KR101338999B1 - Electrophoretic display device and method of fabricating thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명의 전기영동 표시소자는 제조공정이 단순화되고 합착력이 향상되며, 초슬림 베젤을 구비하기 위한 것으로, 화상표시영역 및 화상비표시영역로 이루어진 복수의 화소를 포함하는 제1기판 및 제2기판; 제1기판 위에 각 화소에 형성된 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터가 형성된 제1기판상에 보호층; 상기 보호층 위의 화상표시영역에 형성된 화소전극; 상기 보호층 위의 화상비표시영역 형성된 격벽; 상기 보호층 상부의 격벽 내부의 화상표시영역에 형성되어 상기 화소전극과 접촉하는 전기영동층; 상기 제1기판의 외곽을 따라 형성된 제1장벽; 상기 제1기판의 외곽을 따라 형성되고 상기 제1장벽의 양측에 상기 제1장벽과 일정 거리 이격되도록 배치되어 상기 제1장벽과의 사이에 공간을 형성하는 적어도 하나의 제2장벽 및 제3장벽; 상기 제1장벽의 상면 및 공간에 도포되어 제1기판 및 제2기판을 실링하는 실링재; 및 제2기판 위에 형성된 공통전극으로 구성된다.The electrophoretic display device of the present invention simplifies the manufacturing process, improves the bonding force, and has an ultra-slim bezel, and includes a first substrate and a second substrate including a plurality of pixels including an image display area and an image non-display area. ; A thin film transistor formed on each pixel on the first substrate; A protective layer on the first substrate on which the thin film transistor is formed; A pixel electrode formed in the image display area on the protective layer; Barrier ribs formed on the non-display area on the passivation layer; An electrophoretic layer formed in the image display area inside the barrier rib above the protective layer and in contact with the pixel electrode; A first barrier formed along the periphery of the first substrate; At least one second barrier and a third barrier, which are formed along the outer periphery of the first substrate and are disposed at both sides of the first barrier to be spaced apart from the first barrier by a predetermined distance to form a space between the first barrier and the first barrier ; A sealing material applied to the upper surface and the space of the first barrier to seal the first substrate and the second substrate; And a common electrode formed on the second substrate.
Description
본 발명은 전기영동 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electrophoretic display device and a method of manufacturing the same.
일반적으로 전기영동 표시소자는 전압이 인가되는 한쌍의 전극을 콜로이드용액에 담그면 콜로이드 입자가 어느 한쪽의 극성으로 이동하는 현상을 이용한 화상표시장치로서, 백라이트를 사용하지 않으면서 넓은 시야각, 높은 반사율, 저소비전력 등의 특성을 갖기 때문에, 전기종이(electric paper) 등의 전자기기로서 각광받고 있다.In general, an electrophoretic display device is an image display device using a phenomenon in which a pair of electrodes to which a voltage is applied is immersed in a colloid solution to move the colloid particles to either one of polarities. The electrophoretic display device has a wide viewing angle, a high reflectance, Power and the like, all kinds of electronic devices are attracting attention as electronic devices such as electric paper.
이러한 전기영동 표시소자는 2개의 기판 사이에 전기영동층이 개재된 구조를 가지며, 2개의 기판중 하나는 투명한 기판으로 이루어지고 다른 하나는 구동소자가 형성된 어레이기판으로 구성됨으로써 입력되는 광을 반사하는 반사형 모드로 화상을 표시할 수 있다. The electrophoretic display device has a structure in which an electrophoretic layer is interposed between two substrates, one of the two substrates is made of a transparent substrate and the other is made up of an array substrate on which a driving device is formed, An image can be displayed in the reflective mode.
도 1은 종래 전기영동 표시소자(1)의 구조를 나타내는 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 전기영동 표시소자(1)는 제1기판(20) 및 제2기판(40)과, 상기 제1기판(20)에 형성된 박막트랜지스터 및 화소전극(18)과, 상기 제2기판(40)에 형성된 공통전극(42)과, 상기 제1기판(20) 및 제2기판(40) 사이에 형성된 전기영동층(60)과, 상기 전기영동층(60)과 화소전극(18) 사이에 형성된 접착층(56)으로 이루어진다.1 is a view showing a structure of a conventional electrophoretic display element 1. Fig. 1, the electrophoretic display element 1 includes a
박막트랜지스터는 상기 제1기판(2)에 형성된 게이트전극(11)과, 상기 게이트전극(11)이 형성된 제1기판(20) 전체에 걸쳐 형성된 게이트절연층(22)과, 상기 게이트절연층(22) 위에 형성된 반도체층(13)과, 상기 반도체층(13) 위에 형성된 소스전극(15) 및 드레인전극(16)으로 이루어진다. 상기 박막트랜지스터의 소스전극(15) 및 드레인전극(16) 위에는 보호층(24)이 형성된다.The thin film transistor includes a
상기 보호층(24) 위에는 상기 전기영동층(60)에 신호를 인가하는 화소전극(18)이 형성된다. 이때, 상기 보호층(24)에는 컨택홀(28)이 형성되어 보호층(24) 상부의 화소전극(18)이 상기 컨택홀을 통해 박막트랜지스터의 드레인전극(16)에 접속된다.On the
또한, 제2기판(40)에는 공통전극(42)이 형성되며, 상기 공통전극(42) 위에 전기영동층(60)이 형성되어 있다. 이때, 상기 전기영동층(60) 위에 접착층(56)이 형성되어 전기영동층(60)을 포함하는 제2기판(40)을 제1기판(20)과 합착한다. 상기 전기영동층(60)은 내부에 전기영동 특성을 갖는 화이트입자(74)와 블랙입자(76)가 채워진 캡슐(70)을 포함한다. 상기 화소전극(18)에 신호가 인가되면, 상기 공통전극(42)과 화소전극(18) 사이에 전계가 발생하며, 상기 전계에 의해 캡슐(70) 내부의 화이트입자(74)와 블랙입자(76)가 이동함으로써 화상을 구현하는 것이다.A common electrode 42 is formed on the
예를 들어, 화소전극(18)에 (-)전압이 인가되면, 제2기판(40)의 공통전극(42)은 상대적으로 (+)전위를 가지게 되어, (+)전하를 띄는 화이트입자(74)는 제1기판(20)쪽으로 이동하고, (-)전하를 띄는 블랙입자(76)는 제2기판(40)쪽으로 이동하게 된다. 이 상태에서 외부, 즉 제2기판(40)의 상부로부터 광이 입력되면, 입력된 광이 상기 블랙입자(76)에 의해 반사되므로, 전기영동 표시소자에는 블랙이 구현된다.For example, when a negative (-) voltage is applied to the
반대로, 상기 화소전극(18)에 (+)전압이 인가되면, 제2기판(40)의 공통전극(42)은 (-)전위를 가지게 되어, (+)전하를 띄는 화이트입자(74)는 제2기판(40)으로 이동하고, (-)전하를 띄는 블랙입자(76)는 제1기판(20)으로 이동하게 된다. 이 상태에서 외부, 즉 제2기판(40)의 상부로부터 광이 입력되면, 입력된 광이 상기 화이트입자(74)에 의해 반사되므로, 전기영동 표시소자에는 화이트가 구현되는 것이다.On the other hand, when a positive voltage is applied to the
그러나, 상기와 같은 구조의 종래 전기영동 표시소자(1)에서는 다음과 같은 문제가 발생한다.However, in the conventional electrophoretic display element 1 having the above-described structure, the following problems arise.
