JPH05294405A - Substrate detector - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、基板検出装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate detecting device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、基板例えば半導体ウエハを取
り扱う半導体デバイスの製造工程、あるいはＬＣＤ用ガ
ラス基板を取り扱う液晶表示装置の製造工程等において
は、これらの基板の搬送機構あるいは各種処理機構等
に、基板の有無を検出するための基板検出装置が用いら
れている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a manufacturing process of a semiconductor device handling a substrate such as a semiconductor wafer or a manufacturing process of a liquid crystal display device handling a glass substrate for LCD, etc., a transport mechanism for these substrates or various processing mechanisms is used. A substrate detection device for detecting the presence or absence of a substrate is used.
【０００３】このような従来の基板検出装置としては、
例えば、基板載置面を挟んで上下に光照射機構と受光機
構を設け、光が基板によって遮断されたか否かによって
基板の有無を検出する透過型の基板検出装置。あるい
は、光照射機構によって基板表面に光を照射し、受光機
構によって基板表面からの反射光が測定されるか否かに
よって基板の有無を検出する反射型の基板検出装置等が
知られている。As such a conventional substrate detection device,
For example, a transmissive substrate detection device is provided with a light irradiation mechanism and a light receiving mechanism above and below the substrate mounting surface, and detects the presence or absence of the substrate depending on whether light is blocked by the substrate. Alternatively, there is known a reflection-type substrate detection device or the like that irradiates the substrate surface with light by a light irradiation mechanism and detects the presence or absence of the substrate by whether or not the reflected light from the substrate surface is measured by the light receiving mechanism.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た基板検出装置のうち、基板によって光が遮断されたか
否かによって基板の有無を検出する透過型の基板検出装
置では、基板載置面を挟んで上下に光照射機構と受光機
構を設ける必要があり、基板載置面の上下にこのような
機構を設置するスペースを確保しなければならいため設
置可能場所が限られるという問題と、メンテナンス等の
際にこれらの光照射機構および受光機構の両方にアクセ
スしなければならないため、メンテナンス性が悪化する
という問題がある。However, of the above-mentioned substrate detecting devices, in the transmissive substrate detecting device which detects the presence or absence of the substrate depending on whether or not the light is blocked by the substrate, the substrate mounting surface is sandwiched. It is necessary to provide a light irradiation mechanism and a light receiving mechanism on the upper and lower sides, and it is necessary to secure a space for installing such a mechanism above and below the substrate mounting surface. In addition, since it is necessary to access both the light irradiation mechanism and the light receiving mechanism, there is a problem that maintainability deteriorates.
【０００５】また、基板表面からの反射光が測定される
か否かによって基板の有無を検出する反射型の基板検出
装置では、基板載置面の上側あるいは下側に光照射機構
および受光機構をまとめて配置することができるが、例
えば基板面の光反射状態によって誤検出が生じたり、基
板載置面（基板）が上下動するような場合は、光照射機
構および受光機構等も上下動させないと基板の有無を検
出することができないという問題がある。Further, in a reflection type substrate detection device which detects the presence or absence of a substrate depending on whether or not the reflected light from the substrate surface is measured, a light irradiation mechanism and a light receiving mechanism are provided above or below the substrate mounting surface. They can be placed together, but if, for example, erroneous detection occurs due to the light reflection state of the substrate surface or the substrate mounting surface (substrate) moves up and down, the light irradiation mechanism and light receiving mechanism do not move up and down. There is a problem that the presence or absence of the substrate cannot be detected.
