KR101314172B1 - 시료 표면 검사장치 및 검사방법 - Google Patents

시료 표면 검사장치 및 검사방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101314172B1
KR101314172B1 KR1020087018235A KR20087018235A KR101314172B1 KR 101314172 B1 KR101314172 B1 KR 101314172B1 KR 1020087018235 A KR1020087018235 A KR 1020087018235A KR 20087018235 A KR20087018235 A KR 20087018235A KR 101314172 B1 KR101314172 B1 KR 101314172B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electron beam
sample
wafer
pattern
sample surface
Prior art date
Application number
KR1020087018235A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080087137A (ko
Inventor
노부하루 노지
요시히코 나이토
히로시 소부카와
마사히로 하타케야마
겐지 데라오
다케시 무라카미
가츠야 오쿠무라
다츠히코 히가시키
Original Assignee
가부시끼가이샤 도시바
가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 도시바, 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 filed Critical 가부시끼가이샤 도시바
Publication of KR20080087137A publication Critical patent/KR20080087137A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101314172B1 publication Critical patent/KR101314172B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706843—Metrology apparatus
    • G03F7/706849—Irradiation branch, e.g. optical system details, illumination mode or polarisation control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706843—Metrology apparatus
    • G03F7/706851—Detection branch, e.g. detector arrangements, polarisation control, wavelength control or dark/bright field detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/29—Reflection microscopes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2446—Position sensitive detectors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

반도체 디바이스의 제조과정의 결함 검사장치에서 종래에는 없는 정밀도 좋은 결함 검사장치 및 검사, 또는 평가하는 방법을 실현한다.
사상형 전자선 검사장치(1)에서 시료 표면을 검사하는 방법에서, 전자총(21)으로부터 발생한 전자빔에 의한 상기 시료 표면 상의 조사 영역의 사이즈를, 상기 시료 표면 상의 패턴 사이즈보다 크고 또한 대략 원형 또는 타원형으로 형성하고, 상기 전자빔을 상기 시료 표면 상의 패턴의 대략 중심에 조사하고, 상기 전자빔의 조사에 의해 상기 시료 표면으로부터 발생한 2차 전자를 검출기(41)의 전자 검출면에서 결상시켜 상기 시료 표면을 검사한다.

Description

시료 표면 검사장치 및 검사방법 {APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTING SAMPLE SURFACE}
본 발명은 시료 표면 검사장치 및 검사방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 전자선을 웨이퍼, 기판 등의 시료의 표면에 조사하여 검사 또는 평가하는 사상(寫像) 투영형의 전자선식(電子線式) 시료 표면 검사장치, 및 그와 같은 검사장치를 사용하여 시료 표면을 검사 또는 평가하는 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 프로세스에는 노광, 에칭, 박막 형성의 공정이 있고, 이들 공정이 수회에서 십 수회 반복된다. 여기서 중요하게 되는 것은, 서로 겹쳐서 형성된 복수의 배선 패턴의 하층부에 형성된 배선 패턴과 상층부에 형성하는 패턴의 위치의 일치성(오버레이)이다.
종래는 하층 패턴과 상층 패턴의 위치를 맞추기 위한 전용 마크(오버레이 마크)를 사용하여, 광(광학 현미경 등)을 이용한 위치 맞춤 등에 의하여 행하고 있었다(오버레이 검사).
[특허문헌 1]
미국특허 제6,091,249호
오버레이 마크와 실제의 디바이스 패턴에서는 패턴의 크기가 다르기 때문에, 상기한 바와 같은 광에 의한 오버레이 검사에서는, 광에 의한 코마수차의 영향을 받고, 오버레이 마크에서는 위치 맞춤이 허용 오차에 들어가 있지만, 실제 디바이스 패턴에서는 어긋나 노광되는 경우가 많이 있다.
본 발명은, 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 반도체 디바이스의 제조과정의 결함 검사장치에서 종래에는 없는 정밀도가 좋은 결함 검사장치 및 검사(또는 평가)방법을 실현하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 전자빔의 시료면의 조사영역의 사이즈를 패턴의 사이즈보다 크게 함으로써 오버레이의 검사의 정밀도를 향상한 사상형의 표면 검사장치 또는 검사방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 청구항 1에 기재된 본 발명에 의하면, 사상형 전자선 검사장치에서 시료 표면을 검사하는 방법에 있어서, 전자총으로부터 발생한 전자빔에 의한 상기 시료 표면 상의 조사영역의 사이즈를, 상기 시료 표면 상의 패턴 사이즈보다 크고 또한 대략 원형 또는 타원형으로 형성하고, 상기 전자빔을 상기 시료 표면 상의 패턴의 대략 중심에 조사하고, 상기 전자빔의 조사에 의해 상기 시료 표면으로부터 발생한 2차 전자를 검출기의 전자 검출면에서 결상시켜 상기 시료 표면을 검사하는 것을 특징으로 하는 시료 표면 검사방법이 제공된다.
청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 검출기가 EB-CCD이어도 된다.
