KR101319702B1 - 표시 장치 및 그 제어 방법 - Google Patents

Abstract

구동 회로의 출력 부하가 저감되며, 표시 품질이 향상된 표시 장치를 제공한다. 복수의 발광 화소를 갖는 표시 장치는, 복수의 발광 화소행을 한 구동 블록으로 한 2 이상의 구동 블록을 구성하며, 발광 화소열마다 설치된 출력선에 신호 전압을 출력하는 신호선 구동 회로와, 출력선으로부터 출력되는 신호 전압을, 발광 화소열마다 설치된 제1 신호선(151) 및 제2 신호선(152) 중 어느 하나에 공급하고, 고정 전압원으로부터 공급되는 고정 전압을 상기 제2 신호선 중 어느 하나에 공급하며, 신호 전압 및 고정 전압을 배타적으로 상기 제2 신호선에 공급하는 실렉터 회로(16)를 구비하고, 각 발광 화소는, 전류 제어부와, 유기 EL 소자를 구비하며, 또한, k번째 구동 블록의 발광 화소(11A)는 제1 신호선(151)에 접속되고, (k+1)번째 구동 블록의 발광 화소(11B)는 제2 신호선(152)에 접속되어 있다.

Description

표시 장치 및 그 제어 방법 {DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME}

본 발명은, 표시 장치 및 그 제어 방법에 관한 것으로, 특히 전류 구동형의 발광 소자를 이용한 표시 장치 및 그 제어 방법에 관한 것이다.

전류 구동형의 발광 소자를 이용한 표시 장치로서, 유기 일렉트로 루미네선스(EL) 소자를 이용한 표시 장치가 알려져 있다. 이 자발광하는 유기 EL 소자를 이용한 유기 EL 표시 장치는, 액정 표시 장치에 필요한 백라이트가 불필요하여 장치의 박형화에 가장 적합하다. 또, 시야각에도 제한이 없으므로, 차세대의 표시 장치로서 실용화가 기대되고 있다. 또, 유기 EL 표시 장치에 이용되는 유기 EL 소자는, 각 발광 소자의 휘도가 그곳에 흐르는 전류치에 의해 제어되는 점에서, 액정 셀이 그곳에 인가되는 전압에 의해 제어되는 것과는 상이하다.

유기 EL 표시 장치에서는, 통상, 화소를 구성하는 유기 EL 소자가 매트릭스형상으로 배치된다. 복수의 행 전극(주사선)과 복수의 열 전극(데이터선)의 교점에 유기 EL 소자를 설치하고, 선택한 행 전극과 복수의 열 전극의 사이에 데이터 신호에 상당하는 전압을 인가하도록 하여 유기 EL 소자를 구동하는 것을 패시브 매트릭스형의 유기 EL 디스플레이라고 부른다.

한편, 복수의 주사선과 복수의 데이터선의 교점에 스위칭 박막 트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)를 설치하고, 이 스위칭 TFT에 구동 소자의 게이트를 접속하여, 선택한 주사선을 통해 이 스위칭 TFT를 온시켜 신호선으로부터 데이터 신호를 구동 소자에 입력한다. 이 구동 소자에 의해 유기 EL 소자를 구동시키는 것을 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치라고 부른다.

패시브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치에서는, 각 행 전극(주사선)을 선택하고 있는 기간만, 그곳에 접속된 유기 EL 소자가 발광한다. 그에 반해, 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치는, 다음의 주사(선택)까지 유기 EL 소자를 발광시키는 것이 가능하다. 그 때문에, 주사선의 수가 증가해도 디스플레이의 휘도 감소를 초래하는 일은 없다. 따라서, 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치는, 저전압으로 구동할 수 있어, 저소비 전력화가 가능해진다. 그러나, 액티브 매트릭스형의 유기 EL 디스플레이에서는, 구동 트랜지스터의 특성 편차에 기인해서, 동일한 데이터 신호를 부여해도, 각 화소에 있어서 유기 EL 소자에 흐르는 전류가 상이한 것에 기인하여 휘도가 상이해져, 휘도 얼룩이 발생한다는 결점이 있다.

이 문제에 대해, 예를 들면, 특허 문헌 1에서는, 구동 트랜지스터의 특성 편차에 의한 휘도 얼룩의 보상 방법으로서, 간단한 화소 회로로, 화소마다의 특성 편차를 보상하는 방법이 개시되어 있다.

도 29는, 특허 문헌 1에 기재된 종래의 표시 장치의 구성을 도시한 블록도이다. 상기 도면에 기재된 표시 장치(500)는, 화소 어레이부(502)와, 이것을 구동하는 구동부로 이루어진다. 화소 어레이부(502)는, 행마다 배치된 주사선(701~70m)과, 열마다 배치된 신호선(601~60n)과, 양자가 교차하는 부분에 배치된 행렬형상의 발광 화소(501)와, 행마다 배치된 급전선(801~80m)을 구비한다. 또, 구동부는, 신호 실렉터(503)와, 주사선 구동부(504)와, 급전선 구동부(505)를 구비한다.

주사선 구동부(504)는, 각 주사선(701~70m)에 수평 주기(1H)로 순차적으로 제어 신호를 공급하여 발광 화소(501)를 행 단위로 선 순차 주사한다. 급전선 구동부(505)는, 이 선 순차 주사에 맞추어 각 급전선(801~80m)에 제1 전압과 제2 전압으로 전환하는 전원 전압을 공급한다. 신호 실렉터(503)는, 이 선 순차 주사에 맞추어 영상 신호가 되는 신호 전압과 기준 전압을 전환하여 열형상의 신호선(601~60n)에 공급한다.

여기에서, 열형상의 신호선(601~60n)은, 각각, 열마다 2개 배치되어 있으며, 한쪽의 신호선은 홀수행의 발광 화소(501)에 기준 전압 및 신호 전압을 공급하고, 다른 쪽의 신호선은 짝수행의 발광 화소(501)에 기준 전압 및 신호 전압을 공급하고 있다.

도 30은, 특허 문헌 1에 기재된 종래의 표시 장치가 갖는 발광 화소의 회로 구성도이다. 또한, 상기 도면에는 1행째 또한 1열째의 발광 화소(501)를 기재하고 있다. 이 발광 화소(501)에 대해 주사선(701), 급전선(801) 및 신호선(601)이 배치되어 있다. 또한, 신호선(601)은 2개 중 1개가, 발광 화소(501)에 접속되어 있다. 발광 화소(501)는, 스위칭 트랜지스터(511)와, 구동 트랜지스터(512)와, 유지 용량 소자(513)와, 발광 소자(514)를 구비한다. 스위칭 트랜지스터(511)는, 게이트가 주사선(701)에, 소스 및 드레인의 한쪽이 신호선(601)에, 그 다른 쪽이 구동 트랜지스터(512)의 게이트에 각각 접속되어 있다. 구동 트랜지스터(512)는, 소스가 발광 소자(514)의 애노드에, 드레인이 급전선(801)에 각각 접속되어 있다. 발광 소자(514)는, 캐소드가 접지 배선(515)에 접속되어 있다. 유지 용량 소자(513)는, 구동 트랜지스터(512)의 소스 및 게이트에 접속되어 있다.

상기 구성에 있어서, 급전선 구동부(505)는, 신호선(601)이 기준 전압인 상태로, 급전선(801)을 제1 전압(고전압)으로부터 제2 전압(저전압)으로 전환한다. 주사선 구동부(504)는, 동일하게 신호선(601)이 기준 전압인 상태로, 주사선(701)의 전압을 "H" 레벨로 하여 스위칭 트랜지스터(511)를 도통시켜, 기준 전압을 구동 트랜지스터(512)의 게이트에 인가함과 더불어, 구동 트랜지스터(512)의 소스를 리셋 전압인 제2 전압으로 설정한다. 이상의 동작에 의해, 구동 트랜지스터(512)의 역치 전압 V_th의 보정을 위한 준비가 완료된다. 이어서, 급전선 구동부(505)는, 신호선(601)의 전압이 기준 전압으로부터 신호 전압으로 전환되기 전의 보정 기간에서, 급전선(801)의 전압을 제2 전압으로부터 제1 전압으로 전환하여, 구동 트랜지스터(512)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압을 유지 용량 소자(513)에 유지시킨다. 다음에, 스위칭 트랜지스터(511)의 전압을 "H" 레벨로 하여 신호 전압을 유지 용량 소자(513)에 유지시킨다. 요컨대, 이 신호 전압은, 먼저 유지된 구동 트랜지스터(512)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압에 가산되어 유지 용량 소자(513)에 기록된다. 그리고, 구동 트랜지스터(512)는, 제1 전압에 있는 급전선(801)으로부터 전류의 공급을 받아, 상기 유지 전압에 따른 구동 전류를 발광 소자(514)에 흐르게 한다.

상술한 동작에서는, 신호선(601)은 열마다 2개 배치되어 있음으로써, 각 신호선이 기준 전압에 있는 시간대를 길게 하고 있다. 따라서, 구동 트랜지스터(512)의 초기화 기간 및 역치 전압 V_th에 상당하는 전압을 유지 용량 소자(513)에 유지하기 위한 보정 기간을 확보하도록 하고 있다.

도 31은, 특허 문헌 1에 기재된 표시 장치의 동작 타이밍 차트이다. 상기 도면에는, 위에서부터 순서대로, 1라인째의 주사선(701) 및 급전선(801), 2라인째의 주사선(702) 및 급전선(802), 3라인째의 주사선(703) 및 급전선(803), 홀수행의 발광 화소에 할당된 신호선, 짝수행의 발광 화소에 할당된 신호선의 신호 파형이 기재되어 있다. 주사선에 인가되는 주사 신호는, 1수평 기간(1H)씩 순차적으로 1라인마다 시프트해 간다. 1라인분의 주사선에 인가되는 주사 신호는, 2개의 펄스를 포함하고 있다. 1번째 펄스는 시간폭이 길고 1H 이상이다. 2번째 펄스는 시간폭이 좁고, 1H의 일부이다. 1번째 펄스는 상술한 초기화 기간 및 역치 보정 기간에 대응하고, 2번째 펄스는 신호 전압 샘플링 기간 및 이동도 보정 기간에 대응하고 있다. 또, 급전선에 공급되는 전원 펄스도 1H 주기로 1라인마다 시프트해 간다. 이에 대해, 각 신호선은 2H에 1회, 신호 전압이 인가되어, 기준 전압에 있는 시간대를 1H 이상 확보하는 것이 가능해진다.

이상과 같이, 특허 문헌 1에 기재된 종래의 표시 장치에서는, 발광 화소마다 구동 트랜지스터(512)의 역치 전압 V_th에 편차가 생겨도, 충분한 초기화 기간 및 역치 전압 보정 기간이 확보됨으로써, 발광 화소마다 당해 편차는 캔슬되어, 화상의 휘도 얼룩 억제가 도모되는 것으로 하고 있다.

일본국 특허공개 2008-122633호 공보

그러나, 특허 문헌 1에 기재된 종래의 표시 장치는, 발광 화소행마다 배치된 주사선 및 급전선의 신호 레벨의 온 오프가 많다. 예를 들면, 리셋 기간 및 역치 보정 기간을 발광 화소행마다 설정하지 않으면 안 된다. 또, 신호선으로부터 스위칭 트랜지스터를 통해 신호 전압이 샘플링되면, 이어서 발광 기간을 설정하지 않으면 안 된다. 따라서, 화소행마다의 초기화 기간 및 역치 보정 타이밍 및 발광 타이밍을 설정할 필요가 있다. 이 때문에, 표시 패널이 대면적화됨에 따라, 행수도 증가하므로, 각 구동 회로로부터 출력되는 신호가 많아지며, 또, 그 신호 전환의 주파수가 높아져, 주사선 구동 회로 및 급전선 구동 회로의 신호 출력 부하가 커진다.

또, 발광 화소열마다의 신호선의 증가에 따라, 신호선 구동 회로의 출력 개수를 증가시켜 버리므로, 구동 회로의 대형화 및 비용의 증가를 초래하며, 또, 실장 수율이 저하하여 버린다.

또, 특허 문헌 1에 기재된 종래의 표시 장치는, 구동 트랜지스터의 초기화 기간 및 역치 전압 V_th의 보정 기간은 2H 미만이며, 고정밀한 보정이 요구되는 표시 장치로서는 한계가 있다.

상기 과제를 감안하여, 본 발명은, 구동 트랜지스터의 초기화 기간 및 역치 전압을 고정밀하게 보정할 수 있는 기간이 확보되며, 또한, 구동 회로의 출력 부하가 저감된 표시 장치 및 그 제어 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 한 양태에 따른 표시 장치는, 매트릭스형상으로 배치된 복수의 발광 화소를 갖는 표시 장치로서, 발광 화소열마다 설치된 출력선에, 발광 화소의 휘도를 결정하는 신호 전압을 출력하는 신호선 구동 회로와, 발광 화소열마다 배치되어, 상기 신호 전압을 상기 발광 화소에 부여하는 제1 신호선 및 제2 신호선과, 상기 출력선으로부터 출력되는 상기 신호 전압을, 상기 제1 신호선 및 제2 신호선 중 어느 하나에 선택적으로 공급하는, 발광 화소열마다 배치된 제1 실렉터와, 고정 전압원으로부터 공급되는 고정 전압을, 상기 제1 신호선 및 제2 신호선 중 어느 하나에 선택적으로 공급하는, 발광 화소열마다 배치된 제2 실렉터와, 상기 제1 신호선 및 상기 제2 신호선에 대해, 상기 신호 전압 및 상기 고정 전압이 서로 배타적으로 공급되도록, 상기 제1 실렉터 및 상기 제2 실렉터를 제어하는 실렉터 제어부와, 제1 전원선 및 제2 전원선과, 발광 화소행마다 배치된 주사선을 구비하며, 상기 복수의 발광 화소는, 복수의 발광 화소행을 한 구동 블록으로 한 2 이상의 구동 블록을 구성하고, 상기 복수의 발광 화소의 각각은, 한쪽의 단자가 상기 제2 전원선에 접속되고, 상기 신호 전압에 따른 신호 전류가 흐름으로써 발광하는 발광 소자와, 상기 제1 전원선 및 상기 발광 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 상기 신호 전압이 인가됨으로써 상기 신호 전압을 상기 신호 전류로 변환하며, 상기 고정 전압이 인가됨으로써 역치 전압에 따른 전압 또는 초기화 전압을 유지하는 전류 제어부를 구비하고, k(k는 자연수)번째 구동 블록에 속하는 상기 발광 화소는, 또한, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제1 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 전류 제어부에 접속되어, 상기 제1 신호선과 상기 전류 제어부의 도통 및 비도통을 전환하는 제1 스위칭 트랜지스터를 구비하고, (k+1)번째 구동 블록에 속하는 상기 발광 화소는, 또한, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제2 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 전류 제어부에 접속되어, 상기 제2 신호선과 상기 전류 제어부의 도통 및 비도통을 전환하는 제2 스위칭 트랜지스터를 구비하며, 동일한 상기 구동 블록 내의 모든 발광 화소에서는, 상기 전류 제어부에 상기 고정 전압이 인가됨으로써 상기 역치 전압이 검출되는 역치 검출 기간 및 상기 전류 제어부가 초기화되는 초기화 기간의 적어도 한쪽이 공통화되어 있으며, 상이한 상기 구동 블록간에서는, 상기 구동 블록 내에서 공통화된 상기 역치 검출 기간 및 상기 초기화 기간의 적어도 한쪽이 독립되어 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 표시 장치 및 그 제어 방법에 의하면, 구동 트랜지스터의 초기화 기간 및 역치 전압 보정 기간을 구동 블록 내에서 일치시키는 것이 가능해지므로, 당해 초기화 기간 및 보정 기간을 1프레임 기간 중에서 크게 취할 수 있다. 따라서, 고정밀하게 보정된 구동 전류가 발광 소자에 흘러, 화상 표시 품질이 향상된다. 또, 구동 블록화에 의해, 상기 기간에 있어서의 구동 회로가 출력하는 신호 레벨의 전환 회수를 줄일 수 있으며, 또한, 신호선 구동 회로와 신호선의 사이에 배치된 실렉터에 의해, 당해 신호선 구동 회로로부터의 출력 개수를 저감할 수 있다. 따라서, 구동 회로의 출력 부하 및 실장 비용의 저감, 및 실장 수율의 향상이 도모된다.

도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치의 전기적인 구성을 도시한 블록도이다.
도 2a는, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치에 있어서의 홀수 구동 블록의 발광 화소의 회로 구성도이다.
도 2b는, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치에 있어서의 짝수 구동 블록의 발광 화소의 회로 구성도이다.
도 3은, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치가 갖는 실렉터 회로 및 그 주변 회로의 회로 구성도이다.
도 4는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 표시 장치가 갖는 표시 패널의 일부를 도시한 회로 구성도이다.
도 5는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 표시 장치의 구동 방법의 동작 타이밍 차트이다.
도 6은, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 표시 장치가 갖는 발광 화소의 상태 천이도이다.
도 7은, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 표시 장치의 동작 흐름도이다.
도 8은, 본 발명의 실시 형태에 따른 실렉터 회로를 구동하기 위한 동작 타이밍 차트이다.
도 9a는, 도 8에 기재된 기간 T1~T2에 있어서의 실렉터 회로의 상태 천이도이다.
도 9b는, 도 8에 기재된 기간 T0~T1에 있어서의 실렉터 회로의 상태 천이도이다.
도 10은, 주사선 및 신호선의 파형 특성을 설명하는 도면이다.
도 11은, 본 발명의 실시 형태에 따른 구동 방법에 의해 발광한 구동 블록의 상태 천이도이다.
도 12는, 본 발명의 실시 형태 2에 따른 표시 장치가 갖는 표시 패널의 일부를 도시한 회로 구성도이다.
도 13은, 본 발명의 실시 형태 2에 따른 표시 장치의 구동 방법의 동작 타이밍 차트이다.
도 14는, 본 발명의 실시 형태 2에 따른 구동 방법에 의해 발광한 구동 블록의 상태 천이도이다.
도 15a는, 본 발명의 실시 형태 3에 따른 표시 장치에 있어서의 홀수 구동 블록의 발광 화소의 구체적인 회로 구성도이다.
도 15b는, 본 발명의 실시 형태 3에 따른 표시 장치에 있어서의 짝수 구동 블록의 발광 화소의 구체적인 회로 구성도이다.
도 16은, 본 발명의 실시 형태 3에 따른 표시 장치가 갖는 표시 패널의 일부를 도시한 회로 구성도이다.
도 17은, 본 발명의 실시 형태 3에 따른 표시 장치의 구동 방법의 동작 타이밍 차트이다.
도 18은, 본 발명의 실시 형태 3에 따른 표시 장치가 갖는 발광 화소의 상태 천이도이다.
도 19는, 본 발명의 실시 형태 3에 따른 표시 장치의 동작 흐름도이다.
도 20은, 본 발명의 실시 형태 3에 따른 실렉터 회로를 구동하기 위한 동작 타이밍 차트이다.
도 21a는, 본 발명의 실시 형태 4에 따른 표시 장치에 있어서의 홀수 구동 블록의 발광 화소의 구체적인 회로 구성도이다.
도 21b는, 본 발명의 실시 형태 4에 따른 표시 장치에 있어서의 짝수 구동 블록의 발광 화소의 구체적인 회로 구성도이다.
도 22는, 본 발명의 실시 형태 4에 따른 표시 장치의 구동 방법의 동작 타이밍 차트이다.
도 23은, 본 발명의 실시 형태 4에 따른 표시 장치의 동작 흐름도이다.
도 24a는, 본 발명의 실시 형태 5에 따른 표시 장치에 있어서의 홀수 구동 블록의 발광 화소의 구체적인 회로 구성도이다.
도 24b는, 본 발명의 실시 형태 5에 따른 표시 장치에 있어서의 짝수 구동 블록의 발광 화소의 구체적인 회로 구성도이다.
도 25는, 본 발명의 실시 형태 5에 따른 표시 장치가 갖는 표시 패널의 일부를 도시한 회로 구성도이다.
도 26은, 본 발명의 실시 형태 5에 따른 표시 장치의 구동 방법의 동작 타이밍 차트이다.
도 27은, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치의 동작 흐름도이다.
도 28은, 본 발명의 화상 표시 장치를 내장한 박형 플랫 TV의 외관도이다.
도 29는, 특허 문헌 1에 기재된 종래의 표시 장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 30은, 특허 문헌 1에 기재된 종래의 표시 장치가 갖는 발광 화소의 회로 구성도이다.
도 31은, 특허 문헌 1에 기재된 표시 장치의 동작 타이밍 차트이다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 한 양태에 따른 표시 장치는, 매트릭스형상으로 배치된 복수의 발광 화소를 갖는 표시 장치로서, 발광 화소열마다 설치된 출력선에, 발광 화소의 휘도를 결정하는 신호 전압을 출력하는 신호선 구동 회로와, 발광 화소열마다 배치되어, 상기 신호 전압을 상기 발광 화소에 부여하는 제1 신호선 및 제2 신호선과, 상기 출력선으로부터 출력되는 상기 신호 전압을, 상기 제1 신호선 및 제2 신호선 중 어느 하나에 선택적으로 공급하는, 발광 화소열마다 배치된 제1 실렉터와, 고정 전압원으로부터 공급되는 고정 전압을, 상기 제1 신호선 및 제2 신호선 중 어느 하나에 선택적으로 공급하는, 발광 화소열마다 배치된 제2 실렉터와, 상기 제1 신호선 및 상기 제2 신호선에 대해, 상기 신호 전압 및 상기 고정 전압이 서로 배타적으로 공급되도록, 상기 제1 실렉터 및 상기 제2 실렉터를 제어하는 실렉터 제어부와, 제1 전원선 및 제2 전원선과, 발광 화소행마다 배치된 주사선을 구비하며, 상기 복수의 발광 화소는, 복수의 발광 화소행을 한 구동 블록으로 한 2 이상의 구동 블록을 구성하고, 상기 복수의 발광 화소의 각각은, 한쪽의 단자가 상기 제2 전원선에 접속되고, 상기 신호 전압에 따른 신호 전류가 흐름으로써 발광하는 발광 소자와, 상기 제1 전원선 및 상기 발광 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 상기 신호 전압이 인가됨으로써 상기 신호 전압을 상기 신호 전류로 변환하며, 상기 고정 전압이 인가됨으로써 역치 전압에 따른 전압 또는 초기화 전압을 유지하는 전류 제어부를 구비하고, k(k는 자연수)번째 구동 블록에 속하는 상기 발광 화소는, 또한, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제1 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 전류 제어부에 접속되어, 상기 제1 신호선과 상기 전류 제어부의 도통 및 비도통을 전환하는 제1 스위칭 트랜지스터를 구비하고, (k+1)번째 구동 블록에 속하는 상기 발광 화소는, 또한, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제2 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 전류 제어부에 접속되어, 상기 제2 신호선과 상기 전류 제어부의 도통 및 비도통을 전환하는 제2 스위칭 트랜지스터를 구비하며, 동일한 상기 구동 블록 내의 모든 발광 화소에서는, 상기 전류 제어부에 상기 고정 전압이 인가됨으로써 상기 역치 전압이 검출되는 역치 검출 기간 및 상기 전류 제어부가 초기화되는 초기화 기간의 적어도 한쪽이 공통화되어 있으며, 상이한 상기 구동 블록간에서는, 상기 구동 블록 내에서 공통화된 상기 역치 검출 기간 및 상기 초기화 기간의 적어도 한쪽이 독립되어 있다.

본 양태에 의하면, 구동 트랜지스터의 역치 전압 보정 기간 및/또는 초기화 기간과 타이밍을 구동 블록 내에서 일치시키는 것이 가능해지므로, 주사선, 신호선 및 전원선으로부터 화소 회로로의 신호 레벨의 온으로부터 오프 혹은 오프로부터 온으로의 전환 회수를 줄일 수 있어, 화소 회로를 구동하는 구동 회로의 부하가 저감된다. 또, 상기 구동 블록화 및 발광 화소열마다 배치된 2개의 신호선에 의해, 구동 트랜지스터의 역치 전압 보정 기간 및/또는 초기화 기간을 1프레임 기간 중에서 크게 취할 수 있으므로, 고정밀한 구동 전류가 발광 소자에 흘러, 화상 표시 품질이 향상된다.

또한, 한 발광 화소열에 대해 배치된 2개의 신호선에 대해, 신호선 구동 회로의 출력선이 1개로 되어 있으므로, 신호선 구동 회로를 소형화할 수 있어, 출력선의 감소에 따른 구동 회로의 비용 저감 및 패널 실장 수율의 향상을 도모할 수 있다.

또, 본 발명의 한 양태에 따른 표시 장치는, 상기 제1 실렉터는, 상기 출력선과 상기 제1 신호선의 도통 및 비도통을 전환하는 제1 스위치 소자와, 상기 출력선과 상기 제2 신호선의 도통 및 비도통을 전환하는 제2 스위치 소자를 구비하고, 상기 제2 실렉터는, 상기 고정 전압원과 상기 제1 신호선의 도통 및 비도통을 전환하는 제3 스위치 소자와, 상기 고정 전압원과 상기 제2 신호선의 도통 및 비도통을 전환하는 제4 스위치 소자를 구비하며, 상기 실렉터 제어부는, 상기 제1 스위치 소자, 상기 제2 스위치 소자, 상기 제3 스위치 소자 및 상기 제4 스위치 소자를 온 또는 오프시킴으로써, 상기 제1 실렉터 및 상기 제2 실렉터를 제어해도 된다.

본 양태에 의하면, 제1 실렉터는, 2개의 스위치 소자에 의해, 신호 전압을 제1 신호선 및 제2 신호선 중 어느 하나에 선택적으로 공급한다. 또, 제2 실렉터는, 2개의 스위치 소자에 의해, 고정 전압을 제1 신호선 및 제2 신호선 중 어느 하나에 선택적으로 공급한다. 따라서, 복잡한 회로 구성을 필요로 하지 않는 간편한 회로 구성으로 실렉터 회로를 실현할 수 있다.

또, 본 발명의 한 양태에 따른 표시 장치는, 상기 제1 스위치 소자를 온 또는 오프시키기 위한 제어선과, 상기 제4 스위치 소자를 온 또는 오프시키기 위한 제어선이 공통화되어 있으며, 상기 제2 스위치 소자를 온 또는 오프시키기 위한 제어선과, 상기 제3 스위치 소자를 온 또는 오프시키기 위한 제어선이 공통화되어 있음으로써, 상기 실렉터 제어부는, 상기 제1 스위치 소자와 상기 제4 스위치 소자의 온 오프를 동기시키고, 상기 제2 스위치 소자와 상기 제3 스위치 소자의 온 오프를 동기시켜, 상기 제1 스위치 소자 및 상기 제4 스위치 소자의 온 오프와 상기 제2 스위치 소자 및 상기 제3 스위치 소자의 온 오프를 배타적으로 행해도 된다.

