KR101347719B1 - 듀얼 척 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 대기상태와 진공상태에서 모두 이용할 수 있도록 하여 연속적이 공정 투입 및 진행이 가능하도록 하고, 척과 공정재료 간의 밀착력을 향상시켜 잔류 기포의 발생, 공정재료의 굴곡 발생 및 얼라인 이상 발생을 방지하도록 한 듀얼 척 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 듀얼 척은 서브스트레이트; 상기 서브스트레이트 상면에 다공성 세라믹 시트를 접합하여 형성되는 진공부; 상기 진공부와 이웃하여 상기 서브스트레이트 상면에 형성되는 세라믹 코팅층 및 상기 세라믹 코팅층 내에 형성되는 전극층을 가지는 정전부;를 포함하여 구성되고, 상기 서브스트레이트는 상기 세라믹 시트와 상기 서브스트레이트 상면 사이에 에어패스가 형성되고, 상기 에어패스는 상기 서브스트레이트를 관통하여 형성되는 관통홀과 연결되며, 상기 전극층의 양전극 및 음전극 각각과 연결되는 급전라인을 포함하여 구성된다.

Description

듀얼 척 및 이의 제조방법{The Dual Chuck And Fabicating Method Thereof}
본 발명은 진공척과 정전척의 기능을 겸하는 듀얼척 및 이의 제조방법에 관한 것으로 특히, 대기상태와 진공상태에서 모두 이용할 수 있도록 하여 연속적이 공정 투입 및 진행이 가능하도록 하고, 척과 공정재료 간의 밀착력을 향상시켜 잔류 기포의 발생, 공정재료의 굴곡 발생 및 얼라인 이상 발생을 방지하도록 한 듀얼 척 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
FPD(Flat Panel Display), 반도체, 태양전지 패널 등의 제조공정에서 기판을 이송하는데는 보편적으로 척이 이용된다. 특히, FPD에서 컬러필터를 기판에 접착하는 공정, 터치패널에서 터치센서를 접착하기 위한 공정에서 진공척 또는 정전척이 주로 이용되고 있다.
이러한 척들 중 진공척은 진공 흡착 방식을 이용하여 기판, 패널 또는 컬러필터나 터치센서와 같은 필름류를 흡착하여 고정 또는 이송하며, 정전척은 정전력을 이용하여 진공척과 같은 역할을 수행한다. 이러한 척들은 기판, 패널 또는 필름류와 같은 공정재료의 고정 및 이송에서 공정재료와 직접 접촉하여 공정에 투입되는 장치로써, FPD, 반도체, 태양전지 패널과 같은 장치의 제조에 매우 중요한 역할을 한다.
하지만, 이러한 척들은 공정재료의 흡착 방식으로 인해 사용범위가 제한되거나, 사용시 불량을 야기시키는 문제점이 있다.
구체적으로 진공척의 경우 공정환경이 대기상태일 경우에만 공정재료의 고정 및 이송이 가능하며, 이로 인해 진공척을 사용할 수 있는 공정이 매우 제한되는 문제점이 있다. 즉, 공정을 진행하는 동안 진공척을 사용하지 못하는 공정에서는 진공척을 대체할 고정 및 이송수단을 사용해야 하는 불편이 있다. 이로 인해, 공정이 복잡해지고, 소요시간이 길어지며, 공정재료를 진공척으로부터 분리하여 대체수단으로 전달하는 과정에서 공정재료의 손상이 발생되는 문제점이 있다. 또한, 진공척을 공정 중에 계속 사용하고자 하는 경우 공정장치를 변경하거나, 처리 공정을 변경해야 하는 문제점이 있다.
