 구비하고, An upper container configured to be openable and close to the lower container, the upper container being hermetically bonded to the lower container in a closed state,

상기 상부 용기는 상기 하부 용기의 개구단에 접촉시켜지는 제 1 프레임체와, 해당 제 1 프레임체에 고정된 비임 구조체와, 하부 전극으로서의 상기 탑재대에 대향해서 배치됨과 동시에 상기 비임 구조체에 외측으로부터 연결되어 지지된 상부 전극을 갖고,The upper container is arranged to face the first frame body to be brought into contact with the open end of the lower container, the beam structure fixed to the first frame body, and the mounting table as the lower electrode, and is disposed from outside the beam structure. Has an upper electrode connected and supported,

상기 상부 전극의 상부를 대기압 공간에 노출시킨 상태에서, 상기 비임 구조체에 의해 대기압에 대한 내압 강도를 갖게 하고 있다.In the state where the upper part of the upper electrode is exposed to the atmospheric pressure space, the beam structure has a breakdown strength against atmospheric pressure.

본 발명의 제 2 관점에 따른 진공 용기는 상기 상부 전극과 상기 비임 구조체의 사이에 도전성 플레이트 부재를 구비하고 있고, 상기 상부 전극으로부터 상기 도전성 플레이트 부재를 거쳐 상기 제 1 프레임체를 향해 전류의 경로가 형성되도록 구성되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 상부 전극과 상기 도전성 플레이트 부재가, 상기 상부 전극의 중앙부에서 전기적으로 접속되어 있는 것이 바람직하다.The vacuum container according to the second aspect of the present invention includes a conductive plate member between the upper electrode and the beam structure, and a path of current from the upper electrode to the first frame body through the conductive plate member. It is preferable that it is comprised so that it may be formed. In this case, it is preferable that the said upper electrode and the said conductive plate member are electrically connected in the center part of the said upper electrode.

본 발명의 제 3 관점에 따른 진공 용기는 피처리체에 대하여 진공 상태에서 소정의 처리를 행하는 처리 공간을 형성하는 진공 용기에 있어서, A vacuum container according to a third aspect of the present invention is a vacuum container for forming a processing space for performing a predetermined process in a vacuum state to an object to be processed,

내부에 피처리체를 탑재하는 탑재대가 배치되는 하부 용기와, A lower container in which a mounting table on which a target object is mounted is disposed;

상기 하부 용기는 상기 상부 용기에 접촉시켜지는 동시에 상기 탑재대를 지지하는 지지부를 갖는 제 2 프레임체와, 상기 제 2 프레임체에 고정된 비임 구조체를 갖고 있고, The lower container has a second frame body which is in contact with the upper container and supports the mounting table, and a beam structure fixed to the second frame body,

상기 제 2 프레임체의 상기 지지부에서 상기 탑재대를 지지하면서, 상기 탑재대의 바닥부를 대기압 공간에 노출시킨 상태에서 상기 비임 구조체에 의해 대기압에 대한 내압 강도를 갖게 하고 있다.The support structure of the second frame body supports the mount table, and the beam structure has a pressure resistance against atmospheric pressure by the beam structure in a state where the bottom portion of the mount frame is exposed to an atmospheric pressure space.

본 발명의 제 4 관점에 따른 플라즈마 처리 장치는 상기 어느 하나에 기재된 진공 용기를 구비하고 있다.
The plasma processing apparatus according to the fourth aspect of the present invention includes the vacuum vessel according to any one of the above.

본 발명의 진공 용기에 의하면, 제 1 프레임체와 비임 구조체와 샤워헤드에 의해 상부 용기를 구성하고, 샤워헤드의 상부를 대기압의 외부 공간에 노출시킨 상태에서, 비임 구조체에 의해 진공 용기로서 필요한 내압 강도를 갖게 하는 구성으로 했다. 이 때문에, 종래의 진공 용기에 필요했던 내압 강도를 갖는 두껍고 무거운 덮개를 마련하여 샤워헤드를 보호할 필요가 없어져서, 종래의 진공 용기와 비교하여 용기의 상부를 대폭 경량화할 수 있는 동시에 재료비·가공비 등을 대폭 경감할 수 있다.According to the vacuum container of the present invention, the upper container is constituted by the first frame body, the beam structure, and the shower head, and the internal pressure required as the vacuum container by the beam structure while the upper part of the shower head is exposed to an external space at atmospheric pressure. It was set as the structure to have strength. This eliminates the need to provide a thick and heavy cover having the pressure resistance required for a conventional vacuum container to protect the showerhead, which allows the upper portion of the container to be significantly lighter than the conventional vacuum container, and at the same time material costs and processing costs. Can be greatly reduced.

또한, 본 발명의 진공 용기에 의하면, 덮개를 마련하지 않고, 샤워헤드의 상부가 대기압의 외부 공간에 노출된 상태로 되어 있는 점으로부터 샤워헤드에 대한 유지 보수 등을 용이하게 실행할 수 있다.
Moreover, according to the vacuum container of this invention, since the upper part of a showerhead is exposed to the external space of atmospheric pressure, without providing a cover, maintenance of a showerhead etc. can be performed easily.

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치의 외관 구성을 도시하는 사시도,
도 2는 도 1의 플라즈마 에칭 장치의 개략 단면도,
도 3은 비임 구조체와 베이스판의 연결 구조를 도시한 도 2의 요부 확대도,
도 4는 실드 플레이트의 장착 상태를 도시한 도 2의 요부 확대도,
도 5는 실드 플레이트의 설명에 제공되는 도면으로서, 도 5의 (a)는 실드 플레이트를 장착한 상태의 상부 용기의 하면의 상태를 도시하는 도면이고, 도 5의 (b) 및 도 5의 (c)는 실드 플레이트의 코너부의 확대도,
도 6은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치의 요부의 단면도,
도 7은 도전성 플레이트를 장착한 상태의 상부 전극을 도시하는 평면도,
도 8은 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치의 외관 구성을 도시하는 사시도,
도 9는 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치의 외관 구성을 도시하는 사시도,
도 10은 본 발명의 제 5 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치의 외관 구성을 도시하는 사시도,
도 11은 본 발명의 제 6 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치의 외관 구성을 도시하는 사시도,
도 12는 본 발명의 제 7 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치의 개략 단면도.1 is a perspective view showing an appearance configuration of a plasma etching apparatus according to a first embodiment of the present invention;
2 is a schematic cross-sectional view of the plasma etching apparatus of FIG. 1;
3 is an enlarged view illustrating main parts of FIG. 2, showing a connection structure between a beam structure and a base plate;
4 is an enlarged view illustrating main parts of FIG. 2, showing a mounting state of a shield plate;
FIG. 5 is a view provided for the description of the shield plate, and FIG. 5A is a view showing a state of the lower surface of the upper container in a state where the shield plate is mounted, and FIGS. 5B and 5 ( c) is an enlarged view of the corner portion of the shield plate,
6 is a cross-sectional view of relevant parts of the plasma etching apparatus according to the second embodiment of the present invention;
7 is a plan view showing an upper electrode in a state where a conductive plate is mounted;
8 is a perspective view showing an appearance configuration of a plasma etching apparatus according to a third embodiment of the present invention;
9 is a perspective view showing an appearance configuration of a plasma etching apparatus according to a fourth embodiment of the present invention;
10 is a perspective view showing an appearance configuration of a plasma etching apparatus according to a fifth embodiment of the present invention;
11 is a perspective view showing an appearance configuration of a plasma etching apparatus according to a sixth embodiment of the present invention;
12 is a schematic cross-sectional view of a plasma etching apparatus according to a seventh embodiment of the present invention.

[제 1 실시형태][First embodiment]

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조해서 상세하게 설명한다. 우선, 도 1 내지 도 5를 참조하여, 본 실시형태에 따른 진공 용기를 구비한 플라즈마 에칭 장치(100)에 대해서 설명을 행한다. 도 1은 플라즈마 에칭 장치(100)의 외관을 도시하는 사시도이고, 도 2는 플라즈마 에칭 장치(100)의 개략 구성을 도시하는 단면도이다. 또한, 도 3 및 도 4는 도 2의 요부를 확대한 단면도이다. 플라즈마 에칭 장치(100)는 예를 들면 FPD용의 유리 기판(이하, 단지 「기판」이라고 한다)(S)에 대하여 플라즈마 에칭 처리를 행하기 위한 장치로서 구성되어 있다. 또한, FPD로서는 액정 디스플레이(LCD), 일렉트로 루미네센스(Electro Luminescence, EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail with reference to drawings. First, with reference to FIGS. 1-5, the plasma etching apparatus 100 provided with the vacuum container which concerns on this embodiment is demonstrated. 1 is a perspective view showing the appearance of the plasma etching apparatus 100, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the plasma etching apparatus 100. As shown in FIG. 3 and 4 are enlarged cross-sectional views of the main part of FIG. 2. The plasma etching apparatus 100 is comprised as an apparatus for performing a plasma etching process with respect to the glass substrate for FPD (henceforth only a "substrate") S, for example. Moreover, as FPD, a liquid crystal display (LCD), an electro luminescence (EL) display, a plasma display panel (PDP), etc. are illustrated.

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 플라즈마 에칭 장치(100)는 직사각형을 한 기판(S)에 대하여 에칭을 실행하는 용량 결합형의 평행 평판 플라즈마 에칭 장치로서 구성되어 있다. 이 플라즈마 에칭 장치(100)는, 예를 들면 내면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 각통(角筒) 형상으로 성형된 하부 용기(1)와, 이 하부 용기(1)에 조합되는 상부 용기(10)를 갖고 있다. 하부 용기(1)와 상부 용기(10)에 의해 진공 용기인 플라즈마 처리 용기(100a)가 구성되어 있다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the plasma etching apparatus 100 is configured as a capacitively coupled parallel plate plasma etching apparatus which performs etching on a rectangular substrate S. As shown in FIG. This plasma etching apparatus 100 is combined with the lower container 1 and the lower container 1 shape | molded in the shape of the square cylinder which consists of aluminum with an anodized (anodic oxidation treatment) inner surface, for example. It has an upper container 10. The lower vessel 1 and the upper vessel 10 constitute a plasma processing vessel 100a that is a vacuum vessel.

도 2에 도시한 바와 같이, 하부 용기(1)는 바닥벽(1a) 및 4방의 측벽(1b)에 의해 구성되며, 상부가 개구된 하우징이다. 바닥벽(1a)과 측벽(1b)은 예를 들면 절삭 가공 등에 의해 상자형으로 일체 성형되고, 표면에 알루마이트 처리(양극 산화 처리)가 실시되어 있다. 또한, 하부 용기(1)는 접지 전위로 되어 있다.As shown in FIG. 2, the lower container 1 is comprised by the bottom wall 1a and the four side walls 1b, and is a housing with an upper opening. The bottom wall 1a and the side wall 1b are integrally formed into a box shape by, for example, cutting and the like, and anodized (anodic oxidation) is applied to the surface. The lower container 1 is at ground potential.

하부 용기(1) 내의 바닥부에는 프레임 형상의 절연 부재(3)가 배치되어 있다. 절연 부재(3) 상에는 기판(S)을 탑재가능한 탑재대인 서셉터(5)가 마련되어 있다.The frame-shaped insulating member 3 is arrange | positioned at the bottom part in the lower container 1. On the insulating member 3, the susceptor 5 which is a mounting table which can mount the board | substrate S is provided.