본 발명의 실시 형태에 의하면, 전자빔을 사용하여 시료의 표면을 검사하는 사상형의 표면 검사장치에 있어서, 전자빔을 방출하는 전자총과, 상기 전자빔을 대략 원형 또는 타원형으로 형성함과 동시에 전자빔의 조사영역의 사이즈가 시료 표면 상의 패턴보다 크게 하기 위한 적어도 하나의 정전 렌즈를 가지고, 전자빔을 상기 시료 표면으로 유도하는 1차 광학계와, 상기 시료 표면으로부터 발생한 2차 전자를 가속시키는 정전 렌즈 및 가속된 상기 2차 전자를 검출하기 위한 검출기의 검출면에 결상시키는 적어도 하나의 정전 렌즈를 가지는 2차 광학계와, 결상된 상기 2차 전자를 화상용 전기 신호로 변환하는 변환장치와, 시료 표면에 조사된 전자빔의 양에 따라 시료 전압 또 리타딩 전압을 변화시키는 기구를 가지는 것을 특징으로 하는 시료 표면 검사장치가 제공된다.
상기 본 발명에 관한 시료 표면 검사장치 및 검사방법에서, 반도체 웨이퍼 등의 시료에 조사된 전자빔에 의해 시료 표면으로부터 발생한 2차 전자를 검출기로 유도하는 2차 광학계가 4극자 렌즈를 포함하고 있고, 복수의 정전 렌즈에 의해 검출기 상에 결상되는 단계를 더 포함하고 있어도 된다.
또, 반도체 웨이퍼로부터 발생되는 2차 전자를 검출하는 검출기는, MCP와 TDI-CCD를 구비하고 있어도 된다.
또한, 전자를 검출하는 검출기는 상기 MCP와 TDI-CCD 외에 형광판을 MCP와 TDI-CCD의 사이에 구비하고 있어도 된다.
또, MCP와 TDI-CCD 대신 EB-TDI이어도 되고, 또한 EB-CCD이어도 된다.
본 발명에서는, 반도체 디바이스의 제조에서, 오버레이를 검출할 수 있고, 따라서 반도체 디바이스 제조에서의 정밀도가 좋은 결함 검사를 행할 수 있다.
도 1은 오버레이 개념도,
도 2는 본 발명의 표면 검사방법을 실시하는 장치의 실시예의 개략구성도,
도 3은 도 2의 주요부의 상세를 나타낸 도,
도 4는 블랭킹의 동작개념도,
도 5는 블랭킹 방향과 전자빔 조사영역을 나타낸 도,
도 6은 오버레이의 패턴을 나타낸 도,
도 7은 예비환경실을 복수 가진 경우의 표면 검사장치의 실시예를 나타내는 도,
도 8은 기판 전압 또는 리타딩 전압의 제어 플로우도,
도 9는 기판 전압 또는 리타딩 전압의 다른 제어 플로우도,
도 10은 기판 전압 또는 리타딩 전압과 EB-CCD와 블랭킹 신호의 관계를 나타내는 도,
도 11은 블랭킹 신호의 다른 실시예를 나타내는 도,
도 12는 레이저 광선 조사와 블랭킹 신호의 관계를 나타내는 도면이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 시료 표면 검사장치 2 : 1차 광학계
3 : 2차 광학계 4 : 검출계
5 : 스테이지 장치
12 : 챔버 21 : 전자총
23 : E×B 필터 41 : 검출기
42 : 기억장치
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 관한 시료 표면 검사방법의 실시 형태에 대하여 설명한다.
먼저, 오버레이 검사에 대한 개념도를 도 1에 나타낸다. 도 1에서, 100는 실리콘 기판, 101은 산화막층, 102는 하층 패턴, 103은 형성막층, 104는 노광현상 후의 레지스트층을 나타낸다. 반도체 제조공정에는 다수의 에칭 공정이 있다. 에칭 공정은 에칭하고 싶은 형성막 예를 들면 산화막(103)의 위에 레지스트를 도포하고, 그 레지스트를 광 또는 전자빔에 의하여 노광, 현상하여 레지스트층(104)과 같이 원하는 패턴을 형성하고, 에칭에 의해 레지스트층이 없는 부분의 형성막 예를 들면 산화막을 제거함으로써 원하는 패턴으로 하는 것이다.
제 1 에칭 공정에서 만들어진 패턴(102)의 위에 매립하고, 새로운 막의 형성공정이 있고, 그곳에서 형성된 막의 에칭이 필요하게 된다. 이때, 전공정(前工程)에서 만들어진 패턴(하층 패턴)(102)과 이것으로부터 에칭하는 패턴(상층 패턴)(105)이 설계에 따라 일치하고 있어야 한다. 따라서 위치 맞춤용의 마크를 사용하여, 하층 패턴(102)과 상층 패턴(105)과의 일치성을 검사한다.
상층 패턴의 에칭을 위하여, 하층 패턴의 위에는 이미 레지스트가 도포되어 있고, 하층 패턴은 이 레지스트를 통하여 관찰 또는 관측해야 한다. 또, 오버레이의 검사에서는 상층 패턴과 하층 패턴은 동시에 관찰 또는 관측할 수 있어야 한다.
오버레이 검사에서는 하층 패턴은 주로 레지스트나 산화막의 밑에 존재하는 경우가 많다. 경우에 따라서는 도전성을 가진 층의 밑에 있는 경우도 있다. 상층 패턴은 레지스트의 노광에 의하여 형성되는 경우가 주(主)이고, 노광만의 경우와 포스트 베이크된 경우, 현상까지 된 경우가 있다.
이하에, 본 발명에 관한 결함 등의 시료 표면 검사방법의 실시 형태에 대하여 설명한다.
