JP2641922B2 - Processing equipment - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、処理装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial application field) The present invention relates to a processing apparatus.
（従来の技術） 一般に、被処理基板例えば半導体ウエハのエッチング
装置やイオン注入装置等の処理装置では、上記ウエハを
減圧下にて処理を行なうため、その減圧処理室の出入口
にはロードロック室が設けられている。このロードロッ
ク室に上記ウエハを搬入し、所定の圧力まで減圧した
後、上記ウエハを処理室内に搬入して所定の反応ガスに
より処理し、ロードロック室を介して搬出している。こ
のようなロードロック室を介して処理室内に上記被処理
基板を搬入出する技術は、例えば特開昭61−236122号，
特開昭61−263127号，特開昭61−271836号，特開昭62−
20321号，特開昭62−163325号公報に示されている。(Prior Art) Generally, in a processing apparatus such as an etching apparatus and an ion implantation apparatus for a substrate to be processed, for example, a semiconductor wafer, the wafer is processed under reduced pressure. Therefore, a load lock chamber is provided at the entrance of the reduced pressure processing chamber. Is provided. After loading the wafer into the load lock chamber and reducing the pressure to a predetermined pressure, the wafer is loaded into the processing chamber, processed with a predetermined reaction gas, and unloaded through the load lock chamber. Techniques for loading and unloading the substrate to be processed into and out of the processing chamber through such a load lock chamber are disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No.
JP-A-61-263127, JP-A-61-271836, JP-A-62-26736
No. 20321 and JP-A-62-163325.
（発明が解決しようとする課題） しかしながら上記従来の技術では、ウエハをロードロ
ック室及び処理室に搬入出させるが、このロードロック
室及び処理室内は減圧され、しかも反応ガスを使用する
ため、このロードロック室内及び処理室内における上記
ウエハの有無を検知するセンサーを設けることができな
い問題があった。そのため、上記ロードロック室内或い
は処理室内でウエハの破損等が発生しても、それを認識
することができず、次のウエハを搬送してしまい、信頼
性の低いものとなっていた。このようなトラブルの発生
を防止することは困難となっており、その都度装置を停
止させてウエハの回収等の作業を行なわなければなら
ず、装置稼働時間を長くすることができない問題もあっ
た。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the above-mentioned conventional technique, the wafer is carried into and out of the load lock chamber and the processing chamber. However, the pressure in the load lock chamber and the processing chamber is reduced, and the reaction gas is used. There has been a problem that it is not possible to provide a sensor for detecting the presence or absence of the wafer in the load lock chamber and the processing chamber. For this reason, even if the wafer is damaged in the load lock chamber or the processing chamber, it cannot be recognized, and the next wafer is transported, resulting in low reliability. It is difficult to prevent the occurrence of such troubles, and it is necessary to stop the apparatus each time to perform operations such as collecting the wafer, and there is a problem that the operation time of the apparatus cannot be lengthened. .
本発明は上記点に対処してなされたもので、ロードロ
ック室内及び処理室内における被処理基板の有無を監視
可能とし、高い信頼性を得ることを可能とした処理装置
を提供しようとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a processing apparatus capable of monitoring the presence or absence of a substrate to be processed in a load lock chamber and a processing chamber, and obtaining high reliability. is there.
（課題を解決するための手段） 本発明は、前記目的を達成するために、請求項１は、
被処理基板を反応ガスにより処理する処理室の出入口に
ロードロック室を備えた処理装置において、上記ロード
ロック室の上壁を透明な材質で構成し、この上壁を透過
して上記被処理基板の有無を監視する光センサーを設
け、更に、この光センサーの対向位置には上記光センサ
ーから発光された光の反射を防止する反射防止板を設け
たことを特徴とする。(Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the present invention provides claim 1,
In a processing apparatus having a load lock chamber at an entrance and exit of a processing chamber for processing a substrate to be processed by a reaction gas, an upper wall of the load lock chamber is made of a transparent material, and the substrate to be processed is transmitted through the upper wall. An optical sensor for monitoring the presence or absence of the light sensor is provided, and an antireflection plate for preventing reflection of light emitted from the optical sensor is provided at a position facing the optical sensor.
