KR101296432B1 - 넓은 시야각을 갖는 발광 다이오드와 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
발광 다이오드는 기판, 복수의 기둥 구조체, 충전 구조체, 투명한 도전층, 제 1 전극, 및 제 2 전극을 포함한다. 이들 기둥 구조체는 기판상에 형성된다. 각각의 기둥 구조체는 제 1 타입의 반도체 층, 활성층, 및 제 2 타입의 반도체 층을 포함한다. 제 1 타입의 반도체 층은 기판상에 형성된다. 기둥 구조체는 제 1 타입의 반도체 층을 통해 서로 전기적으로 접속된다. 충전 구조체는 기둥 구조체 사이에 형성된다. 충전 구조체와 기둥 구조체의 제 2 타입의 반도체 층은 투명한 도전층으로 커버된다. 제 1 전극은 투명한 도전층과 접속 상태이다. 제 2 전극은 제 1 타입의 반도체 층과 접속 상태이다.
Description
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 넓은 시야각을 갖는 발광 다이오드에 관한 것이다. 본 발명은 이러한 발광 다이오드의 제조 방법에 관한 것이다.
갈륨 질화물-타입 발광 다이오드(예를 들면, GaN, AlGaN, InGaN 또는 AlInGaN 발광 다이오드)에 있어서, 반도체와 공기 사이의 경계면에서의 굴절률 차이는 모든 반사 현상을 초래할 수 있다. 모든 반사 현상에 의해, 발광 다이오드의 시야각이 제한된다. 결론적으로, 연구원은 발광 다이오드의 시야각을 증대시키는 방법을 향상시키고자 노력하였다.
예를 들면, 넓은 시야각을 갖는 발광 다이오드 패키지는 "Light emitting diode package with large viewing angle"를 발명의 명칭으로 하는 미국특허문헌 공개번호 제20090085053호에 개시되어 있다. 상기 특허문헌에 있어서, 패키지 기술은 발광 다이오드 패키지의 시야각을 넓히도록 개량되었다. 도 1은 미국특허문헌 공개번호 제20090085053호에 개시된 종래의 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 패키지는 기판(30), LED 칩(32), 투명한 하우징 몸체(33), 인광체 매트릭스(34, phosphor matrix), 및 외측 반사기(36)를 포함한다.
기판(30)은 상부면(38)과 하부면(40)을 갖는다. 더욱이, 제 1 전극(42)과 제 2 전극(44)이 기판(30) 상에 배치된다. LED 칩(32)은 기판(30)의 상부면(38)에 장착된다. 더욱이, LED 칩(32)은 양극(321)과 음극(322)을 갖는다. LED 칩(32)의 양극(321)은 와이어(46)를 통해 기판(30)의 제 1 전극(42)과 연결되고, LED 칩(32)의 음극(322)은 와이어(46)에 의해 기판(30)의 제 2 전극(44)과 연결된다.
투명한 하우징 몸체(33)는 기판(30)의 상부면(38) 상에 배치되고, 공동(39)을 구비한다. LED 칩(32)은 공동(39) 내에 배치된다. 더욱이, 인광체 매트릭스(34)는 공동(39)에 삽입된다. 결론적으로, LED 칩(32)에 의해 발광된 광은 인광체 매트릭스(34)를 통해 전달되고 흰색 광으로 변환될 수 있다. 흰색 광은 투명한 하우징 몸체(33)의 측면을 통해 전달될 수 있다. 투명한 하우징 몸체(33)의 측면을 통해 전달된 광은 외측 반사기(36)에 의해 반사되어, LED 칩(32)으로부터의 광의 강도가 강화된다.
상기 문헌에 기재된 바와 같이, 종래의 발광 다이오드 패키지의 시야각은 120도로부터 대략 140도까지 증가된다.
