TWI467805B - 具寬視角的發光二極體及其製造方法 - Google Patents

具寬視角的發光二極體及其製造方法 Download PDF

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Description

具寬視角的發光二極體及其製造方法
本發明是有關於一種發光二極體及其製造方法，且特別是有關於一種具寬視角的發光二極體及其製造方法。
目前氮鎵類的發光二極體，例如GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN，由於半導體與空氣介面的折射係數差異會造成全反射(total reflection)現象，因此會限制發光二極體的輻射張角，亦即視角(viewing angle)。因此，如何提高發光二極體的視角即為此領域的技術人員所欲解決的問題。
美國專利公開號碼US 2009/0085053，標題為“light emitting diode package with large viewing angle”，揭露一種具有大視角的發光二極體封裝。該揭露內容係利用封裝技術以提昇發光二極體的視角。請參照第1圖，其所繪示為習知發光二極體封裝的示意圖。此發光二極體封裝包括基板(substrate)30、LED晶粒(LED chip)32、透明的殼本體(transparent housing body)33、磷光劑基質(phosphor matrix)34、與外部反射裝置(outer reflector)36。
基板30具有一上表面(upper surface)38與一下表面(lower surface)40，並具有一第一電極42與一第二電極44。而LED晶粒32固定在基板30上表面38，並且具有一正電極321與一負電極322。利用一導線(wire)46分別將正電極321連接至基板30的第一電極42，以及將負電極322連接至基板30的第二電極44。
透明的殼本體33位於基板30的上表面38並且具有一凹洞(cavity)39，而LED晶粒32位在凹洞39裡。再者，磷光劑基質34添加於凹洞39內，因此，LED晶粒32所發出的光可以穿過磷光劑基質34並轉換成為白光，而白光可以穿過透明的殼本體33側面。再者，外部反射裝置36可以反射由透明的殼本體33側面所發射的白光，並提高LED晶粒32的光強度。
由該揭露內容可知，習知的發光二極體封裝其視角可由120度提昇至約140度。
美國專利號碼US 6570190，標題為“LED having angled sides for increased side light extraction”，揭露一種利用LED的斜邊來增加側光的擷取。請參照第2圖，其所繪示為習知發光二極體示意圖。此發光二極體包括P型摻雜(p-type doped)與N摻雜的磊晶層(epitaxial layer)10。此P型摻雜與N摻雜的磊晶層10中可提供PN接面的區域或稱作用層(active layer)11。透明的基板(transparent substrate)12以及透光層(window layer)13位於P型摻雜(p-type doped)與N摻雜的磊晶層(epitaxial layer)10的二側。上下歐姆接觸(ohmic contact)14、15位於透明基板12以及透光層13表面。而上表面17大於作用層11。再者，發光二極體的側邊(sidewall)16與垂直方向的夾角為β。
習知的發光二極體，利用其側壁16的斜邊構造，使得側向傳遞的光束18、19可以經由多次折射而射向發光二極體表面17或者經反射側壁射出。
再者，2010年固態電子期刊第509-515頁(Solid-State Electronics 54(2010) 509-515)，揭露一種製作於透鏡圖樣的藍寶石基板上之增強射出角的藍光二極體晶粒“Enhancement in emission angle of the blue LED chip fabricated on lens patterned sapphire(0001)”。其是利用特殊圖樣的藍寶石基板達成具有寬視角的發光二極體。
本發明的目的係提出一種具寬視角的發光二極體。利用柱狀結構，使得作用層產生的光會被侷限在柱狀結構中，並且經由具有次微米二維曲面結構的透明導電層，使得發光二極體得出射光具備寬視角。
本發明提出一種發光二極體，包括：一基板；複數個柱狀結構，形成於該基板上，每一該柱狀結構中皆包括一第一型半導體層、一作用層、與一第二型半導體層，其中該第一型半導體層係形成於該基板上，且該些柱狀結構係利用該第一型半導體層達成電氣的連接關係；一填充結構形成於該些柱狀結構之間；一透明導電層，覆蓋於該填充結構與該些柱狀結構中該第二型半導體層所形成的一表面上；一第一電極接觸於該透明導電層；以及一第二電極接觸於該第一型半導體層。