종래 전기영동 표시소자(1)에서는 제1기판(20) 및 제2기판(40)을 별도로 제작한 후, 접착층(56)에 의해 상기 제1기판(20) 및 제2기판(40)을 합착함으로써 완성된다. 즉, 제1기판(20) 상에 단위 화소를 구동시키는 박막트랜지스터와 전기영동층(60)에 전계를 인가하는 화소전극(18)을 형성하고 별도의 공정에서 제2기판(40) 상에 공통전극(42), 전기영동층(60) 및 접착층(56)을 형성한 후, 상기 제1기판(20) 및 제2기판(40)을 합착함으로써 형성된다.In the conventional electrophoretic display device 1, the
그러나, 통상 전기영동표시소자의 단위 화소는 가로 및 세로의 크기가 150마이크로미터 이내의 작은 크기로 형성되기 때문에, 이 크기에 정확히 맞도록 전기영동층을 정렬시키는 것은 매우 어렵게 된다. 전기영동층과 박막트랜지스터가 형성되어 있는 제1기판이 정확히 정렬되지 못하면 전계가 전기영동입자에 정확히 전달되지 못해 구동에러의 원인이 된다.However, since the unit pixel of the electrophoretic display element is formed to have a small size such as a width and a length of less than 150 micrometers, it becomes very difficult to align the electrophoresis layer exactly to this size. If the first substrate on which the electrophoretic layer and the thin film transistor are formed is not aligned correctly, the electric field can not be accurately transferred to the electrophoretic particles, which causes a driving error.
또한, 상기 제1기판(20) 및 제2기판(40)은 각각 다른 공정상에서 제작된 후, 이송수단에 의해 이송되어 합착공정에서 서로 합착해야 되므로, 인라인으로 제조공정을 형성할 수가 없었다.In addition, since the
한편, 제2기판(40)상에는 공통전극(42)을 형성하고 전기영동층(60)을 도포한 후 접착층(56)을 도포한다. 상기 제2기판(40)을 합착공정으로 이송하여 제1기판(20)과 합착하기 위해서는 상기 접착층(56)의 접착력이 저하되거나 접착층(56)에 이물질이 부착되는 것을 방지하기 위해, 상기 접착층(56)에 보호필름을 부착한 상태에서 이송해야만 한다. 이송된 제2기판(40)을 제1기판(20)에 부착하기 위해서는 제2기판(40)으로부터 보호필름을 박리해야만 하는데, 보호필름의 박리과정에서 정전기가 발생하게 되며, 이 발생된 정전기는 전기영동입자의 초기 배열에 오정렬을 유발시키게 되어 전기영동표시소자의 동작시 빗살무늬모양의 모아레가 발생하는 원인이 되었다.On the other hand, the common electrode 42 is formed on the
이와 같이, 종래 전기영동 표시소자에서는 상기 제1기판(20) 및 제2기판(40)은 각각 다른 공정에서 제작되기 때문에, 전기영동층의 접착시 제1기판(20)과 제2기판(40) 사이에 오정렬이 발생하거나 공정이 복잡해지고, 접착층의 박리시 정전기가 발생하여 화질이 불량으로 된다는 문제 등이 있었다.As described above, in the conventional electrophoretic display device, since the
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 전기영동층을 박막트랜지스터가 형성되는 기판에 직접 형성함으로써 전기영동층과 제1기판 사이의 오정렬을 방지하며, 제조비용을 절감하고 제조공정을 단순화할 수 있는 전기영동 표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a thin film transistor, in which an electrophoretic layer is formed directly on a substrate on which a thin film transistor is formed to prevent misalignment between the electrophoretic layer and the first substrate, And a method for producing the same.
본 발명의 다른 목적은 제1기판이 외곽영역에 적어도 3중의 장벽을 형성함으로써 제1기판 및 제2기판의 합착력을 향상시키고 베젤의 면적을 최소화할 수 있는 전기영동 표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an electrophoretic display device and a method of manufacturing the same, by which the first substrate forms at least a triple barrier in the outer region to improve the bonding strength of the first substrate and the second substrate and minimize the area of the bezel. To provide.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 전기영동 표시소자는 화상표시영역 및 화상비표시영역로 이루어진 복수의 화소를 포함하는 제1기판 및 제2기판; 제1기판 위에 각 화소에 형성된 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터가 형성된 제1기판상에 보호층; 상기 보호층 위의 화상표시영역에 형성된 화소전극; 상기 보호층 위의 화상비표시영역 형성된 격벽; 상기 보호층 상부의 격벽 내부의 화상표시영역에 형성되어 상기 화소전극과 접촉하는 전기영동층; 상기 제1기판의 외곽을 따라 형성된 제1장벽; 상기 제1기판의 외곽을 따라 형성되고 상기 제1장벽의 양측에 상기 제1장벽과 일정 거리 이격되도록 배치되어 상기 제1장벽과의 사이에 공간을 형성하는 적어도 하나의 제2장벽 및 제3장벽; 상기 제1장벽의 상면 및 공간에 도포되어 제1기판 및 제2기판을 실링하는 실링재; 및 제2기판 위에 형성된 공통전극으로 구성된다.In order to achieve the above object, the electrophoretic display device according to the present invention includes a first substrate and a second substrate comprising a plurality of pixels consisting of an image display area and an image non-display area; A thin film transistor formed on each pixel on the first substrate; A protective layer on the first substrate on which the thin film transistor is formed; A pixel electrode formed in the image display area on the protective layer; Barrier ribs formed on the non-display area on the passivation layer; An electrophoretic layer formed in the image display area inside the barrier rib above the protective layer and in contact with the pixel electrode; A first barrier formed along the periphery of the first substrate; At least one second barrier and a third barrier, which are formed along the outer periphery of the first substrate and are disposed at both sides of the first barrier to be spaced apart from the first barrier by a predetermined distance to form a space between the first barrier and the first barrier ; A sealing material applied to the upper surface and the space of the first barrier to seal the first substrate and the second substrate; And a common electrode formed on the second substrate.
상기 전기영동층은 화이트입자, 블랙입자, 컬러입자중 적어도 하나의 입자와 분산매질로 이루어진다. 상기 제1-3장벽은 격벽과 동일한 물질로 이루어진다.The electrophoretic layer is composed of at least one particle and a dispersion medium of white particles, black particles, and color particles. The 1-3 barrier is made of the same material as the partition wall.
상기 제1장벽의 상면에는 적어도 하나의 홈이 형성되어 상기 홈 내에 실링재가 채워져, 제1장벽 상면의 표면적을 향상시키고 홈 내부와 외부와의 압력차에 의해 제1기판과 제2기판의 합착력을 향상시킨다.At least one groove is formed on the upper surface of the first barrier to fill the sealing material in the groove, thereby improving the surface area of the upper surface of the first barrier and bonding force between the first substrate and the second substrate by the pressure difference between the inside and the outside of the groove. To improve.
또한, 본 발명에 따른 전기영동 표시소자 제조방법은 화상표시영역 및 화상비표시영역을 포함하는 제1기판 및 제2기판을 제공하는 단계; 제1기판상의 화상표시영역에 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 박막트랜지스터가 형성된 제1기판에 보호층을 형성하는 단계; 상기 보호층 위의 화상표시영역에 화소전극을 형성하는 단계; 상기 보호층의 화상비표시영역에 복수의 화소를 정의하는 격벽을 형성하는 단계; 상기 제1기판의 외곽영역에 제1격벽을 형성하는 단계; 상기 제1기판의 외곽영역의 제1격벽 양측에 적어도 하나의 제2장벽 및 제3장벽을 형성하는 단계; 상기 격벽 내부의 화소에 전기영동물질을 충진하는 단계; 상기 제2기판에 공통전극을 형성하는 단계; 상기 제1장벽 상부에서 실링재를 적하하여 제1장벽의 상부 및 제1장벽과 제2장벽 및 제3장벽 사이의 공가에 실링재를 도포하는 단계; 및 제1기판을 제2기판을 합착하는 단계로 구성된다.In addition, the electrophoretic display device manufacturing method according to the present invention comprises the steps of providing a first substrate and a second substrate comprising an image display area and an image non-display area; Forming a thin film transistor in an image display area on the first substrate; Forming a protective layer on the first substrate on which the thin film transistor is formed; Forming a pixel electrode in the image display area on the protective layer; Forming a partition wall defining a plurality of pixels in an image non-display area of the protective layer; Forming a first partition on an outer region of the first substrate; Forming at least one second barrier wall and a third barrier wall on both sides of the first partition wall of the outer region of the first substrate; Filling an electrophoretic material into the pixel inside the partition wall; Forming a common electrode on the second substrate; Dropping a sealing material over the first barrier to apply a sealing material to the upper portion of the first barrier and the cavity between the first barrier and the second barrier and the third barrier; And bonding the first substrate to the second substrate.
