KR101299701B1 - 웨이퍼 척과 연마/도금 수용부 사이의 정렬 측정 - Google Patents

웨이퍼 척과 연마/도금 수용부 사이의 정렬 측정 Download PDF

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Abstract

반도체 웨이퍼 상에서 금속층을 전해연마 및/또는 전해도금하기 위한 장치는 다수의 구역벽들을 갖는 수용부를 포함한다. 상기 장치는 반도체 웨이퍼를 홀딩하고 상기 반도체 웨이퍼의 표면이 상기 다수의 구역벽들의 상부 부분에 인접하도록 상기 반도체 웨이퍼를 상기 수용부 내에 위치시키도록 구성되는 웨이퍼 척을 포함한다. 상기 장치는 상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽의 중심과 상기 웨이퍼 척의 중심, 즉 반도체 웨이퍼의 중심 사이의 정렬을 측정하도록 구성되는 다수의 제 1 센서들을 또한 포함한다.

Description

웨이퍼 척과 연마/도금 수용부 사이의 정렬 측정{MEASURING ALIGNMENT BETWEEN A WAFER CHUCK AND POLISHING/PLATING RECEPTACLE}
본 출원은 2002년 12월 9일 출원된 미국 가출원 제 60/431,916호의 전해 도금/연마 어셈블리에서의 인-시튜 갭 측정을 기초로 우선권을 주장하고 있으며, 상기 우선권 주장의 기초가 된 출원은 참조로서 본 명세서에 통합된다.
본 발명은 일반적으로 반도체 웨이퍼 상에서 금속층에 대한 전해연마(electropolishing) 및/또는 전해도금(electroplating)에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 웨이퍼 척과 연마/도금 수용부(receptacle) 사이의 정렬 측정에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 디바이스는 웨이퍼 또는 슬라이스라고 지칭되는 반도체 재료의 디스크 상에 제조된다. 보다 구체적으로는, 웨이퍼는 최초 실리콘 잉곳(ingot)으로부터 슬라이싱된다. 그 후, 웨이퍼에 다중 마스킹, 에칭 및 증착 공정이 가해져서 반도체 디바이스의 전자 회로가 형성된다.
예를 들어, 웨이퍼 상의 도전막을 전해도금하는 것이 1999년 1월 15일에 출원된 미국 특허 제 6,391,166 B1호의 "도금 장치 및 방법"에 개시되어 있으며, 상기 미국 특허는 전체적으로 본 명세서에 참조로 통합된다. 웨이퍼 상의 금속층을 전해연마하는 것은 1999년 7월 2일 출원된 미국 특허 제 6,395,152호의 "반도체 디바이스 상의 금속 상호접속부를 전해연마하는 방법 및 장치" 및 2000년 2월 4일 출원된 미국 특허 제 6,440,295호의 "반도체 디바이스 상에서 금속을 전해연마하는 방법"에서 개시되어 있으며, 상기 미국 특허들은 본 명세서에 참조로서 통합된다. 기판을 홀딩하기 위한 척은 1999년 9월 7일 출원된 미국 특허 제6,248,222호의 "반도체 소재(workpiece)를 전해연마 및/또는 전해도금하는 동안 그 반도체 소재를 홀딩하고 위치설정하는 방법 및 장치"에 개시되어 있으며, 상기 미국 특허는 본 명세서에 참조로서 통합된다.
예시적인 실시예에서, 반도체 웨이퍼 상에서 금속층을 전해연마 및/또는 전해도금하는 장치는 다수의 구역벽(section wall)을 갖는 수용부(receptacle)를 포함한다. 상기 장치는 반도체 웨이퍼를 홀딩하고 상기 반도체 웨이퍼의 표면이 다수의 구역벽들의 상부 부분에 인접하도록 수용부 내에 상기 반도체 웨이퍼를 배치하도록 구성되는 웨이퍼 척을 포함한다. 상기 장치는 다수의 구역벽들 중 하나의 중심과 웨이퍼 척의 중심, 즉 반도체 웨이퍼의 중심 사이의 정렬을 측정하도록 구성되는 다수의 제 1 센서를 포함한다.