【０００６】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、メンテナンス性および設置可能場所の自
由度が高く、かつ、基板面の状態が一様でない場合や基
板載置面が上下動する場合であっても確実に基板の有無
を検出することのできる基板検出装置を提供しようとす
るものである。The present invention has been made in consideration of such a conventional situation, and has a high maintainability and a high degree of freedom in an installable place, and when the state of the substrate surface is not uniform or the substrate mounting surface is up and down. An object of the present invention is to provide a substrate detection device capable of surely detecting the presence or absence of a substrate even when it moves.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の基板検出装置
は、基板が載置される基板載置面上の前記基板の有無を
検出する基板検出装置において、光照射手段によって、
前記基板載置面に対して傾斜する如く形成された反射部
に光を照射し、受光手段によって、前記反射部からの反
射光を測定して前記基板の有無を検出することを特徴と
する。A substrate detecting device of the present invention is a substrate detecting device for detecting the presence or absence of the substrate on a substrate mounting surface on which a substrate is mounted, wherein:
The presence or absence of the substrate is detected by irradiating light to a reflecting portion formed so as to be inclined with respect to the substrate mounting surface, and measuring the reflected light from the reflecting portion by a light receiving means.
【０００８】[0008]
【作用】上記構成の本発明の基板検出装置では、基板載
置面の上側あるいは下側に光照射機構および受光機構を
まとめて配置することができるので、メンテナンス性が
良好で、設置可能場所の自由度も高い。In the substrate detecting apparatus of the present invention having the above-described structure, the light irradiation mechanism and the light receiving mechanism can be collectively arranged on the upper side or the lower side of the substrate mounting surface, so that the maintainability is good and the installation place is small. Freedom is also high.
【０００９】また、基板載置面に、この基板載置面に対
して傾斜する如く形成された反射部からの反射光を測定
して基板の有無を検出するので、基板面の状態に関係な
く確実に基板の有無を検出することができるとともに、
ある程度基板載置面が上下動する場合でも、光照射機構
および受光機構等を上下動させることなく、基板の有無
を検出することができる。Further, since the presence or absence of the substrate is detected by measuring the reflected light from the reflecting portion formed on the substrate mounting surface so as to be inclined with respect to the substrate mounting surface, regardless of the state of the substrate surface. The presence or absence of the board can be reliably detected, and
Even if the substrate mounting surface moves up and down to some extent, the presence or absence of the substrate can be detected without vertically moving the light irradiation mechanism and the light receiving mechanism.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明をイオン注入装置に適用した一
実施例について、図面を参照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to an ion implantation apparatus will be described below with reference to the drawings.
【００１１】図２は、本発明の一実施例の基板検出装置
が配置されたイオン注入装置の全体構成を示すもので、
イオン源１では、ガスボックス２内に収容されたガスボ
トルから供給された所定のガスを、イオン源用電源３か
ら印加された電力によりイオン化する。そして、このイ
オンを引き出し、質量分析マグネット４および可変スリ
ット５によって選別し、加速管６および四極子レンズ
７、Ｙスキャンプレート８およびＸスキャンプレート９
によって加速、収束、走査を行い、イオンビームとして
エンドステーション１０のプラテン１１上に配置された
半導体ウエハ１２に走査、照射するよう構成されてい
る。FIG. 2 shows the overall structure of an ion implantation apparatus in which the substrate detection apparatus of one embodiment of the present invention is arranged.
In the ion source 1, the predetermined gas supplied from the gas bottle housed in the gas box 2 is ionized by the electric power applied from the ion source power supply 3. Then, the ions are extracted and selected by the mass analysis magnet 4 and the variable slit 5, and the acceleration tube 6, the quadrupole lens 7, the Y scan plate 8 and the X scan plate 9 are selected.
Is accelerated, converged, and scanned, and the semiconductor wafer 12 arranged on the platen 11 of the end station 10 is scanned and irradiated as an ion beam.
