JP2005123451A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Abstract
【課題】 半導体装置上の金属膜を平坦化する工程において、低研磨圧力条件下においても金属膜を高速に研磨し、かつスクラッチ、ディッシング等研磨面の欠陥の発生も抑制できる半導体装置上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ポリオキソ酸、アニオン性界面活性剤および水を含有してなることを特徴とする金属用研磨組成物および、金属膜を有する基板を金属膜面を上向きにしてチャックテーブルに保持し、軸芯を鉛直方向に有するスピンドル軸に軸承された取付板に貼付された研磨パッド面を前記金属用を介して相対的に前記基板に押圧し、該基板と研磨パッドを摺動させて基板表面の金属膜の少なくとも一部を除去する化学機械研磨装置であって、前記研磨パッドの昇降機構と、前記研磨パッドを左右方向に往復移動可能な移送機構とを有し、前記研磨パッドの形状は円または楕円の中央部をより小さい径の円状または楕円状に刳り貫いた環状体であり、研磨パッドの径は基板の径よりも小さいことを特徴とする、化学機械研磨装置を用いる事を特徴とする半導体装置の製造方法。
【選択図】 なし
【解決手段】 ポリオキソ酸、アニオン性界面活性剤および水を含有してなることを特徴とする金属用研磨組成物および、金属膜を有する基板を金属膜面を上向きにしてチャックテーブルに保持し、軸芯を鉛直方向に有するスピンドル軸に軸承された取付板に貼付された研磨パッド面を前記金属用を介して相対的に前記基板に押圧し、該基板と研磨パッドを摺動させて基板表面の金属膜の少なくとも一部を除去する化学機械研磨装置であって、前記研磨パッドの昇降機構と、前記研磨パッドを左右方向に往復移動可能な移送機構とを有し、前記研磨パッドの形状は円または楕円の中央部をより小さい径の円状または楕円状に刳り貫いた環状体であり、研磨パッドの径は基板の径よりも小さいことを特徴とする、化学機械研磨装置を用いる事を特徴とする半導体装置の製造方法。
【選択図】 なし
Description
本発明は、半導体装置上に形成された金属膜の研磨に用いられる研磨組成物、研磨装置およびそれを用いてなる半導体装置上の金属膜の研磨方法、ならびに半導体装置の製造方法に関する。
LSI技術の急速な進展により、集積回路は益々微細化や多層配線化の傾向にある。集積回路における多層配線化は、半導体表面の凹凸が極めて大きくなる要因であり、これが集積回路の微細化とも相まって断線や電気容量の低下、エレクトロマイグレーションの発生などをもたらし、歩留まりの低下や信頼性上の問題をきたす原因となっている。
このため、これまでに多層配線基板における金属配線や層間絶縁膜を平坦化する種々の加工技術が開発されてきており、その一つにCMP(ChemicalMechanicalPolishing:化学機械的研磨)技術がある。CMP技術は、半導体装置製造において層間絶縁膜の平坦化、埋め込み配線形成、プラグ形成等に必要となる技術である。
CMPは、キャリヤーに装着された通常半導体材料からなる平坦なウエハを、湿った研磨パッドに対し一定の圧力で押し付けながらキャリヤーおよび研磨パッド各々を回転することにより行われる。この時ウエハと研磨パッドの間に導入される研磨組成物により、配線や絶縁膜の凸部が研磨され平坦化がなされる。
このため、これまでに多層配線基板における金属配線や層間絶縁膜を平坦化する種々の加工技術が開発されてきており、その一つにCMP(ChemicalMechanicalPolishing:化学機械的研磨)技術がある。CMP技術は、半導体装置製造において層間絶縁膜の平坦化、埋め込み配線形成、プラグ形成等に必要となる技術である。
CMPは、キャリヤーに装着された通常半導体材料からなる平坦なウエハを、湿った研磨パッドに対し一定の圧力で押し付けながらキャリヤーおよび研磨パッド各々を回転することにより行われる。この時ウエハと研磨パッドの間に導入される研磨組成物により、配線や絶縁膜の凸部が研磨され平坦化がなされる。
従来、半導体装置の金属膜の研磨には種々の研磨組成物や研磨方法の提案がなされている。土肥俊郎ら著「半導体平坦化CMP技術」(1998年7月、工業調査会発行)235頁に示されているように、金属のCMPでは研磨組成物中の酸化剤により金属の表面を酸化しつつ、pHを酸性にするなどしてわずかに金属が腐蝕する(エッチング)条件下で研磨パッドと砥粒で研磨が行われる。例えば半導体装置上に形成されたアルミニウム等金属膜の研磨組成物としては、酸化アルミニウムをpH3以下の硝酸水溶液中に分散してなる研磨組成物(米国特許第4,702,792号明細書)、酸化アルミニウムや酸化ケイ素を硫酸、硝酸、酢酸等の酸性水溶液と混合してなる研磨組成物(米国特許第4,944,836号明細書)がある。また、酸化アルミニウムを過酸化水素とリン酸水溶液中に分散した研磨組成物(米国特許第5,209,816号明細書)など、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素等の砥粒と、過酸化水素等の酸化剤よりなる研磨組成物が通常使用されている。
しかしながら、半導体装置上の金属膜の平坦化に酸化アルミニウムを用いた場合、α型では高い研磨速度を示す反面、金属膜や絶縁膜の表面にマイクロスクラッチやオレンジピール等の欠陥を発生させることがあった。一方、γ型や非晶質アルミナまたは酸化ケイ素等の砥粒を用いた場合、金属膜や絶縁膜の表面のマイクロスクラッチやオレンジピール等の欠陥発生を抑えることができるが、金属膜の研磨に際して十分な研磨速度が得られないという問題があった。このように、酸化アルミニウムや酸化ケイ素などの金属酸化物から成る砥粒を水溶液中に分散した研磨組成物は、砥粒自体の分散性不良に起因した表面スクラッチの問題があった。また、この他にも前述のように液状酸化剤である過酸化水素を用いた場合や、過硫酸アンモニウム等の金属エッチャントを用いた場合(特開平6−313164号公報)、ウェットエッチングが過度に進むことによりディッシング(図1(D)の金属膜(d)の中央部が周辺部より過剰に研磨される現象)やピット、ボイド等の欠陥が発生するなど実用化に際し問題があった。
これを改良する目的で、研磨組成物中に金属膜表面に保護膜を形成する化学試薬(防食剤、キレート剤等)を添加する方法も提案されている(特開平8−83780号公報、特開平11−195628号公報)。しかしながらこのようなキレート剤を用いると、確かにエッチングが抑制されディッシング等の発生を防止することができるが、研磨すべき部位にも保護膜が形成されるため研磨速度が極端に低下するという問題が生じる。これを防ぐためエッチング剤やキレート剤の使用量の適正化を図る試みがなされているが、両者の性能を満足する条件を見出すことは難しく、プロセス条件の影響も受けやすいため再現性のある結果が得られないという問題がある。また、400nm/分.以上という高い研磨速度を得るために200g/cm2以上の高い研磨圧力で、前記保護膜を除去することも行われるが(特開2000−252242号公報)、今後主流となることが予測されているポーラス型低誘電率絶縁膜を半導体装置製造に用いた場合、該絶縁膜の強度に問題がある為、基板に過大なストレスがかかると該絶縁膜の破壊が起こる。また、研磨圧力を高めパッドによる機械的研磨を行うと、研磨時のパッド表面の影響をさらに受け易くなるため、これまで行っていたドレッシングによるパッド表面状態の管理が難しくなり、プロセス管理上大きな問題となる。
ところで、ポリオキソ酸とりわけヘテロポリ酸は、日本化学会編「ポリ酸の化学」(1993年8月、学会出版センター発行)にも記載のように、強い酸性と酸化作用を有するものであり、これを金属の不動態化処理やエッチングに用いることは特開平9−505111号公報等に記載されている。実際ヘテロポリ酸を半導体表面のエッチング剤として適用した例(AppliedSurfaceSciencevol.135、No.1/4、pp65−70(1998.10.8))や、ポリオキソ酸もしくはその塩を研磨用エッチング剤として用いる試みもなされている(特開2000−119639号公報)。特に後者においては、ポリオキソ酸もしくはその塩のみを研磨用エッチング剤として用いる場合(第1研磨組成物)および、これにさらに研磨材として公知の砥粒を含有させる場合(第2研磨組成物)の二つの使用方法について記載されている。第1研磨組成物の場合、ヘテロポリ酸を単独で金属膜研磨用のエッチング剤として使用すると、ヘテロポリ酸は水に可溶であるため液状酸化剤として作用することから、前述の如く研磨速度とディッシング性能の両方を満足することはできない。すなわち、研磨速度を上げるためにヘテロポリ酸の濃度を高めると、同時にエッチングも進行しディッシングの発生が起こる。
一方、上記ヘテロポリ酸にアンモニア等の塩基性物質を作用させヘテロポリ酸塩として使用すると、エッチングは抑制されるが、同時に研磨速度も低下してしまう。そのため、研磨速度を高める目的で、この種の第1研磨組成物に研磨材を含有させ第2研磨組成物とすることが提案されているが、この場合も、上述の第1研磨組成物と同様エッチングの進行によりディッシングの発生を抑制することは困難である。
従って、ディッシングの発生を抑制しつつ、低研磨圧力で高い研磨速度を得ようとする本目的に合致するものではない。
また、研磨装置の改良として、研磨パッドと基板との間に研磨液を介在させた状態で、前記研磨パッドと前記基板とを相対移動させることにより、前記基板を研磨する化学機械研磨装置において、前記研磨パッドの形状は、円または楕円の中央部をより小さい径の円状または楕円状に刳り貫いた環状体であることを特徴とする、化学機械研磨装置が報告されている(特開2001−118812号公報)。ディッシングは抑制されるものの、研磨速度が不十分(おおむね300nm/分以下)であった。
従って、ディッシングの発生を抑制しつつ、低研磨圧力で高い研磨速度を得ようとする本目的に合致するものではない。
また、研磨装置の改良として、研磨パッドと基板との間に研磨液を介在させた状態で、前記研磨パッドと前記基板とを相対移動させることにより、前記基板を研磨する化学機械研磨装置において、前記研磨パッドの形状は、円または楕円の中央部をより小さい径の円状または楕円状に刳り貫いた環状体であることを特徴とする、化学機械研磨装置が報告されている(特開2001−118812号公報)。ディッシングは抑制されるものの、研磨速度が不十分(おおむね300nm/分以下)であった。
