KR101857292B1 - Electrophoretic display device and method of fabricating thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제조공정이 단순화되고 해상도를 향상시킬 수 있는 전기영동 표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 복수의 서브화소를 포함하는 제1기판 및 제2기판을 제공하는 단계; 제1기판상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 제1기판 상에 보호층을 형성하는 단계; 상기 보호층 상부에 격벽을 형성하는 단계; 상기 보호층 상부의 서브화소에 화소전극을 형성하는 단계; 상기 보호층 상부의 격벽 사이에 전기영동물질을 충진하는 단계; 및 제1기판 및 제2기판을 합착하는 단계로 구성되며, 상기 서브화소는 동일 컬러의 서브화소가 2×2의 그룹으로 배열되어 인접하는 서브화소그룹들의 서브화소들과 화소를 형성하며, 동일한 컬러의 전기영동물질은 2×2로 배열된 서브화소그룹에 충진되는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a method of manufacturing an electrophoretic display device that can simplify a manufacturing process and improve resolution, comprising: providing a first substrate and a second substrate including a plurality of sub-pixels; Forming a thin film transistor on the first substrate; Forming a protective layer on the first substrate; Forming a barrier rib on the protective layer; Forming a pixel electrode in a sub-pixel on the protective layer; Filling the electrophoretic material between the barrier ribs on the protective layer; And arranging the first substrate and the second substrate together, wherein the sub-pixels of the same color are arranged in a 2x2 group to form pixels with sub-pixels of adjacent sub-pixel groups, Color electrophoretic material is filled in a sub-pixel group arranged in 2x2.

Description

전기영동 표시소자 및 그 제조방법{ELECTROPHORETIC DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF}[0001] ELECTROPHORETIC DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF [0002]

본 발명은 전기영동 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 제조공정이 단순화되고 고해상도를 실현할 수 있는 전기영동 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electrophoretic display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an electrophoretic display device which can simplify a manufacturing process and realize a high resolution, and a manufacturing method thereof.

일반적으로 전기영동 표시소자는 전압이 인가되는 한쌍의 전극을 콜로이드용액에 담그면 콜로이드 입자가 어느 한쪽의 극성으로 이동하는 현상을 이용한 화상표시장치로서, 백라이트를 사용하지 않으면서 넓은 시야각, 높은 반사율, 저소비전력 등의 특성을 갖기 때문에, 전기종이(electric paper) 등의 전자기기로서 각광받고 있다.In general, an electrophoretic display device is an image display device using a phenomenon in which a pair of electrodes to which a voltage is applied is immersed in a colloid solution to move the colloid particles to either one of polarities. The electrophoretic display device has a wide viewing angle, a high reflectance, Power and the like, all kinds of electronic devices are attracting attention as electronic devices such as electric paper.

이러한 전기영동 표시소자는 2개의 기판 사이에 전기영동층이 개재된 구조를 가지며, 2개의 기판중 하나는 투명한 기판으로 이루어지고 다른 하나는 구동소자가 형성된 어레이기판으로 구성됨으로써 입력되는 광을 반사하는 반사형 모드로 화상을 표시할 수 있다. The electrophoretic display device has a structure in which an electrophoretic layer is interposed between two substrates, one of the two substrates is made of a transparent substrate and the other is made up of an array substrate on which a driving device is formed, An image can be displayed in the reflective mode.

도 1은 종래 전기영동 표시소자(1)의 구조를 나타내는 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 전기영동 표시소자(1)는 제1기판(20) 및 제2기판(40)과, 상기 제1기판(20)에 형성된 박막트랜지스터 및 화소전극(18)과, 상기 제2기판(40)에 형성된 공통전극(42)과, 상기 제1기판(20) 및 제2기판(40) 사이에 형성된 전기영동층(60)과, 상기 전기영동층(60)과 화소전극(18) 사이에 형성된 접착층(56)으로 이루어진다.1 is a view showing a structure of a conventional electrophoretic display element 1. Fig. 1, the electrophoretic display element 1 includes a first substrate 20 and a second substrate 40, a thin film transistor and a pixel electrode 18 formed on the first substrate 20, A common electrode 42 formed on the second substrate 40 and an electrophoretic layer 60 formed between the first substrate 20 and the second substrate 40. The electrophoretic layer 60 and the pixel And an adhesive layer (56) formed between the electrodes (18).

박막트랜지스터는 상기 제1기판(2)에 형성된 게이트전극(11)과, 상기 게이트전극(11)이 형성된 제1기판(20) 전체에 걸쳐 형성된 게이트절연층(22)과, 상기 게이트절연층(22) 위에 형성된 반도체층(13)과, 상기 반도체층(13) 위에 형성된 소스전극(15) 및 드레인전극(16)으로 이루어진다. 상기 박막트랜지스터의 소스전극(15) 및 드레인전극(16) 위에는 보호층(24)이 형성된다.The thin film transistor includes a gate electrode 11 formed on the first substrate 2, a gate insulating layer 22 formed on the entire first substrate 20 on which the gate electrode 11 is formed, And a source electrode 15 and a drain electrode 16 formed on the semiconductor layer 13. The source electrode 15 and the drain electrode 16 are formed on the semiconductor layer 13, A protective layer 24 is formed on the source electrode 15 and the drain electrode 16 of the thin film transistor.

상기 보호층(24) 위에는 상기 전기영동층(60)에 신호를 인가하는 화소전극(18)이 형성된다. 이때, 상기 보호층(24)에는 컨택홀(28)이 형성되어 보호층(24) 상부의 화소전극(18)이 상기 컨택홀을 통해 박막트랜지스터의 드레인전극(16)에 접속된다.On the protective layer 24, a pixel electrode 18 for applying a signal to the electrophoretic layer 60 is formed. A contact hole 28 is formed in the passivation layer 24 so that the pixel electrode 18 on the passivation layer 24 is connected to the drain electrode 16 of the thin film transistor through the contact hole.

또한, 제2기판(40)에는 공통전극(42)이 형성되며, 상기 공통전극(42) 위에 전기영동층(60)이 형성되어 있다. 이때, 상기 전기영동층(60) 위에 접착층(56)이 형성되어 전기영동층(60)을 포함하는 제2기판(40)을 제1기판(20)과 합착한다. 상기 전기영동층(60)은 내부에 전기영동 특성을 갖는 화이트입자(74)와 블랙입자(76)가 채워진 캡슐(70)을 포함한다. 상기 화소전극(18)에 신호가 인가되면, 상기 공통전극(42)과 화소전극(18) 사이에 전계가 발생하며, 상기 전계에 의해 캡슐(70) 내부의 화이트입자(74)와 블랙입자(76)가 이동함으로써 화상을 구현하는 것이다.A common electrode 42 is formed on the second substrate 40 and an electrophoretic layer 60 is formed on the common electrode 42. At this time, an adhesive layer 56 is formed on the electrophoretic layer 60 to bond the second substrate 40 including the electrophoretic layer 60 to the first substrate 20. The electrophoretic layer 60 includes a capsule 70 filled with white particles 74 and black particles 76 having electrophoretic characteristics therein. When a signal is applied to the pixel electrode 18, an electric field is generated between the common electrode 42 and the pixel electrode 18, and white particles 74 and black particles 76 are moved to implement an image.

예를 들어, 화소전극(18)에 (-)전압이 인가되면, 제2기판(40)의 공통전극(42)은 상대적으로 (+)전위를 가지게 되어, (+)전하를 띄는 화이트입자(74)는 제1기판(20)쪽으로 이동하고, (-)전하를 띄는 블랙입자(76)는 제2기판(40)쪽으로 이동하게 된다. 이 상태에서 외부, 즉 제2기판(40)의 상부로부터 광이 입력되면, 입력된 광이 상기 블랙입자(76)에 의해 반사되므로, 전기영동 표시소자에는 블랙이 구현된다.For example, when a negative (-) voltage is applied to the pixel electrode 18, the common electrode 42 of the second substrate 40 has a relatively positive potential, and white particles (+ 74 move toward the first substrate 20 and the black particles 76 having a negative charge move toward the second substrate 40. In this state, when light is input from the outside, that is, from the upper portion of the second substrate 40, since the input light is reflected by the black particles 76, black is realized in the electrophoretic display element.

반대로, 상기 화소전극(18)에 (+)전압이 인가되면, 제2기판(40)의 공통전극(42)은 (-)전위를 가지게 되어, (+)전하를 띄는 화이트입자(74)는 제2기판(40)으로 이동하고, (-)전하를 띄는 블랙입자(76)는 제1기판(20)으로 이동하게 된다. 이 상태에서 외부, 즉 제2기판(40)의 상부로부터 광이 입력되면, 입력된 광이 상기 화이트입자(74)에 의해 반사되므로, 전기영동 표시소자에는 화이트가 구현되는 것이다.On the other hand, when a positive voltage is applied to the pixel electrode 18, the common electrode 42 of the second substrate 40 has a negative potential, and white particles 74 having a positive charge The black particles 76 moving to the second substrate 40 and having a negative charge move to the first substrate 20. In this state, when light is input from the outside, that is, from the upper portion of the second substrate 40, since the input light is reflected by the white particles 74, white is realized in the electrophoretic display element.

그러나, 상기와 같은 구조의 종래 전기영동 표시소자(1)에서는 다음과 같은 문제가 발생한다.However, in the conventional electrophoretic display element 1 having the above-described structure, the following problems arise.

종래 전기영동 표시소자(1)에서는 제1기판(20) 및 제2기판(40)을 별도로 제작한 후, 접착층(56)에 의해 상기 제1기판(20) 및 제2기판(40)을 합착함으로써 완성된다. 즉, 제1기판(20) 상에 단위 화소를 구동시키는 박막트랜지스터와 전기영동층(60)에 전계를 인가하는 화소전극(18)을 형성하고 별도의 공정에서 제2기판(40) 상에 공통전극(42), 전기영동층(60) 및 접착층(56)을 형성한 후, 상기 제1기판(20) 및 제2기판(40)을 합착함으로써 형성된다.In the conventional electrophoretic display device 1, the first substrate 20 and the second substrate 40 are separately manufactured, and then the first substrate 20 and the second substrate 40 are attached to each other by an adhesive layer 56 . That is, a thin film transistor for driving unit pixels on the first substrate 20 and a pixel electrode 18 for applying an electric field to the electrophoretic layer 60 are formed on the second substrate 40 in a separate process After the electrode 42, the electrophoretic layer 60 and the adhesive layer 56 are formed, the first substrate 20 and the second substrate 40 are bonded together.

그러나, 통상 전기영동표시소자의 단위 화소는 가로 및 세로의 크기가 150마이크로미터 이내의 작은 크기로 형성되기 때문에, 이 크기에 정확히 맞도록 전기영동층을 정렬시키는 것은 매우 어렵게 된다. 전기영동층과 박막트랜지스터가 형성되어 있는 제1기판이 정확히 정렬되지 못하면 전계가 전기영동입자에 정확히 전달되지 못해 구동에러의 원인이 된다.However, since the unit pixel of the electrophoretic display element is formed to have a small size such as a width and a length of less than 150 micrometers, it becomes very difficult to align the electrophoresis layer exactly to this size. If the first substrate on which the electrophoretic layer and the thin film transistor are formed is not aligned correctly, the electric field can not be accurately transferred to the electrophoretic particles, which causes a driving error.

또한, 상기 제1기판(20) 및 제2기판(40)은 각각 다른 공정상에서 제작된 후, 이송수단에 의해 이송되어 합착공정에서 서로 합착해야 되므로, 인라인으로 제조공정을 형성할 수가 없었다.In addition, since the first substrate 20 and the second substrate 40 are manufactured in different processes, they must be transferred by the transfer means and adhered to each other in the adhesion process, so that the fabrication process can not be performed in-line.