본 출원은 첨부 도면과 관련되어 제공되는 이하의 설명을 참조하여 용이하게 이해될 수 있을 것이며, 상기 첨부 도면에서 유사한 구성 요소는 유사한 번호로 지칭될 수 있다.
도 1A는 예시적인 연마/도금 수용부의 평면도이며;
도 1B는 도 1A에 도시된 예시적인 연마/도금 수용부에 대한 라인 1B-1B에 따른 측면도이며;
도 2A는 또 다른 예시적인 연마/도금 수용부에 대한 평면도이며;
도 2B는 도 2A에 도시된 예시적인 연마/도금 수용부에 대한 라인 2B-21B에 따른 측면도이다.
이하의 상세한 설명에서는 다수의 특정 구성, 변수 등이 설명된다. 그러나 이러한 설명이 본 발명의 발명 범위를 제한하기 위한 것이 아니며 예시적인 실시예들에 대한 설명을 위한 것임이 인식되어야 할 것이다.
도 1A에는 예시적인 연마/도금 수용부(102)가 도시된다. 이 예시적인 실시예에서, 수용부(102)는 구역벽들(120, 122, 124, 126 및 128)에 의하여 6개의 구역들(108, 110, 112, 114, 116 및 118)로 분할되는 것으로 도시된다. 그러나 수용부(102)가 임의의 적절한 개수의 구역벽들에 의하여 임의의 개수의 구역들로 분할될 수 있음이 인식되어야 할 것이다.
도 1B에서 도시된 바와 같이, 본 예시적인 실시예에서, 웨이퍼 척(104)은 수용부(102) 내에서 웨이퍼(106)를 홀딩하고 배치한다. 보다 구체적으로, 웨이퍼(106)는 약 0.5 밀리미터 내지 약 10 밀리미터, 바람직하게는 5 밀리미터의 갭을 형성하도록 구역벽들(120, 122, 124, 126 및 128)의 상부 상에 배치된다. 상기 갭은 웨이퍼(106)의 하부 표면과 구역벽들(120, 122, 124, 126 및 128)의 상부 사이에서의 전해질의 흐름을 용이하게 한다. 도 1B에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 척 (104)은 수용부(102)내에서 웨이퍼(106)를 회전시킬 수 있다.
균일한 전해질 흐름 패턴을 성취하고 웨이퍼(106) 상에 도금되는 금속막의 양호한 균일성을 구현하기 위해서는 척(104)의 중심, 즉 웨이퍼(106)의 중심을 구역벽들(120, 122, 124, 126 및 128)들의 중심에 매칭/정렬시키는 것이 바람직하며/불가결하다. 보다 구체적으로, 본 예시적인 실시예에서, 웨이퍼(106)와 구역벽들(120, 122, 124, 126 및 128)은 원통 형상이다. 중심이 일치하도록 구역벽들(120, 122, 124, 126 및 128)과 웨이퍼(106)의 중심을 정렬함으로써 웨이퍼(106) 상에 도금되는 금속막 또는 웨이퍼(106)로부터 연마되는 금속막의 균일성이 증가된다. 상기 중심들은 바람직하게는 0.001mm 내지 1mm 범위, 바람직하게는 0.01mm 미만의 공차(tolerance) 내에서 매칭되고/정렬된다.