정전척의 경우 진공척에 비해 환경적 제약은 작지만, 정전척의 구조로 인한 문제점을 가지고 있다. 일례로 정전척의 경우 정전력의 발생을 위해 척의 표면에 치밀한 유전막이 형성된다. 이러한 정전척의 유전막은 공정재료 중 필름 형태의 재료를 흡착하는 경우 유전막과 공정재료 사이에 공기가 잔류하게 되고 이로 인해 필름의 굴곡 발생 및 얼라인(Align) 이상을 발생시켜 제조수율을 저하시키는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 대기상태와 진공상태에서 모두 이용할 수 있도록 하여 연속적이 공정 투입 및 진행이 가능하도록 하고, 척과 공정재료 간의 밀착력을 향상시켜 잔류 기포의 발생, 공정재료의 굴곡 발생 및 얼라인 이상 발생을 방지하도록 한 듀얼 척 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 듀얼 척은 서브스트레이트; 상기 서브스트레이트 상면에 다공성 세라믹 시트를 접합하여 형성되는 진공부; 상기 진공부와 이웃하여 상기 서브스트레이트 상면에 형성되는 세라믹 코팅층 및 상기 세라믹 코팅층 내에 형성되는 전극층을 가지는 정전부;를 포함하여 구성되고, 상기 서브스트레이트는 상기 세라믹 시트와 상기 서브스트레이트 상면 사이에 에어패스가 형성되고, 상기 에어패스는 상기 서브스트레이트를 관통하여 형성되는 관통홀과 연결되며, 상기 전극층의 양전극 및 음전극 각각과 연결되는 급전라인을 포함하여 구성된다.
서로 이웃하는 상기 진공부와 상기 정전부 맞닿는 상기 세라믹시트의 측면에는 경계부가 형성되며, 상기 경계부는 상기 세라믹시트를 경사지게 가공하여 형성되는 사면부와; 상기 사면부와 연결되고 상기 서브스트레이트 상면과 평행하게 형성되는 회피부;를 포함하여 구성된다.
상기 정전부는 상기 서브스트레이트 상면에 형성되는 하부절연층; 상기 하부절연층 상에 형성되는 상기 전극층; 및 상기 전극층을 덮도록 상기 하부절연층 상에 형성되며, 상기 세라믹시트의 높이와 같은 높이를 가지는 상부유전체층;을 포함하여 구성된다.
상기 회피부는 상기 하부절연층의 표면과 같은 높이 또는 상기 상부유전체층의 표면과 같은 높이의 상기 세라믹 시트 측면에 형성된다.
또한 본 발명에 따른 듀얼척의 제조방법은 하나의 서브스트레이트 상에 진공부와 정전부가 혼재하여 형성되는 듀얼척의 제조방법에 있어서, 상기 정전부 형성위치에 급전라인을 형성하고, 상기 진공부 대응위치에 에어패스 및 관통홀을 형성하여 상기 서브스트레이트를 준비하는 단계; 상기 서브스트레이트의 상기 진공부 대응위치에 다공성 세라믹 시트를 접합하는 단계; 상기 진공부와 이웃하는 상기 정전부 형성위치에 하부절연층을 형성하는 단계; 상기 하부절연층 상에 전극층을 형성하는 단계; 상기 전극층을 덮도폭 상기 하부절연층 상에 상부유전체층을 형성하는 단계; 및 상기 상부유전체층과 상기 세라믹시트의 표면을 연마하는 연마단계;를 포함하여 구성된다.
상기 세라믹 시트 접합단계는 상기 세라믹 시트의 측면 중 상기 진공부와 이웃하는 상기 측면에 상기 서브스트레이트 상면과 평행하게 형성되는 회피부와 상기 회피부와 연결되고 경사지게 형성되는 사면부를 가지는 경계부를 형성하는 단계를 더 포함하여 구성된다.
상기 회피부는 상기 하부절연층의 표면과 같은 높이 또는 상기 상부유전체층의 표면과 같은 높이의 상기 세라믹 시트 측면에 형성된다.
본 발명에 따른 듀얼 척 및 이의 제조방법은 대기상태와 진공상태에서 모두 이용할 수 있도록 하여 연속적이 공정 투입 및 진행이 가능하도록 하고, 척과 공정재료 간의 밀착력을 향상시켜 잔류 기포의 발생, 공정재료의 굴곡 발생 및 얼라인 이상 발생을 방지하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 듀얼 척의 예를 도시한 평면예시도.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절취한 단면을 개략적으로 도시한 단면예시도.
도 3은 도 1의 듀얼 척을 설명하기 위한 예시도.
도 4는 본 발명에 따른 듀얼 척의 경계부를 설명하기 위한 예시도.