도 2에서, 본 실시 형태의 시료 표면의 결함 등의 표면 검사방법을 행하는 장치가 전체를 1로 나타내고 있다. 상기 도면에서, 2는 1차 전기 광학계(이하 간단하게 1차 광학계), 3은 2차 전기 광학계(이하 간단하게 2차 광학계), 4는 검출계, 5는 공지의 구조의 방진대의 위에 설치된 스테이지 장치이고, 이들은 챔버(12)를 획정(劃定)하는 하우징(11) 내에 수납되어 있다. 챔버(12)는 도시 생략한 장치에 의해 원하는 분위기, 예를 들면 진공분위기로 제어되도록 되어 있다.
예를 들면 웨이퍼, 기판과 같은 시료(이하 이 실시 형태의 설명에서는 시료로서 웨이퍼를 사용한 예에 대하여 설명한다)(W)는 공지의 구조, 기능을 가지는 스테이지 장치(5)의 웨이퍼 유지대(51)의 위에, 예를 들면 진공척 등의 공지의 수단에 의하여 떼어냄 가능하게 고정되도록 되어 있다. 이 웨이퍼 유지대(51)는 직교 2축 방향 즉 X-Y 방향의 적어도 일 방향으로 연속적 또는 스텝 앤 리피트식으로 움직일 수 있도록 구성되어 있다. 방진대의 방진구조는 비접촉형 베어링으로 구성되어도 된다.
도 3에 상세하게 나타나는 바와 같이, 1차 전자빔을 조사하는 1차 광학계의 전자총(21)으로서는, 열전자 방출형 또는 쇼트키형의 전자총이 사용될 수 있다. 전 자총(21)으로부터 방출된 1차 전자빔(B1)은, 1차 광학계의 4중극자 렌즈(22) 등을 거쳐 그 형상이 갖추어지고, 웨이퍼 유지대(51) 상에 탑재되어 있는 시료 즉 웨이퍼(W)의 표면에 조사된다. 이때, 1차 전자빔은 전계와 자계로 이루어지는 E×B 필터 또는 빈 필터(23)를 통하여 웨이퍼 표면으로 유도된다.
전자빔은, 시료의 조사영역의 사이즈가 시료 표면의 패턴, 특히 오버레이 패턴의 패턴 사이즈보다 커지도록, 1차 광학계의 렌즈에 의하여 형성한다. 또 전자빔은, 그 형상이 대략 원형 또는 타원형이 되도록, 또 빔 강도 분포가 대략 균일하게 되도록 형성된다. 전자빔은 오버레이 마크의 대략 중심에 조사한다. 전자빔의 시료 표면에 대한 조사는, 도 4에 나타나는 바와 같이, 1차 광학계(2)의 도중에 있는 블랭킹용의 전극(23)에 의하여 행하여진다. 시료 표면에 전자빔을 조사하는 경우는 전극의 전압을 0V(제로볼트) 또는 궤도 조정에 필요한 전압으로 하고, 전자빔을 1차 광학계의 대략 중심을 통과시킨다. 전자빔을 시료 표면에 조사하지 않는 경우에는, 전자빔이 완전히 1차 광학계로부터 벗어나기에 충분한 전압을 블랭킹용의 전극(23)에 인가하고, 전자빔을 1차 광학계를 구성하는 외벽 또는 전용의 전극(24) 등으로 유도하고, 시료 표면에는 전자빔이 조사되지 않도록 블랭킹한다. 블랭킹용의 전극은 4중극자 전극으로 구성된다. 전자빔의 편향방향은, 서로 직교하는 X 방향 또는 Y 방향이어도, 또는 경사 방향(X 방향의 성분과 Y 방향의 성분을 포함하는 방향)이어도 상관없다.
전자빔의 편향에 의하여, 시료 표면은 그 전자빔의 편향방향에 약간 많이 전자빔이 조사된다. 이것은, 시료 표면의 대전상태에 약간의 치우침을 발생시키는 원 인이 되고, 굳이 말하면, 취득되는 화상의 좌우, 상하의 대칭성을 잃게 되는 원인이 된다. 도 5에 블랭킹 방향과 전자빔 조사영역의 개념도를 나타낸다.
전자빔의 조사위치를 시료 표면의 오버레이 마크의 중심(도 5에서 중심선 O-O로 나타낸다)으로부터 전자빔의 편향방향(블랭킹 방향)과는 대략 반대방향으로 어긋나게 하여(도 5에서 중심선 O'-O'), 시료 표면의 대전상태의 치우침을 없애도록 미리 정한다. 또, 블랭킹에 의한 시료 표면의 대전의 치우침을 더욱 적게 하기 위하여, 블랭킹시 전자빔의 인출용 전극(25)(도 4)의 인가 전압을 변경하여, 전자빔의 인출량을 적게 하거나, 또는 인출하지 않도록 하는 경우도 있다. 취득 화상의 대칭성으로부터, 블랭킹 방향은 X 방향 또는 Y 방향으로 행하는 편이 바람직하다.
도 6에 오버레이 마크 또는 오버레이 패턴을 나타낸다. 오버레이 마크는 bar in bar 타입이나 bar in box 타입의 패턴을 사용하여도 된다. 바깥쪽의 bar는 레지스트 하층 패턴이고, 안쪽의 bar 또는 box는 레지스트 패턴이며, 노광만, 노광 및 PEB(예비 가열)까지, 또는 현상까지 한 경우의 것이 있다. 하층 패턴은 STI 구조이거나, 메탈 배선, 홈 구조이어도 된다.
