KR101355345B1 - 연마용 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따르면, 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼 등의 탄화규소 웨이퍼를 연마하는 용도로 보다 바람직하게 사용할 수 있는 연마용 조성물을 제공한다.
본 발명의 연마용 조성물은 바나드산암모늄, 바나드산나트륨 및 바나드산칼륨 등의 바나드산염과, 과산화수소 및 오존 등의 산소 공여제를 함유한다. 연마용 조성물은, 바람직하게는 지립 및 pH 조정제 중 어느 하나 이상을 더 함유한다.
연마용 조성물, 바나드산염, 산소 공여제, 지립, pH 조정제

Description

연마용 조성물 {POLISHING COMPOSITION}
본 발명은 탄화규소 웨이퍼를 연마하는 용도, 보다 구체적으로는 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 (0001) Si면, 또는 (000-1) C면 등의 (0001) Si면 이외의 면을 연마하는 용도로 주로 사용되는 연마용 조성물에 관한 것이다.
4H-SiC 단결정 웨이퍼나 6H-SiC 단결정 웨이퍼 등의 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼는, 통상적으로 다이아몬드 지립을 포함하는 슬러리를 사용하여 웨이퍼 표면을 예비연마하는 공정과, 예비연마 후의 웨이퍼 표면을 마무리 연마하는 공정을 거쳐 제조된다. 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 마무리 연마에서는, 예비연마에 의해 웨이퍼 표면에 발생하는 비정질의 가공 변질층이 제거됨과 동시에, 가공 변질층의 제거 후에 노출되는 웨이퍼 표면이 평탄화된다.
육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 마무리 연마에서 사용할 수 있는 연마용 조성물로서는, 특허 문헌 1에 개시되어 있는 콜로이드 실리카를 함유한 pH 4 내지 9의 연마용 조성물이 알려져 있다. 그러나, 특허 문헌 1의 연마용 조성물에 의한 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 연마 속도가 그다지 크지 않고, 특허 문헌 1의 연마용 조성물을 사용한 경우에는 마무리 연마에 필요한 시간이 매우 길어진다는 문제가 있다.
또한, 특허 문헌 2에는 산화크롬 지립 및 과산화수소를 함유하는 연마용 조성물을 사용하여, 탄화규소 단결정 웨이퍼를 연마하는 것이 개시되어 있다. 그러나, 특허 문헌 2의 연마용 조성물은 환경 유해성이 높은 산화크롬을 함유하고 있는 것에 추가하여, 연마 후의 웨이퍼 표면이 산화크롬의 부착에 의해 오염될 우려가 있다는 점에서도 문제가 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2005-117027호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제2001-205555호 공보
본 발명은 이러한 실정을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼 등의 탄화규소 웨이퍼를 연마하는 용도로 보다 바람직하게 사용할 수 있는 연마용 조성물을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 청구항 1에 기재된 발명은 바나드산염과 산소 공여제를 함유하는 것을 특징으로 하는 연마용 조성물을 제공한다.
청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 있어서, 지립을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 연마용 조성물을 제공한다.
청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 2에 있어서, 탄화규소 웨이퍼를 연마하는 용도로 사용되는 것을 특징으로 하는 연마용 조성물을 제공한다.
청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 3 중 어느 하나에 있어서, pH가 4 내지 11.5이고, 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 (0001) Si면을 연마하는 용도로 사용되는 것을 특징으로 하는 연마용 조성물을 제공한다.
청구항 5에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 3 중 어느 하나에 있어서, pH가 8 이하이고, 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 (0001) Si면 이외의 면을 연마하는 용도로 사용되는 것을 특징으로 하는 연마용 조성물을 제공한다.
본 발명에 따르면, 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼 등의 탄화규소 웨이퍼를 연마하는 용도로 보다 바람직하게 사용할 수 있는 연마용 조성물이 제공된다.