도 5는 본 발명에 따른 듀얼 척의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 설명하기로 한다. 첨부된 도면들에서 구성에 표기된 참조번호는 다른 도면에서도 동일한 구성을 표기할 때에 가능한 한 동일한 도면번호를 사용하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지의 기능 또는 공지의 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고 도면에 제시된 어떤 특징들은 설명의 용이함을 위해 확대 또는 축소 또는 단순화된 것이고, 도면 및 그 구성요소들이 반드시 적절한 비율로 도시되어 있지는 않다. 그러나 당업자라면 이러한 상세 사항들을 쉽게 이해할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 듀얼 척의 예를 도시한 평면예시도이고, 도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절취한 단면을 개략적으로 도시한 단면예시도이다. 또한, 3은 도 1의 듀얼 척을 설명하기 위한 예시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 듀얼척(10)은 서브스트레이트(100), 진공부(200) 및 정전부(300)를 포함하여 구성된다.
본 발명에 따른 듀얼척(10)은 하나의 척 상에 두 가지의 흡착 방식을 선택적으로 또는 함께 사용할 수 있도록 구성된다. 구체적으로 본 발명의 듀얼척(10)은 진공척과 정전척의 구성이 하나의 척에 구현되며, 이로 인해 필요에 따라 정전척 또는 진공척 중 어느 하나를 이용하여 공정재료를 흡착하거나, 두 기능을 모두 사용하여 공정재료를 흡착할 수 있게 된다. 이러한 본 발명의 듀얼척(10)은 서브스트레이트(100) 상에 진공척 기능을 수행하는 진공부(200)와 정전척 기능을 수행하는 정전부(300)가 함께 형성된다. 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 진공부(200)의 사이 사이에 정전부(300)가 형성되도록 함으로써 듀억척(10)이 구성되게 된다. 이에 대해서는 이하에서 각 구성을 상세히 설명하면서 함께 설명하기로 한다.
서브스트레이트(100)는 듀얼척(10)의 프레임 역할을 한다. 이러한 서브스트레이트(100)는 장방형 판상으로 형성되고, 상부에는 진공부(200) 및 정전부(300)가 형성되며, 진공부(200) 및 정전부(300)의 급전 및 저압 제공을 위한 구조물의 형성 및 외부 장치와 연결되는 역할을 한다. 이러한 서브스트레이트(100)의 상부면에는 진공부(200)와 정전부(300)가 하나의 면을 이루어 형성된다. 이러한 진공부(200)와 정전부(300)는 동일한 서브스트레이트(100) 면에 서로 영역이 나뉘어 형성된다. 구체적으로 정전부(300)는 진공부(200)가 형성된 면에 도시된 바와 같이 네 귀퉁이와 중앙에 한정적으로 형성될 수 있다. 여기서, 진공부(200)의 형성 영역은 일례로 제시된 것이며 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 아울러, 서브스트레이트(100)에는 정전부(300)와 진공부(200) 각각에 대응되는 영역에 급전라인(313)과 에어패스(211) 및 관통홀(210)이 형성된다. 급전라인(313)은 정전부(300)의 하부에 해당하는 서브스트레이트(100)에 형성되고, 외부 전원장치(미도시)와 급전부(310)를 연결하도록 형성된다. 또한, 에어패스(211)는 정전부(300)의 하부에 해당하는 서브스트레이트(100)의 상면과 정전부(300)의 배면 사이에 형성되며, 관통홀(210)에 의해 외부의 펌프(미도시)와 연결된다. 이러한 서브스트레이트(100)는 별도의 프레임, 또는 장치에 결합되며 도면에서는 이를 생략하고 도시하였으나, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
진공부(200)는 서브스트레이트(100)의 상면에 정전부(300) 형성 영역을 제외한 영역에 형성된다. 진공부(200)는 서브스트레이트(100)의 상면에 다공성 세라믹시트(220)를 접합하여 형성된다. 진공부(200)는 다공성 세라믹 시트(220)와 서브스트레이트(100)의 상면 사이에 형성되는 에어패스(211) 및 에어패스(211)와 연결되는 관통홀(210)에 의해 외부 진공펌프와 연결되고, 진공펌프에 의해 관통홀(210) 및 에어패스(211)를 저압으로 유지하게 된다. 이를 통해 진공부(200)는 세라믹 시트(220)의 다공성 구조를 통해 에어패스(211)와 연결되는 별도의 홀을 형성하지 않고도 세라믹 시트(220) 전면에 저압환경을 형성하고 이를 통해 전면에 부착되는 공정재료를 흡착하는 것이 가능해진다. 이러한, 진공부(200)의 에어패스(211)는 도시된 바와 같이 거미줄, 그물망 형태로 형성되어 진공부(200)에 의한 흡착이 원활이 이루어질 수 있게 구성된다. 한편, 진공부(200)와 정전부(300)의 사이에는 경계부(400)가 형성된다. 경계부(400)는 진공부(200)와 정전부(300)의 결합력을 높이고, 경계부(400)에 틈이 발생하는 것을 방지함과 아울러, 표면 연마 가공시 경계부(400)의 구분을 최소화하기 위해 형성된다. 이를 위해 진공부(200)는 정전부(300)에 비해 먼저 형성이 되며, 진공부(200) 형성 후 정전부(300)를 형성하고, 형성된 진공부(200)와 정전부(300)의 표면을 가공하여 척 표면을 형성하게 된다. 이에 대해서는 이후에서 좀 더 상세히 설명하기로 한다.