1차 전자빔의 조사에 의해 웨이퍼(W)의 표면에서는 1차 전자빔의 에너지에 따라 2차 전자(B2)가 발생한다. 이 2차 전자는, 웨이퍼의 근방에 배치되어 있는 전극에 의하여 검출기측에 기설정된 운동 에너지를 가질 때까지 가속된다. 가속된 2차 전자(B2)는 앞의 전계와 자계로 이루어지는 E×B 필터 또는 빈 필터(23)를 직진하고, 2차 전기 광학계(이하 간단하게 2차 광학계)(3)로 유도된다. 이때 웨이퍼 표면은 1차 전자빔의 조사에 의해 대전하여 2차 전자가 설계된 기설정된 운동에너지 까지 가속되지 않는 경우가 있다. 이 경우 2차 전자는 검출기(41)의 검출면 상에서 결상할 수 없어, 상이 얻어지지 않거나, 상이 흐려진다. 그래서, 미리 전자빔의 조사에 의한 웨이퍼 표면의 대전량을 계산하고, 시료 전압 또는 리타딩 전압을 계산된 대전량에 맞춰 변화시켜 둔다. 이에 따라, 전자빔의 조사에 의한 대전량도 포함시켜 기설정된 운동 에너지까지 2차 전자를 가속할 수 있다.
2차 전자는 2차 광학계(3)에 의하여 사상영상으로서 검출기(41) 상에 결상된다. 2차 전기 광학계(3)를 구성하는 전기적 렌즈 또는 정전 렌즈(31)는, 복수매의 동축상에 배치된 개구부를 가지는 전극, 또는 동축형상으로 배치된 복수의 전극군으로 구성되고, 이들 렌즈가 다시 복수단으로 배치된다. 전기적 렌즈는, 2차 전자가 가지는 화상정보를 확대하고, 또한, 웨이퍼(W) 상의 위치 및 표면 정보를 잃지 않도록, 사상정보로서, 검출기로 유도한다.
검출기(41)는 MCP(멀티 채널 플레이트)와 형광판 및 TDI-CCD 또는 EB-CCD 또는 EB-TDI로 구성되어 있다. MCP로 증배된 전자는, 형광판에 의해 광으로 변환되고, 이 광 신호가 TDI-CCD로 도입되어 화상 신호로서 출력된다. 또, 2차 전자는 직접 EB-CCD로 도입되어 화상 신호로 변환되어도 된다.
또한, 1차 및 2차 광학계, 및 검출계의 각 구성요소는 공지의 구조, 기능을 가지는 것이므로 상세한 설명은 생략한다.
웨이퍼(W)를 유지하는 스테이지 장치(5)에는, 검출기가 TDI-CCD 또는 EB-TDI인 경우에, 연속적으로 움직이는 것이 가능한 구조로 되어 있다. 또, TDI-CCD 또는 EB-TDI인 경우에는, 스테이지는 연속적인 움직임뿐만 아니라, 이동 정지를 반복하 는 것도 가능하게 구성되어 있다.
검출기가 CCD 또는 EB-CCD인 경우는 스테이지는 이동 정지를 반복하는 것도 가능하다.
스테이지의 위치는, 도시 생략하나, 항상 레이저 간섭계에 의하여 공지의 방법으로 측정되어 있고, 미리 지정된 목표값과 레이저 간섭계로 측정된 현재값과의 비교를 행하여, 그 잔차(殘差)에 따라 잔차를 보정하는 신호를 2차 광학계(3)의 정전 렌즈 제어 유닛(도시 생략)으로 보낸다. 스테이지의 이동, 정지 또는 그 사이의 속도 불균일, 미소 진동을, 상기 정전 렌즈로 2차 전자의 궤도를 수정함으로써 보정하고, 검출기의 검출면에서는 항상 안정된 결상 상태가 되도록 보정하는 보정기구를 가지고 있다. 스테이지 장치에는 브레이크(도시 생략)가 설치되어 있어서, 정지시에 브레이크를 사용하여 정지하고, 정지 중의 미진동을 억제하거나 또는 없애는 것도 가능하다.
검출계(4)에 의하여 얻어진 전기적 화상정보는, 도시 생략한 화상 처리장치에 입력되고, 그곳에서 신호처리 즉 화상해석이 행하여져 결함 부분의 특정과, 결함의 종류를 판별하여, 관측자에게 알림과 동시에 기억매체에 기억시킨다. 오버레이 검사의 경우, 하층 패턴과 상층 패턴의 X 방향과 Y 방향의 각각의 어긋남 양과 회전각(θ)의 어긋남 양을 화상해석으로부터 산출하여, 오버레이의 가부를 결정한다.
검사는 오프라인 검사와 온라인 검사의 양쪽이 선택 가능하고, 온라인 검사의 경우 검사 결과를 반도체 제조라인에 직접 전기 신호 등 신호선을 통하여 피드 백하는 것도 가능하다. 또 오프라인 검사의 경우에도, 검사 결과를 본 검사장치의 단말로부터 직접 입력하여 반도체 제조라인에 전기 신호 등 신호선을 통하여 피드백하는 것이 가능하다. 반도체 제조라인의 호스트 컴퓨터와 통신하여, 검사 결과를 제조공정의 품질관리에 이용하여도 된다.