再者，本發明提出一種發光二極體的製造方法，包括下列步驟：提供一基板；於該基板上依序形成一第一型半導體層、一作用層、與一第二型半導體層；利用微影蝕刻製程，於該基板上形成複數個柱狀結構，每一該柱狀結構中皆包括該第一型半導體層、該作用層、與該第二型半導體層，其中，該些柱狀結構係利用該第一型半導體層達成電氣的連接關係；形成一填充結構於該些柱狀結構之間；形成一透明導電層，覆蓋於該填充結構與該些柱狀結構中該第二型半導體層所形成的一表面上；形成一第一電極接觸於該透明導電層；以及，形成一第二電極接觸於該第一型半導體層。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
請參照第3圖，其所繪示為本發明具寬視角的發光二極體。此發光二極體係為發光二極體晶粒(LED chip)，也就是說第3圖所示的發光二極體尚未經過封裝製程的處理。再者，本發明的發光二極體晶粒係以氮鎵類的發光二極體為例，但並不以此為限。
本發明的發光二極體包括一基板(substrate)100、複數個柱狀結構位於該基板上。每個柱狀結構皆包括：一N型層102、一作用層(active layer)104、一P型層106。再者，N 型層102係形成於基板100上，且與該些柱狀結構中的N型層102之間係達成電氣的連接關係。
再者，一表面鈍化層(passivation layer)108形成於該些柱狀結構之間的側壁與N 型層102表面，而一電氣隔離層110填充於該些表面鈍化層108的側壁之間。基本上，表面鈍化層108以及電器隔離層110可視為一填充結構(filler structure)。而具有次微米二維曲面結構(subwavelength surface structure)的透明導電層112，覆蓋於表面鈍化層108、電氣隔離層110(填充結構)與柱狀結構中P型層106所形成的表面上。第一電極114接觸於次微米二維曲面結構的透明導電層112，以及第二電極116接觸於N型層102上。
請參照第4A圖至第4G圖，其所繪示為本發明具寬視角的發光二極體的製作方法。如第4A圖所示，基板100上具有一N型層102、一作用層104、與一P型層106。而N型層102、作用層104、與P型層106即所謂的p-i-n結構。
如第4B圖所示，利用微影蝕刻製程，於基板100上形成複數個柱狀結構。該些柱狀結構可為圓形柱狀結構、三角形柱狀結構、方形柱狀結構、六角形柱狀結構、或多邊形柱狀結構。再者，每個柱狀結構皆具有p-i-n結構，且該些柱狀結構的底部係利用N型層102達成電氣的連接關係。根據本發明的實施例，柱狀結構的寬度D介於λ/2~20μm之間，亦即λ/2<D≦20μm；柱狀結構的高度H介於0~2μm之間，亦即0<H≦2μm。其中，λ為發光二極體的光波長。
接著，如第4C圖所示，利用光致氧化製程(photo-enhanced wet oxidation process)、高溫氧化製程、原子層沈積製程(atomic layer deposition process)、或者化學氣相沉積製程(chemical vapor deposition process)，於該些柱狀結構之間的側壁與N 型層102表面形成表面鈍化層108。根據本發明的實施例，表面鈍化層108係為(Alx Iny Gaz )2-δ O3 的一第一介電材質。其中，x+y+z=1，且0δ<1。
接著，如第4D圖所示，利用SiO2 、HfO2 、Al2 O3 、Si3 N4 、或者Ta2 O5 作為第二介電材質填充於上述表面鈍化層108的側壁之間，並且作為電氣隔離層110。因此，完成包括表面鈍化層108以及電器隔離層110所形成的填充結構。
接著，如第4E圖所示，利用ITO、In2 O3 、Sn2 O3 、ZnO、或者NiOx (其中，0<x1)作為第三介電材質，覆蓋於表面鈍化層108、電氣隔離層110與柱狀結構中P型層106所形成的表面上，並且作為透明導電層111。其中，透明導電層111的折射係數n介於1~2之間，亦即1<n<2。
接著，如第4F圖所示，利用微影蝕刻技術於透明導電層上形成次微米二維曲面結構的透明導電層112。其中，次微米二維曲面結構的高度h介於0~1μm之間，亦即0<h≦1μm；寬度d介於0~300nm之間，亦即0<d≦300nm。
最後，如第4G圖所示，形成第一電極114接觸於次微米二維曲面結構的透明導電層112上，以及形成第二電極116接觸於N型層102上。
根據本發明的實施例，柱狀結構分佈的面積大約為基板100面積的20%~30%。柱狀結構可視為光纖(fiber)的核心(core)部份，而表面鈍化層108可視為光纖的包覆層(cladding layer)。因此，作用層104產生的光會被侷限在柱狀結構中，並且經由次微米二維曲面結構的透明導電層112的繞射與散射作用，進而使得發光二極體的出射光具有寬視角。再者，本發明的電氣隔離層110可有效的降低發光二極體的漏電流(leakage current)至10-9 A。
請參照第5圖，其所繪示為本發明發光二極體與習知發光體的輻射分佈圖(LED radiation diagram)。本發明的發光二極體係以InGaN發光二極體為例，曲線I為習知平面型發光二極體(planar LED)的輻射分佈圖；曲線II為本發明柱狀結構寬度D為1μm的輻射分佈圖；曲線III為本發明柱狀結構寬度D為2μm的輻射分佈圖。根據本發明的最佳實施例，本發明具有寬視角的發光二極體的視角最大可超過160度。