請求項２は、LCD基板を反応ガスにより処理する処理
室の出入口にロードロック室を備えた処理装置におい
て、前記ロードロック室の上壁を透明な材質で構成し、
この上壁を透過して前記LCD基板のエッジ部を監視する
ことにより前記LCD基板の有無を監視する光センサーを
設けたことを特徴とする。Claim 2 is a processing apparatus having a load lock chamber at an entrance and exit of a processing chamber for processing an LCD substrate with a reaction gas, wherein an upper wall of the load lock chamber is made of a transparent material,
An optical sensor for monitoring the presence or absence of the LCD substrate by monitoring an edge portion of the LCD substrate through the upper wall is provided.
請求項３は、供給された反応ガスをプラズマ化してLC
D基板を処理する減圧可能な処理室と、この処理室に設
けられた開閉可能な出入口を介して設けられた減圧可能
なロードロック室と、前記LCD基板を前記処理室と前記
ロードロック室との間で搬送する前記ロードロック室内
に設けられた搬送機構と、前記ロードロック室の上壁を
透過して前記搬送機構により搬送された前記LCD基板の
エッジ部を監視することにより前記LCD基板の有無を監
視する光センサーとを具備したことを特徴とする。Claim 3 is a method for converting the supplied reaction gas into plasma to perform LC.
A decompressible processing chamber for processing the D substrate, a depressurizable load lock chamber provided through an openable doorway provided in the processing chamber, and the LCD substrate with the processing chamber and the load lock chamber. A transport mechanism provided in the load lock chamber for transporting between the LCD board and an edge portion of the LCD substrate transported by the transport mechanism through the upper wall of the load lock chamber. And an optical sensor for monitoring the presence or absence.
（作用効果） 即ち、本発明は、被処理基板を反応ガスにより処理す
る処理室の出入口にロードロック室を備えた処理装置に
おいて、上記ロードロック室の上壁を透明な材質で構成
し、この上壁を介して上記被処理基板の有無を監視する
センサーを設けたことにより、上記ロードロック室内に
おける被処理基板の有無は直接検知でき、また、上記処
理室内の被処理基板の有無は、上記ロードロック室から
の搬出動作及び搬入動作により判断することができ、上
記ロードロック室内及び処理室内における被処理基板の
有無を監視することが可能となる。このことにより、連
続して被処理基板を破損させることはなく、信頼性の高
い装置を得ることができる。(Operation and Effect) That is, the present invention provides a processing apparatus having a load lock chamber at an entrance and exit of a processing chamber for processing a substrate to be processed with a reaction gas, wherein an upper wall of the load lock chamber is formed of a transparent material. By providing a sensor for monitoring the presence or absence of the substrate to be processed through the upper wall, the presence or absence of the substrate to be processed in the load lock chamber can be directly detected. The determination can be made based on the unloading operation and the loading operation from the load lock chamber, and the presence or absence of the substrate to be processed in the load lock chamber and the processing chamber can be monitored. Thus, a highly reliable apparatus can be obtained without continuously damaging the substrate to be processed.
また、ロードロック室内及び処理室内における被処理
基板の有無を監視することができるため、上記被処理基
板の破損等にも容易に対応することができる。Further, since the presence or absence of the substrate to be processed in the load lock chamber and the processing chamber can be monitored, it is possible to easily cope with the damage of the substrate to be processed and the like.
（実施例） 以下、本発明装置を半導体ウエハのエッチング工程に
使用されるエッチング装置に適用した実施例につき、図
面を参照して説明する。(Embodiment) Hereinafter, an embodiment in which the apparatus of the present invention is applied to an etching apparatus used in an etching process of a semiconductor wafer will be described with reference to the drawings.
まず、エッチング装置の構成を説明する。 First, the configuration of the etching apparatus will be described.