하부 전극이기도 한 서셉터(5)는 기재(7)를 구비하고 있다. 기재(7)는 예를 들면 알루미늄이나 스테인리스강(SUS) 등의 도전성 재료로 형성되어 있다. 기재(7)는 절연 부재(3) 상에 배치되고, 양쪽 부재의 접합 부분에는 O링 등의 시일 부재(13)가 배치되어 기밀성이 유지되어 있다. 절연 부재(3)와 하부 용기(1)의 바닥벽(1a) 사이도 시일 부재(14)에 의해 기밀성이 유지되어 있다. 기재(7)의 측부 외주는 절연 부재(17)에 의해 둘러싸여져 있다. 이것에 의해, 서셉터(5)의 측면의 절연성이 확보되어 플라즈마 처리의 때의 이상 방전이 방지되어 있다.The susceptor 5, which is also a lower electrode, is provided with a substrate 7. The base material 7 is formed of electroconductive material, such as aluminum and stainless steel (SUS), for example. The base material 7 is arrange | positioned on the insulating member 3, and sealing member 13, such as an O-ring, is arrange | positioned at the joint part of both members, and airtightness is maintained. The airtightness is also maintained by the sealing member 14 between the insulating member 3 and the bottom wall 1a of the lower container 1. The side outer periphery of the base material 7 is surrounded by the insulating member 17. Thereby, the insulation of the side surface of the susceptor 5 is ensured, and abnormal discharge at the time of plasma processing is prevented.

상부 용기(10)는 도시하지 않는 개폐 기구에 의해, 하부 용기(1)에 대하여 개폐가능하게 구성되어 있다. 상부 용기(10)를 폐쇄한 상태에서, 상부 용기(10)와 측벽(1b)의 접합 부분에는 시일 부재로서의 O링(19)이 배치되어, 상부 용기(10)와 측벽(1b)의 접합 부분의 기밀성이 확보되어 있다.The upper container 10 is comprised so that opening and closing with respect to the lower container 1 by the opening / closing mechanism not shown. In the state where the upper container 10 is closed, an O-ring 19 as a seal member is disposed at the joining portion of the upper container 10 and the side wall 1b, where the joining portion of the upper container 10 and the side wall 1b is disposed. Confidentiality of is secured.

상부 용기(10)는 주요한 구성으로서, 제 1 프레임체로서의 프레임체(21)와, 이 프레임체(21)에 절연 부재(23)를 거쳐 연결된 샤워헤드(25)와, 이들 프레임체(21) 및 샤워헤드(25)의 상방에 배치하여 마련된 비임 구조체(27)를 구비하고 있다. 또한, 샤워헤드(25)를 프레임체(21)에 직접 연결하는 경우는 절연 부재(23)는 불필요하다.The upper container 10 is a main structure, The frame 21 as a 1st frame body, the shower head 25 connected to the frame 21 via the insulating member 23, and these frame bodies 21 And a beam structure 27 arranged to be disposed above the shower head 25. In addition, when connecting the showerhead 25 directly to the frame body 21, the insulating member 23 is unnecessary.

프레임체(21)는 하부 용기(1)와 같은 재질, 예를 들면 내면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄 등에 의해 형성되고, 전체로서 대략 사각형의 프레임 형상을 하고 있다. 프레임체(21)는 하부 용기(1)의 측벽(1b)의 상단[하부 용기(1)의 개구단]에 접촉되어 있다. 프레임체(21)와 측벽(1b)의 접촉 부위에는 상기 O링(19)이 배치되어서 진공 용기로서의 기밀성이 유지되어 있다.The frame 21 is formed of the same material as the lower container 1, for example, aluminum having an anodized (anodic oxidation) inner surface, and has a generally rectangular frame shape as a whole. The frame 21 is in contact with the upper end (open end of the lower container 1) of the side wall 1b of the lower container 1. The O-ring 19 is arranged at the contact portion between the frame 21 and the side wall 1b to maintain the airtightness as a vacuum container.

비임 구조체(27)는 프레임체(21) 상에 프레임체(21)와 대략 동일한 크기로 탑재된 프레임 형상의 외측 비임(27a)과, 이 외측 비임(27a)의 내측에 격자 형상으로 배치하여 마련된 내측 비임(27b)을 갖고 있다. 비임 구조체(27)로서는 충분한 강성을 갖는 재질, 예를 들면 철, 스테인리스 등을 이용할 수 있다. 비임 구조체(27)를 구성하는 부재로서는, 예를 들면 H형 강 등을 바람직하게 이용할 수 있다. 외측 비임(27a)과 내측 비임(27b), 그리고 내측 비임(27b)끼리의 교차 부위는 예를 들면 용접 등의 방법으로 접합되어 있다. 외측 비임(27a)은 프레임체(21)에, 예를 들면 볼트 등의 연결 수단(도시 생략)으로 고정되어 있다.The beam structure 27 is provided by arranging the frame-shaped outer beam 27a mounted on the frame 21 in substantially the same size as the frame body 21 and in the lattice shape inside the outer beam 27a. It has an inner beam 27b. As the beam structure 27, a material having sufficient rigidity, for example, iron, stainless steel, or the like can be used. As the member constituting the beam structure 27, for example, H-type steel can be preferably used. Intersection portions between the outer beam 27a, the inner beam 27b, and the inner beam 27b are joined by, for example, welding or the like. The outer beam 27a is fixed to the frame 21 by connecting means (not shown), such as a bolt, for example.

샤워헤드(25)는 서셉터(5)의 상방에 있어서, 서셉터(5)와 평행하게 또한 서셉터(5)에 대향하여 배치되어 있다. 샤워헤드(25)는 플라즈마 처리 용기(100a) 내에서 처리 가스의 플라즈마를 생성시키기 위한 상부 전극으로서도 기능한다. 샤워헤드(25)는, 예를 들면 양극 산화 처리한 알루미늄 등으로 이루어지는 베이스판(31)과, 서셉터(5)와의 대향면에 다수의 가스 토출 구멍(33)을 구비한 가스 분사판(35)을 갖고 있다. 베이스판(31)은 예를 들면 65mm 내지 75mm 범위 내의 두께로 형성되어 있다. 따라서, 베이스판(31)은 플라즈마 처리 용기(100a) 내를 진공 상태(예를 들면, 1×1O^-3Pa 이하의 진공 상태)로 한 경우에 그것 자체[단체(單體)]로는 대기압에 저항하는 내압 강도는 갖고 있지 않다. 베이스판(31)과 가스 분사판(35) 사이에는 가스 확산 공간(36)이 형성되어 있다. 베이스판(31)과 가스 분사판(35)은 양쪽 부재의 주변부 및 가스 확산 공간(36)에 건너질러 마련된 복수의 매다는 부재(38)에 의해 고정되어 있다. 상부 전극으로서의 샤워헤드(25)는 하부 전극으로서의 서셉터(5)와 함께 한쌍의 평행 평판 전극을 구성하고 있다.The showerhead 25 is disposed above the susceptor 5 in parallel with the susceptor 5 and facing the susceptor 5. The showerhead 25 also functions as an upper electrode for generating plasma of the processing gas in the plasma processing container 100a. The shower head 25 includes, for example, a base plate 31 made of anodized aluminum or the like, and a gas injection plate 35 having a plurality of gas discharge holes 33 on a surface opposite to the susceptor 5. ) The base plate 31 is formed to a thickness within a range of, for example, 65 mm to 75 mm. Accordingly, when the base plate 31 is in a vacuum state (for example, a vacuum state of 1 × 10 ⁻³ Pa or less) in the plasma processing container 100a, the base plate 31 itself is subjected to atmospheric pressure. It does not have a withstand voltage strength to resist. A gas diffusion space 36 is formed between the base plate 31 and the gas injection plate 35. The base plate 31 and the gas injection plate 35 are fixed by a plurality of hanging members 38 provided across the periphery of both members and the gas diffusion space 36. The showerhead 25 as the upper electrode constitutes a pair of parallel plate electrodes together with the susceptor 5 as the lower electrode.

도 3은 연결 수단(29)에 의한 베이스판(31)과 비임 구조체(27)의 부착 구조를 도시하는 확대 단면도이다. 샤워헤드(25)의 베이스판(31)은 비임 구조체(27)의 외측 비임(27a) 및 내측 비임(27b)에 베이스판(31)의 높이 방향의 위치를 조정가능한 연결 수단(29)에 의해 기계적으로 고정되며, 복수의 접속 부재(115)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 이 연결 수단(29)은 절연 스페이서(101), 스크류 조정기(102), 볼트(103), 너트(104) 및 절연 부재(105)를 갖고 있다. 비임 구조체(27)는 베이스판(31)에 절연 스페이서(101) 및 스크류 조정기(102)를 거쳐 볼트(103)에 의해 설치되어 있다. 스크류 조정기(102)는 비임 구조체(27)의 부착 구멍(106)에 삽입되고, 너트(104)에 의해 체결되어 있다. 볼트(103)는 절연 부재의 위로부터 스크류 조정기(102) 내에 삽입되어, 베이스판(31)을 비임 구조체(27) 쪽으로 바싹 끌어 당기도록 고정되어 있다. 볼트(103)와 스크류 조정기(102)의 사이에는 절연을 위한 간극이 형성되어 있다. 이렇게 스크류 조정기(102)와 너트(104)를 이용한 부착 구조로 한 것에 의해, 스크류 조정기(102)의 고정 위치[너트(104)에 의한 체결 위치]를 상하로 미세조정할 수 있으므로, 비임 구조체(27)에 베이스판(31)을 확실하게 고정할 수 있다. 또한, 절연 스페이서(101) 및 절연 부재(105)를 장착하지 않고, 연결 수단(29)에 의해 베이스판(31)과 비임 구조체(27) 사이의 전기적 접속을 도모하는 것도 가능하고, 그 경우는 접속 부재(115)를 생략할 수 있다. 또한, 예를 들면 지그 등을 이용하여 높이 조정을 실행하는 것에 의해, 절연 스페이서(101)를 생략해도 좋다. 또한, 스크류 조정기(102)와 볼트(103) 사이를 대기(간극)로 절연하는 대신에, 절연 부재를 개재시켜서 절연해도 좋다.3 is an enlarged cross-sectional view showing the attachment structure of the base plate 31 and the beam structure 27 by the connecting means 29. The base plate 31 of the showerhead 25 is connected to the outer beam 27a and the inner beam 27b of the beam structure 27 by the connecting means 29 which can adjust the position of the base plate 31 in the height direction. It is fixed mechanically and is electrically connected by the some connecting member 115. As shown in FIG. This connecting means 29 has an insulating spacer 101, a screw adjuster 102, a bolt 103, a nut 104, and an insulating member 105. The beam structure 27 is attached to the base plate 31 by the bolt 103 via the insulating spacer 101 and the screw adjuster 102. The screw adjuster 102 is inserted into the attachment hole 106 of the beam structure 27 and is fastened by the nut 104. The bolt 103 is inserted into the screw adjuster 102 from above the insulating member and fixed to pull the base plate 31 toward the beam structure 27. A gap for insulation is formed between the bolt 103 and the screw adjuster 102. Thus, by using the attachment mechanism using the screw adjuster 102 and the nut 104, since the fixing position (fastening position by the nut 104) of the screw adjuster 102 can be finely adjusted up and down, the beam structure 27 ), The base plate 31 can be fixed reliably. It is also possible to achieve electrical connection between the base plate 31 and the beam structure 27 by the connecting means 29 without attaching the insulating spacer 101 and the insulating member 105, in which case The connection member 115 can be omitted. In addition, you may abbreviate | omit the insulating spacer 101 by performing height adjustment using a jig | tool etc., for example. In addition, you may insulate through the insulating member instead of insulating between the screw adjuster 102 and the bolt 103 by air | atmosphere (gap).