정전부(300)는 서브스트레이트(100)의 상면에 진공부(200)와 이웃하여 미리 정해진 영역에 형성된다. 이를 위해 정전부(300)는 진공부(200)와 교번하여 서로 이웃하도록 바둑판 형태로 배치될 수 있으며, 도시된 바와 같이 서브스트레이트(100)의 중앙, 서부스트레이트(100)의 귀퉁이에 한정적으로 형성될 수 있다. 하지만, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니며, 정전부(300)의 위치 및 영역은 필요에 따라 조정될 수 있다. 정전부(300)는 미리 정해진 영역 구체적으로 세라믹 시트(220)가 부착되지 않은 서브스트레이트(110)의 상면에 플라즈마 서멀 스프레이(Plasma Thermal Spray)를 이용한 다공성 세라믹 코팅층(Porous Ceramic Coating)을 형성하여 구성된다. 이러한 정전부(300)는 서브스트레이트(100)의 상면 표면에 형성되는 하부절연층과, 하부절연층 상에 형성되는 전극층(311, 312) 및 전긍층(311, 312_을 덮도록 하부절연층 상에 형성되는 상부 유전체층으로 구성된다. 전극층(311, 312)은 양전극(311)과 음전극(312)로 구분되며, 각각 급전부(310)에 의해 서브스트레이트(100)에 형성된 급전라인(313)과 연결되고, 급전라인(313)에 의해 외부 전원과 연결되어 전기를 공급받게 된다. 이러한 전극층(311, 312)의 양전극(311)과 음전극(312)은 서로 교번하여 배치되며, 이를 통해 전력이 공급되는 경우 정전력을 발생시켜 공정재료를 흡착하여 고정하게 된다.
도 4는 본 발명에 따른 듀얼 척의 경계부를 설명하기 위한 예시도이다.
도 4를 참조하면, 듀얼 척의 경계부(400)는 사면부(410)와 회피부(420)로 구성된다. 이러한 듀얼 척의 경계부(400)는 진공부(200)를 구성하는 세라믹 시트(220)의 측면, 구체적으로 진공부(200)의 세라믹시트(220)와 정전부(300)의 세라믹 코팅층(320)이 맞접하는 부분에 형성된다. 경계부(400)는 진공부(200)와 정전부(300), 구체적으로 진공부(200)를 구성하는 세라믹시트(220)와 정전부(300)를 구성하는 세라믹코팅층(320)의 접합력을 향상시켜, 세라믹코팅층(320)과 세라믹시트(220) 사이에 틈이 발생하는 것을 방지하는 역할을 하게 된다.
한편, 도 4에 도시된 바와 같이 정전부(300)는 하부절연층(322)이 서브스트레이트(100) 상에 형성된 후, 하부절연층(322) 상에 전극층(311, 312)을 형성하고, 전극층(311, 312)을 덮도록 하부절연층(322) 상에 상부유전체층(321)을 형성하여 구성된다. 이러한 하부절연층(322) 및 상부유전체층(321)은 플라즈마 서멀 스프레이에 의해 세라믹 코팅층(320)을 형성하여 구성된다.
이 때문에 경계부(400)는 하부절연층(322)과 세라믹시트(220), 상부유전체층(321)과 세라믹시트(220)의 접합력을 향상시키기 위해 2곳에 형성된다. 즉, 하부절연층(322)의 표면(324)과 같은 높이의 세라믹시트(220) 측면과 상부유전체층(321)의 표면(323)과 같은 높이의 세라믹시트(220) 측면에 각각 형성된다. 이러한 경게부(400)는 사면부(410)와 회피부(420)를 포함하여 구성된다.