본 양태에 의하면, 간편한 회로 구성을 갖는 실렉터 회로에 의해, 신호 전압 및 고정 전압을, 제1 신호선 및 제2 신호선에 배타적으로 공급하는 것이 가능해진다. 또, 제어부가 4개의 스위치 소자에 대해, 개별적으로 제어 신호를 출력할 필요가 없으며, 제1 스위치 소자 및 제4 스위치 소자에 대해 공통적인 제어 신호를 출력하고, 제2 스위치 소자 및 제3 스위치 소자에 대해 공통적인 제어 신호를 출력하면 되므로, 제어선으로부터 실렉터 회로로의 신호 레벨의 온에서 오프 혹은 오프에서 온으로의 전환을 위한 출력 부하를 줄일 수 있다.

또, 본 발명의 한 양태에 따른 표시 장치는, 발광 화소행마다 배치되고, 상기 전류 제어부에 접속된 제1 제어선을 더 구비하며, 상기 제1 제어선은, 동일한 상기 구동 블록 내의 모든 발광 화소에서는 공통화되어 있으며, 상이한 상기 구동 블록간에서는 독립되어 있어도 된다.

본 양태에 의하면, 제1 제어선 신호의 타이밍을 구동 블록 내에서 일치시키는 것이 가능해진다. 따라서, 발광 소자에 흐르는 구동 전류를 제어하는 신호를 출력하는 구동 회로의 부하가 저감된다. 또, 상기 구동 블록화 및 발광 화소열마다 배치된 2개의 신호선에 의해, 제1 제어선에 의한 전류 제어부의 제어 동작 기간을 1프레임 기간 중에서 길게 취할 수 있으므로, 고정밀한 구동 전류가 발광 소자에 흘러, 화상 표시 품질을 향상시키는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 한 양태에 따른 표시 장치는, 발광 화소행마다 배치되고, 상기 전류 제어부에 접속된 제2 제어선을 더 구비하며, 상기 전류 제어부는, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 발광 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되며, 게이트-소스간에 인가되는 상기 신호 전압을, 드레인 전류인 상기 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터와, 한쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 소스에 접속된 제1 용량 소자와, 한쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 소스에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 상기 제1 제어선에 접속된 제2 용량 소자와, 게이트가 상기 제2 제어선에 접속되며, 소스 및 드레인이 상기 제1 전원선과 상기 발광 소자의 다른 쪽의 단자 사이에 삽입되어, 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전류의 온 오프를 전환하는 제3 스위칭 트랜지스터를 구비하고, 상기 제1 스위칭 트랜지스터는, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제1 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되며, 상기 제2 스위칭 트랜지스터는, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제2 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되어 있어도 된다.

본 양태에 의하면, 전류 제어부는, 신호 전압을 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터와, 신호 전압 및 고정 전압에 대응한 전압을 유지하는 제1 용량 소자와, 구동 트랜지스터의 게이트 및 소스 전위를 안정화시키는 제2 용량 소자와, 드레인 전류의 온 오프를 전환하는 제3 스위칭 트랜지스터로 구성된다. 상기 전류 제어부의 회로 구성, 구동 블록화된 각 발광 화소로의 제어선, 주사선 및 신호선의 배치에 의해, 구동 트랜지스터의 역치 전압 보정 기간 및 그 타이밍을 동일 구동 블록 내에서 일치시키는 것이 가능해진다. 따라서, 전류 패스를 제어하는 신호를 출력하여 신호 전압을 제어하는 구동 회로의 부하가 저감된다. 또한, 상기 구동 블록화 및 발광 화소열마다 배치된 2개의 신호선에 의해, 구동 트랜지스터의 역치 전압 보정 기간을, 모든 발광 화소를 개서하는 시간인 1프레임 기간 Tf 중에서 크게 취할 수 있다. 이것은, k번째 구동 블록에서 휘도 신호가 샘플링되고 있는 기간에, (k+1)번째 구동 블록에서 역치 전압 보정 기간이 설정되는 것에 의한 것이다. 따라서, 역치 전압 보정 기간은, 발광 화소행마다 분할되는 것이 아니라, 구동 블록마다 분할된다. 따라서, 표시 영역이 대면적화될수록, 발광 듀티를 감소시키지 않고, 1프레임 기간에 대한 상대적인 역치 전압 보정 기간을 길게 설정하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 고정밀하게 보정된 신호 전압에 의거한 구동 전류가 발광 소자에 흘러, 화상 표시 품질이 향상된다. 또한, 제3 스위칭 트랜지스터에 의해, 구동 트랜지스터로의 신호 전압 인가 타이밍과 독립적으로 발광 소자의 발광 동작을 제어하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 한 양태에 따른 표시 장치는, 상기 제2 제어선은, 동일 구동 블록 내의 모든 발광 화소에서는 공통화되어 있으며, 상이한 구동 블록간에서는 독립되어 있어도 된다.

이에 의해, 제2 제어선에 의해 제3 스위칭 트랜지스터를 동일 블록 내에서 동시 제어함으로써, 동일 블록 내에서의 동시 발광을 실현하는 것이 가능해져, 제2 제어선으로부터의 신호를 출력하는 구동 회로의 부하가 저감된다.

또, 본 발명의 한 양태에 따른 표시 장치는, 발광 화소행마다 배치된 제2 제어선을 더 구비하며, 상기 전류 제어부는, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 발광 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되며, 게이트-소스간에 인가되는 상기 신호 전압을, 드레인 전류인 상기 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터와, 한쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 소스에 접속된 제3 용량 소자와, 한쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 소스에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 상기 제1 제어선에 접속된 제4 용량 소자와, 게이트가 상기 제2 제어선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제3 용량 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 구동 트랜지스터의 소스에 접속된 제4 스위칭 트랜지스터를 구비하며, 상기 제1 스위칭 트랜지스터는, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제1 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되며, 상기 제2 스위칭 트랜지스터는, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제2 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되어 있어도 된다.

본 양태에 의하면, 전류 제어부는, 신호 전압을 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터와, 신호 전압 및 고정 전압에 대응한 전압을 유지하는 제3 용량 소자와, 구동 트랜지스터의 게이트 및 소스 전위를 안정화시키는 제4 용량 소자와, 구동 트랜지스터의 소스와 제3 용량 소자의 도통 및 비도통을 전환하는 제4 스위칭 트랜지스터로 구성된다. 상기 전류 제어부의 회로 구성, 구동 블록화된 각 발광 화소로의 제어선, 주사선 및 신호선의 배치에 의해, 구동 트랜지스터의 역치 전압 보정 기간 및 그 타이밍을 동일 구동 블록 내에서 일치시키는 것이 가능해진다. 따라서, 전류 패스를 제어하는 신호를 출력하여 신호 전압을 제어하는 구동 회로의 부하가 저감된다. 또한, 상기 구동 블록화 및 발광 화소열마다 배치된 2개의 신호선에 의해, 구동 트랜지스터의 역치 전압 보정 기간을, 모든 발광 화소를 개서하는 시간인 1프레임 기간 Tf 중에서 크게 취할 수 있다. 이에 의해, 고정밀하게 보정된 신호 전압에 의거한 구동 전류가 발광 소자에 흘러, 화상 표시 품질이 향상된다. 또, 제4 스위칭 트랜지스터의 배치에 의해, 제3 용량 소자에 정확한 신호 전압에 대응한 전압을 유지시키는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 한 양태에 따른 표시 장치는, 상기 전류 제어부는, 소스 및 드레인의 한쪽이 제1 전원선에 접속되며, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 발광 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 게이트-소스간에 인가되는 상기 신호 전압을 상기 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터와, 한쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속된 제5 용량 소자와, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제5 용량 소자의 한쪽의 단자에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 참조 전원선에 접속된 제5 스위칭 트랜지스터와, 게이트가 상기 제1 제어선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제5 용량 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 구동 트랜지스터의 소스에 접속된 제6 스위칭 트랜지스터를 구비하며, 상기 제1 스위칭 트랜지스터는, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제5 용량 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 제1 신호선에 접속되며, 상기 제2 스위칭 트랜지스터는, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제5 용량 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 제2 신호선에 접속되어 있어도 된다.

본 양태에 의하면, 전류 제어부는, 신호 전압을 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터와, 신호 전압 및 고정 전압에 대응한 전압을 유지하는 제5 용량 소자와, 구동 트랜지스터의 게이트에 참조 전위를 부여하기 위한 제5 스위칭 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 소스와 제5 용량 소자의 도통 및 비도통을 전환하는 제6 스위칭 트랜지스터로 구성된다. 상기 전류 제어부의 회로 구성, 구동 블록화된 각 발광 화소로의 제어선, 주사선 및 신호선의 배치에 의해, 구동 트랜지스터의 초기화 기간 및 그 타이밍을 동일 구동 블록 내에서 일치시키는 것이 가능해진다. 따라서, 전류 패스를 제어하는 신호를 출력하여 신호 전압을 제어하는 구동 회로의 부하가 저감된다. 또한, 상기 구동 블록화 및 발광 화소열마다 배치된 2개의 신호선에 의해, 구동 트랜지스터의 리셋 기간을, 모든 발광 화소를 개서하는 시간인 1프레임 기간 Tf 중에서 크게 취할 수 있다. 이에 의해, 고정밀하게 보정된 신호 전압에 의거한 구동 전류가 발광 소자에 흘러, 화상 표시 품질이 향상된다. 또, 제6 스위칭 트랜지스터의 배치에 의해, 제5 용량 소자에 정확한 신호 전압에 대응한 전압을 유지시키는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 한 양태에 따른 표시 장치는, 상기 제1 전원선은, 발광 화소행마다 배치되며, 상기 고정 전압보다 낮은 전압인 제1 전압과, 상기 고정 전압보다 높은 전압인 제2 전압을 공급하고, 상기 전류 제어부는, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 발광 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 제1 전원선에 접속되며, 게이트-소스간에 인가되는 상기 신호 전압을, 드레인 전류인 상기 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터와, 한쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 소스 및 드레인의 한쪽에 접속되며, 적어도 상기 신호 전압 혹은 상기 고정 전압에 대응한 전압을 유지하는 제6 용량 소자를 구비하고, 상기 제1 스위칭 트랜지스터는, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제1 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되며, 상기 제2 스위칭 트랜지스터는, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제2 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되며, 동일한 상기 구동 블록 내의 모든 발광 화소에 대해, 상기 역치 검출 기간 및 상기 초기화 기간의 적어도 한쪽에서는 상기 제1 전압 및 상기 제2 전압의 공급을 동일한 타이밍으로 제어하고, 상이한 상기 구동 블록간에서는, 상기 타이밍과 상이한 타이밍으로 상기 제1 전압 및 상기 제2 전압의 공급을 제어하는 제어부를 구비해도 된다.

본 양태에 의하면, 전류 제어부는, 신호 전압을 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터와, 신호 전압 및 고정 전압에 대응한 전압을 유지하는 제6 용량 소자로 구성된다. 상기 전류 제어부의 회로 구성, 구동 블록화된 각 발광 화소로의 제어선, 주사선, 신호선 및 전원선의 배치에 의해, 구동 트랜지스터의 역치 전압 보정 기간 및 그 타이밍을 동일 구동 블록 내에서 일치시키는 것이 가능해진다. 따라서, 전류 패스를 제어하는 신호를 출력하여 신호 전압을 제어하는 구동 회로의 부하가 저감된다. 또한, 상기 구동 블록화 및 발광 화소열마다 배치된 2개의 신호선에 의해, 구동 트랜지스터의 역치 전압 보정 기간을, 모든 발광 화소를 개서하는 시간인 1프레임 기간 Tf 중에서 크게 취할 수 있다. 이에 의해, 고정밀하게 보정된 신호 전압에 의거한 구동 전류가 발광 소자에 흘러, 화상 표시 품질이 향상된다.

또, 본 발명의 한 양태에 따른 표시 장치는, 상기 발광 소자는, 상기 신호 전압에 따라 발광하는 유기 EL(Electro Luminescence) 소자여도 된다.

본 양태에 의하면, 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 패널에 있어서, 구동 블록화 및 실렉터 회로의 배치에 의해, 초기화 기간 및 역치 전압 보정 기간을 1프레임 기간 중에서 크게 취할 수 있어, 구동 회로의 출력 부하 및 비용의 저감, 및 실장 수율의 향상이 도모된다.

또, 본 발명은, 이러한 특징적인 수단을 구비하는 표시 장치로서 실현할 수 있을 뿐만 아니라, 표시 장치에 포함되는 특징적인 수단을 단계로 하는 표시 장치의 제어 방법으로서 실현할 수 있다.

(실시 형태 1)

이하, 본 발명의 실시 형태 1에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다.

도 1은, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 표시 장치의 전기적인 구성을 도시한 블록도이다. 상기 도면에 있어서의 표시 장치(1)는, 매트릭스형상으로 배치된 복수의 발광 화소를 갖는 표시 장치로서, 표시 패널(10)과, 제어 회로(20)를 구비한다. 표시 패널(10)은, 복수의 발광 화소(11A 및 11B)와, 신호선군(12)과, 제어선군(13)과, 주사/제어선 구동 회로(14)와, 신호선 구동 회로(15)와, 실렉터 회로(16)를 구비한다.

발광 화소(11A 및 11B)는, 표시 패널(10) 상에, 매트릭스형상으로 배치되어 있다. 여기에서, 발광 화소(11A 및 11B)는, 복수의 발광 화소행을 한 구동 블록으로 하는 2 이상의 구동 블록을 구성하고 있다. 구체적으로는, 발광 화소(11A)는, k(k는 자연수)번째 구동 블록을 구성하고, 또, 발광 화소(11B)는 (k+1)번째 구동 블록을 구성한다. 이것은, 예를 들면, 발광 화소(11A)는 홀수번째 구동 블록을 구성하고, 발광 화소(11B)는 짝수번째 구동 블록을 구성한다는 것을 의미한다. 단, 표시 패널(10)을 N개의 구동 블록으로 분할하였다고 하면, (k+1)은 N 이하의 자연수이다.

신호선군(12)은, 발광 화소열마다 배치된 복수의 신호선으로 이루어진다. 여기에서, 각 발광 화소열에 대해 2개의 신호선(제1 신호선(151) 및 제2 신호선(152))이 배치되어 있으며, 홀수번째 구동 블록의 발광 화소는 제1 신호선에 접속되고, 짝수번째 구동 블록의 발광 화소는 제1 신호선과 상이한 제2 신호선에 접속되어 있다. 이와 같이, 이 2개의 신호선(제1 신호선(151) 및 제2 신호선(152))은, 발광 화소열마다 배치되어, 구동 트랜지스터의 역치 전압을 검출하고, 구동 트랜지스터를 초기화하기 위한 고정 전압, 및, 발광 화소의 휘도를 결정하는 신호 전압을 발광 화소(11A 및 11B)에 부여하기 위한 것이다.

제어선군(13)은, 발광 화소마다 배치된 주사선, 제어선 및 전원선으로 이루어진다.

주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선군(13)의 각 주사선으로 주사 신호를, 제어선군(13)의 각 제어선으로 제어 신호를 출력함으로써, 발광 화소가 갖는 회로 소자를 구동한다.

신호선 구동 회로(15)는, 발광 화소열마다 설치된 출력선에, 발광 화소의 휘도를 결정하는 신호 전압을 출력한다. 구체적으로는, 신호선 구동 회로(15)는, 신호선군(12)의 각 신호선으로, 실렉터 회로(16)를 통해 발광 휘도를 결정하는 신호 전압을 출력함으로써, 발광 화소가 갖는 회로 소자를 구동한다.

실렉터 회로(16)는, 신호선 구동 회로(15)로부터 출력되는 신호 전압을, 제1 신호선 및 제2 신호선 중 어느 하나에 선택적으로 공급하고, 또, 고정 전압원으로부터 공급되는 고정 전압을, 제1 신호선 및 제2 신호선 중 어느 하나에 선택적으로 공급하는 기능을 갖는다. 또한, 실렉터 회로(16)는, 상기 신호 전압 및 고정 전압을 제1 신호선 및 제2 신호선에 배타적으로 공급한다. 상세한 것은 후술하므로, 여기에서의 설명은 생략한다.

제어 회로(20)는, 주사/제어선 구동 회로(14)로부터 출력되는 주사 신호 및 제어 신호의 출력 타이밍 및 전압 레벨을 제어한다. 또, 제어 회로(20)는, 신호선 구동 회로(15)로부터 출력되는 신호 전압을 출력하는 타이밍을 제어한다. 또한, 제어 회로(20)는, 주사/제어선 구동 회로(14)로부터 출력되는 제어 신호에 의해, 제1 신호선 및 제2 신호선에 신호 전압 및 고정 전압이 서로 배타적으로 공급되도록, 실렉터 회로(16)의 신호선 선택 동작을 제어하는 실렉터 제어부이기도 하다. 요컨대, 제1 신호선에 신호 전압을 출력시키고 있는 동안에는 제2 신호선에 고정 전압을 출력시키고, 제2 신호선에 신호 전압을 출력시키고 있는 동안에는 제1 신호선에 고정 전압을 출력시킨다.

또한, 제어 회로(20) 및 주사/제어선 구동 회로(14)는, 각 발광 화소의 동작을 제어하는 제어부를 구성한다. 제어 회로(20)는, 동일한 구동 블록 내의 모든 발광 화소에서는, 각 발광 화소에 고정 전압을 인가하여 화소 회로의 역치 전압을 검출하는 역치 검출 기간 및 화소 회로를 초기화하는 초기화 기간의 적어도 한쪽을 공통화하고, 상이한 구동 블록간에서는, 구동 블록 내에서 공통화된 역치 검출 기간 및 초기화 기간의 적어도 한쪽을 다르게 한다. 여기에서, 동일한 구동 블록 내에서, 상기 역치 검출 기간 및 상기 초기화 기간의 적어도 한쪽을 공통화한다는 것은, 당해 기간의 개시 시각 및 종료 시각을 동일한 구동 블록 내에 있어서의 각 발광 화소에서 일치시키는 것을 말한다. 또, 상이한 구동 블록간에서는, 구동 블록 내에서 공통화된 상기 역치 검출 기간 및 상기 초기화 기간의 적어도 한쪽을 다르게 한다는 것은, 당해 기간의 개시 시각 및 종료 시각을 상이한 구동 블록간에 있어서의 각 발광 화소에서 다르게 하고, 또한, 상이한 구동 블록간에서 당해 기간을 중복시키지 않는 것을 말한다.

도 2a는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 표시 장치에 있어서의 홀수 구동 블록의 발광 화소의 구체적인 회로 구성도이며, 도 2b는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 표시 장치에 있어서의 짝수 구동 블록의 발광 화소의 구체적인 회로 구성도이다. 도 2a 및 도 2b에 기재된 발광 화소(11A 및 11B)는, 모두, 유기 EL(Electro Luminescence) 소자(113)와, 구동 트랜지스터(114)와, 스위칭 트랜지스터(115 및 116)와, 정전 유지 용량(117 및 118)과, 제2 제어선(131)과, 제1 제어선(132)과, 주사선(133)과, 제1 신호선(151)과, 제2 신호선(152)을 구비한다. 여기에서, 구동 트랜지스터(114)와, 스위칭 트랜지스터(116)와, 정전 유지 용량(117 및 118)은, 전류 제어부(100)를 구성하고 있다.

전류 제어부(100)는, 전원선(112) 및, 유기 EL 소자(113)의 다른 쪽의 단자 및 제1 제어선(132)에 접속되며, 신호 전압을 신호 전류로 변환한다. 구체적으로는, 전류 제어부(100)는, 제1 전원선인 전원선(110), 유기 EL 소자(113)의 애노드, 제2 제어선(131), 제1 제어선(132) 및 스위칭 트랜지스터(115)의 소스 및 드레인의 한쪽의 단자에 접속되어 있다. 이 구성에 의해, 전류 제어부(100)는, 제1 신호선(151) 또는 제2 신호선(152)으로부터 공급되는 신호 전압을 구동 트랜지스터(114)의 소스 드레인 전류인 신호 전류로 변환하는 기능을 갖는다.

유기 EL 소자(113)는, 한쪽의 단자가 전원선(112)에 접속되며, 신호 전압에 따른 신호 전류가 흐름으로써 발광한다. 구체적으로는, 캐소드가 제2 전원선인 전원선(112)에 접속되고 애노드가 구동 트랜지스터(114)의 소스에 접속된 발광 소자이며, 구동 트랜지스터(114)의 구동 전류가 흐름으로써 발광한다.

구동 트랜지스터(114)는, 본 발명의 전류 제어부에 포함되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 유기 EL 소자(113)의 다른 쪽의 단자에 접속되어, 게이트-소스간에 인가되는 신호 전압을, 드레인 전류인 신호 전류로 변환한다. 구체적으로는, 게이트-소스간에, 신호 전압에 대응한 전압이 인가됨으로써, 당해 전압을 당해 전압에 대응한 드레인 전류로 변환한다. 그리고, 이 드레인 전류는, 구동 전류로서 유기 EL 소자(113)에 공급된다. 구동 트랜지스터(114)는, 예를 들면, n형의 박막 트랜지스터(n형 TFT)로 구성된다.

스위칭 트랜지스터(115)는, 주사선(133)이 게이트 전극에 접속되고, 소스 및 드레인의 한쪽이 제1 신호선(151)에 접속된 제3 스위칭 트랜지스터이며, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 전류 제어부에 접속되어, 제1 신호선(151)과 전류 제어부의 도통 및 비도통을 전환한다. 구체적으로는, 게이트가 주사선(133)에 접속되고, 소스 및 드레인의 한쪽이 구동 트랜지스터(114)의 게이트에 접속되어 있다. 또, 그 소스 및 드레인의 다른 쪽은, 홀수 구동 블록의 발광 화소(11A)에서는, 제1 신호선(151)에 접속되어, 제1 스위칭 트랜지스터로서 기능하며, 짝수 구동 블록의 발광 화소(11B)에서는, 제2 신호선(152)에 접속되어, 제2 스위칭 트랜지스터로서 기능한다.

스위칭 트랜지스터(116)는, 게이트가 제2 제어선(131)에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 정전원선인 전원선(110)에 접속된 제3 스위칭 트랜지스터이다. 스위칭 트랜지스터(116)는, 구동 트랜지스터(114)의 드레인 전류를 온 오프시키는 기능을 갖는다.

또한, 스위칭 트랜지스터(116)는, 그 소스 및 드레인이 전원선(110)과 유기 EL 소자(113)의 애노드 사이에 접속되어 있으면 된다. 이 배치에 의해, 구동 트랜지스터(114)의 드레인 전류를 온 오프시키는 것이 가능해진다. 스위칭 트랜지스터(115 및 116)는, 예를 들면, n형의 박막 트랜지스터(n형 TFT)로 구성된다.

정전 유지 용량(117)은, 한쪽의 단자가 구동 트랜지스터(114)의 게이트에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 구동 트랜지스터(114)의 소스에 접속된 제1 용량 소자이다. 정전 유지 용량(117)은, 제1 신호선(151) 또는 제2 신호선(152)으로부터 공급된 신호 전압에 대응한 전하를 유지하며, 예를 들면, 스위칭 트랜지스터(115)가 오프 상태가 된 후에, 구동 트랜지스터(114)로부터 유기 EL 소자(113)로 공급하는 신호 전류를 제어하는 기능을 갖는다.

정전 유지 용량(118)은, 정전 유지 용량(117)의 다른 쪽의 단자와 제1 제어선(132)의 사이에 접속된 제2 용량 소자이다. 정전 유지 용량(118)은, 우선, 정상 상태에서 구동 트랜지스터(114)의 소스 전위를 기억하며, 신호 전압이 스위칭 트랜지스터(115)로부터 인가된 경우에도 그 소스 전위의 정보는 정전 유지 용량(117)과 정전 유지 용량(118) 사이의 노드에 남는다. 또한 이 타이밍에서의 소스 전위란 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압이다. 그 후, 상기 신호 전압의 유지로부터 발광까지의 타이밍이 발광 화소행마다 상이해도, 정전 유지 용량(117)의 다른 쪽의 단자의 전위가 확정되므로 구동 트랜지스터(114)의 게이트 전압이 확정된다. 한편, 구동 트랜지스터(114)의 소스 전위는 이미 정상 상태이므로, 정전 유지 용량(118)은, 결과적으로 구동 트랜지스터(114)의 소스 전위를 유지하는 기능을 갖는다.

제2 제어선(131)은, 발광 화소행마다 배치되고, 동일한 구동 블록 내의 모든 발광 화소에서는 공통화되어 있으며, 상이한 구동 블록간에서는 독립되어 있다. 여기에서, 제2 제어선(131)이 동일한 구동 블록 내의 모든 발광 화소에서 공통화되어 있다는 것은, 주사/제어선 구동 회로(14)로부터 출력되는 한 제어 신호가, 동일한 구동 블록 내의 제2 제어선(131)에 동시에 공급되는 것을 말한다. 예를 들면, 동일한 구동 블록 내에서는, 주사/제어선 구동 회로(14)에 접속된 1개의 제어선이, 발광 화소행마다 배치된 제2 제어선(131)으로 분기하고 있다. 또, 제2 제어선(131)이, 상이한 구동 블록간에서는 독립되어 있다는 것은, 주사/제어선 구동 회로(14)로부터 출력되는 개별적인 제어 신호가, 복수의 구동 블록에 대해 공급되는 것을 말한다. 예를 들면, 제2 제어선(131)이, 주사/제어선 구동 회로(14)에, 구동 블록마다, 개별적으로 접속되어 있다. 구체적으로는, 제2 제어선(131)은, 주사/제어선 구동 회로(14)에 접속되고, 발광 화소(11A 및 11B)를 포함하는 화소행에 속하는 각 발광 화소에 접속되어 있다. 이에 의해, 제2 제어선(131)은, 구동 트랜지스터(114)의 드레인 전류를 온 오프하는 타이밍을 공급하는 기능을 갖는다.

제1 제어선(132)은, 발광 화소행마다 배치되며, 동일한 구동 블록 내의 모든 발광 화소에서는 공통화되어 있으며, 상이한 구동 블록간에서는 독립되어 있다. 구체적으로는, 제1 제어선(132)은, 주사/제어선 구동 회로(14)에 접속되며, 발광 화소(11A 및 11B)를 포함하는 화소행에 속하는 각 발광 화소에 접속되어 있다. 이에 의해, 제1 제어선(132)은, 전압 레벨을 전환함으로써, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압을 검출하는 환경을 조정하는 기능을 갖는다.

주사선(133)은, 발광 화소(11A 및 11B)를 포함하는 화소행에 속하는 각 발광 화소에 신호 전압 또는 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압을 검출하기 위한 고정 전압을 기록하는 타이밍을 공급하는 기능을 갖는다.

제1 신호선(151) 및 제2 신호선(152)은, 실렉터 회로(16)에 접속되며, 각각, 발광 화소(11A 및 11B)를 포함하는 화소열에 속하는 각 발광 화소에 접속되고, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압을 검출하기 위한 고정 전압과, 발광 강도를 결정하는 신호 전압을 공급하는 기능을 갖는다.