샤워헤드(25)의 상부 중앙 부근에는 가스 도입구(37)가 마련되어 있다. 이 가스 도입구(37)에는 처리 가스 공급관(39)이 접속되어 있다. 이 처리 가스 공급관(39)에는 2개의 밸브(41, 41) 및 매스 플로우 컨트롤러(43)를 거쳐 에칭을 위한 처리 가스를 공급하는 가스 공급원(45)이 접속되어 있다. 처리 가스로서는, 예를 들면 할로겐계 가스나 O₂ 가스 외에, Ar 가스 등의 희가스 등을 이용할 수 있다.A gas inlet 37 is provided near the upper center of the showerhead 25. The process gas supply pipe 39 is connected to this gas inlet 37. The processing gas supply pipe 39 is connected to a gas supply source 45 for supplying processing gas for etching via two valves 41 and 41 and a mass flow controller 43. As the processing gas, for example, halogen-based gas or O ₂ In addition to the gas, a rare gas such as Ar gas can be used.

상기 하부 용기(1)의 바닥부의 4구석에는 배기구(51)가 4개소에 형성되어 있다. 배기구(51)에는 배기관(53)이 접속되어 있고, 이 배기관(53)은 배기 장치(55)에 접속되어 있다. 배기 장치(55)는 예를 들면 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하고 있고, 이것에 의해 플라즈마 처리 용기(100a) 내를 소정의 감압 분위기까지 진공 흡인하는 것이 가능하게 구성되어 있다.Four exhaust ports 51 are formed at four corners of the bottom of the lower container 1. An exhaust pipe 53 is connected to the exhaust port 51, and the exhaust pipe 53 is connected to the exhaust device 55. The exhaust device 55 is provided with a vacuum pump such as a turbomolecular pump, for example, and is thereby configured to allow vacuum suction inside the plasma processing vessel 100a to a predetermined reduced pressure atmosphere.

또한, 하부 용기(1)의 일방의 측벽(1b)에는, 해당 측벽(1b)에 관통 형성된 개구부로서의 기판 반송용 개구(61)가 마련되어 있다. 이 기판 반송용 개구(61)는 게이트 밸브(도시 생략)에 의해 개폐된다. 그리고, 이 게이트 밸브를 개방시킨 상태에서, 기판 반송용 개구(61)를 거쳐 기판(S)이 반입반출되도록 되어 있다.Moreover, the board | substrate conveyance opening 61 as an opening part formed in the side wall 1b of the lower container 1 through the side wall 1b is provided. The substrate transfer opening 61 is opened and closed by a gate valve (not shown). And the board | substrate S is carried in and out through the board | substrate conveyance opening 61 in the state which opened this gate valve.

서셉터(5)의 기재(7)에는 급전선(71)이 접속되어 있다. 이 급전선(71)에는 매칭 박스(M.B.)(73)를 거쳐 고주파 전원(75)이 접속되어 있다. 이것에 의해, 고주파 전원(75)으로부터, 예컨대 13.56MHz의 고주파 전력이 하부 전극으로서의 서셉터(5)에 공급된다. 또한, 급전선(71)은 바닥벽(1a)에 형성된 개구(77)를 거쳐 처리 용기 내에 도입되어 있다.The feeder line 71 is connected to the base material 7 of the susceptor 5. The power supply line 71 is connected to a high frequency power supply 75 via a matching box (M.B.) 73. Thereby, high frequency power of 13.56 MHz is supplied from the high frequency power supply 75 to the susceptor 5 as a lower electrode. In addition, the feed line 71 is introduced into the processing container via the opening 77 formed in the bottom wall 1a.

또한, 상부 용기(10)의 하면에는 프레임체(21), 절연 부재(23) 및 샤워헤드(25)[가스 분사판(35)]의 연결 부분을 덮도록, 예를 들면 세라믹스 등의 절연재료에 의해 프레임 형상으로 형성되어 이루어지는 실드 플레이트(81)가 배치되어 있다. 이 실드 플레이트(81)는 플라즈마 처리 용기(100a) 내에서 생성된 플라즈마를 서셉터(5)의 상방 공간[즉, 기판(S)의 상방]에 집중시키는 동시에 프레임체(21), 절연 부재(23) 및 가스 분사판(35)의 접합 경계 부분을 플라즈마에 의한 폭로로부터 실드하는 기능을 갖고 있다.In addition, an insulating material such as ceramics is disposed on the lower surface of the upper container 10 so as to cover the connecting portion of the frame body 21, the insulating member 23, and the shower head 25 (gas jet plate 35). The shield plate 81 formed in frame shape by this is arrange | positioned. The shield plate 81 concentrates the plasma generated in the plasma processing container 100a in the space above the susceptor 5 (that is, above the substrate S), and at the same time, the frame 21 and the insulating member ( 23) has a function of shielding the junction boundary portion of the gas injection plate 35 from the exposure by the plasma.

도 4에 확대하여 도시한 바와 같이, 실드 플레이트(81)는 나사(91) 등의 고정 수단에 의해 절연 부재(23)에 장착되어 있다. 나사(91)는 플라즈마 처리 용기(100a) 내(플라즈마 생성 공간)에 금속 재료가 노출하는 것을 피할 목적으로, 도시하는 바와 같이 나사 머리(91a)가 통상의 나사와 비교하여 낮게 형성되어 있고, 또한 예를 들면 세라믹스(알루미나)나 석영 등의 절연 재료로 이루어지는 커버(93)에 의해 나사 머리(91a)가 절연 피복되어 있다. 또한, 나사 머리(91a) 및 커버(93)를 실드 플레이트(81)에 매설한 구성으로 해도 좋다.As enlarged in FIG. 4, the shield plate 81 is attached to the insulating member 23 by fixing means such as a screw 91. As for the purpose of avoiding the metal material being exposed to the plasma processing vessel 100a (plasma generating space), the screw 91 has a lower screw head 91a than the conventional screw, as shown. For example, the screw head 91a is insulated and covered with the cover 93 which consists of insulating materials, such as ceramics (alumina) and quartz. The screw head 91a and the cover 93 may be embedded in the shield plate 81.

실드 플레이트(81)는 프레임 형상을 하고 있고, 그 내주측이 외주측과 비교하여 경사져 두께가 얇게 형성된 테이퍼부(81a)를 갖고 있다. 플라즈마 처리 용기(100a)에서 플라즈마 에칭 처리를 반복하여 실행하면, 용기 내부에 반응 생성물 등에 의한 퇴적물이 형성되어 간다. 특히, 부재와 부재의 접합 부분의 단차가 형성되어 있는 경우, 단차 부분은 플라즈마에 직접 쬐기가 어려워지기 때문에 퇴적물이 축적되기 쉽고, 파티클 발생의 원인으로 되기 쉽다. 테이퍼부(81a)는 실드 플레이트(81)와 가스 분사판(35) 사이에 형성되는 단차를 대폭 작게 하여, 단차 부분에서의 퇴적물의 축적을 방지하는 기능을 갖고 있다.The shield plate 81 has a frame shape, and its inner peripheral side is inclined compared with the outer peripheral side, and has the taper part 81a formed thin in thickness. When the plasma etching process is repeatedly performed in the plasma processing container 100a, deposits due to reaction products or the like are formed in the container. In particular, when a step is formed between the member and the joined portion of the member, since the step portion becomes difficult to be directly exposed to the plasma, deposits tend to accumulate and are likely to cause particle generation. The taper portion 81a has a function of significantly reducing the step formed between the shield plate 81 and the gas injection plate 35 to prevent accumulation of deposits at the stepped portion.

또한, 도 5의 (a)에 실드 플레이트(81)가 장착된 상부 용기(10)를 하방으로부터 본 상태[즉, 상부 용기(10)의 하면]를 도시하는 동시에, 도 5의 (b)에 실드 플레이트(81)의 코너부(81b)의 확대도를 도시했다. 상기와 마찬가지로 퇴적물의 축적을 억제하여 파티클의 발생을 방지하는 관점으로부터, 직사각형의 프레임 형상을 하는 실드 플레이트(81)의 내주의 네 구석의 코너부(81b)는 둥근 부분을 가진 형상으로 가공되어 있다. 이와 같이, 테이퍼부(81a)를 마련하고, 추가로 각을 둥글게 가공함으로써, 퇴적물의 축적을 대폭 억제하여 파티클의 발생을 방지하고 있다. 또한, 실드 플레이트(81)는 도 5의 (c)에 도시한 바와 같이 단면 형상이 반구 형상 혹은 반타원 형상이 되도록 형성해도 좋다.In addition, the state which looked at the upper container 10 with which the shield plate 81 was attached to FIG. 5A from the bottom (that is, the lower surface of the upper container 10) is shown, and it is shown in FIG. An enlarged view of the corner portion 81b of the shield plate 81 is shown. As described above, the corner portions 81b of the four corners of the inner circumference of the shield plate 81 having a rectangular frame shape are processed into a shape having a rounded portion from the viewpoint of suppressing accumulation of deposits and preventing generation of particles. . In this manner, the tapered portion 81a is provided and the corners are further rounded, thereby greatly suppressing accumulation of deposits and preventing generation of particles. In addition, the shield plate 81 may be formed so that the cross-sectional shape may be a hemispherical shape or a semi-ellipse shape as shown in Fig. 5C.

다음에, 이상과 같이 구성되는 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서의 처리 동작에 관해서 설명한다. 우선, 도시하지 않는 게이트 밸브가 개방된 상태에서 피처리체인 기판(S)이 도시하지 않는 반송 장치에 의해 기판 반송용 개구(61)를 거쳐 하부 용기(1) 내로 반입되고, 서셉터(5)로 기판(S)의 주고받음이 행해진다. 그 후, 게이트 밸브가 폐쇄되고, 배기 장치(55)에 의해 하부 용기(1) 내가 소정의 진공도까지 진공 흡인된다.Next, the processing operation in the plasma etching apparatus 100 configured as described above will be described. First, in the state in which the gate valve which is not shown in figure is opened, the board | substrate S which is a to-be-processed object is carried in into the lower container 1 via the board | substrate conveyance opening 61 by the conveying apparatus which is not shown, and the susceptor 5 is carried out. The substrate S is exchanged with each other. Thereafter, the gate valve is closed, and the lower container 1 is vacuum sucked up to a predetermined vacuum degree by the exhaust device 55.

다음에, 밸브(41)를 개방하고, 처리 가스를 가스 공급원(45)으로부터 처리 가스 공급관(39), 가스 도입구(37)를 거쳐 샤워헤드(25)의 가스 확산 공간(36)으로 도입한다. 이 때, 매스 플로우 컨트롤러(43)에 의해 처리 가스의 유량 제어가 실행된다. 가스 확산 공간(36)에 도입된 처리 가스는, 추가로 복수의 가스 토출 구멍(33)을 거쳐 서셉터(5) 상에 탑재된 기판(S)에 대하여 균일하게 토출되고, 하부 용기(1) 내의 압력이 소정의 수치로 유지된다.Next, the valve 41 is opened, and the processing gas is introduced into the gas diffusion space 36 of the shower head 25 from the gas supply source 45 via the processing gas supply pipe 39 and the gas inlet 37. . At this time, the mass flow controller 43 executes the flow rate control of the processing gas. The processing gas introduced into the gas diffusion space 36 is further uniformly discharged with respect to the substrate S mounted on the susceptor 5 via the plurality of gas discharge holes 33 and the lower container 1. The pressure inside is maintained at a predetermined value.

