KR101323778B1 - 반도체 발광소자용 기판 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 개시는, 반도체 발광소자용 기판에 있어서, 반도체층이 성장되는 상면; 그리고, 상면에 형성되어 있으며, 함입 측면과 돌출 측면을 가지는 돌기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자용 기판 및 이의 제조 방법{SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자용 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 요철을 구비하는 반도체 발광소자용 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
여기서, 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 3족 질화물 반도체층(300), n형 3족 질화물 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 3족 질화물 반도체층(500), p형 3족 질화물 반도체층(500) 위에 형성되는 p측 전극(600), p측 전극(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700), 그리고 p형 3족 질화물 반도체층(500)과 활성층(400)이 메사 식각되어 노출된 n형 3족 질화물 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 전극(800)을 포함한다.
도 2는 미국 공개특허공보 제2003/0057444호 및 미국 공개특허공보 제2006/0226431호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 1의 발광소자에 더하여, 기판(100)에 섬 또는 스트라이프 형상의 돌기(110)가 형성되어 있다. 돌기(110)는 활성층(400)으로부터 발광된 빛을 스캐터링(scattering)하여 발광소자의 외부로 취출함으로써 광취출 효율을 높이는 기능을 한다. 미설명 동일 부호에 대한 설명은 생략한다.
도 3 및 도 4는 종래 돌기의 예들을 나타내는 도면으로서, 도 3에는 횡단면이 6각형인 돌기(110)가 도시되어 있으며, 도 4에는 전체적으로 반구형인 돌기(110)가 도시되어 있다. 이처럼 돌기(110)는 다양한 형태를 가질 수 있지만, 성장되는 반도체층의 질에 영향을 미칠 수 있으므로, 무한정 제한 없이 구현할 수 있는 것은 아니다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자용 기판에 있어서, 반도체층이 성장되는 상면; 그리고, 상면에 형성되어 있으며, 함입 측면과 돌출 측면을 가지는 돌기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판이 제공된다.
본 개시에 따른 다른 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자용 기판의 제조 방법에 있어서, 돌기를 가지는 기판을 준비하는 단계; 그리고, 기판을 습식 식각하는 단계;로서, 돌기가 함입 측면과 돌출 측면을 가지도록 습식 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판의 제조 방법이 제공된다.
본 개시에 따른 또다른 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 먼저 건식 식각되고, 이어서 습식 식각되어 다면을 가지는 돌기를 가지는 반도체 발광소자용 기판 및 이의 제조 방법이 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 공개특허공보 제2003/0057444호 및 미국 공개특허공보 제2006/0226431호에 도시된 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3 및 도 4는 종래 돌기의 예들을 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 돌기의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 돌기를 형성하는 방법의 일 예를 나타내는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 5는 본 개시에 따른 돌기의 일 예를 나타내는 도면으로서, (a)에는 단결정 기판(10)에 식각(예: ICP(Inductively Coupled Plasma) 에칭)에 의해 돌기(11a)가 형성되어 있다. 대략 원추형의 돌기(11a)가 형성되어 있으며, 이 식각을 통해 단결정 기판(10)의 상면이 형성하는 결정면(예: 사파이어 기판의 C면) 이외에 다양한 단결정 기판(10) 재질(예: 사파이어)의 면이 노출된다. (b), (c) 및 (d)는 이후 습식 식각이 행해짐에 따라 돌기(11a)가 변화되는 형태를 보이고 있다. 원추형 돌기(11a)의 면은 단일의 결정면이 아니므로, 습식 식각에 대하여 각각의 식각의 정도를 달리하게 된다. 습식 식각의 초기(b)에 있어서, 기본 원추형을 유지한 상태에서 복수의 면들이 나타나기 시작한다. 습식 식각이 진행됨에 따라, (c)에서와 같이, 함입 (습식 식각) 측면(12)과 돌출 (습식 식각) 측면(13)이 교대로 나타나게 된다(여기서 돌기의 높이는 1.03um이고, 폭은 2.27um였다). 습식 식각이 더 진행됨에 따라, (d)에서와 같이, 돌기(11)의 바닥 쪽이 전체적으로(generally) 각각의 변이 돌출된 삼각형 형태 즉, 6각형에 가까워지며, 돌기(11)의 측면들은 원추형을 벗어나 더욱 날카로워(sharp)진다. 습식 식각이 많이 진행되어, 돌기(11) 주변의 기판(10) 상면 또한 식각되어 있다(여기서 돌기의 높이는 0.92um이고, 폭은 2.15um였다).