또한, 도 2a 및 도 2b에는 기재되어 있지 않지만, 전원선(110) 및 전원선(112)은, 각각, 다른 발광 화소에도 접속되어 있으며 전압원에 접속되어 있다.

다음에, 실렉터 회로(16)의 회로 구성 및 그 기능을 상세하게 설명한다.

도 3은, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치가 갖는 실렉터 회로 및 그 주변 회로의 회로 구성도이다. 상기 도면에 기재된 실렉터 회로(16)는, 발광 화소열마다, 스위칭 트랜지스터(161~164)를 구비한다. 또, 신호선 구동 회로(15)는, 발광 화소열마다 데이터 드라이버(153)를 구비한다. 데이터 드라이버(153)는, 제어 회로(20)로부터의 입력 신호에 대응한 신호 전압을, 접속된 발광 화소열에 출력하는 IC이다. 또한, 발광 화소가, R(적색) 화소, G(녹색) 화소 및 B(청색) 화소의 서브 화소로 구성되어 있는 경우에는, 실렉터 회로(16)는, 서브 화소열마다, 스위칭 트랜지스터(161~164)를 구비하며, 또, 신호선 구동 회로(15)는, 서브 화소열마다 데이터 드라이버(153)를 구비한다.

또, 도 3에는, 표시 패널(10)이 갖는 발광 화소의 일부가 기재되어 있으며, 2행이 한 구동 블록화를 구성하고, 최종 블록의 발광 화소(11B)(2행) 및 최종 블록의 한 블록 전 블록의 발광 화소(11A)(1행만)가 기재되어 있다.

스위칭 트랜지스터(161)는, 게이트가 제어선(141)에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 제2 신호선(152)에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 고정 전압선(119)에 접속된 제4 스위치 소자이다.

스위칭 트랜지스터(162)는, 게이트가 제어선(142)에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 제1 신호선(151)에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 고정 전압선(119)에 접속된 제3 스위치 소자이다.

고정 전압선(119)은, 표시 장치(1)가 갖는 고정 전압원에 접속되어 있으며, 실렉터 회로(16)의 근방 또는 내부에 배치되어 있다. 또한, 고정 전압이, 예를 들면, 0V인 경우에는, 고정 전압원 및 고정 전압선(119)을 설치하지 않고, 스위칭 트랜지스터(161 및 162)의 접속처로서, 고정 전압선(119) 대신에 전원선(112)을 이용해도 된다. 이 경우에는, 실장 비용의 저감화 및 실장 면적의 축소화가 도모된다.

스위칭 트랜지스터(161 및 162)는, 고정 전압원으로부터 공급되는 고정 전압을, 제1 신호선(151) 및 제2 신호선(152) 중 어느 하나에 선택적으로 공급하는, 발광 화소열마다 배치된 제2 실렉터(16B)를 구성한다.

스위칭 트랜지스터(163)는, 게이트가 제어선(143)에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 제2 신호선(152)에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 데이터 드라이버(153)에 접속된 제2 스위치 소자이다.

스위칭 트랜지스터(164)는, 게이트가 제어선(144)에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 제1 신호선(151)에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 데이터 드라이버(153)에 접속된 제1 스위치 소자이다.

스위칭 트랜지스터(163 및 164)는, 신호선 구동 회로(15)로부터 출력되는 신호 전압을, 제1 신호선(151) 및 제2 신호선(152) 중 어느 하나에 선택적으로 공급하는, 발광 화소열마다 배치된 제1 실렉터(16A)를 구성한다.

여기에서, 본 실시 형태에서는, 제어선(141)과 제어선(144)은 접속되어 공통화되어 있으며, 1개의 제어선으로 되어 있다. 또, 제어선(142)과 제어선(143)은 접속되어 공통화되어 있으며, 1개의 제어선으로 되어 있다. 이에 의해, 주사/제어선 구동 회로(14)로부터 한 제어 신호가 제어선(141) 및 제어선(144)에 동시에 출력됨으로서, 스위칭 트랜지스터(161 및 164)의 온 오프가 동기한다. 동일하게 주사/제어선 구동 회로(14)로부터 한 제어 신호가 제어선(142) 및 제어선(143)에 동시에 출력됨으로써, 스위칭 트랜지스터(162 및 163)의 온 오프가 동기한다. 또한, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(141) 및 제어선(144)에 부여하는 제어 신호의 전압 레벨과, 제어선(142) 및 제어선(143)에 부여하는 제어 신호의 전압 레벨을 배타적으로 변화시킴으로써, 스위칭 트랜지스터(161 및 164)의 온 오프와 스위칭 트랜지스터(162 및 163)의 온 오프를 배타적으로 행한다. 이에 의해, 신호 전압 및 고정 전압은, 제1 신호선(151) 및 제2 신호선(152)에 배타적으로 공급되게 된다. 실렉터 회로(16)의 구동 방법의 상세한 설명에 대해서는, 도 8, 도 9a 및 도 9b를 이용하여 후술한다.

종래의 신호선 구동 회로에서는, 신호선의 개수와 동수의 데이터 드라이버 IC 및 출력선을 배치하여, 신호선마다 독립적으로 신호 전압을 구동할 필요가 있었다. 본 발명에서는, 신호선 구동 회로(15)와 신호선군(12)의 사이에, 실렉터 회로(16)가 배치되어 있음으로써, 한 발광 화소열에 대해 배치된 2개의 신호선에 대해, 신호선 구동 회로(15)의 출력선이 1개로 되어 있으므로, 신호선 구동 회로(15)를 소형화할 수 있으며, 데이터 드라이버(153)의 실장수 및 출력선의 감소에 따른 구동 회로 실장을 위한 비용 저감 및 실장 수율의 향상이 도모된다.

또한, 제어선(141)과 제어선(144)이 공통화되지 않고, 주사/제어선 구동 회로(14)에 의해 개별적으로 제어되며, 제어선(142)과 제어선(143)이 공통화되지 않고, 주사/제어선 구동 회로(14)에 의해 개별적으로 제어되어도 된다. 이 경우에는, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(141)에 출력하는 제어 신호와 제어선(144)에 출력하는 제어 신호를 동기시킴으로써 스위칭 트랜지스터(161 및 164)의 온 오프를 동기시킨다. 동일하게 하여, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(142)에 출력하는 제어 신호와 제어선(143)에 출력하는 제어 신호를 동기시킴으로써 스위칭 트랜지스터(162 및 163)의 온 오프를 동기시킨다.

다음에, 제2 제어선(131), 제1 제어선(132), 주사선(133), 제1 신호선(151) 및 제2 신호선(152)의 발광 화소간에 있어서의 접속 관계에 대해 설명한다.

도 4는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 표시 장치가 갖는 표시 패널의 일부를 도시한 회로 구성도이다. 상기 도면에는, 2개의 인접하는 구동 블록 및 각 제어선, 각 주사선 및 각 신호선이 기재되어 있다. 도면 및 이하의 설명에서는, 각 제어선, 각 주사선 및 각 신호선을 "부호(블록 번호, 당해 블록에 있어서의 행 번호)" 또는 "부호(블록 번호)"로 나타내고 있다.

전술한 바와 같이, 구동 블록이란, 복수의 발광 화소행으로 구성되어 있으며, 표시 패널(10) 중에는 2 이상의 구동 블록이 존재한다. 예를 들면, 도 4에 기재된 각 구동 블록은, m행의 발광 화소행으로 구성되어 있다.

도 4의 상단에 기재된 k번째 구동 블록에서는, 제2 제어선(131(k))이 당해 구동 블록 내의 모든 발광 화소(11A)가 갖는 스위칭 트랜지스터(116)의 게이트에 공통적으로 접속되어 있다. 또, 제1 제어선(132(k))이 당해 구동 블록 내의 모든 발광 화소(11A)가 갖는 정전 유지 용량(118)에 공통적으로 접속되어 있다. 한편, 주사선(133(k,1))~주사선(133(k,m))은, 각각, 발광 화소행마다 개별적으로 접속되어 있다. 또, 도 5의 하단에 기재된 (k+1)번째 구동 블록에서도, k번째 구동 블록과 동일한 접속이 이루어지고 있다. 단, k번째 구동 블록에 접속된 제2 제어선(131(k))과 (k+1)번째 구동 블록에 접속된 제2 제어선(131(k+1))은, 상이한 제어선이며, 주사/제어선 구동 회로(14)로부터 개별적인 제어 신호가 출력된다. 또, k번째 구동 블록에 접속된 제1 제어선(132(k))과 (k+1)번째 구동 블록에 접속된 제1 제어선(132(k+1))은, 상이한 제어선이며, 주사/제어선 구동 회로(14)로부터 개별적인 제어 신호가 출력된다.

또, k번째 구동 블록에서는, 제1 신호선(151)이 당해 구동 블록 내의 모든 발광 화소(11A)가 갖는 스위칭 트랜지스터(115)의 소스 및 드레인의 다른 쪽에 접속되어 있다. 한편, (k+1)번째 구동 블록에서는, 제2 신호선(152)이 당해 구동 블록 내의 모든 발광 화소(11B)가 갖는 스위칭 트랜지스터(115)의 소스 및 드레인의 다른 쪽에 접속되어 있다.

상술한 바와 같이, 상기 구동 블록화를 행함으로써, 구동 트랜지스터(114)의 드레인으로의 전압 인가의 온 오프를 제어하는 제2 제어선(131)의 개수가 삭감된다. 또, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th를 검출하는 V_th 검출 회로를 제어하는 제1 제어선(132)의 개수가 삭감된다. 따라서, 이들 제어선에 구동 신호를 출력하는 주사/제어선 구동 회로(14)의 출력 개수가 저감하여, 회로 규모의 삭감을 가능하게 한다.

다음에, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(1)의 제어 방법에 대해 도 5를 이용하여 설명한다. 또한, 여기에서는, 도 2a 및 도 2b에 기재된 구체적 회로 구성을 갖는 표시 장치에 대한 제어 방법을 상세하게 설명한다.

도 5는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 표시 장치의 구동 방법의 동작 타이밍 차트이다. 상기 도면에 있어서, 가로축은 시간을 나타내고 있다. 또 세로 방향으로는, 위에서부터 순서대로, k번째 구동 블록의 주사선(133(k,1), 133(k,2) 및 133(k,m)), 제1 신호선(151), 제2 제어선(131(k)) 및 제1 제어선(132(k))에 발생하는 전압의 파형도가 도시되어 있다. 또, 이들에 이어서, (k+1)번째 구동 블록의 주사선(133(k+1,1), 133(k+1,2) 및 133(k+1,m)), 제2 신호선(152), 제2 제어선(131(k+1)) 및 제1 제어선(132(k+1))에 발생하는 전압의 파형도가 도시되어 있다. 또, 도 6은, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 표시 장치가 갖는 발광 화소의 상태 천이도이다. 또, 도 7은, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 표시 장치의 동작 흐름도이다.

우선, 시각 t0의 직전에서는, 주사선(133(k,1)~133(k,m))의 전압 레벨은 모두 LOW이며, 제1 제어선(132(k)) 및 제2 제어선(131(k))도 LOW이다. 도 6(a)와 같이, 제2 제어선(131(k))을 LOW로 한 순간부터, 스위칭 트랜지스터(116)는 오프 상태가 된다. 이에 의해, 유기 EL 소자(113)는 소광하여, k 블록에 있어서의 발광 화소의 일제 발광이 종료된다. 동시에, k 블록에 있어서의 비발광 기간이 개시된다.

다음에, 시각 t0에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 주사선(133(k,1)~133(k,m))의 전압 레벨을 동시에 LOW로부터 HIGH로 변화시켜, 스위칭 트랜지스터(115)를 온 상태로 한다. 단, 이 때, 이미 제2 제어선(131(k))은 LOW가 되어 스위칭 트랜지스터(116)는 오프로 되어 있으며(도 7의 S11), 신호선 구동 회로(15)는, 제1 신호선(151)의 전압을, 신호 전압으로부터 구동 트랜지스터(114)가 오프가 되는 고정 전압으로 변화시키고 있다(도 7의 S12).

여기에서, 실렉터 회로(16)를 이용하여, 제1 신호선(151)의 전압을 신호 전압으로부터 고정 전압으로 변화시키는 방법에 대해 설명한다.

도 8은, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 실렉터 회로를 구동하기 위한 동작 타이밍 차트이다. 상기 도면에 있어서, 가로축은 시간을 나타내고 있다. 또 세로 방향으로는, 위에서부터 순서대로, 제1 구동 블록의 주사선(133(1,1) 및 133(1,m)), 제2 구동 블록의 주사선(133(2,1) 및 133(2,m)), 제3 구동 블록의 주사선(133(3,1) 및 133(3,m)), 제4 구동 블록의 주사선(133(4,1) 및 133(4,m)), 제1 신호선(151), 제2 신호선(152), 제어선(143), 제어선(144) 및 신호선 구동 회로(15)에 발생하는 전압의 파형도가 도시되어 있다. 또, 도 9a는, 도 8에 기재된 기간 T1~T2에 있어서의 실렉터 회로의 상태 천이도이며, 도 9b는, 도 8에 기재된 기간 T0~T1에 있어서의 실렉터 회로의 상태 천이도이다. 또한, 도 8에서는, 실렉터 회로 동작을 이해하기 쉽게 하기 위해, 구동 블록수를 4로 하고 있다.

도 8에 있어서, 기간 T0~기간 T1은 제1 구동 블록의 역치 전압 검출 기간, 기간 T1~기간 T2는 제2 구동 블록의 역치 전압 검출 기간, 기간 T2~기간 T3은 제3 구동 블록의 역치 전압 검출 기간, 기간 T3~기간 T4는 제4 구동 블록의 역치 전압 검출 기간에 상당한다. 따라서, 기간 T0~기간 T1에서는, 주사선(133(1,1)~133(1,m))의 전압 레벨이 HIGH가 되고 있고, 기간 T1~기간 T2에서는, 주사선(133(2,1)~133(2,m))의 전압 레벨이 HIGH가 되고 있고, 기간 T2~기간 T3에서는, 주사선(133(3,1)~133(3,m))의 전압 레벨이 HIGH가 되고 있으며, 기간 T3~기간 T4에서는, 주사선(133(4,1)~133(4,m))의 전압 레벨이 HIGH가 되고 있다. 이에 대응하여, 기간 T0~기간 T1 및 기간 T2~기간 T3에서는, 제어선(144)이 LOW 레벨 또한 제어선(143)이 HIGH 레벨이 됨으로써 제1 신호선(151)의 전압이 고정 전압으로 되고 있다. 한편, 기간 T1~기간 T2 및 기간 T3~기간 T4에서는, 제어선(144)이 HIGH 레벨 또한 제어선(143)이 LOW 레벨이 됨으로써 제2 신호선(152)의 전압이 고정 전압으로 되고 있다. 또한, 신호선 구동 회로(15)로부터는 항상 신호 전압이 출력되고 있다.

도 8에 있어서의 시각 T0 및 T2는, 도 5에 있어서의 시각 t0에 상당하며, 시각 T0에서는 주사선(133(1,1)~133(1,m))의 전압 레벨을 동시에 LOW로부터 HIGH로 변화시키고, 시각 T2에서는 주사선(133(3,1)~133(3,m))의 전압 레벨을 동시에 LOW로부터 HIGH로 변화시킨다. 또, 이 때, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(144)의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시키고, 제어선(143)의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시킨다. 이 시각 T0 및 T2에 있어서의 전압 레벨의 변화에 의해, 실렉터 회로(16)의 한 발광 화소열에 있어서의 회로 상태는 도 9b와 같이 된다. 요컨대, 게이트가 제어선(143)에 접속된 스위칭 트랜지스터(162 및 163)가 온 상태가 되고, 게이트가 제어선(144)에 접속된 스위칭 트랜지스터(161 및 164)가 오프 상태가 된다. 이에 의해, 시각 T0 및 T2에서, 각각, 제1 구동 블록 및 제3 구동 블록의 발광 화소(11A)가 접속된 제1 신호선(151)의 전압은 고정 전압으로 변화하고, 제2 신호선(152)의 전압은 신호 전압으로 변화한다.

이에 의해, 도 5에 기재된 시각 t0에서, 고정 전압이, k번째 구동 블록이 갖는 모든 구동 트랜지스터(114)의 게이트에 인가된다.

다음에, 시각 t1에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제1 제어선(132(k))의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시키고, 일정 기간이 지난 후, 시각 t2에서 LOW로 변화시킨다(도 7의 S13). 또, 이 때, 제2 제어선(131(k))의 전압 레벨은 LOW로 유지되어 있으므로, 구동 트랜지스터(114)의 소스 전극 S(M)와 유기 EL 소자(113)의 캐소드 전극 사이의 전위차는, 유기 EL 소자(113)의 역치 전압에 점점 가까워져 간다. 여기에서, 예를 들면, 고정 전압 및 전원선(112) 전위를 0V로 하고, 제1 제어선(132(k))의 HIGH 전압 레벨(VgH)과 LOW 전압 레벨(VgL)의 전위차(VgH-VgL)를 ΔVreset, 정전 유지 용량(118)의 정전 용량치를 C2, 유기 EL 소자(113)의 정전 용량 및 역치 전압을, 각각 C_EL 및 V_T(EL)로 한다. 이 때, 제1 제어선(132(k))의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 한 순간, 구동 트랜지스터(114)의 소스 전극 S(M)의 전위 Vs는, C2와 C_EL로 분배되는 전압과, V_T(EL)의 합과 거의 동일하며,

[수식 1]

이 된다. 그 후, 도 6(b)에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 소자(113)의 자기 방전이 이루어짐으로써, 상기 Vs는, 정상 상태에서는, V_T(EL)에 점점 가까워져 간다. 즉, Vs→VT(EL)가 된다.

그 후, 시각 t2에서, 주사/제어선 구동 회로(14)가 제1 제어선(132(k))의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시킴으로써, Vs가 바이어스되어,

[수식 2]

가 된다. 여기에서, 이 제1 제어선(132(k))의 HIGH로부터 LOW로의 변화에 의해, 구동 트랜지스터(114)의 게이트 소스간 전압인 Vgs에는, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th보다 큰 전압이 발생하도록 ΔV_reset를 설정하고 있다. 요컨대, 정전 유지 용량(117)에 발생하는 전위차를 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압을 검출할 수 있는 전위차로 하고 있다. 이와 같이 하여, 역치 전압의 검출 과정으로의 준비가 완료된다.

다음에, 시각 t3에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제2 제어선(131(k))의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시켜 스위칭 트랜지스터(116)를 온 상태로 한다. 이에 의해, 도 6(c)에 나타낸 바와 같이, 구동 트랜지스터(114)는 온 상태가 되며, 드레인 전류를, 정전 유지 용량(117, 118) 및 오프 상태로 되어 있는 유기 EL 소자(113)에 흐르게 한다. 이 때, 수식 2에서 규정된 Vs는, -V_th에 점점 가까워져 간다. 이에 의해, 정전 유지 용량(117, 118) 및 유기 EL 소자(113)에는 구동 트랜지스터(114)의 게이트-소스간 전압이 기록된다. 또한, 이 때, 유기 EL 소자(113)의 애노드 전극 전위 즉 구동 트랜지스터(114)의 소스 전극 전위는 -V_th(＜0)보다 낮은 전위이며, 유기 EL 소자(113)의 캐소드 전위는 0V이므로 역바이어스 상태가 되어, 유기 EL 소자(113)는 발광하지 않고, 정전 용량 C_EL로서 기능한다.

그리고, 시각 t3~시각 t4의 기간, 발광 화소(11A)의 회로는 정상 상태가 되어, 정전 유지 용량(117 및 118)에는 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압이 유지된다. 또한, 역치 전압 V_th에 상당하는 전압을 정전 유지 용량(117 및 118)에 유지시키기 위해 흐르는 전류는 미소하므로, 정상 상태가 될 때까지는 시간을 요한다. 따라서, 이 기간이 길수록, 정전 유지 용량(117)에 유지되는 전압은 안정되며, 이 기간을 충분히 길게 확보함으로써, 고정밀한 전압 보상이 실현된다.

다음에, 시각 t4에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제2 제어선(131(k))의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시킨다(도 7의 S14). 이에 의해, 구동 트랜지스터(114)로의 전류 공급이 정지된다. 이 때, k번째 구동 블록의 모든 발광 화소(11A)가 갖는 정전 유지 용량(117 및 118)에는 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압이 동시에 유지된다.

다음에, 시각 t5에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 주사선(133(k,1)~133(k,m))의 전압 레벨을 동시에 HIGH로부터 LOW로 변화시켜, 스위칭 트랜지스터(115)를 오프 상태로 한다.

이상, 시각 t0~시각 t5의 기간에서는, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th의 보정이, k번째 구동 블록 내에서 동시에 실행되고 있다.

다음에, 시각 t5~시각 t7의 기간에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 주사선(133(k,1)~133(k,m))의 전압 레벨을, 순차적으로, LOW→HIGH→LOW로 변화시켜, 스위칭 트랜지스터(115)를, 발광 화소행마다 순차적으로 온 상태로 한다. 또, 이 때, 신호선 구동 회로(15)는, 제1 신호선(151)의 전압을 고정 전압으로부터 신호 전압 Vdata로 변화시킨다(도 7의 S15).

여기에서, 실렉터 회로(16)를 이용하여, 제1 신호선(151)의 전압을 고정 전압으로부터 신호 전압으로 변화시키는 방법에 대해 설명한다.

도 8에 있어서의 시각 T1 및 T3은, 도 5에 있어서의 시각 t5에 상당하며, 시각 T1에서는 주사선(133(1,1)~133(1,m))의 전압 레벨을 동시에 HIGH로부터 LOW로 변화시키고, 시각 T3에서는 주사선(133(3,1)~133(3,m))의 전압 레벨을 동시에 HIGH로부터 LOW로 변화시킨다. 또, 이 때, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(144)의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시키고, 제어선(143)의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시킨다. 이 시각 T1 및 T3에 있어서의 전압 레벨의 변화에 의해, 실렉터 회로(16)의 한 발광 화소열에 있어서의 회로 상태는 도 9a와 같이 된다. 요컨대, 게이트가 제어선(143)에 접속된 스위칭 트랜지스터(162 및 163)가 오프 상태가 되고, 게이트가 제어선(144)에 접속된 스위칭 트랜지스터(161 및 164)가 온 상태가 된다. 이에 의해, 시각 T1 및 T3에서, 각각, 제2 구동 블록 및 제4 구동 블록의 발광 화소(11B)가 접속된 제2 신호선(152)의 전압은 고정 전압으로 변화하고, 제1 신호선(151)의 전압은 신호 전압으로 변화한다.

이에 의해, 도 5에 기재된 시각 t5에서, 도 6(d)에 나타낸 바와 같이, 구동 트랜지스터(114)의 게이트에 신호 전압 Vdata가 인가된다. 이 때, 정전 유지 용량(117 및 118)의 접점 M에 있어서의 전위 V_M(=Vs)은, 신호 전압의 변화량 ΔVdata가 C1 및 C2로 분배된 전압과, 시각 t4에 있어서의 Vs 전위인 -V_th의 합이 되며,

[수식 3]

이 된다.

요컨대, 정전 유지 용량(117)에 유지되는 전위차 Vgs는, Vdata와 상기 수식 3에서 규정된 전위의 차분이며,

[수식 4]

가 된다. 요컨대, 정전 유지 용량(117)에는, 이 신호 전압 Vdata에 따른 전압과, 먼저 유지된 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압이 가산된 가산 전압이 기록된다.

이상, 시각 t5~시각 t7의 기간에서는, 보정된 신호 전압의 기록이, k번째 구동 블록 내에서 발광 화소행마다 순차적으로 실행되고 있다.

다음에, 시각 t7 이후에서, 제2 제어선(131(k))의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시킨다(도 7의 S16). 이에 의해, 상기 가산 전압에 따른 구동 전류가 유기 EL 소자(113)에 흐른다. 요컨대, k번째 구동 블록 내의 모든 발광 화소(11A)에서는, 동시에 발광이 개시된다.

이상, 시각 t7 이후의 기간에서는, 유기 EL 소자(113)의 발광이, k번째 구동 블록 내에서 동시에 실행되고 있다. 여기에서, 구동 트랜지스터(114)를 흐르는 드레인 전류 i_d는, 수식 4에서 규정된 Vgs에서, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th를 뺀 전압치를 이용하며,

[수식 5]

로 나타내어진다. 여기에서, β는 이동도에 관한 특성 파라미터이다. 수식 5로부터, 유기 EL 소자(113)를 발광시키기 위한 드레인 전류 i_d는, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th에 의존하지 않는 전류로 되어 있는 것을 알 수 있다.

이상, 발광 화소행을 구동 블록화함으로써, 구동 블록 내에서는, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th 보상이 동시에 실행된다. 또, 유기 EL 소자(113)의 발광도 구동 블록 내에서 동시에 실행된다. 이에 의해, 구동 트랜지스터(114)의 구동 전류의 온 오프의 제어를 구동 블록 내에서 동기시킬 수 있으며, 또, 당해 구동 전류의 소스 이후의 전류 경로의 제어를 구동 블록 내에서 동기시킬 수 있다. 따라서, 제1 제어선(132) 및 제2 제어선(131)을 구동 블록 내에서 공통화할 수 있다.

또, 주사선(133(k,1)~133(k,m))에서는, 주사/제어선 구동 회로(14)와는 개별적으로 접속되어 있지만, 역치 전압 보상 기간에서는, 구동 펄스의 타이밍이 동일하다. 따라서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 출력하는 펄스 신호의 고주파화를 억제할 수 있으므로, 구동 회로의 출력 부하를 저감할 수 있다. 또한, 실렉터 회로(16)에 있어서, 제어선(144)에 부여하는 제어 신호의 전압 레벨과, 제어선(143)에 부여하는 제어 신호의 전압 레벨을 배타적으로 변화시킴으로써, 스위칭 트랜지스터(161 및 164)의 온 오프와 스위칭 트랜지스터(162 및 163)의 온 오프를 배타적으로 행함으로써, 신호 전압 및 고정 전압은, 제1 신호선(151) 및 제2 신호선(152)에 배타적으로 공급된다. 이에 의해, 한 발광 화소열에 대해 배치된 2개의 신호선에 대해, 신호선 구동 회로(15)의 출력선을 1개로 할 수 있으므로, 신호선 구동 회로(15)를 소형화할 수 있으며, 데이터 드라이버(153)의 실장수 및 출력선의 감소에 따른 구동 회로 실장을 위한 비용 저감 및 실장 수율의 향상이 도모된다.

