KR101308497B1 - 감광막을 포함한 섀도우 마스크 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 감광막을 포함한 고해상도 섀도우 마스크(shadow mask) 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 패터닝 된 감광막을 이용하여 섀도우 마스크의 미세 패턴을 구현하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 금속판에 제1 개방부를 형성한다. 그리고 금속판의 적어도 일면에 제1 개방부를 분할하는 감광막 패턴이 형성된 감광막을 형성함으로써 섀도우 마스크를 제조할 수 있다. 또한 감광막을 포함한 고해상도 섀도우 마스크를 제조함에 있어서 미세 패턴 구현에 불필요한 감광막을 선택적 및 효율적으로 제거하는 방법을 제공한다.

Description

감광막을 포함한 섀도우 마스크 및 그의 제조 방법{High resolution shadow mask having photoresist film and manufacturing method thereof}
본 발명은 섀도우 마스크(shadow mask) 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 감광막을 이용하여 섀도우 마스크의 미세 패턴을 구현할 수 있는 감광막을 포함한 고해상도 섀도우 마스크 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
종래에는 섀도우 마스크를 제조함에 있어서 금속판을 레이저 식각 또는 습식 식각으로 패턴을 형성하는 방식을 사용하였다.
그런데 섀도우 마스크에 형성할 패턴이 미세 패턴화 되면서 금속판에 직접 레이저 식각 또는 습식 식각으로 패턴을 형성하는 데는 한계가 있다. 즉 레이저 식각은 스폿(spot)의 크기에 제한이 있고, 높은 에너지에 의한 패턴 손상이 발생하므로 미세 패턴을 형성하기 어렵다. 또한 습식 식각은 모든 방향으로 식각이 진행되므로 미세 패턴 형성 시 금속판의 두께에 크게 영향을 받게 되며, 이로 인해 금속판의 두께가 얇아질 경우 금속판을 취급하기가 힘든 문제점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은 감광막을 이용하여 섀도우 마스크의 미세 패턴을 구현할 수 있는 감광막을 포함한 고해상도 섀도우 마스크 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 습식 식각 방법에 비해 금속판의 두께의 선택폭을 확장할 수 있는 감광막을 포함한 고해상도 섀도우 마스크 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 감광막을 포함한 고해상도 섀도우 마스크를 제조함에 있어서, 미세 패턴 구현시 불필요한 감광막을 선택적 및 효율적으로 제거하기 위한 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 재작업(rework)이 용이한 감광막을 포함한 고해상도 섀도우 마스크 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 제1 개방부가 형성된 금속판 및 상기 금속판의 적어도 일면에 상기 제1 개방부를 분할하는 감광막 패턴이 형성된 제1 감광막을 포함하는 하는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 고해상도 섀도우 마스크를 제공한다.
본 발명은 또한, 금속판에 제1 개방부를 형성하는 단계 및 상기 금속판의 적어도 일면에 상기 제1 개방부를 분할하는 감광막 패턴이 형성된 제1 감광막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 고해상도 섀도우 마스크의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 금속판의 양면에 각각 제1 감광막 및 제2 감광막을 형성하는 단계, 상기 제1 감광막에 상기 금속판에 형성될 제1 개방부를 분할하는 패턴형성부를 포함하는 감광막 패턴을 형성하고, 상기 제2 감광막에 상기 제1 개방부에 대응되는 제3 개방부를 형성하는 단계 및 상기 제3 개방부를 이용하여, 상기 금속판을 식각하여 제1 개방부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 고해상도 섀도우 마스크의 제조방법을 제공한다.
그리고 본 발명은 또한, 금속판의 양면에 각각 제1 감광막 및 제2 감광막을 형성하는 단계, 상기 제2 감광막에 상기 금속판에 형성될 제1 개방부에 대응되는 제3 개방부를 형성하는 단계, 상기 제3 개방부를 이용하여, 상기 금속판을 식각하여 제1 개방부를 형성하는 단계, 상기 제3 개방부가 형성된 제2 감광막만을 선택적으로 제거하는 단계 및 상기 제1 감광막에 상기 제1 개방부를 분할하는 감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 고해상도 섀도우 마스크 및 그의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 제1 개방부가 형성된 금속판의 적어도 일면에 감광막을 형성하고, 그 감광막을 패터닝하여 제1 개방부가 제2 개방부를 통해 분할하여 노출되게 하는 감광막 패턴을 형성함으로써, 감광막을 이용하여 섀도우 마스크의 미세 패턴을 구현할 수 있고, 금속판이 감광막의 지지체 역할을 하게 된다.