한편, 제2기판(40)상에는 공통전극(42)을 형성하고 전기영동층(60)을 도포한 후 접착층(56)을 도포한다. 상기 제2기판(40)을 합착공정으로 이송하여 제1기판(20)과 합착하기 위해서는 상기 접착층(56)의 접착력이 저하되거나 접착층(56)에 이물질이 부착되는 것을 방지하기 위해, 상기 접착층(56)에 보호필름을 부착한 상태에서 이송해야만 한다. 이송된 제2기판(40)을 제1기판(20)에 부착하기 위해서는 제2기판(40)으로부터 보호필름을 박리해야만 하는데, 보호필름의 박리과정에서 정전기가 발생하여 되며, 이 발생된 정전기는 전기영동입자의 초기 배열에 오정렬을 유발시키게 되어 전기영동표시소자의 동작시 빗살무늬모양의 모아레가 발생하는 원인이 되었다.On the other hand, the common electrode 42 is formed on the second substrate 40, and the electrophoretic layer 60 is coated and then the adhesive layer 56 is applied. In order to prevent the adhesive force of the adhesive layer 56 from being lowered or adhesion of foreign matter to the adhesive layer 56 in order to bond the first substrate 20 to the second substrate 40 by transferring the second substrate 40 to the adhesion process, 56) with a protective film attached thereto. In order to attach the transferred second substrate 40 to the first substrate 20, the protective film must be peeled off from the second substrate 40. In the peeling process of the protective film, static electricity is generated, Which causes misalignment in the initial arrangement of the electrophoretic particles, which causes a comb-like moire in the operation of the electrophoretic display device.

이와 같이, 종래 전기영동 표시소자에서는 상기 제1기판(20) 및 제2기판(40)은 각각 다른 공정에서 제작되기 때문에, 전기영동층의 접착시 제1기판(20)과 제2기판(40) 사이에 오정렬이 발생하거나 공정이 복잡해지고, 접착층의 박리시 정전기가 발생하여 화질이 불량으로 된다는 문제 등이 있었다.As described above, in the conventional electrophoretic display device, since the first substrate 20 and the second substrate 40 are manufactured by different processes, the first substrate 20 and the second substrate 40 ) Or the process becomes complicated, static electricity is generated when the adhesive layer is peeled off, and the image quality is poor.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 전기영동층을 박막트랜지스터가 형성되는 기판에 직접 형성함으로써 전기영동층과 제1기판 사이의 오정렬을 방지하며, 제조비용을 절감하고 제조공정을 단순화할 수 있는 전기영동 표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a thin film transistor, in which an electrophoretic layer is formed directly on a substrate on which a thin film transistor is formed to prevent misalignment between the electrophoretic layer and the first substrate, And a method for producing the same.

본 발명의 다른 목적은 전기영동물질의 주입을 용이하게 함으로써, 제조공정을 단순화하고 제조비용을 절감할 수 있으며 고해상도가 가능한 전기영동 표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide an electrophoretic display device which can facilitate the injection of electrophoretic material, simplify the manufacturing process, reduce the manufacturing cost, and have a high resolution, and a method for manufacturing the same.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 전기영동 표시소자 제조방법은 복수의 서브화소를 포함하는 제1기판 및 제2기판을 제공하는 단계; 제1기판상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 제1기판 상에 보호층을 형성하는 단계; 상기 보호층 상부에 격벽을 형성하는 단계; 상기 보호층 상부의 서브화소에 화소전극을 형성하는 단계; 상기 보호층 상부의 격벽 사이에 전기영동물질을 충진하는 단계; 및 제1기판 및 제2기판을 합착하는 단계로 구성되며, 상기 서브화소는 동일 컬러의 서브화소가 2×2의 그룹으로 배열되어 인접하는 서브화소그룹들의 서브화소들과 화소를 형성하며, 동일한 컬러의 전기영동물질은 2×2로 배열된 서브화소그룹에 충진되는 것을 특징으로 하는 전기영동 표시소자 제조방법.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electrophoretic display device, including: providing a first substrate and a second substrate including a plurality of sub-pixels; Forming a thin film transistor on the first substrate; Forming a protective layer on the first substrate; Forming a barrier rib on the protective layer; Forming a pixel electrode in a sub-pixel on the protective layer; Filling the electrophoretic material between the barrier ribs on the protective layer; And arranging the first substrate and the second substrate together, wherein the sub-pixels of the same color are arranged in a 2x2 group to form pixels with sub-pixels of adjacent sub-pixel groups, Color electrophoretic material is filled in a sub-pixel group arranged in 2x2.

상기 서브화소는 R,G,B,Black 서브화소 또는 R,G,B,White 서브화소를 포함하며, 전기영동물질은 분산매질, 전하특성을 갖는 화이트입자, 블랙입자 및 컬러입자를 포함한다.The subpixel includes R, G, B, and Black subpixels or R, G, B, and White subpixels, and the electrophoretic material includes a dispersion medium, white particles having charge characteristics, black particles, and color particles.

또한, 본 발명에 따른 전기영동 표시소자는 복수의 서브화소를 포함하는 제1기판 및 제2기; 제1기판상에 형성된 박막트랜지스터; 상기 제1기판 상에 형성된 보호층; 상기 보호층의 형성된 화소전극; 상기 보호층 상부의 화소영역의 화상비표시부에 형성된 격벽; 상기 보호층 상부의 격벽 사이에 형성된 전기영동층; 및 상기 제2기판에 형성된 공통전극으로 구성되며, 상기 서브화소는 동일 컬러의 서브화소가 2×2의 그룹으로 배열되어 인접하는 서브화소그룹들의 서브화소들과 화소를 형성하는 것을 특징으로 한다.Also, an electrophoretic display device according to the present invention includes a first substrate and a second substrate including a plurality of sub-pixels; A thin film transistor formed on a first substrate; A protective layer formed on the first substrate; A pixel electrode formed with the protective layer; Barrier ribs formed on an image non-display portion of a pixel region above the protective layer; An electrophoretic layer formed between the barrier ribs on the protective layer; And a common electrode formed on the second substrate, wherein the sub-pixels of the same color are arranged in a 2x2 group so as to form pixels with sub-pixels of adjacent sub-pixel groups.

상기 격벽은 서브화소그룹을 인접하는 서브화소그룹과 구획하는 제1격벽과, 서브화소그룹 내의 서브그룹들을 구획하는 제2격벽을 포함하며, 이때 상기 제1격벽의 높이가 제2격벽의 높이 보다 크고 상기 제1격벽의 두께가 제2격벽의 두께 보다 크다.The barrier rib includes a first barrier rib partitioning a subpixel group from a neighboring subpixel group and a second barrier rib partitioning subgroups within the subpixel group, wherein a height of the first barrier rib is greater than a height of the second barrier rib And the thickness of the first bank is larger than the thickness of the second bank.

상기 서브화소가 R,G,B,Black 서브화소로 이루어진 경우 R,G,B 서브화소의 전기영동물질은 대응하는 컬러입자와 화이트입자를 포함하며, 서브화소가 R,G,B,White 서브화소를 포함하는 경우 R,G,B 서브화소의 전기영동물질은 대응하는 컬러입자와 블랙입자를 포함한다.When the sub-pixel is composed of R, G, B and Black sub-pixels, the electrophoretic material of the R, G and B sub-pixels includes corresponding color particles and white particles, The electrophoretic material of the R, G, and B sub-pixels includes corresponding color particles and black particles.

본 발명에서는 전기영동층이 박막트랜지스터가 형성되어 있는 어레이기판에 직접 도포되어 형성되므로, 별도의 기판에 전기영동층이 형성되던 종래에 비해 전기영동층을 합착하기 위한 접착층이나 접착층을 보호하기 위한 보호필름이 필요없게 되어 제조비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라 기존의 박막트랜지스터 제조라인상에서 전기영동층 인라인으로 형성할 수 있기 때문에 제조공정을 단순화할 수 있게 된다. 또한, 전기영동층이 어레이기판상에 직접 형성되기 때문에 전기영동층과 어레이 기판을 정확히 정렬시키는 정렬과정이 필요없어 되므로, 제1기판과 전기영동층의 오정열 문제를 근본적으로 해결할 수 있게 된다.Since the electrophoretic layer is formed by directly applying the electrophoretic layer on the array substrate on which the thin film transistor is formed, the electrophoretic layer is formed on a separate substrate, The manufacturing cost can be reduced and the manufacturing process can be simplified because the electrophoresis layer can be formed in the in-line electrophoresis layer on the existing thin film transistor manufacturing line. In addition, since the electrophoretic layer is directly formed on the array substrate, the alignment process for accurately aligning the electrophoretic layer and the array substrate is not necessary, and thus it is possible to fundamentally solve the problem of misalignment between the first substrate and the electrophoretic layer.

또한, 본 발명에서는 동일 컬러의 서브화소를 2×2로 그룹지어 형성함으로써 전기영동물질의 주입시 일반적인 전기영동 표시소자에 비해 4배 면적의 영역에 전기영동물질을 주입하므로, 저가의 단순한 공정에 의해 주입이 가능하게 된다.In addition, in the present invention, since the subpixels of the same color are formed in a group of 2.times.2, the electrophoretic substance is injected into the area four times larger than the electrophoretic display element when injecting the electrophoretic substance, So that injection can be performed.

더욱이, 일반적인 주입공정으로 전기영동물질을 주입하는 경우 4배로 증가된 주입면적을 일반적인 전기영동물질 주입시의 주입면적과 동일하게 할 수 있게 되므로, 서브화소의 크기를 1/4로 감소시킬 수 있게 되어 전기영동 표시소자의 해상도를 4배 향상시킬 수 있게 된다.In addition, when the electrophoretic material is injected into the general injection process, the injection area can be four times larger than the injection area when the electrophoretic material is injected. Therefore, the size of the sub pixel can be reduced to 1/4 And the resolution of the electrophoretic display element can be improved by four times.