이하, 본 발명의 일실시 형태를 설명한다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은 바나드산염 및 산소 공여제를, 바람직하게는 지립 및 pH 조정제 중 어느 하나 이상과 함께 물에 혼합함으로써 제조된다. 따라서, 연마용 조성물은 바나드산염, 산소 공여제 및 물을 함유하고, 바람직하게는 지립 및 pH 조정제 중 하나 이상을 더 함유한다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은 탄화규소 웨이퍼를 연마하는 용도, 보다 구체적으로는 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 (0001) Si면, 또는 (000-1) C면 등의 (0001) Si면 이외의 면을 연마하는 용도로 사용된다. (0001) Si면은, (000-1) C면 등의 (0001) Si면 이외의 면과 비교하여 산화 속도 및 에칭 속도가 낮고, 일반적으로 연마용 조성물에 의한 (0001) Si면의 연마 속도는 동일 연마용 조성물에 의한 (0001) Si면 이외의 면의 연마 속도보다 낮다. 또한, 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 양면은, 통상적으로 (0001) Si면과 (000-1) C면이라는 다른 면 방위의 결정면에 의해 구성되어 있다. 육방정 탄화규소 단결정 중의 Si-C 결합은 약 12 ％가 이온 결합성이기 때문에, (0001) Si면은 약간 플러스로 대전되고, (000-1) C면은 약간 마이너스로 대전된다.
상기 바나드산염 및 산소 공여제는 공동하여 연마용 조성물에 의한 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼를 포함하는 탄화규소 웨이퍼의 연마 속도를 향상시키는 기능을 한다. 바나드산염 및 산소 공여제의 상기 기능은, 바나드산염의 전리에 의해 발생하는 바나드산 이온이 산소 공여제로부터 산소 공여를 받음으로써 준안정한 퍼옥소바나드산 이온을 생성하고, 이 퍼옥소바나드산 이온이 탄화규소 웨이퍼의 표면에서 Si-C 결합의 산화 개열을 촉진하기 때문이라고 생각된다. 또한, 퍼옥소바나드산 이온은 Si-C 결합을 산화 개열함으로써 자체는 바나드산 이온으로 환원되지만, 산소 공여제로부터 산소 공여를 받음으로써 다시 퍼옥소바나드산 이온으로 되돌릴 수 있다.
연마용 조성물에 포함되는 바나드산염은, 예를 들면 바나드산암모늄, 바나드산나트륨 또는 바나드산칼륨이다.
연마용 조성물 중의 바나드산염의 함유량은 0.5 g/L 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 g/L 이상, 더욱 바람직하게는 3 g/L 이상이다. 바나드산염의 함유량이 많아짐에 따라 연마용 조성물에 의한 탄화규소 웨이퍼의 연마 속도가 향상된다. 이러한 점에서 연마용 조성물 중의 바나드산염의 함유량이 0.5 g/L 이상, 다시 말해 1 g/L 이상, 다시 말해 3 g/L 이상이면, 연마용 조성물에 의한 탄화규소 웨이퍼의 연마 속도를 실용상 특히 바람직한 수준까지 향상시킬 수 있다는 점에서 유리하다.
또한, 연마용 조성물 중의 바나드산염의 함유량은 100 g/L 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50 g/L 이하, 더욱 바람직하게는 30 g/L 이하이다. 바나드산염의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물의 재료 비용이 낮아지는 것에 추가하여, 연마용 조성물 중에 불용해분이 발생할 우려가 작아진다. 이러한 점에서 연마용 조성물 중의 바나드산염의 함유량이 100 g/L 이하, 다시 말해 50 g/L 이 하, 다시 말해 30 g/L 이하이면, 경제성 면뿐만 아니라 불용해분의 생성을 충분히 억제할 수 있다는 점에서도 유리하다.
연마용 조성물에 포함되는 산소 공여제는, 예를 들면 과산화수소 또는 오존이며, 취급이 용이하다는 점에서 바람직하게는 과산화수소이다.