사면부(410)는 약 45도 정도의 경사를 이루는 면으로 형성되며, 회피부(420)는 상부유전체층(321) 또는 하부절연층(322)의 표면과 평행한 면으로 형성되어, 사면부(410)와 회피부(420)에 의해 계단형 구조의 다단 구조를 형성하게 된다. 이러한 사면부(410)와 회피부(420)는 세라믹 코팅층(320)의 형성시, 플라즈마 서멀 스프레이에 의해 분사되는 세라믹코팅 입자가 세라믹시트(220)의 측면에 잘 부착되도록 하며, 부착면을 증대시켜 세라믹 코팅층(320)과 세라믹시트(220)의 접합력을 향상시키고 코팅 실패에 의한 이상막질 생성을 억제하기 위한 역할을 한다. 이를 위해 경계부(410)는 사면부(410)와 회피부(420)가 각각 1회 이상 반복되어 하나 이상의 단턱부를 이루도록 세라믹시트(220)의 측면에 형성된다. 아울러, 회피부(420)는 0.5mm 내지 2mm 사이의 폭을 가지도록 형성된다.
아울러, 이와 같은 구조의 세라믹시트(220)와 세라믹코팅층(320)은 경계부(400)가 형성된 세라믹시트(220)를 서브스트레이트(100)에 먼저 접합하고, 세라믹코팅층(320)을 형성하여 이루어진다.
세라믹시트(220)가 접합된 서브스트레이트(100)의 빈 영역 즉, 세라믹시트(220)가 접합되지 않은 영역에 하부절연체(322)를 먼저 형성하고, 전극층(311, 312) 및 상부유전체층(321)을 순서대로 형성하여 정전부(200)가 형성된다.
구체적으로 하부절연체(322)의 형성을 위해 하부절연체(322)에 대응되는 경계부(400)의 사면부(410)의 면과 수직을 이루는 방향에서 플라즈마 서멀 스프레이에 의해 세라믹이 분사되어 세라믹코팅층(320)을 형성하고, 이를 통해 하부절연체(322)를 형성한다. 하부절연체(322)가 형성되면, 하부절연체(322) 상에 전극층(311, 312)을 형성하게 된다. 이후 하부절연체(322)의 표면과 수직 방향에서 플라즈마 서멀 스프레이에 의해 세라믹을 분사하여 코팅을 하게 되고 이를 통해 상부유전체층(321)을 형성함으로써 정전부(300)를 형성하게 된다. 이후 정전부(300)와 진공부(200)의 표면을 연마가공하여 척을 제조하게 된다. 이러한 사항은 이후의 도면을 참조하여 좀 더 상세히 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명에 따른 듀얼 척의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
본 발명에 따른 듀얼 척의 제조 방법은 서브스트레이트 준비단계(S100), 세라믹시트접합단계(S200), 하부절연층형성단계(S300), 전극형성단계(S400), 상부유전체층형성단계(S500) 및 표면연마단계(S600)를 포함하여 구성된다.
서브스트레이트준비단계(S100)는 듀얼 척의 프레임 역할을 하는 서브스트레이트를 준비하는 단계이다. 이 서브스트레이트준비단계(S100)에서 서브스트레이트에 에어패스(211) 및 관통홀(210)이 진공부(200) 영역에 형성되며, 급전라인(313)이 정전부(300) 영역에 형성된다.
세라믹시트접합단계(S200)는 준비된 서브스트레이트(100)에 세라믹시트(220)를 접합하는 단계이다. 이 세라믹시트접합단계(S200)는 정전부(300)의 위치를 배제한 형태로 경계부(400)를 형성한 세라믹시트(220)를 제조하고, 이를 서브스트레이트(100)에 접합하는 단계이다.
하부절연층형성단계(S300)는 세라믹시트(220)가 접합된 서브스트레이트(100)에 플라즈마 서멀 스프레이를 이용하여 세라믹 코팅층(320)을 형성하여 하부절연층(322)을 형성하는 단계이다. 이 하부절연층형성단계(S300)에서 스프레이의 세라믹 분사 방향은 경계부(400)를 구성하는 사면부(410)와 수직인 방향에서 분사가 이루어지게 된다. 이때, 하부절연층의 최대 두께는 회피부 폭의 1/2을 넘지 않도록 하여 형성되며, 이를 통해 서브스트레이트(100) 상에 하부절연층이 형성되게 된다. 이때, 하부절연층(322)의 형성높이는 하부절연층(322)에 대응되는 경계부(400)의 회피부(420) 면과 같은 높이가 되도록 형성된다.