본 발명에 따른 섀도우 마스크는 감광막을 이용하여 미세 패턴을 구현하기 때문에, 금속판만을 이용하여 습식 식각으로 미세 패턴을 형성하는 것에 비해서 금속판의 두께의 선택폭을 확장할 수 있다.
또한, 제1 감광막은 광경화 타입의 재료를 사용하고, 제2 감광막은 광분해 타입의 재료를 사용함으로써, 미세 패턴을 구현한 이후에 불필요한 제2 감광막을 선택적 및 효율적으로 제거할 수 있다.
그리고 섀도우 마스크의 감광막은 제거하고 다시 형성할 수 있기 때문에, 재작업(rework)이 용이한 장점도 갖고 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 감광막을 포함한 고해상도 섀도우 마스크를 보여주는 사시도이다.
도 2 내지 도 5는 도 1의 섀도우 마스크의 제조 방법의 일 예에 따른 각 단계를 보여주는 도면들이다.
도 6 내지 도 8은 도 1의 섀도우 마스크의 제조 방법의 다른 예에 따른 각 단계를 보여주는 도면들이다.
하기의 설명에서는 본 발명의 실시예에 따른 동작을 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흐리지 않도록 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.
또한 이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 하나의 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 감광막을 포함한 고해상도 섀도우 마스크를 보여주는 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 섀도우 마스크(100)는 제1 개방부(12)가 형성된 금속판(10)과, 금속판(10)의 적어도 일면에 제1 감광막(20)이 형성된다. 이 경우 제1 감광막(20)은 제1 개방부(12)가 제2 개방부(22)를 통해 분할하여 노출되게 하는 감광막 패턴(26)이 형성된다. 감광막 패턴(26)은 제1 개방부(12)를 부분적으로 노출시키는 복수의 제2 개방부(22) 및 복수의 제2 개방부(22) 사이에 형성된 적어도 하나 이상의 패턴형성부(24)를 포함한다. 패턴형성부(24)는 제1 개방부(12)의 장변을 수직방향으로 가로지르도록 형성될 수 있으며, 제1 개방부(12)의 단변의 길이보다 길게 형성될 수 있다. 복수 개의 제2 개방부(22) 중에서, 최외곽에 위치하는 제2 개방부(22)를 연결하여 형성하는 가상의 개방부는 제1 개방부(12)를 포함하도록 형성될 수 있다.
이때 금속판(10)과 제1 감광막(20) 간의 접착성을 향상시키기 위해서 버퍼층을 개재할 수 있다. 제1 감광막(20)의 선택적 형상화를 위한 개시제는 광경화 타입과 광분해 타입이 있으며, 본 실시예에서는 광경화 타입의 개시제를 사용하였으나 이것에 한정되는 것은 아니다.
그리고 제1 감광막(20)을 포함한 미세 패턴의 섀도우 마스크(100)의 제조에 있어서, 고온의 공정에서는 제1 감광막(20)이 손상될 수 있기 때문에, OTFT(유기박막 트랜지스터) 또는 OLED(유기 발광다이오드) 등과 같은 저온 공정의 소자 제작에 적합할 수 있으나, 이것에 한정되는 것은 아니다.
특히 본 실시예에 따른 제1 감광막(20)은 빛(적외선, 가시광선, 자외선), 열, 레이저 등 한가지 이상의 에너지 조사에 따라 제1 감광막(20)의 선택적 패터닝이 가능한 재료를 사용하는 것이 바람직하며, 에너지원은 이것에 한정되는 것은 아니다.
예컨대 제1 감광막(20)은 광경화 타입의 재료를 이용하여 제조된 것일 수 있는데, 아크릴계 고분자 바인더, 2 이상의 에틸렌계 이중결합을 가지는 가교성 모노머, 광중합 개시제, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제 및 용제를 포함할 수 있다. 더욱 상세하게는, 아크릴계 고분자 바인더 0.5 내지 50 중량%, 적어도 2개 이상의 에틸렌계 이중결합을 가지는 가교성 모노머 0.1 내지 40 중량%, 광중합 개시제 0.1 내지 5 중량%, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제 0.05 내지 5 중량%, 및 잔량의 용제를 포함하는 감광성 수지 조성물일 수 있다.