본 개시에 따라 함임 (습식 식각) 측면(12) 및 돌출 (습식 식각) 측면(13)을 가지는 돌기(11)를 구비함으로써, 원추형 돌기(11a)에 비해 다양한 스캐링면을 만들 수 있게 된다. 돌기(11a)의 측면의 단면은 다각형 및 원형 등의 형태일 수 있다. 돌기(11a)의 상면이 반드시 뾰족할 필요는 없다. 돌기(11a)가 충분한 면적의 평탄한 상면을 가지는 경우에, 이 상면에서도 반도체층이 성장될 수 있으나, 어중간한 면적을 가지는 경우에는 결정성에 나쁜 영향을 줄 수 있으므로, 이것보다는 뾰족한 형태를 가지는 것이 바람직하다.
도 6은 본 개시에 따른 돌기를 형성하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저, (a)에서와 같이, 포토리소그라피 공정을 거쳐 식각 마스크(A)를 기판(10)에 형성하여 식각(예: ICP 에칭)을 행한다. 이러한 과정을 통해, (b)에서와 같이, 기판(10)에 돌기(11a)가 형성된다. 이때, 디스크 형상의 식각 마스크(A)가 사용되더라도, 식각의 과정에서 식각 마스크(A)의 모서리 부분에서 먼저 식각이 일어나게 되므로, 식각의 조건에 따라 돌기(11)의 형상이 원추형, 반구형 등으로 형성될 수 있다. 다음으로, (d)에서와 같이, 습식 식각을 행하여 돌기(11)를 형성한다. 이렇게 형성된 본 개시에 따른 돌기(11)를 구비한 기판(10)은 (e)에서와 같이, 반도체층(20)의 성장에 이용될 수 있다. 반도체층(20)은 도 1에서와 같이 버퍼층(200), n형 반도체층(300), 활성층(400), p형 반도체층(500)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 식각액은 부동액에 20~30% 비율로 수산화나트륨(NaOH)를 첨가하여 사용하였으며, 부동액 사용시 수산화나트륨(NaOH) 수용액보다 높은 끓는 점을 얻을 수 있으며, 물의 끓는 점보다 부동액의 끓는 점이 높아 보다 높은 온도에서 식각을 할 수 있게 된다. 180℃~220℃에서 식각을 진행하였다. 수산화나트륨(NaOH)의 비율이 너무 작은 경우에 식각이 진행이 느려지며, 너무 많은 경우에 식각이 빨라 공정의 제어에 어려움을 겪을 수 있다.
한편, (c)에서와 같이, 돌기(11a)를 가지는 기판(10)이 반도체층(20a)의 성장에 이용될 수 있으며, 돌기(11)를 가지는 기판(10)은 반도체층(20a)이 성장된 기판(10)을 습식 식각함으로써, 형성될 수 있다. 이것은 본 개시에 따른 돌기(11)를 가지는 기판(10)이 반도체 웨이퍼의 재생에 사용될 수 있음을 의미한다. 이때 먼저 건식 식각을 통해 반도체층(20a)의 일부 또는 전부를 제거한 후 습식 식각을 행함으로써, 공정을 효율화할 수 있다. 식각액으로 20% 이하의 수산화나트륨(NaOH)을 이용하는 등 식각 조건의 변경을 통해 돌기(11a)의 원형을 그대로 유지하는 것도 가능하다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 기판이 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판. 사파이어 기판은 3족 질화물 반도체층의 성장에 특히 적합하다. 이외에도 SiC 기판을 반도체층 성장을 위한 기판의 예로 들 수 있다.