本発明は、低研磨圧力下においても半導体装置上の金属膜を高速に研磨でき、かつディッシングの原因となるエッチング性も低いレベルに制御され、同時にスクラッチやエロージョン(図1(D)の金属膜(d)の周辺の絶縁膜(b)が研磨される現象))等の被研磨面の欠陥発生も抑制することのできる半導体装置上に形成された金属膜の研磨方法、ならびに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明者等は、前記課題を解決するために鋭意検討した結果、ポリオキソ酸、アニオン性界面活性剤および水からなる金属用研磨組成物および、金属膜を有する基板を金属膜面を上向きにしてチャックテーブルに保持し、軸芯を鉛直方向に有するスピンドル軸に軸承された取付板に貼付された研磨パッド面を前記金属用を介して相対的に前記基板に押圧し、該基板と研磨パッドを摺動させて基板表面の金属膜の少なくとも一部を除去する化学機械研磨装置であって、前記研磨パッドの昇降機構と、前記研磨パッドを左右方向に往復移動可能な移送機構とを有し、前記研磨パッドの形状は円または楕円の中央部をより小さい径の円状または楕円状に刳り貫いた環状体であり、研磨パッドの径は基板の径よりも小さいことを特徴とする、化学機械研磨装置を用いる事によって従来困難であったエッチング、ディッシングの抑制と低研磨圧力における高研磨速度の両立を可能とし、基板上の金属膜の研磨において有効であることを見出し、本発明をなすに至った。すなわち、本発明は以下の通りである。
1)ポリオキソ酸、アニオン性界面活性剤および水を含有してなることを特徴とする金属用研磨組成物および、金属膜を有する基板を金属膜面を上向きにしてチャックテーブルに保持し、軸芯を鉛直方向に有するスピンドル軸に軸承された取付板に貼付された研磨パッド面を前記金属用を介して相対的に前記基板に押圧し、該基板と研磨パッドを摺動させて基板表面の金属膜の少なくとも一部を除去する化学機械研磨装置であって、前記研磨パッドの昇降機構と、前記研磨パッドを左右方向に往復移動可能な移送機構とを有し、前記研磨パッドの形状は円または楕円の中央部をより小さい径の円状または楕円状に刳り貫いた環状体であり、研磨パッドの径は基板の径よりも小さいことを特徴とする、化学機械研磨装置を用いる事を特徴とする半導体装置の製造方法。
2)前記ポリオキソ酸が、ヘテロポリ酸である1)の発明の半導体装置の製造方法。
3)前記アニオン性界面活性剤が酸型であることをと特徴とする1)または2)の発明の半導体装置の製造方法。
4)前記金属研磨用組成物が水溶性高分子化合物および/または多価アルコール化合物を含有することを特徴とする1)〜3)のいずれかの発明の半導体装置の製造方法。
5)前記金属研磨用組成物が窒素原子およびカルボキシル基を分子内に併せ持つ有機化合物を含有することを特徴とする1)〜4)のいずれかの発明の半導体装置の製造方法。
6)前記金属研磨用組成物が実質的に砥粒を含まないことを特徴とする1)〜5)のいずれかの発明の半導体装置の製造方法。
2)前記ポリオキソ酸が、ヘテロポリ酸である1)の発明の半導体装置の製造方法。
3)前記アニオン性界面活性剤が酸型であることをと特徴とする1)または2)の発明の半導体装置の製造方法。
4)前記金属研磨用組成物が水溶性高分子化合物および/または多価アルコール化合物を含有することを特徴とする1)〜3)のいずれかの発明の半導体装置の製造方法。
5)前記金属研磨用組成物が窒素原子およびカルボキシル基を分子内に併せ持つ有機化合物を含有することを特徴とする1)〜4)のいずれかの発明の半導体装置の製造方法。
6)前記金属研磨用組成物が実質的に砥粒を含まないことを特徴とする1)〜5)のいずれかの発明の半導体装置の製造方法。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、従来技術では困難であった、エッチング、ディシング、エロージョンやスクラッチの発生を抑制すると同時に低研磨圧力下においても高速に銅膜等の金属膜を研磨することが可能となる。本発明は、半導体装置上の金属膜を研磨する上で極めて有用な方法を見出したものであり、産業上の利用価値は甚だ大きなものである。
本発明について、以下に具体的に説明する。
本発明において低研磨圧力とは概ね150g/cm2以下を意味し、高速研磨とは概ね450nm/分以上の研磨速度を意味する。
本発明は、半導体装置上に形成された金属膜の研磨、平坦化に適用される。研磨対象となる半導体装置上の金属膜は、公知の配線用、プラグ用、コンタクトメタル層用、バリヤーメタル層用金属膜であり、例えばアルミニウム、銅、タングステン、チタニウム、タンタル、アルミニウム合金、銅合金、窒化チタニウム、窒化タンタル等からなる群より選ばれる金属膜等が挙げられる。特に表面硬度が低く、傷やディシングといった欠陥が生じ易い銅および銅合金からなる金属膜への適用が推奨される。
図1(C)に示すように、配線用の金属膜(d)を埋め込むことにより得られた半導体装置について、図1(D)に示すように溝または開口部以外の余分な金属膜を、本発明の研磨組成物を用いて研磨することにより取り除き平坦化する。
本発明において低研磨圧力とは概ね150g/cm2以下を意味し、高速研磨とは概ね450nm/分以上の研磨速度を意味する。
本発明は、半導体装置上に形成された金属膜の研磨、平坦化に適用される。研磨対象となる半導体装置上の金属膜は、公知の配線用、プラグ用、コンタクトメタル層用、バリヤーメタル層用金属膜であり、例えばアルミニウム、銅、タングステン、チタニウム、タンタル、アルミニウム合金、銅合金、窒化チタニウム、窒化タンタル等からなる群より選ばれる金属膜等が挙げられる。特に表面硬度が低く、傷やディシングといった欠陥が生じ易い銅および銅合金からなる金属膜への適用が推奨される。
図1(C)に示すように、配線用の金属膜(d)を埋め込むことにより得られた半導体装置について、図1(D)に示すように溝または開口部以外の余分な金属膜を、本発明の研磨組成物を用いて研磨することにより取り除き平坦化する。
以下、半導基板の製造方法の一例の概要について説明する。
初めに、図1(A)のようにシリコン基板等の半導体装置上(a)に絶縁膜(b)を形成した後に、フォトリソグラフィー法およびエッチング法で絶縁膜2に金属配線用の溝、あるいは接続配線用の開口部を形成する。次に図1(B)に示すように、絶縁膜(b)に形成した溝あるいは開口部にスパッタリングやCVD等の方法により窒化チタニウム(TiN)、窒化タンタル(TaN)等よりなるバリヤーメタル層(c)を形成する。次に図1(C)に示すように、厚みが絶縁膜(c)に形成した溝または開口部の高さ以上となるように配線用の金属膜4を埋め込む。次に図1(D)に示すように、溝または開口部以外の余分な金属膜を本発明の研磨組成物を用いて研磨する方法により取り除く。さらに、得られた該平坦化された表面上に絶縁膜を形成し上記の方法を必要回数繰り返すことにより、電子部品として多層配線構造を有する半導体装置を得ることができる。
初めに、図1(A)のようにシリコン基板等の半導体装置上(a)に絶縁膜(b)を形成した後に、フォトリソグラフィー法およびエッチング法で絶縁膜2に金属配線用の溝、あるいは接続配線用の開口部を形成する。次に図1(B)に示すように、絶縁膜(b)に形成した溝あるいは開口部にスパッタリングやCVD等の方法により窒化チタニウム(TiN)、窒化タンタル(TaN)等よりなるバリヤーメタル層(c)を形成する。次に図1(C)に示すように、厚みが絶縁膜(c)に形成した溝または開口部の高さ以上となるように配線用の金属膜4を埋め込む。次に図1(D)に示すように、溝または開口部以外の余分な金属膜を本発明の研磨組成物を用いて研磨する方法により取り除く。さらに、得られた該平坦化された表面上に絶縁膜を形成し上記の方法を必要回数繰り返すことにより、電子部品として多層配線構造を有する半導体装置を得ることができる。
本発明の半導体装置の製造方法に用いる金属用研磨組成物は、ポリオキソ酸、アニオン性界面活性剤および水を含有して成る。本発明の研磨組成物は、後述する通り本件発明の効果を阻害しない範囲で、あるいは目的に応じて、通常用いられている研磨粒子や添加剤等の成分を含むが、基本的に上記3成分のみでも本発明の目的を達成できることが特徴である。即ち、本発明の研磨組成物は、実質的に砥粒を含まないでも優れた研磨性能を示すという特徴を有する。ここで、実質的に砥粒を含まないとは、研磨組成物全質量中に占める砥粒の質量の割合が、1%未満である状態を言う。
本発明で用いられるポリオキソ酸は、Mo、V、W、Ti、Nb、Ta等の元素から成る酸素酸が縮合したものであり、イソポリ酸とヘテロポリ酸がこれに当たる。イソポリ酸は前記ポリオキソ酸の構成元素のうち、単一の元素からなる縮合酸素酸のことであり、ポリモリブデン酸、ポリバナジン酸、ポリタングステン酸、ポリチタン酸、ポリニオブ酸、ポリタンタル酸等が挙げられる。これらのうち金属研磨を目的とした本発明の場合、得られる金属用研磨組成物の研磨速度の観点からポリモリブデン酸、ポリバナジン酸、ポリタングステン酸が好ましい。
本発明で用いられるポリオキソ酸は、Mo、V、W、Ti、Nb、Ta等の元素から成る酸素酸が縮合したものであり、イソポリ酸とヘテロポリ酸がこれに当たる。イソポリ酸は前記ポリオキソ酸の構成元素のうち、単一の元素からなる縮合酸素酸のことであり、ポリモリブデン酸、ポリバナジン酸、ポリタングステン酸、ポリチタン酸、ポリニオブ酸、ポリタンタル酸等が挙げられる。これらのうち金属研磨を目的とした本発明の場合、得られる金属用研磨組成物の研磨速度の観点からポリモリブデン酸、ポリバナジン酸、ポリタングステン酸が好ましい。
ヘテロポリ酸は、前記イソポリ酸にヘテロ元素を中心元素として組み込むことによって得られるものであり、その構成は縮合配位元素、中心元素および酸素から成る。ここで縮合配位元素とは、前記ポリオキソ酸の構成元素を意味し、このうちMo、W及びVからなる群より選ばれた少なくとも1種を含むものが好ましい例として挙げられ、その他Nb、Ta等の元素を含んでも良い。また、ヘテロポリ酸の中心元素はP、Si、As、Ge、Ti、Ce、Mn、Ni、Te、I、Co、Cr、Fe、Ga、B、V、Pt、BeおよびZnからなる群より選ばれた1種であり縮合配位元素と中心元素の原子比(縮合配位元素/中心元素)は2.5〜12である。