더욱이, 발광 다이오드의 측벽의 경사면에 의해 측면 광 추출을 증대시키는 방법이 예를 들면, "LED having angled sides for increased side light extraction"를 발명의 명칭으로 하는 미국특허문헌 제6,570,190호에 개시되어 있다. 도 2는 미국특허문헌 제6,570,190호에 개시된 다른 하나의 종래의 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이, LED는 p-타입 및 n-타입 도프된 에피택시얼(epitaxial) 층(10)을 포함한다. p-타입 층과 n-타입 층(10)이 배치되어 p-n 접합 구역(11)(또한 활성층이라 함)을 제공한다. 투명한 기판(12)과 윈도우 층(13)은 p-타입 및 n-타입 도프된 에피택시얼 층(10)의 양측면에 각각 위치된다. 상부 전기 저항 접속부(14)와 하부 전기 저항 접속부(15)는 윈도우 층(13) 및 투명한 기판(12)의 표면에 각각 부착된다. 상부면(17)의 영역은 활성층(11)의 영역보다 더 크다. 더욱이, LED의 측벽(16)이 수직 방향에 대해 각도(β)져 정위된다.
더욱이, 종래의 LED의 측벽(16)이 경사면을 갖기 때문에, 측방향으로-전달된 광 빔(18 및 19)이 다중 반사 단계로 처리될 수 있다. 반사된 광 빔은 LED의 상부면(17)을 향하거나, 또는 상기 LED의 상부면(17)에 의해 반사되고 측벽을 통과해 나간다.
더욱이, 넓은 시야각을 갖는 발광 다이오드를 형성하기 위한 사파이어 기판이 "Enhancement in emission angle of the blue LED chip fabricated on lens patterned sapphire(0 0 0 1)"를 명칭으로 하는 Solid-State Electronics 54 (2010) 509-515에 개시되어 있다. 상기 문헌에 있어서, 특정 패턴을 갖는 사파이어 기판이 넓은 시야각을 갖는 발광 다이오드를 형성하도록 사용된다.
갈륨 질화물-타입 발광 다이오드에 있어서, 반도체와 공기 사이의 경계면에서의 굴절률 차이는 모든 반사 현상을 초래하므로, 모든 반사 현상에 의해, 발광 다이오드의 시야각이 제한된다는 문제점이 있다.
본 발명은 넓은 시야각을 갖는 발광 다이오드를 제공한다. 기둥 구조체에 의해, 활성층으로부터의 광이 기둥 구조체에 집중될 수 있다. 더욱이, 서브파장(subwavelength) 표면 구조체를 구비한 투명한 도전층에 의해, 상기 투명한 도전층을 나온 광이 넓은 시야각을 갖는다.
본 발명의 제 1 실시예는 발광 다이오드에 관한 것이다. 발광 다이오드는 기판, 복수의 기둥 구조체, 충전 구조체, 투명한 도전층, 제 1 전극, 및 제 2 전극을 포함한다. 이들 기둥 구조체는 기판상에 형성된다. 각각의 기둥 구조체는 제 1 타입의 반도체 층, 활성층, 및 제 2 타입의 반도체 층을 포함한다. 제 1 타입의 반도체 층은 기판상에 형성된다. 기둥 구조체는 제 1 타입의 반도체 층을 통해 서로 전기적으로 접속된다. 충전 구조체는 기둥 구조체 사이에 형성된다. 충전 구조체와 기둥 구조체의 제 2 타입의 반도체 층이 투명한 도전층으로 커버된다. 제 1 전극은 투명한 도전층과 접속된 상태이다. 제 2 전극은 제 1 타입의 반도체 층과 접속된 상태이다.
본 발명의 제 2 실시예는 발광 다이오드의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 발광 다이오드 제조 방법은 아래 기재된 바와 같은 단계를 포함한다. 첫째, 기판이 제공된다. 이후, 제 1 타입의 반도체 층, 활성층, 그리고 제 2 타입의 반도체 층이 순차로 기판상에 형성된다. 이후, 포토리소그라피(photolithography) 및 에칭 공정이 복수의 기둥 구조체를 기판상에 형성하도록 행해진다. 각각의 기둥 구조체는 제 1 타입의 반도체 층, 활성층, 그리고 제 2 타입의 반도체 층을 포함한다. 기둥 구조체는 제 1 타입의 반도체 층을 통해 서로 전기 접속된다. 이후, 충전 구조체가 기둥 구조체 사이에 형성된다. 이후, 투명한 도전층이 충전 구조체와 기둥 구조체의 제 2 타입의 반도체 층을 커버하도록 형성된다. 나중에, 제 1 전극이 투명한 도전층 상에 형성되고, 제 2 전극이 제 1 타입의 반도체 층 상에 형성된다.