다음에, 검사 전의 웨이퍼(W)를 챔버(12) 내의 스테이지 장치(5)에 탑재하고, 또 검사 후의 웨이퍼(W)를 스테이지 장치로부터 추출하는 동작에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다.
시료 표면 검사장치(1)의 챔버(12)에 인접하여 배치된 예비환경실(62)은, 반도체 제조 프로세스에서, 웨이퍼가 외부로부터 반입될 때의 환경에서 웨이퍼 유지대(51)를 가지는 스테이지 장치(5)가 배치된 챔버(12) 내의 환경으로 변화되고, 예비환경실(62) 내 및 챔버(12) 내의 환경이 일치하였을 때, 예비환경실(62)로부터 웨이퍼 유지대에 검사 전의 웨이퍼를 반입할 수 있도록 되어 있다.
구체적으로는, 공지의 방진구조를 구비한 방진대 및 그 위에 배치되고 또한 웨이퍼 유지대(51)를 가지는 스테이지 장치(5)가 배치된 챔버(12)를 획정하는 하우징(11)과 예비환경실(62)을 획정하는 하우징(61)과의 사이에는 게이트 밸브(63)가 설치되고, 챔버(12)와 예비환경실(62)은 게이트 밸브(53)를 거쳐 선택적으로 연통 또는 차단 가능하게 되어 있다. 또한, 예비환경실(62)과 챔버 내의 웨이퍼를 예비환경실로 도입하기 위한 다른 게이트 밸브 또는 플랜지를 가지고 있어도 된다. 여기서, 웨이퍼가 예비환경실(62)과 챔버(12)와의 사이에서 게이트 밸브(63)를 통하 여 반송될 때, 양자의 환경은 대략 동일한 환경(예를 들면, 진공도 10-4 Pa∼10-6 Pa 정도의 진공상태)으로 유지되어 있다.
반도체 제조 프로세스에서, 다음 공정으로 반송되기 전에 검사를 받는 웨이퍼는 다음 공정으로 반송하기 위한 환경으로 유지되어 있기 때문에, 먼저 예비환경실은 이 다음 공정으로 반송하기 위한 환경이 되도록, 어느 것이나 공지의 구조의 가스 공급장치(도시 생략) 및, 진공 배기장치에 의하여 공지의 방법으로 제어된다. 다음 공정으로 반송하기 위한 환경과 예비환경실의 환경(진공상태)이 동일해지면, 웨이퍼를 예비환경실로 도입하기 위한 다른 게이트 밸브 또는 플랜지를 개방하거나 또는 열어, 웨이퍼를 예비환경실(62) 내로 도입하고, 앞의 진공 배기계 및 가스 공급장치를 제어하여, 웨이퍼 유지대(51)가 있는 환경 즉 챔버(12) 내의 환경과 동일한 환경(진공상태)으로 한다.
그 후, 챔버(12)와 예비환경실(62)을 칸막이하고 있는 게이트 밸브(63)를 열어 검사 전의 웨이퍼(W)를 웨이퍼 유지대(51)로 반입한다(이것을 로드라 부른다). 검사 전의 웨이퍼의 상기 반입이 종료되면, 게이트 밸브(63)를 닫고, 웨이퍼 유지대가 있는 환경을 검사에 적합한 환경으로 하여, 검사를 개시한다.
검사가 종료된 웨이퍼를 웨이퍼 유지대(51)로부터 반출하고(이것을 언로드라 부른다), 웨이퍼를 다음 공정으로 반송하는 경우에는, 반입시와 반대의 동작을 하게 하면 된다. 여기서, 진공 배기장치는, 도 2에 나타나는 바와 같이, 터보 분자 펌프(66)와 드라이 루츠 펌프(67)와의 조합이 바람직하지만, 드라이 루츠 펌프 대신 오일 미스트 트랩 또는 몰레큘러시브(molecular sieve) 부착 로터리 펌프이어도 된다.
도 7에 예비환경실(62)을 복수(여기서는 2개) 구비한 경우의 실시 형태를 나타낸다. 검사 대상의 웨이퍼의 로드와 언로드를 동시에 병행하여 행하여도 된다. 또한 예비환경실에 동시에 복수의 웨이퍼를 스톡하는 기능을 가져도 된다. 이 경우 게이트 밸브 조작을 적게 할 수 있고, 효율적인 검사와 로드 및 언로드가 가능하다.
도 8에서, 웨이퍼 전압(기판 전압, 시료 전압 또는 리타딩 전압이라고도 하나, 여기서는 통일하여 웨이퍼 전압이라 부른다)의 제어 플로우가 나타나 있다. 도 8에 나타나는 플로우는, CCD 또는 EB-CCD 또는 TDI-CCD의 Still 모드에 의한 1 쇼트 촬상에서의 플로우를 나타낸다. 여기서, 웨이퍼 전압(기판 전압, 시료 전압 또는 리타딩 전압)이란 웨이퍼, 기판 등의 시료에 미리 가하여져 있는 전압을 말한다.
이것은, 전류 밀도의 신호와 블랭킹 신호로부터 Dose량(전자선의 투여량으로 웨이퍼, 기판 등의 시료 상의 단위 면적당 조사되는 하전(荷電)량을 말하고, 이하 Dose량으로서 나타낸다)을 계산하고, 블랭킹 신호에 의하여 EB-CCD의 제어를 행하고 있는 실시예이다.