연마용 조성물 중의 산소 공여제의 함유량은 0.1 g/L 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 g/L 이상, 더욱 바람직하게는 3 g/L 이상이다. 산소 공여제의 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 탄화규소 웨이퍼의 연마 속도가 향상된다. 이러한 점에서 연마용 조성물 중의 산소 공여제의 함유량이 0.1 g/L 이상, 다시 말해 1 g/L 이상, 다시 말해 3 g/L 이상이면, 연마용 조성물에 의한 탄화규소 웨이퍼의 연마 속도를 실용상 특히 바람직한 수준까지 향상시킬 수 있다는 점에서 유리하다.
또한, 연마용 조성물 중의 산소 공여제의 함유량은 100 g/L 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50 g/L 이하, 더욱 바람직하게는 30 g/L 이하이다. 산소 공여제의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물의 재료 비용은 낮아진다. 이러한 점에서 연마용 조성물 중의 산소 공여제의 함유량이 100 g/L 이하, 다시 말해 50 g/L 이하, 다시 말해 30 g/L 이하이면, 경제성 면에서 유리하다.
상기 지립은 탄화규소 웨이퍼를 기계적으로 연마하는 작용을 갖고, 연마용 조성물에 의한 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼를 포함하는 탄화규소 웨이퍼의 연마 속도를 더 향상시키는 기능을 한다.
연마용 조성물에 포함되는 지립은, 예를 들면 실리카, 알루미나, 산화철, 산 화크롬 등의 금속 산화물, 또는 다이아몬드, 탄화붕소 또는 탄화규소이다. 그 중에서도, 연마 후의 웨이퍼 표면의 스크래치를 적게 할 수 있다는 점 및 환경 유해성이 낮다는 점에서, 바람직하게는 실리카, 보다 바람직하게는 콜로이드 실리카이다.
연마용 조성물이 지립으로서 콜로이드 실리카를 함유하는 경우, 연마용 조성물 중의 콜로이드 실리카의 함유량은 1 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 5 질량％ 이상이다. 콜로이드 실리카의 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 탄화규소 웨이퍼의 연마 속도가 향상된다. 이러한 점에서 연마용 조성물 중의 콜로이드 실리카의 함유량이 1 질량％ 이상, 다시 말해 3 질량％ 이상, 다시 말해 5 질량％ 이상이면, 연마용 조성물에 의한 탄화규소 웨이퍼의 연마 속도를 실용상 특히 바람직한 수준까지 향상시킬 수 있다는 점에서 유리하다.
또한, 연마용 조성물 중의 콜로이드 실리카의 함유량은 50 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 45 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 40 질량％ 이하이다. 콜로이드 실리카의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물의 재료 비용이 낮아진다. 이러한 점에서 연마용 조성물 중의 콜로이드 실리카의 함유량이 50 질량％ 이하, 다시 말해 45 질량％ 이하, 다시 말해 40 질량％ 이하이면, 경제성면에서 유리하다.
연마용 조성물에 포함되는 콜로이드 실리카의 평균 일차 입경은 5 nm 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 nm 이상, 더욱 바람직하게는 15 nm 이상이 다. 평균 일차 입경이 커짐에 따라, 탄화규소 웨이퍼를 기계적으로 연마하는 콜로이드 실리카의 작용이 강해지기 때문에, 연마용 조성물에 의한 탄화규소 웨이퍼의 연마 속도가 향상된다. 이러한 점에서 콜로이드 실리카의 평균 일차 입경이 5 nm 이상, 다시 말해 10 nm 이상, 다시 말해 15 nm 이상이면, 연마용 조성물에 의한 탄화규소 웨이퍼의 연마 속도를 실용상 특히 바람직한 수준까지 향상시킬 수 있다는 점에서 유리하다.