한편, 상술한, 구동 회로의 출력 부하가 작은 구동 방법은, 특허 문헌 1에 기재된 종래의 표시 장치(500)에서는 실현 곤란하다. 도 30에 기재된 화소 회로도에서도, 구동 트랜지스터(512)의 역치 전압 V_th를 보상하고 있지만, 당해 역치 전압에 상당하는 전압이 유지 용량(513)에 유지된 후, 구동 트랜지스터(512)의 소스 전위는 변동되어 확정되지 않는다. 이 때문에, 표시 장치(500)에서는, 역치 전압 V_th를 유지한 후, 이어서 신호 전압이 가산된 가산 전압의 기록을 즉시 실행하지 않으면 안 된다. 또, 상기 가산 전압도 소스 전위의 변동의 영향을 받으므로, 이어서 발광 동작을 즉시 실행하지 않으면 안 된다. 요컨대, 종래의 표시 장치(500)에서는, 발광 화소행마다, 상술한 역치 전압 보상, 신호 전압 기록 및 발광을 실행하지 않으면 안 되며, 도 30에 기재된 발광 화소(501)에서는 구동 블록화는 불가능하다.

이에 반해, 본 발명의 표시 장치(1)가 갖는 발광 화소(11A 및 11B)는, 전술한 바와 같이, 구동 트랜지스터(114)의 드레인에 스위칭 트랜지스터(116)가 부가되어 있다. 이에 의해, 구동 트랜지스터(114)의 게이트 및 소스 전위가 안정화되므로, 역치 전압 보정에 의한 전압의 기록으로부터 신호 전압의 가산 기록까지의 시간, 또는, 당해 가산 기록으로부터 발광까지의 시간을, 발광 화소행마다 임의로 설정하는 것이 가능해진다. 이 회로 구성에 의해, 구동 블록화가 가능해져, 동일 구동 블록 내에서의 역치 전압 보정 기간 및 발광 기간을 일치시키는 것이 가능해진다.

여기에서, 특허 문헌 1에 기재된, 2개의 신호선을 이용한 종래의 표시 장치와, 본 발명의 구동 블록화된 표시 장치로, 역치 전압 검출 기간에 의해 규정되는 발광 듀티의 비교를 행한다.

도 10은, 주사선 및 신호선의 파형 특성을 설명하는 도면이다. 상기 도면에 있어서, 각 화소행의 1수평 기간 t_1H에 있어서의 역치 전압 V_th의 검출 기간은, 주사선이 온 상태의 기간인 PW_S에 상당한다. 또, 신호선에서는, 1수평 기간 t_1H는, 신호 전압을 공급하는 기간인 PW_D와, 고정 전압을 공급하는 기간인 t_D를 포함한다. 또, PW_S의 상승 시간 및 하강 시간을, 각각, t_R(S) 및 t_F(S)로 하고, PW_D의 상승 시간 및 하강 시간을, 각각, t_R(D) 및 t_F(D)로 하면, 1수평 기간 t_1H는 이하와 같이 나타내어진다.

[수식 6]

또한, PW_D=t_D라고 가정하면,

[수식 7]

이 된다. 수식 6 및 수식 7로부터,

[수식 8]

이 된다. 또, V_th 검출 기간은 고정 전압 발생 기간 내에 개시하여 종료하지 않으면 안 되므로, V_th 검출 시간을 최대로 확보한 것으로 하여,

[수식 9]

가 되며, 수식 8 및 수식 9로부터,

[수식 10]

이 얻어진다.

상기 수식 10에 대해, 예로서, 주사선 개수가 1080개(+블랭킹 30개)인 수직 해상도를 가지며, 120Hz 구동하는 패널의 발광 듀티를 비교한다.

종래의 표시 장치(500)에 있어서, 2개의 신호선을 갖는 경우의 1수평 기간 t_1H는, 1개의 신호선을 갖는 경우의 2배이므로,

t_1H={1초/(120Hz×1110개)}×2=7.5μS×2=15μS

가 된다. 여기에서, t_R(D)=t_F(D)=2μS, t_R(S)=t_F(S)=1.5μS로 하고, 이들을 수식 10에 대입하면, V_th의 검출 기간인 PW_S는, 2.5μS가 된다.

여기에서, 충분한 정밀도를 갖기 위한 V_th 검출 기간이 1000μS 필요하다고 하면, 당해 V_th 검출에 필요한 수평 기간은, 1000μS/2.5μS=400수평 기간이 적어도 비발광 기간으로서 필요해진다. 따라서, 2개의 신호선을 이용한 종래의 표시 장치(500)의 발광 듀티는, (1110수평 기간-400수평 기간)/1110수평 기간=64% 이하가 된다.

다음에, 본 발명의 구동 블록화된 표시 장치의 발광 듀티를 구한다. 상기 조건과 동일하게, 충분한 정밀도를 갖기 위한 V_th 검출 기간이 1000μS 필요하다고 하면, 블록 구동의 경우에는, 도 5에 기재된 기간 A(역치 검출 준비 기간+역치 검출 기간)가 상기 1000μS에 상당한다. 이 경우, 1프레임의 비발광 기간은, 상기 기간 A와 기록 기간을 포함하므로, 적어도 1000μS×2=2000μS가 된다. 따라서, 본 발명의 구동 블록화된 표시 장치의 발광 듀티는, (1프레임 시간-2000μS)/1프레임 시간이며, 1프레임 시간으로서 (1초/120Hz)를 대입하여, 76% 이하가 된다.

이상의 비교 결과로부터, 2개의 신호선을 이용한 종래의 표시 장치에 대해, 본 발명과 같이 블록 구동을 조합함으로써, 동일한 역치 검출 기간을 설치하였다고 해도 발광 듀티를 보다 길게 확보할 수 있다. 따라서, 발광 휘도가 충분히 확보되며, 또한, 구동 회로의 출력 부하가 저감된 장수명의 표시 장치를 실현하는 것이 가능해진다.

역으로 말하면, 2개의 신호선을 이용한 종래의 표시 장치와, 본 발명과 같이 블록 구동을 조합한 표시 장치를 동일한 발광 듀티로 설정한 경우, 본 발명의 표시 장치가, 역치 검출 기간을 길게 확보하는 것을 알 수 있다.

다시, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(1)의 제어 방법에 대해 설명한다.

한편, 시각 t8에서는, (k+1)번째 구동 블록에 있어서의 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 보정이 개시된다.

우선, 시각 t8의 직전에서는, 주사선(133(k+1,1)~133(k＋1,m))의 전압 레벨은 모두 LOW이며, 제1 제어선(132(k+1)) 및 제2 제어선(131(k＋1))도 LOW이다. 제2 제어선(131(k＋1))을 LOW로 한 순간부터, 스위칭 트랜지스터(116)는 오프 상태가 된다. 이에 의해, 유기 EL 소자(113)는 소광하여, (k+1) 블록에 있어서의 발광 화소의 일제 발광이 종료된다. 동시에, (k+1) 블록에 있어서의 비발광 기간이 개시된다.

그리고, 시각 t5와 거의 동시기인 시각 t8에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 주사선(133(k＋1,1)~133(k＋1,m))의 전압 레벨을 동시에 LOW로부터 HIGH로 변화시켜, 스위칭 트랜지스터(115)를 온 상태로 한다. 또한, 이 때, 이미 제2 제어선(131(k＋1))은 LOW가 되어 스위칭 트랜지스터(116)는 오프가 되고 있다(도 7의 S21). 또, 이 때, 신호선 구동 회로(15)는, 제2 신호선(152)의 전압을 신호 전압으로부터 고정 전압으로 변화시키고 있다(도 7의 S22).

여기에서, 실렉터 회로(16)를 이용하여, 제2 신호선(152)의 전압을 신호 전압으로부터 고정 전압으로 변화시키는 방법에 대해 설명한다.

도 8에 있어서의 시각 T1 및 T3은, 도 5에 있어서의 시각 t8에 상당하며, 시각 T1에서는 주사선(133(2,1)~133(2,m))의 전압 레벨을 동시에 LOW로부터 HIGH로 변화시키고, 시각 T3에서는 주사선(133(4,1)~133(4,m))의 전압 레벨을 동시에 LOW로부터 HIGH로 변화시킨다. 또, 이 때, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(144)의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시키고, 제어선(143)의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시킨다. 이 시각 T1 및 T3에 있어서의 전압 레벨의 변화에 의해, 실렉터 회로(16)의 한 발광 화소열에 있어서의 회로 상태는 도 9a와 같이 된다. 요컨대, 게이트가 제어선(143)에 접속된 스위칭 트랜지스터(162 및 163)가 오프 상태가 되고, 게이트가 제어선(144)에 접속된 스위칭 트랜지스터(161 및 164)가 온 상태가 된다. 이에 의해, 시각 T1 및 T3에서, 제2 구동 블록 및 제4 구동 블록의 발광 화소(11B)가 접속된 제2 신호선(152)의 전압은 고정 전압으로 변화하고, 제1 신호선(151)의 전압은 신호 전압으로 변화한다.

이에 의해, 도 5에 기재된 시각 t8에서, 고정 전압이, (k+1)번째 구동 블록이 갖는 모든 구동 트랜지스터(114)의 게이트에 인가된다.

다음에, 시각 t9에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제1 제어선(132(k＋1))의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시키고, 일정 기간이 지난 후, 시각 t10에서 LOW로 변화시킨다(도 7의 S23). 또한, 이 때, 제2 제어선(131(k＋1))의 전압 레벨은 LOW로 유지되어 있으므로, 구동 트랜지스터(114)의 소스 전극 S(M)와 유기 EL 소자(113)의 캐소드 전극 사이의 전위차는, 유기 EL 소자(113)의 역치 전압에 점점 가까워져 간다. 이에 의해, 전류 제어부(100)의 정전 유지 용량(117)에 저장되는 전위차를, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압을 검출할 수 있는 전위차로 한다. 이와 같이 하여, 역치 전압의 검출 과정으로의 준비가 완료된다.

다음에, 시각 t11에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제2 제어선(131(k＋1))의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시켜 스위칭 트랜지스터(116)를 온 상태로 한다. 이에 의해, 구동 트랜지스터(114)는 온 상태가 되며, 드레인 전류를, 정전 유지 용량(117, 118) 및 오프 상태로 되어 있는 유기 EL 소자(113)에 흐르게 한다. 이 때, 정전 유지 용량(117, 118) 및 유기 EL 소자(113)에는 구동 트랜지스터(114)의 게이트-소스간 전압이 기록된다. 또한, 이 때, 유기 EL 소자(113)의 애노드 전극 전위 즉 구동 트랜지스터(114)의 소스 전극 전위는 -V_th(＜0)보다 낮은 전위이며, 유기 EL 소자(113)의 캐소드 전위는 0V이므로 역바이어스 상태가 되어, 유기 EL 소자(113)는 발광하지 않고, 정전 용량 C_EL로서 기능한다.

그리고, 시각 t11~시각 t12의 기간, 발광 화소(11B)의 회로는 정상 상태가 되어, 정전 유지 용량(117 및 118)에는 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압이 유지된다. 또한, 이 기간이 길수록, 정전 유지 용량(117 및 118)에 유지되는 역치 전압 V_th의 검출 정밀도가 향상된다. 따라서, 이 기간을 충분히 길게 확보함으로써, 고정밀한 전압 보상이 실현된다.

다음에, 시각 t12에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 주사선(133(k＋1,1)~133(k＋1,m))의 전압 레벨을 동시에 HIGH로부터 LOW로 변화시켜, 스위칭 트랜지스터(115)를 오프 상태로 한다(도 7의 S24). 이에 의해, 구동 트랜지스터(114)는 오프 상태가 된다. 이 때, (k+1)번째 구동 블록의 모든 발광 화소(11B)가 갖는 정전 유지 용량(117)에는 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압이 동시에 유지된다.

다음에, 시각 t13에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제2 제어선(131(k＋1))의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시킨다.

이상, 시각 t11~시각 t12의 기간에서는, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th의 보정이, (k+1)번째 구동 블록 내에서 동시에 실행되고 있다.

다음에, 시각 t13 이후에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 주사선(133(k＋1,1)~133(k＋1,m))의 전압 레벨을, 순차적으로, LOW→HIGH→LOW로 변화시켜, 스위칭 트랜지스터(115)를, 발광 화소행마다 순차적으로 온 상태로 하는 것을 개시한다. 또, 이 때, 신호선 구동 회로(15)는, 제2 신호선(152)의 전압을 고정 전압으로부터 신호 전압으로 변화시킨다(도 7의 S25).

여기에서, 실렉터 회로(16)를 이용하여, 제2 신호선(152)의 전압을 고정 전압으로부터 신호 전압으로 변화시키는 방법에 대해 설명한다.

도 8에 있어서의 시각 T2 및 T4는, 도 5에 있어서의 시각 t13에 상당하며, 시각 T2에서는 주사선(133(2,1)~133(2,m))의 전압 레벨을 동시에 HIGH로부터 LOW로 변화시키고, 시각 T4에서는 주사선(133(4,1)~133(4,m))의 전압 레벨을 동시에 HIGH로부터 LOW로 변화시킨다. 또, 이 때, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(144)의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시키고, 제어선(143)의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시킨다. 이 시각 T2 및 T4에 있어서의 전압 레벨의 변화에 의해, 실렉터 회로(16)의 한 발광 화소열에 있어서의 회로 상태는 도 9b와 같이 된다. 요컨대, 게이트가 제어선(143)에 접속된 스위칭 트랜지스터(162 및 163)가 온 상태가 되고, 게이트가 제어선(144)에 접속된 스위칭 트랜지스터(161 및 164)가 오프 상태가 된다. 이에 의해, 시각 T2 및 T4에서, 각각, 제2 구동 블록 및 제4 구동 블록의 발광 화소(11B)가 접속된 제2 신호선(152)의 전압은 신호 전압으로 변화하고, 제1 신호선(151)의 전압은 고정 전압으로 변화한다.

이에 의해, 도 5에 기재된 시각 t13에서, 구동 트랜지스터(114)의 게이트에 신호 전압이 인가된다. 이 때, 정전 유지 용량(117)에는, 이 신호 전압 Vdata에 따른 전압과, 먼저 유지된 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압이 가산된 가산 전압이 기록된다.

이상, 시각 t13 이후의 기간에서는, 보정된 신호 전압의 기록이, (k+1)번째 구동 블록 내에서 발광 화소행마다 순차적으로 실행되고 있다.

다음에, 시각 t15 이후에서, 제2 제어선(131(k＋1))의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시킨다(도 7의 S26). 이에 의해, 상기 가산 전압에 따른 구동 전류가 유기 EL 소자(113)에 흐른다. 요컨대, (k+1)번째 구동 블록 내의 모든 발광 화소(11B)에서는, 일제히 발광이 개시된다.

이상, 시각 t15 이후의 기간에서는, 유기 EL 소자(113)의 발광이, (k+1)번째 구동 블록 내에서 동시에 실행되고 있다.

이상의 동작이, 표시 패널(10) 내의 (k＋2)번째 구동 블록 이후에서도 순차적으로 실행된다.

도 11은, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 구동 방법에 의해 발광한 구동 블록의 상태 천이도이다. 상기 도면에는, 어느 발광 화소열에 있어서의, 구동 블록마다의 발광 기간 및 비발광 기간이 나타내어져 있다. 세로 방향은 복수의 구동 블록을, 또, 가로축은 경과 시간을 나타낸다. 여기에서, 비발광 기간이란, 상술한 역치 전압 보정 기간 및 신호 전압의 기록 기간을 포함한다.

본 발명의 실시 형태 1에 따른 표시 장치의 제어 방법에 의하면, 발광 기간은, 동일 구동 블록에서 일제히 설정된다. 따라서, 구동 블록간에서는, 행 주사 방향에 대해 발광 기간이 계단형상으로 나타난다.

이상, 스위칭 트랜지스터(116) 및 정전 유지 용량(118)이 배치된 발광 화소 회로, 신호선 구동 회로(15)와 신호선군(12)의 사이에 배치된 실렉터 회로, 구동 블록화된 각 발광 화소 및 실렉터 회로로의 제어선, 주사선 및 신호선의 배치, 및 상기 제어 방법에 의해, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 보정 기간 및 그 타이밍을 동일 구동 블록 내에서 일치시키는 것이 가능해진다. 또, 발광 기간 및 그 타이밍도 동일 구동 블록 내에서 일치시키는 것이 가능해진다. 또한, 실렉터 회로에 의해, 신호선 구동 회로(15)로부터의 출력 개수를 저감할 수 있다. 따라서, 각 스위치 소자의 도통 및 비도통을 제어하는 신호나 전류 패스를 제어하는 신호를 출력하는 주사/제어선 구동 회로(14)나 신호 전압을 제어하는 신호선 구동 회로(15)의 부하가 저감됨과 더불어 구동 회로의 비용 저감, 및 패널 실장 수율의 향상이 도모된다. 또한, 상기 구동 블록화 및 발광 화소열마다 배치된 2개의 신호선에 의해, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 보정 기간을, 모든 발광 화소를 개서하는 시간인 1프레임 기간 Tf 중에서 크게 취할 수 있다. 이것은, k번째 구동 블록에서 휘도 신호가 샘플링되고 있는 기간에, (k+1)번째 구동 블록에서 역치 전압 보정 기간이 설정되는 것에 의한 것이다. 따라서, 역치 전압 보정 기간은, 발광 화소행마다 분할되는 것이 아니라, 구동 블록마다 분할된다. 따라서, 표시 영역이 대면적화되어도 주사/제어선 구동 회로(14)의 출력수를 그다지 증대시키지 않으며, 또한, 발광 듀티를 감소시키지 않고, 1프레임 기간에 대한 상대적인 역치 전압 보정 기간을 길게 설정하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 고정밀하게 보정된 신호 전압에 의거한 구동 전류가 발광 소자에 흘러, 화상 표시 품질이 향상된다.

예를 들면, 표시 패널(10)을 N개의 구동 블록으로 분할한 경우, 각 발광 화소에 부여되는 역치 보정 기간은, 최대 Tf/N이 된다. 이에 반해, 발광 화소행마다 상이한 타이밍으로 역치 전압 보정 기간을 설정하는 경우, 발광 화소행이 M행(M>>N)이라고 하면, 최대 Tf/M이 된다. 또, 특허 문헌 1에 기재된 바와 같은 신호선을 발광 화소열마다 2개 배치한 경우에도, 최대 2Tf/M이다.

또, 구동 블록화에 의해, 구동 트랜지스터(114)의 드레인으로의 전압 인가의 온 오프를 제어하는 제2 제어선, 또, 당해 구동 전류의 소스 이후의 전류 경로를 제어하는 제1 제어선을 구동 블록 내에서 공통화할 수 있다. 따라서, 주사/제어선 구동 회로(14)로부터 출력되는 제어선의 개수가 삭감된다. 따라서, 구동 회로의 부하가 저감된다.

예를 들면, 특허 문헌 1에 기재된 종래의 표시 장치(500)에서는, 발광 화소행당 2개의 제어선(급전선 및 주사선)이 배치되어 있다. 표시 장치(500)가 M행의 발광 화소행으로 구성되어 있다고 하면, 제어선은 합계 2M개가 된다.

이에 반해, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 표시 장치(1)에서는, 주사/제어선 구동 회로(14)로부터, 발광 화소행당 1개의 주사선, 구동 블록마다 2개의 제어선이 출력된다. 따라서, 표시 장치(1)가 M행의 발광 화소행으로 구성되어 있다고 하면, 제어선(주사선을 포함한다)의 합계는 (M+2N)개가 된다.

대면적화가 이루어져, 발광 화소의 행수가 큰 경우, M>>N이 실현되므로, 이 경우에는, 본 발명에 따른 표시 장치(1)의 제어선 개수는, 종래의 표시 장치(500)의 제어선 개수에 비해, 약 1/2로 삭감할 수 있다.

(실시 형태 2)

이하, 본 발명의 실시 형태 2에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다.

도 12는, 본 발명의 실시 형태 2에 따른 표시 장치가 갖는 표시 패널의 일부를 도시한 회로 구성도이다. 상기 도면에는, 2개의 인접하는 구동 블록 및 각 제어선, 각 주사선 및 각 신호선이 기재되어 있다. 도면 및 이하의 설명에서는, 각 제어선, 각 주사선 및 각 신호선을 "부호(블록 번호, 당해 블록에 있어서의 행 번호)" 또는 "부호(블록 번호)"로 나타내고 있다.

상기 도면에 기재된 표시 장치는, 실시 형태 1에 따른 표시 장치(1)와 비교하여, 각 발광 화소의 회로 구성은 동일하지만, 제2 제어선(131)이 구동 블록마다 공통화되어 있지 않으며, 발광 화소행마다 도시되어 있지 않은 주사/제어선 구동 회로(14)에 접속되어 있는 점만이 상이하다. 이하, 실시 형태 2에 따른 표시 장치(1)와 동일한 점은 설명을 생략하고, 상이한 점만 설명한다.

도 12의 상단에 기재된 k번째 구동 블록에서는, 제2 제어선(131(k,1)~131(k,m))이 당해 구동 블록 내의 발광 화소행마다 배치되어 있으며, 각 발광 화소(11A)가 갖는 스위칭 트랜지스터(116)의 게이트에 개별적으로 접속되어 있다. 또, 제1 제어선(132(k))이 당해 구동 블록 내의 모든 발광 화소(11A)가 갖는 정전 유지 용량(118)에 공통적으로 접속되어 있다. 한편, 주사선(133(k,1))~주사선(133(k,m))은, 각각, 발광 화소행마다 개별적으로 접속되어 있다. 또, 도 12의 하단에 기재된 (k+1)번째 구동 블록에서도, k번째 구동 블록과 동일한 접속이 이루어지고 있다. 단, k번째 구동 블록에 접속된 제1 제어선(132(k))과 (k+1)번째 구동 블록에 접속된 제1 제어선(132(k＋1))은, 상이한 제어선이며, 주사/제어선 구동 회로(14)로부터 개별적인 제어 신호가 출력된다.

또, k번째 구동 블록에서는, 제1 신호선(151)이 당해 구동 블록 내의 모든 발광 화소(11A)가 갖는 스위칭 트랜지스터(115)의 소스 및 드레인의 다른 쪽에 접속되어 있다. 한편, (k+1)번째 구동 블록에서는, 제2 신호선(152)이 당해 구동 블록 내의 모든 발광 화소(11B)가 갖는 스위칭 트랜지스터(115)의 소스 및 드레인의 다른 쪽에 접속되어 있다.

상술한 바와 같이, 구동 블록화를 행함으로써, V_th 검출 회로를 제어하는 제1 제어선(132)의 개수가 삭감된다. 따라서, 이들 제어선에 구동 신호를 출력하는 주사/제어선 구동 회로(14)의 부하가 저감된다.

또, 본 실시 형태에서도, 도 1과 동일하게, 실렉터 회로(16)를 통해, 신호선 구동 회로(15)의 출력선과 제1 신호선(151) 및 제2 신호선(152)이 접속되어 있다.

다음에, 본 실시 형태에 따른 표시 장치의 제어 방법에 대해 도 13을 이용하여 설명한다.

도 13은, 본 발명의 실시 형태 2에 따른 표시 장치의 구동 방법의 동작 타이밍 차트이다. 상기 도면에 있어서, 가로축은 시간을 나타내고 있다. 또 세로 방향으로는, 위에서부터 순서대로, k번째 구동 블록의 주사선(133(k,1), 133(k,2) 및 133(k,m)), 제1 신호선(151), 제2 제어선(131(k,1) 및 131(k,m)), 및 제1 제어선(132(k))에 발생하는 전압의 파형도가 도시되어 있다. 또, 이들에 이어서, (k+1)번째 구동 블록의 주사선(133(k＋1,1), 133(k＋1,2) 및 133(k＋1,m)), 제2 신호선(152), 제2 제어선(131(k＋1,1) 및 131(k＋1,m)), 및 제1 제어선(132(k＋1))에 발생하는 전압의 파형도가 도시되어 있다.

본 실시 형태에 따른 구동 방법은, 도 5에 기재된 실시 형태 1에 따른 구동 방법과 비교하여, 구동 블록 내에서의 발광 기간을 일치시키지 않으며, 발광 화소행마다 신호 전압의 기록 기간과 발광 기간을 설정하고 있는 점만이 상이하다.

우선, 시각 t20의 직전에서는, 주사선(133(k,1)~133(k,m))의 전압 레벨은 모두 LOW이며, 제1 제어선(132(k)) 및 제2 제어선(131(k,1)~131(k,m))도 LOW이다. 도 6(a)와 같이, 제2 제어선(131(k,1)~131(k,m))을 LOW로 한 순간부터, 스위칭 트랜지스터(116)는 오프 상태가 된다. 이에 의해, 유기 EL 소자(113)는 소광하여, k 블록에 있어서의 발광 화소의 화소행마다의 발광이 종료된다. 동시에, k 블록에 있어서의 비발광 기간이 개시된다.

다음에, 시각 t20에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 주사선(133(k,1)~133(k,m))의 전압 레벨을 동시에 LOW로부터 HIGH로 변화시켜, 스위칭 트랜지스터(115)를 온 상태로 한다. 또한, 이 때, 이미 제2 제어선(131(k,1)~131(k,m))은 LOW가 되어 스위칭 트랜지스터(116)는 오프 상태가 되고 있다(도 7의 S11). 또, 이 때, 신호선 구동 회로(15)는, 제1 신호선(151)의 전압을 신호 전압으로부터 고정 전압으로 변화시킨다(도 7의 S12).

여기에서, 실렉터 회로(16)를 이용하여, 제1 신호선(151)의 전압을 신호 전압으로부터 고정 전압으로 변화시키는 방법에 대해 설명한다.

도 8은, 본 발명의 실시 형태 2에 따른 실렉터 회로를 구동하기 위한 동작 타이밍 차트이다. 도 8에 있어서의 시각 T0 및 T2는, 도 13에 있어서의 시각 t20에 상당하며, 시각 T0에서는 주사선(133(1,1)~133(1,m))의 전압 레벨을 동시에 LOW로부터 HIGH로 변화시키고, 시각 T2에서는 주사선(133(3,1)~133(3,m))의 전압 레벨을 동시에 LOW로부터 HIGH로 변화시킨다. 또, 이 때, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(144)의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시키고, 제어선(143)의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시킨다. 이 시각 T0 및 T2에 있어서의 전압 레벨의 변화에 의해, 실렉터 회로(16)의 한 발광 화소열에 있어서의 회로 상태는 도 9b와 같이 된다. 요컨대, 게이트가 제어선(143)에 접속된 스위칭 트랜지스터(162 및 163)가 온 상태가 되고, 게이트가 제어선(144)에 접속된 스위칭 트랜지스터(161 및 164)가 오프 상태가 된다. 이에 의해, 시각 T0 및 T2에서, 각각, 제1 구동 블록 및 제3 구동 블록의 발광 화소(11A)가 접속된 제1 신호선(151)의 전압은 고정 전압으로 변화하고, 제2 신호선(152)의 전압은 신호 전압으로 변화한다.

이에 의해, 도 13에 기재된 시각 t20에서, 고정 전압이, k번째 구동 블록이 갖는 모든 구동 트랜지스터(114)의 게이트에 인가된다.