전자총의 전자 전류값으로부터 전류 밀도(Je)가 산출된다. 이 전류 밀도도(Je)와 블랭킹 신호의 블랭킹 해제시간(τs)으로부터 웨이퍼 표면의 Dose량이 계 산된다.
여기서 Dose량=Jeㆍτs
시료 표면 즉 웨이퍼 표면의 정보 예를 들면, 레지스트 두께(d), 비유전율(εr)로부터 단위 면적당의 웨이퍼 표면의 정전용량(C)을 구한다.
여기서 C=εrㆍεO/d(단위면적은 cm2로 계산, εO는 진공 중의 유전율)
또, CV= Q로부터
웨이퍼 표면전압의 변화량 ΔV=Q/C
여기서 웨이퍼 표면전압이란, 기판 표면전압 또는 시료 표면전압이라고도 불리우고, 미리 가해진 웨이퍼 전압과, 웨이퍼에 전자빔이 조사됨으로써 가하여지는 전압을 가하여 합친(중첩한) 전압을 말한다.
한편 Q는 웨이퍼 표면에 조사된 총전자량이기 때문에, 랜딩 에너지(LE)(keV)일 때의 2차 전자 방출률을
Figure 112008053266644-pct00001
라 하면
Q=Dose량ㆍ(1-
Figure 112008053266644-pct00002
)= Jeㆍτsㆍ(1-
Figure 112008053266644-pct00003
)가 된다.
따라서, 웨이퍼 표면전압의 변화량(ΔV)은 ΔV=Jeㆍτsㆍ(1-
Figure 112008053266644-pct00004
)ㆍd/εrㆍεO로 나타난다.
따라서, 웨이퍼 전압(또는 리타딩 전압)(RTD)은
RTD+ΔV=설계값(2차 전자 인출 전압)을 만족하도록 조정하면 된다.
도 9는 웨이퍼 전압의 다른 제어 플로우를 나타낸다.
이것은, EB-CCD의 신호를 기초로 블랭킹 신호를 정하고, 그 블랭킹 신호와 전류 밀도 신호로부터 Dose량을 정하는 경우의 실시예이다.
도 10은, CCD 또는 EB-CCD 또는 TDI-CCD의 Still 모드에 의한 1 쇼트 촬상을 연속하여 복수회 행하는 경우의 웨이퍼 전압과 EB-CCD와 블랭킹 신호와의 관계를 나타낸다. 촬상마다 Dose량이 변하기 때문에, 그때마다 웨이퍼 전압(리타딩 전압)을 조정해야 한다. 즉 웨이퍼 전압을 그때마다 조정함으로써, 항상 동일한 화상이 얻어지게 되고, 그것들의 화상을 적산함으로써, 더욱 S/N비가 높은 화상을 취득할 수 있고, 화상 해석의 정밀도를 향상시키는 것이 가능하다.
또한, 적산 횟수는 임의의 횟수로 할 수 있다. 즉, 웨이퍼의 조건 등에 따른 최적의 적산 횟수를 미리 설정할 수 있다. 이에 따라 웨이퍼에 따른 최적의 검사 조건으로 검사를 실시할 수 있다.
도 11은 블랭킹 신호의 다른 실시예를 나타낸다. 이 경우 EB-CCD의 노광시간 중에 복수회의 블랭킹 해제가 행하여지게 되기 때문에, 웨이퍼 표면 전압의 변화량(ΔV)은,
ΔV=Jeㆍ∑(τn)ㆍ(1-
Figure 112008053266644-pct00005
)ㆍd/εrㆍεO로 나타난다.
이와 같이, 웨이퍼 전압과 웨이퍼 표면 전압의 변화분의 합이 2차 광학계의 결상 조건을 만족하도록 Dose량을 조정함으로써, 화상을 취득할 수 있다. 노광시간과 블랭킹 해제시간은 상대적으로 임의로 정하는 것이 가능하다. 즉 블랭킹 해제시간이 노광시간보다 길어도 된다. 이 경우 Dose량의 계산은 τs 대신 노광시간을 대 입한다.
오버레이 검사의 경우, 하층 패턴을 보기 위한 ΔV를 정하는 조건과, 상층 패턴을 보기 위한 ΔV를 정하는 조건이 다른 경우가 있다.
하층 패턴이 산화막이나 레지스트 너머이고, 상층 패턴 즉 레지스트 노광이 노광만인 경우 또는 포스트 베이크까지의 경우는, Dose량에 의한 각각의 ΔV는 동일하기 때문에, 하층 패턴이 보기 쉬운 조건과 상층 패턴이 보기 쉬운 조건의 중간에 웨이퍼 전압(리타딩 전압)을, 맞추면 된다.
상층 패턴이 현상까지 되어 있는 경우, 상층 패턴이 보이는 원리는 하층 패턴이 보이는 원리와는 완전히 다르다. 상층 패턴은 현상에 의하여 그 표면에 요철이 존재하기 때문에, 형상에 의한 콘트라스트로서 상을 포착할 수 있어, 이 경우는 하층 패턴이 더욱 잘 보이는 조건에 웨이퍼 전압(리타딩 전압)을 맞추면 된다.