본 발명에서는 전기영동층이 박막트랜지스터가 형성되는 기판에 직접 도포되어 형성되므로, 별도의 기판에 전기영동층이 형성되던 종래에 비해 전기영동층을 합착하기 위한 접착층이나 접착층을 보호하기 위한 보호필름이 필요없게 되어 제조비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라 기존의 박막트랜지스터 제조라인상에서 전기영동층을 인라인으로 형성할 수 있기 때문에 제조공정을 단순화할 수 있게 된다. 또한, 전기영동층이 어레이기판상에 직접 형성되기 때문에, 전기영동층과 어레이기판을 정렬시키는 정렬과정에서 오정렬이 발생하지 않게 된다.In the present invention, since the electrophoretic layer is directly applied to the substrate on which the thin film transistor is formed, a protective film for protecting the adhesive layer or the adhesive layer for bonding the electrophoretic layer compared to the conventional electrophoretic layer formed on a separate substrate is In addition to reducing manufacturing costs, the electrophoretic layer can be formed in-line on an existing thin film transistor manufacturing line, thereby simplifying the manufacturing process. In addition, since the electrophoretic layer is directly formed on the array substrate, misalignment does not occur in the alignment process of aligning the electrophoretic layer and the array substrate.
또한, 본 발명에서는 전기영동 표시패널의 합착시 제1기판과 제2기판의 합착력을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, in the present invention, the bonding force between the first substrate and the second substrate may be improved when the electrophoretic display panel is bonded.
그리고, 본 발명에서는 전기영동 표시패널의 합착시 실링영역의 폭을 최소화하여 전기영동 표시소자의 베젤을 슬림하게 할 수 있을 뿐만 아니라 실링의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, in the present invention, the bezel of the electrophoretic display device may be slimmed by minimizing the width of the sealing area when the electrophoretic display panel is bonded, and the sealing reliability may be improved.
도 1은 종래 전기영동 표시소자를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명에 따른 전기영동 표시소자를 나타내는 도면.
도 3은 본 발명에 따른 전기영동 표시소자의 화소구조를 나타내는 도면.
도 4a-4g는 본 발명에 따른 전기영동 표시소자의 제조방법을 나타내는 도면.
도 5a 및 도 5b는 각각 본 발명에 따른 전기영동 표시소자의 전기영동층을 형성하는 방법을 나타내는 도면.1 is a view showing a conventional electrophoretic display device.
2 is a view showing an electrophoretic display device according to the present invention.
3 illustrates a pixel structure of an electrophoretic display device according to the present invention.
4A-4G illustrate a method of manufacturing an electrophoretic display device according to the present invention.
5A and 5B are views showing a method of forming an electrophoretic layer of an electrophoretic display device according to the present invention, respectively.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 전기영동 표시소자에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, an electrophoretic display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명에서는 전기영동층을 박막트랜지스터가 형성되는 제1기판에 형성한다. 즉, 본 발명에서는 박막트랜지스터 제조공정에서 전기영동층을 형성한다. 따라서, 박막트랜지스터의 제조장비를 이용하여 전기영동층을 형성할 수 있기 때문에, 다른 공정에서 기판상에 전기영동층을 형성한 후 제2기판을 제1기판과 합착함으로써 전기영동 표시소자를 완성하는 종래의 방법에 비해 제조공정을 대폭 간소화할 수 있게 된다.In the present invention, the electrophoretic layer is formed on the first substrate on which the thin film transistor is formed. That is, in the present invention, an electrophoretic layer is formed in a thin film transistor manufacturing process. Therefore, since the electrophoretic layer can be formed using the manufacturing equipment of the thin film transistor, the electrophoretic display device is completed by bonding the second substrate to the first substrate after forming the electrophoretic layer on the substrate in another process. Compared with the conventional method, the manufacturing process can be greatly simplified.
통상적으로 제2기판에 전기영동층을 형성하는 종래의 전기영동 표시소자 제조공정에서는 전기영동층을 다른 공장, 심지어는 다른 부품회사로부터 공급받아 이를 박막트랜지스터가 형성되는 제조공장으로 이송한 후, 제1기판과 합착해야만 하기 때문에 제조공정이 지연되고 번거로울 뿐만 아니라 차량과 같은 이송수단에 의해 제2기판을 이송하는 과정에서 제2기판이 파손되는 문제도 있었다.In a conventional electrophoretic display device manufacturing process of forming an electrophoretic layer on a second substrate, the electrophoretic layer is supplied from another factory or even another part supplier and transferred to a manufacturing factory where the thin film transistor is formed, There is a problem that the manufacturing process is delayed and troublesome, and the second substrate is damaged in the process of transferring the second substrate by the transfer means such as a vehicle.
반면에, 본 발명에서는 이미 존재하는 박막트랜지스터 제조장비를 이용하여 전기영동층을 제1기판상에 형성하므로, 신속한 전기영동 표시소자의 제작이 가능하게 된다.On the other hand, in the present invention, since the electrophoretic layer is formed on the first substrate using the existing thin film transistor manufacturing equipment, a rapid electrophoretic display device can be manufactured.
또한, 본 발명에서는 전기영동 표시소자의 외곽영역에 3중의 실링용 격벽을 형성하여 전기영동 표시패널의 합착시 실링영역의 폭을 최소화하여 전기영동 표시소자의 베젤을 슬림하게 할 수 있을 뿐만 아니라 실링의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, in the present invention, triple sealing walls are formed in the outer region of the electrophoretic display device to minimize the width of the sealing area when the electrophoretic display panel is bonded, thereby reducing the bezel of the electrophoretic display device as well as sealing. It is possible to improve the reliability of.
도 2는 본 발명에 따른 전기영동 표시소자의 구조를 대략적으로 나타내는 도면이다.2 is a view schematically showing the structure of an electrophoretic display device according to the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전기영동 표시소자(101)는 제1기판(120) 및 제2기판(140)과, 상기 기판(120) 및 제2기판(140) 사이에 형성되어 화소를 구획하는 복수의 격벽(180)과, 상기 격벽(180) 내부의 화상표시영역에 형성된 전기영동층(160)과, 상기 전기영동 표시소자 외곽에 형성되어 제1기판(120) 및 제2기판(140)을 합착하고 실링하는 실링용 장벽(190a,190b,190c)과, 상기 제1기판(120) 및 제2기판(140)에 형성되어 전기영동층(160)에 전계를 인가하는 화소전극(118) 및 공통전극(142)으로 이루어진다.
성기 전기영동 표시소자(101)는 단위화소가 매트릭스 형태로 배열되어 있는 화상표시영역과 상기 화상표시영역을 둘러싸는화상비표시영역으로 구획된다. 상기 격벽(180)은 화상표시영역에 형성되며 특히 단위화소 사이에 형성되어 화소를 정의한다. 즉, 화소와 화소 사이에 격벽(180)이 형성된다. 상기 격벽(180)은 일정한 높이를 가지는데, 상기 격벽(180)에 의해 단위화소는 일정한 부피의 공간을 구비한다. 상기 공간에 전기영동층(160)이 형성된다.