前述したヘテロポリ酸の具体例としては、リンモリブデン酸、ケイモリブデン酸、リンバナドモリブデン酸、ケイバナドモリブデン酸、リンタングストモリブデン酸、ケイタングストモリブデン酸、リンバナドタングストモリブデン酸、ケイバナドタングストモリブデン酸、リンバナドタングステン酸、ケイバナドタングステン酸、リンモリブドニオブ酸、ホウモリブデン酸、ホウタングストモリブデン酸、ホウバナドモリブデン酸、ホウバナドタングステン酸、コバルトモリブデン酸、コバルトバナドタングステン酸、リンタングステン酸、ケイタングステン酸、リンバナジン酸、ケイバナジン酸等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。前記ポリオキソ酸のうち、研磨用途として金属をエッチングするに足る十分な酸強度、酸化力の観点からヘテロポリ酸が好ましく、好適にはリンモリブデン酸、ケイモリブデン酸、および更にこれらにバナジウムを導入したリンバナドモリブデン酸、ケイバナドモリブデン酸等を挙げることができる。
ポリオキソ酸は、上記を単独でまたはそれらを混合して用いてもよい。また、得られる研磨組成物の酸性度を調整し研磨性能を制御する目的で、これらのポリオキソ酸に塩基性物質を添加し、ポリオキソ酸の一部または全部をポリオキソ酸塩として使用することも可能である。ポリオキソ酸塩は、上記ポリオキソ酸と金属、アンモニウム、有機アミン類との塩が挙げられる。
本発明の研磨組成物中のポリオキソ酸の含有量は、好ましくは0.1〜30質量%の範囲で使用され、さらに好ましくは0.5〜15質量%の範囲である。高い研磨速度が得られるという観点から0.1質量%以上が好ましく、ディッシング抑制の容易さという観点から30質量%以下が好ましい。
本発明の組成物にアニオン性界面活性剤を含有することにより、ポリオキソ酸による研磨対象金属のエッチングを抑制することが可能となり、研磨対象金属膜の平坦化、ディッシング、エロージョン、スクラッチの発生の抑制などの研磨性能を有する研磨組成物が得られる。
本発明の研磨組成物中のポリオキソ酸の含有量は、好ましくは0.1〜30質量%の範囲で使用され、さらに好ましくは0.5〜15質量%の範囲である。高い研磨速度が得られるという観点から0.1質量%以上が好ましく、ディッシング抑制の容易さという観点から30質量%以下が好ましい。
本発明の組成物にアニオン性界面活性剤を含有することにより、ポリオキソ酸による研磨対象金属のエッチングを抑制することが可能となり、研磨対象金属膜の平坦化、ディッシング、エロージョン、スクラッチの発生の抑制などの研磨性能を有する研磨組成物が得られる。
本発明に用いられるアニオン性界面活性剤としては例えば脂肪酸またはその塩、アルキルスルホン酸またはその塩、アルキルベンゼンスルホン酸またはその塩、アルキルスルホコハク酸またはその塩、ポリオキシエチレンアルキル硫酸またはその塩、ポリオキシエチレンアルキルアリール硫酸またはその塩、p−スチレンスルホン酸またはその塩、アルキルナフタレンスルホン酸またはその塩、ナフタレンスルホン酸またはその塩、ナフテン酸またはその塩等、アルキルエーテルカルボン酸またはその塩、α−オレフィンスルホン酸またはその塩、N−アシルメチルタウリン、アルキルエーテル硫酸またはその塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸またはその塩、アルキルエーテル燐酸エステルまたはその塩、アルキル燐酸エステルまたはその塩、アシル化ペプチド、ホルマリン重縮合物、高級脂肪酸とアミノ酸の縮合物、モノグリサルフェート、第二級高級アルコールエトキシサルフェート、ジアルキルスルホコハク酸エステル塩等が挙げられる。本発明においては、炭素−炭素二重結合(ベンゼン環を除く)を全く含まない飽和型のものが酸化による変質を受け難く経時の性能劣化が起こらないことから好ましく、アルキルスルホン酸またはその塩、アルキルベンゼンスルホン酸またはその塩、アルキルスルホコハク酸またはその塩、ポリオキシエチレンアルキル硫酸またはその塩、ポリオキシエチレンアルキルアリール硫酸またはその塩が好ましく用いられる。さらに好ましくはアルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルスルホコハク酸、ポリオキシエチレンアルキル硫酸、ポリオキシエチレンアルキルアリール硫酸が用いられる。
すなわち、本発明における金属用研磨組成物の研磨速度の観点から、上記アニオン性界面活性剤は塩を形成しているものよりも酸型のものが好ましい。
本発明においては、前記アニオン性界面活性剤を1種単独で使用することもできるし、またその2種以上を併用することもできる。
本発明の研磨組成物に用いられるアニオン性界面活性剤の含有量は、その種類や使用するポリオキソ酸の種類や量によっても異なるが、好ましくは0.001〜50質量%の範囲で使用され、より好ましくは0.1〜20質量%の範囲である。ディッシング抑制の観点からアニオン性界面活性剤の含有量は0.001質量%以上が好ましく、また研磨速度の観点から50質量%以下が好ましい。
本発明においては、前記アニオン性界面活性剤を1種単独で使用することもできるし、またその2種以上を併用することもできる。
本発明の研磨組成物に用いられるアニオン性界面活性剤の含有量は、その種類や使用するポリオキソ酸の種類や量によっても異なるが、好ましくは0.001〜50質量%の範囲で使用され、より好ましくは0.1〜20質量%の範囲である。ディッシング抑制の観点からアニオン性界面活性剤の含有量は0.001質量%以上が好ましく、また研磨速度の観点から50質量%以下が好ましい。
本発明の研磨組成物は、通常、水を媒体に用いる。ポリオキソ酸およびアニオン性界面活性剤の溶解は、一般に使用される撹拌翼を使用した攪拌により行なわれるが、ホモジナイザー、超音波、湿式媒体ミル等を用いて十分に撹拌することは好ましい。
本発明の研磨組成物において、その研磨機構の詳細は明らかではないが、ポリオキソ酸のみを溶解させた研磨組成物を用いた場合、研磨対象金属に対するその高いエッチング性のため、極めて高い研磨速度が得られるが、金属膜表面の平坦化は起こらず、かつ、激しいディッシングも生じてしまうが、ポリオキソ酸にアニオン性界面活性剤を適した割合で混合し本発明の研磨組成物とした場合、ポリオキソ酸の持つエッチング性が抑制され、研磨対象の金属膜の凸部が研磨パッドと接触する部分のみ研磨が進み、平坦な金属膜表面が得られ、ディッシングの発生も抑制されることが判った。このことから、アニオン性界面活性剤が何らかの作用により、ポリオキソ酸のエッチング性を抑制し、さらに研磨パッドと金属膜の凸部で生じる摩擦あるいは液膜に生じる高いシェアによって、アニオン性界面活性剤によるポリオキソ酸のエッチング性抑制効果が阻害され、金属膜の凸部のみ研磨が進行するものと推定している。
本発明の研磨組成物において、その研磨機構の詳細は明らかではないが、ポリオキソ酸のみを溶解させた研磨組成物を用いた場合、研磨対象金属に対するその高いエッチング性のため、極めて高い研磨速度が得られるが、金属膜表面の平坦化は起こらず、かつ、激しいディッシングも生じてしまうが、ポリオキソ酸にアニオン性界面活性剤を適した割合で混合し本発明の研磨組成物とした場合、ポリオキソ酸の持つエッチング性が抑制され、研磨対象の金属膜の凸部が研磨パッドと接触する部分のみ研磨が進み、平坦な金属膜表面が得られ、ディッシングの発生も抑制されることが判った。このことから、アニオン性界面活性剤が何らかの作用により、ポリオキソ酸のエッチング性を抑制し、さらに研磨パッドと金属膜の凸部で生じる摩擦あるいは液膜に生じる高いシェアによって、アニオン性界面活性剤によるポリオキソ酸のエッチング性抑制効果が阻害され、金属膜の凸部のみ研磨が進行するものと推定している。
従って、本発明の研磨組成物は、従来、機械的研磨を目的に添加されていた砥粒を必要としないことが特徴であり、砥粒由来の問題点であった、凝集粒子による金属膜表面へのスクラッチや砥粒の沈降などが解消される。さらに、砥粒による機械的研磨を必要とする従来の研磨組成物では、研磨速度は研磨圧力に比例することが知られているが、本発明の研磨組成物を使用した場合、研磨速度は研磨圧力に比例するものではなく、研磨圧力のある一定の閾値以下では研磨は進行せず、該閾値を越える研磨圧力において急激に高い研磨速度が得られるという特徴がある。該閾値は本発明の研磨組成物の組成によって異なるが、該閾値が低い組成を選択することによって、低研磨圧力で高い研磨速度を得ることが可能となり、研磨時の研磨圧力による下地基板へのダメージ等の問題が解消される。
本発明において窒素原子およびカルボキシル基を分子内に併せ持つ有機化合物を含有させることはディッシングの抑制の観点から好ましい。窒素原子およびカルボキシル基を分子内に併せ持つ有機化合物としては、シスチン、グリシン、グルタミン酸、アスパラギン酸、キナルジン酸、キノリン酸、ピコリン酸、ニコチン酸、ヒスチジン、ベンゾトリアゾールカルボン酸、グルタミン、グルタチオン、グリシルグリシン、アラニン、γ−アミノ酪酸、ε−アミノカプロン酸、アルギニン、チトルリン、トリプトファン、スレオニン、システイン、N−アセチルシステイン、オキシプロリン、イソロイシン、ロイシン、リジン、メチオニン、フェニルアラニン、フェニルグリシン、プロリン、セリン、チロシン、バリンなどが好ましい例として挙げられ、より好ましい例としてキナルジン酸、ヒスチジンが挙げられる。
窒素原子およびカルボキシル基を分子内に併せ持つ有機化合物の添加量は、研磨速度の観点からおよびディッシング抑制の効果発現の観点から、5000ppm以下、好ましくは1000ppm以下、さらに好ましくは200ppm以下である。
本発明の研磨組成物は、ディッシングの原因となる金属膜のエッチング性は極めて低いものであるため、当該業界において知られている保護膜形成剤を併用する必要はないが、研磨レートの低下が実用上許容される範囲内で、必要に応じて、該保護膜形成剤を添加し、更にエッチング性を抑制することも可能である。特に金属が銅もしくは銅を主成分とする銅合金の場合、ベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、トリルトリアゾール、キノリン、イソキノリン、インドール、イソインドール、キナゾリン、シンノリン、グルコース、キノキサリン、フタラジン、アクリジン、ドデシルメルカプタン等を好ましい一例として挙げることができる。