【００１２】なお、ガスボックス２内に収容されたガス
ボトルには、例えば、ＰＨ3 １５％、Ｈ2 ８５％等、Ｈ
2 ガスを多く含むガスが充填されている。このため、ガ
ス漏れを検出するためのガスセンサが設けられており、
このガスセンサでガス漏れが検出されると、直ちに各ガ
ス配管に設けられた緊急遮断弁が閉じるとともに、窒素
ガス供給弁が開いて、多量の窒素ガスがガスボックス２
内にパージされ、Ｈ2ガスによる爆発等が生じないよう
構成されている。The gas bottle accommodated in the gas box 2 contains, for example, PH 3 15%, H 2 85%, H 2
It is filled with gas that contains a large amount of 2 gases. For this reason, a gas sensor for detecting gas leakage is provided,
When a gas leak is detected by this gas sensor, the emergency shutoff valve provided in each gas pipe is immediately closed, and the nitrogen gas supply valve is opened, so that a large amount of nitrogen gas is generated in the gas box 2.
It is purged inside, and is configured so that explosion or the like due to H 2 gas does not occur.
【００１３】上記プラテン１１等は、高真空とされた真
空処理室１３内に配置されている。そして、エンドステ
ーション１０には、真空処理室１３を挟むように2 つの
ロードロック室１４が設けられている。図３にも示すよ
うに、各ロードロック室１４の前方には、回転可能に構
成されたターンテーブル１５および長手方向に移動可能
とされたフォーク１６からなるウエハ搬送機構が設けら
れており、これらのウエハ搬送機構の間には、フォーク
１６上の半導体ウエハ１２の位置合わせ（センタリン
グ）を行うセンタリングカップ１７が設けられている。The platen 11 and the like are placed in a high vacuum vacuum processing chamber 13. Further, the end station 10 is provided with two load lock chambers 14 so as to sandwich the vacuum processing chamber 13. As shown in FIG. 3, in front of each load lock chamber 14, there is provided a wafer transfer mechanism including a turntable 15 that is rotatable and a fork 16 that is movable in the longitudinal direction. A centering cup 17 for aligning (centering) the semiconductor wafer 12 on the fork 16 is provided between the wafer transfer mechanisms.
【００１４】また、ターンテーブル１５の側方には、そ
れぞれ上下動可能に構成されたカセットエレベータ１８
が設けられており、これらのカセットエレベータ１８上
には、複数枚（例えば25枚）の半導体ウエハ１２を収容
したウエハカセット１９が載置されるよう構成されてい
る。Further, on the side of the turntable 15, a cassette elevator 18 is constructed which is vertically movable.
A wafer cassette 19 accommodating a plurality of (for example, 25) semiconductor wafers 12 is placed on these cassette elevators 18.
【００１５】図１に示すように、上記各ロードロック室
１４の上部には、ガラス製の窓２０が設けられており、
ロードロック室１４の内部には、その上面に半導体ウエ
ハ１２が載置されるウエハ載置台２１が配設されてい
る。また、このウエハ載置台２１のウエハ載置面（上
面）には、ウエハ載置面に対して所定角度（例えば１０
〜３０度）傾斜した傾斜面を形成する如く凹陥された反
射部２２が形成されており、この反射部２２に向けて光
を照射し、この反射部２２からの反射光を検出する如
く、発光素子および受光素子が組込まれた検出センサ２
３が、窓２０の外側に配置されている。この検出センサ
２３の検出信号は、ウエハ検出回路２４に入力され、ウ
エハ検知（および非検知）信号として、装置全体の統括
的な制御を行う主制御回路２５に入力される。なお、こ
の検出センサ２３は、ロードロック室１４の内部に設け
てもよい。As shown in FIG. 1, a glass window 20 is provided above each of the load lock chambers 14,
Inside the load lock chamber 14, a wafer mounting table 21 on which the semiconductor wafer 12 is mounted is arranged on the upper surface. Further, the wafer mounting surface (upper surface) of the wafer mounting table 21 has a predetermined angle (eg, 10 mm) with respect to the wafer mounting surface.
A reflecting portion 22 is formed so as to form a slanted surface, and light is emitted toward the reflecting portion 22, and the reflected light from the reflecting portion 22 is detected to emit light. Sensor 2 with built-in element and light receiving element
3 is arranged outside the window 20. The detection signal of the detection sensor 23 is input to the wafer detection circuit 24, and is input as a wafer detection (and non-detection) signal to the main control circuit 25 that performs overall control of the entire apparatus. The detection sensor 23 may be provided inside the load lock chamber 14.