도 1은 종래 전기영동 표시소자를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명에 따른 전기영동 표시소자의 구조를 나타내는 도면.
도 3a는 본 발명에 따른 전기영동 표시소자의 서브화소 배열을 간략적으로 나타내는 도면.
도 3b는 본 발명에 따른 전기영동 표시소자의 격벽의 구조를 나타내는 사시도.
도 3c는 본 발명에 따른 전기영동 표시소자에서 2개의 동일 컬러 서브화소가 인접하는 구조를 나타내는 단면도.
도 3d는 본 발명에 따른 전기영동 표시소자에서 2개의 동일 컬러 서브화소가 인접하는 다른 구조를 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 전기영동 표시소자의 격벽의 다른 구조를 나타내는 사시도.
도 5는 본 발명에 따른 전기영동 표시소자의 다른 서브화소 배열을 간략적으로 나타내는 도면.
도 6a-도 6f는 본 발명에 따른 전기영동 표시소자의 제조방법을 나타내는 도면.
도 7a 및 도 7b는 각각 본 발명에 따른 전기영동 표시소자의 전기영동층을 형성하는 방법을 나타내는 도면.
도 8a는 전기영동 표시소자의 일반적인 서브화소배열에 전기영동물질을 충진하는 것을 개념적으로 나타내는 도면.
도 8b는 본 발명에 따른 전기영동 표시소자의 서브화소배열에 전기영동물질을 충진하는 것을 개념적으로 나타내는 도면.1 is a view showing a conventional electrophoretic display device.
2 is a view showing the structure of an electrophoretic display device according to the present invention.
3A is a view schematically showing a sub pixel arrangement of an electrophoretic display device according to the present invention;
FIG. 3B is a perspective view showing the structure of the partition of the electrophoretic display element according to the present invention. FIG.
3C is a cross-sectional view showing a structure in which two identical color sub-pixels are adjacent to each other in the electrophoretic display device according to the present invention.
3D is a sectional view showing another structure in which two identical color sub-pixels are adjacent to each other in the electrophoretic display device according to the present invention.
4 is a perspective view showing another structure of a partition wall of the electrophoretic display device according to the present invention;
5 is a view schematically showing another sub-pixel arrangement of an electrophoretic display device according to the present invention.
6A to 6F are views showing a method for manufacturing an electrophoretic display device according to the present invention.
7A and 7B are views showing a method of forming an electrophoretic layer of an electrophoretic display element according to the present invention, respectively.
8A is a conceptual view of filling an electrophoretic substance in a general sub pixel array of an electrophoretic display element;
FIG. 8B conceptually illustrates filling of an electrophoretic substance in a sub-pixel array of an electrophoretic display device according to the present invention. FIG.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 전기영동 표시소자에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, an electrophoretic display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에서는 전기영동층을 박막트랜지스터가 형성되는 제1기판에 직접 형성한다. 즉, 본 발명에서는 박막트랜지스터 제조공정에서 전기영동층을 형성한다. 따라서, 박막트랜지스터의 제조장비를 이용하여 전기영동층을 형성할 수 있기 때문에, 다른 공정상에서 제2기판상에 전기영동층을 형성한 후 제2기판을 제1기판과 합착함으로써 전기영동 표시소자를 완성하는 종래의 방법에 비해 제조공정을 대폭 간소화할 수 있게 된다.In the present invention, the electrophoretic layer is formed directly on the first substrate on which the thin film transistor is formed. That is, in the present invention, an electrophoretic layer is formed in a thin film transistor manufacturing process. Therefore, since the electrophoretic layer can be formed using the manufacturing equipment of the thin film transistor, the electrophoretic layer is formed on the second substrate in another process, and then the second substrate is bonded to the first substrate, It is possible to greatly simplify the manufacturing process as compared with the conventional method of completing the manufacturing process.

통상적으로 제2기판에 전기영동층을 형성하는 종래의 전기영동 표시소자 제조공정에서는 전기영동층을 다른 공장, 심지어는 다른 부품회사로부터 공급받아 이를 박막트랜지스터가 형성되는 제조공장으로 이송한 후, 제1기판과 합착해야만 하기 때문에 제조공정이 지연되고 번거로울 뿐만 아니라 차량과 같은 이송수단에 의해 제2기판을 이송하는 과정에서 제2기판이 파손되는 문제도 있었다.In a conventional electrophoretic display device manufacturing process of forming an electrophoretic layer on a second substrate, the electrophoretic layer is supplied from another factory or even another part supplier and transferred to a manufacturing factory where the thin film transistor is formed, There is a problem that the manufacturing process is delayed and troublesome, and the second substrate is damaged in the process of transferring the second substrate by the transfer means such as a vehicle.

반면에, 본 발명에서는 이미 존재하는 박막트랜지스터 제조장비를 이용하여 전자잉크층을 제1기판상에 형성하므로, 신속한 전기영동 표시소자의 제작이 가능하게 된다.On the other hand, in the present invention, since the electronic ink layer is formed on the first substrate using the existing thin film transistor manufacturing equipment, a rapid electrophoretic display device can be manufactured.

또한, 본 발명에서는 화소를 R,G,B,Black의 4개의 서브화소를 구성하며, 서로 인접하는 4개 화소의 동일한 컬러의 서브화소가 정사각형상을 이루도록 하여 전기영동층의 형성시 서로 인접하는 4개 화소의 동일 컬러의 서브화소의 전기영동층을 동시에 형성함으로써 제조공정을 단순화할 수 있고 해상도를 향상시킬 수 있게 된다.In the present invention, four sub-pixels of R, G, B, and black are constituted by pixels, and sub-pixels of the same color of four adjacent pixels form a square image, It is possible to simplify the manufacturing process and improve the resolution by simultaneously forming the electrophoretic layers of sub pixels of the same color of four pixels.

도 2는 본 발명에 따른 전기영동 표시소자의 일 서브화소의 구조를 나타내는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view showing the structure of one sub-pixel of the electrophoretic display element according to the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전기영동 표시소자에서는 제1기판(120) 위에 박막트랜지스터가 형성된다. 상기 박막트랜지스터는 제1기판(120)에 형성된 게이트전극(111)과, 상기 제1기판(120) 전체에 걸쳐 형성된 게이트절연층(122)과, 상기 게이트절연층(122) 위에 형성된 반도체층(113)과, 상기 반도체층(113) 위에 형성된 소스전극(115) 및 드레인전극(116)으로 이루어진다.As shown in FIG. 2, in the electrophoretic display device according to the present invention, a thin film transistor is formed on the first substrate 120. The thin film transistor includes a gate electrode 111 formed on a first substrate 120, a gate insulating layer 122 formed on the entire surface of the first substrate 120, and a semiconductor layer And a source electrode 115 and a drain electrode 116 formed on the semiconductor layer 113.

도면에는 도시하지 않았지만, 제1기판(120)에는 복수의 게이트라인 및 데이터라인이 배치되며, 박막트랜지스터는 게이트라인 및 데이터라인의 교차점에 배치되어, 박막트랜지스터의 게이트전극(111)이 게이트라인에 접속되고 소스전극(115)이 데이터라인에 접속된다.Although not shown in the figure, a plurality of gate lines and data lines are disposed on the first substrate 120, thin film transistors are arranged at the intersections of the gate lines and the data lines, and the gate electrodes 111 of the thin film transistors are connected to the gate lines And the source electrode 115 is connected to the data line.

상기 박막트랜지터(107)가 형성된 제1기판(120)에는 보호층(124)이 형성되며, 보호층(124) 위의 화상표시부에는 화소전극(118)이 형성된다. 상기 보호층(124)은 박막트랜지스터가 형성된 제 1 기판(120)의 표면을 평탄화시키는 것을 주요 목적으로하면서, 부수적으로 제 1 기판(120)상에 형성되어 있는 박막트랜지스터를 외부환경으로부터 보호한다. 상기 화소전극(118)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oixde)와 같은 투명도전물질이나 불투명한 금속으로 이루어진다.A protective layer 124 is formed on the first substrate 120 on which the thin film transistor 107 is formed and a pixel electrode 118 is formed on the image display portion on the protective layer 124. The protective layer 124 mainly protects the thin film transistor formed on the first substrate 120 from the external environment while the main purpose is to planarize the surface of the first substrate 120 on which the thin film transistor is formed. The pixel electrode 118 is formed of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) or an opaque metal.

상기 보호층(124) 위, 화소영역의 화상비표시부에는 격벽(180)이 형성되어 서브화소를 구획한다. 화상표시부의 격벽(180)과 격벽 사이의 서브화소에는 전기영동층(160)이 형성된다. 상기 전기영동층(160)은 전기영동물질로 이루어지는데, 이러한 전기영동물질은 양전하 및 음전하 특성을 갖는 입자로 이루어진다. A barrier rib 180 is formed on the passivation layer 124 and the image non-display portion of the pixel region to divide the sub-pixels. An electrophoretic layer 160 is formed on a sub-pixel between the barrier rib 180 of the image display unit and the barrier rib. The electrophoretic layer 160 is made of an electrophoretic material, and the electrophoretic material is composed of particles having positive and negative charge characteristics.

이때, 상기 입자는 화이트입자(164)와 블랙입자일 수도 있고, 시안(cyan), 마젠타(Magenta), 옐로우(yellow)와 같은 컬러입자 또는 R(Red), G(Green), B(Blue)와 같은 컬러입자(165)일 수도 있다.The particles may be white particles 164 and black particles or colored particles such as cyan, magenta and yellow or red (R), green (G), and blue (B) Or the like.

화이트입자(164)의 경우 TiO2와 같은 반사율이 좋은 입자를 사용하며, 블랙입자의 경우 카본블랙(canbon black) 등과 같은 블랙특성을 갖는 입자를 사용한다. 이때, 화이트입자(164)가 음전하특성을 갖고 블랙입자가 양전하특성을 기질 수도 있고 화이트입자(164)가 양전하특성을 갖고 블랙입자가 음전하특성을 가질 수도 있을 것이다.In the case of white particles 164, particles having good reflectance such as TiO 2 are used, and in the case of black particles, particles having black characteristics such as carbon black are used. At this time, the white particles 164 may have a negative charge characteristic, the black particles may serve as a positive charge characteristic, the white particles 164 may have a positive charge characteristic, and the black particles may have a negative charge characteristic.

또한, 컬러입자(165)의 경우 전하특성을 갖는 색소로서, 이때 컬러입자는 음전하를 가질 수도 있고 음전하를 가질 수도 있을 것이다.Further, in the case of the color particles 165, a coloring matter having a charge characteristic, in which case the color particles may have a negative charge and may have a negative charge.

상기 전기영동물질에는 액상폴리머와 같은 분산매질이 포함될 수 있다. 이 분산매질은 블랙입자나 화이트입자, 컬러입자가 분포되는 것으로, 액상 폴리머와 같은 액체일 수도 있고 공기 자체일 수도 있다. 상기와 같이 분산매질이 공기 자체라는 것은 분산매질이 없어도 전압이 인가됨에 따라 입자가 공기중에서 움직인다는 것을 의미한다.The electrophoretic material may include a dispersion medium such as a liquid polymer. This dispersion medium is a black particle, a white particle, or a colored particle, and may be a liquid such as a liquid polymer or air itself. As described above, when the dispersion medium is the air itself, it means that the particles move in the air as the voltage is applied without the dispersion medium.

상기 전기영동층(160)은 격벽(180)에 의해 인접하는 서브화소의 전기영동층(160)과는 분리된다. 즉, 격벽(180)에 의해 해당 화소영역의 전기영동층(160)이 인접하는 서브화소의 전기영동층(160)로 독립적으로 구동하여 해당 서브화소에 화상신호가 인가되는 경우, 이에 대응하는 컬러를 구현하게 된다. The electrophoretic layer 160 is separated from the electrophoretic layer 160 of the adjacent sub-pixel by the partition 180. That is, when the electrophoretic layer 160 of the corresponding pixel region is independently driven by the electrophoretic layer 160 of the adjacent sub-pixel by the barrier 180 and an image signal is applied to the sub-pixel, .

상기 격벽(180)에 의해 구획된 전기영동층(160)은 실링층(168)에 의해 실링된다. 제2기판(140)에는 공통전극(142)이 형성된다. 상기 공통전극(142)은 ITO나 IZO와 같이 투명한 도전물질을 적층함으로써 형성된다.The electrophoresis layer 160 partitioned by the barrier ribs 180 is sealed by a sealing layer 168. A common electrode 142 is formed on the second substrate 140. The common electrode 142 is formed by laminating a transparent conductive material such as ITO or IZO.

상기와 같이, 본 발명에서는 전기영동층(160)이 직접 제1기판(120)에 형성되므로, 전기영동층이 제2기판(140)에 형성되는 종래에 비해 전기영동층을 제2기판(140)에 부착하기 위한 접착층이나 접착층을 보호하기 위한 보호필름 등이 필요없게 된다. 또한, 본 발명에서는 전기영동층(160)을 기존의 박막트랜지스터 형성공정라인, 예를 들면 절연층 형성 등과 같은 공정라인에서 형성할 수 있기 때문에, 별도의 공정라인이 필요없게 되므로 제조비용을 더욱 절감할 수 있게 된다.As described above, since the electrophoretic layer 160 is directly formed on the first substrate 120, the electrophoretic layer can be formed on the second substrate 140 ) Or a protective film for protecting the adhesive layer. Further, in the present invention, since the electrophoretic layer 160 can be formed in a process line such as a conventional thin film transistor formation process line, for example, an insulation layer formation, a separate process line is not required, .