これらの保護膜形成剤の添加量は、研磨速度の観点からおよびディッシング抑制の効果発現の観点から、500ppm以下、好ましくは200ppm以下、さらに好ましくは100ppm以下である。
本発明の研磨組成物は、ディッシングの原因となる金属膜のエッチング性は極めて低いものであるため、当該業界において知られている保護膜形成剤を併用する必要はないが、研磨レートの低下が実用上許容される範囲内で、必要に応じて、該保護膜形成剤を添加し、更にエッチング性を抑制することも可能である。特に金属が銅もしくは銅を主成分とする銅合金の場合、ベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、トリルトリアゾール、キノリン、イソキノリン、インドール、イソインドール、キナゾリン、シンノリン、グルコース、キノキサリン、フタラジン、アクリジン、ドデシルメルカプタン等を好ましい一例として挙げることができる。
これらの保護膜形成剤の添加量は、研磨速度の観点からおよびディッシング抑制の効果発現の観点から、500ppm以下、好ましくは200ppm以下、さらに好ましくは100ppm以下である。
本発明の金属用研磨組成物に水溶性高分子化合物および/または多価アルコール化合物を含有させることは、得られる研磨面の研磨の均一性を向上させる観点から好ましい。
本発明で用いられる水溶性高分子としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコールアルキルエーテル等のエーテル類;ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンおよびポリアクロレイン等のビニル系ポリマー;ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアミド酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩等のポリカルボン酸およびその塩;メチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、酢酸セルロース、硝酸セルロース、硫酸セルロース、ペクチン等の多糖類、他ではゼラチン、でんぷん、アルブミン等が好ましい例として挙げられ、ポリエチレングリコール、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、がより好ましい例として挙げられる。
本発明で用いられる水溶性高分子としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコールアルキルエーテル等のエーテル類;ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンおよびポリアクロレイン等のビニル系ポリマー;ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアミド酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩等のポリカルボン酸およびその塩;メチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、酢酸セルロース、硝酸セルロース、硫酸セルロース、ペクチン等の多糖類、他ではゼラチン、でんぷん、アルブミン等が好ましい例として挙げられ、ポリエチレングリコール、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、がより好ましい例として挙げられる。
本発明において多価アルコール化合物とは上記の水溶性高分子化合物以外の低分子化合物であって、一分子内に複数の水酸基を有する化合物をいい、エチレングリコール、グリセリン、プロパンジオール、ペンタエリスリトール、果糖、ショ糖、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールなどが好ましい例として挙げられ、エチレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールがより好ましい例として挙げられる。
本発明の研磨組成物に用いられる水溶性高分子化合物および/または多価アルコール化合物の含有量は、その種類や使用するポリオキソ酸(その塩)の種類や量によっても異なるが、好ましくは0.01〜50質量%の範囲であり、より好ましくは0.1〜20wt%の範囲である。即ち、添加効果発現の観点から0.01質量%以上が好ましく、添加による粘度の上昇の観点から50質量%以下が好ましい。
本発明の研磨組成物に用いられる水溶性高分子化合物および/または多価アルコール化合物の含有量は、その種類や使用するポリオキソ酸(その塩)の種類や量によっても異なるが、好ましくは0.01〜50質量%の範囲であり、より好ましくは0.1〜20wt%の範囲である。即ち、添加効果発現の観点から0.01質量%以上が好ましく、添加による粘度の上昇の観点から50質量%以下が好ましい。
本発明の研磨組成物は、上述の通り、通常機械的研磨を目的に使用される砥粒を含まないでも目的とする研磨を行うことができるが、更に研磨速度を高める目的で砥粒を用いることも可能である。その際用いられる砥粒としては、アルミナ、シリカ、セリア、ジルコニア、酸化マグネシウム等の無機粒子、有機ポリマー、非晶質炭素、カーボンブラック等の有機粒子が挙げられるが、このうち好適にはコロイダルアルミナ、コロイダルシリカである。
本発明に用いる化学機械研磨装置は金属膜を有する基板を金属膜面を上向きにしてチャックテーブルに保持し、軸芯を鉛直方向に有するスピンドル軸に軸承された取付板に貼付された研磨パッド面を金属研磨用組成物を介して相対的に前記基板に押圧し、該基板と研磨パッドを摺動させて基板表面の金属膜の少なくとも一部を除去する化学機械研磨装置であって、前記研磨パッドの昇降機構と、前記研磨パッドを左右方向に往復移動可能な移送機構とを有し、前記研磨パッドの形状は円または楕円の中央部をより小さい径の円状または楕円状に刳り貫いた環状体であり、研磨パッドの径は基板の径よりも小さいことを特徴とする。また、よりディッシングやエロージョンを低減するために、本発明に用いる化学機械研磨装置において、前記移送機構は、前記基板に対する前記研磨パッドの位置により前記研磨パッドの左右方向の移動速度を変化させる機能を有することが好ましく、前記研磨パッドの刳り貫かれた内径が、前記研磨パッドの外径の5〜75%の長さであることが好ましい。
本発明に用いる化学機械研磨装置は金属膜を有する基板を金属膜面を上向きにしてチャックテーブルに保持し、軸芯を鉛直方向に有するスピンドル軸に軸承された取付板に貼付された研磨パッド面を金属研磨用組成物を介して相対的に前記基板に押圧し、該基板と研磨パッドを摺動させて基板表面の金属膜の少なくとも一部を除去する化学機械研磨装置であって、前記研磨パッドの昇降機構と、前記研磨パッドを左右方向に往復移動可能な移送機構とを有し、前記研磨パッドの形状は円または楕円の中央部をより小さい径の円状または楕円状に刳り貫いた環状体であり、研磨パッドの径は基板の径よりも小さいことを特徴とする。また、よりディッシングやエロージョンを低減するために、本発明に用いる化学機械研磨装置において、前記移送機構は、前記基板に対する前記研磨パッドの位置により前記研磨パッドの左右方向の移動速度を変化させる機能を有することが好ましく、前記研磨パッドの刳り貫かれた内径が、前記研磨パッドの外径の5〜75%の長さであることが好ましい。
以下、図面を用いて本発明に用いる化学機械研磨装置を詳細に説明する。図2は、化学機械研磨装置の一例を示す斜視図、図3は研磨パッドの移送機構を示す斜視図、図4は研磨パッドとコンディショニング装置の部分断面図、図5は研磨ヘッドの断面図、図6は研磨パッドの斜視図である。
図2、図3および図4に示すインデックス型化学機械研磨装置1において、2は研磨ヘッド、2aは粗研磨用研磨ヘッド、2bは仕上研磨用ヘッド、3,3は回転軸、3aはモーター、3bは歯車、3cはプーリー、3dは歯車、4,4は研磨パッド、5,5はパッドコンディショニング機構、5aはドレッシングディスク,5bは噴射ノズル、5cは保護カバー、6,6は回転可能な洗浄ブラシ、7は研磨ヘッドの移送機構、7aはレール、7bは送りネジ、7cは送りネジに螺着させた移動体で研磨ヘッド2を具備させる。7d,7eは歯車、7fはモーター、8はヘッドの昇降機構であるエヤーシリンダー、9はウエハw収納カセット、10はローディング搬送用ロボット、11はウエハ仮置台、12は軸12eを軸芯として同一円周上に等間隔に設けられた回転可能な4基のウエハチャック機構12a,12b,12c,12dを備えるインデックステーブルで、テーブル12はs1のウエハローディングゾーン、s2の粗研磨ゾーン、s3のウエハ仕上研磨ゾーン、s4のウエハアンローディングゾーンに仕分けされている。13はアンローディング用搬送ロボット、14aはチャックドレサー、14bはチャック洗浄機構、15はウエハ仮置台、16はベルトコンベア、17はウエハ洗浄機構である。
図2、図3および図4に示すインデックス型化学機械研磨装置1において、2は研磨ヘッド、2aは粗研磨用研磨ヘッド、2bは仕上研磨用ヘッド、3,3は回転軸、3aはモーター、3bは歯車、3cはプーリー、3dは歯車、4,4は研磨パッド、5,5はパッドコンディショニング機構、5aはドレッシングディスク,5bは噴射ノズル、5cは保護カバー、6,6は回転可能な洗浄ブラシ、7は研磨ヘッドの移送機構、7aはレール、7bは送りネジ、7cは送りネジに螺着させた移動体で研磨ヘッド2を具備させる。7d,7eは歯車、7fはモーター、8はヘッドの昇降機構であるエヤーシリンダー、9はウエハw収納カセット、10はローディング搬送用ロボット、11はウエハ仮置台、12は軸12eを軸芯として同一円周上に等間隔に設けられた回転可能な4基のウエハチャック機構12a,12b,12c,12dを備えるインデックステーブルで、テーブル12はs1のウエハローディングゾーン、s2の粗研磨ゾーン、s3のウエハ仕上研磨ゾーン、s4のウエハアンローディングゾーンに仕分けされている。13はアンローディング用搬送ロボット、14aはチャックドレサー、14bはチャック洗浄機構、15はウエハ仮置台、16はベルトコンベア、17はウエハ洗浄機構である。