다음에, 시각 t21에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제1 제어선(132(k))의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시키고, 일정 기간이 지난 후, 시각 t22에서 LOW로 변화시킨다(도 7의 S13). 또한, 이 때, 제2 제어선(131(k,1)~131(k,m))의 전압 레벨은 LOW로 유지되어 있으므로, 구동 트랜지스터(114)의 소스 전극 S(M)와 유기 EL 소자(113)의 캐소드 전극 사이의 전위차는, 유기 EL 소자(113)의 역치 전압에 점점 가까워져 간다. 시각 t22에서, 구동 트랜지스터(114)의 소스 전극 S(M)의 전위 Vs는, 실시 형태 1에서 기재한 수식 2로 규정된다. 이에 의해, 전류 제어부(100)의 정전 유지 용량(117)에 발생하는 전위차를, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압을 검출할 수 있는 전위차로 하고 있다. 이와 같이 하여, 역치 전압의 검출 과정으로의 준비가 완료된다.

다음에, 시각 t23에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제2 제어선(131(k,1)~131(k,m))의 전압 레벨을 일제히 LOW로부터 HIGH로 변화시켜 스위칭 트랜지스터(116)를 온 상태로 한다. 이에 의해, 구동 트랜지스터(114)는 온 상태가 되며, 드레인 전류를, 정전 유지 용량(117, 118) 및 오프 상태로 되어 있는 유기 EL 소자(113)에 흐르게 한다. 이 때, 수식 2에서 규정된 Vs는, -V_th에 점점 가까워져 간다. 이에 의해, 정전 유지 용량(117, 118) 및 유기 EL 소자(113)에는 구동 트랜지스터(114)의 게이트-소스간 전압이 기록된다. 또한, 유기 EL 소자(113)의 애노드 전극 전위 즉 구동 트랜지스터(114)의 소스 전극 전위는 -V_th(＜0)보다 낮은 전위이며, 유기 EL 소자(113)의 캐소드 전위는 0V이므로 역바이어스 상태가 되어, 유기 EL 소자(113)은 발광하지 않고, 정전 용량 C_EL로서 기능한다.

그리고, 시각 t23~시각 t24의 기간, 발광 화소(11A)의 회로는 정상 상태가 되어, 정전 유지 용량(117 및 118)에는 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압이 유지된다. 또한, 역치 전압 V_th에 상당하는 전압을 정전 유지 용량(117 및 118)에 유지시키기 위해 흐르는 전류는 미소하므로, 정상 상태가 될 때까지는 시간을 요한다. 따라서, 이 기간이 길수록, 정전 유지 용량(117 및 118)에 유지되는 전압은 안정되며, 이 기간을 충분히 길게 확보함으로써, 고정밀한 전압 보상이 실현된다.

다음에, 시각 t24에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제2 제어선(131(k,1)~131(k,m))의 전압 레벨을 일제히 HIGH로부터 LOW로 변화시킨다(도 7의 S14). 이에 의해, 구동 트랜지스터(114)로의 전류 공급이 정지된다. 이 때, k번째 구동 블록의 모든 발광 화소(11A)가 갖는 정전 유지 용량(117 및 118)에는 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압이 동시에 유지된다.

다음에, 시각 t25에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 주사선(133(k,1)~133(k,m))의 전압 레벨을 동시에 HIGH로부터 LOW로 변화시켜, 스위칭 트랜지스터(115)를 오프 상태로 한다.

이상, 시각 t20~시각 t25의 기간에서는, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th의 보정이, k번째 구동 블록 내에서 동시에 실행되고 있다.

다음에, 시각 t25 이후에서는, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 주사선(133(k,1)~133(k,m))의 전압 레벨을, 순차적으로, LOW→HIGH→LOW로 변화시켜, 스위칭 트랜지스터(115)를, 발광 화소행마다 순차적으로 온 상태로 한다. 또, 이 때, 신호선 구동 회로(15)는, 제1 신호선(151)의 신호 전압을 고정 전압으로부터 신호 전압 V_data로 변화시킨다(도 7의 S15).

여기에서, 실렉터 회로(16)를 이용하여, 제1 신호선(151)의 전압을 고정 전압으로부터 신호 전압으로 변화시키는 방법에 대해 설명한다.

도 8에 있어서의 시각 T1 및 T3은, 도 13에 있어서의 시각 t25에 상당하며, 시각 T1에서는 주사선(133(1,1)~133(1,m))의 전압 레벨을 동시에 HIGH로부터 LOW로 변화시키고, 시각 T3에서는 주사선(133(3,1)~133(3,m))의 전압 레벨을 동시에 HIGH로부터 LOW로 변화시킨다. 또, 이 때, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(144)의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시키고, 제어선(143)의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시킨다. 이 시각 T1 및 T3에 있어서의 전압 레벨의 변화에 의해, 실렉터 회로(16)의 한 발광 화소열에 있어서의 회로 상태는 도 9a와 같이 된다. 요컨대, 게이트가 제어선(143)에 접속된 스위칭 트랜지스터(162 및 163)가 오프 상태가 되고, 게이트가 제어선(144)에 접속된 스위칭 트랜지스터(161 및 164)가 온 상태가 된다. 이에 의해, 시각 T1 및 T3에서, 각각, 제2 구동 블록 및 제4 구동 블록의 발광 화소(11B)가 접속된 제2 신호선(152)의 전압은 고정 전압으로 변화하고, 제1 신호선(151)의 전압은 신호 전압으로 변화한다.

이에 의해, 도 13에 기재된 시각 t25에서, 구동 트랜지스터(114)의 게이트에 신호 전압 Vdata가 인가된다. 이 때, 정전 유지 용량(117)에 유지되는 전위차 Vgs는, V_data와 실시 형태 1에서 기재한 수식 3으로 규정된 전위의 차분이 되며, 수식 4의 관계로 규정된다. 요컨대, 정전 유지 용량(117)에는, 이 신호 전압 V_data에 따른 전압과, 먼저 유지된 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압이 가산된 가산 전압이 기록된다.

또, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 주사선(133(k,1))의 전압 레벨이 상기 LOW→HIGH→LOW로 변화된 후, 이어서 제2 제어선(131(k,1))의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시킨다. 이 동작을, 순차적으로, 발광 화소행마다 반복한다.

이상, 시각 t25 이후에서는, 보정된 신호 전압의 기록 및 발광이, k번째 구동 블록 내에서 발광 화소행마다 순차적으로 실행되고 있다.

이상, 시각 t26 이후의 기간에서는, 유기 EL 소자(113)의 발광이, k번째 구동 블록 내에서 발광 화소행마다 실행되고 있다. 여기에서, 구동 트랜지스터(114)를 흐르는 드레인 전류 id는, 실시 형태 1에서 기재한 수식 4로 규정된 V_gs에서, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th를 뺀 전압치를 이용하며, 수식 5로 규정된다. 수식 5로부터, 유기 EL 소자(113)를 발광시키기 위한 드레인 전류 id는, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th에 의존하지 않는 전류로 되어 있는 것을 알 수 있다.

이상, 상술한 바와 같이, 발광 화소행을 구동 블록화함으로써, 구동 블록 내에서는, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 V_th 보상이 동시에 실행된다. 이에 의해, 당해 구동 전류의 소스 이후의 전류 경로의 제어를 구동 블록 내에서 동기시킬 수 있다. 따라서, 제1 제어선(132)을 구동 블록 내에서 공통화할 수 있다.

또, 주사선(133(k,1)~133(k,m))에서는, 주사/제어선 구동 회로(14)와는 개별적으로 접속되어 있지만, 역치 전압 보상 기간에서는, 구동 펄스의 타이밍이 동일하다. 따라서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 출력하는 펄스 신호의 고주파화를 억제할 수 있으므로, 구동 회로의 출력 부하를 저감할 수 있다.

또한, 실렉터 회로(16)에 있어서, 제어선(144)에 부여하는 제어 신호의 전압 레벨과, 제어선(143)에 부여하는 제어 신호의 전압 레벨을 배타적으로 변화시킴으로써, 스위칭 트랜지스터(161 및 164)의 온 오프와 스위칭 트랜지스터(162 및 163)의 온 오프를 배타적으로 행함으로써, 신호 전압 및 고정 전압은, 제1 신호선(151) 및 제2 신호선(152)에 배타적으로 공급된다. 이에 의해, 한 발광 화소열에 대해 배치된 2개의 신호선에 대해, 신호선 구동 회로(15)의 출력선을 1개로 할 수 있으므로, 신호선 구동 회로(15)를 소형화할 수 있으며, 데이터 드라이버(153)의 실장수 및 출력선의 감소에 따른 구동 회로 실장을 위한 비용 저감 및 패널 실장 수율의 향상이 도모된다.

본 실시 형태에서도, 실시 형태 1과 동일한 관점에서, 특허 문헌 1에 기재된, 2개의 신호선을 이용한 종래의 표시 장치와 비교하여, 발광 듀티를 보다 길게 확보할 수 있다는 이점이 있다.

따라서, 발광 휘도가 충분히 확보되며, 또한, 구동 회로의 출력 부하가 저감된 장수명의 표시 장치를 실현하는 것이 가능해진다.

또, 2개의 신호선을 이용한 종래의 표시 장치와, 본 발명과 같이 블록 구동을 조합한 표시 장치를 동일한 발광 듀티로 설정한 경우, 본 발명의 표시 장치가, 역치 검출 기간을 길게 확보하는 것을 알 수 있다.

또한, 시각 t28~시각 t35에 있어서의 (k+1)번째 구동 블록의 동작은, 상술한 k번째 구동 블록의 동작과 동일하므로 설명을 생략한다.

이상의 동작이, 표시 패널(10) 내의 (k＋2)번째 구동 블록 이후에서도 순차적으로 실행된다.

도 14는, 본 발명의 실시 형태 2에 따른 구동 방법에 의해 발광한 구동 블록의 상태 천이도이다. 상기 도면에는, 어느 발광 화소열에 있어서의, 구동 블록마다의 발광 기간 및 비발광 기간이 나타나 있다. 세로 방향은 복수의 구동 블록을, 또, 가로축은 경과 시간을 나타낸다. 여기에서, 비발광 기간이란, 상술한 역치 전압 보정 기간을 포함한다.

본 발명의 실시 형태 2에 따른 표시 장치의 제어 방법에 의하면, 발광 기간은, 동일 구동 블록 내에서도 발광 화소행마다 순차적으로 설정된다. 따라서, 구동 블록 내에서도, 행 주사 방향에 대해 발광 기간이 연속적으로 나타난다.

이상, 실시 형태 2에서도, 스위칭 트랜지스터(116) 및 정전 유지 용량(118)이 배치된 발광 화소 회로, 신호선 구동 회로(15)와 신호선군(12)의 사이에 배치된 실렉터 회로, 구동 블록화된 각 발광 화소로의 제어선, 주사선 및 신호선의 배치, 및 상기 제어 방법에 의해, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 보정 기간 및 그 타이밍을 동일 구동 블록 내에서 일치시키는 것이 가능해진다. 또한, 실렉터 회로에 의해, 신호선 구동 회로(15)로부터의 출력 개수를 저감할 수 있다. 따라서, 전류 패스를 제어하는 신호를 출력하는 주사/제어선 구동 회로(14)나 신호 전압을 제어하는 신호선 구동 회로(15)의 부하가 저감됨과 더불어 구동 회로의 비용 저감, 및 패널 실장 수율의 향상이 도모된다. 또, 상기 구동 블록화 및 발광 화소열마다 배치된 2개의 신호선에 의해, 구동 트랜지스터(114)의 역치 전압 보정 기간을, 모든 발광 화소를 개서하는 시간인 1프레임 기간 Tf 중에서 크게 취할 수 있다. 이것은, k번째 구동 블록에서 휘도 신호가 샘플링되고 있는 기간에, (k+1)번째 구동 블록에서 역치 전압 보정 기간이 설정되는 것에 의한 것이다. 따라서, 역치 전압 보정 기간은, 발광 화소행마다 분할되는 것이 아니라, 구동 블록마다 분할된다. 따라서, 표시 영역이 대면적화될수록, 발광 듀티를 감소시키지 않고, 1프레임 기간에 대한 상대적인 역치 전압 보정 기간을 길게 설정하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 고정밀하게 보정된 신호 전압에 의거한 구동 전류가 발광 소자에 흘러, 화상 표시 품질이 향상된다.

예를 들면, 표시 패널(10)을 N개의 구동 블록으로 분할한 경우, 각 발광 화소에 부여되는 역치 보정 기간은, 최대 Tf/N이 된다.

(실시 형태 3)

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다.

본 실시 형태에 따른 표시 장치의 전기적인 구성은, 발광 화소의 회로 구성을 제외하고, 도 1에 기재된 구성과 동일하다. 요컨대, 본 실시 형태에 따른 표시 장치는, 표시 패널(10)과, 제어 회로(20)를 구비한다. 표시 패널(10)은, 후술하는 복수의 발광 화소(21A 및 21B)와, 신호선군(12)과 제어선군(13)과 주사/제어선 구동 회로(14)와, 신호선 구동 회로(15)와, 실렉터 회로(16)를 구비한다.

이하, 실시 형태 1 및 2와 중복되는 구성에 대해서는, 설명을 생략하고, 발광 화소(21A 및 21B)에 관련된 구성만 설명을 행한다.

발광 화소(21A 및 21B)는, 표시 패널(10) 상에, 매트릭스형상으로 배치되어 있다. 여기에서, 발광 화소(21A 및 21B)는, 복수의 발광 화소행을 한 구동 블록으로 하는 2 이상의 구동 블록을 구성하고 있다. 발광 화소(21A)는, 홀수번째 구동 블록을 구성하고, 또, 발광 화소(21B)는 짝수번째 구동 블록을 구성한다.

도 15a는, 본 발명의 실시 형태 3에 따른 표시 장치에 있어서의 홀수 구동 블록의 발광 화소의 구체적인 회로 구성도이며, 도 15b는, 본 발명의 실시 형태 3에 따른 표시 장치에 있어서의 짝수 구동 블록의 발광 화소의 구체적인 회로 구성도이다. 도 15a 및 도 15b에 기재된 화소 회로는, 실시 형태 1에 있어서의 도 2a 및 도 2b에 기재된 화소 회로와 비교하여, 스위칭 트랜지스터(116) 대신에, 스위칭 트랜지스터(216)가 부가되어 있는 점이 상이하다. 동일하게, 전류 제어부(200)는, 실시 형태 1에 있어서의 전류 제어부(100)와는, 스위칭 트랜지스터(116) 대신에, 스위칭 트랜지스터(216)가 부가되어 있는 점에서 구성이 상이하다. 이하, 도 2a 및 도 2b에 기재된 표시 장치의 구성과 중복되는 점은 설명을 생략한다.

도 15a 및 도 15b에서, 유기 EL 소자(213)는, 예를 들면, 캐소드가 부전원선인 전원선(112)에 접속되고 애노드가 구동 트랜지스터(214)의 소스에 접속된 발광 소자이며, 구동 트랜지스터(214)의 구동 전류가 흐름으로써 발광한다.

스위칭 트랜지스터(216)는, 게이트가 제2 제어선(231)에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 정전 유지 용량(217)의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 구동 트랜지스터(214)의 소스에 접속된 제4 스위칭 트랜지스터이다. 스위칭 트랜지스터(216)는, 신호선으로부터의 신호 전압 기록 기간에서는 오프 상태가 됨으로써, 정전 유지 용량(217)에 정확한 신호 전압에 대응한 전압을 유지시키는 기능을 갖는다. 한편, 역치 전압 검출 기간 및 발광 기간에서는 온 상태가 됨으로써, 구동 트랜지스터(214)의 소스를 제3 용량 소자인 정전 유지 용량(217) 및 제4 용량 소자인 정전 유지 용량(218)에 접속하여, 정확하게 정전 유지 용량(217)에 역치 전압과 신호 전압에 대응한 전하를 유지시키며, 구동 트랜지스터(214)가 정전 유지 용량(217)에 유지된 전압을 반영한 구동 전류를 발광 소자에 공급시키는 기능을 갖는다.

제2 제어선(231)은, 주사/제어선 구동 회로(14)에 접속되며, 발광 화소(21A 및 21B)를 포함하는 화소행에 속하는 각 발광 화소에 접속되어 있다. 이에 의해, 제2 제어선(231)은, 구동 트랜지스터(214)의 소스와 정전 유지 용량(217) 및 정전 유지 용량(218)간의 노드를 도통 또는 비도통으로 하는 상태를 발생하는 기능을 갖는다.

제1 제어선(232)은, 주사/제어선 구동 회로(14)에 접속되며, 발광 화소(21A 및 21B)를 포함하는 화소행에 속하는 각 발광 화소에 접속되어 있다. 이에 의해, 제1 제어선(232)은, 전압 레벨을 전환함으로써, 구동 트랜지스터(214)의 역치 전압을 검출하는 환경을 조정하는 기능을 갖는다.

다음에, 제2 제어선(231), 제1 제어선(232), 주사선(233), 제1 신호선(251) 및 제2 신호선(252)의 발광 화소간에 있어서의 접속 관계에 대해 설명한다.

도 16은, 본 발명의 실시 형태 3에 따른 표시 장치가 갖는 표시 패널의 일부를 도시한 회로 구성도이다. 상기 도면에는, 2개의 인접하는 구동 블록 및 각 제어선, 각 주사선 및 각 신호선이 기재되어 있다. 도면 및 이하의 설명에서는, 각 제어선, 각 주사선 및 각 신호선을 "부호(블록 번호, 당해 블록에 있어서의 행 번호)" 또는 "부호(블록 번호)"로 나타내고 있다.

전술한 바와 같이, 구동 블록이란, 복수의 발광 화소행으로 구성되며, 표시 패널(10) 중에는 2 이상의 구동 블록이 존재한다. 예를 들면, 도 16에 기재된 각 구동 블록은, m행의 발광 화소행으로 구성되어 있다.

도 16의 상단에 기재된 k번째 구동 블록에서는, 제2 제어선(231(k,1)~231(k,m))이 당해 구동 블록 내의 발광 화소행마다 배치되어 있으며, 각 발광 화소(21A)가 갖는 스위칭 트랜지스터(216)의 게이트에 개별적으로 접속되어 있다. 또, 제1 제어선(232(k))이 당해 구동 블록 내의 모든 발광 화소(21A)가 갖는 정전 유지 용량(218)에 공통적으로 접속되어 있다. 한편, 주사선(233(k,1))~주사선(233(k,m))은, 각각, 발광 화소행마다 개별적으로 접속되어 있다.

또, 도 16의 하단에 기재된 (k+1)번째 구동 블록에서도, k번째 구동 블록과 동일한 접속이 이루어지고 있다. 단, k번째 구동 블록에 접속된 제1 제어선(232(k))과 (k+1)번째 구동 블록에 접속된 제1 제어선(232(k＋1))은, 상이한 제어선이며, 주사/제어선 구동 회로(14)로부터 개별적인 제어 신호가 출력된다.

또, k번째 구동 블록에서는, 제1 신호선(251)이 당해 구동 블록 내의 모든 발광 화소(21A)가 갖는 스위칭 트랜지스터(215)의 소스 및 드레인의 다른 쪽에 접속되어 있다. 한편, (k+1)번째 구동 블록에서는, 제2 신호선(252)이 당해 구동 블록 내의 모든 발광 화소(21B)가 갖는 스위칭 트랜지스터(215)의 소스 및 드레인의 다른 쪽에 접속되어 있다.

상술한 바와 같이, 구동 블록화를 행함으로써, V_th 검출 회로를 제어하는 제1 제어선(232)의 개수가 삭감된다. 따라서, 이들 제어선에 구동 신호를 출력하는 주사/제어선 구동 회로(14)의 회로 규모가 저감된다. 또 V_th의 검출 시간을 길게 확보할 수 있어, V_th의 검출 정밀도가 높아져, 결과 표시 품위가 향상된다.

다음에, 본 실시 형태에 따른 표시 장치의 제어 방법에 대해 도 17을 이용하여 설명한다. 또한, 여기에서는, 도 15a 및 도 15b에 기재된 구체적 회로 구성을 갖는 표시 장치에 대한 제어 방법을 상세하게 설명한다.

도 17은, 본 발명의 실시 형태 3에 따른 표시 장치의 구동 방법의 동작 타이밍 차트이다. 상기 도면에 있어서, 가로축은 시간을 나타내고 있다. 또 세로 방향으로는, 위에서부터 순서대로, k번째 구동 블록의 주사선(233(k,1), 233(k,2) 및 233(k,m)), 제2 제어선(231(k,1), 231(k,2) 및 231(k,m)), 제1 제어선(232(k)) 및 제1 신호선(251)에 발생하는 전압의 파형도가 도시되어 있다. 또, 이들에 이어서, (k+1)번째 구동 블록의 주사선(233(k＋1,1), 233(k＋1,2) 및 233(k＋1,m)), 제2 제어선(231(k＋1,1), 231(k＋1,2) 및 231(k＋1,m)), 제1 제어선(232(k+1)) 및 제2 신호선(252)에 발생하는 전압의 파형도가 도시되어 있다.

또, 도 18은, 본 발명의 실시 형태 3에 따른 표시 장치가 갖는 발광 화소의 상태 천이도이다. 또, 도 19는, 본 발명의 실시 형태 3에 따른 표시 장치의 동작 흐름도이다.

우선, 시각 t40에서, 주사선(233(k,1))의 전압 레벨을 HIGH로 변화시켜, 제1 신호선(251)으로부터 고정 전압을, 구동 트랜지스터(214)의 게이트에 인가한다(도 19의 S31). 또, 이 때, 신호선 구동 회로(15)는, 제1 신호선(251)의 전압을 신호 전압으로부터 고정 전압으로 변화시킨다.

여기에서, 실렉터 회로(16)를 이용하여, 제1 신호선(251)의 전압을 신호 전압으로부터 고정 전압으로 변화시키는 방법에 대해 설명한다.

도 20은, 본 발명의 실시 형태 3에 따른 실렉터 회로를 구동하기 위한 동작 타이밍 차트이다. 상기 도면에 있어서, 가로축은 시간을 나타내고 있다. 또 세로 방향으로는, 위에서부터 순서대로, 제1 구동 블록의 주사선(233(1,1) 및 233(1,m)), 제2 구동 블록의 주사선(233(2,1) 및 233(2,m)), 제3 구동 블록의 주사선(233(3,1) 및 233(3,m)), 제4 구동 블록의 주사선(233(4,1) 및 233(4,m)), 제1 신호선(251), 제2 신호선(252), 제어선(143), 제어선(144) 및 신호선 구동 회로(15)에 발생하는 전압의 파형도가 도시되어 있다. 또, 도 9a는, 도 20에 기재된 기간 T10~T11 및 기간 T12~T13에 있어서의 실렉터 회로의 상태 천이도에 대응하고, 도 9b는, 도 20에 기재된 기간 T11~T12 및 기간 T13~T14에 있어서의 실렉터 회로의 상태 천이도이다. 또한, 도 20에서는, 실렉터 회로 동작을 이해하기 쉽게 하기 위해, 구동 블록수를 4로 하고 있다.

도 20에 있어서, 기간 T10~기간 T11은 제1 구동 블록의 역치 전압 검출 기간, 기간 T11~기간 T12는 제2 구동 블록의 역치 전압 검출 기간, 기간 T12~기간 T13은 제3 구동 블록의 역치 전압 검출 기간, 기간 T13~기간 T14는 제4 구동 블록의 역치 전압 검출 기간에 상당한다. 따라서, 기간 T10~기간 T11에서는, 주사선(233(1,1)~233(1,m))의 전압 레벨이 HIGH가 되고 있고, 기간 T11~기간 T12에서는, 주사선(233(2,1)~233(2,m))의 전압 레벨이 HIGH가 되고 있고, 기간 T12~기간 T13에서는, 주사선(233(3,1)~233(3,m))의 전압 레벨이 HIGH가 되고 있으며, 기간 T13~기간 T14에서는, 주사선(233(4,1)~233(4,m))의 전압 레벨이 HIGH가 되고 있다. 이에 대응하여, 기간 T10~기간 T11 및 기간 T12~기간 T13에서는, 제어선(144)이 LOW 레벨 또한 제어선(143)이 HIGH 레벨이 됨으로써 제1 신호선(251)의 전압이 고정 전압으로 되고 있다. 한편, 기간 T11~기간 T12 및 기간 T13~기간 T14에서는, 제어선(144)이 HIGH 레벨 또한 제어선(143)이 LOW 레벨이 됨으로써 제2 신호선(252)의 전압이 고정 전압으로 되고 있다. 또한, 신호선 구동 회로(15)로부터는 항상 신호 전압이 출력되고 있다.

도 20에 있어서의 시각 T12 및 T14는, 도 17에 있어서의 시각 t40에 상당하며, 시각 T12~T13의 기간에서, 주사선(233(1,1)~233(1,m))의 전압 레벨을 행 순차로 LOW→HIGH→LOW로 변화시키고, 시각 T14 이후에서, 주사선(233(3,1)~233(3,m))의 전압 레벨을 행 순차로 LOW→HIGH→LOW로 변화시킨다. 또, 시각 T12 및 T14에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(144)의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시키고, 제어선(143)의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시킨다. 이 시각 T12 및 T14에 있어서의 전압 레벨의 변화에 의해, 실렉터 회로(16)의 한 발광 화소열에 있어서의 회로 상태는 도 9b와 같이 된다. 요컨대, 게이트가 제어선(143)에 접속된 스위칭 트랜지스터(162 및 163)가 온 상태가 되고, 게이트가 제어선(144)에 접속된 스위칭 트랜지스터(161 및 164)가 오프 상태가 된다. 이에 의해, 시각 T12 및 T14에서, 각각, 제1 구동 블록 및 제3 구동 블록의 발광 화소(21A)가 접속된 제1 신호선(251)의 전압은 고정 전압으로 변화하고, 제2 신호선(252)의 전압은 신호 전압으로 변화한다.

이에 의해, 도 17에 기재된 시각 t40에서, 고정 전압이, k번째 구동 블록이 갖는 모든 구동 트랜지스터(214)의 게이트에 인가된다. 이 때, 도 18(a)에 나타낸 바와 같이, 고정 전압은, 예를 들면 0V이다. 또, 시각 t40의 직전에서는 발광 모드였으므로, 이 정상 상태에 있어서의 구동 트랜지스터(214)의 소스 전위 Vs를, V_EL로 한다. 이것과, 제2 제어선(231(k,1))의 전압 레벨이 HIGH 상태인 것에 의해 스위칭 트랜지스터(216)가 도통 상태이므로, Vgs=-V_EL＜VT(TFT)가 되며, 구동 트랜지스터(214)는 오프 상태로 변화한다.

그 후, 시각 t41에서, 주사선(233(k,1))의 전압 레벨을 LOW로 변화시키고, 이하, k 블록 내에서 제1 신호선(251)을 고정 전압으로 유지한 채로, 주사선(233)의 전압 레벨을, 화소행 순으로 LOW→HIGH→LOW로 함으로써, 유기 EL 소자(213)는 화소행 순으로 소광한다. 요컨대, k 블록에 있어서의 발광 화소의 발광이 화소행 순으로 종료된다. 동시에, k 블록에 있어서의 비발광 기간이 화소행 순으로 개시된다.