본 예시적인 실시예에서, 중심들이 매칭되는 것을 확실히 보장하기 위하여, 정렬을 측정하기 위해 센서들(130 및 132)이 구역벽(120) 및 척(104) 상에 각각 배치된다. 도 1A를 참조하면, 센서들(130)이 수용부(102) 내에 있는 구역벽(120) 주위 둘레에 배치된다. 도 1B를 참조하면, 센서(132)는 척(104) 주위 둘레에 배치된다. 도 1B에 도시된 바와 같이, 센서들(130, 132)은 함께 쌍을 이룬다. 센서들(130, 132)의 각각의 쌍은 구역벽(120)과 척(104) 사이의 갭을 측정한다. 센서(130, 132) 쌍에 의하여 측정된 갭들이 균등하면, 척(104)의 중심, 즉 웨이퍼(106)의 중심은 구역벽(120)의 중심과 동심으로 정렬된다. 상기 설명된 바와 같이, 구역벽들(120, 122, 124, 126 및 128)과 웨이퍼(106)의 중심은 0.001mm 내지 1mm 범위 내에서, 바람직하게는 0.01mm 미만의 공차로 정렬된다.
구역벽(120)과 척(104)의 중심은 수용부(102)에서 처리되는 각각의 웨이퍼(106)에 대하여 정렬될 수 있다. 대안적으로, 한 세트의 웨이퍼(106)들이 수용부(102)에서 처리된 후에 구역벽(120)과 척(104)의 중심이 정렬될 수 있다. 또한, 구역벽(120)과 척(104)의 중심의 정렬은 웨이퍼(106)를 처리하기 전과 그 후에 측정될 수 있다.
본 예시적인 실시예는 각각 구역벽(120)의 상부 및 척(104) 주위를 따라 균등하게 분포된 4개의 센서들(130, 132)을 갖는 것으로 도시된다. 그러나 2개의 센서와 같은 임의의 개수의 센서가 구역벽(120)과 척(104)의 주위 둘레에 사용될 수 있음이 인식되어야 할 것이다. 또한, 센서(130)가 수용부(102)내의 여러 위치에 배치될 수 있음이 인식되어야 할 것이다.
예를 들어, 도 2A 및 2B를 참조하면, 다른 예시적인 실시예에서, 센서(130)가 주변벽(perimeter wall)(138)에 배치된다. 또한, 센서(132)가 척(104)의 내부 표면이 아닌 척(104)의 외부 표면에 배치된다. 따라서, 센서들(130, 132)의 각각의 쌍은 주변벽(138) 및 척(104) 사이의 갭을 측정한다. 그러나 도 2B에 도시된 바와 같이, 본 예시적인 실시예에서 주변벽(138)은 원통형이며 구역벽들(120, 122, 124, 126 및 128)과 동심이다. 따라서, 특정 공차 내에서 센서(130, 132) 쌍에 의하여 측정되는 갭이 균일한 경우에는, 척(104)의 중심, 즉 웨이퍼(106)의 중심이 주변벽(138)의 중심, 즉 구역벽들(120, 122, 124, 126 및 128)의 중심에 대해 정렬된다. 센서(130)를 주변벽(138)에 배치하고 센서(132)를 척(104)의 외부 표면에 배치하는 것은 전해연마/전해도금 공정 중 웨이퍼(106)에 인가되는 전해질로부터 센서들(130, 132)을 차폐한다는 장점이 있다.
도 1B를 참조하면, 센서들(130, 132)은 갭 측정을 위해 광 반사도(optical reflectivity)를 사용하는 광 센서일 수 있으며, 또는 마그네틱 센서, 또는 커패시턴스형 센서, 또는 초음파 센서일 수 있다. 바람직하게는 센서들(130, 132)은 전해질에 의하여 화학적으로 부식되는 것을 방지하도록 표면상에 내부식성 재료를 코팅함으로써 커버되거나 또는 차폐된다.