図5に示す研磨ヘッド2において、ヘッド2は基板21の張り出し縁21aが加圧シリンダー20のフランジ部分20aに支えられ、研磨パッド(環状研磨布)4は研磨布取付板22を介して基板21に保持されている。加圧シリンダー20内の加圧室20b内にはダイヤフラム23が張り渡され、スピンドル軸3内を通じて加圧室20b内に圧縮空気が圧入され、その圧力によって基板21は3次元(X,Y,Z)方向に揺動自在に支えられ、パッド4はウエハ表面に対して平行に保もたてられる。ヘッド2の中央に研磨液または洗浄液供給パイプ24が設けられ、パイプの先は研磨パッドの中央刳り貫き部4aを避けて研磨パッド環状体裏面に臨み、環状体を経由して基板の金属層表面に研磨液またはエッチング液が供給される。
図6に示す研磨パッド4において、(a)は本発明に用いられる円環状研磨パッド、(b)は本発明に用いられる楕円環状研磨パッドである。環状研磨パッドの刳り貫かれた内径liは、研磨パッド外径loの長さの5〜75%、好ましくは30〜50%である。
研磨される金属膜を有する基板wの外径に対する研磨パッドの外径は、円環状パッドのときは0.5〜0.75倍、楕円環状パッドのときは、短径が0.35〜0.40倍、長径が0.5〜0.75倍である。
パッド素材としては、硬質発泡ウレタンシート、無発泡ウレタンシート、無発泡ABS樹脂シート、ポリエステル繊維不織布、フェルト、ポリビニールアルコール繊維不織布、ナイロン繊維不織布、これら不織布上に発泡性ウレタン樹脂溶液を流延させ、ついで発泡・硬化させたもの等が使用される。厚みは通常3〜7mmである。また、これらの積層体も利用できる。
研磨される金属膜を有する基板wの外径に対する研磨パッドの外径は、円環状パッドのときは0.5〜0.75倍、楕円環状パッドのときは、短径が0.35〜0.40倍、長径が0.5〜0.75倍である。
パッド素材としては、硬質発泡ウレタンシート、無発泡ウレタンシート、無発泡ABS樹脂シート、ポリエステル繊維不織布、フェルト、ポリビニールアルコール繊維不織布、ナイロン繊維不織布、これら不織布上に発泡性ウレタン樹脂溶液を流延させ、ついで発泡・硬化させたもの等が使用される。厚みは通常3〜7mmである。また、これらの積層体も利用できる。
前記の化学機械研磨装置を用いて絶縁層の上に金属膜を有するウエハを研磨する工程は、次のように行われる。
1)ウエハw1は、搬送ロボット10のアームによりカセット9より取り出され仮置台11上に金属膜面を上向きにして載せられ、ここで裏面を洗浄され、ついで搬送ロボットによりインデックステーブル12のウエハローディングゾーンs1に移送され、チャック機構12aにより吸着される。
1)ウエハw1は、搬送ロボット10のアームによりカセット9より取り出され仮置台11上に金属膜面を上向きにして載せられ、ここで裏面を洗浄され、ついで搬送ロボットによりインデックステーブル12のウエハローディングゾーンs1に移送され、チャック機構12aにより吸着される。
2)インデックステーブル12を90度時計回り方向に回動させてウエハw1を第1研磨ゾーンs2に導き、スピンドル軸3を下降させてヘッド2aに取り付けられた研磨パッド4をウエハw1に押圧し、スピンドル軸3とチャック機構の軸を回転させることによりウエハの化学機械研磨を行う。この間、新たなウエハw2が仮置台の上に載せられ、ウエハローディングゾーンs1に移送され、チャック機構12bにより吸着される。
ウエハのCMP加工時、スピンドル軸3の中空部に設けた供給管24より環状体4裏面に研磨剤液が10〜100ml/分の割合で供給される。チャックテーブルに吸着されたウエハの回転数は、200〜800rpm、好ましくは300〜600rpm、研磨パッドの回転数は400〜3000rpm、好ましくは600〜1000rpmである。
ウエハのCMP加工時、スピンドル軸3の中空部に設けた供給管24より環状体4裏面に研磨剤液が10〜100ml/分の割合で供給される。チャックテーブルに吸着されたウエハの回転数は、200〜800rpm、好ましくは300〜600rpm、研磨パッドの回転数は400〜3000rpm、好ましくは600〜1000rpmである。
CMP加工中、研磨パッドをボールネジでウエハの中心点より左へ10〜60mm幅、およびウエハの外周より10〜60mm幅右へ行った点間の距離を左右方向(X軸方向)に往復揺動させる。研磨パッドの往復揺動は、研磨パッド外周がウエハの中心点と外周間に位置するときを基準の速さとすると、研磨パッドがウエハ中心点部では揺動速度をゆっくりとし、ウエハ外周部では揺動速度を速くしてディッシングが均一に行なわれるようにする。例えば、揺動幅が40mmで、研磨パッド外周がウエハの中心点と外周間に位置するときの揺動速度を300mm/分のときは、ウエハ中心点部での研磨パッドの揺動速度を260mm/分、ウエハ外周部での研磨パッドの揺動速度を320mm/分とする。
ウエハ面への研磨パッドの押圧は、50〜150g/cm2である。第一研磨ゾーンs2での化学機械研磨が所望時間行なわれると、スピンドル軸3を上昇させ、右方向に後退させ、パッド洗浄機構5上に導き、ここで高圧ジェット水をノズル5bより吹き付けながら回転ブラシ6で表パッド面に付着した砥粒、金属研磨屑を取り除き、再び右方向に研磨パッドを移送し、研磨ゾーンs2上に待機させる。
3)インデックステーブルを時計回り方向に90度回動させ、研磨されたウエハw1を第二研磨ゾーンs3に導き、スピンドル軸3を下降させてヘッド2bに取り付けられた研磨パッド4を粗研磨されたウエハw1に押圧し、スピンドル軸3とチャック機構の軸を回転させることによりウエハの化学機械仕上研磨を行う。仕上げ研磨終了後は、スピンドル軸3を上昇、右方向に後退させ、ヘッド2bに取り付けられた研磨パッドを洗浄機構5で洗浄し、再び右方向に移送し、第二研磨ゾーンs3上に待機させる。この間、新たなウエハw3が仮置台の上に載せられ、ウエハローディングゾーンs1に移送され、チャック機構12cにより吸着される。また、第一研磨ゾーンs2ではウエハw2の化学機械粗研磨が実施される。
4)インデックステーブル12を時計回り方向に90度回動させ、研磨されたウエハw1をアンローディングゾーンs4に導く。ついで、アンローディング搬送ロボット13で仕上研磨されたウエハを仮置台15へ搬送し、裏面を洗浄した後、更に搬送ロボット13でベルトコンベアを利用した移送機構へと導き、研磨されたウエハのパターン面に洗浄液をノズル17より吹き付け洗浄し、さらにウエハを次工程へと導く。この間、新たなウエハw4が仮置台の上に載せられ、ウエハローディングゾーンs1に移送され、チャック機構12dにより吸着される。また、第一研磨ゾーンs2ではウエハw3の化学機械粗研磨が、第二研磨ゾーンs3ではウエハw2の化学機械仕上研磨実施される。
5)インデックステーブル12を時計方向に90度回転させ、以下前記2)から4)の工程と同様の操作を繰り返し、ウエハの化学機械研磨を行う。上記例において、化学機械研磨加工を第一粗研磨と第二仕上研磨に分けたのは、スループット時間を短縮するためであるが、CMP加工を一段で行ってもよいし、粗研磨、中仕上研磨、仕上研磨と三段階に分け、よりスループット時間を短縮してもよい。三段階のCMP加工工程をとるときは、s1をウエハローディングとウエハアンローディングの兼用ゾーンとし、s2を第一研磨ゾーン、s3を第二研磨ゾーン、s4を第3研磨ゾーンとする。
また、二段階または三段階の加工工程をとるときは、本発明の金属研磨用組成物を一から三段階のうちいずれか一段階で用いれば良い。
また、研磨パッド素材は、第一研磨パッド、第二研磨パッド、第三研磨パッドの素材を変えてもよい。
また、二段階または三段階の加工工程をとるときは、本発明の金属研磨用組成物を一から三段階のうちいずれか一段階で用いれば良い。
また、研磨パッド素材は、第一研磨パッド、第二研磨パッド、第三研磨パッドの素材を変えてもよい。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
〔合成例1〕金属用研磨組成物の合成
酸性物質(A)としてリンバナドモリブデン酸(商品名PVM−1−11 日本無機化学工業社製)12gを水187gに溶解させた後、酸性物質(B)としてドデシルベンゼンスルホン酸(和光純薬工業社製)1gを添加、混合した後、水を添加し3倍に希釈することで金属用研磨組成物(ア)を得た。
〔合成例1〕金属用研磨組成物の合成
酸性物質(A)としてリンバナドモリブデン酸(商品名PVM−1−11 日本無機化学工業社製)12gを水187gに溶解させた後、酸性物質(B)としてドデシルベンゼンスルホン酸(和光純薬工業社製)1gを添加、混合した後、水を添加し3倍に希釈することで金属用研磨組成物(ア)を得た。
[合成例2]
酸性物質(A)としてリンバナドモリブデン酸12gを水187gに溶解させた後、酸性物質(B)としてドデシルベンゼンスルホン酸0.5g、ヒスチジン(和光純薬工業社製)0.02gを添加、混合した後、水を添加し3倍に希釈することで金属用研磨組成物(イ)を得た。
酸性物質(A)としてリンバナドモリブデン酸12gを水187gに溶解させた後、酸性物質(B)としてドデシルベンゼンスルホン酸0.5g、ヒスチジン(和光純薬工業社製)0.02gを添加、混合した後、水を添加し3倍に希釈することで金属用研磨組成物(イ)を得た。
[合成例3]
酸性物質(A)としてリンバナドタングステン酸(商品名PVW−1−11 日本無機化学工業社製)12gを水187gに溶解させた後、酸性物質(B)としてメタンスルホン酸0.5g、ヒスチジン0.03g、キナルジン酸(和光純薬工業社製)0.008gを添加、混合した後、水を添加し3倍に希釈することで金属用研磨組成物(ウ)を得た。
酸性物質(A)としてリンバナドタングステン酸(商品名PVW−1−11 日本無機化学工業社製)12gを水187gに溶解させた後、酸性物質(B)としてメタンスルホン酸0.5g、ヒスチジン0.03g、キナルジン酸(和光純薬工業社製)0.008gを添加、混合した後、水を添加し3倍に希釈することで金属用研磨組成物(ウ)を得た。
[合成例4]
酸性物質(A)としてケイモリブデン酸(商品名SM 日本無機化学工業社製)10gを水189gに溶解させた後、酸性物質(B)としてドデシルベンゼンスルホン酸0.4g、ヒスチジン0.02g、キナルジン酸0.01gを添加、混合した後、水を添加し3倍に希釈することで金属用研磨組成物(エ)を得た。