【００１６】すなわち、ウエハ載置台２１上に半導体ウ
エハ１２が載置されていない場合、検出センサ２３の発
光素子から照射された光２６は、反射部２２にて反射
し、検出センサ２３の受光素子に入射するので、この反
射光の検出信号がウエハ検出回路２４に入力され、ウエ
ハ非検知信号として主制御回路２５に入力される。一
方、ウエハ載置台２１上に半導体ウエハ１２が載置され
ている場合は、検出センサ２３の発光素子から照射され
た光２６は、半導体ウエハ１２によって反射され、検出
センサ２３の受光素子には入射しないので、ウエハ検出
回路２４には反射光の検出信号が入力されず、主制御回
路２５にはウエハ検知信号が入力される。That is, when the semiconductor wafer 12 is not mounted on the wafer mounting table 21, the light 26 emitted from the light emitting element of the detection sensor 23 is reflected by the reflecting portion 22 and the light receiving element of the detection sensor 23. Since it is incident on the wafer, the detection signal of this reflected light is input to the wafer detection circuit 24 and is input to the main control circuit 25 as a wafer non-detection signal. On the other hand, when the semiconductor wafer 12 is mounted on the wafer mounting table 21, the light 26 emitted from the light emitting element of the detection sensor 23 is reflected by the semiconductor wafer 12 and is incident on the light receiving element of the detection sensor 23. Therefore, the detection signal of the reflected light is not input to the wafer detection circuit 24, and the wafer detection signal is input to the main control circuit 25.
【００１７】なお、本実施例の場合、ウエハ載置台２１
は、アルミニウムによって構成されており、反射部２２
はアルミニウム板材の一部を凹陥するように切削して形
成されている。このため、反射部２２では乱反射が生じ
るので、検出センサ２３の発光素子と受光素子の位置合
わせは、あまり高い精度を必要としない。また、ウエハ
載置台２１は、フォーク１６との半導体ウエハ１２の受
け渡し等のために、図１に示すように上下動するが、ウ
エハ載置台２１の下降位置（図１に一点鎖線で示す）に
おいても、反射部２２は光軸上に位置しているので、検
出センサ２３によって半導体ウエハ１２の有無を検出す
ることができる。In the case of this embodiment, the wafer mounting table 21
Is made of aluminum, and the reflecting portion 22
Is formed by cutting a part of an aluminum plate material to be recessed. For this reason, since diffuse reflection occurs in the reflecting section 22, the positioning of the light emitting element and the light receiving element of the detection sensor 23 does not require very high accuracy. Further, the wafer mounting table 21 moves up and down as shown in FIG. 1 in order to transfer the semiconductor wafer 12 to and from the fork 16, etc. However, since the reflection part 22 is located on the optical axis, the presence or absence of the semiconductor wafer 12 can be detected by the detection sensor 23.
【００１８】上記構成のこの実施例のイオン注入装置で
は、カセットエレベータ１８の一方に処理を行う半導体
ウエハ１２を収容したウエハカセット１９を載置し、他
方に空のウエハカセット１９を載置して、一方のロード
ロック室１４を半導体ウエハ１２の搬入用、他方のロー
ドロック室１４を処理の終了した半導体ウエハ１２の搬
出用として用いる。In the ion implantation apparatus of this embodiment having the above structure, the wafer cassette 19 containing the semiconductor wafer 12 to be processed is placed on one side of the cassette elevator 18 and the empty wafer cassette 19 is placed on the other side. One of the load lock chambers 14 is used for carrying in the semiconductor wafer 12, and the other load lock chamber 14 is used for carrying out the processed semiconductor wafer 12.