이 상태에서, 고주파 전원(75)으로부터 고주파 전력이 매칭 박스(73)를 거쳐 서셉터(5)에 인가된다. 이것에 의해, 하부 전극으로서의 서셉터(5)와 상부 전극으로서의 샤워헤드(25) 사이에 고주파 전계가 발생하고, 처리 가스가 해리되어 플라즈마화한다. 이 플라즈마에 의해 기판(S)에 에칭 처리가 실시된다.In this state, high frequency power is applied from the high frequency power supply 75 to the susceptor 5 via the matching box 73. As a result, a high frequency electric field is generated between the susceptor 5 as the lower electrode and the showerhead 25 as the upper electrode, and the processing gas is dissociated to form a plasma. An etching process is performed to the board | substrate S by this plasma.

에칭 처리를 실시한 후, 고주파 전원(75)으로부터의 고주파 전력의 인가를 정지하고, 가스 도입을 정지한 후, 하부 용기(1) 내를 소정의 압력까지 감압한다. 다음에, 게이트 밸브를 개방하고, 서셉터(5)로부터 반송 장치에 기판(S)이 건네지고, 하부 용기(1)의 기판 반송용 개구(61)로부터 반출된다. 이상의 조작에 의해, 기판(S)에 대한 에칭 처리가 종료한다.After performing the etching process, the application of the high frequency power from the high frequency power supply 75 is stopped, and gas introduction is stopped, and then the inside of the lower container 1 is reduced to a predetermined pressure. Next, the gate valve is opened, the substrate S is passed from the susceptor 5 to the transfer device, and is carried out from the substrate transfer opening 61 of the lower container 1. By the above operation, the etching process with respect to the board | substrate S is complete | finished.

본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 용기(100a)에서는 종래의 FPD용 플라즈마 처리 용기에 필요했던 두껍고 무거운 덮개를 사용하지 않고, 프레임체(21)와 샤워헤드(25)와 비임 구조체(27)를 갖는 상부 용기(10)로 치환하는 구성으로 했다. 진공 상태에서는, 상부 용기(10)의 비임 구조체(27)에 의해 베이스판(31)이 대기압에 저항하여 치켜 올려지도록 고정되기 때문에, 진공 장치로서 충분한 기계적 강도를 유지할 수 있다. 이 때문에, 샤워헤드(25)의 상부를 이루는 베이스판(31)을 대기압의 외부 공간에 노출시킨 상태로 해둘 수 있다. 따라서, 내압성의 덮개로 상부를 덮고 있었던 종래의 플라즈마 처리 용기와 비교하여, 상부 용기(10)를 대폭 경량화할 수 있는 동시에, 재료비·가공비 등을 대폭 절감할 수 있다.In the plasma processing container 100a according to the present embodiment, the upper portion having the frame body 21, the shower head 25, and the beam structure 27 is used without using the thick and heavy cover which is required for the conventional plasma processing container for FPD. It was set as the structure replaced by the container 10. In the vacuum state, since the base plate 31 is fixed so as to be raised against the atmospheric pressure by the beam structure 27 of the upper container 10, sufficient mechanical strength can be maintained as a vacuum apparatus. For this reason, the base plate 31 which forms the upper part of the showerhead 25 can be made into the state which exposed to the outer space of atmospheric pressure. Therefore, compared with the conventional plasma processing container which covered the upper part with the pressure-resistant cover, the upper container 10 can be significantly reduced in weight, and the material cost, processing cost, etc. can be reduced significantly.

또한, 본 실시형태에서는 비임 구조체(27)와 베이스판(31)을 베이스판(31)의 높이 위치를 가변적으로 조정가능한 연결 수단(29)에 의해 연결한 것에 의해, 베이스판(31)의 높이 위치를 조정할 수 있다.In addition, in this embodiment, the height of the base board 31 is connected by connecting the beam structure 27 and the base board 31 by the connecting means 29 which can variably adjust the height position of the base board 31. You can adjust the position.

또한, 종래의 덮개 구조와 달리, 상부 전극[샤워헤드(25)]을 구성하는 베이스판(31)이 노출한 상태이기 때문에, 상부 전극에 대한 작업성도 좋고, 유지 보수 등을 용이하게 실행할 수 있다는 효과도 가져온다.In addition, unlike the conventional lid structure, since the base plate 31 constituting the upper electrode (shower head 25) is exposed, the workability to the upper electrode is also good, and maintenance and the like can be easily performed. It also brings effects.

또한, 본 실시형태의 플라즈마 에칭 장치(100)에서는 베이스판(31)의 중앙부의 상방에 비임 구조체(27)의 내측 비임(27b)이 위치하지 않도록(겹치지 않도록) 내측 비임(27b)을 격자 형상으로 배치하여 마련했으므로, 베이스판(31)의 중앙부에 가스 도입 설비[가스 도입구(37)]를 접속하거나, 다른 부속 설비(예를 들면, 임피던스 정합 장치 등)을 배치하여 마련하거나 하는 것이 가능해진다. 가스 도입구(37)를 샤워헤드(25)의 베이스판(31)의 중앙에 마련함으로써, 샤워헤드(25)로 가스를 편차없이 균일하게 도입할 수 있다. 그 결과, 기판(S)의 상방 공간으로 가스를 균일하게 도입할 수 있다. 따라서, 대(大)용적의 플라즈마 처리 용기(100a) 내에 있어서도, 기판(S)의 상방 공간에 안정적으로 플라즈마를 생성시켜, 처리의 균일화를 도모할 수 있다. 또한, 베이스판(31)의 중앙부의 상방에 임피던스 조정 장치 등의 설비를 배치하여 마련할 수 있는 것에 의해, 플라즈마 에칭 장치(100)의 풋프린트(footprint)를 억제하여 공간 절약화를 할 수 있다.In addition, in the plasma etching apparatus 100 of this embodiment, the inner beam 27b is lattice-shaped so that the inner beam 27b of the beam structure 27 may not be located (not overlapped) above the center portion of the base plate 31. Since it is arrange | positioned at the center of the base board 31, it is possible to connect the gas introduction equipment (gas introduction port 37) to the center part of the base board 31, or arrange | position another auxiliary equipment (for example, impedance matching apparatus, etc.). Become. By providing the gas inlet 37 in the center of the base plate 31 of the shower head 25, the gas can be uniformly introduced into the shower head 25 without variation. As a result, the gas can be uniformly introduced into the space above the substrate S. FIG. Therefore, even in the large-volume plasma processing container 100a, plasma can be stably generated in the space above the substrate S, and the processing can be made uniform. In addition, by providing equipment such as an impedance adjusting device above the center portion of the base plate 31, the footprint of the plasma etching apparatus 100 can be suppressed to save space. .

[제 2 실시형태] Second Embodiment

다음에, 도 6 및 도 7을 참조하여 본 발명의 제 2 실시형태에 대해서 설명한다. 도 6은 도 2에 도시한 제 1 실시형태의 플라즈마 에칭 장치(100)와 거의 동일한 구성의 플라즈마 에칭 장치의 요부를 도시하는 단면도이다. 이하에서는 제 1 실시형태(도 1 내지 도 5)와의 상위점을 중심으로 설명하고, 동일한 구성에는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다. 또한, 본 실시형태의 플라즈마 에칭 장치의 전체의 구성은 제 1 실시형태의 플라즈마 에칭 장치(100)를 참조함으로써 파악할 수 있으므로, 도시를 생략한다.Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. 6: is sectional drawing which shows the principal part of the plasma etching apparatus of substantially the same structure as the plasma etching apparatus 100 of 1st Embodiment shown in FIG. Hereinafter, it demonstrates centering around difference with 1st Embodiment (FIGS. 1-5), and attaches | subjects the same code | symbol to the same structure, and abbreviate | omits description. In addition, since the whole structure of the plasma etching apparatus of this embodiment can be grasped | ascertained by referring the plasma etching apparatus 100 of 1st Embodiment, illustration is abbreviate | omitted.

이 플라즈마 에칭 장치는 제 1 실시형태의 플라즈마 에칭 장치(100)와의 상위점으로서, 상부 전극인 샤워헤드(25)의 베이스판(31)과 비임 구조체(27) 사이에, 도전성 플레이트(111) 및 지지 플레이트(113)를 구비하고 있다. 베이스판(31)과 도전성 플레이트(111)는, 예를 들면 단면 「コ」자 형상을 이루는 접속 부재(115)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 도전성 플레이트(111) 및 지지 플레이트(113)는, 도시하지 않는 볼트 등의 고정 수단에 의해 비임 구조체(27)에 고정되어 있다. 또한, 지지 플레이트(113)와 비임 구조체(27)의 접합은 용접을 이용해도 좋다.This plasma etching apparatus is different from the plasma etching apparatus 100 of the first embodiment and is formed between the conductive plate 111 and the base plate 31 and the beam structure 27 of the showerhead 25 as the upper electrode. The support plate 113 is provided. The base plate 31 and the electroconductive plate 111 are electrically connected by the connection member 115 which forms the cross-sectional "co" shape, for example. In addition, the conductive plate 111 and the support plate 113 are fixed to the beam structure 27 by fixing means, such as a bolt which is not shown in figure. In addition, welding of the support plate 113 and the beam structure 27 may be used.

도전성 플레이트(111)는 베이스판(31)과 프레임체(21)를 전기적으로 접속하는 역할을 수행하는 부재이고, 저(低)전기 저항의 도전성 재료, 예를 들면 알루미늄, 동 등으로 구성되어 있다. 도 7에, 베이스판(31) 상에 도전성 플레이트(111)를 배치한 상태의 평면도를 도시했다. 또한, 도 7에서는 도전성 플레이트(111)의 형상을 표현하기 위해서, 비임 구조체(27) 및 지지 플레이트(113)를 제외하여 도시하고 있다. 도전성 플레이트(111)는 평면에서 보았을 때에 있어서 비임 구조체(27)와 근사한 형상을 하고 있고, 비임 구조체(27)의 하방에 겹쳐서 배치되어 있다. 즉 도전성 플레이트(111)는 외측 비임(27a)에 대응하는 형상의 프레임 형상 부분(111a)과 내측 비임(27b)에 대응하는 격자 형상 부분(111b)을 갖고 있다. 또한, 도전성 플레이트(111)의 프레임 형상 부분(111a)은 대략 같은 크기를 갖는 프레임체(21) 상에 접촉한 상태에서 겹쳐서 배치되어 있다. 또한, 도전성 플레이트(111)는 복수의 부분으로 분할되어 있어도 좋지만, 일체물이어도 좋다. The conductive plate 111 is a member which serves to electrically connect the base plate 31 and the frame body 21, and is made of a conductive material of low electrical resistance, for example, aluminum or copper. . 7 shows a plan view of a state in which the conductive plate 111 is disposed on the base plate 31. In addition, in FIG. 7, in order to express the shape of the conductive plate 111, the beam structure 27 and the support plate 113 are removed and illustrated. The conductive plate 111 has a shape that is close to the beam structure 27 when viewed in a plan view, and is disposed to be overlapped below the beam structure 27. That is, the electroconductive plate 111 has the frame-shaped part 111a of the shape corresponding to the outer beam 27a, and the grating-shaped part 111b corresponding to the inner beam 27b. Moreover, the frame-shaped part 111a of the electroconductive plate 111 is arrange | positioned overlapping in the state which contacted on the frame 21 which has substantially the same magnitude | size. In addition, although the electroconductive plate 111 may be divided | segmented into several part, it may be an integrated body.