또한, 별도의 공장이나 제조업체에서 전기영동층을 제작하여 이를 운송하여 제2기판에 부착하고 이 제2기판을 다시 제1기판과 합착하는 종래에 비해, 본 발명에서는 전기영동층의 이송이나 전기영동층이 부착 등의 공정이 필요없게 되므로 제조공정을 단순화할 수 있게 된다.In addition, compared with the prior art in which an electrophoresis layer is manufactured by a separate factory or a manufacturer, and the electrophoresis layer is transported and attached to the second substrate and the second substrate is bonded to the first substrate again, It is possible to simplify the manufacturing process since the process such as adhesion of layers is not required.

한편, 본 발명에서는 상기와 같은 구조의 서브화소가 복수개 모여 하나의 화소를 구성하며, 이 화소에 의해 화상이 구성된다. 이때, 본 발명에서는 화소가 4개의 서브화소로 이루어진다. 즉, R,G,B,Black의 4개의 서브화소나 R,G,B,White의 4개의 서브화소에 의해 화소가 형성된다.Meanwhile, in the present invention, a plurality of sub-pixels having the above-described structure are gathered to constitute one pixel, and an image is constituted by the pixel. In this case, the pixel includes four sub-pixels. That is, pixels are formed by four sub-pixels of R, G, B, and Black or four sub-pixels of R, G, B, and White.

이하, 서브화소의 구조가 상기와 같은 형상으로 이루어진 실제 전기영동 표시소자의 화소배열을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the pixel arrangement of an electrophoretic display device having the sub-pixel structure as described above will be described.

도 3은 복수의 서브화소를 갖는 본 발명의 전기영동 표시소자의 구조를 나타내는 도면으로, 도 3a는 화소배열을 간략하게 나타내는 도면이고 도 3b는 격자형의 형상을 나타내는 사시도이며 도 3c 및 도 3d는 도 3a의 I-I선 단면도로서 2개의 동일한 컬러의 서브화소를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a diagram showing the structure of an electrophoretic display element of the present invention having a plurality of sub-pixels, wherein FIG. 3A is a simplified view of a pixel arrangement, FIG. 3B is a perspective view showing a lattice- Is a sectional view taken along the line II in Fig. 3A, showing two sub-pixels of the same color.

도 3a에 도시된 바와 같이, 전기영동 표시소자에는 R,G,B,Black 서브화소가 배열되며, 이때 동일한 컬러의 서브화소가 4개씩 모여 배열된다. 즉, 동일한 컬러의 서브화소가 2×2로 배열된다. 이러한 2×2로 배열된 동일 컬러 서브그룹은 다시 2×2로 배열된다. 즉, 도 3a에 도시된 바와 같이, R,G,B,Black의 서브화소가 각각 2×2로 그룹지어져 배열되며, R서브화소 그룹 좌측에 G서브화소그룹이 배치되고, R서브화소그룹 및 G서브화소의 아래쪽에는 각각 Black 서브화소그룹 및 B서브화소그룹이 배치되어, R,G,B,Black 서브화소그룹이 2×2로 배열된다.As shown in FIG. 3A, R, G, B, and Black subpixels are arranged in the electrophoretic display device, and four subpixels of the same color are arranged in four. That is, sub-pixels of the same color are arranged in 2x2. These 2 × 2 arranged color subgroups are arranged in 2 × 2 again. That is, as shown in FIG. 3A, the R, G, B, and Black subpixels are arranged in a group of 2 × 2, the G subpixel group is arranged on the left side of the R subpixel group, A black subpixel group and a B subpixel group are arranged below the G subpixels, and R, G, B, and Black subpixel groups are arranged in 2x2.

화소는 각각 2×2로 배열된 R,G,B,Black 서브화소그룹이 모두 인접하는 영역의 서로 다른 컬러를 갖는 4개의 서브화소가 2×2의 배열로 형성된다. 따라서, 화소는 시계방향으로 R,G,B,Black 서브화소 배열, G,R,Black,B 서브화소 배열, Black,B,G,R 서브화소 배열, B,Black,R,G 서브화소 배열로 형성된다.Pixels are formed in a 2x2 array of four subpixels having different colors of adjacent regions in which R, G, B, and Black subpixel groups arranged in 2x2, respectively. Therefore, the pixel is arranged in the clockwise direction in the order of R, G, B, and black subpixel arrays, G, R, Black, B subpixel arrays, Black, B, G and R subpixel arrays, .

이와 같이, 본 발명에서는 동일한 컬러의 서브화소를 2×2로 그룹지어 배열하여 전기영동 표시소자 전체에 4-서브화소에 의한 화소를 형성하기 때문에, 전기영동층을 형성할 때 전체 화소에 배치된 동일 컬러의 서브화소가 서로 분리되어 각각의 서브화소에 전기영동물질을 주입하여 형성하는 것이 아니라 서로 집합되어 있는 4개의 서브화소에 동일 컬러의 전기영동물질을 주입할 수 있게 된다. 따라서, 상대적으로 넓은 공간에 전기영동물질을 주입하게 되므로 주입공정이 용이하게 되며, 서브화소의 크기를 상대적으로 작게 형성하여도 전기영동물질의 주입이 가능하므로 해상도를 향상시킬 수 있게 된다.As described above, in the present invention, since the subpixels of the same color are arranged in a group of 2 × 2 to form pixels of 4-subpixels on the entire electrophoretic display element, when the electrophoretic layer is formed, It is possible to inject the electrophoretic material of the same color into the four sub-pixels which are gathered together, instead of forming the sub-pixels of the same color separated from each other and injecting the electrophoretic material into each sub-pixel. Accordingly, since the electrophoretic material is injected into a relatively large space, the injection process is facilitated and the electrophoretic material can be injected even if the size of the sub-pixel is relatively small, so that the resolution can be improved.

도 3b에 도시된 바와 같이, 전기영동 표시소자에 형성되는 격벽은 전체 서브화소를 구획하여 각각의 구획된 영역에 전기영동층이 형성되도록 한다. 이때, 동일한 컬러의 2×2 서브화소그룹과 다른 컬러의 2×2 서브화소그룹을 분리하는 격벽(180)과 서브화소그룹내의 서브화소들을 분리하는 격벽(181)은 실질적으로 동일한 형태로 형성된다. 즉 서브화소그룹을 다른 서브화소그룹과 분리하는 격벽(180)의 높이(h1) 및 두께(t1)가 서브화소그룹내의 서브화소를 분리하는 분리하는 격벽(181)의 높이(h2)와 두께(t2)가 동일하게 형성되는 것이다. As shown in FIG. 3B, the partition formed in the electrophoretic display element divides all of the sub-pixels and forms an electrophoretic layer in each of the divided areas. At this time, the partition 180 separating the 2x2 subpixel group of the same color and the 2x2 subpixel group of the other color and the partition 181 separating the subpixels in the subpixel group are formed in substantially the same shape . The height h1 and the thickness t1 of the partition 180 separating the subpixel group from the other subpixel group are set so as to satisfy the relationship of the height h2 and the thickness h2 of the partitioning wall 181 separating the sub- t2 are formed in the same manner.

이때, 높이는 동일하게 형성하고(h1=h2) 두께(t1>t2)는 다르게 형성할 수도 있다. 이와 같이 서브화소그룹내의 서브화소를 분리하는 분리하는 격벽(181)의 두께(t2)를 서브화소그룹을 다른 서브화소그룹과 분리하는 격벽(180)의 두께(t1) 보다 작게함으로써 격벽의 전체 면적을 감소시킬 수 있게 되며, 그 결과 전기영동층이 형성되는 면적을 증가시킬 수 있게 되어 개구율을 향상시킬 수 있게 된다.At this time, the heights may be formed to be the same (h1 = h2) and the thickness (t1 > t2) may be formed differently. The thickness t2 of the partition 181 for separating the sub pixels in the sub pixel group is smaller than the thickness t1 of the partition 180 separating the sub pixel group from the other sub pixel groups, As a result, the area where the electrophoretic layer is formed can be increased, and the aperture ratio can be improved.

도 3c에 도시된 바와 같이, 동일한 컬러의 인접하는 서브화소(여기서는 R 서브화소)은 각각 제1기판(120) 위에 제1게이트전극(111a) 및 제2게이트전극(111b)가 형성되며, 상기 제1게이트전극(111a) 위에는 게이트절연층(122)이 형성된다. 상기 게이트절연층(122) 위에 제1반도체층(113a)이 형성되고 상기 제1반도체층(113a) 위에 제1소스전극(115a) 및 제1드레인전극(116a)이 형성되어 제1서브화소(Pr1)에 박막트랜지스터가 형성된다. 또한, 상기 제2게이트전극(111b) 위에는 제2반도체층(113b)이 형성되고 상기 제2반도체층(113b) 위에 제2소스전극(115b) 및 제2드레인전극(116b)이 형성되어 제2서브화소(Pr2)에 박막트랜지스터가 형성된다.As shown in FIG. 3C, a first gate electrode 111a and a second gate electrode 111b are formed on the first substrate 120, and adjacent sub-pixels (here, R sub-pixels) A gate insulating layer 122 is formed on the first gate electrode 111a. A first semiconductor layer 113a is formed on the gate insulating layer 122 and a first source electrode 115a and a first drain electrode 116a are formed on the first semiconductor layer 113a to form a first sub- A thin film transistor is formed. A second semiconductor layer 113b is formed on the second gate electrode 111b and a second source electrode 115b and a second drain electrode 116b are formed on the second semiconductor layer 113b. A thin film transistor is formed in the sub-pixel Pr2.

상기 박막트랜지터 위에는 제1기판(120) 전체에 걸쳐 보호층(124)이 형성되며, 상기 보호층(124) 위에 각각 제1화소전극(118a) 및 제2화소전극(118b)이 형성된다. 이때, 상기 제1화소전극(118a) 및 제2화소전극(118b)은 서로 단선되어 전기적으로 분리되며, 상기 분리된 영역에 격벽(181)이 형성된다.A protective layer 124 is formed on the entire surface of the first substrate 120 on the thin film transistor and a first pixel electrode 118a and a second pixel electrode 118b are formed on the protective layer 124, At this time, the first pixel electrode 118a and the second pixel electrode 118b are electrically disconnected from each other, and a barrier rib 181 is formed in the separated region.

제2기판(140) 위에는 공통전극(142)이 형성되고 그 위에 실링층(168)이 형성된다. 상기 제1기판(120)과 제2기판(140) 사이에는 격벽(180,181)이 형성되는데, 상기 제2격벽(181)은 제1서브화소(Pr1)과 제2서브화소(Pr2)를 구획하며 제1격벽(180)은 서브화소그룹과 다른 서브화소그룹을 구획한다.A common electrode 142 is formed on the second substrate 140, and a sealing layer 168 is formed thereon. Partitions 180 and 181 are formed between the first substrate 120 and the second substrate 140. The second partition 181 divides the first sub-pixel Pr1 and the second sub-pixel Pr2 The first barrier ribs 180 partition sub-pixel groups and other sub-pixel groups.

상기 제1기판(120) 및 제2기판(140) 사이에는 제1전기영동층(160r1) 및 제2전기영동층(160r2)이 형성된다. 이때, 상기 제2격벽(181)의 높이가 제1격벽(180)의 높이와 동일하므로, 제1전기영동층(160r1) 및 제2전기영동층(160r2)은 서로 완전히 분리된다.A first electrophoretic layer 160r1 and a second electrophoretic layer 160r2 are formed between the first substrate 120 and the second substrate 140. [ At this time, since the height of the second bank 181 is equal to the height of the first bank 180, the first electrophoretic layer 160r1 and the second electrophoretic layer 160r2 are completely separated from each other.