상기 전기영동층(160)은 공통전극(142)과 화소전극(118)에 의해 형성되는 전계에 의해 상하이동가능한 전기영동물질과 상기 전기영동물질이 부유할 수 있도록 용매역할을 하는 분산매질을 포함한다.As shown in FIG. 2, the
The genital
The
상기 전기영동입자는 양전하 및 음전하 특성을 갖는 화이트입자(164) 및 블랙입자(165)로 이루어질 수 있다. 또한, 컬러색상을 표현하기 위해 상기 전기영동입자는 컬러입자를 더 포함할 수 있다. 상기 컬러입자는 적, 녹, 청색 입자 또는 시안, 마젠타, 옐로우 입자일 수 있다. The electrophoretic particles may be composed of
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격벽(180)은 화소와 화소 사이에 형성되어 전기영동 표시소자(101)의 화소를 구획함과 아울러 내부에 전기영동물질이 충진되어 전기영동층(160)을 형성한다. 즉, 종래의 전기영동 표시소자에서는 전기영동층이 제1기판과는 별도의 공정에 의해 제2기판에 부착된 후, 상기 제2기판을 다시 제1기판과 부착하기 때문에, 제2기판에 부착되는 접착필름을 보호하기 위한 보호필름 등이 필요하게 되며, 공정이 복잡하게 되고 접착필름의 박리시 정전기가 발생하여 화질이 불량으로 된다는 문제 등이 있었지만, 본 발명에서는 전기영동물질이 격벽 내부에 직접 형성되므로 이런 문제가 발생하지 않게 된다.The
전기영동 표시소자(101)의 외곽영역에는 3개의 실링용 장벽(190a,190b,190c)이 전기영동 표시소자(101)의 외곽 둘레를 따라 형성된다. 이때, 상기 장벽(190a,190b,190c)은 전기영동 표시소자(101)의 최외곽 영역에 형성되는 격벽(180)과는 일정 거리 이격되어 형성된다.Three sealing
상기 장벽(190a,190b,190c)중 중앙에 형성되는 제1장벽(190a)의 상면에는 실링재가 도포되어 있고, 제1장벽(190a) 및 그 양측의 제2장벽(190b)과 제3장벽(190c) 사이의 공간(193)에는 실링재(194)가 채워진다.A sealing material is coated on an upper surface of the
상기와 같이 본 발명에서 장벽(190a,190b,190c)을 형성하는 이유를 설명하면 다음과 같다.
통상, 제1기판(120) 및 제2기판(140)은 각각 그 제조공정이 종료된 후 서로 합착한다., 합착을 위해 화소에 충진된 전기영동층(160)과 격벽(180)의 상면에 실런트(186)를 도포(apply)한다. 실런트(186)가 전기영동층(160)과 격벽(180)의 상면에 도포되고 이 실런트(186)에 의해 제2기판(140)이 제1기판(120)에 합착된다.
그런데, 상기 실런트(186)가 전기영동층(160)에 직접 접촉하는 경우, 전기영동층(160) 내의 전기영동입자가 실런트에 붙어 구동하지 않는 불량이 발생한다. 이는 실런트(186)와 전기영동층(160)이 서로 다른 물리적 성질을 가지는 물질로 구성되어 있어, 하전된 전기영동입자가 실런트에 전기적으로 달라 붙기 때문으로 파악된다.
또한, 투습이나, 외부로부터 화소표시영역으로 이물이 침투하는 것을 방지하기 위해 화소비표시영역에 실런트를 디스펜싱하는 경우, 제 1 기판과 제 2 기판이 합착될 때 합착되는 압력에 의해 겔 상태의 실런트가 화면비표시영역의 외곽으로 흘러넘치게 된다.
그 결과, 실런트(186)에 달라붙은 전기영동입자는 구동하지 못하게 되고, 화상비표시영역의 외곽으로 흘러넘치는 실런트에 의해 오염이 발생하게 되어 디자인 불량 및 품질저하의 원인이 된다. 특히, 화상비표시영역의 외곽으로 흘러넘치는 실런트를 가리기 위해 전기영동표시소자는 더 넓은 베젤을 구비해야만 한다.The reason for forming the
In general, the
However, when the
In addition, in the case of dispensing the sealant in the pixel non-display area to prevent moisture permeation or penetration of foreign matters into the pixel display area from the outside, the gel state may be formed by the pressure that is bonded when the first and second substrates are bonded together. The sealant will overflow to the outside of the non-display area.
As a result, the electrophoretic particles adhering to the
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그러나, 본 발명에서는 화상비표시영역에 화상표시영역을 둘러싸는 복수의 장벽(190a,190b,190c)을 형성하고 이 장벽(190a,190b,190c) 중 제1장벽(190a)의 상면과 이들 장벽(190a,190b,190c) 사이에 형성되는 공간(193)에 실링재(194)가 충진하고 이 실런트(194)에 의해 실링하므로, 실런트가 화상비표시영역의 외곽으로 흘러넘치는 것을 방지함과 더불어 화상표시영역의 화소에 충진되는 전기영동입자의 구동력을 향상시켜 전기영동표시소자의 품질을 향상시킨다. However, in the present invention, a plurality of
이러한 구조의 전기영동 표시소자(101)에서는 3개의 장벽(190a,190b,190c) 중 중앙의 제1장벽(190a)은 상면에 도포된 실링재에 의해 제2기판(140)에 부착되어 제1기판(120) 및 제2기판(140)을 합착하고 제1장벽(190a) 양측의 제2장벽(190b) 및 제3장벽(190c)은 실링재(194)가 설정된 영역 이외로 흘러가는 것을 차단하여 실링재(194)의 폭을 최소화하기 위한 것이다.In the
상기 제1장벽(190a)의 상면에는 홈(192)이 형성되어 있다. 이 홈(192)은 제1장벽(190a)의 상면의 면적을 증가시키는데, 그 내부에 실링재(194)가 채워지기 때문에, 결국 실링재(194)와 접촉하는 표면적을 증가시키기 되어 제1장벽(190a)과 제2기판(140)의 접착력을 향상시킬 수 있게 된다. 또한, 제1장벽(190a)이 제2기판(140)에 부착될 때 홈(192) 제2기판(140)에 압력이 인가되므로, 상기 홈(192) 내부 공간의 압력이 외부의 압력보다 낮아지게 되어 압력차에 의해 제1장벽(190a)과 제2기판(140)의 접착력을 더욱 향상시킬 수 있게 된다.