酸性物質(A)としてケイモリブデン酸(商品名SM 日本無機化学工業社製)10gを水189gに溶解させた後、酸性物質(B)としてドデシルベンゼンスルホン酸0.4g、ヒスチジン0.02g、キナルジン酸0.01gを添加、混合した後、水を添加し3倍に希釈することで金属用研磨組成物(エ)を得た。
[合成例5]
酸性物質(A)としてリンモリブデン酸12gを水187gに溶解させた後、酸性物質(B)としてドデシルベンゼンスルホン酸0.5g、ヒスチジン(和光純薬工業社製)0.02gを添加、混合した後、水を添加し3倍に希釈することで金属用研磨組成物(オ)を得た。
酸性物質(A)としてリンモリブデン酸12gを水187gに溶解させた後、酸性物質(B)としてドデシルベンゼンスルホン酸0.5g、ヒスチジン(和光純薬工業社製)0.02gを添加、混合した後、水を添加し3倍に希釈することで金属用研磨組成物(オ)を得た。
[合成例6]
酸性物質(A)としてケイタングステン酸12gを水187gに溶解させた後、酸性物質(B)としてドデシルベンゼンスルホン酸0.5g、ヒスチジン(和光純薬工業社製)0.02gを添加、混合した後、水を添加し3倍に希釈することで金属用研磨組成物(カ)を得た。
酸性物質(A)としてケイタングステン酸12gを水187gに溶解させた後、酸性物質(B)としてドデシルベンゼンスルホン酸0.5g、ヒスチジン(和光純薬工業社製)0.02gを添加、混合した後、水を添加し3倍に希釈することで金属用研磨組成物(カ)を得た。
[合成例7]
酸性物質(A)としてリンモリブデン酸(商品名PVW−1−11 日本無機化学工業社製)12gを水187gに溶解させた後、酸性物質(B)としてメタンスルホン酸0.5g、ヒスチジン0.03g、キナルジン酸(和光純薬工業社製)0.008gを添加、混合した後、水を添加し3倍に希釈することで金属用研磨組成物(キ)を得た。
酸性物質(A)としてリンモリブデン酸(商品名PVW−1−11 日本無機化学工業社製)12gを水187gに溶解させた後、酸性物質(B)としてメタンスルホン酸0.5g、ヒスチジン0.03g、キナルジン酸(和光純薬工業社製)0.008gを添加、混合した後、水を添加し3倍に希釈することで金属用研磨組成物(キ)を得た。
[合成例8]
リンバナドモリブデン酸4gを水196gに溶解させただけの金属用研磨用組成物(ク)を得た。
[合成例9]
リンバナドタングステン酸4gを水196gに溶解させただけの金属用研磨組成物(ケ)を得た。
[合成例10]
ケイモリブデン酸4gを水196gに溶解させただけの金属用研磨組成物(コ)を得た。
[合成例11]
ドデシルベンゼンスルホン酸1gを水199gに溶解させただけの金属用研磨組成物(サ)を得た。
[合成例12]
メタンスルホン酸1gを水199gに溶解させただけの金属用研磨組成物(シ)を得た。
[合成例13]
ヒスチジン0.01gを水200gに溶解させただけの金属用研磨組成物(ス)を得た。
[合成例14]
キナルジン酸0.01gを水200gに溶解させただけの金属用研磨組成物(セ)を得た。
リンバナドモリブデン酸4gを水196gに溶解させただけの金属用研磨用組成物(ク)を得た。
[合成例9]
リンバナドタングステン酸4gを水196gに溶解させただけの金属用研磨組成物(ケ)を得た。
[合成例10]
ケイモリブデン酸4gを水196gに溶解させただけの金属用研磨組成物(コ)を得た。
[合成例11]
ドデシルベンゼンスルホン酸1gを水199gに溶解させただけの金属用研磨組成物(サ)を得た。
[合成例12]
メタンスルホン酸1gを水199gに溶解させただけの金属用研磨組成物(シ)を得た。
[合成例13]
ヒスチジン0.01gを水200gに溶解させただけの金属用研磨組成物(ス)を得た。
[合成例14]
キナルジン酸0.01gを水200gに溶解させただけの金属用研磨組成物(セ)を得た。
[合成例15]
非イオン性界面活性剤の代わりにカチオン性界面活性剤として同量のラウリルトリメチルアンモニウムクロリドを用いる以外は合成例5と全く同様にして金属用研磨組成物(ソ)を得た。なお、この組成物は1日放置後、粒子の沈降が確認された。
非イオン性界面活性剤の代わりにカチオン性界面活性剤として同量のラウリルトリメチルアンモニウムクロリドを用いる以外は合成例5と全く同様にして金属用研磨組成物(ソ)を得た。なお、この組成物は1日放置後、粒子の沈降が確認された。
〔実施例1〕
基板として300mm径の酸化珪素絶縁膜上に銅膜を設けたシリコン基板を、研磨剤として合成例1で得られた金属研磨用組成物(ア)を50ml/分の量、研磨パッドとしてポリウレタン樹脂を素材とした外径150mmの円盤の中央部50mm径を刳り貫いた円
環状パッドを、研磨装置として図2に示す自動化学機械研磨装置を用い、基板チャックテーブルの回転数を400rpm、研磨パッドの回転数を700rpm、基板にかかる研磨パッドの圧力を1.4psi(100g/cm2)とし、左右揺動幅を54mm(揺動開始点は基板外径より27mm左内側、基板中心点より27mm右内側)とし、揺動速度を基板外径より27mm左内側から基板外周側においては260mm/分、基板中心点より27mm右内側から基板中心点においては320mm/分、その間においては300mm/分で研磨を行なって、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は612nm/分であり、ディッシングは、18nmであった。
基板として300mm径の酸化珪素絶縁膜上に銅膜を設けたシリコン基板を、研磨剤として合成例1で得られた金属研磨用組成物(ア)を50ml/分の量、研磨パッドとしてポリウレタン樹脂を素材とした外径150mmの円盤の中央部50mm径を刳り貫いた円
環状パッドを、研磨装置として図2に示す自動化学機械研磨装置を用い、基板チャックテーブルの回転数を400rpm、研磨パッドの回転数を700rpm、基板にかかる研磨パッドの圧力を1.4psi(100g/cm2)とし、左右揺動幅を54mm(揺動開始点は基板外径より27mm左内側、基板中心点より27mm右内側)とし、揺動速度を基板外径より27mm左内側から基板外周側においては260mm/分、基板中心点より27mm右内側から基板中心点においては320mm/分、その間においては300mm/分で研磨を行なって、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は612nm/分であり、ディッシングは、18nmであった。
〔実施例2〕
研磨剤として合成例2で得られた金属用研磨組成物(イ)を用いる他は実施例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は620nm/分であり、ディッシングは、21nmであった。
研磨剤として合成例2で得られた金属用研磨組成物(イ)を用いる他は実施例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は620nm/分であり、ディッシングは、21nmであった。
〔実施例3〕
研磨剤として合成例3で得られた金属用研磨組成物(ウ)を用いる他は実施例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は582nm/分であり、ディッシングは、19nmであった。
研磨剤として合成例3で得られた金属用研磨組成物(ウ)を用いる他は実施例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は582nm/分であり、ディッシングは、19nmであった。
〔実施例4〕
研磨剤として合成例4で得られた金属用研磨組成物(エ)を用いる他は実施例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は605nm/分であり、ディッシングは、23nmであった。
研磨剤として合成例4で得られた金属用研磨組成物(エ)を用いる他は実施例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は605nm/分であり、ディッシングは、23nmであった。
〔実施例5〕
研磨剤として合成例5で得られた金属用研磨組成物(オ)を用いる他は実施例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は486nm/分であり、ディッシングは、21nmであった。
研磨剤として合成例5で得られた金属用研磨組成物(オ)を用いる他は実施例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は486nm/分であり、ディッシングは、21nmであった。
〔実施例6〕
研磨剤として合成例6で得られた金属用研磨組成物(カ)を用いる他は実施例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は519nm/分であり、ディッシングは、22nmであった。
研磨剤として合成例6で得られた金属用研磨組成物(カ)を用いる他は実施例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は519nm/分であり、ディッシングは、22nmであった。
〔実施例7〕
研磨剤として合成例3で得られた金属用研磨組成物(キ)を用いる他は実施例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は498nm/分であり、ディッシングは、24nmであった。
研磨剤として合成例3で得られた金属用研磨組成物(キ)を用いる他は実施例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は498nm/分であり、ディッシングは、24nmであった。
〔比較例1〕
研磨パッドとしてポリウレタン樹脂を素材とした外径150mmの円盤状パッドを用いる他は、実施例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は502nm/分であり、ディッシングは170nmであった。
研磨パッドとしてポリウレタン樹脂を素材とした外径150mmの円盤状パッドを用いる他は、実施例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は502nm/分であり、ディッシングは170nmであった。
〔比較例2〕