전기영동물질은 액상폴리머와 같은 분산매질과 화이트입자(164) 및 R-컬러입자(165r)로 이루어져, 화소전극(118a)에 신호가 인가됨에 따라 상기 화이트입자(164)와 R-컬러입자(165r)가 제1전기영동층(160r1) 및 제2전기영동층(160r2)에서 상하로 이동함으로써 R-컬러를 구현한다.The electrophoretic material is composed of a dispersion medium such as liquid polymer and white particles 164 and R-color particles 165r so that the white particles 164 and the R-color particles 165r move up and down in the first electrophoresis layer 160r1 and the second electrophoresis layer 160r2 to realize R-color.

도면에는 도시하지 않았지만, G-서브화소의 경우 전기영동물질은 분산매질과 화이트입자 및 G-컬러입자로 이루어지고 R-서브화소의 경우 전기영동물질은 분산매질과 화이트입자 및 R-컬러입자로 이루어지며, Black 서브화소의 경우 전기영동물질은 분산매질과 블랙입자로 이루어진다.Although not shown in the figure, in the case of G-sub pixels, the electrophoretic material is composed of a dispersion medium and white particles and G-color particles. In the case of R-sub pixels, the electrophoretic material is composed of a dispersion medium and white particles and R- In the case of a black sub-pixel, the electrophoretic material is composed of a dispersion medium and black particles.

이러한 구조의 전기영동 표시소자에서는 동일한 컬러의 인접하는 서브화소 각각에 박막트랜지스터 및 화소전극이 별개로 형성되어 제1전기영동층(160r1) 및 제2전기영동층(160r2)를 별개로 구동함으로써 별도의 하나의 서브화소그룹내에 배치된 각각의 서브화소에 별도로 컬러를 구현할 수 있게 된다.In the electrophoretic display device having such a structure, the thin film transistor and the pixel electrode are separately formed in adjacent sub-pixels of the same color so that the first electrophoretic layer 160r1 and the second electrophoretic layer 160r2 are driven separately, Pixel can be separately implemented in each sub-pixel disposed in one sub-pixel group of the sub-pixel group.

도 3d는 2개의 동일 컬러 서브화소가 인접한 전기영동 표시소자의 다른 구조를 나타내는 도면이다.3D is a view showing another structure of an electrophoretic display element in which two identical color sub-pixels are adjacent to each other.

도 3d의 구조와 도 3c의 구조는 단지 화소전극 및 박막트랜지스터에만 차이가 있고 다른 구조는 모두 동일하다. 즉, 도 3c에서는 각각의 서브화소에 박막트랜지스터가 형성되고 전기영동층과 화소전극이 인접하는 서브화소와는 분리되어 있지만, 도 3d의 구조에서는 박막트랜지스터가 하나만 형성되어 있고 인접하는 서브화소의 화소전극이 전기적으로 연결되어 있다. 즉, 하나의 박막트랜지스터를 인접하는 서브화소가 공유하여, 하나의 박막트랜지스터에 의해 인접하는 서브화소의 전기영동층이 작동함으로써 컬러를 구현하는 것이다.The structure of FIG. 3D and the structure of FIG. 3C differ only in the pixel electrode and the thin film transistor, and all other structures are the same. 3C, a thin film transistor is formed in each sub-pixel and the electrophoretic layer and the pixel electrode are separated from the adjacent sub-pixel. However, in the structure of FIG. 3D, only one thin film transistor is formed, The electrodes are electrically connected. That is, one thin film transistor is shared by adjacent sub pixels, and the electrophoresis layer of an adjacent sub pixel is operated by one thin film transistor to realize color.

상기 도면에서는 인접하는 2개의 서브화소가 하나의 박막트랜지스터에 의해 작동하지만, 실제로는 도 3a에 도시된 2×2로 배열된 4개의 서브화소가 모두 하나의 박막트랜지스터에 의해 작동될 것이다.In this figure, two adjacent sub-pixels are operated by one thin film transistor, but in reality, all of the four sub-pixels arranged in 2 x 2 shown in Fig. 3A will be operated by one thin film transistor.

한편, 본 발명에서는 제1기판(120) 및 제2기판(140) 사이에 형성되는 제1격벽(180) 및 제2격벽(181)을 다른 형상을 형성할 수도 있다. 도 4는 상기 제1격벽(180) 및 제2격벽(181)이 다른 형상으로 형성된 구조를 나타내는 사시도이다.In the present invention, the first barrier rib 180 and the second barrier rib 181 formed between the first substrate 120 and the second substrate 140 may have different shapes. 4 is a perspective view illustrating a structure in which the first barrier rib 180 and the second barrier rib 181 are formed in different shapes.

도 4에 도시된 바와 같이, 이 구조의 전기영동 표시소자에서는 서브화소그룹내의 서브화소를 분리하는 제2격벽(181)의 높이(h2)가 서브화소그룹을 다른 서브화소그룹과 분리하는 제1격벽(180)의 높이(h1) 보다 작게 형성된다. 이때, 상기 전기영동층을 실링하는 실링층의 두께를 도 3a의 구조 경우 보다 두껍게 형성하여 상기 실링층이 더 낮은 제2격벽(181)의 상면과 접촉하도록 하여 각각의 서브화소의 전기영동층을 인접하는 서브화소의 전기영동층과 격리할 수 있다. 또한, 상기 실링층으로 전기영동층을 격리하지 않고 전기영동물질을 제1격벽(180)의 높이까지 충진하여 서브화소그룹내의 서브화소들 사이로 전기영동물질이 유통시킬 수도 있을 것이다.4, in the electrophoretic display device of this structure, the height h2 of the second partition 181 for separating the sub-pixels in the sub-pixel group is smaller than the height h2 of the first partition 181 separating the sub- Is smaller than the height (h1) of the barrier ribs (180). At this time, the thickness of the sealing layer sealing the electrophoretic layer is made thicker than that of the structure of FIG. 3A, so that the sealing layer is brought into contact with the upper surface of the lower second partition 181 to form the electrophoretic layer of each sub- Pixel can be isolated from the electrophoretic layer of the adjacent sub-pixel. In addition, the electrophoretic material may be filled up to the height of the first bank 180 without isolating the electrophoretic layer with the sealing layer, thereby allowing the electrophoretic material to flow between the sub pixels in the sub pixel group.

이러한 구조의 전기영동 표시소자에서는 서브화소그룹내의 서브화소를 분리하는 제2격벽(181)의 두께(t2)와 서브화소그룹을 다른 서브화소그룹과 분리하는 제1격벽(180)의 두께(t1)를 동일하게 형성할 수도 있고 서브화소그룹내의 서브화소를 분리하는 제2격벽(181)의 두께(t2)를 서브화소그룹을 다른 서브화소그룹과 분리하는 제1격벽(180)의 두께(t1) 보다 얇게 형성할 수도 있을 것이다.In the electrophoretic display device having such a structure, the thickness t2 of the second partition 181 for separating the sub-pixels in the sub-pixel group and the thickness t1 of the first partition 180 separating the sub- The thickness t2 of the second barrier rib 181 for separating the sub pixels in the sub pixel group may be equal to the thickness t1 of the first barrier rib 180 separating the sub pixel group from other sub pixel groups ) May be formed.

도 5는 본 발명에 따른 전기영동 표시소자의 다른 화소배열을 간략하게 나타내는 도면이다.5 is a view schematically showing another pixel arrangement of the electrophoretic display element according to the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 이 구조의 전기영동 표시소자에는 R,G,B,White 서브화소가 배열되며, 이때 동일한 컬러의 서브화소가 4개씩 모여 배열된다. 즉, 동일한 컬러의 서브화소가 2×2로 배열된다. 이러한 2×2로 배열된 동일 컬러 서브그룹은 다시 2×2로 배열된다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, R,G,B,White의 서브화소가 각각 2×2로 그룹지어져 배열되며, R서브화소 그룹 좌측에 G서브화소그룹이 배치되고, R서브화소그룹 및 G서브화소의 아래쪽에는 각각 White 서브화소그룹 및 B서브화소그룹이 배치되어, R,G,B,White 서브화소그룹이 2×2로 배열된다.As shown in FIG. 5, R, G, B, and White sub-pixels are arranged in the electrophoretic display element of this structure, and four sub-pixels of the same color are arranged in four groups. That is, sub-pixels of the same color are arranged in 2x2. These 2 × 2 arranged color subgroups are arranged in 2 × 2 again. That is, as shown in FIG. 5, sub-pixels of R, G, B, and White are arranged in a group of 2 × 2, a G sub pixel group is arranged on the left side of the R sub pixel group, The white subpixel group and the B subpixel group are arranged below the G subpixel, and the R, G, B, and White subpixel groups are arranged in 2x2.

화소는 2×2로 배열된 R,G,B,White 서브화소그룹이 모두 인접하는 영역의 서로 다른 컬러를 갖는 4개의 서브화소가 2×2의 배열로 형성된다. 따라서, 화소는 시계방향으로 R,G,B,White 서브화소 배열, G,R,White,B 서브화소 배열, White,B,G,R 서브화소 배열, B,White,R,G 서브화소 배열로 형성된다.Pixels are formed in a 2x2 array of four subpixels having different colors of adjacent regions in which R, G, B, and White subpixel groups arranged in 2x2 are all adjacent. Thus, the pixel is arranged in a clockwise direction in the order of R, G, B, and White subpixels, G, R, .

이러한 구조로 서브화소가 배열된 전기영동 표시소자에서도 도 3b-도 3d 및 도 4에 도시된 구조와 동일한 구조로 서브화소가 형성되어, 전체 화소에 배치된 동일 컬러의 서브화소가 서로 분리되어 각각의 서브화소에 전기영동물질을 주입하여 형성하는 것이 아니라 서로 집합되어 있는 4개의 서브화소에 동일 컬러의 전기영동물질을 주입할 수 있게 된다. In the electrophoretic display device in which the sub-pixels are arranged in this structure, the sub-pixels are formed in the same structure as the structures shown in FIGS. 3B-3D and 4, so that the sub-pixels of the same color arranged in all the pixels are separated from each other The electrophoretic material of the same color can be injected into the four sub-pixels which are gathered together without forming the electrophoretic material into the sub-pixels of the sub-pixel.

단, 이 구조에서는 R,G,B 서브화소의 전기영동층에 각각 R,G,B-컬리입자와 블랙입자가 포함되며, White 서브화소의 전기영동층에는 화이트입자가 포함된다.However, in this structure, R, G, B-colored particles and black particles are included in the electrophoresis layer of the R, G, and B sub pixels, respectively, and white particles are included in the electrophoresis layer of the white sub pixels.

도 2를 참조하여 상기와 같은 구조의 전기영동 표시소자 구동을 살펴보면 다음과 같다.Referring to FIG. 2, the operation of the electrophoretic display device having the above structure will be described below.