被処理基板例えば半導体ウエハ（１）をエッチング処
理する装置例えばプラズマエッチング装置は、第１図及
び第２図に示すように、上記未処理ウエハ（1a）を収納
する収納部（2a）と、この収納部から上記ウエハ（1a）
を搬出するための搬送部（3a）と、この搬送部（3a）に
より搬送されたウエハ（1a）を位置合わせするアライメ
ント部（４）と、この位置合わせされたウエハ（1a）を
搬入する搬送機構（5a）及び処理済みウエハ（1b）を搬
出する搬送機構（5b）を備え、更に上記ウエハ（1a）の
エッチング処理を行なう気密な処理部（６）と、この処
理部（６）から搬出されたウエハ（1b）を搬送する搬送
部（3b）と、この搬送されたウエハ（1b）を収納する収
納部（2b）から構成されている。As shown in FIGS. 1 and 2, an apparatus for etching a substrate to be processed, for example, a semiconductor wafer (1), for example, a plasma etching apparatus includes a storage section (2a) for storing the unprocessed wafer (1a), The above wafer (1a) from the storage section
Transport unit (3a) for unloading the wafer, alignment unit (4) for aligning the wafer (1a) transported by the transport unit (3a), and transport for loading the aligned wafer (1a) A mechanism (5a) and a transfer mechanism (5b) for unloading the processed wafer (1b), an airtight processing unit (6) for etching the wafer (1a), and unloading from the processing unit (6) The transport unit (3b) transports the transferred wafer (1b) and a storage unit (2b) that stores the transported wafer (1b).
上記収納部（2a）（2b）には、上記ウエハ（1a）（1
b）を板厚方向に所定の間隔を設けて複数枚例えば25枚
を積載収納可能なウエハカセット（7a）（7b）が各々１
個設けられている。このウエハカセット（7a）（7b）
は、図示しない昇降可能な載置台により昇降可能とされ
ている。The storage units (2a) and (2b) store the wafers (1a) (1
Each of the wafer cassettes (7a) and (7b) capable of stacking and storing a plurality of sheets, for example, 25 sheets, at predetermined intervals in the plate thickness direction.
Are provided. This wafer cassette (7a) (7b)
Can be moved up and down by a vertically movable mounting table (not shown).
そして、上記搬送部（3a）（3b）は、並設された２本
のベルトにより上記ウエハ（1a）（1b）をウエハカセッ
ト（7a）から搬出或いはウエハカセット（7b）へ搬入可
能としている。The transfer units (3a) and (3b) can carry the wafers (1a) and (1b) out of the wafer cassette (7a) or carry them into the wafer cassette (7b) by two belts arranged in parallel.
また、上記アライメント部（４）は、上記ウエハ（1
a）の周縁部に対応する如く配置された図示しないピン
により上記ウエハ（１）の中心位置合わせを可能として
いる。この際、ウエハ（１）に形成されているオリエン
テーション・フラットの位置合わせの必要がある場合に
は、上記ウエハ（1a）を傾斜させて周縁部に配置された
ローラー（図示せず）で回転させることにより位置合わ
せする機構を設けてもよい。The alignment section (4) is provided with the wafer (1).
The center alignment of the wafer (1) is enabled by pins (not shown) arranged so as to correspond to the peripheral portion of (a). At this time, if it is necessary to align the orientation flat formed on the wafer (1), the wafer (1a) is tilted and rotated by a roller (not shown) disposed on the peripheral edge. A mechanism for performing the positioning may be provided.