도면에서는 상기 홈(192)이 하나만 형성되어 있지만, 상기 홈(192)은 제1장벽(190a)의 상면에 복수개 형성될 수도 있을 것이다.Although only one
도 3a은 상기와 같은 구조의 전기영동 표시소자(101)의 한 화소의 구조를 나타내는 도면이다. 이때, 전기영동 표시소자(101)의 화소는 전기영동 표시소자(101)의 최외곽영역의 화소로서, 인접하는 장벽(190a,190b,190c)도 개시되어 있다.3A is a diagram showing the structure of one pixel of the
도 3a에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전기영동 표시소자는 투명한 유리나 플라스틱으로 이루어지고 화상표시영역 및 화상비표시영역을 포함하는 제1기판(120) 및 제2기판(140)과, 상기 제1기판(120)에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터가 형성된 제1기판(120)에 형성된 보호층(124)과, 상기 보호층(124) 위의 화상표시영역에 형성되어 외부로부터 화상신호가 입력되는 화소전극(118)과, 상기 보호층(124) 위의 화상비표시영역에 형성되어 복수의 화소를 정의하는 격벽(180)과, 상기 보호층(124) 위의 제1기판(120) 외곽에 형성되는 복수의 장벽(190a,190b,190c)과, 상기 격벽(180) 내부에 형성된 전기영동층(160)과, 제2기판(140)에 형성된 공통전극(142)과, 상기 제1장벽(190a)의 상면과 장벽(190a,190b,190c) 사이의 공간(193)에 충진되어 제1기판(120)과 제2기판(140)을 합착함과 동시에 실링하는 실링재(194)로 이루어진다.As shown in FIG. 3A, the electrophoretic display device according to the present invention includes a
박막트랜지스터는 제1기판(120) 위에 형성된 게이트전극(111)과, 상기 게이트전극(111) 위에 형성된 게이트절연층(122)과, 상기 게이트절연층(122) 위에 형성된 비정질실리콘(a-Si)과 같은 반도체물질로 이루어진 반도체층(113)과, 상기 반도체층(113) 위에 형성된 소스전극(115) 및 드레인전극(116)으로 이루어진다.The thin film transistor includes a
상기 보호층(124)은 BCB(Benzo Cyclo Butene)이나 포토아크릴(photo acryl)과 같은 유기절연물질로 이루어지며, 이때 박막트랜지스터의 드레인전극(116) 상부의 보호층(124)에는 컨택홀(117)이 형성되어 보호층(124) 위에 형성된 화소전극(118)이 상기 컨택홀(117)을 통해 박막트랜지스터의 드레인전극(116)과 전기적으로 접속된다.The
격벽(180)은 포토아크릴과 같은 감광성 유기절연물질 또는 수지 등으로 이루어질 수 있다.The
전기영동층(160)은 양전하 특성을 갖는 화이트입자(164) 및 음전하특성을 갖는 블랙입자(165)로 이루어진다. 도면에는 도시하지 않았지만 상기 전기영동층(160)에는 시안(cyan), 마젠타(Magenta), 옐로우(yellow)와 같은 컬러입자 또는 R(Red), G(Green), B(Blue)와 같은 컬러입자가 포함될 수도 있다.The
상기 화이트입자(164)는 화이트를 구현한다. 즉, 화소전극(118)과 공통전극(142) 사이에 전압이 인가되어 전하특성을 갖는 화이트입자(164)가 제2기판(140) 측으로 이동하는 경우, 제2기판(140)의 외부로부터 입사된 광이 상기 화이트입자(164)에 의해 반사되어 전기영동 표시소자의 화면에는 화이트가 표현된다.The
블랙입자(165)는 블랙을 구현한다. 즉, 화소전극(118)과 공통전극(142) 사이에 전압이 인가되어 전하특성을 갖는 블랙입자(165)가 제2기판(140) 측으로 이동하는 경우, 제2기판(140)의 외부로부터 입사된 광이 상기 블랙입자(165)에 의해 흡수되어 전기영동 표시소자의 화면에는 블랙이 표현된다.The
또한, 전기영동층(160)에 컬러입자가 포함되는 경우, 상기 컬러입자는 시안(cyan), 마젠타(Magenta), 옐로우(yellow)와 같은 컬러입자 또는 R(Red), G(Green), B(Blue)와 같은 컬러입자는 컬러를 구현한다. 즉, 화소전극(118)과 공통전극(142) 사이에 전압이 인가되어 전하특성을 갖는 컬러입자가 제2기판(140) 측으로 이동하는 경우, 제2기판(140)의 외부로부터 입사된 광이 상기 컬러입자(165)에 의해 반사되어 전기영동 표시소자의 화면에는 해당 화소에 대응하는 컬러가 구현되고 이들 컬러의 조합에 의해 원하는 컬러를 구현할 수 있게 된다.In addition, when the
상기 전기영동물질은 액상폴리머와 같은 분산매질을 포함한다. 상기 분산매질은 내부에 화이트입자(164) 및 블랙입자(165)가 분산되어 전압의 인가에 따라 화이트입자(164) 및 블랙입자(165)가 상기 분산매질내에서 이동하게 된다. 상기 분산매질을 공기를 포함할 수 있다. 즉, 액상폴리머와 같은 특정 액상 분산매질 대신에 공기가 화이트입자(164) 및 블랙입자(165)를 이동시키는 매질로서 작용할 수도 있는 것이다. 또한, 전기영동층(160)에는 분산매질이 포함되지 않을 수도 있다. 이 경우에도 전압이 인가됨에 따라 화이트입자(164) 및 블랙입자(165)가 전계에 의해 이동하므로, 화상을 구현할 수 있게 된다.The electrophoretic material includes a dispersion medium such as a liquid polymer. In the dispersion medium, the
한편, 분산매질로서 액상 폴리머를 사용하는 경우, 상기 액상 폴리머는 투명한 액상 폴리머를 사용하지만, 화소의 컬러에 대응하는 컬러를 갖는 컬러 액상폴리머를 사용할 수 있다. 예를 들어, 자홍색을 띄는 시안 컬러입자가 포함되는 화소에는 자홍색의 액상폴리머가 충진되고 청록색을 띄는 마젠타 컬러입자가 포함되는 화소에는 청록색의 액상폴리머가 충진되며, 노란색을 띄는 옐로우 컬러입자가 포함되는 컬러에는 노란색의 액상폴리머가 충진된다.On the other hand, when a liquid polymer is used as the dispersion medium, the liquid polymer uses a transparent liquid polymer, but a color liquid polymer having a color corresponding to the color of the pixel may be used. For example, a pixel containing magenta colored cyan particles is filled with a magenta liquid polymer, and a pixel containing cyan magenta colored particles is filled with a cyan liquid polymer, and a yellow colored yellow particle is included. The color is filled with a yellow liquid polymer.
상기 장벽(190a,190b,190c)은 유기절연물질 등으로 이루어진 것으로, 격벽(182)과 동일한 물질로 동일한 공정에 의해 형성될 수도 있고 다른 공정에 의해 다른 물질로 형성될 수도 있다. 상기 장벽이 격벽과 동일한 감광성 유기물질로 구성되는 경우, 상기 격벽을 형성하는 단계에서 하나의 마스크 공정으로 동시에 형성할 수 있어 공정을 단축할 수 있다. The
이때, 상기 장벽(182)의 높이는 약 10㎛ 이상, 특히 약 10-50㎛로 형성하고 선폭은 약 10-5000㎛, 특히 약 100-1000㎛로 형성한다.At this time, the height of the barrier 182 is formed to about 10㎛ or more, in particular about 10-50㎛ and the line width is formed to about 10-5000㎛, especially about 100-1000㎛.
도면에서는 상기 장벽(190a,190b,190c)이 3개로 형성되는 구조만이 도시되어 있지만, 상기 장벽(190a,190b,190c)은 4개 이상으로 형성할 수도 있을 것이다.Although only a structure in which three
또한, 상기 장벽(190a,190b,190c)의 형상(즉, 위에서 보았을 때의 장벽(190a,190b,190c)의 형상)은 다양하게 형성할 수 있다. 도면에서는 상기 장벽(190a,190b,190c)이 제1기판(120) 및 제2기판(140)의 외곽영역을 따라 직선형상으로 형성되지만, 상기 장벽(190a,190b,190c)을 지그재그형상으로 형성할 수도 있으며, 외곽영역을 따라 구불구불하게 형성할 수도 있을 것이다.In addition, the shape of the
장벽(190a,190b,190c)의 중앙에 형성되는 제1장벽(190a)의 상면 및 홈(192) 내부와, 장벽(190a,190b,190c) 사이의 공간(193)에는 실링재(194)가 충진되어 제1기판(120) 및 제2기판(140)을 합착함과 동시에 실링하다.The sealing
상기 홈(192) 및 공간(193)은 장벽(190a,190b,190c)을 따라 전기영동 표시소자(101)의 외곽 둘레를 따라 형성된다.The
상기 제2장벽(190b) 및 제3장벽(190c)은 공간(193) 내에 충진되는 실링재(194)의 위치를 한정하는 역할을 하여 이 실링재(194)가 다른 곳, 예를 들면 실패턴이 형성되는 실링영역이 아니 다른 영역, 즉 실링영역의 내부측이나 외부측으로 퍼져가는 것을 방지할 수 있게 된다. 상기 실링재(194)는 다양한 물질을 사용할 수 있지만, 자외선경화 실링재나 열경화 실링재를 주로 사용한다.The
화소전극(118)은 투명한 도전물질 또는 불투명한 금속으로 이루어지며, 보호층(124)에 형성된 컨택홀(117)을 통해 박막트랜지스터의 드레인전극(116)과 전기적으로 접속된다.The
도면에 도시된 바와 같이, 상기 화소전극(118)은 보호층(124) 위의 화상표시영역에만 형성될 수도 있지만, 상기 화소전극(118)을 보호층(124) 위 및 격벽(180)의 측벽 위까지 연장하여 형성할 수 있다.As shown in the figure, the
상기와 같이, 화소전극(118)을 보호층(124) 위 및 측벽 위까지 연장하여 형성하여 형성하는 경우, 격벽(180)의 맨 아래의 화소전극(118), 즉 격벽(180)과 보호층(124)의 모서리영역에 발생하는 사영역(dead area)을 제거할 수 있게 되어 개구율이 향상되고 콘트라스트가 향상되며, 응답속도가 향상된다.As described above, when the
상기 공통전극(142)은 ITO나 IZO와 같이 투명한 도전물질로 이루어진다. The
상기와 같은 구성의 본 발명에 따른 전기영동 표시소자(101)에서는 격벽(180)이 제1기판(120)상에 직접 형성되고 전기영동층(160)이 역시 제1기판(120)의 격벽(180) 사이에 충진되어 상기 전기영동층(160)이 직접적으로 화소전극(118) 위에 형성되어 상기 화소전극(118)과 직접 접촉하므로, 종래 전기영동 표시장치와는 달리 전기영동층(160)과 화소전극(118) 및 보호층(124) 사이에 전기영동층(160)을 부착하기 위한 별도의 접착층이 필요없게 되므로, 제조공정을 단순화되어 제조비용을 절감할 수 있게 된다.In the
또한, 본 발명에서는 장벽(190a,190b,190c)을 형성하여 제1장벽(190a)의 홈(192) 및 상면의 실링재(194)에 의해 제1기판(120)과 제2기판(140)을 합착하고 실링하기 때문에, 제1기판(120)과 제2기판(140)의 합착력이 좋고 높은 실링력의 확보에 의해 수분이나 공기 등이 전기영동 표시소자(101)로 침투하는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한, 제2장벽(190b) 및 제3장벽(190c)에 의해 실링재(194)가 넓게 퍼지는 것을 방지할 수 있게 되므로, 전기영동 표시소자(101)를 조립했을 때 베젤을 크기를 최소화할 수 있게 된다.