(2) 상면이 사파이어 기판의 C면인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판. 현재 상용 3족 질화물 반도체 발광소자의 경우에 거의 C면 사파이어 기판을 사용한다. 이외에도 C면에서 몇 도 정도 비스듬하게 절단하여 사용하거나 A면 등을 사용할 수 있다. C면 위 돌기의 결정 방위를 정의할 수 있으며, 이 결정 방위 중 특정 방위들이 습식 식각에 특히 취약하여 움푹한 측면을 형성하게 된다.
(3) 돌기의 측면이 복수의 함입 측면과 복수의 돌출 측면이 교번되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판. 이는 기판이 단결정임으로 인해 주기적인 특성을 가지게 되고, 이로 인해 습식 식각에 따라 일어나는 결과이다.
(4) 함임 측면의 폭이 기판 상면으로부터 돌기 위쪽으로 가면서 좁아지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
(5) 돌기의 위쪽 끝이 뾰족한 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판. 이러한 형태의 돌기의 경우에, 그 상면에서도 성장이 일어나는 돌기에 비해 반도체층의 평탄화가 빠르게 일어나게 된다. 본 개시가 상면이 평탄한 돌기를 배제하는 것은 아니다.
(6) 돌기를 가지는 기판을 준비하는 단계에서, 돌기를 가지는 기판 위에 반도체층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판의 제조 방법. 이러한 방법을 통해, 재생 웨이퍼를 이용하여 본 개시에 따른 기판을 제조할 수 있게 된다.
(7) 돌기를 가지는 기판을 준비하는 단계에서, 돌기가 건식 식각에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판의 제조 방법.
(8) 돌기를 습식 식각 단계에서, 함임 측면의 폭이 기판 상면으로부터 돌기 위쪽으로 가면서 좁아지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판의 제조 방법.
(9) 전체적으로 건식 식각되고, 부가적으로 습식 식각되어 형성되는 돌기를 가지는 반도체 발광소자용 기판 및 이의 제조 방법. 건식 식각된 돌기의 면과 습식 식각된 돌기의 면은 단순히 그 제조 방법을 달리할 뿐만 아니라, 제조되어 결과되는 면의 특성 또한 달리하는데, 이는 건식 식각되는 면은 식각 마스크와 건식 식각되는 방법에 의해 그 최종 형상과 표면 거칠기가 규정되는 반면에, 습식 식각되는 면은 식각에 노출되는 결정면에 의해 그 최종 형상과 표면 거칠기가 규정되기 때문이다.
(10) 먼저 건식 식각되고, 이어서 습식 식각되어 다면을 가지는 돌기를 가지는 반도체 발광소자용 기판 및 이의 제조 방법. 이러한 구성 및 방법에 의해 본 개시는 도 5b에서와 같은 함입 측면 형성 이전의 습식 식각된 돌기로 확장될 수 있다.
(11) 건식 식각으로 반도체층을 일부 제거한 후, 습식 식각의 조건을 조정하여, 원 돌기의 형상을 그대로 가지는 반도체 발광소자용 기판의 제조 방법.
본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자용 기판에 의하면, 다양한 스캐터링면을 가지는 돌기를 가지는 기판을 제공할 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자용 기판의 제조 방법에 의하면, 다양한 스캐터링면을 가지는 돌기를 가지는 기판을 제조할 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또다른 반도체 발광소자용 기판의 제조 방법에 의하면, 재생 웨이퍼로부터 반도체 발광소자용 기판을 제조할 수 있게 된다.
기판: 10 돌기: 11a

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  11. 반도체 발광소자용 기판의 제조 방법에 있어서,
    식각 마스크를 이용하여 형성된 돌기를 가지는 기판을 준비하는 단계; 그리고,
    기판을 습식 식각하는 단계;로서, 돌기가 함입 측면과 돌출 측면을 가지도록 식각 마스크 없이 습식 식각하는 단계;를 포함하며,
    기판은 단결정 사파이어 기판이고, 상면은 사파이어 기판의 C면이며,
    준비 단계에서, 돌기는 건식 식각에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판의 제조 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    준비 단계에서, 돌기를 가지는 기판 위에 반도체층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판의 제조 방법.
  13. 삭제
  14. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    습식 식각 단계에서, 함입 측면은 함입 측면의 폭이 기판 상면으로부터 돌기 위쪽으로 가면서 좁아지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판의 제조 방법.
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