또한, 연마용 조성물에 포함되는 콜로이드 실리카의 평균 일차 입경은 120 nm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100 nm 이하, 더욱 바람직하게는 85 nm 이하이다. 평균 일차 입경이 작아짐에 따라, 콜로이드 실리카의 제조 비용이 낮아진다. 이러한 점에서 콜로이드 실리카의 평균 일차 입경이 120 nm 이하, 다시 말해 100 nm 이하, 다시 말해 85 nm 이하이면, 경제성면에서 유리하다. 또한, 이상에서 설명한 콜로이드 실리카의 평균 일차 입경의 값은, BET법으로 측정되는 콜로이드 실리카의 비표면적에 기초하여 산출되는 것이다.
상기 pH 조정제의 종류는 특별히 한정되는 것이 아니며, 연마용 조성물의 pH를 원하는 값으로 하기 위해 적절한 양의 어느 산 또는 알칼리가 사용될 수도 있다.
탄화규소 웨이퍼 중에서도 특히 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 (0001) Si면을 연마하는 용도로 연마용 조성물을 사용하고자 하는 경우에는, 연마용 조성물의 pH는 4 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 4.5 이상, 더욱 바람직하게는 5 이상이다. pH가 커짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 (0001) Si면의 연마 속 도가 향상된다. 이러한 점에서 연마용 조성물의 pH가 4 이상, 다시 말해 4.5 이상, 다시 말해 5 이상이면, 연마용 조성물에 의한 (0001) Si면의 연마 속도를 실용상 특히 바람직한 수준까지 향상시킬 수 있다는 점에서 유리하다. pH가 커짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 (0001) Si면의 연마 속도가 향상되는 이유는 이하와 같다고 추측된다. 즉, 연마용 조성물 중의 수소 이온은, 약간 플러스로 대전되어 있는 (0001) Si면에 대하여 음이온인 퍼옥소바나드산 이온이 전기적으로 끌어당겨지는 것을 저해하는 기능을 한다고 생각된다. 따라서, 연마용 조성물 중의 수소 이온 농도가 낮아질수록, 수소 이온에 의해 저해되지 않고 퍼옥소바나드산 이온이 (0001) Si면에 당겨지며, 그 결과 퍼옥소바나드산 이온이 (0001) Si면에서 Si-C 결합의 산화 개열을 촉진한다고 여겨진다. 또한, 연마용 조성물의 pH가 높아짐에 따라 (0001) Si면의 최외측 표면의 규소 원자가 산화됨으로써 (0001) Si면 상에 형성되는 산화 실리콘막의 용해가 발생하기 쉽다는 것도 이유라고 추측된다.
또한, 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 (0001) Si면을 연마하는 용도로 연마용 조성물을 사용하고자 하는 경우에는, 연마용 조성물의 pH는 11.5 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10.5 이하, 더욱 바람직하게는 9.5 이하이다. pH가 작아짐에 따라, 연마용 조성물 중의 지립이 용해될 우려가 작아짐과 동시에, 연마용 조성물 중의 산소 공여제, 특히 과산화수소의 안정성이 향상된다. 이러한 점에서 연마용 조성물의 pH가 11.5 이하, 다시 말해 10.5 이하, 다시 말해 9.5 이하이면, 연마용 조성물 중의 지립의 용해를 충분히 억제할 수 있음과 동시에, 연마용 조성물 중의 산소 공여제의 안정성을 특별히 향상시킬 수 있다는 점에서 유리하다.