외부의 게이트구동부로부터 게이트라인(105)을 통해 박막트랜지스터(107)에 주사신호가 입력되면, 박막트랜지스터(107)의 반도체층(113)이 활성화되어, 외부의 데이터구동부로부터 데이터라인(106)을 통해 입력되는 화상신호가 박막트랜지스터(107)의 소스전극(115), 반도체층(113)의 채널영역 및 드레이전극(116)을 거쳐 화소전극(118)으로 입력된다. 이와 동시에, 외부의 공통전압 공급부로부터 공통전압 공급라인(183)을 통해 공통전압이 공급되면, 이 공통전압은 제2격벽(180b)에 의해 형성되는 도전층(184)을 통해 제2기판(140)의 공통전극(142)으로 인가되어, 상기 화소전극(118)과 공통전극(142) 사이에 전계가 형성된다.When the scanning signal is inputted from the external gate driver to the thin film transistor 107 through the gate line 105, the semiconductor layer 113 of the thin film transistor 107 is activated and the data line 106 from the external data driver An image signal to be inputted is inputted to the pixel electrode 118 through the source electrode 115 of the thin film transistor 107, the channel region of the semiconductor layer 113 and the drain electrode 116. [ At the same time, when a common voltage is supplied from an external common voltage supply line through the common voltage supply line 183, the common voltage is applied to the second substrate 140 , And an electric field is formed between the pixel electrode 118 and the common electrode 142. As a result,

화이트입자(164)는 양전하 특성을 갖고 R,G,B 컬러입자나 시안(cyan), 마젠타(Magenta), 옐로우(yellow)와 같은 컬러입자(165)는 음전하특성을 갖기 때문에, 화소전극(118)과 공통전극(142) 사이에 발생하는 전계에 의해 상기 화이트입자(1640)와 컬러입자(165)가 전기영동층(160) 내에서 이동하게 된다.White particles 164 have positive charge characteristics and color particles 165 such as R, G, and B color particles or cyan, magenta, and yellow have negative charge characteristics, The white particles 1640 and the color particles 165 are moved in the electrophoresis layer 160 by an electric field generated between the common electrode 142 and the common electrode 142.

예를 들어, 화이트입자(164)가 (+) 전하를 갖고 컬러입자(165)가 (-) 전하를 갖는 경우, 화소전극(118)에 (+)전압이 인가되면 제2기판(140)의 공통전극(142)은 상대적으로 (-)전위를 가지게 되므로, (-)전하를 띄는 컬러입자(165)는 제1기판(140)쪽으로 이동하게 되고 (+) 전하를 띄는 화이트입자(164)는 제2기판(140)쪽으로 이동하게 된다.For example, when a positive voltage is applied to the pixel electrode 118 when the white particles 164 have a positive charge and the color particles 165 have a negative charge, Since the common electrode 142 has a relatively negative potential, the color particles 165 having a negative charge move toward the first substrate 140 and the white particles 164 having a positive charge And moves to the second substrate 140 side.

따라서, 외부, 즉 제2기판(140)의 상부로부터 광이 입력되면, 입력된 광이 상기 화이트입자(164)에 의해 대부분 반사되므로 전기영동 표시소자에는 화이트가 구현된다. Therefore, when light is input from the outside, that is, from the upper portion of the second substrate 140, the inputted light is mostly reflected by the white particles 164, so that white is realized in the electrophoretic display element.

이때, 인가되는 화소전극(118)에 인가되는 전압의 세기에 따라 제2기판(140)쪽으로 이동하는 화이트입자(164)의 밀도 또는 제2기판(140)과의 간격이 달라지기 때문에, 외부로부터 입력되어 화이트입자(164)에 의해 반사되는 광의 세기도 달라지게 되므로, 원하는 휘도의 구현할 수 있게 된다.Since the density of the white particles 164 moving toward the second substrate 140 or the interval between the white particles 164 and the second substrate 140 varies depending on the intensity of the voltage applied to the pixel electrode 118, The intensity of the light reflected by the white particles 164 is also changed, so that a desired luminance can be realized.

반대로, 상기 화소전극(118)에 (-)전압이 인가되면, 제2기판(140)의 공통전극(142)은 (+)전위를 가지게 되어, (+)전하를 띄는 화이트입자(164)는 제1기판(120)으로 이동하고 (-) 전하를 띄는 컬러입자(165)는 제2기판(140)쪽으로 이동하게 되어 외부로부터 광이 입력되면, 상기 컬러입자(165)에 의해 광이 반사되어 컬러입자(165)에 대응하는 컬러를 구현하게 된다.On the other hand, when a negative voltage is applied to the pixel electrode 118, the common electrode 142 of the second substrate 140 has a (+) potential, and the white particles 164 having (+ The color particles 165 moving to the first substrate 120 and having a negative charge move toward the second substrate 140. When light is input from the outside, light is reflected by the color particles 165 The color corresponding to the color particles 165 is realized.

한편, 화이트입자(164)가 (-)전하를 갖고 컬러입자(165)가 (+)전하를 갖는 경우에도 화이트입자(164) 및 컬러입(165)는 반대 전위의 신호가 입력되면 동일하게 동작하므로, 신호에 따라 컬러와 화이트를 구현하게 된다.On the other hand, even when the white particles 164 have a negative charge and the color particles 165 have a positive charge, the white particles 164 and the color port 165 operate in the same manner Therefore, color and white are realized according to the signal.

상기와 같이 서브화소에 컬러와 화이트를 구현함으로써 화소전극(118)에 인가되는 신호에 따라 R,G,B 컬러입자나 시안(cyan), 마젠타(Magenta), 옐로우(yellow)와 같은 컬러입자가 제2기판(140)을 이동하여 해당 컬러 혹은 다른 화소와 혼합된 컬러를 구현할 수 있게 된다.By implementing color and white in the sub-pixel as described above, color particles such as R, G, and B color particles, cyan, magenta, and yellow are formed in accordance with a signal applied to the pixel electrode 118 The second substrate 140 can be moved to realize a color mixed with the corresponding color or another pixel.

도 6a-도 6f는 본 발명에 따른 전기영동 표시소자의 제조방법을 나타내는 도면이다.6A to 6F are views showing a method of manufacturing an electrophoretic display device according to the present invention.

우선, 도 6a에 도시된 바와 같이, 유리나 플라스틱과 같이 투명한 물질로 이루어진 제1기판(120) 위에 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금과 같이 도전성이 좋은 불투명 금속을 스퍼터링법(sputtering process)에 의해 적층한 후 사진식각방법(photolithography process)에 의해 식각하여 게이트전극(111)을 형성한 후, 상기 게이트전극(111)이 형성된 제1기판(120) 전체에 걸쳐 CVD(Chemicla Vapor Deposition)법에 의해 SiO2나 SiNx 등과 같은 무기절연물질을 적층하여 게이트절연층(122)을 형성한다.6A, an opaque metal having good conductivity such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or Al alloy is formed on a first substrate 120 made of a transparent material such as glass or plastic by a sputtering method a gate electrode 111 is formed by a photolithography process to form a gate electrode 111 and then a CVD (Chemical Vapor) process is performed over the entire surface of the first substrate 120 on which the gate electrode 111 is formed. An inorganic insulating material such as SiO 2 or SiN x is deposited by a deposition method to form a gate insulating layer 122.

이어서, 도 6b에 도시된 바와 같이, 제1기판(120) 전체에 걸쳐 비정질실리콘(a-Si)과 같은 반도체물질을 CVD법에 의해 적층한 후 식각하여 반도체층(113)을 형성한다. 또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 반도체층(113)의 일부에 불순물을 도핑하거나 불순물이 첨가된 비정질실리콘을 적층하여 이후 형성되는 소스전극 및 드레인전극을 반도체층(113)과 오믹접합시키는 오믹컨택층(ohmic contact layer)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 6B, a semiconductor material such as amorphous silicon (a-Si) is deposited over the entire surface of the first substrate 120 by the CVD method, and then the semiconductor layer 113 is formed by etching. Although not shown in the drawing, an amorphous silicon doped with impurities or doped with impurities is doped in a part of the semiconductor layer 113, and the ohmic contact (not shown) in which a source electrode and a drain electrode, which will be formed later, Thereby forming an ohmic contact layer.

그 후, 제1기판(120) 상에 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금과 같이 도전성이 좋은 불투명 금속을 스퍼터링법에 의해 적층한 후 식각하여 반도체층(113) 위, 엄밀하게 말해서 오믹컨택층 위에 소스전극(115) 및 드레인전극(116)을 형성하고, 이어서 상기 소스전극(115) 및 드레인전극(116)이 형성된 제1기판(120) 전체에 걸쳐 BCB(Benzo Cyclo Butene)이나 포토아크릴(photo acryl)과 같은 유기절연물질을 적층하여 보호층(124)을 형성한다. 상기 보호층(124)은 박막트랜지스터가 형성된 제 1 기판(120)의 표면을 평탄화시키는 것을 주요 목적으로하면서, 부수적으로 제 1 기판(120)상에 형성되어 있는 박막트랜지스터를 외부환경으로부터 보호한다.Then, an opaque metal having good conductivity such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or Al alloy is stacked on the first substrate 120 by the sputtering method, A source electrode 115 and a drain electrode 116 are formed on the ohmic contact layer and then BCB (Benzo Cyclo Butene) is formed over the entire surface of the first substrate 120 on which the source electrode 115 and the drain electrode 116 are formed. Or an organic insulating material such as a photo acryl are laminated to form a protective layer 124. [ The protective layer 124 mainly protects the thin film transistor formed on the first substrate 120 from the external environment while the main purpose is to planarize the surface of the first substrate 120 on which the thin film transistor is formed.

또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 보호층(124)은 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 보호층(124)은 BCB이나 포토아크릴과 같은 유기절연물질로 이루어진 유기절연층 및 SiO2나 SiNx 등과 같은 무기절연물질로 이루어진 무기절연층의 이중의 층으로 형성될 수도 있고, 무기절연층과 유기절연층 및 무기절연층의 삼중층으로 형성할 수도 있을 것이다. 유기절연층을 형성함에 따라 보호층(124)의 표면이 평탄하게 형성되며, 무기절연층을 적용함에 따라 보호층(124)과의 계면특성이 향상된다.Also, although not shown in the figure, the protective layer 124 may be formed of a plurality of layers. For example, the protective layer 124 may be formed as a double layer of the inorganic insulating layer made of an inorganic insulating material such as a layer of organic insulation made of an organic insulating material such as BCB or the picture acrylic and SiO 2, or SiNx, inorganic It may be formed of a triple layer of an insulating layer, an organic insulating layer and an inorganic insulating layer. As the organic insulating layer is formed, the surface of the protective layer 124 is formed flat and the interface characteristic with the protective layer 124 is improved by applying the inorganic insulating layer.

이어서, 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 박막트랜지스터의 드레인전극(116) 상부의 보호층(124)을 제거하여 컨택홀(117)을 형성한 후, 상기 보호층(124) 상부에 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 도전물질 또는 전도율이 좋은 금속을 적층하고 식각하여 화소전극(118)을 형성한다. 이때, 상기 화소전극(118)은 컨택홀(117)을 통해 드레인전극(116)과 전기적으로 접속된다.6C, the protective layer 124 above the drain electrode 116 of the thin film transistor is removed to form a contact hole 117. An ITO (Indium A transparent conductive material such as tin oxide (IZO) or indium zinc oxide (IZO) or a metal having a high conductivity is stacked and etched to form a pixel electrode 118. At this time, the pixel electrode 118 is electrically connected to the drain electrode 116 through the contact hole 117.

이어서, 도 6d에 도시된 바와 같이, 화소영역의 비표시부의 보호층(124) 상부에 격벽(180)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6D, the barrier ribs 180 are formed on the protective layer 124 of the non-display portion of the pixel region.

상기 격벽(180)은 수지 등으로 이루어진 절연층을 적층한 후 포토레지스트를 이용한 사진식각방법에 의해 식각함으로써 형성할 수도 있고 감광성 수지를 적층한 후 사진식각방법에 의해 식각함으로써 형성할 수도 있다. 또한, 상기 격벽(180)은 인쇄롤 등과 같은 인쇄법에 의해 패턴화된 격벽(180)을 인쇄함으로써 형성할 수도 있으며, 격벽(180)에 대응하는 홈이 형성된 몰드를 제작한 후, 상기 몰드의 절연물질을 제1기판(120)으로 전사함으로써 형성할 수도 있다. 그리고, 상기 격벽(180)은 임프린트(imprint)방식으로 형성될 수도 있을 것이다.The barrier ribs 180 may be formed by laminating an insulating layer made of resin or the like and then etching them by a photolithography method using a photoresist. Alternatively, the barrier ribs 180 may be formed by laminating a photosensitive resin and etching them by a photolithography method. The barrier ribs 180 may be formed by printing patterned barrier ribs 180 by a printing method such as a printing roll or the like. After forming the cavities corresponding to the barrier ribs 180, And then transferring the insulating material to the first substrate 120. [ The barrier ribs 180 may be formed in an imprint manner.