상층 패턴과 하층 패턴의 상을 동시에 취득할 수 없는 경우는 복수회 촬상을 행함으로써, 하층 패턴과 상층 패턴을 각각 별도로 취득하여도 된다. 상층 패턴이 현상 후 등 형상 콘트라스트 또는 재료 콘트라스트로서 상을 얻을 수 있는 경우, 상층 패턴은 비교적 용이하게 그 상을 취득할 수 있기 때문에, 먼저 하층 패턴의 화상을 주로 취득하고, 다음에 상층 패턴의 화상을 취득하고, 그 합성화상으로부터, 하층 패턴과 상층 패턴의 위치 어긋남을 검출 또는 계산하는 것도 가능하다. 이때는 화상 취득조건 특히 RTD나 Dose량은 하층 패턴에 있던 조건으로 하여도 촬상하는 것이 바람직하다.
또, 상층 패턴이 잠상(潛像)과 같이, 시료 표면에 요철이 없는 경우는, 어느 쪽인가 보기 쉬운 패턴으로부터 먼저 화상을 취득하는 것이 가능하다.
RTD와 Dose량의 관계에서 먼저 하층 패턴이 소실되는 경우에는, 하층 패턴에 조건을 맞추어서 먼저 화상을 취득하고, 상층 패턴이 먼저 소실되는 경우에는 상층 패턴을 먼저 촬상한다. 이들, 상층 패턴과 하층 패턴을 각각 별도로 촬상하는 경우, RTD를 Dose량에 맞추어서 컨트롤한다.
ΔV를 컨트롤하는 방법으로서, 레이저 광선의 조사를 행하여도 된다. 레이저 광선을 조사함으로써, 표면 전위의 상승분을 더욱 상세하게 컨트롤할 수 있다. 레이저 광선을 미리 조사해두고 나서 전자빔을 조사한다. 레이저 광선의 조사에 의한 양자 효과로 표면 전위 상승분이 변화하여 Dose량의 컨트롤만으로는, 미조정(微調整)할 수 없었던, 시료 표면의 표면 전위 상승분을 조정하여, 더욱 선명한 화상을 얻을 수 있다.
레이저 광선의 조사와 RTD의 조정과 Dose량에 의한 표면 전위의 조정은 그것들을 종합적으로 동시에 컨트롤하는 것도 가능하다.
도 12에 레이저 광선 조사와 블랭킹 신호의 관계를 나타낸다. 복수회 촬상하는 경우, 모든 화상을 적산하는 것도 가능하지만, 각각의 촬상에서 상층 패턴과 하층 패턴을 별개로 촬상하는 것도 가능하고, 하층 패턴의 촬상시만 레이저 광선의 조사량, 시료 표면의 전위 상승분을 더욱 상세하게 조정하는 것이 가능하다. 상층 패턴의 촬상시에 레이저 광선의 조사에 의한 시료 표면의 전위 상승분을 더욱 상세하게 조정하여도 되고, 항상 레이저 광선을 조사하여도 된다. 또, 촬상하지 않는 기간에 레이저 광선을 조사하여, 촬상시에는 레이저 광선을 중지하거나 또는 차폐 하여도 된다.

Claims (4)

  1. 사상(寫像) 투영형의 전자선식(電子線式) 시료 표면 검사장치로 시료 표면을 검사하는 방법에 있어서,
    전자총으로부터 발생한 전자빔에 의한 상기 시료 표면 상의 조사영역의 사이즈를, 상기 시료 표면 상의 패턴 사이즈보다 크게 또한 원형 또는 타원형으로 형성하고, 상기 전자빔을 상기 시료 표면 상의 패턴의 중심으로 조사하고, 상기 전자빔의 조사에 의해 상기 시료 표면으로부터 발생한 2차 전자를 검출기의 전자 검출면에서 결상시켜 상기 시료 표면을 검사하는 것을 특징으로 하는 시료 표면 검사방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 검출기가 EB-CCD인 것을 특징으로 하는 시료 표면 검사방법.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 전자빔의 상기 시료 표면에 대한 조사를, 상기 전자빔의 통로의 도중에 설치된 블랭킹용 전극의 전압을 제어하여 전자빔을 편향함으로써 행하는 것을 특징으로 하는 시료 표면 검사방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 전자빔의 조사위치를, 상기 시료 표면 상의 패턴의 중심으로부터 상기 전자빔의 편향방향과는 반대방향으로 어긋나게 하여, 상기 시료 표면의 대전상태의 치우침을 없애는 것을 특징으로 하는 시료 표면 검사방법.