전극형성단계(S400)는 세라믹 코팅에 의해 형성된 하부절연층(322) 상에 전극층(31, 312)을 형성하는 단계이다. 전극형성단계(S400)에서는 하부절연층(322) 상에 인쇄, 사진 식각 공정 등을 통해 전극(311, 312)을 형성하고, 이를 서브스트레이트(100)에 형성되는 급전라인(313)과 연결하게 된다. 이러한 전극형성단계(S400)에서 양전극(311)과 음전극(312)은 서로 교번되어 배치되도록 형성된다.
상부유전체층형성단계(S500)는 전극(311, 312)이 형성된 하부절연체(322) 상에 상부유전체층(321)을 형성하는 단계이다. 상부유전체층형성단계(S500)에서는 하부절연체(322) 형성단계(S300)에서와 달리 플라즈마 서멀 스프레이의 세라믹 분사 방향을 하부절연체(322)의 표면과 수직을 이루도록하여 세라믹을 분사하고, 이를 통해 세라믹 코팅층(320)을 형성하게 된다.
표면연마단계(S600)는 상부유전체층 형성단계(S500)에서 상부유전체층(321)이 형성된 후, 정전부(300)와 진공부(200)의 표면을 연마하는 단계이다. 표면연마단계(S600)에서는 경계부(400)에 틈이 발생하는 것을 방지하고, 정전부(300)와 진공부(200)의 표면 높이가 일정해지도록 표면을 연마하게 된다. 공정재료 중 필름의 경우 두께 0.1mm 미만의 얇은 두께와 낮은 굴곡저항을 가지게 된다. 때문에 경계부(400)에 틈이 발생하는 경우 필름의 휨 발생 또는 절단이 발생하여 필름의 손상 및 이상 기능 발생을 야기하게 되므로, 표면 연마단계(S600)에서 표면을 연마하여 경계부(400)의 틈을 제거하고, 듀얼 척 표면이 균일해지도록 하게 된다. 표면연마단계(S600)에서는 표면 연마를 위해 메탈-다이아몬드 휠을 적용하여 면삭함으로써 듀얼 척의 표면을 연마할 수 있다. 이러한 표면연마단계(S600)의 연마 방법은 연마 대상물과 수직을 이루는 방향으로 회전하며 연마 대상물과 수평 방향으로 연마 휠이 이동하여 척의 표면을 선삭하는 평면 연마 방법이 이용 될 수 있다. 이러한 표면연마단계(S600)에서는 진공부(200), 정전부(300)의 열팽창계수 차이로 인해 발생하는 평타도 불량을 방지할 수 있도록 일정한 온도가 유지되는 절삭유를 이용하고, 연마 작업장의 온도를 일정하게 유지하여 연마 작업이 진행되게 된다. 이러한 연마가 일차적으로 진행되면, 듀얼 척을 고정하지 않고 평면 연마를 재실시하여 척의 표면을 미세 다듬는 연마를 진행하게 된다. 이러한 표면연마단계(S600)에서는 흡착부 면 즉, 듀얼 척의 표면에 다공질 세라믹, 무공질 세라믹, 플라즈마 세라믹 코팅, 알루미늄 합금 등이 혼재하게 되며, 각 소재가 혼재된 흡착부면의 평탄도 확보를 위해 이종 소재간의 동시 연마가 진행된다. 이러한 표면 연마를 통해 듀얼 척의 표면이 평탄한 상태를 유지할 수 있게 되며, 이를 통해 흡착면에 발생하는 틈새를 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다.
이상에서 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위해 구체적인 실시 예로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기와 같이 구체적인 실시 예와 동일한 구성 및 작용에만 국한되지 않고, 여러가지 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 실시될 수 있다. 따라서, 그와 같은 변형도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주해야 하며, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의해 결정되어야 한다.