【００１９】そして、まずカセットエレベータ１８によ
って、処理を行う半導体ウエハ１２を収容したウエハカ
セット１９を上昇させ、最下段の半導体ウエハ１２をフ
ォーク１６によって取り出す。そして、ターンテーブル
１５を回転させ、センタリングカップ１７によってフォ
ーク１６上の半導体ウエハ１２の位置合わせ（センタリ
ング）を行い、この後、この半導体ウエハ１２をロード
ロック室１４に搬入する。Then, first, the cassette elevator 18 raises the wafer cassette 19 containing the semiconductor wafer 12 to be processed, and the lowermost semiconductor wafer 12 is taken out by the fork 16. Then, the turntable 15 is rotated, the semiconductor wafer 12 on the fork 16 is aligned (centered) by the centering cup 17, and then the semiconductor wafer 12 is loaded into the load lock chamber 14.
【００２０】次に、ロードロック室１４内のウエハ載置
台２１を上昇させ、半導体ウエハ１２をフォーク１６上
からウエハ載置台２１上に移し、フォーク１６をロード
ロック室１４から引き抜いて、図示しないゲートバルブ
を閉じる。そして、ロードロック室１４内を所定の真空
度に設定する。この時、このロードロック室１４上部に
設けられた検出センサ２３では、それまで検出されてい
た反射部２２からの反射光が検出できなくなる。これに
よって、主制御回路２５には、ウエハ検知信号が入力さ
れる。したがって、半導体ウエハ１２の有無を確認して
確実な処理を実行することができる。Next, the wafer mounting table 21 in the load lock chamber 14 is raised, the semiconductor wafer 12 is transferred from the fork 16 onto the wafer mounting table 21, and the fork 16 is pulled out from the load lock chamber 14 to obtain a gate (not shown). Close the valve. Then, the inside of the load lock chamber 14 is set to a predetermined vacuum degree. At this time, the detection sensor 23 provided at the upper portion of the load lock chamber 14 cannot detect the reflected light from the reflecting portion 22 which has been detected until then. As a result, the wafer detection signal is input to the main control circuit 25. Therefore, it is possible to confirm the presence or absence of the semiconductor wafer 12 and execute a reliable process.
【００２１】この後、図示しない真空処理室１３側のゲ
ートバルブ２０を開け、真空処理室１３内に設けられた
図示しない搬送機構により、ウエハ載置台２１上の半導
体ウエハ１２を搬送し、プラテン１１上に配置する。な
お、プラテン１１は、半導体ウエハ１２を支持する支持
面がほぼ水平な状態および垂直な状態となるよう約90度
回転自在に構成されている。そして、このプラテン１１
支持面をほぼ水平な状態として半導体ウエハ１２をロー
ド・アンロードし、支持面をほぼ垂直な状態としてイオ
ンビームの照射を行う。After that, the gate valve 20 on the vacuum processing chamber 13 side (not shown) is opened, and the semiconductor wafer 12 on the wafer mounting table 21 is transferred by the transfer mechanism (not shown) provided in the vacuum processing chamber 13, and the platen 11 is moved. Place it on top. The platen 11 is rotatable about 90 degrees so that the supporting surface for supporting the semiconductor wafer 12 is in a substantially horizontal state and a vertical state. And this platen 11
The semiconductor wafer 12 is loaded / unloaded with the supporting surface in a substantially horizontal state, and the ion beam irradiation is performed with the supporting surface in a substantially vertical state.