도 7에 도시한 바와 같이, 베이스판(31)의 중앙부 부근에는, 베이스판(31)과 도전성 플레이트(111)를 전기적으로 접속하는 접속 부재(115)가 복수 개소(도 7에서는 4개소)에 배치되어 있다. 이들의 접속 부재(115)는 베이스판(31)의 중앙부 부근으로부터 도전성 플레이트(111)의 격자 형상 부분(111b)을 거쳐 프레임 형상 부분(111a)을 향해 균등한 전류 경로가 형성되도록 배치되어 있다. 이와 같이, 도전성 플레이트의 중앙 부근으로부터 주변으로 균등하게 흐른 전류는, 추가로 프레임 형상 부분(111a)을 거쳐 하방의 프레임체(21)로 균등하게 전해진다. 이와 같이, 도전성 플레이트(111)의 형상은 상부 전극의 일부인 베이스판(31)의 중앙부로부터 주위의 프레임체(21)로 전류를 편차없이 균등하게 흘리는 기능을 갖고 있고, 이것에 의해 후술하는 바와 같이 플라즈마 에칭 장치에서의 에칭 처리의 균일성을 향상시키는 것이 가능하다.As shown in FIG. 7, in the vicinity of the center part of the base board 31, the connection member 115 which electrically connects the base board 31 and the electroconductive plate 111 exists in several places (four places in FIG. 7). It is arranged. These connecting members 115 are arranged such that an equal current path is formed from the vicinity of the center of the base plate 31 toward the frame portion 111a via the grid portion 111b of the conductive plate 111. In this way, the current flowing evenly from the vicinity of the center of the conductive plate to the periphery is further uniformly transmitted to the lower frame 21 through the frame-shaped portion 111a. Thus, the shape of the conductive plate 111 has a function of flowing an electric current evenly without deviation from the central portion of the base plate 31, which is a part of the upper electrode, to the surrounding frame body 21, thereby to be described later. It is possible to improve the uniformity of the etching treatment in the plasma etching apparatus.

지지 플레이트(113)는 도전성 플레이트(도통 플레이트)(111)와 대략 같은 크기 및 형상을 하고 있고, 도통 플레이트(111)에 겹쳐서 배치하여 마련되어 있다. 지지 플레이트(113)는 예를 들면 SUS 등의 재질로 구성되어 있고, 비임 구조체(27)에 직접 나사 구멍 등의 가공을 실시하지 않더라도, 도통 플레이트(111)를 비임 구조체(27)에 부착되도록 되어 있다. 또한, 지지 플레이트(113)는 반드시 배치할 필요는 없다.The support plate 113 has substantially the same size and shape as the conductive plate (conduction plate) 111, and is disposed to overlap the conductive plate 111. The support plate 113 is made of, for example, a material such as SUS, and the conductive plate 111 is attached to the beam structure 27 even if the beam structure 27 is not directly machined with a screw hole. have. In addition, the support plate 113 does not necessarily need to be arrange | positioned.

본 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치의 다른 구성은 제 1 실시형태의 플라즈마 에칭 장치(100)와 같다. 본 실시형태에 있어서, 상부 전극인 샤워헤드(25)의 베이스판(31)과 비임 구조체(27) 사이에, 도전성 플레이트(111)[및 지지 플레이트(113)]를 개재시킨 이유는 이하와 같다.The other structure of the plasma etching apparatus which concerns on this embodiment is the same as that of the plasma etching apparatus 100 of 1st Embodiment. In the present embodiment, the reason why the conductive plate 111 (and the support plate 113) is interposed between the base plate 31 and the beam structure 27 of the showerhead 25 as the upper electrode is as follows. .

플라즈마 처리 장치(100)에서는, 플라즈마 에칭 처리 동안에, 고주파 전원(75)으로부터 급전선(71)을 거쳐 서셉터(5)[기재(7)]에 고주파 전력이 공급된다. 이 때, 고주파 전류는 하부 전극[서셉터(5)]으로부터 플라즈마를 거치고, 상부 전극으로서 기능하는 샤워헤드(25)를 지나, 비임 구조체(27)로부터 프레임체(21)를 통과하여, 접지된 하부 용기(1)에 흐른다.In the plasma processing apparatus 100, high frequency power is supplied from the high frequency power supply 75 to the susceptor 5 (substrate 7) during the plasma etching process via the feed line 71. At this time, the high frequency current passes through the plasma from the lower electrode (susceptor 5), passes through the shower head 25 functioning as the upper electrode, passes from the beam structure 27 to the frame 21, and is grounded. Flows into the lower container (1).

이와 같이, 하부 전극[서셉터(5)]에 공급된 고주파 전력은 하부 전극[서셉터(5)]과 상부 전극[샤워헤드(25)] 사이에 플라즈마를 형성하고, 상부 전극[샤워헤드(25)]으로부터 베이스판(31), 접속 부재(115), 비임 구조체(27)를 통과하고, 추가로 프레임체(21) 및 하부 용기(1)로 흐르는 전류 경로(RF 리턴 전류 경로)를 형성한다.In this way, the high frequency power supplied to the lower electrode (susceptor 5) forms a plasma between the lower electrode (susceptor 5) and the upper electrode (shower head 25), and the upper electrode (shower head ( 25) through the base plate 31, the connecting member 115, the beam structure 27, and further forms a current path (RF return current path) flowing to the frame 21 and the lower container (1) do.

상기와 같이, 종래 기술에서는 상부 용기(10)에 상당하는 부분으로서, 알루미늄 등의 도전성의 재질의 두꺼운 덮개를 구비하고 있기 때문에, 상부 전극으로부터 이 덮개를 거쳐 상기 RF 리턴 전류 경로가 형성되어 있었다. 그러나, 본 실시형태에서는 덮개를 사용하지 않고, 알루미늄에 비해 도전성이 낮은 재질(예컨대, 철 등)로 형성된 비임 구조체(27)를 갖는 상부 용기(10)를 구비하는 구성으로 한 결과, 종래의 덮개를 사용한 구성에 비해 상부 전극[샤워헤드(25)]으로부터 하부 용기(1)까지 사이의 저항이 높아진다. 그 때문에, 하부 전극[서셉터(5)]으로부터 플라즈마를 거쳐, 상부 전극[샤워헤드(25)]을 향하는 적정한 전류 경로를 흐르는 고주파 전류가 감소하고, 예컨대 하부 전극[서셉터(5)]으로부터 플라즈마를 거쳐, 하부 용기(1)의 벽에 직접 향하는 부적정한 전류 경로를 통과하는 고주파 전류가 증가할 우려가 발생한다. 이 때문에, 베이스판(31)과 프레임체(21) 사이에 저저항의 재료로 이루어지는 도전성 플레이트(111)를 개재시켜 전기적 접속을 도모하여, 적정한 RF 리턴 전류 경로가 형성할 수 있도록 했다. 이와 같이, 적정한 RF 리턴 전류 경로가 형성됨으로써, 플라즈마 에칭 장치에 있어서 에칭 처리의 균일성을 유지할 수 있다.As described above, in the prior art, as the portion corresponding to the upper container 10, a thick cover made of a conductive material such as aluminum is provided, and thus the RF return current path has been formed from the upper electrode through the cover. However, in the present embodiment, the lid is not used, and as a result of having a structure including the upper container 10 having the beam structure 27 formed of a material having a lower conductivity than aluminum, for example, iron, etc., the conventional lid The resistance between the upper electrode (shower head 25) and the lower container 1 becomes higher compared to the configuration using. Therefore, the high frequency current flowing through the plasma from the lower electrode (susceptor 5) and passing through the appropriate current path toward the upper electrode (shower head 25) is reduced, for example, from the lower electrode (susceptor 5). There is a fear that the high frequency current passing through the plasma, through an inadequate current path, which is directed directly to the wall of the lower container 1, will increase. For this reason, the electrical connection was made between the base board 31 and the frame body 21 through the electrically conductive plate 111 which consists of a low resistance material, and the appropriate RF return current path was formed. Thus, by forming an appropriate RF return current path, the uniformity of the etching process can be maintained in the plasma etching apparatus.

또한, 도 7에 도시한 바와 같이, 복수의 접속 부재(115)를 베이스판(31)의 중앙부 부근에 접속한 것에 의해, 서셉터(5)로부터 샤워헤드(25)의 베이스판(31)의 중앙부 부근을 통해 도전성 플레이트(111)로 전류를 효율적으로 흘리는 것이 가능하게 된다. 따라서, 상부 전극인 샤워헤드(25)가 대형이고, 전류의 방향이 분산되어 적정한 경로가 형성되기 어려운 경향이 있는 대형의 플라즈마 처리 용기에 있어서도, 서셉터(5)로부터 샤워헤드(25)로 향하는 전류 경로가 적정화되어 서셉터(5)와 샤워헤드(25) 사이의 공간에 플라즈마를 집중시키는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 에칭 처리의 효율과 기판(S)의 면 내에서의 처리의 균일성을 향상시킬 수 있다. In addition, as shown in FIG. 7, by connecting the plurality of connecting members 115 to the vicinity of the central portion of the base plate 31, the susceptor 5 of the base plate 31 of the showerhead 25 is connected. It is possible to efficiently flow a current through the vicinity of the center portion to the conductive plate 111. Accordingly, even in a large plasma processing container in which the showerhead 25 as the upper electrode is large and the direction of the current is dispersed and a proper path is difficult to be formed, the showerhead 25 is directed from the susceptor 5 to the showerhead 25. The current path is optimized so that it is possible to concentrate the plasma in the space between the susceptor 5 and the showerhead 25. As a result, the efficiency of an etching process and the uniformity of the process in surface inside of the board | substrate S can be improved.

또한, 본 실시형태에서는, 도전성 플레이트는 비임 구조체(27)와 근사한 형상으로 했지만, 베이스판(31)의 중앙부로부터 주위의 프레임체(21)로 전류를 편차없이 균등하게 흘릴 수 있고, 또한 상부 전극에 대한 작업성을 손상하지 않으면, 비임 구조체(27)와 근사한 형상이 아니어도 좋다. 예컨대, 격자 형상으로 빈 부분을 다른 착탈가능한 도전성 플레이트로 막고, 베이스판(31)의 상면 전체를 덮도록 도전성 플레이트를 형성해도 좋다. 또한, 베이스판(31)과 도전성 플레이트(111) 사이를 접속 부재(115)에 의해 직접 접속하는 구성으로 했지만, 베이스판(31)과 도전성 플레이트(111) 사이에 상기 RF 리턴 전류 경로의 임피던스를 조정하는 임피던스 조정 장치(도시하지 않음)를 개재시켜 배치하여도 좋다. 임피던스 조정 장치를 마련함으로써, RF 리턴 전류 경로를 더욱 적정화할 수 있기 때문에, 서셉터(5)의 상방에서 플라즈마를 보다 안정하게 생성시키는 것이 가능하다.In addition, in this embodiment, although the electroconductive plate was made into the shape similar to the beam structure 27, it can flow an electric current equally without deviation from the center part of the base board 31 to the surrounding frame body 21, and also the upper electrode It does not need to be a shape approximating the beam structure 27, as long as workability with respect to is not impaired. For example, the conductive portion may be formed so as to cover the entire upper surface of the base plate 31 by blocking the vacant portion with another removable conductive plate. In addition, although the structure which directly connects between the base board 31 and the conductive plate 111 by the connection member 115 was made, the impedance of the said RF return current path | route between the base board 31 and the conductive plate 111 was made. You may arrange | position through the impedance adjustment apparatus (not shown) to adjust. By providing the impedance adjusting device, the RF return current path can be further optimized, so that the plasma can be generated more stably above the susceptor 5.