また、上記アライメント部（４）で位置合わせされた
ウエハ（1a）を処理する如く処理部（６）が構成されて
いる。この処理部（６）は、エッチング処理する気密容
器即ち処理室（８）に気密を保ちながらウエハ（1a）を
搬送可能なイン側ロードロック室（９）及び処理済みの
ウエハ（1b）を搬出可能なアウト側ロードロック室（1
0）が設けられている。このイン側ロードロック室
（９）の上記アライメント部（４）側には、上記ウエハ
（1a）が搬入されるための開口が設けられており、この
開口には、上記イン側ロードロック室（９）内の気密を
保持するために開閉可能な蓋（11a）が設けられてい
る。更に、このイン側ロードロック室（９）の上記処理
室（８）側には、上記ウエハ（1a）を処理室（８）内に
搬入するための開口が設けられており、この開口にも上
記処理室（８）内を気密に保つための開閉可能な蓋（11
b）が設けられている。また、上記アウト側ロードロッ
ク室（10）の処理室（８）側には、処理済みのウエハ
（1b）を搬出するたの開口が設けられており、この開口
に上記処理室（８）を気密に保つための開閉可能な蓋
（12a）が設けられている。更に、このアウト側ロード
ロック室（10）の上記搬送部（3b）側には、ウエハ（1
b）を処理部（６）から搬出するための開口が設けられ
ており、この開口には、上記アウト側ロードロック室
（10）の気密を保つための開閉可能な蓋（12b）が設け
られている。このようなロードロック室（９）（10）の
上壁（13a）（13b）は、夫々透明な材質例えばポリカー
ボネイトにより構成されており、内部を目視可能として
いる。更に、この上壁（13a）（13b）には、上記ロード
ロック室（９）（10）内のウエハ（１）の有無を監視す
るためのセンサー（14a）（14b）例えば直接反射型セン
サーが、上記上壁（13a）（13b）を介して下方に向けた
状態で配置されている。このセンサー（14a）（14b）か
ら発生した光をロードロック室（９）（10）内に存在す
るウエハ（1a）（1b）表面で反射させて受光することに
より上記ウエハ（1a）（1b）の存在を検知する構成であ
るが上記ロードロック室（９）（10）内にウエハ（1a）
（1b）が存在しない場合、他のものに反射して誤検知す
る等のトラブルを防止するために、上記ロードロック室
（９）（10）底面部の上記センサー（14a）（14b）対向
位置には、上記センサー（14a）（14b）から発光された
光の反射を防止する材質或いは表面処理を施した例えば
黒デルリン或いは黒アルマイト，硬質アルマイトからな
る反射防止板（15a）（15b）が設けられている。このセ
ンサー（14a）（14b）は、例えば反射型センサーを用
い、更に上記反射防止板（15a）（15b）の位置に鏡を設
け、通常のこの鏡に例えば赤外線を反射させ、ウエハ
（1a）（1b）の存在により上記赤外線を遮断するように
構成してもよい。また、上記ロードロック室（９）（1
0）内には、夫々搬送機構（5a）（5b）例えば多関節ア
ームが設けられており、このアームの先端部に上記ウエ
ハ（1a）（1b）を載置する如く平板状に形成されてい
る。このようなロードロック室（９）（10）内は、夫々
減圧が可能な如く図示しない真空機構が接続し、更に、
不活性ガス例えばN2ガスを導入することにより内部を不
活性ガスに置換することが可能とされている。The processing section (6) is configured to process the wafer (1a) aligned by the alignment section (4). The processing unit (6) unloads the processed wafer (1b) and the in-side load lock chamber (9) capable of carrying the wafer (1a) while keeping the airtight container, ie, the processing chamber (8) airtight, for etching. Possible out side load lock room (1
0) is provided. An opening for loading the wafer (1a) is provided on the alignment section (4) side of the in-side load lock chamber (9). 9) A lid (11a) that can be opened and closed to maintain the airtightness is provided. Further, an opening for carrying the wafer (1a) into the processing chamber (8) is provided on the processing chamber (8) side of the in-side load lock chamber (9). Openable and closable lid (11) for keeping the inside of the processing chamber (8) airtight.
b) is provided. An opening for unloading the processed wafer (1b) is provided on the processing chamber (8) side of the out-side load lock chamber (10), and the processing chamber (8) is provided in this opening. An openable / closable lid (12a) is provided to keep the airtight. Further, a wafer (1) is placed on the transfer section (3b) side of the out-side load lock chamber (10).