이때 아크릴계 고분자 바인더는 에틸렌계 산성기를 갖는 단량체와 에틸렌계 산성기를 갖지 않는 단량체의 공중합체일 수 있다. 더욱 상세하게는 에틸렌계 산성기를 갖는 단량체 5 내지 80 중량%와, 에틸렌계 산성기를 갖지 않는 단량체 95 내지 20 중량%의 공중합체일 수 있다.
에틸렌계 산성기를 갖는 단량체는 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 말레인산, 푸마르산, 비닐초산 또는 이들의 산 무수물 형태; 2-아크릴로옥시에틸히드로겐프탈레이트; 2-아크릴로옥시프로필히드로겐프탈레이트; 및 2-아크릴로옥시프로필헥사히드로겐프탈레이트로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택될 수 있다.
에틸렌계 산성기를 갖지 않는 단량체는 이소부틸아크릴레이트, t-부틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 알킬아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-히드록시아크릴레이트, 트리메톡시부틸아크릴레이트, 에틸카르비놀아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 4-히드록시부틸아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 히드록시에틸신나믹아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-아크릴옥시에틸2-히드록시프로필프탈레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트 및 이들의 메타크릴레이트류; 할로겐화합물을 포함하는 아크릴레이트 및 이들의 메타크릴레이트류; 및 실록산기를 포함하는 아크릴레이트 및 이들의 메타크릴레이트류로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택될 수 있다.
적어도 2개 이상의 에틸렌계 이중 결합을 갖는 가교성 모노머는 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨디아크릴레이트, 솔비톨트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디아클릴레이트 유도체, 트리메틸프로판트리아크릴레이트, 디펜타에리스리톨폴리아크릴레이트, 및 이들의 메타크릴레이트류로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택될 수 있다.
광중합 개시제는 트리아진계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인계 화합물, 이미다졸계 화합물, 및 크산톤계 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택될 수 있다.
그리고 제1 감광막에 포함되는 용제는 에틸아세테이트, 이소프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 아세톤, 메틸에틸키톤, 톨루엔, 테트라닌, 사이클로헥사논, 헥산, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 시클로헥사논, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 및 3-에톡시프로피온산에틸로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택될 수 있다.
한편, 제1 감광막은 광분해 타입의 재료를 이용하여 제조된 것일 수 있는데, 고분자 바인더, 광분해 아크릴 성분, 가교제, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제, 및 용제를 포함할 수 있다.
상기 고분자 바인더는 에틸렌계 산성기를 갖는 단량체와 에틸렌계 산성기를 갖지 않는 단량체를 포함하는 3종 이상의 단량체의 공중합체일 수 있다. 또한, 광분해 아크릴 성분은 나프토퀴논디아지드계 화합물을 포함할 수 있고, 가교제는 실란계 및 실록산계 화합물을 포함할 수 있다. 그리고 제1 감광막에 포함되는 용제는 아세테이트류 및 에테르류로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 혼합한 것일 수 있다.
이와 같이 본 실시예에 따른 섀도우 마스크(100)는 제1 감광막(20)을 이용하여 금속판(10)에 형성된 제1 개방부(12)를 분할하여 미세 패턴화하기 때문에, 종래의 금속판만으로 미세 패턴화된 섀도우 마스크에 비해서 얇거나 두꺼운 금속판을 사용할 수 있다. 즉 본 실시예에 따른 섀도우 마스크(100)의 금속판(10)에 형성된 제1 개방부(12)는 종래의 섀도우 마스크의 금속판에 형성된 개방부 보다는 크게 형성되기 때문에, 얇은 금속판의 취급에 따른 문제를 해소할 수 있다.