[제 3 실시형태] [Third Embodiment]

다음에, 도 8을 참조하여 본 발명의 제 3 실시형태에 대해서 설명한다. 이하에서는 제 1 실시형태(도 1 내지 도 5)와의 상위점을 중심으로 설명하고, 동일한 구성에는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다. 도 8은 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치(200)의 외관 구성을 도시하는 사시도이다. 이 플라즈마 에칭 장치(200)는, 예를 들면 내면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 각통 형상으로 성형된 하부 용기(1)와, 이 하부 용기(1)에 개폐가능하게 조합되는 상부 용기(210)를 갖고 있다. 하부 용기(1)와 상부 용기(210)에 의해, 진공 용기인 플라즈마 처리 용기(200a)가 구성되어 있다.Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 8. Hereinafter, it demonstrates centering around difference with 1st Embodiment (FIGS. 1-5), and attaches | subjects the same code | symbol to the same structure, and abbreviate | omits description. 8 is a perspective view showing an appearance configuration of a plasma etching apparatus 200 according to a third embodiment of the present invention. The plasma etching apparatus 200 includes, for example, a lower container 1 formed into a square cylinder shape whose inner surface is made of aluminum subjected to anodization (anodic oxidation treatment), and an upper part which is coupled to the lower container 1 so as to be opened and closed. It has a container 210. The lower container 1 and the upper container 210 constitute a plasma processing container 200a which is a vacuum container.

플라즈마 처리 용기(200a)의 상부 용기(210)는 주요한 구성으로서, 프레임체(21)와, 베이스판(31)을 갖는 도시하지 않는 샤워헤드(상부 전극)와, 비임 구조체(201)를 구비하고 있다. 비임 구조체(201)는 단면 H자 형을 하고, 평행으로 배치된 4개의 아치 형상 비임(211)과, 상기 아치 형상 비임(211)에 대하여 대략 직교하여 배치되며 아치 형상 비임(211)끼리의 사이를 접속하는 접속 비임(221)을 갖고 있고, 아치 형상 비임(211)의 양단은 볼트 등에 의해 프레임체(21)에 고정되어 있다. 아치 형상 비임(211)과 접속 비임(221)은, 예를 들면 용접 등의 방법으로 접합되어 있다. 아치 형상 비임(211)의 상면(211a)은 완만한 곡률을 갖게 형성되고, 휨 등의 변형에 대한 기계적 강도가 높여져 있다. 각 아치 형상 비임(211)과 베이스판(31) 사이에는, 가로로 긴 하판(222)이 배치되어 있다. 하판(222)은 프레임체(21) 및 베이스판(31)에 고정되어 있다. 하판(222)과 베이스판(31)은, 예를 들면 스크류 조정기를 이용한 높이 위치를 가변적으로 조정가능한 연결 수단[도 3에 도시한 연결 수단(29)을 참조]에 의해 연결되어 있다. 그리고, 각 아치 형상 비임(211)과 하판(222) 사이에는 세로판 형상의 복수의 리브(223)가 마련되고, 아치 형상 비임(211)과 하판(222)에 예를 들면 용접 등의 방법으로 접합되어 있다.The upper vessel 210 of the plasma processing vessel 200a has a main configuration and includes a frame 21, a shower head (upper electrode) (not shown) having a base plate 31, and a beam structure 201. have. The beam structure 201 has a cross-sectional H-shape, and is arranged in parallel with four arch-shaped beams 211 arranged in parallel with the arch-shaped beams 211 and between the arc-shaped beams 211. And a connection beam 221 for connecting the two ends, and both ends of the arc-shaped beam 211 are fixed to the frame 21 by bolts or the like. The arc-shaped beam 211 and the connection beam 221 are joined by the method of welding etc., for example. The upper surface 211a of the arc-shaped beam 211 is formed to have a gentle curvature, and mechanical strength against deformation such as warpage is increased. A horizontally long lower plate 222 is disposed between each arch-shaped beam 211 and the base plate 31. The lower plate 222 is fixed to the frame body 21 and the base plate 31. The lower plate 222 and the base plate 31 are connected by connecting means (refer to the connecting means 29 shown in FIG. 3) which can variably adjust the height position using a screw adjuster, for example. Further, a plurality of vertical rib-shaped ribs 223 are provided between each arch-shaped beam 211 and the lower plate 222, and the arch-shaped beams 211 and the lower plate 222 are, for example, welded or the like. It is joined.

또한, 하판(222) 및 리브(223)를 설치하지 않고 아치 형상 비임(211)과 베이스판(31)을 연결하는 것도 가능하다. 이 경우, 각 아치 형상 비임(211)과 베이스판(31)은, 예를 들면 도시하지 않는 와이어 등을 거쳐 연결할 수 있다. 베이스판(31)과 와이어의 접속 부분은, 예를 들면 스크류 조정기를 이용한 높이 위치를 가변적으로 조정가능한 연결 수단[도 3에 도시한 연결 수단(29)을 참조]에 의해 연결할 수 있다.It is also possible to connect the arch beam 211 and the base plate 31 without providing the lower plate 222 and the rib 223. In this case, each arch-shaped beam 211 and the base plate 31 can be connected through a wire etc. which are not shown in figure. The connecting portion of the base plate 31 and the wire can be connected by connecting means (see connecting means 29 shown in Fig. 3) that can variably adjust the height position using, for example, a screw adjuster.

본 실시형태의 플라즈마 처리 용기(200a)에서는, 비임 구조체(201)에 곡률을 갖는 아치 형상 비임(211)을 사용한 것에 의해, 비임 구조체(201)의 강도가 향상하고, 그 만큼 비임 구조체(201)를 구성하는 부재를 가늘게 할 수 있는 등, 상부 용기(210)의 경량화가 가일층 도모되어 있다. 또한, 본 실시형태의 플라즈마 처리 용기(200a)에서는, 아치 형상 비임(211)의 양단이 직접 프레임체(21)에 고정되어 있지만, 각 아치 형상 비임(211)의 양단에 비임(도시 생략)을 배치하고, 이 비임을 거쳐 각 아치 형상 비임(211)을 프레임체(21)에 고정하도록 해도 좋다. 또한, 아치 형상 비임(211) 및 접속 비임(221)의 개수는 적당히 변경해도 좋다.In the plasma processing vessel 200a of the present embodiment, by using the arc-shaped beam 211 having curvature for the beam structure 201, the strength of the beam structure 201 is improved, and the beam structure 201 is as much as that. The weight of the upper container 210 can be further reduced, for example, the member constituting the structure can be thinned. In addition, in the plasma processing container 200a of this embodiment, although both ends of the arc-shaped beam 211 are directly fixed to the frame body 21, beams (not shown) are attached to both ends of each arc-shaped beam 211. It may arrange | position and fix each arch-shaped beam 211 to the frame 21 via this beam. In addition, you may change suitably the number of arch-shaped beams 211 and the connection beam 221. As shown in FIG.

본 실시형태에 있어서의 그 밖의 구성, 작용 및 효과는 제 1 실시형태와 같다.Other configurations, actions, and effects in the present embodiment are the same as those in the first embodiment.

[제 4 실시형태] [Fourth Embodiment]

다음에, 도 9를 참조하여 본 발명의 제 4 실시형태에 대해서 설명한다. 이하에서는 제 1 실시형태(도 1 내지 도 5)와의 상위점을 중심으로 설명하고, 동일한 구성에는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다. 도 9는 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치(300)의 외관 구성을 도시하는 사시도이다. 이 플라즈마 에칭 장치(300)는, 예를 들면 내면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 각통 형상으로 성형된 하부 용기(1)와, 이 하부 용기(1)에 개폐가능하게 조합되는 상부 용기(310)를 갖고 있다. 하부 용기(1)와 상부 용기(310)에 의해, 진공 용기인 플라즈마 처리 용기(300a)가 구성되어 있다.Next, with reference to FIG. 9, 4th Embodiment of this invention is described. Hereinafter, it demonstrates centering around difference with 1st Embodiment (FIGS. 1-5), and attaches | subjects the same code | symbol to the same structure, and abbreviate | omits description. 9 is a perspective view showing an appearance configuration of a plasma etching apparatus 300 according to a fourth embodiment of the present invention. The plasma etching apparatus 300 includes, for example, a lower container 1 formed into a square cylinder shape whose inner surface is made of aluminum subjected to anodization (anodic oxidation), and an upper part which is openably coupled to the lower container 1. It has the container 310. The lower container 1 and the upper container 310 constitute a plasma processing container 300a which is a vacuum container.

플라즈마 처리 용기(300a)의 상부 용기(310)는 주요한 구성으로서, 프레임체(21)와, 베이스판(31)을 갖는 도시하지 않는 샤워헤드(상부 전극)와, 비임 구조체(301)를 구비하고 있다. 비임 구조체(301)는 단면 「T」자 형상을 하는 2개의 아치 형상 비임(311)과, 해당 아치 형상 비임(311)에 대하여 대략 직교하고 아치 형상 비임(311)끼리의 사이를 접속하는 복수(도 9에서는 4개)의 단면 「T」자 형상을 하는 접속 비임(313)을 갖고 있다. 아치 형상 비임(311)과 접속 비임(313)은 예를 들면 용접 등의 방법으로 접합되어 있다. 단면 「T」자 형상을 하는 아치 형상 비임(311)은 세로판(311a)과, 이 세로판(311a)에 직교하여 접합된 곡률을 갖는 가로판(311b)을 갖고 있다.The upper vessel 310 of the plasma processing vessel 300a has a main configuration and includes a frame 21, a shower head (upper electrode) (not shown) having a base plate 31, and a beam structure 301. have. The beam structure 301 is formed by connecting two arch-shaped beams 311 having a cross-sectional "T" shape with the arch-shaped beams 311 approximately orthogonal to the arch-shaped beams 311. In FIG. 9, it has the connection beam 313 which makes four shapes of cross section "T". The arc-shaped beam 311 and the connection beam 313 are joined by the method of welding etc., for example. An arch-shaped beam 311 having a cross-sectional "T" shape has a vertical plate 311a and a horizontal plate 311b having a curvature bonded orthogonally to the vertical plate 311a.