An opening for carrying out b) from the processing section (6) is provided. This opening is provided with an openable / closable lid (12b) for keeping the outer side load lock chamber (10) airtight. ing. The upper walls (13a) and (13b) of the load lock chambers (9) and (10) are each made of a transparent material, for example, polycarbonate, so that the inside can be viewed. Further, sensors (14a) and (14b) for monitoring the presence or absence of the wafer (1) in the load lock chambers (9) and (10), for example, a direct reflection type sensor are provided on the upper walls (13a) and (13b). , Are arranged downward with the upper walls (13a) and (13b) interposed therebetween. The light generated from the sensors (14a) (14b) is reflected on the surfaces of the wafers (1a) and (1b) existing in the load lock chambers (9) and (10), and is received to receive the wafers (1a) and (1b). Is configured to detect the presence of a wafer (1a) in the load lock chambers (9) and (10).
If (1b) does not exist, the load lock chambers (9) and (10) oppose the sensors (14a) and (14b) on the bottom surface in order to prevent troubles such as erroneous detection by reflection on other objects. Are provided with anti-reflection plates (15a) (15b) made of, for example, black delrin, black alumite, or hard alumite, which have been subjected to a material or surface treatment for preventing reflection of light emitted from the sensors (14a) (14b). Have been. The sensors (14a) and (14b) are, for example, reflection type sensors, and mirrors are provided at the positions of the antireflection plates (15a) (15b). The infrared ray may be blocked by the presence of (1b). The load lock chamber (9) (1
Each of the transfer mechanisms (5a) and (5b), for example, a multi-joint arm is provided in 0), and is formed in a flat plate shape so that the wafers (1a) and (1b) are placed at the tip of the arm. I have. A vacuum mechanism (not shown) is connected to each of the load lock chambers (9) and (10) so that the pressure can be reduced.
By introducing an inert gas such as N 2 gas, the inside can be replaced with an inert gas.
また、上記エッチング処理室（８）内には、上記ウエ
ハ（１）を設置する設置台を兼ねた電極（16）とこの電
極に対向配置され、反応ガス例えばエッチングガスを上
記ウエハ（１）に供給する複数の開孔を備えた対向電極
（17）が設けられている。この電極（16）（17）間に高
周波電力を印加する図示しない電源が接続されている。
これにより上記電極（16）（17）間に放電の発生を可能
としている。このようにしてエッチング装置が構成され
ている。In the etching chamber (8), an electrode (16) also serving as an installation base for installing the wafer (1) is disposed opposite to the electrode, and a reaction gas, for example, an etching gas is supplied to the wafer (1). A counter electrode (17) having a plurality of holes to be supplied is provided. A power source (not shown) for applying high-frequency power is connected between the electrodes (16) and (17).
This enables a discharge to occur between the electrodes (16) and (17). Thus, the etching apparatus is configured.
次に、上述したエッチング装置の動作作用を説明す
る。Next, the operation of the above-described etching apparatus will be described.