본 발명의 다수의 목적, 특징 및 장점은 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 아래 기재된 상세한 설명을 살펴본다면 보다 용이하게 파악될 수 있을 것이다. 그러나, 본 명세서에 사용된 도면은 단지 설명을 위한 것으로서 도면에 도시된 사항으로 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 상기 기재한 목적 및 장점은 당업자가 첨부한 도면과 아래 상세한 설명을 살펴본다면 보다 용이하게 파악될 수 있을 것이다.
도 1(종래 기술)은 종래의 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 도시한 도면이고;
도 2(종래 기술)는 다른 한 종래의 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 도시한 도면이고;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 넓은 시야각을 갖는 발광 다이오드를 개략적으로 도시한 도면이고;
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 일 실시예에 따른 넓은 시야각을 갖는 발광 다이오드의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 도면이고; 및
도 5는 종래의 발광 다이오드와 본 발광 다이오드의 비교를 나타낸 LED 방사 도면이다.
도 2(종래 기술)는 다른 한 종래의 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 도시한 도면이고;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 넓은 시야각을 갖는 발광 다이오드를 개략적으로 도시한 도면이고;
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 일 실시예에 따른 넓은 시야각을 갖는 발광 다이오드의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 도면이고; 및
도 5는 종래의 발광 다이오드와 본 발광 다이오드의 비교를 나타낸 LED 방사 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 넓은 시야각을 갖는 발광 다이오드를 개략적으로 도시한 도면이다. 발광 다이오드는 LED 칩이다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같은 발광 다이오드는 패키지되지 않는다. 일례의 LED 칩은 갈륨 질화물-타입 LED 칩을 포함하지만, 이 LED 칩으로만 한정되는 것은 아니다.
도 3에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드는 기판(100) 및 복수의 기둥 구조체를 포함한다. 기둥 구조체는 기판(100) 상에 형성된다. 각각의 기둥 구조체는 N-타입 층(102), 활성층(104), 및 P-타입 층(106)을 포함한다. N-타입 층(102)은 기판(100) 상에 형성된다. 더욱이, 이들 기둥 구조체의 N-타입 층(102)은 서로 전기적으로 접속된다.
더욱이, 패시베이션(passivation) 층(108)은 N-타입 층(102)의 표면과 이들 기둥 구조체의 측벽에 형성된다. 전기 절연층(110)이 패시베이션 층(108)의 측벽 사이의 구역에 충전된다. 이와 같은 실시예에 있어서, 패시베이션 층(108)과 전기 절연층(110)은 충전 구조체로 집중적으로 형성될 수 있다. 더욱이, 패시베이션 층(108), 전기 절연층(110)(또는 충전 구조체) 및 기둥 구조체의 P-타입 층(106)은 서브파장 표면 구조체를 구비한 투명한 도전층(112)으로 커버된다. 제 1 전극(114)은 투명한 도전층(112)의 서브파장 표면 구조체와 접촉상태이다. 제 2 전극(116)은 N-타입 층(102)과 접속상태이다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 일 실시예에 따른 넓은 시야각을 갖는 발광 다이오드 제조 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, N-타입 층(102), 활성층(104) 및 P-타입 층(106)이 기판(100)상에 형성된다. N-타입 층(102), 활성층(104) 및 P-타입 층(106)은 소위 p-i-n 구조체이다.