【００２２】この時、予め真空排気を実施し、搬出用の
ロードロック室１４を所定の真空度に設定しておく。そ
して、半導体ウエハ１２のイオン注入処理が終了する
と、真空処理室１３側のゲートバルブを開け、真空処理
室１３内に設けられた図示しない搬送機構により、プラ
テン１１上の半導体ウエハ１２を搬送し、ウエハ載置台
２１上に配置する。そして、ロードロック室１４内部に
窒素ガスを導入し常圧に戻した後、大気側のゲートバル
ブを開け、ターンテーブル１５およびフォーク１６によ
ってロードロック室１４内の半導体ウエハ１２を取り出
し、空のウエハカセット１９の上段から順に収容する。
この時、このロードロック室１４上部に設けられた検出
センサ２３および反射部２２によって、主制御回路２５
には、ウエハ検知信号が入力され、半導体ウエハ１２の
搬出動作が確認される。At this time, vacuum evacuation is performed in advance to set the carry-out load lock chamber 14 to a predetermined vacuum degree. Then, when the ion implantation process of the semiconductor wafer 12 is completed, the gate valve on the vacuum processing chamber 13 side is opened, and the semiconductor wafer 12 on the platen 11 is transferred by a transfer mechanism (not shown) provided in the vacuum processing chamber 13. It is placed on the wafer table 21. Then, after introducing nitrogen gas into the load lock chamber 14 and returning it to normal pressure, the atmosphere side gate valve is opened, the semiconductor wafer 12 in the load lock chamber 14 is taken out by the turntable 15 and the fork 16, and an empty wafer is obtained. The cassettes 19 are housed in order from the top.
At this time, the main control circuit 25 is controlled by the detection sensor 23 and the reflection portion 22 provided on the upper portion of the load lock chamber 14.
A wafer detection signal is input to, and the unloading operation of the semiconductor wafer 12 is confirmed.
【００２３】以上のように、本実施例によれば、ロード
ロック室１４内の半導体ウエハ１２の有無を、半導体ウ
エハ１２の表面状態によらず確実に検知することができ
る。また、ウエハ載置台２１が上下動しても、検出セン
サ２３等を上下動させることなく、半導体ウエハ１２の
有無を検知することができる。さらに、検出センサ２３
がロードロック室１４の窓２０の外部に配設されている
ので、装置内部に設置スペースをとることがなく、また
メンテナンスも容易に行うことができる。As described above, according to this embodiment, the presence or absence of the semiconductor wafer 12 in the load lock chamber 14 can be reliably detected regardless of the surface state of the semiconductor wafer 12. Further, even if the wafer mounting table 21 moves up and down, the presence or absence of the semiconductor wafer 12 can be detected without vertically moving the detection sensor 23 and the like. Furthermore, the detection sensor 23
Is disposed outside the window 20 of the load lock chamber 14, so that no installation space is required inside the device and maintenance can be easily performed.
【００２４】なお、上記実施例では、イオン注入装置の
ロードロック室１４内のウエハ載置台２１上の半導体ウ
エハ１２の有無を検出する場合について説明したが、本
発明はかかる実施例に限定されるものではなく、例え
ば、エッチング装置、アッシング装置、スパッタ装置、
ＣＶＤ装置、現像装置、フォトレジスト液の塗布装置等
あらゆる基板処理装置に適用することができる。また、
基板は、半導体ウエハに限らず、例えばＬＣＤ用基板の
処理等に対しても同様にして適用することができる。In the above embodiment, the case where the presence or absence of the semiconductor wafer 12 on the wafer mounting table 21 in the load lock chamber 14 of the ion implantation apparatus is detected has been described, but the present invention is limited to this embodiment. However, for example, an etching device, an ashing device, a sputtering device,
It can be applied to any substrate processing apparatus such as a CVD apparatus, a developing apparatus, a photoresist solution coating apparatus, and the like. Also,
The substrate is not limited to a semiconductor wafer, but can be similarly applied to, for example, processing of an LCD substrate.
【００２５】さらに、上記実施例では、反射部２２およ
び検出センサ２３を１つのみ設けた場合について説明し
たが、反射部２２および検出センサ２３を、半導体ウエ
ハ１２載置面の複数カ所に設ければ、半導体ウエハ１２
の位置ずれ等も検出することが可能となる。Further, in the above embodiment, the case where only one reflecting portion 22 and one detecting sensor 23 are provided has been described, but the reflecting portion 22 and the detecting sensor 23 are provided at a plurality of places on the mounting surface of the semiconductor wafer 12. For example, semiconductor wafer 12
It is also possible to detect the positional deviation of the.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の基
板検出装置によれば、メンテナンス性および設置可能場
所の自由度が高く、かつ、基板面の状態が一様でない場
合や基板載置面が上下動する場合であっても、確実に基
板の有無を検出することができる。As described in detail above, according to the substrate detecting apparatus of the present invention, the maintainability and the degree of freedom of the installable place are high, and the state of the substrate surface is not uniform or the substrate is not placed. Even if the surface moves up and down, it is possible to reliably detect the presence or absence of the substrate.