まず、収納部（2a）に載置されたウエハカセット（7
a）内に収納されている未処理ウエハ（1a）を、搬送部
（3a）によりアライメント部（４）へ搬送する。このア
ライメント部（４）で上記ウエハ（1a）の中心位置合わ
せや、必要に応じてオリエンテーション・フラットの位
置合わせを行なう。そして、この位置合わせされたウエ
ハ（1a）を、イン側ロードロック室（９）内に配置され
ている搬送機構（5a）により上記イン側ロードロック室
（９）内に搬入し、蓋（11a）を閉じる。そして、この
イン側ロードロック室（９）に接続した真空機構（図示
せず）により、上記イン側ロードロック室（９）内を所
定の減圧状態に設定する。この時、上記イン側ロードロ
ック室（９）内にウエハ（1a）が配置されていることに
より、このイン側ロードロック室（９）の透明な上壁
（13a）上面に設けられているセンサー（14a）から発光
された光が、上記ウエハ（1a）表面で反射して受光され
る。このことにより、イン側ロードロック室（９）内に
ウエハ（1a）が存在していることを認識する。そして、
蓋（11b）を開け、所定の減圧状態に設定された処理室
（８）内に、搬送機構（5a）により搬入し、設置用電極
（16）に上記ウエハ（1a）を設置する。この時、上記セ
ンサー（14a）から発光された光は、イン側ロードロッ
ク室（９）底面に設けられている反射防止板（15a）に
照射されて反射せず、上記センサー（14a）は受光しな
い。このことにより、上記イン側ロードロック室（９）
内に配置されていたウエハ（1a）は処理室（８）内に配
置されたことを認識し、これを記憶する。そして、上記
処理室（８）内に設置されたウエハ（1a）は蓋（11b）
が閉じられた後に、所定の反応ガス例えばエッチングガ
スの供給、及び電極（16）（17）間の放電によりプラズ
マエッチングされる。この間、上記イン側ロードロック
室（９）内には、次の未処理ウエハ（1a）が搬入され、
ウエハ（1a）の存在が上記センサー（14a）により認識
される。そして、上記処理室（８）内のウエハ（１）の
エッチング処理が終了すると、この処理済ウエハ（1b）
を、減圧状態となっているアウト側ロードロック室（1
0）内に、蓋（12a）が開くことにより搬送される。この
アウト側ロードロック室（10）内に搬入されたウエハ
（1b）は、このアウト側ロードロック室（10）の上壁
（13b）上面に設けられているセンサー（14b）により、
ウエハ（1b）が上記処理室（８）内から搬出されたこと
を認識する。これにより、予め記憶されている、ウエハ
（1a）が処理室（８）内に配置されている状態を消去
し、このウエハ（1a）がアウト側ロードロック室（10）
に搬入されたことを認識する。First, the wafer cassette (7) placed in the storage section (2a)
The unprocessed wafer (1a) stored in a) is transferred to the alignment unit (4) by the transfer unit (3a). In the alignment section (4), center alignment of the wafer (1a) and, if necessary, alignment of an orientation flat are performed. Then, the aligned wafer (1a) is carried into the in-side load lock chamber (9) by the transfer mechanism (5a) disposed in the in-side load lock chamber (9), and the lid (11a) ) Close. Then, the inside of the in-side load lock chamber (9) is set to a predetermined reduced pressure state by a vacuum mechanism (not shown) connected to the in-side load lock chamber (9). At this time, since the wafer (1a) is disposed in the in-side load lock chamber (9), the sensor provided on the upper surface of the transparent upper wall (13a) of the in-side load lock chamber (9). The light emitted from (14a) is reflected and received on the surface of the wafer (1a). This recognizes that the wafer (1a) exists in the in-side load lock chamber (9). And
The cover (11b) is opened, and the wafer (1a) is set into the processing chamber (8) set to a predetermined reduced pressure state by the transfer mechanism (5a), and is set on the setting electrode (16). At this time, the light emitted from the sensor (14a) irradiates an anti-reflection plate (15a) provided on the bottom surface of the in-side load lock chamber (9) and does not reflect the light. do not do. Thereby, the in-side load lock chamber (9)
It recognizes that the wafer (1a) placed inside is placed in the processing chamber (8), and stores this. Then, the wafer (1a) set in the processing chamber (8) is replaced with a lid (11b).
Is closed, plasma etching is performed by supplying a predetermined reaction gas, for example, an etching gas, and discharging between the electrodes (16) and (17). During this time, the next unprocessed wafer (1a) is carried into the in-side load lock chamber (9),
The presence of the wafer (1a) is recognized by the sensor (14a). When the etching of the wafer (1) in the processing chamber (8) is completed, the processed wafer (1b)
To the out-side load lock chamber (1
It is transported by opening the lid (12a) in (0). The wafer (1b) loaded into the out-side load lock chamber (10) is detected by a sensor (14b) provided on the upper wall (13b) of the out-side load lock chamber (10).