이후, 도 4b에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 및 에칭 공정이 복수의 기둥 구조체를 기판(100) 상에 형성하도록 행해진다. 이들 기둥 구조체는 원통형 형상, 삼각형 프리즘 형상, 입방형 형상, 육각형 프리즘 형상, 또는 다각형 프리즘 형상과 같은 다양한 형상을 가질 수 있다. 더욱이, 각각의 기둥 구조체는 p-i-n 구조체를 갖는다. 이들 기둥 구조체의 하부는 N-타입 층(102)을 통해 서로 전기 접속된다. 이와 같은 실시예에 있어서, 기둥 구조체의 폭(D)의 범위는 λ/2 내지 20㎛(즉 λ/2<D≤20㎛)이고, 기둥 구조체의 높이(H)의 범위는 0 내지 10mm(즉 0<H≤10㎛)이며, 여기서 λ은 발광 다이오드로부터 발광된 광의 파장이다.
이후, 도 4c에 도시된 바와 같이, 패시베이션 층(108)은, 포토-강화식 습윤(photo-enhanced wet) 산화 공정이나, 고온 산화 공정이나, 원자층 증착 공정이나 또는 화학 증착 공정에 의해, N-타입 층(102)의 표면과 이들 기둥 구조체의 측벽에 형성된다. 이와 같은 실시예에 있어서, 패시베이션 층(108)은 (AlxInyGaz)2-δO3의 화학식을 갖는 제 1 유전체 재료로 만들어지며, 이 식에서 x+y+z=1 그리고 0≤δ<1이다.
이후, 도 4d에 도시된 바와 같이, 제 2 유전체 재료는 전기 절연층(110)으로 사용될 패시베이션 층(108)의 측벽 사이의 구역에 충전된다. 제 2 유전체 재료는 예를 들면 이산화규소(SiO2), 하프늄 산화물(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 실리콘 질화물(Si3N4) 또는 탄탈륨 펜트옥사이드(Ta2O5)이다. 패시베이션 층(108)과 전기 절연층(110)은 충전 구조체로 집중적으로 형성될 수 있다.
이후, 도 4e에 도시된 바와 같이, 패시베이션 층(108), 전기 절연층(110) 및 기둥 구조체의 P-타입 층(106)은 투명한 도전층(111)으로 사용되는 제 3 유전체 재료로 커버된다. 예를 들면, 제 3 유전체 재료는 ITO(indium tin oxide), 인듐 트리옥사이드(In2O3), 산화 주석(Sn2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 NiOx이고, 여기서 0<x≤1이다. 투명한 도전층(111)의 굴절률(n)의 범위는 1 내지 2(즉, 1<n<2)이다.
이후, 도 4f에 도시된 바와 같이, 포토리소그라피 및 에칭 공정은 서브파장 표면 구조체를 갖는 투명한 도전층(112)을 형성하기 위해, 투명한 도전층(111)을 부분적으로 제거하도록 행해진다. 이와 같은 실시예에 있어서, 서브파장 표면 구조체의 높이(h)의 범위는 0 내지 2㎛(즉 0<h≤2㎛)이고, 서브파장 표면 구조체의 폭(d)의 범위는 0 내지 500nm(즉 0<d≤500nm)이다.
이후, 도 4g에 도시된 바와 같이, 제 1 전극(114)은 투명한 도전층(112)의 서브파장 표면 구조체와 접촉 상태이고, 제 2 전극(116)은 N-타입 층(102)과 접촉 상태이다.
이와 같은 실시예에 있어서, 기둥 구조체의 총 분포 영역이 기판(100)의 영역보다 대략 20% ~ 30% 만큼 더 크다. 기둥 구조체가 광 섬유의 코어부로 고려될 수 있으며, 패시베이션 층(108)이 광 섬유의 클래딩(cladding) 층으로 여겨질 수 있다. 결론적으로, 활성층(104)으로부터의 광이 기둥 구조체에서 집중된다. 더욱이, 투명한 도전층(112)의 서브파장 표면 구조체의 회절 및 산란에 의해, 발광 다이오드는 넓어진 시야각을 갖는다. 더욱이, 전기 절연층(110)은 발광 다이오드의 누설 전류를 10-9A로 감소시키는데 효과적이다.