한편, (000-1) C면 등의 (0001) Si면 이외의 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 면을 연마하는 용도로 연마용 조성물을 사용하고자 하는 경우에는, 연마용 조성물의 pH는 8 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 7.5 이하, 더욱 바람직하게는 7 이하이다. pH가 작아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 (0001) Si면 이외의 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼면의 연마 속도가 향상된다. 이러한 점에서 연마용 조성물의 pH가 8 이하, 다시 말해 7.5 이하, 다시 말해 7 이하이면, 연마용 조성물에 의한 (0001) Si면 이외의 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼면의 연마 속도를 실용상 특히 바람직한 수준까지 향상시킬 수 있다는 점에서 유리하다. pH가 작아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 (0001) Si면 이외의 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼면의 연마 속도, 특히 (000-1) C면의 연마 속도가 향상되는 이유는 이하와 같다고 추측된다. 즉, 연마용 조성물 중의 수소 이온은, 약간 마이너스로 대전되어 있는 (000-1) C면과 음이온인 퍼옥소바나드산 이온과의 사이를 중개하여 퍼옥소바나드산 이온을 (000-1) C면에 전기적으로 끌어당기는 기능을 한다고 생각된다. 따라서, 연마용 조성물 중의 수소 이온 농도가 높아질수록 수소 이온에 의해 중개됨으로써 퍼옥소바나드산 이온이 (000-1) C면에 끌어 당겨지며, 그 결과 퍼옥소바나드산 이온이 (000-1) C면에서 Si-C 결합의 산화 개열을 촉진한다고 생각된다. 또한, (000-1) C면이 연마 제거될 때에는, 최외측 표면의 탄소 원자가 우선 산화에 의해 가스화되어 이탈하고, 그 후 규소 원자가 산화에 의해 이온화되어 이탈한다고 여겨지는데, 연마용 조성물의 pH가 작아짐에 따라 산화력이 강해짐으로써, 이러한 탄소 원자 및 규소 원자의 이탈이 촉진되는 것도 이유라고 추측된다.
따라서, 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 (0001) Si면과 (0001) Si면 이외의 면, 특히 (0001) Si면과 (000-1) C면을 동시에 연마하는 용도로 연마용 조성물을 사용하고자 하는 경우에는, 연마용 조성물의 pH는 4 내지 8인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 4.5 내지 7.5, 더욱 바람직하게는 5 내지 7이다. 연마용 조성물의 pH가 상기한 범위라면, (0001) Si면과 (0001) Si면 이외의 면의 양쪽을 높은 연마 속도로 연마할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 이하의 이점이 얻어진다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은, 바나드산염 및 산소 공여제를 포함하기 때문에 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼 등의 탄화규소 웨이퍼를 높은 연마 속도로 연마하는 것이 가능하다. 따라서, 본 실시 형태의 연마용 조성물은 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼 등의 탄화규소 웨이퍼를 연마하는 용도로 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 실시 형태는 다음과 같이 변경될 수도 있다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물에는 2종 이상의 바나드산염이 함유될 수도 있다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물에는 2종 이상의 산소 공여제가 함유될 수도 있다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물에는 2종 이상의 지립이 함유될 수도 있다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물에는 2종 이상의 pH 조정제가 함유될 수도 있다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물에는, 필요에 따라 방부제나 곰팡이 방지제와 같은 공지된 첨가제를 첨가할 수도 있다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물은 하나의 용기에 모두 수용하여 보존되는 1제형으로 공급될 수도 있고, 2개의 용기로 나누어 보존되는 2제형을 비롯한 다제형으로 공급될 수도 있다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 연마용 조성물의 원액을 물로 희석함으로써 제조될 수도 있다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 탄화규소 웨이퍼 이외의 연마 대상물을 연마하는 용도로 사용될 수도 있다.
이어서, 본 발명의 실시예 및 비교예를 설명한다.
실시예 1 내지 16에서는 바나드산염, 산소 공여제, 지립 및 pH 조정제를 적절하게 물과 혼합함으로써 연마용 조성물을 제조하였다. 비교예 1 내지 9에서는 바나드산염 또는 그에 대체되는 화합물, 산소 공여제, 지립 및 pH 조정제를 적절하게 물과 혼합함으로써 연마용 조성물을 제조하였다. 각 예의 연마용 조성물 중의 바나드산염 또는 그에 대체되는 화합물, 산소 공여제, 지립 및 pH 조정제의 상세, 및 연마용 조성물의 pH를 측정한 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 또한, 지립으로서 사용한 콜로이드 실리카는 모두 평균 일차 입경이 40 nm이다.