이와 같은 본 실시예에 따른 섀도우 마스크(100)의 제조 방법의 일 예를 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 도 2 내지 도 5는 도 1의 섀도우 마스크(100)의 제조 방법의 일 예에 따른 각 단계를 보여주는 도면들이다. 도 2 내지 도 5에서 각각 (a)는 바닥면을 나타내고, (b)는 단면을 나타내고, (c)는 상부면을 나타낸다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 금속판(10)의 양면에 제1 감광막(20) 및 제2 감광막(30)을 형성한다. 제2 감광막(30)은 미세 패턴을 구현한 이후에 불필요할 수 있다. 이 경우 미세 패턴을 구현한 이후에 제2 감광막(30)을 제거하는 단계를 거칠 수도 있는데, 제2 감광막의 선택적 및 효율적인 제거를 위해 상기 제1 감광막(20)은 광경화 타입의 재료를 이용하여 제조된 것이고, 상기 제2 감광막(30)은 광분해 타입의 재료를 이용하여 제조된 것일 수 있다. 더욱 상세하게는 제1 감광막(20)은 아크릴계 고분자 바인더, 2 이상의 에틸렌계 이중결합을 가지는 가교성 모노머, 광중합 개시제, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제, 및 용제를 포함할 수 있고, 제2 감광막은 고분자 바인더, 광분해 아크릴 성분, 가교제, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제, 및 용제를 포함할 수 있다. 제1 감광막(20)은 금속판(10)의 상부면에 형성될 수 있고, 제2 감광막(30)은 금속판(10)의 하부면에 형성될 수 있다.
제1 감광막(20) 및 제2 감광막(30)은 라미네이팅, 코팅(스핀코팅, bar코팅, dip 코팅, 슬릿 코팅 등), 인쇄(스크린 프리팅, 그라비아, 마이크로 컨텍, 잉크젯, dispenser, 오프셋, 그라비아 오프셋 등) 공정 중 적어도 하나 이상을 사용하여 형성할 수 있다.
다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 감광막(20) 및 제2 감광막(30)에 대한 사진 공정을 통하여, 제1 감광막(20)에 2개 이상의 제2 개방부(22) 및 패턴형성부(24)를 포함하는 감광막 패턴(26)을 형성한다. 제2 감광막(30)에 제3 개방부(32)를 형성하며, 제3 개방부(32)는 금속판(10)에 형성될 제1 개방부의 크기에 대응되게 형성될 수 있다. 제2 개방부(22)를 연결하여 형성하는 가상의 개방부는 제3 개방부(32)를 포함할 수 있는 크기로 형성될 수 있다.
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 감광막(30)에 형성된 제3 개방부(32)를 이용하여, 금속판(10)을 식각하여 제1 개방부(12)를 형성한다. 이때 제1 개방부(12)는 제2 개방부(22)를 통해 노출되는데, 제1 감광막(20)에 형성된 패턴형성부(24)에 의해 분할되어 노출된다.
그리고, 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 감광막(30) 만을 선택적으로 제거함으로써, 본 실시예에 따른 섀도우 마스크(100)를 제조할 수 있다. 즉 금속판(10)에는 제1 개방부(12)가 형성되고, 금속판(10)의 상부면에 제1 개방부(12)를 분할하는 패던바(24)와 복수 개의 제2 개방부(22)를 포함하는 감광막 패턴(26)이 형성된 제1 감광막(20)이 형성된다.
이와 같이 금속판(10)에 형성된 제1 개방부(12)는 크게 형성되지만, 제1 감광막(20)에 형성되는 감광막 패턴(26)에 포함되는 패턴형성부(24)에 의해 제1 개방부(12)가 두 개로 분할되어 노출됨으로써, 금속판(10)에 형성된 제1 개방부(12)를 미세 패턴화할 수 있다.
한편 제1 감광막(20)에 대해서는 제1 감광막(20)의 물질적인 경도를 높이기 위해서, 열처리, 화학적처리, 금속 코팅 등의 별도의 경화 공정을 더 수행할 수도 있다.
또한 본 실시예는 제1 개방부(12)를 하나의 패턴형성부(24)를 이용해 두 개로 분할하여 제2 개방부(22)를 통해 노출되게 함으로써, 미세 패턴화하는 예를 개시하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 감광막 패턴(26)이 형성된 제1 감광막(20) n개를 나란히 형성하여, 제1 개방부(12)를 (n+1)개로 분할하여 미세 패턴화할 수도 있다.
이와 같은 본 실시예에 따른 섀도우 마스크(100)의 제조 방법의 다른 예를 도 6 내지 도 8을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 도 6 내지 도 8은 도 1의 섀도우 마스크(100)의 제조 방법의 다른 예에 따른 각 단계를 보여주는 도면들이다. 도 6 내지 도 8에서 각각 (a)는 바닥면을 나타내고, (b)는 단면을 나타내고, (c)는 상부면을 나타낸다.
먼저, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 개방부(12)가 형성된 금속판(10)을 준비한다. 이때 제1 개방부(12)는 레이저 식각 또는 습식 식각으로 형성될 수 있다.