도 5는 종래의 발광 다이오드와 본 발광 다이오드 사이를 비교를 나타낸 LED 방사 도면이다. 이와 같은 실시예에 있어서, 발광 다이오드는 InGaN 발광 다이오드이다. 곡선(I)은 종래의 평면의 LED의 방사 분포를 의미한다. 곡선(II)은 본 LED의 방사 분포를 의미하며, 상기 LED의 기둥 구조체는 폭(D=1㎛)을 갖는다. 곡선(III)은 본 LED의 방사 분포를 의미하며, 상기 LED의 기둥 구조체는 폭(D=2㎛)을 갖는다. 이와 같은 실시예에 있어서, 본 LED의 가장 큰 시야각은 160도 보다 더 클 수 있다.
상기 기재한 바와 같이, 본 발명은 넓은 시야각을 갖는 발광 다이오드와 상기 발광 다이오드의 제조 방법에 관한 것이다. 기둥 구조체에 의하여, 활성층으로부터의 광이 기둥 구조체에서 집중될 수 있다. 더욱이, 투명한 도전층을 나온 광이 넓은 시야각을 갖는다.
상기 실시예에 있어서, 투명한 도전층(112)은 서브파장 표면 구조체를 구비한다. 선택적으로, 여러 실시예에 있어서, 서브파장 표면 구조체가 생략될 수 있다. 즉, 도 4f에 도시된 바와 같은 단계가 생략되고, 제 1 전극(114)이 투명한 도전층(111) 상에 직접적으로 형성된다.
더욱이, 제 1 전극(114) 및 제 2 전극(116)의 제조 방법과 패턴은 제 1 전극(114)이 투명한 도전층과 접속한 상태이고 제 2 전극(116)이 N-타입 층(102)과 접속한 상태인 경우에 제한되지 않는다. 선택적으로, N-타입 층(102)과 P-타입 층(106)의 위치가 본 발명의 발광 다이오드를 형성하면서 교체될 수 있다.
본 발명이 비록 가장 실질적이고 바람직한 실시예로 현재 고려되어 기재되어 있지만, 본 발명이 상기 기재된 바와 같은 실시예 만으로 한정되지 않는다는 것을 알 수 있을 것이다. 한편, 첨부된 청구범위의 범주 및 사상 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능하다는 것을 알 수 있을 것이다.
Claims (18)
- 발광 다이오드로서,
기판;
상기 기판상에 형성된 복수의 기둥 구조체;
상기 기둥 구조체 사이에 형성된 충전 구조체;
투명한 도전층;
상기 투명한 도전층과 접촉 상태인 제 1 전극; 및
제 1 타입의 반도체 층과 접촉 상태인 제 2 전극을 포함하고,
상기 복수의 기둥 구조체 중 각각의 기둥 구조체는 제 1 타입의 반도체 층, 활성층, 및 제 2 타입의 반도체 층을 포함하고, 상기 제 1 타입의 반도체 층은 상기 기판상에 형성되고, 상기 기둥 구조체는 상기 제 1 타입의 반도체 층을 통해 서로 전기적으로 접속되며,
상기 충전 구조체 및 상기 기둥 구조체의 상기 제 2 타입의 반도체 층이 상기 투명한 도전층으로 커버되고,
상기 충전 구조체는 상기 제 1 타입의 반도체 층의 표면과 상기 기둥 구조체의 측벽에 형성된 패시베이션 층을 포함하고, 상기 패시베이션 층은 (AlxInyGaz)2-δO3의 화학식을 갖는 제 1 유전체 재료로 만들어지며, 여기서 x+y+z=1 및 0≤δ<1인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 제 1 타입의 반도체 층은 N-타입 층이고, 상기 제 2 타입의 반도체 층은 P-타입 층인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 기둥 구조체의 폭의 범위는 λ/2 내지 20㎛이고, 상기 기둥 구조체의 높이(H)의 범위는 0<H≤10㎛이며, 여기서 λ은 상기 발광 다이오드로부터의 광의 파장인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 충전 구조체는 상기 패시베이션 층의 측벽 사이에 충전된 전기 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. - 삭제
- 청구항 4에 있어서,
상기 전기 절연층은 제 2 유전체 재료로 만들어지고, 상기 제 2 유전체 재료는 이산화규소(SiO2), 하프늄 산화물(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 실리콘 질화물(Si3N4) 또는 탄탈륨 펜트옥사이드(Ta2O5)인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 투명한 도전층은 제 3 유전체 재료로 만들어지고, 상기 제 3 유전체 재료는 ITO(indium tin oxide), 인듐 트리옥사이드(In2O3), 산화 주석(Sn2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 NiOx이며, 여기서 0<x≤1인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 투명한 도전층은 서브파장 표면 구조체를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. - 청구항 8에 있어서,