도 3b는 상기와 같은 격벽(180) 및 장벽(190a,190b,190c)의 배치를 나타내는 평면도이다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 격벽(180)은 전기영동 표시소자 내에 매트릭스 형상으로 배치된다. 제1장벽(190a)은 격벽(180)의 외곽에 상기 격벽(180)을 둘러싸도록 형성되며, 제1장벽(190a)를 사이에 두고 제2장벽(190b) 및 제3장벽(190c)이 형성되며, 제1장벽(190a)과 제2장벽(190b) 사이 및 제1장벽(190a)과 제3장벽(190c) 사이에 실런트(193,194)가 채워진다.
배출구(196)는 전기영동소자의 장벽(190a,190b,190c)의 일측에 형성된다. 상기 배출구(196)는 격벽(180) 사이에 과충진된 전기영동물질을 배출한다. 격벽(180) 사이에 전기영동물질이 충진될 때, 전기영동물질은 격벽(180) 사이에 과충진될 수 있다. 과충진된 전기영동물질은 전기영동 표시소자의 품질을 저하시키는 주요한 원인이 된다. 상기 배출구(196)는 초과된 전기영동물질을 배출함으로서 과충진에 의한 품질저하를 방지한다.In addition, in the present invention, the
3B is a plan view illustrating the arrangement of the
The
도 4a-도 4g는 본 발명에 따른 전기영동 표시소자의 제조방법을 나타내는 도면이다. 실질적으로 전기영동 표시소자는 복수의 단위 화소로 이루어져 있지만, 설명의 편의를 위해 도면에서는 장벽을 포함하는 외곽영역의 화소만을 도시하였다.4A-4G illustrate a method of manufacturing an electrophoretic display device according to the present invention. Although the electrophoretic display device is substantially composed of a plurality of unit pixels, in the drawings, only the pixels of the outer region including the barrier are illustrated in the drawings.
우선, 도 4a에 도시된 바와 같이, 화상표시부와 화 상비표시영역으로 이루어지고 유리나 플라스틱과 같이 투명한 물질로 이루어진 제1기판(120) 위에 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금과 같이 도전성이 좋은 불투명 금속을 스퍼터링법(sputtering process)에 의해 적층한 후 사진식각방법(photolithography process)에 의해 식각하여 게이트전극(111)을 형성한 후, 상기 게이트전극(111)이 형성된 제1기판(120) 전체에 걸쳐 CVD(Chemicla Vapor Deposition)법에 의해 SiO2나 SiNx 등과 같은 무기절연물질을 적층하여 게이트절연층(122)을 형성한다.First, as shown in FIG. 4A, Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or Al alloys are formed on the
이어서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 제1기판(120) 전체에 걸쳐 비정질실리콘(a-Si)과 같은 반도체물질을 CVD법에 의해 적층한 후 식각하여 반도체층(113)을 형성한다. 또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 반도체층(113)의 일부에 불순물을 도핑하거나 불순물이 첨가된 비정질실리콘을 적층하여 이후 형성되는 소스전극 및 드레인전극을 반도체층(113)과 오믹접합시키는 오믹컨택층(ohmic contact layer)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 4B, a semiconductor material such as amorphous silicon (a-Si) is deposited over the entire
그후, 도 4c에 도시된 바와 같이, 제1기판(120) 상에 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금과 같이 도전성이 좋은 불투명 금속을 스퍼터링법에 의해 적층한 후 식각하여 반도체층(113) 위, 엄밀하게 말해서 오믹컨택층 위에 소스전극(115) 및 드레인전극(116)을 형성하고, 이어서 상기 소스전극(115) 및 드레인전극(116)이 형성된 제1기판(120) 전체에 걸쳐 BCB(Benzo Cyclo Butene)이나 포토아크릴(photo acryl)과 같은 유기절연물질을 적층하여 보호층(124)을 형성한다.Thereafter, as illustrated in FIG. 4C, an opaque metal having good conductivity such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or Al alloy is laminated on the
또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 보호층(124)은 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 보호층(124)은 BCB이나 포토아크릴과 같은 유기절연물질로 이루어진 유기절연층 및 SiO2나 SiNx 등과 같은 무기절연물질로 이루어진 무기절연층의 이중의 층으로 형성될 수도 있고, 무기절연층과 유기절연층 및 무기절연층으로 형성할 수도 있을 것이다. 유기절연층을 형성함에 따라 보호층(124)의 표면이 평탄하게 형성되며, 무기절연층을 적용함에 따라 보호층(124)과의 계면특성이 향상된다.Also, although not shown in the figure, the
또한, 상기 보호층(124)에 컨택홀(117)을 형성하여 박막트랜지스터의 드레인전극(116)을 외부로 노출시킨다.In addition, a contact hole 117 is formed in the
이어서, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 보호층(124) 위의 화상표시영역에 화소전극(118)을 형성한다. 이때, 상기 화소전극(118)은 컨택홀(117)을 통해 박막트랜지스터의 드레인전극(116)과 전기적으로 접속된다.Subsequently, as illustrated in FIG. 4D, the
상기 화소전극(118)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명도전물질, Mo, AlNd와 같은 금속을 적층한 후, 사진식각방법에 의해 식각함으로써 형성할 수 있게 된다. 또한, 상기 화소전극(118)은 복수의 금속층으로 형성될 수도 있다. 즉, Cu와 MoTi와 같은 복수의 금속층을 연속 적층한 후, 사진식각방법에 의해 식각함으로써 형성될 수 있다. 그리고, 상기 화소전극(118)은 카본나노튜브나 수용성 도전고분자를 사용하여 형성할 수도 있다.The
그 후, 도 4e에 도시된 바와 같이, 보호층(124) 위에 격벽(180) 및 장벽(190a,190b,190c)을 형성한다. 상기 격벽(180)은 제1기판(120)의 화상비표시영역에 형성되며, 실질적으로 단위 화소를 구획하는 역할을 한다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 격벽(180)은 제1기판(120) 상에 매트릭스형상으로 배열되는 화소의 경계영역을 따라 형성되므로, 상기 격벽(180) 역시 제1기판(120) 상에 매트릭스형상으로 형성된다.Thereafter, as shown in FIG. 4E,
상기 장벽(190a,190b,190c)은 매트릭스 형상으로 배열된 격벽(180)의 외부에 상기 최외곽 격벽(180)과 일정 거리 이격된 상태로 형성된다.The
상기 격벽(180)은 수지 등으로 이루어진 절연층을 적층한 후 포토레지스트를 이용한 사진식각방법에 의해 식각함으로써 형성할 수도 있고 감광성 수지를 적층한 후 사진식각방법에 의해 식각함으로써 형성할 수도 있다. 또한, 상기 격벽(180)은 인쇄롤 등과 같은 인쇄법에 의해 패턴화된 격벽(180)을 인쇄함으로써 형성할 수도 있으며, 패턴이 형성된 몰드로 수지층에 압력을 인가하는 임프린트(imprint)방식으로 형성될 수도 있을 것이다.The
실질적으로 이러한 격벽(180)의 형성은 특정한 방법에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기에서 특정한 방법을 설명한 것은 설명의 편의를 위한 것이지, 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니다. 상기 격벽(180)은 이미 알려진 다양한 방법에 의해 형성될 수 있을 것이다.In practice, the formation of the
상기 장벽(190a,190b,190c)도 격벽(180)과 동일한 방법에 의해 형성될 수 있다. 즉, 상기 장벽(182)을 수지나 감광성 수지를 적층한 후, 사진식각방법이나 임프린트방식에 의해 식각하여 형성할 수 있는 것이다.The
이때, 상기 장벽(190a,190b,190c)은 격벽(180)과 동일한 공정에 의해 동시에 형성될 수도 있고 격벽(180)과는 별개의 공정에 의해 형성될 수도 있을 것이다.In this case, the
상기 장벽(190a,190b,190c)을 형성할 때, 제1장벽(190a)과 제2장벽(190) 및 제3장벽(190c)은 일정 거리 이격되어 형성되며, 상기 제1장벽(190a) 상면은 일부가 제거되어 홈(192)이 형성된다.When the