다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 금속판(10)의 상부면에 제1 감광막(20)을 형성한다.
그리고, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 감광막(20)에 대한 노광 및 현상을 통하여 금속판(10)의 제1 개방부(12)가 제2 개방부(22)를 통해 분할하여 노출되게 하는 감광막 패턴(26)을 형성함으로써 섀도우 마스크(100)를 제조할 수 있다. 이때 금속판(10)에는 제1 개방부(12)가 형성되고, 금속판(10)의 상부면에 제1 개방부(12)가 분할하여 제2 개방부(22)를 통해 노출되게 하는 감광막 패턴(26)이 형성된 감광막(20)이 형성된다. 상기 감광막 패턴(26)은 패턴형성부(24) 및 복수 개의 제2 개방부(22)를 포함하며, 복수 개의 제2 개방부(22)를 통하여 제1 개방부(12)가 분할되어 노출된다.
한편, 제1 감광막(20)에 대해서는 제1 감광막(20)의 물질적인 경도를 높이기 위해서, 열처리, 화학적 처리, 금속 코팅 등의 별도의 경화 공정을 더 수행할 수도 있다.
한편, 감광막을 포함한 고해상도 섀도우 마스크의 제조방법은, 금속판(10)에 제1 개방부(12)를 형성하는 단계, 및 금속판(10)의 적어도 일면에 제1 개방부(12)를 분할하는 감광막 패턴(26)이 형성된 제1 감광막(20)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 감광막(20)을 형성하는 단계는 금속판(10)의 적어도 일면에 제1 감광막(20)을 형성하는 단계 및 제1 감광막(20)에 제1 개방부(12)를 분할하는 감광막 패턴(26)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 개방부(12)를 형성하는 단계는 금속판(10)의 어느 일면에 제2 감광막을 형성하는 단계, 제2 감광막에 제1 개방부(12)에 대응되는 제3 개방부를 형성하는 단계, 제3 개방부를 이용하여, 상기 금속판(10)을 식각하여 제1 개방부(12)를 형성하는 단계, 및 제3 개방부가 형성된 제2 감광막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
10 : 금속판
12 : 제1 개방부
20 : 제1 감광막
22 : 제2 개방부
24 : 패턴형성부
26 : 감광막 패턴
30 : 제2 감광막
32 : 제3 개방부
100 : 섀도우 마스크

Claims (16)

  1. 제1 개방부가 형성된 금속판; 및
    상기 금속판의 적어도 일면에 상기 제1 개방부를 분할하는 감광막 패턴이 형성된 제1 감광막;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 섀도우 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감광막 패턴은,
    상기 제1 개방부를 부분적으로 노출시키는 복수의 제2 개방부; 및
    상기 복수의 제2 개방부 사이에 형성된 적어도 하나의 패턴형성부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 섀도우 마스크.
  3. 제2항에 있어서, 상기 복수의 제2 개방부 중에서,
    최외곽에 위치하는 제2 개방부를 상기 패턴형성부를 개방한 상태로 연결하여 형성하는 가상의 개방부는, 상기 제1 개방부 전체를 노출할 수 있도록 형성되는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 섀도우 마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 감광막은,
    아크릴계 고분자 바인더, 2 이상의 에틸렌계 이중결합을 가지는 가교성 모노머, 광중합 개시제, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제, 및 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 섀도우 마스크.
  5. 제4항에 있어서, 상기 아크릴계 고분자 바인더는,
    에틸렌계 산성기를 갖는 단량체와 에틸렌계 산성기를 갖지 않는 단량체의 공중합체이고,
    상기 가교성 모노머는 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨디아크릴레이트, 솔비톨트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트 유도체, 트리메틸프로판트리아크릴레이트, 디펜타에리스리톨폴리아크릴레이트, 및 이들의 메타크릴레이트류로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    상기 광중합 개시제는 트리아진계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인계 화합물, 이미다졸계 화합물 및 크산톤계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 섀도우 마스크.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 감광막은,
    고분자 바인더, 광분해 아크릴 성분, 가교제, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제, 및 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 섀도우 마스크.
  7. 제6항에 있어서, 상기 고분자 바인더는,
    에틸렌계 산성기를 갖는 단량체와 에틸렌계 산성기를 갖지 않는 단량체를 포함하는 3종 이상의 단량체의 공중합체이고,
    상기 광분해 아크릴 성분은 나프토퀴논디아지드계 화합물을 포함하고,
    상기 가교제는 실란계 및 실록산계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 섀도우 마스크.