10 : 듀얼척 100 : 서브스트레이트
200 : 진공부 210 : 관통홀
211 : 에어패스 220 : 세라믹시트
300 : 정전부 310 : 급전부
311 : 양전극 312 : 음전극
313 : 급전라인 320 : 세라믹코팅
323 : 상부유전체층 표면 324 : 하부절연층 표면
400 : 경계부 410 : 사면부
420 : 회피부

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 서브스트레이트;
    상기 서브스트레이트 상면에 다공성 세라믹 시트를 접합하여 형성되는 진공부;
    상기 진공부와 이웃하여 상기 서브스트레이트 상면에 형성되는 세라믹 코팅층 및 상기 세라믹 코팅층 내에 형성되는 전극층을 가지는 정전부;를 포함하여 구성되고,
    상기 서브스트레이트는
    상기 세라믹 시트와 상기 서브스트레이트 상면 사이에 에어패스가 형성되고, 상기 에어패스는 상기 서브스트레이트를 관통하여 형성되는 관통홀과 연결되며,
    상기 전극층의 양전극 및 음전극 각각과 연결되는 급전라인을 포함하며,
    서로 이웃하는 상기 진공부와 상기 정전부 맞닿는 상기 세라믹시트의 측면에는 경계부가 형성되며,
    상기 경계부는
    상기 세라믹시트를 경사지게 가공하여 형성되는 사면부와;
    상기 사면부와 연결되고 상기 서브스트레이트 상면과 평행하게 형성되는 회피부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 듀얼척.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 정전부는
    상기 서브스트레이트 상면에 형성되는 하부절연층;
    상기 하부절연층 상에 형성되는 상기 전극층; 및
    상기 전극층을 덮도록 상기 하부절연층 상에 형성되며, 상기 세라믹시트의 높이와 같은 높이를 가지는 상부유전체층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 듀얼척.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 회피부는
    상기 하부절연층의 표면과 같은 높이 또는 상기 상부유전체층의 표면과 같은 높이의 상기 세라믹 시트 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 듀얼척.
  5. 삭제
  6. 하나의 서브스트레이트 상에 진공부와 정전부가 혼재하여 형성되는 듀얼척의 제조방법에 있어서,
    상기 정전부 형성위치에 급전라인을 형성하고, 상기 진공부 대응위치에 에어패스 및 관통홀을 형성하여 상기 서브스트레이트를 준비하는 단계;
    상기 서브스트레이트의 상기 진공부 대응위치에 다공성 세라믹 시트를 접합하는 단계;
    상기 진공부와 이웃하는 상기 정전부 형성위치에 하부절연층을 형성하는 단계;
    상기 하부절연층 상에 전극층을 형성하는 단계;
    상기 전극층을 덮도폭 상기 하부절연층 상에 상부유전체층을 형성하는 단계; 및
    상기 상부유전체층과 상기 세라믹시트의 표면을 연마하는 연마단계;를 포함하며,
    상기 세라믹 시트 접합단계는
    상기 세라믹 시트의 측면 중 상기 진공부와 이웃하는 상기 측면에 상기 서브스트레이트 상면과 평행하게 형성되는 회피부와 상기 회피부와 연결되고 경사지게 형성되는 사면부를 가지는 경계부를 형성하는 단계를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 듀얼척의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 회피부는
    상기 하부절연층의 표면과 같은 높이 또는 상기 상부유전체층의 표면과 같은 높이의 상기 세라믹 시트 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 듀얼척의 제조방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030044499A (ko) * 2001-11-30 2003-06-09 삼성전자주식회사 정전척 및 이의 제조방법
KR100480817B1 (ko) * 2002-03-20 2005-04-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 합착기의 제어 방법
JP2005109358A (ja) 2003-10-01 2005-04-21 Canon Inc 基板吸着装置、チャックおよび保持装置ならびにそれらを用いた露光装置
KR20120086230A (ko) * 2011-01-25 2012-08-02 주식회사 코미코 기판 흡착 지지대 및 이를 이용한 기판 흡착 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030044499A (ko) * 2001-11-30 2003-06-09 삼성전자주식회사 정전척 및 이의 제조방법
KR100480817B1 (ko) * 2002-03-20 2005-04-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 합착기의 제어 방법
JP2005109358A (ja) 2003-10-01 2005-04-21 Canon Inc 基板吸着装置、チャックおよび保持装置ならびにそれらを用いた露光装置
KR20120086230A (ko) * 2011-01-25 2012-08-02 주식회사 코미코 기판 흡착 지지대 및 이를 이용한 기판 흡착 방법

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