【図１】本発明の一実施例の基板検出装置の構成を示す
図。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a substrate detection device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例のイオン注入装置の全体構成
を示す図。FIG. 2 is a diagram showing the overall configuration of an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図３】図２のイオン注入装置のエンドステーションの
構成を示す図。3 is a diagram showing a configuration of an end station of the ion implantation apparatus of FIG.
１２ 半導体ウエハ １４ ロードロック室 ２０ 窓 ２１ ウエハ載置台 ２２ 反射部 ２３ 検出センサ ２４ ウエハ検出回路 ２５ 主制御回路 ２６ 光 12 Semiconductor Wafer 14 Load Lock Chamber 20 Window 21 Wafer Placement Table 22 Reflector 23 Detection Sensor 24 Wafer Detection Circuit 25 Main Control Circuit 26 Optical
Claims (1)
板の有無を検出する基板検出装置において、 光照射手段によって、前記基板載置面に対して傾斜する
如く形成された反射部に光を照射し、受光手段によっ
て、前記反射部からの反射光を測定して前記基板の有無
を検出することを特徴とする基板検出装置。1. A substrate detection device for detecting the presence or absence of the substrate on a substrate mounting surface on which a substrate is mounted, wherein a reflecting portion is formed by light irradiation means so as to be inclined with respect to the substrate mounting surface. A substrate detecting apparatus, which irradiates the substrate with light, and detects the presence or absence of the substrate by measuring the reflected light from the reflecting section by a light receiving means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9943592A JPH05294405A (en) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | Substrate detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9943592A JPH05294405A (en) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | Substrate detector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05294405A true JPH05294405A (en) | 1993-11-09 |
Family
ID=14247354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9943592A Withdrawn JPH05294405A (en) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | Substrate detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05294405A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5558482A (en) * | 1992-07-29 | 1996-09-24 | Tokyo Electron Limited | Multi-chamber system |
| JP2001068531A (en) * | 1999-04-19 | 2001-03-16 | Applied Materials Inc | Method for detecting wafer position |
| WO2002023622A1 (en) * | 2000-09-13 | 2002-03-21 | Tokyo Electron Limited | Detector and treatment system for detected body |
| JP2006005086A (en) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Semiconductor manufacturing system |
| KR100857318B1 (en) * | 2002-06-21 | 2008-09-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Angled sensors for detecting substrates |
| JP2010171051A (en) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Hitachi Plant Technologies Ltd | Transfer machine |
| JP2013239481A (en) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Daifuku Co Ltd | Substrate detection device |
-
1992
- 1992-04-20 JP JP9943592A patent/JPH05294405A/en not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5558482A (en) * | 1992-07-29 | 1996-09-24 | Tokyo Electron Limited | Multi-chamber system |
| JP2001068531A (en) * | 1999-04-19 | 2001-03-16 | Applied Materials Inc | Method for detecting wafer position |
| WO2002023622A1 (en) * | 2000-09-13 | 2002-03-21 | Tokyo Electron Limited | Detector and treatment system for detected body |
| KR100857318B1 (en) * | 2002-06-21 | 2008-09-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Angled sensors for detecting substrates |
| JP2006005086A (en) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Semiconductor manufacturing system |
| JP2010171051A (en) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Hitachi Plant Technologies Ltd | Transfer machine |
| JP2013239481A (en) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Daifuku Co Ltd | Substrate detection device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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