유사하게, 웨이퍼(106)와 구역벽들(120, 122, 124, 126 및 128)의 상부 사이의 갭을 측정하기 위하여, 센서들(134 및 136)이 각각 척(104) 및 수용부(102)의 저부 내에 배치된다. 도 1B에 도시된 바와 같이, 센서들(134, 136)이 함께 쌍을 이룬다. 센서들(134, 136)의 각각의 쌍은 척(104)과 수용부(102) 저부 사이의 갭을 측정하는데, 이는 구역벽들(120, 122, 124, 126 및 128)의 상부와 웨이퍼(106) 사이의 갭을 측정하는데 사용될 수 있다. 센서(134)가 주변벽(138) 내부와 같은 수용부(102) 내의 여러 위치에 배치될 수 있음을 인식해야 할 것이다. 센서들(134, 136)은 갭을 측정하기 위해 광 반사도를 이용하는 광 센서, 또는 마그네틱 센서, 또는 커패시턴스형 센서, 또는 초음파 센서일 수 있다. 바람직하게는, 센서들(134, 136)은 전해질에 의한 화학적 부식을 방지하기 위하여 내부식성 재료로 코팅함으로써 커버되거나 또는 차폐된다.
웨이퍼(106)와 구역벽들(120, 122, 124, 126 및 128)의 상부 사이의 갭은 수용부(102) 내에서 처리되는 각각의 웨이퍼(106)에 대하여 측정될 수 있다. 또는, 갭은 한 세트의 웨이퍼(106)들이 수용부(102) 내에서 처리된 후에 측정될 수 있다. 또한, 갭은 웨이퍼(106)를 처리하기 전과 그 후에 측정될 수 있다.
이제, 도 2A 및 2B를 참조하여, 연마/도금 수용부(102)에 대한 또 하나의 예시적인 실시예가 도시된다. 도 1A 및 1B에서 도시된 예시적인 실시예와는 달리, 본 예시적인 실시예에서는, 센서(130)가 주변벽(138) 내에 내장되어 수용부(102)내에 배치되며, 센서(132)는 척(104)에 내장되어 척(104) 내에 배치된다. 상기 언급된 바와 같이, (도 1A 및 1B에 도시된 바와 같이) 센서(130)가 구역벽(120) 내부와 같은 수용부(102)내의 여러 위치에 배치될 수 있다. 상기 언급된 바와 같이, 임의의 개수의 센서(130)들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 센서(130)는 주변벽(138)의 상부에 형성된 센서 링(sensor ring)일 수 있다.
예시적인 실시예들이 설명되었지만, 본 발명의 발명 사상 및/또는 발명 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 수정이 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명은 도면에 도시되고 상기 설명된 특정 형태에 제한되지 않는 것을 해석되어야 할 것이다.

Claims (33)

  1. 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마(electropolishing) 및 전해도금(electroplating) 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치로서,
    동심인(concentric) 다수의 구역벽들을 갖는 수용부(receptacle) ;
    상기 반도체 웨이퍼를 홀딩하며 상기 반도체 웨이퍼의 표면이 상기 다수의 구역벽들의 상부 부분들에 인접하도록 상기 수용부 내에 상기 반도체 웨이퍼를 위치시키도록 구성되는 웨이퍼 척; 및
    상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽의 중심과 상기 웨이퍼 척의 중심이 동심으로 정렬되도록 상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽의 원주(circumference) 둘레에 배치되는 다수의 제 1 센서들
    을 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 구역벽들 중 상기 하나의 구역벽의 중심은 0.001mm 내지 1mm 범위의 공차(tolerance)내에서 상기 반도체 웨이퍼의 중심과 정렬되는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 공차는 0.01mm 미만인, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 다수의 구역벽들은 원통형이며 동심인, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 제 1 센서들은 제 1 센서 쌍을 포함하며,
    상기 제 1 센서 쌍은 상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽 상에 배치되는 구역벽 센서, 및 상기 웨이퍼 척의 원주(circumference)에 배치되는 웨이퍼 척 센서를 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 구역벽 센서는 상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽에 내장되는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 제 1 센서들은 제 1 센서 쌍을 포함하며,
    상기 제 1 센서 쌍은 상기 수용부의 주변벽(perimeter wall)에 배치되는 주변벽 센서, 및 상기 웨이퍼 척의 원주에 배치되는 웨이퍼 척 센서를 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 주변벽 센서는 상기 주변벽에 내장되는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 주변벽 센서는 상기 주변벽의 상부 부분상에 형성되는 센서링(sensor ring)인, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 척 센서는 상기 웨이퍼 척에 내장되는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 제 1 센서들은,
    상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽과 상기 웨이퍼 척 사이의 갭에 대한 제 1 측정치를 제공하도록 구성되는 제 1 센서 쌍; 및