It recognizes that the wafer (1b) has been unloaded from the processing chamber (8). Thereby, the state in which the wafer (1a) is stored in the processing chamber (8), which is stored in advance, is erased, and the wafer (1a) is removed from the out-side load lock chamber (10).
Recognize that it was carried in.
このように、上記イン側ロードロック室（９）及びア
ウト側ロードロック室（10）において上記ウエハ（１）
の搬入出状態を認識することができるため、処理室
（８）内へウエハ（1a）が搬入された事、及び処理室
（８）からウエハ（1b）が搬出された事も認識すること
ができ、そのため、上記処理室（８）内にウエハ（１）
有無監視センサーを設ける必要はなく、このセンサーの
破損防止及び安価な装置の提供が可能となる。Thus, the wafer (1) in the in-side load lock chamber (9) and the out-side load lock chamber (10).
Can recognize that the wafer (1a) has been loaded into the processing chamber (8) and that the wafer (1b) has been removed from the processing chamber (8). Therefore, the wafer (1) is placed in the processing chamber (8).
It is not necessary to provide a presence / absence monitoring sensor, and it is possible to prevent damage to this sensor and provide an inexpensive device.
上記実施例では、ウエハの有無を監視するセンサーと
して、反射型センサーを使用して説明したが、これに限
定するものではなく、例えば透過型センサーを用いても
同様な効果が得られる。In the above embodiment, the reflection type sensor is used as the sensor for monitoring the presence or absence of a wafer. However, the present invention is not limited to this. For example, a similar effect can be obtained by using a transmission type sensor.
また、上記実施例では、被処理基板としてウエハを用
いた例について説明したが、これに限定するものではな
く、例えばLCD基板についても同様に効果が得られる。
このLCD基板を使用する場合、センサーから発光した光
は、上記LCD基板を透過してしまうため、このLCD基板の
有無の監視として、上記LCD基板のエッジ部に上記セン
サーからの光を照射し、このエッジにおける散乱光を監
視する構成としてもよいし、或いは、センサーからの発
光光を傾めに上記LCD基板に入射させ、このLCD基板によ
る光の屈折を監視してもよい。Further, in the above-described embodiment, an example in which a wafer is used as a substrate to be processed has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, the same effect can be obtained for an LCD substrate.
When using this LCD substrate, light emitted from the sensor is transmitted through the LCD substrate, so that the edge of the LCD substrate is irradiated with light from the sensor as a monitor for the presence or absence of the LCD substrate, The scattered light at the edge may be monitored, or the light emitted from the sensor may be inclined and incident on the LCD substrate to monitor the refraction of the light by the LCD substrate.
また、上記実施例ではエッチング装置について説明し
たが、ロードロック室を使用する装置であればこれに限
定するものではなく、例えばイオン注入装置等でも同様
な効果が得られる。Further, although the etching apparatus has been described in the above embodiment, the present invention is not limited to this apparatus as long as it uses a load lock chamber. For example, a similar effect can be obtained with an ion implantation apparatus or the like.
以上述べたようにこの実施例によれば、被処理基板を
反応ガスにより処理する処理室の出入口にロードロック
室を備えた処理装置において、上記ロードロック室の上
壁を透明な材質で構成し、この上壁を介して上記被処理
基板の有無を監視するセンサーを設けたことにより、上
記ロードロック室内における被処理基板の有無は直接検
知でき、また、上記処理室内の被処理基板の有無は、上
記ロードロック室からの搬出動作及び搬入動作により判
断することができ、上記ロードロック室内及び処理室内
における被処理基板の有無を監視することが可能とな
る。このことにより、連続して被処理基板を破損させる
ことはなく、信頼性の高い装置を得ることができる。As described above, according to this embodiment, in a processing apparatus having a load lock chamber at the entrance and exit of a processing chamber for processing a substrate to be processed with a reaction gas, the upper wall of the load lock chamber is made of a transparent material. By providing a sensor for monitoring the presence or absence of the substrate to be processed through the upper wall, the presence or absence of the substrate to be processed in the load lock chamber can be directly detected. It is possible to make a determination based on the unloading operation and the loading operation from the load lock chamber, and it is possible to monitor the presence or absence of a substrate to be processed in the load lock chamber and the processing chamber. Thus, a highly reliable apparatus can be obtained without continuously damaging the substrate to be processed.