또한, 단면 「T」자 형상을 하는 각 접속 비임(313)은 세로판(313a)과, 이 세로판(313a)에 직교하여 접합된 평판(313b)을 갖고 있다. 세로판(313a)의 양단부(315)는 하단이 활 형상으로 곡률을 갖고 형성되어 있어, 휨 등의 변형에 대한 접속 비임(313)의 강도를 높이고 있다. 각 아치 형상 비임(311)과 베이스판(31) 사이에는 가로로 긴 하판(312)이 배치되어 있다. 하판(312)은 프레임체(21)에 고정되어 있다. 또한, 하판(312)과 베이스판(31)은 도시는 생략하지만, 예를 들면 스크류 조정기를 이용한 높이 위치를 가변적으로 조정가능한 연결 수단[도 3에 도시한 연결 수단(29)을 참조]에 의해 연결되어 있다. 또한, 하판(312)을 설치하지 않고, 아치 형상 비임(311)과 베이스판(31)을 연결하는 것도 가능하다.Moreover, each connection beam 313 which has a cross section "T" shape has a vertical plate 313a and the flat plate 313b joined orthogonally to this vertical plate 313a. Both ends 315 of the vertical plate 313a are formed in the lower end with the curvature of bow shape, and the intensity | strength of the connection beam 313 with respect to deformation | transformation, such as curvature, is being raised. A horizontally long lower plate 312 is disposed between each arch-shaped beam 311 and the base plate 31. The lower plate 312 is fixed to the frame body 21. In addition, although the lower board 312 and the base board 31 are abbreviate | omitted, for example, by the connecting means (refer to the connecting means 29 shown in FIG. 3) which can variably adjust the height position using a screw adjuster. It is connected. It is also possible to connect the arch beam 311 and the base plate 31 without providing the lower plate 312.

각 접속 비임(313)과 베이스판(31)은 도시는 생략하지만, 예를 들면 와이어 등을 거쳐 스크류 조정기를 이용한 높이 위치를 가변적으로 조정가능한 연결 수단[도 3에 도시한 연결 수단(29)을 참조]에 의해 연결되어 있다.Although the connection beam 313 and the base plate 31 are not shown in figure, the connection means (connecting means 29 shown in FIG. 3) which can variably adjust the height position using a screw adjuster via wire etc. is shown, for example. Reference].

본 실시형태의 플라즈마 처리 용기(300a)에서는, 비임 구조체(301)에 곡률을 갖는 아치 형상 비임(311)을 사용하고, 이것을 접속 비임(313)으로 접속한 것에 의해, 비임 구조체(301)의 강도가 향상하고, 그 만큼 비임 구조체(301)를 구성하는 부재를 가늘게 할 수 있는 등, 상부 용기(310)의 경량화가 가일층 도모되어 있다.In the plasma processing container 300a of the present embodiment, an arc-shaped beam 311 having a curvature is used for the beam structure 301, and the strength of the beam structure 301 is connected by connecting it to the connection beam 313. And the weight of the upper container 310 can be reduced further, such that the member constituting the beam structure 301 can be made thinner.

[제 5 실시형태] [Fifth Embodiment]

다음에, 도 10을 참조하여 본 발명의 제 5 실시형태에 관하여 설명한다. 이하에서는 제 1 실시형태(도 1 내지 도 5)와의 상위점을 중심으로 설명하고, 동일한 구성에는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다. 도 10은 본 발명의 제 5 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치(400)의 외관 구성을 도시하는 사시도이다. 이 플라즈마 에칭 장치(400)는, 예를 들면 내면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 각통 형상으로 성형된 하부 용기(1)와, 이 하부 용기(1)에 개폐가능하게 조합되는 상부 용기(410)를 갖고 있다. 하부 용기(1)와 상부 용기(410)에 의해, 진공 용기인 플라즈마 처리 용기(400a)가 구성되어 있다.Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Hereinafter, it demonstrates centering around difference with 1st Embodiment (FIGS. 1-5), and attaches | subjects the same code | symbol to the same structure, and abbreviate | omits description. 10 is a perspective view showing an appearance configuration of a plasma etching apparatus 400 according to a fifth embodiment of the present invention. The plasma etching apparatus 400 includes, for example, a lower container 1 formed into a square tube shape made of aluminum having an anodized (anodic oxidation) inner surface, and an upper part which is openably coupled to the lower container 1. It has a container 410. The lower container 1 and the upper container 410 constitute a plasma processing container 400a which is a vacuum container.

플라즈마 처리 용기(400a)의 상부 용기(410)는 주요한 구성으로서, 프레임체(21)와, 베이스판(31)을 갖는 도시하지 않는 샤워헤드(상부 전극)와, 비임 구조체(401)를 구비하고 있다. 비임 구조체(401)는 단면 「H」자형을 하고, 곡률을 갖게 복수 방향(도 10에서는 3방향)으로 연장하여 마련된 아치 형상 비임(411)을 갖고 있다. 아치 형상 비임(411)은 베이스판(31)의 중앙 부분의 바로 위에서 교차하고, 교차 부위는 예컨대 용접 등의 방법으로 접합되어 있다. 각 아치 형상 비임(411)의 단부의 하방에는 베이스판(31)에 접속하는 세로판(413)이 접합되어 휨 등의 변형에 대한 각 아치 형상 비임(411)의 강도를 높이고 있다.The upper vessel 410 of the plasma processing vessel 400a has a main configuration and includes a frame 21, a shower head (upper electrode) (not shown) having a base plate 31, and a beam structure 401. have. The beam structure 401 has a cross-section "H" shape, and has an arc-shaped beam 411 provided to have a curvature and extend in a plurality of directions (three directions in FIG. 10). The arc-shaped beam 411 intersects immediately above the central portion of the base plate 31, and the intersection portion is joined by, for example, welding or the like. Below the end of each arch-shaped beam 411, a vertical plate 413 connected to the base plate 31 is joined to increase the strength of each arch-shaped beam 411 against deformation such as warping.

각 아치 형상 비임(411)과 베이스판(31)은, 예를 들면 도시하지 않는 와이어 등을 거쳐 연결되어 있다. 베이스판(31)과 와이어의 접속 부분은, 예컨대 스크류 조정기를 이용한 높이 위치를 가변적으로 조정가능한 연결 수단[도 3에 도시한 연결 수단(29)을 참조]에 의해 연결되어 있다.Each arch-shaped beam 411 and the base plate 31 are connected through the wire etc. which are not shown, for example. The connection part of the base plate 31 and the wire is connected by the connecting means (refer to the connecting means 29 shown in FIG. 3) which can variably adjust the height position using a screw adjuster, for example.

본 실시형태의 플라즈마 처리 용기(400a)에서는, 비임 구조체(401)에 곡률을 갖는 아치 형상 비임(411)을 사용함으로써, 비임 구조체(401)의 강도가 향상하고, 그 만큼 비임 구조체(401)를 구성하는 부재를 가늘게 할 수 있는 등, 상부 용기(410)의 경량화가 가일층 도모되어 있다. 또한, 본 실시형태의 플라즈마 처리 용기(400a)에서는 아치 형상 비임(411)의 양단이 직접 프레임체(21)에 고정되어 있지만, 각 아치 형상 비임(411)의 양단에 접속하도록 비임(도시 생략)을 프레임 형상으로 배치하고, 그 프레임 형상의 비임을 거쳐 각 아치 형상 비임(411)을 프레임체(21)에 고정하도록 해도 좋다(도 1 참조).In the plasma processing container 400a of the present embodiment, by using the arc-shaped beam 411 having a curvature for the beam structure 401, the strength of the beam structure 401 is improved, and the beam structure 401 is increased by that amount. The weight of the upper container 410 can be further reduced, for example, to make the member to be thin. In addition, in the plasma processing container 400a of this embodiment, although the both ends of the arch-shaped beam 411 are directly fixed to the frame body 21, the beam (not shown) is connected so that it may be connected to the both ends of each arch-shaped beam 411. May be arranged in a frame shape and each arch-shaped beam 411 is fixed to the frame body 21 via the frame beam (see FIG. 1).

[제 6 실시형태] [Sixth Embodiment]

다음에, 도 11을 참조하여 본 발명의 제 6 실시형태에 대해서 설명한다. 이하에서는 제 1 실시형태(도 1 내지 도 5)와의 상위점을 중심으로 설명하고, 동일한 구성에는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다. 도 11은 본 발명의 제 6 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치(500)의 외관 구성을 도시하는 사시도이다. 이 플라즈마 에칭 장치(500)는, 예를 들면 표면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 각통 형상으로 성형된 하부 용기(1)와, 이 하부 용기(1)에 개폐가능하게 조합되는 상부 용기(510)를 갖고 있다. 하부 용기(1)와 상부 용기(510)에 의해, 진공 용기인 플라즈마 처리 용기(500a)가 구성되어 있다.Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Hereinafter, it demonstrates centering around difference with 1st Embodiment (FIGS. 1-5), and attaches | subjects the same code | symbol to the same structure, and abbreviate | omits description. FIG. 11: is a perspective view which shows the external appearance structure of the plasma etching apparatus 500 which concerns on 6th Embodiment of this invention. The plasma etching apparatus 500 includes, for example, a lower container 1 formed into a square cylinder shape whose surface is made of aluminum subjected to anodization (anodic oxidation treatment), and an upper part which is openably coupled to the lower container 1. It has the container 510. The lower container 1 and the upper container 510 form a plasma processing container 500a which is a vacuum container.

플라즈마 처리 용기(500a)의 상부 용기(510)는 프레임체(21)와, 베이스판(31)을 갖는 도시하지 않는 샤워헤드(상부 전극)와, 비임 구조체(501)를 구비하고 있다. 비임 구조체(501)는 단면 「T」자 형상을 하고, 복수방향(도 11에서는 4방향)으로 연장하여 마련된 「T」자 형상 비임(511)을 갖고 있다. 「T」자 형상 비임(511)은 베이스판(31)의 중앙 부분의 바로 위에서 교차하고, 교차 부위는 예를 들면 용접 등의 방법으로 접합되어 있다. 각 「T」자 형상 비임(511)은 세로판(511a)과, 이 세로판(511a)에 직교하여 접합된 평판(511b)을 갖고 있다. 세로판(511a)의 하단은 활 형상으로 만곡 형성되어 있어, 「T」자 형상 비임(511)의 강도가 높여져 있다.The upper container 510 of the plasma processing container 500a includes a frame 21, a shower head (upper electrode) (not shown) having a base plate 31, and a beam structure 501. The beam structure 501 has a "T" shape in cross section and has a "T" shape beam 511 provided extending in a plurality of directions (four directions in FIG. 11). The "T" shaped beams 511 intersect directly on the center portion of the base plate 31, and the intersection portions are joined by, for example, welding or the like. Each "T" shaped beam 511 has a vertical plate 511a and a flat plate 511b bonded orthogonally to the vertical plate 511a. The lower end of the vertical plate 511a is curved in a bow shape, and the intensity | strength of the "T" shaped beam 511 is raised.

각 「T」자 형상 비임(511)과 베이스판(31)은 도시는 생략하지만, 「T」자 형상 비임(511)의 평판(511b)의 상면으로부터, 와이어 등을 거쳐, 스크류 조정기를 이용한 높이 위치를 가변적으로 조정가능한 연결 수단[도 3에 도시한 연결 수단(29)을 참조]에 의해 연결되어 있다.Although not shown, each of the "T" shaped beams 511 and the base plate 31 are heights using a screw adjuster from the upper surface of the flat plate 511b of the "T" shaped beams 511 via a wire or the like. The position is connected by means of connecting means which are variably adjustable (see connecting means 29 shown in FIG. 3).