    상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽과 상기 웨이퍼 척 사이의 갭에 대한 제 2 측정치를 제공하도록 구성되는 제 2 센서 쌍
    을 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 제 1 센서들은,
    상기 웨이퍼 척과 상기 수용부의 주변벽 사이의 갭에 대한 제 1 측정치를 제공하도록 구성되는 제 1 센서 쌍; 및
    상기 웨이퍼 척과 상기 수용부의 상기 주변벽 사이의 갭에 대한 제 2 측정치를 제공하도록 구성되는 제 2 센서 쌍
    을 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 제 1 센서들은,
    상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽의 상부 부분의 원주에 균등하게 분포되는 4개의 센서들; 및
    상기 웨이퍼 척의 원주에 균등하게 분포되는 4개의 센서들
    을 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 제 1 센서들은 광 반사도 센서들, 마그네틱 센서들, 커패시턴스 센서들, 또는 초음파 센서들을 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 반도체 웨이퍼와 상기 다수의 구역벽들의 상기 상부 부분 사이의 갭을 측정하도록 구성되는 다수의 제 2 센서들을 더 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼와 상기 다수의 구역벽들의 상기 상부 부분 사이의 갭은 0.5 밀리미터 내지 10 밀리미터 범위인, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 갭은 5 밀리미터인, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 다수의 제 2 센서들은,
    상기 수용부의 저부(bottom) 내에 배치되는 수용부 센서; 및
    상기 웨이퍼 척 상에 배치되는 웨이퍼 척 센서
    를 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 다수의 제 2 센서들은 광 반사도 센서들, 마그네틱 센서들, 커패시턴스 센서들, 또는 초음파 센서들을 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  20. 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치로서,
    중심을 갖는 다수의 동심 구역(concentric section)들로 분할되는 수용부;
    상기 반도체 웨이퍼를 홀딩하고 상기 수용부 내에 상기 반도체 웨이퍼를 배치하도록 구성되는 웨이퍼 척; 및
    상기 동심 구역들의 중심과 상기 반도체 웨이퍼의 중심이 동심으로 정렬되도록 상기 다수의 동심 구역들 중 하나의 동심 구역의 원주(circumference) 둘레에 배치되는 다수의 제 1 센서들
    을 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 동심 구역들은 원통형이며 동심인 다수의 구역벽들로 형성되며, 전해연마 또는 전해도금될 상기 반도체 웨이퍼의 표면은 상기 다수의 구역벽들의 상부 부분들에 인접하게 위치되는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 다수의 제 1 센서들은 제 1 센서 쌍을 포함하며,
    상기 제 1 센서 쌍은 상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽 상에 배치되는 구역벽 센서, 및 상기 웨이퍼 척의 원주에 배치되는 웨이퍼 척 센서를 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 다수의 제 1 센서들은,
    상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽과 상기 웨이퍼 척 사이의 갭에 대한 제 1 측정치를 제공하도록 구성되는 제 1 센서 쌍; 및
    상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽과 상기 웨이퍼 척 사이의 갭에 대한 제 2 측정치를 제공하도록 구성되는 제 2 센서 쌍
    을 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  24. 제 21 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 다수의 구역벽들의 상기 상부 부분들과 상기 반도체 웨이퍼 사이의 갭을 측정하도록 구성되는 다수의 제 2 센서들을 더 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 다수의 제 2 센서들은,
    상기 수용부의 저부 내에 배치되는 수용부 센서; 및
    상기 웨이퍼 척 상에 배치되는 웨이퍼 척 센서
    를 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  26. 제 20 항에 있어서,
    상기 다수의 제 1 센서들은 제 1 센서 쌍을 포함하며,
    상기 제 1 센서 쌍은 상기 수용부의 주변벽 상에 배치되는 수용부 센서, 및 상기 웨이퍼 척의 원주에 배치되는 웨이퍼 척 센서를 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  27. 제 20 항에 있어서,
    상기 다수의 제 1 센서들은,
    상기 수용부의 주변벽과 상기 웨이퍼 척 사이의 갭에 대한 제 1 측정치를 제공하도록 구성되는 제 1 센서 쌍; 및
    상기 수용부의 주변벽과 상기 웨이퍼 척 사이의 갭에 대한 제 2 측정치를 제공하도록 구성되는 제 2 센서 쌍
    을 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 장치.