KR1020087018235A 2006-01-25 2007-01-24 시료 표면 검사장치 및 검사방법 KR101314172B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-00016553 2006-01-25
JP2006016553A JP5058489B2 (ja) 2006-01-25 2006-01-25 試料表面検査装置及び検査方法
PCT/JP2007/051045 WO2007086398A1 (ja) 2006-01-25 2007-01-24 試料表面検査装置及び検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080087137A KR20080087137A (ko) 2008-09-30
KR101314172B1 true KR101314172B1 (ko) 2013-10-04

Family

ID=38309187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087018235A KR101314172B1 (ko) 2006-01-25 2007-01-24 시료 표면 검사장치 및 검사방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7952071B2 (ko)
JP (1) JP5058489B2 (ko)
KR (1) KR101314172B1 (ko)
TW (1) TW200746219A (ko)
WO (1) WO2007086398A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9453801B2 (en) 2012-05-25 2016-09-27 Kla-Tencor Corporation Photoemission monitoring of EUV mirror and mask surface contamination in actinic EUV systems
JP6114002B2 (ja) * 2012-11-01 2017-04-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP5529305B1 (ja) * 2013-02-04 2014-06-25 浜松ホトニクス株式会社 分光測定装置、及び分光測定方法
JP6193608B2 (ja) * 2013-04-17 2017-09-06 株式会社荏原製作所 検査装置および検査用画像データの生成方法
WO2021159285A1 (zh) * 2020-02-12 2021-08-19 深圳华大智造科技股份有限公司 光学成像系统及应用所述光学成像系统的生化物质检测系统

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050047054A (ko) * 1997-10-02 2005-05-19 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 패턴결함 검사방법 및 검사장치
KR20050064458A (ko) * 2003-12-23 2005-06-29 주식회사 하이닉스반도체 패턴 검사 장치

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6172363B1 (en) * 1996-03-05 2001-01-09 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern
JP2002118158A (ja) * 1996-03-05 2002-04-19 Hitachi Ltd 回路パターンの検査方法及び検査装置
JPH11135056A (ja) * 1997-11-04 1999-05-21 Nikon Corp 検査装置
US6476388B1 (en) * 1998-10-19 2002-11-05 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope having magnification switching control
JP3100582B2 (ja) * 1999-02-12 2000-10-16 株式会社半導体先端テクノロジーズ 走査型電子顕微鏡及びパターン測定方法
US7817844B2 (en) * 1999-08-26 2010-10-19 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
JP2001357808A (ja) * 2000-06-14 2001-12-26 Hitachi Ltd 回路パターン検査装置および方法
US6855929B2 (en) * 2000-12-01 2005-02-15 Ebara Corporation Apparatus for inspection with electron beam, method for operating same, and method for manufacturing semiconductor device using former
JP2005235777A (ja) * 2001-01-10 2005-09-02 Ebara Corp 電子線による検査装置、検査方法、及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
EP1271604A4 (en) * 2001-01-10 2005-05-25 Ebara Corp EXAMINATION DEVICE AND INVESTIGATION METHOD WITH ELECTRON BEAM AND COMPONENT MANUFACTURING METHODS WITH THE INVESTIGATION DEVICE
JP2002216692A (ja) * 2001-01-17 2002-08-02 Nikon Corp 荷電粒子線装置及びそのような装置を用いたデバイス製造方法
JP3986260B2 (ja) * 2001-01-19 2007-10-03 株式会社東芝 欠陥検査装置及びそれを用いたデバイス製造方法
US7157703B2 (en) * 2002-08-30 2007-01-02 Ebara Corporation Electron beam system
JP2004095281A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Ebara Corp 電子線装置
JP3944439B2 (ja) * 2002-09-26 2007-07-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線を用いた検査方法および検査装置
JP4771714B2 (ja) * 2004-02-23 2011-09-14 株式会社Ｎｇｒ パターン検査装置および方法
JP2005249745A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Ebara Corp 試料表面検査方法および検査装置
KR101487359B1 (ko) * 2006-01-25 2015-01-29 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 시료 표면 검사방법 및 검사장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050047054A (ko) * 1997-10-02 2005-05-19 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 패턴결함 검사방법 및 검사장치
KR20050103266A (ko) * 1997-10-02 2005-10-28 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 패턴결함 검사방법 및 검사장치
KR20050064458A (ko) * 2003-12-23 2005-06-29 주식회사 하이닉스반도체 패턴 검사 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007200658A (ja) 2007-08-09
US7952071B2 (en) 2011-05-31
TW200746219A (en) 2007-12-16
US20090026368A1 (en) 2009-01-29
JP5058489B2 (ja) 2012-10-24
WO2007086398A1 (ja) 2007-08-02
KR20080087137A (ko) 2008-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5307181B2 (ja) 試料表面検査方法及び検査装置
JP4905504B2 (ja) 電子ビームの調整方法，荷電粒子光学系制御装置、及び走査電子顕微鏡
US7019294B2 (en) Inspection method and apparatus using charged particle beam
TWI414755B (zh) 用於試料圖案檢查裝置之ｘｙ座標補正裝置及方法
US6509564B1 (en) Workpiece holder, semiconductor fabricating apparatus, semiconductor inspecting apparatus, circuit pattern inspecting apparatus, charged particle beam application apparatus, calibrating substrate, workpiece holding method, circuit pattern inspecting method, and charged particle beam application method
US20050133733A1 (en) Electron beam system and method of manufacturing devices using the system
JP4305421B2 (ja) 電子ビームの調整方法，荷電粒子光学系制御装置、及び走査電子顕微鏡
JP2003100823A (ja) 荷電粒子ビームを用いた検査方法およびそれを用いた検査装置
CN108604522B (zh) 带电粒子束装置以及带电粒子束装置的调整方法
KR101314172B1 (ko) 시료 표면 검사장치 및 검사방법
JP4506588B2 (ja) 荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置
JP2007324371A (ja) オーバーレイ検査用オーバーレイマーク及びレンズ収差調査用マーク
US7608821B2 (en) Substrate inspection apparatus, substrate inspection method and semiconductor device manufacturing method
JP2004079516A (ja) 試料保持機，半導体製造装置，半導体検査装置、および試料の保持方法
JP2005005151A (ja) 荷電粒子線装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160720

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170719

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180720

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190723

Year of fee payment: 7