본 실시형태의 플라즈마 처리 용기(500a)에서는, 비임 구조체(501)에 「T」자 형상 비임(511)을 사용하고, 그 세로판(511a)의 하단을 만곡 형성시켰으므로, 비임 구조체(501)의 강도가 높고, 그만큼 비임 구조체(501)를 구성하는 부재를 가늘게 할 수 있는 등, 상부 용기(510)의 경량화가 가일층 도모되어 있다. 또한, 본 실시형태의 플라즈마 처리 용기(500a)에서는, 「T」자 형상 비임(511)의 양단이 직접 프레임체(21)에 고정되어 있지만, 각 「T」자 형상 비임(511)의 양단에 접속하도록 비임(도시 생략)을 프레임 형상으로 배치하고, 그 프레임 형상의 비임을 거쳐 각 「T」자 형상 비임(511)을 프레임체(21)에 고정하도록 해도 좋다(도 1 참조).In the plasma processing vessel 500a of the present embodiment, since the “T” shaped beam 511 is used for the beam structure 501 and the lower end of the vertical plate 511a is curved, the beam structure 501 is formed. The strength of the upper vessel 510 is high, and the weight of the upper container 510 is further reduced. Moreover, in the plasma processing container 500a of this embodiment, although the both ends of the "T" shape beam 511 are fixed directly to the frame body 21, it is at both ends of each "T" shape beam 511. The beams (not shown) may be arranged in a frame shape so as to be connected, and the "T" shaped beams 511 may be fixed to the frame 21 via the beams of the frame shape (see FIG. 1).

[제 7 실시형태][Seventh Embodiment]

다음에, 도 12를 참조하여 본 발명의 제 7 실시형태에 대해서 설명한다. 이하에서는 제 1 실시형태(도 1 내지 도 5)와의 상위점을 중심으로 설명하고, 동일한 구성에는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다. 본 실시형태에 비임 구조체를 하부 용기에도 배치했다. 도 12에, 본 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치(600)의 개략 구성을 도시했다. 이 플라즈마 에칭 장치(600)는 기판(S)에 대하여 진공 상태에서 에칭 처리를 행하도록 구성되어 있고, 내부에 기판(S)을 탑재하는 서셉터(5)가 배치되는 하부 용기(1)와, 하부 용기(1)에 대하여 개폐가능하게 구성되고 폐쇄 상태에서 하부 용기(1)와 기밀하게 접합되는 상부 용기(10)를 구비하고 있다. 하부 용기(1)는 상부 용기(10)에 접촉시켜지는 제 2 프레임체로서의 하부 프레임체(1c)와, 이 하부 프레임체(1c)에 고정된 비임 구조체(611)를 갖고 있다. 비임 구조체(611)는 상부에 배치된 비임 구조체(27)와 동일한 구성을 갖고 있다.Next, with reference to FIG. 12, 7th Embodiment of this invention is described. Hereinafter, it demonstrates centering around difference with 1st Embodiment (FIGS. 1-5), and attaches | subjects the same code | symbol to the same structure, and abbreviate | omits description. In this embodiment, the beam structure was also arranged in the lower container. 12, the schematic structure of the plasma etching apparatus 600 which concerns on this embodiment is shown. This plasma etching apparatus 600 is comprised so that the etching process may be performed with respect to the board | substrate S in a vacuum state, the lower container 1 in which the susceptor 5 which mounts the board | substrate S is arrange | positioned, It is provided with the upper container 10 which is comprised so that opening and closing with respect to the lower container 1, and is hermetically joined with the lower container 1 in a closed state. The lower container 1 has a lower frame body 1c as a second frame body which is brought into contact with the upper container 10, and a beam structure 611 fixed to the lower frame body 1c. The beam structure 611 has the same configuration as the beam structure 27 disposed above.

하부 프레임체(1c)의 하단은 그 내측으로 돌출하여 지지부(1d)가 형성되어 있다. 이 지지부(1d)에서 프레임 형상의 절연 부재(3)를 지지함으로써, 간접적으로 서셉터(5)[기재(7)]의 바닥 가장자리부를 지지할 수 있도록 되어 있다.The lower end of the lower frame body 1c protrudes to the inner side, and the support part 1d is formed. By supporting the frame-shaped insulating member 3 in this support part 1d, it is possible to indirectly support the bottom edge of the susceptor 5 (base material 7).

비임 구조체(611)는 하부 프레임체(1c)와 대략 동일한 크기로 배치하여 마련된 프레임 형상의 외측 비임(611a)과, 이 외에 비임(611a)의 내측에 격자 형상으로 배치하여 마련된 내측 비임(611b)을 갖고 있다. 외측 비임(611a)은 높이 방향의 위치를 조정가능한 연결 수단(613a)에 의해, 하부 프레임체(1c)에 기계적으로 고정되어 있다. 내측 비임(611b)은 높이 방향의 위치를 조정가능한 연결 수단(613b)에 의해, 서셉터(5)의 기재(7)에 고정되어 있다. 이것에 의해, 대기압 공간에 노출한 상태의 서셉터(5)에, 대기압에 대한 내압 강도를 갖게 하고 있다.The beam structure 611 is a frame-shaped outer beam 611a which is arranged to have substantially the same size as the lower frame body 1c, and the inner beam 611b which is arranged in a lattice shape inside the beam 611a. Have The outer beam 611a is mechanically fixed to the lower frame body 1c by the connecting means 613a whose position in the height direction is adjustable. The inner beam 611b is fixed to the base material 7 of the susceptor 5 by the connecting means 613b which can adjust the position of a height direction. Thereby, the susceptor 5 in the state exposed to atmospheric pressure space is made to have the pressure resistance with respect to atmospheric pressure.

본 실시형태에 있어서의 그 밖의 구성, 작용 및 효과는 제 1 실시형태와 같다. 또한, 본 실시형태의 플라즈마 에칭 장치(600)에서는, 플라즈마 처리 용기(100a)의 상하에 비임 구조체(27, 611)를 배치하여 마련했지만, 하부의 비임 구조체(611)만을 배치하여 마련하고, 플라즈마 처리 용기(100a)의 상부는 비임 구조체를 이용하지 않는 종래의 구성으로 하는 것도 가능하다. 또한, 비임 구조체(611)로서, 제 2 내지 제 6 실시형태 중 어느 하나의 비임 구조체와 동일한 구성의 것을 채용해도 좋다.Other configurations, actions, and effects in the present embodiment are the same as those in the first embodiment. Moreover, in the plasma etching apparatus 600 of this embodiment, although the beam structures 27 and 611 were arrange | positioned and provided above and below the plasma processing container 100a, only the lower beam structure 611 is arrange | positioned and provided, and a plasma The upper part of the processing container 100a can also be made into the conventional structure which does not use a beam structure. In addition, as the beam structure 611, you may employ | adopt the thing of the same structure as the beam structure in any one of 2nd-6th embodiment.

이상, 본 발명의 실시형태를 서술했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 제약되는 일은 없이, 여러 가지 변형이 가능하다. 예를 들면, 상기 실시형태에서는 하부 전극[기재(7)]에 고주파 전력을 인가하는 RIE 타입의 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치를 예시하여 설명했지만, 상부 전극에 고주파 전력을 공급하는 타입이어도 좋으며, 용량 결합형에 한정되지 않고 유도 결합형이어도 좋다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described, various deformation | transformation are possible for this invention, without being restrict | limited to the said embodiment. For example, in the above embodiment, the RIE type capacitively coupled parallel plate plasma etching apparatus for applying high frequency power to the lower electrode (substrate 7) has been described by way of example, but the type for supplying high frequency power to the upper electrode may be used. It is not limited to the capacitively coupled type, but may be an inductively coupled type.

또한, 본 발명의 진공 용기는 FPD용 기판을 처리 대상으로 하는 진공 용기에 한정되지 않고, 예를 들면 반도체 웨이퍼를 처리 대상으로 하는 진공 용기에도 적용할 수 있다.In addition, the vacuum container of this invention is not limited to the vacuum container made into the process object for FPD board | substrates, For example, it can be applied also to the vacuum container made into a process object for semiconductor wafers.

또한, 본 발명의 진공 용기는 플라즈마 에칭 장치에 한정되지 않고, 진공 상태에서 피처리체에 처리를 행하는 것 이외의 처리 장치, 예컨대 애싱 장치, CVD 장치 등에도 적용할 수 있다.
In addition, the vacuum container of this invention is not limited to a plasma etching apparatus, It is applicable also to processing apparatuses, such as an ashing apparatus, a CVD apparatus, etc. other than performing a process to a to-be-processed object in a vacuum state.

1 : 하부 용기 1a : 바닥벽
1b : 측벽 3 : 절연 부재
5 : 서셉터 7 : 기재
10 : 상부 용기 21 : 프레임체
23 : 절연 부재 25 : 샤워헤드
27 : 비임 구조체 27a : 외측 비임
27b : 내측 비임 29 : 연결 수단
31 : 베이스판 51 : 배기구
55 : 배기 장치 61 : 기판 반송용 개구
100 : 플라즈마 에칭 장치 100a : 플라즈마 처리 용기 1: lower container 1a: bottom wall
1b: sidewall 3: insulation member
5: susceptor 7: substrate
10: upper container 21: frame
23: insulating member 25: shower head
27 beam structure 27a outer beam
27b: inner beam 29: connecting means
31 base plate 51 exhaust port
55 exhaust device 61 substrate opening
100 plasma etching apparatus 100a plasma processing container

Claims

In the vacuum container which forms the process space which performs a predetermined process in a vacuum state with respect to a to-be-processed object,
A lower container having a box shape with an upper opening, and having a mounting table for mounting a target object therein;
An upper container configured to be openable and close to the lower container, the upper container being hermetically bonded to the lower container in a closed state,
The upper container includes a first frame body contacting the open end of the lower container, a beam structure fixed to the first frame body, and the processing space in a state of being connected to and supported from the outside by the beam structure. Has a showerhead for introducing a processing gas into the
Connecting the beam structure and the shower head by a plurality of connecting means that can variably adjust the height position of the shower head,
In the state in which the upper portion of the shower head is exposed to the atmospheric pressure space, the beam structure is characterized by having a pressure resistance against atmospheric pressure
Vacuum vessel.

The method of claim 1,
The shower head has a plurality of gas discharge holes and is disposed to face the mounting table, a base plate for supporting the gas injection plate, and internal gas partitioned by the gas injection plate and the base plate. Has a diffusion space,
The base plate exposed to the outer space of atmospheric pressure was supported by the beam structure, characterized in that
Vacuum vessel.

The method of claim 2,
The base plate is formed to have a thickness that does not have a necessary breakdown strength against atmospheric pressure in a single body in a state where the processing space is vacuumed.
Vacuum vessel.

The method according to claim 2 or 3,
A pair of opposing electrodes for generating plasma in the processing space is formed using the shower head as an upper electrode and the mounting table as a lower electrode.
Vacuum vessel.

The method of claim 4, wherein
A spacer member made of an insulating material is disposed between the base plate and the first frame body.
Vacuum vessel.

The method of claim 4, wherein
A conductive plate member is provided between the base plate and the beam structure, and a current path is formed from the base plate through the conductive plate member toward the first frame body.
Vacuum vessel.

The method according to claim 6,
The base plate and the conductive plate member are electrically connected at a central portion of the base plate.
Vacuum vessel.