研磨剤として合成例2で得られた金属用研磨組成物(イ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は503nm/分であり、ディッシングは185nmであった。
研磨剤として合成例2で得られた金属用研磨組成物(イ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は503nm/分であり、ディッシングは185nmであった。
〔比較例3〕
研磨剤として合成例3で得られた金属用研磨組成物(ウ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は496nm/分であり、ディッシングは183nmであった。
研磨剤として合成例3で得られた金属用研磨組成物(ウ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は496nm/分であり、ディッシングは183nmであった。
〔比較例4〕
研磨剤として合成例4で得られた金属用研磨組成物(エ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は435nm/分であり、ディッシングは203nmであった。
研磨剤として合成例4で得られた金属用研磨組成物(エ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は435nm/分であり、ディッシングは203nmであった。
〔比較例5〕
研磨剤として合成例5で得られた金属用研磨組成物(オ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は507nm/分であり、ディッシングは197nmであった。
研磨剤として合成例5で得られた金属用研磨組成物(オ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は507nm/分であり、ディッシングは197nmであった。
〔比較例6〕
研磨剤として合成例6で得られた金属用研磨組成物(カ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は497nm/分であり、ディッシングは212nmであった。
研磨剤として合成例6で得られた金属用研磨組成物(カ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は497nm/分であり、ディッシングは212nmであった。
〔比較例7〕
研磨剤として合成例7で得られた金属用研磨組成物(キ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は523nm/分であり、ディッシングは169nmであった。
研磨剤として合成例7で得られた金属用研磨組成物(キ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は523nm/分であり、ディッシングは169nmであった。
〔比較例8〕
研磨剤として合成例8で得られた金属用研磨組成物(ク)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は542nm/分であり、ディッシングは490nmであった。
研磨剤として合成例8で得られた金属用研磨組成物(ク)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は542nm/分であり、ディッシングは490nmであった。
〔比較例9〕
研磨剤として合成例9で得られた金属用研磨組成物(ケ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は532nm/分であり、ディッシングは520nmであった。
研磨剤として合成例9で得られた金属用研磨組成物(ケ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は532nm/分であり、ディッシングは520nmであった。
〔比較例10〕
研磨剤として合成例10で得られた金属用研磨組成物(コ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は512nm/分であり、ディッシングは476nmであった。
研磨剤として合成例10で得られた金属用研磨組成物(コ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は512nm/分であり、ディッシングは476nmであった。
〔比較例11〕
研磨剤として合成例11で得られた金属用研磨組成物(サ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は50nm/分以下であり、ディッシングを測定できなかった。
研磨剤として合成例11で得られた金属用研磨組成物(サ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は50nm/分以下であり、ディッシングを測定できなかった。
〔比較例12〕
研磨剤として合成例12で得られた金属用研磨組成物(シ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は50nm/分以下であり、ディッシングを測定できなかった。
研磨剤として合成例12で得られた金属用研磨組成物(シ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は50nm/分以下であり、ディッシングを測定できなかった。
〔比較例13〕
研磨剤として合成例13で得られた金属用研磨組成物(ス)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は10nm/分以下であり、ディッシングを測定できなかった。
研磨剤として合成例13で得られた金属用研磨組成物(ス)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は10nm/分以下であり、ディッシングを測定できなかった。
〔比較例14〕
研磨剤として合成例14で得られた金属用研磨組成物(セ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は10nm/分以下であり、ディッシングを測定できなかった。
研磨剤として合成例14で得られた金属用研磨組成物(セ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は10nm/分以下であり、ディッシングを測定できなかった。
〔比較例15〕
研磨剤として合成例15で得られた金属用研磨組成物(ソ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は410nm/分であり、ディッシングは370nmであった。
研磨剤として合成例15で得られた金属用研磨組成物(ソ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は410nm/分であり、ディッシングは370nmであった。
〔比較例16〕
研磨剤としてA社から発売されている金属用研磨組成物(タ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は180nm/分であり、ディッシングは27nmであった。
研磨剤としてA社から発売されている金属用研磨組成物(タ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は180nm/分であり、ディッシングは27nmであった。
〔比較例17〕
研磨パッドとして研磨パッドとしてポリウレタン樹脂を素材とした長径160mm、短径80mmの楕円盤状パッド用いる他は、実施例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は620nm/分であり、ディッシングは169nmであった。
研磨パッドとして研磨パッドとしてポリウレタン樹脂を素材とした長径160mm、短径80mmの楕円盤状パッド用いる他は、実施例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は620nm/分であり、ディッシングは169nmであった。
〔比較例18〕
研磨剤として合成例2で得られた金属用研磨組成物(イ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は583nm/分であり、ディッシングは188nmであった。
研磨剤として合成例2で得られた金属用研磨組成物(イ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は583nm/分であり、ディッシングは188nmであった。
〔比較例19〕
研磨剤として合成例3で得られた金属用研磨組成物(ウ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は601nm/分であり、ディッシングは196nmであった。
研磨剤として合成例3で得られた金属用研磨組成物(ウ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は601nm/分であり、ディッシングは196nmであった。
〔比較例20〕
研磨剤として合成例4で得られた金属用研磨組成物(エ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は609nm/分であり、ディッシングは205nmであった。
研磨剤として合成例4で得られた金属用研磨組成物(エ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は609nm/分であり、ディッシングは205nmであった。
〔比較例21〕
研磨剤として合成例5で得られた金属用研磨組成物(オ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は497nm/分であり、ディッシングは165nmであった。
研磨剤として合成例5で得られた金属用研磨組成物(オ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は497nm/分であり、ディッシングは165nmであった。
〔比較例22〕