한편, 도면에서는 보호층(124) 위에 화소전극(118)을 형성한 후, 격벽(180)을 형성했지만, 보호층(124) 위의 화상비표시영역에 우선 격벽(180)을 형성한 후, 보호층(124) 위의 화상표시영역에 화소전극(118)을 형성할 수도 있을 것이다. 이때, 상기 보호층(124)과 격벽(180)은 동일한 물질로 동시에 형성할 수도 있을 것이다. 예를 들면, 절연층을 두껍게 형성한 후, 회절마스크나 하프톤마스크에 의해 절연층을 제거하여 격벽(180)과 컨택홀(117)을 동시에 형성하거나 몰드 등에 의해 절연층의 일부를 제거하여 격벽을 형성할 수도 있을 것이다.Meanwhile, in the drawing, the
상기 장벽(190a,190b,190c)을 형성할 때, 상기 제1장벽(190a)의 상면에는 일부를 제거하여 적어도 하나의 홈(192)을 형성한다.When forming the
그 후, 도 4f에 도시된 바와 같이, 격벽(180) 내부에 전기영동물질을 충진한다. 상기 전기영동물질은 양전하 및 음전하 특성을 갖는 입자로 이루어진다. Thereafter, as shown in FIG. 4F, the electrophoretic material is filled in the
상기 전기영동물질은 양전하 및 음전하 특성을 갖는 입자로 이루어진다. 이때, 상기 입자는 화이트입자(164)와 블랙입자(165)일 수도 있고, 시안(cyan), 마젠타(Magenta), 옐로우(yellow)와 같은 컬러입자 또는 R(Red), G(Green), B(Blue)와 같은 컬러입자일 수도 있다.The electrophoretic material is composed of particles having positive and negative charge characteristics. The particles may be
또한, 상기 전기영동물질은 액상폴리머와 같은 분산매질을 포함한다. 이때, 상기 분산물질은 투명한 액상 폴리머나 블랙 액상폴리머일 수도 있고 각각의 화소에 컬러에 대응하는 컬러 액상폴리머일 수 있다. 그리고, 상기 전기영동물질은 액상폴리머가 없이 단지 화이트입자와 블랙입자, 또는 컬러입자로만 형성될 수도 있다. 이때, 화이트입자와 블랙입자 또는 컬러입자는 전기영동층(160) 상에 공기중에 분포되어 전압이 인가됨에 따라 상기 전기영동층(160) 내부에서 움직이게 된다.In addition, the electrophoretic material includes a dispersion medium such as a liquid polymer. In this case, the dispersion material may be a transparent liquid polymer or a black liquid polymer or may be a color liquid polymer corresponding to a color in each pixel. The electrophoretic material may be formed of only white particles and black particles or color particles without a liquid polymer. In this case, the white particles and the black particles or the color particles are distributed in the air on the
상기 화이트입자(164)의 경우 TiO2와 같은 반사율이 좋은 입자를 사용하며, 블랙입자(165)의 경우 카본블랙(canbon black) 등과 같은 블랙특성을 갖는 입자를 사용한다. 또한, 컬러입자로는 안료 또는 염료를 사용한다.In the case of the
이때, 화이트입자(164)가 음전하특성을 갖고 블랙입자(165)가 양전하특성을 가질 수도 있고 화이트입자(164)가 양전하특성을 갖고 블랙입자(165)가 음전하특성을 가질 수도 있을 것이다.In this case, the
도 5a 및 도 5b는 제1기판(120)에 형성된 격벽(180) 내부로 전기영동물질을 충진하여 전기영동층(160)을 형성하는 방법을 나타내는 도면이다.5A and 5B illustrate a method of forming an
도 5a에 도시된 방법은 잉크젯방식 또는 노즐방식에 관한 것으로, 실린지(또는 노즐)(185) 내부에 전기영동물질(160a)을 충진한 후, 상기 제1기판(120) 상부에 상기 실린지(185)를 위치시킨다. 이후, 외부의 공기공급장치(도면표시하지 않음)에 의해 실린지(185)에 압력을 인가한 상태에서 상기 실린지(185)를 제1기판(120) 상에서 이동시킴에 따라 상기 격벽(180) 내부에 전기영동물질(160a)이 적하되어 제1기판(120) 상에 전기영동층(160)이 형성된다.The method illustrated in FIG. 5A relates to an inkjet method or a nozzle method. After filling an
도 5b에 도시된 방법은 스퀴즈방법에 관한 것으로, 복수의 격벽(180)이 형성된 제1기판(120) 상부에 전기영동물질(160a)을 도포한 후, 스퀴즈바(187)에 의해 제1기판(120) 상에서 이동시킴으로써 스퀴즈바(187)의 압력에 의해 전기영동물질(160a)이 단위 화소내의 격벽(180) 내부로 충진되어 전기영동층(160)이 형성되는 것이다.The method illustrated in FIG. 5B relates to a squeeze method, and after applying the
물론, 본 발명이 상술한 바와 같은 방법에만 한정되는 것은 아니다. 상술한 방법은 본 발명에서 사용될 수 있는 전기영동층(160)의 형성공정의 일례를 나타내는 것으로서, 본 발명이 이러한 특정 공정에만 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 캐스팅인쇄법, 바코팅인쇄법, 스크린인쇄법, 몰드인쇄법과 같은 다양한 전기영동층(160) 형성공정이 본 발명에 적용될 수 있을 것이다.Of course, the present invention is not limited to the above-described method. The above-described method shows an example of a process of forming the
이어서, 도 4g에 도시된 바와 같이, 유리나 플라스틱과 같이 투명한 물질로 이루어진 제2기판(140)에 ITO나 IZO와 같은 투명도전물질을 적층하여 공통전극(142)이 형성한다. 그 후, 제1기판(120)의 제1장벽(190a)의 상면에 실린지와 같은 적하장치를 이용하여 실링재(194)를 적하한다. 제1장벽(190a)의 상면에 적하된 실링재(194)는 제1장벽(190a)의 상면에 도포될 뿐만 아니라 제1장벽(190a)의 상면에서 제1장벽(190a)과 제2장벽(190b) 및 제3장벽(190c) 사이의 공간(193)으로 흘러 들어가 상기 공간(193)에 실링재(194)가 채워진다.Subsequently, as illustrated in FIG. 4G, the
상기와 같이, 제1장벽(190a)의 상면에 실링재(193)를 도포하고 공간(193) 내부에 실링재(193)를 충진한 상태에서, 제1기판(120)과 제2기판(140)을 정렬한 상태에서 압력을 인가하여 제1기판(120)과 제2기판(140)을 합착한다. 이때, 상기 제1기판(120)과 제2기판(140)에 압력을 인가한 상태에서 열을 인가하거나 자외선을 조사하여 상기 실링재(193)를 경화시켜 전기영동 표시소자를 완성한다.As described above, the
한편, 도면에서는 상기 실링재(194)에 의해 제1기판(120) 및 제2기판(140)이 합착되지만, 제1기판(120) 및 제2기판(140)의 합착력을 향상시키기 위해 별도의 접착물질로 이루어진 접착층을 형성할 수도 있을 것이다.Meanwhile, in the drawing, the
또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제2기판(140)에는 컬러필터층이 형성될 수도 있다. 이 컬러필터층은 R(Red), G(Green), B(Blue) 컬러필터로 이루어져 있으며, 전기영동물질이 블랙입자와 화이트입자로 이루어진 경우 컬러를 구현한다.Although not shown in the drawings, a color filter layer may be formed on the
한편, 상술한 설명에서는 전기영동 표시소자의 구조에 대하여 특정 구조를 한정하여 설명하고 있지만, 본 발명의 전기영동 표시소자가 이러한 특정 구조에만 한정되는 것은 아니다. 특히, 전기영동층으로서 현재 사용하는 다양한 전기영동층이 적용될 수 있을 것이다. 즉, 제1기판에 형성될 수 있는 모든 구조의 전기영동층에 적용될 수 있을 것이다.In the above description, the structure of the electrophoretic display device is limited to a specific structure, but the electrophoretic display device of the present invention is not limited to the specific structure. In particular, various electrophoretic layers currently used as electrophoretic layers may be applied. That is, it may be applied to the electrophoretic layer of any structure that can be formed on the first substrate.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments.