실질적으로 이러한 격벽(180)의 형성은 특정한 방법에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기에서 특정한 방법을 설명한 것은 설명의 편의를 위한 것이지, 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니다. 상기 격벽(180)은 이미 알려진 다양한 방법에 의해 형성될 수 있을 것이다.The formation of such a partition wall 180 is not limited by a specific method. The above description of specific methods is for convenience of explanation and is not intended to limit the present invention. The partition 180 may be formed by various known methods.

상기 격벽(180)는 100㎛ 이하의 높이, 특히 20-40㎛의 높이로 형성하고 폭은 약 5㎛ 이상, 특히 약 100-1000㎛로 형성할 수 있다. 상기와 같은 격벽(180)의 높이와 폭은 특정한 수치에 한정되는 것은 아니다.The barrier ribs 180 may have a height of 100 μm or less, particularly 20-40 μm, and a width of about 5 μm or more, particularly about 100-1000 μm. The height and width of the barrier ribs 180 are not limited to specific values.

한편, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 격벽(180)을 형성할 때, 서브화소그룹내의 서브화소를 분할하는 격벽도 형성할 수 있다.Although not shown in the drawing, a partition wall for dividing sub-pixels in the sub-pixel group when forming the barrier ribs 180 can also be formed.

한편, 화소전극(118)은 상기 격벽(180)의 측벽으로 연장되게 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 격벽(180)이 화소전극(118)이 형성된 후에 형성되는 것이 아니라, 격벽(180)이 형성된 후 화소전극(118)을 형성한다.The pixel electrode 118 may extend to the side wall of the barrier rib 180. In this case, the barrier ribs 180 are not formed after the pixel electrodes 118 are formed, but after the barrier ribs 180 are formed, the pixel electrodes 118 are formed.

즉, 화소영역의 화상비표시영역에 격벽(180)을 형성한 후, 보호층(124)과 격벽(180) 상부에 투명도전물질이나 금속층을 형성한 후, 상기 투명도전물질이나 금속층을 식각함으로써 보호층(124) 상부 및 격벽(180)의 측벽에 화소전극(118)을 형성하는 것이다.That is, after the barrier ribs 180 are formed in the image non-display region of the pixel region, a transparent conductive material or a metal layer is formed on the protective layer 124 and the barrier ribs 180, and then the transparent conductive material or the metal layer is etched The pixel electrode 118 is formed on the protective layer 124 and on the sidewalls of the barrier ribs 180.

그 후, 도 6e에 도시된 바와 같이, 상기 화소전극(118)이 형성된 제1기판(120)에 전자영동물질을 도포하여 전기영동층(160)을 형성한다.6E, the electrophoretic layer 160 is formed by applying an electrophoretic material to the first substrate 120 on which the pixel electrode 118 is formed.

이러한 전기영동물질은 액상폴리머와 같은 분산매질과 화이트 입자, 블랙입자 및 시안(cyan), 마젠타(Magenta), 옐로우(yellow)와 같은 컬러입자 또는 R(Red), G(Green), B(Blue)와 같은 컬러입자은 전하를 띤 입자로 이루어진다.Such an electrophoresis material may include a dispersion medium such as a liquid polymer and a colorant such as white particles, black particles and color particles such as cyan, magenta and yellow or red (R), green (G), and blue ) Are made of charged particles.

상기 전기영동층(160)은 다양한 방법에 의해 형성될 수 있는데, 이러한 전장잉크층(160) 형성방법을 설명하면 다음과 같다.The electrophoretic layer 160 may be formed by various methods. A method of forming the full ink layer 160 will be described below.

도 7a 및 도 7b는 제1기판(120)에 전기영동층(160)을 형성하는 방법을 나타내는 도면이다.7A and 7B illustrate a method of forming the electrophoretic layer 160 on the first substrate 120. FIG.

도 7a는 잉크젯방식 또는 노즐방식에 관한 것으로, 실린지(또는 노즐)(185) 내부에 전기영동물질(160a)을 충진한 후, 상기 제1기판(120) 상부에 상기 실린지(185)를 위치시킨다. 이후, 외부의 공기공급장치(도면표시하지 않음)에 의해 실린지(185)에 압력을 인가한 상태에서 상기 실린지(185)를 제1기판(120) 상에서 이동시킴에 따라 상기 격벽(180) 내부에 전기영동물질(160a)이 적하되어 제1기판(120) 상에 전기영동층(160)이 형성된다.7A illustrates an ink jet method or a nozzle method in which an electrophoretic material 160a is filled in a syringe 185 or a nozzle 185 and then the syringe 185 is placed on the first substrate 120 . Thereafter, the syringe 185 is moved on the first substrate 120 in a state where pressure is applied to the syringe 185 by an external air supply device (not shown) And the electrophoretic layer 160 is formed on the first substrate 120 by dropping the electrophoretic material 160a therein.

도 7b에 도시된 방법은 스퀴즈방법에 관한 것으로, 복수의 격벽(180)이 형성된 제1기판(120) 상부에 전기영동물질(160a)을 도포한 후, 스퀴즈바(187)에 의해 제1기판(120) 상에서 이동시킴으로써 스퀴즈바(187)의 압력에 의해 전기영동물질(160a)이 단위 화소내의 격벽(180) 내부로 충진되어 전기영동층(160)이 형성되는 것이다.7B illustrates a squeeze method in which an electrophoretic material 160a is coated on a first substrate 120 having a plurality of barrier ribs 180 formed thereon and then squeezed by a squeeze bar 187, The electrophoretic material 160a is filled into the barrier ribs 180 in the unit pixel by the pressure of the squeeze bar 187 to form the electrophoretic layer 160. [

물론, 본 발명이 상술한 바와 같은 방법에만 한정되는 것은 아니다. 상술한 방법은 본 발명에서 사용될 수 있는 전기영동층(160)의 형성공정의 일례를 나타내는 것으로서, 본 발명이 이러한 특정 공정에만 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 캐스팅인쇄법, 바코팅인쇄법, 스크린인쇄법, 몰드인쇄법과 같은 다양한 전기영동층(160) 형성공정이 본 발명에 적용될 수 있을 것이다.Of course, the present invention is not limited to the above-described method. The above-described method shows an example of a process of forming the electrophoretic layer 160 that can be used in the present invention, and the present invention is not limited to this specific process. For example, various electrophoresis layer forming processes such as cast printing, bar coating printing, screen printing, and mold printing may be applied to the present invention.

상기 방법들에 의해 전기영동층이 형성될 때 전기영동물질은 2×2로 배열된 4개의 서브화소에 채워지는데, 이를 좀더 자세히 설명하면 다음과 같다.When the electrophoretic layer is formed by the above-described methods, the electrophoretic material is filled in four sub-pixels arranged in 2 × 2, which will be described in more detail as follows.

도 8a에 도시된 바와 같이, 서브화소가 R,G,B,Black가 반복되어 배열되는 일반적인 전기영동 표시소자에서는 상기 방법에 의해 R-컬러의 전기영동물질을 R-서브화소 내로 충진할 때, 복수의 R-서브화소가 연속적으로 형성되지 않고 떨어져 있기 때문에, 하나의 R-서브화소에 전기영동물질을 충진해야만 한다. 따라서, 상기와 같은 다양한 방법들에 의해 전기영동물질을 충진할 때 작은 R-서브화소의 면적에 전기영동물질을 충진해야 하므로, 미세한 전기영동물질의 충진이 필요하게 되기 때문에, 공정이 복잡해지고 비용이 증가하게 된다.As shown in FIG. 8A, in a typical electrophoretic display device in which sub-pixels are repeatedly arranged in R, G, B and Black, when the R-color electrophoretic material is filled into the R-sub pixel by the above method, Since a plurality of R-sub pixels are not formed continuously but are spaced apart, one electrophoretic material must be filled in one R-sub pixel. Therefore, when the electrophoretic material is filled by the various methods as described above, the area of the small R-sub pixel needs to be filled with the electrophoretic material, so that the filling of the electrophoretic material is required, .

그러나, 도 8b에 도시된 바와 같이, 본 발명에서는 R-컬러의 서브화소가 2×2의 배열로 그룹지어 배치되기 때문에, 전기영동물질을 충진할 때 도 8a에 도시된 R-컬러의 서브화소에 비해 4배의 면적의 영역에 전기영동물질을 충진하게 되므로, 상대적으로 저비용으로 단순화된 공정에 의해 전기영동물질을 충진할 수 있게 된다. 또한, 서브화소의 면적을 일정분 감소시켜도 2×2의 배열로 그룹진 서브화소가 도 8a에 도시된 단일 서브화소에 비해 그 면적이 훨씬 크기 때문에, 전기영동물질을 원하는 서브화소에 정확하게 충진할 수 있게 되어 인접하는 다른 컬러의 서브화소에 전기영동물질이 침투하지 않게 된다. 따라서, 본 발명에 의하면 서브화소의 크기를 대폭 감소할 수 있게 되어 고해상도의 전기영동 표시소자의 제작이 가능하게 된다.However, as shown in FIG. 8B, in the present invention, since the R-color sub-pixels are grouped in a 2x2 array, when the electrophoretic material is filled, the R- It is possible to fill the electrophoretic material by a simple process at a relatively low cost. Also, even if the area of the sub-pixel is reduced by a certain amount, since the grouped sub-pixel in the 2x2 array is much larger in area than the single sub-pixel shown in FIG. 8A, the electrophoretic material can be accurately filled So that the electrophoretic material is prevented from penetrating into adjacent sub-pixels of different colors. Therefore, according to the present invention, it is possible to greatly reduce the size of the sub-pixel, thereby making it possible to manufacture a high-resolution electrophoretic display device.

상기와 같이 R-서브화소에 전기영동물질을 충진한 후에는 2×2로 배열 G-서브화소 및 B-서브화소, B-서브화소에 전기영동물질을 충진하여 전체 제1기판(120)에 전기영동층을 형성할 수 있게 된다.After filling the R-sub pixels with the electrophoretic material, the electrophoretic material is filled in the array G-sub pixels, the B-sub pixels, and the B-sub pixels in 2 × 2 and the entire first substrate 120 The electrophoretic layer can be formed.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments.

따라서, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것이 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. Therefore, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also within the scope of the present invention.