다음에, 시각 t42에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제1 제어선(232(k))의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시키고, 일정 기간이 지난 후, LOW로 변화시킨다(도 19의 S32). 또, 이 때, 제2 제어선(231(k,1)~231(k,m))의 전압 레벨은 HIGH로 유지되고 있다. 여기에서, 스위칭 트랜지스터(215)가 오프 상태로, 제1 제어선(232(k))을 ΔV_reset(>0)만큼 변화시키고, 정전 유지 용량(218)의 정전 용량치를 C2, 유기 EL 소자(213)의 정전 용량 및 역치 전압을, 각각 C_EL 및 V_T(EL)로 한다. 이 때, 제1 제어선(232(k))의 전압 레벨을 HIGH로 한 순간, 구동 트랜지스터(214)의 소스 전극 S(M)의 전위 Vs는, C2와 C_EL로 분배되는 전압과, V_T(EL)의 합이 되며,

[수식 11]

이 된다. 그 후, 도 18(b)에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 소자(213)의 자기 방전이 이루어짐으로써, 상기 Vs는, 정상 상태에서는, V_T(EL)에 점점 가까워져 간다.

다음에, 시각 t43에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 주사선(233(k,1)~233(k,m))의 전압 레벨을 일제히 HIGH로 변화시킨다. 또, 이 때, 신호선 구동 회로(15)는, 제1 신호선(251)의 전압을 신호 전압으로부터 고정 전압으로 변화시킨다. 또한, 실렉터 회로(16)를 이용하여, 제1 신호선(251)의 전압을 신호 전압으로부터 고정 전압으로 변화시키는 방법은, 시각 t40에서 제1 신호선(251)의 전압을 신호 전압으로부터 고정 전압으로 변화시키는 방법과 동일하므로, 여기에서는 그 설명을 생략한다.

이어서, 주사/제어선 구동 회로(14)가 제1 제어선(232(k))의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시킴으로써, Vs가 바이어스되며,

[수식 12]

가 된다. 이 제1 제어선(232(k))의 HIGH로부터 LOW로의 변화에 의해, 구동 트랜지스터(214)의 게이트 소스간 전압인 Vgs에는, 구동 트랜지스터(214)의 역치 전압 V_th보다 큰 전압을 발생시키고 있다. 요컨대, 정전 유지 용량(217)에 발생하는 전위차를 구동 트랜지스터(214)의 역치 전압을 검출할 수 있는 전위차로 하여, 역치 전압의 검출 과정으로의 준비가 완료된다. 이와 동시에, 도 18(c)에 나타낸 바와 같이, 구동 트랜지스터(214)는 온 상태가 되어, 드레인-소스간 전류를, 정전 유지 용량(217, 218) 및 유기 EL 소자(213)에 흐르게 한다. 이 때, 수식 12로 규정된 Vs는, -V_th에 점점 가까워져 간다. 이에 의해, 정전 유지 용량(217, 218)에는 구동 트랜지스터(214)의 V_th가 기록된다. 또한, 이 때, 유기 EL 소자(213)에 흐르는 전류는, 애노드 전극 전위가 -V_th보다 저전위이며, 캐소드 전위가 0V이므로 유기 EL 소자(213)는 역바이어스 상태가 되고 있기 때문에, 유기 EL 소자(213)를 발광시키기 위한 전류로는 되지 않는다.

시각 t43~시각 t44의 기간, 발광 화소(21A)의 회로는 정상 상태가 되어, 정전 유지 용량(217 및 218)에는 구동 트랜지스터(214)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압이 유지된다. 또한, 역치 전압 V_th에 상당하는 전압을 정전 유지 용량(217 및 218)에 유지시키기 위해 흐르는 전류는 미소하므로, 정상 상태가 될 때까지는 시간을 요한다. 따라서, 이 기간이 길수록, 정전 유지 용량(217)에 유지되는 전압은 안정되며, 이 기간을 충분히 길게 확보함으로써, 고정밀한 전압 보상이 실현된다.

다음에, 시각 t44에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 주사선(233(k,1)~233(k,m))의 전압 레벨을, 일제히 HIGH로부터 LOW로 변화시킨다(도 19의 S33). 이에 의해, 정전 유지 용량(217, 218)으로의 구동 트랜지스터(214)의 V_th의 기록이 완료된다. 이 때, k번째 구동 블록의 모든 발광 화소(21A)가 갖는 정전 유지 용량(217 및 218)에는 구동 트랜지스터(214)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압이 동시에 유지된다. 또한, 시각 t44의 직전에서, 제2 제어선(231(k,1)~231(k,m))도 일제히 LOW 레벨로 되고 있으며, 스위칭 트랜지스터(216)는 오프 상태가 되고 있다. 이에 의해 V_th 검출 후의 구동 트랜지스터(214)의 리크 전류가 정전 유지 용량(217, 218)으로 흘러 들어가, 정전 유지 용량(217, 218)에 기록된 구동 트랜지스터(214)의 역치 전압 V_th의 값이 어긋나는 것을 억제하고 있다.

이상, 시각 t43~시각 t44의 기간에서는, 구동 트랜지스터(214)의 역치 전압 V_th의 보정이, k번째 구동 블록 내에서 동시에 실행되고 있다.

다음에, 시각 t44 이후의 기간에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 주사선(233(k,1)~233(k,m))의 전압 레벨을, 순차적으로, LOW→HIGH→LOW로 변화시켜, 스위칭 트랜지스터(215)를, 발광 화소행마다 순차적으로 온 상태로 한다. 또, 이 때, 신호선 구동 회로(15)는, 제1 신호선(251)의 신호 전압을 각 화소의 휘도치에 따른 신호 전압 Vdata로 변화시킨다(도 19의 S34).

여기에서, 실렉터 회로(16)를 이용하여, 제1 신호선(251)의 전압을 고정 전압으로부터 신호 전압으로 변화시키는 방법에 대해 설명한다.

도 20에 있어서의 시각 T11 및 T13은, 도 17에 있어서의 시각 t44에 상당하며, 시각 T11~T12의 기간에서, 주사선(233(1,1)~233(1,m))의 전압 레벨을 행 순차로 LOW→HIGH→LOW로 변화시키고, 시각 T13~T14의 기간에서, 주사선(233(3,1)~233(3,m))의 전압 레벨을 행 순차로 LOW→HIGH→LOW로 변화시킨다. 또, 시각 T11 및 T13에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(144)의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시키고, 제어선(143)의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시킨다. 이 시각 T11 및 T13에 있어서의 전압 레벨의 변화에 의해, 실렉터 회로(16)의 한 발광 화소열에 있어서의 회로 상태는 도 9a와 같이 된다. 요컨대, 게이트가 제어선(143)에 접속된 스위칭 트랜지스터(162 및 163)가 오프 상태가 되고, 게이트가 제어선(144)에 접속된 스위칭 트랜지스터(161 및 164)가 온 상태가 된다. 이에 의해, 시각 T11 및 T13에서, 각각, 제1 구동 블록 및 제3 구동 블록의 발광 화소(21A)가 접속된 제1 신호선(251)의 전압은 신호 전압으로 변화하고, 제2 신호선(252)의 전압은 고정 전압으로 변화한다.

이에 의해, 도 17에 기재된 시각 t44에서, 도 18(d)에 나타낸 바와 같이, 구동 트랜지스터(214)의 게이트에 신호 전압 Vdata가 인가된다. 이 때, 정전 유지 용량(217 및 218)의 접점 M에 있어서의 전위 V_M은, Vdata가 C1 및 C2로 분배된 전압과, 시각 t44에 있어서의 Vs 전위인 -V_th의 합이 되며,

[수식 13]

이 된다.

요컨대, 정전 유지 용량(217)에 유지되는 전위차 V_gM은, Vdata와 상기 수식 13으로 규정된 전위의 차분이며,

[수식 14]

가 된다. 요컨대, 정전 유지 용량(217)에는, 이 신호 전압 V_data에 따른 전압과, 먼저 유지된 구동 트랜지스터(214)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압이 가산된 가산 전압이 기록된다.

또, 시각 t46 이후의 기간에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제2 제어선(231(k,1)~231(k,m))의 전압 레벨을, 순차적으로, LOW→HIGH로 변화시켜, 스위칭 트랜지스터(216)를, 발광 화소행마다 순차적으로 온 상태로 한다(도 19의 S35). 이에 의해, 구동 트랜지스터(214)의 게이트-소스간에 수식 13으로 나타내어진 전압이 인가되어, 도 18(e)에 도시된 드레인 전류가 흐름으로써, 역치 보정된 신호 전압에 대응한 발광이, 화소행마다 이루어진다.

이상, 시각 t46 이후의 기간에서는, 보정된 신호 전압의 기록 및 발광이, k번째 구동 블록 내에서 발광 화소행마다 순차적으로 실행되고 있다.

여기에서, 구동 트랜지스터(214)를 흐르는 드레인 전류 id는, 수식 14로 규정된 V_gM에서, 구동 트랜지스터(214)의 역치 전압 V_th를 뺀 전압치를 이용하며,

[수식 15]

로 나타내어진다. 여기에서, β는 이동도에 관한 특성 파라미터이다. 수식 15로부터, 유기 EL 소자(213)를 발광시키기 위한 드레인 전류 id는, 구동 트랜지스터(214)의 역치 전압 V_th에 의존하지 않으며, 또한 유기 EL 소자(213)의 용량 성분과 관계없는 전류로 되어 있는 것을 알 수 있다.

이상, 상술한 바와 같이, 발광 화소행을 구동 블록화함으로써, 구동 블록 내에서는, 구동 트랜지스터(214)의 역치 전압 V_th 보상이 동시에 실행된다. 이에 의해, 당해 구동 전류의 소스 이후의 전류 경로의 제어를 구동 블록 내에서 동기시킬 수 있다. 따라서, 제1 제어선(232)을 구동 블록 내에서 공통화할 수 있다.

또, 주사선(233(k,1)~233(k,m))에서는, 주사/제어선 구동 회로(14)와는 개별적으로 접속되어 있지만, 역치 전압 보상 기간에서는, 구동 펄스의 타이밍이 동일하다. 따라서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 출력하는 펄스 신호의 고주파화를 억제할 수 있으므로, 구동 회로의 출력 부하를 저감할 수 있다.

또한, 실렉터 회로(16)에서, 제어선(144)에 부여하는 제어 신호의 전압 레벨과, 제어선(143)에 부여하는 제어 신호의 전압 레벨을 배타적으로 변화시킴으로써, 스위칭 트랜지스터(161 및 164)의 온 오프와 스위칭 트랜지스터(162 및 163)의 온 오프를 배타적으로 행함으로써, 신호 전압 및 고정 전압은, 제1 신호선(251) 및 제2 신호선(252)에 배타적으로 공급된다. 이에 의해, 한 발광 화소열에 대해 배치된 2개의 신호선에 대해, 신호선 구동 회로(15)의 출력선을 1개로 할 수 있으므로, 신호선 구동 회로(15)를 소형화할 수 있으며, 데이터 드라이버(153)의 실장수 및 출력선의 감소에 따른 구동 회로 실장을 위한 비용 저감 및 패널 실장 수율의 향상이 도모된다.

본 실시 형태에서도, 실시 형태 1과 동일한 관점에서, 특허 문헌 1에 기재된, 2개의 신호선을 이용한 종래의 표시 장치와 비교하여, 발광 듀티를 보다 길게 확보할 수 있다는 이점이 있다.

따라서, 발광 휘도가 충분히 확보되며, 또한, 구동 회로의 출력 부하가 저감된 장수명의 표시 장치를 실현하는 것이 가능해진다.

또, 2개의 신호선을 이용한 종래의 표시 장치와, 본 발명과 같이 블록 구동을 조합한 표시 장치를 동일한 발광 듀티로 설정한 경우, 본 발명의 표시 장치가, 역치 검출 기간을 길게 확보하는 것을 알 수 있다.

또한, 시각 t50~시각 t56에 있어서의 (k+1)번째 구동 블록의 동작은, 상술한 k번째 구동 블록의 동작과 동일하므로 설명을 생략한다.

이상의 동작이, 표시 패널(10) 내의 (k＋2)번째 구동 블록 이후에서도 순차적으로 실행된다.

또한, 본 실시 형태에 따른 제어 방법에 의해 발광한 구동 블록의 상태 천이도는, 도 14에 도시된 상태 천이도와 동일하므로, 설명을 생략한다.

이상, 실시 형태 3에서도, 스위칭 트랜지스터(216) 및 정전 유지 용량(218)이 배치된 발광 화소 회로, 신호선 구동 회로(15)와 신호선군(12)의 사이에 배치된 실렉터 회로, 구동 블록화된 각 발광 화소로의 제어선, 주사선 및 신호선의 배치, 및 상기 제어 방법에 의해, 구동 트랜지스터(214)의 역치 전압 보정 기간 및 그 타이밍을 동일 구동 블록 내에서 일치시키는 것이 가능해진다. 또한, 실렉터 회로에 의해, 신호선 구동 회로(15)로부터의 출력 개수를 저감할 수 있다. 따라서, 전류 패스를 제어하는 신호를 출력하는 주사/제어선 구동 회로(14)나 신호 전압을 제어하는 신호선 구동 회로(15)의 부하가 저감됨과 더불어 구동 회로의 비용 저감, 및 패널 실장 수율의 향상이 도모된다. 또, 상기 구동 블록화 및 발광 화소열마다 배치된 2개의 신호선에 의해, 구동 트랜지스터(214)의 역치 전압 보정 기간을, 모든 발광 화소를 개서하는 시간인 1프레임 기간 Tf 중에서 크게 취할 수 있다. 이것은, k번째 구동 블록에서 휘도 신호가 샘플링되고 있는 기간에, (k+1)번째 구동 블록에서 역치 전압 보정 기간이 설정되는 것에 의한 것이다. 따라서, 역치 전압 보정 기간은, 발광 화소행마다 분할되는 것이 아니라, 구동 블록마다 분할된다. 따라서, 표시 영역이 대면적화될수록, 발광 듀티를 감소시키지 않고, 1프레임 기간에 대한 상대적인 역치 전압 보정 기간을 길게 설정하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 고정밀하게 보정된 신호 전압에 의거한 구동 전류가 발광 소자에 흘러, 화상 표시 품질이 향상된다.

예를 들면, 표시 패널(10)을 N개의 구동 블록으로 분할한 경우, 각 발광 화소에 부여되는 역치 보정 기간은, 최대 Tf/N이 된다.

(실시 형태 4)

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다.

본 실시 형태에 따른 표시 장치의 전기적인 구성은, 발광 화소의 회로 구성을 제외하고, 도 1에 기재된 구성과 동일하다. 요컨대, 본 실시 형태에 따른 표시 장치는, 표시 패널(10)과, 제어 회로(20)를 구비한다. 표시 패널(10)은, 후술하는 복수의 발광 화소(31A 및 31B)와, 신호선군(12)과 제어선군(13)과 주사/제어선 구동 회로(14)와, 신호선 구동 회로(15)와, 실렉터 회로(16)를 구비한다.

제어선군(13)은, 발광 화소마다 배치된 주사선, 제어선 및 전원선으로 이루어진다.

주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선군(13)의 각 주사선에 주사 신호를, 제어선군(13)의 각 제어선에 제어 신호를, 또, 각 전원선에 가변 전압을 출력함으로써, 발광 화소가 갖는 회로 소자를 구동한다.

발광 화소(31A 및 31B)는, 표시 패널(10) 상에, 매트릭스형상으로 배치되어 있다. 여기에서, 발광 화소(31A 및 31B)는, 복수의 발광 화소행을 한 구동 블록으로 하는 2 이상의 구동 블록을 구성하고 있다. 발광 화소(31A)는, 홀수번째 구동 블록을 구성하고, 또, 발광 화소(31B)는 짝수번째 구동 블록을 구성한다.

이하, 실시 형태 1~3과 중복되는 구성에 대해서는, 설명을 생략하고, 발광 화소(31A 및 31B)에 관련된 구성만 설명을 행한다.

도 21a는, 본 발명의 실시 형태 4에 따른 표시 장치에 있어서의 홀수 구동 블록의 발광 화소의 구체적인 회로 구성도이며, 도 21b는, 본 발명의 실시 형태 4에 따른 표시 장치에 있어서의 짝수 구동 블록의 발광 화소의 구체적인 회로 구성도이다. 도 21a 및 도 21b에 기재된 발광 화소(31A 및 31B)는, 모두, 유기 EL 소자(313)와, 구동 트랜지스터(314)와, 스위칭 트랜지스터(315)와, 정전 유지 용량(316 및 317)과, 주사선(333)과, 제1 신호선(351)과, 제2 신호선(352)을 구비한다. 여기에서, 구동 트랜지스터(314)와, 정전 유지 용량(316 및 317)은, 전류 제어부(300)를 구성하고 있다. 전류 제어부(300)는, 제1 신호선(351) 또는 제2 신호선(352)으로부터 공급되는 신호 전압을 구동 트랜지스터(314)의 소스 드레인 전류인 신호 전류로 변환하는 기능을 갖는다. 도 21a 및 도 21b에 기재된 화소 회로는, 도 2a 및 도 2b에 기재된 화소 회로와 비교하여, 스위칭 트랜지스터(116)가 배치되어 있지 않은 점이 상이하다. 이하, 도 2a 및 도 2b에 기재된 표시 장치의 구성과 중복되는 점은 설명을 생략한다.

유기 EL 소자(313)는, 예를 들면, 캐소드가 제2 전원선인 전원선(312)에 접속되고 애노드가 구동 트랜지스터(314)의 소스에 접속된 발광 소자이며, 구동 트랜지스터(314)의 구동 전류가 흐름으로써 발광한다.

구동 트랜지스터(314)는, 드레인이 제1 전원선인 전원선(310)에 접속되며, 게이트가 정전 유지 용량(316)의 제1 전극에 접속되어 있다. 구동 트랜지스터(314)는, 게이트에, 신호 전압에 대응한 전압이 인가됨으로써, 당해 전압에 대응한 드레인 전류로 변환한다. 그리고, 이 드레인 전류는, 구동 전류로서 유기 EL 소자(313)에 공급된다. 구동 트랜지스터(314)는, 예를 들면, n형의 박막 트랜지스터(n형 TFT)로 구성된다.

스위칭 트랜지스터(315)는, 게이트가 주사선(333)에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 구동 트랜지스터(314)의 게이트에 접속되어 있다. 또, 그 소스 및 드레인의 다른 쪽은, 홀수 구동 블록의 발광 화소(31A)에서는, 제1 신호선(351)에 접속되어, 제1 스위칭 트랜지스터로서 기능하며, 짝수 구동 블록의 발광 화소(31B)에서는, 제2 신호선(352)에 접속되어, 제2 스위칭 트랜지스터로서 기능한다.

정전 유지 용량(316)은, 한쪽의 단자가 구동 트랜지스터(314)의 게이트에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 구동 트랜지스터(314)의 소스에 접속된 제6 용량 소자이다. 정전 유지 용량(316)은, 제1 신호선(351) 또는 제2 신호선(352)으로부터 공급된 신호 전압에 대응한 전하를 유지하며, 예를 들면, 스위칭 트랜지스터(115)가 오프 상태가 된 후에, 구동 트랜지스터(314)로부터 유기 EL 소자(313)에 공급하는 구동 전류를 제어하는 기능을 갖는다.

또, 정전 유지 용량(316)은, 구동 트랜지스터(314)의 게이트 및 스위칭 트랜지스터(115)에 접속되며, 구동 트랜지스터(314)의 역치 전압을 검출하는 기능을 갖는다.

정전 유지 용량(317)은, 정전 유지 용량(316)의 다른 쪽의 단자와 참조 전압원(도 21a 및 도 21b에는 참조 전압 V_ref로 기재하지만 전원선(312)이어도 된다)의 사이에 접속된 유지 용량 소자이다. 정전 유지 용량(317)은, 우선, 정상 상태에서 구동 트랜지스터(314)의 소스 전위를 기억하며, 신호 전압이 스위칭 트랜지스터(115)로부터 인가된 경우에도 그 소스 전위의 정보는 정전 유지 용량(316)과 정전 유지 용량(317) 사이의 노드에 남는다. 또한 이 타이밍에서의 소스 전위란 구동 트랜지스터(314)의 역치 전압이다. 그 후, 상기 역치 전압의 유지로부터 발광까지의 타이밍이 발광 화소행마다 상이해도, 정전 유지 용량(316)의 다른 쪽의 단자의 전위가 확정되므로 구동 트랜지스터(314)의 게이트 전압이 확정된다. 한편, 구동 트랜지스터(314)의 소스 전위는 이미 정상 상태이므로, 정전 유지 용량(317)은, 결과적으로 구동 트랜지스터(314)의 소스 전위를 유지하는 기능을 갖는다.

또한, 정전 유지 용량(317)은, 독립된 회로 소자로서 부가될 필요는 없으며, 유기 EL 소자(313)가 갖는 기생 용량이어도 된다.

전원선(310)은, 구동 트랜지스터(314)의 드레인에 제1 전압 또는 제2 전압을 공급한다. 제1 전압은, 제1 신호선(351) 및 제2 신호선(352)으로부터 공급되는 고정 전압보다 낮은 전압이며, 당해 전압이 구동 트랜지스터(314)의 드레인에 인가됨으로써, 상기 구동 트랜지스터(314)의 소스 전위를 리셋하는 것이 가능해진다. 또, 제2 전압은, 상기 고정 전압보다 높은 전압이며, 당해 전압이 구동 트랜지스터(314)의 드레인에 인가됨으로써, 정전 유지 용량(316)에, 역치 전압에 대응한 전압을 유지시키거나, 또는 신호 전압에 대응한 구동 전류에 의해 유기 EL 소자(313)를 발광시키는 것이 가능해진다. 제어 회로(20)는, 주사/제어선 구동 회로(14) 및 신호선 구동 회로(15)와 함께, 각 발광 화소의 동작을 제어하는 제어부 및 실렉터 제어부를 구성하며, 실렉터 회로(16)가 갖는 스위칭 트랜지스터를 온 오프하는 타이밍을 제어한다.

또한, 제어 회로(20)는, 상기 제1 전압 및 제2 전압의 공급 타이밍을 제어한다.

다음에, 본 실시 형태에 따른 표시 장치의 제어 방법에 대해 도 22를 이용하여 설명한다. 또한, 여기에서는, 도 21a 및 도 21b에 기재된 구체적 회로 구성을 갖는 표시 장치에 대한 제어 방법을 상세하게 설명한다. 또한, 각 구동 블록은 m행의 발광 화소행으로 구성되어 있는 것으로 한다.

도 22는, 본 발명의 실시 형태 4에 따른 표시 장치의 구동 방법의 동작 타이밍 차트이다. 상기 도면에 있어서, 가로축은 시간을 나타내고 있다. 또 세로 방향으로는, 위에서부터 순서대로, k번째 구동 블록의 1행째에 배치된 주사선(333(k,1)), 2행째에 배치된 주사선(330(k,2)) 및 m행째에 배치된 주사선(333(k,m)), 제1 신호선(351), k번째 구동 블록의 1행째에 배치된 전원선(310(k,1)), 2행째에 배치된 전원선(310(k,2)) 및 m행째에 배치된 전원선(310(k,m))에 발생하는 전압의 파형도가 도시되어 있다. 또, 이들에 이어서, (k+1)번째 구동 블록의 1행째에 배치된 주사선(333(k＋1,1)), 2행째에 배치된 주사선(333(k＋1,2)) 및 m행째에 배치된 주사선(333(k＋1,m)), 제2 신호선(352), (k+1)번째 구동 블록의 1행째에 배치된 전원선(310(k＋1,1)), 2행째에 배치된 전원선(310(k＋1,2)) 및 m행째에 배치된 전원선(310(k＋1,m))에 발생하는 전압의 파형도가 도시되어 있다. 또, 도 23은, 본 발명의 실시 형태 4에 따른 표시 장치의 동작 흐름도이다.

우선, 시각 t61까지, 제어 회로(20)는, 전원선(310(k,1)~310(k,m))의 전압 레벨을, 고정 전압보다 낮은 제1 전압인 LOW로 순차적으로 설정하며, 구동 트랜지스터(314)의 소스 전위를 리셋한다(도 23의 S51). 이 때, 제1 전압은, 예를 들면, -10V이며, 구동 트랜지스터(314)의 소스 전위는 -10V로 리셋된다.

다음에, 시각 t62에서, 제어 회로(20)는, 주사선(333(k,1)~333(k,m))의 전압 레벨을 동시에 LOW로부터 HIGH로 변화시켜, 스위칭 트랜지스터(315)를 온 상태로 한다(도 23의 S52). 또, 이 때, 제어 회로(20)는, 제1 신호선(351)의 전압 레벨을, 신호 전압으로부터 고정 전압으로 변화시키고 있다.

여기에서, 제1 신호선(351) 및 제2 신호선(352)의 전압 레벨의 변화에 대해 설명한다.

도 8은, 본 발명의 실시 형태 4에 따른 실렉터 회로를 구동하기 위한 동작 타이밍 차트이다. 도 8에 있어서의 시각 T0 및 T2는, 도 22에 있어서의 시각 t62에 상당하며, 시각 T0에서는 주사선(333(1,1)~133(1,m))의 전압 레벨을 동시에 LOW로부터 HIGH로 변화시키고, 시각 T2에서는 주사선(333(3,1)~333(3,m))의 전압 레벨을 동시에 LOW로부터 HIGH로 변화시킨다. 또, 이 때, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(144)의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시키고, 제어선(143)의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시킨다. 이 시각 T0 및 T2에 있어서의 전압 레벨의 변화에 의해, 실렉터 회로(16)의 한 발광 화소열에 있어서의 회로 상태는 도 9b와 같이 된다. 요컨대, 게이트가 제어선(143)에 접속된 스위칭 트랜지스터(162 및 163)가 온 상태가 되고, 게이트가 제어선(144)에 접속된 스위칭 트랜지스터(161 및 164)가 오프 상태가 된다. 이에 의해, 시각 T0 및 T2에서, 각각, 제1 구동 블록 및 제3 구동 블록의 발광 화소(31A)가 접속된 제1 신호선(351)의 전압은 고정 전압으로 변화하고, 제2 신호선(352)의 전압은 신호 전압으로 변화한다.

이에 의해, 도 22에 기재된 시각 t62에서, 고정 전압이 k번째 구동 블록이 갖는 모든 구동 트랜지스터(314)의 게이트에 인가된다. 이 때, 고정 전압은, 예를 들면, 0V이다.

다음에, 시각 t63에서, 제어 회로(20)는, 전원선(310(k,1)~310(k,m))의 전압 레벨을, 제1 전압으로부터 고정 전압보다 높은 제2 전압으로 변화시킨다(도 23의 S53). 이 때, 제2 전압은, 예를 들면, 10V이다. 이에 의해, 역치 전압의 검출 과정으로의 준비가 완료된다.