本發明的優點在於提出一種具寬視角的發光二極體及其製造方法。利用柱狀結構，使得作用層產生的光會被侷限在柱狀結構中，並且由透明導電層出射的光具備寬視角。
再者，本發明也可以不需要次微米二維曲面結構的透明導電層112。也就是說，本發明可以省略第4F圖的步驟，直接將第一電極114形成於透明導電層即可。
再者，本發明亦未限定第一電極114與第二電極116的圖樣，及其製作流程。也就是說，第一電極114僅接觸於透明導電層以及第二電極116接觸於N型層102上即可。當然，在此領域的技術人員也可以將N型層102以及P型層106的位置互換，同樣也可以形成發光二極體。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10．．．磊晶層
11．．．作用層
12．．．透明的基板
13．．．透光層
14、15．．．歐姆接觸
16．．．側邊
17．．．上表面
18、19．．．光束
30．．．基板
32．．．LED晶粒
321．．．正電極
322．．．負電極
33．．．透明的殼本體
34．．．磷光劑基質
36．．．外部反射裝置
38．．．上表面
39．．．凹洞
40．．．下表面
42‧‧‧第一電極
44‧‧‧第二電極
46‧‧‧導線
100‧‧‧基板
102‧‧‧N型層
104‧‧‧作用層
106‧‧‧P型層
108‧‧‧表面鈍化層
110‧‧‧電氣隔離層
112‧‧‧次微米二維曲面結構的透明導電層
114‧‧‧第一電極
116‧‧‧第二電極
第1圖所繪示為習知發光二極體封裝的示意圖。
第2圖所繪示為習知發光二極體示意圖。
第3圖所繪示為本發明具寬視角的發光二極體。
第4A圖至第4G圖所繪示為本發明具寬視角的發光二極體的製作方法。
第5圖所繪示為本發明發光二極體與習知發光體的輻射分佈圖。
100．．．基板
102．．．N型層
104．．．作用層
106．．．P型層
108．．．表面鈍化層
110．．．電氣隔離層
112．．．次微米二維曲面結構的透明導電層
114．．．第一電極
116．．．第二電極

Claims (15)

  1. 一種發光二極體，包括：一基板；複數個柱狀結構，形成於該基板上，每一該柱狀結構中皆包括一第一型半導體層、一作用層、與一第二型半導體層，其中該第一型半導體層係形成於該基板上，且該些柱狀結構係利用該第一型半導體層達成電氣的連接關係；一填充結構，形成於該些柱狀結構之間；一透明導電層，覆蓋於該填充結構與該些柱狀結構中該第二型半導體層所形成的一表面上；一第一電極接觸於該透明導電層；以及一第二電極接觸於該第一型半導體層；其中，該填充結構包括：一表面鈍化層，形成於該些柱狀結構之間的側壁與該第一型半導體層的一表面上，且該表面鈍化層係為(Alx Iny Gaz )2-δ O3 的一第一介電材質，且x+y+z=1,0δ<1；以及一電氣隔離層，形成於該表面鈍化層之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中，該第一型半導體層與該第二型半導體層係為一N型層與一P型層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中，該些柱狀結構的寬度介於λ/2與20μm之間，該些柱狀結構的高度介於0與2μm之間，其中λ為該發光二極體的 一光波長。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中，該電氣隔離層係為SiO2 、HfO2 、Al2 O3 、Si3 N4 、或者Ta2 O5 的一第二介電材質。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中，該透明導電層係為ITO、In2 O3 、Sn2 O3 、ZnO、或者NiOx 的一第三介電材質，其中0<x1。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中，該透明導電層係為具有一次微米二維曲面結構的該透明導電層。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體，其中，該次微米二維曲面結構的高度介於0至1μm之間，寬度介於0至300nm之間。
  8. 一種發光二極體的製造方法，包括下列步驟：提供一基板；於該基板上依序形成一第一型半導體層、一作用層、與一第二型半導體層；利用微影蝕刻製程，於該基板上形成複數個柱狀結構，每一該柱狀結構中皆包括該第一型半導體層、該作用層、與該第二型半導體層，其中，該些柱狀結構係利用該第一型半導體層達成電氣的連接關係； 形成一填充結構於該些柱狀結構之間；形成一透明導電層，覆蓋於該填充結構與該些柱狀結構中該第二型半導體層所形成的一表面上；形成一第一電極接觸於該透明導電層；以及形成一第二電極接觸於該第一型半導體層；其中，形成該填充結構更包括：形成一表面鈍化層於該些柱狀結構之間的側壁與該第一型半導體層的一表面上，且該表面鈍化層係為(Alx Iny Gaz )2-δ O3 的一第一介電材質，其中x+y+z=1,0δ<1；以及填充一電氣隔離層於該些表面鈍化層之間。