また、ロードロック室内及び処理室内における被処理
基板の有無を監視することができるため、上記被処理基
板の破損等にも容易に対応することができる。Further, since the presence or absence of the substrate to be processed in the load lock chamber and the processing chamber can be monitored, it is possible to easily cope with the damage of the substrate to be processed and the like.
第１図は本発明装置の一実施例を説明するためのエッチ
ング装置の構成図、第２図は第１図の側面図である。 １……ウエハ、８……処理室 ９……イン側ロードロック室 10……アウト側ロードロック室 13a,13b……上壁、14……センサー 5a,5b……搬送機構FIG. 1 is a configuration diagram of an etching apparatus for explaining an embodiment of the apparatus of the present invention, and FIG. 2 is a side view of FIG. 1 Wafer, 8 Processing chamber 9 In-side load lock chamber 10 Out-side load lock chamber 13a, 13b Upper wall, 14 Sensor 5a, 5b Transfer mechanism
Claims (3)
室の出入口にロードロック室を備えた処理装置におい
て、上記ロードロック室の上壁を透明な材質で構成し、
この上壁を透過して上記被処理基板の有無を監視する光
センサーを設け、更に、この光センサーの対向位置には
前記光センサーから発光された光の反射を防止する反射
防止板を設けたことを特徴とする処理装置。1. A processing apparatus having a load lock chamber at an entrance and exit of a processing chamber for processing a substrate to be processed by a reaction gas, wherein an upper wall of the load lock chamber is made of a transparent material,
An optical sensor for monitoring the presence or absence of the substrate to be processed is provided through the upper wall, and an anti-reflection plate for preventing reflection of light emitted from the optical sensor is provided at a position facing the optical sensor. A processing device characterized by the above-mentioned.
の出入口にロードロック室を備えた処理装置において、
前記ロードロック室の上壁を透明な材質で構成し、この
上壁を透過して前記LCD基板のエッジ部を監視すること
により前記LCD基板の有無を監視する光センサーを設け
たことを特徴とする処理装置。2. A processing apparatus having a load lock chamber at an entrance and exit of a processing chamber for processing an LCD substrate with a reaction gas,
An upper wall of the load lock chamber is made of a transparent material, and an optical sensor for monitoring the presence or absence of the LCD substrate is provided by monitoring an edge portion of the LCD substrate through the upper wall. Processing equipment.
基板を処理する減圧可能な処理室と、この処理室に設け
られた開閉可能な出入口を介して設けられた減圧可能な
ロードロック室と、前記LCD基板を前記処理室と前記ロ
ードロック室との間で搬送する前記ロードロック室内に
設けられた搬送機構と、前記ロードロック室の上壁を透
過して前記搬送機構により搬送された前記LCD基板のエ
ッジ部を監視することにより前記LCD基板の有無を監視
する光センサーとを具備したことを特徴とする処理装
置。3. The reaction gas supplied is turned into a plasma to form an LCD.
A decompressible processing chamber for processing the substrate, a decompressible load lock chamber provided through an openable doorway provided in the processing chamber, and the LCD substrate between the processing chamber and the load lock chamber. A transport mechanism provided in the load lock chamber for transporting the LCD substrate between the load lock chamber and the edge of the LCD substrate transported by the transport mechanism through the upper wall of the load lock chamber. And a light sensor for monitoring the temperature.
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-
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- 1988-10-26 JP JP27006688A patent/JP2641922B2/en not_active Expired - Lifetime
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