상기 서브파장 표면 구조체의 높이(h)의 범위는 0<h≤2㎛이고, 상기 서브파장 표면 구조체의 폭(d)의 범위는 0<d≤500nm인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. - 발광 다이오드 제조 방법으로서,
기판을 제공하는 단계;
제 1 타입의 반도체 층, 활성층, 및 제 2 타입의 반도체 층을 상기 기판상에 순차로 형성하는 단계;
복수의 기둥 구조체를 상기 기판상에 형성하기 위해 포토리소그라피 및 에칭 공정을 실행하는 단계;
충전 구조체를 상기 기둥 구조체 사이에 형성하는 단계;
상기 기둥 구조체의 상기 제 2 타입의 반도체 층과 상기 충전 구조체를 커버하도록 투명한 도전층을 형성하는 단계;
제 1 전극을 상기 투명한 도전층 상에 형성하는 단계; 및
제 2 전극을 상기 제 1 타입의 반도체 층 상에 형성하는 단계를 포함하고,
상기 복수의 기둥 구조체 중 각각의 기둥 구조체는 상기 제 1 타입의 반도체 층, 상기 활성층, 및 상기 제 2 타입의 반도체 층을 포함하고, 상기 기둥 구조체는 상기 제 1 타입의 반도체 층을 통해 서로 전기적으로 접속되며,
상기 충전 구조체는 상기 제 1 타입의 반도체 층의 표면과 상기 기둥 구조체의 측벽에 형성된 패시베이션 층을 포함하고, 상기 패시베이션 층은 (AlxInyGaz)2-δO3의 화학식을 갖는 제 1 유전체 재료로 만들어지며, 여기서 x+y+z=1 및 0≤δ<1인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 10에 있어서,
상기 제 1 타입의 반도체 층은 N-타입 층이고, 상기 제 2 타입의 반도체 층은 P-타입 층인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 10에 있어서,
상기 기둥 구조체의 폭의 범위는 λ/2 내지 20㎛이고, 상기 기둥 구조체의 높이(H)의 범위는 0<H≤10㎛이며, 여기서 λ은 상기 발광 다이오드로부터의 광의 파장인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 10에 있어서,
상기 충전 구조체를 상기 기둥 구조체 사이에 형성하는 단계는
상기 제 1 타입의 반도체 층의 표면과 상기 기둥 구조체의 측벽 상에 상기 패시베이션 층을 형성하는 단계; 및
상기 패시베이션 층의 측벽 사이에 전기 절연층을 충전하는 단계와 같은 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 13에 있어서,
상기 패시베이션 층은 포토-강화식 습윤 산화 공정, 고온 산화 공정, 원자층 증착 공정 또는 화학적 증착 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 13에 있어서,
상기 전기 절연층은 제 2 유전체 재료로 만들어지고, 상기 제 2 유전체 재료는 이산화규소(SiO2), 하프늄 산화물(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 실리콘 질화물(Si3N4) 또는 탄탈륨 펜트옥사이드(Ta2O5)인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 10에 있어서,
상기 투명한 도전층은 제 3 유전체 재료로 만들어지고, 상기 제 3 유전체 재료는 ITO(indium tin oxide), 인듐 트리옥사이드(In2O3), 산화 주석(Sn2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 NiOx이며, 여기서 0<x≤1인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 10에 있어서,
상기 투명한 도전층은 서브파장 표면 구조체를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법. - 청구항 17에 있어서,
상기 서브파장 표면 구조체의 높이(h)의 범위는 0<h≤2㎛이고, 상기 서브파장 표면 구조체의 폭(d)의 범위는 0<d≤500nm인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법.
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