시각 t63~시각 t64의 기간, 발광 화소(31A)의 회로는 정상 상태가 되어, 시각 t64까지 정전 유지 용량(316)에는 구동 트랜지스터(314)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압이 유지된다. 또한, 역치 전압 V_th에 상당하는 전압을 정전 유지 용량(316)에 유지시키기 위해 흐르는 전류는 미소하므로, 정상 상태가 될 때까지는 시간을 요한다. 따라서, 이 기간이 길수록, 정전 유지 용량(316)에 유지되는 전압은 안정되며, 이 기간을 충분히 길게 확보함으로써, 고정밀한 전압 보상이 실현된다.

다음에, 시각 t64에서, 제어 회로(20)는, 주사선(333(k,1)~333(k,m))의 전압 레벨을 동시에 HIGH로부터 LOW로 변화시켜, 스위칭 트랜지스터(315)를 오프 상태로 한다(도 23의 S54). 이에 의해, 구동 트랜지스터(314)로의 고정 전압 인가가 정지된다. 이 때, k번째 구동 블록의 모든 발광 화소(31A)가 갖는 정전 유지 용량(316)에는 구동 트랜지스터(314)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압이 동시에 유지되어, 보상되어야 할 구동 트랜지스터(314)의 역치 전압 V_th가 확정된다.

이상, 시각 t61~시각 t64의 기간에서는, 구동 트랜지스터(314)의 역치 전압 V_th의 보정이, k번째 구동 블록 내에서 동시에 실행된다.

다음에, 시각 t15에서, 제어 회로(20)는, 제1 신호선(351)의 전압 레벨을, 고정 전압으로부터 신호 전압으로 변화시킨다.

여기에서, 제1 신호선(151) 및 제2 신호선(152)의 전압 레벨의 변화에 대해 설명한다.

도 8에 있어서의 시각 T1 및 T3은, 도 22에 있어서의 시각 t64에 상당하며, 시각 T1에서는 주사선(333(1,1)~133(1,m))의 전압 레벨을 동시에 HIGH로부터 LOW로 변화시키고, 시각 T3에서는 주사선(333(3,1)~333(3,m))의 전압 레벨을 동시에 HIGH로부터 LOW로 변화시킨다. 또, 이 때, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(144)의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시키고, 제어선(143)의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시킨다. 이 시각 T1 및 T3에 있어서의 전압 레벨의 변화에 의해, 실렉터 회로(16)의 한 발광 화소열에 있어서의 회로 상태는 도 9a와 같이 된다. 요컨대, 게이트가 제어선(143)에 접속된 스위칭 트랜지스터(162 및 163)가 오프 상태가 되고, 게이트가 제어선(144)에 접속된 스위칭 트랜지스터(161 및 164)가 온 상태가 된다. 이에 의해, 시각 T1 및 T3에서, 각각, 제1 구동 블록 및 제3 구동 블록의 발광 화소(31A)가 접속된 제1 신호선(351)의 전압은 신호 전압으로 변화하고, 제2 신호선(352)의 전압은 고정 전압으로 변화한다.

이에 의해, 도 22에 기재된 시각 t64에서, 신호 전압이 k번째 구동 블록이 갖는 모든 구동 트랜지스터(314)의 게이트에 인가된다. 이 때, 신호 전압은, 예를 들면, 0V~5V이다.

또, 시각 t65~시각 t66의 기간에서, 제어 회로(20)는, 주사선(333(k,1)~333(k,m))의 전압 레벨을, 순차적으로, LOW→HIGH→LOW로 변화시켜, 스위칭 트랜지스터(315)를, 발광 화소행마다 순차적으로 온 상태로 한다(도 23의 S55). 이에 의해, 구동 트랜지스터(314)의 게이트에는, 신호 전압이 인가된다. 이 때, 정전 유지 용량(316)에는, 이 신호 전압에 따른 전압과, 먼저 유지된 구동 트랜지스터(314)의 역치 전압 V_th에 상당하는 전압이 가산된 가산 전압이 기록된다. 또 이와 동시에, 구동 트랜지스터(314)의 구동 전류가 유기 EL 소자(313)에 흘러, 발광 화소행 순으로 유기 EL 소자(313)가 발광한다.

이상, 시각 t65~시각 t66의 기간에서는, 고정밀하게 보정된 신호 전압의 기록 및 발광이, k번째 구동 블록 내에서 발광 화소행 순으로 실행되고 있다.

또, t16 이후에서, 제어 회로(20)는, k번째 구동 블록 내의 전원선(310(k,1)~310(k,m))의 전압 레벨을, 발광 화소행 순으로 제2 전압으로부터 제1 전압으로 변화시킴으로써, 발광 화소행 순으로 소광시킨다.

이상, 발광 화소행을 구동 블록화함으로써, 구동 트랜지스터(314)의 역치 전압을 검출하는 기간을 구동 블록 내에서 일치시키는 것이 가능해지며, 최대 1프레임 기간을 구동 블록수로 분할한 기간을 역치 전압 검출 기간으로서 할당하는 것이 가능해진다. 따라서, 고정밀하게 보정된 구동 전류가 유기 EL 소자(313)에 흘러, 화상 표시 품질을 향상시키는 것이 가능해진다. 또, 제어 회로(20)는, 역치 전압 검출 기간에서 구동 블록 내에서 동시 제어한다, 요컨대, 동일한 구동 블록에 대해 동일한 제어 신호를 출력할 수 있다.

또한, 실렉터 회로(16)에서, 제어선(144)에 부여하는 제어 신호의 전압 레벨과, 제어선(143)에 부여하는 제어 신호의 전압 레벨을 배타적으로 변화시킴으로써, 스위칭 트랜지스터(161 및 164)의 온 오프와 스위칭 트랜지스터(162 및 163)의 온 오프를 배타적으로 행함으로써, 신호 전압 및 고정 전압은, 제1 신호선(351) 및 제2 신호선(352)에 배타적으로 공급된다. 이에 의해, 한 발광 화소열에 대해 배치된 2개의 신호선에 대해, 신호선 구동 회로(15)의 출력선을 1개로 할 수 있으므로, 신호선 구동 회로(15)를 소형화할 수 있으며, 데이터 드라이버(153)의 실장수 및 출력선의 감소에 따른 구동 회로 실장을 위한 비용 저감 및 패널 실장 수율의 향상이 도모된다.

본 실시 형태에서도, 실시 형태 1과 동일한 관점에서, 특허 문헌 1에 기재된, 2개의 신호선을 이용한 종래의 표시 장치와 비교하여, 발광 듀티를 보다 길게 확보할 수 있다는 이점이 있다.

따라서, 발광 휘도가 충분히 확보되며, 또한, 구동 회로의 출력 부하가 저감 된 장수명의 표시 장치를 실현하는 것이 가능해진다.

또, 2개의 신호선을 이용한 종래의 표시 장치와, 본 발명과 같이 블록 구동을 조합한 표시 장치를 동일한 발광 듀티로 설정한 경우, 본 발명의 표시 장치가, 역치 검출 기간을 길게 확보하는 것을 알 수 있다.

또한, 시각 t71~시각 t76에 있어서의 (k+1)번째 구동 블록의 동작은, 상술한 k번째 구동 블록의 동작과 동일하므로 설명을 생략한다.

이상의 동작이, 표시 패널(10) 내의 (k＋2)번째 구동 블록 이후에서도 순차적으로 실행된다.

또한, 본 실시 형태에 따른 제어 방법에 의해 발광한 구동 블록의 상태 천이도는, 도 14에 도시된 상태 천이도와 동일하므로, 설명을 생략한다.

이상, 실시 형태 4에서도, 정전 유지 용량(316)이 배치된 발광 화소 회로, 신호선 구동 회로(15)와 신호선군(12)의 사이에 배치된 실렉터 회로(16), 구동 블록화된 각 발광 화소로의 주사선, 전원선 및 신호선의 배치, 및 상기 제어 방법에 의해, 구동 트랜지스터(314)의 역치 전압 보정 기간 및 그 타이밍을 동일 구동 블록 내에서 일치시키는 것이 가능해진다. 또한, 실렉터 회로에 의해, 신호선 구동 회로(15)로부터의 출력 개수를 저감할 수 있다. 따라서, 전류 패스를 제어하는 신호를 출력하는 주사/제어선 구동 회로(14)나 신호 전압을 제어하는 신호선 구동 회로(15)의 부하가 저감됨과 더불어 구동 회로의 비용 저감, 및 패널 실장 수율의 향상이 도모된다. 또, 상기 구동 블록화 및 발광 화소열마다 배치된 2개의 신호선에 의해, 구동 트랜지스터(314)의 역치 전압 보정 기간을, 모든 발광 화소를 개서하는 시간인 1프레임 기간 Tf 중에서 크게 취할 수 있다. 이것은, k번째 구동 블록에서 휘도 신호가 샘플링되고 있는 기간에, (k+1)번째 구동 블록에서 역치 전압 보정 기간이 설정되는 것에 의한 것이다. 따라서, 역치 전압 보정 기간은, 발광 화소행마다 분할되는 것이 아니라, 구동 블록마다 분할된다. 따라서, 표시 영역이 대면적화될수록, 발광 듀티를 감소시키지 않고, 1프레임 기간에 대한 상대적인 역치 전압 보정 기간을 길게 설정하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 고정밀하게 보정된 신호 전압에 의거한 구동 전류가 발광 소자에 흘러, 화상 표시 품질이 향상된다.

예를 들면, 표시 패널(10)을 N개의 구동 블록으로 분할한 경우, 각 발광 화소에 부여되는 역치 보정 기간은, 최대 Tf/N이 된다.

(실시 형태 5)

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다.

본 실시 형태에 따른 표시 장치의 전기적인 구성은, 발광 화소의 회로 구성을 제외하고, 도 1에 기재된 구성과 동일하다. 요컨대, 본 실시 형태에 따른 표시 장치는, 표시 패널(10)과, 제어 회로(20)를 구비한다. 표시 패널(10)은, 후술하는 복수의 발광 화소(41A 및 41B)와, 신호선군(12)과 제어선군(13)과 주사/제어선 구동 회로(14)와, 신호선 구동 회로(15)와, 실렉터 회로(16)를 구비한다.

이하, 실시 형태 1~3과 중복되는 구성에 대해서는, 설명을 생략하고, 발광 화소(41A 및 41B)에 관련된 구성만 설명을 행한다.

발광 화소(41A 및 41B)는, 표시 패널(10) 상에, 매트릭스형상으로 배치되어 있다. 여기에서, 발광 화소(41A 및 41B)는, 복수의 발광 화소행을 한 구동 블록으로 하는 2 이상의 구동 블록을 구성하고 있다. 발광 화소(41A)는, 홀수번째 구동 블록을 구성하고, 또, 발광 화소(41B)는 짝수번째 구동 블록을 구성한다.

이하, 실시 형태 1~3과 중복되는 구성에 대해서는, 설명을 생략하고, 발광 화소(41A 및 41B)에 관련된 구성만 설명을 행한다.

도 24a는, 본 발명의 실시 형태 5에 따른 표시 장치에 있어서의 홀수 구동 블록의 발광 화소의 구체적인 회로 구성도이며, 도 24b는, 본 발명의 실시 형태 5에 따른 표시 장치에 있어서의 짝수 구동 블록의 발광 화소의 구체적인 회로 구성도이다. 도 24a 및 도 24b에 기재된 발광 화소(41A 및 41B)는, 모두, 유기 EL 소자(413)와, 구동 트랜지스터(414)와, 스위칭 트랜지스터(415, 416 및 417)와, 정전 유지 용량(418)과, 제어선(431)과, 주사선(433)과, 제1 신호선(451)과, 제2 신호선(452)을 구비한다. 여기에서, 구동 트랜지스터(414)와, 스위칭 트랜지스터(416, 417 및 418)와, 정전 유지 용량(418)은, 전류 제어부(400)를 구성하고 있다. 전류 제어부(400)는, 제1 신호선(451) 또는 제2 신호선(452)으로부터 공급되는 신호 전압을 구동 트랜지스터(414)의 소스 드레인 전류인 신호 전류로 변환하는 기능을 갖는다.

도 24a 및 도 24b에서, 스위칭 트랜지스터(416)는, 게이트가 주사선(433)에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 구동 트랜지스터(414)의 게이트 및 정전 유지 용량(418)의 한쪽의 단자인 제1 전극에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 참조 전원선(419)에 접속된 제5 스위칭 트랜지스터이다. 스위칭 트랜지스터(416)는, 참조 전원선(419)의 참조 전압 V_REF를 구동 트랜지스터(414)의 게이트에 인가하는 타이밍을 결정하는 기능을 갖는다.

스위칭 트랜지스터(417)는, 게이트가 제어선(431)에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 제5 용량 소자인 정전 유지 용량(418)의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 구동 트랜지스터(414)의 소스에 접속된 제6 스위칭 트랜지스터이다. 스위칭 트랜지스터(417)는, 신호선으로부터의 신호 전압 기록 기간에서는 오프 상태가 됨으로써, 당해 기간에서 정전 유지 용량(418)으로부터 구동 트랜지스터(414)의 소스로의 리크 전류가 발생하지 않으므로, 정전 유지 용량(418)에 정확한 신호 전압에 대응한 전압을 유지시키는 기능을 갖는다. 한편, 초기화 기간에서 온 상태가 됨으로써, 구동 트랜지스터(414)의 소스를 초기화 전위로 설정하는 기능을 가지며, 구동 트랜지스터(414)와 유기 EL 소자(413)를 순식간에 리셋 상태로 할 수 있다. 스위칭 트랜지스터(415, 416 및 417)는, 예를 들면, n형의 박막 트랜지스터(n형 TFT)로 구성된다.

여기에서, 상기 초기화 기간이란, 신호 전압에 대응한 전압이 정전 유지 용량(418)에 기록되기 전에, 구동 트랜지스터(414)의 게이트 전위 및 소스 전위를 초기화 전위로 리셋해 두기 위한 기간이다. 또, 초기화 기간은, 실시 형태 1~4에서 설명한 역치 전압 검출 기간의 전이며 역치 전압 검출 기간과 연속적으로, 또는, 역치 전압 검출 기간을 대신하여 설정된다.

제어선(431)은, 주사/제어선 구동 회로(14)에 접속되며, 발광 화소(41A 및 41B)를 포함하는 화소행에 속하는 각 발광 화소에 접속되어 있다. 이에 의해, 제어선(431)은, 구동 트랜지스터(414)의 소스와 정전 유지 용량(418)의 제2 전극을 도통 또는 비도통으로 하는 상태를 발생시키는 기능을 갖는다.

제1 신호선(451) 및 제2 신호선(452)은, 신호선 구동 회로(15)에 접속되며, 각각, 발광 화소(41A 및 41B)를 포함하는 화소열에 속하는 각 발광 화소에 접속되어, 구동 트랜지스터를 리셋하기 위한 고정 전압과, 발광 강도를 결정하는 신호 전압을 공급하는 기능을 갖는다.

또한, 도 24a 및 도 24b에는 기재되어 있지 않지만, 전원선(110) 및 전원선(112)은, 각각, 정전원선 및 부전원선이고, 다른 발광 화소에도 접속되어 있으며 전압원에 접속되어 있다. 또, 참조 전원선(419)은, 다른 발광 화소에도 접속되어 있으며 V_REF의 전위의 전압원에 접속되어 있다.

다음에, 제어선(431), 주사선(433), 제1 신호선(451) 및 제2 신호선(452)의 발광 화소간에 있어서의 접속 관계에 대해 설명한다.

도 25는, 본 발명의 실시 형태 5에 따른 표시 장치가 갖는 표시 패널의 일부를 도시한 회로 구성도이다. 상기 도면에는, 2개의 인접하는 구동 블록 및 각 제어선, 각 주사선 및 각 신호선이 기재되어 있다. 도면 및 이하의 설명에서는, 각 제어선, 각 주사선 및 각 신호선을 "부호(블록 번호, 당해 블록에 있어서의 행 번호)", 또는, "부호(블록 번호)"로 나타내고 있다.

전술한 바와 같이, 구동 블록이란, 복수의 발광 화소행으로 구성되며, 표시 패널(10) 중에는 2 이상의 구동 블록이 존재한다. 예를 들면, 도 25에 기재된 각 구동 블록은, m행의 발광 화소행으로 구성되어 있다.

도 25의 상단에 기재된 k번째 구동 블록에서는, 제어선(431(k))이 당해 구동 블록 내의 모든 발광 화소(41A)가 갖는 스위칭 트랜지스터(417)의 게이트에 공통적으로 접속되어 있다. 한편, 주사선(433(k,1))~주사선(433(k,m))은, 각각, 발광 화소행마다 개별적으로 접속되어 있다.

또, 도 25의 하단에 기재된 (k+1)번째 구동 블록에서도, k번째 구동 블록과 동일한 접속이 이루어지고 있다. 단, k번째 구동 블록에 접속된 제어선(431(k))과 (k+1)번째 구동 블록에 접속된 제어선(431(k＋1))은, 상이한 제어선이며, 주사/제어선 구동 회로(14)로부터 개별적인 제어 신호가 출력된다.

또, k번째 구동 블록에서는, 제1 신호선(451)이 당해 구동 블록 내의 모든 발광 화소(41A)가 갖는 스위칭 트랜지스터(415)의 소스 및 드레인의 다른 쪽에 접속되어 있다. 한편, (k+1)번째 구동 블록에서는, 제2 신호선(452)이 당해 구동 블록 내의 모든 발광 화소(41B)가 갖는 스위칭 트랜지스터(415)의 소스 및 드레인의 다른 쪽에 접속되어 있다.

상기 구동 블록화에 의해, 구동 트랜지스터(414)의 소스와 정전 유지 용량(418)의 제2 전극의 접속을 제어하는 제어선(431)의 개수가 삭감된다. 따라서, 이들 제어선에 구동 신호를 출력하는 주사/제어선 구동 회로(14)의 출력 개수가 저감되어, 회로 규모의 삭감을 가능하게 한다.

다음에, 본 실시 형태에 따른 표시 장치의 제어 방법에 대해 도 26을 이용하여 설명한다. 또한, 여기에서는, 도 24a 및 도 24b에 기재된 구체적 회로 구성을 갖는 표시 장치에 대한 제어 방법을 상세하게 설명한다.

도 26은, 본 발명의 실시 형태 5에 따른 표시 장치의 구동 방법의 동작 타이밍 차트이다. 상기 도면에 있어서, 가로축은 시간을 나타내고 있다. 또 세로 방향으로는, 위에서부터 순서대로, k번째 구동 블록의 주사선(433(k,1), 433(k,2) 및 433(k,m)), 제1 신호선(451) 및 제어선(431(k))에 발생하는 전압의 파형도가 도시되어 있다. 또, 이들에 이어서, (k+1)번째 구동 블록의 주사선(433(k＋1,1), 433(k＋1,2) 및 433(k＋1,m)), 제2 신호선(452) 및 제어선(431(k＋1))에 발생하는 전압의 펴형도가 도시되어 있다. 또, 도 27은, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치의 동작 흐름도이다.

우선, 시각 t81에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 주사선(433(k,1)~433(k,m))의 전압 레벨을 동시에 LOW로부터 HIGH로 변화시켜, k번째 구동 블록에 속하는 발광 화소(41A)가 갖는 스위칭 트랜지스터(415)를 온 상태로 한다. 또, 주사선(433(k,1)~433(k,m))의 전압 레벨의 상기 변화에 의해, 동시에, 스위칭 트랜지스터(416)를 온 상태로 한다(도 27의 S71). 이 때, 이미 제어선(431(k))의 전압 레벨은 HIGH이며 스위칭 트랜지스터(417)는 온 상태로 되어 있다. 또, 신호선 구동 회로(15)는, 제1 신호선(451)의 전압을, 신호 전압으로부터 고정 전압 VR1로 변화시킨다.

여기에서, 제1 신호선(451) 및 제2 신호선(452)의 전압 레벨의 변화에 대해 설명한다.

도 8은, 본 발명의 실시 형태 5에 따른 실렉터 회로를 구동하기 위한 동작 타이밍 차트이다. 도 8에 있어서의 시각 T0 및 T2는, 도 26에 있어서의 시각 t81에 상당하며, 시각 T0에서는 주사선(433(1,1)~433(1,m))의 전압 레벨을 동시에 LOW로부터 HIGH로 변화시키고, 시각 T2에서는 주사선(433(3,1)~433(3,m))의 전압 레벨을 동시에 LOW로부터 HIGH로 변화시킨다. 또, 이 때, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(144)의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시키고, 제어선(143)의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시킨다. 이 시각 T0 및 T2에 있어서의 전압 레벨의 변화에 의해, 실렉터 회로(16)의 한 발광 화소열에 있어서의 회로 상태는 도 9b와 같이 된다. 요컨대, 게이트가 제어선(143)에 접속된 스위칭 트랜지스터(162 및 163)가 온 상태가 되고, 게이트가 제어선(144)에 접속된 스위칭 트랜지스터(161 및 164)가 오프 상태가 된다. 이에 의해, 시각 T0 및 T2에서, 각각, 제1 구동 블록 및 제3 구동 블록의 발광 화소(41A)가 접속된 제1 신호선(451)의 전압은 고정 전압으로 변화하고, 제2 신호선(452)의 전압은 신호 전압으로 변화한다.

이에 의해, 도 26에 기재된 시각 t81에서, 구동 트랜지스터(414)의 게이트 및 정전 유지 용량(418)의 제1 전극에는, 참조 전원선(419)의 참조 전압 V_REF가 인가되고, 스위칭 트랜지스터(417)의 도통에 의해, 구동 트랜지스터(414)의 소스 및 정전 유지 용량(418)의 제2 전극에는, 제1 신호선(451)의 고정 전압 VR1이 인가된다. 요컨대, 구동 트랜지스터(414)의 게이트 전위 및 소스 전위가, 각각, V_REF 및 VR1로 초기화된다. 상술한 구동 트랜지스터(414)의 게이트 및 소스에, 각각, 참조 전압 V_REF 및 고정 전압 VR1을 인가하는 동작은, 제1 초기화 전압 인가 단계에 상당한다.

또, 시각 t81에서, 유기 EL 소자(413)의 발광을 정지시키기 위해, 참조 전압 V_REF 및 고정 전압 VR1은, 각각, 수식 16 및 수식 17로 나타내어지는 관계를 만족하도록 미리 설정되어 있다.

상기 수식 16 및 수식 17을 만족하는 수치예로서, 예를 들면, V_REF=V_CAT=VR1=0V이다.

여기에서, V_th 및 Vt(EL)는, 각각, 구동 트랜지스터(414) 및 유기 EL 소자(413)의 역치 전압이며, V_CAT는, 유기 EL 소자(413)의 캐소드 전압이다. 상기 수식 16은, 시각 t81에서, 참조 전원선(419)→구동 트랜지스터(414)→유기 EL 소자(413)→전원선(112)과 같은 전류 패스로 전류가 흐르지 않는 조건이다. 한편, 상기 수식 17은, 제1 신호선(451)→스위칭 트랜지스터(415)→스위칭 트랜지스터(417)→유기 EL 소자(413)→전원선(112)과 같은 전류 패스로 전류가 흐르지 않는 조건이다.

이상, 시각 t81에서는, k번째 구동 블록에 속하는 발광 화소(41A)가 갖는 유기 EL 소자(413)의 발광을 정지하고, 구동 트랜지스터(414)의 초기화 동작을 개시한다.

다음에, 시각 t82에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 주사선(433(k,1)~433(k,m))의 전압 레벨을 동시에 HIGH로부터 LOW로 변화시켜, k번째 구동 블록에 속하는 발광 화소(41A)가 갖는 스위칭 트랜지스터(415)를 오프 상태로 한다(도 27의 S72). 또, 주사선(433(k,1)~433(k,m))의 전압 레벨의 상기 변화에 의해, 동시에, 스위칭 트랜지스터(416)를 오프 상태로 한다. 이에 의해, 시각 t81로부터 개시된 구동 트랜지스터(414)의 리셋 동작이 종료된다. 시각 t82에 있어서의 스위칭 트랜지스터(415 및 416)를 비도통으로 하는 동작은, 제1 비도통 단계에 상당한다.

상술한 제1 초기화 전압 인가 단계 및 제1 비도통 단계는, 제1 초기화 단계에 상당한다.

또한, 구동 트랜지스터(414)에 인가되는 게이트-소스 전압과 드레인 전류의 특성은, 히스테리시스를 가지므로, 상술한 리셋 기간을 충분히 확보하여 당해 게이트 전위 및 소스 전위를 정밀도 좋게 초기화해 둘 필요가 있다. 초기화 기간이 불충분인 채로 역치 보정 또는 기록 동작이 실행되면, 상기 히스테리시스 등에 의해 발광 화소마다의 역치 전압 또는 이동도의 변동 이력이 장시간 잔류하게 되어, 화상의 휘도 얼룩이 충분히 억제되지 않아, 잔상 등의 표시 열화를 억제할 수 없다. 또, 이 초기화 기간을 충분히 길게 확보함으로써, 구동 트랜지스터(414)의 게이트 전위 및 소스 전위는 안정되며, 고정밀한 초기화 동작이 실현된다.

이상, 시각 t81~시각 t82의 기간에서는, 구동 트랜지스터(414)의 초기화 동작이, k번째 구동 블록 내에서 동시에 실행되며, k번째 구동 블록의 모든 발광 화소(41A)가 갖는 구동 트랜지스터(414)의 게이트 및 소스에는, 안정된 초기화 전압인 V_REF 및 VR1이 설정된다.

다음에, 시각 t83에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(431(k))의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시켜, k번째 구동 블록에 속하는 발광 화소(41A)가 갖는 스위칭 트랜지스터(417)를 오프 상태로 한다. 이에 의해, 시각 t84로부터 개시되는 신호 전압의 기록 기간에서, 스위칭 트랜지스터(417)가 비도통 상태가 됨으로써, 당해 기간에서 정전 유지 용량(418)으로부터 구동 트랜지스터(414)의 소스로의 리크 전류가 발생하지 않으므로, 정전 유지 용량(418)에 정확한 신호 전압에 대응한 전압을 유지시키는 것이 가능해진다.

다음에, 시각 t84~시각 t85의 사이에, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 주사선(433(k,1))의 전압 레벨을, LOW→HIGH→LOW로 변화시켜, 1행째의 발광 화소가 갖는 스위칭 트랜지스터(415)를 온 상태로 한다(도 27의 S73). 또, 주사선(433(k,1))의 전압 레벨의 상기 변화에 의해, 동시에, 스위칭 트랜지스터(416)를 온 상태로 한다. 또, 이 때, 신호선 구동 회로(15)는, 제1 신호선(451)의 신호 전압을 고정 전압으로부터 신호 전압 Vdata로 변화시키고 있다.

여기에서, 제1 신호선(451) 및 제2 신호선(452)의 전압 레벨의 변화에 대해 설명한다.