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體的製造方法，其中，該第一型半導體層與該第二型半導體層係為一N型層與一P型層。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體的製造方法，其中，該些柱狀結構的寬度介於λ/2與20μm之間，該些柱狀結構的高度介於0與2μm之間，其中λ為該發光二極體的一光波長。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體的製造方法，其中，利用一光致氧化製程、一高溫氧化製程、一原子層沈積製程、或者一化學氣相沉積製程形成該表面鈍化層。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體的製造方法，其中，該電氣隔離層係為SiO2 、HfO2 、Al2 O3 、Si3 N4 、或者Ta2 O5 的一第二介電材質。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體的製造方法，其中，該透明導電層係為ITO、In2 O3 、Sn2 O3 、ZnO、或者NiOx 的一第三介電材質，其中0<x1。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體的製造方法，其中，該透明導電層係為具有一次微米二維曲面結構的該透明導電層。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體的製造方法，其中，該次微米二維曲面結構的高度介於0至1μm之間，寬度介於0至300nm之間。
TW100138543A 2011-03-08 2011-10-24 具寬視角的發光二極體及其製造方法 TWI467805B (zh)

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110600593B (zh) * 2012-12-06 2023-01-03 首尔伟傲世有限公司 发光二极管
KR102013364B1 (ko) * 2012-12-06 2019-10-21 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것의 어플리케이션
US9536924B2 (en) * 2012-12-06 2017-01-03 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting diode and application therefor
US9190563B2 (en) 2013-11-25 2015-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanostructure semiconductor light emitting device
CN106058002B (zh) * 2016-06-15 2018-11-09 青岛杰生电气有限公司 一种紫外发光器
US10707265B2 (en) * 2017-05-31 2020-07-07 Iinolux Corporation Display devices
CN112769039A (zh) * 2020-11-03 2021-05-07 深圳阜时科技有限公司 一种光源、发射模组、光学感测装置及电子设备
CN114032527A (zh) * 2021-09-16 2022-02-11 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种外延片的钝化层制备方法、发光芯片及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050199898A1 (en) * 2004-03-12 2005-09-15 Ming-Der Lin Light-emitting diode with micro-lens layer
US20060110839A1 (en) * 2003-02-05 2006-05-25 Dawson Martin D Micro-leds
US20060208273A1 (en) * 2003-08-08 2006-09-21 Sang-Kyu Kang Nitride micro light emitting diode with high brightness and method of manufacturing the same

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04343484A (ja) 1991-05-21 1992-11-30 Eastman Kodak Japan Kk 発光ダイオードアレイ