  8. 제5항 또는 제7항에 있어서, 상기 용제는,
    아세테이트류 및 에테르류로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 혼합한 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 섀도우 마스크.
  9. 금속판에 제1 개방부를 형성하는 제1 개방부 형성단계;
    상기 금속판의 적어도 일면에 제1 감광막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 감광막에 상기 제1 개방부를 분할하는 감광막 패턴을 형성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 섀도우 마스크의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 개방부 형성단계는,
    상기 금속판의 어느 일면에 제2 감광막을 형성하는 단계;
    상기 제2 감광막에 상기 제1 개방부에 대응되는 제3 개방부를 형성하는 단계;
    상기 제3 개방부를 이용하여 상기 금속판을 식각하여 제1 개방부를 형성하는 단계; 및
    상기 제3 개방부가 형성된 제2 감광막을 제거하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 섀도우 마스크의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 감광막은 광경화 타입의 재료를 이용하여 제조된 것이고, 상기 제2 감광막은 광분해 타입의 재료를 이용하여 제조된 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 섀도우 마스크의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 감광막은,
    아크릴계 고분자 바인더, 2 이상의 에틸렌계 이중결합을 가지는 가교성 모노머, 광중합 개시제, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제, 및 용제
    를 포함하고,
    상기 제2 감광막은, 고분자 바인더, 광분해 아크릴 성분, 가교제, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제, 및 용제
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 섀도우 마스크의 제조 방법.
  13. 금속판의 양면에 각각 제1 감광막 및 제2 감광막을 형성하는 단계;
    상기 제1 감광막에 상기 금속판에 형성될 제1 개방부를 분할하는 감광막 패턴을 형성하고, 상기 제2 감광막에 상기 제1 개방부에 대응되는 제3 개방부를 형성하는 단계; 및
    상기 제3 개방부를 이용하여, 상기 금속판을 식각하여 제1 개방부를 형성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 섀도우 마스크 제조 방법.
  14. 금속판의 양면에 각각 제1 감광막 및 제2 감광막을 형성하는 단계;
    상기 제2 감광막에 상기 금속판에 형성될 제1 개방부에 대응되는 제3 개방부를 형성하는 단계;
    상기 제3 개방부를 이용하여, 상기 금속판을 식각하여 제1 개방부를 형성하는 단계;
    상기 제3 개방부가 형성된 제2 감광막을 제거하는 단계; 및
    상기 제1 감광막에 상기 제1 개방부를 분할하는 감광막 패턴을 형성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 섀도우 마스크 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 감광막은 광경화 타입의 재료를 이용하여 제조된 것이고, 상기 제2 감광막은 광분해 타입의 재료를 이용하여 제조된 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 섀도우 마스크의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1 감광막은,
    아크릴계 고분자 바인더, 2 이상의 에틸렌계 이중결합을 가지는 가교성 모노머, 광중합 개시제, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제, 및 용제
    를 포함하고,
    상기 제2 감광막은, 고분자 바인더, 광분해 아크릴 성분, 가교제, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제, 및 용제
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막을 포함한 섀도우 마스크의 제조 방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003131379A (ja) 2001-10-22 2003-05-09 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性樹脂組成物、転写材料、画像形成方法、カラーフィルターとその製造方法、フォトマスクとその製造方法
KR20040065935A (ko) * 2003-01-16 2004-07-23 건설화학공업주식회사 고온, 고압 포토에칭용 에칭저항제 조성물
KR20070002553A (ko) * 2005-06-30 2007-01-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자 제조 용 쉐도우 마스크 제조 방법
KR20070058058A (ko) * 2005-12-01 2007-06-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 셰도우 마스크 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003131379A (ja) 2001-10-22 2003-05-09 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性樹脂組成物、転写材料、画像形成方法、カラーフィルターとその製造方法、フォトマスクとその製造方法
KR20040065935A (ko) * 2003-01-16 2004-07-23 건설화학공업주식회사 고온, 고압 포토에칭용 에칭저항제 조성물
KR20070002553A (ko) * 2005-06-30 2007-01-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자 제조 용 쉐도우 마스크 제조 방법
KR20070058058A (ko) * 2005-12-01 2007-06-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 셰도우 마스크 제조방법

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