도 8에 있어서의 시각 T1 및 T3은, 도 26에 있어서의 시각 t82에 상당하며, 시각 T1에서는 주사선(433(1,1)~433(1,m))의 전압 레벨을 동시에 HIGH로부터 LOW로 변화시키고, 시각 T3에서는 주사선(433(3,1)~433(3,m))의 전압 레벨을 동시에 HIGH로부터 LOW로 변화시킨다. 또, 이 때, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(144)의 전압 레벨을 LOW로부터 HIGH로 변화시키고, 제어선(143)의 전압 레벨을 HIGH로부터 LOW로 변화시킨다. 이 시각 T1 및 T3에 있어서의 전압 레벨의 변화에 의해, 실렉터 회로(16)의 한 발광 화소열에 있어서의 회로 상태는 도 9a와 같이 된다. 요컨대, 게이트가 제어선(143)에 접속된 스위칭 트랜지스터(162 및 163)가 오프 상태가 되고, 게이트가 제어선(144)에 접속된 스위칭 트랜지스터(161 및 164)가 온 상태가 된다. 이에 의해, 시각 T1 및 T3에서, 각각, 제1 구동 블록 및 제3 구동 블록의 발광 화소(41A)가 접속된 제1 신호선(451)의 전압은 신호 전압으로 변화하고, 제2 신호선(452)의 전압은 고정 전압으로 변화한다.

이에 의해, 도 26에 기재된 시각 t84에서, 정전 유지 용량(418)의 제2 전극에 신호 전압 Vdata가 인가되고, 구동 트랜지스터(414)의 게이트에는, 참조 전원선(419)의 참조 전압 V_REF가 인가된다. V_data의 수치예로서, 예를 들면, V_data=-5V~0V이다.

또한, 시각 t84~시각 t85에서는, 스위칭 트랜지스터(417)가 비도통으로 되어 있으며, 구동 트랜지스터(414)의 소스 전위는, 초기화 기간에서의 전위인 VR1을 유지하고 있으므로, 유기 EL 소자(413)의 순방향으로 발광 전류는 흐르지 않는다.

따라서, 정전 유지 용량(418)에는, 양 전극이 고정밀하게 초기화된 후, 신호 전압 V_data에 따른 전압이 기록된다. 상기 전압의 기록 동작은, 제1 휘도 유지 단계에 상당한다.

다음에, 시각 t86까지의 기간에서, 상술한 시각 t84~시각 t85의 기록 동작을, k번째 구동 블록에 속하는 2행째로부터 m행째의 발광 화소에 대해, 행 순차로 실행한다.

다음에, 시각 t87에서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 제어선(431(k))의 전압 레벨을, LOW로부터 HIGH로 변화시켜, k번째 구동 블록에 속하는 발광 화소(41A)가 갖는 스위칭 트랜지스터(417)를 온 상태로 한다(도 27의 S74). 이 때, 이미, 주사선(433(k,1)~433(k,m))의 전압 레벨은 동시에 HIGH로부터 LOW로 변화하고 있으므로, 스위칭 트랜지스터(415 및 416)는 비도통 상태이다. 따라서, 시각 t84~시각 t86의 기록 기간에서 정전 유지 용량(418)에 유지된 전압이 구동 트랜지스터(414)의 게이트-소스간 전압인 V_gs가 되어, 수식 18로 나타내어진다.

여기에서, V_gs는, 예를 들면, 0V~5V가 되므로, 구동 트랜지스터(414)는 온 상태가 되며, 드레인 전류가 유기 EL 소자(413)로 흘러 들어가, k번째 구동 블록에 속하는 발광 화소(41A)에서는, 상기 수식 18로 규정된 V_gs에 따라 일제히 발광한다. 이 일제 발광 동작은, 제1 발광 단계에 상당한다.

이 때, 구동 트랜지스터(414)의 소스 전위는, 유기 EL 소자(413)의 캐소드 전위 V_CAT로부터 Vt(EL)만큼 높은 전위가 되며, 수식 19로 나타내어진다.

또, 상기 수식 18로 규정되는 V_gs 및 수식 19로 규정되는 소스 전위로부터, 구동 트랜지스터(414)의 게이트 전위는, 수식 20으로 나타내어진다.

이상, 발광 화소행을 구동 블록화함으로써, 구동 블록 내에서는, 구동 트랜지스터(414)의 초기화 동작이 동시에 실행된다. 또, 발광 화소행을 구동 블록화함으로써, 제어선(431)을 구동 블록 내에서 공통화할 수 있다.

또, 주사선(433(k,1)~433(k,m))에서는, 주사/제어선 구동 회로(14)와는 개별적으로 접속되어 있지만, 리셋 기간에서는, 구동 펄스의 타이밍이 동일하다. 따라서, 주사/제어선 구동 회로(14)는, 출력하는 펄스 신호의 고주파화를 억제할 수 있으므로, 구동 회로의 출력 부하를 저감할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 표시 장치가 갖는 발광 화소(41A 및 41B)는, 구동 트랜지스터(414)의 게이트와 참조 전원선(419)의 사이에 스위칭 트랜지스터(416)가 부가되고, 구동 트랜지스터(414)의 소스와 정전 유지 용량(418)의 제2 전극 사이에 스위칭 트랜지스터(417)가 부가되어 있다. 이에 의해, 구동 트랜지스터(414)의 게이트 및 소스 전위가 안정화되므로, 초기화 완료로부터 신호 전압의 기록까지의 시간, 및, 당해 기록으로부터 발광까지의 시간을, 발광 화소행마다 임의로 설정하는 것이 가능해진다. 이 회로 구성에 의해, 구동 블록화가 가능해져, 동일 구동 블록 내에서의 역치 전압 보정 기간 및 발광 기간을 일치시키는 것이 가능해진다.

또한, 실렉터 회로(16)에서, 제어선(144)에 부여하는 제어 신호의 전압 레벨과, 제어선(143)에 부여하는 제어 신호의 전압 레벨을 배타적으로 변화시킴으로써, 스위칭 트랜지스터(161 및 164)의 온 오프와 스위칭 트랜지스터(162 및 163)의 온 오프를 배타적으로 행함으로써, 신호 전압 및 고정 전압은, 제1 신호선(451) 및 제2 신호선(452)에 배타적으로 공급된다. 이에 의해, 한 발광 화소열에 대해 배치된 2개의 신호선에 대해, 신호선 구동 회로(15)의 출력선을 1개로 할 수 있으므로, 신호선 구동 회로(15)를 소형화할 수 있으며, 데이터 드라이버(153)의 실장수 및 출력선의 감소에 따른 구동 회로 실장을 위한 비용 저감 및 패널 실장 수율의 향상이 도모된다.

본 실시 형태에서도, 실시 형태 1과 동일한 관점에서, 특허 문헌 1에 기재된, 2개의 신호선을 이용한 종래의 표시 장치와 비교하여, 발광 듀티를 보다 길게 확보할 수 있다는 이점이 있다.

따라서, 발광 휘도가 충분히 확보되며, 또한, 구동 회로의 출력 부하가 저감된 장수명의 표시 장치를 실현하는 것이 가능해진다.

또, 2개의 신호선을 이용한 종래의 표시 장치와, 본 발명과 같이 블록 구동을 조합한 표시 장치를 동일한 발광 듀티로 설정한 경우, 본 발명의 표시 장치가, 구동 트랜지스터(414)의 게이트 전위 및 소스 전위를 초기화하기 위한 초기화 기간을 길게 확보하는 것을 알 수 있다.

또한, 시각 t91~시각 t97에 있어서의 (k+1)번째 구동 블록의 동작은, 상술한 k번째 구동 블록의 동작과 동일하므로 설명을 생략한다.

이상의 동작이, 표시 패널(10) 내의 (k＋2)번째 구동 블록 이후에서도 순차적으로 실행된다.

또한, 본 실시 형태에 따른 제어 방법에 의해 발광한 구동 블록의 상태 천이도는, 도 11에 도시된 상태 천이도와 동일하므로, 설명을 생략한다.

이상, 실시 형태 5에서, 스위칭 트랜지스터(416 및 417)가 배치된 발광 화소 회로, 신호선 구동 회로(15)와 신호선군(12)의 사이에 배치된 실렉터 회로(16), 구동 블록화된 각 발광 화소로의 제어선, 주사선 및 신호선의 배치, 및 상기 제어 방법에 의해, 구동 트랜지스터(414)의 초기화 기간 및 그 타이밍을 동일 구동 블록 내에서 일치시키는 것이 가능해진다. 또한, 실렉터 회로에 의해, 신호선 구동 회로(15)로부터의 출력 개수를 저감할 수 있다. 따라서, 전류 패스를 제어하는 신호를 출력하는 주사/제어선 구동 회로(14)나 신호 전압을 제어하는 신호선 구동 회로(15)의 부하가 저감됨과 더불어 구동 회로의 비용 저감, 및 패널 실장 수율의 향상이 도모된다. 또, 상기 구동 블록화 및 발광 화소열마다 배치된 2개의 신호선에 의해, 구동 트랜지스터(414)의 초기화 기간을, 모든 발광 화소를 개서하는 시간인 1프레임 기간 Tf 중에서 크게 취할 수 있다. 이것은, k번째 구동 블록에서 휘도 신호가 샘플링되고 있는 기간에, (k+1)번째 구동 블록에서 초기화 기간이 설정되는 것에 의한 것이다. 따라서, 초기화 기간은, 발광 화소행마다 분할되는 것이 아니라, 구동 블록마다 분할된다. 따라서, 표시 영역이 대면적화되어도 주사/제어선 구동 회로(14)의 출력수를 그다지 증대시키지 않으며, 또한, 발광 듀티를 감소시키지 않고, 1프레임 기간에 대한 상대적인 초기화 기간을 길게 설정하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 고정밀하게 보정된 신호 전압에 의거한 구동 전류가 발광 소자에 흘러, 화상 표시 품질이 향상된다.

예를 들면, 표시 패널(10)을 N개의 구동 블록으로 분할한 경우, 각 발광 화소에 부여되는 초기화 기간은, 최대 Tf/N이 된다. 이에 반해, 발광 화소행마다 상이한 타이밍으로 초기화 기간을 설정하는 경우, 발광 화소행이 M행(M＞＞N)인 것으로 하면, 최대 Tf/M이 된다. 또, 특허 문헌 1에 기재된 바와 같은 신호선을 발광 화소열마다 2개 배치한 경우에도, 최대 2Tf/M이다.

또, 구동 블록화에 의해, 구동 트랜지스터(414)의 소스와 정전 유지 용량(418)의 제2 전극의 도통을 제어하는 제어선을 구동 블록 내에서 공통화할 수 있다. 따라서, 주사/제어선 구동 회로(14)로부터 출력되는 제어선의 개수가 삭감된다. 따라서, 구동 회로의 부하가 저감된다.

예를 들면, 특허 문헌 1에 기재된 종래의 표시 장치(500)에서는, 발광 화소행당 2개의 제어선(급전선 및 주사선)이 배치되어 있다. 표시 장치(500)가 M행의 발광 화소행으로 구성되어 있는 것으로 하면, 제어선은 합계 2M개가 된다.

이에 반해, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치(1)에서는, 주사/제어선 구동 회로(14)로부터, 발광 화소행당 1개의 주사선, 구동 블록마다 1개의 제어선이 출력된다. 따라서, 표시 장치(1)가 M행의 발광 화소행으로 구성되어 있는 것으로 하면, 제어선(주사선을 포함한다)의 합계는 (M+N)개가 된다.

대면적화가 이루어지며, 발광 화소의 행수가 큰 경우, M＞＞N이 실현되므로, 이 경우에는, 본 발명에 따른 표시 장치(1)의 제어선 개수는, 종래의 표시 장치(500)의 제어선 개수에 비해, 약 1/2로 삭감할 수 있다.

이상, 실시 형태 1~5에 대해 설명하여 왔지만, 본 발명에 따른 표시 장치는, 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 실시 형태 1~5에 있어서의 임의의 구성 요소를 조합하여 실현되는 다른 실시 형태나, 실시 형태 1~5에 대해 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해낸 각종 변형을 실시하여 얻어지는 변형예나, 본 발명에 따른 표시 장치를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.

또한, 이상 서술한 실시 형태에서는, 스위칭 트랜지스터의 게이트의 전압 레벨이 HIGH인 경우에 온 상태가 되는 n형 트랜지스터로서 기술하고 있지만, 이들을 p형 트랜지스터로 형성한 발광 화소에도, 상기 실시 형태에서 설명한 구동 블록화를 적용할 수 있으며, 상술한 각 실시 형태와 동일한 효과를 발휘한다.

예를 들면, 실시 형태 5에서, 도 24a에 기재된 발광 화소(41A)에서, 구동 트랜지스터(414), 스위칭 트랜지스터(415, 416 및 417)를 p형 트랜지스터로 하고, 전원선(110)측을 부전압, 전원선(112)을 정전압으로 하며, 유기 EL 소자(413) 대신에, 구동 트랜지스터의 드레인과 전원선(110)의 사이에 유기 EL 소자를, 구동 트랜지스터로부터 전원선(110)의 방향이 순방향이 되도록 접속한다. 도 24b에 기재된 발광 화소(41B)에 대해서도 동일하다. 또, 도 26의 동작 타이밍 차트에서, 주사선의 극성을 반전시킨다. 상기 표시 장치에서도, 실시 형태 5와 동일한 효과를 발휘한다.

또, 예를 들면, 본 발명에 따른 표시 장치는, 도 28에 기재된 바와 같은 박형 플랫 TV에 내장된다. 본 발명에 따른 표시 장치가 내장됨으로써, 영상 신호를 반영한 고정밀한 화상 표시가 가능한 박형 플랫 TV가 실현된다.

[산업상의 이용 가능성]

본 발명의 표시 장치 및 그 제어 방법은, 특히, 화소 신호 전류에 의해 화소의 발광 강도를 제어함으로써 휘도를 변동시키는 액티브형의 유기 EL 플랫 패널 디스플레이 및 그 제어 방법으로서 유용하다.

1, 500 : 표시 장치
10 : 표시 패널
11A, 11B, 21A, 21B, 31A, 31B, 41A, 41B, 501 : 발광 화소
12 : 신호선군
13 : 제어선군
14 : 주사/제어선 구동 회로
15 : 신호선 구동 회로
16 : 실렉터 회로
16A : 제1 실렉터
16B : 제2 실렉터
20 : 제어 회로
100, 200, 300, 400 : 전류 제어부
110, 112, 310, 312 : 전원선
113, 213, 313, 413 : 유기 EL 소자
114, 214, 314, 414, 512 : 구동 트랜지스터
115, 116, 161, 162, 163, 164, 215, 216, 315, 415, 416, 417, 511 : 스위칭 트랜지스터
117, 118, 217, 218, 316, 317, 418 : 정전 유지 용량
119 : 고정 전압선
131, 231 : 제2 제어선
132, 232 : 제1 제어선
133, 233, 333, 433, 701, 702, 703 : 주사선
141, 142, 143, 144, 431 : 제어선
151, 251, 351, 451 : 제1 신호선
152, 252, 352, 452 : 제2 신호선
153 : 데이터 드라이버
419 : 참조 전원선
502 : 화소 어레이부
503 : 신호 실렉터
504 : 주사선 구동부
505 : 급전선 구동부
513 : 유지 용량 소자
514 : 발광 소자
515 : 접지 배선
601, 602, 60n : 신호선
801, 802, 803 : 급전선

Claims (11)

1. 매트릭스형상으로 배치된 복수의 발광 화소를 갖는 표시 장치로서,
   발광 화소열마다 설치된 출력선에, 발광 화소의 휘도를 결정하는 신호 전압을 출력하는 신호선 구동 회로와,
   발광 화소열마다 배치되어, 상기 신호 전압을 상기 발광 화소에 부여하는 제1 신호선 및 제2 신호선과,
   상기 출력선으로부터 출력되는 상기 신호 전압을, 상기 제1 신호선 및 제2 신호선 중 어느 하나에 선택적으로 공급하는, 발광 화소열마다 배치된 제1 실렉터와,
   고정 전압원으로부터 공급되는 고정 전압을, 상기 제1 신호선 및 제2 신호선 중 어느 하나에 선택적으로 공급하는, 발광 화소열마다 배치된 제2 실렉터와,
   상기 제1 신호선 및 상기 제2 신호선에 대해, 상기 신호 전압 및 상기 고정 전압이 서로 배타적으로 공급되도록, 상기 제1 실렉터 및 상기 제2 실렉터를 제어하는 실렉터 제어부와,
   제1 전원선 및 제2 전원선과,
   발광 화소행마다 배치된 주사선을 구비하며,
   상기 복수의 발광 화소는, 복수의 발광 화소행을 하나의 구동 블록으로 한 2 이상의 구동 블록을 구성하고,
   상기 복수의 발광 화소의 각각은,
   한쪽의 단자가 상기 제2 전원선에 접속되고, 상기 신호 전압에 따른 신호 전류가 흐름으로써 발광하는 발광 소자와,
   상기 제1 전원선 및 상기 발광 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 상기 신호 전압이 인가됨으로써 상기 신호 전압을 상기 신호 전류로 변환하며, 상기 고정 전압이 인가됨으로써 역치 전압에 따른 전압 또는 초기화 전압을 유지하는 전류 제어부를 구비하고,
   k(k는 자연수)번째 구동 블록에 속하는 상기 발광 화소는, 또한, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제1 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 전류 제어부에 접속되어, 상기 제1 신호선과 상기 전류 제어부의 도통 및 비도통을 전환하는 제1 스위칭 트랜지스터를 구비하고,
   (k+1)번째 구동 블록에 속하는 상기 발광 화소는, 또한, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제2 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 전류 제어부에 접속되어, 상기 제2 신호선과 상기 전류 제어부의 도통 및 비도통을 전환하는 제2 스위칭 트랜지스터를 구비하며,
   동일한 상기 구동 블록 내의 모든 발광 화소에서는, 상기 전류 제어부에 상기 고정 전압이 인가됨으로써 상기 역치 전압이 검출되는 역치 검출 기간 및 상기 전류 제어부가 초기화되는 초기화 기간의 적어도 한쪽이 공통화되어 있으며, 상이한 상기 구동 블록간에서는, 상기 구동 블록 내에서 공통화된 상기 역치 검출 기간 및 상기 초기화 기간의 적어도 한쪽이 독립되어 있는, 표시 장치.
2. 청구항 1에 있어서,
   상기 제1 실렉터는, 상기 출력선과 상기 제1 신호선의 도통 및 비도통을 전환하는 제1 스위치 소자와, 상기 출력선과 상기 제2 신호선의 도통 및 비도통을 전환하는 제2 스위치 소자를 구비하고,
   상기 제2 실렉터는, 상기 고정 전압원과 상기 제1 신호선의 도통 및 비도통을 전환하는 제3 스위치 소자와, 상기 고정 전압원과 상기 제2 신호선의 도통 및 비도통을 전환하는 제4 스위치 소자를 구비하며,
   상기 실렉터 제어부는, 상기 제1 스위치 소자, 상기 제2 스위치 소자, 상기 제3 스위치 소자 및 상기 제4 스위치 소자를 온 또는 오프시킴으로써, 상기 제1 실렉터 및 상기 제2 실렉터를 제어하는, 표시 장치.
3. 청구항 2에 있어서,
   상기 제1 스위치 소자를 온 또는 오프시키기 위한 제어선과, 상기 제4 스위치 소자를 온 또는 오프시키기 위한 제어선이 공통화되어 있으며, 상기 제2 스위치 소자를 온 또는 오프시키기 위한 제어선과, 상기 제3 스위치 소자를 온 또는 오프시키기 위한 제어선이 공통화되어 있음으로써,
   상기 실렉터 제어부는, 상기 제1 스위치 소자와 상기 제4 스위치 소자의 온 오프를 동기시키고, 상기 제2 스위치 소자와 상기 제3 스위치 소자의 온 오프를 동기시켜, 상기 제1 스위치 소자 및 상기 제4 스위치 소자의 온 오프와 상기 제2 스위치 소자 및 상기 제3 스위치 소자의 온 오프를 배타적으로 행하는, 표시 장치.
4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
   발광 화소행마다 배치되고, 상기 전류 제어부에 접속된 제1 제어선을 더 구비하며,
   상기 제1 제어선은, 동일한 상기 구동 블록 내의 모든 발광 화소에서는 공통화되어 있으며, 상이한 상기 구동 블록간에서는 독립되어 있는, 표시 장치.
5. 청구항 4에 있어서,
   발광 화소행마다 배치되고, 상기 전류 제어부에 접속된 제2 제어선을 더 구비하며,
   상기 전류 제어부는,
   소스 및 드레인의 한쪽이 상기 발광 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되며, 게이트-소스간에 인가되는 상기 신호 전압을, 드레인 전류인 상기 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터와,
   한쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 소스에 접속된 제1 용량 소자와,
   한쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 소스에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 상기 제1 제어선에 접속된 제2 용량 소자와,
   게이트가 상기 제2 제어선에 접속되며, 소스 및 드레인이 상기 제1 전원선과 상기 발광 소자의 다른 쪽의 단자 사이에 삽입되어, 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전류의 온 오프를 전환하는 제3 스위칭 트랜지스터를 구비하고,
   상기 제1 스위칭 트랜지스터는, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제1 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되며,
   상기 제2 스위칭 트랜지스터는, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제2 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되어 있는, 표시 장치.
6. 청구항 5에 있어서,
   상기 제2 제어선은, 동일 구동 블록 내의 모든 발광 화소에서는 공통화되어 있으며, 상이한 구동 블록간에서는 독립되어 있는, 표시 장치.
7. 청구항 4에 있어서,
   발광 화소행마다 배치된 제2 제어선을 더 구비하며,
   상기 전류 제어부는,
   소스 및 드레인의 한쪽이 상기 발광 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되며, 게이트-소스간에 인가되는 상기 신호 전압을, 드레인 전류인 상기 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터와,
   한쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 소스에 접속된 제3 용량 소자와,
   한쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 소스에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 상기 제1 제어선에 접속된 제4 용량 소자와,
   게이트가 상기 제2 제어선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제3 용량 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 구동 트랜지스터의 소스에 접속된 제4 스위칭 트랜지스터를 구비하며,
   상기 제1 스위칭 트랜지스터는, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제1 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되며,
   상기 제2 스위칭 트랜지스터는, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제2 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되어 있는, 표시 장치.
8. 청구항 4에 있어서,
   상기 전류 제어부는,
   소스 및 드레인의 한쪽이 제1 전원선에 접속되며, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 발광 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 게이트-소스간에 인가되는 상기 신호 전압을 상기 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터와,
   한쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속된 제5 용량 소자와,
   게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제5 용량 소자의 한쪽의 단자에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 참조 전원선에 접속된 제5 스위칭 트랜지스터와,
   게이트가 상기 제1 제어선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제5 용량 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 구동 트랜지스터의 소스에 접속된 제6 스위칭 트랜지스터를 구비하며,
   상기 제1 스위칭 트랜지스터는, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제5 용량 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 제1 신호선에 접속되며,
   상기 제2 스위칭 트랜지스터는, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제5 용량 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 제2 신호선에 접속되어 있는, 표시 장치.
9. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 제1 전원선은, 발광 화소행마다 배치되며, 상기 고정 전압보다 낮은 전압인 제1 전압과, 상기 고정 전압보다 높은 전압인 제2 전압을 공급하고,
   상기 전류 제어부는,
   소스 및 드레인의 한쪽이 상기 발광 소자의 다른 쪽의 단자에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 제1 전원선에 접속되며, 게이트-소스간에 인가되는 상기 신호 전압을, 드레인 전류인 상기 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터와,
   한쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 소스 및 드레인의 한쪽에 접속되며, 적어도 상기 신호 전압 혹은 상기 고정 전압에 대응한 전압을 유지하는 제6 용량 소자를 구비하고,
   상기 제1 스위칭 트랜지스터는, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제1 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되며,
   상기 제2 스위칭 트랜지스터는, 게이트가 상기 주사선에 접속되며, 소스 및 드레인의 한쪽이 상기 제2 신호선에 접속되고, 소스 및 드레인의 다른 쪽이 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되며,
   동일한 상기 구동 블록 내의 모든 발광 화소에 대해, 상기 역치 검출 기간 및 상기 초기화 기간의 적어도 한쪽에서는 상기 제1 전압 및 상기 제2 전압의 공급을 동일한 타이밍으로 제어하고, 상이한 상기 구동 블록간에서는, 상기 타이밍과 상이한 타이밍으로 상기 제1 전압 및 상기 제2 전압의 공급을 제어하는 제어부를 구비하는, 표시 장치.
10. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 소자는, 상기 신호 전압에 따라 발광하는 유기 EL(Electro Luminescence) 소자인, 표시 장치.
11. 발광 화소열마다 배치된 제1 신호선 및 제2 신호선 중 어느 하나의 신호선으로부터 공급된 신호 전압을 당해 전압에 대응한 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터를 갖는 전류 제어부와, 상기 신호 전류가 흐름으로써 발광하는 발광 소자를 구비하는 발광 화소가 매트릭스형상으로 배치되며, 복수의 상기 발광 화소행을 하나의 구동 블록으로 한 2 이상의 구동 블록을 구성하는 표시 장치의 제어 방법으로서,
    상기 신호 전압을 출력하는 신호선 구동 회로와 상기 제1 신호선을 비접속으로 하고 고정 전압을 출력하는 고정 전압원과 상기 제1 신호선을 접속함으로써, k(k는 자연수)번째 구동 블록이 갖는 모든 상기 전류 제어부에, 상기 고정 전압원으로부터 상기 제1 신호선을 통해 상기 고정 전압을 동시에 인가하며, 상기 구동 트랜지스터의 역치 전압 또는 리셋 전압에 대응한 전압을 동시에 유지시키는 제1 전압 유지 단계와,
    상기 제1 전압 유지 단계 후, 상기 고정 전압원과 상기 제1 신호선을 비접속으로 하고 상기 신호선 구동 회로와 상기 제1 신호선을 접속함으로써, 상기 k번째 구동 블록이 갖는 상기 발광 화소에 있어서, 상기 전류 제어부에, 상기 신호선 구동 회로로부터 상기 제1 신호선을 통해 상기 신호 전압을 인가하며, 당해 신호 전압에 대응하는 전압을 발광 화소행순으로 유지시키는 제1 휘도 유지 단계와,
    상기 제1 전압 유지 단계 후, 상기 신호선 구동 회로와 상기 제2 신호선을 비접속으로 하고 상기 고정 전압원과 상기 제2 신호선을 접속함으로써, (k+1)번째 구동 블록이 갖는 모든 상기 전류 제어부에, 상기 고정 전압원으로부터 상기 제2 신호선을 통해 상기 고정 전압을 동시에 인가하며, 상기 구동 트랜지스터의 역치 전압 또는 리셋 전압에 대응한 전압을 동시에 유지시키는 제2 전압 유지 단계를 포함하는, 표시 장치의 제어 방법.

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