JPH06314823A (ja) * 1993-04-28 1994-11-08 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
US6229160B1 (en) 1997-06-03 2001-05-08 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light extraction from a semiconductor light-emitting device via chip shaping
US6410942B1 (en) * 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
JP2004079972A (ja) * 2002-08-22 2004-03-11 Fuji Photo Film Co Ltd 面発光型発光素子
US20080128728A1 (en) 2004-09-10 2008-06-05 Luminus Devices, Inc. Polarized light-emitting devices and methods
JP2006128227A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Mitsubishi Cable Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
KR100522844B1 (ko) 2004-12-14 2005-10-19 주식회사 이츠웰 표면 식각된 투명 전도성 산화막 오믹 전극을 이용한 질화물 반도체 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP4687109B2 (ja) * 2005-01-07 2011-05-25 ソニー株式会社 集積型発光ダイオードの製造方法
WO2006137711A1 (en) 2005-06-22 2006-12-28 Seoul Opto-Device Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US20090085053A1 (en) 2007-01-25 2009-04-02 Hsing Chen Light emitting diode package with large viewing angle
JP2009010012A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Panasonic Electric Works Co Ltd 半導体発光素子、その製造方法及び発光装置
JP5097532B2 (ja) * 2007-12-21 2012-12-12 パナソニック株式会社 化合物半導体発光素子の製造方法
CN101257075B (zh) * 2008-03-13 2010-05-12 鹤山丽得电子实业有限公司 一种发光二极管器件及其制造方法
KR20090010012A (ko) 2008-12-18 2009-01-28 주식회사 삼광 모바일폰 윈도우의 제조방법
TWI369794B (en) * 2009-02-05 2012-08-01 Huga Optotech Inc Light-emitting diode
TWI396307B (zh) * 2009-02-05 2013-05-11 Huga Optotech Inc 發光二極體
KR20120038539A (ko) * 2009-07-30 2012-04-23 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 픽셀화된 ｌｅｄ
KR20110014521A (ko) 2009-08-05 2011-02-11 순천대학교 산학협력단 발광다이오드 및 그 제조방법
KR101007077B1 (ko) * 2009-11-06 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060110839A1 (en) * 2003-02-05 2006-05-25 Dawson Martin D Micro-leds
US20060208273A1 (en) * 2003-08-08 2006-09-21 Sang-Kyu Kang Nitride micro light emitting diode with high brightness and method of manufacturing the same
US20050199898A1 (en) * 2004-03-12 2005-09-15 Ming-Der Lin Light-emitting diode with micro-lens layer

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