120,140 : 기판 111 : 게이트전극
113 : 반도체층 115 : 소스전극
116 : 드레인전극 118 : 화소전극
124 : 보호층 142 : 공통전극
160 : 전기영동층 164 : 화이트입자
165 : 블랙입자 168 : 실링층
180 : 격벽120, 140: substrate 111: gate electrode
113: semiconductor layer 115: source electrode
116: drain electrode 118: pixel electrode
124: protective layer 142: common electrode
160: electrophoresis layer 164: white particles
165: black particles 168: sealing layer
180:

Claims (22)

제1기판 및 제2기판을 제공하는 단계;
제1기판상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 제1기판 상에 보호층을 형성하는 단계;
상기 보호층 상부에 복수의 서브화소를 구획하는 격벽을 형성하는 단계;
상기 보호층 상부의 상기 복수의 서브화소에 각각 화소전극을 형성하는 단계;
상기 보호층 상부의 격벽 사이에 전기영동물질을 충진하는 단계; 및
제1기판 및 제2기판을 합착하는 단계로 구성되며,상기 복수의 서브화소는 적어도 제1서브화소그룹, 제2서브화소그룹, 제3서브화소그룹, 제4서브화소그룹을 포함하며,
상기 제1서브화소그룹은 적어도 4개의 서브화소를 포함하고, 상기 제1서브화소그룹의 적어도 4개의 서브화소는 서로 동일한 제1컬러의 서브화소이며,
상기 제2서브화소그룹은 적어도 4개의 서브화소를 포함하고, 상기 제2서브화소그룹의 적어도 4개의 서브화소는 서로 동일한 제2컬러의 서브화소이며,
상기 제3서브화소그룹은 적어도 4개의 서브화소를 포함하고, 상기 제3서브화소그룹의 적어도 4개의 서브화소는 서로 동일한 제3컬러의 서브화소이며,
상기 제4서브화소그룹은 적어도 4개의 서브화소를 포함하고, 상기 제4서브화소그룹의 적어도 4개의 서브화소는 서로 동일한 제 4컬러의 서브화소이며,
상기 제1서브화소그룹 및 상기 제2서브화소그룹은 전기영동 표시소자의 화상표시영역의 홀수행에서 교대로 반복되어 배치되고, 상기 제3서브화소그룹 및 상기 제4서브화소그룹은 전기영동표시소자의 화상표시영역의 짝수행에서 교대로 반복되어 배치되는 전기영동 표시소자 제조방법.Providing a first substrate and a second substrate;
Forming a thin film transistor on the first substrate;
Forming a protective layer on the first substrate;
Forming a barrier rib for partitioning a plurality of sub-pixels on the protective layer;
Forming a pixel electrode on each of the plurality of sub-pixels above the protective layer;
Filling the electrophoretic material between the barrier ribs on the protective layer; And
And a step of bonding the first substrate and the second substrate, wherein the plurality of sub-pixels include at least a first sub-pixel group, a second sub-pixel group, a third sub-pixel group, and a fourth sub-
The first sub-pixel group includes at least four sub-pixels, at least four sub-pixels of the first sub-pixel group are sub-pixels of the same first color,
The second subpixel group includes at least four subpixels and at least four subpixels of the second subpixel group are subpixels of the same second color,
The third subpixel group includes at least four subpixels, and at least four subpixels of the third subpixel group are subpixels of the same third color,
The fourth sub-pixel group includes at least four sub-pixels, at least four sub-pixels of the fourth sub-pixel group are sub-pixels of the same fourth color,
The first sub-pixel group and the second sub-pixel group are alternately repeatedly arranged in the hole performance of the image display region of the electrophoretic display element, and the third sub-pixel group and the fourth sub- Wherein the electrophoretic display element is repeatedly arranged alternately in an even-numbered arrangement of image display regions of the element. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 제1-4서브화소그룹의 각각의 서브화소는 R,G,B,Black 서브화소인 전기영동 표시소자 제조방법.The method according to claim 1, wherein each sub-pixel of the 1-4 sub-pixel group is an R, G, B, or Black sub-pixel. 제1항에 있어서, 상기 제1-4서브화소그룹의 각각의 서브화소는 R,G,B,White 서브화소인 전기영동 표시소자 제조방법.The method of claim 1, wherein each sub-pixel of the 1-4 sub-pixel group is an R, G, B, or White sub-pixel. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 격벽을 형성하는 단계는,
서로 인접하는 제1-4서브화소그룹을 구획하는 제1격벽을 형성하는 단계; 및
상기 제1-4서브화소그룹 각각의 복수의 서브화소를 구획하는 제2격벽을 형성하는 단계를 포함하는 전기영동 표시소자 제조방법.The method of claim 1, wherein forming the barrier ribs comprises:
Forming first barrier ribs defining first to fourth sub-pixel groups adjacent to each other; And
And forming a second bank to partition a plurality of sub-pixels of each of the first to fourth sub-pixel groups. 삭제delete 제1기판 및 제2기판;
제1기판상에 형성된 박막트랜지스터;
상기 제1기판 상에 형성된 보호층;
상기 보호층 상부에 배치되어 복수의 서브화소를 구획하는 격벽;
상기 보호층의 상부의 상기 복수의 서브화소에 각각 형성된 화소전극;
상기 보호층 상부의 격벽 사이에 형성된 전기영동물질로 이루어진 전기영동층; 및
상기 제2기판에 형성된 공통전극으로 구성되며,
상기 복수의 서브화소는 적어도 제1서브화소그룹, 제2서브화소그룹, 제3서브화소그룹, 제4서브화소그룹을 포함하며,
상기 제1서브화소그룹은 적어도 4개의 서브화소를 포함하고, 상기 제1서브화소그룹의 적어도 4개의 서브화소는 서로 동일한 제1컬러의 서브화소이며,
상기 제2서브화소그룹은 적어도 4개의 서브화소를 포함하고, 상기 제2서브화소그룹의 적어도 4개의 서브화소는 서로 동일한 제2컬러의 서브화소이며,
상기 제3서브화소그룹은 적어도 4개의 서브화소를 포함하고, 상기 제3서브화소그룹의 적어도 4개의 서브화소는 서로 동일한 제3컬러의 서브화소이며,
상기 제4서브화소그룹은 적어도 4개의 서브화소를 포함하고, 상기 제4서브화소그룹의 적어도 4개의 서브화소는 서로 동일한 제4컬러의 서브화소이며,
상기 제1서브화소그룹 및 상기 제2서브화소그룹은 전기영동 표시소자의 화상표시영역의 홀수행에서 교대로 반복되어 배치되고, 상기 제3서브화소그룹 및 상기 제4서브화소그룹은 전기영동 표시소자의 화상표시영역의 짝수행에서 교대로 반복되어 배치되는 전기영동 표시소자.A first substrate and a second substrate;
A thin film transistor formed on a first substrate;
A protective layer formed on the first substrate;
A barrier disposed on the passivation layer and defining a plurality of sub-pixels;
A pixel electrode formed on each of the plurality of sub-pixels above the protective layer;
An electrophoretic layer formed of an electrophoretic material formed between the barrier ribs on the protective layer; And
And a common electrode formed on the second substrate,
The plurality of sub-pixels include at least a first sub-pixel group, a second sub-pixel group, a third sub-pixel group, and a fourth sub-pixel group,
The first sub-pixel group includes at least four sub-pixels, at least four sub-pixels of the first sub-pixel group are sub-pixels of the same first color,
The second subpixel group includes at least four subpixels and at least four subpixels of the second subpixel group are subpixels of the same second color,
The third subpixel group includes at least four subpixels, and at least four subpixels of the third subpixel group are subpixels of the same third color,
The fourth sub-pixel group includes at least four sub-pixels, at least four sub-pixels of the fourth sub-pixel group are sub-pixels of the same fourth color,
The first sub-pixel group and the second sub-pixel group are alternately repeatedly arranged in the hole performance of the image display region of the electrophoretic display element, and the third sub-pixel group and the fourth sub- An electrophoretic display element arranged alternately and repeatedly in even operation of an image display region of a device. 삭제delete 삭제delete 제9항에 있어서, 상기 화소전극은 제1격벽 및 제2격벽의 측벽까지 연장되는 전기영동 표시소자.The electrophoretic display element according to claim 9, wherein the pixel electrode extends to a side wall of the first bank and the second bank. 제9항에 있어서, 상기 격벽은,
서로 인접하는 제1-4서브화소그룹을 구획하는 제1격벽; 및
상기 제1-4서브화소그룹 각각의 복수의 서브화소를 구획하는 제2격벽을 포함하는 전기영동 표시소자.The plasma display apparatus according to claim 9,
A first bank defining first to fourth sub-pixel groups adjacent to each other; And
And a second bank partitioning a plurality of sub-pixels of each of the first to fourth sub-pixel groups. 제13항에 있어서, 상기 제1격벽의 높이가 제2격벽의 높이 보다 큰 전기영동 표시소자.The electrophoretic display element according to claim 13, wherein the height of the first bank is greater than the height of the second bank. 제13항에 있어서, 상기 제1격벽의 두께가 제2격벽의 두께 보다 큰 전기영동 표시소자.14. The electrophoretic display element according to claim 13, wherein the thickness of the first bank is larger than the thickness of the second bank. 삭제delete 제9항에 있어서, 상기 제1-4서브화소그룹의 각각의 서브화소는 R,G,B,Black 서브화소인 전기영동 표시소자.The electrophoretic display device according to claim 9, wherein each sub-pixel of the 1-4 sub-pixel group is an R, G, B, or Black sub-pixel. 삭제delete 제9항에 있어서, 상기 제1-4서브화소그룹의 각각의 서브화소는 R,G,B,White 서브화소인 전기영동 표시소자.The electrophoretic display device according to claim 9, wherein each sub-pixel of the 1-4 sub-pixel group is an R, G, B, or White sub-pixel. 삭제delete 제9항에 있어서, 상기 각각의 서브화소그룹 내의 복수의 서브화소에는 서로 분리된 화소전극이 각각 형성되어 각각의 서브화소그룹 내의 복수의 서브화소가 독립적으로 구동되는 전기영동 표시소자.The electrophoretic display element according to claim 9, wherein pixel electrodes separated from each other are formed in a plurality of sub-pixels within each sub-pixel group, and a plurality of sub-pixels in each sub-pixel group are independently driven. 제9항에 있어서, 상기 각각의 서브화소그룹 내의 복수의 서브화소에는 화소전극이 일체로 형성되어 각각의 서브화소그룹 내의 복수의 서브화소가 일체로 구동하는 전기영동 표시소자.The electrophoretic display element according to claim 9, wherein pixel electrodes are integrally formed in a plurality of sub-pixels in each sub-pixel group, and a plurality of sub-pixels in each sub-pixel group are integrally driven.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107632440B (en) * 2017-10-09 2021-04-02 天马微电子股份有限公司 Display panel, manufacturing method thereof and display device
CN116449627A (en) * 2023-04-20 2023-07-18 惠科股份有限公司 Display device, manufacturing method thereof and electronic equipment

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003107533A (en) * 2001-09-28 2003-04-09 Fuji Xerox Co Ltd Display element
JP2005242207A (en) * 2004-02-27 2005-09-08 Fuji Xerox Co Ltd Image display medium
JP2006017750A (en) * 2004-06-30 2006-01-19 Toshiba Corp Electrophoretic display device and method for manufacturing the same
KR20070009015A (en) * 2005-07-14 2007-01-18 삼성전자주식회사 Electro phoretic indication display and driving method of eletro phoretic indication display
KR20070044382A (en) * 2005-10-24 2007-04-27 가부시키가이샤 브리지스톤 Preparation method of information display panel
KR20110043421A (en) * 2009-10-20 2011-04-27 엘지디스플레이 주식회사 Electrophoretic display deivce and method of fabrication thereof
US20110234582A1 (en) * 2009-09-24 2011-09-29 Casio Computer Co., Ltd. Display Apparatus and Method of Controlling Images

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003107533A (en) * 2001-09-28 2003-04-09 Fuji Xerox Co Ltd Display element
JP2005242207A (en) * 2004-02-27 2005-09-08 Fuji Xerox Co Ltd Image display medium
JP2006017750A (en) * 2004-06-30 2006-01-19 Toshiba Corp Electrophoretic display device and method for manufacturing the same
KR20070009015A (en) * 2005-07-14 2007-01-18 삼성전자주식회사 Electro phoretic indication display and driving method of eletro phoretic indication display
KR20070044382A (en) * 2005-10-24 2007-04-27 가부시키가이샤 브리지스톤 Preparation method of information display panel
US20110234582A1 (en) * 2009-09-24 2011-09-29 Casio Computer Co., Ltd. Display Apparatus and Method of Controlling Images
KR20110043421A (en) * 2009-10-20 2011-04-27 엘지디스플레이 주식회사 Electrophoretic display deivce and method of fabrication thereof

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