따라서, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것이 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. Therefore, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also within the scope of the present invention.
120,140 : 기판 111 : 게이트전극
113 : 반도체층 115 : 소스전극
116 : 드레인전극 118 : 화소전극
124 : 보호층 142 : 공통전극
160 : 전기영동층 164 : 화이트입자
165 : 블랙입자 180 : 격벽
190a,190b,190c : 장벽 홈 : 192
193 : 공간 194 : 실링재120, 140: substrate 111: gate electrode
113: semiconductor layer 115: source electrode
116: drain electrode 118: pixel electrode
124: protective layer 142: common electrode
160: electrophoresis layer 164: white particles
165: black particles 180: partition wall
190a, 190b, 190c: Barrier grooves: 192
193: space 194: sealing material
Claims (19)
제1기판 위에 각 화소에 형성된 박막트랜지스터;
상기 박막트랜지스터가 형성된 제1기판에 형성된 보호층;
상기 보호층 위의 각 화소마다 형성되는 화소전극;
상기 보호층 위의 화상표시영역에 형성된 화소전극;
상기 보호층 위의 화상비표시영역 형성된 격벽;
상기 격벽에 의해 정의되는 화소마다 충진되어 있는 전기영동층;
상기 제1기판의 외곽을 따라 형성된 제1장벽;
상기 제1기판의 외곽을 따라 형성되고 상기 제1장벽의 양측에 상기 제1장벽과 일정 거리 이격되도록 배치되어 상기 제1장벽과의 사이에 공간을 형성하는 적어도 하나의 제2장벽 및 제3장벽;
상기 제1장벽의 상면 및 공간에 도포되어 제1기판 및 제2기판을 실링하는 실링재; 및
제2기판 위에 형성된 공통전극으로 구성된 전기영동 표시소자.A first substrate including an image display region in which a plurality of pixels are arranged and a non-display region outside the image display region, and a second substrate corresponding to the first substrate;
A thin film transistor formed on each pixel on the first substrate;
A protective layer formed on the first substrate on which the thin film transistor is formed;
A pixel electrode formed for each pixel on the passivation layer;
A pixel electrode formed in the image display area on the protective layer;
Barrier ribs formed on the non-display area on the passivation layer;
An electrophoretic layer filled for each pixel defined by the partition wall;
A first barrier formed along the periphery of the first substrate;
At least one second barrier and a third barrier, which are formed along the outer periphery of the first substrate and are disposed at both sides of the first barrier to be spaced apart from the first barrier by a predetermined distance to form a space between the first barrier and the first barrier ;
A sealing material applied to the upper surface and the space of the first barrier to seal the first substrate and the second substrate; And
An electrophoretic display device comprising a common electrode formed on a second substrate.
제1기판 위에 형성된 게이트전극;
상기 게이트전극 위에 형성된 반도체층; 및
상기 반도체층 위에 형성된 소스전극 및 드레인전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전기영동 표시소자.The method of claim 1, wherein the thin film transistor,
A gate electrode formed on the first substrate;
A semiconductor layer formed on the gate electrode; And
And a source electrode and a drain electrode formed on the semiconductor layer.
제1기판상의 화상표시영역에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
박막트랜지스터가 형성된 제1기판에 보호층을 형성하는 단계;
상기 보호층 위의 화상표시영역에 화소전극을 형성하는 단계;
상기 보호층의 화상비표시영역에 복수의 화소를 정의하는 격벽을 형성하는 단계;
상기 제1기판의 외곽영역에 제1장벽을 형성하는 단계;
상기 제1기판의 외곽영역의 제1장벽 양측에 적어도 하나의 제2장벽 및 제3장벽을 형성하는 단계;
상기 격벽 내부의 화소에 전기영동물질을 충진하는 단계;
상기 제2기판에 공통전극을 형성하는 단계;
상기 제1장벽 상부에서 실링재를 적하하여 제1장벽의 상부 및 제1장벽과 제2장벽 및 제3장벽 사이의 공가에 실링재를 도포하는 단계; 및
제1기판을 제2기판을 합착하는 단계로 구성된 전기영동 표시소자 제조방법.Providing a first substrate and a second substrate including an image display area and an image non-display area;
Forming a thin film transistor in an image display area on the first substrate;
Forming a protective layer on the first substrate on which the thin film transistor is formed;
Forming a pixel electrode in the image display area on the protective layer;
Forming a partition wall defining a plurality of pixels in an image non-display area of the protective layer;
Forming a first barrier in an outer region of the first substrate;
Forming at least one second barrier and a third barrier on both sides of the first barrier in the outer region of the first substrate;
Filling an electrophoretic material into the pixel inside the partition wall;
Forming a common electrode on the second substrate;
Dropping a sealing material over the first barrier to apply a sealing material to the upper portion of the first barrier and the cavity between the first barrier and the second barrier and the third barrier; And
A method of manufacturing an electrophoretic display device, comprising: bonding a first substrate to a second substrate.
제1기판 위에 게이트전극을 형성하는 단계;
상기 게이트전극 위에 반도체층을 형성하는 단계;
상기 반도체층 위에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 전기영동 표시소자 제조방법.The method of claim 12, wherein the forming of the thin film transistor comprises:
Forming a gate electrode on the first substrate;
Forming a semiconductor layer on the gate electrode;
Forming a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer.
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