  28. 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 방법으로서,
    동심인(concentric) 다수의 구역벽들을 갖는 수용부 내에서 반도체 웨이퍼를 홀딩하는 웨이퍼 척을 배치하는 단계 ― 전해연마 또는 전해도금될 상기 반도체 웨이퍼의 표면은 상기 다수의 구역벽들의 상부 부분들에 인접하도록 배치됨 ―;
    다수의 제 1 센서들을 사용하여 상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽의 중심과 상기 웨이퍼 척의 중심 사이의 정렬을 측정하는 단계 ―상기 다수의 제 1 센서들은 상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽의 원주 둘레에 배치됨―
    를 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 방법.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 다수의 제 1 센서들은 제 1 센서 쌍 및 제 2 센서 쌍을 포함하며,
    상기 정렬을 측정하는 단계는,
    상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽과 상기 웨이퍼 척 사이의 제 1 갭을 상기 제 1 센서 쌍을 사용하여 측정하는 단계;
    상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽과 상기 웨이퍼 척 사이의 제 2 갭을 상기 제 2 센서 쌍을 사용하여 측정하는 단계; 및
    상기 제 1 갭 및 상기 제 2 갭에 대한 측정치를 기초로 상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽과 상기 웨이퍼 척 사이의 정렬을 결정하는 단계
    를 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 방법.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 제 1 센서 쌍은,
    상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽 상에 배치되는 구역벽 센서; 및
    상기 웨이퍼 척의 원주에 배치되는 웨이퍼 척 센서
    를 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 방법.
  31. 제 28 항에 있어서,
    상기 다수의 제 1 센서들은 제 1 센서 쌍 및 제 2 센서 쌍을 포함하며,
    상기 정렬을 측정하는 단계는,
    상기 제 1 센서 쌍을 사용하여 상기 수용부의 주변벽과 상기 웨이퍼 척 사이의 제 1 갭을 측정하는 단계;
    상기 제 2 센서 쌍을 사용하여 상기 주변벽과 상기 웨이퍼 척 사이의 제 2 갭을 측정하는 단계; 및
    상기 제 1 갭 및 상기 제 2 갭에 대한 측정치를 기초로 상기 웨이퍼 척과 상기 주변벽 간의 정렬을 결정하는 단계
    를 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 방법.
  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 제 1 센서 쌍은,
    상기 주변벽 상에 배치되는 주변벽 센서; 및
    상기 웨이퍼 척의 원주에 배치되는 웨이퍼 척 센서
    를 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 방법.
  33. 제 28 항에 있어서,
    상기 방법은 다수의 제 2 센서들을 사용하여 상기 다수의 구역벽들의 상부 부분과 상기 반도체 웨이퍼의 표면 사이의 갭을 측정하는 단계를 더 포함하는, 반도체 웨이퍼 상의 금속층들에 대해 전해연마 및 전해도금 중 하나 또는 둘다를 수행하기 위한 방법.
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