표 1의 "(0001) Si면의 연마 속도"란에는, 각 예의 연마용 조성물을 사용하여 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 (0001) Si면을 하기 표 2에 나타낸 연마 조건 으로 연마했을 때의 연마 속도를 연마 전후의 웨이퍼의 중량 차이에 기초하여 구한 결과를 나타낸다.
표 1의 "(000-1) C면의 연마 속도"란에는, 각 예의 연마용 조성물을 사용하여 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 (000-1) C면을 표 2에 나타낸 연마 조건으로 연마했을 때의 연마 속도를 연마 전후의 웨이퍼의 중량 차이에 기초하여 구한 결과를 나타낸다.
표 1의 "연마 속도비((0001) Si면/(000-1) C면)"란에는, 각 예의 연마용 조성물에 의한 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 (000-1) C면의 연마 속도에 대한 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 (0001) Si면의 연마 속도의 비를 계산한 결과를 나타낸다.
표 1의 "산소 공여제의 안정성"란에는, 각 예의 연마용 조성물 중의 산소 공여제의 안정성에 관한 평가 결과를 나타낸다. 구체적으로는, 각 예의 연마용 조성물을 사용하여 연마를 행할 때 슬러리 탱크 내나 슬러리 공급 튜브 내에서 산소 공여제의 분해에 의한 산소 거품의 발생이 확인된 경우에는 ×(불량), 산소 거품의 발생이 약간 확인된 경우에는 △(중간), 산소 거품의 발생이 확인되지 않은 경우에는 ○(양호)로 평가하였다.
Figure 112008005281008-pat00001
Figure 112008005281008-pat00002
표 1에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 16에서는 (0001) Si면의 연마 속도에 관하여 20 nm/시간 이상이라는 실용적으로 충분한 수준의 값이 얻어지고, (000-1) C면의 연마 속도에 관해서도 100 nm/시간 이상이라는 실용적으로 충분한 수준의 값이 얻어졌다. 또한, 실시예 1 내지 16에서는 산소 공여제의 안정성에 관한 평가가 중간 이상이었다.
이에 대하여, 바나드산염 및 산소 공여제를 포함하지 않는 연마용 조성물을 사용한 비교예 1 내지 9에서는, (0001) Si면의 연마 속도에 관해서는 20 nm/시간 미만, (000-1) C면의 연마 속도에 관해서도 100 nm/시간 미만으로, 모두 실용적으로 충분한 수준의 값이 얻어지지 않았다. 또한, 바나드산염 대신에 질산염, 몰리브덴산염 및 텅스텐산염을 사용한 비교예 7 내지 9에서는 산소 공여제의 안정성에 관한 평가가 모두 불량하였다.
또한, 실시예 1 내지 16의 연마용 조성물을 사용하여 연마된 후의 웨이퍼 표면에서는, (0001) Si면 및 (000-1) C면 모두 원자 스텝이 원자간력 현미경으로 관찰되었다.
상기 실시 형태로부터 파악할 수 있는 기술적 사상에 대하여 이하에 기재한다.
pH가 4 내지 8인 것을 특징으로 하는 청구항 3에 기재된 연마용 조성물에 따르면, 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 (0001) Si면과 (0001) Si면 이외의 면의 양쪽을 높은 연마 속도로 연마할 수 있다.

Claims (5)

  1. 바나드산염과 산소 공여제를 함유하는 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 지립을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 탄화규소 웨이퍼를 연마하는 용도로 사용되는 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, pH가 4 내지 11.5이고, 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 (0001) Si면을 연마하는 용도로 사용되는 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, pH가 8 이하이고, 육방정 탄화규소 단결정 웨이퍼의 (0001) Si면 이외의 면을 연마하는 용도로 사용되는 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
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