研磨剤として合成例6で得られた金属用研磨組成物(カ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は510nm/分であり、ディッシングは209nmであった。
研磨剤として合成例6で得られた金属用研磨組成物(カ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は510nm/分であり、ディッシングは209nmであった。
〔比較例23〕
研磨剤として合成例7で得られた金属用研磨組成物(キ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は490nm/分であり、ディッシングは149nmであった。
研磨剤として合成例7で得られた金属用研磨組成物(キ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は490nm/分であり、ディッシングは149nmであった。
〔比較例24〕
研磨剤として合成例8で得られた金属用研磨組成物(ク)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は490nm/分であり、ディッシングは492nmであった。
研磨剤として合成例8で得られた金属用研磨組成物(ク)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は490nm/分であり、ディッシングは492nmであった。
〔比較例25〕
研磨剤として合成例9で得られた金属用研磨組成物(ケ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は503nm/分であり、ディッシングは507nmであった。
研磨剤として合成例9で得られた金属用研磨組成物(ケ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は503nm/分であり、ディッシングは507nmであった。
〔比較例26〕
研磨剤として合成例10で得られた金属用研磨組成物(コ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は505nm/分であり、ディッシングは493nmであった。
研磨剤として合成例10で得られた金属用研磨組成物(コ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は505nm/分であり、ディッシングは493nmであった。
〔比較例27〕
研磨剤として合成例11で得られた金属用研磨組成物(サ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は50nm/分以下であり、ディッシングを測定できなかった。
研磨剤として合成例11で得られた金属用研磨組成物(サ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は50nm/分以下であり、ディッシングを測定できなかった。
〔比較例28〕
研磨剤として合成例12で得られた金属用研磨組成物(シ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は50nm/分以下であり、ディッシングを測定できなかった。
研磨剤として合成例12で得られた金属用研磨組成物(シ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は50nm/分以下であり、ディッシングを測定できなかった。
〔比較例29〕
研磨剤として合成例13で得られた金属用研磨組成物(ス)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は10nm/分以下であり、ディッシングを測定できなかった。
研磨剤として合成例13で得られた金属用研磨組成物(ス)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は10nm/分以下であり、ディッシングを測定できなかった。
〔比較例30〕
研磨剤として合成例14で得られた金属用研磨組成物(セ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は10nm/分以下であり、ディッシングを測定できなかった。
研磨剤として合成例14で得られた金属用研磨組成物(セ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は10nm/分以下であり、ディッシングを測定できなかった。
〔比較例31〕
研磨剤として合成例15で得られた金属用研磨組成物(ソ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は410nm/分であり、ディッシングは383nmであった。
研磨剤として合成例15で得られた金属用研磨組成物(ソ)を用いる他は、比較例17と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は410nm/分であり、ディッシングは383nmであった。
〔比較例32〕
研磨剤としてA社から発売されている金属用研磨組成物(タ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は203nm/分であり、ディッシングは230nmであった。
研磨剤としてA社から発売されている金属用研磨組成物(タ)を用いる他は、比較例1と同様に研磨を行い、パターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は203nm/分であり、ディッシングは230nmであった。
〔比較例33〕
基板として300mm径の酸化珪素絶縁膜上に銅膜を設けたシリコン基板を、研磨剤として合成例1で得られた金属研磨用組成物(ア)を200ml/分の量、研磨パッドとしてポリウレタン樹脂を素材とした外径600mmの円盤状パッドを、研磨装置として、F−REX300(荏原製作所製)を用い、研磨パッドの回転数を100rpm、F−REX300において、図2に示す自動化学機械研磨装置の基板チャックテーブルに相当する、トップリング部の回転数を120rpm、基板にかかる研磨パッドの圧力を1.4psi(100g/cm2)として研磨を行ってパターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は520nm/分であり、ディッシングは、110nmであった。
基板として300mm径の酸化珪素絶縁膜上に銅膜を設けたシリコン基板を、研磨剤として合成例1で得られた金属研磨用組成物(ア)を200ml/分の量、研磨パッドとしてポリウレタン樹脂を素材とした外径600mmの円盤状パッドを、研磨装置として、F−REX300(荏原製作所製)を用い、研磨パッドの回転数を100rpm、F−REX300において、図2に示す自動化学機械研磨装置の基板チャックテーブルに相当する、トップリング部の回転数を120rpm、基板にかかる研磨パッドの圧力を1.4psi(100g/cm2)として研磨を行ってパターン幅150μmのウエハを得た。
研磨速度は520nm/分であり、ディッシングは、110nmであった。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、従来技術では困難であった、エッチング、ディシング、エロージョン、スクラッチのを抑制すると同時に低研磨圧力下においても高速に銅膜等の金属膜を研磨することが可能となる。本発明は、半導体装置上の金属膜を研磨する上で極めて有用な製造方法を見出したものであり、産業上の利用価値は甚だ大きなものである。
1 半導体装置
2 絶縁膜
3 バリヤーメタル層
4 金属膜
(a) 半導体装置
(b) 絶縁膜
(c) バリヤーメタル層
(d) 金属膜
1 化学機械研磨装置
w ウエハ
2 研磨ヘッド
3 スピンドル軸
4 研磨パッド
5 コンディショニング機構
5a ドレッシングディスク
5b 噴射ノズル
5c 保護カバー
7 研磨ヘッド移送機構
8 研磨ヘッド昇降機構
2 絶縁膜
3 バリヤーメタル層
4 金属膜
(a) 半導体装置
(b) 絶縁膜
(c) バリヤーメタル層
(d) 金属膜
1 化学機械研磨装置
w ウエハ
2 研磨ヘッド
3 スピンドル軸
4 研磨パッド
5 コンディショニング機構
5a ドレッシングディスク
5b 噴射ノズル
5c 保護カバー
7 研磨ヘッド移送機構
8 研磨ヘッド昇降機構
Claims (6)
- ポリオキソ酸、アニオン性界面活性剤および水を含有してなることを特徴とする金属用研磨組成物および、金属膜を有する基板を金属膜面を上向きにしてチャックテーブルに保持し、軸芯を鉛直方向に有するスピンドル軸に軸承された取付板に貼付された研磨パッド面を前記金属用を介して相対的に前記基板に押圧し、該基板と研磨パッドを摺動させて基板表面の金属膜の少なくとも一部を除去する化学機械研磨装置であって、前記研磨パッドの昇降機構と、前記研磨パッドを左右方向に往復移動可能な移送機構とを有し、前記研磨パッドの形状は円または楕円の中央部をより小さい径の円状または楕円状に刳り貫いた環状体であり、研磨パッドの径は基板の径よりも小さいことを特徴とする化学機械研磨装置を用いて、半導体装置表面を研磨する工程を含む事を特徴とする半導体装置の製造方法。
研磨装置。 - 前記ポリオキソ酸が、ヘテロポリ酸である請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アニオン性界面活性剤が酸型であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属研磨用組成物が水溶性高分子化合物および/または多価アルコール化合物を含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属研磨用組成物が窒素原子およびカルボキシル基を分子内に併せ持つ有機化合物を含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属研磨用組成物が実質的に砥粒を含まないことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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